13003Br транзистор характеристики – К сожалению, страница Wp-content Uploads Downloads 2014 09 Elektropitanie-remontenergosbereglamp_www Samelectric Ru_ Pdf не найдена…

Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные.
Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных
производителей
транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.

На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть

от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока

8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер
400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)
200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА

0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА

— не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора
в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Транзисторы

MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n,
Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока

от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А

1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —

— не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор MJE13003 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги : BUJ101

 

Корпус TO-225AA
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13003

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 1.5 А
Ib Ток базы 0.75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 20 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 2 В, Ic = 0.5 А 8 40
Vce = 2 В, Ic = 1 А 5 25
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 0.5 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1 В
Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 1 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1.2 В

 

Купит MJE13003

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

13003BR транзистора таблицы,13003BR PDF,13003BR схемы

13003BR
производитель : Wing Shing Computer Components
описание : SILICON TRANSISTOR

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : Motorola,
описание : AMPERE SILICON POWER TRANSISTORS VOLTS WATTS

13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Microelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : WINGS[Wing Shing Computer Components]
описание : SILICON TRANSISTOR

13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : KEC[KEC(Korea Electronics)]
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)

13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)

13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)

13003BR
производитель : Motorola, Inc
описание : 1.5 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

ru.transistor.com.es

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о