2N4401 транзистор характеристики: 2N4401 транзистор: характеристики, аналоги, параметры, цоколевка

Содержание

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5
19
15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I

oвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин.
Тип.
Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА
I0вых= 8 мА
I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых
, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Транзистор 2N4401: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2N4401 — биполярный, кремниевый, маломощный транзистор. Применяется в схемах коммутации и усилителей малой мощности.

Характеристики транзистора 2N4401

  • Структура : NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 40 В
  • Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 60 В
  • Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
  • Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.60 А
  • Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 100 до 300
  • Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 250.0 МГц
  • Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
  • Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
  • Корпус : TO-92

Цоколевка транзистора 2N4401

2N4401 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, база, коллектор.

Габаритные и установочные размеры транзистора 2N4401

Аналог транзистора 2N4401

Вы можете заменить 2N4401 на: 2SC1008, BC537, BC538, KN2222A, KSC1008, KSP2222A, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219A, PN2222A, PN4033, ZTX450.

Комплементарной парой 2N4401 является транзистор 2N4403.

SMD версия 2N4401: 2SD602A (SOT-23), DXT2222A (SOT-89), DZT2222A (SOT-223), FJX2222A (SOT-323), FMMT2222A (SOT-23), FMMT2222AR (SOT-23), KN2222AS (SOT-23), KST2222A (SOT-23), KST4401 (SOT-23), KTN2222AS (SOT-23), KTN2222AU (SOT-323), MMBT100 (SOT-23), MMBT2222AT (SOT-523F), MMBT4401 (SOT-23), MMST2222A (SOT-323), MMST4401 (SOT-323), PMBT2222A (SOT-23), PMBT4401 (SOT-23), PMST2222A (SOT-23), PMST4401 (SOT-323).

Datasheet 2N4401

Аналоги для 2n4401 — Аналоги

2N4401 121-1040

Полный аналог

2N4401 121-695

Полный аналог

2N4401 121-744

Полный аналог

2N4401 121-972

Полный аналог

2N4401 13-29033-3

Отечественный и зарубежный аналоги

2N4401 14-660-12

Отечественный и зарубежный аналоги

2N4401 14-805-12

Отечественный и зарубежный аналоги

2N4401 142684

Полный аналог

2N4401 142686

Полный аналог

2N4401 142711

Полный аналог

2N4401 143794

Полный аналог

2N4401 146841

Полный аналог

2N4401 146847

Полный аналог

2N4401 146854

Полный аналог

2N4401 147664

Полный аналог

2N4401 151263

Полный аналог

2N4401 2N3564

Полный аналог

2N4401 2N3643

Полный аналог

2N4401 2N3904

Полный аналог

2N4401 2N4123

Полный аналог

2N4401 2N4124

Полный аналог

2N4401 2N4400

Возможный аналог

2N4401 2N4400

Возможный аналог

2N4401 2N4401RA

Полный аналог

2N4401 2N4401RM

Полный аналог

2N4401 2N4401RP

Полный аналог

2N4401 2N4401_D26Z

Полный аналог

2N4401 2N4401_D27Z

Полный аналог

2N4401 2N4401_D74Z

Полный аналог

2N4401 2N4401_D75Z

Полный аналог

2N4401 2N4401_L98Z

Полный аналог

2N4401 2N5210

Полный аналог

2N4401 2N5225

Полный аналог

2N4401 9013

Полный аналог

2N4401 A6H

Полный аналог

2N4401 BC237

Полный аналог

2N4401 BC337

Полный аналог

2N4401 ECG123AP

Полный аналог

2N4401 MMBT4401

Ближайший аналог

2N4401 MPSA05

Полный аналог

2N4401 MPSA06

Полный аналог

2N4401 NP2222A

Полный аналог

2N4401 PN3643

Полный аналог

2N4401 КТ660А

Отечественный и зарубежный аналоги

2N4401RA 2N4401

Полный аналог

2N4401RM 2N4401

Полный аналог

2N4401RP 2N4401

Полный аналог

2N4401_D26Z 2N4401

Полный аналог

2N4401_D27Z 2N4401

Полный аналог

2N4401_D74Z 2N4401

Полный аналог

2N4401_D75Z 2N4401

Полный аналог

2N4401_L98Z 2N4401

Полный аналог

Транзистор BC337: характеристики, datasheet и аналоги

NPN транзистор BC337, согласно техническим характеристикам, производится по эпитаксиально-планарной технологии. Он может использоваться в переключающих и усилительных схемах. Его часто используют в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.

Цоколевка

Изготавливается в корпусе из пластика ТО-92. Масса BC337 равна 0,18 г, цоколевка ножек выполнена в таком порядке: слева коллектор, потом база, справа эмиттер. Внешний вид и распиновка показаны на рисунке ниже.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. При их превышении транзистор может выйти из строя. Данные были получены при температуре окружающей среды +25°С:

  • разность потенциалов К -Э (база разомкнута) VCEO ≤ 45 В;
  • разность потенциалов К — Э (база подключена к эмиттеру) VCES ≤ 50 В;
  • разность потенциалов Э -Б VEBO ≤ 5 В;
  • ток коллектора IC ≤ 800 мА;
  • мощность PC = 625 мВт;
  • максимальная температура 150°С;
  • диапазон температур TSTG = -55°С … 150°С.

Теперь рассмотрим электрические характеристики. Они также важны, так как определят возможности BC337. Они были измерены при температуре +25°С. Значения всех остальных важных для измерения параметров можно найти в таблице, в колонке «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы изм Обозн. мин тип макс Ед. изм
Напряжение К – Б (пробой) IC = 100 мкA, IЕ = 0 V(BR)CВO 50 В
Напряжение К — Э(пробой) IC = 10 мA, IВ= 0 V(BR)CEО 45 В
Напряжение Э — Б(пробой) IE= 10 мкA, IC= 0 V(BR)EBO 5 В
Ток К – Б (направление обратное) V= 45 В, IЕ = 0 ICВO 0,1 мкА
Ток К – Э (направление обратное) VCE= 40В, IВ= 0 ICEХ 0,2 мкА
Ток Э –Б (направление обратное) VEB = 4 В, IC = 0 IEBO 0,1 мкА
Коэффициент усиления VCE=1 В,IC= 100 мA hFE (16)

hFE (25)

hFE (40)

100

160

250

250

400

630

Напр. насыщения коллектор-эмиттер IC=500мA, IB=50мA V CE(sat) 0,7 В
Напр. насыщения база-эмиттер IC=500мA, IB=50мA V ВE(sat) 1,2 В
Граничная частота к-та передачи тока VCE=5В, IC= 10мA, f=10МГц fT 210 МГц
Выходная коллекторная ёмкость V= 10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц Cob 15 пФ

Следует обратить внимание, что транзисторы BC337 производители делят на 3 группы, в зависимости от к-та усиления: -16, -25 и -40. Их значения для каждой категории приведены в таблице выше.

Аналоги

Аналогами BC337 являются: 2N4401, BC184, BC337, MPSA06. Можно найти также несколько отечественных транзисторов, идентичных по техническим характеристикам рассматриваемому устройству: КТ3102Б, КТ660А, КТ928. В пару к BC337 рекомендуется ставить BC327.

Производители

BC337 (datasheet скачать можно кликнув на название) изготавливают довольно много зарубежных фирм, перечислим самых крупных из них:

В продаже можно встретить продукцию таких компаний: Dc Components, NXP Semiconductors, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Commercial Components, Diotec Semiconductor, Fairchild Semiconductor и ON Semiconductor.

Аналог 2n3904 отечественный

Популярный справочник радиолюбителя. ISBN 5??? Как заменить радиоэлементы? Как подобрать отечественные компоненты вместо зарубежных? Как быстро и просто подключить силовые оконечные коммутационные узлы? Об этом и многом другом расскажет вам эта книга.


Поиск данных по Вашему запросу:

Аналог 2n3904 отечественный

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ✅ Транзистор ЭВМ ⭐ Уникальные старые транзисторы СССР ⭐

Транзистор 2N3904


Зарубежные транзисторы и их аналоги т. Транзисторы и их зарубежные аналоги т. Биполярные транзисторы и их зарубежные аналоги т. Каталог Микросхемы отечественные Микросхемы импортные Транзисторы отечественные биполярные Транзисторы отечественные полевые Транзисторы импортные Стабилитроны Стабилитроны импортные Диоды, диодные мосты отечественные Диоды, диодные мосты импортные Варикапы, туннельные, свч диоды Тиристоры отечественные Тиристоры импортные Радиолампы Кварцы Фильтры, линии задержки Конденсаторы Разъемы Кнопки, переключатели Реле Реле импортные Оптроны, оптореле, твердотельные реле Герконы, магнитные головки Резисторы постоянные Резисторы переменные Терморезисторы, варисторы, позисторы Фоторезисторы, фотодиоды Светодиоды Светодиоды — СКЛ Лампы индикаторные Патроны для индикаторов Индикаторы светодиодные, ЖКИ, газоразрядные… Предохранители Трансформаторы Ферриты, Дроссели Дроссели Инструмент, паяльники, флюсы… Измерительные Приборы Радиоконструкторы Динамики Блоки питания Элементы питания Моторы Разное Щитовые приборы и макетные платы Датчики температуры и бесконтактные выключатели Пассики Переходники Телескопические антенны.

Контакты Режим работы: с пн. Ремонт Стиральных Машин Аналоги импортных операционных усилителей Аналоги отечественных биполярных транзисторов Аналоги отечественных микросхем Размеры SMD корпусов Маркировка биполярных SMD транзисторов Отечественные аналоги зарубежных КМОП микросхем Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам Типы маркировки микросхем Маркировка резисторов Оптопары транзисторные Интегральные схемы линейных стабилизаторов.

Статьи Радиотехнические калькуляторы Трансформатор Теслы. Масленица Оптика Радиоконструктор. Аналоги отечественных биполярных транзисторов.


Аналоги и замена зарубежных транзисторов

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе sot — Скачать бесплатно схемы,электронные книги ebook по радиоэлектронике, схемы для начинающих, радиотехника для начинающих схемы ТВ бесплатно, схемы управления, радиоустройств блоков питания, схемы усилителей мощности. Справочники радиолюбителя, справочники микросхемы справочники электронных компонентов — диоды, тиристоры, транзисторы, конденсаторы, datasheet электронных компонентов. Для содержимого этой страницы требуется более новая версия Adobe Flash Player. Скачать бесплатно книги цветовая и кодовая маркировка современных радиоэлементов. Радиодетали, приборы, диски, литература почтой.

Справочник по отечественным мощным транзисторам. транзисторы ( справочник в алфавитном порядке + аналоги, фильтр по pnp, npn, составным и высоковольтным) npn, (), 2N, TO, npn транзистор 40В А.

Зарубежные и отечественные транзисторы

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Полихлорвиниловые трубки легче натянуть на изолируемые предметы отвертки, пинцеты, радиодетали , если на мин поместить их в ацетон. Вход Регистрация Востановить пароль. Видео Как это работает? Участников : 2 Гостей : 90 G o o g l e , Я ндекс , далее Рекорд человек онлайн установлен

Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов

Новости: 9. Высказывания: Мы не знаем, что будет завтра. Наше дело быть счастливыми сегодня. Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N

Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь.

Характеристики транзистора c945

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов. Нужно заменить диод или стабилитрон? Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors. Информация по транзистору была найдена на сайте www.

2N4401 транзистор биполярный NPN 40V 0,4A TO-92

Помню, как меня восхитила своим минимализмом схема простейшего радиопередатчика на туннельном диоде в журнале его называли лямбда-диодом : катушка, конденсаторный микрофон, диод, и все. Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Опыты с аналогом туннельного диода Автор оригинала: Ted Yapo. Помимо туннельного диода , интересно провести ряд экспериментов с его функциональным аналогом, известным уже несколько десятилетий. Он подобен эмулятору на медленном железе: и квантовых эффектов настоящих нет, и быстродействие не то. Но ВАХ аналогична, как и поведение устройства в схеме.

Характеристики транзистора 2N, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, параметры, его обозначение на.

2N3904 to-92

Аналог 2n3904 отечественный

Зарубежные транзисторы и их аналоги т. Транзисторы и их зарубежные аналоги т. Биполярные транзисторы и их зарубежные аналоги т. Каталог Микросхемы отечественные Микросхемы импортные Транзисторы отечественные биполярные Транзисторы отечественные полевые Транзисторы импортные Стабилитроны Стабилитроны импортные Диоды, диодные мосты отечественные Диоды, диодные мосты импортные Варикапы, туннельные, свч диоды Тиристоры отечественные Тиристоры импортные Радиолампы Кварцы Фильтры, линии задержки Конденсаторы Разъемы Кнопки, переключатели Реле Реле импортные Оптроны, оптореле, твердотельные реле Герконы, магнитные головки Резисторы постоянные Резисторы переменные Терморезисторы, варисторы, позисторы Фоторезисторы, фотодиоды Светодиоды Светодиоды — СКЛ Лампы индикаторные Патроны для индикаторов Индикаторы светодиодные, ЖКИ, газоразрядные… Предохранители Трансформаторы Ферриты, Дроссели Дроссели Инструмент, паяльники, флюсы… Измерительные Приборы Радиоконструкторы Динамики Блоки питания Элементы питания Моторы Разное

Отечественные аналоги зарубежных транзисторов | Принципиальные электрические схемы

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Где взять популярные транзисторы IRLZ44A и другие почти даром.

S — биполярный маломощный высокочастотный P-N-P транзистор. Цоколевка S в корпусе TO показана на рис. Замена импортных транзисторов на аналоги советского производства. Datasheets, datasheet, data sheet, manual, pdf, datenblatt, Electronics.

Правила форума. RU :: Правила :: Голосовой чат :: eHam.

By straus , August 27, in Жучки. Единственный поблизости радиомагазин в котором все можно было закрыли на ремонт, чтобы поехать например в царицинский надо угробить щитай целый день. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Кстати позавчера собирал этот жучок но нифига он не заработал. Скорей всего что-то сгорело при пайки. Конденсаторы Panasonic.

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта.


Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0.15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0.3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0.6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0.8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1.5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7.5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0.15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0.6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1.5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2.5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1.5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0.15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0.03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1.5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2.5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0.1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0.1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0.1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0.1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1.5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0.02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0.13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0.1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1.5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

    2N4401 0,6A 40V NPN Sot23 транзистор

    Описание Товара

    ЯнчжоубытиемикроэлектроникиCo., Ltd., сино-иностранныхсовместногопредприятия, являетсянациональнымвысокотехнологичныхпредприятий, которыйбылоснованв1998 годусовокупныйобъеминвестицийв50,000,000 долларовизарегистрированногокапитала29,630,000 долларовСША.Расположенв№29, Hongda дорога, Янчжоу, провинцииЦзянсу, компаниязанимаетплощадьв51,000 квадратныхметровиимеетболеечем600 сотрудников.ЯнчжоубытиемикроэлектроникиCo., Ltd.имеет3 производственныхлиний, втомчисле4 дюймов, 5-дюймовыйи6-дюймовый.
ЯнчжоубытиемикроэлектроникиCo., Ltd.специализируетсявобластиНИОКР, производстваипродажиполупроводниковыхмикросхемипредоставляетOEM service двухполюснойинтегральноймикросхемы.Основныепродуктыкомпаниималогосигналатранзистормикросхемы, высокоймощноститранзистормикросхемы, коммутациитранзистормикросхемы, цифровыхмикросхемтранзисторов, Транзистормикросхемы, тиристормикросхемы, коммутациидиодмикросхемы, диодШотткимикросхемы, стабилитронмикросхемы, атакжебиполярногоинтегральноймикросхемыидругихпроцессоров.Искусныйтехническаякомандапозволяеткомпаниииметьсобственногоправанаинтеллектуальнуюсобственность, втомчисле13 патентовнаизобретенияи22 патентанаполезнуюмодель.КомпаниясертифицированавсоответствиисISO9001, управлениякачествомокружающейсредыISO14001, QC080000 опасноевеществопроцессауправления, МУЦГ16949 управлениякачествомдляавтомобильнойпромышленности, ГБ/T29490-2013 правинтеллектуальнойсобственностиидругихсистемуправления.Этимикросхемы, подготовленнымЯнчжоубытиемикроэлектроникиCo., Ltd.нетолькохорошопродаетсявКитае, нотакженайтихорошийпродаживСША, Японии, Кореиидругихбесплатно).


Q1.Каквашаконтролякачества?Продуктыбудутпроверенынапараметрыивнешнийвид.Втожевремя, мыподробныеотчетыдлявсехэтойпродукции.Послетогокаквсевпорядке, мыотправимгруз.
Q2.Какойувассрокпоставкиикакимобразом?Заисключениемчастичногопродуктов,онобычнозанимаетоколо3 днейпослеполученияплатежазапродажисвозможностьюгорячейзамены.МыможемотправитьэлектронныекомпонентычерезUps, fedex, dhl илилюбыепутивыпредпочлибы.
Q3.КакойувасMOQ?ВMOQ основываетсянаминимальныйпакетинкапсуляции.ЕслиВамнужныобразцыдлятестирования, пожалуйстасвяжитесьснами.
Q4.СрокоплатымыможемпринятьT/T заранее, Western Union, деньгиграмм, Paypal ит.д., есливыпредпочитаетедругимиспособами, свяжитесьснами.Q5.комментарийЕслиувасестьвопроспростосвяжитесьснами, мыхотелибывпервуюочередьобработайтевсеFeedbacks быстро.

    2N4401 NPN-транзистор: распиновка, эквивалент, техническое описание до 500 мА.

    В сегодняшнем блоге мы поговорим о распиновке, аналогах, даташите и другой информации о 2N4401, в том числе где и как использовать это устройство.

    Каталог


    2N4401 Распиновка

    Номер контакта

    Название контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей

    2

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке


    2N4401 Особенности

    • Транзистор NPN общего назначения
    • Высокий коэффициент усиления по постоянному току (h FE ), обычно 80, если I C = 10 мА
    • Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 500 мА
    • Напряжение коллектор-эмиттер (V CE ) 40 В
    • Напряжение коллектор-база (V CB ) составляет 60 В
    • Напряжение пробоя базы эмиттера (V BE ) равно 6 В
    • Частота перехода 100 МГц
    • Доступен в пакете To-92

    2N4401 Приложения

    • Цепи датчиков
    • Аудио предусилители
    • Каскады усилителя звука
    • Коммутация нагрузки до 500 мА
    • Регулятор скорости двигателя
    • Пары Дарлингтона
    • Радиочастотные цепи до 250 МГц

    2N4401 PNP Дополнение

    PNP Дополнение 2N4401 к 2N4403


    2N4401 Тестовая схема


    2N4401 Пакет


    2N4401 Функциональный аналог

    Номер детали

    Описание

    Производитель

    2N4401RLRM ТРАНЗИСТОРЫ

    Маломощный биполярный транзистор, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92

    Продукция Motorola Semiconductor

    2N4401G ТРАНЗИСТОРЫ

    600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, БЕССВИНЦОВЫЙ, КОРПУС 29-11, TO-226AA, 3-КОНТАКТНЫЙ

    ООО «Рочестер Электроникс»

    2N4401TFR_NL ТРАНЗИСТОРЫ

    Маломощный биполярный транзистор, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, БЕССВИНЦОВЫЙ, TO-92, 3 PIN

    Корпорация Fairchild Semiconductor

    2N4401RLRP ТРАНЗИСТОРЫ

    600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, КОРПУС 29-11, TO-226AA, 3-КОНТАКТНЫЙ

    ООО «Рочестер Электроникс»

    2N4401TFR ТРАНЗИСТОРЫ

    600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, БЕЗ ВЫВОДА, TO-92, 3-КОНТАКТНЫЙ

    ООО «Рочестер Электроникс»

    2N4401-AP ТРАНЗИСТОРЫ

    Маломощный биполярный транзистор, 40 В V(BR)CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, В ПЛАСТИКОВОМ УПАКОВКЕ-3

    Микрокоммерческие компоненты

    2N4401J05Z ТРАНЗИСТОРЫ

    600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, TO-92, 3-КОНТАКТНЫЙ

    Корпорация Fairchild Semiconductor

    2N4401TAR ТРАНЗИСТОРЫ

    NPN Биполярный переходной транзистор, TO-92, 2000-FNFLD

    ОН Полупроводник

    2N4401_J61Z ТРАНЗИСТОРЫ

    Маломощный биполярный транзистор, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, БЕССВИНЦОВЫЙ, TO-92, 3 PIN

    Корпорация Fairchild Semiconductor

    2N4401RLRAG ТРАНЗИСТОРЫ

    600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, БЕССВИНЦОВЫЙ, КОРПУС 29-11, TO-226AA, 3-КОНТАКТНЫЙ

    ООО «Рочестер Электроникс»


    Где использовать 2N4401

    Транзистор 2N4401 очень похож на обычно используемый транзистор NPN 2N2222.Но есть две важные особенности, которые отличают 2N4401 и 2N222. 2N4401 может допускать ток коллектора только до 500 мА, а также имеет рассеиваемую мощность 652 мВт, что может использоваться для средних нагрузок по сравнению с 2N2222, но может управлять нагрузками больше, чем BC547.

    Так что, если вы ищете NPN-транзистор, способный переключать нагрузки или обеспечивать приличное усиление, то 2N4401 может быть правильным выбором для вашего проекта.


    Как использовать 2N4401

    Этот транзистор, как и все остальные, можно использовать как переключатель или как усилитель .Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы индуцировать базовый ток в транзисторе. Этот транзистор сделает его смещенным в прямом направлении и, таким образом, закроет соединение между коллектором и эмиттером. Тем не менее, важно отметить одну важную вещь: базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор будет ограничивать ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение.Значение этого резистора можно рассчитать по формуле:

    R B  = V BE  / I B

    Для простоты я показал упрощенную схему, позволяющую использовать транзистор в качестве переключателя. В реальной схеме могут потребоваться модификации. Я использовал базовое напряжение 5 В и значение 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора.

    Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N4401 имеет номинальный ток коллектора до 500 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был бы сгореть.


    Как безопасно долго запускать 2N4401 в цепи

    Каждый транзистор имеет ограничения, превышение этих ограничений приведет к неисправности устройства в вашей электронной схеме, поэтому всегда рекомендуется использовать транзисторы с ограничениями, установленными производителями. Чтобы безопасно запустить транзистор, во-первых, не используйте его при напряжении выше 40 В и используйте подходящий базовый резистор для обеспечения требуемого тока базы, более того, не используйте нагрузку выше 500 мА и всегда храните или работайте при температурах выше -55°С и ниже +150°С. по Цельсию.


    2N4401 Производитель

    ON Semiconductor продвигает энергоэффективные инновации, помогая клиентам сократить глобальное потребление энергии. Компания предлагает комплексный портфель энергоэффективных решений для управления питанием и сигналами, логических, дискретных и пользовательских решений, которые помогают инженерам-проектировщикам решать свои уникальные задачи проектирования в автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной, медицинской, военной/авиационно-космической и энергетической отраслях. заявки на поставку.


    Спецификация компонентов

    Транзисторы общего назначения NPN Silicon

    %PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > поток BroadVision, Inc.2020-09-01T10:21:09+02:002010-02-03T09:56:38-07:002020-09-01T10:21:09+02:00application/pdf

  • 2N4401 — Транзисторы общего назначения NPN Кремний
  • ПО Полупроводник
  • Acrobat Distiller 8.2.0 (Windows)uuid:34acda80-1cf8-4507-b2b6-6963d3481bd8uuid:409965dc-130d-4d6d-8e92-883dc31540df конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > поток HnF^),wY\6Ďk1m!LL))!wD%0lp &c|

    2N4401 Схема контактов транзистора, характеристики, аналоги, детали и техническое описание

    2N4401 Конфигурация контактов

    Номер контакта

    Название контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей

    2

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

     

    Особенности
    • Транзистор NPN общего назначения
    • Высокий коэффициент усиления по постоянному току (h FE ), обычно 80, если I C = 10 мА
    • Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 500 мА
    • Напряжение коллектор-эмиттер (V CE ) 40 В
    • Напряжение коллектор-база (V CB ) составляет 60 В
    • Напряжение пробоя базы эмиттера (V BE ) равно 6 В
    • Частота перехода 100 МГц
    • Доступен в пакете To-92

     

    Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N4401 , прикрепленной внизу страницы.

     

    Альтернативные транзисторы NPN

    BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200, 2N5551

     

    2N4401 Эквивалентные транзисторы

    2N3904, 2N2222A

     

    Краткое описание транзистора 2N4401

    2N4401 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.2N4401 имеет коэффициент усиления h fe , равный 500; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 800 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 500 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на базовый вывод, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.

    Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 800 мА .Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (V CE ) или базой-эмиттером (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 660 мВ.

     

    Где используется транзистор 2N4401

    Транзистор 2N4401 очень похож на обычно используемый NPN-транзистор 2N2222.Но есть две важные особенности, которые отличают 2N4401 и 2N2222 . 2N4401 может допускать ток коллектора только до 500 мА, а также имеет рассеиваемую мощность 652 мВт, что может использоваться для средних нагрузок по сравнению с 2N2222, но может управлять нагрузками больше, чем BC547.

    Итак, если вы ищете NPN-транзистор, который мог бы переключать нагрузки или обеспечивать приличное усиление, то 2N4401 может быть правильным выбором для вашего проекта.

     

    Как использовать транзистор 2N4401

    Этот транзистор как и все можно использовать либо как ключ, либо как усилитель .Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы индуцировать базовый ток в транзисторе. Этот транзистор сделает его смещенным в прямом направлении и, таким образом, закроет соединение между коллектором и эмиттером. Однако следует отметить одну важную вещь: базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор будет ограничивать ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение. Значение этого резистора можно рассчитать по формуле

    .
    Р  Б  = В  БЭ  / И  Б  

    Для простоты я показал упрощенную схему, позволяющую использовать транзистор в качестве переключателя.В реальной схеме могут потребоваться модификации. Я использовал базовое напряжение 5 В и номинал 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора

    .

    Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N4401 имеет номинальный ток коллектора до 500 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был бы сгореть.

     

    Приложения
    • Может использоваться для переключения сильноточных (до 500 мА) нагрузок
    • Его также можно использовать в различных коммутационных приложениях.
    • Регулятор скорости двигателей
    • Инверторы и другие схемы выпрямителей
    • Можно использовать в парах Дарлингтона.

     

    2D-модель и размеры

    2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или печатной плате.

    Техническое описание

    2N4401 — Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Коллектор

    DF02S-E3/45 : МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1Ф, 1А, 200В, SMD.s: количество фаз: одинарная; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 200 В; Прямой ток, если (AV): 1A; Прямое напряжение VF Макс.: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: — ; Тип крепления диода: SMD; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Тип корпуса мостового выпрямителя: DFS; Количество контактов: 4.

    GBPC3510-E4/51 : МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1PH, 35A, 1KV, QC. s: количество фаз: одинарная; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 1 кВ; Прямой ток, если (AV): 35A; Прямое напряжение VF Макс.: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: — ; Тип крепления диода: Быстрое подключение; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Тип корпуса мостового выпрямителя: GBPC; Нет.штифтов: 4.

    MBRM120ET1G : ВЫПРЯМИТЕЛЬ ШОТТКИ, 1A, 20V, 457. s: Количество фаз: — ; Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 20 В; Прямой ток, если (AV): 1A; Конфигурация диода: одиночный; Прямое напряжение VF Макс.: 530 мВ; Конфигурация модуля: — ; Время обратного восстановления trr Max: — ; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 50A; Диапазон рабочих температур: от -65°С до +150°С.

    1N4933-E3/54 : ДИОД БЫСТРОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, 1 А, 50 В DO-204AL. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 50 В; Прямой ток, если (AV): 1A; Прямое напряжение VF Макс.: 1.2В ; Время обратного восстановления trr Макс.: 200 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -50°C до +150°C; Стиль корпуса диода: DO-204AL; Количество контактов: 2 ; МСЛ: -.

    1N4934G : ДИОД БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ, 1 А, 1,2 В, ОСЕВОЙ. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 1,2 В; Прямой ток, если (AV): 1A; Прямое напряжение VF Макс.: 1,2 В; Время обратного восстановления trr Макс.: 200 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C; Тип корпуса диода: Осевые выводы; Нет.контактов: 2 ; МСЛ:.

    BAS16X-TP : ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД, 75 В, SOD-523. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 200 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 75 В; Прямое напряжение VF Макс.: 1,25 В; Время обратного восстановления trr Макс.: 6 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 500 мА; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса диода: SOD-523; Количество контактов: 2 ; МСЛ: -.

    BAS16W : ДИОД, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, 75 В, SOT323. s: Тип диода: — ; Прямой ток If(AV): — ; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max: — ; Прямое напряжение VF Max: — ; Время обратного восстановления trr Max: — ; Прямой импульсный ток Ifsm Max: — ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса диода: — ; Нет.штифтов: — ; МСЛ: -.

    1N4761A : ДИОД ЗЕНЕРА, 1 Вт, 75 В, DO-41. s: Напряжение стабилитрона Vz Тип: 75 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1 Вт; Стиль корпуса диода: DO-41; Количество контактов: 2 ; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; МСЛ: -.

    BF1212,215 : DUAL N CH RF MOSFET, 6 В, 30 мА, 4-SOT-143B. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение источника стока Vds: 6 В; Идентификатор непрерывного тока стока: 30 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 180 мВт; Диапазон рабочих частот: — ; Тип коэффициента шума: 1.1 дБ; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ-транзистора: SOT-143B; Количество контактов: 4; МСЛ: -.

    FZ1500R33HE3 : Модуль IGBT. s: Конфигурация модуля: одиночный ; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 1,5 кА; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 3,3 кВ; Рассеиваемая мощность Pd: 14,5 кВт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: — ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: IHM-B; Количество контактов: 9.

    VS-CPV364M4KPBF : МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 24 А, SIP.s: Конфигурация модуля: Шесть ; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 24 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600В; Рассеиваемая мощность Pd: 63 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 600В ; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора: — ; Количество контактов: 13.

    FGh30N60SFDTU : IGBT,N CH,FAST,W/DIO,600V,40A,TO247. s: Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока: 40А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600В; Рассеиваемая мощность Pd: 165 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 600В ; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора: TO-247AB; Нет.контактов: 3 ; МСЛ: -.

    IGB10N60T : БТИЗ, 600 В, 10 А, TO263. s: Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока: 10А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2,05 В; Рассеиваемая мощность Pd: 110 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 600В ; Диапазон рабочих температур: от -40°C до +175°C; Стиль корпуса транзистора: TO-263; Количество контактов: 3; МСЛ: -.

    BUK6240-75C, 118 : N CH MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 75V, 90A, 4-DPAK. s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор непрерывного тока утечки: 22 А; Напряжение источника стока Vds: 75 В; На сопротивлениях Rds(on): 0.039 Ом; Rds(on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В ; Пороговое напряжение Vgs Тип: 2,3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 60 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C; Стиль корпуса транзистора:.

    BC856BDW1T1G : ТРАНЗИСТОР, PNP, ДВОЙНОЙ, -65В SOT-363. s: Конфигурация модуля: Двойной; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 65В ; Частота перехода: ft: 100MHz; Рассеиваемая мощность Pd: 380 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 290 Ом; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора: SOT-363; Нет.штифтов:.

    PUMh5,115 : БРТ ТРАНЗИСТОР, NPN, 50В, 100МА, 4,7КОМ / ОТКРЫТЫЙ, 6-SOT-363. s: Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 50В; Непрерывный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 4,7 кОм; Резистор база-эмиттер R2: — ; Соотношение резисторов, R1 / R2: — ; Корпус ВЧ-транзистора: SOT-363; Количество контактов: 6.

    MUN2211T3G : БРТ ТРАНЗИСТОР, 50В, 10К/10КОМ, SC-59. s: Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 50В; Непрерывный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 10 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 10 кОм; Соотношение резисторов, R1 / R2: 1; Корпус ВЧ-транзистора: SC-59; Нет.штифтов: 3.

    Q4N3RP : Симистор, 400 В, 1 А, DO-214. s: Пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 400 В; Максимальный ток срабатывания затвора (QI), Igt: 10 мА; Действующее значение тока в состоянии IT (среднеквадратичное значение): 1A; Пиковый импульсный ток без повторений, 50 Гц: 16,7 А; Максимальный ток удержания Ih: 15 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 1,3 В; Пиковая мощность ворот: 200 мВт; Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C; Корпус тиристора:.

    2N4401 Кремниевые транзисторы NPN общего назначения

    Транзистор 2N4401 Транзистор 2N4401

    2n4401 — это NPN-транзистор общего назначения, который применяется в драйверах двигателей и при операциях переключения на более высоких скоростях. В этой статье мы объясним электрические характеристики транзистора 2n4401 на основе его технических данных.

    Электрические характеристики транзистора 2n4401
    • Напряжение между коллектором и эмиттером ( В CE ) составляет 40 В
    • Напряжение между коллектором и базой ( В CB ) составляет 60 В
    • Напряжение между эмиттером и базой ( В EB ) составляет 6 В
    • Насыщение коллектор-эмиттер ( В CE (нас.) ) 4 до 0,75 В
    • Ток коллектора ( I C ) 600 мА
    • Рассеиваемая мощность ( P D ) составляет 625 мВт
    • Частота перехода ( T F ) 250 МГц
    • Коэффициент усиления постоянного тока от 20 до 300hFE
    • Малый коэффициент усиления сигнала 40–500hFE
    • Входное сопротивление ( ч т.е. ) равно 15 кОм
    • Максимальная температура от -55 до +150°C
    ВЫВОДЫ И УПАКОВКА Детали транзистора 2n4401

    Pin0 1 – эмиттер

    Pin0 2 – база

    Pin0 3 – коллектор

    Детали выводов и корпуса транзистора 2n4401

    Схема выводов транзистора 2n4401 — EBC, а используемый корпус — TO-92, это стандартный корпус компонентов, используемый для транзисторов общего назначения, и они сделаны из пластика и эпоксидной смолы.

    2n4401 Версия для поверхностного монтажа

    KN2222AS, FJX2222A, DXT2222A и MMBT2222AT являются транзисторами, эквивалентными SMD для 2n4401, электрические характеристики этих транзисторов такие же, как у транзистора 2n4401.

    Корпус транзистора SMD

    Корпуса KN2222AS (SOT-23), FJX2222A (SOT-323), DXT2222A (SOT-89) и MMBT2222AT (SOT-523F) используются для каждого транзистора, эквивалентного SMD 2n4401.

    Технический паспорт транзистора 2n4401 Технический паспорт транзистора 2n4401

    Технический паспорт

    Электрические характеристики и описание применения транзистора 2n4401

    Характеристики напряжения

    Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В, напряжение между коллектором и базой составляет 60 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 6 В, значения напряжения на клеммах транзистора показывают, что это транзисторы общего назначения.

    Напряжение насыщения

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет от 0,4 В до 0,75 В, напряжение насыщения показывает, что этот транзистор подходит для коммутационных приложений.

    Характеристики тока

    Ток коллектора 600 мА, это максимально допустимая нагрузка на этот транзистор

    Коэффициент усиления постоянного тока

    Значение усиления по постоянному току составляет от 20 до 300hFE, значение усиления транзистора показывает мощность, вырабатываемую транзистором на выходе, транзистор 2n4401 также называют транзистором общего назначения.

    Коэффициент усиления малого сигнала составляет от 40 до 500hFE, применение слабого сигнала всегда удваивает реальное усиление транзистора.

    Частота перехода

    Частота перехода транзистора 2n4401 составляет 250МГц, она называется максимально допустимой на этом транзисторе частотой.

    Рассеиваемая мощность и максимальная температура

    Максимальное значение рассеиваемой мощности составляет 625 МВт, значение рассеиваемой мощности показывает, что это маломощный транзистор, а максимальная температура хранения или рабочая температура составляет от -55 до +150°C.

    Входное сопротивление

    Значение входного сопротивления у транзистора 2n4401 равно 15кОм, значит в схеме этот транзистор работает как резистор 15кОм, а так же очень полезное входное сопротивление.

    Применение транзистора 2n4401
    • Устройство контроля скорости двигателя
    • Применение радиочастотных цепей
    • Приложения для предусилителей
    • Коммутационные цепи
    • Цепи инвертора
    • Цепи выпрямителя
    • Парные цепи Дарлингтона
    • Цепи драйвера двигателя

    эквивалент транзистора 2n4401

    Транзисторы, такие как ECG123AP, BC538, MPSW01A, PN4033 и 2SC1008, являются эквивалентными транзисторами для 2n4401, каждый из транзисторов при этом имел одинаковые характеристики.

    Но некоторые характеристики, такие как детали PINOUT, напряжение и ток, отличаются от транзистора 2n4401, поэтому проверьте и проверьте перед заменой.

    2N4401 и 2N2222
    Характеристики 2N4401 2N2222
    Напряжение между коллектором и базой (В CB ) 60В 60В
    Напряжение между коллектором и эмиттером (В CE ) 40 В 30 В
    Напряжение между эмиттером и базой (В EB )
    Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (В CE (sat) ) 0.от 4 до 0,75 В 0,4 В
    Ток коллектора (I C ) 600 мА 800 мА
    Ток утечки коллектора (I CB ) 10 мкА
    Рассеиваемая мощность 625 мВт 500 мВт
    Температура перехода (T J ) от -55 до 150°C от -65 до 200°C
    Частота перехода (F T ) 250 МГц 250 МГц
    Шум (N F )
    Усиление (h FE ) от 20 до 300hFE от 30 до 300hFE
    Упаковка ТО-92 ТО-18
    Версия для поверхностного монтажа КН2222АС

    ФДЖС2222А

    БКВ65

    FMMT2222

    КН2222С

     

    Сравнительная электрическая таблица 2n4401 и 2n2222 показывает, что оба транзистора имеют практически одинаковые характеристики, наблюдаются очень небольшие различия в характеристиках напряжения и тока.

    А за счет использования корпуса ТО-18 на транзисторе 2n2222 температура хранения и эксплуатации у него выше.

    Версии SMD каждого транзистора имели гораздо большее сходство

    2n4401 против 2n3904 против BC547
    Характеристики 2N4401 2N3904 BC547
    Напряжение между коллектором и базой (В CB ) 60В 60В 50В
    Напряжение между коллектором и эмиттером (В CE ) 40 В 40 В 45В
    Напряжение между эмиттером и базой (В EB )
    Насыщение от коллектора к эмиттеру (V CE (sat) ) 0.от 4 до 0,75 В от 0,2 до 0,3 В от 90 до 600 мВ
    Ток коллектора (I C ) 600 мА 200 мА 100 мА
    Ток отключения коллектора (I CEX ) 0,1 мкА 50 мкА 15 мкА
    Рассеиваемая мощность 625 мВт 625 мВт 500 мВт
    Входное сопротивление (h т.е. ) 15 кОм 10 кОм
    Температура перехода (T J ) от -55 до 150°C от -55 до 150°C от -65 до +150°C
    Частота перехода (F T ) 250 МГц 300 МГц 300 МГц
    Шум (N F ) 5 дБ 10 дБ
    Усиление (h FE ) от 20 до 300hFE от 30 до 300hFE от 110 до 800hFE
    Упаковка ТО-92 ТО-92 ТО-92
    Версии для поверхностного монтажа КН2222АС

    ММБТ2222АТ

    ММБТ3904

    ПЗТ3904

    до н.э.847

    БК847В

    BC850

     

    Сравнительная таблица электрических параметров 2n4401, 2n3904 и BC547 показывает, что каждый транзистор является транзистором общего назначения с меньшими характеристиками мощности.

    • Характеристики напряжения каждого транзистора имели почти одинаковое значение, что хорошо для транзистора общего назначения.
    • Токовые характеристики транзистора 2n4401 лучше, чем у 2n3904 по сравнению с BC547, по этой причине у 2n4401 высокая нагрузка.
    • Напряжение насыщения 2n4401 по сравнению с 2n3904 имеет среднее значение, но у транзистора BC547 оно намного лучше, так что BC547 очень хорош в коммутационных приложениях.
    • Частота перехода транзистора 2n4401 меньше, чем у 2n3904 по сравнению с BC547
    • Максимальный коэффициент усиления по постоянному току транзистора BC547 выше, чем у 2n4401 по сравнению с 2n3904, поэтому у BC547 больше приложений для усилителей.

    PNP Дополнительный транзистор 2N4401

    2n4403 является PNP-дополнением к NPN-транзистору 2n4401, применение обоих транзисторов находится в паре Дарлингтона.

    Кривые характеристик транзистора 2n4401 Характеристики усиления по постоянному току транзистора 2n4401

    На рисунке показаны характеристики усиления по постоянному току транзистора 2n4401, график построен в зависимости от нормального тока в зависимости от тока коллектора.

    Кривые построены для определенного значения температуры и напряжения, так как мы видим, что температура повышается при увеличении значения усиления.

    Характеристика коэффициента усиления по постоянному току в зависимости от коллектора больше похожа на параболическую форму, поэтому кривая будет увеличиваться и уменьшаться в течение всей операции.

    Характеристика насыщения коллектора транзистора 2n4401

    На рисунке показана характеристика насыщения коллектора транзистора 2n4401, график построен с зависимостью напряжения коллектор-эмиттер от тока базы.

    При различных значениях тока коллектора ток базы будет увеличиваться, а кривая меняет форму работы.

    2N4401 NPN Transistor Datasheet: Работа и его применение

    NPN-транзистор 2N4401 часто используется в различных приложениях. Он доступен в небольшом пакете с некоторыми очень превосходными функциями. Этот тип транзистора NPN в основном предназначен для использования в качестве переключателя и усилителя средней мощности. Этот транзистор включает в себя три слоя, такие как N, P и N, и три вывода, такие как эмиттер, база и коллектор. В этом NPN-транзисторе слой, легированный P, расположен между двумя слоями, легированными N.В этой статье обсуждается обзор транзистора 2N4401 и его работа с приложениями.


    Что такое транзистор 2N4401 NPN?

    Транзистор

    2n4401 NPN называется транзистором с биполярным переходом (BJT), потому что проводимость этого транзистора может осуществляться как через носители заряда, такие как электроны, так и через дырки. Однако большинство носителей заряда в этом транзисторе будут электронами. Этот транзистор в основном используется в приложениях общего назначения, таких как коммутация, усиление и многое другое.

    2N4401 Транзистор NPN

    В этом транзисторе большой ток на клемме эмиттера управляется малым током на клемме базы. В этом транзисторе два N-слоя обозначают две клеммы, такие как эмиттер и коллектор, тогда как P-слой обозначает базовую клемму соответственно. Таким образом, этот транзистор известен как устройство, управляемое током.

    В этом транзисторе вывод базы положителен по сравнению с выводом эмиттера. Как только на базовую клемму этого транзистора подается положительное напряжение, транзистор будет смещен и позволит протекать току от клеммы эмиттера к клемме коллектора.Здесь терминал эмиттера генерирует электроны. После этого клеммы коллектора и базы будут контролировать количество электронов.

    Конфигурация контактов

    Конфигурация контактов транзистора 2N4401 NPN включает следующее. Этот транзистор включает в себя три вывода, каждый из которых и его назначение обсуждаются ниже.

    2N4401 Конфигурация контактов транзистора
    • Контакт 1 (эмиттер): Этот контакт обычно подключен к GND, и при использовании этого контакта поток тока будет стекать.
    • Контакт 2 (базовый): Этот контакт используется для управления смещением транзистора путем включения/выключения транзистора
    • Контакт 3 (коллектор): Эта клемма подключается к нагрузке, через которую проходит ток.

    Характеристики и характеристики

    Характеристики и технические характеристики NPN-транзистора 2N4401 модели включают следующее.

    • Семейство транзисторов NPN
    • Основными носителями заряда являются электроны
    • Неосновные носители заряда — отверстия
    • Включает три слоя (N, P и N) и три клеммы (E, B и C)
    • Транзистор общего назначения
    • При токе коллектора 10 мА коэффициент усиления высокого постоянного тока равен 80
    • Коллекторный ток микросхемы 500 мА
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 40 В
    • Напряжение базы коллектора (VCB) составляет 60 В
    • Напряжение пробоя от эмиттера к базе (VBE) равно 6В
    • Частота перехода 100МГц
    • В наличии пакет К-92
    • Диапазон рабочих температур > -55 C < +150 C

    Эквивалентными транзисторами 2N4401 являются 2N3904 и 2N22A.Альтернативными транзисторами 2N4401 являются BC636, BC547, BC549, BC639, 2N3055, 2N3906, 2N2369, 2N3904, 2N551 и 2SC5200.

    Как использовать транзистор 2N4401 NPN?

    NPN-транзистор 2N4401 доступен в трех конфигурациях: CE (общий эмиттер), CB (общая база) и CC (общий коллектор). Здесь подача напряжения на клемму коллектора максимальна по сравнению с напряжением на клемме базы.

    Конфигурация CE используется в основном для целей усиления, поскольку она генерирует необходимое напряжение, а также усиление мощности.Эта конфигурация помогает усилить входной сигнал на 20 дБ, что почти в 100 раз превышает входной сигнал.

    Комбинация тока на выводах базы и коллектора равна току на выводе эмиттера. Здесь дифференциация двух выводов, таких как эмиттер и коллектор, может быть выполнена на основе их концентрации и размера легирования. Здесь вывод эмиттера сильно легирован, тогда как вывод коллектора легирован слабо.

    В этом транзисторе усиление прямого тока представлено бета (β) и представляет собой долю между током коллектора (IC) и током базы (IB).здесь этот «β» называется коэффициентом усиления, и его значение колеблется от 20 до 1000, однако его типичное значение равно 200.

    Коэффициент усиления по току для этого транзистора может быть указан через альфа (α) и является долей между током коллектора (IC) и током эмиттера (IE). Здесь значение альфа в основном колеблется от 0,95 до 0,99, но в большинстве приложений его типичное значение рассматривается как единица.

    Цепь переключателя датчика влажности

    Простая схема применения NPN-транзистора 2N4401 представляет собой переключатель датчика влажности, показанный ниже.Это простая схема датчика влажности, используемая для переключения оборудования на фиксированный диапазон содержания влаги в различных веществах, таких как древесина, почва, растения и т. д.

    Необходимые компоненты для создания этой схемы датчика влажности: Источник постоянного тока 6 В, два датчика, реле 6 В, диод 1N4007, NPN-транзистор 2N4401 и переменный резистор 300 кОм.

    Переключатель датчика влажности с транзистором 2N4401

    В этой схеме влага может быть обнаружена в веществе с помощью двух датчиков. Схема может быть отрегулирована с помощью переменного резистора, чтобы активировать реле в предпочтительном диапазоне влажности.Транзистор работает как переключатель для реле, поэтому мы можем подключить любую нагрузку, используя реле для управления через эту схему.

    Эта схема работает очень просто из-за меньшего количества используемых компонентов. Как только два датчика в этой цепи обнаруживают влажность вещества, это позволяет подаче напряжения по всей цепи активировать транзистор, чтобы сработало реле. Таким образом, нагрузка, подключенная к реле, будет активирована немедленно. Эта схема работает с напряжением 6 В/12 В, и реле в этой цепи должно иметь значение, аналогичное входному напряжению.

    Где использовать транзистор 2N4401/применения

    2N4401 NPN BJT эквивалентен 2N2222 NPN транзистору. Этот транзистор обычно используется в различных приложениях, но основное различие между транзисторами 2N4401 и 2N222 заключается в следующем: Транзистор 2N4401 допускает ток на выводе коллектора до 500 мА и имеет рассеиваемую мощность 652 мВт. Поэтому он применим при средних нагрузках по сравнению с 2N2222.

    Таким образом, этот NPN-транзистор используется для переключения различных нагрузок или используется для усиления.В некоторых приложениях транзистор 2N4401 работает как переключатель. Как только на базовую клемму подается напряжение, транзистор смещается и работает как выключатель. Точно так же, когда на клемме базы нет напряжения, транзистор работает как выключатель.

    Некоторые из приложений 2N4401 NPN Transisto r в основном включают следующие

    • Аудио предусилители
    • Цепи выпрямителя
    • Цепи датчиков
    • Цепи инвертора
    • Каскады усилителя звука
    • Используется в различных коммутационных приложениях.
    • Используется для переключения нагрузок ниже 500 мА
    • Может использоваться для переключения нагрузок с максимальным током, например, до 500 мА
    • Используется для управления скоростью двигателя
    • РЧ-цепи ниже 250 МГц
    • Используется как транзистор с парой Дарлингтона

    Таким образом, это обзор описания транзистора 2N4401, который включает конфигурацию его выводов, технические характеристики, работу схемы и ее применение. Основное различие между транзисторами PNP и NPN заключается в большинстве носителей заряда.Большинство носителей заряда в NPN — это электроны, тогда как в PNP большинство носителей заряда — дырки. По сравнению с PNP, большинство производителей используют транзисторы NPN из-за превосходной проводимости, осуществляемой за счет подвижности электронов. Вот вопрос к вам, что такое биполярный транзистор?

    Детали распиновки транзистора

    2N4401, эквивалент, использование и многое другое

    Этот пост посвящен подробностям распиновки транзистора 2N4401, эквивалентам, использованию и информации о том, как и где его использовать в ваших электронных приложениях.

    Особенности/технические характеристики:
    • Тип упаковки: TO-92
    • Тип транзистора: NPN
    • Макс. ток коллектора (I C ): 500 мА
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
    • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ):  60 В
    • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO):  6 В
    • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 625 мВт
    • Макс. частота перехода (fT): 250 МГц
    • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ):  20–300
    • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

     

    Дополнительный номер PNP:

    PNP Дополнение 2N4401 к 2N4403

     

    Замена и аналог:

    2N2222, P2N2222A, ECG123AP, BC537, BC538, (Конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от 2N4401, перед заменой в схеме проверьте расположение выводов)

     

    Транзистор 2N4401 Объяснение / Описание:

    2N4401 — широко используемый транзистор, обладающий некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе.Максимальный ток коллектора составляет 500 мА, этого вполне достаточно для управления многими нагрузками в цепи. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора составляет 40 В, благодаря чему этот транзистор можно легко использовать в приложениях, работающих под напряжением 40 В постоянного тока. Максимальная частота перехода транзистора составляет 250 МГц, благодаря чему он также может хорошо работать в радиочастотных проектах до 250 МГц. Множество хороших характеристик в корпусе TO-92 делают этот транзистор идеальным транзистором TO-92 для использования в вашей лаборатории.

     

     

    Где мы можем его использовать и как использовать:

    Этот транзистор можно использовать в самых разных электронных приложениях благодаря его хорошим характеристикам, например, его можно использовать для управления многими нагрузками в электронных схемах, такими как реле большой мощности, несколько мощных светодиодов до 500 мА, множество небольших светодиодов, другая часть. в цепи, транзисторы большой мощности и многое другое.Помимо этих применений, он также может хорошо работать в схемах аудио предусилителей и в каскадах аудиоусилителей, кроме того, его также можно использовать на выходе небольших аудиоусилителей для увеличения выходной мощности для управления небольшими динамиками мощностью от 200 мВт до 2 Вт. В этих целях его также можно использовать для создания пар Дарлингтона, и вы также можете заменить этот транзистор многими транзисторами BJT с аналогичными характеристиками.

     

    Применение:

    Цепи датчиков

    Аудио предусилители

    Каскады усилителя звука

    Коммутация нагрузки до 500 мА

    Регулятор скорости двигателя

    Пары Дарлингтона

    РЧ-цепи до 250 МГц

     

    Как безопасно длительно работать в цепи:

    Каждый транзистор имеет ограничения, и нарушение этих ограничений приведет к неисправности устройства в вашей электронной схеме, поэтому всегда рекомендуется использовать транзисторы с ограничениями, установленными производителями.Для безопасной работы транзистора не используйте его при напряжении выше 40 В, используйте подходящий базовый резистор для обеспечения требуемого тока базы, не работайте с нагрузкой выше 500 мА и всегда храните или работайте при температурах выше -55°С и ниже +150°С.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.