Даташит транзистора: MOSFET. Справочник. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

Содержание

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5
19
15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I

oвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин.
Тип.
Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА
I0вых= 8 мА
I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых
, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Характеристики, аналоги, распиновки и datasheet

IRF3205 — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET). Его предназначение заключается в использовании в схемах регуляторов мощности, высокочастотных импульсных источников питания, преобразователей, звуковых усилителей и прочего. Его главная особенность, которая выделяет его на рынке — крайне низкое сопротивление в его открытом состоянии. Оно составляет всего около 0.008 Ом. Именно поэтому его удобно использовать при создании преобразователей постоянного тока.

Помимо прочего, он относится к так называемым Power MOSFET, что означает большую толщину оксида кремния внутри на его затворе. Такое отличие позволяет ему выдерживать высокие выходные нагрузки. Благодаря параметрам этого транзистора, его используют как радиолюбители, так и промышленности. В производстве он используется при создании инверторов, электрического инструмента для коммутации цепей в них. А также зачастую пользуется спросом у автопроизводителей, если у них появляется необходимость в управлении цепями с большим током и относительно небольшим напряжением.

Высокая стойкость к нагрузкам, быстрое переключение и полные лавинные параметры, указанные в datasheet, делают его наиболее востребованным вариантом для большинства проектов.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Размеры IRF3205

Такого вида транзисторы зачастую отличаются между собой толщиной и другими размерами. Чтобы не допустить какие-либо ошибки, производители всегда указывают точные габариты в datasheet компонента. Также они учитывают производственные процессы и отмечают допуски.

Исходя из этих размеров, Вы можете рассчитать правильное положение транзистора на плате и в корпусе и подобрать подходящий радиатор.

Характеристики IRF3205

  • Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
  • Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
  • Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
  • Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
  • Напряжение для открытия — 2-4В
  • Максимальное напряжение на затворе — ±20В
  • Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
  • Емкость затвора — ±3200 пФ
  • Время открытия — ±14 нс
  • Время закрытия — ±50 нс
  • Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
  • Диапазон рабочих температур — -55-175C
  • Температура пайки (до 10 секунд) — 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Виды IRF3205

Данный MOSFET транзистор имеет только одну форму выпуска — в корпусе TO220AB. Если Вам требуется транзистор другого размера, можно попробовать найти подходящий вам вариант среди аналогов IRF3205.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

  • Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
  • Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
  • Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
    • IRF3704ZPBF
    • IRLB8743PBF
    • IRL2203NPBF
    • IRLB8748PBF
    • IRL8113PBF

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока. Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

Аналоги IRF3205

В настоящий момент почти каждый именитый производитель, изготавливает аналоги IRF3205, Эта модель выпускается с 2001 года, при этом уже 20 лет удерживается на рынке. Вот небольшой список:

  • BUZ111S
  • HRF3205
  • HUF75344P3
  • STP80NF55-06
  • STB80NF55L-08-1

Помимо этого существует и отечественный продукт — аналог с маркировкой КП783A.

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

Datasheet IRF3205

Даташит компонента можно найти на сайте одного из производителей. https://www.infineon.com/dgdl/irf3205pbf.pdf

Здесь Вы найдете всю наиболее полную информацию о транзисторе, его описание, характеристики, графики зависимостей и важные примечания. Обязательно изучите datasheet перед применением компонента в ответственных проектах.

Производители IRF3205

IRF3205 выпускается многими именитыми производителями радиокомпонентов и микросхем, но наиболее распространенными в СНГ являются модели производства International Rectifier и Infineon Technologies. Иногда можно встретить компоненты, выпущенные First Silicon, Nell, а также Kersemi Electronic.

Все компании имеют примерно одинаковый техпроцесс, а, соответственно, и приблизительно одинаковые характеристики. Но перед использованием конкретной марки, я советую изучить datasheet от этого производителя.

Где купить IRF3205?

Так как этот транзистор выпускается уже много лет и успел обрести огромную популярность в среде производителей и радиолюбителей, приобрести его не составит труда: купить его не только, заказав через Интернет, но и, практически, в любом обычном магазине радиокомпонентов. Однако, вероятнее всего, у нас Вы сможете купить их только с большой наценкой, чего можно избежать, если воспользуетесь услугами AliExpress.

Продавца с наилучшей ценой и быстрой доставкой Вы можете найти по ссылке. Рекомендую сразу покупать пару десятков штук, чтобы хватило на много проектов вперед, поскольку это нужная вещь, которую можно взять очень дешево.

Интересное видео по теме:

Что такое даташит и зачем он нужен

Приветствую, друзья!

А Вы слышали это словечко — даташит? Наш лексикон последние годы изрядно обогатился англицизмами.

Люди, которые занимаются электроникой и ковыряются в компьютерах, наверняка знакомы с этим термином. Те, кто только готовится окунуться в это увлекательное дело, читаем дальше!

Даташит — это транслитерированное data sheets, справочные листы с информацией. Представляет собой официальный документ производителя электронных компонентов.

Там приводятся техническое описание компонента, его параметры, режимы эксплуатации, схемы включения и другая информация.

Немного истории

Сейчас абсолютное большинство электронных компонентов, которые присутствуют на рынке, изготовлены зарубежными производителями. В Советском Союзе было наоборот: при изготовлении электроники использовали в большинстве своем отечественные компоненты.

На каждый компонент изготовителем поставлялись технические условия (ТУ), которые найти можно было только на заводах, где электронную аппаратуру изготавливали. В свободном доступе их не было.

В технических условиях было все то (и даже больше), что имеется в нынешних даташитах. Существовали бумажные справочники, где была собрана самая необходимая информация, которые найти было уже легче.

Сейчас любой data sheets можно очень легко найти. Надобность в толстых бумажных справочниках отпала.

Что можно найти на первой странице даташита?

Сразу отметим, что первую страницу даташита формируют не только технари-инженеры, но и специалисты маркетингу и рекламе. Электронные компоненты производят для того, чтобы их покупали, поэтому надо показать товар лицом.

На первой странице data sheets приводятся:

  • свойства компонента (features),
  • его основные параметры (quick reference data),
  • обозначение на принципиальных схемах (symbol),
  • краткое описание (general description).

Могут описываться предельные режимы эксплуатации (limiting values, absolute maximum rating) или что-то в этом роде. Часто приводят изображения корпуса компонента и назначение выводов (pinning information, pin description).

С первого листа должно быть понятно, что за штуковина перед нами.

Вот как выглядит, например, первый лист даташита на MOSFET (полевой транзистор) 55N03T. Мы сразу видим, что это транзистор very low on-state resistance (имеет низкое сопротивление открытого канала сток-исток Rds),  18 мОм при напряжении затвор-исток Vgs 10 В.

Такое сопротивление получено с помощью trench-технологии. Область применения (applications) — сильноточные ключи (high current switching), высокочастотные (high-frequency) dc-dc конверторы для компьютерных материнских плат (computer motherboard).

И действительно, этот транзистор я выдрал с неисправной материнской платы компьютера. Конвертер на материнской плате из напряжение 12 В блока питания выдает напряжение 1 с лишним В для питания ядра процессора.

Ниже расположена цоколевка (pinning) транзистора, разновидности корпусного исполнения. В конце первого листа приведена таблица предельных режимов, из которых видно, что максимально мощность, рассеиваемая транзистором (total power dissipation), не должна превышать 103 Вт. Естественно, с наличием радиатора.

Температура (рабочая и хранения) транзистора должна лежать в пределах от минус 55 до плюс 175.

Что еще есть в даташите?

Далее идут электрические и температурные характеристики, причем параметры содержат минимальное, типовое и максимальное значение. Как ни отлаживай технологию производства, всегда будет существовать разброс параметров.

Типовое — это наиболее вероятное значение.

Даташиты могут содержать графики зависимости одного параметра другого. Например, в нашем случае зависимость тока стока от напряжения сток-исток при определенных значениях напряжения исток-затвор.

В заключение приводится информация о температурном режиме при монтаже (пайке) компонента, его упаковки маркировки и схемах включения.

Зачем нужен даташит?

Из всего сказанного понятно, что datasheet нужен разработчикам электронных изделий, чтобы правильно использовать электронный компонент при разработке аппаратуры.

В то же время справочными данными могут пользоваться и ремонтники, чтобы заменить вышедшую из строя «железку» аналогичной.

В этом случае используются только некоторые данные из даташита — предельно допустимые режимы или типовые значения параметров.

Где можно найти даташит?

Его можно найти в интернете. Достаточно вбить в поисковую систему фразу «маркировка компонента datasheet». Например, в нашем случае будет «55N03T datasheet».

Маркировка (или часть ее) наносится на корпус электронного элемента. Существует множество сайтов- каталогов электронных компонентов. Как правило, даташиты приводятся в формате PDF.

Заканчивая, отметим, что иногда официальные документы могут содержать некоторые неточности. Поэтому хорошо бы скачать разные даташиты одного и того же компонента и сравнить.

Если вы собираетесь серьезно заниматься ремонтами, придется изучать, как работают электронные компоненты, те же транзисторы и диоды.

Первоначальные сведения о том, как устроен полевой или биполярный транзистор, можно получить на этом сайте.

Можно еще почитать:

Что такое RoHS.

Всего наилучшего!


Маркировка радиодеталей, Коды SMD AL, AL*, AL**, AL***, AL-, AL-**, AL-***, ALG, ALL, ALN, ALO, ALQ, ALW, ALX, ALY. Даташиты 2SA1900, BCX53-16, FP6291, HSMS-280L, KTC3875, MAX6314US39D1-T, NCP5911MNTBG, RT9011-CCPQWC, RT9011-FMPQV, RT9161-36PX, RT9193-35PU5, RT9198-32PY, RT9818A-30PU3, SD6271, Si1472DH, TPS62208DBV, TPS62220DDC, TPS62221DDC, TPS62223DDC, TPS62224DDC.

AL SOT-89 BCX53-16Zetex (Now Diodes)PNP транзистор
AL* SOT-363 HSMS-280LAgilentОграничительные диоды Шоттки
AL* DFN-8 2×2 NCP5911MNTBGONДрайвер MOSFETа
AL* WDFN-6 1.6×1.6 RT9011-CCPQWCRichtekСтабилизатор напряжения
AL* VDFN-8 2×2 RT9011-FMPQVRichtekСтабилизатор напряжения
AL** SOT-143 MAX6314US39D1-TMaximЦепь сброса микропроцессора
AL** SOT-363 Si1472DHVishayN-канальный MOSFET
AL*** SOT-26 FP6291FeelingПовышающий пребразователь
AL*** SOT-26 SD6271ShoudingПовышающий пребразователь
AL- SOT-89 RT9161-36PXRichtekСтабилизатор напряжения
AL-** SOT-323 RT9818A-30PU3RichtekДетектор напряжения
AL-*** SOT-353 RT9193-35PU5RichtekСтабилизатор напряжения
AL-*** SOT-343 RT9198-32PYRichtekСтабилизатор напряжения
ALG SOT-23 KTC3875BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
ALL SOT-23 KTC3875BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
ALN SOT-25 TPS62220DDCTexas InstrumentsПонижающий преобразователь
ALO SOT-23 KTC3875BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
ALO SOT-25 TPS62221DDCTexas InstrumentsПонижающий преобразователь
ALQ SOT-89 2SA1900ROHMNPN транзистор
ALQ SOT-25 TPS62224DDCTexas InstrumentsПонижающий преобразователь
ALW SOT-25 TPS62208DBVTexas InstrumentsПонижающий преобразователь
ALX SOT-25 TPS62223DDCTexas InstrumentsПонижающий преобразователь
ALY SOT-23 KTC3875BL Galaxy ElectricalNPN транзистор

Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.


Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
П4АЭ, не менее 5
П4БЭ 15-40
П4ВЭ, не мене 10
П4ГЭ 15-30
П4ДЭ, не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ 20 дБ
П4БЭ 23 дБ
П4ГЭ 27 дБ
П4ДЭ 30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ 15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
П4АЭ 500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
при UКЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
П4АЭ, не более 50 мкА
при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
П4БЭ 70 В
П4ВЭ 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
П4БЭ 60 В
П4ВЭ 35 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Тк?313 К
П4АЭ 20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
при Тк=323 К
П4АЭ 15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
при Тк=343 К
П4АЭ 7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
без теплоотвода при Тк?298 К
П4АЭ 2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
Температура перехода 363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ 2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
Температура корпуса От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.


Принципиальная Схема Транзистора — tokzamer.ru

Поэтому без навыка проверки транзисторов, вам в электронику лучше не соваться.


Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

Такая схема может использоваться в качестве запоминающего устройства в компьютерах, так как схема будет хранить информацию до тех пор, пока её не отменят.
Схемы соединения каскадов (Транзистор это просто 31)

Это может быть как обычный широкополосный трансформатор, так и фильтр с различными входным и выходным сопротивлением. Иначе не будет работать схема.

Другие элементы схемы выполняют вспомогательную роль. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая р или n , базы — противоположная n или р.

Для питания транзистора в схеме с общей базой может подойти любая из рассмотренных нами схем: схема с фиксированным током базы , схема с фиксированным напряжением на базе , схема с коллекторной стабилизацией или схема с эмиттерной стабилизацией.

По ней можно узнать все параметры элемента. Он же справочный лист или техническая документация.

Схема двухкаскадного усилителя ЗЧ на транзисторах одинаковой структуры.

Как работает транзистор [Veritasium]

Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:

Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс. Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Работа транзистора при обратном включении p-n перехода Проведем очередной практический опыт и подключим базу транзистора к плюсу БП. Убедились, что по напряжению эта схема нам сигнал не увеличит.

УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя обычно светодиода заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

С развитием электроники приступили к обработке кристаллов кремния, и изобрели кремниевые приборы, практически полностью отправившие на пенсию германиевые транзисторы.

Чтож друзья, а на этом у меня все.

Поэтому плотность компоновки элементов в МОП- интегральных схемах значительно выше. То есть ток эмиттера больше тока коллектора на небольшую величину тока базы.

Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. И если последовательно со стабилитроном рис.

Схеме включения транзистора с общей базой соответствует схема усилительного каскада с общим затвором.
ЧИТАЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СХЕМЫ С ТРАНЗИСТОРОМ — 3 ЧАСТЬ

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным.

Проводимость p-n перехода существенно возрастет и через коллекторный переход начнет идти ток коллектора Iк. Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.

А рост приводит к росту напряжения на резисторе обратной связи.

Лампочка не светится, давайте разберемся почему. Добавим к нашей схеме всего одну перемычку, которой соединим эмиттер и базу, но лампочка все равно не горит. На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых.

Тот вывод, который со стрелкой — это всегда эмиттер. Полевой транзистор FR на печатной плате прибора.


А если взять и прикрыть одну любую часть транзисто, то у нас получится полупроводник с одним p-n переходом или диод. Ответ может быть да а может и нет. Нелинейность возникает из-за влияния входного напряжения на напряжение перехода эмиттер-база.

Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным. При отсутствии этого конденсатора в цепи источника входного сигнала создавался бы постоянный ток от источника питания Ек.

Ничего не напоминает? Об электропроводности последней судят по символу эмиттера направлению стрелки. Лампочка горит лишь полсекунды, гаснет, потом снова загорается, и так продолжается до тех пор, пока подключена батарея. Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы. Установим вместо перемычки сопротивление Rб номиналом — Ом, и еще один источник питания на 1,5 вольта.
Как найти неисправный транзистор в схеме? Поиск битого транзистора на плате. Ремонт платы.

Однокаскадный усилитель ЗЧ

Это может быть полезным для реализации высокочастотных усилителей. И в результате получилась вот такая формула.

Чтобы эксперимент прошёл удачно, надо отрегулировать схему, т. Элементы, представляющие собою полнофункциональные устройства или модули: микросхемы. И свершилось чудо, лампочка засветилась.

Где транзисторы купить?

Это свойство может использоваться для включения и выключения ламп в зависимости от освещённости. Теперь оголённые концы пропустите через промокательную бумагу на расстоянии примерно 1, см, другие концы присоедините к схеме согласно рис. Ну а обо всем по порядку. Конструкция корпуса а , вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры.

Характеристики транзистора, включенного по схеме об

Это объясняется следующими при чинами. Естественно, это приводит к уменьшению коэффициента усиления, поскольку на вход транзистора из-за влияния обратной связи поступит меньшее значение напряжение, чем в отсутствие обратной связи. Такого рода схемы используются в автоматических устройствах фотопечати. В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся.

В результате в кремнии образуются два p-n перехода. Температурная зависимость вольт-амперной характеристика стабилитрона Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении.

Иначе не будет работать схема. В итоге уменьшится ток эмитте ра, а значит, и ток коллектора — он достигнет первоначального значения. Установим вместо перемычки сопротивление Rб номиналом — Ом, и еще один источник питания на 1,5 вольта. Перемещение движка резистора вверх по схеме приводит к увеличению напряжения больше нормы на нем открывается транзистор VТ1.

Резисторы R1 и R2 образуют схему коллекторной стабилизации режима работы. В случае, когда напряжение к базе не приложено, происходит подтяжка базы к потенциалу земли, что избавляет нас от всяческих наводок. Напряжение на его коллекторе снизится и конденсатор С2 окажется подключенным к базе транзистора VТ2 в такой полярности, что тот закроется.
КАК РАБОТАЕТ ТРАНЗИСТОР — ОБЪЯСНЯЮ НА ПАЛЬЦАХ

2N3903 — Транзисторы общего назначения

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Заголовок (2N3903 — Транзисторы общего назначения) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > поток BroadVision, Inc.2021-08-06T13:26:57+02:002021-08-03T15:00:35+02:002021-08-06T13:26:57+02:00application/pdf

  • 2N3903 — Транзисторы общего назначения
  • онсеми
  • Особенности • Доступны пакеты без свинца
  • Акробат Дистиллер 18.0 (Windows)uuid:856cb56a-063b-4382-984b-0d35f630cea5uuid:3051ebc7-966e-46c7-bc5c-e795758d869d конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > поток HTW[-7U;Ўd~,a @$Oa 30]~ȲT*y)oSEt(P»yI%QqtS$

    Транзистор Технический паспорт

    Транзистор Технический паспорт:

    Чтобы выбрать транзистор для конкретного приложения, необходимо ознакомиться с техническими данными транзисторов, предоставленными производителями устройств.

    Большинство спецификаций начинаются с номера типа устройства в верхней части страницы, описательного названия и списка основных приложений для устройства. За этой информацией обычно следуют механические данные в виде иллюстрации, показывающей форму и размеры корпуса, а также указывающие, какие выводы являются коллектором, базой и эмиттером (см. рис. 8-1).

    Далее указаны абсолютные максимальные характеристики транзистора при температуре 25°C. Это максимальные напряжения, токи и рассеиваемая мощность, которые устройство может выдержать без поломки.Очень важно, чтобы эти рейтинги никогда не превышались; в противном случае выход устройства из строя вполне возможен. По надежности к максимальным показателям даже приближаться не стоит. Максимальные номиналы транзисторов также должны быть уменьшены для работы при температурах выше 25 °C.

    Следуя абсолютным максимальным номинальным значениям, спецификация транзистора обычно показывает полный список электрических характеристик устройства. Опять же, они указаны для температуры 25°C, и необходимы допуски на колебания температуры.

    Полное понимание всех величин, указанных в техническом описании транзистора, не будет достигнуто до тех пор, пока не будут изучены анализ схемы и конструкция. Некоторые из наиболее важных величин рассматриваются ниже. Важно отметить, что номиналы для данного транзистора указаны для конкретных условий схемы. Рейтинги перестают действовать, если эти условия меняются.

    В CBO : Напряжение коллектор-база — максимальное постоянное напряжение для перехода коллектор-база с обратным смещением.

    В CEO : Напряжение коллектор-эмиттер — максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы.

    В EBO : Напряжение эмиттер-база — максимальное постоянное напряжение обратного смещения эмиттер-база.

    I C : Ток коллектора — максимальный постоянный ток коллектора.

    I CBO или I CO : Ток отсечки коллектора — постоянный ток коллектора с обратным смещением перехода коллектор-база и разомкнутой цепью эмиттера.

    В CE(sat) : Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — напряжение коллектор-эмиттер при насыщении устройства.

    h FE : Коэффициент передачи статического прямого тока — отношение постоянного тока коллектора к току базы с общим эмиттером.

    NF : Коэффициент шума — отношение общего выходного шума к общему входному шуму, выраженное в децибелах (дБ). Определяет количество шума, добавляемого устройством.

    f hfe или f αe : Частота среза с общим эмиттером — рабочая частота с общим эмиттером, при которой коэффициент усиления по току устройства падает до 0,707 от его нормального (среднечастотного) значения.

    f hfb или f αb : Общая базовая частота среза — как указано выше, для общей базы.

    Из раздела таблицы данных 2N3903-2N3904, воспроизведенного на рис. 8-1, максимальное напряжение коллектор-эмиттер указано как V CEO = 40 В.Очевидно, что это устройство нельзя использовать ни в одной цепи с напряжением питания более 40 В; в противном случае транзистор может сломаться. Предпочтительно, чтобы напряжение питания схемы всегда было меньше указанного максимального значения V CEO .

    Максимальное напряжение V EB указано как 6 В. Это максимальное напряжение, которое может быть приложено в обратном направлении к переходу база-эмиттер транзистора. Если используется большее напряжение, переход база-эмиттер транзистора, скорее всего, выйдет из строя.Максимальное (обратное) значение V EB для большинства транзисторов составляет 5 В. В случаях, когда приложенное напряжение может превышать этот уровень, может использоваться схема ограничения. В качестве альтернативы диод может быть включен последовательно с эмиттером транзистора для увеличения напряжения пробоя, как показано на рис. 8-2. Нормальное смещенное в прямом направлении напряжение база-эмиттер для транзистора, конечно, составляет примерно 0,7 В для кремниевого транзистора и примерно 0,3 В для германиевого транзистора.

    На рис. 8-3 показаны разделы паспорта транзистора, в которых указаны коэффициент усиления по постоянному току h FE и коэффициент усиления по току малого сигнала (или переменного тока) h fe .Для устройства 2N3904 с I C = 10 мА h FE указано как минимальное значение 100 и максимальное значение 300 (см. значения, подчеркнутые сплошной линией). Если ток коллектора транзистора должен быть около 1 мА, то минимальное значение h FE равно 70 (подчеркнуто пунктиром). Максимальное значение h FE для I C = 1 мА не указано. Маловероятно, что h FE(max) превысит 300 для этого условия. Однако, поскольку производитель не указывает максимальное значение, оно остается неопределенным.Эта ситуация иллюстрирует важность надежных цепей смещения, которые делают I C и V CE в значительной степени независимыми от h FE .

    Коэффициент усиления по току слабого сигнала (h fe ) для 2N3904 указан на рис. 8-3 как минимум 100 и максимум 400. Опять же, этот параметр указывается для определенного набора условий смещения. Частота сигнала, при которой были измерены h fe , указана как 1 кГц. В разделе 8-2 обсуждается тот факт, что h fe уменьшается на высоких частотах.

    BJT Спецификации

    Номер страницы

    ID#
    Деталь №

    Описание,
    Производство,
    Веб-сайт

    Технические характеристики

    Копия

    Страницы

    Примечания к приложению

    Принципиальные схемы

    110
    TIP110/112

    TIP115/117

    Дополнительный силовой кремниевый транзистор Дарлингтона
    ST Microelectronics
    www.ул. ком

    6

    нет

    да

    да

    115
    TIP115/117

    См. TIP110/112

    Т1271

    MJE243/253

    Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор
    На полупроводнике
    www.onsemi.com

    8

    нет

    нет

    да

    243
    MJE243/253

    Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор
    Motorola
    www.motorola.com

    6

     

    нет

    нет

    да

    253
    MJE253

    См. MJE243/253

    521
    MJE521

    Пластиковый кремниевый NPN-транзистор средней мощности
    Motorola
    www.Motorola.com

    4

    нет

    нет

    да

    521
    MJE521

    Кремниевый транзистор NPN
    SGS-Thomson Microelectronics
    www.st.com

    4

    нет

    нет

    2222
    2N2222

    Высокоскоростной переключатель
    SGS-Thomson Microelectronics
    www.ул. ком

    5

    нет

    нет

    2222
    2N2222

    Переключающий транзистор NPN
    Philips Semiconductors
    www.semiconductors.philips.com

    8

    нет

    нет

    да

    2222
    2N2222

    Универсальный усилитель NPN
    Fairchild Semiconductor
    www.Fairchildsemi.com

    7

    нет

    нет

    2222
    2N2222

    Кремниевый транзистор усилителя NPN
    Motorola
    www.motorola.com

    6

    нет

    нет

    2907
    2N2907

    Универсальный усилитель и коммутатор
    SGS-Thomson Microelectronics
    www.ул. ком

    5

    нет

    нет

    2907
    2N2907

    Переключающий транзистор PNP
    Philips Semiconductors
    www.semiconductors.philips.com

    8

    нет

    нет

    да

    2907
    2N2907

    Усилитель общего назначения PNP
    Fairchild Semiconductor
    www.Fairchildsemi.com

    2

    нет

    нет

    2907
    2N2907

    Кремниевый транзистор усилителя PNP
    Motorola
    www.motorola.com

    6

    нет

    нет

    2955
    TIP2955

    Дополняющий кремниевый силовой транзистор
    Motorola
    www.Motorola.com

    4

    нет

    нет

    да

    3046
    СА3046

    Массив транзисторов NPN общего назначения
    Intersil
    www.intersil.com

    6

    нет

    нет

    да

    3055
    TIP3055

    См. TIP2955

    3904
    2N3904

    Универсальный усилитель NPN
    Fairchild Semiconductor
    www.Fairchildsemi.com

    7

    нет

    нет

    да

    3904
    2N3904

    Переключающий транзистор NPN
    Philips Semiconductors
    www.semiconductors.philips.com

    8

    нет

    нет

    3904
    2N3904

    Малосигнальный NPN-транзистор
    SGS-Thomson Microelectronics
    www.ул. ком

    5

    нет

    нет

    3904
    2N3904

    Малосигнальный биполярный транзистор (0,6 Вт) (NPN)
    ROHM
    www.rohm.com

    4

    нет

    нет

    3904
    2N3904

    Переключающий транзистор (NPN)
    KEC (Korea Electronics)
    www.keccorp.com

    4

    нет

    нет

    Т511

    3904
    Q2N3904

    Усилитель общего назначения NPN
    Fairchild Semiconductor
    www.fairchildsemi.com

    7

    нет

    нет

    да

    3906
    2N3906

    Переключающий транзистор PNP
    Philips Semiconductors
    www.www.philips.com

    8

    нет

    нет

    3906
    2N3906

    Малосигнальный PNP-транзистор
    SGS-Thomson Microelectronics
    www.st.com

    5

    нет

    нет

    3906
    2N3906

    Транзистор общего назначения PNP
    ROHM
    www.rohm.com

    4

    нет

    нет

    3906
    2N3906

    Усилитель общего назначения PNP
    Fairchild Semiconductor
    www.fairchildsemi.com

    6

    нет

    нет

    да

    3906
    2N3906

    Переключающий транзистор (PNP)
    KEC (Korea Electronics)
    www.keccorp.com

    4

    нет

    нет

    Т768

    3906
    Q2N3906

    Усилитель общего назначения PNP
    Fairchild Semiconductor
    www.fairchildsemi.com

    6

    нет

    нет

    да

    2N3904 Транзистор: Техническое описание, Эквивалент, Распиновка [Видео]

    2N3904 — это транзистор .В этом блоге рассказывается о распиновке транзистора 2N3904 , техническом описании, эквиваленте, схеме и другой информации о том, как и где использовать это устройство.

    Игра с транзисторами: эксперимент с транзистором NPN 2N3904

    Каталог

    2N3904 Модель САПР

    2N3904 Символ

    2N3904 След


    2N3904 Распиновка


    Номер контакта

    Название контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Утечка тока через эмиттер

    2

    База

    Управляет смещением транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор


    2N3904 Схема

    • Эквивалентная тестовая схема задержки и времени нарастания


    • Эквивалентная испытательная схема хранения и времени падения



    2N3904 Приложения

    • Цепи датчиков
    • Аудио предусилители
    • Каскады усилителя звука
    • Пары Дарлингтона

    2N3904 Характеристики

    • Биполярный Транзистор NPN
    • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
    • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
    • Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
    • Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
    • Доступен в пакете To-92

    2N3904 Преимущество

    2N3904 Транзистор

    2N3904 — широко используемый транзистор общего назначения .Он в основном используется студентами и любителями электроники в своих проектах, но также используется в коммерческих электронных продуктах. Его можно использовать в самых разных электронных приложениях для коммутации и усиления. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 200 мА, поэтому пользователь может управлять нагрузкой до 200 мА в своих электронных приложениях. Цели усиления радиочастотного сигнала.


    2N3904 Рабочий

    • 2N3904 имеет 3 слоя, то есть один легированный P слой, встроенный между двумя легированными N слоями.
    • Эти 3 слоя отличаются друг от друга размером и концентрацией легирования.
    • Центральный слой очень мал по размеру и имеет низкую концентрацию по сравнению с двумя другими слоями, легированными азотом.
    • Коллекторный слой
    • больше по размеру, чем два других слоя, и поэтому сильно легирован.
    • Небольшой ток на легированном P слое преобразуется в более высокий ток на двух других выводах.

    2N3904 Упаковка

     

    2N3904 Параметры

    Категория

    Дискретные полупроводниковые продукты Транзисторы — биполярные (BJT) — одинарные

    Производитель

    ОН Полупроводник

    Серия

    Пакет

    Лоток

    Статус детали

    Устарело

    Транзистор Тип

    НПН

    Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic

    300 мВ при 5 мА, 50 мА

    Ток — отсечка коллектора (макс.)

    50 нА

    Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce

    100 при 10 мА, 1 В

    Частота – переход

    300 МГц

    Рабочая температура

    -55°C ~ 150°C (ТДж)

    Тип крепления

    Сквозное отверстие

    Упаковка/кейс

    ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)

    Ток — коллектор (Ic) (макс.)

    200 мА

    Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

    40В

    Мощность — Макс.

    625 мВт

    Производитель

    ОН Полупроводник

    Категория продукта

    Биполярные транзисторы – BJT

    Способ крепления

    Сквозное отверстие

    Упаковка/кейс

    ТО-92-3

    Полярность транзистора

    НПН

    Конфигурация

    Одноместный

    Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.

    40 В

    Напряжение коллектор-база VCBO

    60 В

    Напряжение эмиттер-база VEBO

    6 В

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

    0.3 В

    Максимальный постоянный ток коллектора

    0,2 ​​А

    Pd — рассеиваемая мощность

    625 МВт

    Продукт усиления полосы пропускания ft

    270 МГц

    Минимальная рабочая температура

    — 65 С

    Максимальная рабочая температура

    + 150 С

    Высота

    5.33 мм

    Длина

    5,2 мм

    Технология

    Си

    Ширина

    4,19 мм

    Марка

    ОН Полупроводник

    Непрерывный ток коллектора

    0.2 А

    DC коллектор/базовое усиление hfe мин.

    60

    Тип продукта

    BJT — Биполярные транзисторы

    Подкатегория

    ТранзисторыBJT — Биполярные транзисторы


    2N3904 Производитель

    Компания ON Semiconductor (Nasdaq: ON) продвигает энергоэффективные инновации, помогая клиентам сократить глобальное потребление энергии.Компания предлагает комплексный портфель энергоэффективных решений для управления питанием и сигналами, логических, дискретных и индивидуальных решений, которые помогают инженерам-проектировщикам решать свои уникальные задачи проектирования в автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной, медицинской, военной/авиационно-космической и энергетической отраслях. заявки на поставку. ON Semiconductor управляет гибкой, надежной цепочкой поставок и программой обеспечения качества мирового класса, а также сетью производственных предприятий, офисов продаж и центров дизайна на ключевых рынках Северной Америки, Европы и Азиатско-Тихоокеанского региона.


    2N3904 Документы


    2N3904 Экологическая и экспортная классификации

    Атрибут

    Описание

    Статус RoHS

    Не соответствует требованиям RoHS


    2N3904 Эквиваленты

    2N2222, S8050, 2N4401, BC537, SS9013 (Конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от 2N3904 90


    2N3904 Соответствие продукции

    УШЦ

    8541210095

    КАТ

    8541210000

    CNHTS

    8541210000

    ТАРИК

    8541210000

    ECCN

    EAR99


    2N3904 Популярность по регионам



    2N3904 в качестве усилителя

    Транзисторы A действуют как усилитель при работе в активной области.Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

    Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя, относятся к

    .

    1. Усилитель с общим эмиттером

    2. Усилитель с общим коллектором

    3. Усилитель с общей базой

    Из вышеперечисленных типов тип с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам

    .

    Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB)


    2N3904 в качестве переключателя

    Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше.Как обсуждалось, транзистор будет действовать как разомкнутый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

    РБ = ВБЭ/ИБ

    Где значение VBE должно быть 5В для 2N3904 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC).Значение IB не должно превышать мА.


    Где и как использовать 2N3904

    2N3904 Транзистор

    2N3904 можно использовать в любых электронных приложениях, которые подпадают под его электрические характеристики, допустим, если вы хотите переключить нагрузку в электронном приложении, для которого требуется ток менее 200 мА, тогда этот транзистор будет работать достаточно хорошо, и вы сможете управлять различными нагрузками. с этим транзистором, например, реле, транзисторы большой мощности, светодиоды, часть электронной схемы и т. д.При использовании в качестве усилителя его можно использовать в каскадах усиления звука, в качестве усилителя для управления небольшими динамиками, в качестве предусилителя звука, а также в каскадах усиления радиочастотных приложений.


    Как безопасно долго запускать 2N3904 в цепи

    Для обеспечения хорошей и долговременной работы этого транзистора рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА, всегда использовать подходящий базовый резистор, не подавать напряжение коллектор-эмиттер более 40 В и всегда используйте или храните при температуре выше -55°С и ниже +150°С.


    Компонент Технический паспорт

    2N3904 Технический паспорт


    Часто задаваемые вопросы

    • Что такое транзистор 2N3904?

    2N3904 — это обычный биполярный переходной транзистор NPN , используемый для универсальных маломощных усилителей или переключателей. Он рассчитан на малый ток и мощность, среднее напряжение и может работать на умеренно высоких скоростях.

    • Как работает транзистор 2N3904?

    2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал. 2N3904 имеет коэффициент усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора.

    Датчики PNP выдают положительный выходной сигнал на вход промышленных систем управления, в то время как датчики NPN выдают отрицательный сигнал во включенном состоянии…. NPN , или датчики с «заземляющим» выходом, работают противоположным образом, пропуская напряжение заземления на вход, когда он включен.

    Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. Он состоит из полупроводникового материала, обычно с не менее чем тремя клеммами для подключения к внешней цепи.

    • Каков коэффициент усиления транзистора?

    Коэффициент усиления по току для конфигурации с общей базой определяется как отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при постоянном напряжении между базой и коллектором.Типичное усиление тока с общей базой в хорошо спроектированном биполярном транзисторе очень близко к единице.

    2N3904 Схема контактов транзистора, аналог, характеристики и спецификация

    2N3904 Конфигурация контактов

    Номер контакта

    Название контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Утечка тока через эмиттер

    2

    База

    Управляет смещением транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор

     

    Особенности
    • Биполярный транзистор NPN
    • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
    • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
    • Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
    • Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
    • Доступен в пакете To-92

     

    Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании 2N3904, приведенном в конце этой страницы.

     

    2N3904 Эквивалентные транзисторы NPN:

    БК549, БК636, БК639, 2Н2222 ТО-92, 2Н2222 ТО-18, 2Н2369, 2Н3055, 2Н3906, 2СК5200

     

    Краткое описание на 2N3904:

    2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.2N3904 имеет коэффициент усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 5 мА.

    Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать ток до 200 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно.Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 600 мВ.

     

    2N3904 в качестве переключателя:

    Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как открытый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод.Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

    РБ = ВБЕ/ИБ 

    Где значение VBE должно быть 5В для 2N3904 и ток базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

     

    2N3904 в качестве усилителя:

    Транзисторы действуют как усилитель при работе в активной области .Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

    Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

    1. Усилитель с общим эмиттером
    2. Усилитель с общим коллектором
    3. Усилитель с общей базой

     

    Из вышеперечисленных типов конфигурация с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам

    .
    Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB) 

     

    приложений:

    • Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т. д…
    • Усилительные модули, такие как аудиоусилители, усилители сигналов и т. д.
    • VCB и VBE имеют высокое значение, поэтому могут использоваться для управления нагрузками до 40 В
    • Обычно используется в телевизорах и других бытовых приборах

     

    2D-модель и размеры

    Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных транзистора 2N3904 будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

    all%20transistor техпаспорт и примечания по применению

    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat=f (lc) (TA=25°C) Рисунок 20. Транзистор


    OCR-сканирование
    PDF SFH601 СФХ601-2, СФХ601-3 СФХ601-4 E52744 SFH601
    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: ) Рисунок 20.СФХ600 5-212


    OCR-сканирование
    PDF SFH600 СФХ600-0, СФХ600-1, СФХ600-2 СФХ600-3 E52744 SFH600 лк тире 2 б-5
    Корпуса для поверхностного монтажа

    Резюме: 128-208L 8л smd SY69952 MQUAD 44L-84L 8L-10L 20L-28L 8L-16L MIC5400
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF О-220 О-247 44Л-84Л 128-208л О-263 32L8L ЦОТ-23 8л-28л 16л-28л 150X150 SMD-пакеты 128-208л 8л смд SY69952 МКВАД 44Л-84Л 8л-10л 20л-28л 8л-16л MIC5400
    2010 — 44Л-84Л

    Резюме: 20L-28L LGA 16L SOT23 2A6
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 18-6731ТО KS8721SL KS8001SL MLF88Q-64LD, МЛФ2025 022709PM09 44Л-84Л 20л-28л ЛГА 16L СОТ23 2А6
    5SBA20

    Реферат: B2950 ZENER b29 BRF20100C BZY97C11 BRF20100CT BC337 BRF1060 BZ4627 B10100
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 5КА43А 5КЭ440КА 1Н746 1Н759 1Н957 1Н979 ЗТК33С Z4KE100 ЗГЛ41 ЗГЛ41-200А 5СБА20 B2950 ЗЕНЕР b29 БРФ20100С БЗИ97К11 BRF20100CT до н.э.337 БРФ1060 БЗ4627 B10100
    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ДО-35
    2007 — Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF МИЛ-ДТЛ-5015 MIL-STD-1651 МИЛ-СТД-1651.
    ПЭИ-G20

    Реферат: TP-FR-G15 PEI-G30 TP-IGFR-G30 PCG10 TP-FR-G30
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF E113219 ППХ-G30 PPX-FRG10 PPX-FRG20 PPX-FRG30 ПЭИ-G20 ТП-FR-G15 ПЭИ-G30 ТП-ИГФР-G30 ПКГ10 ТП-FR-G30
    qml-38535

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF МИЛ-ПРФ-38535 SIAC251ERQMLV qml-38535
    стабилитрон 4744

    Аннотация: стабилитрон 4742 стабилитрон 4733 4735 стабилитрон ALL4731 стабилитрон 4734 стабилитрон 4744 стабилитрон B10 ALL4728 ALL4730
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 073713S 474ALL стабилитрона 4744 стабилитрон 4742 стабилитрон 4733 4735 стабилитрон ALL4731 Стабилитрон 4734 стабилитрон 4744 Стабилитрон Б10 ALL4728 ALL4730
    1997 — скотчлок UR2

    Аннотация: E-9C
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF
    qml-38535

    Аннотация: 54AC646
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF
    БАЗОВАЯ ПОС Bluetooth

    Резюме: кард-ридер Samsung MPTA HDD, приложение BCM5751MKFBG SDM-2000 Ricoh R5C843
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF
    ЕМЕ-6300

    Резюме: eme6600cs EME6600 EME6300 G700 eme-6600cs JESD22-A113 EME-7351 MP-8000 mp8000
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF О-263 СК-70 MIC2529 MIC2527 SY69952 MIC5400 EME6300 150X150 ЭМЕ-6300 eme6600cs EME6600 EME6300 G700 eme-6600cs ДЖЭСД22-А113 ЕМЕ-7351 МП-8000 MP8000
    qml-38535

    Резюме: 54ACTQ374 GDFP2-F20
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 003S7М qml-38535 54ACTQ374 GDFP2-F20
    СОТ23 2А6

    Резюме: 44L-84L 20L-28L MLF33
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF FTMLF1010 ХМЛФ3035, HMLF2520 HMLF46T 14Л48Л 8-28л ТМЛФ8585, О-252 О-263 ЦОТ-23 СОТ23 2А6 44Л-84Л 20л-28л МЛФ33
    стабилитрон В 5232

    Реферат: стабилитрон в диоде 5229 b AMERICAN POWER DEVICES fenwal LL34 5252
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF
    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF
    1999 — XCV100 TQ144

    Аннотация: диод ds003 t25 4 L9 TQ144 CS144 XCV800 XCV600 XCV50 XCV400 DS0034
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ДС003-4 БГ352 XCV400 ТК144 ДС003-1, ДС003-2, ДС003-3, ДС003-4, XCV100 TQ144 дс003 диод т25 4 L9 CS144 XCV800 XCV600 XCV50 DS0034
    2002 — LP-UNEQ

    Резюме: JT-G707 AU-AIS UNI-9953 PM5390 PM5347 PM5346 PM5345 pm5350 JESD22 A113
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF PM5390 S/UNI-9953 ПМС-2020349 PM5342 СПЕКТРА-155 PM5343 LP-UNEQ JT-G707 АС-АИС UNI-9953 PM5347 PM5346 PM5345 pm5350 JESD22 A113
    2001 — НАН Я ПЛАСТИКС 6410G5

    Аннотация: 6410g5 1402G 6410G3 QMFZ2.E130155 3210G6 НАН Я ПЛАСТИКИ 1403g6 6210G3 6401G6 2210G6
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF E130155 E130155 НАН Я ПЛАСТИКС 6410G5 6410g5 1402G 6410G3 QMFZ2.E130155 3210G6 НАН Я ПЛАСТИКС 1403г6 6210G3 6401G6 2210G6
    А953

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF DWE100CMD0 DWE400CMD0 DWE800CMD0 DWE800CMD0 А10/НЗ А953
    2001 — MP5600

    Резюме: сервер переднего плана POWERSOFT MP5800 sas 37 C2001 Seagate 500Gb Seagate 68 UAP 100MHZ
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF HiRDBISO9001 51Майкрософт MP5600 ПОВЕРХСОФТ MP5800 сас 37 интерфейсный сервер C2001 сигейт 500гб сигейт 68 уап 100 МГц
    2000 — л0007

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF L0007-02 КС5805, КС5805Т, КС53805, КС532805, КС5806, КС5806Т, КС52806Т, QS53806 QS5806T л0007

    2n3906 PNP Биполярный переходной транзистор — Спецификация и распиновка

    2n3906 — транзистор PNP.Это означает, что эмиттер и коллектор закрыты, когда базовый штифт удерживается на земле, и остаются открытыми, когда сигнал подается на базовый штырь. Эта функция отличает PNP-транзисторы от NPN-транзисторов.

    2n3906 имеет значение усиления от 110 до 300. Это усиление используется для определения мощности, которую транзистор должен усиливать. Вы не можете собирать нагрузки, превышающие 200 мА, с помощью транзистора, потому что максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА.

    Если вы ищете PNP-транзистор, который может коммутировать высоковольтные нагрузки 0,2 А, это именно тот транзистор, который вам нужен.

    2n3906 техпаспорт

    Согласно спецификации, некоторые из основных характеристик транзистора:

    • Доступно в упаковке до-92
    • Максимальный базовый ток базового базового базового тока 5 мА.
    • Базовое напряжение 40 В
    • Биполярное PNP транзистор
    • Bipolar PNP Транзистор
    • Максимальное усиление тока постоянного тока 300HFE
    • Тек непрерывного коллектора 200 мА
    • Базовое напряжение 5V
    • Напряжение коллектор-эмиттер 40 В

    Ниже приведены ключевые области применения транзистора:

    • Может использоваться в паре Дарлингтона
    • Используется для изготовления ламповых мигалок, двойных светодиодов или сирены
    • Используется в схемах преобразователя и инвертора
    • Используется в различных коммутационных устройствах
    • Лучше всего подходит для нагрузок с пиковым напряжением до 40 В
    • Используется для переключения высоковольтных слаботочных нагрузок

    Распиновка 2n3906

    PNP-транзистор 2n3906 имеет три контакта.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.