Эмиттер и коллектор это: Эта страница ещё не существует

Содержание

Где у транзистора база коллектор эмиттер

Для опыта мы возьмем простой и всеми нами любимый транзистор КТБ:. Соберем знакомую вам схемку:. Для чего я поставил перед базой резистор, читаем здесь. На Bat1 выставляю напряжение в 2,5 вольта. Если подавать более 2,5 Вольт, то лампочка уже ярче гореть не будет. Скажем так, это граница, после которой дальнейшее повышение напряжение на базе не играет никакой роли на силу тока в нагрузке.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Усиление с помощью p-n-p транзистора

Биполярный транзистор.


Показания низкого сопротивления с черным отрицательным — выводом на базе соответствует N-типу материала в базе PNP транзистора. Эмиттер P-типа соответствует другому концу стрелки перехода база-эмиттер. Коллектор очень похож на эмиттер и так же является материалом P-типа PN-перехода. Здесь я предполагаю использовать мультиметр с единственной функцией измерения сопротивление для проверки PN-переходов. Некоторые мультиметры оснащены двумя отдельными функциями измерения: сопротивление и «проверка диода», каждая служит своей цели.

Разумеется, показания мультиметра будут совершенно противоположными для NPN транзистора, причем оба PN-перехода будут направлены в противоположную сторону. Эта разница прямых напряжений обусловлена несоответствием концентрации легирования между областями эмиттера и коллектора: эмиттер представляет собой кусок полупроводникового материала, гораздо более легированный, чем коллектор, в результате чего его переход с базой создает более высокое прямое падение напряжения.

Зная это, становится возможным определение назначение выводов на немаркированном транзисторе. Это важно, потому что корпуса, к сожалению, не стандартизированы. Разумеется, все биполярные транзисторы имеют три вывода, но расположение этих трех выводов на реальном физическом корпусе не имеет универсального стандартизированного порядка.

Измерения между парами выводов и запись значений, отображаемых мультиметром, дают ему следующие данные. Единственными комбинациями тестовых измерений, дающих на мультиметре показания, говорящие о проводимости, являются выводы 1 и 3 красный щуп на выводе 1, черный щуп на выводе 3 и выводы 2 и 3 красный щуп на выводе 2, черный щуп на выводе 3. Эти два показания должны указывать на прямое смещения перехода эмиттер-база 0, вольт и перехода коллектор-база 0, вольт.

Теперь мы ищем один провод, общий для обоих показаний проводимости. Это должен быть вывод базы транзистора, поскольку база единственным слоем трехслойного устройства, общего для обоих PN-переходов база-эмиттер и база-коллектор.

В этом примере это провод номер 3, являющийся общим для комбинаций тестовых измерений и Таким образом, это PNP-транзистор с базой на выводе 3, эмиттером на выводе 1 и коллектором на выводе 2, как показано на рисунке ниже. Это довольно частый случай, и, как правило, это часто путает новых студентов.

Единственный способ определить назначение выводов — это проверка мультиметром или чтение технического описания на конкретную модель транзистора. Это также полезно для быстрой проверки работоспособности транзистора. Если техник измерит проводимость между тремя выводами в разных комбинациях, он или она сразу узнает, что транзистор неисправен или что это не биполярный транзистор, а что-то еще — отличная возможность, если на детали нет маркировки для точной идентификации!

Чтобы лучше проиллюстрировать этот парадокс, рассмотрим одну из схем транзисторных ключей, используя для представления транзистора физическую схему как показано на рисунке ниже , а не условное обозначение. Так легче будет видеть два PN-перехода. Диагональная стрелка серого цвета показывает направление потока электронов через переход эмиттер-база. Эта часть имеет смысл, так как электроны протекают от эмиттера N-типа к базе P-типа, очевидно прямое смещение перехода. Однако с переходом база-коллектор совсем другое дело.

Обратите внимание, как толстая стрелка серого цвета указывает в направлении потока электронов вверх от базы к коллектору. С базой из материала P-типа и коллектором из материала N-типа, это направление потока электронов явно указывает на направление, противоположное тому, с каким ассоциируется PN-переход!

Однако открытый насыщенный транзистор демонстрирует очень малое противодействие электронам на всем пути от эмиттера к коллектору, о чем свидетельствует свечение лампы! Когда я впервые узнал о работе транзистора, я попытался построить свой собственный транзистор из двух диодов, включенных в противоположных направлениях, как показано на рисунке ниже.

Моя схема не работала, и я был озадачен. То, что происходит в транзисторе, заключается в следующем: обратное смещение перехода база-коллектор предотвращает протекание тока коллектора, когда транзистор находится в режиме отсечки закрыт, то есть при отсутствии тока базы.

Это поведение зависит от квантовой физики полупроводниковых переходов и может иметь место только тогда, когда два перехода расположены правильно, и концентрации легирования этих трех слоев распределены правильно. То, что концентрации легирования играют решающую роль в особых способностях транзистора, еще раз подтверждается тем фактом, что коллектор и эмиттер не являются взаимозаменяемыми.

Если транзистор просто рассматривается как два противоположно направленных PN-перехода или просто как N-P-N или P-N-P сэндвич материалов, может показаться, что любой конец этого сэндвича может служить в качестве коллектора или эмиттера.

Это, однако, неверно. Несмотря на то, что эти оба слоя эмиттер и коллектор биполярного транзистора имеют один и тот же тип легирования либо N, либо P , коллектор и эмиттер определенно не одинаковы! Ток через переход эмиттер-база позволяет протекать току через обратно смещенный переход база-коллектор.

Более конкретно, любая заданная величина тока от эмиттера к базе допускает протекание ограниченной величины тока от базы к коллектору. На каждый электрон, который проходит через переход эмиттер-база и через вывод базы, через переход база-коллектор проходит определенное количество электронов и не более. На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus.

Радиоэлектроника Схемотехника Основы электроники и схемотехники Том 3 — Полупроводниковые приборы. Введение в биполярные транзисторы BJT Биполярный транзистор как ключ БТ, BJT Проверка биполярного транзистора мультиметром Активный режим работы биполярного транзистора Усилительный каскад с общим эмиттером Усилительный каскад с общим коллектором Усилительный каскад с общей базой Каскодный усилитель Методы смещения биполярные транзисторы Расчет смещения биполярные транзисторы Подключение входа и выхода биполярные транзисторы Обратная связь биполярные транзисторы Входное и выходное сопротивления усилителя БТ, BJT Токовые зеркала биполярные транзисторы Параметры и корпуса биполярных транзисторов Особенности биполярных транзисторов.

Сообщить об ошибке. Ваше имя. Ваш email для ответа.


Определение цоколевки и типа транзистора

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление. Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи.

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение.

3. ТРАНЗИСТОРЫ

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой. Как проверить транзистор. Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор , то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Транзистор

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры Квадрокоптер летит токо в верх модель YH 1 ставка. Не взлетает квадрокоптер 1 ставка. Перестал работать Mi band 4 1 ставка.

Приветствую вас дорогие друзья!

Проверка биполярного транзистора мультиметром

В первую очередь, нужно определить вывод базы. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр. Затем касаемся плюсовым среднего вывода, а минусовым левого и правого. Продолжаем менять местами щупы до тех пор пока не найдем такое положение щупов, при котором касаясь щупом одного из выводов, а другим двух остальных, мультиметр будет показывать некоторое сопротивление. Например на фотографии видно, что касаясь плюсовым щупом среднего вывода, а минусовым левого и правого, мультиметр показывает сопротивление переходов. Теперь анализируя значение сопротивлений переходов нетрудно определить где у транзистора находится эмиттер.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в году тремя учёными — Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли. Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике. Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Эмиттер P-типа соответствует другому концу стрелки перехода база- эмиттер. Коллектор очень похож на эмиттер и так же является.

Как определить выводы транзистора, цоколевка

Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур. Определение «биполярный» указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов — электроны и дырки. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.

Как определить выводы транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная.

Как определить выводы транзистора мультиметром.

Немного о транзисторах…

О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. Биполярные транзисторы: устройство, принцип и режимы работы, схема включения, применение, основные параметры Основной функцией биполярного транзистора БТ является увеличение мощности входного электрического сигнала. Эти полупроводниковые радиокомпоненты появились, как альтернатива электровакуумных триодов, и со временем практически вытеснили их из отрасли. Справедливости ради заметим, что лампы применяются и до сих пор, но в очень и очень узком сегменте аппаратуры специального назначения. Ключевое преимущество этих элементов состоит в миниатюрности.

Полупроводниковые транзисторы делятся на биполярные и полевые. Первые гораздо более распространены в электронике. Поэтому начнем разбираться с работой биполярного транзистора именно с него.


Помогите решить / разобраться (Ф)

Здравствуйте. Хочу разобраться до конца, как же все-таки работают биполярные транзисторы. В общих чертах понятно, но есть отдельные моменты, которые хотелось бы прояснить. А именно:

Возьмем, например, биполярный транзистор структуры n-p-n, подадим на переход база-эмиттер прямое смещение, а на переход база-коллектор обратное, т.е. введем транзистор в нормальный активный режим работы. Понятно, что в таком случае электроны из сильно легированного эмиттера пойдут в базу. База обладает очень малой толщиной, не помню как в точности-сопоставима с размерами электрона, если не ошибаюсь, плюс в ней содержится сравнительно небольшое количество дырок, по отношению к количеству электронов, «летящих» из эмиттера, поэтому лишь небольшое число электронов и дырок рекомбинирует, а остальные попадают в коллектор.

И вот тут у меня возникает вопрос-они туда попадают благодаря тому, что толщина базы очень мала? Т.е. грубо говоря, электрон, влетая в базу, двигаясь благодаря действию электрического поля, весь в эту базу не помещается, несмотря на свой крошечный размер, и автоматически оказывается в коллекторе ? Или его как бы «втягивает» более сильное(по сравнению с полем, действующим в базе) электрическое поле коллектора, которое, благодаря своей направленности, «заставляет электроны лететь к плюсу» ? Вот эти моменты не совсем ясны мне. Если кто знает-пролейте свет на них, пожалуйста, только не текстами из учебника, а своими словами, чтобы понятно было.

Еще вопрос-для работы биполярного транзистора всегда требуется два ОТДЕЛЬНЫХ источника питания? Нельзя использовать, скажем, один источник и, подав, например, с него напряжение на эмиттер-коллектор, от него же запитать, например, через потенциометр базу? Тут тоже запутался в рассуждениях-с одной стороны, ток коллектора управляется током базы, и для нормальной работы транзистора нам требуется, чтобы напряжение, поданное на базу, было меньше, чем между эмиттером и коллектором, поскольку нужно, чтобы электрическое поле коллектора было более сильным, чем в базе и втягивало электроны, с другой стороны-база и так сама по себе очень мала, сравнима с размерами элементарных частиц, а силу электрического поля можем померить, как напряжение, разделенное на длину, к которой оно приложено, то получается что электрическое поле в базе и так не будет сопоставимо с коллекторным. Ну, подам я, например, одинаковую напругу на коллектор-эмиттер и эмиттер-база, что тогда? Где ошибка?

Далее, насколько я понимаю, коллектор обычно делают больше, чем эмиттер. Это связано с тем, чтобы он мог вмещать в себя как свои собственные электроны, которые он приобретает благодаря легированию, так и электроны, поступающие из эмиттера? Плюс, вероятно, из-за намного более высокого тока, чтобы мог выдержать нагрев? Т.е. если, скажем, сделать коллектор равный по размеру эмиттеру-какие последствия будут?

Ну и хотелось бы понять, какие все-таки отличия будут у выше сказанного для транзисторов структуры p-n-p. Хотя в различных руководствах предпочитают коротко сказать, мол, «все тоже самое, только наоборот», но вызывает это определенные сомнения. Объясню, какая причина-дело в том, что если электрон, скажем так, движется сам, то движение дырок возможно лишь потому, что им «вакантное место» освобождает электрон. Поэтому, если не ошибаюсь, транзисторы типа p-n-p обладают меньшим быстродействием, по сравнению с n-p-n. Если я не прав, поправьте, пожалуйста.

Транзисторные конфигурации — CoderLessons.com

Любой транзистор имеет три клеммы: эмиттер , базу и коллектор . Используя эти 3 клеммы, транзистор может быть подключен в цепи с одной клеммой, общей для обоих входов и выходов в трех различных возможных конфигурациях.

Три типа конфигураций — это конфигурации Common Base, Common Emitter и Common Collector . В каждой конфигурации эмиттерный контакт смещен в прямом направлении, а коллекторный контакт — в обратном направлении.

Общая база (CB) Конфигурация

Само название подразумевает, что базовая клемма используется как общая клемма для входа и выхода транзистора. Общее базовое соединение для транзисторов NPN и PNP показано на следующем рисунке.

Для понимания рассмотрим NPN-транзистор в CB-конфигурации. Когда на эмиттер подается напряжение, поскольку оно смещено в прямом направлении, электроны от отрицательного вывода отталкивают электроны эмиттера, и ток течет через эмиттер и основание к коллектору, чтобы внести ток коллектора. Напряжение коллектора V CB поддерживается постоянным на протяжении всего этого.

В конфигурации CB входной ток — это ток эмиттера I E, а выходной ток — ток коллектора I C.

Коэффициент усиления тока (α)

Отношение изменения тока коллектора (ΔI C ) к изменению тока эмиттера (ΔI E ), когда напряжение коллектора V CB поддерживается постоянным, называется коэффициентом усиления тока . Обозначается через α .

$ \ alpha = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E} $ при постоянной V CB

Выражение для тока коллектора

Используя приведенную выше идею, давайте попробуем нарисовать некоторое выражение для тока коллектора.

Наряду с протекающим током эмиттера существует некоторая величина базового тока I B, который протекает через базовый вывод из-за рекомбинации электронных дырок. Поскольку соединение коллектор-база имеет обратное смещение, существует другой ток, который протекает из-за неосновных носителей заряда. Это ток утечки, который можно понимать как утечка . Это связано с меньшим количеством носителей заряда и, следовательно, очень мало.

Ток эмиттера, который достигает коллектора, равен

$$ \ alpha I_E $$

Общий ток коллектора

$$ I_C = \ alpha I_E + I_ {утечка} $$

Если напряжение на базе эмиттера V EB = 0, то даже тогда протекает небольшой ток утечки, который можно назвать I CBO (ток на базе коллектора с открытым выходом).

Следовательно, ток коллектора может быть выражен как

$$ I_C = \ alpha I_E + I_ {CBO} $$

$$ I_E = I_C + I_B $$

$$ I_C = \ alpha (I_C + I_B) + I_ {CBO} $$

$$ I_C (1 — \ alpha) = \ alpha I_B + I_ {CBO} $$

$$ I_C = \ frac {\ alpha} {1 — \ alpha} I_B + \ frac {I_ {CBO}} {1 — \ alpha} $$

$$ I_C = \ left (\ frac {\ alpha} {1 — \ alpha} \ right) I_B + \ left (\ frac {1} {1 — \ alpha} \ right) I_ {CBO} $$

Следовательно, полученное выше выражение является выражением для тока коллектора. Значение тока коллектора зависит от тока базы и тока утечки, а также от коэффициента усиления тока используемого транзистора.

Характеристики конфигурации CB

  • Эта конфигурация обеспечивает усиление напряжения, но не дает усиления по току.

  • При постоянном значении V CB при небольшом увеличении напряжения на базе эмиттера V EB ток эмиттера I E увеличивается.

  • Ток эмиттера I E не зависит от напряжения коллектора V CB .

  • Напряжение коллектора V CB может влиять на ток коллектора I C только при низких напряжениях, когда V EB поддерживается постоянным.

  • Входное сопротивление R i представляет собой отношение изменения базового напряжения эмиттера (ΔV EB ) к изменению тока эмиттера (ΔI E ) при постоянном базовом напряжении коллектора V CB .

Эта конфигурация обеспечивает усиление напряжения, но не дает усиления по току.

При постоянном значении V CB при небольшом увеличении напряжения на базе эмиттера V EB ток эмиттера I E увеличивается.

Ток эмиттера I E не зависит от напряжения коллектора V CB .

Напряжение коллектора V CB может влиять на ток коллектора I C только при низких напряжениях, когда V EB поддерживается постоянным.

Входное сопротивление R i представляет собой отношение изменения базового напряжения эмиттера (ΔV EB ) к изменению тока эмиттера (ΔI E ) при постоянном базовом напряжении коллектора V CB .

$ R_i = \ frac {\ Delta V_ {EB}} {\ Delta I_E} $ при постоянной V CB

  • Поскольку входное сопротивление имеет очень низкое значение, достаточно небольшого значения V EB , чтобы создать большой ток тока эмиттерного тока I E.

  • Выходное сопротивление R o представляет собой отношение изменения базового напряжения коллектора (ΔV CB ) к изменению тока коллектора (ΔI C ) при постоянном токе эмиттера IE.

Поскольку входное сопротивление имеет очень низкое значение, достаточно небольшого значения V EB , чтобы создать большой ток тока эмиттерного тока I E.

Выходное сопротивление R o представляет собой отношение изменения базового напряжения коллектора (ΔV CB ) к изменению тока коллектора (ΔI C ) при постоянном токе эмиттера IE.

$ R_o = \ frac {\ Delta V_ {CB}} {\ Delta I_C} $ при постоянной I E

  • Поскольку выходное сопротивление имеет очень высокое значение, большое изменение V CB приводит к очень небольшому изменению тока коллектора I C.

  • Эта конфигурация обеспечивает хорошую стабильность против повышения температуры.

  • Конфигурация CB используется для высокочастотных применений.

Поскольку выходное сопротивление имеет очень высокое значение, большое изменение V CB приводит к очень небольшому изменению тока коллектора I C.

Эта конфигурация обеспечивает хорошую стабильность против повышения температуры.

Конфигурация CB используется для высокочастотных применений.

Конфигурация с общим эмиттером (CE)

Само название подразумевает, что клемма эмиттера используется как общая клемма для входа и выхода транзистора. Общее подключение эмиттера для транзисторов NPN и PNP показано на следующем рисунке.

Как и в конфигурации CB, эмиттерный контакт смещен в прямом направлении, а коллекторный контакт — в обратном направлении. Поток электронов контролируется таким же образом. Входной ток — это базовый ток I B, а выходной ток — ток коллектора I C здесь.

Базовый коэффициент усиления тока (β)

Отношение изменения тока коллектора (ΔI C ) к изменению базового тока (ΔI B ) известно как коэффициент усиления базового тока . Обозначается через β.

$$ \ beta = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_B} $$

Связь между β и α

Попробуем вывести соотношение между коэффициентом усиления базового тока и коэффициентом усиления тока эмиттера.

$$ \ beta = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_B} $$

$$ \ alpha = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E} $$

$$ I_E = I_B + I_C $$

$$ \ Delta I_E = \ Delta I_B + \ Delta I_C $$

$$ \ Delta I_B = \ Delta I_E — \ Delta I_C $$

Мы можем написать

$$ \ beta = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E — \ Delta I_C} $$

Деление на ΔI E

$$ \ beta = \ frac {\ Delta I_C / \ Delta I_E} {\ frac {\ Delta I_E} {\ Delta I_E} — \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E}} $$

У нас есть

$$ \ alpha = \ Delta I_C / \ Delta I_E $$

Следовательно,

$$ \ beta = \ frac {\ alpha} {1 — \ alpha} $$

Из приведенного выше уравнения очевидно, что при приближении α к 1, β достигает бесконечности.

Следовательно, коэффициент усиления по току в соединении с общим эмиттером очень высок . По этой причине это схемное соединение в основном используется во всех транзисторных приложениях.

Выражение для тока коллектора

В конфигурации с общим эмиттером I B — входной ток, а I C — выходной ток.

Мы знаем

$$ I_E = I_B + I_C $$

А также

$$ I_C = \ alpha I_E + I_ {CBO} $$

$$ = \ alpha (I_B + I_C) + I_ {CBO} $$

$$ I_C (1 — \ alpha) = \ alpha I_B + I_ {CBO} $$

$$ I_C = \ frac {\ alpha} {1 — \ alpha} I_B + \ frac {1} {1 — \ alpha} I_ {CBO} $$

Если базовая цепь разомкнута, т.е. если I B = 0,

Коллектор эмиттер тока с открытой базой генерального директора

$$ I_ {CEO} = \ frac {1} {1 — \ alpha} I_ {CBO} $$

Подставляя значение этого в предыдущее уравнение, получим

$$ I_C = \ frac {\ alpha} {1 — \ alpha} I_B + I_ {CEO} $$

$$ I_C = \ beta I_B + I_ {CEO} $$

Отсюда получается уравнение для тока коллектора.

Колено Напряжение

В конфигурации CE, поддерживая постоянный ток I B базы, если V CE изменяется, I C увеличивается почти до 1 В от V CE и остается постоянным после этого. Это значение V CE, до которого ток коллектора I C изменяется с V CE , называется напряжением на колене . Транзисторы, работая в конфигурации CE, работают с напряжением выше колена.

Характеристики конфигурации CE

  • Эта конфигурация обеспечивает хорошее усиление тока и напряжения.

  • Сохраняя V CE постоянным, при небольшом увеличении V BE базовый ток I B увеличивается быстрее, чем в конфигурациях CB.

  • Для любого значения V CE выше напряжения колена I C приблизительно равно βI B.

  • Входное сопротивление R i представляет собой отношение изменения базового напряжения эмиттера (ΔV BE ) к изменению базового тока (ΔI B ) при постоянном напряжении эмиттера коллектора V CE .

Эта конфигурация обеспечивает хорошее усиление тока и напряжения.

Сохраняя V CE постоянным, при небольшом увеличении V BE базовый ток I B увеличивается быстрее, чем в конфигурациях CB.

Для любого значения V CE выше напряжения колена I C приблизительно равно βI B.

Входное сопротивление R i представляет собой отношение изменения базового напряжения эмиттера (ΔV BE ) к изменению базового тока (ΔI B ) при постоянном напряжении эмиттера коллектора V CE .

$ R_i = \ frac {\ Delta V_ {BE}} {\ Delta I_B} $ при постоянной V CE

  • Поскольку входное сопротивление имеет очень низкое значение, достаточно небольшого значения V BE , чтобы создать большой ток базового тока I B.

  • Выходное сопротивление R o представляет собой отношение изменения напряжения эмиттера коллектора (ΔV CE ) к изменению тока коллектора (ΔI C ) при постоянной I B.

Поскольку входное сопротивление имеет очень низкое значение, достаточно небольшого значения V BE , чтобы создать большой ток базового тока I B.

Выходное сопротивление R o представляет собой отношение изменения напряжения эмиттера коллектора (ΔV CE ) к изменению тока коллектора (ΔI C ) при постоянной I B.

$ R_o = \ frac {\ Delta V_ {CE}} {\ Delta I_C} $ при постоянной I B

  • Поскольку выходное сопротивление цепи CE меньше, чем сопротивление цепи CB.

  • Эта конфигурация обычно используется для методов стабилизации смещения и применения звуковых частот.

Поскольку выходное сопротивление цепи CE меньше, чем сопротивление цепи CB.

Эта конфигурация обычно используется для методов стабилизации смещения и применения звуковых частот.

Конфигурация Common Collector (CC)

Само название подразумевает, что клемма коллектора используется как общая клемма для входа и выхода транзистора. Подключение общего коллектора для транзисторов NPN и PNP показано на следующем рисунке.

Как и в конфигурациях CB и CE, эмиттерный контакт смещен в прямом направлении, а коллекторный контакт — в обратном направлении. Поток электронов контролируется таким же образом. Входной ток — это базовый ток I B, а выходной ток — это ток эмиттера I E.

Коэффициент усиления тока (γ)

Отношение изменения тока эмиттера (I E ) к изменению базового тока (I B ) известно как коэффициент усиления тока в конфигурации с общим коллектором (CC). Обозначается через γ.

$$ \ gamma = \ frac {\ Delta I_E} {\ Delta I_B} $$

  • Коэффициент усиления по току в конфигурации CC такой же, как в конфигурации CE.
  • Коэффициент усиления по напряжению в конфигурации CC всегда меньше 1.

Связь между γ и α

Попробуем нарисовать некоторую связь между γ и α

$$ \ gamma = \ frac {\ Delta I_E} {\ Delta I_B} $$

$$ \ alpha = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E} $$

$$ I_E = I_B + I_C $$

$$ \ Delta I_E = \ Delta I_B + \ Delta I_C $$

$$ \ Delta I_B = \ Delta I_E — \ Delta I_C $$

Подставляя значение I B , получаем

$$ \ gamma = \ frac {\ Delta I_E} {\ Delta I_E — \ Delta I_C} $$

Деление на ΔI E

$$ \ gamma = \ frac {\ Delta I_E / \ Delta I_E} {\ frac {\ Delta I_E} {\ Delta I_E} — \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_E}} $$

$$ = \ frac {1} {1 — \ alpha} $$

$$ \ gamma = \ frac {1} {1 — \ alpha} $$

Выражение для тока коллектора

Мы знаем

$$ I_C = \ alpha I_E + I_ {CBO} $$

$$ I_E = I_B + I_C = I_B + (\ alpha I_E + I_ {CBO}) $$

$$ I_E (1 — \ alpha) = I_B + I_ {CBO} $$

$$ I_E = \ frac {I_B} {1 — \ alpha} + \ frac {I_ {CBO}} {1 — \ alpha} $$

$$ I_C \ cong I_E = (\ beta + 1) I_B + (\ beta + 1) I_ {CBO} $$

Выше приведено выражение для тока коллектора.

Эта конфигурация обеспечивает усиление по току, но без усиления по напряжению.

В конфигурации CC входное сопротивление высокое, а выходное сопротивление низкое.

Усиление напряжения, обеспечиваемое этой схемой, составляет менее 1.

Сумма тока коллектора и тока базы равна току эмиттера.

Входные и выходные сигналы находятся в фазе.

Эта конфигурация работает как выход неинвертирующего усилителя.

Эта схема в основном используется для согласования импедансов. Это означает, что необходимо управлять нагрузкой с низким импедансом от источника с высоким импедансом.

BIPOLYaRNYE_TRANZISTORY

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  1. Общие сведения, конструкция биполярных транзисторов.

  2. Принцип работы и схемы включения транзисторов.

  3. Статические характеристики транзистора.

  4. Динамический режим работы транзистора.

Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности.

Устройство биполярных транзисторов

Схематическое устройство плоскостного биполярного транзистора с двумя p-n переходами показано на рисунке. Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда обладают проводимостью одинакового типа, противоположного средней области.

Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов — аналогичны. Средняя область транзистора называется базой. Одна крайняя область называется эмиттером, другая – коллектором. Из рисунка видно, что в транзисторе имеется два pn перехода:

эмиттерный – между эмиттером и базой, коллекторный – между базой и коллектором.

Расстояние между ними очень мало – порядка несколько микрометров. Следовательно, область базы представляет собой очень тонкий слой.

Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы очень незначительна – во много раз меньше, чем в эмиттере. Это является важнейшим условием работы транзистора.

Принцип работы транзистора

Для рассмотрения принципа работы биполярного транзистора воспользуемся схемой приведенной на рис. 2, из которого видно, что транзистор представляет собой по существу два полупроводниковых диода, имеющих одну общую область – базу, причем к эмиттерному pn переходу приложено напряжение Е1 в прямом (пропускном) направлении, а к коллекторному переходу приложено

Рис. 2. К пояснению принципа работы транзистора

напряжение Е2 в обратном направлении.

Обычно Е2 >> Е1. При замыкании выключателей SA1 и SA2 через эмиттерный pn переход пойдет ток по следующему пути: +Е1, миллиамперметр мА1, эмиттер, база, мА2, выключатели SA2 и SA1, и –Е1.

Если выключатель SA1 разомкнуть, а выключатели SA2 и SA3 то в коллекторной цепи пройдет незначительный обратный ток, вызванный направленным движением неосновных носителей заряда – дырок базы и электронов коллектора.

Путь тока: +Е2, выключатели SA3 и SA2, миллиамперметр mA2, база, коллектор, mA3, —Е2.

Рассмотрим прохождение токов в цепях транзистора при замыкании всех трех ключей.

Ток проходящий через эмиттерный переход, получил название эмиттерного тока (Iэ). Этот ток равен сумме дырочной и электронной составляющих

IЭ = IЭp + IЭn.

И как было сказано выше концентрация носителей заряда в базе значительно меньше чем в эмиттере. Это приводит к тому, что число дырок инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число электронов, движущихся в противоположном направлении. Следовательно, почти весь ток через эмиттерный p-n переход обусловлен дырками. Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции γ, который у транзисторов типа pnp равен отношению дырочной составляющей эмиттерного тока к общему току эмиттера

и у современных транзисторов γ = 0,999. Инжектированные через эмиттерный переход дырки проникают вглубь базы и, подойдя к коллектору, начинают испытывать действие электрического поля коллекторного перехода. Это поле для дырок является ускоряющим, поэтому они в результате экстракции быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

Цепь коллекторного тока: +Е2, выключатели SA3 и SA1, мА1, эмиттер, база, коллектор, мА3, -Е2.

Те дырки, которые рекомбинируют в области базы с электронами, участвуют в создании тока базы Iб, проходящего по цепи: +Е1, мА1, эмиттер, база, мА2, выключатели SA2, SA1, -Е1. Следовательно, ток базы равен

Iб = IЭIК.

Нетрудно заметить, что ток эмиттера IЭ = Iб + IК.

Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода. Этот коэффициент определяется по формуле.

Коэффициент переноса δ тем ближе к единице, чем меньше толщина базы и концентрация электронов в базе по сравнению с концентрацией дырок в эмиттере.

Одним из основных параметров транзистора является коэффициент передачи тока эмиттера, который равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе:

Этот коэффициент может быть выражен через величины γ и δ следующим соотношением

Так как γ и δ меньше единицы, то коэффициент передачи тока эмиттера α тоже меньше единицы и обычно α = 0,95 0,99.

Поскольку в цепи коллектора кроме тока, обусловленного экстракцией дырок из базы в коллектор, протекает обратный ток коллекторного перехода Iкбо, то обратный ток коллектора

Так как ток IКБО незначителен, поэтому можно принять

Из последнего выражения следует, что транзистор представляет собой управляемый прибор, так как величина его коллекторного тока зависит от величины тока эмиттера.

Четыре режима работы транзистора

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам транзистора, различают четыре режима его работы:

Активный режим. На эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное. Этот режим является основным режимом работы транзистора. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора значительно превышает напряжение, подведенное к эмиттерному переходу, а токи в цепях эмиттера и коллектора практически равны, следует ожидать, что мощность полезного сигнала на выходе схемы в коллекторной цепи может оказаться намного больше, чем во входной эмиттерной цепи транзистора.

Режим отсечки. К обоим переходам подводятся обратные напряжения. Поэтому через них проходит лишь незначительный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Практически транзистор в режиме отсечки оказывается запертым.

Режим насыщения. Оба перехода оказываются в под прямым напряжением. Ток в выходной цепи транзистора максимален и практически не регулируется током входной цепи. В этом режиме транзистор полностью открыт.

Инверсный режим. К эмиттерному переходу подводится обратное напряжение, а к коллекторному — прямое. Эмиттер и коллектор меняются своими ролями – эмиттер выполняет функции коллектора, а коллектор – функции эмиттера. Этот режим, как правило, не соответствует нормальным условиям эксплуатации транзистора.

Схемы включения транзисторов

Различают три возможные схемы включения транзисторов (рис. 1): с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Такая

терминология указывает, какой из элек­тродов транзистора является общим для его входной и выходной цепей.

На рис. 1, а показана схема с общей базой, во входную (эмиттерную) цепь последовательно с источ­ником питания Е1 включен источник входного сигнала, вырабаты­вающий некоторое переменное напряжение UВХ.

Обратим внимание на то, что в этой схеме через источник вход­ного сигнала (точнее, через внутреннее сопротивление этого источ­ника) проходит ток эмиттера IЭ.

Ток, проходящий через источник входного сигнала, называют входным током.

IВХ = IЭ

Выходным током в этой схеме является ток коллектора.

IВЫХ = IК

Если под воздействием UВХ ток эмиттера возрастет (уменьшится) на некоторую величину, то соответственно возрастут (уменьшатся) и остальные токи транзистора.

Независимо от схемы включения транзисторы характеризуются дифференциальным коэффициентом прямой передачи тока, который представляет собой отношение выходного тока к вызвавшему его приращению входного тока при постоянном напряжении в выходной цепи. Для схемы с общей базой коэффициентом прямой передачи тока может служить коэффициент передачи тока эмиттера.

при Е2 = const.

Поскольку ток эмиттера наибольший из всех токов транзистора, то схема с общей базой имеет малое входное сопротивление для переменной составляющей тока сигнала. Фактически это сопротивление равно сопротивлению rэ эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении, т.е.

Низкое входное сопротивление схемы с общей базой (единицы – десятки Ом) является ее существенным недостатком, так как во многокаскадных схемах это низкое сопротивление оказывает шунтирующее действие на сопротивление нагрузки предыдущего каскада и резко снижет усиление этого каскада по напряжению и мощности.

В схеме с общим эмиттером, показанной из рис.1 б, вход­ной сигнал также прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питания коллектора включен между выводами эмиттера и коллектора. Таким образом, эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей.

Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является не ток эмиттера, а малый по величине ток базы. Выходным током в этой схеме, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора. Следовательно, коэффи­циент прямой передачи тока для схемы с общим эмиттером

Найдем соотношение между β и α.

Таким образом, в схеме с общим эмиттером можно получить коэффициент прямой передачи тока порядка нескольких десятков. Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером значительно больше, чем в схеме с общей базой. Это следует из очевидного неравенства

Достоинством схемы с общим эмиттером следует также считать возможность питания ее от одного источника напряжения, по­скольку на базу и на коллектор подаются питающие напряжения одного знака. Поэтому схема с общим эмиттером в настоящее время является наиболее распространенной.

Следует отметить, однако, что температурная стабильность схе­мы с общим эмиттером оказывается несколько хуже, чем схемы с общей базой.

В схеме с общим коллектором (рис.1, в) входной сигнал по­дается на участок база — коллектор. Входным током является ток базы, а выходным —ток эмиттера. Поэтому коэффициент прямой передачи тока для этой схемы

Несмотря на сравнительно большие значения коэффициента пря­мой передачи тока и входного сопротивления, схема с общим кол­лектором практически не позволяет получить усиления по напря­жению и поэтому применяется значительно реже, чем две преды­дущие.

Статические характеристики транзистора

Статические характеристики транзистора

для схемы с общим эмиттером:

а) – входные; б) — выходные

Динамический режим работы транзистора

В практических схемах транзисторных усилителей в выходную цепь транзистора наряду с источником питания включают сопротивление нагрузки, а во входную источник усиливаемого сигнала.

Режим работы транзистора с нагрузкой называется динамическим. В этом режиме токи и напряжения на электродах транзистора не остаются постоянными, а непрерывно изменяются. Рассмотрим работу транзистора, включенного по наиболее распространенной схеме с общим эмиттером (ОЭ), в динамическом режиме. В этой схеме напряжение источника питания Ек распределяется между участками коллектор – эмиттер (выходом схемы) и нагрузочным сопротивлением Rн так, что напряжение

Данное выражение представляет собой уравнение динамического режима для выходной цепи. Изменение напряжения на входе транзистора вызывают соответствующие изменения тока эмиттера, базы, а следовательно, и тока коллектора Iк. Это приводит к изменению напряжения на Rн, в результате чего изменяется напряжение Uкэ.

Обратим внимание на то, что питание транзистора в рассматриваемой схеме (как и в любой другой схеме с общим эмиттером) производится от одного источника Ек. Напряжение на эмиттерный переход подается через резистор Rб в цепи базы. Величина сопротивления этого резистора определяет исходную величину постоянного тока базы транзистора при отсутствии входного сигнала.

Характеристики транзистора, находящегося в динамическом режиме, отличаются от характеристик статического режима, так как они определяются не только свойствами самого транзистора, но и свойствами элементов схемы.

Наиболее часто используются выходные и входные динамические характеристики.

На рисунке изображены выходные статические характеристики транзистора и приведена динамическая характеристика (нагрузочная прямая) АВ, соответствующая сопротивлению нагрузки Rн.

Положение нагрузочной прямой на статических характеристиках однозначно определяется напряжением источника питания ЕК и сопротивлением резистора Rн.

Точка В пересечения нагрузочной прямой с осью напряжений Uкэ совпадает с точкой, в которой напряжение на коллекторе равно Ек. Действительно, эта точка соответствует случаю, когда ток коллектора равен нулю. При этом ток в нагрузочном сопротивлении отсутствует и падение напряжения на сопротивлении нагрузки равно нулю. Следовательно, все напряжение источника питания ЕК оказывается приложенным к участку коллектор – эмиттер транзистора.

Точка А пересечения нагрузочной прямой с осью токов Iк совпадает с точкой, для которой выполняется условие

.

Так как ток коллектора в случае, если бы транзистор можно было открыть полностью (или закоротить), ограничивался бы только величиной сопротивления RН.

Все промежуточные положения точек на линии характеризуют возможные напряжения и токи в соответствующих цепях транзистора при подаче сигнала с учетом сопротивления нагрузки. Любому току базы соответствуют вполне определенные значения тока коллектора и коллекторного напряжения.

Например, если в режиме покоя (до поступления входного сигнала – исходный режим) был установлен ток базы Iбр, то рабочая точка Р на нагрузочной прямой укажет соответствующие этому току значения IКР и UКЭР.

Входная динамическая характеристика представляет собой зависимость входного тока от входного напряжения в динамическом режиме.

Чтобы построить входную динамическую характеристику, нужно для каждого напряжения на коллекторе (для которого имеется статическая входная характеристика) определить по выходной динамической характеристике соответствующий ток базы. Затем на входных статических характеристиках следует отметить точки, которые соответствуют найденным значениям токов базы. Если теперь соединить эти точки , , плавной кривой линией, то получим входную динамическую характеристику транзистора. (Для упрощения расчета транзисторного каскада входную динамическую характеристику обычно не строят – берут из справочника.

Для этой схемы исходный режим задается фиксированным током базы.

11

bjt — Наименование

Коллектора ПНП и НПН Излучателя

Чтобы понять это, нужно понять, что происходит внутри транзистора. Транзистор NPN имеет три секции типов «легированных полупроводников», а именно полупроводник N-типа (легированный атомами, которые обеспечивают свободный электрон) по краям, с полупроводником P-типа между ними (легированный атомами с одним электроном меньше). чем требуется — так что результирующая «положительная» дыра). А именно, схема полупроводников n-типа -> p-типа -> n-типа.PNP представляет собой полупроводниковую схему p-типа -> n-типа -> p-типа.

Обычно излучатель является «источником» энергии, а не выходом. Коллектор — это тот, который служит «выходом» тока, а не эмиттером. Таким образом, представление о том, что коллектор «собирает» ток, а эмиттер отдает ток, возможно, неверно — скорее наоборот. Нет никакого «сбора» тока коллектором для «испускания» эмиттером как таковым. Скорее, коллектор — это часть транзистора, которая позволяет току течь от эмиттера (источника), если в базе есть ток.

Обратите внимание, что стрелка всегда находится между эмиттером и базой.

Так что же означает стрелка в эмиттере, особенно если он является источником электронов (отрицательный заряд, если эмиттер n-типа) или дырок (положительный заряд, если эмиттер p-типа)? Он показывает направление от полупроводника p->n типа (или направление прямого смещения). Это показывает направление тока между эмиттером и базой (или показывает противоположное направление потока электронов) для каждого типа транзистора.

В транзисторе NPN ток должен течь в базу, а эмиттер должен быть соединен с землей (ток течет к земле или к более низкому потенциалу), следовательно, направление стрелки наружу, показывая, что ток идет от p -типа к n-типу в транзисторе NPN. С другой стороны, PNP-транзистор имеет направление к базе, показывая, что база представляет собой область n-типа, а эмиттер — область p-типа.

Не думайте о стрелке как о направлении результирующего тока — эмиттер на самом деле является «источником» энергии.Стрелка показывает направление от p-области к n-области каждого отдельного транзистора (между эмиттером и базой).

Надеюсь, это длинное объяснение помогло!

Электротехника — В чем разница между эмиттером и коллектором…

Я вижу, у вас уже есть ответ, основанный на физике устройства. Я отвечу, что это означает в цепи.

BJT (транзисторы с биполярным переходом) работают в обратном направлении, по крайней мере, отчасти. В целом характеристики не так хороши, особенно коэффициент усиления.Тем не менее, в большинстве случаев вы все равно получаете некоторое усиление при замене коллектора и эмиттера.

У меня действительно были схемы, в которых я случайно устанавливал транзистор наоборот, и они работали. В этом случае схема была терпима к более низкому коэффициенту усиления. Схемы, которые требуют более близкого к минимальному гарантированному усилению, вероятно, не будут работать.

То, как BJT работает в обратном направлении, также зависит от его геометрии. Плоская конструкция, подобная показанной Джоэлем Рейесом Ноше, не так хорошо работает в обратном направлении.Это потому, что он хорошо оптимизирован для зарядов в базе, чтобы добраться до коллектора. Помните, что усиление обратно пропорционально тем, которые не доходят до коллектора (вместо этого идут до эмиттера). Если бы вы поменяли местами коллектор и эмиттер, вы можете себе представить, как система стала бы менее эффективной, а это означает, что не такая большая доля зарядов в базе попадет в коллектор.

В более простом сэндвиче NPN или PNP перестановка транзистора не имеет большого значения.


Я наивно полагал, что все транзисторы одного типа имеют практически одинаковые характеристики; в конце концов, в отличие от других компонентов, на принципиальных схемах для них, похоже, не прописаны номера.

Я не уверен, что вы подразумеваете под «типом». NPN по сравнению с PNP или, более конкретно, например, 2N3906 по сравнению с 2N4401. В любом случае, существует очень много отдельных моделей транзисторов. Они различаются между собой коэффициентом усиления, максимальным напряжением CE, максимальным током C, максимальной используемой частотой, способностью рассеивания мощности, цоколевкой, корпусом и другими параметрами.

Любая приличная схема обязательно покажет конкретную модель транзистора или будет сопровождаться спецификацией (ведомостью материалов), в которой она указана. Такие вещи должны быть указаны, чтобы иметь возможность построить юнит.

Схемы, которые предназначены только для концептуального отображения схемы, например то, что может быть опубликовано здесь на этой платформе вопросов и ответов, могут не всегда указывать конкретную модель, если это не имеет отношения к концепции. Однако вы не можете построить что-то подобное, не выбрав каким-то образом модель для каждого транзистора.

опубликовано 7 месяцев назад

7 месяцев назад

Видео с вопросом

: определение областей коллектора и эмиттера транзистора

Стенограмма видео

NPN-транзистор подключен к двум источникам постоянного тока, как показано на схеме.Две n-области идентичны. Какая из областей транзистора является коллекторной? Какая из областей транзистора является эмиттерной?

На схеме показан NPN-транзистор с двумя идентичными областями N-типа, обозначенными N one и N two, между которыми расположена область P-типа, обозначенная P. Нас просят идентифицировать коллекторную и эмиттерную области этого транзистора. Теперь этот транзистор является транзистором с биполярным переходом, потому что он сделан из сэндвича из легированного полупроводникового материала.Все биполярные транзисторы, или сокращенно BJT, имеют три области: коллектор, базу и эмиттер. Базовая область BJT всегда находится в центре сэндвича.

Оглядываясь назад на нашу диаграмму, это означает, что P должна быть базой, потому что она находится в середине, а N два и N один должны быть областями коллектора и эмиттера. Нам просто нужно выяснить, что есть что. Для этого нам нужно понять направление обычного тока в транзисторе. Из ориентации нижнего источника питания мы знаем, что обычный ток покинет положительный вывод, а затем войдет в базу.На самом деле мы знаем, что базовый ток имеет такое направление для всей нижней ветви цепи.

Обратившись к верхней ветке и снова обратив внимание на ориентацию источника питания, мы видим, что условный ток поступает на транзистор в области, обозначенной N one. Проследив ток через эту ветвь, мы видим, что направление условного тока в верхней ветви должно быть противоположно направлению условного тока в нижней ветви. Поскольку условный ток как в верхней, так и в нижней ветвях направлен в сторону от этого узла, должен быть условный ток, направленный в этот узел, а именно условный ток из транзисторной области N два.

При всем при этом мы ясно видим, что обычный ток входит в транзистор в точке N один и выходит из транзистора в точке N два. Теперь вспомним, что для NPN-транзистора обычный ток входит в транзистор через коллектор и выходит из транзистора через эмиттер. Поэтому мы готовы ответить на обе части этого вопроса. Область коллектора — это область N 1, потому что это NPN-транзистор, и обычный ток поступает в транзистор в N 1. Область эмиттера равна N2, потому что обычный ток выходит из этого NPN-транзистора при N2.

Теперь, чтобы прийти к этому ответу, нам пришлось полагаться на тот факт, что наш транзистор был транзистором NPN, и поэтому ток поступает на коллектор. Но обратное верно для транзистора PNP. Ток входит в PNP-транзистор на эмиттере и выходит из PNP-транзистора на коллекторе. Итак, у нас есть два разных правила: одно для PNP-транзисторов и одно для NPN-транзисторов. Но на самом деле мы можем придумать единое правило, которое позволит нам идентифицировать коллектор и эмиттер в любом биполярном транзисторе.

Оглядываясь назад на нашу диаграмму, направление обычного тока слева направо через транзистор. Этот ток проходит через два перехода PN, один между N один слева и P справа и один между P слева и N два справа. Глядя на ориентацию тока относительно ориентации переходов, мы видим, что переход N one-P смещен в обратном направлении, а переход P-N two смещен в прямом направлении. Мы видим, что коллектор образует переход обратного смещения с базой, а эмиттер образует переход прямого смещения с базой.И это дает нам правило, одинаковое как для транзисторов PNP, так и для транзисторов NPN.

Коллектор BJT образует переход с обратным смещением с базой, а эмиттер образует переход с прямым смещением с базой. Это также объясняет, почему текущее правило отличается для транзисторов NPN и PNP. Если мы заменим наш NPN-транзистор на PNP-транзистор и поменяем направление тока базы на противоположное, транзистор все равно будет проводить ток. Однако при изменении местами областей N и P левое соединение становится смещенным в прямом направлении, а правое соединение будет смещено в обратном направлении, но ток по-прежнему будет двигаться в том же направлении.Итак, в PNP-транзисторе обычный ток поступает в направлении перехода, смещенного в прямом направлении, поэтому он входит в эмиттер, и выходит из перехода, смещенного в обратном направлении, поэтому он выходит из коллектора.

Как определить базу-эмиттер и коллектор транзистора? — Первый законкомик

Как определить базу-эмиттер и коллектор транзистора?

В пластиковом корпусе одна сторона транзистора плоская, то есть лицевая сторона, а выводы расположены последовательно.Чтобы определить контакты, поверните переднюю плоскую сторону к себе и посчитайте контакты как один, два и т. д. В большинстве транзисторов NPN это будет 1 (коллектор), 2 (база) и 3 (эмиттер). Таким образом, КВЕ.

Как определить базу эмиттера и коллектор в транзисторе BC107?

BC107 представляет собой NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал. BC107 имеет коэффициент усиления hfe, равный 50; это значение определяет усиливающую способность транзистора.

Какой контакт какой на транзисторе?

3 вывода символа транзистора можно легко определить, посмотрев в направлении, куда указывает стрелка. Если стрелка указывает на эмиттер, это NPN-транзистор. Если стрелка указывает на базу, это PNP-транзистор.

Как определить открытый закороченный и негерметичный транзистор?

С помощью омметра измерьте расстояние от базы транзистора до эмиттера. Затем поменяйте местами выводы омметра и снова измерьте от базы к эмиттеру.Если сопротивление низкое в обоих направлениях, транзистор закорочен. Кроме того, таким же образом можно измерить расстояние от основания до коллектора.

Что такое B и C в BC107?

· Ответ 7 лет назад. B означает кремний, а C означает низкочастотный аудиотранзистор. Итак, BC107 — это маломощный транзистор звуковой частоты, изготовленный из кремния.

Какой вывод является базой транзистора?

При анализе выводов транзистора средний вывод транзистора BJT всегда является базой, и, удерживая положительный (красный) щуп на среднем выводе и отрицательный (черный) щуп на двух других выводах транзистора, мы можем определить тип транзистора.

Какая ножка транзистора является эмиттерной?

слева
Транзисторы обычно имеют одну круглую сторону и одну плоскую сторону. Если плоская сторона обращена к вам, ножка эмиттера находится слева, ножка базы находится посередине, а ножка коллектора находится справа (примечание: некоторые специальные транзисторы имеют другую конфигурацию контактов, чем в корпусе TO-92, описанном выше). ).

Что такое 3 контакта на транзисторе?

Выводы транзисторов Транзисторы имеют три контакта, которые называются эмиттерным (e), базовым (b) и коллекторным (c).

Как определить вывод коллектора транзистора?

Вывод коллектора идентифицируется по большему зазору между ним и выводом основания. Оставшийся вывод является эмиттером. (ii) Когда выводы транзистора находятся в одной плоскости, но на равном расстоянии друг от друга [см. рис. (ii)], центральный вывод является базой, вывод, отмеченный точкой, является коллектором, а оставшийся вывод является эмиттером.

Каково напряжение базы-эмиттера и базы-коллектора?

Для базы-эмиттера оно будет примерно от 6 до 10 вольт.Базовый коллектор будет в диапазоне от многих десятков до сотен вольт. Возьмите мультиметр и, выбрав положение для проверки диодов, измерьте BJT для двух диодов, и общее соединение будет базой.

Как найти базу транзистора?

Базу найти легко, а вот отделить эмиттер от коллектора может быть сложнее. Используйте омметр в диодном режиме. Ток будет течь от базы либо к другому контакту (NPN), либо в другом направлении, если это PNP. Тестер транзисторов, доступный на некоторых счетчиках, может помочь вам определить эмиттер от коллектора на основе коэффициента усиления (бета).

Как определить клеммы транзистора?

Как идентифицировать клеммы транзистора В транзисторе есть три вывода, а именно. коллектор, эмиттер и база. Когда транзистор должен быть включен в цепь, необходимо знать, какая клемма какая. Идентификация выводов транзистора зависит от производителя.

Microsoft Word — TSQ50404-RGS00TS65E_Rev.001

%PDF-1.6 %μῦ 1 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > поток PScript5.dll Версия 5.2.22016-10-05T11:58:38+09:002016-10-05T11:58:38+09:00application/pdf

  • Microsoft Word — TSQ50404-RGS00TS65E_Rev.001
  • 112577
  • Acrobat Distiller 11.0 (Windows)uuid:969f1afb-9123-48b7-95b5-8fa329b68f0fuuid:24226190-dcfb-402a-b9b8-c717296a0076 конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > поток HVmoHί؏p}gW»/ʩF 9JI꓋[email protected]ڿ ϲ`08iu52;3gWw#Ψrp%&I5b #_Ƙ !%>`LdbaE1,HR#)e̔F*LZP,5JLsJ&5&5(» 8bKXy՛yxUiC Y»ϒ’g2DSRC -mVRh*6cXD+Sg

    В чем разница между базой-эмиттером и коллектором?ком

    В чем разница между базой-эмиттером и коллектором?

    Также обратите внимание, что напряжение коллектора выше, чем напряжение базы. Основные различия между эмиттером и коллектором заключаются в концентрации легирования и размере. Эмиттер сильно легирован, а коллектор слабо легирован. Вы можете попробовать поменять их местами, но вы получите очень низкий HFE, возможно, даже меньше 1.

    .

    Что такое ток базы эмиттера и ток коллектора?

    Как правило, ток, протекающий от эмиттера к коллектору или наоборот, равен току базы, умноженному на коэффициент усиления по постоянному току (hFE).При IB = 0,5 мА ток коллектора (IC) составляет 70 мА при VCE 3 В (точка A). В этот момент коэффициент усиления по постоянному току рассчитывается равным 140.

    Чем отличаются эмиттерная база и коллектор транзистора?

    Цепь эмиттер-база смещена в прямом направлении и имеет низкое сопротивление цепи. Переход коллектор-база имеет обратное смещение и обеспечивает более высокое сопротивление цепи. База транзистора слегка легирована и очень тонкая, из-за чего на базу поступает основная часть носителей заряда.

    Какое сравнение размеров между базовым эмиттером и коллектором?

    Это связано с тем, что работа эмиттера заключается в подаче носителей заряда к коллектору через базу. Размер эмиттера больше базы, но меньше коллектора. База: Размер базовой области крайне мал, она меньше как эмиттера, так и коллектора.

    Что такое ток коллектора?

    [kə′lek·tər ‚kər·ənt] (электроника) Постоянный ток, проходящий через коллектор транзистора.

    Где находится VCE в транзисторе?

    Рассчитайте Vce по формуле Vce= Vcc – [Ie * (Rc + Re)]. Используя числа из предыдущих примеров, уравнение работает следующим образом: Vce = 12 – 0,00053 (3000 + 7000) = 12 – 5,3 = 6,7 вольт.

    Что такое эмиттерный коллектор и база, область которых сильно легирована?

    Эмиттер

    : Терминал эмиттера представляет собой сильно легированную область по сравнению с двумя базой и коллектором. Это связано с тем, что работа эмиттера заключается в подаче носителей заряда к коллектору через базу.Размер эмиттера больше базы, но меньше коллектора.

    Какова функция базы в транзисторе?

    База обеспечивает правильное взаимодействие между эмиттером и коллектором. Поток большинства носителей заряда от эмиттера к коллектору контролируется базой транзистора. Рекомбинация электронов и дырок происходит в области базы, когда эмиттер смещен в прямом направлении.

    Что лучше NPN или PNP?

    А мы уже знаем, что подвижность электронов намного лучше, чем у дырок.Поэтому транзисторы n-p-n предпочтительнее, поскольку они усиливают сигналы. Таким образом, правильный ответ заключается в том, что транзисторы n-p-n предпочтительнее транзисторов p-n-p, потому что электроны имеют более высокую подвижность, чем дырки, и, следовательно, большую подвижность энергии.

    Чем эмиттер отличается от базы и коллектора?

    Работа эмиттера транзистора: Терминал эмиттера представляет собой сильно легированную область по сравнению с двумя базой и коллектором. Это связано с тем, что работа эмиттера заключается в подаче носителей заряда к коллектору через базу.Размер эмиттера больше базы, но меньше коллектора.

    Почему транзистор с общим коллектором также называют эмиттерным повторителем?

    Конфигурация транзистора с общим коллектором также известна как эмиттерный повторитель, потому что напряжение эмиттера этого транзистора следует за выводом базы транзистора.

    Что более легировано: база или эмиттер?

    Эмиттер

    : Терминал эмиттера представляет собой сильно легированную область по сравнению с двумя базой и коллектором.Это связано с тем, что работа эмиттера заключается в подаче носителей заряда к коллектору через базу. Размер эмиттера больше базы, но меньше коллектора.

    Где база и эмиттер транзистора?

    Транзисторы

    обычно имеют одну круглую сторону и одну плоскую сторону. Если плоская сторона обращена к вам, ножка эмиттера находится слева, ножка базы находится посередине, а ножка коллектора находится справа (примечание: некоторые специальные транзисторы имеют другую конфигурацию контактов, чем в корпусе TO-92, описанном выше). ).Что такое коллекторное напряжение?

    Что такое эмиттерный коллектор и база? [Комплексный ответ]

    Ищу ответ на вопрос: Что такое эмиттер-коллектор и база? На этой странице мы собрали для вас самую точную и исчерпывающую информацию, которая полностью ответит на вопрос: Что такое эмиттерный коллектор и база?

    EBC означает Эмиттер-База-Коллектор (конфигурация транзисторного усилителя)

    Но обычный поток не может объяснить детали работы транзистора, поэтому здесь показан поток электронов.Также нельзя сказать, что напряжение коллектора выше напряжения базы. Основные различия между эмиттером и коллектором заключаются в концентрации легирования и размере. Эмиттер сильно легирован, а коллектор легирован слабо.

    Идентификация эмиттера и коллектора Установите мультиметр в режим проверки диодов. Запишите показание напряжения базовой клеммы с обеих клемм 1 и 3 одну за другой. Терминал, имеющий более высокое напряжение между ними, является эмиттером.Терминал с более низким напряжением по сравнению с другим является Коллектором.

    общий коллекторный усилитель, часто называемый эмиттерным повторителем , так как его выход берется из эмиттерного резистора , полезен в качестве устройства согласования импеданса, поскольку его входное сопротивление намного выше, чем его входное сопротивление. выходное сопротивление. По этой причине он также называется «буфером» и используется в цифровых схемах с базовыми вентилями.

    Что такое коллекторная физика?

    коллектор — электрод в транзисторе, через который первичный поток носителей выходит из области между электродами.эмиттер — электрод в транзисторе, где рождаются электроны.


    Можно ли поменять местами эмиттер и коллектор?

    Взаимозаменяемы ли выводы коллектора и эмиттера биполярного транзистора? Нет. Транзисторы предназначены для обеспечения оптимальной производительности при правильном подключении.


    Что такое общее основание?

    В химии основание — это вещество, которое может либо принимать ионы водорода (протоны), либо, в более общем смысле, отдавать пару валентных электронов; его можно рассматривать как химическую противоположность кислоты.Сильные основания обычно, хотя и не всегда, образуются из гидроксидов щелочных металлов и щелочноземельных металлов.


    Какова функция эмиттера?

    Эмиттер: Терминал эмиттера представляет собой сильно легированную область по сравнению с двумя базой и коллектором. Это связано с тем, что работа эмиттера заключается в подаче носителей заряда к коллектору через базу. Размер эмиттера больше базы, но меньше коллектора.


    Как сделать транзистор PNP?

    Определение: PNP-транзистор — это тип транзистора, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа…. Когда через базу PNP-транзистора протекает небольшой ток, он включается. Ток в транзисторе PNP течет от эмиттера к коллектору.


    Что такое эмиттерная база и коллектор в BJT?

    Реверс. Форвард-активный. Биполярные транзисторы имеют четыре различных области работы, определяемые смещениями BJT-перехода. Активный в прямом направлении (или просто активный) Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении.


    Что такое эмиттер в BJT?

    Область эмиттера является наиболее сильно легированной областью транзистора…. Эмиттер содержит наибольшее количество носителей заряда из всех областей транзистора.


    Почему он называется эмиттерно-коллекторным?

    В большинстве транзисторов эмиттер сильно легирован. Его работа состоит в том, чтобы излучать или вводить электроны в базу. … Коллектор назван так потому, что собирает электроны с базы. Коллектор является крупнейшим из трех регионов; он должен рассеивать больше тепла, чем эмиттер или база.


    Что такое электронный коллектор?

    коллектор — электрод в транзисторе, через который первичный поток носителей выходит из области между электродами.эмиттер — электрод в транзисторе, где рождаются электроны.


    Почему основание сделано тонким?

    Базовая область транзистора сделана очень тонкой, чтобы обеспечить лучшую проводимость основных носителей от эмиттера к коллектору через базу. Базовая область в транзисторе слегка легирована, так что плотность основных носителей (электронов в p-n и дырок в n-p-n транзисторе) низкая. …


    Почему коллекторы называются эмиттерами?

    1 Ответ.Ваша догадка совершенно верна: эмиттер испускает носители заряда в коллектор, который их собирает.


    Что такое транзистор и как он работает?

    Транзистор — это электронный компонент, который используется в схемах для усиления или переключения электрических сигналов или питания, что позволяет использовать его в широком спектре электронных устройств. Транзистор состоит из двух PN-диодов, соединенных встречно-параллельно. Он имеет три вывода, а именно эмиттер, базу и коллектор.


    Для чего создан коллектор?

    Область коллектора является самой большой из всех областей, поскольку она должна рассеивать больше тепла, чем области эмиттера или базы.Он спроектирован большим, потому что дополнительная площадь поверхности позволяет рассеивать весь нагреватель. … Большая площадь обеспечивает большую площадь поверхности для рассеивания тепла.


    Что такое электрический коллектор?

    Токосъемники также являются компонентами электрического моста, которые собирают электрический ток, генерируемый на электродах электрохимических устройств, таких как аккумуляторные батареи литиевого класса, и соединяются с внешними цепями. …


    Почему коллектор шире эмиттера и базы?

    Область коллектора является самой большой из всех областей, поскольку она должна рассеивать больше тепла, чем области эмиттера или базы.Он спроектирован большим, потому что дополнительная площадь поверхности позволяет рассеивать весь нагреватель. … Большая площадь обеспечивает большую площадь поверхности для рассеивания тепла.

    Что такое эмиттерный коллектор и база? Видео ответ

    Транзисторы — NPN и PNP — Основное введение

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.