C114 транзистор характеристики: DTC114ES, NPN цифровой транзистор, управляемый [TO-92S], Rohm

Содержание

силовые модули – тема научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям читайте бесплатно текст научно-исследовательской работы в электронной библиотеке КиберЛенинка

Компоненты и технологии, № 8’2003

SEMITRANS

один в пяти лицах

Компания БЕМЖГОЫ является одним из ведущих мировых производителей, специализирующихся на разработке компонентов для изделий силовой электронной техники — электротранспорта, приводов, блоков вторичного электропитания, устройств промышленной автоматизации и энергетики, автомобильной промышленности. Основные усилия разработчиков БЕМЖГОЫ направлены на удовлетворение жесточайших требований, предъявляемых к современным силовым электронным компонентам. В первую очередь, это требования по надежности, энергосбережению и электромагнитной совместимости.

Андрей Колпаков

[email protected]

Продукция фирмы SEMIKRON насчитывает более 11000 различных наименований полупроводников в диапазоне мощности от единиц ватт до нескольких мегаватт. В номенклатуре SEMIKRON — модули IGBT, интеллектуальные модули IGBT, модули MOSFET, драйверы, тиристоры и диоды. Первый в мире изолированный модуль IGBT SEMIPACK был разработан специалистами фирмы SEMIKRON. К настоящему времени во всем мире продано более 56 млн таких модулей. SEMIKRON — единственный в мире производитель интеллектуальных силовых модулей IGBT с током до 2400 А. По основным техническим характеристикам изделия SEMIKRON превосходят ближайших конкурентов на 10-20%.

Многие изделия SEMIKRON стали промышленным стандартом благодаря своей компактности, надежности и отличным техническим характеристикам. Продукция SEMIKRON имеет высший сертификат качества QS 9000, требуемый для автомобильного производства.

Несмотря на то что компания SEMIKRON прославилась в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам, она выпускает широкую гамму стандартных продуктов, к которым относятся и модули IGBT SEMITRANS. Однако, в отличие от многих производителей, SEMIKRON предлагает 5 вариантов технологии изготовления этих модулей, что позволяет пользователю выбрать элемент, наиболее полно удовлетворяющий его требованиям.

Характеристики модулей SEMITRANS

Модули и транзисторы IGBT ранних поколений не имели разделения по области применения, фирмы, выпускающие их, непрерывно работали над комплексным улучшением параметров, и это было оправдано. Однако в процессе развития технологии производства IGBT оказалось, что гораздо выгоднее улучшать какую-либо из характеристик, даже в ущерб остальным, и производить компоненты, предназначенные для конкретного применения. В результате появились классы транзисторов и модулей, отличающиеся, как правило, по частотным свойствам. Например, у фирмы International Rectifier, одного из идеологов специализации, таких классов было 3: Standard, Fast, UltraFast. Впоследствии в производственной программе IR появились ульт-рабыстрые транзисторы WARP, WARP II, а стандартные низкочастотные были сняты с производства. Перечисленные классы относятся к дискретным

Компоиеиты и технологии, № 8’2003

Таблица 1. Основные характеристики различных технологий производства кристаллов IGBT

Параметр UltraFast Trench FS SPT Единица измерения

Ti _ 25 °C 3,3 1,7 2,0 B

VCEsat Ti_ 125 °C 4,1 2,0 2,3 B

Темп. коэффициент положит. положит. положит. —

Etot § ° AC 15 25 21 мДж

Qg IC_ 100 A 1000 700 1000 нКл

Sch _ 100 мм2 620 700 620 нКл

VCEsa, — напряжение насыщения;

Etot — общая энергия переключения;

Qg — заряд затвора;

Tj — температура кристалла;

Ic — ток коллектора;

Sch — площадь кристалла.

транзисторам IR, модули, производимые данной фирмой, имеют в настоящее время 2 модификации: Fast и Ultrafast.

Примерно такой же классификации придерживается большинство ведущих производителей. Фирма SEMIKRON предлагает пять типов модулей IGBT в стандартных конструктивах (рис. 1) с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В. Среди модулей с рабочим напряжением 1200 В: серия 123 — стандартные Non Punch Through (NPT) IGBT, серия 124 — Low Loss NPT-IGBT (транзисторы с низкими потерями проводимости), серия 125 — Ultrafast NPT-IGBT (транзисторы с низкими потерями переключения), серия 126 — Trench Field-Stop (Trench-FS) IGBT (транзисторы со сверхнизкими потерями проводимости), серия 128 — Soft Punch Through (SPT) IGBT (транзисторы с оптимизированным соотношением потерь проводимости и переключения). Основная цель производства такого многообразия компонентов — обеспечение максимального количества возможных потребителей, получение минимальных потерь мощности для каждого конкретного применения.

На практике можно выделить 3 основных типа устройств, требующих оптимального соотношения определенных параметров:

1. низкочастотные преобразователи (ветро-генераторы, конверторы для энергосистем, использующих энергию солнца, некоторые типы источников бесперебойного питания) — для этих применений главными являются потери проводимости;

2. импульсные преобразователи частоты (привода, некоторые типы источников бесперебойного питания) — для этих применений требуются низкие потери проводимости и переключения одновременно;

3. высокочастотные устройства (системы индукционного нагрева, сварочное оборудование, резонансные инверторы) — для этих применений определяющими являются потери переключения.

В таблице 1 приведены наиболее важные параметры, характеризующие различные типы технологий кристаллов IGBT, а на рис.ЛЫБ

ные потери переключения, а SPT-IGBT — это компромиссный тип транзисторов с оптимальным сочетанием статических и динамических характеристик. Все приведенные классы транзисторов характеризуются положительным температурным коэффициентом напряжения насыщения, что позволяет использовать их параллельное соединение.

Большое влияние на суммарное значение потерь в импульсных усилителях, особенно при индуктивном характере нагрузки, имеют потери, создаваемые антипараллельны-ми диодами. Для снижения уровня этих потерь SEMIKRON разработал серию диодов, названных CAL (Controlled Axial Lifetime) и CAL HD (High Density). При разработке технологии CAL особое внимание уделялось обеспечению хороших характеристик проводимости, низких динамических потерь и повышению плавности кривой обратного восстановления dIrr/dt. Последняя характеристика влияет на потери выключения, уровень переходных перенапряжений и уровень EMI.

Основной особенностью диодов CAL является наличие т. н. центра рекомбинации, позволяющего регулировать время жизни носителей и влияющего таким образом на время обратного восстановления и плавность кривой восстановления. Центр рекомбинации индуцируется за счет облучения кристалла электронами высокой энергии и в процессе ионной имплантации. По пара-

LA

т 1

— 27 °С— 125 °С

CALHD /

CAL

0,40

2,40

V„B

Рис. 3. Зависимость прямого падения напряжения Ур от тока !р диодов СЛ1.РМТ становится положительным, что дает преимущество при параллельном соединении, когда рост температуры кристалла компенсируется снижением рассеиваемой мощности. Отрицательный температурный коэффициент может привести к разбалансу токов в предельных режимах работы. При параллельном включении диодов предыдущего поколения необходимо подбирать элементы с идентичным значением прямого напряжения.

Диоды CAL HD имеют некоторый проигрыш в динамических параметрах, что компенсируется значительным снижением прямого падения напряжения, увеличением допустимой плотности тока и предельного значения тока. Сочетание низких потерь проводимости, присущих транзисторам ТгепЛ-Р8 и диодам CAL HD, обеспечивает модулям серии 126 уникальные характеристики проводимости. В таблице 2 указаны типы диодов, используемые в различных модификациях ЮБТ. На графиках (рис. 4) приведена зависимость максимально допустимого тока от рабочей частоты для модулей, использующих различные типы транзисторов и ан-типараллельных диодов.

Таблица 2. Типы антипараллельных диодов,

примененных в различных типах модулей ЮБТ

Компонент модуля Технология изготовления

IGBT Trench FS SPT Ultrafast

Диод CAL HD CAL CAL

Компоненты и технологии, № 8’2003

SPT/CAL: SKM400GB128D Trench-FS/CAL-HD: SKM600GB126D

UsA ——— NPT/CAL: SKM400GB123D

400

300

200

100

Uout = 400V Vdc = 600V Rthha = 0,03 cosf = 0,8

* N .,№а — тепловое сопротивление «радиатор — окружающая среда»;

Та — температура окружающей среды

На рис. 5 приведены графики, демонстрирующие зависимость максимального выходного тока IRMS (среднеквадратичное значение) от частоты ШИМ для 3-фазного инвертора, в котором применены полумосто-вые модули различных производителей. Все модули имеют одинаковый конструктив и близкий размер кристалла, для сравнения взяты компоненты классов Trench и SPT SEMIKRON и Fast/Ultrafast остальных производителей. Обратите внимание, что во всем диапазоне частот модули SEMIKRON имеют большее значение предельного тока. Сравнительные характеристики этих изделий даны

в таблице 3, куда добавлены также параметры модулей International Rectifier и EUPEC. В таблице 4 приведены аналоги некоторых модулей Trench и SPT SEMITRANS с рабочим напряжением 1200 В.

Особенности технологии производства кристаллов IGBT

Основными параметрами, по соотношению которых определяются частотные свойства кристалла IGBT, его «специализация», являются напряжение насыщения, заряд затвора и энергия переключения. Для получе-

Таблица 3. Сравнительные характеристики модулей ЮВТ различных производителей (полумост, рабочее напряжение 1200 В)

Тип элемента, производитель Ic, A (25/80 °С) VcEsat, В Pd, Вт Rthjc, С/Вт Qg, мкК Eon, мДж Eoff, мДж

SKM200GB126D SEMIKRON 240/170 1,7 1400 0,15 — 17 21

SKM200GB128D SEMIKRON 285/205 1,0 1400 0,09 1,5 18 15

BSM200GB120DN2 EUPEC 290/200 2,5 1400 0,09 1,4 43 27

GA200TD120U IR 200/- 2,3 1040 0,12 1,6 44 44

CM200DU-24H Mitsubishi 200/- 2,9 1130 0,11 1,0 — —

MG150Q2YS40 Toshiba 200/150 2,8 1250 0,11 1,0 35 20

2MBI150SC-120 Fuji 200/150 2,3 1000 0,12 1,5 30 17

1С — ток коллектора;

УСЕ5а, — напряжение насыщения;

Р[) — максимальная рассеиваемая мощность;

1?Л|С — тепловое сопротивление «кристалл — корпус» Таблица 4. Аналоги модулей БЕМ1Т1?АМ5

SEMIKRON EUPEC Mitsubishi

SPT, Trench Standard Trench Прим. Trench Серия H

SKM75GB128DN BSM75GB120DN2 — CM75DY-24H

SKM100GB128DN BSM100GB120DN2 — CM100DY-24H

SKM145GB128DN BSM150GB120DN2 — * CM150DU-24F CM150DY-24H

SKM200GB128DN BSM200GB120DN2 FF200R12KE3 ** CM200DU-24F CM200DY-24H

SKM300GB128DN BSM300GB120DN2 FF300R12KE3 ** CM300DU-24F CM300DY-24H

SKM400GB128DN — FF300R12KE3 * — —

SKM400GА128DN BSM400GА120DN2 FZ300R12KE3G * — —

SKM500GА128DN — FZ400R12KE3 * CM400HU-24F CM400HA-24H

SKM800GА126DN — FZ600R12KE3 CM600HU-24F CM600HA-24H

Примечания:

* Модули Trench SEMITRANS имеют меньшие потери при всех условиях эксплуатации; ** Модули Trench SEMITRANS имеют меньшие потери на частотах более 5 кГц.

ния требуемых характеристик SEMIKRON использует три типа технологии — NPT, SPT, Trench-FS. На рис. 6 показаны основные отличия конструкции кристаллов IGBT, производимых по этим технологиям, а их типовые характеристики приведены в таблице 1.

Как показано на рис. 6, а, при производстве стандартных чипов NPT используется однородная диффузионная n- подложка толщиной около 200 мкм. Сверху на ней располагается структура затвора, а биполярный PNP-транзистор формируется с помощью добавления слоя р+ в основание подложки. Описанная гомогенная структура IGBT имеет очевидные достоинства, в частности, это высокая стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения, прямоугольная область безопасной работы (RBSOA — Reverse Biased Safe Operating Area).

Транзисторы SPT содержат дополнительный буферный слой n+, расположенный между подложкой и слоем р+. Буферный слой повышает стойкость транзистора к пробою, опасность которого возрастает из-за уменьшения толщины подложки. Меньшая толщина кристалла SPT-транзистора позволяет снизить потери проводимости SPT. Структу-

Эмиттер Затвор

Эмиттер Затвор Эмиттер Затвор

p С

n подложка

P+ — _

Колектор

Ь. SPT-IGBT с- Trench-FS-IGBT

Рис. 6. Особенности технологии изготовления кристаллов:

NPT, SPT, Trench-FS

Компоненты и технологии, № 8’2003

2150

50

\ Uitrafast IGBT Trench-Fiend Stop IGBT — Soft-Punch Through IGBT

Режимы измерения: Vout=400B Vdc=<560B cos (Phi) = 0,85 Ti = 90 °C Ta = 40 °C fouT = 50 °C Tj = 125 °C Rthcs= 0,038 К/Вт Ritiia = 0,029 К/Вт

0 10 Частота, кГц м

Рис. 7. Зависимость максимального тока (среднеквадратичное значение) от частоты для различного типа кристаллов IGBT

ра затвора SPT-IGBT, так же как и NPT-IGBT — стандартная планарная.

Транзисторы SPT-IGBT имеют оптимизированные характеристики выключения: линейное нарастание напряжения при выключении, более плавный переходный процесс, меньшее перенапряжение, сокращенный «хвост» тока. Напомним, что «хвостом» называется остаточный ток коллектора IGBT после запирания, возникающий из-за рассасывания неосновных носителей в «биполярной» области IGBT. Энергия переключения транзисторов SPT ниже, чем у транзисторов, выполненных по стандартной NPT-технологии. Площадь кристалла и тепловые характеристики транзисторов NPT и SPT соизмеримы.

При изготовлении Trench-FS-транзисто-ров также используется буферный слой n+ в основании подложки (рис. 6, с). Однако у этого типа кристаллов затвор выполнен в виде глубокой канавки (trench) в теле подложки. Такая структура затвора в сочетании с модифицированной конструкцией эмиттера позволяет оптимизировать распределение носителей в области подложки. В результате напряжение насыщения транзисторов Trench-FS оказывается на 30% ниже, чем у NPT, а размер кристалла — меньше почти на 70%. Соответственно, технология Trench-FS позволяет получить большую плотность тока. «Платой» за все описанные улучшения является повышенное значение теплового сопротивления. По сравнению с SPT-IGBT, процесс изготовления Trench-FS-IGBT несколько сложнее, но это компенсируется уменьшенной площадью кристалла Trench-FS.

Технологии изготовления транзисторов SPT и Trench являются наиболее современными, имеющими очевидные преимущества перед стандартными технологиями производства IGBT. Главное их отличие состоит в том, что применение транзисторов Trench-FS-IGBT позволяет получить сверхнизкие потери проводимости, а SPT-IGBT имеют отличные динамические характеристики. Оба типа транзисторов обладают высокой стойкостью к короткому замыканию. Допустимый ток короткого замыкания для этих типов транзисторов превышает 6-кратное значение номинального тока. Кроме того, они имеют повышенное напряжение изоляции (4 кВ против 2,5 кВ для стандартных модулей).

На рис. 7 приведена зависимость максимально допустимого тока 3-фазного инвертора от частоты ШИМ для разного типа кристаллов IGBT. Условия эксплуатации и тепловые режимы, при которых были сделаны расчеты тока, также приведены на рисунке. Вычисления и построение графиков производились с помощью программы SEMISEL, разработанной специалистами SEMIKRON [4].

Оптимизация распределенных параметров модулей SEMITRANS

Импульсные процессы, происходящие в мощных преобразователях, неизбежно приводят к возникновению высокочастотных шумов и помех. Частотный диапазон генерируемых шумов простирается от несущей частоты ШИМ (как правило, 10 кГц) до радиочастот (до 30 МГц). Низкочастотные помехи проникают в питающую сеть, высокочастотные составляющие создают мощные радиопомехи. Сетевые помехи обычно характеризуются дискретными гармониками на частотах примерно до 2 кГц. Гармонические составляющие с частотами выше 10 кГц называются радиопомехами, их уровень измеряется в дБ/мкВ.

Электрические характеристики транзисторов и диодов, используемых в мощных модулях, оказывают существенное влияние на уровень излучаемых радиопомех, так же как и распределенные характеристики элементов конструкции. Специалистами SEMIKRON разработана методика моделирования процессов распространения помех, создаваемых импульсными каскадами, с помощью программ схемотехнического моделирования. Для анализа спектра токов помех используются эквивалентные схемы, одна из которых приведена на рис. 8. Вместо источника питания в схеме используется т. н. цепь стабилизации импеданса сети — LISN (Line Impedance Stabilization Network). Чтобы отобразить частотную зависимость компонентов устройства, они заменяются эквивалентными RLC-цепями.

Силовой модуль также представлен эквивалентной схемой «Модуль». Источники помех заданы генератором импульсного тока IS для симметричных токов помех и источником импульсного напряжения VS для асим-

0,01 0,1 F, МГц 1

Рис. 9. Спектр помех стандартного и оптимизированного модуля IGBT SEMITRANS

метричных токов помех. Схема VS содержит полумостовой каскад IGBT-транзисторов и генератор импульсов. Для анализа процесса образования асимметричных помех были разработаны специальные SPICE-модели силовых ключей и антипараллельных диодов, особое внимание в которых было уделено корректному отображению временных характеристик тока коллектора и напряжения «коллектор — эмиттер». Данные модели максимально достоверно имитируют процессы включения и выключения транзисторов с учетом процесса обратного восстановления оппозитного диода и токового «хвоста» IGBT-транзистора.

Стандартным способом подавления радиопомех является использование сетевых фильтров, включаемых в линиях питания импульсных преобразовательных устройств. Применение подобных фильтров заметно увеличивает стоимость и габариты устройства. Для упрощения и удешевления фильтра необходимо максимально снизить уровень помех, генерируемых силовым модулем на этапе его проектирования. Именно такой подход используется при разработке модулей SEMIKRON. Оптимизация конструкции модуля с точки зрения снижения уровня EMI стала возможной благодаря разработке эквивалентных схем, позволяющих анализировать пути возникновения и распространения сигналов помехи и эквивалентных схем модулей IGBT, учитывающих влияние паразитных элементов конструкции.

На рис. 9 показаны эпюры спектрального состава сигналов помех, измеренные для стандартного модуля IGBT и модуля SEMI-TRANS, имеющего оптимизированную топологию. Измерения проводились для полу-мостового каскада при следующих условиях

Компоненты и технологии, № 8’2003

Таблица S. Ток коллектора и типы новых модулей SEMITRANS (GB — полумост, GA — одиночный модуль, рабочее напряжение 1200 В)

Ic, A Ultrafast (12S) Trench (12б) SPT (128)

75 SMK75GB128DN

100 SKM100GB125DN SMK100GB128DN

150 SMK145GB128DN SMK150GB128D

200 SKM200GB125D SKM195GB126DN SKM200GB126D SMK200GB128D

300 SKM300GB125D SKM300GB126D SMK300GB128D

400 SKM400GB125D SKM400GB126D SMK400GB128D

500 SMK500GB128D

600 SKM600GА125D SKM600GB126D

800 SKM800GА126D

эксплуатации: напряжение шины питания — 450 В, ток нагрузки — 20 А, частота ШИМ — 20 кГц. Эпюры показывают значительное снижение EMI модуля SEMIKRON. Как видно из графиков, на некоторых частотах уровень помех снижен более чем на 20 дБ.

Программа SEMISEL

В таблице 5 приведены типы новых модулей SEMITRANS, разработанных в последнее время. Модули ранних серий 123 и 124 рекомендуется применять, если к изделию не предъявляются серьезные требования по эффективности, а главным является минимальная стоимость. Однако, особенно в условиях России, ценовые характеристики изделия, соотношение «цена — качество» имеют немаловажное значение.

В преобразователях с мощностью, достигающей сотен киловатт, увеличение эффективности даже на 1% позволяет не только сэкономить электроэнергию, но и улучшить тепловые режимы работы силовых компонентов, повысить надежность изделия, увеличить его ресурс. Именно поэтому выбор силового модуля, позволяющего минимизировать потери в конкретных условиях эксплуатации, является очень важной задачей.

Для сравнения различных компонентов необходимо произвести расчет потерь при одинаковых условиях эксплуатации, определить температуру кристалла в наиболее тяжелых условиях эксплуатации. Однако далеко не все разработчики достаточно хорошо владеют методиками теплового расчета. Для упрощения этого процесса SEMIKRON предлагает программу SEMISEL — простой и точный инструмент, позволяющий осуществить оптимальный выбор [4]. На рис. 10 показано исходное меню программы, в котором пользователь указывает рабочие режимы проектируемого изделия. Далее, после выбора одного из предлагаемых модулей, программа осуществляет расчет и выводит на экран тепловые режимы его работы с учетом всех особенностей конструкции модуля. В процессе работы с программой можно выбрать подходящий драйвер SEMIKRON, изменить исходные данные, условия охлаждения или тип радиатора.

На рис. 7 показаны графики зависимости выходного тока инвертора от частоты, полу-

Рис. 10. Экран задания исходных данных для расчета программы SEMISEL

Таблица б. Рабочая температура модулей различного типа

Тип SKM400GB123 SKM400GB124 SKM400GB12S SKM400GB128

модуля Standard NPT Low Loss NPT Ultrafast NPT SPT

fOUT, Гц SO 2 SO 2 SO 2 SO 2

ртот, Вт 607 582 533 528 519 480 454 456

TjD, °C 117 120 108 111 107 111 98 101

j °C 118 120 109 110 107 107 99 100

Tc, °C 114 114 105 105 104 103 96 96

T„ °C 107 107 99 99 97 97 90 90

ченные с помощью программы SEMISEL. Пользуясь средствами программы, определим для примера, какой из модулей SEMI-TRANS с током 400 А имеет наименьшие потери в одинаковых рабочих режимах. В таблице 6 приведены результаты расчетов суммарной рассеиваемой мощности РТОТ, максимальной температуры кристалла IGBT Tj и антипараллельного диода TjD, температуры корпуса модуля Tc и температуры теплостока Ts модулей различного типа в схеме 3-фазного преобразователя частоты при двух значениях частоты огибающей fOUT и следующих условиях эксплуатации:

• напряжение шины питания VDC = 600 B;

• выходное напряжение VOUT = 400 B;

• выходной ток IOUt = 50 A;

• cos ф = 0,85;

• частота ШИМ, fsw = 8 кГц;

• охлаждение — принудительное воздушное, 85 м3/ч;

• температура окружающей среды — 40 °С;

• тепловое сопротивление теплостока Rthsa— 0,11 °С/Вт

На сегодняшний день программу SEMISEL SEMIKRON следует признать наиболее автоматизированной, точной и простой в использовании, так как она охватывает практически все существующие схемы и требует от пользователя ввода только числовых ис-

ходных данных. Удобный интерфейс, пояснения, данные для всех режимов работы, позволяют использовать программу разработчикам средней квалификации.

Главным ограничением для использования SEMISEL является то, что эта программа предназначена для выбора и расчета компонентов производства SEMIKRON, так как все коэффициенты, использованные в формулах и выражениях, рассчитаны применительно к данным компонентам. Однако номенклатура выпускаемых SEMIKRON компонентов столь широка, что потребитель всегда может найти среди изделий подходящий элемент для своих разработок. ЖЯ

Литература

1. Ralph Annacker, Markus Hermwille. 1200V Modules with Optimised IGBT and Diode Chips. Semikron Elektronik GmbH.

2. J. Li, R. Hetzer, R Annacker, B. Koenig. Modern IGBT/FWD chip sets for 1200V applications. Semikron Elektronik GmbH.

3. Колпаков А. Оптимизация параметров ан-типараллельных диодов SEMIKRON // Компоненты и технологии. 2003. № 2.

4. Колпаков А. И. Программа автоматического теплового расчета SEMISEL // Компоненты и технологии. 2002. № 9.

Выбор активного элемента усилительных каскадов

Обычно для всех каскадов приемника стараются выбрать одинаковые транзисторы для уменьшения уровня шума, простоты расчета.

Для обеспечения независимости усиления от частоты, граничная частота транзистора, по крайней мере, в 3 раза должна превышать верхнюю частоту диапазона.

Выберем маломощный сверхвысокочастотный транзистор КТ366А

Его основные параметры:

Определим граничную частоту характеристики транзистора [1, c114]:

(19)

(20)

(21)

Предельная частота удовлетворяет требованию [1, c225]

Определим постоянную времени входа транзистора

(22)

Найдем входное сопротивление транзистора

(23)

Рассчитаем Y-параметры и высокочастотные параметры транзистора КТ366А на рабочей частоте (для УРЧ в схеме с ОЭ). [1, c110]

(24)

Найдем- выходное сопротивление транзистора

(25)

где .

Определим входную емкость транзистора

(26)

Определим выходную емкость транзистора

(27)

Рассчитаем Y-параметры и высокочастотные параметры транзистора КТ366А на промежуточной частоте .

Найдем- выходное сопротивление транзистора

где .

Определим входную емкость транзистора

Определим выходную емкость транзистора

Коэффициент шума приемника

Чтобы приемник удовлетворял требованиям к чувствительности, коэффициент шума приемника должен удовлетворять неравенству [1, с13]:

, (28)

где — чувствительность приемника; — отношение сигнал/шум на входе приемника; — напряженность поля внешних помех; — действующая высота приемной антенны; — шумовая полоса линейного тракта; — постоянная Больцмана; — стандартная температура приемника; — внутреннее сопротивление приемной антенны.

В дальнейшем условимся, что антенна идеальная и помех не улавливает, поэтому ЭДС помех . Величину внутреннего сопротивления приемной антенны примем стандартной для большинства приемников и равной . Шумовую полосу линейного тракта вычислим по формуле [1, с13]:

(29)

При этом допустимый коэффициент шума всего приемника равен:

Определим коэффициент шума супергетеродинного приемника по формуле, приняв, что коэффициент передачи мощности фидерной лини равен 1 [1, c14]:

, (30)

где , , , — коэффициенты шума входной цепи, усилителя радиочастоты, преобразователя частоты, усилителя промежуточной частоты; , , — коэффициенты передачи по мощности входной цепи, усилителя радиочастоты, и преобразователя частоты.

Рассчитаем коэффициенты передачи отдельных блоков приемника по формулам таблицы 1.3 из [1, c16]. Коэффициент передачи мощности входной цепи:

, (31)

где и — принятое и оптимальное значения коэффициента связи антенны и входного контура приемника. Обычно, перестраиваемых приемниках применяют одноконтурные входные цепи с ненастроенной антенной, приняв коэффициент связи входной цепи с антенной не более половины оптимального значения [5]. Пусть .

Тогда согласно формуле (31) получим

Коэффициент передачи УРЧ:

(рассчитано для транзистора КТ366А)

Коэффициент передачи ПЧ:

Рассчитаем коэффициенты шума элементов приемника.

Коэффициент шума входной цепи:

Коэффициент шума усилителя радиочастоты:

где — минимальный коэффициент шума транзистора КТ366А.

Коэффициент шума преобразователя частоты:

Коэффициент шума усилителя промежуточной частоты:

Тогда возможный коэффициент шума приемника равен (30):

Полученный коэффициент шума меньше допустимого коэффициента шума, , а значит, требования к чувствительности приемника выполнены.

Материалы для транзисторов — Энциклопедия по машиностроению XXL

Материалы для транзисторов — материалы, в которых проявляется транзисторный эффект.  [c.367]

Опережающая стандартизация (ОС) [16]. Темпы научно-технической революции XX в. привели к резкому сокращению времени между появлением научной идеи п ее реализацией. Так, для радио пе шод воплощения идеи в практику был равен приблизительно 35 годам (1867—1902 гг.), для телевидения 14 (1922—1936 гг.), а для транзисторов только 5 годам (1948—1953 гг.). Этот процесс ускоренного развития касается как конструкций машин и других изделий, так и методов, средств производства, новых материалов. Срок морального старения оборудования, приборов и механизмов сократился, что вызвало более быструю их смену. Критерием снятия с производства выпускаемого изделия являются экономические преимущества производства и эксплуатации нового изделия того же назначения, его большие технические возможности, лучшие эргономические и другие показатели качества.  [c.62]


В общем случае для транзисторов, указанных в табл. 6.12, переходные величины 1со меньше для кремниевых устройств, чем для германиевых. В случае устройств с одинаковыми начальными характеристиками (особенно в отношении Ах) из теории следует, что для германия переходные величины тока /ео должны бы быть примерно в 2,5 раза больше, чем для кремния. Однако, не имея обширных данных о германиевых и кремниевых полупроводниковых приборах, можно предполагать, что основные различия между величинами /со для приборов из этих двух материалов являются следствием различий в технологии изготовления и свойствах материалов базы.  [c.318]

Кремний является основным материалом для производства полупроводниковых приборов выпрямительных, мощных и маломощных биполярных транзисторов, полевых транзисторов и приборов с зарядовой связью. Кремний применяют также для создания детекторов ядерных излучений, датчиков Холла и тензодатчиков. Достаточно большое значение ширины запрещенной зоны позволяет кремниевым приборам работать при температурах до 180…200 С.  [c.379]

Материалы для диодов с запирающим слоем и транзисторов Ge, 81, ОаАз, Си О.  [c.315]

Полупроводниковые материалы используются для получения проводимости, управляемой внешними факторами, например, напряжение, температура, освещенность. Из них изготавливаются диоды, транзисторы, фоторезисторы и тому подобные элементы.  [c.5]

Эти опыты показали, что низкочастотные транзисторы могут работать после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов 10 — 10 нейтрон см , если допустимо некоторое изменение параметров схемы. Нужно учесть, что для испытания были выбраны такие материалы и конструкции транзисторов, которые обеспечивают высокую радиационную-стойкость этих транзисторов, например германий с диффузионной базой, обеспечивающий высокое значение предельной частоты передачи тока.  [c.290]

В качестве легирующей добавки к конструкционным материалам, повышающей их прочность и твердость и увеличивающей износо- и коррозионную устойчивость. В виде нитей используется в термосопротивлениях, термоэлементах, гальванометрах. В качестве легирующей добавки при изготовлении ферромагнитных сплавов систем медь—марганец, медь-магний и марганец—углерод. В полупроводниковой технике и радиоэлектронных устройствах (германиевые транзисторы, кристаллические выпрямители и усилители). Изготовление сплавов для электрических контактов  [c.345]

Серьезную конкуренцию наноэлектронике, основанной на использовании традиционных неорганических полупроводниковых материалов, в решении задач создания сверхминиатюрных и сверхбыстродействующих электронных устройств может составить молекулярная электроника. Как показывают исследования последних лет, индивидуальные молекулы ряда ароматических органических веществ, биомолекулы и углеродные нанотрубки обладают электрическими свойствами, которые, как считалось ранее, характерны только для объемных полупроводников. Они являются прекрасными проводниками электрического тока и могут использоваться в качестве переключателей при плотностях тока в миллионы раз больших, чем традиционная медная проволока. На их основе можно создавать мономолекулярные диодные переключатели, молекулярные полевые транзисторы и ряд других приборов. С использованием явлений самоорганизации на основе такого рода молекул можно формировать логические интегральные схемы и схемы памяти, рабочие напряжения в которых намного меньше, чем в традиционных полупроводниковых аналогах.  [c.113]


Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С.  [c.94]

Термостойкость транзистора ограничена меньшей из температур, вызывающих собственную проводимость или приводящих к явлению пробоя [4]. При отрицательных температурах термостойкость транзистора может быть ограничена механическими повреждениями (нарушение термопрочности) из-за различных температурных деформаций отдельных частей прибора, а также уменьшением коэффициента усиления по току. С термостойкостью связано другое важное понятие допустимые температуры для материалов и элементов. В некоторых случаях величина допустимой температуры  [c.10]

Хорошо известна зависимость многих физических свойств полупроводников от состояния их поверхности [3—5]. В случае плёнок поверхностные эффекты могут полностью определять все характеристики материала. Именно это послужило Шокли и Пирсону [6] основанием для исследования эффекта поля в напыленных германиевых пленках, что впоследствии привело к созданию полевого транзистора [7]. Как показали дальнейшие исследования, и другие полупроводниковые материалы, например напыленные поликристаллические пленки сульфида кадмия, тоже могут быть применены в таких приборах [8]. Однако этот материал не оправдал надежд из-за недостаточной долговременной стабильности Одной из причин широкого изучения  [c.317]

В последние годы наметился существенный прогресс в использовании этих материалов в разных областях техники, например, для создания транзисторов и оптоэлектронных приборов.  [c.15]

В настоящее время кремний является основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов диодов, транзисторов, фотоэлементов, тензопреобразователен и твердых схем микроэлектроники. При использовании кремния верхний предел рабочей температуры приборов может составлять в зависимости от степени очистки материала 120—200 С, что значительно выше, чем для  [c.257]

Иногда по практическим соображениям оказывается целесообразнее использовать для транзисторов материалы, менее стойкие к облучению, например кремний, которые в специфических условиях, при повышенных температурах, обеспечивают оптимальную радиационную стойкость. С другой стороны, если по условиям работы требуются устройства с более широкой областью базы (т. е. более низкие значения предельной частоты передачи тока), то требования к радиационной стойкости снижаются. Это становится ясным после рассмотрения радиационных эффектов в мощных транзисторах. В Брукхейвене [33] испытывали мощные германиевые транзисторы типа 2N297 и 2N236B. Было получено хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений снижения коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Однако если в качестве критерия разрушения принять состояние, в котором обратный ток коллектора увеличивается на порядок, а коэффициент усиления по току в схеме с заземленным эмиттером уменьшается в 2 раза, то оказывается, что изменение первой характеристики происходит при интегральном потоке быстрых нейтронов (5 8)-10 нейтрон 1см , а второй — между  [c.290]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р» -типа — области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов — границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия — процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает  [c.539]


В табл. 6.6 приведены значения коэффициента усиления по постоянному току hpE (при /с, равном 0,25 и 1,0 а) для нескольких транзисторов L5446, облученных быстрыми нейтронами последовательно в несколько приемов до 5-101 нейтрон/см . При указанных двух значениях коллекторного тока и начальных значениях удельного электросопротивления области базы в пределах 2,9—25 ом-см коэффициент уменьшается с увеличением интегрального потока. Эти результаты качественно подтвердили, что материалы с меньшим удельным электросопротивлением отличаются более высокой радиационной стойкостью.  [c.292]

Некоторые эксперименты были проведены с помощью линейного ускорителя. Тормозное уизлучение, вызванное торможением электронов в материале мишени, было источником ионизирующего излучения [14]. Линейный ускоритель на 6 Мэе выдавал либо один, либо серию импульсов излучения различной длительности вплоть до 1,8-10-в сек. Для описания величин максимального переходного тока 1со в этом случае нужно пользоваться уравнением (6.17). Регистрация изменений I o производилась во время подачи отдельных импульсов излучения от ускорителя, причем изменение обратного тока транзисторов носило почти целиком переходный характер.  [c.317]

Кроме того, материалы должны иметь определенные значения коэффициентов теплопроводности и электрической проводимости — высокие значения для проводников, низкие или близкие к нулю значения для изоляционных материлов и строго заданные значения для резисторов, полупроводников и транзисторов коэффициент теплового расширения, который, исключая некоторые специальные случаи, должен быть по возможности низким хорошие фрикционные свойства для материалов, которые будут работать на износ или будут использованы для таких конструкций и частей, как оси, подшипники, шпонки и ползуны.  [c.7]

Метод жидкокристаллической термографии не является универсальным, однако есть области, где только этот метод может дать быструю и достаточнуто информацию о поле температур. Это прежде всего области, где требуется панорамное изображение температур без нарушения исследуемой поверхности, когда исслед> емая область настолько мала, что не представляется возможным препарирование ее термодатчиками, сенсорами и другими приборами. К таким областям можно отнести неразрушакзщий контроль качества различных материалов. Это быстрый и дешевый метод отбраковки изделий электронной техники, выпрямителей, интегральных и печатных плат, транзисторов. ЖКК с холестериками широко используются для визуализации невидимых излучений (контроль ИК — лазеров, визуализация аэродинамического нагрева при изучении перехода от ламинарного течения в турбулентное и др.).  [c.154]

Как предсказывают материаловеды, нанокомпозиты, вютючающие пластмассы и другие органические материалы, в XXI веке станут чуть ли не основными для производства лазеров, транзисторов, магнитов. Эпохальное открытие, которое будет способствовать стремительному развитию органической электроники, отмечено Нобелевской премией по химии 2000года. Американским и японским ученым впервые удалось гфевратить пластмассу, которая обычно состоит из миллионов идентичных молек>л, связанных в длинные полимерные цепи не проводящие электричество в электрический проводник.  [c.172]

Весьма заманчивые перспективы сулит твердотельной электронике и недавнее открытие полупроводниковых и металлических полимеров. В настоящее время химики научились делать полупроводниковые полимеры с различной шириной запрещенной зоны. Это создало предпосылки для развития дешевых технологий производства разнообразных, прежде всего, оптоэлектронных приборов. Сегодня на основе полимерных полупроводников создаются светодиоды, перекрывающие диапазон излучения от ИК- до УФ-области спектра полноцветные гибкие светоизлучающие дисплеи фотодетекторы, солнечные батареи и полевые транзисторы с параметрами на уровне соответствующих аналогов на основе аморфного гидрированного кремния. С умеренным оптимизмом оцениваются перспективы создания на основе металлических и полупроводниковых полимеров интегральных схем. Все это стимулирует расширение фронта работ по синтезу и исследованию свойств этих многообещающих материалов.  [c.114]

Электрич. св-ва П. позволяют производить приборы, применяемые для генерации и усиления электрич. сигналов (транзисторы), детектирования и выпрямления порем, тока (диоды). Используя оптич. св-ва П., изготовляют фотосопротивлепия, фотодиоды и фототранзисторы. П. служит активной средой генераторов (усилителей) колебаний оптич. диапазона волн — полупроводниковых лазеров, к-рые сравнительно с другими (иапр.,рубиновыми) обладают более высоким кпд (см. Лазерные материалы). На основе термоэлектрич. св-в разрабатывают и выпускают термосопротивления, термоэлементы и батареи, термоэлектрич. генераторы и холодильники, термостабилизаторы. Перспективно изготовление  [c.35]

В латеральных структурах ускоряющее носители электрическое поле приложено на меж электродном промежутке. Его минимальная длина к.т1п определяется разрешением литографии. К планарным фотоприемникам с продольной структурой относятся МПМ-фоторезис-торы, в том числе работающие в режиме обеднения с модуляционно-легированным каналом фотодиоды Шоттки, р-п-, р-1-л-ФД, латеральные л-р-л-фото-транзисторы Для всех этих приборов быстродействие ограничивается временем пролета межэлектродного расстояния к. В случае материалов А В для обеспечения полосы детектирования Д/ 10 ГГц необходимо, чтобы 0,5… 0,3 мкм. Для получения таких малых межэлектродных расстояний необходимы методы субмикронной литографии. Это удорожает технологию скоростных продольных фотоприемников, которые в остальном проще коаксиальных фотоприемников с вертикальной топологией.  [c.132]

Элементная база ИОЭС развивается главным образом на основе полупроводниковых материалов А В — базовых для источников и приемников излучения. На основе этих материалов в ИОЭС создают также электронные компоненты оптоэлектронных схем — высокодобротные, широкополосные и низкошумящие полевые и биполярные транзисторы, диоды, образующие управляющие цепи источников излучения и фотопреобразователей.  [c.158]

Базовым элементом современньпс компьютеров является полупроводниковый (п/п) транзистор. Этот прибор так бы и остался научным курьезом, если бы не оказалось, что управляемость его переключений резко растет с улучшением технологии изготовления, т.е. чистоты материалов, воспроизводимости условий производства, контроля качества и т.д. Более того, У повыщалась гораздо быстрее, чем требования к технологии производства. Так, рост управляемости переключения от 10 для первых п/п триодов до Ю [см. формулу (4)]  [c.272]



Р — 130М — Техническо описание (ru)

5.14.3. Настройка на заданную частоту осуществляется автоматически изменением индуктивности вариометра. Для увеличения перекрытия вариометра по индуктивности обмотки его коммутируются автоматически /роторная и статорная обмотки включаются параллельно или последовательно/ с помощью реле J4 и контактной группы К2а.

Контактная группа К2а используется также для коммута­ции реле J1 на передней панели радиостанции на 8:10 подди­апазонах. Коммутируемое напряжение с контакта 1 контактной группы К2а подается на реле через контакт С6 разъема D1.

5.14.4. При работе на передачу на обмотку реле J1 подается напряжение 26 В с контактов ВЗ и сЗ разъема D1. Реле срабатывает и контактами 5 и 6 подсоединяет анодный контур через переходной конденсатор С21 к анодам ламп ГУ-50, а контактами 2 и 3 заземляет вход приемного каскада /V1/. Заземление входа приемного каскада устраняет паразитную связь через приемный каскад.

При приеме через контакты 5 и 6 реле J1 анодный контур подсоединяется ко входу приемного каскада, а контакты 1 и 2 подключают корпус к клемме КЛЮЧ на передней панели через контакт сО разъема D1.

С анодного контура при работе на передачу высокочас­тотный сигнал поступает на фильтр нижних частот, состоящий из натушен L2 — L5 и конденсаторов С24-С26.

5.14.5. ФНЧ предназначен для ослабления напряжения частот в диапазоне 20-100 МГц не менее чем на 30 дБ. С вы­хода фильтра через контакты 4 и 5 реле J9 сигнал поступает на выход усилителя мощности. С выхода блока высокочастотный сигнал поступает на вход выносного согласующего устройства.

5.14.6. Питание анодов ламп параллельное через дроссель L7 с контакта в9 разъема D1. Экранное напряжение с контакта в6 разъема D1 поступает на контакты K2d , которые служат для снятия экранного напряжения во время переключения обмоток вариометра, что предохраняет контакты реле от обгорания.

С контактов K2d экранное напряжение через фильтр R22, С18, С22 поступает на экранные сетки ламп ГУ-50.

Напряжение смещения минус 50 В с контакта а6 разъема D1 поступает на делитель напряжения R3, R7, обеспечивающий напряжение минус 42 В на управляющей сетке лампы ГУ-50. Напряжение смещения поступает на управляющие сетки ламп уси­лителя мощности с резистора R7 через сопротивление утечки R4 и антипаразитные резисторы R5, R41.

5.14.7. Контроль напряжения возбуждения осуществля­ется по прибору КОНТРОЛЬ, расположенному на передней панели радиостанции.

Высокочастотное напряжение через разделительный кон­денсатор С8 поступает на диод Е1. Выпрямленное напряжение сглаживается фильтром /С11, R9, С12/ и через контакт а4 разъема D1 поступает на прибор КОНТРОЛЬ. Резистор R8 служит для замыкания цепи диода Е1 по постоянному току.

Резисторы R20 и R21, включенные в цепи катода, служат для контроля катодного тока ламп ГУ-50. Напряжение с резисторов R20 и R21 через контакты а2 и аЗ разъема D1 поступает -а прибор КОНТРОЛЬ.

Конденсаторы С6, С17-С20, С22 — блокировочные.

5.14.8. Приемный тракт блока УМ состоит из усилителя на лампе V1. Напряжение питания на анод лампы поступает через контур блока ВЧ. Напряжение питания на экранную сетку поступает с резистора R1 делителя/R1, R2/.

Принимаемый сигнал с выносного согласующего устройства поступает на выход блока УМ. С выхода блока высокочастотный сигнал через контакты 4 и 5 реле J9 и ФНЧ поступает на анодный контур, который при приеме используется, как входной контур приемного тракта. С анодного контура сигнал через контакты 4 и 5 реле J1 и разделительный конденсатор С9 поступает на управляющую сетку большого сигнала от мощной радиостанции.

Нагрузкой усилителя служит контур, расположенный в блоке ВЧ.

5.14.9. Усилитель охвачен автоматической и ручной регулировкой усиления. Напряжение АРУ/РРУ с контакта в2 разъ­ема D1 через резистор R6 поступает на управляющую сетку лампы V1, Конденсатор С2 — блокировочный в цепи экранной сети. Элементы L1 , СЗ и С5 — фильтр в цепи накала лампы. Элементы L3, С23 — фильтр в цепи +26 В.

5.14.10. При установке переключателя РЕЖИМ, расположенного на передней панели, в положение НАСТРОЙКА усилитель мощности автоматически переводится в режим передачи мощность 20%.

Процесс настройки состоит из трех последовательных этапов:

— вывод вариометра на максимум индуктивности;

— поиск;

— точная настройка.

5.14.11. Вывод вариометра на максимум индуктивности осуществляется реле J6 и контактной группой К2с. Мотор S1,на обмотку которого при выводе вариометра на максимум индуктивности поступает напряжение 26 В /с контакта с2 через нормально замкнутые контакты 7 и 8 реле J6/, вращает с большой скоростью ротор вариометра до установления максимума индуктивности .

В момент установления максимума индуктивности происходит замыкание контактной группы К2с и срабатывают реле J5, J6 и J7. Реле J5 подключает напряжение ±13 В к двухканальному усилителю постоянного тока и подготавливает его к работе от блока УНЧ, отключая напряжение 13 В от блока УНЧ.

Реле J6 после срабатывания самоблокируется контактами 4 и 5, а контактами 6 и 7 подсоединяет мотор к цепи 13 В. Реле J7, срабатывая, подсоединяет корпус к реле времени через контакты 5, 4 и резистор R42, а контактами 6 и 7 подключает цепь +13 В к мотору.

Резистор R42 предотвращает подгорание контактов 5, 4 момент включения реле времени.

Таким образом, при поиске питание мотора осуществляв’ от источника 13 В по цепи рис.1.

5.14.12. Поиск осуществляется с помощью реле J8, фазового датчика и двухканального усилителя постоянного тока.

Фазовый датчик представляет собой фазовый детектор на четырех диодах Е2, Е11 и Е3, Е12. Упрощенная схема фазового датчика при­ведена на рис. 2. В описании работы фазового датчика символьная ключевая схема /К/ находится в замкнутом положении. Подробное описание ключевой схемы находится в конце описания фазового датчика.

На фазовый датчик подаются напряжения из анодной и сеточной цепи ламп ГУ-50. Из анодной цепи напряжение на фазовый датчик подается через трансформатор тока Tr1. Из сеточной цепи высокочастотное напряжение поступает на фазосдвигающую цепочку, которая состоит из конденсатора С14 и резистора R15. Фазосдвигающая цепочка создает дополнительный фазовый сдвиг сеточного напряжения относительно анодного на 900. Резисторы R11 и R19 служат для выравнивания обратных сопротивлений диодов Е2, Е11 и Е3, Е12. Резисторы R13 и R18 – сопротивления нагрузки фазового датчика. Конденсаторы С15 и С16 – блокировочные.

5.14.13. Принцип работы фазового датчика при точной настройке контура и незначительной расстройке приведен на диаграммах рис.3.

При точной настройке анодного контура усилителя напря­жение на аноде сдвинуто относительно сеточного на угол, рав­ный 180° /рис.3б/. Трансформатор тона включен в индуктивную цепь анодного контура. По катушке индуктивности протекает той IL, который при резонансе отстает от анодного напряже­ния на угол 90°. Этот тон наводит ЭДС Uez в обмотке трансфор­матора тона, которая синфазна с током IL. Нагрузкой транс­форматора тона являются резисторы R14 и R16. Ток ITr, вы­званный ЭДС Uez в нагрузке, отстает от ЭДС на угол 90°. На­пряжение U2, вызванное проходящим тоном ITr на резисторах R14 и R16, находится в фазе с током IТr.

Как видно из диаграммы /рис.3б/, напряжение U2 нахо­дится в фазе с напряжением на сетке, а, следовательно, сдви­нуто на угол 90° по отношению к напряжению U1, приложенно­му к резистору R15.

На диоды действуют результирующие напряжения U3 и U4 /рис. За/

При настроенном контуре напряжения U3 и U4 по абсолютной величине равны между собой. Эти напряжения выпрям­ляются диодами Е2, Е11 и E3, Е12 и на нагрузках R13, R18 выделяются равные по величине, но противоположной полярности напряжения.

Результирующее напряжение на выходе фазового датчика равно нулю, что соответствует точной настройке анодного кон­тура усилителя.

При незначительной расстройке анодного контура усили­теля его эквивалентное сопротивление будет иметь индуктив­ный или емкостной характер в зависимости от того, в какую сторону расстроен контур по отношению к резонансной частоте.

Таким образом, напряжение U1 и U2 относительно друг друга будут сдвинуты на угол больший или меньший 90° /рис.3в/

Напряжения U3 и U4 по абсолютной величине будут отли­чаться одно от другого, и на выходе фазового датчика в зави­симости от расстройки контура появится напряжение положитель­ной или отрицательной полярности.

Выходная характеристика фазового датчика, представля­ющая зависимость напряжения на выходе фазового датчика /Uвых., от сдвига фаз между сеточным и анодным напряжениями /ΔУ /, изображена на рис. 4.а.

Область, ограниченная выходной характеристикой, явля­ется рабочей полосой фазового датчика. Вне рабочей полосы напряжение фазового датчика равно нулю, при закрытой концевой схеме /К/. Окончание поиска при настройке происходит тогда, когда напряжение фазового датчика переходит в область отрицательных значений. Данная цепь обладает малой помехозащищенностью при настройке, так как величина вышеупомянутого напряжения очень близка к нулю. Для увеличения помехозащищенности используется ключевая схема /К/, которая приведена на рис. 4.б. Роль ключа /К/ выполняет транзистор Т11, который управляется напряжением, снимаемым с диода Е5, через эмиттерный повторитель, собранный на транзисторе Т10. Это напряжение является управляющим. Значение управляющего напряжения, выпрямленное диодом Е5 зависит от величины выходной мощности, создаваемой падением на эквиваленте нагрузки 75 Ом. В том случае, когда транзистор Т11 заперт на выходе фазового датчика создается положительное напряжение путем наложения. Это напряжение устанавливается с помощью сопротивлений R47, R13, R18 и внутренним сопротивлением УПТ. Это положительное напряжение создает большую помехозащищенность. С увеличением положительного напряжения фазового датчика одновременно увеличивается постоянное напряжение на выходе индикаторной цепочки мощности. При этом открывается транзистор Т11 и уровень выходного напряжения приближается к нулю, не влияя на точность настройки. Конденсаторы С60, С61, С62 служат для ВЧ фильтрации. При включении реле J5, J6 в цепи питания появляется отрицательный импульс, который шунтируется диодом Е14.

5.14.14. Для усиления сигнала, снимаемого с фазового датчика, служит двухканальный усилитель постоянного тона /УПТ/. Каждый канал усилителя состоит из двух каскадов: уси­ления сигнала и двухкаскадного электронного ключа. В кана­лах усилителя применяются транзисторы разной проводимости /р-п-р и п-р-п/. Этим определяется очередность работы кана­лов в зависимости от полярности сигнала, поступающего на вход усилителя.

Первый канал усилителя собран на транзисторах Т2, Т4 /усилитель/ и Т6, ТВ /электронный ключ/ и служит для уси­ления сигнала положительной полярности и коммутации управ­ляющего напряжения +13 В. Второй канал усилителя выполнен на транзисторах ТЗ, Т5 /усилитель/ и Т7, Т9 /электронный ключ/ и служит для усиления сигнала отрицательной полярно­сти и коммутации управляющего напряжения минус 13 В. При отсутствии сигнала на входе усилителя транзисторы Т2 и Т4 одного канала и ТЗ и Т5 второго канала закрыты, а транзи­сторы Т6 и 17 управляющих каскадов электронного ключа от­крыты, а транзисторы Т8 и Т9 управляемых каскадов закрыты — управляющее напряжение на выходе УПТ отсутствует.

При поступлении на вход /контакт 1 на плате УПТ/ усилителя сигнала положительной полярности транзисторы Т2 и Т4 открываются и усиленный сигнал положительной поляр­ности закрывает транзистор Т6, при этом открывается тран­зистор Т8, и напряжение +13 В через диод Е6 и переход эмит­тер-коллектор транзистора Т8 поступает на выход УПТ /кон­такт 12 на плате УПТ/.

При поступлении на вход усилителя сигнала отрицатель­ной полярности транзисторы Т3 и Т5 открываются и усиленный сигнал отрицательной полярности закрывает транзистор управ­ляющего каскада Т7. При этом открывается транзистор управ­ляемого каскада Т9 и напряжение минус 13 В через диод Е7 и переход эмиттер-коллектор транзистора Т9 поступает на вы­ход УПТ.

Резисторы R30-R40 определяют режимы транзисторов Т2-Т9.

5.14.15. Поиск основан на использовании выходной характеристики фазового датчика /см. рис. 4./ и односторонне­го направления вращения вариометра в сторону уменьшения расстроек контура. При этом вариометр проходит последовательно положительную, а затем отрицательную ветвь выходной характеристики фазового датчика.

При положительном напряжении на выходе фазового датчика открывается первый канал УПТ и управляющее напряжение +13 В поступает на выход. Однако диод Е10 представляет для этого напряжения бесконечно большое сопротивление, и напряжение не воздействует на реле J8. Питание мотора при этом осуществляется от цепи 13 В /см.рис.1./

При отрицательном напряжении на выходе фазового датчи­ка открывается второй канал УПТ, и управляющее напряжение 13 В отрицательной полярности поступает на реле J8 по цепи рис.5.

Реле J8, срабатывая, самоблокируется контактами 6 и 7 по цепи рис.6.

Для устойчивого включения реле J8 установлен конденса­тор С53.

При срабатывании реле J8 разрывается цепь питания реле J7, через нормально замкнутые контакты 3-4 реле J8 и мотор подключается к выходу УПТ по цепи рис. 7.

Режим точной настройки осуществляется фазовым датчиком через УПТ до полной остановки мотора по цепи рис. 7.

5.14.16. Для подключения трансформатора Тr1 к фазовому датчику, выдержки необходимого времени для точной настройки анодного контура блока и для переключения блока с внут­реннего эквивалента нагрузки R24 на ВСУ служит реле времени.

Реле времени собрано по схеме электронного ключа на транзисторе Т1 . Нагрузкой ключа служит обмотка реле J10. При подаче корпуса на реле времени срабатывает реле J10. Конденсатор С52 заряжается до напряжения 50 В. Разряд кон­денсатора происходит через резисторы R26 и R27 при снятии корпуса с реле времени.

Постоянная времени разряда конденсатора выбрана 4-6с, что достаточно для точной настройки анодного контура блока. После разряда конденсатора С52 транзистор Т1 закрывается, обмотка реле J10 обесточивается и разрывается цепь +26 В контактами 3 и 5. При этом реле J3 отключает трансформатор тока Тr1 от фазового датчика, реле J9 отключает выход фазо­вого датчика от УПТ и переключает анодный контур с эквива­лента нагрузки на ВСУ. На передней панели радиостанции гаснет сигнальная лампочка НАСТРОЙКА. Режим НАСТРОЙКА закан­чивается .

5.14.17. В случае выхода из строя элементов автома­тики в блоке предусмотрена возможность настройки анодного контура без автоматики.

Для этого на передней панели радиостанции установлена кнопка АВАРИЙНАЯ НАСТРОЙКА. Для осуществления аварийной настройки блока переключатель РЕЖИМ на передней панели уста­навливается в положение КАЛИБР., переключатель КОНТРОЛЬ -в положение 2 и нажимается кнопка АВАРИЙНАЯ НАСТРОЙКА.

Питание мотора происходит от источника +26 В по цепи рис. 8.

Одновременно подается напряжение +26 В на реле J9 с контакта с4 разъема D1. Реле J9, срабатывая, подключает внутренний эквивалент нагрузки R24 к анодному контуру. На­пряжение с эквивалента нагрузки, выпрямленное диодом Е5, через фильтр R23, С28, С27 и контакт с7 разъема d1 подается на прибор КОНТРОЛЬ на передней панели, по максимальным по­казаниям которого производится настройка блока. Мотор при аварийной настройке вращается достаточно медленно, для чего на него подается напряжение 6-8 В.

5.14.18. Усилитель мощности выполнен в виде отдельно­го блока на каркасе из алюминиевого сплава. Для экранировки сеточных и анодных цепей каркас имеет ряд отсеков, за­крываемых экранами:

— отсек анодного контура;

— отсек сеточной цепи;

— отсек автоматики;

— отсек фильтра нижних частот.

Блок конструктивно состоит из следующих основных узлов:

— анодного контура, включающего в себя вариометр с си­стемой коммутации, привод автоматической настройки каскада УМ на заданную частоту;

— сеточного отсека, куда входят печатная плата сеточной цепи, на которой смонтированы приемная лампа и элементы сеточной цепи ламп усилителя мощности;

— печатная плата фазо­вого датчика;

— переключателя поддиапазонов.

Переключатель необходим для коммутирования контурных конденсаторов и конденсаторов связи при изменении поддиапа­зонов приемопередатчика. Переключатель поддиапазонов меха­нически связан с ручкой установки частоты возбудителя КИЛОГЕРЦИ х1000 с помощью цилиндрических шестерен;

— фильтра нижних частот, расположенного в двух отсеках и состоящего из четырех натушен индуктивности и трех кон­денсаторов .

Для защиты блока возбудителя от нагрева и отвода те­пла в окружающую среду лампы с радиаторами воздушного охлаждения расположены снаружи кожуха радиостанции.

Усилитель мощности крепится тремя винтами к перед­ней панели. Электрическое соединение блока с другими бло­ками и передней панелью осуществляется через разъем типа РП3-30 и высокочастотный разъем.

5.15. Блок питания возбудителя

5.15.1. Блок питания возбудителя предназначен для преобразования стабильного напряжения 20 В отрицательной полярности, снимаемого с выхода стабилизатора блока БП-260,

в постоянные напряжения 150 В, 50 В, 13 В, 1,2 В положитель­ной полярности и 13 В, и 50 В отрицательной полярности, не­обходимые для питания радиостанции.

5.15.2. Блок питания состоит из автогенератора, вы­прямителей и сглаживающих фильтров. Автогенератор собран на транзисторах Т1 и Т2 по двухтактной схеме с коммутирующим трансформатором Тr1. Резисторы R3 и R4 служат для огра­ничения базовых токов транзисторов. Элементы R1, R2 и С1 служат для улучшения запуска автогенератора.

5.15.3. С контактов 4-5 вторичной обмотки трансформатора Тr2 напряжение снимается на выпрямитель, собранный по мостовой схеме на диодах Е1-Е4. Выпрямленное напряжение 150 В через П-образный фильтр / L1, С2 и С9/ подается на контакт в5 разъема D1 .

Резистор R8 служит для разряда конденсаторов фильтра при включении блока.

С контактов 6-7-8 трансформатора Тr2 снимается напряжение на выпрямитель, собранный по мостовой схеме со средней точной на диодах Е5-Е8. Такая схема позволяет получить постоянное 50 В напряжение положительной и отрицательной полярности .

Выпрямленное напряжение 50 В положительной и отрицательной полярности через сглаживающие фильтры, состоящие из конденсаторов СЗ, С4, С10, с11 и дросселей L2 и L3, поступает на контакты в4 и вЗ разъема D1, соответственно.

5.15.4. С контактов 9-10-11 трансформатора Тг2 на­пряжение снимается на выпрямитель, собранный по двухполупериодной схеме на транзисторах Т3 и Т4. Выпрямленное напряжение 1,2 В через сглаживающий фильтр, состоящий из конденсаторов С5, С12, дросселя l4 подается на контакты а2 и в2 разъема D1 .

Резисторы R6, R9 служат для точной установки номинального напряжения 1,2 В.

Переменное напряжение с контактов 12-13-14 трансформатора Тг2 подается на выпрямитель, собранный по мостовой схеме со средней точкой на диодах Е9-Е12. С выпрямителя постоянные напряжения 13 В положительной и отрицательной полярности через сглаживающие фильтры /L5, L6, С6, С7, С13, С14/ и через предохранители В1 и В2 подаются на контакты В6 и В7 разъема D1, соответственно.

Для получения напряжения питания термостата 3,6 В используется напряжение бортсети 26 В, которое га­сится резистором R7 до напряжения 3,6 В. Конденсатор С17 служит для уменьшения пульсаций постоянного напряжения 3,6:

Фильтр, состоящий из конденсаторов С8, С15, С16 и дросселя L7, служит для уменьшения проникновения высокочастотных составляющих тона, создаваемых преобразовате­лем, в источник питания. Преобразователь блока питания за­щищен от короткого замыкания предохранителем В3.

Блок питания возбудителя собран в литом кор­пусе, изготовленном литьем под давлением из алюминиевого сплава.

Преобразователь с транзисторами, выпрямители и сило­вой трансформатор размещены на наружной поверхности корпу­са и закрыты литой крышкой. В отдельный отсек вынесены резисторы для регулировки напряжения цепей накала и питания термостата. Закрывается отсек отдельной крышкой. Фильтры блока расположены внутри корпуса и размещены в двух отсека> В одном из отсеков размещены первые, после выпрямителя, кон­денсаторы, а во втором — дроссели и вторые конденсаторы фильтров. Оба отсека закрыты одной крышкой. Блок соединя­ется с передней панелью через шестнадцатиконтактный разъем. Крепится блок к возбудителю четырьмя винтами.

5.16. Межблочные соединения приемопередатчика

5.16.1. Электрическая связь блоков шасси и блоков возбудителя между собой, а также с передней панелью пред­ставлена на схемах передней панели, возбудителя и шасси.

На схемах показаны переключатели, реле, дроссели, конденсаторы, резисторы и другие элементы, которые элект­рически не отражены в принципиальных схемах описанных бло­ков, но функционально к ним относятся.

5.16.2. Тумблер К5 /ПРМ-ПРД/ возбудителя радиостан­ции — переключатель режимов работы радиостанции. Конденсатор С8* на передней панели фильтрирующий

Резистор R1 предназначен для балансировки смесителя СМ7 блока ВЧ.

Резистор R7 предназначен для балансировки смесителя СМ8 блока СМ.

Тумблер К1 /АРУ-РРУ/ предназначен для изменения вида регулировки усиления приемника радиостанции /ручная либо автоматическая/.

При ручной регулировке усиления напряжение смещения минус 50 В с делителя напряжения R2, R3, R4 подается на управляющие сетки ламп V15, V16, V22 блока ФУ, V1 блока УМ и V8, V10 блока ВЧ.

В положении АРУ вместо фиксированного напряжения сме­щения подается управляющее напряжение с выхода детектора АРУ блока ФУ.

Резистор R3 /УСИЛЕНИЕ/ — переменный, предназначен для регулирования усиления приемного тракта радиостанции по высокой частоте в блоках ФУ и ВЧ при ручной регулировке уси­ления.

Переключатель КЗ предназначен для управления настрой­кой ВСУ-ТМ путем коммутации напряжения питания U 26 В реле J1-J3, расположенных в блоке ВСУ-ТМ, и для управления реле J1 на передней панели на 1:7 поддиапазонах.

Переключатель К2 предназначен для коммутации смесите­лей СМ4, СМ5 и выходного контура в блоке ФУ /плата K2a/, a также для коммутации напряжения накала ламп каналов блока умножителей частоты /плата К2Ь при переключении поддиапа­зонов радиостанции. Конструктивно переключатель К2 связан с ручкой переключения поддиапазонов КИЛОГЕРЦЫ х1000 .

Переключатель К4 /ДИСКРЕТНО-ПЛАВНО/ предназначен для изменения режима работы блока частой сетки частот. В поло­жении ДИСКРЕТНО блок частой сетки частот работает как умно­житель частоты, в положении ПЛАВНО контакты 2 и 3, 5 и 6 замыкаются, и каскад усиления блока частой сетки частот ра­ботает как генератор с плавным перекрытием частоты в диапа­зоне 210 — 300 кГц.

Конденсатор СЗ шунтирует каскад умножения блока ЧС на корпусе при плавной установке частоты.

Резисторы R5, R6 — делитель напряжения в цепи питания экранной сетки лампы V2 блока ЧС. Конденсатор С2 — фильтру­ющий. Конденсатор С4 компенсирует разброс монтажных емко­стей и предназначен для укладки частоты генератора в диа­пазоне 210 — 300 кГц при плавной установке частоты.

Дроссель L2 — фильтр в цепи 1,2 В блока умножителей частоты.

Элементы L4, С5 — фильтр в цепи 1,2 В блока частой сетки частот.

Дроссель L3 — фильтр в цепи 1,2 В блока редкой сетки частот.

Дроссель L1 — фильтр в цепи 1,2 В ПРД блока ФУ.

Переключатель Кб предназначен для блокировки контактов барабанного переключателя во время его коммутации. Конденсатор С7* на передней панели служит для высокочастотной фильтрации

5.16.3. Электрическое соединение возбудителя и бло­ков с передней панелью осуществляется через разъемы D4, D6, DP, D1, D2, D3, D11, D14 и D15, а подключение входных /вы­ходных устройств приборов через разъемы D5, D7, D8 и D12.

На схеме передней панели приведены электрические соединения блока возбудителя с другими блоками, а также элементами, ре положенными на передней панели.

Тумблер К1 предназначен для включения и включаются пи­тания радиостанции и коммутации цепи запуска на ПРД. В положении BКЛ через контакты 4 и 6 подается корпус на реле J4 в блоке питания БП-260, а через контакты 3 и 5 подключение цепи запуск на ПРД к разъемам D7, D6 и D12.

Переключатель К2 /КОНТРОЛЬ/ предназначен для подклю­чения прибора при контроле постоянных напряжений питания к соответствующим цепям радиостанции. Кроме того, прибор используется как индикатор напряжения возбуждения, индикатор тона при настройке радиостанции танкового варианта, индика­тор настройки при аварийной настройке блока усилителя мощ­ности, индикатор уровня низкочастотного сигнала на разъеме ТЛФ-2 при приеме. Переключатель КЗ /НАСТР.КАЛИБР.,100%,20%, ДЕЖ.ПРИЕМ/ предназначен для установки режима работы радиостанции .

В зависимости от режима работы переключатель коммутирует реле в блоках БП-260 и УМ, реле J3 и J4 на передней панели, а также цепи блока ФУ.

Переключатель К4 /ЧТ, AM, ОМ, АТУ, АТШ/ осуществляет коммутацию цепей питания блока ФУ.

Реле J1 предназначено для отключения отрицательного напряжения с выхода УПТ блока УМ на 8:10 поддиапазонах при последовательном включении обмоток вариометра L1 блока УМ.

Реле J2 предназначено для перевода радиостанции на передачу при управлении с линии. Реле J3 предназначено для коммутации накальных и анодных цепей, при переводе радио­станции на прием или передачу. Контакты 10, 11 и 12 реле J3 коммутируют линейный вход радиостанции. Реле J4 предназна­чено для коммутации телефонного и телеграфного каналов бло­ка ФУ.

Резисторы R1-R10 и R15 — ограничительные в цепях кон­троля .

Резистор R20 и R21 — ограничительные в цепи экранной сетки лампы-ключ блока ФУ.

Потенциометр R12 /УРОВЕНЬ ПЕРЕДАЧИ/ предназначен для регулировки экранного напряжения предоконечного каскада блока ВЧ.

Потенциометр R19 /ГРОМКОСТЬ/ предназначен для регули­ровки уровня низкочастотного сигнала.

Резисторы R22 и R23 — ограничительные в цепи запуска блока ФУ.

Конденсатор С1 — фильтрующий. Конденсатор С2 — разде­лительный. Он предназначен для разделения постоянной состав­ляющей тона /питание реле J2/ и переменной составляющей /на­пряжение звуковой частоты/. Элементы C3, L2 — фильтр в цепи накала. Дроссели L1, L3 — фильтрующие. Зажигание и последу­ющее гашение лампочки V1 /НАСТРОЙКА/ сигнализирует об окон­чании настройки блока УМ. Зажигание лампочки Г2/ДЕЖ.ПРИЕМ/ сигнализирует о работе радиостанции в дежурном приеме. Диоды Е1-ЕЗ, Е5 и Е7 предназначены для разделения цепей коммутации. Кнопка АН /АВАРИЙНАЯ НАСТРОЙКА/ включает мотор в блоке УМ. Диод Е6 — детектор. Трансформатор Тг1 измерительный.

5.16.4. Блоки УНЧ, ГЧТ и ФОС соединены с остальной частью приемопередатчика через схему шасси.

Блок УНЧ подключается через два десятиконтактных разъема D1 и D2. Разъем D4 служит для подключения блока ГЧТ к шасси. Разъем D3 служит для подключения шасси к передней панели. Трансформатор Тг1 — выходной трансформатор телефон­ного усилителя. Резистор R1 и конденсатор С1 — разделитель­ная цепочка в цепи самопрослушивания при телефонной работе.

Подбором сопротивления резистора R1 устанавливается необходимый уровень самопрослушивания. Резистор R2 служит для снятия низкочастотного тона в цепи самопрослушивания блока УНЧ.

5.17. Компоновка и органы управления приемопере­датчика

Приемопередатчик имеет переднюю панель, на которой укреплены и электрически соединены все блоки прие­мопередатчика.

Передняя панель служит для крепления и элек­трического соединения всех блоков приемопередатчика.

На передней панели размещены следующие органы управления:

— три ручки установки частоты КИЛОГЕРЦЫ х1; х100; х1000;

— ручка переключателя ДИСRРЕТНО-ПЛАВНО;

— ручка регулятора ТОН ТЛГ;

— ручка регулятора ГРОМКОСТЬ;

— ручка регулятора УСИЛЕНИЕ;

— ручка УРОВЕНЬ ПЕРЕДАЧИ;

— ручка переключателя КОНТРОЛЬ;

— ручка переключателя РЕЖИМ;

— ручка переключателя РОД РАБОТЫ;

— тумблер ПРМ-ПРД; тумблер РРУ-АРУ; тумблер включения радиостанции ВКЛ;

— двенадцатиконтактная розетка БД /для подключения блока БП-260/;

— заглушка для кнопки АВАРИЙНАЙ НАСТРОЙКА; заглушка для корректора прибора;

— четыре заглушки для смены индикаторных ламп и лампочек освещения и две заглушки для винтов крепления шасси;

— разъем МТ для подключения микротелефонной гарнитуры;

— разъем ШМ для подключения шлемофона;

— разъем ТЛФ-2;

— разъем БД;

— высокочастотный разъем;

— разъем для подключения кабеля ВСУ-ТМ;

— колодка для подключения телеграфного ключа;

— клеммы ЛИНИЯ-З для подключения телефонного аппарата ТА-57;

— измерительный прибор;

— шильдик с наименованием и номером изделия.

5.17.3. На передней панели смонтированы возбудитель, шасси и блок УНЧ.

Кроме того, на передней панели закреплены реле, филь­тры питания, жгут межблочного монтажа и органы управления.

Монтаж передней панели защищен литой лицевой панелью /фальшпанелью/, на которой гравировкой выполнены все необходимые надписи и укреплены смотровое стекло, при­крывающее измерительный прибор; две планки — указатели пе­реключателя прибора и для записи позывных волн; шильдик с наименованием и номером приемопередатчика. Оси переключате­лей выходят на лицевую панель через отверстия, имеющие сальниковые устройства. Лицевая панель крепится к передней панели посредством восьми винтов. Место посадки лицевой па­нели по ее периметру уплотнено резиной.

Шасси приемопередатчика состоит из литого корпуса. На нем размещены блоки ФУ, ФОС, ГЧТ и УНЧ.

Шасси крепится к передней панели четырьмя винтами и электрически соединяется с нею через разъем.

5.17.6. Приемопередатчик представляет собой жесткую кон­струкцию и размещен в металлическом кожухе. К приемопередат­чику десятью винтами крепится кожух, из них восьмью — по контуру передней панели и двумя винтами снизу кожуха через уплот­няющие резиновые кольца в чашках. Сверху, со стороны бло­ка УМ, расположены два радиатора с лампами ГУ-50, которые устанавливаются и закрываются радиаторами только после окончательного закрепления приемопередатчика в кожухе. Приемопе­редатчик в целом крёпится к амортизационной раме при помощи двух болтов. Амортизационная рама крепится на объекте в четырёх точках. Для снятия приемопередатчика с объекта доста­точно освободить два болта и снять приемопередатчик с амор­тизационной рамы без снятий последней.

5.17.7. Приемопередатчик защищен от механических повреж­дений кожухом, который крепится восьмью винтами к передней панели. В месте сочленения имеется резиновое уплотнение, ко­торое обеспечивает защиту приемопередатчика от дождя.

5.18. Согласующее устройство

Согласующее устройство предназначено для подклю­чения антенн и преобразования комплексного входного сопро­тивления в активное сопротивление, равное выходному сопро­тивлению радиостанции /75 Ом/ с целью передачи максималь­ной мощности в антенну.

Согласующее устройство изготавливается в виде выносного блока двух вариантов:

— ВСУ-А /для автомобильной радиостанции/ и ВСУ-ТМ /для танковой радиостанции/.

5.18.3. Устройство ВСУ-А обеспечивает настройку и работу радиостанции на антенны:

— «Штырь-4 м», «Наклонный луч», «Симметричный вибратор», а также позволяет вести одновременную работу радиостанций Р-130M и Р-123М /МТ/ или Р-130М и Р-105 /М/ на общую антен­ну «Штырь-4 м «.

5.18.4. Активная составляющая входного сопротивления ан­тенны преобразуется в 75 Ом конденсаторами С3 С4, С8, С9, 211 и С12, коммутируемыми переключателем К1 /СВЯЗЬ/.

Компенсация емкостной составляющей входного сопротив­ления антенны осуществляется вариометром L1 /ПЛАВНАЯ НАСТРОЙКА АНТЕНН/ и дополнительной катушкой L2, а индуктивной составляющей — конденсаторами С1, С2, С18, С19, С21 и С22, коммутируемыми переключателями К2 /ГРУБАЯ НАСТРОЙКА АНТЕНН/ и КЗ /АНТЕННЫ/.

5.18.5. Переключатель КЗ /АНТЕННЫ/ имеет пять положений-ШТЫРЬ, НАКЛ.ЛУЧ и ДИПОЛЬ 1, 2, 3.

В положении ШТЫРЬ обеспечивается настройка и работа ра­диостанции на антенну «Штырь-4 м», соединенную с зажимом Sz5 , в положении НАКЛ.ЛУЧ — антенну «Наклонный луч», соединенную с зажимом Sz2.

В положении ДИПОЛЬ через симметрирующий трансформатор Тг 3 обеспечивается настройка и работа на антенну «Симмет­ричный вибратор», соединенную с зажимами Sz3 и Sz4. В поло­жении ДИП0ЛЬ2 и 3 в цепь антенны для компенсации индуктив­ного сопротивления подключаются конденсаторы С18, С19, С21 и С22.

5.18.6. Симметрирующий трансформатор ТгЗ предназначен для подключения асимметричного выхода радиостанции Р-130М к симметричному входу антенны. Высокочастотный сигнал посту­пает на контакты 2, 4 обмотки трансформатора, а с контактов 1, 2 и 2,3 в противофазе через переключатель КЗ — на зажимы Sz3 и Sz4.

Средняя точна /2/ обмотки трансформатора, относительно которой симметрируется высокочастотный сигнал, соединена с корпусом.

Конденсатор С15, коммутируемый переключателем К2, умень­шает входное сопротивление антенн «Наклонный луч» и «Симмет­ричный вибратор» на участках их параллельного резонанса.

5.18.7. Для развязки цепей радиостанций Р-130М и Р-123М /МТ/ при совместной работе на одну общую антенну «Штырь-4м» применены развязывающие фильтры /L3, С26 и L4, С27/.

Фильтр, состоящий из катушки L3 и конденсатора С26, ис­ключает прохождение сигнала передатчика радиостанции Р-123М /МТ/ на вход приемника радиостанции Р-130М и предотвращает шунтирование выхода радиостанции Р-123М /МТ/ антенным конту­ром радиостанции Р-130М.

Фильтр настраивается на частоту радиостанции Р-123М /МТ/ с помощью конденсатора С26 ручкой УСТАНОВКА ЧАСТОТ УКВ PC.

Фильтр, состоящий из катушки L4 и конденсатора С27, за­щищает входные цепи радиостанции Р-123М /МТ/ при работе по­следней на антенну «Штырь-4 м».

5.18.8. Для визуального контроля настройки служат индикаторные цепи с прибором /ИП/ ИНДИКАТОР. Трансформаторы тона Тг1, Тг2, Тг4, Тг5 и Тг6 — датчики сигнала настройки.

При работе на антенны «Наклонный луч» и «Симметричный вибратор» ток и падение напряжения в антенных цепях изменя­ются’ в широких пределах.

Поэтому в датчиках сигнала Тг1, Тг2 и Тг4 осуществлена индуктивная связь с антенными цепями по тоrу за счет катушек индуктивностей и связь по напряжению за счет емкостных экранов.

Напряжение, вырабатывается датчиками сигнала настройки, выпрямляется диодами Е1- Е4 и Е6 и поступает на прибор ИНДИКАТОР.

5.18.9. Резисторы R1 и R2 шунтируют катушки индуктивности датчиков сигнала, конденсаторы С16 и С17 шунтируют дроссели L5 и L6, обеспечивая относительную равномерность шкалы прибора во всем рабочем диапазоне частот.

Дроссели L5 и L6 являются нагрузкой в цепях емкостной связи по напряжению и служат для замыкания цепей постоянной составляющей выпрямленного тока.

Резистор R7 шунтирует трансформатор тона Тг6 при больших тонах в антенне или отключается /нажимом кнопки К6/ при малых токах.

Диод Е5 выполняет роль шунта с переменным сопротивлени­ем, а резистор R3 устанавливает предел изменения этого со­противления .

5.18.10. Конденсаторы С20, С23 и С25 сглаживают пульсации выпрямленного тона.

Резистор R5 устанавливает необходимый предел измерения прибора, а конденсатор С24 шунтирует его по переменному то­ку.

Резистором R4 подобран режим работы индикаторной цепи настройки при работе на антенну «Штырь-4 м».

Трансформатор тона Тг5, диоды Е7 и Е8, резистор R6 служат для контроля настройки заграждающего фильтра /L3, С26/ при одновременной работе радиостанций на общую антенну.

5.18.11. При нажатой кнопке К7 на прибор ИНДИКАТОР по­ступает выпрямленный диодом Е8 тон за счет прохождения УКВ сигнала от радиостанции Р-123М /МТ/ в цепи блока.

Для уменьшения прохождения этого сигнала необходимо под­строить заграждающий фильтр ручной УСТАНОВКА ЧАСТОТ УКВ PC по минимальному показанию прибора ИНДИКАТОР.

Переключатель К4 обеспечивает коммутацию индикаторных цепей при работе на антенны «Наклонный луч» и «Симметричный вибратор», а в положении ВЫКЛ. замыкает цепь индикации на­стройки радиостанции на антенну «Штырь-4 м».

Для уменьшения комбинационных помех, возникающих на не­линейных элементах Е1-Е8, предусмотрено отключение индикатор­ных цепей с замыканием их на корпус переключателем К4 и тум­блером К5 в положении ВЫКЛ.

5.18.12. Выносное согласующее устройство состоит из передней панели и шасси, помещенного в кожух.

Блок ВСУ-А окрашен в серый цвет, брызгозащищен посред­ством резиновых и войлочных прокладок и уплотнений.

5.18.13. На лицевой стороне передней панели блока ВСУ-А расположены следующие элементы:

— четыре высоковольтные клеммы для подключения антенн: ШТЫРЬ,НАКЛ.ЛУЧ и ДИПОЛЬ;

— ручка УСТАНОВИЛ ЧАСТОТ УКВ PC настройки заградительного фильтра для устранения взаимных влияний КВ и УКВ радиоста­нций, шкала частот заградительного фильтра;

— ручка ИНДИКАЦИЯ НАСТРОЙКИ для подключения индикации при работе ВСУ с антеннами «Наклонный луч» и «Симметричный вибратор»;

— ручка переключателя АНТЕННЫ для переключения ВСУ при ра­боте на различные типы антенн;

— ручка переключателя ГРУБАЯ НАСТРОЙКА АНТЕНН;

— ручка переключателя СВЯЗЬ; ручка ПЛАВНАЯ НАСТРОЙКА АНТЕНН;

— тумблер ИНДИКАЦИЯ НАСТРОЙКИ НА ШТЫРЬ;

— кнопка НАЖАТЬ ПРИ МАЛОЙ ИНДИКАЦИИ;

— индикаторный прибор ИНДИКАТОР;

— кнопка НАСТРОЙКА ФИЛЬТРА;

— клеммы Szl и Sz6 /3/;

— шильдик с номером блока;

— высокочастотный разъем КВ PC, расположенный на правом торце лицевой панели;

— высокочастотный разъем УКВ PC, расположенный на левом торце лицевой панели.

5.18. 14. С внутренней стороны панели размещены:

— одноплатный переключатель связи, крепящийся к передней панели четырьмя винтами;

— одноплатный переключатель грубой настройки антенн, крепящийся к передней панели четырьмя винтами;

— двухплатный переключатель типов антенн, крепящийся к панели четырьмя винтами;

— два трансформатора тока для индикации настройки антенны «Симметричный вибратор», состоящие из катушки, выполненной на ферритовом кольце и помещенной в изоляционный каркас. Последний устанавливается в металлический корпус с угольни­ком, на котором укрепляется экранированная гетинаксовая планка с контактами. Каждый трансформатор тока крепится к панели двумя винтами;

— двухплатный переключатель индикации настройки антенн «Наклонный луч» и «Симметричный вибратор» с элементами, креп­ящийся к передней панели четырьмя винтами. Планка с элемен­тами индикации, крепящаяся к передней панели двумя винами;

— планка с конденсатором, крепящаяся к панели двумя винтами;

— контактная часть кнопки повышения чувствительности инди­кации;

— контактная часть кнопки настройки фильтр-пробки;

— тумблер индикации настройки антенны «Штырь-4 м»;

— переменный конденсатор заградительного фильтра с катушкой; четыре высоковольтных керамических изолятора;

— контакты клемм 3 /ЗЕМЛЯ/;

— шасси с элементами схемы; индикаторный прибор;

— счетчик оборотов вариометра, крепящийся к передней пане­ли тремя винтами;

— два высокочастотных разъема для подключения УКВ и КВ радиостанции с правой и левой торцевых стенок соответственно;

— планка с элементами индикации настройки заградительного фильтра, крепящаяся двумя винтами;

— шина заземления, крепящаяся к передней панели восьмью винтами.

5.18.15. На шасси расположены следующие элементы:

— вариометр, крепящийся к шасси четырьмя винтами;

— планка с конденсаторами грубой настройки антенн, крепящаяся двумя винтами;

— дополнительная катушка к вариометру на керамическом каркасе;

— симметрирующий трансформатор, крепящийся двумя винтами;

— трансформатор тока индикации настройки антенны «Наклон­ный луч», крепящийся двумя винтами;

— трансформатор тока индикации настройки антенны «Штырь-4 м»;

— планка с конденсатором и согласующей катушкой, крепяща­яся к шасси четырьмя винтами.

5.18.16. Блок ВСУ-А установлен на амортизационной раме.

5.18.17. Выносное согласующее устройство ВСУ-ТМ обеспечи­вает согласование выходного сопротивления приемопередатчика с входным сопротивлением антенн «Штырь-10 м» /в диапазоне 1,5-5,99 МГц/, «Штырь-4 м» /во всем диапазоне рабочих частот/, «Штырь-1 м» /в диапазоне 3-10,99 МГц/ и «Симметричный вибра­тор» /во всем диапазоне частот при использовании приставки ПС/.

Устройство обеспечивает совместную работу радиостанций Р-130М и Р-123 М /МТ/ на одну общую антенну «Штырь-4 м».

Связь выхода радиостанции Р-130Р1 со входом ВСУ-ТМ осу­ществляется с помощью конденсаторов С3, С6, С7, С8, С10.

Конденсаторы С7, С8, С10 подключены постоянно во всем ди­апазоне частот, а конденсаторы С3, С6 коммутируются при по­мощи реле J1 и J2.

В диапазоне частот 1,5-5,99 МГц подается питание на обмотки реле J1, J2, которые подключают конденсаторы С3, С6 параллельно конденсаторам С7, С8.

В диапазоне частот 6.7,99 МГц подается питание только на обмотку реле J2, подключая конденсатор С6, а в диапазоне 8-10,99 МГц питание на обмотки реле J1 и J2 не подается и конденсаторы С3 и С6 оказываются отключенными. Такое измене­ние емкости связи обеспечивает необходимое постоянство вход­ного сопротивления устройства, равного приближенно 75 Ом во всем диапазоне частот радиостанции Р-130М.

При работе устройства с ранее выпущенными ради­останциями Р-130, для предотвращения ложных срабатываний, предусмотрен диод Е1. Плавная настройка антенного контура в резонанс производится с помощью вариометра L4. Для компен­сации большого емкостного сопротивления антенны в начале ди­апазона радиостанции Р-130М требуется большая индуктивность вариометра L4. Для этого параллельно вариометру L4 подключен конденсатор С5, что эквивалентно увеличению индуктивности вариометра L4.

Для развязки цепей приемопередатчиков P-130PI и Р-123М /МТ/ при совместной работе на одну общую антенну при­менены развязывающие фильтры /С1, L2 и С2, С11, L3./

Фильтр, состоящий из конденсаторов С2, С11 и катушки L3, исключает прохождение сигнала передатчика радиостанции Р-123М /МТ/ на вход приемника Р-130М, а также предотвращает шунтирование выхода радиостанции Р-123М /МТ/ антенным конту­ром Р-130М.

Фильтр настраивается на частоту передатчика Р-123М /МТЗ с помощью конденсатора С2 УСТАНОВИЛ ЧАСТОТЫ Р-123М.

Фильтр, состоящий из конденсатора С1 и катушки L2, защи­щает входные цепи радиостанции Р-123м /МТ/ от мощного сигна­ла радиостанции Р-130М.

Переключателем К1 коммутируются отводы катушки индуктивности фильтра. Это необходимо для улучшения согласования радиостанции Р-123М /МТ/ с антенной по диапазону.

Кроме того с помощью переключателя К1 к радиостанции Р-123М /МT/ может подключаться комбинированная штыревая антенна с противовесами.

5.18.20. Для визуального контроля настройки служит цепь ин­дикации с сигнальной лампочкой I1.

Датчиком сигнала в индикаторной цепи служит трансформатор тона Trl а индикатором настройки — прибор КОНТРОЛЬ радиостанции Р-130 М.

Напряжение, индуктируемое в катушке трансформатора тока Trl, выпрямляется диодом Е7 и через резисторы R2, R3, тумблер К2 в положении ШТЫРЬ поступает на вилку D3 откуда по кабелю питания подается на индикаторный прибор приемопередатчика.

Контроль настройки по индикаторному прибору обеспечивается только в режиме настройки радиостанции Р-130 М /при подаче напряжения 26 В на обмотку реле J3 /.

Во всех остальных режимах работы питание на обмотку реле не подается, в результате чего диод Е7 отключается от катушки трансформатора тона Trl, а его выводы через контакты 3, 4 реле J3 замыкаются между собой.

Такая коммутация диода Е7 значительно снижает уровень комбинационных помех при работе двух радиостанций.

Конденсаторы С2, С3, С4 резисторы Rl, R2, R3 и диод Е11 цепи индикации обеспечивают относительную равномерность показания индикаторного прибора во всем диапазоне частот радиостанции Р-130 М.

Конденсатор С13 — фильтрующий. Резистор R1 обеспечивает заданный уровень показаний индикаторного прибора..

Для увеличения яркости свечения лампочки в начале диапазона, начало катушки трансформатора Trl подключено к емкостному делителю, состоящему из конденсатора С4 и параллельно включенных между собой конденсаторов С2-С4.

5.18.21. При работе радиостанции Р-130 М на антенну «Симметрич­ный вибратор» к зажиму Szl /ШТЫРЬ/ устройства ВСУ-ТМ подключает­ся симметрирующая приставка ПС.

Тумблер К2 ВСУ-ТМ устанавливается в положение ДИПОЛЬ и конт­роль настройки производится по индикаторному прибору приемо­передатчика. В этом случае сигнал индикаторной цепи через зажим Szl/ШТЫРЬ/, катушки L3, L4, дроссель L5, тумблер К2, вилку D3 поступает на прибор КОНТРОЛЬ приемопередатчика.

Дроссель L5 является заграждающим фильтром для сигнала высокой частоты.

Конденсатор С9 сглаживает пульсации выпрямленного тона.

15.18.22. Все элементы расположены на стенках корпуса, который одновременно является экраном. Снаружи корпуса рас­положены :

— ручка настройки заградительного фильтра для устранения взаимных влияний радиостанции P-130M и Р-123М /МТ/;

— шкала частот заградительного фильтра; индикаторная лампочка под пластмассовым колпачком;

— высоковольтная клемма ШТЫРЬ для подключения антенны «Штырь-4 м»;

— ручка ПОДДИАПАЗОН Р-123М; клемма 3 /ЗЕМЛЯ/;

— тумблер ИНДИКАЦИЯ ШТЫРЬ ДИПОЛЬ для коммутации цепей ин­дикации при работе на различные типы антенн;

— разъем для подключения приемопередатчика Р-123М /МТ/;

— разъем семиштырьковый для подключения питания от прие­мопередатчика Р-130М;

— разъем для подключения телескопической антенны; разъем для подключения радиостанции Р-130М; привод для вращения вариометра; шильдик с наименованием и номером блока;

— шильдик с указанием подстройки ВСУ-ТМ при перестройке фильтр-пробки на другую частоту.

Внутри корпуса размещены:

— вариометр;

— планка с конденсаторами и диодом;

— два реле для коммутации конденсаторов связи;

— планка с высоковольтными конденсаторами ;

— дроссель цепи индикации;

— тумблер ШТЫРЬ ДИПОЛЬ;

— блок индикации в экране;

— высоковольтный керамический изолятор;

— трансформатор тона цепи индикации;

— контакты индикаторной лампочки;

— экран заградительного фильтра.

В отсеке заградительного фильтра размещены:

— переменный конденсатор заградительного фильтра;

— контурная катушка на керамическом каркасе; согласующая катушка на керамическом каркасе; высоковольтный разделительный конденсатор; контакт клеммы 3; переключатель поддиапазонов Р-123М /МТ/.

5.18.23. Корпус закрывается крышкой с уплотнительной про­кладкой. На крышке закреплены четыре амортизатора с двумя планками, при помощи которых ВСУ-ТМ крепится на рабочем месте .

5.18.24 Симметрирующая приставка /ПС/ предназначена для обеспечения работы радиостанции Р-130М совместно с устрой­ством ВСУ-ТМ на антенну «Симметричный вибратор» с длинами плеч 2×25 м /на частоте 1,5-5,5 МГц и 2×15 м /на частоте 5,5 -10,99 МГц/.

Применение приставки позволяет значительно увеличить дальность связи радиостанции Р-130М. Работа с приставкой возможна только на стоянке. Приставка состоит из симметрирующего трансформатора, элементов связи, согласования и инди­каторных цепей.

5.18.25. Изменение степени связи приставки с ВСУ-ТМ осуществляется коммутацией конденсаторов связи С7, С8, С10, С11, С13, С15, С17 при помощи переключателя К2.

Грубая настройка производится коммутацией конденсаторов С1, С2, С5, С6 и катушкой L2, переключателем K1 .

Плавная настройка антенного контура в резонанс обеспе­чивается вариометром устройства ВСУ-ТМ.

5.18.26. Для контроля настройки приставки и устройства ВСУ-ТМ служат индикаторные цепи, элементы которых размещены в приставке. ВСУ-ТМ и радиостанции Р-130М.

Датчиками сигнала настройки служат трансформаторы тона Тг2, ТгЗ и экраны С19, С20. Ток высокой частоты наводит в обмотках трансформаторов тока Тг2, ТгЗ напряжение, выпрямляемое диодами Е2 и Е5.

Выпрямленный ток через резистор R2, дроссель L4, стержень 3zl приставки, зажим Szl, дроссель L5 и тумблер К2 /в положении ДИПОЛЬ устройства ВСУ-ТМ поступает на индикаторный прибор КОНТРОЛЬ радиостанции Р-130М.

Для увеличения сигнала настройки при малых тонах в антенне : потенциальными проводниками осуществлена связь по напряжению за счет экранов С19-С20.

Дроссели L2, L3 являются нагрузкой в цепях емкостной связи по напряжению и служат для замыкания цепей постоянной составля­ющей выпрямленного тока.

Диод Е3 выполняет роль шунта с переменным сопротивле­нием, а резистор R2 устанавливает предел изменения этого сопротивления. Конденсаторы С12, С14, С18 — фильтрующие. Дроссель L4 предотвращает прохождение мощного высокочастотного сигнала в индикаторные цепи.

Тг1 находится под постоянным напряжением, которое об­разуется в индикаторной цепи, поэтому средняя точна его со­единена с корпусом через конденсаторы СЗ и С4.

5.18.27. Блок. ПС состоит из корпуса коробчатого типа, представляющего собой несущую конструкцию, в которой установлены все детали и узлы блока, корпус закрывается крышкой с резиновой уплотнительной прокладной.

На лицевой стороне передней стенки блока расположены следующие элементы:

— две клеммы ДИПОЛЬ;

— ручка переключателя ГРУБАЯ НАСТРОЙКА;

— ручка переключателя СВЯЗЬ;

— клемма 3;

— таблица — шильдик с указанием положения ручек настройки.

Внутри блока на передней стенке расположены следующие элементы:

— двухплатный переключатель грубой настройки, крепящийся четырьмя винтами;

— одноплатный переключатель связи, крепящийся четырьмя винтами;

— два трансформатора тока, состоящие каждый из катушки, вы­полненной на ферритовом кольцевом сердечнике и помещенной в изоляционный каркас. Последний устанавливается в металличес­кий корпус с угольником, на котором укрепляется гетинаксовая планка с контактами и радиоэлементами. Каждый трансформа­тор тока крепится к панели двумя винтами;

— два керамических изолятора антенных клемм;

— дроссель на керамическом каркасе, крепящийся тремя вин­тами;

— земляная шина, крепящаяся шестью заклепками и припаянная с двух сторон к корпусу.

5.18.28. Блок регулировки БР может входить как в автомо­бильный, тан и в танковый варианты радиостанций и предназ­начен для получения оптимального распределения тона по кон­туру антенны зенитного излучения АЗИ. Это достигается под­ключением конденсаторов С2-С5, коммутируемых переключателем

К8 между хвостовой частью антенны и корпусом.

5.18.29. АЗИ имеет малое интуитивное сопротивление. Для компенсации этого сопротивления требуется применить конденсатор в блоке БС с очень большой емкостью. С целью уменьшения этой емкости в блоке БР предусмотрено подключение катушки индуктивности на частотах ниже 2,4 МГц.

На частотах от 2,4 до 4,2 МГц/в положении 2 переключателя К8 концы рамок АЗИ замыкаются на корпус.

Переключатель К8 блока БР автоматически переключается в положение, в которое переключается переключатель КЗ блока БС. Электродвигатель S1 с помощью редуктора вращает переключатель К8 и находящийся с ним на общей оси кулачковый диск при помощи микропереключателей К1…К7. Разомкнутые контакты /3/ микропереключателей получают +18В, а замкнутые контакты /2/ переключателей — корпус.

5.18.30.  Блок регулировки состоит из штампованного корпуса, крышки с уплотнительной прокладной. Внутри корпуса на колонках установлены:

— несущая металлическая плата с четырьмя конденсаторами типа К15У;

— катушка индуктивности;

— специальный переключатель.

На верхней стенке корпуса блока установлена антенная клемма.

На заднюю стенку блока выведена шина заземления.

Блок установлен на амортизаторах на раме.

Рама крепится в объекте четырьмя болтами.

Блок согласования БС может входить как в автомобильный, так и в танковый варианты радиостанций и используется при работе радиостанции на АЗИ.

 Блок согласования /БС/ согласует выход антенны приемопередатчика Р-130М с основанием антенны АЗИ. Принципиаль­ная электрическая схема содержит конденсаторы связи С1…С8. Соответствующие величины связи на разных частотах устанавливаются определенным положением переключателя Н2, указанным в таблице. Подстроечный конденсатор С9 является плавнонастраиваемым вакуум­ным конденсатором с высокой добротностью, что обеспечивает минимальные потери при настройке и согласовании.

Вторым важным контуром блока является индикатор настройки. Ток антенны во вторичной обмотке трансформатора Тг наводит э.д.с, в результате чего в цепи диодов Е1 и Е2 появляется тон, который выпрямляется этими диодами.

Поделенное двумя диодами напряжение через токоограничивающий резистор R4 подается на индикаторный прибор.

Кроме диода Е2 индикацию различных антенных тонов в одном диапазоне измерения обеспечивают резисторы R3 и R5.

5.18.33. Блок БС состоит из корпуса, крышки с резиновой уплотнительной прокладной и амортизационной рамы. Корпус представляет собой несущую конструкцию, в нем установлены все детали — узлы блока. Внутри корпуса на колодках установлен высоковольтный конденсатор переменной емкости. С целью снижения электрических потерь выводы конденсатора изолированы фторопластовыми вкладышами.

Счетчики оборотов снабжены шкалами с гравировкой. Количество делений шкалы каждого счетчика соответствует числу оборотов регулировочных винтов каждого из конденсаторов, необходимых для изменения емкости от минимального до максимального зна­чения. Внутри блока под антенным вводом расположен трансфор­матор тона, входящий в систему индикации.

5.18.35. На торцевой стенке блока установлена накладна, выполненная в виде лицевой панели. На нее выведены ручки управления вакуумными конденсаторами. Оси счетчиков оборотов проходят через отверстия с уплотнительными сальниками. С внутренней стороны на передней стенке установлен индикаторный прибор.

Для наблюдения за показаниями индикаторного прибора и показаниями счетчиков оборотов в передней стенке имеются окна, в которые вклеены стекла.

На верхней стенке блока установлены: розетка приборная для подключения приемопередатчика, антенная клемма и клемма ЗЕМЛЯ. Блок амортизирован шестью амортизаторами, расположен­ными на раме.

5.19. Антенны радиостанции

5.19.1. Радиостанция работает на следующие типы антенн:

— антенна «Штырь-4 м»;

— антенна «Наклонный луч»; антенна «Симметричный вибратор»; антенна зенитного излучения; антенна «Штырь-10 м»;

— антенна «Штырь-4 м» состоит из 4-х секций, сочленяющихся между собой с помощью замков.

— антенна «Наклонный луч» состоит иэ4-х отрезков провода, которые при помощи разъемов могут соединяться между собой, образуя длины луча и противовеса 17м и 10 м.

Антенна «Симметричный вибратор» представляет собой два симметричных плеча, каждое из которых состоит из 2-х отрезков провода. При помощи разъемов можно получать длины плеч антенны, равными 15 и 25 м. Подключение к радиостанции осу­ществляется двухпроводным фидером длиной 15 м.

5.19.2. Антенны «Наклонный луч» и «Симметричный вибра­тор могут быть развернуты на телескопической мачте, а также на естественных опорах /деревья, шест, крыша дома и т.п./.

5.19.3. Антенна зенитного излучения представляет собой систему из двух разнесенных вертикальных синфазных П-образных рамок, соединенных в нижней части поперечными штангами, к ко­торым подключаются блоки БР и БС. Распределение тока в антен­не, регулируемое с помощью блока БР, имеет вид, показанный на рис. 9.

Как видно из рисунка, на участках АБ и ВГ токи по вели­чине равны и противоположны по направлению, вследствие чего электромагнитные поля, создаваемые излучающими участками АБ и ВГ, называются в противофазе и взаимно уничтожаются. Напряженность электромагнитного поля в месте приема созда­ется только горизонтальной частью антенны /участок БВ/.

Антенна устанавливается и разворачивается на крыше объ­ектов

5.20. Блок питания БП-260

5.20.1. Блок питания БП-260 предназначен для питания блоков УМ и БПВ. Питание блока БП-260 осуществляется от источника постоянного тока напряжением 26 В с заземленным отрицательным полюсом.

Блок БП-260 обеспечивает питание радиостанции во всех режимах.

5.20.2. Блок БП-260 включает в себя /см.рис.10./:

— стабилизатор напряжения /СТ/, на выходе которого полу­чается напряжение 20 В отрицательной полярности относитель­но клеммы 26 В;

— преобразователь напряжения с задающим генератором /ЗГ/ и двумя усилителями мощности УM1 и УМ2;

— выпрямители В1, В2; сглаживающие фильтры Ф1, Ф2.

5.20.3. Стабилизатор напряжения собран на транзисторах Т1, Т4 и Т5 по компенсационной схеме. Коллектор транзистора Т5 через резистор R6 подключен к дополнительному источнику 50 В напряжения отрицательной полярности /контакт 5 колодки D1/. Стабилизатор обеспечивает стабильное напряжение от­рицательной полярности 20 В, предназначенное для питания усилителя мощности УМ2 и преобразователя блока БПВ.

Напряжение бортсети 26 В подается на вход стабилизатора. С выхода стабилизатора стабилизированное напряжение 20 В поступает на контакт 10 колодки D1.

Резисторы R33 и R34 являются сравнивающим делителем ста­билизатора. Диод Е2 является источником опорного стабильно­го напряжения. Диоды ЕЗ и Е4 предназначены для термокомпенсации опорного напряжения, создаваемого диодом Е2, изменение которого существенно влияет на выходное напряжение стабили­затора.

Конденсатор С9 служит для уменьшения пульсаций напряже­ния на выходе стабилизатора. Конденсаторы С5, С17 устраняют паразитное возбуждение стабилизатора.

Для уменьшения обратного тона транзистора Т1 при повы­шенных температурах /ухудшающего стабильность выходного на­пряжения/ предназначен резистор R5.

5.20.4. Преобразователь напряжения предназначен для пре­образования напряжения бортсети 26 В в напряжения 800 В /500 В/, 250 В /150 В/.

ПРИМЕЧАНИЕ. В скобках указаны напряжения в режиме 20% мощности.

Преобразователь напряжения включает в себя задающий ге­нератор ЗГ и два усилителя мощности УМ1 и УМ2.

Задающий генератор выполнен на транзисторах Т2 и ТЗ по двухтактной схеме с общим эмиттером и объединенными коллекторами. Трансформатор Тг1 имеет обмотки: коллекторные с контактами 2-3 и 3-4, обратной связи с контактами 1-2 и 4-5, выходные обмотки с контактами 6-7, 7-6, 10-12, 14-15, 16-17, 18-19. Транзисторы выполняют роль ключевых элементов и подключают попеременно одну или другую половину коллекторной обмотки к источнику питания. Работой транзисторов уп­равляют напряжения на обмотках положительной обратной связи /контакты 1-2 и 4-5/.

Запуск задающего генератора осуществляется напряжением, снимаемым с резистора R1, которое открывает транзистор Т2 в момент подачи питающего напряжения. Диод Е1 исключает шун­тирование базовой цепи транзистора Т2 резистором R2, что улучшает запуск. Конденсатор С3 шунтирует диод, что необхо­димо для надежного запирания транзистора Т2 в непроводящем состоянии. Резисторы R2 и R3 в базовых цепях служат для уста­новления требуемого режима работы транзисторов, а также для уменьшения влияния разбросов входных сопротивлений транзис­торов на величину базового тока.

Для повышения надежности работы транзисторов Т2 и Т3 при повышенном напряжении часть напряжения питания гасится на резисторе R4. Конденсатор С4 уменьшает пики перенапряжений на транзисторах Т2 и Т3.

Частота преобразования находится в пределах 800-1400 Гц.

5.20.5. Усилитель мощности УМ1 с выходным напряжение 800 В /500 В/ собран на транзисторах Тб-Т9 по схеме с общим эмиттером.

Транзисторы Т6-Т9 включены по мостовой схеме, что повышает надежность работы преобразователя при повышенном напря­жении питания. Резисторы R7, R8 и R12 предназначены для уста­новления требуемого режима работы транзисторов Т6-Т9.

Напряжение с обмоток /контакты 6-7, 7-8, 10-12, 14-15/ трансформатора Тг1 подается в базовые цепи транзисторов Т6—Т9. Эти обмотки включены таким образом, что поочередное открывание и закрывание транзисторов задающего ген-а вызывает поочеред­ное открывание и закрывание противоположных плеч /транзисторов/ усилителя мощности.

Через малое сопротивление открытых транзисторов напряже­ние источника питания поочередно прикладывается к первичной обмотке с контактами 1-2 трансформатора Тг2, что вызывает на его обмотках появление переменного напряжения прямоугольной формы.

Со вторичной обмотки трансформатора Тг2 переменное напря­жение поступает на выпрямитель, собранный по мостовой схеме на диодах Е6-Е21. В каждом плече моста последовательно вклю­чено 4 диода, зашунтированных резисторами R13-R28, предназначенными для выравнивания обратных напряжений на диодах.

Выпрямленное напряжение 800 В /500В/ через сглаживающий фильтр С15, С16, L6 поступает на контакт 7 колодки D 1•

5.20.6. Усилитель мощности УМ2 с выходным напряжением 250 В /150 В/ собран на транзисторах Т10-Т11.

Напряжение питания 20 В подается на УМ2 с выхода стаби­лизатора через дроссель L1. Резисторы R9 и R10 служат для установления режима работы транзисторов усилителя мощности УМ2.

Переменное напряжение с обмотки с контактами 1-5 транс­форматора ТгЗ поступает на выпрямитель, собранный по мостовой схеме на диодах Е22-Е25. Выпрямленное напряжение 250 В /150В/ через сглаживающий фильтр С13, L5 и С14 поступает на контакт 9 колодки D1.

5.20.7. Блок питания работает в 4-х режимах: дежурного приема, приема, передачи 100% мощности, передачи 20% мощнос­ти. В режиме дежурного приема /при подаче на входные клеммы блока напряжения питания бортсети и соединений корпуса с контактами 12 колодкиD1/ включается реле J4.

В этом режиме на колодку D1 поступают напряжения:

— 26 В со входа блока /по цепи контакт 1 клеммы Szl предо­хранитель в 2, контакты 6, 5 реле J4 на контакт 6 D1/; 20 В с выхода стабилизатора /на контакт 10/;

— напряжение 50 В отрицательной полярности с выхода блока БПВ /на контакт 5/.

В режиме приема /при подаче на вход блока напряжения пи­тания и соединения корпуса с контактами 3, 12 колодки D1/ включаются реле J4 и J1. Через контакты 6, 5 реле J1 подает­ся напряжение питания накала ламп ГУ-50 на контакт 1 колодки D1 .

Остальные входные напряжения те же, что и в режиме де­журного приема.

В режиме передачи 100% мощности /при подаче на вход бло­ка напряжение питания и соединении корпуса с контактами 3, 8, 12, колодки D1/ включаются реле J4, J1, J2. Реле J2 кон­тактами 2, 3 и 6, 5 подает напряжение питания на преобра­зователи напряжения. Напряжение 800 В поступает на контакт 7 колодки D1. Напряжение 250 В поступает на контакт 9 колодки D1. Остальные напряжения те же, что при приеме.

В режиме передачи 20% мощности /при подаче на вход блока напряжения питания и соединении корпуса с контактами 3, 8, 11, 12, колодки D1/ включаются реле J4, J1, J3. Реле J3 контактами 1, 2, 3 переключает выпрямитель цепи 800 В на пони­женное напряжение 500 В /выпрямитель подключается к обмот­ке с контактами 8-10 трансформатора Тг2/, а контактами 4, 5, 6 переключает выпрямитель цепи 250 В на напряжение 150 В /выпрямитель подключается к обмотке с контактами 1-3 транс­форматора ТгЗ/. Остальные напряжения те же, что и в режиме передачи 100% мощности.

Режим настройки для блока питания полностью соответст­вует режиму передачи 20% мощности.

Выходные напряжения блока БП-260 на номинальных нагруз­ках, при изменении напряжения питания на ±15%, номинальные токи в цепях в нормальных условиях приведены в табл. 11. 

 

Двухканальный узкополосный ГУН для настройки АЧХ кварцевых фильтров часть 2

Задающие генераторы

Схема ГУНа для варианта с выходными частотами 55845 и 34785 кГц показана на рис. 12. В отличие от простой общеизвестной «компьютерной» схемы кварцевого генератора на логических элементах, здесь применены варикапные сборки VD100, VD101 (VD200, VD201) для перестройки по частоте. В каждой сборке для ВЧ-сигнала варикапы включены последовательно. Это позволяет уменьшить напряжение сигнала на каждом из них и подавать сравнительно небольшое управляющее напряжение.

Рис. 12. Схема ГУНа для варианта с выходными частотами 55845 и 34785 кГц

 

Выбор варикапов зависит от режима работы резонатора. Если требуется работа задающего генератора (ЗГ) на частоте (Fзг), которая выше или близко к номинальной частоте резонатора, подойдут варикапы с максимальной ёмкостью до 40 пФ (КВ111, ВВ304). Если планируется перестроить частоту на несколько десятков килогерц ниже номинального значения, на плате предусмотрены места для установки дополнительных сборок такого же типа. А если частота уже на 100 кГц меньше номинальной, потребуются варикапы, у которых при напряжении 2 В ёмкость около 150 пФ (ВВ212). С помощью под-строечных конденсаторов С102, С107 (С202, С207) можно сместить диапазон сканирования по частоте в зависимости от управляющего сигнала на входе «SCAN-1» («SCAN-2»).

На вход управления частотой «SCAN-1» («SCAN-2») можно подавать управляющее напряжение 0…15 В. При этом на варикапах напряжение будет изменяться от 1,65 до 9,15 В, и модуляционная характеристика ГУНа имеет удовлетворительную линейность. Для активизации (включения) генератора надо установить перемычку S100 «EN1» (S200 «EN2»). Подстроечный резистор R106 (R206) служит для симметрирования выходного сигнала — получения меандра.

На элементе DD100.3 (DD200.3) можно собрать буферный каскад или умножитель частоты на два. В первом случае достаточно не устанавливать резистор R111 (R211). Во-втором — потребуется подборка конденсатора С109 (С209) для получения сигнала наилучшего качества на конкретной частоте. Указанное на схеме значение ёмкости этого конденсатора подходит для умножения с 3 до 6 МГц и может быть пропорционально изменено для других выходных частот от 2 до 16 МГц. Подстроечным конденсатором С108 (С208) устанавливают максимальную чистоту спектра выходного сигнала (оптимальная скважность Q = 3).

В первом ЗГ на триггерах DD101.1 и DD101.2 собраны делители частоты, и с помощью выключателей S100.1 — S100.4 на выходе (ХТ100) можно установить сигнал с частототами 0,25Fзг, 0,5Fзг, Fзг, и 2Fзг. Если нет необходимости переключать частоту, взамен выключателей надо установить требуемую перемычку, а микросхему DD101 не устанавливать.

Режим широкополосного умножения на два достигается за счёт RC-цепи R111 ,С108,С109    (R211 ,С208,С209).

Для выделения сигнала на требуемой частоте применён LC-контур, состоящий из элементов L100, L101, C113 и C114 (L200, L201, C213 и C214). Для выделения второй гармоники соотношение индуктивностей катушек L101 и L100 (L201 и L200) должно быть 3 : 1, для выделения четвёртой — 6 : 1, а для третьей (Q = 2) — около 4 : 1. Для частот 3…5 МГц суммарная индуктивность должна быть 10…6 мкГн, для частоты 20 МГц — около 2 мкГн. Контур настраивают в резонанс с помощью подстроечного конденсатора С114 (С214). Определять резонанс, контролируя амплитуду сигнала непосредственно на самом контуре, нежелательно из-за влияния измерительного прибора. Лучше всего это сделать, если с помощью резистора R117 (R214) немного «нарушить» меандр на выходе элемента DD100.4 (DD200.4), тогда при резонансе (это максимум амплитуды синусоидального сигнала) скважность выходного сигнала приближается к Q = 2, затем этим резистором устанавливают точное значение Q = 2 на выходе ХТ101 (ХТ201).

При работе на основной частоте элементы этого LC-контура и элементы симметрирования не устанавливают, а выход элемента DD100.3 (DD200.3) напрямую соединяют с входом элемента DD100.4 (DD200.4). Резисторами R106 и R206 устанавливают Q = 2 на выходе ХТ101 (ХТ201). 

 

Модулятор

Элементы DD301.1 и DD301.3 модулятора конфигурируются в зависимости от нужного коэффициента умножения частоты, что требует точной установки Q = 2 в предыдущих каскадах. При умножении в нечётное число раз не нужно устанавливать RC-цепи задержки, и на оба входа подают одинаковый сигнал (R307, R309, С302-С305 не устанавливают). Для умножения на два или на четыре с помощью этих цепей устанавливают Q = 3 на выводе 11 элемента DD301.1 и на выводе 3 элемента DD301.3.

В элементе DD301.2 (DD301.4) осуществляется импульсная модуляция. С его выхода через резистор R400 (R500) сигнал поступает на основной фильтр. Поэтому на плате непосредственно с этим элементом предусмотрена установка двух блокировочных конденсаторов. Без них будет заметное влияние на другие узлы через линии питания. На плате предусмотрены резисторы R308, R310 и R311, соединённые с общим проводом или линией питания, которые можно задействовать в случае, если на эти входы подавать сигнал от внешнего источника.

На микросхеме DD300 собран импульсный генератор для формирования сигнала со скважностью до Q ≈ 1000. Частоту модулирующего сигнала в диапазоне 0,1…1 кГц устанавливают резистором R301. Длительность импульса (8…80 мкс) устанавливают резистором R302. Такие параметры — оптимальные для настройки систем подавления импульсных помех (noise blanker). Установкой перемычки «SPON» активируется импульсная модуляция ВЧ-сигналов. Для удобства работы с осциллографом формируется сигнал «SYNC» амплитудой 1 В. 

Для проверки реакции АРУ или шумоподавителя в РПУ нужно изменить временные параметры модуляции. Для этого подбирают конденсаторы С300 и С301, их ёмкость может изменяться в широких пределах, допустимо применение оксидных конденсаторов с учётом их полярности (минус — на общий провод).

 

Основной фильтр

Самая мощная спектральная составляющая — на основной частоте ЗГ, и от неё надо избавиться в первую очередь ввиду её относительно большой мощности. Поэтому основной двухконтурный фильтр на элементах L400-L403 и C402-C407 (L500-L503 и C502-C507) «начинается» с катушки индуктивности L400 (L500). По сравнению с вариантом с конденсатором, при том же числе элементов можно получить выигрыш в подавлении первой гармоники на 10…16 дБ. Подборкой конденсатора C404 (С504) устанавливают связь между контурами не более критической. Ориентировочно его ёмкость должна быть в 20…30 раз больше ёмкости контурного конденсатора Ск = С402 + С403 (С502 + С503). Это обеспечивает оптимальное подавление мешающих гармоник. Номиналы элементов указаны для частоты настройки фильтра около 35 (56) МГц. АЧХ этих фильтров показана на рис. 13 и рис. 14 соответственно. Изменить частоту настройки фильтра, например, уменьшить, можно пропорциональным увеличением индуктивности катушек и ёмкости конденсаторов фильтра.

Рис. 13. АЧХ фильтров

 

Рис. 14. АЧХ фильтров

 

Для диапазона частот 4…90 МГц можно применить дроссели серии ЕС-24. Конденсатор С407 (С507) подбирают для получения размаха напряжения на базе транзистора — 30…60 мВ.

Для варианта с центральной частотой 10,7 МГц можно даже обойтись без катушек индуктивности. Вместо основного LC-фильтра устанавливают пьезофильтр с полосой пропускания 180…350 кГц от тракта ПЧ УКВ-приёмника. Схема его подключения во втором канале показана на рис. 15. Номинальное сопротивление резистора R500 (820 Ом) указано для случая подачи сигнала на частоте 3566 кГц. Если частота 2…3 МГц, сопротивление надо уменьшить до 620 Ом. Резисторы R2-R4 обеспечивают сопротивление нагрузки 330 Ом для фильтра ZQ1, что важно для обеспечения минимальной неравномерности АЧХ в области частот 10700 ± 50 кГц. Резистор R4 повышает устойчивость усилителя на высокой частоте.

Рис. 15. Схема подключения

 

Усилитель на транзисторе VT400 (VT500) (см. рис. 12) на нагрузке 50 Ом обеспечивает сигнал размахом до 300 мВ. Чтобы при этом обеспечить линейный режим, ток коллектора транзистора должен быть около 10 мА, его устанавливают подборкой резистора R401 (R501). Усиление составляет примерно 14 дБ (5 раз). Для настройки фильтра с помощью мультиметра на выходе усилителя установлен детектор на диоде VD400 (VD500). Диод 1N4148 удовлетворительно работает до частоты 45 МГц. На более высокие частоты желательно применить маломощные высокочастотные германиевые диоды или диоды Шотки (серии BAT или BAS). Настраивают фильтр по максимуму сигнала на выходе детектора.

В схеме сумматора (L504, C512- C515, R507-R509) не указаны номиналы элементов, так как компоновка сильно зависит от конкретной задачи. Это предлагает широкие возможности для суммирования сигналов.

Сумматор не может заменить качественный двухчастотный генератор для измерения интермодуляционных искажений и IP3, так как оба сигнала уже раз «пересеклись» в модуляторе через общие выводы питания микросхемы DD301. Но тем не менее такие искажения можно измерить до уровня 30 дБ, что в большинстве случаев достаточно, чтобы отрегулировать ВЧ-узлы по минимуму искажений.

Смеситель на микросхеме DD700 предусмотрен в первую очередь для образования частотного маркера на экране осциллографа при исследовании АЧХ фильтра. При этом один генератор работает как эталонный без сканирования, и его частоту измеряют частотомером. При равенстве с частотой сканирующего генератора образуется нулевое биение, хорошо наблюдаемое на экране. Этим методом в скромной домашней лаборатории можно весьма точно настроить фильтр на требуемую частоту. Но смеситель можно применить и для других целей. Так как он хорошо работает на всех гармониках, можно реализовать сетку маркеров (как в измерителе АЧХ Х1-48 и аналогичных). В зависимости от конкретной задачи придётся подобрать параметры ФНЧ R700, C700, R701, C701. Если подавать на смеситель только один сигнал (отключать второй генератор), этот сигнал и будет на выходе.

 

Примеры реализации ГУНа

При выборе варианта надо учитывать наличие резонаторов, и более предпочтительными всегда являются варианты с применением промежуточного делителя частоты на два (или четыре) либо умножением на два (при Q = 3). Причина этому — отсутствие в промежуточном спектре (контакты ХТ400 и ХТ500) первой гармоники ЗГ, чем устраняется обратная реакция на генератор («прыжки» по частоте при изменении нагрузки). Для кварцевых фильтров, работающих на третьей гармонике, желательно избегать вариантов с умножением на три во втором умножителе.

В задающем генераторе за счёт применения микросхем серии 74АС86 или 74НС86 можно сдвинуть интервал работы резонаторов на несколько десятков килогерц. На 74АС86 частота всегда будет чуть выше и стабильность частоты заметно лучше. У микросхем 74НС86 порог передаточной характеристики смещён до 33 % от напряжения питания, что неудобно для реализации вариантов со сложными промежуточными преобразованиями.

4433 кГц

Фильтры на эту частоту в большинстве случаев изготавливают на основе кварцевых резонаторов для PAL-декодеров. Такие фильтры пользуются популярностью у радиолюбителей, так как резонаторы доступны и относительно дёшевы, а в одной партии имеют малый разброс параметров. На них получаются вполне «серьёзные» SSB/CW-фильтры. Хороший вариант с высокой стабильностью — применить резонатор на частоту 3580 кГц (настройка на 3546 кГц) с последующим делением на четыре и умножением на пять.

5500 кГц

Сформировать сигнал с частотой 5500 кГц можно, если в ЗГ применить резонатор на частоту 11 МГц и затем поделить частоту на два. В этом случае получим чистый спектр и слабое влияние на ЗГ. Взамен основного LC-фильтра можно установить пьезофильтр на частоту 5,5 МГц, применяемый в звуковом тракте телевизора (см. рис. 15).

8814…9011 кГц

Частоту в диапазоне 8814…9011 кГц можно получить, применив резонаторы на частоту 6 (12) МГц с последующим её делением на два (четыре) и умножением на три. Также можно применить резонатор с номинальной частотой 3580 кГц, перестроить его на диапазон 3525…3604 кГц, затем поделить частоту на два и умножить на пять. Резонаторы с номинальной частотой 3 МГц — не самый хороший вариант, так как при применении в этот диапазон попадает третья гармоника ЗГ.

10700 кГц

С дискриминаторным резонатором на частоту 10700 кГц в ЗГ можно сразу получить требуемый сигнал, но взаимное влияние ЗГ и выходного УВЧ может испортить результат замеров АЧХ SSB-фильтров с очень крутыми скатами. Лучший результат можно получить с резонатором на частоту 3,58 МГц (настройка на 3567 кГц) и умножением на три.

С резонатором на частоту 4300 кГц (настройка на 4280 кГц) с последующим делением на два и умножением на пять получим очень стабильный сигнал для налаживания SSB-фильтров. По опыту для этого надо приобрести несколько резонаторов, так как у них бывают провалы в импедансе в области частот 3,5…4,5 МГц, и выбирать самый «гладкий».

21400 кГц

С помощью резонатора на частоту 3,58 МГц (настройка на 3567 кГц) и умножением на два получим сигнал частотой 7133 кГц, третью гармонику (21400 кГц) выделит основной фильтр.

Также хорошо будет работать дискриминаторный резонатор на частоту 10700 кГц с последующим удвоением. Для этого надо задействовать элемент DD301.1 и установить на его выходе Q=3 (R307 = 1 кОм, С302 + С303 = 15 пФ) (рис. 16).

Рис. 16. Сигнал, скважность которого ближе к Q = 3

 

При налаживании с помощью мультиметра можно получить подавление сигнала на частоте 32100 кГц не менее 40 дБ. С помощью анализатора спектра подавление можно довести до 50 дБ. Качество сигнала после основного фильтра позволит измерять АЧХ фильтров в интервале до 80…90 дБ.

34875 кГц

Частоту 34875 кГц лучше всего получить, применив в ЗГ резонатор на частоту 10 МГц и настроив его на 9939 кГц, затем поделив на два и умножить на семь.

Второй вариант — установка резонатора на частоту 3,58 МГц (настройка на 3487 кГц) с промежуточным умножением на два и окончательным на пять. Этот вариант тем хорош, что пятую гармонику фильтр выделяет лучше, чем седьмую. Обязательно потребуется тщательная установка Q = 2.

45 МГц

На первый взгляд, для этой частоты существуют много вариантов, но большинство требуют окончательного умножения на три, что не всегда хорошо. Лучшие варианты — сначала получить частоту 9 МГц (с последующим умножением на пять) или 6428 кГц (с последующим умножением на семь). На частоту 9 МГц можно выйти , применив дискри-минаторный резонатор на частоту 4500 кГц с предварительным удвоением частоты или с резонаторами на 3, 6, 12 МГц с делением на два (четыре) и умножением на три.

Промежуточный фильтр на 9 МГц в случае умножения частоты на два реализуют с помощью катушек индуктивности L100 = 1,5 мкГн и L101 = 4,7 мкГн. При умножении частоты на три надо установить L100 = 1 мкГн, конденсатор C113 = 39 пФ. При резонансе на входе элемента DD100.4 присутствует сигнал размахом 1,5 В, что вполне достаточно для срабатывания логического элемента.

Главная предпосылка для получения чистого спектра при умножении частоты на три — это сигнал от ЗГ с Q = 2. Если сигнал поступает с выхода делителя частоты на триггере DD101.1 или DD101.2, это получится автоматически. Без делителя надо установить сигнал ЗГ с Q = 2. При умножении на два также надо получить сигнал с Q = 2 на выходе элемента DD100.1, а в умножителе (выход элемента DD100.3) установить Q = 3 с помощью конденсатора С108. Затем настраивают в резонанс фильтр. Для этого сначала с помощью резистора R117 нарушают баланс элемента DD100.4, чтобы получить на выходе элемента DD100.4 сигнал с переменной скважностью (рис. 17). Разная длительность импульсов обусловлена тем, что на частоте 9 МГц новая энергия в контур поступает только с каждым третьим импульсом.

Рис. 17. Сигнал с переменной скважностью

 

Настроив фильтр в резонанс, получим сигнал, скважность которого уже ближе к Q = 2 (рис. 18). При резонансе показания мультиметра максимально приближаются к 50 % от UK. При полном обороте подстроечного конденсатора мы должны заметить это явление два раза и при этом на выходе отметить чистый сигнал на частоте 9 МГц.

Рис. 18. Сигнал, скважность которого уже ближе к Q = 2

 

В заключение c помощью резистора R117 восстанавливают Q = 2. Проверяют это с помощью мультиметра на контакте ХТ400, установив напряжение ровно 50 % от UK. При этом последующий фильтр должен быть временно отключён. В этом случае на контакте XT400 получим промежуточный сигнал частотой 9 МГц, у которого чётные гармоники подавлены на 40 дБ и умножение на 45 МГц не вызывает особых трудностей. 

55845 кГц

Решение этой задачи обеспечит резонатор на частоту 8 МГц (настройка на 7978 кГц). Но потребуется тщательная установка Q = 2 на входе основного фильтра, чтобы подавить чётные, а также пятую и девятую гармоники.

Другой вариант — применение резонатора на частоту 3680 кГц (настройкой на 3723 кГц) с промежуточным умножением на три (11169 кГц) и последующим — на пять.

60128 кГц

Самый простой вариант — применить резонатор на частоту 12 МГц (настройка на 12026 кГц) с умножением на пять. Можно применить резонатор на частоту 6 МГц, применив предварительное умножение на два. Промежуточный фильтр на частоту 12 МГц составляют катушки индуктивности L100 = 1 мкГн и L101 = 3,3 мкГн, конденсатор С113 = 33 пФ.

64455 и 65128 кГц

Применение дискриминаторного резонатора на частоту 6,5 МГц (настройка на 6445 кГц) обеспечит, наверное, самый оптимальный вариант по доступности и стабильности. Умножением на два и на пять «выходим» на частоту 64455 кГц. Для получения частоты 65128 кГц настроим ЗГ на частоту 6,513 МГц. Для промежуточного фильтра на частоту 13 МГц (после умножения на два) потребуются установка L100 = 0,82 мкГн и L101 = 2,2 мкГн, конденсатор С113 = 39 пФ.

70200 и 70455 кГц

Самый простой вариант — в ЗГ применить резонатор на частоту 10 МГц (настройка 10030, 10065 кГц). Но не все резонаторы «дотянут» до частоты 10050 кГц.

Для получения частоты 70455 кГц можно применить резонатор на частоту 3,58 МГц (настройка на 3523 кГц). После умножения на четыре «выходим» на частоту 14091 кГц и далее — умножение на пять. Рассмотрим этот вариант подробнее, так как он требует тщательного пошагового налаживания.

Сначала надо получить в ЗГ Q = 2, сопротивление резистора R118 (R215) целесообразно увеличить до 330 кОм, чтобы повысить долгосрочную стабильность настройки. Затем устанавливают Q = 3 на выходе первого умножителя для получения максимального уровня чётных гармоник. Промежуточный фильтр настраивают на частоту 14 МГц. Для этого устанавливают L100 = 0,18 мкГн и L101 = 1 мкГн, конденсатор C113 = 100 пФ, C114 — подстроечный 6…30 пФ, резистор R212 = 820 Ом. Контур имеет высокую добротность, и спектральная линия на частоте 7 МГц подавлена на 40 дБ. После симметрирования с помощью резистора R117 получим спектр, в котором отсутствуют чётные гармонии от основного сигнала и сигнал на частоте 70 МГц на 26 дБ превышает все остальные.

В выходном фильтре устанавливают L400 = 27 нГн (типоразмер 0805 или 0603). Контурные катушки (L401 и L402) — по 0,47 мкГн (дроссели ЕС-24), а конденсаторы — суммарной ёмкостью 11 пФ. Общая ёмкость конденсатора C404 — 250 пФ, С407 = 82 пФ. Результирующая полоса пропускания — около 2 МГц, сигнал с частотой 14 МГц на 40 дБ меньше сигнала с частотой 70 МГц, на частоте 42 МГц относительное подавление — 46 дБ, на частоте 140 МГц — 26 дБ. Размах сигнала на выходе («GEN1») — 400 мВ.

Кратковременная нестабильность частоты составляет около ±50 Гц. За 10 мин частота медленно изменяется в диапазоне ±200 Гц. Эти значения можно уменьшить с помощью экранировки, так как потоки воздуха в комнате оказывают заметное влияние. Для налаживания фильтров с полосой пропускания более 5 кГц этого достаточно. Зависимость частоты от сопротивления нагрузки практически не проявляется. Вариант с резонатором на частоту 10 МГц оказался в 2…3 раза стабильнее.

Наверное, этим примером мы прошли «высокую школу» работы на ВЧ с логическими элементами КМОП серии 74АС и хорошо «пощупали» пределы данной техники при реализации множителей на высокие частоты минимальными средствами.

80455 кГц

С резонатором 8 МГц (настройка на 8045 кГц) и первичным удвоением частоты получим 16090 кГц. Последующее умножение на пять даст желаемый результат.

90 МГц

Самый надёжный вариант — применить резонатор на частоту 12 МГц. Промежуточное деление на два даст стабильный сигнал на частоте 6 МГц с подавлением чётных гармоник до 50 дБ. После предварительного умножения на три выйдем на частоту 18 МГц. В этом случае в промежуточном фильтре (на 18 МГц) устанавливают катушки индуктивности L100 = 0,56 мкГн и L101 = 2,2 мкГн и конденсатор С113 = 12 пФ. На частоте 90 МГц транзистор КТ368АМ работает хорошо и выдаст без нагрузки сигнал размахом 400 мВ и 200 мВ на нагрузку 50 Ом. Вторая гармоника (180 МГц) возникает в УВЧ и подавлена на 20 дБ. В основном фильтре установлены L400 = 15 нГн (типоразмер 0805), L401 = L402 = 0,27 мкГн (ЕС-24), контурные ёмкости по 11 пФ, конденсаторы С404 = 300 пФ, С407 = 68 пФ. На рис. 19 изображена АЧХ этого фильтра с полосой пропускания 4 МГц по уровню 3 дБ. В этом варианте получилась отличная кратковременная стабильность, и за первый час работы частота плавно увеличивалась на 1 кГц, если установить плату ГУНа в закрытый корпус. Потом частота медленно изменяется в диапазоне ±100 Гц.

Рис. 19. АЧХ фильтра с полосой пропускания 4 МГц по уровню 3 дБ

 

135,495 МГц

Для выхода на такую высокую частоту лучше применить кварцевые резонаторы на частоту 15…20 МГц (первая гармоника), которые обеспечивают перестройку 5…8 кГц. Но будет надёжнее, если подавать сигнал с бюджетного DDS-генератора частотой 9022 или 15055 кГц на вход элемента DD100.1 (DD200.1). Для получения достаточного уровня сигнала на частоте 135 МГц надо стремиться к достаточно высокой частоте после первого умножения (27 или 45 МГц). Выходной фильтр можно реализовать на ПАВ-фильтре HDF135-8, у которого хорошее подавление на частотах до 100 МГц. Для согласования на его выходе надо установить RC-цепь (1 пФ + 68 Ом) и со стороны модулятора (DD301) с помощью резистивного аттенюатора обеспечить импеданс 50 Ом.

Сигналы до частоты 240 МГц

На этом примере я хочу показать потенциал применённых элементов. Например, ЗГ работает на частоте 12 МГц. Умножитель на DD100.3 настроен на Q = 3 и выдаёт импульсы частотой 24 МГц на LC-контур. Очень важной является точная настройка фильтров с помощью анализатора спектра (или с таким же успехом — мультиметра). Методика налаживания такая же, как для фильтра на частоту 9 МГц, но L100 = 0,56 мкГн и L101 = 2,2 мкГн, конденсатор С113 = 6,8 пФ. На выходе (ХТ400) присутствует сигнал со спектром, в котором подавлены (не менее 50 дБ) нечётные гармоники от 24 до 300 МГц (благодаря хорошей топологии платы вокруг DD301). Сигнал на частоте 168 МГц примерно на 18 дБ слабее основного сигнала (24 МГц), и на 240 МГц ещё имеется значительный уровень (-26 дБ).

Предложенный ГУН удобно применить совместно с генератором пилообразного напряжения и логарифмическим детектором (микросхема AD8307). Работа КМОП-элементов на ВЧ в сочетании с LC-контурами открывает уникальные возможности при разработке QRP-аппаратуры. Логические элементы серии 74АС имеют низкий фазовый шум, если на частотах 20…120 МГц на их вход подавать синусоидальный сигнал, по размаху равный напряжению питания. Элементы серии 74НС для этого менее пригодны.

Дополнительная информация, а также чертежи печатной платы в разных форматах имеютя здесь.

Автор: Айо Лохни, Германия/Россия, г. Гай Оренбургской обл.

Таблица данных транзистора c114%20 и примечания по применению

Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat=f (lc) (TA=25°C) Рисунок 20. Транзистор


OCR-сканирование
PDF SFH601 СФХ601-2, СФХ601-3 СФХ601-4 E52744 SFH601
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ) Рисунок 20.СФХ600 5-212


OCR-сканирование
PDF SFH600 СФХ600-0, СФХ600-1, СФХ600-2 СФХ600-3 E52744 SFH600 лк тире 2 б-5
2005 — транзистор с114

Реферат: c114 kck конденсатор m39014 KEMET MIL-PRF-39014 C114 транзистор C124 c114 техпаспорт MARKING C05 даташит на транзистор C114
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОВОС-198 вольт00 транзистор с114 с114 kck конденсатор m39014 КЕМЕТ МИЛ-ПРФ-39014 Транзистор С114 С124 c114 даташит МАРКИРОВКА C05 даташит на транзистор С114
2005 — транзистор с114

Реферат: Конденсатор керамический 103кск КСК 12 BX 103K транзистор c124 m39014 KEMET M39014 2- 1415 J50V 105K маркировка B 103K KCK B 103K KCK c114 даташит на транзистор C114
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОВОС-198 транзистор с114 керамический конденсатор 103 кКк КСК 12 ВХ 103К транзистор с124 m39014 КЕМЕТ М39014 2- 1415 ДЖ50В 105К маркировка В 103К КСК Б 103К КСК с114 даташит на транзистор С114
2005 — LT3973-3.3

Резюме: L1117T-3.3 LT3971-3.3
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОВОС-198 LT3973-3.3 Л1117Т-3.3 LT3971-3.3
2001 — LT3973-3.3

Реферат: МАРКИРОВКА конденсатора керамического C114 103 кск МАРКИРОВКА конденсатора C124 C114 C062k105 kck M390 1553 ckr06 конденсатора керамического M39014 2- 1415 J50V 105K
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF МИЛ-С-11015; МИЛ-ПРФ-39014.МИЛ-С-11015) МИЛ-ПРФ-39014) МИЛ-С-11015 МИЛ-ПРФ-39014 LT3973-3.3 МАРКИРОВКА C114 керамический конденсатор 103 кКк МАРКИРОВКА C124 С114 C062k105 kck конденсатор М390 1553 керамический конденсатор ckr06 М39014 2- 1415 ДЖ50В 105К
2000 — М39014 2- 1415 ДЖ50В 105К

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ФОРМОВАННЫЙ/MIL-C-11015 МИЛ-ПРФ-39014 CKR11 CKR12 CKR14 CKR15 МИЛ-С-11015; МИЛ-ПРФ-39014.МИЛ-С-11015) МИЛ-ПРФ-39014) М39014 2- 1415 ДЖ50В 105К
2003 — керамический конденсатор 103 кКк

Реферат: C114 M390 1549 EIA-RS-198D MIL-PRF-39014 c7303 102k MIL-C-11015 ckr06 керамический конденсатор RS-198 C192
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 100/мешок 500/мешок 250/мешок 50/мешок 300/коробка 200/коробка керамический конденсатор 103 кКк С114 М390 1549 ОВОС-RS-198D МИЛ-ПРФ-39014 c7303 102k МИЛ-С-11015 керамический конденсатор ckr06 РС-198 С192
2008 — керамический конденсатор 103 кКк

Реферат: транзистор с114 схема транзистор с114 схема транзистор с114 транзистор с114 микросхема esr с114 kck конденсатор с124 транзистор KEMET CAPACITORS KCK M390 capa
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF СН54ХК114, SN74HC114 300 мил
транзистор с114

Реферат: транзистор с114 схема транзистор с114 схема военный конденсатор m390 cx 2602 c114 ckr06 керамический конденсатор транзистор c124 C052 серии F2013
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Ф-3113 МИЛ-ПРФ-20 МИЛ-ПРФ-39014/01/02/05 МИЛ-С-11015 К052Г/К062Г/К114Г/ К124Г/192Г/К202Г/К222Г C052T/C062T/C114T/ C124T/192T/C202T/C222T К052К/К062К/К114К/ К124К/192К/К202К/К222К транзистор с114 транзистор с114 схема схема транзистора с114 военный конденсатор м390 сх 2602 с114 керамический конденсатор ckr06 транзистор с124 Серия C052 F2013
к5р 105к

Реферат: С824 105к К5Р транзистор с114 военный конденсатор м390 К5Р 104м с829 аналог С522Г5 К5У 104м маркировка Г391
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF F-3101D GR900 МИЛ-ПРФ-123 Ф-3054 Ф-3100 F3102 к5р 105к C824 105к К5Р транзистор с114 военный конденсатор м390 К5Р 104м эквивалент c829 C522G5 К5У 104м маркировка G391
транзистор с114

Реферат: 105k K5R npo 121 j kck 473 kck KEMET K5R 104K kck 100v 223 Kemet DATE CODE керамический конденсатор 103 kck k5r 103k F2013
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 15бис транзистор с114 105к К5Р нпо 121 дж кск 473 тыс. крон КЕМЕТ К5Р 104К кск 100в 223 Кемет КОД ДАТЫ керамический конденсатор 103 кКк к5р 103к F2013
1997 — с114

Реферат: Заголовок ТО-5 C-114 C-115 Двунаправленные ответвители C115
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF С-114 С-115 С-114 С-115 24 апр96 с114 Заголовок ТО-5 двунаправленные ответвители С115
1998 — транзистор с114 схема

Реферат: 105k K5R транзистор c114 транзистор c114 схемы транзистор c114 чип ELKO 2817 конденсатор техпаспорт на транзистор C114 керамический конденсатор 103 kck npo 121 j kck F 104 kck
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF F-3101C GR900 МИЛ-ПРФ-123 Ф-3054 Ф-3100 F3102 транзистор с114 схема 105к К5Р транзистор с114 схема транзистора с114 микросхема транзистор с114 Конденсатор ELKO 2817 даташит на транзистор С114 керамический конденсатор 103 кКк нпо 121 дж кск F 104 кск
1997 — Конденсатор ELKO 2817

Реферат: J100V MIL-C-20 K5R 104m K5R 105K k5r 103k 2C3303 F 104 kck 105k K5R F3102
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF F-3101B GR900 МИЛ-С-123 Ф-3054 Ф-3100 F3102 Конденсатор ELKO 2817 J100V МИЛ-С-20 К5Р 104м К5Р 105К к5р 103к 2C3303 F 104 кск 105к К5Р
C114 es j

Аннотация: 74hc114 c114
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF СМ54ХК114, СМ74ХК114 300 м C114 э с к 74hc114 с114
кск 100в 223

Реферат: 473 kck k5r 103k керамический конденсатор 103 kck npo 121 j kck kemet 471 k1k k5u 105 конденсатор военный конденсатор m390 K5R 104m kck 223
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
С114

Реферат: МАРКИРОВКА Транзистор С114 c114 C-114 KRC114M даташит на транзистор C114 c114 транзистор c114 даташит TO-92M транзистор c114 DATASHEET
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF КРЦ114М О-92М С114 МАРКИРОВКА C114 транзистор с114 С-114 КРЦ114М даташит на транзистор С114 транзистор с114 c114 даташит ТО-92М Транзистор c114 ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
транзистор с114

Реферат: конденсатор керамический 103 кск М39014 1- 1553 104к транзистор с114 схема EIA-RS-198D метод 201 транзистор с114 схемы к5р 105к 105к К5Р К5У 104м конденсатор 0.01 мкФ 16 вольт G309
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF F-3101E GR900 МИЛ-ПРФ-123 Ф-3054 Ф-3100 F3102 транзистор с114 керамический конденсатор 103 кКк M39014 1- 1553 104k транзистор с114 схема Метод ОВОС-RS-198D 201 схема транзистора с114 к5р 105к 105к К5Р К5У 104м конденсатор 0,01 мкФ 16 вольт Г309
Конфигурация контактов 74LS47

Аннотация: 7-СЕГМЕНТНЫЙ ДИСПЛЕЙ cd 4511 7447 7-сегментный декодер схемы контактов дисплея 4511 7-сегментный декодер с общим анодом JK триггер 4511 7447 конфигурация контактов
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4708Б 4076Б 4511Б 4С43Б 4734Б 4538Б C115e 40160Б 40161Б 40162Б Конфигурация контактов 74LS47 7-СЕГМЕНТНЫЙ ДИСПЛЕЙ cd 4511 7447 7-сегментный дисплей декодер схемы выводов 4511 7-сегментный дешифратор с общим анодом 74ls47 конфигурация контактов двойного 7-сегментного светодиода 7 сегмент, 74LS245 Драйверы декодера светодиодной защелки CMOS BCD-to-7-Segment bcd в 7-сегментный jk-триггер 4511 Конфигурация контактов 7447
С114

Реферат: C115B C-114 06AC
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF С-114 С-115_ С-114 С-115 С-115 201-575-1300/ФАКС 201-575-0531 С114 C115B 06AC
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 42AA1BCD12CEAF19 114Ф2Ф 894F1C CDE33A9F 051E2
IC 74ls245 защелка

Аннотация: IC CD 7447 конфигурация контактов IC 7447 логика ic ttl 7447 IC 7447 СХЕМА СОЕДИНЕНИЯ КОНТАКТОВ ttl ic 7448 7447 ДЕКОДЕР 3-8
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4512Б 4519Б 4539Б 4019Б 4734Б 4543Б 74LS47 Защелка ИЦ 74лс245 Конфигурация контактов IC CD 7447 ИС 7447 логика IC ттл 7447 СХЕМА ПОДКЛЮЧЕНИЯ ВЫВОДОВ IC 7447 ттл ик 7448 7447 ИС ДЕКОДЕРА ОТ 3 ДО 8 7447 IC схема IC 7447 СХЕМА ПОДКЛЮЧЕНИЯ 16 КОНТАКТОВ 7-сегментный дешифратор с общим анодом 74ls47

транзистор%20c114%20диаграмм техническое описание и примечания по применению

хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
КХ520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E

Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ-трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012

Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Технический паспорт силового транзистора
для телевизора

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Сайты поиска технических данных для полупроводников

Что такое техническое описание?

Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам .Спецификация — это документ, напечатанный или электронный, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся как книга, называемая книгой данных, но теперь она доступна в виде файла PDF.Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.

Тем не менее, рекомендую свериться со спецификацией за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.

Сайты ссылок

1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников

  • https://www.arrow.com/
  • https://www.digikey.com/
  • https://www.mouser.com/
  • http://www.element14.com/
  • https://www.verical.com/
  • http://www.chip1stop.com/
  • https://www.avnet.com/
  • http://www.newark.com/
  • http://www.futureelectronics.com/
  • https://www.ttiinc.com/

 

2. Datasheet Search Site Collection

  • http://www.datasheet39.com/
  • http://www.datasheet4u.com/
  • http://www.datasheetcatalog.com/
  • http://www.alldatasheet.ком/
  • http://www.icpdf.com/
  • http://www.htmldatasheet.com/
  • http://www.datasheets360.com/
  • https://octopart.com/

Octopart — это поисковая система для электронных и промышленных деталей. Найдите детали , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

 

3. Другие семейства сайтов, связанные с таблицами данных

  • https://en.wikipedia.org/wiki/Технические данные
  • http://www.smdcode.com/en/
  • http://www.s-manuals.com/smd
  • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать техническое описание

 

Связанные статьи в Интернете

Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > поток приложение/pdf

  • онсеми
  • DTC114E — цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм
  • Эта серия цифровых транзисторов предназначена для замены одиночного устройства и его внешней резисторной цепи смещения.Транзистор резистора смещения (BRT) содержит один транзистор с монолитной цепью смещения, состоящей из двух резисторов; последовательный базовый резистор и резистор база-эмиттер. BRT устраняет эти отдельные компоненты, объединяя их в единое устройство. Использование BRT может уменьшить как стоимость системы, так и место на плате.
  • 2021-08-05T15:20:38+02:00BroadVision, Inc.2021-08-05T15:21:46+02:002021-08-05T15:21:46+02:00Acrobat Distiller 19.0 (Windows)uuid:69c6d679- c5d1-4e04-8945-dfcc2a331ed5uuid:fab0833a-b467-4c0f-9fe8-981b258f1665 конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > эндообъект 25 0 объект > эндообъект 26 0 объект > эндообъект 27 0 объект > эндообъект 28 0 объект > эндообъект 29 0 объект > поток HtWK- ВВЕРХ+соль~ ½C )n»i+럿 _>UridTG~|%»

    C144 Лист данных PDF — 50 В, 0.36Вт, НПН 2SC144, ТО18

    Это один из типов транзисторов.

    Номер детали: C144, 2SC144

    Упаковка: тип ТО-92 или тип ТО-18

    Функция: Vcb = 50 В, Vce = 0 В, Veb = 5 В

    Дополнительные сведения см. в изображении для предварительного просмотра и в файле PDF.

    Изображение

    Описание

    Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: Pc = 0,36 Вт

    Максимальное напряжение коллектор-база: Vcbo = 50 В

    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: Vceo = 0 В

    Максимальное напряжение эмиттер-база: Vebo = 5 В

    Максимальный ток коллектора: Ic max = 0.2 А

    Максимальная температура: Tj = 175 °C

    Частота перехода: ft = 225 МГц

    Коэффициент передачи прямого тока: hFE = 35 мин

    Информация для заказа

    Другие листы данных в файле: 2SC112, 2SC113, 2SC115, 2SC110, 2SC111

    C144 Лист данных

    Сообщения, связанные с «Транзистор NPN»

    Транзистор NPN
    Номер детали Описание
    Д894 25В, 1.5A, транзистор NPN — Sanyo
    С3320 Vcbo=500 В, транзистор NPN – Fuji
    2SD1922 25 В, 0,8 А, кремниевый транзистор NPN
    С4927 1500 В, транзистор NPN — Hitachi
    С1383 Vcbo=30В, транзистор NPN – Panasonic
    2SC3413 Vceo=30 В, 0,1 А, транзистор NPN
    Д1193 60 В, 15 А, транзистор NPN — Sanyo
    2SD2116 50В, 0.7A, транзистор NPN — Sanyo
    С2383 — Toshiba
    МДЖ15015 120 В, 15 А, транзистор NPN

     

    Связанные статьи в Интернете

    Поиск

    может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, вам понравится
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓Доставка по всему миру!
    ✓Ограниченная по времени распродажа
    ✓Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна отправка немедленно
    Модель №.
    Код ТН ВЭД 85290
    Минимальное количество Начиная с одной штуки
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Поиск
  • идентификатор продукта
    артикул
    gtin14
    мпн
    Статус детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары пересылаются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация об отслеживании
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная авиапочта 15-25 дней В наличии
    ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ 5-10 дней В наличии
    Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Спасибо за покупку нашей продукции на нашем сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
    Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по истечении 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

    Подробнее о защите покупок PayPal см.
    Получите заказанный товар или верните деньги.
    Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
    Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    Программа защиты покупателей PayPal
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

    Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
  • Достаточный запас по вашему срочному требованию.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
  • Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточно.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, регулируемые R
    Звук специального назначения Аксессуары Реле
    Часы/хронометраж Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Диакс, Сидак Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и осцилляторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Соединители, Межсоединения
    Логика ВЧ полевые транзисторы Конденсаторы
    Память ВЧ-транзисторы (BJT) Изоляторы
    PMIC SCR Светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Триаки

    Какова цена?

  • Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
  • Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

  • Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить столько, сколько захотите.
  • Когда вы отправите мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, примечаниями по применению, замена, даташит в pdf, инструкция, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предоставляете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6-месячную гарантию на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как нашего друга и работаем добросовестно!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, обращайтесь к нам.Мы всегда к вашим услугам!

    Список поставщиков C114-EL, C114EL, DTC114EL, 2SC114-EL, DTC114ELTL2

    Номер детали
    Распределитель Склад DC Производитель Описание

    C114-EL

    80500 12 0925 АА

     

    15532   Квадроцикл   РОХМ   05  

     

    800   06   —   —  

     

    800   2021   РОМ   —  

    10000 2021 РОМ Квадроцикл

    C114EL

    15532 Квадроцикл РОМ 05

    3366 05 РОХМ ДИП-3

     

    15532   2021   РОМ   Квадроцикл  

    5000 2020 РОХМ ДИП-3

    DTC114EL

     

    87410   12   —   —  

    116000 РОХМ .

     

    32654   08PBF   UTC   SOT23  

     

    2654   SOT23   UTC   08PBF  

     

    2654   —   UTC   —  

     

    3000   —   UTC   IC  

     

    3000   —   UTC   SOT323  

     

    7500   00   РОХМ   Квадроцикл  

    7500 2021 РОМ Квадроцикл

     

    7500   00   РОХМ   Квадроцикл  

    5000 2020 РОМ Квадроцикл

     

    30000   2021   —   —  

     

    18000   НОВЫЙ   UTC   SOT323  

    2SC114-EL

     

    61285   12   —   —  

     

    800   —   АА   ТО-92ЛМ  

     

    800   06   —   ТО-92ЛМ  

    800 2021 РОХМ ТО-92ЛМ

    89600 Оригинал ТО-92ЛМ

    5000 2022 РОХМ ТО-92ЛМ

    DTC114ELTL2

     

    87410   12   —   —  

    1500 РОХМ 1999

     

    2298   1999   РОХМ  

    7500 2022 РОХМ ТО-92Л

     

    30000   2021   —   —  

    ДТК114-ЭЛ

     

    87410   12   —   —  

     

    15532   Квадроцикл   РОХМ   05  

     

    9937   1994   РОХМ   —  

     

    10000   2020   РОМ   ТР  

    DTC114ELT1G

     

    87410   12   —   —  

     

    3510000   СОТ-23   ОН/ЛРК   09  

     

    5000   2019   ПО   СОТ-23

    ДТК114ЭЛ-АЛ3-Р

     

    10000   2019   UTC   СОТ-323ТР  

    ДТК114ЭЛ-АН3-Р

     

    10000   2022   UTC   SOT523  

    DTC114EL-T92

    10000 2021 ПО ТО-93

    ДТК114ЭЛ-Т92-Б

     

    7500   2021   UTC   ТО-92ТБ  

    ДТК114ЭЛ-Т92-К

    10000 2022 ЮнисоникТек ТО-92(ТО-92-3)

    ДТК114ЭЛ-Т92-Р

     

    7500   2022   УТК   ТО-92ТР  

    DTC114ELA

    ДТК114ЭЛСОТ-523Т/Р

     

    5000   2021   UTC   СОТ-523  

    DDTC114ELP-7

     

    87410   12   —   —  

     

    33000   1051   ДИОДЫ   O402  

     

    3000   O402   ДИОДЫ   1051  

    3000 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN

     

    69000   —   ДИОДЫ   Биполярные транзисторы с предварительным

    8585 2019 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN

     

     
    —   ДИОДЫ   DFN1006-3  

     

    20000   2019   ДИОДЫ   O402  

    6110 2019 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN

     

    30000   2021   Диоды Инкорпорейтед   TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN1 0 9000

    LDTC114ELT1G

     

    52085   12   —   —  

    150000 12 ЛРК СОТ-23

    120000 12 ЛРК СОТ-23

    840000 20PB LRC

     

    30000   —   LRC   IC  

     

    4500   1143   ЛРК   СОТ-23  

     

    30000   12   LRC   SOT23  

     

    3000   1819   LRC   SOT23  

     

    20000   2021   ЛРК   СОТ-23  

     

    30000   2021   —   —  

    LDTC114ELT1H

     

    1000   1133   ЛРК   СОТ-23  

     

    2970   1132   LRC   SOT23  

     

    24000   2020   LRC/AOEc   SOT23  

     

    3000   1133   LRC   SOT23  

     

    54376   —   LRC   IC  

     

    1000   1133   ЛРК   СОТ-23  

     

    41254   2021   LRC   —  

     

    7500   2019   ЛРК   СОТ-23  

     

    18000   НОВЫЙ   LRC   SOT-23  

    DDTC114ELP

     

    87410   12   —   —  

     

    3000   O402   ДИОДЫ   1051  

     

    2500   2022   ZETEX/DOIDEOS   SOT-723  

    TDTC114E.ЛМ

     

    200250   21 RoHs   TOSHIBA   SOT23  

     

    28500   —   TOSHIBA   IC  

    28500 19 TOSHIBA SOT23

    ТДТК114Э,ЛМ

    3000 Toshiba Semiconductor and Storage Биполярные транзисторы — BRT с предварительным смещением 0.1А 50В 10КО

     

    30000   2021   Toshiba Semiconductor and Storage   TRANS PREBIAS NPN 50 В 0,1 А 9 SOT23  

    DDTC114ELP-7-F

    10000 2022 ДИОДЫ СОТ-883

    DDTC114ELP-7B

    10000 Диоды/ок 2013
    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.