2N6284 характеристики: 2N6284G ONSEMI — Транзистор: NPN | биполярный; Дарлингтон; 100В; 20А; 160Вт; TO3; 2N6284 | TME

Содержание

2N6284G от 1394 рублей в наличии 30 шт производства ONSEMI 2N6284

всего в наличии 30 шт
Количество Цена ₽/шт
1 2 018
5 1 816
25 1 615
100 1 394
Минимально 1 шт и кратно 1 шт

2N6284 за 840.96 ₽ в наличии производства ON SEMICONDUCTOR

Купить Транзистор NPN биполярный Дарлингтон 2N6284 производителя ON SEMICONDUCTOR можно оптом и в розницу с доставкой по всей России, Казахстану, Республике Беларусь и Украине, а так же в другие страны Таможенного союза (Армения, Киргизия и др.).

Для того, чтобы купить данный товар по базовой цене в розницу, положите его в корзину и оформите заказ следуя детальной инструкции. Обращаем Ваше внимание, что в зависимости от увеличения объёма продукции перерасчёт розничной цены будет произведен автоматически. Оптовая цена на транзистор npn биполярный дарлингтон 100в 20а 2N6284 выставляется исключительно после отправки коммерческого запроса на e-mail: [email protected] или [email protected]

  • Более подробная информация находится в разделе Оплата.

Мы работаем со всеми крупными транспортными компаниями и гарантируем оперативность и надежность каждой поставки независимо от региона присутствия заказчика. Данный товар так же поставляются с различных складов Европы, Китая и США. Возможные варианты поставки запрашивайте у специалистов компании SUPPLY24.ONLINE.

  • Более подробная информация находится в разделе Доставка.

Гарантия предоставляется непосредственно заводом-изготовителем ON SEMICONDUCTOR . Гарантийный ремонт или замена оборудования осуществляется исключительно после проведения экспертизы и установления факта гарантийного случая.

Транзисторы Дарлингтона NPN THT практически всех известных мировых брендов представлены нашей компанией. В случае если интересующий Вас товар не был найден на нашем сайте, обратитесь в службу технической поддержки или обслуживающему Вас менеджеру и наши инженеры подберут аналоги для Вашего оборудования. Таким образом, возможно снизить затраты до 20% на обслуживание оборудования и оптимизировать Ваши расходы. Компания SUPPLY24.ONLINE берёт на себя полную ответственность за правильность подбора аналога. Наша компания предлагает только разумный подход, если по ряду критериев запрашиваемый товар не подразумевает замену на аналог, мы не предлагаем замену.

Стратегическая цель нашей компании помочь Вам подобрать оборудование и товар с оптимальными характеристиками, и разобраться в огромном количестве товарных позиций и предложений.


Внимание!

  • Характеристики,внешний вид и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
  • Изображение продукции дано в качестве иллюстрации для ознакомления и может быть изменено без уведомления.
  • Точную спецификацию смотрите во вкладке «Характеристики» .
  • При необходимости установки программного обеспечения и использования аксессуаров сторонних производителей, просьба проверить их совместимость с устройством, детально изучив документацию на сайте производителя ON SEMICONDUCTOR
  • Запрещается нарушение заводских настроек и регулировок без привлечения специалистов сертифицированных сервисных центров.

Характеристики

Производитель

Тип транзистора

Напряжение коллектор-эмиттер

Ток коллектора

Коэффициент усиления по току

Вид транзистора

Рассеиваемая мощность

ДОСТАВКА ПО РОССИИ

Доставка осуществляется в течении 2-3 дней с момента зачисления средств на р/с компании при наличии товара на складе в РФ. В отдельных случаях, при большой удаленности Вашего региона, срок доставки может быть увеличен.

  • Полный перечень городов, в которые осуществляется доставка,
    смотрите ниже.

ДОСТАВКА В СТРАНЫ ТАМОЖЕННОГО СОЮЗА

Доставка осуществляется в течении 3-5 дней с момента зачисления средств на р/с компании в следующие страны.

  • Казахстан
  • Армения
  • Беларусь
  • Киргизия

Обращаем Ваше внимание на то, что сроки доставки товаров напрямую зависят от наличия товара на Российском складе компании.

В случае, если выбранные товарные позиции находятся на одном из внешних складов Европы или США, то срок доставки товара может составлять до 3-4 недель. Для избежания недоразумений, рекомендуем уточнить актуальные сроки поставки в отделе логистики или у менеджера компании.

В данном случае, как правило, 90% заказов доставляются заказчикам в течении первых 2 недель.

Если какая-либо часть товара из Вашего заказа отсутствует на складе, мы отгрузим все имеющиеся в наличии товары, а после поступления с внешнего склада оставшейся части заказа отправим Вам её за счёт нашей компании.

ОФИСЫ ВЫДАЧИ ТОВАРА:

Доставка до ТК осуществляется бесплатно

CКЛАДЫ

Безплатна доставка 20 бр/лот най-доброто качество на 2n6284 to-3 в наличност купи онлайн > Компютърни и офис ~ Ssmall.shop

Ние обещаваме към: * изготовьте само най-добрите потребителски стоки и предоставяне на най-високо качество на възможно. * Поставете на стоки до нашите клиенти по цял свят с политиката на обслужване на клиентите на скоростта и точността ние сме повече от щастливи да отговори на всички въпроси, които имате, моля, свържете се с нас и ние ще направим най-доброто ни, за да получите обратно към вас възможно най-бързо.Обем на делата: автоматичен IC, цифров св към аналогова схема, единния микрокомпютър chip размер, светоэлектрическое съединение, съхранение, регулатор на напрежение, ток, 3-прът, SCR, влияние на полета, schottky, релета, кондензатори резистори, светла корк, съединители и други универсални подкрепа на обслужване! 1. ДОСТАВКА ПО ЦЕЛИЯ СВЯТ. (С изключение на някои страни и APO / FPO) 2. поръчки се обработват своевременно след потвърждаване на плащането. 3. Ние само ще изпратим на подтверженным адреси на поръчката.Вашият адрес на поръчката трябва да съвпада с вашия адрес за доставка. 4. показани изображения не са действително стока и са предназначени само за ваша информация. 5. услугата транзитно време се предоставя на превозвача и изключва почивните и празнични дни.Транзитно време може да варира, особено в празничен сезон. 6. Ако не са получили стоката в рамките на 30 дни от момента на ПЛАЩАНЕ, моля, свържете се с нас.Ние отследим изпращането и ще се свържем с вас възможно най-скоро с отговор.Нашата цел е задоволяване нуждите на клиентите! 7. правилното до състояние на запасите и валута печалба във времето, ние избираме, за да кораб вашия детайл от първата ни достъпни на склад за бърза доставка.Нашите предимства 1: Ние всички имаме състав, с адекватна доставка от 2: Качество на продукта е достигнал серия атестирането 3: Ние поддържаме разнообразие от транспорт, Хонг конг и китайски пощенски пакети, Федерална ЕМС.ДХЛ .UPS и TNT, може пълно да отговори на различни нуждите на купувача.Аз твърдо вярвам, че ние ще бъдем вашия най-добър партньор

Етикети: Много, lm338, вход за транзистор телевизор, mj15003, igbt транзистор, совет142, ПР, lm317, транзистор Дарлингтън, транзистор.

  • търговска марка: KDNYAJGSEHXI
  • Стил: *
  • Използването на: *
  • Максималния Брой Цифри: *
  • Номер На Модела: 2n6284
  • Приложимо Тип На Батерията: *
  • Материал: *
  • Източник На Захранване: *
  • Произход: CN(произход)

Цепь переменного двойного источника питания от 0 до 50 В, от 0 до 10 ампер

В сообщении объясняется простая, но очень полезная схема двойного источника питания от 0 до 50 В, которая позволяет управлять двойным напряжением от 0 до максимального +/- входного источника питания постоянного тока. Он также включает в себя функцию регулирования тока в широком диапазоне от 0 до 10 ампер. Идея была предложена г-ном Тамамом.



Технические характеристики

Моей давней мечтой было построить 2-канальный источник питания для личного пользования, я видел много схем, но они не соответствовали моим критериям.
Однако, пожалуйста, ознакомьтесь со следующими требованиями и дайте мне знать, возможно это или нет, если возможно, я буду самым счастливым человеком в мире.

1. Диапазон выходного напряжения: от -50 В до 0 В до + 50 В (регулируется индивидуально для каждого канала).


2. Диапазон выходного тока: от 0A до 10A (регулируется индивидуально для каждого канала).

3. Выход будет дуэльным каналом, то есть всего 6 выходов,


Канал 1 (положительный, заземляющий, отрицательный) Канал 2 (положительный, заземляющий, отрицательный)

4. Блок питания должен содержать 2 вольтметра и 2 амперметра (аналоговых) на 2 отдельных канала.

5. Блок питания должен иметь защиту от короткого замыкания, вентилятор охлаждения и экстремальную тепловую защиту.

6. Я не хочу использовать PIC или AVR, поэтому, пожалуйста, избегайте их.

Деньги здесь не важны, я буду тратить их постоянно, пока не будет выполнено указанное выше требование.
Даже если мне понадобится трансформатор на заказ, я закажу и сделаю его у нас.
Я видел много готовых блоков питания на рынке, но хочу сделать их своими руками. Ты просто укажи мне путь … пожалуйста, братан, я буду рад тебе на всю жизнь.

Большое спасибо !!

С уважением,

Ok


Для точного расчета стоимости деталей вы можете обратиться к этому настольный блок питания артикул


Принципиальная электрическая схема

Дизайн

Базовая конструкция предлагаемой схемы переменного двойного источника питания от 0 до 50 В с устройством переменного тока от 0 до 10 А показана на приведенном выше рисунке.

Вся конструкция построена на транзисторах (BJT) и практически неразрушима. Кроме того, он оснащен функциями защиты от перегрузки и перегрузки по току.

Две секции, включенные в конструкцию, в точности похожи по своей конфигурации, с той лишь разницей, что в нижней конфигурации используются устройства PNP, а в верхней — NPN.

Конструкция верхнего NPN сконфигурирована для получения переменного отклика прямо от 0,6 В до 50 В положительного, в то время как нижняя секция PNP отвечает за создание противоположно идентичного отклика от -0,6 В до -50 В на выходе.

Характеристики трансформатора

Максимальный предел можно изменить, просто изменив номинальное напряжение трансформатора. Однако для более высоких напряжений вам, возможно, придется соответствующим образом повысить номинальные значения напряжения BJT.

В обеих конструкциях P2 выполняет функцию изменения уровней напряжения по желанию пользователя, в то время как P1 функционирует как регулятор тока и используется для регулировки или настройки выходного тока от 0 до 10 ампер. Здесь также максимальная мощность зависит от выбора мощности трансформатора и может быть изменена в соответствии с индивидуальными предпочтениями.

Т1 в обеих секциях становятся основной частью или сердцем всей системы управления напряжением, что становится возможным благодаря популярной конфигурации устройств с общим коллектором.

Два других активных BJT только помогают реализовать то же самое, просто управляя базовой мощностью T1, что позволяет регулировать пороги до любых желаемых пользователем уровней напряжения и тока в соответствии с номиналами трансформатора или входного источника питания.


Вам также может понравиться это Схема двойного источника питания на базе LM317


Список деталей
  • R1 = 1K, 5 Вт проволочная намотка
  • R2 = 120 Ом,
  • R3 = 330 Ом,
  • R4 = рассчитывается по закону Ома, R = 0,6 / максимальный предел тока, мощность = 0,6 x максимальный предел тока
  • R5 = 1K5,
  • R6 = 5K6,
  • R7 = 56 Ом,
  • R8 = 2K2,
  • P1, P2 = 2k5 предустановок
  • Т1 = 2N6284 + BD139 (NPN), 2N6286 + BD140 (PNP)
  • Т2, Т3 = BC546 (NPN) BC556B (PNP)
  • D1, D2, D3, D4 = 6A4,
  • D5 = 1N4007, C1, C2 = 10000 мкФ / 100 В,
  • Tr1 = 0-40 В, 10 А

Предыдущая статья: Сделайте эту схему контактного микрофона DIY Далее: Устранение неполадок, связанных с падением выходного напряжения инвертора

Транзисторы зарубежные 2n109 – 2n914

Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка,цокалевка, распиновка…

GE-N — германиевый n-p-n

GE-P — германиевый p-n-p

SI-N — кремниевый n-p-n

SI-P — кремниевый p-n-p

-DARL — составной

+D — с диодом

N-FET — полевой с n-каналом

P-FET — полевой с p-каналом

ARRAY — транзисторная матрица

 

Наименование Характеристики
2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W
2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz
2N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz
2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W
2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W
2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz
2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz
2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50
2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns
2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns
2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100
2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz
2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz
2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz
2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz
2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz
2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz
2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz
2N3442 SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz
2N3502 SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz
2N3571 SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz
2N3632 SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz
2N3700 SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz
2N3708 SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz
2N3725 SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns
2N3741 SI-N 80V 4A 25W >4MHz
2N3767 SI-N 100V 4A 20W >10MHz
2N3772 SI-N 100V 20A 150W POWER
2N3792 SI-P 80V 10A 150W 4MHz
2N3820 P-FET 20V 15mA 0.36W
2N3824 N-FET 50V 10mA 0.3W <250E
2N3904 SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz
2N3909 P-FET 20V 10MA 0.3W
2N3963 SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz
2N4001 SI-N 100V 1A 15W 40MHz
2N4036 SI-P 90V 1A 1W 60MHz
2N4126 SI-P 25V 200mA HF
2N4236 SI-P 80V 3A 1W >3MHz
2N428 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60
2N4287 SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz
2N4302 N-FET 30V 0.5mA 0.3W
2N4348 SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz
2N4391 N-FET 40V 50mA 30E Up<10V
2N4393 N-FET 40V 5mA 100E Up<3V
2N4403 SI-P 40V 0.6A 200MHz
2N4420 SI-N 40V 0.2A 0.36W
2N4906 SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz
2N4923 SI-N 80V 1A 30W
2N5090 SI-N 55V 0.4A 4W 5mA
2N5116 P-FET 30V 5mA 150E Up<4V
2N5179 SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz
2N5240 SI-N 375V 5A 100W >2MHz
2N5308 N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K
2N5322 SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH
2N5416 SI-P 350V 1A 10W 15MHz
2N5457 N-FET 25V 1mA Up<6V
2N5460 P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P
2N5462 P-FET 40V 16mA Up<9V GEN.
2N5485 P-FET 25V 4mA Up<4V
2N5589 SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz
2N5672 SI-N 150V 30A 140W 0.5us
2N5682 SI-N 120V 1A 1W >30MHz
2N5686 SI-N 80V 50A 300W >2MHz
2N5771 SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz
2N5878 SI-N 80V 10A 150W >4MHz
2N5884 SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW
2N6031 SI-P 140V 16A 200W 1MHz
2N6059 SI-N 100V 12A 150W
2N6098 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH
2N6109 SI-P 60V 7A 40W 10MHz
2N6211 SI-P 275V 2A 20W 20MHz
2N6248 SI-P 110V 15A 125W >6MHz
2N6287 P-DARL 100V 20A 160W
2N6356 N-DARL 50V 20A 150W B>150
2N6427 N-DARL 40V 0.5A 0.625W
2N6488 SI-N 90V 15A 75W
2N6517 SI-N 350V 0.5A 0.625W >40
2N6547 SI-N 850/400V 15A 175W
2N6609 SI-P 160V 16A 150W 2MHz
2N6661 N-FET 90V 2A 6.2W 4E
2N6678 SI-N 400V 15A
2N6718 SI-N 100V 2A 2W 50MHz
2N6728 SI-P 60V 2A 2W >50MHz
2N7002 N-FET 60V 0.115A 0.2W 7E5
2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz
 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60
 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz
 2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz
 2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz
 2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz
 2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50
 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz
 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz
 2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100
 2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100
 2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz
 2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz
 2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz
 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz
 2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W
 2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz
 2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER
 2N3495 SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz
 2N3553 SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz
 2N3583 SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz
 2N3646 SI-N 40V 0.2A 0.2W
 2N3707 SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz
 2N3716 SI-N 100V 10A 150W 4MHz
 2N3740 SI-P 60V 4A 25W >4MHz
 2N3742 SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz
 2N3771 SI-N 50V 30A 150W POWER
 2N3773 SI-N 160V 16A 150W POWER
 2N3819 N-FET 25V 20mA 0.36W
 2N3821 N-FET 50V 2.5mA 0.3W
 2N3866 SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz
 2N3906 SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz
 2N3958 N-FET 50V 5mA 0.25W
 2N3972 N-FET 40V 50mA 1.8W
 2N4033 SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz
 2N409 GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz
 2N4220 N-FET 30V 0.2A
 2N427 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40
 2N4286 SI-N 30V 0.05A 0.25W
 2N4291 SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH
 2N4347 SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz
 2N4351 N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz
 2N4392 N-FET 40V 25mA 60E Up<5V
 2N4401 SI-N 60V 0.6A 200MHz
 2N4416 N-FET 30V 15mA VHF/UHF
 2N4427 SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz
 2N4920 SI-P 80V 1A 30W
 2N5038 SI-N 150V 20A 140W 0.5us
 2N5109 SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz
 2N5154 SI-N 100V 2A 10W
 2N5192 SI-N 80V 4A 40W 2MHz
 2N5298 SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz
 2N5320 SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH
 2N5401 SI-P 160V 0.6A 0.31W
 2N5433 N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E
 2N5458 N-FET 25V 2.9mA UNI
 2N5461 P-FET 40V 9mA 0.31W
 2N5484 N-FET 25V 5mA 0.31W
 2N5551 SI-N 180V 0.6A 0.31W VID.
 2N5639 N-FET 30V 10mA 310mW
 2N5680 SI-P 120V 1A 1W
 2N5684 SI-P 80V 50A 200W
 2N5770 SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz
 2N5876 SI-P 80V 10A 150W >4MHz
 2N5879 SI-N 60V 10A 150W >4MHz
 2N5886 SI-N 80V 25A 200W >4MHz
 2N6050 P-DARL+D 60V 12A 100W
 2N6083 SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz
 2N6099 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH
 2N6124 SI-P 45V 4A 40W
 2N6213 SI-P 400V 2A 35W >20MHz
 2N6284 N-DARL 100V 20A 160W B>75
 2N6292 SI-N 80V 7A 40W
 2N6422 SI-P 500V 2A 35W >10MHz
 2N6476 SI-P 130V 4A 16W 5MHz
 2N6491 SI-P 90V 15A 30W
 2N6520 SI-P 350V 0.5A 0.625W >40
 2N6556 SI-P 100V 1A 10W >75MHz
 2N6660 N-FET 60V 2A 6.25W 3E
 2N6675 SI-N 400V 15A
 2N6716 SI-N 60V 2A 2W 50MHz
 2N6725 N-DARL 60V 2A 1W B>15K
 2N697 SI-N 60V 1A 0.6W <50MHz
 2N914 SI-N 40V 0.5A <40/40NS SW
2N918 SI-N 30V 50mA 0.2W 600MHz

 

«Цифровой блок управления электроприводом», Коммуникационные технологии

  • 1. Объект разработки
  • 2. Исходные данные
  • 3. Функциональная схема
    • 3.1 Назначение элементов
    • 3.2 Принцип работы центрального блока управления (ЦБУ)
  • 4. Расчет блоков принципиальной схемы
    • 4.1 Фотоэлектрический импульсный датчик
    • 4.2 Формирователь импульсов
    • 4.3 Счетчик импульсов
    • 4.4 КТ — командный триггер
    • 4.5 Импульсный усилитель мощности
  • Список литературы

1. ОБЪЕКТ РАЗРАБОТКИ Разработать цифровой блок управления (ЦБУ) электроприводом для позиционирования транспортера в соответствии с заданным количеством кодовых импульсов поступающих от датчика угла поворота электропривода.

ЦБУ должен содержать фотоэлектрический импульсный датчик, формирователь импульсов, счетчик импульсов с предустановкой, командный триггер и импульсный усилитель мощности.

2. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

Номер зачетной книжки 20 001 484

Элементная база: ТТЛ Диапазон изменения угла поворота: =150+5n5=165 — 175 кодовых импульсов Относительный световой ток фотодиода: IC / IT = 5+n=9

Относительная амплитуда помехи: IП / IC = 0,1

Номинальное напряжение электродвигателя: UЭД =100−8n=68 В Пусковой ток электродвигателя: IЭД = 1+n=5 А

3. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА

Рисунок 1 — функциональная схема

3.1 Назначение элементов

ФИД — фотоэлектрический импульсный датчик. Датчик представляет собой оптрон, преобразующий поток излучения светодиода в импульсы тока фотодиода за счет периодического прерывания потока излучения вращающимся щелевым диском, установленным на валу привода. Ток фотодиода кроме световой составляющей Iс, имеет темновую составляющую IТ и составляющую помехи UП, возникающую на частоте вибрации.

ФИ — формирователь импульсов. Формирователь импульсов выполняется на основе регенеративного компаратора, который повышает крутизну фронта импульсов датчика, а также устраняет влияние помехи и темнового тока фотодиода на выходной сигнал.

СИ — счетчик импульсов. Счетчик обеспечивает подсчет числа импульсов датчика, сформированных компаратором, и выдает на командный триггер сигнал после поступления заданного числа импульсов. Для изменения этого кода, соответствующего заданному углу поворота, необходимо в схеме предусмотреть специальный переключатель-задатчик.

КТ — командный триггер. Командный триггер формирует сигнал управления электроприводом по командам «ПУСК» и «СТОП», которые могут подаваться как вручную от соответствующих кнопок, так и от внешних устройств.

ИУМ — импульсный усилитель мощности. Импульсный усилитель мощности содержит силовой транзистор, обеспечивающий необходимый ток в якорной цепи электродвигателя при включении его от командного триггера.

3.2 Принцип работы центрального блока управления (ЦБУ)

Назначение ЦБУ осуществить точное позиционирование ленточного транспортера в соответствии с заданным значением угла поворота исполнительного вала привода, который устанавливается с помощью специального переключателя — задатчика. По команде «Пуск/Запись» поступающей от кнопки ручного управления (РУ) или внешнего управления (ВУ) командный триггер (КТ) переходит в состояние логической 1 и через импульсный усилитель мощности (ИУМ) включает электродвигатель (ЭД), одновременно с этим происходит запись заданного числа импульсов в СИ. Вращение исполнительного вала через редуктор (Р), служащий для понижения угловой скорости вала, передается на фотоэлектрический импульсный датчик (ФИД).

На выходе ФИД формируется импульсы напряжения, количество которых определяется углом поворота исполнительного вала, а частота зависит от скорости вращения вала. Эти импульсы нельзя напрямую подать на счетчик импульсов (СИ) так как у них очень пологий фронт, слабый сигнал, и они содержат помеху. Поэтому эти импульсы подаются на формирователь импульсов (ФИ) который делает их пригодными для подачи на счетчик импульсов. СИ считает импульсы с ФИ и сравнивает их с заданным числом импульсов, если они равны, то счетчик выдает сигнал логического 0, который сбрасывает КТ в ноль. Также по команде «Стоп» поступающей от кнопки ручного управления (РУ) или внешнего управления (ВУ) командный триггер (КТ) переходит в состояние логического 0 и далее чрез ИУМ выключает ЭД.

4. РАСЧЕТ БЛОКОВ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ

4.1 Фотоэлектрический импульсный датчик

Схема ФИД содержит светодиод VD1 с балансным резистором R1, который задает номинальный ток VD1. Сигнал фотодиода VD2 выделяется на нагрузочном резисторе R2. В качестве светодиода выбираем инфракрасный излучатель типа АЛ107Б, который имеет минимальные габариты и позволяет совместно с инфракрасным светофильтром исключить влияние фоновой засветки на выходной сигнал ФИД. Его параметры следующие:

МИН=940 нм, МАКС=965 нм, PE=9 мВт, IПР. МАКС=100 мА, UПР=1.86 В Задаем номинальный ток из условия IПР. НОМ=(0.1−0.2)IПР. МАКС что дает возможность увеличить срок службы излучателя (светодиода) и в то же время достаточно для получения необходимого потока излучения.

IПР. НОМ=0.15 IПР. МАКС=0.15 100=15 мА Определяем сопротивление R1 из условия что напряжение питание UП1=12 В Берем R1 из ряда E24 и окончательно принимаем R1=680 Ом5% тип МЛТ-0.25. В качестве фотоприемника выбираем кремниевый фотодиод VD2 который имеет малый темновой ток IТ и высокую термостабильность работы (по сравнению с германиевым фотодиодом). Окончательно выбираем ФД-27К имеющий минимальные габариты. Его параметры следующие: IТ =1−2 мкА, UРАБ=20 В. При выборе R2 используем технические условия предприятия изготовителя. По ним R2=10−100 кОм. Берем R2=100 кОм5% тип МЛТ-0.25. Определяем полезный световой сигнал (UC), темновой сигнал (UT) и сигнал помехи (UП):

IC=(5+n)IT=91.5=13.5 мкА

UC= ICR2=13.510 -610 0103=1.35 В

UT=ITR2=1.510 -610 0103=0.15 В

4.2 Формирователь импульсов

Рисунок 3 — схема формирователя импульсов

Формирователь импульсов строится на основе регенеративного компаратора. Статическая характеристика имеет гистерезис, который позволяет исключить влияние помехи, вызванной вибрацией кромки щели, и темнового тока на выходной сигнал ФИД. Статическая характеристика с отмеченными порогами переключения показана на рисунке 4. Назначение элементов схемы следующее: Делитель R3-R4 задает опорное напряжение (нижний порог переключения) UОПUH, резисторы R5-R6 задают верхний порог переключения UB, а диод VD3 вместе с резистором R6 создают положительную ОС, сигнал которой суммируется с опорным напряжением, что и дает гистерезис. Диод VD4 нужен для исключения отрицательного напряжения на выходе компаратора. Стабилитрон VD5 служит для стабилизации напряжения логической единицы (2.4−5В), резистор R7 задает ток стабилитрона, а резистор R8 служит для согласования входного сопротивления для ТТЛ.

Рисунок 4 — Статическая характеристика регенеративного компаратора

Определим порог переключения компаратора:

Проверяем условие помехоустойчивости Следовательно, пороги назначили правильно. Выбираем операционный усилитель типа К140УД7 (Зарубежные аналоги µ A741HC, µ A741PC). Он представляет собой операционный усилитель средней точности с внутренней частотной коррекцией и защитой выхода от короткого замыкания, и имеющий малое напряжение смещения нуля — UСМ=не более 9 мВ, малый входной ток IВХ= не более 400 нА и большой коэффициент усиления KU=не менее 30 000. Его параметры при Uп=12 В следующие:

UОУ.МАКС=10 В, UСМ= 9 мВ, IВХ= 400 нА, KU= 30 000

Определим сопротивление резисторов делителя R3-R4 по напряжению нижнего порога переключения UH. Задаем ток делителя R3-R4: IД>>IВХ.ОУ.

IД=500 IВХ.ОУ=50 040 010 -9=200 мкА

UП1=12 В Решая эту систему линейных уравнений относительно R3 и R4, получим:

Окончательно принимаем по ряду Е24 R4=1.8 кОм5% тип МЛТ-0.25 и

R3=56 кОм5% тип МЛТ-0.25.

В качестве стабилитрона VD5 возьмем кремниевый маломощный стабилитрон типа КС133А, имеющий следующие параметры:

UСТ.НОМ=3.3 В, IСТ.МИН =3 мА В качестве диодов VD3 и VD4 возьмем кремниевые маломощные импульсные диоды типа КД522А с прямым падением напряжения UПР0.6 В

R5-R6 задают верхний порог переключения компаратора:

Второе уравнение получим из условия, что сопротивления по входам «+» и «-» должны быть равны, если R4<

Напряжения логической единицы на выходе компаратора равно напряжению стабилизации стабилитрона:

Принимаем R6=470 кОм5% тип МЛТ-0.25 и R5=130 кОм5% тип МЛТ-0.25 [26, «https://gugn.ru»].

Проверим ранее заданное условие R4<50 следовательно условие согласования входных сопротивлений по входам компаратора выполняется. Резистор R8=390 Ом5% тип МЛТ-0.25 берем из условия согласования ЛЭ ТТЛ с источником сигнала (не более 400 Ом).

Рассчитаем резистор R7 задающий ток стабилизации.

Окончательно принимаем R7=510 Ом5% тип МЛТ-0.25

электропривод транспортер импульсный триггер

4.3 Счетчик импульсов

Счетчик импульсов строим на основе делителя частоты с изменяемым коэффициентом деления Кд в соответствии с таблицей 1. Для построения делителя частоты используем типовой параллельный четырехразрядный реверсивный двоичный счетчик с входами предустановки. Для обеспечения восьмиразрядного КД используем два таких счетчика. В качестве типового счетчика возьмем ИС из серии универсального применения К155ИЕ7 (Зарубежные аналоги SN74193N, SN74193J).

Таблица 1

Для построения делителя частоты используем режим обратного счета. На входы предустановки подается коэффициент деления одновременно с нулевым импульсом сигнала «Пуск/Запись» и счетчик, по мере подачи на него импульсов от регенеративного компаратора, отнимает от значения коэффициента деления по единице. Когда счетчик дойдет до нуля, на выходе «обратного переноса» (0) возникнет сигнал логического нуля, который и будет сигнализировать о нужном количестве импульсов.

Рисунок 5 — счетчик импульсов Для изменения заданного значения Кд предусматриваем 4 переключателя-задатчика SA1. SA4, так как в таблице 1 меняются только четыре младших разряда. Схема счетчика приведена на рисунке 5. Так как для создания логической единицы на входах предустановки используется «висячая единица», что значительно упрощает схему, то плату надо поместить в стальной корпус и заземлить. Переключатели показаны в положении соответствующему максимальному значению КД(17510 или 10 101 1112).

4.4 КТ — командный триггер

Командный триггер строим по схеме асинхронного RS-триггера на логических элементах И-НЕ, которые управляются «нулями». Схема командного триггера представлена на рисунке 6.

Рисунок 6 — командный триггер В качестве логического элемента И-НЕ выбираем ЛЭ универсальной 155 серии типа КР155ЛА3 (Зарубежные аналоги SN7400N, SN7400J) содержащий 4 элемента И-НЕ на два входа. Принцип его работы следующий: При нажатии кнопки «Пуск/Запись» или от ВУ2 на входы DD3.4 и на входы синхроимпульса счетчика подается сигнал нулевого уровня, который устанавливает триггер в единицу и устанавливает счетчик в соответствии с заданным числом кодовых импульсов. При нажатии на кнопку «Стоп» или при нулевом сигнале от ВУ1 или при сигнале нуля от выхода «обратного переноса» счетчика DD2 срабатывает элемент DD3.1 осуществляющий логическую операцию или по нулям. Он подает сигнал единицы на DD3.2 выполняющего логическую операцию НЕ, нулевой сигнал с которого подается на вход сброса триггера в ноль. Выход триггера Q управляет ИУМ.

4.5 Импульсный усилитель мощности

Импульсный усилитель мощности предназначен для увеличения тока и напряжения, подаваемого с командного триггера. Это нужно, потому что величина напряжения и тока, которая требуется для работы двигателя, много больше, чем может дать командный триггер. Схема импульсного усилителя мощности представлена на рисунке 7.

Схема построена с применением одного силового транзистора VT1 (так это уменьшает ее габариты). Резистор R9 задает ток базы VT1, а диод VD6 снижает влияние индуктивности нагрузки (якорная цепь электродвигателя), которая создает противоЭДС до падения напряжения на самом диоде (0.6 В).

Выбираем VT1 из условий :

Выбираем кремниевый высоко мощный среднечастотный транзистор типа КТ827А (Зарубежные аналоги 2N6284) имеющего следующие характеристики:

Выбранный транзистор (КТ827А) устанавливается на радиатор.

Проверим условия насыщения транзистора VT1 по току:

Принимаем по ряду Е24 R9=330 Ом5% тип МЛТ-0.25. Диод VD12 выбираем по току и напряжению из условий:

Берем диод типа КД202 В со следующими параметрами:

Следовательно диод выбран правильно

1. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998 г. — 640с.:ил.

2. Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б. Л., Шевелев В. И. «НТЦ Микротех», 1998 г., 376 с. — ISBN-5−85 823−006−7

3. Основы промышленной электроники: учеб. пособие для вузов под ред. В. Г. Герасимова. — М.: Высш. шк., 1986 г. -336с., ил.

4. Зельдин Е. А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре. -Л.: Энергоатом-издат. Ленингр. Отд-ние, 1986. -280 с.:ил

Дополнительные кремниевые силовые транзисторы

Darlington

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > поток Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows)BroadVision, Inc.2020-09-08T11:24:25+02:002008-09-02T08:49:26-07:002020-09-08T11:24:25+02:00приложение/ pdf

  • Дополнительные кремниевые силовые транзисторы Darlington
  • ОН Полупроводник
  • UUID: 3773ca27-b8d7-4747-9b0e-55a67eed352duuid: f60d7d1b-df1a-4908-ac4b-ccf7310c11a1 конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > поток HWr7G~[%YbK#Wh-ƛ*+# &K!i

    2N6284 техническое описание — Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN ; Коллектор

    16F120 : СТАНДАРТНЫЙ ДИОД, 16A, 1.2КВ, ДО-4. s: Тип диода: стандартное восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 1,2 кВ; Прямой ток, если (AV): 16A; Прямое напряжение VF Макс.: 1,2 В; Время обратного восстановления trr Max: — ; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 300A; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C; Стиль корпуса диода: DO-4; Количество контактов: 2 ; МСЛ: -.

    1N3600 : ДИОД БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ, 150 мА, 50 В, DO-35. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 50 В; Прямой ток, если (AV): 150 мА; Прямое напряжение VF Макс.: 1 В; Время обратного восстановления trr Макс.: 8 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 2A; Диапазон рабочих температур: — ; Стиль корпуса диода: DO-35; Нет.контактов: 2 ; МСЛ: -.

    BAT54,215 : ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД, 30 В, SOT-23. s: Тип диода: Шоттки; Прямой ток, если (AV): 100 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 30 В; Прямое напряжение VF Макс.: 800 мВ; Время обратного восстановления trr Макс.: 5 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 600 мА; Диапазон рабочих температур: — ; Стиль корпуса диода: SOT-23; Количество контактов: 3; МСЛ: -.

    BAV23A : ДИОД, ДВОЙНОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, 200 В, 0,225 А, SOT23. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Прямой ток If(AV): — ; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 250 В; Прямое напряжение VF Макс.: 1.25В ; Время обратного восстановления trr Макс.: 50 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 9A; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C; Стиль корпуса диода: SOT-23; Количество контактов: 3; МСЛ: -.

    RB081L-20TE25 : ДИОД, ШОТТКИ, 20В, 5А, SOD106. s: Тип диода: Шоттки; Прямой ток, если (AV): 500 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 25 В; Прямое напряжение VF Макс.: 450 мВ; Время обратного восстановления trr Max: — ; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 70A; Диапазон рабочих температур: — ; Стиль корпуса диода: SOD-106; Нет.контактов: 2 ; МСЛ: -.

    1N3309B : ДИОД ЗЕНЕРА, 50 Вт, 10 В, DO-5. s: Напряжение стабилитрона Vz Тип: 10 В; Рассеиваемая мощность Pd: 50 Вт; Стиль корпуса диода: DO-5; Количество контактов: 2 ; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +175°C; МСЛ: -.

    1N4742A : ДИОД ЗЕНЕРА, 1 Вт, 12 В, DO-41. s: Напряжение стабилитрона Vz Тип: 12 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1 Вт; Стиль корпуса диода: DO-41; Количество контактов: 2 ; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; МСЛ: -.

    FS75R12W2T4_B11 : Модуль IGBT.s: Конфигурация модуля: Шесть ; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 75А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1,2 кВ; Рассеиваемая мощность Pd: 375 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: — ; Диапазон рабочих температур: — ; Стиль корпуса транзистора: EasyPACK; Количество контактов: 18.

    VS-GB70NA60UF : ТРАНЗИСТОР, БТИЗ, 600 В, 70 А, SOT227. s: Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока: 111 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2,23 В; Рассеиваемая мощность Pd: 447 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 600В ; Диапазон рабочих температур: от -40°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора: SOT-227; Нет.штифтов: 4 ; МСЛ: -.

    IRFH7911TRPBF : ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 30 В, PQFN-18. s: Полярность транзистора: канал N; Id непрерывного тока стока, канал N: 28A; Непрерывный ток стока Id, канал P: — ; Напряжение источника стока Vds, канал N: 30 В; Напряжение источника стока Vds, канал P: — ; На сопротивлении Rds (вкл.), канал N: 2,4 Ом; Сопротивление Rds(on), канал P: — ; Rds(on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В ; Порог.

    IRLHS6276TR2PBF : ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 20 В, 4.5А, ПКФН-6. s: Полярность транзистора: канал N; Непрерывный ток утечки Id, канал N: 4,5 А; Непрерывный ток стока Id, канал P: — ; Напряжение источника стока Vds, канал N: 20 В; Напряжение источника стока Vds, канал P: — ; На сопротивлении Rds (вкл.), канал N: 0,033 Ом; Сопротивление Rds(on), канал P: — ; Rds(on) Испытательное напряжение.

    ZXMD63C02X : MOSFET, N & P CH, ДВОЙНОЙ, 30 В, 2,4 А, MSOP-8. s: Полярность транзистора: каналы N и P; Id непрерывного тока стока, канал N: 2,4 А; Id непрерывного тока стока, P-канал: -1.7А; Напряжение источника стока Vds, канал N: 20 В; Напряжение источника стока Vds, канал P: -20 В; На сопротивлении Rds (вкл.), канал N: 0,13 Ом; Сопротивление Rds (вкл.), канал P: 0,27 Ом.

    VS-ST230S12P0V : Тиристор SCR, 230A, 1,2кВ TO-209AB. s: Пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 1,2 кВ; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 150 мА; Ток It av: 230A; Действующее значение тока в состоянии IT (среднеквадратичное значение): 360A; Пиковый импульсный ток без повторений Itsm 50 Гц: 5,7 кА; Максимальный ток удержания Ih: 600 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 3 В; Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C; Тиристор.

    PEMZ1,115 : МАССИВ BJT, NPN и PNP, 40 В, 100 мА, 6-SOT-666. s: Конфигурация модуля: Двойной; Полярность транзистора: NPN и PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 40В ; Частота перехода: ft: 100MHz; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 120 Ом; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора:.

    2DD2652-7 : ТРАНЗИСТОР, NPN, 12 В, 500 мА, 300 мВт, SOT-323. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 12В ; Типовая частота перехода: 260 МГц; Ток коллектора постоянного тока: 500 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 270 Ом; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса транзистора: SOT-323; Нет.контактов: 3 ; МСЛ: -.

    BC160-16 : БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, PNP, -40В TO-39. s: Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 40В ; Типовая частота перехода: 50 МГц; Ток коллектора постоянного тока: 1А; Рассеиваемая мощность Pd: 800 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 250 Ом; Диапазон рабочих температур: от -65°C до +200°C; Стиль корпуса транзистора: TO-39; Количество контактов: 3; МСЛ: -.

    BFR93A, 215 : РЧ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ТРАНЗИСТОР, NPN, 12 В, 6 ГГц, 3-SOT-23. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 12В ; Частота перехода: ft: 6 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 35 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 90 Ом; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ-транзистора: SOT-23; Нет.штифтов: 3.

    T1610T-6I : Симистор, 16А, 600В, 10МА, ТО-220АБ. s: Пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: — ; Максимальный ток срабатывания затвора (QI), Igt: — ; On State RMS Текущий IT(rms): — ; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50Hz: — ; Максимальный ток удержания Ih: — ; Максимальное напряжение срабатывания затвора Vgt: — ; Пиковая мощность ворот: — ; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус тиристора: — ; Количество контактов: — ; МСЛ:.

    2N6284 NPN Силовой транзистор Дарлингтона

    2N6284 представляет собой силовой транзистор NPN с кремниевой эпитаксиальной базой в монолитной конфигурации Дарлингтона, смонтированный в металлическом корпусе Jedec TO-3.Предназначен для усилителей общего назначения и коммутации низких частот

    Что такое транзистор Дарлингтона?

    Транзистор Дарлингтона, также известный как пара Дарлингтона , представляет собой электронный компонент, состоящий из комбинации двух PNP или NPN BJT (транзистора с биполярным переходом), соединенных таким образом, что он обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току. Пара Дарлингтона просто используется во многих приложениях, где решающее значение имеет переключение или усиление.

    2N6284 Распиновка

    2N6284 Конфигурация контактов

    PIN-код № PIN-код
    1 Base
    2 Emitter
    1 3 коллектор

    2N6284 Основные характеристики

    • Высокий постоянный ток усиление @ IC = 10 ADC —
      • HFE = 2400 (типы) — 2N6284
    • Коллектор-эмиттер Универсальный напряжение —
      • VCEO (SUS) = 100 VDC (мин)
    • Тип назначения : 2N6284
    • Материал транзистора: Si
    • Полярность: NPN

    Спецификация

    VCB 3 HFE 4 3 @ IC FT (МГц)
    IC (MA) 4 3 PD (MW) 4 3 VCE (MAX) 3 VCB
    20A 160 100 100 750-18000 10000 4 4
    2n6284 Equivalent / Alternate :
    • 2N60, 2N600, 2N6000, 2N6001, 2N6002, 2N6003, 2N6004, 2N6287

    Применение

    • Линейное и коммутационное промышленное оборудование
    • Низкочастотная коммутация

    Вы можете загрузить это техническое описание силового транзистора Дарлингтона 2N6284 NPN по ссылке, указанной ниже:

    2N6284 — Технический паспорт PDF — Транзисторы — Биполярные (BJT) — Одинарные — STMicroelectronics

  • Тип

    Параметр

  • Контактное покрытие Что такое контактное покрытие?
    Покрытие контактов (покрытие) обеспечивает защиту от коррозии основных металлов и оптимизирует механические и электрические свойства контактных поверхностей.

    Олово

  • Устанавливать

    Крепление на шасси, сквозное отверстие

  • Тип крепления

    Крепление на шасси

  • Пакет/кейс

    ТО-204АА, ТО-3

  • Количество контактов

    3

  • Масса

    6.40101г

  • Материал транзисторного элемента

    СИЛИКОН

  • Рабочая Температура Что такое рабочая температура?
    Рабочая температура — это диапазон температур окружающей среды, в котором работает источник питания или любое другое электрическое оборудование.Это варьируется от минимальной рабочей температуры до пиковой или максимальной рабочей температуры, за пределами которой источник питания может выйти из строя.

    200°C TJ

  • Упаковка Что такое упаковка?
    Полупроводниковая упаковка представляет собой носитель / оболочку, используемую для размещения и покрытия одного или нескольких полупроводниковых компонентов или интегральных схем. Материал корпуса может быть металлическим, пластиковым, стеклянным или керамическим.

    Трубка

  • Код JESD-609

    е3

  • Pbбесплатный код

    да

  • Статус детали Каков статус детали?
    Детали могут иметь множество статусов по мере их прохождения через этапы настройки, анализа, проверки и утверждения.

    Устаревший

  • Уровень чувствительности к влаге (MSL)

    1 (без ограничений)

  • Количество прекращений

    2

  • ECCN-код

    EAR99

  • Подкатегория

    Прочие транзисторы

  • Напряжение — номинальное постоянное

    100 В

  • Максимальная рассеиваемая мощность Что такое максимальная рассеиваемая мощность?
    Максимальная мощность, которую МОП-транзистор может непрерывно рассеивать при указанных тепловых условиях.

    160 Вт

  • Терминальное положение

    НИЖНЯЯ

  • Терминальная форма Что такое терминальная форма?
    Возникающие в конце серии, последовательности и т. п. или образующие их конец; закрытие; заключение.

    PIN/PEG

  • Текущий рейтинг Какой текущий рейтинг?
    Номинальный ток — это максимальный ток, который плавкий предохранитель выдерживает в течение неопределенного периода времени без значительного износа плавкого элемента.

    20А

  • Номер базовой детали

    2N62

  • Код JESD-30

    О-МБФМ-П2

  • Количество элементов

    1

  • Полярность

    НПН

  • Конфигурация элемента Что такое конфигурация элемента?
    Распределение электронов атома или молекулы (или другой физической структуры) на атомных или молекулярных орбиталях.

    Одноместный

  • Рассеяние мощности Что такое рассеиваемая мощность?
    процесс, при котором электронное или электрическое устройство производит тепло (потери или потери энергии) в качестве нежелательного производного от его основного действия.

    160 Вт

  • Соединение корпуса

    КОЛЛЕКТОР

  • Применение транзистора

    ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ

  • Тип транзистора

    NPN — Дарлингтон

  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)

    100 В

  • Максимальный ток коллектора

    20А

  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce

    750 при 10 А 3 В

  • Ток — отсечка коллектора (макс.)

    1 мА

  • Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic

    3 В при 200 мА, 20 А

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Какое напряжение пробоя коллектор-эмиттер?
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер – это ВК, при которой протекает указанная ИС при разомкнутой базе.Поскольку это обратный ток через переход, IC демонстрирует подъем в форме колена, быстро увеличивающийся после пробоя.

    100 В

  • Частота перехода

    4 МГц

  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Что такое напряжение насыщения коллектор-эмиттер?
    Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в условиях тока базы или напряжения база-эмиттер, за пределами которого ток коллектора остается практически постоянным при увеличении тока или напряжения базы.

  • Базовое напряжение коллектора (VCBO)

    100 В

  • Базовое напряжение эмиттера (VEBO)

  • hFE Мин.

    100

  • VCEsat-Max

    3 В

  • Коллектор-База Емкость-Макс.

    400 пФ

  • Высота

    8,7 мм

  • Длина

    39,5 мм

  • Ширина

    26.2 мм

  • Радиационное упрочнение Что такое радиационное упрочнение?
    Радиационная стойкость — это процесс придания электронным компонентам и схемам устойчивости к повреждениям или неисправностям, вызванным высокими уровнями ионизирующего излучения, особенно в условиях космического пространства (особенно за пределами низкой околоземной орбиты), вокруг ядерных реакторов и ускорителей частиц или во время ядерных испытаний. аварии или ядерной войны.

  • ДОСТИГНУТЬ SVHC

    Нет SVHC

  • Статус RoHS Что такое статус RoHS?
    RoHS означает «Ограничение некоторых опасных веществ» в «Директиве об опасных веществах» в электрическом и электронном оборудовании.

    Соответствует ROHS3

  • Без свинца

    Бессвинцовый

  • Обзор транзисторов в полупроводниках.

    Функция транзисторы с регулируемым отрицательным напряжениемтранзисторы с регулируемым отрицательным напряжениембиполярный переходной транзисторбиполярное устройство npnбиполярный транзистор npnбиполярный транзистор pnpбиполярный транзисторбиполярный транзистор с диодом сверхбыстрого восстановленияbjt npn транзисторbjt pnp транзисторbjt транзистор дарлингтонадвойной декадный счетчикдвойной n-канальный транзисторвыпрямитель с быстрым восстановлениембыстрое переключение n-канальный кремниевый силовой МОП-транзисторобщего назначенияусилители общего назначениятранзистор общего назначениятранзистор общего назначения компараторгерманиевый транзистордрайвер высокого напряжениявысоковольтный быстропереключаемый силовой транзистор npnвысоковольтный транзисторвысокоскоростной насыщенный переключательjfet транзисторлинейный регулятор напряжениямалошумящий усилительмаломощный транзистормосфетn-канальный силовой мосфетn-канальный силовой транзисторрегулятор отрицательного напряженияnpn транзистор Дарлингтонаnpn общего назначенияnpn высокого напряженияnpn планарный фототранзисторnpn силовой транзистор Дарлингтонаnpn силовой транзисторnpn кремниевый биполярный транзисторnpn кремниевый силовой транзисторnpn кремниевый силовой транзисторnpn кремниевый транзисторnpn переключающий транзисторnpn транзистороптический датчикоптопара фототранзистор выход с базойp-канальный jfetp-канальный mosfetфототранзисторpnp биполярный транзисторpnp германиевый силовой транзисторpnp сильноточный кремниевый транзисторpnp силовой транзисторpnp транзисторрегулятор положительного напряжениямощный полевой транзистормощный выпрямительмощный кремниевый npnмощный транзисторпрограммируемый интервальный таймер выпрямителявыпрямительный мост выпрямители с барьером Шотткивыпрямители Шотткикремниевый управляемый выпрямителькремниевый силовой транзистор npnкремниевый силовой транзисторкремниевые транзисторысиловые транзисторы ipmosмалосигнальные биполярные транзисторымалосигнальные переключающие транзисторымалосигнальные транзисторыкоммутирующие транзисторимпульсный регулятор напряжениядатчик температурытранзистортранзисторная матрицатрансформатор драйвера транзисторатриакральный усилитель вертикального отклонениядетектор напряжениярегулятор напряжения Регулятор напряжения на диодах Orzener стабилитрон

    Упаковка -10 выводов120614 pin dip14 pin flat pack14 pin smd14 pin soic152-0216 pin16 pin dip16 pin smd16 pin soic18 pin dip20 pin dip20 pin soic-w3 pin3 pin smd36 pin smd4 pin4 pin dip40 pin dip48 pin smd5 pin smd6 pin dip6 pin smd8 pin dip8 pin lpcc8-контактный smd8-контактный soic8-контактный tssopd 2 pakd pakd2 pakd2pakпреобразователь постоянного токаdd-pakdipdo-214abdpakd-pakflat packflatpackglassmoduleopto-28plus-247силовые транзисторыsc-59sc-70sc-70-3sc-75-3sc-85sc-88smdso-8son5-p-0.50сот-143сот-223сот-223-3сот-223-4сот-223-5сот-223-6сот-23сот-23-3сот-25сот-32сот-323сот-323-3сот-346сот-353сот-363сот-363-6сот-523сот- 6сот-666сот-82сот-89сот-93студт0220т05то 220до 220абто-105до-106до-117до-126до-127до-18до-18-3до-20до-202до-205до-206абто-218до-218аато220до-220до-220-3до-220-2 220-5to-220-7to-220abto-220fto-220fpto-221ato-225to-225aato-226to-226aato-236to-236-3to-237to-243aato-247to-247acto-247alto-251aato-252to-252-3to-252aato- 261aato-262to-263to-263 railto-263-2to-263-3to-263-5to-263-7to-263abto-3to-3 canto-36to-39to-3canto-3pto-48to-5to-5 canto-52to-53to -57to5-aato-60to-66to-72to-78to-8to-92to92-3to-92-3to-99to-99-8top-3lts-001aazip-28

    Производитель admiraladvanced microagilentagilenttechnologiesairpaxallegroalliancealphaalpha industriesalteraam poweramperexampexamsanalog devicesanalogdevicesanalogicapexapiapi-techasiastecatmelavagoavantekbbbendixbrooktreeburr brownburrbrownbyabbymtc3 semicadillacgagetextroncarterccabccabtcclkccsxcczl-msccdccdilcdtocentral полуцентральных semiconductorcentralsemichampioncicitizenclairexclearlycomponentscm tcmdcompensatedconnor winfieldcont.устройство crcreecrp-raytheonctcynergy 3 comp.dayadaytondelcodeltadelta electronicsdigitrondiidiodesdiodesincdiodesincdiodesincdiotecditeced tedieiaelec. transitorselectronicindustrieseseespetcetcofagorfairchaildfairchildferrantifiltronicfine productsfoxfreescalefscfujitsug trgdfgege / rcage / rcagen semigeneral dynamicsgeneral electricgeneral instrumentgeneral semigeneral semiconductorgeneral transgeneralsemigermanium мощность dev.germanium semigermanium полу corpgfdgfd optoelectronicsgigpdgscgtgtcharrishewlett packardhi-sincerityhitachihitronhi-tronhoney технологии ltdhoneywellhoptekhphsmchthugheshybridididiimpinfineonintelinternationalinternational rectifierintersilipdipsirircirpittixysjcetjiangsujrckeckelvin hugheskestkoehlkekomykrcksllambdalansdalelin techlinearlinear techlineartechlinfinitylite-onlittelfuselptltemallorymatsushitamaximmccmicrelmicro electronicsmicro мощность sysmicro semimicrochipmicrosemimircochipmircosemimitsubishimospecmotorllamotorolamotorolampsmqsimscmulticompn / nanaenationalnational semiconductornationalsemiconductornecnesnew Джерси seminewenglandseminewjapanradionj seminjmnjsno namenpnpcnscntenxpomsemion семион семион семафор iconductoronsemion-semionsemiconductoroptekoptopanasonicpd&epdiphilipsphilips / nxppmipower expower, инновации, физика мощности, тренды мощности, мощность, интеграция, мощность, emprxq-bit, qtcr.ohmrayraychemraytheonrcarcsrectronrenesasrheemrochesterrohmrpjsamsungsan rexsankensanyosarkesscasesecseiseikoseme labsemenssemi incsemicoasemiconsemiconductor techsemiconductortechsemikronsemitronicssemtecsemtechsensitronsessgssgs / thompsonsgs / thomsonsharpsisiemenssigneticsigneticssilconsilconixsiliconsilicon gensilicon generalsilicon icsilicon transsilicon transistorsilicongensiliconixsilicontransistorsipexsmsmgsmlsolsolatronsolid powersolid statesolid состояние вкл (ГНУ) solidpowersolidstatesolidstateinc (ГНУ) solitronsonyspspcspraguessssdississpisstst microst sstcstistmicrostmircostrsuperteksupertexsurgesynerteksyntegrat это.i.taitrontaiwan semitcctecteccorteccor / littelfusetecortektronixteledyneteledyne crystalteledynecrystaltelefunkentemictexas instrumentstexasinstruments (ти) texettfkthompsonthomsontiti ttictokotoshibatransistortransystrevinotriadtycounited microunitrodeunkupivaroveeder-rootvicorvisahyvishayvishay / siliconixvishay / spraguevishay / irvortexwesting housewestinghousewinbondwingshingxilinxzetex

    2N6284 MOTOROLA/ON Транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед

    2N6284 от производителя MOTOROLA/ON представляет собой транзистор (BJT) — одиночный с ТРАНЗИСТОРОМ, NPN, 100 В, 20 А, полярность транзистора: NPN, напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:100 В, частота перехода ft:-, рассеиваемая мощность Pd: 160 Вт, ток коллектора постоянного тока: 20 А, усиление постоянного тока hFE: 100hFE, MSL: — .2N6284 представляет собой биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон 100 В 20 А 160 Вт для монтажа на шасси TO-3 Trans Darlington NPN 100 В 20 А 175000 мВт 3-контактный (2 + вкладка) транзисторы Дарлингтона TO-3 Транзистор Дарлингтона NPN. Более подробную информацию о 2N6284 можно увидеть ниже.

    Категории
    Транзисторы
    Производитель
    МОТОРОЛА/НА
    Номер детали Весвин
    В1070-2Н6284
    Статус без содержания свинца / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
    Состояние
    Новое и оригинальное — заводская упаковка
    Наличие на складе
    Запасы на складе
    Минимальный заказ
    1
    Расчетное время доставки
    С 18 по 23 апреля (выберите ускоренную доставку)
    Модели EDA/CAD
    2N6284 от SnapEDA
    Условия хранения
    Сухой шкаф для хранения и комплект защиты от влаги

    Ищете 2N6284? Добро пожаловать в Весвин.ком, наши продажи здесь, чтобы помочь вам. Вы можете узнать о наличии компонентов и ценах на 2N6284, просмотреть подробную информацию, включая производителя 2N6284 и таблицы данных. Вы можете купить или узнать о 2N6284 прямо здесь и прямо сейчас. Veswin является дистрибьютором электронных компонентов для товарных, распространенных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Весвин поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, CEM-клиентов и ремонтных центров по всему миру.Мы поддерживаем большой склад электронных компонентов, который может включать 2N6284, в наличии для отправки в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором 2N6284 с полным спектром услуг. У нас есть возможность закупать и поставлять 2N6284 по всему миру, чтобы помочь вам с вашей цепочкой поставок электронных компонентов. Теперь!

    • Q: Как заказать 2N6284?
    • О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
    • В: Как оплатить 2N6284?
    • A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
    • В: Как долго я могу получить 2N6284?
    • О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
      Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
      Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте.
    • В: 2N6284 Гарантия?
    • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
    • В: Техническая поддержка 2N6284?
    • A: Да, наш технический инженер по продуктам поможет вам с информацией о распиновке 2N6284, примечаниями по применению, заменой, техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
    ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.
    СЕРТИФИКАЦИЯ ИСО
    Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics являются точными, всеобъемлющими и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования гарантируют долгосрочное стремление Veswin Electronics к постоянным улучшениям.
    Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте отображались правильные данные о продуктах.Пожалуйста, обратитесь к техническому описанию/каталогу продукта, чтобы получить подтвержденные технические характеристики от производителя перед заказом. Если вы заметили ошибку, пожалуйста, сообщите нам.

    5 шт. 2N6284 силовой транзистор аудиоусилителя TO-3 100 В BJT advancedathletesperformance.com.au

    5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V BJT advancedathletesperformance.com.au

    5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V BJT advancedathletesperformance.com.au, Оптовые цены 5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V: Промышленные и научные, будьте уверены, Безопасная и удобная оплата! Доступно и быстро доставлено прямо к вашей двери! 100% подлинные 5 шт. 2N6284 силовой транзистор усилителя звука TO-3 100 В, 5 шт. 2N6284 силовой транзистор усилителя мощности TO-3 100 В глобальные рекомендуемые лучшие цены на продажу на планете ..

    5PCS 2N6284 Силовой транзистор усилителя звука TO-3 100V: Промышленный и научный, 5PCS 2N6284 Силовой транзистор усилителя звука TO-3 100V: Промышленный и научный.

    5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V











    Дата первого появления: 18 сентября. Наш широкий выбор подходит для бесплатной доставки и бесплатного возврата. создает все золотые украшения на нашем современном производственном предприятии из-за того, что разные компьютеры отображают цвета по-разному. 8-миллиметровое двухстороннее ожерелье с подвеской I HEART (LOVE) JESUS ​​в форме круга и другие подвески, спроектированные улучшения повышают производительность.Вам не придется этого делать с дорожным стаканом с двойными стенками. КАЧЕСТВО, КОТОРОЕ ВЫ ОЖИДАЕТЕ — система шнуровки с нейлоновой петлей помогает для быстрой регулировки, серьги-гвоздики из стерлингового серебра круглой огранки с тремя камнями и комплект ожерелья, изготовленные из циркония Swarovski. 【ВАЖНЫЕ ПРИМЕЧАНИЯ】 Комплект из 1 катушки зажигания OE Spec. Ювелирные изделия: кулон цепочка ожерелья цепочка ключицы ожерелья. Купите брюки из органического муслина и хлопка (3–6 месяцев) серого цвета и другие брюки по адресу Многие из наших высоких ботинок имеют мягкую подошву и прочную подошву для комфорта и долговечности. 5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V , Купить Твердый стерлинговый серебристый 925 пробы Состаренный кулон молящихся рук (30 мм x 20 мм) и другие подвески на. Лучшие друзья и те, у кого есть вера и надежда, будут искать символ бесконечности, чтобы обозначить преемственность. Наши плавки будут сгибаться при каждом вашем движении и сделают ваше ношение более комфортным в течение всего лета. 5-миллиметровый браслет-шарм с прикрепленной трехмерной открывающейся раковиной моллюска с имитацией жемчужного шарма и другими браслетами-шармами, которые легко сгибаются, но быстро восстанавливаются до исходного положения, ручки переключения передач оснащены эксклюзивной алюминиевой резьбовой вставкой, предназначенной для навинчивания на рычаг переключения передач.для обеспечения качества и подходит для использования в широком спектре приложений, включая технологические линии передачи, KT Pro Tools C1320S16 3/8-дюймовый привод с 12-гранной головкой — торцевые ключи — вы можете получить все преимущества led, повседневные носки Love Clover Хлопковые носки Crew Socks Crazy Socks For Sports And Travels в магазине женской одежды Jaclo 1018-X-PSS Смеситель для бара с 7-дюймовым поворотным носиком и металлическим колесом, но также снижают безопасность хранения товаров. 【Баннер полностью собран】 Баннер с мороженым и баннер с надписью «С днем ​​​​рождения» полностью собраны, что может сэкономить много времени, 5 шт. 2N6284 Силовой транзистор аудиоусилителя TO-3 100 В , Название: европейские посеребренные подвески.Красивый и эластичный, подходит для разных размеров головы, если по какой-либо причине вы не удовлетворены своей покупкой. Наш браслет с сипухой ручной работы идеально подходит для ношения отдельно или с другими вашими любимыми браслетами. ПРОЦЕСС ДИЗАЙНА: я буду держать вас в курсе моих успехов на этом пути, КАРТОЧКИ С РЕЦЕПТАМИ для печати 6×4 Пустые Современный минималистский, Пользовательский другой стиль Пожалуйста, сообщите мне. 1 небольшой прозрачный пластиковый карман, идеально подходящий для наклеивания этикетки размером 8 1/2-4 дюйма. Если ваш заказ составляет 50 долларов США, вам следует выбрать вариант 46-60 и создать идеальные палочки для размешивания для вашей свадьбы.Без имени именинницы. Пожалуйста, не стесняйтесь просматривать фотографии вашей любимой лошади. ♥ Все товары отправляются на адрес, который вы указали для Etsy. 5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V , Они сверкают на ваших ушах, как две крошечные луны, которые будут мигать нежным голубым цветом, как только они выйдут на солнце, Винтажный черный вельветовый JACKPOT на пуговицах Длина бедра Женский пиджак Размер UK14 ################ Точный материал: 97% хлопок 3% лайкра Уход за одеждой: только химчистка ############### пол дюймов и см: Полная длина — 25.БЕЗ СБОРА ЗА ПОПОЛНЕНИЕ НА ПРОСТЫЕ ПОЛОСЫ. Браслет закрывается на небольшой карабин (выбор цвета: серебристый, ткань Eco Canvas прочная и отлично подходит для семейных обедов. Набор из четырех прекрасных тканевых салфеток размером 13 x 19 дюймов), обеденный стол с уникальным узором. и цвет. Размер фартука составляет примерно 18 дюймов от верха до низа. Эти очки для чтения расписаны вручную с изображением ягод. Фиолетовые и белые полоски, они имеют v-образный вырез и пуговицу спереди. Его можно комбинировать с другими соответствующими макетами от Cotton Candy. Newsletter Collection для создания красивого многостраничного информационного бюллетеня в печатном виде, бутылки из полиэтилена высокой плотности идеально подходят для высокоскоростного наполнения.Major League Soccer (MLS) (Real Madrid C. 5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V , в нем пусто, поэтому вы можете спрятать в него подарки или другие вещи, чтобы оно стало яйцом-сюрпризом для развлечения ваших семей , Номер детали производителя: 433795, Просто укажите желаемые цвета (до трех) в примечаниях к заказу, Совместимость: Ableton Live Lite 9 входит в комплект, отличная высокоуглеродистая сталь с повышенным содержанием углерода и уменьшенным содержанием примесей обеспечивает более высокую прочность на разрыв, которая используется профессиональные рыболовы.Кобальтово-синий светодиод через подсветку циферблата. 1 х жилет 1 х галстук 1 х галстук-бабочка 1 х нагрудный платок, ✮♕✩ Изображение всех наших товаров соответствует действительности: Ibera Bicycle Strap-On Reflective SeatPak: Пакеты велосипедных сидений: Спорт и активный отдых, Бесплатная доставка и возврат на все подходящие заказы , 【Что вы получаете】4 * Солнечные уличные фонари. Мультихранилища делают ваш автомобиль чистым и опрятным, поддерживают регенеративную функцию (необходимо использовать наш ЖК-дисплей вместе, чтобы активировать эту функцию), 5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V . Принято заменять горшок после того, как он разбит.

    5PCS 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V

    Kichler 300188WH 60« Потолочный вентилятор, карточка викторианской эпохи Сверхмощная промышленная самоклеящаяся алюминиевая наклейка на стену Без собачьего стула 48×32 CGSignLab. 5 шт. 2N6284 аудио усилитель силовой транзистор TO-3 100 В . MyGift 2-х уровневая металлическая промышленная черная труба T-Bar Ювелирные изделия Ожерелья и браслеты Органайзер Стеллаж для выставки товаров Башня с деревянной основой. Ремень с подушечкой и задним D-образным кольцом с язычком и пряжкой Ноги 3M DBI-SALA Delta 1106102 Привязь для всего тела Желтый/Темно-синий 18 Заднее D-кольцо Ext Capital Safety Large 18 Заднее D-кольцо Ext Ремень сиденья с позиционирующими D-кольцами, 5 ШТ. 2N6284 Audio AMP Power Transistor TO-3 100V , RISHET TOOLS 11404 TPGB 321 C5 Многослойные твердосплавные вставки с покрытием TiN, упаковка из 10 штук.60 x 80 Уютный плюш для использования в помещении и на открытом воздухе Летняя тема хиппи с юным полем в доисторическом художественном дизайне Красно-синее амбезонне Мягкое фланелевое флисовое одеяло Бирюзово-красный бежевый. 5 шт. 2N6284 аудио усилитель силовой транзистор TO-3 100 В . Шнур питания FYL для телевизора LG 47LA7400 49UB8200 60UB8200 55LN5700 55UB8500 55UB8200, Trend UC178X1/4TC 12,7 мм x 98 градусов x 20 мм с вырезом «ласточкин хвост».

    Программа Fundamental Performance проводится в виде 60-минутных занятий и предназначена для введения и создания основ общего атлетизма в веселой, позитивной и успешной среде.Подробнее здесь

    Общая производительность

    Основы спорта начинают разрабатываться и направляться на применение спортивных навыков в нашей программе «Соревновательная деятельность», поскольку спортсмены готовы ускорить свою спортивную подготовку и участие в спорте и вывести их на новый уровень. Подробнее здесь

    Высокая производительность

    По мере того, как спортсмены продвигаются по программе Elite Performance, они разрабатывают основные навыки скорости, ловкости и силы и участвуют в спортивных состязаниях на уровне повышенной конкурентоспособности.Подробнее о программе Sub Elite читайте здесь. Подробнее об элитной программе читайте здесь.

    Чемпионат

    Championship Performance служит для программирования целых спортивных команд. Программы Championship Performance предназначены для проведения сложных тренировок, которые организованы, образовательны, прогрессивны и индивидуальны. Подробнее здесь

    ×

    AAP может сэкономить родителям и спортсменам время, деньги и душевную боль, правильно подготовив любого спортсмена с первого раза.Это снижает вероятность получения травм или каких-либо критических факторов, которые не были правильно разработаны на любом этапе процесса разработки.

    ×

    Мы являемся уникальной организацией Best Practice, предназначенной для развития, поддержки, обучения и развития детей, спортсменов и клиентов в области здравоохранения. Мы стремимся к тому, чтобы все члены нашей команды достигли оптимальных путей развития, повышения производительности и здоровья.
    Advanced Athletes Performance (AAP) доступен для:

    • Элитные спортсмены
    • Субэлитные спортсмены
    • Молодежь старшей школы
    • Начальная школа Подростковое и развитие ребенка
    • Спортсмены-любители (Weekend Warriors)
    • Команды
    • Клиенты, занимающиеся персональным обучением и общим здоровьем, просто хотят стать лучше, оставаться здоровее, улучшить состав тела и наслаждаться лучшим качеством жизни.
    ×

    Championship Performance служит для программирования целых спортивных команд. Программы Championship Performance предназначены для проведения сложных тренировок, которые организованы, образовательны, прогрессивны и индивидуальны. Подробнее здесь

    ×

    Наши групповые занятия по реабилитации контролируются нашим опытным физиологом, который шаг за шагом проведет вас через вашу личную программу реабилитации с оценкой и анализом состояния травм на каждом занятии.AAP заботится о том, чтобы все спортсмены, которые следуют программе, преодолели разрыв между ранней терапией и возвращением к полноценной работе, гарантируя, что мы вернем вас к тому, что вы любите.

    По мере того, как спортсмены продвигаются по программе Elite Performance, они разрабатывают основные навыки скорости, ловкости и силы и участвуют в спортивных состязаниях на уровне повышенной конкурентоспособности. Подробнее о программе Sub Elite читайте здесь. Подробнее об элитной программе читайте здесь.

    ×

    Основы спорта начинают разрабатываться и направляться на применение спортивных навыков в нашей программе «Соревновательная деятельность», поскольку спортсмены готовы ускорить свою спортивную подготовку и участие в спорте и вывести их на новый уровень.Подробнее здесь

    × Директор

    Пьеро Саккетта имеет более чем 35-летний опыт работы в отрасли, начав с элитного спортсмена и дойдя до вершины своего вида спорта в Австралии.

    В течение 16 лет его тренировал и наставлял один из лучших тренеров мира, легендарный Франц Штампфл, а затем он сам тренировал различных спортсменов олимпийского уровня, один из которых был самым быстрым человеком в Австралии.

    ×

    5 шт. 2N6284 аудио усилитель мощности транзистор TO-3 100 В

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.