13003 транзистор параметры: Страница не найдена — СхемаТок

Содержание

Транзистор 13003: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

13003 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения.

Основной материал представлен на основе характеристик транзистора MJE13003-P, выпускаемого в нескольких конструктивных исполнений: в корпусах TO-92 (NL), TO-126 (C/S), TO-251, TO-252.

Корпус и цоколевка

Выводы:

  • TO-92(NL) – 1 Эмиттер, 2 Коллектор, 3 База.
  • TO126(C/S), TO-251/252 – 1 База, 2 Коллектор, 3 Эмиттер.

Предназначение

Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.

Области применения

  • Импульсные регуляторы и инверторы.
  • Устройства управления двигателями, соленоидами и реле.
  • Отклоняющие системы в телеаппаратуре.

Характерные особенности

Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора TC = 100°C.

Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса tC = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.

Выдерживаемые напряжения до 700 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO (SUS)400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC1,5
Ток коллектора импульсный, АICM 3
Ток базы постоянный, АIB0,75
Ток базы импульсный, АIBM1,5
Рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126SPC1,4
TO-92, TO-92NL1,1
TO-251, TO-2521,56
Tc = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126S20
TO-92, TO-92NL1,5
TO-251, TO-25225
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭UCEO(SUS) IC = 10 мА, IB = 0 А.400
Ток коллектора выключения, мА ٭Ta = 25°CICEOUCEO = номинальное значение,
UBE(OFF) = 1,5 В
1
Tc = 25°C5
Ток эмиттера выключения, мА ٭IEBOUEB = 9,0 В, IC = 01
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat)IC = 0,5 А, IB = 0,1 А0,5
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1
IC = 1,2 А, IB = 0,4 А3
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) IC = 0,5 А, IB = 0,1 А1
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1,2
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А14….57
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А5…30
Выходная емкость коллектора, pF CobUCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц21
Частота среза, МГц fTUCE = 10 В, IC = 0,1 А10
Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку
Время задержки, мксtdСм. схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%0,05
Время нарастания импульса тока, мксtr0,5
Время сохранения импульса, мксts2
Время спадания импульса тока, мксtf0,4
Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений
Время сохранения импульса, мксtsIC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.1,7
Коммутационный промежуток, мксtc0,29
Время спадания импульса тока, мксtf0,15

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине параметра h

FE
Обозначение группыABCDEFGH
Диапазон hFE14…2221…2726…3231…3736…4241…4746…5251…57

Модификации (версии) транзисторов серии 13003

Конструктивное исполнение — TO-92. Ta = 25°C.

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
TS13003HU
Маркировка TSC13003H
0,59005301,51— / 4 / 0,7
3DD13003S1D
3DD13003V1D
0,83502001,50,451 / 4,5 / 1
3DD13003ULD0,83502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DE0,86004001,30,221 / 5 /1
13003DF / DH0,86004001,50,31 / 5 /1
3DD13003h2D0,86004001,80,251 / 5 /1
BU13003D0,87004001,50,60,7 / 2,5 /0,9
APT13003LZ
Маркировка 13003LZ-G1
0,87004500,80,5
3DD13003B0,97004001,50,8— / 4 / 0,7
CS130030,970048010,5
13003DW135020020,211 / 4,5 / 1
MJE13003LF1
MJE13003VF1
14002001,20,8— / 4 / 0,6
MJE13003VG114002001,50,6— / 3,5 / 0,6
MJE13003Vh2140020021— / 3,5 / 0,6
MJE13003VI114002002,51,3— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK1
BR3DD13003VK1K
Маркировка BR13003V
140020031,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003G1 / F116004000,750,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003h216004001,20,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003DG116004001,30,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003DI1 / I116004001,50,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003DK116004001,750,5— / 4 / 0,5
MJE13003B170040011— / — / 0,3
MJE13003M117004001,80,8— / 4 / 0,8
R13003F1
MJE13003E1
17004500,5 (0,45)0,5— / 4 / 0,6
13003ADA17004501,50,18— / 4 / 0,7
13003BS180045020,82 / 5 / 2
13003EDA18505001,30,21 / 5 / 1
SBN13003HB1850850 (530)111 / 4 / 0,7
MJE13003T1
MJE13003J1G
19005301,51— / 6 / 1,2
MJE13003L119005301,50,8— / 5 / 1,2
CSL13003
TSL13003
1,16004001,511,1 / 4 / 0,7
SBN13003A11,1 (1,14)7004001,51 0,25 / 1,32 / 0,23
STD13003Q
FJN13003
MJE13003A
MJE13003D-P
MJE13003E
KSB13003AR
KSB13003A
KSB13003ER
1,17004001,511 / 4 / 0,7
R13003F11,17004500,5 (0,45)0,5— / 4 / 0,6
MJE13003E1
APT13003SZ
Маркировка 13003SZ-G1
1,17004501,30,61 / 3 / 0,5
APT13003DZ
APT13003EZ
Маркировка 3003DZ
1,17004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003CB
KSB13003C
1,18004501,50,51,1 / 4 / 0,7
APT13003HZ
Маркировка 13003HZ-G1
1,18004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003H1,19005301,50,81,1 / 4 / 0,7
13003DF1,256004001,50,31 / 5 / 1
13003DH1,256004001,80,31 / 5 / 1
STX13003
Маркировка X13003
1,5700400111 / 4 / 0,7
TS13003CT
TS13003BCT
Маркировка TSC13003B
1,57004001,511 / 4 / 0,7
ST13003H1,59005001,511 / 4 / 0,7
TS13003HV1,59005301,511,1 / 2 / 0,4
PHE13003A2,17004001
PHD13003C
PHE13003C
2,17004001,5
TS13003MVCT
Маркировка TSC13003H
5,88004001,50,81 / 4 / 0,6
WBN13003B2D156004001,20,31 / 4 / 0,4
WBN13003A1186004001,20,8— / 4 / 0,7
WBN13003B186004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15

Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). Tc = 25°C.

Тип транзистораPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
13003DE0,86004001,30,221 / 4 / 1
MJE13003HT1,385050010,5
3N13003GP
BD13003B
1,57004001,50,61 / 4 / 0,5
MJE13003D-P1,57004001,511 / 4 / 0,7
P130031270040010,60,7 / 3,5 / 0,9
h23003H129006001,60,61 / 3,0 / 0,8
S13003AD-H158005001,60,61 / 3,5 / 0,8
WBR13003B31860045010,30,2 / — / 0,15
J13003187004001,20,60,7 / 4 / 0,9
WBR13003LD2035020030,5— / 4 / 0,8
MJE13003LF5204002001,20,8— / 4 / 0,6
MJE13003VH52040020020,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VI5204002002,50,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK52040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003F6206004000,50,5— / 4 / 0,6
MJE13003F5206004000,80,5— / 4 / 0,6
MJE13003BR2060040010,3— / 2,4 / 1
WBR13003B2
WBR13003B2D
206004001,20,30,2 / — / 0,18
WBR13003X206004001,20,8— / 4 / 0,7
WBR13003B1206004001,21,61 / 5 / 1
S13003206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
WBR13003206004001,50,18— / 4 / 0,7
13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
13003D207004001,51,31 / 4 / 0,7
KSE13003207004001,511,1 / 4 / 0,7
MJE13003E207004001,52,50,5 / 2 / 0,4
P13003D207004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
SBR13003BD207004001,50,20,2 / 1,5 / 0,15
APT13003SU
Маркировка EU13003S/GU13003S
207004501,30,61 / 3 / 0,5
13003ADA207004501,50,18— / 4 / 0,7
APT13003DU
Маркировка GU13003D
207004501,50,40,7 / 3 / 0,35
APT13003EU
Маркировка EU13003E/GU13003E
207004651,50,290,3 / 1,8 / 0,28
APT13003HU
Маркировка GU13003H
208004651,50,40,3 / 1,8 / 0,28
13003BS2080045020,82 / 5 / 2
13003EDA208505001,30,21 / 5 / 1
KSC13003H209005301,511,1 / 4 / 0,7
SBR13003H209005301,510,25 / 1,32 / 0,23
MJE13003HV209005301,52,51,1 / 3 / 0,7
S13003DL2240020030,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A-D227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
S13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
h23003AH228807002,50,60,5 / 3,5 / 0,5
S13003ADL254002003,50,61 / 2,5 / 0,9
13003F
BU13003F
S13003AD
2565040020,61 / 3,1 / 0,8
SBR13003B1257004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
h230032665040020,60,9 / 3,3 / 0,9
h23003D2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5
h23003ADL2840020040,60,6 / 2,9 / 0,6
h23003AD287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
h23003DL2940020040,60,3 / 3 / 0,3
h23003VG5304002001,50,6— / 4 / 0,6
MJE13003G5/G6306004000,750,5— / 3,5 / 0,6
NJM13003-1.63306004001,50,35— / 3 / 0,8
WBR13003306004001,50,50,2 / 1,5 / 0,3
MJE13003BR3060040020,35— / 3 / 0,8
MJE13003DG5307004001,30,5— / 3 / 0,8
SBR13003B307004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
TS13003307004001,510,5 / 2 / 0,4
MJE13003HN63014008001,50,6— / 6 / 4
3DD13003U6D353502001,50,451 / 4,3 / 1
3DD13003V6D353502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
13003C357004002
WBR13003L2403502001,50,8— / 3 / 0,8
3DD13003W6D4035020020,41 / 4,5 / 1
MJE13003H5/H6406004001,20,8— / 3,5 / 0,6
3DD13003E6D406004001,30,41/ 4/ 1
MJE13003I6406004001,50,8— / 3,5 / 0,6
C13003406004001,511 / 4 / 0,7
WBR13003D4060040021,6— / 3 / 0,8
CR13003407004001,511 / 4 / 0,7
MJE13003407004001,510,5 / 2 / 0,4
SBR13003A407004001,50,5 0,2 / 1,5 / 0,15
SBR13003D407004001,51,6— / 3 / 0,8
MJE13003DJ5408004801,50,8— / 3,5 / 0,6
CD13003
CD13003D
456004001,511,1 / 4 / 0,7
13003E457004002,5
MJE13003VN55040020050,6— / 4 / 0,6
13003DF
13003DH
3DD13003F6D
506004001,50,31 / 5 / 1
MJE13003DK5506004001,750,9— / 4 / 0,8
3DD13003H6D506004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K6507004001,8
3DD13003I6D
3DD13003I7D
5070040020,51 / 5 / 0,8
3DD13003N55070040020,8— / 6 / 0,8
MJE13003DN55070040020,6— / 6 / 0,8
3DD13003X15070040020,31 / 4,5 / 2
3DD13003D507004002,50,51 / 5 / 0,8
MJE13003M5/M6507004501,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003HK5509005301,20,8— / 5 / 1,2
MJE13003L5/L6509005301,50,8— / 6 / 1,2

Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, ВIC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
ST130031,56004001,511 / 4 / 0,7
SBP13003207004001,50,5— / 4 / 0,8
13003B2865040020,60,5 / 3,3 / 0,5
13003AD307004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
KSE13003T
KSh23003H
307004001,50,51,1 / 4 / 0,7
SBP13003H309005301,50,5 0,2 / 1,32 / 0,23
HMJE13003E357004001,50,5
WBP13003D4060040020,5— / 4 / 0,8
MJE13003D407004001,50,51 / 4 / 0,7
SBP13003D407004001,50,5— / 4 / 0,8
SBP13003O407004001,50,5— / 4 / 0,3
XW13003-220456004001,5
BR3DD13003VK7R
Маркировка BR13003V
5040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK75040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VN75040020050,6— / 4 / 0,6
MJE13003I7506004001,50,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003K7
MJE13003K8
506004001,50,9— / 4 / 0,8
MJE13003DK7506004001,750,9— / 4 / 0,8
CDT13003506004001,80,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003M7
MJE13003M8
507004001,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003N85070040020,8— / 6 / 0,8
3DD13003M8D606004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K8607004001,80,31 / 5 / 1
3DD13003J8D6070040020,51 / 4 / 1
3DD13003M8D6070040020,51 / 4 / 1

Конструктивное исполнение ТО-251. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5
MJE13003K3107004501,50,9— / 4 / 0,8
13003ADA107004501,50,18— / 4 / 0,7
13003BS1080045020,82 / 5 / 2
13003EDA108505001,30,21 / 5 / 1
MJD13003157004001,50,51 / 4 / 0,7
SBU13003BD207004001,50,61 / 3 / 0,4
STD13003207004001,50,91 / 4 / 0,7
APT13003DI247004501,50,30,7 / 3 / 0,35
ALJ13003
ALJ13003-251
256004001,20,8— / 6 / 1
KSU13003E
KSU13003ER
257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSU13003H
KSU13003HR
2590053020,81,1 / 4 / 0,7
3DD13003U3D303502001,80,41 / 4,5 / 1
MJE13003VK33040020031,5— / 3,5 / 0,6
3DD13003F3D306004001,50,31 / 4,5 / 1
MJE13003DK3307004001,750,9— / 4 / 0,8
MJE13003DI3308004801,50,8— / 3,5 / 0,6
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
3DD13003W3D3535020020,41 / 4,5 / 1
3DD13003h4D356004001,80,251 / 5 / 1
HI13003407004001,50,5
MJE13003M3407004001,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003h4407004501,20,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003L3409005301,50,8— / 6 / 1,2
13003DH506004001,80,31 / 5 / 1
MJE13003I506004001,50,8— / 3,5 / 0,6

Конструктивное исполнение ТО-252. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5
CZD130031,257004001,51— / 2,5 / 0,5
DXT13003DK
Маркировка 13003D
3,97004501,50,30,35 / 2,3 / 0,21
DXT13003EK
Маркировка 13003E
3,97004601,50,30,43 / 1,64 / 0,28
WBD13003D1060040020,5— / 4 / 0,8
HJ13003157004001,5
STD13003D157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
CJD13003157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
STD13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
KSD13003E
KSD13003ER
257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSh23003
KSh23003I
407004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K4506004001,50,9— / 4 / 0,8

Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. Tc = 25°C (если не указано иное).

PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мксТип, маркировка на корпусе
0,53502001,50,451 / 3,5 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,53502001,50,451 / 4 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,57004001,50,6— / 4 / 0,53DD13003/A/C/E/F
Корпус SOT89
0,96004001,510,4 / 1,4 / 0,2TTC13003L, LSTM
Маркировка 13003L
1,06004000,50,5— / 4 / 0,6MJE13003FT, SOT89
Маркировка H03F
1,257004501,511 / 4 / 0,7PZT13003
3,07004501,30,40,7 / 3 / 0,35DXT13003DG
Маркировка 13003D
206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9S13003, TO826
207004000,51,2— / 2,5 / 0,18ST13003N, SOT32
Маркировка 13003N
207004000,51,2— / 2,5 / 0,18 ST13003DN, SOT32 Маркировка 13003DN
227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9S13003A
2565040020,612 / 3,1 / 0,8S13003AD
2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5h23003D
287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8h23003AD
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003D-K, SOT32
Маркировка 13003D
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003K, SOT32
Маркировка 13003
407004001,511 / 4 / 0,7STK13003, SOT82

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

  • UCC = 125 В.
  • RC = 125 Ом.
  • RB = 47 Ом.
  • D1 диод 1N5820 или подобный.
  • SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный.
  • tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

  • Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс. Скважность импульсов 10%.
  • Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC.
  • UCC подбирается из требуемой величины IC.
  • RB подбирается из требуемой величины IB1.
  • Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ.
  • Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40— / 3,5 / 1TO-126
КТ8170А4070040092,25315045…401,1 / 4 / 0,7TO-126
КТ859А408008001031,5150˃ 3,3˃ 100,35 / 3,3 / 0,35TO-220AB
КТ841А/В50600/8003505101,51501012…450,08 / 0,8 / 0,2TO-3
КТ8118А509008003˂ 2,0150˃ 1510…40TO-220
КТ8120А6060045058115020˃ 10— / 2 / 0,2TO-220
КТ840А/Б/В60900/750/800400/350/375560,61508…1510…600,2 / 3,5 / 0,6TO-3
КТ868А/Б70900/750400/375561,5150˃ 810…100TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, В UBE, В IC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40— / 3,5 / 1TO-126
3DD19104070040092,51150515…301 / 5 / 0,8TO-126A
3DD13005A740800400930,6150515…351 / 5 / 1TO-126F
WBR13005D140700400941150410…40— / 3,6 / 1,6TO-126
BTN3A60T340900700930,6150410…40TO-126
HLD133D357004009211505…40— / 4 / 0,8TO-126
ST13007DFP3670040098315048…40— / 2,2 / 0,15TO-220FP
BUL310FP361000500951,115010— / 1,8 / 0,5TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, ВUBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR30600400920,851505…40— / 3 / 0,8TO-126
BLD123D30600400920,91505…40— / 4 / 0,8TO-126
KSE13003T3070040091,5315045…401,1 / 4 / 0,7TO-220
FJPE33053070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F
KSh23005AF3070040094115048…600,8 / 4 / 0,9TO-220F
MJE13005AF30800400105115048…350,15 / 5 / 0,8TO-220IS
MJE13005F30700400941150410…350,8 / 4 / 0,9TO-220IS
STD13005F/FC3070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F-3L
STL128DFP3070040041,515010…32— / 0,6 / 0,1TO-220FP
TS13005CI3070040094115048…400,7 / 3 / 0,5ITO-220
TSC236CI30700400941,31508…320,5 / 3 / 0,5ITO-220
BUL128FP31700400941,515010…45— / 2,9 / 0,4TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

13003 распиновка. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose

Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы 13003.Что о них надо знать и зачем в них установлен диод | Электронные схемы

транзисторы высоковольтные с диодом и без диода

транзисторы высоковольтные с диодом и без диода

В импульсных источниках питания,пускорегулирующих устройствах и в энергосберегающих лампах( электронные балласты), могут применять высоковольтные быстродействующие транзисторы,на корпусе которых написано 13003.Буквенные обозначения разные,так как много производителей из выпускали и порой найти на эти транзисторы даташиты затруднительно.Основные характеристики транзистора: напряжение коллектор-эмиттер 400В,ток коллектора 1.5 А и мощность 40 Вт.Но у разных производителей эти характеристики могут отличаться в небольшую сторону.Но еще одна интересная деталь:в этих транзисторах между коллектором и эмиттером может быть установлен диод а может его и не быть.Этот диод называется демпферным,и служит для гашения импульсов обратного напряжения,когда транзистор подключен к индуктивности.Это спасает транзистор.Если диод есть в транзисторе,тогда между коллектором и эмиттером его можно не устанавливать,если диода в транзисторе нет,то для защиты он нужен.Ставят быстродействующие высоковольтные диоды типа FR107.

высоковольтные транзисторы на плате лампы

высоковольтные транзисторы на плате лампы

Узнать,есть ли этот диод в транзисторе или нет можно по даташиту,но найти характеристики на транзистор не всегда удается,тогда на помощь приходит тестер.Как видно,тестер покажет диод между коллектором и эмиттером.

транзистор с диодом между коллектором и эмиттером

транзистор с диодом между коллектором и эмиттером

В другом транзисторе диода нет и тестер это покажет.

транзистор без защитного диода

транзистор без защитного диода

Я отобрал транзисторы с диодом и без и на фото транзисторы,которые без диода,их большинство.

транзисторы 13003 без диода

транзисторы 13003 без диода

А вот транзисторы с защитным диодом,их меньше.

транзисторы 13003 с диодом

транзисторы 13003 с диодом

Аналог 13003,под названием КТ8170, выпускал или выпускает белорусский «Интеграл».Напряжение к-э 400 Вольт,ток коллектора постоянный 1.5 А,без диода.

транзистор кт8170

транзистор кт8170

Транзисторы 13003 есть также в корпусе ТО-220.Только один даташит я нашел на такой транзистор,его ток коллектора уже больше и составляет 2 А и мощность 50 Вт.

транзистор 13003 в корпусе то-220

транзистор 13003 в корпусе то-220

Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007

 Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007

Импортные транзисторы серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 получили широкое в производстве бытовой аппаратуры.

На данной страничке собрана информация по аналогам импортных транзисторов серии 13001, 13003, которые широко используются при сборке импортных электрических бытовых приборах таких как энергосберегающие лампы, фонари дневного света, зарядные устройства и т.д.


Благодаря этой информации вы легко сможете подобрать сответствующие аналоги для транзисторов серий 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 и т.д.

тип класс аналог Uкэ, В Iк, А h31 Uнас, В tрас, мкс
[fгр, МГц]
корпус производитель
КТ8121А npn MJE13005 400 4   1.0 0.4
КТ28
ИСКРА
КТ8126А npn MJE13007 400 8 >10 1.0 0.4 КТ28 ИСКРА
КТ8137А npn NJE13003 400 1.5 50 1.0 0.4 КТ27 ИСКРА
КТ8164А npn MJE13005 600 4       КТ28 ТРАНЗИСТОР
КТ8170А1 npn MJE31003 400 1.5 40 1.0 [0.004] КТ27 ТРАНЗИСТОР
КТ8175А npn MJE13003 700 1.5 40  
0.4
КТ27 ЭЛИЗ
КТ8181А npn MJE13005 700 4 50   0.4 КТ28 ЭЛИЗ
КТ8182А npn MJE13007 700 8 50   0.15 КТ28 ЭЛИЗ
КТ8201А npn MJE13001 400 0.6 40   0.3 КТ27 МИКРОН
КТ8203А npn MJE13003 400 1.5 25   0.7 КТ27 МИКРОН
КТ8205А npn MJE13005 400 4 40   0.9 КТ28 МИКРОН
КТ8207А npn MJE13007 400 8 30   0.7 КТ28 МИКРОН
КТ8209А npn MJE13009 400 12 30     КТ28 МИКРОН
КТ8258А npn MJE13005 400 4 60 0.8   to220,to263 ЭПЛ
КТ8259А npn MJE13007 400 8 60 1.2   to220,to263 ЭПЛ
КТ8260А npn MJE13009 400 12 60 1.2   to220,to263 ЭПЛ
КТ8270А npn MJE13001 400 5.0 90 0.5   КТ27 ТРАНЗИСТОР

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ЖМИ НА КНОПКИ И ДЕЛИСЬ ИНФОРМАЦИЕЙ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦ.СЕТЯХ:

MJE13003 (to-252) | Биполярные транзисторы

Код товара :M-122-6908
Обновление: 2019-02-04
Тип корпуса :TO-252

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить MJE13003 (to-252), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с MJE13003 (to-252) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код
Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
6908 MJE13003 (to-252) Транзисторы MJE13003 — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-252 14 pyб.
6906 2SD882 (to-252) Транзистор 2SD882 (маркировка D882M) — NPN silicon transistor 40V, 3A, TO-252 13 pyб.
7339 KSE13003-2 (E13003-2) Транзистор KSE13003-2 (маркировка E13003-2) — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-220 34 pyб.
1313 AMS1117-5.0 sot-223 Микросхема AMS1117-5.0 — 1A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR 5V, SOT-223 9 pyб.
611 MJE13001 to-92 Транзистор MJE13001 (маркировка 13001) — NPN SILICON TRANSISTOR, 400V, 0,5A, TO-92 2.8 pyб.
7091 FQU2N60C Транзистор FQU2N60C — Power MOSFET N-Channel, 600V, 2A, TO-251 20 pyб.
4050 Панель переходник DIP8 -> SOP8 (200mil) Переходник (адаптер) для программаторов, DIP8 -> SOP8 (200mil) 298 pyб.
1312 AMS1117-3.3 sot-223 Микросхемы AMS1117-3.3 — 1A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR 3.3V, SOT-223 7 pyб.
1658 Щупы для мультиметра (модель FC-136) Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр. 216 pyб.
8234 LED-3528 (3V, 1W, LG) Светодиод LED-3528, (полный партномер LATWT470RELZK), белый 20 pyб.

 

Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007

Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007 (используются в ЗУ и ИБП)
http://electro-tehnyk.narod.ru/docs/zuSimens.htm

Информация по аналогам импортных транзисторов серии 13001, 13003, которые широко используются в импортных бытовых электрических приборах (энергосберегающие лампы, фонари дневного света, зарядные устройства) и т.д.



тип

аналог

Uкэ, В

Iк, А

h31

Uнас, В

tрас, мкс
[fгр, МГц]


корпус

КТ8121А

MJE13005

400

4

 

1.0

0.4

КТ28

КТ8126А

MJE13007

400

8

>10

1.0

0.4

КТ28

КТ8137А

NJE13003

400

1.5

50

1.0

0.4

КТ27

КТ8164А

MJE13005

600

4

 

 

 

КТ28

КТ8170А1

MJE31003

400

1.5

40

1.0

[0.004]

КТ27

КТ8175А

MJE13003

700

1.5

40

 

0.4

КТ27

КТ8181А

MJE13005

700

4

50

 

0.4

КТ28

КТ8182А

MJE13007

700

8

50

 

0.15

КТ28

КТ8201А

MJE13001

400

0.6

40

 

0.3

КТ27

КТ8203А

MJE13003

400

1.5

25

 

0.7

КТ27

КТ8205А

MJE13005

400

4

40

 

0.9

КТ28

КТ8207А

MJE13007

400

8

30

 

0.7

КТ28

КТ8209А

MJE13009

400

12

30

 

 

КТ28

КТ8258А

MJE13005

400

4

60

0.8

 

to220,to263

КТ8259А

MJE13007

400

8

60

1.2

 

to220,to263

КТ8260А

MJE13009

400

12

60

1.2

 

to220,to263

КТ8270А

MJE13001

400

5.0

90

0.5

 

КТ27



Достарыңызбен бөлісу:

F60 13003 транзистор параметры цоколевка. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Наиболее важные параметры

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы

MJE13003 и 13003. Распиновка. Техническая спецификация.

Обозначение типа: 13003, MJE13003 .
Комплектация: ТО-252, ТО-220, Т0-251, ТО-126, ТО-92, ТО-92Л.

Внимание! MJE13003 в корпусах ТО-92 и ТО-126 может иметь разное расположение выводов (не как на первом изображении)!

Например:

Поэтому выводы каждого 13003 перед установкой необходимо проверить мультиметром или тестером.

Если транзистор неисправен так, что мультиметром невозможно определить расположение его выводов или тестер, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключают напрямую или через резистор с малым сопротивлением к минусовому выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда посередине.
Таким образом, третий пин — это база .

Некоторые 13003 содержат встроенные диоды, включенные между эмиттером и коллектором. Их назначение – защита транзистора от импульсов обратного напряжения, возникающих при он работает с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.

Основные параметры 13003(MJE13003).

Материал транзистора: Si
Полярность: НПН
Рассеиваемая мощность (P D )при температуре окружающей среды 25°, без радиатора. (|T A |=25°)
1,1 Вт (TO-92 и TO-92L).
ТО-220 — 2 Ш.
ТО-252 и ТО-251 — 1,56 Ш.
ТО-126 — 1,4 Ш.

Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре коллектора не выше 25°, поддерживаемой радиатором.(|T c |=25°
ТО-126 — 20 Ш.
ТО-220 — 50 Ш.
ТО-252 и ТО-251 — 25 Ш.

Напряжение пробоя коллектор-база |В CBO |: 700 В.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер |В СЕО |: 400 В.

Напряжение пробоя эмиттер-база |В EBO |: 7 В.

Максимальный непрерывный ток коллектора |I c max |: 1,5 A

.Максимальная температура перехода |T j |: +150 C

. Частота перехода (f t ): 10 МГц (мин).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер|В CE |: 1 В(IC=1A,I B =0,25A), 3 В(IC=1,5A,I B =0,5A) ).

Напряжение насыщения база-эмиттер|В BE |: 1 В(IC=0,5A,I B =0,1A), 1,2 В(IC=1A,I B =0 , 25А).

Коэффициент передачи прямого тока |h FE | : 14-57 .

Время хранения|t с |: 1 мкс.

Время спада |t F |: 0,7 мкс.

MJE13003 Лист данных (PDF)
(Unisonic Technologies.)

Кремниевый силовой транзистор серии SWITCHMODE NPN

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > поток Акробат Дистиллер 7.0.5 (Windows)BroadVision, Inc.2020-09-09T10:33:19+02:002006-01-12T17:39:42-07:002020-09-09T10:33:19+02:00application/pdf

  • MJE13003 — Кремниевый силовой транзистор серии SWITCHMODE NPN
  • ПО Полупроводник
  • UUID: 0e8bdac9-a353-4704-aa04-0e21f67ad3e2uuid: f5fcd45d-e56d-4599-b6a2-a19e04079fd2 конечный поток эндообъект 5 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > поток HWYSHG>R sKڪZbH**!DIm uLO_ f4}c7″(SpFNWFƽCN& Х»Т {oGwnz0b5Ș*2(ï^[8[)a(ʠ[email protected]ȪxUMt^Yې#x״u7Ç.СмЍ>«ки`7G4VC.04 ( \QkKpʅ29yMNa$ ـ’LJ\2&ؘ [email protected]>٬g2FC.9−hbM39|4urvp|[email protected]@69=?] 3&W(4伺LGa» т ȓxĘ[6or2

    m1j68G&p cjs_m1’IV٢

    13003 параметры транзистора советский аналог

    Транзистор 13003 имеет много названий, которые зависят от производителя. Под транзистором 13003 скрыты названия wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003. Транзистор 13003 имеет аналоги из серий 13001, 13003, 13005, 13007 и отечественных разработок.При замене из своей серии подойдет аналог транзистора 13003: 13005 или 13007, они больше по мощности и некоторым параметрам, будут работать с «запасом».

    Биполярный транзистор 13003 мощный и высоковольтный, NPN, импортированный из ТО-126, имеет быстродействующий переключатель. Область применения импортных транзисторов Серия mje13003 довольно широка в импортной бытовой технике. В основном это энергосберегающие лампочки, зарядные устройства, регуляторы освещения и лампы дневного света. Замена 13003 на отечественные транзисторы по таблице аналогов.

    Отечественные аналоги транзистора 13003 и замена

    аналог 13003 транзисторов

    внутренний

    оригинальное название транзистор 13003

    Уке, Б

    Унас, В

    трас, мкс
      [fg, МГц]

    корпус,

      распиновка 13003

    аналог

    Основные параметры транзистора 13003 представлены в таблице.

    Цоколёвка транзистора 13003 возможна в двух вариантах: ТО-126 и значительно реже ТО-220АБ, вероятно этот транзистор 13003 выдерживает большие нагрузки.

    У большинства транзисторов 13003 цоколевка ЭКБ — MJE 13003, но у китайцев может быть и БКЕ, отличительной чертой этого варианта пинпойнта транзистора 13003 является отсутствие буквы после 13003.

    Некоторые принимают транзистор 3DD13003E6D за mje 13003, но это далеко не так. Китайский транзистор 3DD13003E6D представляет собой составной транзистор Дарлингтона со встроенным диодом и не является аналогом 13003 mje.

    Оригинальный даташит транзистора 13003 с параметрами транзистора представлен ниже.

    транзистор%20переключатель%2013003 спецификация и примечания по применению

    хб*9Д5Н20П

    Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
    КИА78*ПИ

    Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
    2SC4793 2sa1837

    Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
    транзистор

    Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
    КХ520Г2

    Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
    транзистор 45 f 122

    Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
    СТХ12С

    Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Варистор RU

    Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
    К2Н4401

    Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
    фн651

    Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
    2SC5471

    Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Мосфет FTR 03-E

    Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
    фгт313

    Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
    транзистор 91 330

    Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
    1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

    Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
    транзистор

    Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
    1999 — транзистор

    Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
    транзистор 835

    Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
    2002 — SE012

    Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
    2SC5586

    Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
    PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

    Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF
    варикап диоды

    Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
    Техническое описание силового транзистора
    для телевизора

    Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
    2009 — 2sc3052ef

    Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
    2007 — ДДА114ТХ

    Резюме: DCX114EH DDC114TH
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

    13003 распиновка.Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного NPN. Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003

    На этой странице показана существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN транзистора MJE13003 . Подробная информация о параметрах, схеме и базе, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

    Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
    Структура полупроводникового перехода: NPN

    Производитель: Motorola.
    Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общее назначение
    Популярность: 61513.
    Условные обозначения описаны на странице «Теория».

    Схемы транзисторов MJE13003

    Обозначение контакта:
    Международные: C — коллектор, B — база, E — излучатель.
    Русский: К — коллектор, б — база, э — эмиттер.

    Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

    Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, что написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

    Другие разделы каталога:

    Есть надежда, что справочник транзисторов будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе сталкивался с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробно обо всех возможностях этого интернет-каталога вы можете прочитать на странице сайта.
    Если заметили ошибку, огромная просьба.
    Спасибо за терпение и сотрудничество.

    Т Ранзисторы Кремниевые структуры Н-П-Н, высоковольтные усилительные.Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-Восточной Азии и Индии. Используется в блоках импульсного питания малой мощности, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т.д.

    Внимание! С близкими (почти идеальными) общими параметрами Разные производители транзисторы 13001 могут отличаться .

    Выпускается в пластиковых корпусах ТО-92 с гибкими выводами и ТО-126 с жесткими выводами. Тип устройства указан на корпусе.
    На рисунке ниже представлены MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

    Наиболее важные параметры.

    Текущий коэффициент передачи 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
    MJE13001A — от 10 до 15 .
    MJE13001B — от 15 до 20 .
    MJE13001C — от 20 до 25 .
    MJE13001D — от 25 до 30 .
    MJE13001E — от 30 до 35 .
    MJE13001F — от 35 до 40 .
    MJE13001G — от 40 до 45 .
    MJE13001H — от 45 до 50 .
    MJE13001I — от 50 до 55 .
    MJE13001J — от 55 до 60 .
    MJE13001K — от 60 до 65 .
    MJE13001L — от 65 до 70 .

    Текущая граничная частота 8 МГц.

    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 400 дюймов

    Максимальный ток коллектора (постоянный) 200 Ма

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер с токосъемником 50мА, база 10мА — 0,5 в.

    Напряжение насыщения базы эмиттера на токоприемнике 50мА, база 10мА — не выше 1,2 в.

    Токоприемник рассеянный — в корпусе ТО-92 — 0.75 Вт, в здании ТО-126 — 1,2 WT без радиатора.

    Использование любых материалов данной страницы, разрешено при наличии ссылки на сайт

    На этой странице показана существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN транзистора MJE13003 . Подробная информация о параметрах, схеме и базе, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

    Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
    Структура полупроводникового перехода: NPN

    Производитель: Motorola.
    Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общее назначение
    Популярность: 61514.
    Условные обозначения описаны на странице «Теория».

    Схемы транзисторов MJE13003

    Обозначение контакта:
    Международные: C — коллектор, B — база, E — излучатель.
    Русский: К — коллектор, б — база, э — эмиттер.

    Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

    Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, что написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

    Другие разделы каталога:

    Есть надежда, что справочник транзисторов будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе сталкивался с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробно обо всех возможностях этого интернет-каталога вы можете прочитать на странице сайта.
    Если заметили ошибку, огромная просьба.
    Спасибо за терпение и сотрудничество.

    транзистор%20sd%2013003 техническое описание и примечания по применению

    хб*9Д5Н20П

    Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
    КИА78*ПИ

    Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
    2SC4793 2sa1837

    Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
    транзистор

    Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
    КХ520Г2

    Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
    транзистор 45 f 122

    Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
    СТХ12С

    Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Варистор RU

    Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
    К2Н4401

    Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
    фн651

    Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
    2SC5471

    Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Мосфет FTR 03-E

    Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
    фгт313

    Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
    транзистор 91 330

    Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
    1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

    Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
    транзистор

    Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
    1999 — транзистор

    Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
    транзистор 835

    Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
    2002 — SE012

    Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
    2SC5586

    Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
    PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

    Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF
    варикап диоды

    Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
    Техническое описание силового транзистора
    для телевизора

    Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
    2009 — 2sc3052ef

    Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
    2007 — ДДА114ТХ

    Резюме: DCX114EH DDC114TH
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

    Для чего нужен транзистор 13003? – Рампфестудсон.ком

    Для чего нужен транзистор 13003?

    Эти устройства предназначены для высоковольтных индуктивных цепей с высокоскоростной коммутацией мощности, где критично время спада. Они особенно подходят для приложений SWITCHMODE на 115 и 220 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, устройства управления двигателем, соленоиды/релейные драйверы и цепи отклонения.

    Что такое транзистор 2N2222A?

    Транзистор 2N2222A представляет собой обычный NPN BJT и в основном используется в приложениях переключения и усиления с меньшей мощностью.Этот транзистор в основном предназначен для малой мощности, низкого и среднего тока, среднего напряжения и работает на довольно высоких скоростях.

    Является ли 13003 транзистором NPN?

    INVENTO 10 шт. MJE13003 Биполярный (BJT) 13003 Транзистор, NPN, 400 В, 10 МГц, 1,4 Вт, 1,5 А, 4 hFE: Amazon.in: Industrial & Scientific.

    Как узнать, исправен ли транзистор?

    Подсоедините положительный провод мультиметра к БАЗЕ (B) транзистора. Подсоедините провод отрицательного счетчика к ИЗЛУЧАТЕЛЮ (E) транзистора.Для хорошего транзистора NPN измеритель должен показывать падение напряжения между 0,45 В и 0,9 В. Если вы тестируете PNP-транзистор, вы должны увидеть «OL» (превышение предела).

    Можно ли использовать BC547 вместо 2N2222?

    Вы можете обновить схему в любое время, вы можете заменить транзисторы 2n2222 NPN на BC547, и это не окажет негативного влияния на проект.

    Почему используется транзистор BC547?

    Применение транзистора BC547 BC547 обычно используется для усилителя тока, быстрого переключения и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).Поэтому, если вам нужно управлять скоростью двигателя или актуатора в каком-то из ваших проектов, вы можете просто использовать для этого этот транзистор.

    Является ли BC547 PNP?

    BC547 PNP-транзистор, SMD.

    Что такое NPN и PNP?

    Датчики

    PNP выдают положительный выходной сигнал на вход промышленных средств управления, в то время как датчики NPN выдают отрицательный сигнал во включенном состоянии. NPN, или датчики с «током» на выходе, работают противоположным образом, подавая напряжение заземления на вход, когда он включен.

    Что такое транзисторы NPN и PNP?

    NPN и PNP относятся к расположению деталей, из которых состоит транзистор. Транзистор NPN имеет кусок кремния P-типа (база), зажатый между двумя кусками N-типа (коллектор и эмиттер). В транзисторе PNP тип слоев меняется на противоположный. Ниже приведено типичное поперечное сечение транзистора.

    Какова рассеиваемая мощность транзистора 13003?

    Рассеиваемая мощность транзистора 13003 отличается из-за разных типов корпусов, для ТО-126 рассеиваемая мощность составляет 40 Вт, а для ТО92 значение будет равно 1.1н. У транзисторов было много эквивалентных транзисторов, здесь мы перечисляем некоторые из них, такие как 5302D, BLD123D, HLD133D и STL128D.

    Какой транзистор у Unisonic 13003de?

    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DE Предварительный NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЕВЫЕ ТРОЙНЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ NPN БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ОПИСАНИЕ UTC 13003DE представляет собой кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовую технологию UTC, чтобы обеспечить клиентам высокое напряжение пробоя коллектор-база, низкий обратный ток утечки и высокую надежность и т. д.

    Что за транзистор mje13003d-p?

    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13003D-P Предварительный вариант NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ С БЫСТРОЙ КОММУТАЦИЕЙ NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ОПИСАНИЕ UTC MJE13003D-P представляет собой силовой транзистор NPN. Он предназначен для использования в приложениях, требующих возможности среднего напряжения и высокой скорости переключения.

    Является ли транзистор st13003 NPN высоковольтным?

    ST13003-KВысоковольтный быстропереключаемый силовой транзистор NPNОсобенности Возможность работы с высоким напряжением Низкий разброс динамических параметров Очень высокая скорость переключенияОбласти применения12 Электронный балласт для люминесцентного освещения (КЛЛ)3 SMPS для зарядного устройства SOT-32ОписаниеУстройство изготовлено с использованием высокого напряжения Рисунок 1.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.