B772 транзистор характеристики: характеристики, datasheet и аналоги 2sb772

Содержание

характеристики, datasheet и аналоги 2sb772

Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.

Цоколевка

Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.

Технические характеристики

Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики. От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:

  • максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
  • предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
  • наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
  • максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
  • импульсный коллектора I (Iк max) = -7 А;
  • постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
  • мощность на коллекторе:
    • в корпусах ТО-92 и SOT-89 РСк max) = 0,5 Вт;
    • в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РСк max) = 1 Вт;
  • рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
  • температура перехода TJ = +150 оС.

Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозначение.min typmaxЕденицы. изм
Пробивное напряжение К — БIC = =100 мкA, IЕ = 0V(BR)CВO-40В
Пробивное напряжение К — ЭIC=-1 мA, IВ= 0V(BR)CEО-30В
Пробивное напряжение Э — БIE= 100 мкA, IC= 0V(BR)EBO-5В
Обратный ток коллектор — базаV= -30 В, IЕ = 0ICВO-1000нА
Обратный ток коллектор — эмиттерV= -3 В, IВ = 0ICЕO-1000нА
Обратный ток эмиттераVEB = -3 В, IC = 0IEBO-1000нА
Напряжение насыщения К — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV CE(sat)-0,3-0,5В
Напряжение насыщения Б — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV ВE(sat)-1-2В
Граничная частота к-та усиления токаVCE =-5 В, IC =-0,1 AfT80МГц
Выходная емкостьVCB =-10V, IE =0, f=1 МГцCob45пФ

Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:

  • 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
  • 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
  • 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.

Аналоги

Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.

Производители

Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.

характеристики (параметры), отечественные анлоги, цоколевка

B772 — Кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с PNP структурой.

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных каскадах аудио усилителей мощности, преобразователях постоянного напряжения в постоянное, регуляторах напряжения и управляющих цепях релейных устройств.

Характерные особенности

  • Высокий коллекторный ток: IC = 3 А.
  • Высокое предельное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 30 В.
  • Высокая линейность коэффициента усиления по току hFE.
  • Низкое напряжение насыщения
  • Комплементарная пара: 2SD882.
  • Высокая стабильность параметров от партии к партии при поставках.

Корпус и цоколевка

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаСимволЗначение ٭
Напряжение коллектор-база, В UCBO40
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO30
Напряжение база-эмиттер, В UEBO5
Ток коллектора постоянный, АICO3
Ток коллектора импульсный, АICM7
Ток базы постоянный, АIBO0,6
Мощность рассеяния, Вт2SB772Корпус TO-92при Ta = 25°СPC0,5
Корпус TO-126/TO-126C1
Корпус TO-251/TO-2521
2SB772SКорпус SOT-890,5
Корпус SOT-2231
2SB772SSКорпус SOT-23при Ta = 25°С0,35
при TС = 25°С10
Предельная температура кристалла, °СTJ150
Диапазон температур при хранении, °СTSTG от -55 до 150

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.

Типовые термические характеристики для 2SB772/S/SS

ХарактеристикаКорпусСимволВеличина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтTO-126RƟJC12,5
TO-252/25112,5
TO-9225
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтSOT-23RƟJC104
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA357

Электрические характеристики (при T

a = 25°C)
ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения ٭
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCE = 30 В, IE = 0≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА ICEOUCE = 30 В, IB = 0≤ 1,0
Ток базы выключения, мкАIEBOUBE = 3 В, IC =0≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 2 А, IB = 200 мА≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC = 2 А, IB = 200 мА≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 100 мкА, IE = 0˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 1 мА, IB = 0˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 100 мкА, IC = 0˃ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1)UCE = 2 В, IC = 0,02 А≥ 30
hFE (2)UCE = 2 В, IC = 1,0 Аот 100 до 400
Частота среза, МГцfT UCE = 5 В, IC = 0,1 мА80
Выходная емкость, pFCC UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Классификация

Классификация транзисторов по группам по величине статического коэффициента усиления hFE при поставках.

Группа по величине hFEQPE
Значение hFE в пределах группыот 100 до 200от 160 до 320от 200 до 400

Модификации и группы транзистора B772

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
2SB772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)4030531504055160TO-126
BTB772ST310,0 (1,0)4030521508055180TO-126
BTB772T310,0 (1,0)4030531508055180TO-126
CSB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
CSB772 (P, Q, R, E)10,0 (1,0)4030531508055200TO-126
FTB772(1.25)403063150805560TO-126
KSB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
KSB772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)403053150805560TO-126
KTB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
PMB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
ST2S772T10,0 (1,0)403053150805560TO-126
TSB772CK10,0 (1,0)5030531508055100TO-126
B772C(1.25)4030631505060 TO-126C
B772P15,0 (1,25)40306315050120 TO-126D
HSB77210,0 (1,0)4030531508055100TO-126ML
2SB772B25,0 (2,0)403053150805560TO-220
2SB772I10,0 (1,0)403053150805530TO-251
B772PC10,0 (1,0)40306315050120TO-251
BTB772I310,0 (1,0)4030531508055180TO-251
WTP77210,0 (1,0)403053150805530TO-251
2SB772D10,0 (1,0)403053150805560TO-252
B772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)4030631505060TO-252
BTB772AJ315,0 (1,0)50307315019033180TO-252
BTB772J310,0 (1,0)4030631508055180TO-252
FTB772D10,0 (1,0)4030631505060TO-252
GSTD77210,0 (1,0)4030531508060TO-252
ST2SB772R10,0 (1,0)40306315050100TO-252
B772M(1.25)4030631505060TO-252-2L
2SB772A(0.5)7060631505060SOT-89
2SB772GP(1.5)40305315010055160SOT-89
2SB772T(0.5)403053150805560SOT-89
BTB772AM3(2)5050631508025180SOT-89
FTB772F(0.5)4030631505060SOT-89
GSTM772(0.5)4030531508060SOT-89
KXA1502(0.5)402051.515010020160SOT-89
L2SB772 (P, Q)(0.5)40306315050160SOT-89
ST2SB772U10,0 (1,0)403053150805560SOT-89
ZX5T250(0.5)70606315050160SOT-89
2SB772S(0.5)4030531508045100SOT-89
ALJB772(1)403061.5150100200TO-92
B772S(0.625)4030631505060TO-92
BTB772SA3(0.75)5050531508055180TO-92
GSTS772(0.625)4030531508060TO-92
HB772S(0.75)4030531508055100TO-92
HSB772S(0.75)4030531508055100TO-92
TSB772SCT(0.625)5030531508055100TO-92
2SB772L10,0 (1,0)403053150805560TO-92LM
2SB772M(0.35)4030531508045100SOT-23
B772SS10,0 (0,35)4030531508045100SOT-23
2SB772N10,0 (1,0)403053150805560SOT-223
2SB772ZGP(1.5)40305315010055160SOT-223

Примечения:

  1. Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252  или DPAK, SOT-89 или TO-92.
  2. В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
  3. В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
  4. В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
  5. Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.

Отечественное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFE КорпусПримеча-ние
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
(2)КТ914А7656540,815035012
(2)КТ932А/Б/В2080/60/404,52150100300от 15 до 120 TC ≤ 50°C
(2)КТ933А/Б580/604,50,515075100от 15 до 120 TC ≤ 50°C
КТ973А/Б/В/Г860/45/60/6052150от 750 до 5000
КТ974А/Б/В580/60/503215045080от 10 до 120 TC ≤ 50°C

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
2SA1359 (O, Y)10,0 (1,0)4040531501003570TO-126
2SB84310,0 (1,0)50406517590TO-126
BTB1424AD310,0 (1,0)50506315024035180TO-126
BTB1424AT310,0 (1,0)50506315024035180TO-126
H77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
HT77210,0 (1,0)4030531508055100TO-126
KSH77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
ST2SB772T10,0 (1,0)403053150805560TO-126
2SA1761(0,9)605063150100120TO-92
2SA3802(0,8)4030631508060TO-92
2SB985 (R, S, T, U)(1)606063165150280TO-92
BR3CG3802(0,8)4030631508060TO-92
KTB985(1)605063150150100TO-92
ZTX949(1,2)503064,5200120100TO-92
ZTX951(1,2)1006064200100TO-92
ZTX953(1,2)14010063,5200125100TO-92
2SA2039-TL-E1550506515036024200TO-252
2SA2126-TL-E1550506315039024200TO-252
2SAR573D1050506315030035180TO-252
BTA2039J31560506515015042200TO-252
BTB1184J315631508035180TO-252
BTB1184J3S15631508035270TO-252
BTB9435J31040326315018020180TO-252

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:

  • нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
  • верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Транзисторы B772F, B772O, B772Y — параметры, маркировка, расположение выводов.

Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR


Транзисторы B772 — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 1,25 Вт для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) — 12,5Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 50 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30в.

Максимальное напряжение коллектор — база

40в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126 (datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R — от 110 до 220.
У транзисторов B772O — от 200 до 450.
У транзисторов B772Y — от 420 до 800.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89 (datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R — от 60 до 120.
У транзисторов B772O — от 100 до 200.
У транзисторов B772Y — от 160 до 320.
У транзисторов B772GR — от 200 до 400.

Максимальный постоянный ток коллектора 3А, пульсирующий — 5А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А — не выше 0,5в.

Обратный ток коллектор — эмиттер при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 0,1 мА.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Аналог b772p

Это сокращенная маркировка транзистора 2SB У данного транзистора есть особенности, из-за которых для него сложно подобрать отечественный аналог. Это высокий коэффициент усиления, сравнительно низкое напряжение насыщения и довольно высокая граничная частота. Из отечественных транзисторов только КТ близок к данному прибору, но имеет заметно меньшее усиление. На данный момент, к данному транзистору, очень тяжело найти отечественный аналог, так как, они имеют не очень похожую и хорошую проводимость. Транзистор b — это биполярный транзистор 2SB


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор тестером или мультиметром

Аналоги для b772


Автор: Гость Shin , 28 августа, в Звук в автомобиле. Car Audio. Сгорел транзистор NEC выгорело там, где была напечатана маркировка. Обратился в техподдержку Supra, молчат. Извините за качество фоток, цифровика нет под рукой. Пришла схема на аппарат, на схеме не нашел Q Начал рыться в самой магнитоле, отпаял сгоревший протер нагар и увидел рядом еще одну надпись — Q На схеме там стоит TG Теперь совсем ничего не понимаю, что туда паять.

На этот транзистор я еще бы радиаторик прикрутил если место есть , явно пререгревом рвануло его. В своем «болоте» ничего подходящего не нашел Приезжал друг с Новосибирска погостить, привез. Только ему всучили B и сказали, что он аналог, только мощнее. Я всем сам советую эту базу даташитов. Но когда говорю что не нашел значит я прорыл еще 4 известные мне базы. Может сработала не внимательность Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий.

Зарегистрируйтесь для получения аккаунта. Это просто! Уже зарегистрированы? Войдите здесь. Нет пользователей, просматривающих эту страницу. Звук в автомобиле. Car Audio Мы будем искать:. Вся активность Главная Аудио. Свой звук. Охота, поход, торговый центр и т. Назад 1 2 Вперёд Страница 1 из 2. Рекомендованные сообщения. Гость Shin. Опубликовано: 28 августа, изменено.

Изменено 28 августа, пользователем Shin. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на других сайтах. Набо щупов P MHz. Осциллоскоп-конструктор DSO 2. Опубликовано: 29 августа, изменено.

Изменено 29 августа, пользователем Shin. Опубликовано: 29 августа, Этот транзистор вообще какую роль выполняет? Пришла схема на аппарат,. Опубликовано: 6 сентября, А что полностью написано на транзисторе? Я что то B только полевики нахожу. Или свой даташит приложите. Не обманули ли вашего друга B r5m1.

Создайте аккаунт или войдите для комментирования Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий Создать аккаунт Зарегистрируйтесь для получения аккаунта. Зарегистрировать аккаунт. Войти Уже зарегистрированы? Войти сейчас. Перейти к списку тем. Датагорский Форум, перезагрузка ! Вопросы, предложения, впечатления, глюки. IP с мобилки у вас всегда динамический, повлиять на него у меня нет никаких возможностей. База спамеров — это отдельно стоящая всемирная структура — сервис для форумов. Так посмотрите и скажите свой IP, а Игорь проверит, нет ли его в списке забаненных.

Хотя он и сам мог бы его посмотреть Привет Игорь. Через телефон захожу нормально. Для стационара используется USB модем с симкой Билайна.

Юрий, привет. Загляните в ваш профиль: никакие ограничения НЕ применяются. Глюк какой-то. Будем искать. Возможно ваш IP совпадает с таковым у спамеров, если у вас он динамический. Ну, здесь вопрос скорее в точности моделирования. Вот вам для примера типовая полная spice-модель транзистора 2N Как думаете, насколько точно она отображает «тонкие материи» работы транзистора и его вклад в «звучание» усилителя, и что вы сможете «проверить» при замене на другой?

Помогите новичку! Если есть схема и с лампами «нет проблем», то непонятно в чем загвоздка? А почему? Войти могу только с включенным режимом VPN в Опере. У меня как-то наоборот, лампы есть в продаже как в схеме , а вот с трансами беда Да, опыта в намотке согласующих нет. Силовые, импульсные приходилось мотать, а вот звуковые — нет. Да и расчет там посложнее будет. Эх, придется наверное вникать. Уважаемый, так дело не пойдёт!!! Не с того начинаете. Наверное для начала нужно определиться с лампами которые есть в «ближайшем окружении».

Потом подумать над тем что желает душа и что туда можно применить. А потом уже думать о трансформаторах. Походил, поискал подходящие выходные трансформаторы и ничего не нашел, наверное на металл ушли все.. Подскажите пожалуйста, а нет ли приблизительного соотношения витков первички к вторичке на нагрузку, например 4 ома? Хотя многие говорят что эта виртуалка — полная фигня поскольку не создаёт реальной картины. Здравствуйте, спасибо за ответ.

Почему именно ламповый — понятия не имею, вроде как они добавляют в звук свой шум, который хорошо воспринимается слухом. Я не сторонник ламп, попросили именно на них.

Ради интереса, посмотрите схему лампового гитарного комбика VOX AC30, но там подобные выходные лампы по два в параллель в плече. И динамики специфичные. С замиранием сердца ожидал в этом списке «бас-гитара» Это для таких требований неоправданно громоздкая конструкция. Ламповый микшерный пульт Чего там непонятного?

Вопрос был: На какой акустике вы уже слушали? Дальше слушать предполагается на той же? Название, модель у неё есть? Если самодельная, то какие динамики, конструкция, какие характеристики?

Это вряд ли кто вообще в состоянии сказать. Могут быть разве что соображения и предположения. Они в этой теме собственно и были.


Производители

By Nikitos , June 6, in Автомобильная электроника. Всем доброго времени суток. Такая промблема с магнитолой Mystery MAR При снятой панельке были замкнуты два контакта, их просто коротнули. Эти 2 контакта давали 12 вольт на подсветку кнопок панельки думаю в принципе они питали всю подсветку Панелька снимается без дисплея. Но и на дисплее тоже отказала подсветка.

Купить Bp Nec Транзистор оптом из Китая. Товары напрямую с завода- производителя на all-audio.pro

Возможность скачать даташит (datasheet) B772P в формате pdf электронных компонентов

Меню Категории. Toggle navigation Rfntujhbb. Вопрос к тем кто отлично шарит в компах можно ли записать несколько фильмов на диск а то у меня с помощью windows studia на диск лишь можно записать минут и не больше, 22 марта Ребят, в чём может быть проблема? Выключил планшет, разобрал, почистил его, собираю, включаю 22 марта Посмотрел я на народ и решил, что надо написать учебник по AVR с детальным описанием 22 марта Как называется раздел на мультиметре для измерения ампер? Подскажите что это??? У меня такой вопрос в коробочке лежит четыре микросхемы куд2 что можно на них собрать?

Каталог товаров

Здесь можно немножко помяукать :. Вопросы по ремонту аудио, видео техники. Все, что можно слушать и смотреть. Нет подсветки и звука, а что же тогда есть?

Забыли пароль?

Транзистор b772

Кстати, сигналку B9 фирма Стар Лайн выпускала в двух версиях: в синем пластике и в черном. Совместимыми у них являются антенный модуль, а также дополнительный пульт. Дальше появилось семейство Starline Dialog, и модель A9 трансформировалась в A Все три указанных модели наделены автозапуском и все они сняты с производства. Каждую из них, притом, научились подделывать. Автосигнализация Starline B9, по идее, выпускалась в трех разных версиях.

Помогите с ремонтом сигналки.

Jamicon 6,3х11мм. AN микросхема. AO транзистор. AO DIP8 микросхема. AOD TO транзистор. APM SO-8 микросхема.

Какие есть аналоги для замены транзистора NEC B? есть особенности, из-за которых для него сложно подобрать отечественный аналог.

Транзистор 2SB772

Новости Наш сайт обновляется ежедневно. Количества и цены, за очень редким исключением, соответствуют реальным. Это просто!

Форум самодельщиков: Помогите — Форум самодельщиков

Автор: Гость Shin , 28 августа, в Звук в автомобиле. Car Audio. Сгорел транзистор NEC выгорело там, где была напечатана маркировка. Обратился в техподдержку Supra, молчат. Извините за качество фоток, цифровика нет под рукой.

Войти через.

Перейти к содержимому. Пройдя короткую регистрацию , вы сможете создавать и комментировать темы, зарабатывать репутацию, отправлять личные сообщения и многое другое! Отправлено 17 July — Система для сообществ IP. Board sam0delka. Всеобщий хелп форум Хелп по радиоэлектронике Правила форума Просмотр новых публикаций. У админа появился крутой канал на YouTube по тематике самоделок и экспериментов!

Ваш e-mail: Далее Как это работает? Какое из направлений магазина Вы бы хотели чтобы развивалось лучше? Полупроводники ремонтный ассортимент.


772

B772S Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

B772-Y Datasheet (PDF)

1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

1.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

5.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05

1. Base
2. Collector
3. Emitte

B772S Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

2SB772L Datasheet (PDF)

1.1. 2sb772l 3ca772l.pdf Size:280K _update

2SB772L(3CA772L) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay
driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE

1.2. 2sb772l.pdf Size:24K _utc

UTC 2SB772L PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772L is a medium power low voltage
transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC
converter and voltage regulator.
FEATURES
*High current output up to 3A
*Low saturation voltage
*Complement to 2SD882L
TO-92L
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unl

 1.3. 2sb772l.pdf Size:468K _blue-rocket-elect

2SB772L(BR3CA772L)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92LM 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, h 高且线性好。
FE
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电

Биполярный транзистор B772S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: B772S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO92

B772S


Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

B772M Datasheet (PDF)

1.1. b772m.pdf Size:643K _upd

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors
TO-252-2L
B772M TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
1. BASE
Low Speed Switching
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

1.2. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _update

2SB772M(3CG772M) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE
极限参数/Absolut

 1.3. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, hFE 高且线性好。
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。

B772P Datasheet (PDF)

1.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi

R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

1.2. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2.
2.
2.FEATURES
2

 1.3. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

B722 Datasheet (PDF)

1.1. b722.pdf Size:207K _upd

 B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features

Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-E

1.2. ksb722.pdf Size:93K _upd

PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de

 1.3. 2sb722.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB722
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -160V(Min)
(BR)CEO
·High Power Dissipation-
: P = 150W(Max)@T =25℃
C C
·High Current Capability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMB

1.4. b722 to-126.pdf Size:206K _lge

B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features

Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-Emitte

B772PC Datasheet (PDF)

1.1. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2.
2.
2.FEATURES
2

1.2. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

 5.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi

R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

2SD772 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd772.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min.)
CEO(SUS)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.6V(Max.) @I = 5A
CE(sat) C
·High Speed Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

1.2. 2sd772 2sd772a 2sd772b.pdf Size:81K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD772 2SD772A 2SD772B
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·High breakdown voltage
·High speed switching
APPLICATIONS
·For power amplifier applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITION

 5.1. 2sd777.pdf Size:231K _toshiba

 This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

5.2. 2sd773.pdf Size:166K _nec

 5.3. 2sd774.pdf Size:161K _nec

B772-R Datasheet (PDF)

1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

1.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

5.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05

1. Base
2. Collector
3. Emitte

Оцените статью:

Транзистор (B772/D882) — Китай Транзистор, Simiconductor

Основная Информация.

Модель №.

B772/D882

Торговая Марка

CS

Характеристики

DIP

Происхождение

Shenzhen, Guangdong,China

Описание Товара

1. Pakage: TO-126/TO-92/TO-92L/TO-251
2. RoHS уступчивое
3. Цена Competitve.
4. Высокая надежность.

Модели:
D882/B772/MJD41C/MJD42C/MJD31C/MJD32C/MJD122/MJD127/MJD41C/MJD42C/MJD31C/MJD32C/MJD122/MJD127/TIP112/TIP117/TIP122/TIP127/TIP31C/TIP32C/TIP41C/TIP42C

S9012/S9013/S9014/S9015/S9018/S8050/S8550/SS8050/SS8550/C1815/A1015/C945/A733/2SC1623/M28S/M8050/M8550/MMBT5551/MMBT5401/MMBTA42/MMBTA92/BC848B/BC848C/BC856A/BC856B/BC857A/BC857B/BC857C/BC88A/BC858B/BC858C/BCW60C/BCW61B/BCW61C/BCW66H/BCW68/BCX19/BX70J/BCX70K/FMMT491/FMMT591/KSA1182/KTA1298/KTA1504/KTA1505/KTC3265/KTC3875/KTC3880S/MMBT5550/MMBTA05/MMBTA06/MMBTA13/MMBTA14/MMBTA55/MMBTA56/MMBTh20

S9011/S9012/S9013/S9014/S9015/S9016/S9018/S8050/S8850/SS8050/SS8550/C1815/A1015/C945/A733/2N3904/2N3906/2N5551/2N5401/A42/A92/A44/A94/D882/B772/D965

2SB772 sot-89 | Биполярные транзисторы

Код товара :M-114-7133
Обновление: 2021-06-25
Тип корпуса :TO-126

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SB772 sot-89, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с 2SB772 sot-89 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7133 2SB772 sot-89 Транзистор 2SB772 — PNP silicon transistor 30V, 3A, SOT-89 4 pyб.
6947 Мини предохранитель 0.5A, 250V (3x10mm) Миниатюрные стеклянные предохранители 0.5А, 250В, с выводами для пайки, размер 3 x 10 мм 1.8 pyб.
9659 Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм) 13 pyб.
6248 DC-DC преобразователь на MP2307DN (Mini-360) Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме MP2307DN с регулировкой 90 pyб.
7203 NTC-10D20 NTC термистор NTC-10D20 (аналог MF72-8D20) (для ограничения пускового тока в блоках питания различной аппаратуры) 43 pyб.
6845 AO3401 Транзистор AO3401 (маркировка A19T) — P-Channel MOSFET, 30V, 4.2A, SOT-23 4.4 pyб.
628 FQPF5N60C Транзистор FQPF5N60C (FQPF5N60) — Power MOSFET, N-Channel, 600V, 5A, TO-220FP 49 pyб.
7571 BC847C Транзистор BC847C — General Purpose SMD NPN Transistors, SOT-23 2.4 pyб.
5642 Кварцевый резонатор 32 МГц (HC-49S) Кварцевый резонатор (кварц) 32Мhz (32МГц) в металлическом корпусе HC-49S, с гибкими выводами 17 pyб.
455 MZ73-18RM Позистор (терморезистор) MZ73B-18ROM (MZ73B-18RM, MZ73-18RM270V) для цепей петли размагничивания кинескопа 220V, 3 ноги 36 pyб.

 

2SB772/B772 Транзистор средней мощности Эквивалентная схема контактов

2SB772/ B772 Транзистор PNP Технический паспорт 2SB772 B772 PNP-транзистор

2sb772 представляет собой биполярный PNP-транзистор, используемый в схемах регулятора напряжения и усилителя, это тип транзистора общего назначения средней мощности, в этой статье мы объясним различные электрические и физические аспекты транзистора B772.

2SB772/B772 Электрические характеристики транзистора PNP
  • 2SB772 представляет собой NPN BJT PNP транзистор
  • Напряжение между коллектором и базой ( В CB ) составляет -60 В
  • Напряжение между коллектором и эмиттером ( В CE ) составляет -30 В
  • Напряжение между эмиттером и базой ( В EB ) составляет -5 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ( В CE (sat) ) равно -0.от 4 до -1,1 В
  • Ток коллектора ( I C ) -3A
  • Базовый ток ( I B ) -1A
  • Рассеиваемая мощность ( P D ) 5 Вт
  • Температура перехода ( T J ) составляет от -65 до +150° C
  • Коэффициент усиления постоянного тока от 30 до 300hFE
  • Частота перехода ( F T ) 100 МГц
КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ И УПАКОВКА B772 PNP транзистора
  1. Основание
  2. Коллектор
  3. Излучатель

Конфигурация PINOUT, используемая в транзисторе 2SB772, — «BCE». Это обычная схема PINOUT транзистора, используемая в транзисторах общего назначения.

Блок компонентов, используемый в транзисторе 2SB772 в TO-126, представляет собой корпус транзистора средней и малой мощности, он изготовлен из смеси пластика и эпоксидного материала.

B772 Транзистор версии SMD Транзистор версии B772 SMD

Транзистор 2sb772 имеет версию транзистора SMD, название транзистора версии для поверхностного монтажа — b772, а используемые в них транзисторы SMD — SOT-32 и SOT-89.

Электрические характеристики транзистора SMD версии 2sb772 почти одинаковы, но есть небольшие различия в напряжении, частоте и коэффициенте усиления по постоянному току, показанные B772.

Технический паспорт

Транзистор 2SB772/B772, электрические характеристики и описание применения

2SB772 или B772 — это PNP-транзистор средней мощности, используемый для приложений общего назначения и приложений средней тяжести. В этом разделе мы отдельно объясняем электрические характеристики с его применением.

Характеристика напряжения

Напряжение между коллектором и базой составляет -60 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет -30 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет -5 В, значение напряжения показывает, что транзистор 2SB772 идеально подходит для схем стабилизатора напряжения и преобразователя общего назначения.

Характеристики тока

Ток коллектора -3А, а ток базы -1А, у него более высокое значение тока коллектора, это поддержит транзистор в цепях драйвера.

Низкое напряжение насыщения

Транзистор B772 имел низкое значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер от -0,4 В до -1,1 В, это значение действительно полезно для операции переключения.

Коэффициент усиления постоянного тока

Коэффициент усиления по постоянному току транзистора 2sb772 составляет от 30 до 300Hfe, значение коэффициента усиления используется в цепях усилителя и цепях регулятора.

Частота перехода

Значение переходной частоты транзистора B772 составляет 100 МГц, эта частота полезна при переключении.

Потери мощности

Рассеиваемая мощность 12,5 Вт и значение температуры перехода от -65 до +150°C, значение рассеивания указывает на максимальную мощность транзистора B772, а значение температуры указывает на способность выдерживать тепло.

Применение транзистора B772/2SB772
  • Применения для регулирования напряжения
  • Драйвер реле
  • Общие приложения переключения
  • Приложения для усилителей мощности звука
  • Применение схемы преобразователя постоянного тока

Схема транзисторного усилителя B772 Схема транзисторного усилителя B772

 

На рисунке показана схема двухтактного усилителя с использованием B772 и его дополнительного транзистора D882.

Это схема усилителя класса AB, транзистор BC635 работает как предусилитель, затем на заключительном этапе комбинация B772 и транзистора D882 работает как двухтактный усилитель и обеспечивает среднюю выходную мощность.

2SB772/B772 эквивалент транзистора

Эквивалентным транзистором для B772 являются MJE172, KSB772, 2N6407, 2SA738, BD386 и MJE234.

Каждый из транзисторов является идеальным эквивалентом 2SB772, важные электрические характеристики каждого транзистора такие же, как у B772.

Но в процессе замены нам необходимо проверить очень специфические электрические характеристики транзисторов.

Дополнительный транзистор для B772

2SD882 или D882 — это транзистор NPN, дополняющий транзистор 2SB772, электрические характеристики каждого транзистора очень похожи друг на друга.

Комбинация транзисторов 2SD882 и 2SB772 используется в схемах усилителей.

B772 против B773
Характеристики     B772     B773
Напряжение между коллектором и базой (В CB ) -60В -100В
Напряжение между коллектором и эмиттером (В CE ) -30В -100В
Напряжение между эмиттером и базой (В EB ) -5В -6В
Токовый коллектор (I C ) -3А -6А
Рассеиваемая мощность 12.5 Вт 70 Вт
Температура перехода (T J ) от -65 до +150°C от -65 до 150°C
Частота перехода (F T ) 100 МГц 40
     Шум (Н)
   Усиление (h FE ) от 30 до 300hFE 80хФЭ
    Пакет ТО-126

СОТ-32

СОТ-89

ТО-126

ХМ20

 

Кривые характеристик транзистора B772/2SB772 Характеристики усиления по постоянному току транзистора B772

На рисунке показаны характеристики усиления по постоянному току транзистора B772, графики зависимости усиления по постоянному току от тока коллектора.

Мы можем видеть, что при определенном электрическом состоянии значение усиления падает с повышением температуры, но ток будет увеличиваться до более высокого предела.

Характеристики напряжения насыщения между коллектором и эмиттером

На рисунке показаны характеристики напряжения насыщения между коллектором и эмиттером, которые они построили с зависимостью напряжения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Из графического представления мы можем видеть более низкое значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер.

B772-SOT-89 — Транзистор (pnp)

AX88872 : Двухскоростной 8-портовый повторитель 10/100BASE с 4-портовым коммутатором. Поддержка 8 портов повторителя RMII I/F 10/100 Мбит/с и 2 портов коммутатора RMII/MII 10/100 Мбит/с Совместимость с повторителем IEEE 802.3u Поддержка режима виртуального коммутатора и режима ведущий/ведомый для каскадного приложения Создание 4-портового механизма коммутатора 10/100 Мбит/с со следующими Недорогой интерфейс SSRAM для снижения стоимости системы Один или два 64K*32bit SSRAM для буферизации пакетов MAC-адрес 4/8K.

CMHZ4678 : 1,8 В, стабилитрон низкого уровня. CMHZ4678 ЧЕРЕЗ CMHZ4717 НИЗКОУРОВНЕВЫЙ СТАБИЛЬНИК ОТ 1,8 В ДО 43 В 500 мВт, ДОПУСК 5%: Кремниевый низкоуровневый стабилитрон CENTRAL SEMICONDUCTOR серии CMHZ4678 представляет собой высококачественный стабилизатор напряжения, разработанный для приложений, требующих чрезвычайно низкого рабочего тока и низкой утечки. КОД МАРКИРОВКИ: СМ. КОД МАРКИРОВКИ В ТАБЛИЦЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК.

TPS76425DBV : Маломощные малошумящие линейные регуляторы с током 150 мА и малым падением напряжения.150-мА малошумящий стабилизатор с малым падением напряжения Выходное напряжение: 3,3 В Выходной шум Обычно 50 В Ток покоя Обычно 85 А Падение напряжения, обычно 150 мА Тепловая защита Ограничение по току Менее 2 А Ток покоя в режиме отключения до 125°C Рабочее соединение Диапазон температур 5-контактный корпус SOT-23 (DBV) Семейство TPS764xx с малым падением напряжения.

TZP48N3 : PD с косичками для аналогового применения. Длинноволновый PIN-PD InGaAs Диапазон длин волн обнаружения до 1,6 м SMF или MMF С косичками SC, FC, ST или LC Разъем InGaAs длинноволновый PIN-фотодиод Работа и 1550 нм Высокая чувствительность, низкий темновой ток и низкая емкость Рабочая температура до +85 Одномодовый оптоволокно или многомодовое волокно с косичкой или разъемом FC Серия TxP4NN3 является надежной.

100179F : Упреждающий генератор.

DM105E : Ультраминиатюрные, 1 Вт SIP преобразователи постоянного тока с одним и двумя выходами. Ультраминиатюрные преобразователи постоянного и постоянного тока SIP мощностью 1 Вт с одним и двумя выходами, типичные характеристики при +25°C, номинальное входное напряжение и номинальный выходной ток, если не указано иное. могут быть изменены без предварительного уведомления. Выходная мощность 1 Вт Ультраминиатюрный корпус SIP Низкий профиль 0,3 дюйма Одиночный и двойной выходы Изоляция 1000 В пост. Параметр.

CWR11JB105JBA : Твердотельные танталовые конденсаторы ЧИП. Надежная военная версия промышленного класса серии T491 Смотана лентой и намотана в соответствии со стандартом EIA 481-1. Прецизионно отлитый корпус с лазерной маркировкой. Симметричные, совместимые выводы. 55365/8, стиль CWR11: варианты заделки K Коды интенсивности отказов по Вейбуллу.

XM1623-05-62 : Двойной программируемый инвертор CCFL мощностью 5 В мощностью 6 Вт.Это инверторный модуль с двойным выходом Direct DriveTM CCFL (флуоресцентная лампа с холодным катодом) мощностью 6 Вт, специально разработанный для управления лампами подсветки ЖК-дисплеев. Он идеально подходит для управления типичными для 15-дюймовых TFT-панелей. Модули LXM1623 предоставляют разработчику значительно более широкий диапазон яркости дисплея. Этот диапазон яркости достижим практически для любого ЖК-дисплея.

XPC860TCZP50D3 : Семейное оборудование с. Этот документ содержит подробную информацию об источниках питания, электрических характеристиках постоянного/переменного тока и временных характеристиках переменного тока для семейства MPC860.Этот документ содержит следующие темы: Часть I, «Обзор», Часть II, Часть III, «Максимально допустимые номинальные значения», Часть IV, «Тепловые характеристики», Часть V, «Рассеиваемая мощность», Часть VI, «Характеристики постоянного тока», Часть.

5-146484-9 : Tin Through Hole Board to Board — Распорки платы, соединители укладчика, сквозное межсоединение; СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ ГОЛОВКА 18ПОЗ. .100″ ДВУХРЯДНАЯ. s: Цвет: черный; длина стойки (сопряжение): 0,080″ (2,03 мм); Длина — высота стека: 0,250 дюйма (6,35 мм); длина — хвост: 0.110 дюймов (2,79 мм); длина — общая: 0,440 дюйма (11,18 мм); Тип крепления: Сквозное отверстие; Количество позиций:.

85102E1419P5029 : Черный анодированный панельный монтаж, фланцевые круглые соединители, соединительная розетка, вилки; CONN RCPT 19POS BOX MNT ​​W/PINS. s: Тип разъема: розетка, штыревые контакты; Размер раковины — Вставка: 14-19 ; Тип монтажа: панельный монтаж, фланец; Тип крепления: Байонет; : — ; Упаковка: навалом; Количество позиций: 19 ; Прекращение: Чашка припоя; Материал корпуса,.

TNPW1210127RBEEA : 127 Ом, 0,333 Вт, чип-резистор 1/3 Вт — поверхностный монтаж; RES 127 OHM 1/3W 0.1% 1210. s: Сопротивление (Ом): 127 Ом; Мощность (Ватт): 0,333 Вт, 1/3 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

CRCW120630R0JNEA : Чип-резистор 30 Ом, 0,25 Вт, 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 30 OHM 1/4W 5% 1206 SMD. s: Сопротивление (Ом): 30 Ом; Мощность (Ватт): 0.25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 5%; Упаковка: Cut Tape (CT); Состав: Толстая пленка; Температурный коэффициент: 200ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

7-1676970-7 : 464 Ом 0,063 Вт, чип-резистор 1/16 Вт — для поверхностного монтажа; RES 464 OHM 1/16W 0,1% 0603. s: Сопротивление (Ом): 464 Ом; Мощность (Ватт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

DRC2523E : 500 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, MINI3-G3-B, 3 PIN.

VTS40100CT-E3 : 20 А, 100 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Аранжировка: Общий катод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, ЭФФЕКТИВНОСТЬ; ЕСЛИ: 20000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: БЕССВИНЦОВАЯ, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-3; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2.

2SB772 Схема контактов транзистора, эквивалент, использование, характеристики

B772 или 2SB772 — транзистор общего назначения в корпусе TO-126; В этом посте вы найдете распиновку транзистора 2SB772, эквивалент, использование, характеристики и другую полезную информацию об этом транзисторе.

 

Характеристики/технические характеристики:
  • Тип упаковки: ТО-126
  • Тип транзистора: NPN
  • Макс. ток коллектора (I C ): – 3 А
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): – 30 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): – 40 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 10 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ):  60–400
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

 

Замена и аналог:

MJE172, KSB772, 2N6407, 2SA715, 2N6407, 2SA715, 2SA738, 2N6414, 2N6415, 2SA944, 2SB743, 2SB744, 2SB772, BD788, BD816, BD826, BD386, BD386-1, BD386-2, BD386-5, BD386-8, BD388, BD828, BD834, BD836, KSB744, KSB744A, KSB772, MJE170, MJE171, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234.

 

2SB772 Описание транзистора / Описание:

2SB772 представляет собой PNP-транзистор общего назначения в корпусе TO-126, который можно использовать для различных целей коммутации и усиления звука. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 3 А и может использоваться для управления различными нагрузками в цепях. Кроме того, напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет всего 0,3 В, что также делает этот транзистор идеальным для использования в местах, где требуется переключение при низком напряжении.

С другой стороны, коэффициент усиления по постоянному току 60–400 Ом и рассеивание на коллекторе 10 Вт делают его идеальным для использования в различных целях усиления звука. Его можно использовать в каскадах усилителя звука, а также хорошо использовать в качестве отдельного усилителя для управления динамиком.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как описано выше, 2SB772 может использоваться в различных приложениях, он может управлять максимальной нагрузкой 3 А или 3000 мА, благодаря чему его можно использовать в ваших цепях для одновременного управления различными нагрузками.Например, двигатели постоянного тока высокой мощности, светодиоды, реле, переключатели, целая часть цепи и т. Д. Кроме этого, его также можно использовать для создания мощного аудиоусилителя, а также использовать на выходе радиоприемники, звонки / куранты, mp3 проигрыватели для прямого управления динамиком.

 

Применение:

Преобразователи постоянного тока в постоянный

Драйвер реле

Аудиоусилитель

Каскады усилителя звука

Коммутация нагрузки до 3А

 

Как безопасно пробежать длинную трассу:

Чтобы получить хорошую и долгосрочную производительность от 2SB772, всегда оставайтесь как минимум на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный ток коллектора транзистора составляет 3 А, поэтому не подключайте нагрузку более 2,4 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30В, в целях безопасности не подключайте нагрузку более 24В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните его при температуре от -55 до +150 по Цельсию.

 

Технический паспорт:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/B/2SB772_NEC.pdf

Мощный усилитель Д882 и Б772 Транзисторы

D882 и B772 — это обычные многоцелевые силовые транзисторы для усиления мощности общего назначения. Из-за их высокой производительности и функций он также используется в самых разных образовательных, инженерных, любительских, промышленных и коммерческих целях. Максимальный ток коллектора 3 А и управляющее напряжение обеспечивают достаточный коэффициент мощности для переключения и работы светодиодов, лампочек, двигателей и других элементов электронных схем.Минимальное напряжение, обеспечиваемое транзистором для усиления мощности, составляет всего 0,3 В.

Электронная схема усилителя мощности с усилением низких частот суммирует левый и правый входы и отфильтровывает высокие частоты в зависимости от передачи аудиосигналов для качественной передачи и четкости звука. Итак, здесь мы подробно узнаем о функционировании, принципе и передаче электронной схемы усилителя мощности усиления басов. Так чего же вы ждете, давайте начнем!

Принцип:

Принцип действия и автоматизация этого усилителя мощности с усилением басов такие же, как и у других усилителей мощности, которые мы обычно используем в повседневной жизни и в коммерческих целях.Входной сигнал, поступающий в систему, модулируется в соответствии с требуемыми звуковыми частотами и передается с максимальной четкостью. Хорошее напряжение насыщения и стабилизация при высоковольтных нагрузках выше расчетного установленного предела делают его более удобным для широкого круга электронных силовых приложений.

Требуемые компоненты:

  1. D882 Транзистор NPN (1)  https://utsource.net/sch/D882.html
  2. B772 PNP-транзистор (1) https://utsource.net/sch/B772.htmls 
  3. Резистор 100 кОм (1)  
  4. Конденсатор 100 мкФ (1)
  5. Аудиокабель
  6. Динамик 4-8 Ом
  7. Источник питания 4-6 В
  8. Соединительные провода

Принципиальная схема:

Пошаговая процедура:

  1. Возьмите оба транзистора D882 и B772 и прикрепите к радиатору

2.Подключите резистор 100 Ом к базе D882 и эмиттеру B772, как показано на рисунке ниже

.

3. Подключите коллектор к базе, коллектор к эмиттеру и базу к эмиттеру с помощью конденсатора 100 мкФ, как показано ниже на рисунке

.

4. Подключите аудиодинамик 4–8 Ом и аудиокабель. Для ясности см. принципиальную схему подключения 

.

5. Подключите разъем аудиокабеля к смартфону и ощутите превосходное качество и четкость звука усилителя мощности на высоких частотах

.

6.Наш проект усилителя мощности с усилением басов с использованием D882 и B772 теперь готов обеспечить чистое усиление басов.

Номер детали Альтернатива/замена/замена/дополнение:

Если вы не можете найти транзисторы D882, B772, то вы также можете заменить, дополняющий аналог транзистора с 2SD882, 2SB772.

Номер детали Эквивалент D882:

Эквивалентный номер детали D882: BD349, BD185, TIP122L, 2SC4342, 2SD1712 или 2SD1018

Номер детали Эквивалент B772:

Номер детали эквивалентен транзистору B772: BD187, BD189

Загрузить бесплатное техническое описание D882: 

Загрузить бесплатное техническое описание B772: 

Номер детали, связанный с деталями D882 и B772:

Соответствующие номера деталей D882 и B772: BC338, S8550, 2N7000

Вывод: 

Таким образом, усилитель мощности с усилением мощности используется в широком спектре приложений, таких как драйверы реле, аудиоусилители, переключающие нагрузки, Darlington Paris и другие приложения электронной техники.Подаваемая частота и выходной сигнал, передаваемый с помощью усилителя, обеспечивают высокие басы с максимальной четкостью и качеством.

Транзистор Tìm hiểu về B772

B772 la gì

B772 là một транзистор PNP được sản xuất bằng cách sử dụng công nghệ phẳng (планарная технология) nên đây la một thiết bị có hiệu suất cao. Trên vỏ nhựa đóng goi thường có ghi thêm tiền tố 2S tức là 2SB772, đôi khi tiền tố này bị bỏ đi chỉ còn là B772.

 

Thong số của транзистор lưỡng cực B772

Loại транзистор PNP

Điện áp cực góp — cực phát: -30 В

Điện áp cực góp — cực gốc: -40 В

Điện áp cực phát — cực gốc: -5 В

Dòng cực góp: -3 A

Tiêu tán cực góp — 10 Вт

Độ lợi dòng điện DC (hfe) — 60 đến 400

Tần số chuyển tiếp — 80 МГц

Phạm vi nhiệt độ vận hành và lưu trữ -55 đến +150 ° C

Тонггой — TO-126

 

Сон Чан B772

Hướng транзистор B772 phía trước mặt thi sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phai lần lượn là chân E, chân C, chân B

 

Đặc trưng

■ Донг Джин Цао

■ Điện áp bão hòa thấp

■ Бо Сунг Чо 2SD882

 

Cac ứng dụng

■ Điều chỉnh điện ap

■ Реле Trình điều khiển

■ Конг Ток Чунг

■ Bộ khuếch đại cong suất am thanh

■ Bộ chuyển đổi DC-DC

Фанлои hFE

Транзистор 2SB772 có mức tăng dòng trong khoảng từ 60 đến 400.MứC Từg CủA 2SB772R Sẽ NằM TRONG KHOảNG Từ 60 đếN 120, 2SB772O TRONG KHOảNG Từ 100 đếN 200, 2SB772Y Từ 100 đếN 2000 đếN 320, 2SB772GR TRONG KHOảNG 200 đếN 400, 2SB772Q Từ 100 đếN 200, 2SB772P Từ 160 đếN 320, 2SB772E Từ 200 Номер 400.

 

Транзистор NPN

Транзистор NPN на основе B772 или 2SD882.

 

Транзистор thai thế và tương đương cho B772

Bạn có thể thay thế B772 bằng BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 hoặc MJE370

 

Технический паспорт

Bạn có thể tải datasheet của B772 bằng cách копировать и вставить ссылку bên dưới vào trình duyệt của bạn

https://www.st.com/resource/en/datasheet/cd00062866.pdf

Замена транзистора PNP B772

Сеть обмена стеками

Сеть Stack Exchange состоит из 179 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Посетите биржу стека
  1. 0
  2. +0
  3. Войти
  4. Зарегистрироваться

Электротехника Stack Exchange — это сайт вопросов и ответов для специалистов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация занимает всего минуту.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Любой может задать вопрос

Любой может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются на вершину

спросил

Просмотрено 5к раз

\$\начало группы\$ Закрыто. Этот вопрос не по теме. В настоящее время ответы не принимаются.

Хотите улучшить этот вопрос? Обновите вопрос, чтобы он соответствовал теме Stack Exchange по электротехнике.

Закрыта 5 лет назад.

У меня вышел из строя PNP-транзистор (B772), и я хочу заменить его другим, но у моего поставщика его нет, так что же такое PNP-транзисторы, которые я могу использовать???

спросил 26 окт, 2016 в 9:35

ЛилоЛило

5311 серебряный знак44 бронзовых знака

\$\конечная группа\$ 3 \$\начало группы\$

Могу предложить BD140 который очень популярен, но будьте осторожны, B772 имеет максимальный ток коллектора 3A , а BD140 имеет 1.5А . Итак, зависит от использования.

Возможно, вы можете выбрать MJE170, 171, 172 или 253.

Если вас что-то не устраивает, зайдите на http://www.digikey.com и найдите транзисторы pnp в корпусе TO-225.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.