Buz11 параметры: BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB], ON Semiconductor

Содержание

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

«Микроклимат на рабочих местах в холодный период года»

04.10.2019 09:51

          В соответствии со ст. 25 Федерального закона № 52-ФЗ «О санитарно-эпидемиологическом благополучии населения» условия труда, рабочее место и трудовой процесс не должны оказывать вредного воздействия на человека, в том числе и по показателям микроклимата.

          Микроклимат производственных помещений — это метеорологические условия внутренней среды, определяемые действующими на организм человека сочетаниями температуры, относительной влажности и скорости движения воздуха, а также температуры поверхностей ограждающих конструкций и технологического оборудования.

          Нормативные требования к параметрам микроклимата на рабочих местах установлены в санитарно-эпидемиологических правилах и нормативах СанПиН 2.2.4.3359-16 «Санитарно-эпидемиологические требования к физическим факторам на рабочих местах», которые вступили в силу 1 января 2017 года.

          Исполнение требований СанПиН 2.2.4.3359-16 является обязательным для индивидуальных предпринимателей и юридических лиц.

          Параметры микроклимата на рабочих местах и в производственных помещениях нормируются по трем основным показателям:

  • температура воздуха
  • относительная влажность воздуха
  • скорость движения воздуха

          Указанные параметры различны для теплого и холодного периодов времени года, для различных по тяжести видов работ, выполняемых на рабочих местах в производственных помещениях (легкие, средней тяжести и тяжелые).

          Соблюдение гигиенических требований к микроклимату производственных помещений в холодный период позволяет поддерживать на рабочем месте здоровую, благоприятную для организма человека обстановку.

          Значительная выраженность отдельных факторов микроклимата на производстве может быть причиной физиологических сдвигов в организме рабочих, а в ряде случаев возможно возникновение патологических состояний и профессиональных заболеваний.

          Холодовый дискомфорт вызывает в организме человека терморегуляторные сдвиги, направленные на ограничение теплопотерь и увеличение теплообразования, уменьшение теплопотерь организма происходит за счет сужения сосудов в периферических тканях.

          Под влиянием низких и пониженных температур воздуха могут развиваться острые респираторные и вирусные инфекции, заболевания периферической нервной, мышечной систем и суставов (радикулиты, невриты, миозиты), ревматоидные заболевания.

          К работе на холоде допускаются только лица, прошедшие предварительные медицинские осмотры и не имеющие каких-либо противопоказаний для данной деятельности.

          Работники должны быть обеспечены комплектом средств индивидуальной защиты, соответствующим текущим климатическим условиям. Привлечение работников к выполнению трудовых обязанностей в холодное время на открытом воздухе или в не отапливаемых помещениях должно сопровождаться специальными перерывами для обогрева и отдыха. Эти перерывы обязательно включаются в рабочее время.

          Температура воздуха в местах обогрева должна поддерживаться на уровне 21-25 0С, данные помещения также следует оборудовать устройствами для обогрева кистей и стоп, температура которых должна быть в диапазоне 35-40 0С.

          С целью профилактики неблагоприятного воздействия параметров микроклимата в холодный период времени года, все въездные и другие часто открывающиеся проемы оборудуются тамбурами или воздушными завесами. Если обогрев здания невозможен, применяют воздушное и лучистое отопление.

          При работе на открытом воздухе в холодный период работодатель выдает работникам соответствующую спецодежду, обувь, рукавицы, обладающие теплозащитными свойствами и другие средства индивидуальной защиты (СИЗ).

          Спецодежда и спецобувь для зимы выдаются в соответствии с Типовыми нормами (утв. Приказом Минтруда России от 09.12.2014 г. № 997н), это могут быть как традиционные телогрейки и ватные штаны, так и современные зимние комплекты одежды, обувь, перчатки для защиты от низких температур. Существенную роль в оздоровлении условий труда играют механизация и автоматизация технологических процессов, изменения в регламентации рабочего времени, в том числе установление перерывов в работе, сокращение рабочего дня, увеличение продолжительности отпуска.

          Особое место в профилактических мероприятиях при работе в холодный период времени года занимают организация производственного контроля за соблюдением температурного режима, проведения медицинских осмотров и прививок против гриппа.


Нелинейные элементы Нелинейный характеристики оборудования

Содержание . Нелинейные элементы. Насыщение магнитных материалов. Сегнетоэлектрики, варисторы и позисторы. Нелинейные резисторы. Полупроводниковый диод и его ВАХ. Понятие об устройстве биполярных транзисторов и тиристоров . Линейный стабилизатор напряжения. Принцип действия полевого транзистора и биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT).

Значения элементов R, C, L были введены как коэффициенты между током и напряжением (R), зарядом и напряжением (С), а также магнитным потоком и током (L). Далее из этих соотношений был сформулирован обобщённый закон Ома.

При рассмотрении наиболее простых задач было сделано допущение, что эти значения не зависят от протекающей по данным элементам электромагнитной энергии. И мы с большим удовольствием манипулировали с так называемыми линейными элементами и даже подбирали соответствующие им «линейные» компоненты.

Однако в природе линейных компонентов не существует!

Они могут иметь приблизительно линейные параметры только в определённом интервале токов и напряжений. Любое вещество, попадая в действие электромагнитных полей, так или иначе, меняет своё строение и, соответственно, свои физические характеристики, а именно удельное сопротивление, диэлектрическую и магнитную проницаемости и даже геометрическую форму. Поэтому меняются и параметры изготовленных из этих материалов компонентов, так как R=rl/s; C»es/l; L»ms/l. Если эти изменения не существенны, то мы говорим о линейности элементов и соответствующих компонентов. В противном случае необходимо учитывать эти изменения и тогда следует говорить о нелинейных элементах и компонентах.

УГО нелинейных элементов в схемах замещения имеют следующий вид:

нелинейный резистор

катушка индуктивности с магнитопроводом

нелинейный конденсатор — варикап

Нелинейные элементы достаточно широко используются в электрических цепях с целью изменения формы сигнала, другими словами, для возбуждения или поглощения определённых гармоник, из которых составлен сигнал.

С математической точки зрения, в этом случае коэффициенты, составленные из R, C, L, зависят от неизвестных параметров (тока и напряжения), а энергетические уравнения, составленные по правилам Кирхгофа, становятся нелинейными со всеми вытекающими для расчётов последствиями.

Наиболее распространёнными методами их решения являются:

аппроксимация , когда известную нелинейную зависимость значения элемента от тока или напряжения аппроксимируют отрезками линейных функций и получают для каждого из них решения линейных уравнений;

графический метод , когда уравнения решают графическим способом с использованием

известных нелинейных графических зависимостей элемента от тока или напряжения;

машинный метод , когда нелинейную зависимость значения элемента от тока или напряжения аппроксимируют модельной математической функцией и решают интегро-дифференциальные нелинейные уравнения численными методами.

нелинейной индуктивности в электротехнике используют вебер-амперные характеристики , которые аналогичны гистерезисным кривым ВН для ферромагнитных материалов, которые любят применять физики. Если на вебер-амперной характеристике L=dY/dI, то на ВН-кривых m= dB/dH, но Y=NBS, a H»I/r. Иногда пользуются вольт-секундной характеристикой , т. к. Y=òUdt.

При аппроксимации эту характеристику обычно делят на части: до насыщения это прямая линия с наклоном m = dB/ dH , а после насыщения при Вм это прямая линия с m =1 . Значения остаточной намагниченности В r и коэрцитивной силы НС определяют площадь, занимаемую петлёй гистерезиса, т. е. активные потери на перемагничивание. Поэтому в большинстве случаев их можно учесть вводом в цепь резистивного элемента и исключить из аппроксимации вебер-амперной характеристики.

Режим работы катушек индуктивности с линейными характеристиками выбирают в пределах больших значений m или L. В этой области работают такие магнитные устройства, как дроссели для накопления магнитной энергии, трансформаторы для передачи мощности через магнитную связь катушек, а также электродвигатели. В то же время эффект нелинейности магнитных материалов широко используют для создания магнитных усилителей, феррорезонансных стабилизаторов и даже магнитных ключевых элементов, в которых применяют магнитные материалы с так называемой прямоугольной магнитной характеристикой, где m может достигать величин 50 и более. В настоящее время в катушках индуктивности применяют в основном 3 типа магнитных материалов: электротехническую сталь , аморфное железо (метагласс) и ферриты с весьма разнообразными гистерезисными кривыми.

Нелинейные катушки индуктивности исторически были созданы первыми из-за доступности и невысокой стоимости магнитных материалов, а также простоты их изготовления. Они отличаются, прежде всего, своей надёжностью, но имеют большие весогабаритные характеристики, и в связи с этим высокую инерционность. Потери на перемагничивание и активные потери на нагрев обмоток также представляют собой серьёзную проблему, особенно в силовой электротехнике. Поэтому в настоящее время применение нелинейных катушек индуктивности ограничено.

Для представления зависимости нелинейной ёмкости используют кулон-вольтные характеристики, так как C=dQ/dU.

Они аналогичны ферромагнитным вебер–амперным характеристикам, только здесь присутствует диэлектрическая проницаемость e=dD/dE, где D – электрическая индукция или электрическое смещение.

Наиболее интересным диэлектриком для создания нелинейных конденсаторов являются сегнетоэлектрики , такие как сегнетова соль (калий-натрий виннокислый), титанат бария, титанат висмута и др. За счёт доменной структуры электрических диполей они обладают при низких напряжениях высокой диэлектрической проницаемостью с e » 1000, которая при повышении напряжения уменьшается, аналогично магнитной проницаемости у ферромагнетиков. Поэтому в зарубежной литературе они получили название ферроэлектриков . Эти материалы широко используются для создания таких линейных емкостных элементов, как керамические конденсаторы с высокой удельной плотностью запасаемой электрической энергией, где они работают в ненасыщенной области кулон-вольтной характеристики. Нелинейность используется для создания конденсаторов с переменной ёмкостью, варикондов , которые имеют узкое применение.

В переменном поле в сегнетоэлектриках происходит изменение направления электрического момента диполей, которые связаны в крупные домены, помещённые в кристаллические структуры. Это приводит к изменению геометрических размеров кристалла, так называемому эффекту электрострикции . В магнитных материалах имеется аналогичный эффект магнитострикции , но его трудно использовать из-за наличия внешней обмотки. В некоторых группах сегнетоэлектрических кристаллов наблюдаются похожие на электрострикцию эффекты. Это прямой пьезоэлектрический эффект – появление электрического поля (поляризация) в кристалле при его механической деформации, и обратный – механическая деформация при появлении электрического поля. Данные кристаллические материалы называют пьезоэлектриками, и они получили чрезвычайно большое применение. Прямой эффект используется для получения высоких напряжений, в первичных преобразователях механических усилий (например микрофоны, звукосниматели в системах механической записи звука) и пр. Обратный эффект используется в звуковых и ультразвуковых излучателях, в системах сверхточного позиционирования (позиционер перемещения головки жёсткого диска) и пр. Оба эффекта используются при создании резонансных кварцевых генераторов , где размеры кристаллов подобраны таким образом, что механические колебания находятся в резонансе с электрическими. При очень высокой добротности такой системы обеспечиваются стабильность и точность настройки частоты генератора. Два таких кристалла, имеющие звуковую связь, могут передавать электрическую мощность без гальванической связи, за что их называют пьезотрансформаторами .

Доменная структура как электрических, так и магнитных диполей распадается при определённой температуре, называемой точкой Кюри. При этом происходит фазовый переход и существенно меняется проводимость сегнетоэлектрика. На этой основе действуют позисторы , в которых при дополнительном легировании материала можно устанавливать определённую точку Кюри. После достижения этой температуры скорость возрастания сопротивления может достигать 1 кОм/град.

По сути это нелинейный резистор , который имеет S-образную или «ключевую» вольт-амперную характеристику (ВАХ) .

То есть этот элемент может работать как электрический ключ, управляемый проходящим током или внешней температурой.

Позисторы широко применяются для защиты от токовых перегрузок в телефонных аналоговых сетях, а также для сброса магнитной энергии из катушек при их отключении, плавном пуске двигателей и т. п. Довольно интересное применение они нашли как регулируемые тепловыделяющие элементы в тепловентиляторах, в которых сам элемент находится практически при постоянной температуре, а потребляемая электрическая мощность автоматически поддерживается равной отводимой тепловой мощности. То есть скоростью вращения вентилятора можно управлять тепловой мощностью такого нагревательного прибора.

При другом типе легирования сегнетоэлектрика можно добиться эффекта нелинейной зависимости его проводимости от напряжения, т. е. это фактически нелинейный резистор , называемый варистором . Данный эффект обусловлен изменением при определённом напряжении проводимости тонких слоёв вещества, окружающих домены. Поэтому их характеризуют вольт-амперной характеристикой , где функцию U(I) можно представить полиномом пятой степени. Нелинейные резисторы удобно характеризовать статическим сопротивлением Rст =U/I и дифференциальным сопротивлением Rд = dU/dI. Видно, что на линейном участке Rст ~ Rд, на нелинейном участке Rст £ Rд.

Основное их применение – это защита электрических цепей от коммутационных выбросов опасных перенапряжений. В варисторе энергия подобного выброса превращается в активную и нагревает его массу. Поэтому варисторы различают по двум основным параметрам – напряжению, при котором происходит излом ВАХ, и энергией, которую способен поглотить элемент без нарушения его работоспособности.

Нелинейные резисторы всевозможных типов занимают большое место в современной электротехнике. Вообще говоря, любой проводник является нелинейным. Если пропускать ток через обычную медную проволочку, то вначале её сопротивление, как известно, будет изменяться как R0(1+αT). Эта зависимость будет сохраняться пока проволочка не расплавиться и тогда сопротивление будет оставаться постоянным до испарения материала. А в этом состоянии проволочка становится фактически изолятором.

Сопротивление проводника R обратно пропорционально плотности тока, поэтому сопротивление медного голого проводника считается линейным до плотности тока 10 А/мм2 . При ухудшении теплосъема с проводника это значение уменьшается. Например, в обмотке катушки индуктивности это значение может быть на уровне 2 А/мм2. Так как при превышении данных значений плотности тока происходит возрастающее выделение тепловой энергии , которое приводит к его расплавлению, то они считаются допустимыми значениями плотности тока и используются при выборе безопасных сечений проводников.

На этом принципе работают плавкие предохранители, сечение проводника в которых соответствует предельному значению проходящего через него тока. Но если в проволочку вкладывать мощность более 1010 Вт/г, то испарение, минуя стадию плавления, пойдёт по адиабате и волна давления испаряющегося с поверхности газа создаст внутри материала колоссальные плотности вещества. При этом удавалось освобождать атомы золота от их электронной оболочки и проводить термоядерные реакции.

При определённом напряжении, достаточном для появления в газе достаточного количества носителей электрических зарядов, в газовом промежутке начинает проходить электрический ток. Это явление называют газовым разрядом , а сам газоразрядный промежуток может рассматриваться как нелинейное сопротивление со следующей ВАХ.

Газоразрядные приборы получили очень широкое распространение в качестве и индикаторов, сварочных аппаратов и плавильных агрегатов, электрических ключей и плазмохимических реакторов, и т. п.

В 1873 году Ф. Гутри открыл эффект нелинейной проводимости в вакуумной лампе с термоэмиссионным катодом. Когда на катоде был отрицательный потенциал, его электроны создавали электрический ток, а при противоположной полярности они запирались на катоде и в лампе практически не было носителей. Долгое время этот эффект не был востребован, пока в 1904 году нужды радиотехники не привели к созданию термионного (вакуумного) диода. А так как в таком устройстве за проводимость отвечает электрическое поле, то введение дополнительных небольших потенциалов даёт возможность управлять потоком электронов, то есть электрическим током. Таким образом, были созданы управляемые электрическим полем нелинейные резисторы (радиолампы ), которые заменили большие, инерционные и управляемые током нелинейные магнитные системы. Основными недостатками радиоламп были накаливаемый катод, требующий отдельного источника питания и соответствующего охлаждения, а также довольно большие габариты из-за вакуумной колбы.

Поэтому практически одновременно с вакуумным (термоионным) диодом был создан твердотельный диод на основе p- n перехода, который образуется в месте контакта двух полупроводников с разным типом проводимости. Однако технологические трудности производства чистых полупроводниковых материалов несколько задержали внедрение этих элементов по отношению к радиолампам.

При контакте двух областей с разным типом проводимости носители заряда из них взаимно проникают (диффундируют) в соседнюю область, где они не являются основными носителями. При этом в р-области остаются некомпенсированные акцепторы (отрицательные заряды), а в n-области некомпенсированные доноры (положительные заряды), которые формируют область пространственного заряда (ОПЗ) с электрическим полем, препятствующим дальнейшей диффузии носителей заряда. В зоне p- n перехода создаётся равновесие с контактной разностью потенциалов, которая составляет для широко применяемого в полупроводниковых приборах кремния » 0,7 В.

При подключении внешнего электрического поля это равновесие нарушается. При прямом смещении («+» в области р-типа) ширина ОПЗ уменьшается и концентрация неосновных носителей экспоненциально увеличивается. Их компенсируют основные носители, поступающие через контакты из внешней цепи, что создаёт прямой ток , экспоненциально увеличивающийся по мере увеличения напряжения прямого смещения.

При обратном смещении («-» в области р-типа) ширина ОПЗ увеличивается и концентрация неосновных носителей уменьшается. Основные носители в эту зону не поступают, а имеющий место обратный ток обусловлен только удалением из ОПЗ неосновных носителей и не зависит от приложенного напряжения. Прямой и обратный токи могут отличаться в 105 – 106 раз, формируя существенную нелинейность ВАХ. При определённом значении обратного напряжения носители заряда при своём свободном движении могут обрести энергию, достаточную, чтобы при их столкновении с нейтралами образовать новые пары зарядов, которые в свою очередь набирают энергию и участвуют в рождении новых пар. Возникающий лавинный ток сметает на своём пути все потенциальные барьеры, превращая полупроводник в обычный проводник.

УГО полупроводникового диода

Типовая форма ВАХ p-n перехода (диода)

Аппроксимация «идеального» диода – это идеальный электрический ключ, управляемый полярностью напряжения. Однако при этом не учитывают такие параметры, как:

1) Прямое падение напряжения при протекании прямого тока, которое составляет во многих реальных приборах 1 -1,5 В, а это приводит к активным потерям Р=(1¸1,5)I, и, следовательно, к нагреву элемента и предельным токам для конкретного элемента. Решение тепловых задач по охлаждению полупроводниковых приборов, а также их тепловая устойчивость, являются одними из основных проблем при конструировании электротехнических устройств. Обратно пропорциональная зависимость прямого падения напряжения от температуры ограничивает применение приборов с p-n переходами в параллельных соединениях.

2) Обратные токи , которыми можно пренебрегать, только если они на несколько порядков величины меньше прямых токов.

3) Напряжение лавинного пробоя , которое определяет предел работоспособности элемента при обратном напряжении, на что нужно обращать внимание, особенно при импульсной работе с индуктивными элементами. Однако общая толщина кристалла ограничивает обратные напряжения величиной 1 – 2 кВ. Дальнейшее повышение обратного напряжения возможно только при последовательной сборке элементов с уравниванием обратных токов.

4) Временные характеристики, в частности время восстановления (время перехода из проводящего в непроводящее состояние), которое есть фактически время удаления из ОПЗ неосновных носителей и её расширения. А этот параметр определяется диффузными процессами с характерными длительностями 10-5 с. При моделировании импульсных характеристик в схемах замещения диода используют 2 емкостных элемента: барьерную емкость , которая определяется размером ОПЗ и объёмным зарядом (она существенна при обратных напряжениях), а также диффузную ёмкость , которая определяется концентрацией основных и неосновных носителей (она существенна при прямом падении напряжения). Диффузная ёмкость определяет времена накопления и рассасывания неравновесного заряда в ОПЗ и может достигать величины несколько десятков нанофарад. Развитие технологических процессов при изготовлении диодов позволило существенно повлиять на импульсные характеристики и уменьшить время восстановления до десятков наносекунд в быстрых и ультрабыстрых диодах.

Поэтому разработанная для программы Spice математическая модель реального полупроводникового диода и её дальнейшие модификации представляет собой довольно сложное математическое выражение, которое включает до 30 констант, устанавливаемых пользователем для моделирования конкретного элемента.

Работы по уменьшению прямого падения напряжения привели к созданию диодов Шоттки , в которых p-n переход заменён барьером Шоттки, образуемого парой металл-полупроводник. Это позволило уменьшить размер ОПЗ и снизить примерно вдвое прямое падение напряжения, но одновременно существенно уменьшилось допустимое обратное напряжение (

Резкое уменьшение динамического сопротивления (Rд=dU/dIt) при напряжении обратного пробоя позволяет использовать диоды в качестве стабилизаторов напряжения, подобно варисторам. Но диоды, в отличие от варисторов, имеют более низкие значения динамического сопротивления. Однако следует учитывать, что в режиме стабилизации в ОПЗ p-n перехода выделяется энергия равна Р= Uл. пр×I. Поэтому были созданы диоды Зенера и лавинные диоды с усиленным по теплостойкости p-n переходом и на их основе стабилитроны .

При прохождении прямого тока в ОПЗ происходит рекомбинация носителей заряда с излучением фотона, длина волны которого определяется материалом полупроводника. Варьируя состав этого материала и конструкцию элемента, можно создавать светодиоды с когерентным (лазерные диоды ) и некогерентным излучением для очень широкого спектрального диапазона, от ультрафиолета до инфракрасного света.

Развитие полупроводниковых технологий привело к созданию биполярного транзистора , который представляет собой три слоя полупроводникового материала с разным типом проводимости, n-p-n или p-n-p. Эти слои называются коллектор-база-эмиттер . Таким образом, получились 2 последовательных p-n перехода, но с разнонаправленной проводимостью. Для достижения транзисторного эффекта необходимо, чтобы проводимость эмиттера была больше проводимости базы, а толщина базы была сравнимой с шириной ОПЗ перехода коллектор-база при обратной проводимости. Для работы n-p-n транзистора по схеме с общей базой к коллектору подключают положительный полюс источника, к эмиттеру – отрицательный, а дополнительным источником открывают переход база-эмиттер. При этом в тонкий базовый слой начнут поступать неосновные носители — электроны. Часть из них под воздействием положительного потенциала коллектора пройдёт через закрытый переход база-коллектор, вызвав увеличение тока коллектора, как обратного тока через этот переход. Причём ток коллектора может в несколько сотен раз превысить ток базы (транзисторный эффект ).

Таким образом, биполярный транзистор можно представить как нелинейное сопротивление, управляемое базовым током.


УГО биполярных транзисторов имеют следующий вид:

ВАХ биполярного транзистора или зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер UCE(IC) для транзистора 2N2222 при разных токах базы.

Таким образом, коллекторный ток определяется базовым током, но эта зависимость при малых базовых токах существенно нелинейна. Это так называемый активный режим .

При больших базовых токах, когда достигается полное открытие перехода коллектор-база, транзистор выходит в насыщение при минимальном падении напряжения коллектор-эмиттер, равной двойной контактной разности потенциалов » 1,2¸1,4 В (два последовательно включенных открытых p-n перехода). Мы получаем насыщенный режим .

Отсюда вытекают 2 возможности использования транзисторов – в активном режиме, как усилитель, и в насыщенном режиме – как электрический ключ .

Рассмотрим в качестве примера использование транзистора в активном режиме – линейный стабилизатор напряжения .

В данной схеме транзистор включён по схеме c общим коллектором, т. е. источники тока коллектора и тока базы соединены общей точкой и управляющий ток поступает в базу через резистор Rv. Так как переход база-эмиттер открыт, то можно считать, что падение напряжения на нём не зависит от тока и составляет величину равную потенциальному барьеру UBE =0,6-0,7В. В отсутствие стабилитрона DZ выходное напряжение по правилу делителя напряжения UOUT ~ UIN RL/RV+RL. Стабилитрон DZ поддерживает постоянный уровень напряжения на базе UZ . Но тогда UOUT= UZ — UBE является величиной постоянной и не зависит от входного напряжения и тока нагрузки. При постоянном токе нагрузки и, соответственно, токе базы, любое повышение входного напряжения Uin не изменит ток коллектора, так как динамическое сопротивление перехода коллектор-база в активном режиме транзистора близко к ¥. В то же время изменение тока нагрузки просто приведёт к изменению тока базы и, соответственно, к изменению тока коллектора.

Работа биполярного транзистора в режиме насыщения требует наличия больших токов управления, соразмерных по величине и длительности с коммутируемыми токами. Поэтому был предложен тиристор , состоящий из 4 последовательных p-n-p-n слоёв.

При включении управляющего тока открывается первый p-n переход (база-эмиттер транзистора Q1) и электроны из эмиттера начинают проникать через второй p-n переход (база-коллектор транзистора Q1).. При этом открывается третий p-n переход (база-эмиттер p-n-p транзистор a Q2) и, соответственно второй p-n переход (база-коллектор транзистора Q2). Этим самым обеспечивается протекание тока в первый p-n переход и ток управления уже не нужен. Глубокая связь между всеми переходами обеспечивает их насыщение.

Таким образом, коротким импульсом управляющего тока нам удалось перевести систему в насыщенное состояние с падением напряжения около 2 В. Чтобы выключить ток в этой структуре нужно снизить его до 0, а это достаточно просто получается при гармоническом сигнале. В результате мы получили мощные полупроводниковые ключи для сетей с переменным током, управляемые короткими импульсами в начале каждого полупериода.

Изменить проводимость полупроводниковой структуры можно также путём приложения к ней электрического поля, которое создаст дополнительные носители для тока. Эти носители будут при этом основными и им не нужно никуда диффундировать. Это обстоятельство даёт два преимущества по сравнению с биполярными структурами.

Во-первых, уменьшаются времена изменения проводимости, а во-вторых, управление осуществляется потенциальным сигналом при практически нулевом токе, т. е основной ток практически не зависит от тока управления. И ещё одно преимущество возникло из-за однородности полупроводниковой структуры, управляемой электрическим полем – это положительный температурный коэффициент сопротивления, что дало возможность изготавливать эти структуры средствами микроэлектроники в виде отдельных микроячеек (до нескольких миллионов на кв. см) и при необходимости соединять их параллельно.

Созданные на этом принципе транзисторы получили название полевых (в зарубежной литературе FET или Field emission transistor). В настоящее время разработано большое количество разнообразных конструкций таких приборов. Рассмотрим полевой транзистор с изолированным затвором, в котором управляющий электрод (затвор ), отделён от полупроводника изолирующим слоем, как правило, окисью алюминия . Данная конструкция получила название МДП (металл-окисел-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник). Пространство полупроводника, где под влиянием электрического поля образуются дополнительные носители, называют каналом , вход и выход в который, соответственно, называют истоком и стоком . В зависимости от технологии изготовления каналы могут быть индуцированными (в n-материале создаётся р-проводимость или наоборот) или встроенными (в n–материале создают пространство с р-проводимостью или наоборот). На рисунке приведена типовая горизонтальная конструкция МДП-транзистора с индуцированным и со встроенным р-каналом.

УГО МДП-транзистора

Здесь представлены передаточные характеристики транзистора BUZ11, а именно зависимости тока стока и напряжения сток-исток от величины напряжения на затворе. Видно, что открытие транзистора начинается с некоторого значения Uпор и довольно быстро он входит в насыщение.

Здесь представлена статическая характеристика транзистора BUZ11, а именно зависимость тока стока от напряжения сток-исток. Метками отмечены точки перехода в режим насыщения

Устойчивость полевых транзисторов к токовым перегрузкам, высокое входное сопротивление, которое позволяет существенно уменьшить потери на управление, высокая скорость переключения, положительный температурный коэффициент сопротивления – всё это позволило приборам с полевым управлением не только практически вытеснить биполярные устройства, но и создать новое направление в электротехнике – интеллектуальную силовую электронику, где управление потоками энергии практически любой мощности осуществляется с тактовыми частотами порядка десятков килогерц, т. е. фактически в режиме реального времени.

Однако при больших токах полевые транзисторы уступают биполярным транзисторам по величине прямых потерь. Если в биполярном транзисторе при условии его насыщения потери определяются P=IКUпр, где Uпр практически не зависит от тока и примерно равно высоте потенциального барьера на двух открытых p-n переходах, то в полевых транзисторах P=IС2 Rпр, где Rпр есть в основном сопротивление однородного канала.

Решение этой проблемы было найдено в совмещении полевого управления с биполярным транзистором. Такой биполярный транзистор с изолированным затвором больше известен под его торговым наименованием IGBT (Insulation Gate Bipolar Transistor).

УГО для IGBT

Как видно, здесь к вертикальной конструкции полевого транзистора добавили в качестве подложки р+ — слой и между эмиттером Е и коллектором К образовался биполярный p-n-p транзистор. Под воздействием положительного потенциала на затворе G в р-области возникает проводящий канал, который открывает переход J1. При этом вглубь низкоомного n — слоя начинается инжекция неосновных носителей, слой J2 приоткрывается и между коллектором и эмиттером начинает протекать ток, поддерживаемый носителями в р-слое, которые удерживают p-n переход J1 в открытом состоянии. Падение напряжения на JGBT определяется падением напряжения на открытых p-n переходах J1 и J2, так же как и в обычном биполярном транзисторе. Времена выключения JGBT определяются временами рассасывания неосновных носителей из этих переходов. То есть прибор включается как полевой транзистор, а выключается как биполярный, как это видно на примере коммутации прибора GA100T560U_IR.

Данную структуру можно представить как комбинацию полевого управляющего транзистора и биполярного основного транзистора.

Температурная зависимость падения напряжения на JGBT определяется отрицательным коэффициентом на переходе J2 и положительным коэффициентом на канале р-слоя, а также n-слое. В итоге разработчикам удалось сделать превалирующим положительный температурный коэффициент, что открыло дорогу параллельному подключению этих полупроводниковых структур и дало возможность создавать приборы на практически неограниченные токи.

Сборка на IGBT для коммутации

напряжения до 3300 В и токов

Нелинейными элементами, как уже указывалось, являются все полупроводниковые и электронные приборы, работающие с достаточно большими входными сигналами. На низких частотах эквивалентные схемы этих приборов можно представить в виде резистивных нелинейных элементов, особенности которых определяются вольт-амперными характеристиками, т. е. зависимостями токов от приложенных напряжений Мгновенное значение тока, протекающего через резистивный элемент, определяется по вольт-амперной характеристике напряжением в этот же момент времени. Поэтому резистивные нелинейные элементы называют также безынерционными нелинейными элементами.

На достаточно высоких частотах характеристики нелинейных элементов оказываются зависящими от частоты. Эта зависимость обусловлена:

соизмеримостью времени, затрачиваемого на движение носителей через прибор и процессы рекомбинации, с периодом воздействующих и а него колебаний. Если длительность этих процессов составляет заметную часть периода колебаний, выходной ток прибора отстает по фазе от входного сигнала, т. е. прибор становится инерционным. Инерционность прибора нередко учитывают

введением дополнительных частотно-зависимых реактивностей в эквивалентную схему.

Статические характеристики электронного прибора (они снимаются на постоянном токе) достаточно полно характеризуют прибор только в пределах тех частот, где его можно считать резистивным, т. е. безынерционным. На рис. 2.1 приведены вольт-амперные характеристики типовых нелинейных резисторов и их условные обозначения: полупроводникового (а) и туннельного (б) диодов, биполярного и полевого транзисторов, динистора Характеристики электронных ламп (диодов, триодов, тетродов, пентодов) сходны с приведенными на рис.

Характеристики бывают однозначные и многозначные. В однозначных каждому значению аргумента соответствует единственное значение функции при заданных величинах параметров (рис. 2.1 а, в-д). У вторых некоторым значениям одной величины соответствует несколько значений другой (рис. 2.16, е). Отметим, что гистерезисные характеристики являются многозначными.

Нелинейные элементы подразделяют на управляемые и неуправляемые. К первым относятся многоэлектродные приборы, имеющие раздельные вход и выход (транзисторы, сеточные электронные или ионные приборы), поскольку в них можно управлять выходной характеристикой изменением входного воздействия. Неуправляемыми являются двухэлектродные приборы (диоды).

Если известна некоторая (прямая) зависимость то зависимость называют обратной. Так, прямой характеристике соответствует обратная

Приборы, имеющие падающие участки на вольт-амперных характеристиках, где производные или называют приборами с отрицательным сопротивлением. В зависимости от того, какую букву напоминает форма характеристики прибора, различают два типа отрицательных сопротивлений: сопротивления -типа, вид вольт-амперной характеристики которых сходен с приведенной на рис. 2.16; они же называются отрицательными сопротивлениями, управляемыми напряжением, поскольку именно напряжение однозначно определяет режим их работы; сопротивления S-типа, вольт-амперные характеристики которых соответствуют рис. 2.1е; они же называются отрицательными сопротивлениями, управляемыми током, так как их режим однозначно определяется протекающим через прибор током. Если на рис. поменять местами координатные оси, то характеристика этого прибора примет -образный вид. Дифференциальные сопротивления элементов обоих типов являются отрицательными на участках и положительными за их пределами. Приборами -типа являются туннельные диоды, диоды Ганна, лампы при наличии в них динатронного эффекта; приборами -типа — некоторые ионные (газотроны, неоновые лампы) и полупроводниковые (динистры, тиристоры, лавинно-пролетные диоды) приборы.

Для расчета схем с нелинейными элементами применяются графические, аналитические и машинные методы. Достоинством графических методов является возможность наглядного определения токов и напряжений в схеме при заданных ее параметрах. Однако графическое решение не позволяет установить аналитические зависимости между изменением параметров устройства и величинами его токов и напряжений, определить оптимальные значения параметров и т. п. Аналитические методы обеспечивают установление таких зависимостей, и в этом их главное достоинство. При анализе сложных схем особенно с высокой точностью аналитические решения оказываются или очень громоздкими, или практически невозможными. Тогда применяют машинные методы исследования.

Определим графически (рис. 2.2) ток, протекающий через резистивный нелинейный элемент, под действием напряжения

Используемый для этого метод проекций состоит в следующем: на графике замечаем величины и в различные моменты затем по вольт-амперной характеристике находим соответствующие значения тока и откладываем их плоскости

Огибающая последних дает зависимость Построение удобно начинать с определения тока в моменты, соответствующие максимальному, минимальному и среднему значениям напряжения и лишь затем находить промежуточные значения тока. При воздействии гармонического сигнала (2.1) ток оказывается периодической функцией той же частоты но иной формы.

Нелинейные цепи — это цепи, в которых есть хотя бы один нелинейный элемент. Нелинейный элемент — это элемент, для которого связь тока и напряжения задают нелинейным уравнением.

В нелинейных цепях не выполняется принцип наложения, и поэтому нет общих методов расчёта. Это вызывает необходимость разработки специальных методов расчета для каждого типа нелинейных элементов и режима их работы.

Нелинейные элементы классифицируют:

1) по физической природе: проводниковые, полупроводниковые, диэлектрические, электронные, ионные и т.д.;

2) по характеру делят на резистивные, емкостные и индуктивные;

ВАХ КВХ ВАХ

3) по виду характеристик все элементы делят

На симметричные и несимметричные. Симметричные — это такие, у которых характеристика симметрична относительно начала координат. Для не симметричных элементов раз и навсегда выбирают положительное направление напряжения или тока и для них в справочниках приводится ВАХ. Только такое направление можно использовать при решении задач с использованием этих ВАХ.

На однозначные и неоднозначные. Неоднозначные, когда одному значению тока или напряжения на ВАХ соответствуют несколько точек;

4) инерционные и безынерционные элементы. Инерционными элементами называют такие элементы, у которых нелинейность обусловлена нагревом тела при прохождении тока. Т. к. температура не может изменяться сколь угодно быстро, то при прохождении по такому элементу переменного тока с достаточно высокой частотой и неизменным действующим значением, температура элемента остается практически постоянной в течение всего периода изменения тока. Поэтому для мгновенных значений элемент оказывается линейным и характеризуется какой-то постоянной величиной R (I,U). Если же изменится действующее значение тока, то изменится температура и получится другое сопротивление, т. е. для действующих значений элемент станет нелинейным.

5) управляемые и неуправляемые элементы. Выше мы говорили о неуправляемых элементах. К управляемым элементам относят элементы с тремя и более выводами, у которых, изменяя ток или напряжение на одном выводе, можно менять ВАХ относительно других выводов.

В зависимости от конкретной задачи удобно применять те или иные параметры элементов и общее число их велико, но чаще всего используют статические и дифференциальные параметры. Для резистивного двухполюсного элемента это будут статическое и дифференциальное сопротивления.

В заданной точке ВАХ

В заданной рабочей точке ВАХ

1. Дают небольшое приращение напряжения. Находят по ВАХ, вызванное этим приращением, приращение тока и берут их отношение. Недостатком этого способа является то, что для повышения точности расчета нужно уменьшать U и I, но при этом трудно работать с графиком.

2. К заданной точке кривой проводят касательную и тогда по геометрическому определению производной, получают

Где приращения берут на этой касательной и могут быть сколь угодно большими.

Если известен режим работы нелинейного элемента, то в этой точке известно его статическое сопротивление, а также напряжение и ток, поэтому его можно заменить одним из 3-х способов.


Если известно, что во время работы цепи ток и напряжение меняются в пределах «более-менее прямолинейного участка ВАХ», то этот участок описывают линейным уравнением и ставят ему в соответствие такую эквивалентную схему.

Линеаризуют этот участок уравнением вида U=a+ib.Получают для него коэффициенты уравнения.

При i=0 и U=U 0 =а,

усреднённое значение на этом участке.

Тогда, что соответствует следующей схеме замещения:


Эта схема будет справедлива для участка, ограниченного волнистой линией.

То же самое выражение можно записать по-другому:

Поэтому в некоторых задачах, где заранее известно, что токи и напряжения нелинейного элемента представляют в виде суммы постоянной составляющей Uрт, Iрт и переменной составляющей u ~ , i ~ c амплитудой

Этот же подход применяют и в схемах с многополюсными элементами, но там не удаётся ввести только одно сопротивление, т. к. Ч. П. характеризуются четырьмя коэффициентами уравнений. Но можно найти эти коэффициенты для малых переменных составляющих токов и напряжений.

Пример: Биполярный транзистор (схема с общим эмиттером).

Пусть известно, что u j =U p ф+u kj , i j =I p ф+i kj

Схема замещения:

Применим дифференцирующие параметры и получим в форме «И».

u бк =h 21 i б +h 12 u кэ

i кэ =h 21 i б +h 22 u кэ

U бэ =H 11 I б +H 21 U кэ

Эти уравнения пишут для переменных составляющих, потому что изменяется процедура расчета элементов.

H 11 =U бэ /I б при I б =0, т.е. i б =I бр.т.

H 12 =U бэ /U кэ при I б =0

H 21 =I к /I б при U кэ =0

H 22 =I к /U кэ при I б =0, т.е. i б =I бр.т.

h 12 =ДU бэ /ДU кэ h 21 =Дi к /Дi б h 22 =Дi к /Дu кэ,

где I, U есть приращения токов и напряжений в окрестности рабочей точки.

Вольтамперные характеристики данного нелинейного элемента.

Методы расчёта нелинейных цепей постоянного тока

Различают: численные, аналитические и графические методы.

1) Численные — это методы численного решения нелинейных уравнений. Обычно используют ЭВМ. Они позволяют решить широкий круг задач, но ответ получается в виде числа.

2) Аналитические — это методы, в основе которых лежит аппроксимация ВАХ какой-нибудь подходящей функции. Если эта функция нелинейная, то получается нелинейная система уравнений. Чтобы она могла быть решена, приходиться очень аккуратно выбирать аппроксимирующую функцию.

Нелинейными элементами являются все полупроводниковые и электронные приборы, работающие с сигналами, мгновенные значения которых изменяются в достаточно широких пределах. Для конкретности будем рассматривать нелинейные двухполюсники, когда входным сигналом служит напряжение , а выходным — ток
в нем. Все методы и результаты можно перенести и на случай нелинейного четырехполюсника, например, — транзистора, работающего в нелинейном режиме при больших значениях амплитуды входного сигнала. Здесь выходная цепь представляется источником тока, управляемым входным напряжением.Характеристика нелинейного элемента устанавливает функциональную нелинейную связь между напряжением
и силой тока
в нем:

(2.1)

В инерционном элементе мгновенное значение тока
зависит не только от значения напряжения
в тот же момент времени, но и от значений этого напряжения в предыдущие моменты времени.Безинерционных элементов, строго говоря, не существует. Условие безинерционности выполняется приближенно, если характерное время изменения входного сигнала значительно превышает время установления процесса внутри самого нелинейного элемента. Время установления стационарного состояния в полупроводниковых приборах составляет
с.

Инерционность приборов может быть связана с инерционностью носителей тока. С увеличением частоты колебаний она начинает проявляться, когда время прохождения носителей через прибор становится соизмеримым с периодом колебаний. Такая инерционность проявляется в возникновении запаздывания (сдвига) фаз выходного тока относительно входного напряжения, изменении активного входного и выходного сопротивлений и превращении их в комплексные и т. п. В результате обычно уменьшаются коэффициенты усиления усилителей, выходные мощности генераторов. Характерным типом инерционности является тепловая инерционность в изменении температуры, а значит, — и сопротивления терморезисторов. Лишь при достаточно низкой частоте колебаний его температура элемента успевает следовать за мгновенными значениями напряжения. Например, уже при частоте
Гц сопротивление нити лампы накаливания уже практически не успевает изменяться, что обеспечивает равномерное освещение. Подобные инерционные элементы применяют в генераторах гармонических колебаний для улучшения их характеристик.

Расчет нелинейного инерционного устройства можно упростить, если удается представить его соединением двух более простых устройств: нелинейного безинерционного устройства и линейного инерционного устройства (фильтра). Такой подход можно применить, например, для расчета резонансного или полосового усилителя при больших амплитудах входного сигнала. Пусть активный элемент усилителя (транзистор или электронную лампу) можно представить безинерционным нелинейным устройством, а нелинейными искажениями в его пассивной нагрузке (колебательном контуре или системе связанных контуров) можно пренебречь. Нагрузку, содержащую реактивные элементы, аппроксимируют линейным инерционным устройством.

Основные свойства, характеристики и параметры нелинейных элементов (Н.Э.). Нелинейными электрическими элементами цепи называются элементы, параметры которых зависят от напряжений, токов, магнитных пото Примеры линейных и нелинейных элементов

Содержание . Нелинейные элементы. Насыщение магнитных материалов. Сегнетоэлектрики, варисторы и позисторы. Нелинейные резисторы. Полупроводниковый диод и его ВАХ. Понятие об устройстве биполярных транзисторов и тиристоров . Линейный стабилизатор напряжения. Принцип действия полевого транзистора и биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT).

Значения элементов R, C, L были введены как коэффициенты между током и напряжением (R), зарядом и напряжением (С), а также магнитным потоком и током (L). Далее из этих соотношений был сформулирован обобщённый закон Ома.

При рассмотрении наиболее простых задач было сделано допущение, что эти значения не зависят от протекающей по данным элементам электромагнитной энергии. И мы с большим удовольствием манипулировали с так называемыми линейными элементами и даже подбирали соответствующие им «линейные» компоненты.

Однако в природе линейных компонентов не существует!

Они могут иметь приблизительно линейные параметры только в определённом интервале токов и напряжений. Любое вещество, попадая в действие электромагнитных полей, так или иначе, меняет своё строение и, соответственно, свои физические характеристики, а именно удельное сопротивление, диэлектрическую и магнитную проницаемости и даже геометрическую форму. Поэтому меняются и параметры изготовленных из этих материалов компонентов, так как R=rl/s; C»es/l; L»ms/l. Если эти изменения не существенны, то мы говорим о линейности элементов и соответствующих компонентов. В противном случае необходимо учитывать эти изменения и тогда следует говорить о нелинейных элементах и компонентах.

УГО нелинейных элементов в схемах замещения имеют следующий вид:

нелинейный резистор

катушка индуктивности с магнитопроводом

нелинейный конденсатор — варикап

Нелинейные элементы достаточно широко используются в электрических цепях с целью изменения формы сигнала, другими словами, для возбуждения или поглощения определённых гармоник, из которых составлен сигнал.

С математической точки зрения, в этом случае коэффициенты, составленные из R, C, L, зависят от неизвестных параметров (тока и напряжения), а энергетические уравнения, составленные по правилам Кирхгофа, становятся нелинейными со всеми вытекающими для расчётов последствиями.

Наиболее распространёнными методами их решения являются:

аппроксимация , когда известную нелинейную зависимость значения элемента от тока или напряжения аппроксимируют отрезками линейных функций и получают для каждого из них решения линейных уравнений;

графический метод , когда уравнения решают графическим способом с использованием

известных нелинейных графических зависимостей элемента от тока или напряжения;

машинный метод , когда нелинейную зависимость значения элемента от тока или напряжения аппроксимируют модельной математической функцией и решают интегро-дифференциальные нелинейные уравнения численными методами.

нелинейной индуктивности в электротехнике используют вебер-амперные характеристики , которые аналогичны гистерезисным кривым ВН для ферромагнитных материалов, которые любят применять физики. Если на вебер-амперной характеристике L=dY/dI, то на ВН-кривых m= dB/dH, но Y=NBS, a H»I/r. Иногда пользуются вольт-секундной характеристикой , т. к. Y=òUdt.

При аппроксимации эту характеристику обычно делят на части: до насыщения это прямая линия с наклоном m = dB/ dH , а после насыщения при Вм это прямая линия с m =1 . Значения остаточной намагниченности В r и коэрцитивной силы НС определяют площадь, занимаемую петлёй гистерезиса, т. е. активные потери на перемагничивание. Поэтому в большинстве случаев их можно учесть вводом в цепь резистивного элемента и исключить из аппроксимации вебер-амперной характеристики.

Режим работы катушек индуктивности с линейными характеристиками выбирают в пределах больших значений m или L. В этой области работают такие магнитные устройства, как дроссели для накопления магнитной энергии, трансформаторы для передачи мощности через магнитную связь катушек, а также электродвигатели. В то же время эффект нелинейности магнитных материалов широко используют для создания магнитных усилителей, феррорезонансных стабилизаторов и даже магнитных ключевых элементов, в которых применяют магнитные материалы с так называемой прямоугольной магнитной характеристикой, где m может достигать величин 50 и более. В настоящее время в катушках индуктивности применяют в основном 3 типа магнитных материалов: электротехническую сталь , аморфное железо (метагласс) и ферриты с весьма разнообразными гистерезисными кривыми.

Нелинейные катушки индуктивности исторически были созданы первыми из-за доступности и невысокой стоимости магнитных материалов, а также простоты их изготовления. Они отличаются, прежде всего, своей надёжностью, но имеют большие весогабаритные характеристики, и в связи с этим высокую инерционность. Потери на перемагничивание и активные потери на нагрев обмоток также представляют собой серьёзную проблему, особенно в силовой электротехнике. Поэтому в настоящее время применение нелинейных катушек индуктивности ограничено.

Для представления зависимости нелинейной ёмкости используют кулон-вольтные характеристики, так как C=dQ/dU.

Они аналогичны ферромагнитным вебер–амперным характеристикам, только здесь присутствует диэлектрическая проницаемость e=dD/dE, где D – электрическая индукция или электрическое смещение.

Наиболее интересным диэлектриком для создания нелинейных конденсаторов являются сегнетоэлектрики , такие как сегнетова соль (калий-натрий виннокислый), титанат бария, титанат висмута и др. За счёт доменной структуры электрических диполей они обладают при низких напряжениях высокой диэлектрической проницаемостью с e » 1000, которая при повышении напряжения уменьшается, аналогично магнитной проницаемости у ферромагнетиков. Поэтому в зарубежной литературе они получили название ферроэлектриков . Эти материалы широко используются для создания таких линейных емкостных элементов, как керамические конденсаторы с высокой удельной плотностью запасаемой электрической энергией, где они работают в ненасыщенной области кулон-вольтной характеристики. Нелинейность используется для создания конденсаторов с переменной ёмкостью, варикондов , которые имеют узкое применение.

В переменном поле в сегнетоэлектриках происходит изменение направления электрического момента диполей, которые связаны в крупные домены, помещённые в кристаллические структуры. Это приводит к изменению геометрических размеров кристалла, так называемому эффекту электрострикции . В магнитных материалах имеется аналогичный эффект магнитострикции , но его трудно использовать из-за наличия внешней обмотки. В некоторых группах сегнетоэлектрических кристаллов наблюдаются похожие на электрострикцию эффекты. Это прямой пьезоэлектрический эффект – появление электрического поля (поляризация) в кристалле при его механической деформации, и обратный – механическая деформация при появлении электрического поля. Данные кристаллические материалы называют пьезоэлектриками, и они получили чрезвычайно большое применение. Прямой эффект используется для получения высоких напряжений, в первичных преобразователях механических усилий (например микрофоны, звукосниматели в системах механической записи звука) и пр. Обратный эффект используется в звуковых и ультразвуковых излучателях, в системах сверхточного позиционирования (позиционер перемещения головки жёсткого диска) и пр. Оба эффекта используются при создании резонансных кварцевых генераторов , где размеры кристаллов подобраны таким образом, что механические колебания находятся в резонансе с электрическими. При очень высокой добротности такой системы обеспечиваются стабильность и точность настройки частоты генератора. Два таких кристалла, имеющие звуковую связь, могут передавать электрическую мощность без гальванической связи, за что их называют пьезотрансформаторами .

Доменная структура как электрических, так и магнитных диполей распадается при определённой температуре, называемой точкой Кюри. При этом происходит фазовый переход и существенно меняется проводимость сегнетоэлектрика. На этой основе действуют позисторы , в которых при дополнительном легировании материала можно устанавливать определённую точку Кюри. После достижения этой температуры скорость возрастания сопротивления может достигать 1 кОм/град.

По сути это нелинейный резистор , который имеет S-образную или «ключевую» вольт-амперную характеристику (ВАХ) .

То есть этот элемент может работать как электрический ключ, управляемый проходящим током или внешней температурой.

Позисторы широко применяются для защиты от токовых перегрузок в телефонных аналоговых сетях, а также для сброса магнитной энергии из катушек при их отключении, плавном пуске двигателей и т. п. Довольно интересное применение они нашли как регулируемые тепловыделяющие элементы в тепловентиляторах, в которых сам элемент находится практически при постоянной температуре, а потребляемая электрическая мощность автоматически поддерживается равной отводимой тепловой мощности. То есть скоростью вращения вентилятора можно управлять тепловой мощностью такого нагревательного прибора.

При другом типе легирования сегнетоэлектрика можно добиться эффекта нелинейной зависимости его проводимости от напряжения, т. е. это фактически нелинейный резистор , называемый варистором . Данный эффект обусловлен изменением при определённом напряжении проводимости тонких слоёв вещества, окружающих домены. Поэтому их характеризуют вольт-амперной характеристикой , где функцию U(I) можно представить полиномом пятой степени. Нелинейные резисторы удобно характеризовать статическим сопротивлением Rст =U/I и дифференциальным сопротивлением Rд = dU/dI. Видно, что на линейном участке Rст ~ Rд, на нелинейном участке Rст £ Rд.

Основное их применение – это защита электрических цепей от коммутационных выбросов опасных перенапряжений. В варисторе энергия подобного выброса превращается в активную и нагревает его массу. Поэтому варисторы различают по двум основным параметрам – напряжению, при котором происходит излом ВАХ, и энергией, которую способен поглотить элемент без нарушения его работоспособности.

Нелинейные резисторы всевозможных типов занимают большое место в современной электротехнике. Вообще говоря, любой проводник является нелинейным. Если пропускать ток через обычную медную проволочку, то вначале её сопротивление, как известно, будет изменяться как R0(1+αT). Эта зависимость будет сохраняться пока проволочка не расплавиться и тогда сопротивление будет оставаться постоянным до испарения материала. А в этом состоянии проволочка становится фактически изолятором.

Сопротивление проводника R обратно пропорционально плотности тока, поэтому сопротивление медного голого проводника считается линейным до плотности тока 10 А/мм2 . При ухудшении теплосъема с проводника это значение уменьшается. Например, в обмотке катушки индуктивности это значение может быть на уровне 2 А/мм2. Так как при превышении данных значений плотности тока происходит возрастающее выделение тепловой энергии , которое приводит к его расплавлению, то они считаются допустимыми значениями плотности тока и используются при выборе безопасных сечений проводников.

На этом принципе работают плавкие предохранители, сечение проводника в которых соответствует предельному значению проходящего через него тока. Но если в проволочку вкладывать мощность более 1010 Вт/г, то испарение, минуя стадию плавления, пойдёт по адиабате и волна давления испаряющегося с поверхности газа создаст внутри материала колоссальные плотности вещества. При этом удавалось освобождать атомы золота от их электронной оболочки и проводить термоядерные реакции.

При определённом напряжении, достаточном для появления в газе достаточного количества носителей электрических зарядов, в газовом промежутке начинает проходить электрический ток. Это явление называют газовым разрядом , а сам газоразрядный промежуток может рассматриваться как нелинейное сопротивление со следующей ВАХ.

Газоразрядные приборы получили очень широкое распространение в качестве и индикаторов, сварочных аппаратов и плавильных агрегатов, электрических ключей и плазмохимических реакторов, и т. п.

В 1873 году Ф. Гутри открыл эффект нелинейной проводимости в вакуумной лампе с термоэмиссионным катодом. Когда на катоде был отрицательный потенциал, его электроны создавали электрический ток, а при противоположной полярности они запирались на катоде и в лампе практически не было носителей. Долгое время этот эффект не был востребован, пока в 1904 году нужды радиотехники не привели к созданию термионного (вакуумного) диода. А так как в таком устройстве за проводимость отвечает электрическое поле, то введение дополнительных небольших потенциалов даёт возможность управлять потоком электронов, то есть электрическим током. Таким образом, были созданы управляемые электрическим полем нелинейные резисторы (радиолампы ), которые заменили большие, инерционные и управляемые током нелинейные магнитные системы. Основными недостатками радиоламп были накаливаемый катод, требующий отдельного источника питания и соответствующего охлаждения, а также довольно большие габариты из-за вакуумной колбы.

Поэтому практически одновременно с вакуумным (термоионным) диодом был создан твердотельный диод на основе p- n перехода, который образуется в месте контакта двух полупроводников с разным типом проводимости. Однако технологические трудности производства чистых полупроводниковых материалов несколько задержали внедрение этих элементов по отношению к радиолампам.

При контакте двух областей с разным типом проводимости носители заряда из них взаимно проникают (диффундируют) в соседнюю область, где они не являются основными носителями. При этом в р-области остаются некомпенсированные акцепторы (отрицательные заряды), а в n-области некомпенсированные доноры (положительные заряды), которые формируют область пространственного заряда (ОПЗ) с электрическим полем, препятствующим дальнейшей диффузии носителей заряда. В зоне p- n перехода создаётся равновесие с контактной разностью потенциалов, которая составляет для широко применяемого в полупроводниковых приборах кремния » 0,7 В.

При подключении внешнего электрического поля это равновесие нарушается. При прямом смещении («+» в области р-типа) ширина ОПЗ уменьшается и концентрация неосновных носителей экспоненциально увеличивается. Их компенсируют основные носители, поступающие через контакты из внешней цепи, что создаёт прямой ток , экспоненциально увеличивающийся по мере увеличения напряжения прямого смещения.

При обратном смещении («-» в области р-типа) ширина ОПЗ увеличивается и концентрация неосновных носителей уменьшается. Основные носители в эту зону не поступают, а имеющий место обратный ток обусловлен только удалением из ОПЗ неосновных носителей и не зависит от приложенного напряжения. Прямой и обратный токи могут отличаться в 105 – 106 раз, формируя существенную нелинейность ВАХ. При определённом значении обратного напряжения носители заряда при своём свободном движении могут обрести энергию, достаточную, чтобы при их столкновении с нейтралами образовать новые пары зарядов, которые в свою очередь набирают энергию и участвуют в рождении новых пар. Возникающий лавинный ток сметает на своём пути все потенциальные барьеры, превращая полупроводник в обычный проводник.

УГО полупроводникового диода

Типовая форма ВАХ p-n перехода (диода)

Аппроксимация «идеального» диода – это идеальный электрический ключ, управляемый полярностью напряжения. Однако при этом не учитывают такие параметры, как:

1) Прямое падение напряжения при протекании прямого тока, которое составляет во многих реальных приборах 1 -1,5 В, а это приводит к активным потерям Р=(1¸1,5)I, и, следовательно, к нагреву элемента и предельным токам для конкретного элемента. Решение тепловых задач по охлаждению полупроводниковых приборов, а также их тепловая устойчивость, являются одними из основных проблем при конструировании электротехнических устройств. Обратно пропорциональная зависимость прямого падения напряжения от температуры ограничивает применение приборов с p-n переходами в параллельных соединениях.

2) Обратные токи , которыми можно пренебрегать, только если они на несколько порядков величины меньше прямых токов.

3) Напряжение лавинного пробоя , которое определяет предел работоспособности элемента при обратном напряжении, на что нужно обращать внимание, особенно при импульсной работе с индуктивными элементами. Однако общая толщина кристалла ограничивает обратные напряжения величиной 1 – 2 кВ. Дальнейшее повышение обратного напряжения возможно только при последовательной сборке элементов с уравниванием обратных токов.

4) Временные характеристики, в частности время восстановления (время перехода из проводящего в непроводящее состояние), которое есть фактически время удаления из ОПЗ неосновных носителей и её расширения. А этот параметр определяется диффузными процессами с характерными длительностями 10-5 с. При моделировании импульсных характеристик в схемах замещения диода используют 2 емкостных элемента: барьерную емкость , которая определяется размером ОПЗ и объёмным зарядом (она существенна при обратных напряжениях), а также диффузную ёмкость , которая определяется концентрацией основных и неосновных носителей (она существенна при прямом падении напряжения). Диффузная ёмкость определяет времена накопления и рассасывания неравновесного заряда в ОПЗ и может достигать величины несколько десятков нанофарад. Развитие технологических процессов при изготовлении диодов позволило существенно повлиять на импульсные характеристики и уменьшить время восстановления до десятков наносекунд в быстрых и ультрабыстрых диодах.

Поэтому разработанная для программы Spice математическая модель реального полупроводникового диода и её дальнейшие модификации представляет собой довольно сложное математическое выражение, которое включает до 30 констант, устанавливаемых пользователем для моделирования конкретного элемента.

Работы по уменьшению прямого падения напряжения привели к созданию диодов Шоттки , в которых p-n переход заменён барьером Шоттки, образуемого парой металл-полупроводник. Это позволило уменьшить размер ОПЗ и снизить примерно вдвое прямое падение напряжения, но одновременно существенно уменьшилось допустимое обратное напряжение (

Резкое уменьшение динамического сопротивления (Rд=dU/dIt) при напряжении обратного пробоя позволяет использовать диоды в качестве стабилизаторов напряжения, подобно варисторам. Но диоды, в отличие от варисторов, имеют более низкие значения динамического сопротивления. Однако следует учитывать, что в режиме стабилизации в ОПЗ p-n перехода выделяется энергия равна Р= Uл. пр×I. Поэтому были созданы диоды Зенера и лавинные диоды с усиленным по теплостойкости p-n переходом и на их основе стабилитроны .

При прохождении прямого тока в ОПЗ происходит рекомбинация носителей заряда с излучением фотона, длина волны которого определяется материалом полупроводника. Варьируя состав этого материала и конструкцию элемента, можно создавать светодиоды с когерентным (лазерные диоды ) и некогерентным излучением для очень широкого спектрального диапазона, от ультрафиолета до инфракрасного света.

Развитие полупроводниковых технологий привело к созданию биполярного транзистора , который представляет собой три слоя полупроводникового материала с разным типом проводимости, n-p-n или p-n-p. Эти слои называются коллектор-база-эмиттер . Таким образом, получились 2 последовательных p-n перехода, но с разнонаправленной проводимостью. Для достижения транзисторного эффекта необходимо, чтобы проводимость эмиттера была больше проводимости базы, а толщина базы была сравнимой с шириной ОПЗ перехода коллектор-база при обратной проводимости. Для работы n-p-n транзистора по схеме с общей базой к коллектору подключают положительный полюс источника, к эмиттеру – отрицательный, а дополнительным источником открывают переход база-эмиттер. При этом в тонкий базовый слой начнут поступать неосновные носители — электроны. Часть из них под воздействием положительного потенциала коллектора пройдёт через закрытый переход база-коллектор, вызвав увеличение тока коллектора, как обратного тока через этот переход. Причём ток коллектора может в несколько сотен раз превысить ток базы (транзисторный эффект ).

Таким образом, биполярный транзистор можно представить как нелинейное сопротивление, управляемое базовым током.


УГО биполярных транзисторов имеют следующий вид:

ВАХ биполярного транзистора или зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер UCE(IC) для транзистора 2N2222 при разных токах базы.

Таким образом, коллекторный ток определяется базовым током, но эта зависимость при малых базовых токах существенно нелинейна. Это так называемый активный режим .

При больших базовых токах, когда достигается полное открытие перехода коллектор-база, транзистор выходит в насыщение при минимальном падении напряжения коллектор-эмиттер, равной двойной контактной разности потенциалов » 1,2¸1,4 В (два последовательно включенных открытых p-n перехода). Мы получаем насыщенный режим .

Отсюда вытекают 2 возможности использования транзисторов – в активном режиме, как усилитель, и в насыщенном режиме – как электрический ключ .

Рассмотрим в качестве примера использование транзистора в активном режиме – линейный стабилизатор напряжения .

В данной схеме транзистор включён по схеме c общим коллектором, т. е. источники тока коллектора и тока базы соединены общей точкой и управляющий ток поступает в базу через резистор Rv. Так как переход база-эмиттер открыт, то можно считать, что падение напряжения на нём не зависит от тока и составляет величину равную потенциальному барьеру UBE =0,6-0,7В. В отсутствие стабилитрона DZ выходное напряжение по правилу делителя напряжения UOUT ~ UIN RL/RV+RL. Стабилитрон DZ поддерживает постоянный уровень напряжения на базе UZ . Но тогда UOUT= UZ — UBE является величиной постоянной и не зависит от входного напряжения и тока нагрузки. При постоянном токе нагрузки и, соответственно, токе базы, любое повышение входного напряжения Uin не изменит ток коллектора, так как динамическое сопротивление перехода коллектор-база в активном режиме транзистора близко к ¥. В то же время изменение тока нагрузки просто приведёт к изменению тока базы и, соответственно, к изменению тока коллектора.

Работа биполярного транзистора в режиме насыщения требует наличия больших токов управления, соразмерных по величине и длительности с коммутируемыми токами. Поэтому был предложен тиристор , состоящий из 4 последовательных p-n-p-n слоёв.

При включении управляющего тока открывается первый p-n переход (база-эмиттер транзистора Q1) и электроны из эмиттера начинают проникать через второй p-n переход (база-коллектор транзистора Q1).. При этом открывается третий p-n переход (база-эмиттер p-n-p транзисторa Q2) и, соответственно второй p-n переход (база-коллектор транзистора Q2). Этим самым обеспечивается протекание тока в первый p-n переход и ток управления уже не нужен. Глубокая связь между всеми переходами обеспечивает их насыщение.

Таким образом, коротким импульсом управляющего тока нам удалось перевести систему в насыщенное состояние с падением напряжения около 2 В. Чтобы выключить ток в этой структуре нужно снизить его до 0, а это достаточно просто получается при гармоническом сигнале. В результате мы получили мощные полупроводниковые ключи для сетей с переменным током, управляемые короткими импульсами в начале каждого полупериода.

Изменить проводимость полупроводниковой структуры можно также путём приложения к ней электрического поля, которое создаст дополнительные носители для тока. Эти носители будут при этом основными и им не нужно никуда диффундировать. Это обстоятельство даёт два преимущества по сравнению с биполярными структурами.

Во-первых, уменьшаются времена изменения проводимости, а во-вторых, управление осуществляется потенциальным сигналом при практически нулевом токе, т. е основной ток практически не зависит от тока управления. И ещё одно преимущество возникло из-за однородности полупроводниковой структуры, управляемой электрическим полем – это положительный температурный коэффициент сопротивления, что дало возможность изготавливать эти структуры средствами микроэлектроники в виде отдельных микроячеек (до нескольких миллионов на кв. см) и при необходимости соединять их параллельно.

Созданные на этом принципе транзисторы получили название полевых (в зарубежной литературе FET или Field emission transistor). В настоящее время разработано большое количество разнообразных конструкций таких приборов. Рассмотрим полевой транзистор с изолированным затвором, в котором управляющий электрод (затвор ), отделён от полупроводника изолирующим слоем, как правило, окисью алюминия . Данная конструкция получила название МДП (металл-окисел-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник). Пространство полупроводника, где под влиянием электрического поля образуются дополнительные носители, называют каналом , вход и выход в который, соответственно, называют истоком и стоком . В зависимости от технологии изготовления каналы могут быть индуцированными (в n-материале создаётся р-проводимость или наоборот) или встроенными (в n–материале создают пространство с р-проводимостью или наоборот). На рисунке приведена типовая горизонтальная конструкция МДП-транзистора с индуцированным и со встроенным р-каналом.

УГО МДП-транзистора

Здесь представлены передаточные характеристики транзистора BUZ11, а именно зависимости тока стока и напряжения сток-исток от величины напряжения на затворе. Видно, что открытие транзистора начинается с некоторого значения Uпор и довольно быстро он входит в насыщение.

Здесь представлена статическая характеристика транзистора BUZ11, а именно зависимость тока стока от напряжения сток-исток. Метками отмечены точки перехода в режим насыщения

Устойчивость полевых транзисторов к токовым перегрузкам, высокое входное сопротивление, которое позволяет существенно уменьшить потери на управление, высокая скорость переключения, положительный температурный коэффициент сопротивления – всё это позволило приборам с полевым управлением не только практически вытеснить биполярные устройства, но и создать новое направление в электротехнике – интеллектуальную силовую электронику, где управление потоками энергии практически любой мощности осуществляется с тактовыми частотами порядка десятков килогерц, т. е. фактически в режиме реального времени.

Однако при больших токах полевые транзисторы уступают биполярным транзисторам по величине прямых потерь. Если в биполярном транзисторе при условии его насыщения потери определяются P=IКUпр, где Uпр практически не зависит от тока и примерно равно высоте потенциального барьера на двух открытых p-n переходах, то в полевых транзисторах P=IС2 Rпр, где Rпр есть в основном сопротивление однородного канала.

Решение этой проблемы было найдено в совмещении полевого управления с биполярным транзистором. Такой биполярный транзистор с изолированным затвором больше известен под его торговым наименованием IGBT (Insulation Gate Bipolar Transistor).

УГО для IGBT

Как видно, здесь к вертикальной конструкции полевого транзистора добавили в качестве подложки р+ — слой и между эмиттером Е и коллектором К образовался биполярный p-n-p транзистор. Под воздействием положительного потенциала на затворе G в р-области возникает проводящий канал, который открывает переход J1. При этом вглубь низкоомного n — слоя начинается инжекция неосновных носителей, слой J2 приоткрывается и между коллектором и эмиттером начинает протекать ток, поддерживаемый носителями в р-слое, которые удерживают p-n переход J1 в открытом состоянии. Падение напряжения на JGBT определяется падением напряжения на открытых p-n переходах J1 и J2, так же как и в обычном биполярном транзисторе. Времена выключения JGBT определяются временами рассасывания неосновных носителей из этих переходов. То есть прибор включается как полевой транзистор, а выключается как биполярный, как это видно на примере коммутации прибора GA100T560U_IR.

Данную структуру можно представить как комбинацию полевого управляющего транзистора и биполярного основного транзистора.

Температурная зависимость падения напряжения на JGBT определяется отрицательным коэффициентом на переходе J2 и положительным коэффициентом на канале р-слоя, а также n-слое. В итоге разработчикам удалось сделать превалирующим положительный температурный коэффициент, что открыло дорогу параллельному подключению этих полупроводниковых структур и дало возможность создавать приборы на практически неограниченные токи.

Сборка на IGBT для коммутации

напряжения до 3300 В и токов

Нелинейными элементами являются все полупроводниковые и электронные приборы, работающие с сигналами, мгновенные значения которых изменяются в достаточно широких пределах. Для конкретности будем рассматривать нелинейные двухполюсники, когда входным сигналом служит напряжение , а выходным — ток
в нем. Все методы и результаты можно перенести и на случай нелинейного четырехполюсника, например, — транзистора, работающего в нелинейном режиме при больших значениях амплитуды входного сигнала. Здесь выходная цепь представляется источником тока, управляемым входным напряжением.Характеристика нелинейного элемента устанавливает функциональную нелинейную связь между напряжением
и силой тока
в нем:

(2.1)

В инерционном элементе мгновенное значение тока
зависит не только от значения напряжения
в тот же момент времени, но и от значений этого напряжения в предыдущие моменты времени.Безинерционных элементов, строго говоря, не существует. Условие безинерционности выполняется приближенно, если характерное время изменения входного сигнала значительно превышает время установления процесса внутри самого нелинейного элемента. Время установления стационарного состояния в полупроводниковых приборах составляет
с.

Инерционность приборов может быть связана с инерционностью носителей тока. С увеличением частоты колебаний она начинает проявляться, когда время прохождения носителей через прибор становится соизмеримым с периодом колебаний. Такая инерционность проявляется в возникновении запаздывания (сдвига) фаз выходного тока относительно входного напряжения, изменении активного входного и выходного сопротивлений и превращении их в комплексные и т. п. В результате обычно уменьшаются коэффициенты усиления усилителей, выходные мощности генераторов. Характерным типом инерционности является тепловая инерционность в изменении температуры, а значит, — и сопротивления терморезисторов. Лишь при достаточно низкой частоте колебаний его температура элемента успевает следовать за мгновенными значениями напряжения. Например, уже при частоте
Гц сопротивление нити лампы накаливания уже практически не успевает изменяться, что обеспечивает равномерное освещение. Подобные инерционные элементы применяют в генераторах гармонических колебаний для улучшения их характеристик.

Расчет нелинейного инерционного устройства можно упростить, если удается представить его соединением двух более простых устройств: нелинейного безинерционного устройства и линейного инерционного устройства (фильтра). Такой подход можно применить, например, для расчета резонансного или полосового усилителя при больших амплитудах входного сигнала. Пусть активный элемент усилителя (транзистор или электронную лампу) можно представить безинерционным нелинейным устройством, а нелинейными искажениями в его пассивной нагрузке (колебательном контуре или системе связанных контуров) можно пренебречь. Нагрузку, содержащую реактивные элементы, аппроксимируют линейным инерционным устройством.

Нелинейными элементами, как уже указывалось, являются все полупроводниковые и электронные приборы, работающие с достаточно большими входными сигналами. На низких частотах эквивалентные схемы этих приборов можно представить в виде резистивных нелинейных элементов, особенности которых определяются вольт-амперными характеристиками, т. е. зависимостями токов от приложенных напряжений Мгновенное значение тока, протекающего через резистивный элемент, определяется по вольт-амперной характеристике напряжением в этот же момент времени. Поэтому резистивные нелинейные элементы называют также безынерционными нелинейными элементами.

На достаточно высоких частотах характеристики нелинейных элементов оказываются зависящими от частоты. Эта зависимость обусловлена:

соизмеримостью времени, затрачиваемого на движение носителей через прибор и процессы рекомбинации, с периодом воздействующих и а него колебаний. Если длительность этих процессов составляет заметную часть периода колебаний, выходной ток прибора отстает по фазе от входного сигнала, т. е. прибор становится инерционным. Инерционность прибора нередко учитывают

введением дополнительных частотно-зависимых реактивностей в эквивалентную схему.

Статические характеристики электронного прибора (они снимаются на постоянном токе) достаточно полно характеризуют прибор только в пределах тех частот, где его можно считать резистивным, т. е. безынерционным. На рис. 2.1 приведены вольт-амперные характеристики типовых нелинейных резисторов и их условные обозначения: полупроводникового (а) и туннельного (б) диодов, биполярного и полевого транзисторов, динистора Характеристики электронных ламп (диодов, триодов, тетродов, пентодов) сходны с приведенными на рис.

Характеристики бывают однозначные и многозначные. В однозначных каждому значению аргумента соответствует единственное значение функции при заданных величинах параметров (рис. 2.1 а, в-д). У вторых некоторым значениям одной величины соответствует несколько значений другой (рис. 2.16, е). Отметим, что гистерезисные характеристики являются многозначными.

Нелинейные элементы подразделяют на управляемые и неуправляемые. К первым относятся многоэлектродные приборы, имеющие раздельные вход и выход (транзисторы, сеточные электронные или ионные приборы), поскольку в них можно управлять выходной характеристикой изменением входного воздействия. Неуправляемыми являются двухэлектродные приборы (диоды).

Если известна некоторая (прямая) зависимость то зависимость называют обратной. Так, прямой характеристике соответствует обратная

Приборы, имеющие падающие участки на вольт-амперных характеристиках, где производные или называют приборами с отрицательным сопротивлением. В зависимости от того, какую букву напоминает форма характеристики прибора, различают два типа отрицательных сопротивлений: сопротивления -типа, вид вольт-амперной характеристики которых сходен с приведенной на рис. 2.16; они же называются отрицательными сопротивлениями, управляемыми напряжением, поскольку именно напряжение однозначно определяет режим их работы; сопротивления S-типа, вольт-амперные характеристики которых соответствуют рис. 2.1е; они же называются отрицательными сопротивлениями, управляемыми током, так как их режим однозначно определяется протекающим через прибор током. Если на рис. поменять местами координатные оси, то характеристика этого прибора примет -образный вид. Дифференциальные сопротивления элементов обоих типов являются отрицательными на участках и положительными за их пределами. Приборами -типа являются туннельные диоды, диоды Ганна, лампы при наличии в них динатронного эффекта; приборами -типа — некоторые ионные (газотроны, неоновые лампы) и полупроводниковые (динистры, тиристоры, лавинно-пролетные диоды) приборы.

Для расчета схем с нелинейными элементами применяются графические, аналитические и машинные методы. Достоинством графических методов является возможность наглядного определения токов и напряжений в схеме при заданных ее параметрах. Однако графическое решение не позволяет установить аналитические зависимости между изменением параметров устройства и величинами его токов и напряжений, определить оптимальные значения параметров и т. п. Аналитические методы обеспечивают установление таких зависимостей, и в этом их главное достоинство. При анализе сложных схем особенно с высокой точностью аналитические решения оказываются или очень громоздкими, или практически невозможными. Тогда применяют машинные методы исследования.

Определим графически (рис. 2.2) ток, протекающий через резистивный нелинейный элемент, под действием напряжения

Используемый для этого метод проекций состоит в следующем: на графике замечаем величины и в различные моменты затем по вольт-амперной характеристике находим соответствующие значения тока и откладываем их плоскости

Огибающая последних дает зависимость Построение удобно начинать с определения тока в моменты, соответствующие максимальному, минимальному и среднему значениям напряжения и лишь затем находить промежуточные значения тока. При воздействии гармонического сигнала (2.1) ток оказывается периодической функцией той же частоты но иной формы.

Классификация нелинейных элементов

Нелинейные электрические цепи

РАЗДЕЛ II. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЦЕПИ

Нелинейные цепи — это цепи, в которых есть хотя бы один нелинейный элемент, Нелинейный элемент — это элемент, для которого связь тока и напряжения задают нелинейным уравнением.

В нелинейных цепях не выполняется принцип наложения, и поэтому нет общих методов расчёта. Это вызывает необходимость разработки специальных методов расчета для каждого типа нелинейных элементов и режима их работы.

Нелинейные элементы классифицируют:

1) по физической природе : проводниковые, полупроводниковые, диэлектрические, электронные, ионные и т.д.;

2) по характеру делят на резистивные, емкостные и индуктивные;

ВАХ КВХ ВАХ

3) по виду характеристик все элементы делят

На симметричные и несимметричные. Симметричные – это такие, у которых характеристика симметрична относительно начала координат. Для не симметричных элементов раз и навсегда выбирают положительное направление напряжения или тока и для них в справочниках приводится ВАХ. Только такое направление можно использовать при решении задач с использованием этих ВАХ.

На однозначные и неоднозначные. Неоднозначные, когда одному значению тока или напряжения на ВАХ соответствуют несколько точек;

4) инерционные и безынерционные элементы. Инерционными элементами называют такие элементы, у которых нелинейность обусловлена нагревом тела при прохождении тока. Т. к. температура не может изменяться сколь угодно быстро, то при прохождении по такому элементу переменного тока с достаточно высокой частотой и неизменным действующим значением, температура элемента остается практически постоянной в течение всего периода изменения тока. Поэтому для мгновенных значений элемент оказывается линейным и характеризуется какой-то постоянной величиной R (I,U). Если же изменится действующее значение тока, то изменится температура и получится другое сопротивление, т. е. для действующих значений элемент станет нелинейным.

5) управляемые и неуправляемые элементы. Выше мы говорили о неуправляемых элементах. К управляемым элементам относят элементы с тремя и более выводами, у которых, изменяя ток или напряжение на одном выводе, можно менять ВАХ относительно других выводов.

В зависимости от конкретной задачи удобно применять те или иные параметры элементов и общее число их велико, но чаще всего используют статические и дифференциальные параметры. Для резистивного двухполюсного элемента это будут статическое и дифференциальное сопротивления.

В заданной точке ВАХ

В заданной рабочей точке ВАХ

1. Дают небольшое приращение напряжения. Находят по ВАХ, вызванное этим приращением, приращение тока и берут их отношение. Недостатком этого способа является то, что для повышения точности расчета нужно уменьшать DU и DI , но при этом трудно работать с графиком.

2. К заданной точке кривой проводят касательную и тогда по геометрическому определению производной, получают

Где приращения берут на этой касательной и могут быть сколь угодно большими.

Если известен режим работы нелинейного элемента, то в этой точке известно его статическое сопротивление, а также напряжение и ток, поэтому его можно заменить одним из 3-х способов.

Если известно, что во время работы цепи ток и напряжение меняются в пределах «более-менее прямолинейного участка ВАХ», то этот участок описывают линейным уравнением и ставят ему в соответствие такую эквивалентную схему.

Линеаризуют этот участок уравнением вида U=a+ib .Получают для него коэффициенты уравнения.

При i =0 и U=U 0 =а ,

Нелинейные элементы можно разделить на три группы: нели­нейные активные сопротивления r, нелинейные индуктивности L и нелинейные емкости С. Примером нелинейных активных сопро­тивлений являются вакуумные и полупроводниковые диоды и триоды, нелинейных индуктивностей — индуктивные катушки и трансформаторы с магнитопроводом, нелинейных емкостей — кон­денсаторы с диэлектриком из сегнетоэлектрика.

В каждой из этих групп нелинейные элементы, в свою очередь, можно разделить на два класса: неуправляемые и управляемые нелинейные элементы.

Неуправляемые нелинейные элементы всегда можно предста­вить в виде двухполюсника. Ток этого двухполюсника зависит только от напряжения, приложенного к его зажимам. Такой нели­нейный элемент характеризуется одной вольт-амперной характери­стикой. Примером неуправляемого нелинейного сопротивления яв­ляется вакуумный или полупроводниковый диод.

Управляемые нелинейные элементы обычно являются многопо­люсниками. Ток в главной цепи такого элемента зависит не только от напряжения, приложенного к главной цепи, но и от других па­раметров (управляющих факторов). Управляющие факторы могут быть электрическими и неэлектрическими. Примерами управляе­мых нелинейных элементов с электрическим управляющим фак­тором являются многоэлектродные электронные лампы и магнит-

ные усилители. Примером управляемого нелинейного сопротивле­ния с неэлектрическим управляющим фактором является фоторе­зистор, величина тока через который зависит от величины осве­щенности.

Неуправляемые нелинейные активные сопротивления по прин­ципу тепловой инерционности можно разделить на две группы: инерционные и безынерционные.

Примером инерционных сопротивлений являются лампы нака­ливания и термисторы. У этих элементов существенно нелинейной является зависимость только между действующими или амплитуд­ными значениями токов и напряжений. Из-за тепловой инерцион­ности за время периода синусоидального тока сопротивление этих элементов меняется несущественно. Поэтому с достаточной для практики точностью можно считать, что зависимость между мгно­венными значениями тока и напряжения в пределах одного пе­риода является линейной.

Примером безынерционных сопротивлений являются ламповые и полупроводниковые диоды и триоды при не очень высоких часто­тах. Здесь характеристики нелинейны как для действующих, так и для мгновенных значений токов и напряжений.

Следует отметить, что все реальные элементы электрических цепей обладают некоторой нелинейностью. Поэтому деление элек­трических цепей на линейные и нелинейные является условным. Элемент цепи может считаться линейным или нелинейным в зави­симости от степени нелинейности и той задачи, которая ставится при рассмотрении данной цепи.

Тематические материалы:

Обновлено: 28.11.2021

103583

Если заметили ошибку, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter

Параметры импортных полевых транзиторов

ИМПОРТНЫЕ МОЩНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Страница обновлена

Главная Обо мне Гостевая книга Обратная связь Новости Ссылки Космонавтика Софт Антенны Конструкции Схемы Модернизация Радиолюбительская технология Справочники QSL-bureau

Главная / Справочники /..

По материалам журнала «Радио. Телевизия. Електроника», 2/99

 

  Тип Uc max, B Rси max, Ом Ic max, A Pc max, Вт Корпус  
  1 2 3 4 5 6  
  STH60N0SFI 50 0,023 40,0 65 ISOWATT218  
  STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220  
  STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220  
  STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218  
  IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220  
  BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3  
  SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218  
  IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220  
  IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220  
  BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220  
  BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3  
  BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220  
  SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220  
  SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218  
  BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220  
  BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220  
  IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220  
  BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220  
  IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220  
  BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220  
  IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220  
  BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220  
  IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220  
  BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220  
  SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220  
  SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220  
  MTh50N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218  
  MTh50N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218  
  SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218  
  BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220  
  IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218  
  SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220  
  SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218  
  IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218  
  SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220  
  MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220  
  МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220  
  IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220  
  IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220  
  IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220  
  SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218  
  IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3  
  IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220  
  IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220  
  SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220  
  IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3  
  SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218  
  IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220  
  IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220  
  IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220  
  IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220  
  IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220  
  IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220  
  IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220  
  IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218  
  BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3  
  IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3  
  IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220  
  SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218  
  IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218  
  IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220  
  BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220  
  BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3  
  IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3  
  IRF542 100′ 0,10 25,0 125 ТО-220  
  SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220  
  SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218  
  IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220  
  IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220  
  BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220  
  IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220  
  IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220  
  BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220  
  IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220  
  SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220  
  IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220  
  IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220  
  IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220  
  SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220  
  IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220  
  SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220  
  IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220  
  IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220  
  IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220  
  STh43N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220  
  SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3  
  SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218  
  8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3  
  SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220  
  BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220  
  SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220  
  IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220  
  IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220  
  IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220  
  IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220  
  IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220  
  IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220  
  IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220  
  IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220  
               
  IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220  
  IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218  
  IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3  
  IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218  
  IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220  
  SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218  
  IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220  
  IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220  
  BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220  
  IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220  
  IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220  
  IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220  
  SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220  
  IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218  
  SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218  
  IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220  
  IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220  
  IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220  
  SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220  
  IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220  
  IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220  
  SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220  
  IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220  
  IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220  
  IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218  
  BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218  
  BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3  
  SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3  
  SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218  
  BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218  
  BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3  
  IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220  
  IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220  
  IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220  
  IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220  
  IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220  
  SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220  
  IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220  
  BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220  
  IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220  
  SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220  
  MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218  
  MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220  
  MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220  
  MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220  
  STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218  
  STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218  
  STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218  
  STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218  
  STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218  
  STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218  
  BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220  
  BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220  
  BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220  
  BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220  
  STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218  
  STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218  
  STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218  
  STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218  
  SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240  
  SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240  
  SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240  
  SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240  
  TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop  
  TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop  
  TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop  
  TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop  
  TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop  
  TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop  
  TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop  
  TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop  
  TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop

 

На главную     Наверх

Шим на ne555 для блока питания. Подробное описание, применение и схемы включения таймера NE555. Для схемы «усовершенствование блока питания»

Таймеры так же заслуживают внимания в деле строительства лабораторных источников питания. Обладая универсальностью, хорошими нагрузочными свойствами и работая в достаточно широком диапазоне частот, таймеры, как нельзя лучше подходят для создания простых импульсных ЛБП. Отсюда, видимо, и любовь создателей наиболее популярных серий ШИ-регуляторов к «таймерным» задающим генераторам, ведь, как известно, времязадающая часть серии 38ХХ и многих семейств прочих производителей, включая легендарный Viper, выполнена именно на таком генераторе.

В отличии от своих более специфичных собратьев по «импульсно-силовому» цеху, знаменитый менее привередлив к условиям запуска, работая в диапазоне напряжений 3-18В, и не менее универсален, что позволяет на базе этой простой микросхемы создать самодостаточное «ядро» управления импульсным ЛБП с ничуть не худшими параметрами, чем на специализированных микросхемах.

Схема 6


На схеме 6 приведен несложный вариант импульсно-линейного концепта на .
Как видно, в схеме использованы практически все те же самые ключевые узлы и цепи регулировки, поэтому отдельно и вновь описывать их не имеет особого смысла.

Схема включения таймера так же не имеет секретов. Обращу внимание лишь на то, как организовано регулирование выходного напряжения. Выводы 5 и 6 таймера являются разнопролярными входами дифференциального каскада встроенного компаратора. На прямом входе (вывод 6) компаратора при помощи R3, C4 и разрядного транзистора, встроенного в таймер, формируется треугольное напряжение, уровень которого сравнивается с напряжением на инверсном входе компаратора (вывод 5).

Чем ниже уровень напряжения на инверсном входе (которое первоначально образовано встроенным делителем напряжения), тем ранее во времени происходит опрокидывание выхода (вывод 3) таймера в «0», тем короче выходной положительный импульс, тем меньшее время силовой ключ VT3 находится в открытом состоянии, насыщая контур L1-C6, тем меньше выходное напряжение ЛБП. Увеличивая напряжение на выводе 5, получаем обратную картину. В данном случае, применительно к схеме 6 и 7, управление напряжением на выводе 5 таймера осуществляется оптроном IC1.
При достижении на входе/выходе DA2 некоторого падения напряжения (2,9-3,3В приблизительно, зависит от типа оптрона, резистора R5), светодиод оптрона зажигается, провоцируя отпирание собственного транзистора, который, в свою очередь, обесточивает инверсный вход встроенного компаратора таймера. Выход таймера опрокидывается в «0», запирая силовой ключ VT3 (запирая драйвер VT1 в схеме 7).

Замечания по схеме. Для нормального функционирования данного ЛБП, ключ которого выполнен на мощном полевом транзисторе, не стоит пренебрегать наличием стабилизатора на VT1, т. к. в противном случае, качество управляющих импульсов может быть ухудшено из-за относительно больших импульсных токов в момент заряда затвора ПТ.
Это замечание справедливо и для других схем (предыдущих и последующих, где этот стабилизатор «прописан»), описанных в данной статье.

Схема 7


Схема 7 является прототипом схемы 1 и ничего нового сказать о макете ЛБП, показанном на схеме 7, я не могу. Испытывался этот вариант при тех же входных напряжениях, способен обеспечить те же выходные параметры (в условиях, ограниченных макетной сборкой), что и прототип, построенный на семействе микросхем 38ХХ.

Схема 8


Простейший вариант импульсного ЛБП с применением таймера изображен на схеме 8. Никаких особенностей, если не считать, что в качестве элемента, следящего за напряжением в средней точке делителя P1-R8, применен маломощный полевой транзистор КП501А , который справляется со многими задачами в приведенных схемах лучше своих биполярных собратьев. Он же гораздо дешевле своих зарубежных прототипов.

Осциллограммы

На осциллограммах 1-4 показаны ШИ и релейные режимы в зависимости от регулировок выходного напряжения при практически нулевой нагрузке. Видно, что при смещении диапазона регулировки в сторону низких напряжений, ШИ-регулирование сочетается с релейным. Такой режим характерен для всех приведенных в статье схем.


Осциллограмма 1


Осциллограмма 2


Осциллограмма 3


Осциллограмма 4

Фотки


На Рис1, 2 показан участок макетки, на которой отрабатывались схемы ЛБП.
Несмотря на несвойственный для силовых импульсных устройств монтаж, монтируемые схемы выдавали заявленные результаты.

С аналоговым интегральным таймером SE555/NE555 (КР1006), выпускаемым компанией Signetics Corporation с далекого 1971 года прекрасно знакомо большинство советских и зарубежных радиолюбителей. Трудно перечислить, для каких только целей не использовалась эта недорогая, но многофункциональная микросхема за почти полувековой период своего существования. Однако, даже несмотря на быстрое развитие электронной промышленности в последние годы, она по-прежнему продолжает пользоваться популярностью и выпускается в значительных объемах.
Предлагаемая Jericho Uno простенькая схемка автомобильного ШИМ-регулятора – не профессиональная, полностью отлаженная разработка, отличающаяся своей безопасностью и надежностью. Это всего лишь небольшой дешевый эксперимент, собранный на доступных бюджетных деталях и вполне удовлетворяющий минимальным требованиям. Поэтому его разработчик не берет на себя ответственности за все то, что может произойти с вашим оборудованием при эксплуатации смоделированной схемы.

Схема ШИМ регулятор на NE555

Для создания ШИМ-устройства вам понадобится:
  • электропаяльник;
  • микросхема NE555;
  • переменный резистор на 100 кОм;
  • резисторы на 47 Ом и 1 кОм по 0,5W;
  • конденсатор на 0,1 мкФ;
  • два диода 1N4148 (КД522Б).

Пошаговая сборка аналоговой схемы

Построение цепи начинаем с установки перемычек на микросхему. Используя паяльник, замыкаем между собой следующие контакты таймера: 2 и 6, 4 и 8.


Дальше, руководствуясь направлением движения электронов, распаиваем на переменном резисторе «плечи» диодного моста (проход тока в одну сторону). Номиналы диодов подобраны из имеющихся в наличие, недорогих. Можно заменить их любыми другими – это практически не повлияет на работу схемы.


Во избежание короткого замыкания и перегорания микросхемы при выкручивании переменного резистора в крайнее положение, ставим по питанию шунтирующее сопротивление в 1 кОм (контакты 7-8).


Поскольку NE555 выступает в роли генератора пилы, для получения схемы с заданной частотой, длительностью импульса и паузой, осталось подобрать резистор и конденсатор. Неслышных 18 кГц нам даст конденсатор 4,7 нФ, но такое малое значение емкости вызовет перекос плеч при работе микросхемы. Ставим оптимальную в 0,1 мкФ (контакты 1-2).


Избежать противного «пищания» схемы и подтянуть выход к высокому уровню можно чем-то низкоомным, например резистором 47-51 Ом.


Осталось подключить питание и нагрузку. Схема рассчитана на входное напряжение бортовой сети автомобиля 12V постоянного тока, но для наглядной демонстрации вполне запустится и от 9V батареи. Подключаем ее на вход микросхемы, соблюдая полярность (плюс на 8 ножку, минус на 1 ножку).


Осталось разобраться с нагрузкой. Как видно из графика, при понижении переменным резистором выходного напряжения до 6V пила на выходе (ножки 1-3) сохранилась, то есть NE555 в данной схеме и генератор пилы и компаратор одновременно. Ваш таймер работает в а-стабильном режиме и имеет коэффициент заполнения меньше 50%.


Модуль выдерживает 6-9 А проходного постоянного тока, так что при минимальных потерях можно подключить к нему как светодиодную полосу в автомобиле, так и маломощный двигатель, который и дым развеет и лицо в жару обдует. Примерно так:


Или так:

Принцип работы ШИМ регулятора

Работа ШИМ регулятора достаточно проста. Таймер NE555 отслеживает напряжение на емкости С. При ее заряде до достижения максимума (полный заряд) происходит открывание внутреннего транзистора и появлению логического нуля на выходе. Далее емкость разряжается, что приводит к закрытию транзистора и приходу к выходу логической единицы. При полном разряде емкости происходит переключение системы и все повторяется. В момент заряда ток идет по одному плечу, а при разряде – по-другому. Переменным резистором мы меняем соотношение сопротивления плеч, автоматически понижая либо увеличивая напряжение на выходе. В схеме наблюдается частичное отклонение частоты, но в слышимый диапазон она не попадает.

Смотирте видео работы ШИМ регулятора

Схема регулятора основанного на широтно-импульсной модуляции или просто , может быть использована для изменения оборотов двигателя постоянного тока на 12 вольт. Регулирование частоты вращения вала при помощи ШИМ дает большую производительность, чем при использовании простого изменения постоянного напряжения подаваемого на двигатель.

Шим регулятор оборотов двигателя

Двигатель подключен к полевому транзистору VT1, который управляется ШИМ мультивибратором, построенным на популярном таймере NE555. Из-за применения схема регулирования оборотов получилась достаточно простой.

Как уже было сказано выше, шим регулятор оборотов двигателя выполнен с помощью простого генератора импульсов вырабатываемого нестабильным мультивибратором с частотой 50 Гц выполненного на таймере NE555. Сигналы с выхода мультивибратора обеспечивают смещение на затворе MOSFET транзистора.

Длительность положительного импульса можно регулировать переменным резистором R2. Чем больше ширина положительного импульса поступающего на затвор MOSFET транзистора, тем больше мощность поступает на двигатель постоянного тока. И наоборот чем уже ширина его, тем меньше мощности передается и как следствие понижаются обороты двигателя . Данная схема может работать от источника питания в 12 вольт.

Характеристики транзистора VT1 (BUZ11):

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Вт): 75
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (В): 50
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (В): 20
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (А): 30

Импульсный регулятор предназначен для питания низковольтных ламп накаливания или галогенных ламп. На рисунке показана схема уст-ва, NE555 используется в качестве астабильного генератора и вырабатывает импульсы с изменяемой скважностью (0,1 до 0,99). Коэффициент заполнения регулируется резистором R4. NE555 управляет работой транзистора VT1, уст-во можно использовать с лампами мощностью до 60 Вт(12В), при этом радиатор на транзистор […]

Малогабаритный блок питания используется вместо батареи КРОНА и размещается в батарейном отсеке прибора. В блоке питания использован преобразователь напряжения (15кГц). Выходное напряжение БП 9В при токе нагрузки 50 мА. Выпрямитель на диоде VD1 питается от ограничителя напряжения стабилитроне VD2. Выпрямленное напряжение которое подается на преобразователь (VT1) равно 15В. Напряжение со вторичной обмотки трансформатора выпрямляется диодом […]


Данный импульсный источник питания можно использовать в стерео усилителях. Выходной каскад выполнен по однотактной схеме с обратным включением выпрямителей. Предвыходной преобразователь выполнен по бестрансформаторной схеме на 3-х транзисторах VT1-VT3. С вывода 13 ИМС снимается отрицательный импульс, длительность которого пропорциональна напряжению ОС, поступающему на вывод 3 ИМС. Импульс положительной полярности снимаемый с коллектора VT1, открывает VT2, […]


При включении питания, С1 плавно заряжается через R4, который служит для защиты диодного моста от перегрузки в момент включения. В колебательном контуре возникает колебательный процесс благодаря делителям R2R6, R1R3, R5R7. Энергия снимается с колебательного контура вторичными обмотками IV и V. ВЧ колебания выпрямляются диодами VD5VD6 и сглаживаются конденсатором С3. Стабилизирующей нагрузкой служит стабилитрон VD7. Ток […]

Так большинство цифровых микросхем имеют питание +5В, то при применении вакуумного индикатора возникают проблемы с его питанием. Дело в том, что практически все индикаторы типа ИВ или ИВЛ рассчитаны на анодное напряжение 22-27В и переменное 3-3,5В. Такие индикаторы абсолютно не работоспособны при питании 5В. Для обеспечения нормальной работы индикатора от 5В необходимо ввести в схему […]

Для питания приборов на ОУ требуется напряжение +/-10…15В, при токе потребления не более 10-20мА(2-3 ОУ), именно для таких уст-в разработан данный ИБП. Сетевое напряжение гасится до уровня 50В, при помощи параметрического стабилизатора — С1 VD1 C2 VD2. Этим напряжением питается 2-х тактный импульсный генератор на VT1 VT2 собранный по схеме симметричного мультивибратора. К коллекторной цепи […]

Блок бесперебойного питания обеспечивает выходную мощность до 220 Вт. В схеме (см. рисунок) и напряжение свинцового автомобильного аккумулятора GB1 приложено к задающему генератору на микросхеме DD1 частотой 50 Гц, который раскачивает мощные ключевые транзисторы, попеременно прикладывающие 12 В к обмоткам Ia и Iб повышающего трансформатора Т2. С вторичной обмотки Т2 напряжение 220 В частотой 50 […]

Импульсный блок питания (см. рисунок) состоит из выпрямителей сетевого напряжения, задающего генератора, формирователя прямоугольных импульсов регулируемой ширины, двухкаскадного усилителя мощности, выходных выпрямителей и схемы стабилизации выходного напряжения. Задающий генератор, выполненный на элементах микросхемы DD1.1, DD1.2 (К555ЛА3), вырабатывает прямоугольные импульсы частотой 150 кГц. На элементах DD1.3, DD1.4 собран RS-триггер, на выходе которого частота выходных сигналов составляет […]

Каждый радиолюбитель не раз встречался с микросхемой NE555. Этот маленький восьминогий таймер завоевал колоссальную популярность за функциональность, практичность и простоту использования. На 555 таймере можно собрать схемы самого различного уровня сложности: от простого триггера Шмитта, с обвеской всего в пару элементов, до многоступенчатого кодового замка с применением большого количества дополнительных компонентов.

В данной статье детально ознакомимся с микросхемой NE555, которая, несмотря на свой солидный возраст, по-прежнему остается востребована. Стоит отметить, что в первую очередь данная востребованность обусловлена применением ИМС в схемотехнике с использованием светодиодов.

Описание и область применения

NE555 является разработкой американской компании Signetics, специалисты которой в условиях экономического кризиса не сдались и смогли воплотить в жизнь труды Ганса Камензинда. Именно он в 1970 году сумел доказать важность своего изобретения, которое на тот момент не имело аналогов. ИМС NE555 имела высокую плотность монтажа при низкой себестоимости, чем заслужила особый статус.

Впоследствии её стали копировать конкурирующие производители из разных стран мира. Так появилась отечественная КР1006ВИ1, которая так и осталась уникальной в данном семействе. Дело в том, что в КР1006ВИ1 вход останова (6) имеет приоритет над входом запуска (2). В импортных аналогах других фирм такая особенность отсутствует. Данный факт следует учитывать при разработке схем с активным использованием двух входов.

Однако в большинстве случаев приоритеты не влияют на работу устройства. С целью снижения мощности потребления, ещё в 70-х годах прошлого века был налажен выпуск таймера КМОП-серии. В России микросхема на полевых транзисторах получила название КР1441ВИ1.

Наибольшее применение 555 таймер нашёл в построении схем генераторов и реле времени с возможностью задержки от микросекунд до нескольких часов. В более сложных устройствах он выполняет функции по исключению дребезга контактов, ШИМ, восстановлению цифрового сигнала и так далее.

Особенности и недостатки

Особенностью таймера является внутренний делитель напряжения, который задаёт фиксированный верхний и нижний порог срабатывания для двух компараторов. Ввиду того что делитель напряжения нельзя исключить, а пороговым напряжением нельзя управлять, область применения NE555 сужается.

Таймеры, собранные на КМОП-транзисторах, лишены перечисленных недостатков и не нуждаются в монтаже внешних конденсаторов.

Основные параметры ИМС серии 555

Внутреннее устройство NE555 включает в себя пять функциональных узлов, которые можно видеть на логической диаграмме. На входе расположен резистивный делитель напряжения, который формирует два опорных напряжения для прецизионных компараторов. Выходные контакты компараторов поступают на следующий блок – RS-триггер с внешним выводом для сброса, а затем на усилитель мощности. Последним узлом является транзистор с открытым коллектором, который может выполнять несколько функций, в зависимости от поставленной задачи.

Рекомендуемое напряжение питания для ИМС типа NA, NE, SA лежит в интервале от 4,5 до 16 вольт, а для SE может достигать 18В. При этом ток потребления при минимальном Uпит равен 2–5 мА, при максимальном Uпит – 10–15 мА. Некоторые ИМС 555 КМОП-серии потребляют не более 1 мА. Наибольший выходной ток импортной микросхемы может достигать значения в 200 мА. Для КР1006ВИ1 он не выше 100 мА.

Качество сборки и производитель сильно влияют на условия эксплуатации таймера. Например, диапазон рабочих температур NE555 составляет от 0 до 70°C, а SE555 от -55 до +125°C, что важно знать при конструировании устройств для работы в открытой окружающей среде. Более детально ознакомиться с электрическими параметрами, узнать типовые значения напряжения и тока на входах CONT, RESET, THRES, и TRIG можно в datasheet на ИМС серии XX555.

Расположение и назначение выводов

NE555 и её аналоги преимущественно выпускаются в восьмивыводном корпусе типа PDIP8, TSSOP или SOIC. Расположение выводов независимо от корпуса – стандартное. Условное графическое обозначение таймера представляет собой прямоугольник с надписью G1 (для генератора одиночных импульсов) и GN (для мультивибраторов).

  1. Общий (GND). Первый вывод относительно ключа. Подключается к минусу питания устройства.
  2. Запуск (TRIG). Подача импульса низкого уровня на вход второго компаратора приводит к запуску и появлению на выходе сигнала высокого уровня, длительность которого зависит от номинала внешних элементов R и С. О возможных вариациях входного сигнала написано в разделе «Одновибратор».
  3. Выход (OUT). Высокий уровень выходного сигнала равен (Uпит-1,5В), а низкий – около 0,25В. Переключение занимает около 0,1 мкс.
  4. Сброс (RESET). Данный вход имеет наивысший приоритет и способен управлять работой таймера независимо от напряжения на остальных выводах. Для разрешения запуска необходимо, чтобы на нём присутствовал потенциал более 0,7 вольт. По этой причине его через резистор соединяют с питанием схемы. Появление импульса менее 0,7 вольт запрещает работу NE555.
  5. Контроль (CTRL). Как видно из внутреннего устройства ИМС он напрямую соединен с делителем напряжения и в отсутствие внешнего воздействия выдаёт 2/3 Uпит. Подавая на CTRL управляющий сигнал, можно получить на выходе модулированный сигнал. В простых схемах он подключается к внешнему конденсатору.
  6. Останов (THR). Является входом первого компаратора, появление на котором напряжения более 2/3Uпит останавливает работу триггера и переводит выход таймера в низкий уровень. При этом на выводе 2 должен отсутствовать запускающий сигнал, так как TRIG имеет приоритет перед THR (кроме КР1006ВИ1).
  7. Разряд (DIS). Соединен напрямую с внутренним транзистором, который включен по схеме с общим коллектором. Обычно к переходу коллектор-эмиттер подключают времязадающий конденсатор, который разряжается, пока транзистор находится в открытом состоянии. Реже используется для наращивания нагрузочной способности таймера.
  8. Питание (VCC). Подключается к плюсу источника питания 4,5–16В.

Режимы работы NE555

Таймер 555 серии работает в одном из трёх режимов, рассмотрим их более детально на примере микросхемы NE555.

Одновибратор

Принципиальная электрическая схема одновибратора приведена на рисунке. Для формирования одиночных импульсов, кроме микросхемы NE555, понадобится сопротивление и полярный конденсатор. Схема работает следующим образом. На вход таймера (2) подают одиночный импульс низкого уровня, который приводит к переключению микросхемы и появлению на выходе (3) высокого уровня сигнала. Продолжительность сигнала рассчитывается в секундах по формуле:

По истечении заданного времени (t) на выходе формируется сигнал низкого уровня (исходное состояние). По умолчанию вывод 4 объединен с выводом 8, то есть имеет высокий потенциал.

Во время разработки схем нужно учесть 2 нюанса:

  1. Напряжение источника питания не влияет на длительность импульсов. Чем больше напряжение питания, тем выше скорость заряда времязадающего конденсатора и тем больше амплитуда выходного сигнала.
  2. Дополнительный импульс, который можно подать на вход после основного, не повлияет на работу таймера, пока не истечет время t.

На работу генератора одиночных импульсов можно влиять извне двумя способами:

  • подать на Reset сигнал низкого уровня, который переведёт таймер в исходное состояние;
  • пока на вход 2 поступает сигнал низкого уровня, на выходе будет оставаться высокий потенциал.

Таким образом, с помощью одиночных сигналов на входе и параметров времязадающей цепочки можно получать на выходе импульсы прямоугольной формы с чётко заданной длительностью.

Мультивибратор

Мультивибратор представляет собой генератор периодических импульсов прямоугольной формы с заданной амплитудой, длительностью или частотой, в зависимости от поставленной задачи. Его отличие от одновибратора состоит в отсутствии внешнего возмущающего воздействия для нормального функционирования устройства. Принципиальная схема мультивибратора на базе NE555 показана на рисунке.

В формировании повторяющихся импульсов участвуют резисторы R 1 , R 2 и конденсатор С 1 . Время импульса (t 1), время паузы(t 2), период (T) и частоту (f) рассчитывают по нижеприведенным формулам: Из данных формул несложно заметить, что время паузы не сможет превысить время импульса, то есть достичь скважности (S=T/t 1) более 2 единиц не удастся. Для решения проблемы в схему добавляют диод, катод которого соединяют с выводом 6, а анод с выводом 7.

В datasheet на микросхемы часто оперируют величиной, обратной скважности — Duty cycle (D=1/S), которую отображают в процентах.

Схема работает следующим образом. В момент подачи питания конденсатор С 1 разряжен, что переводит выход таймера в состояние высокого уровня. Затем С 1 начинает заряжаться, набирая ёмкость до верхнего порогового значения 2/3 U ПИТ. Достигнув порога ИМС переключается, и на выходе появляется низкий уровень сигнала. Начинается процесс разряда конденсатора (t 1), который продолжается до нижнего порогового значения 1/3 U ПИТ. По его достижении происходит обратное переключение, и на выходе таймера устанавливается высокий уровень сигнала. В результате схема переходит в автоколебательный режим.

Прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером

Внутри таймера NE555 встроен двухпопроговый компаратор и RS-триггер, что позволяет реализовывать прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером на аппаратном уровне. Входное напряжение делится компаратором на три части, при достижении каждой из которых происходит очередное переключение. При этом величина гистерезиса (обратного переключения) равна 1/3 U ПИТ. Возможность применения NE555 в качестве прецизионного триггера востребована в построении систем автоматического регулирования.

3 наиболее популярные схемы на основе NE555

Одновибратор

Практический вариант схемы одновибратора на TTL NE555 приведен на рисунке. Схема питается однополярным напряжением от 5 до 15В. Времязадающими элементами здесь являются: резистор R 1 – 200кОм-0,125Вт и электролитический конденсатор С 1 – 4,7мкФ-16В. R 2 поддерживает на входе высокий потенциал, пока некоторое внешнее устройство не сбросит его до низкого уровня (например, транзисторный ключ). Конденсатор С 2 защищает схему от сквозных токов в моменты переключения.

Активизация одновибратора происходит в момент кратковременного замыкания на землю входного контакта. При этом на выходе формируется высокий уровень длительностью:

t=1,1*R 1 *C 1 =1,1*200000*0,0000047=1,03 c.

Таким образом, данная схема формирует задержку выходного сигнала относительно входного на 1 секунду.

Мигание светодиодом на мультивибраторе

Отталкиваясь от рассмотренной выше схемы мультивибратора можно собрать простую светодиодную мигалку. Для этого к выходу таймера последовательно с резистором подключают светодиод. Номинал резистора находят по формуле:

R=(U ВЫХ -U LED)/I LED ,

U ВЫХ – амплитудное значение напряжения на выводе 3 таймера.

Количество подключаемых светодиодов зависит от типа применяемой микросхемы NE555, её нагрузочной способности (КМОП или ТТЛ). Если необходимо мигать светодиодом мощностью более 0,5 Вт, то схему дополняют транзистором, нагрузкой которого станет светодиод.

Реле времени

Схема регулируемого таймера (электронное реле времени) показана на рисунке.
С её помощью можно вручную задавать длительность выходного сигнала от 1 до 25 секунд. Для этого последовательно с постоянным резистором в 10 кОм устанавливают переменный номиналом в 250 кОм. Ёмкость времязадающего конденсатора увеличивают до 100 мкФ.

Схема работает следующим образом. В исходном состоянии на выводе 2 присутствует высокий уровень (от источника питания), а на выводе 3 низкий уровень. Транзисторы VT1, VT2 закрыты. В момент подачи на базу VT1 положительного импульса по цепи (Vcc-R2-коллектор-эмиттер-общий провод) протекает ток. VT1 открывается и переводит NE555 в режим отсчета времени. Одновременно на выходе ИМС появляется положительный импульс, который открывает VT2. В результате ток эмиттера VT2 приводит к срабатыванию реле. Пользователь может в любой момент прервать выполнение задачи, кратковременно закоротив RESET на землю.

Транзисторы SS8050, приведенные на схеме, можно заменить на КТ3102.

Рассмотреть все популярные схемы на основе NE555 в одной статье невозможно. Для этого существуют целые сборники, в которых собраны практические наработки за всё время существования таймера. Надеемся, что приведенная информация послужит ориентиром во время сборки схем, в том числе нагрузкой которых служат светодиоды.

Читайте так же

Выбор акустики под audison vr 404 evolution

FFZ, подскажите пож-та где почитать про алгоритм выяснения неисправности. я еще оочень зеленый в этом. и ведь чтобы начать проверять управление нужно будет все равно снимать irfz44… и скорее всего проверять ШИМ…

з.ы.: нашел алгоритм проверки микросхемы ШИМ-контроллера TL494.

1 Сначала необходимо измерить напряжение питания микросхемы (выв.12), которое должно составлять 10 -15В (по ТУ допускается 7-40 В). Если этого напряжения нет или оно сильно снижено, следует перерезать дорожку печатной платы, идущую к выводу 12, и вновь провести измерение. Если напряжение появится, значит, микросхема неисправна и подлежит замене. Если же напряжение не появилось, следует проследить эту цепь дальше. В некоторых моделях это напряжение получается из маленького трансформатора, подключенного к высоковольтному выпрямителю; к его вторичной обмотке со средней точкой подключен двухполупериодный выпрямитель и фильтрующий конденсатор.

2​ Далее проверить выход опорного напряжения (выв. 14), которое должно быть +5 В. Это напряжение используется для подачи через резистивные делители на входы компараторов. Если оно превышает номинальное более чем на 10% или равно напряжению питания, микросхема подлежит замене. Если опорное напряжение меньше номинального или равно нулю, следует обрезать дорожку на печатной плате, ведущую к выв. 14. Если после этого оно повысилось до номинального, неисправность находится вне микросхемы, если не изменилось -микросхема подлежит замене.

3​ Подключить щуп осциллографа к выводу 5 микросхемы. На нем должно быть пилообразное напряжение амплитудой около 3 В и частотой несколько десятков килогерц (микросхема TL494 может работать в диапазоне 1 — 300 кГц, типовое значение 50 кГц). «Пила» не должна иметь искажений. Если имеются искажения или слишком мала (велика) частота, следует проверить навесные элементы генератора: конденсатор, подключенный к выводу 5 микросхемы, и резистор, подключенный к выводу 6. Если эти элементы исправны, микросхему придется заменить.

4​ Проверить сигналы на выходах микросхемы. Выходные транзисторы микросхемы включены по схеме с ОК или ОЭ и обеспечивают ток до 250 мА. Схему включения можно определить визуально: если выводы 9 и 10 соединены с общим проводом, получаем схему с ОЭ, и, значит, выходные сигналы нужно наблюдать на выводах 8 и 11 микросхемы. Если выводы 8 и 11 соединены с выводом напряжения питания, получаем схему с ОК, и выходные сигналы можно наблюдать на выводах 9 и 10 микросхемы. На выходах должны быть импульсы с четкими фронтами амплитудой 2 — 3 В и скважностью, зависящей от тока нагрузки. Эти импульсы непосредственно или через разделительные трансформаторы поступают на базы транзисторов высоковольтного ключа. Если амплитуда импульсов резко снижена, следует перерезать проводники, отходящие от выходов микросхемы, и посмотреть сигналы непосредственно на выводах. Если амплитуда нормальная, то, скорее всего, пробиты базо-эмиттерные переходы транзисторов высоковольтного ключа, и транзисторы подлежат замене.

как бы все окончательно не угрохать (

buz11_r4941 buz11 datasheet и приложение Note

Технический лист

Buz11

Июнь 1999

Номер файла
[/ Title Buz1 1 / Тема 30А, 50 В, Ом, NCHANNEL POWER MOSFET / AUTHO R / Ключевые слова Intersil Corporation, NCHANNEL POWER MOSFET, TO220AB /Creator /DOCI NFO pdfmark
30A, 50V, Ом, N-Channel Power MOSFET

Это N-канальный силовой транзистор с кремниевым затвором, разработанный для таких приложений, как импульсные стабилизаторы, импульсные преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и Драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором.Этот тип может работать непосредственно от интегральных схем.

Ранее разрабатываемый тип TA9771.
Информация для заказа

ПАКЕТ

МАРКА

BUZ11

TO-220AB

BUZ11
ПРИМЕЧАНИЕ При заказе используйте полный номер детали.
• 30A, 50V
• rDS ON =
• SOA с ограничением рассеиваемой мощности
• Наносекундные скорости переключения
• Характеристики линейной передачи
• Высокое входное сопротивление
• Устройство мажоритарной несущей
• Связанная литература
— TB334 Компоненты к ПК доскам «

Упаковка

JEDEC TO-220AB Тренажный фланец

Source Source Gate
2001 Fairchild Полупроводниковая корпорация

BUZ11

Абсолютные максимальные оценки TC = 25OC, если не иное

Buz11

единицы

Стекло Напряжение пробоя источника Примечание 1 .Напряжение сток-затвор VDS RGS = Примечание 1 Непрерывный ток стока VDGR TC = 30oC. ID Импульсный ток стока Примечание 3 IDM Напряжение затвор-исток .VGS Максимальная рассеиваемая мощность .PD Линейный коэффициент снижения

Температура эксплуатации и хранения TJ, TSTG Категория влажности по DIN — DIN 40040
50 30 120 ±20 75 от -55 до 150 E

V A V W/oC

Климатическая категория IEC — DIN IEC
55/150/56

Максимальная температура пайки

Выводы на 0,063 дюйма 1,6 мм от корпуса на 10 с.TL

Корпус на 10 с, см. Технический брифинг 334 Tpkg

ВНИМАНИЕ! Нагрузки, превышающие значения, указанные в «Абсолютных максимальных значениях», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только нагрузка, и эксплуатация прибора
в тех или иных условиях, превышающих указанные в эксплуатационных разделах настоящего документа, не предполагается.

ПРИМЕЧАНИЕ TJ = от 25°C до 125°C.

Electrical

TC = 25 000 0002 TC = 25 000 0002 tc = 25 000 000 000 000 0002. I GSS r DS ON

VGS = VDS, ID = 1 мА Рисунок 9 TJ = 25oC, VDS = 50В, VGS = 0В TJ = 125oC, VDS = 50В, VGS = 0В = 15 A, VGS = 10 В Рисунок 8
gfs t d ON

VDS = 25 В, ID = 15 A Рисунок 11

VCC = 30 В, ID 3A, VGS = 10 В, RGS = RL =
t d ​​OFF tf

3

C VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц Рисунок 10

C OSS C RSS

МИН. ТИП МАКС.5 % 2 0 obj >/StructTreeRoot 4 0 R/Тип/Каталог/Страницы 3 0 R>>endobj 3 0 obj >endobj 4 0 obj >/Type/StructTreeRoot/K[5 0 R]>>endobj 5 0 obj >endobj 6 0 obj >endobj 7 0 obj >/Шрифт 299 0 R>>>>endobj 8 0 obj >/Шрифт 300 0 R>>>>endobj 9 0 obj >/Шрифт 301 0 R>>>> >endobj 10 0 obj >/Шрифт 302 0 R>>>>endobj 11 0 obj >/Шрифт 303 0 R>>>>endobj 12 0 obj >endobj 13 0 obj >endobj 14 0 obj >endobj 15 0 obj >endobj 16 0 obj >endobj 17 0 obj >endobj 18 0 obj >endobj 19 0 obj >endobj 20 0 obj >endobj 21 0 obj >endobj 22 0 obj >эндобж 23 0 обж > endobj 24 0 obj >endobj 25 0 obj >endobj 26 0 obj >endobj 27 0 obj >endobj 28 0 obj >endobj 29 0 obj >endobj 30 0 obj >endobj 31 0 obj >endobj 32 0 obj >endobj 33 0 obj >endobj 34 0 obj >endobj 35 0 obj >endobj 36 0 obj >endobj 37 0 obj >endobj 38 0 obj >endobj 39 0 obj >endobj 40 0 ​​obj >endobj 41 0 obj >endobj 42 0 obj >endobj 43 0 obj >endobj 44 0 obj >endobj 45 0 obj >endobj 46 0 obj >endobj 47 0 obj >эндобж 48 0 обж > endobj 49 0 obj >endobj 50 0 obj >endobj 51 0 obj >endobj 52 0 obj >endobj 53 0 obj >endobj 54 0 obj >endobj 55 0 obj >endobj 56 0 obj >endobj 57 0 obj >endobj 58 0 obj > endobj 59 0 obj >endobj 60 0 obj >endobj 61 0 obj >endobj 62 0 obj >endobj 63 0 obj >endobj 64 0 obj >endobj 65 0 obj >endobj 66 0 obj >endobj 67 0 obj >endobj 68 0 obj >endobj 69 0 obj >endobj 70 0 obj >endobj 71 0 объект >эндобж 72 0 обж >эндобж 73 0 obj >endobj 74 0 obj >endobj 75 0 obj >endobj 76 0 obj >endobj 77 0 obj >endobj 78 0 obj >endobj 79 0 obj >endobj 80 0 obj >endobj 81 0 obj >endobj 82 0 obj >эндобж 83 0 обж >эндобж 84 0 obj >endobj 85 0 obj >endobj 86 0 obj >endobj 87 0 obj >endobj 88 0 obj >endobj 89 0 obj >endobj 90 0 obj >endobj 91 0 obj >endobj 92 0 obj >endobj 93 0 obj >endobj 94 0 obj >endobj 95 0 obj >endobj 96 0 obj >endobj 97 0 obj >endobj 98 0 obj >endobj 99 0 obj >endobj 100 0 obj >endobj 101 0 obj >endobj 102 0 obj >endobj 103 0 obj >endobj 104 0 obj >endobj 105 0 obj >endobj 106 0 obj >endobj 107 0 obj >endobj 108 0 obj >endobj 109 0 obj >endobj 110 0 obj >endobj 111 0 obj >endobj 112 0 obj >endobj 113 0 obj >endobj 114 0 obj >endobj 115 0 obj >endobj 116 0 obj >endobj 117 0 obj >endobj 118 0 obj >endobj 119 0 obj >endobj 120 0 obj >endobj 121 0 obj >endobj 122 0 obj >endobj 123 0 obj >endobj 124 0 obj >endobj 125 0 obj >endobj 126 0 obj >endobj 127 0 obj >endobj 128 0 obj >endobj 129 0 obj >endobj 130 0 obj >endobj 131 0 obj >endobj 132 0 obj >endobj 133 0 obj >endobj 134 0 obj >endobj 135 0 obj >endobj 136 0 obj >endobj 137 0 obj >endobj 138 0 obj >endobj 139 0 obj >endobj 140 0 obj >endobj 141 0 obj >endobj 142 0 obj >endobj 143 0 obj >endobj 144 0 obj >endobj 145 0 obj >endobj 146 0 obj >endobj 147 0 obj >endobj 148 0 obj >endobj 149 0 obj >endobj 150 0 obj >endobj 151 0 obj >endobj 152 0 obj >endobj 153 0 obj >endobj 154 0 obj >endobj 155 0 obj >endobj 156 0 obj >endobj 157 0 obj >endobj 158 0 obj >endobj 159 0 obj >endobj 160 0 obj >endobj 161 0 obj >endobj 162 0 obj >endobj 163 0 obj >endobj 164 0 obj >endobj 165 0 obj >endobj 166 0 obj >endobj 167 0 obj >endobj 168 0 obj >endobj 169 0 obj >endobj 170 0 obj >endobj 171 0 obj >endobj 172 0 obj >endobj 173 0 obj >endobj 174 0 obj >endobj 175 0 obj >endobj 176 0 obj >endobj 177 0 obj >endobj 178 0 obj >endobj 179 0 obj >endobj 180 0 obj >endobj 181 0 obj >endobj 182 0 obj >endobj 183 0 obj >endobj 184 0 obj >endobj 185 0 obj >endobj 186 0 obj >endobj 187 0 obj >endobj 188 0 obj >endobj 189 0 obj >endobj 190 0 obj >endobj 191 0 obj >endobj 192 0 obj >endobj 193 0 obj >endobj 194 0 obj >endobj 195 0 obj >endobj 196 0 obj >endobj 197 0 obj >endobj 198 0 obj >endobj 199 0 obj >endobj 200 0 obj >endobj 201 0 obj >endobj 202 0 obj >endobj 203 0 obj >endobj 204 0 obj >endobj 205 0 obj >endobj 206 0 obj >endobj 207 0 obj >endobj 208 0 obj >endobj 209 0 obj >endobj 210 0 obj >endobj 211 0 obj >endobj 212 0 obj >endobj 213 0 obj >endobj 214 0 obj >endobj 215 0 obj >endobj 216 0 obj >endobj 217 0 obj >endobj 218 0 obj >endobj 219 0 obj >endobj 220 0 obj >endobj 221 0 obj >endobj 222 0 obj >endobj 223 0 obj >endobj 224 0 obj >endobj 225 0 obj >endobj 226 0 obj >endobj 227 0 obj >endobj 228 0 obj >endobj 229 0 obj >endobj 230 0 obj >endobj 231 0 obj >endobj 232 0 obj >endobj 233 0 obj >endobj 234 0 obj >endobj 235 0 obj >endobj 236 0 obj >endobj 237 0 obj >endobj 238 0 obj >endobj 239 0 obj >endobj 240 0 obj >endobj 241 0 obj >endobj 242 0 obj >endobj 243 0 obj >endobj 244 0 obj >endobj 245 0 obj >endobj 246 0 obj >endobj 247 0 obj >endobj 248 0 obj >endobj 249 0 obj >endobj 250 0 obj >endobj 251 0 obj >endobj 252 0 obj >endobj 253 0 obj >endobj 254 0 obj >endobj 255 0 obj >endobj 256 0 obj >endobj 257 0 obj >endobj 258 0 obj >endobj 259 0 obj >endobj 260 0 obj >endobj 261 0 obj >endobj 262 0 obj >endobj 263 0 obj >endobj 264 0 obj >endobj 265 0 obj >endobj 266 0 obj >endobj 267 0 obj >endobj 268 0 obj >endobj 269 0 obj >endobj 270 0 obj >endobj 271 0 obj >endobj 272 0 obj >endobj 273 0 obj >endobj 274 0 obj >endobj 275 0 obj >endobj 276 0 obj >endobj 277 0 obj >endobj 278 0 obj >endobj 279 0 obj >endobj 280 0 obj >endobj 281 0 obj >endobj 282 0 obj >endobj 283 0 obj >endobj 284 0 obj >endobj 285 0 obj >endobj 286 0 obj >endobj 287 0 obj >endobj 288 0 obj >endobj 289 0 obj >endobj 290 0 obj >endobj 291 0 obj >endobj 292 0 obj >поток

Что такое униполярный/полевой транзистор?

Полевой транзистор (FET)  – также известный как Униполярный транзистор , представляет собой трехполюсный (три электрода) управляемый напряжением   полупроводниковый электронный компонент, способный усиливать электрический сигнал.Семейство полевых транзисторов состоит из группы нескольких типов различных компонентов, общей чертой которых является косвенное влияние электрического поля на сопротивление полупроводника или сопротивление тонкого непроводящего слоя. Теоретически полевым транзистором можно управлять без расхода энергии. В работе компонента принимает участие только один тип носителей нагрузки, отсюда и однополярное название, а управление выходным током осуществляется с помощью электрического поля (полевые транзисторы).

FET –  Внутренняя конструкция и принцип действия

Униполярный транзистор имеет три электрода:

  • Слив «D» – электрод, до которого доходят держатели груза. Ток стока – I D , напряжение сток-исток – В DS ,
  • Затвор «G» – электрод, контролирующий поток зарядов. Ток затвора – I G , напряжение затвор-исток – В GS ,
  • Источник «S» – электрод, от которого в канал поступают носители нагрузки.Ток источника обозначается как I S .

Это эквиваленты электродов в биполярных транзисторах . Два из них: Drain и Source подключены к правильно легированному полупроводниковому кристаллу. Между этими концами создается канал, по которому течет ток. Третий конец размещен вдоль канала: Ворота , благодаря которым мы можем контролировать течение тока. В случае соединения нескольких МОП-транзисторов в интегральную схему часто используется четвертый электрод: B — Корпус (или Bulk ) для того, чтобы смещать подложку.Но вообще этот конец связан с/с источником.


FET – Задания для учащихся

Если вы студент или просто хотите научиться решать задачи на полевые транзисторы, посетите этот раздел нашего сайта, где вы найдете большое разнообразие электронных задач.


Отдел полевых транзисторов

В зависимости от принципов и законов работы можно выделить два основных типа полевых транзисторов, которые далее подразделяются, как показано на рис.1. внизу:

Рис. 1. Разделение полевых транзисторов

JFET – Конструкция и принцип работы

Транзистор JFET состоит из слоя полупроводника n-типа в N-канальных JFET транзисторах или полупроводника p-типа в P-канальных JFET транзисторах. Эти слои образуют канал. Электроды присоединяют к обоим концам канала. В транзисторах JFET затвор изолирован от канала переходом с обратным смещением (с очень высоким входным сопротивлением).

Транзисторы JFET

должны быть поляризованы таким образом, чтобы несущие перемещались от истока к стоку, а переход затвор-канал был смещен в обратном направлении.

Есть два варианта этой развязки:

  • Переход P-N (PNFET),
  • Соединение M-S (металл-полупроводник).

Канал, по которому будет течь ток, находится между стоком и истоком. Шириной канала (его сопротивлением) можно управлять, изменяя напряжение затвор-исток (V GS ). Повышение напряжения V GS (которое смещает переход в обратном направлении) вызывает сужение канала вплоть до его полного «закрытия» — ток не будет течь.К напряжению V GS добавляется падение напряжения между конкретной точкой канала и источником (V DS ). Увеличение значения напряжения V DS в конечном итоге подключит обедненные слои и заблокирует канал, насытив транзистор. Значение тока стока I D не будет увеличиваться независимо от дальнейшего увеличения напряжения V DS , и транзистор становится очень хорошим компонентом крутизны.

Рис. 2. Символы JFET Рис. 3. Внутренняя структура полевого транзистора JFET с каналом типа «N»

MOSFET (металло-оксидно-полупроводниковый полевой транзистор) — конструкция и принцип работы

В MOSFET транзисторе затвор изолирован от канала диэлектрическим слоем.Область, отмеченная «N+», представляет собой сильнолегированный полупроводник типа «N». В случае Э МОП-транзисторов с напряжением V GS = 0 канал заблокирован (его сопротивление принимает значение МОм и ток I D не протекает). При увеличении напряжения канала V GS увеличивается его проводимость и после достижения определенного значения, называемого пороговым напряжением V T , через канал становится возможным протекание тока стока I D . Ток стока MOSFET регулируется сигналом напряжения затвора величиной до нескольких вольт, что обеспечивает совместимость со всеми МОП-системами, особенно с КМОП.Мощность, необходимая для его управления, очень мала, а зона безопасной работы больше по сравнению с транзисторами BJT . Кроме того, время переключения также короче по сравнению с BJT.

Минимальное значение сопротивления канала, указанное производителем, можно найти в даташитах как rds на (зависит от максимального напряжения транзистора V DS . Значение тока I D , которое будет протекать через созданный канал зависит от напряжения V DS , но это не линейная зависимость.Описывается формулой:

β коэффициент усиления тока
Этот ток влияет на состояние смещения затвора, изменяя его, что приводит к сужению канала вблизи стока. В случае дальнейшего увеличения напряжения затвор-исток V GS отсечка напряжения V GSoff будет превышена в какой-то момент, что приведет к потере созданного канала (V GS = V DS )

  • Режим обеднения MOSFET – D MOS (нормально включен):
Рис.4. Символы D MOS
  • Режим расширения MOSFET – E MOS (обычно выключен):
Рис. 5. Символы E MOSРис. 6. Внутренняя структура E MOS с каналом типа «N»

FET – режимы работы

Имеется три режима работы транзисторов:

  • Режим отключения: |V GS | > |В Т | в любом |V DS |,
  • Активный режим  (также известный как линейный или ненасыщенный): |V GS | < |В Т | и |V DS | <= |V DSsat |,
  • Режим насыщения : |V GS | < |В Т | и |V DS | => |V DSsat |.

Примечание: Во многих странах единица измерения напряжения и символ называются «V» вместо «U», как в этой статье.

FET – основные параметры
  • В ДС max – максимальное напряжение сток-исток,
  • I Dmax – максимальный ток стока,
  • В GSmax – максимальный ток затвор-исток,
  • P totmax – допустимая потеря мощности,
  • В Т – пороговое напряжение, при котором начинает протекать ток,
  • I DSS (V GS =0) – ток насыщения при определяемом V DS ток,
  • гм [S-Siemens] – коэффициент крутизны,
  • rds (on) – минимальное значение сопротивления канала транзистора, работающего в режиме ненасыщения,
  • I Gmax – максимально допустимый ток затвора,
  • I D(OFF) – ток стока в режиме отсечки – при напряжении |V GS | > |V GS(OFF) |.

FET –  Вольт-амперные характеристики

Передаточные характеристики – описывают отношение тока стока I D от напряжения затвор-исток V GS к определенному напряжению сток-исток V GS .

Рис. 7. JFET «N» Рис. 8. D МОП «N» Рис. 9. E МОП «N»
  • Характеристики стока (для полевого транзистора типа «N») – описывает отношение тока стока I D сток-исток В DS   напряжения с определенное напряжение затвор-исток В GS   напряжение.Область характеристик была разделена на две части: активную и насыщенную область.
Рис. 10. Характеристики стока (для униполярного транзистора типа «N»)

Практическое применение – Unipolar MOSFET – NMOS транзистор

В практическом упражнении эффект транзистора NMOS в его простейшей форме показан как транзисторный ключ. Такое использование в основном работает в приложениях микроконтроллера, оно используется для управления сигналом от микроконтроллера к внешним приемникам.

Для этого упражнения нам понадобятся следующие вещи:

Схема подключения цепи выглядит так:

Рис. 11. Схема подключения цепи: V2: источник питания постоянного тока 9 В, D1: белый светодиод, R1: резистор 220 Ом, M1: транзистор BUZ11, R2: резистор 1 кОм, V1: батарея 3 В (на схеме синусоидальный источник используется для проиллюстрировать работу транзистора). Обратите внимание, что обозначения на схеме различны для транзистора, но имеют те же параметры, что и BUZ11.

Готовая подключенная схема на макетной плате показана ниже на рис.12:

Рис. 12. Иллюстрация подключения макетной платы

Система после подключения питания 9В не проявляла никаких действий. После подключения батареи к цепи светодиод начал светиться. Это самый простой способ проиллюстрировать принцип действия напряжения V T (напряжение пробоя) в униполярных транзисторах. В транзисторе БУЗ11 диапазон напряжения VGSTh находится в пределах от 2,1 до 4 В. При использовании батарей 3В получаем достаточное напряжение для открытия канала между стоком и истоком в униполярном транзисторе.После этого светодиод начинает светиться.

Рис. 13. Еще одна иллюстрация подключения и работы макетной платы

Кроме того, на осциллограмме ниже мы можем видеть напряжения на батарее V(n005), которые варьируются от 3 до -3В и подаются на затвор транзистора , между током на светодиоде I(D1). Дополнительно на осциллограмме видно напряжение VDS, вид осциллограммы зависит от времени включения транзистора.

Рис. 14. Иллюстрация макетного соединения

БУЗ11.30А, 50В, Ом, N-канальный силовой МОП-транзистор. Функции. [ /Название (BUZ1 1) /Тема. (30 А, 50 В, Ом, N-канал. Информация для заказа

ИРФ640, РФ1С640, РФ1С640СМ

IRF64, RFS64, RFS64SM Спецификация 22 января 8A, 2 В, 0,8 Ом, N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы Это полевые транзисторы с кремниевым затвором и силовыми полевыми транзисторами с N-канальным режимом расширения.Это усовершенствованные силовые полевые МОП-транзисторы, разработанные по стандарту

. Дополнительная информация

Функции. Символ JEDEC TO-220AB

Спецификация Июнь 1999 г. Номер файла 2253.2 3 А, 5 В, 0,4 Ом, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор Это полевой транзистор с кремниевым затвором и силовым полевым эффектом с N-канальным режимом расширения, разработанный для таких приложений, как коммутация

Дополнительная информация

РФГ70Н06, РФП70Н06, РФ1С70Н06, РФ1С70Н06СМ

A M A A Декабрь 995 г. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ RFG7N6, RFP7N6, RFS7N6, RFS7N6SM 7A, 6V, N-канальный режим улучшения мощности, 7A, 6V, N-канальный Enhanced Mode Мощные полевые МОП-транзисторы Характеристики 7A, 6V r DS(on) =.PSPICE с температурной компенсацией 4 Ом, модель

Дополнительная информация

RFP30N06LE, RF1S30N06LESM

Техническое описание RFP3N6LE, RF1S3N6LESM 24 января 3A, 6 В, класс защиты от электростатического разряда, 0,47 Ом, логический уровень NChannel Power MOSFET Это NChannel power MOSFET, изготовленные с использованием технологии MegaFET. Этот процесс, который использует

Дополнительная информация

Функции. Серия I-PAK FQU

00V LOGIC N-Channel MOSFET Общее описание Эти N-канальные силовые полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild планарной полосовой технологии DMOS.Это продвинутый

Дополнительная информация

TSM2N7002K 60 В N-канальный МОП-транзистор

SOT-23 SOT-323 Определение контакта: 1. Затвор 2. Источник 3. Сток ОБЗОР ПРОДУКТА V DS (В) R DS(on) (Ом) I D (мА) 5 при V GS = 10 В 100 60 5,5 при V GS = 5V 100 Особенности Защита от электростатического разряда с низким сопротивлением во включенном состоянии Высокоскоростное переключение

Дополнительная информация

Мощный транзистор CoolMOS™

Особенности силового транзистора CoolMOS TM Новая революционная высоковольтная технология Внутренний корпусной диод с быстрым восстановлением Чрезвычайно низкий заряд обратного восстановления Сверхнизкий заряд затвора Экстремальный рейтинг dv/dt Продукт

Дополнительная информация

N-канальный 60-В (DS), 175 C MOSFET

N-канальный 6-В (D-S), 75 C MOSFET SUP/SUB7N6-4 V (BR)DSS (V) r DS(on) ( ) (A) 6.4 7 a TO-22AB D TO-263 DRAIN подключен к TAB G G D S Вид сверху SUP7N6-4 G D S Вид сверху SUB7N6-4 S N-канальный МОП-транзистор Параметр

Дополнительная информация

Мощный транзистор OptiMOS TM

Мощный транзистор OptiMOS TM типа BSC28N6NS Характеристики Оптимизирован для высокопроизводительных импульсных источников питания, например. синхронизировать рек. % лавинных испытаний Превосходная термостойкость N-канальный Соответствует требованиям JEDEC) для цели

Дополнительная информация

Мощный транзистор OptiMOS 3

Тип IPD6N3L G OptiMOS 3 Power-Transistor Характеристики Быстродействующий полевой МОП-транзистор для импульсных источников питания Оптимизированная технология для преобразователей постоянного тока Соответствует стандарту JEDEC 1) для целевых приложений Обзор продукции V DS

Дополнительная информация

N-канальный 40-В (D-S) 175 C MOSFET

N-Channel 4-V (D-S) 75 C MOSFET SUP/SUB85N4-4 ОБЗОР ПРОДУКТА V (BR)DSS (V) r DS(on) ( ) (A) 4.4 @ V GS = V 85 a TO-22AB D TO-263 G СТОП подключен к ВЫВОДУ G D S Вид сверху Информация для заказа SUP85N4-4

Дополнительная информация

Мощный транзистор OptiMOS 3

Тип IPD36N4L G OptiMOS 3 Power-Transistor Характеристики Быстродействующий полевой МОП-транзистор для импульсных источников питания Оптимизированная технология для преобразователей постоянного тока Соответствует требованиям JEDEC) для целевых приложений Обзор продукции V DS

Дополнительная информация

P-канал 1.25 Вт, 1,8 В (G-S) МОП-транзистор

Si5DS P-Channel.5-W,.-V (G-S) МОП-транзистор ОБЗОР ПРОДУКЦИИ V DS (В) R DS(on) (Ом) I D (A).5 при V GS = -,5 В ±,5 -. 7 при В ГС = -,5 В ±. при V гс = -. V ± ХАРАКТЕРИСТИКИ Без галогенов В соответствии с IEC 9— Доступен TrenchFET

Дополнительная информация

P-канальный 20 В (D-S) MOSFET

Si30CDS P-Channel 0 V (D-S) MOSFET MOSFET ОБЗОР ПРОДУКЦИИ V DS (V) R DS(on) ( ) I D (A) a Q g (тип.) — 0 0. при В GS = — 4,5 В — 3. 0,4 при В GS = -,5 В -,7 3,3 н.к. Дополнительная информация

N-канальный 20-В (D-S) 175 C MOSFET

N-Channel -V (D-S) 75 C MOSFET SUD7N-4P ОБЗОР ПРОДУКТА V DS (V) r DS(on) ( ) (A) a.37 @ V GS = V 37,6 @ V GS = 4,5 В 9 TO-5 D ХАРАКТЕРИСТИКИ Мощный полевой МОП-транзистор TrenchFET Температура перехода 75°C, ШИМ, оптимизированный для

Дополнительная информация

SIPMOS Малосигнальный транзистор

Транзистор малой мощности SIPMOS Особенности N-канальный режим истощения dv/dt номинальное Краткое описание продукта V DS V R DS(on),макс. 3.5 Ом I DSS, мин.4 A Доступен с индикатором V GS(th) на барабане Бессвинцовое покрытие; РоХС

Дополнительная информация

N-канальный 100 В (D-S) МОП-транзистор

Si4DS N-Channel V (D-S) MOSFET MOSFET ОБЗОР ПРОДУКЦИИ V DS (V) R DS(on) ( ) I D (A) a Q g (тип.).4 при V GS = V..67 при V GS = 6 V..9 nc.78 при V GS = 4,5 V.7 ХАРАКТЕРИСТИКИ TrenchFET Power MOSFET % R g Испытано

Дополнительная информация

TSM020N03PQ56 30 В N-канальный МОП-транзистор

Определение контакта PDFN56: 1.Источник 8. Сток 2. Источник 7. Сток 3. Источник 6. Сток 4. Затвор 5. Сток Ключевой параметр Рабочие характеристики Значение параметра Единица измерения В DS 30 В R DS(on) (макс.) V GS = 10 В 2 V GS = 4,5 В 3 мω Q

Дополнительная информация

P-канальный 20-В (D-S) МОП-транзистор

Si33DS P-Channel -V (D-S) MOSFET ОБЗОР ПРОДУКЦИИ V DS (V) R DS(on) (Ом) I D (A).39 при V GS = -,5 V -,7 -,5 при V GS = — .5 В -..68 при В GS = -.8 В — 3,5 ХАРАКТЕРИСТИКИ Без галогенов В соответствии с IEC 69— Доступно

Дополнительная информация

ХУФ75344Г3, ХУФ75344П3, ХУФ75344С3С

HUF7344G3, HUF7344P3, HUF7344S3S Технический паспорт 24 декабря 7A, V,.Ом, силовые МОП-транзисторы NChannel UltraFET Эти силовые МОП-транзисторы NChannel производятся с использованием инновационного процесса UltraFET. Этот расширенный процесс

Дополнительная информация

N-канальный 60-В (D-S) МОП-транзистор

7/7, VQJ/P, BS7 — Канал 6-V (D-S) MOSFET Артикул V (BR)DSS Мин. (В) r DS(on) Макс. ( ) V GS(th) (V) I D (A) 7 5 @ V GS = V.8 к. 7 7,5 при V GS = от V до 5,5 VQJ 6 5,5 при V GS = от V,8 до 5,5 VQP 5,5 при V GS =

Дополнительная информация

P-канальный 60 В (D-S) MOSFET

TP6K P-Channel 6 V (D-S) MOSFET GS ОБЗОР ПРОДУКЦИИ V DS (V) R DS(on) ( ) V GS(th) (V) I D (ma) — 6 6 at V GS = — V — to — — 85 TO-6 (SOT-) Вид сверху D Код маркировки: 6Kwll 6K = Код номера детали для TP6K

Дополнительная информация

МОП-транзистор SMPS.V DSS Rds(on) max I D

Области применения l Импульсный источник питания (SMPS) l Источник бесперебойного питания l Высокоскоростное переключение мощности SMPS MOSFET PD 92004 IRF740A HEXFET Power MOSFET V DSS Rds(on) max I D 400V 0.55Ω A Преимущества

Дополнительная информация

IRLR8729PbF IRLU8729PbF

Области применения l Высокочастотные синхронные понижающие преобразователи для питания процессора компьютера l Высокочастотные изолированные преобразователи постоянного тока в постоянный с синхронным выпрямлением для телекоммуникационного и промышленного использования Преимущества

Дополнительная информация

Эксперименты — Экспериментальные измерения

Результаты переключения MOSFET

Переключение

Есть два основных параметра, которые необходимо учитывать при рассмотрении эффективности коммутационного устройства, это коммутационные потери и потери проводимости.Коммутационные потери возникают на участках включения и выключения проводимости. сигнала и рассчитываются путем интегрирования рассеиваемой мощности (I*V) по продолжительность этих переходных явлений. Потеря проводимости — это просто диссипация во время части проводимости сигнала, а также рассчитывается путем интегрирования функция I*V. При правильных условиях привода затвора мосфеты могут легко переключаться от выключенного состояния до полного включения менее чем за микросекунду. С момента полного проведения время в маломощных койлганах порядка 1-15 мс, нам действительно нужно только заботиться себя с потерями проводимости.Форма волны проводимости для катушки D, как показано на рис. 1.

 

Рис 1. Осциллограммы проводимости MOSFET.

 

Первое, что мы можем увидеть из этих данных, это то, что время переключения MOSFET очень быстро по сравнению с общим временем проведения. Переход такой так быстро, что требуется, чтобы форма волны была захвачена с микросекундной временной разверткой. Когда устройство выключено, напряжение D-S находится на уровне источника 32 В. Когда триггерный импульс включает устройство, напряжение DS падает до 0 В через много времени. менее 1 мс и начинает расти только по мере прохождения тока через устройство.Аналогичным образом напряжение ДП быстро возрастает при выключении устройства. Уведомление что форма волны напряжения DS повторяет форму кривой тока. Эта характеристика показывает резистивный характер MOSFET. Если рассчитать сопротивление Модуль MOSFET на основе пикового тока и соответствующего напряжения, к которым мы пришли стоимость 13м. Это согласуется с параллельной комбинацией трех устройств BUZ11, которые каждый из них имеет максимальное значение RDS ON 40 м. Следует иметь в виду, что, поскольку измерения напряжения DS выполняются при на клеммах модуля MOSFET будет небольшое падение напряжения на проводимости пути внутри модуля.Значения RDS ON для устройств, безусловно, будут быть меньше максимума, указанного в техпаспорте.

Мы можно более подробно изучить типичную форму сигнала напряжения отключения GS и DS. как показано на рис. 2.

 

Рис 2. Отключите осциллограммы напряжения на клеммах затвора и стока.

 

Глядя при напряжении G-S мы можем видеть, что для уменьшения выходного сигнала операционного усилителя требуется около 18 мкс. напряжение на затворе равно нулю. Вычисление градиента этой линии дает скорость нарастания 0.53 В/нас. Хотя в техническом описании 358N не указана скорость нарастания разомкнутого контура, это значение аналогично скорости нарастания, записанной в техпаспорте повторителя напряжения . импульсная характеристика график. Скорость нарастания 0,5 В/мкс типична для устройств общего назначения. операционных усилителях, но для мощных койлганов потребуется что-то побыстрее — есть несколько вариантов схемы быстрого управления затвором, которые будут исследованы в будущее.

Если мы смотрим на форму волны напряжения D-S, мы видим, что начинается переход выключения при 26us и завершается при 32us — окончание лавинного пробоя (см. ниже) и начало колебаний.Теперь напряжение G-S при 26 мкс чуть ниже 4 В, что на 1 В больше «типичного» порогового напряжения 3 В. Причина Почему напряжение затвора может упасть так низко, прежде чем напряжение D-S начнет расти? из-за малого тока проводимости в каждом из устройств BUZ11. В этой катушке А Например, ток при выключении составляет 19 А, поэтому ток на устройство составляет всего 6,3 А. Листы данных иногда содержат набор выходных характеристик кривых, которые показать ток стока как функцию напряжения D-S для дискретных значений G-S Напряжение.Глядя на лист данных Fairchild Semiconductor для BUZ11, мы находим что максимальный ток стока при напряжении G-S 4В составляет 2,5А, что намного меньше чем 6,3 А, рассчитанные выше.

Это разумно спросить, почему существует это различие, и есть два объяснения, которые приходить в голову. Во-первых, устройства могут иметь более низкое пороговое напряжение. чем типичное значение. Во-вторых, напряжение G-S измеряется на клеммы модуля MOSFET, который содержит некоторую схему «защиты» между стойкой затвора модуля и MOSFET терминалы ворот.Это означает, что из-за емкости затвора может значительное падение напряжения на этой цепи резистора/стабилитрона по мере прохождения заряда от ворот.

Исследование первая возможность дала пороговое напряжение около 3,2 В, поэтому это объяснение был заброшен, оставив сеть защиты в качестве вероятного виновника. Некоторые грубые расчеты с использованием заряда затвора и скорости нарастания показали, что будет в сети упало около 0,5В. Это будет означать, что при выключении перехода фактическое напряжение на затворе MOSFET будет около 4.5В с соответствующим ток 6А на устройство и общий ток 18А. Это гораздо лучше согласуется с фактическим текущим уровнем. Возможно, стоит изучить это подробнее с точки зрения измерения. Это важный урок в осознании того, что вы может не измерять именно то, что вы думаете, что измеряете. Это сделает В будущем я буду уделять больше внимания макету измерения.

 

МОП-транзистор Модуль БУЗ11 РИП . Измерение порогового напряжения включало определение момента, когда «значительный» ток проходил через модуль.К сожалению, этот ток стал слишком значительным и в сочетании с 32В через D-S было достаточно, чтобы сварить BUZ11, прежде чем я понял, что происходит. Замена мосфетов требует только небольшой выпайки и на самом деле это хорошая возможность заменить BUZ11 на BUZ22. Эти устройства рассчитаны на 100 В, поэтому я смогу использовать модуль для некоторых «промежуточных» Эксперименты с конденсатором напряжения.

 

Лавина Поломка

Другое Интересной характеристикой устройства является способность «поглощать» переходные процессы напряжения.Большинство современные мосфеты рассчитаны на ограниченную степень лавинного пробоя через путь D-S они описываются как «лавиннопроницаемые» или «лавинностойкие». рейтинговые устройства. Ограничивающим фактором, определяющим этот пробой, является температура перехода возрастают из-за рассеяния энергии. Используя эту способность, на самом деле можно управлять индуктивные нагрузки, такие как соленоиды, без необходимости зажима или коммутации диод. К сожалению, в койлгане это не так просто потому, что количество энергии, хранящейся в поле при выключении, слишком велика, чтобы ее можно было рассеять во время лавинный срыв — сварится спай устройства.

Однако способность к лавинному разрушению все еще полезна в контексте койлгана. Если катушку зажать стандартным выпрямительным диодом, все равно может быть большое кратковременный переход напряжения при выключении из-за медленного обратного восстановления диод. Обычно к D-S можно подключить RC-демпфер или стабилитрон. клеммы для поглощения переходного процесса, пока диод не восстановится. Однако эти не требуются, если переходная энергия находится в пределах лавинной способности устройства.Еще можно установить «маленький» демпфер для устранения звона, возникающего после диод начинает проводить. Рис. 3 показывает переходный ток и напряжение при выключении. (в тестовой схеме использовался небольшой демпфер).

 

Рис 3. Лавинные переходные сигналы

 

Если смотрим на напряжение D-S видим, что оно превышает номинальные 50В примерно на 20В общей продолжительностью около 8 мкс. Этот период представляет собой устройство под лавиной авария.В конце пробоя напряжение D-S падает чуть ниже 50 В. в этот момент коммутирующий диод (диоды) вступает во владение. Во время пробоя ток через путь D-S затухает и, что интересно, становится отрицательным, прежде чем, наконец, возвращаясь к нулю. Я не совсем уверен, почему это происходит, но это может быть связано с паразитная индуктивность в датчике тока — может потребоваться модернизация для измерения микросекундные события. Листы данных иллюстрируют остановку тока, когда он впервые достигает нуля, но это может быть связано либо с коммутирующим диодом, либо с диодом корпуса MOSFET. механизмы восстановления.Отрицательный ток не является следствием снаббера так как это происходит с демпфером или без него.

Если ток и напряжение D-S умножаются, мы можем построить кривую рассеивания мощности для поломки. Если эту кривую проинтегрировать, то энергия лавины может быть вычислено. Поскольку я не уверен, почему ток становится отрицательным, я проигнорирую это. части сигнала и определить энергию, рассеянную до этой точки. Импорт данных в Matlab и использование функции интегрирования трапеций дает значение 15.2мДж. Эта энергия рассеивается только в одном устройстве, потому что Очень маловероятно, что устройства будут иметь близкие уровни лавинного напряжения. Даже в этом случае эта энергия находится в пределах 200 мДж лавинной емкости «холодного» спая. БУЗ11. Очевидно, что перекресток не будет холодным после проведения большого импульс тока и более качественные спецификации (многие из них этого не делают) предоставляют достаточно информации на лавинных характеристиках, чтобы дать возможность оценить допустимую энергия лавины.

 

Распространение и интенсивность высокотемпературного низкобарического метаморфизма в Пиренейско-Кантабрийском поясе: ограничения на термическую летопись доорогенного гиперрастяжения рифтогенеза | БСГФ

Дополнительный материал

Рис.С1. С-Ю композитный сейсмический профиль (82-BUZ-11, 2005-Rontignon-Lacq-Merge, 82-SVG-08, 82-SVG-008, 82 SVG-03, Pecorade и AG1-V9, предоставленные Total, R&D) через Западные Пиренеи, а также расположение различных используемых колодцев (вверху). Чертеж и геологическая интерпретация сейсмического составного профиля со всеми тектоно-стратиграфическими единицами, представленными в статье (внизу).

Таблица S1. R o значения из скважины Les Cassières-2  и оценочные температуры, рассчитанные по формулам, предоставленным Barker and Pawlewicz (1994).

Таблица S2. R o значения из скважины Bellevue-1  и оценочные температуры, рассчитанные по формулам Баркера и Павлевича (1994).

Таблица S3. R o значения из скважины Ортез-102  и оценочные температуры, рассчитанные по формулам Баркера и Павлевича (1994).

Таблица S4. Все данные R o использованы для построения карт пространственного распределения термической зрелости органического вещества по каждой тектоностратиграфической единице.

Таблица S5. Пиковые температуры RSCM из этого исследования измерены в Пиренейско-Кантабрийском поясе. Параметры RA1 Lahfid (Lahfid et al. , 2010) и R2 Beyssac (Beyssac et al. , 2002) используются для оценки температур <320 и >330 °C соответственно. RA1 Lahfid , R2 Beyssac и T выражены в терминах средних значений и SD всех данных, полученных для каждой из 208 проб из всех Пиренеев.Подробно указано общее количество спектров и количество использованных спектров. Стандартные ошибки (SE) даны для всех температур (SD, деленное на квадратный корень из числа измерений).

(доступ здесь)

© M. Ducoux et al. , Опубликовано EDP Sciences 2021

Учебные пособия: Простая электронная схема нагрузки

Электронная нагрузка на скамье. Чертеж около 1,20 А при 21 В

Пару недель назад у меня был разговор с одним из моих коллег об электронном оборудовании.Я жаловался, что много оборудования, которое я хочу, очень дорогое. Я рассказал ему о некоторых требованиях, которые я ищу. После пары минут разговора он сказал мне: «Почему бы не построить самому? Требования не такие жесткие». — Черт, он прав, — сказал я. После пары недель изучения темы и освежения в памяти мосфетов я построил очень простую схему. В схеме можно сделать много доработок, но тем не менее она демонстрирует тему. Сегодняшний пост расскажет о том, как работает эта электронная схема нагрузки и как ее собрать самостоятельно.

Что такое электронная нагрузка?
Электронная нагрузка представляет собой конструкцию устройства, позволяющую источнику питания потреблять определенное количество тока без выделения тонн тепла. Электронные нагрузки полезны для проверки эффективности источника питания, ограничения тока и т. д. Чтобы понять, как работает схема, я расскажу о двух важных вещах, связанных с полевыми транзисторами и операционными усилителями. Давайте сначала поговорим о аспекте mosfet.

Характеристики VDS и ID. Показывает режим, в котором мы хотим работать, чтобы вести себя как электронная нагрузка.

Хотя картинка выше выглядит как набор линий для любителей, эта характеристика VDS vs Id показывает, как мосфет будет вести себя в зависимости от напряжения, подаваемого на затвор и исток (сокращенно VGS). Мосфеты имеют 3 режима работы: отсечка, активный , и насыщенность. Когда MOSFET находится в режиме отключения, он не включается. Это связано с тем, что напряжение, подаваемое на затвор и источник, недостаточно велико, чтобы включить его. Активный — это состояние, в котором на затворе MOSFET имеется достаточное напряжение, чтобы MOSFET мог работать как переменный резистор.Наконец, насыщение — это когда мосфет ведет себя как переключатель. Чтобы эта нагрузка работала, нам нужно, чтобы она перешла в активный режим, поскольку мы можем настроить MOSFET на потребление определенного количества тока.

 

Теперь давайте поговорим об одной распространенной конфигурации с использованием операционного усилителя: единичный усилитель. Единственная цель единичного усилителя состоит в том, чтобы убедиться, что напряжение, наблюдаемое на неинвертирующем выводе операционного усилителя (вывод +), появляется на выходе. Хотя это звучит просто, эти усилители полезны для предотвращения влияния выходного импеданса на источник входного сигнала.Однако мы будем использовать эту конфигурацию по другой причине.

Схема электронной нагрузки

Теперь позвольте мне объяснить, как работает схема. Сначала пользователь устанавливает напряжение с помощью потенциометра (R2 на схеме) и устанавливает его на инвертирующем контакте (- контакт). Хотя операционный усилитель выглядит так, как будто он настроен как компаратор, на самом деле он настроен как единый усилитель из-за MOSFET. Чтобы убедиться, что напряжение на неинвертирующем выводе появляется на инвертирующем выводе, операционный усилитель должен установить определенное напряжение на затвор MOSFET.В зависимости от напряжения на затворе MOSFET будет потреблять определенный ток, пока напряжение на R1 не сравняется с напряжением на неинвертирующем контакте.

 

Как выбрать MOSFET?
В отличие от других моих руководств, в этом руководстве велика вероятность того, что вы повредите MOSFET, если не будете осторожны. При просмотре таблицы данных для MOSFET не забудьте обратить внимание на номинальные значения тока стока (ID) и сток-исток (VDS). ID определяет, какой ток может выдержать MOSFET перед взрывом, а VDS определяет максимальное напряжение, которое может быть приложено для безопасной работы.

Безопасная рабочая зона BUZ11 согласно техпаспорту

Теперь о малоизвестном параметре, на который следует обратить внимание при ДЕЙСТВИТЕЛЬНО чтении спецификаций на полевые транзисторы: безопасный рабочий диапазон (SOA). Имейте в виду, мосфеты любили включаться и выключаться. Редко вы хотите, чтобы MOSFET работал с аналоговыми напряжениями. SOA сообщает вам рекомендуемое напряжение и ток, которые MOSFET может выдержать перед взрывом.

Создай сам!

Следующая схема предназначена для работы с напряжением 20 В от 0 до 5 А.Вам понадобится следующее, чтобы построить эту схему

1x 10k потенциометр

1x Buz11 Mosfet

1x 10 Вт резистор TO-220

1x 741 операционный усилитель

2 конденсатора 0,1 мкФ

2 радиатора

1 макетная плата

Разное провода

1x охлаждающий вентилятор (дополнительно)

Следовательно, для этой схемы вам потребуются следующие инструменты

1 источник питания +15 В/-15 В

1 источник питания +32 В/5 А

1 мультиметр

 

Теперь соберите схему, как показано на рисунке ниже.Не забудьте прикрепить радиаторы к резистору и мосфетам! ОНИ БУДУТ ПОВРЕЖДЕНЫ БЕЗ РАДИАТОРА! Если у вас завалялся охлаждающий вентилятор, включите его и направьте в сторону резистора и мосфета. Чем холоднее работают эти компоненты, тем меньше вероятность их повреждения.


Перед включением цепи.
Пока не подавайте 20 В на MOSFET. Вы должны убедиться, что напряжение на потенциометре равно 0 В, иначе ваш блок питания перейдет в ограничение по току.Подайте питание на операционный усилитель/потенциометр. Убедитесь, что напряжение на потенциометре равно 0 В. Теперь подайте питание на MOSFET и начните поворачивать ручку. Вы должны начать видеть, что схема, потребляющая определенное количество тока, будет поддерживать одинаковое напряжение источника питания.

 

На сегодня все! Спасибо, ребята, за чтение этого поста, и если у вас есть какие-либо вопросы, комментарии или проблемы, пожалуйста, оставьте комментарий. Кроме того, не стесняйтесь следовать за мной на Twitter. Хорошей недели!

Нравится:

Нравится Загрузка…

Родственные

Категории: Электроника, Учебники | Теги: электронный, Электронная нагрузка, Силовая электроника, Учебники | Постоянная ссылка.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.