Фоторезист: Фоторезист пленочный 300×1000мм, Россия | купить в розницу и оптом

Содержание

Фоторезист как пользоваться, как выбрать, как хранить и работать с ним

Аэрозольный фоторезист для мезаструктур, демонстрация возможностей аэрозольного распыления

Под термином фоторезист понимается светочувствительная полимерная пленка, которая под воздействием света меняет свои физико-химические свойства и обладает устойчивостью к химическому или механическому воздействию.

Развитие современной электроники, средств связи, спутников, телевидения, компьютеров невозможно представить без применения фоторезистов. Фоторезист — один из ключевых материалов микро- и радиоэлектроники.

Необходимо различать позитивные и негативные фоторезисты. Позитивный фоторезист точно передает рисунок с оригинал — макета на подложку. Негативный фоторезист передает рисунок в обращенном виде.

Необходимо также различать жидкие и сухие пленочные фоторезисты. Жидкий фоторезист — это раствор полимера и светочувствительного соединения в органическом растворителе. Сухой пленочный фоторезист — это «сэндвич» из трех слоев полимеров, в середине которого находится светочувствительный слой. Для получения пленки из жидкого фоторезиста необходимо его либо налить на поверхность и затем подложку привести во вращение (центрифуга), либо распылить из аэрозольной упаковки. Сухой пленочный фоторезист прикатывают к поверхности ламинатором.

Основное различие этих двух типов фоторезистов заключается в максимально достижимом разрешении элементов изображения.

Стандартное разрешение сухих пленочных фоторезистов — это 125-250 мкм. Поэтому основное их применение — изготовление печатных плат, в особенности многослойных печатных плат. Весь процесс изготовления печатных плат автоматизируется.

Современные жидкие фоторезисты обеспечивают разрешение 0,35 — 0,5 микрон (процессоры Pentium III и IV). Микроэлектроника не может развиваться без совершенствования физико-химических параметров фоторезистов. Это залог успеха на рынке микроэлектроники. По этой причине о разработке фоторезиста с разрешением 0,18 микрон сообщили одновременно несколько западных фирм. Хотя и известен физический механизм работы этого фоторезиста, но состав его держится в строгом секрете.

Помимо электроники жидкие фоторезисты широко используются:

  1. При изготовлении исходного мастер-диска — ключевого и самого дорогостоящего процесса в производстве компакт — дисков.
  2. При изготовлении исходной голографической штамп-матрицы для голографической маркировки продукции (защита от подделок)
  3. При изготовлении дифракционных решеток.
  4. При изготовлении пластин для офсетной полиграфии (копировальный слой).
  5. При изготовлении гравированных валов для полиграфии (печать на упаковках и текстильная промышленность).
  6. При изготовлении фотогравюр.

Подробно органические светочувствительные среды для голографии описаны на сайте:

http://bsfp.media-security.ru/school7/24.htm. Основным преимуществом фоторезистов в отличие от других сред для голографии, содержащих желатину (фотографические пластины, хромированная желатина), является их безусадочность, что чрезвычайно важно при голографической записи. Главный недостаток фоторезистов связан с их светочувствительностью только в ультрафиолетовой области /vibor_resist.htm.

При изготовлении голографическими способами мастер — диска, штамп — матрицы, дифракционных решеток ранее, как правило, использовался импортный фоторезист типа AZ-1350. В настоящее время применяют фоторезисты фирмы Shipey S1813 или S1818. Однако новые отечественные фоторезисты с локальной разнотолщинностью пленки менее 10 нм и фильтрацией на уровне 0,2 мкм вполне заменяют фоторезист AZ-1350, S1813 или S1818.

Жидкие фоторезисты незаменимы в производстве печатных плат с высокой степенью монтажа (разрешение элементов до 10 микрон), а также при изготовлении односторонних печатных плат. В последнем случае применение жидких фоторезистов удешевляет процесс, что существенно для радиолюбительской практики.

В настоящее время любители могут изготовлять печатные платы с помощью фоторезиста в аэрозольной упаковке , с помощью заготовок печатных плат с заранее нанесенным слоем фоторезиста или пигментной бумаги. В последнем случае весь процесс изготовления печатных плат можно перенести практически в домашние условия.

И, наконец, совокупность стадий применения фоторезистов называется фотолитографией.

Ссылки по теме:

Фоторезист — это… Что такое Фоторезист?

Фоторезист (от фото и англ. resist) — полимерный светочувствительный материал. Наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии или фотогравировки с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.

Экспонирование производится в ультрафиолетовом диапазоне спектра (фотолитография), электронным лучом (электронно-лучевая литография) или мягким рентгеновским излучением (рентгеновская литография). Воздействие либо разрушает полимер (позитивный фоторезист), или, наоборот, вызывает его полимеризацию и понижает его растворимость в специальном растворителе (негативный фоторезист). При последующей обработке происходит травление в «окнах», образованных засвеченными (позитивный фоторезист) или незасвеченными (негативный фоторезист) участками полимера.

Разрешающая способность фоторезиста определяется как максимальное количество минимальных элементов на единице длины (1мм). R=L/2l, где L — длина участка, мм; l — ширина элемента, мм. Разрешающая способность позитивного фоторезиста считается более высокой, что определило его более широкое использование.

Различают два основных типа фоторезистов, используемых при производстве печатных плат: Сухой пленочный фоторезист (СПФ) и аэрозольный «POSITIV». СПФ получил более широкое распространение в производстве, так как обеспечивает равномерный слой. Представляет собой 3-х слойный «бутерброд» — два слоя защитной пленки, между ними — слой фоторезиста. К обрабатываемому материалу приклеивается при помощи ламинатора. Одним из крупнейших производителей СПФ является компания DuPont (США). Выпуская СПФ под торговым названием Riston, в рулонах по 152 м.

Типичные фоторезисты

В качестве фоторезистов, чувствительных к видимому свету часто применяются:

  • Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя.
  • Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.

Для работы с дальним ультрафиолетом применяются:

  • Позитивные — сенсибилизированные полиметакрилаты и арилсульфоэфиры, использующие фенольные смолы
  • Негативные — галогенированные полистиролы, диазиды с феноло-формальдегидными смолами

Также используются фоторезисты с химическим усилением скрытого изображения, состоящие из светочувствительных ониевых солей и эфиров нафтоловых резольных смол, в которых происходят химические реакции под действием солей.

Для регистрации электронных, рентгеновских и ионных потоков используются:

  • Позитивные — производные полиметакрилатов, полиалкиленкетонов и др.
  • Негативные — полимеры производных метакрилата, бутадиена и др.

Литература

  • Фотолитография и оптика, М. Берлин, 1974; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974
  • У. Моро. Микролитография. В 2-х ч. М., Мир, 1990.
  • БСЭ, статья «Фоторезист»
  • Валиев К. А., Раков А. А., Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике, M., 1984;
  • Светочувствительные полимерные материалы, под ред. А. В. Ельцова, Л., 1985. Г. К. Селиванов.

Ссылки

Фоторезисты для плазмохимического травления

Особенно ощутимо влияние плазмы, когда необходимо провести травление на большую глубину. Такая задача стоит, прежде всего, перед изготовителями МЭМС, устройств микрофлюидики, интерпойзеров для 2,5D-интеграции, а также перед производителями микросхем со сквозными электрическими выводами через подложку — как кремниевых, так и арсенид галлиевых.

При разработке технологических операций для глубокого ПХТ вышеперечисленных изделий необходимо особенно тщательно подойти к вопросу выбора маски. Часто невозможно или нетехнологично использовать неорганическую маску (англ.: hard mask), и в этом случае возникает вопрос: каким образом подобрать соответствующую резистивную маску (англ.: soft mask). Этот выбор зависит от топологии, глубины травления, условий технологического процесса, особенностей оборудования и свойств самого материала.

Воздействия плазмы на подложку

Во время травления фоторезист (ФР) подвергается воздействию ряда факторов, основные из которых приведены ниже и проиллюстрированы на рис 1:

  • химические реакции;
  • физическое распыление;
  • УФ-излучение;
  • температура.

Все эти факторы действуют одновременно. Чтобы понять, какие воздействия они осуществляют и как их минимизировать, рассмотрим каждый фактор отдельно.

Химические реакции и физическое распыление

Фоторезист состоит из органических соединений, подверженных химическим реакциям с газами, в плазме которых происходит ПХТ. Кроме того, происходит физическое распыление фоторезиста высокоэнергетичными ионами и атомами плазмы1. Именно эти два фактора влияют на скорость травления.

Скорость травления в каждом процессе зависит от его параметров. Поэтому часто невозможно сравнивать результаты, полученные у разных исследователей при определении скорости травления тех или иных фоторезистов. Можно лишь с высокой степенью достоверности утверждать, что при прочих равных условиях скорости травления всех без исключения фоторезистов сравнимы для плазмы какого-то одного конкретного газа. В разное время предпринимались попытки увеличить устойчивость резистивной плёнки к плазме. Эмпирически было установлено, что скорость травления зависит от удельной массы атомов углерода в материале

2. Чем больше углерода в составе полимера, тем ниже скорость его травления. Количество углерода слабо меняется при внесении каких-либо добавок к новолачной, акриловой или феноловой смолам, на основе которых производятся фоторезисты, поэтому для обычных фоторезистов не следует ожидать очень существенного различия в скорости травления при прочих разных условиях. Существенно увеличивает селективность добавление фуллеренов в состав фоторезиста, но такие материалы в настоящий момент всё ещё являются экзотическими и недоступны для регулярных поставок.

В качестве примера в Таблице 1 приведены скорости травления во фтор- и кислородсодержащих плазмах для позитивного фоторезиста Microposit S1822 и ряда других материалов, применяемых в микроэлектронике. Microposit S1822 является классическим позитивным фоторезистом, он изготовлен на основе нафтохинондиазида (НХД) и новолачных смол, прочие позитивные фоторезисты с той же химией в основе будут демонстрировать подобное поведение при травлении. Из таблицы видно, что скорость травления ФР значительно ниже скорости травления Si, значительно выше скорости травления Al и SiO2, а также сравнима со скоростью травления Si3N4. Это означает, что фоторезист наряду с SiO2 или Al может быть успешно применён в качестве маски для травления кремния.

Таблица 1 Сравнительные скорости травления (нм/мин) для фоторезиста Microposit S1822 и других распространённых технологических слоёв4

Скорость травления, нм/мин

Процесс

S1813

SiO2

Si3N4

Al

Si

Глубокое травление кремния ВЧ (высокая частота)

30

1500

Глубокое травление кремния НЧ (низкая частота)

35

2400

SF6, 100 Вт, 13,56 МГц, 20 мТорр

120

SF6+O2, 100 Вт, 13,56 МГц, 20 мТорр

180

30

150

<2,8

1500

CF4, 100 Вт, 13,56 МГц, 60 мТорр

42

34

CF4+O2, 100 Вт, 13,56 МГц, 60 мТорр

130

21

120

0,87

95

O2, 400 Вт, 30 кГц, 300 мТорр

300

В Таблице 2 приведены скорости травления для фоторезистов компании Allresist, которые указаны в описаниях на их продукты. Таблица показывает, что скорости травления всех резистов, как позитивных, так и негативных, примерно одинаковы в плазме O2, CF4 и их смеси. Скорость травления фоторезистов в плазмах хлор- и бромсодержащих газов приблизительно сравнима с таковой для фторсодержащих газов3.

Таблица 2 Сравнительные скорости травления фоторезистов компании Allresist. Параметры процесса: индуктивно связанная плазма 13,56 МГц, смещение 240-250 В, давление 5 Па5

Серия фоторезистов

O2

CF4

80 CF4+ 16 O2

Комментарий

AR-P 1200

169

38

90

Универсальный позитивный резист для нанесения спреем

AR-P 3100

165

38

89

Позитивный резист для производства фотошаблонов

AR-P 3200

170

39

90

Универсальный позитивный резист с большой толщиной плёнки

AR-P 3500

165

37

88

Универсальный позитивный резист

AR-P 5300

161

39

90

Позитивный резист для взрывной фотолитографии

AR-P 5910

161

38

89

Позитивный резист для жидкостного травления с HF

AR-N 1200

173

33

93

Универсальный негативный резист для нанесения спреем

AR-N 4200

170

39

91

Универсальный негативный резист с высоким разрешением

AR-N 4300

173

33

93

Универсальный негативный резист

AR-N 4240

170

39

91

Универсальный негативный резист

AR-N 4400

122

31

81

Толстоплёночный негативный резист, аналог SU-8

Таким образом, на данный момент не существует коммерчески доступного фоторезиста, который не травился бы в плазме. Поэтому при разработке технологических процессов нужно обязательно учитывать уменьшение толщины плёнки фоторезиста во время процесса.

Ультрафиолет

Ультрафиолетовое излучение возникает в процессе перехода электронов в атомах и ионах плазмы между энергетическими уровнями. В плазме разных газов интенсивность и спектр УФ-излучения будут различны. Интенсивность также зависит от таких параметров, как давление внутри камеры установки и мощность электромагнитного излучения, возбуждающего плазму. В спектре УФ-излучения могут быть пики, соответствующие длинам волн, на которых происходят фотохимические реакции в резисте, а также пики в области глубокого ультрафиолета (<250 нм).

При воздействии излучения определённых длин волн фоторезист будет подвергаться неконтролируемому экспонированию. В фоторезистах на основе НХД при фотохимичсеких реакциях происходит выделение молекулярного азота. При высокой интенсивности такого излучения и при большой толщине плёнки ФР (>3 мкм) выделение азота может быть настолько интенсивным, что будут образовываться пузыри. Характерный пример вызываемого этим явлением дефекта приведён на рис 2. Пластины с таким дефектом являются непригодными для дальнейшего использования ввиду невозможности точного повторного совмещения при литографии и повреждения поверхности на тех участках, где пузыри вскрылись.

При воздействии коротковолнового УФ-излучения также происходит сшивка органических молекул внутри ФР. Это явление может усложнить процесс снятия ФР в жидкостных процессах.

С генерацией азота под воздействием УФ можно бороться различными способами, о которых будет сказано ниже. Но сшивку под действием ультрафиолета предотвратить нельзя, это фундаментальное свойство всех доступных к настоящему времени фоторезистов.

Температура

Температурное воздействие возникает вследствие нагрева от высокоэнергетических ионов и атомов плазмы. Температура фоторезиста в процессе травления может достигать 120-150 °C, что выше характерной температуры оплавления большинства коммерчески доступных фоторезистов (100-110 °C). С одной стороны, нагрев ведет к оплавлению маски (рис 3), что приводит к изменению размеров. С другой стороны, температура является дополнительным фактором, способствующим задубливанию ФР при травлении (сшивке), что усложнит его снятие в смеси органических растворителей.

Абсолютно все фоторезисты оплавляются при увеличении температуры. Ниже будут рассмотрены способы уменьшения влияния этого эффекта. Сшивка при повышенной температуре также неизбежна со всеми вытекающими проблемами при снятии фоторезиста в жидкостных процессах.

Выбор фоторезиста для плазмохимического травления

Все приведённые факторы оказывают влияние на маску из любого фоторезиста в процессе травления. Их влияние тем сильнее, чем длительней процесс ПХТ. Если глубина травления невелика, т.е. сравнима или меньше, чем толщина фоторезистивной маски, то время процесса в большинстве случаев будет небольшим, т.е. воздействие плазмы на ФР будет минимальным. В таких случаях для процесса подойдут практически любые коммерчески доступные фоторезисты на основе нафтохинондиазида. Для этих процессов стоит выбирать особый тип резиста только в том случае, если требуется высокая стабильность маски при нагреве (отсутствие оплавления). Такая необходимость возникает, если отвод тепла от подложки в реакторе ПХТ недостаточен.

Выбор резиста сложнее, когда необходимо обеспечить травление на глубину, намного превосходящую толщину фоторезистивной маски. Учитывая ранее упомянутый тезис о том, что химическая устойчивость всех распространённых фоторезистов примерно одинакова, только выбор достаточно толстой маски способен обеспечить травление на значительную глубину. Например, маска толщиной 10 мкм обеспечивает травление кремния в Bosh-процессе на глубину до 150 мкм (рис 4). Выбирая толстые фоторезисты, необходимо знать особенности работы с ними, а также методы минимизации негативных воздействий плазмы на резисты с такой толщиной плёнки.

Для борьбы с выделением азота в толстых плёнках фоторезистов на основе НХД перед обработкой пластин в установке ПХТ можно проводить засветку фоторезиста без маски на установке контактной литографии, чтобы уменьшить концентрацию выделяющего азот фоточувствительного соединения. Можно и вовсе отказаться от использования резистов на основе НХД. Альтернативой им являются новые химически усиленные позитивные резисты. Примеры таких материалов — AZ 12xT (толщина плёнки 3-22 мкм) и AZ 40xT (толщина плёнки 18-65 мкм) либо фотополимерные негативные резисты семейства AZ nXT. У химически усиленных резистов для i-линии механизм распада фотоингибитора травления отличен от такового в случае НХД и не связан с выделением азота. Принцип действия негативных фотополимерных резистов также не связан с выделением никаких побочных газообразных продуктов, в этих материалах под действием ультрафиолета происходит сшивка молекул, образуется нерастворимый в проявителе полимер.

Если требуется обеспечить вертикальный профиль и минимальное изменение латеральных размеров при травлении, необходимо выбирать резист с максимальной устойчивостью к оплавлению. На рис 5 показаны примеры профиля термостабильных фоторезистов при оплавлении. По сравнению с обычным фоторезистом без специальных добавок для улучшения термостабильности (рис 3) оплавление происходит при более высоких температурах.

Увеличению устойчивости профиля ФР также способствует стабилизация в глубоком ультрафиолете (ГУФ). Пример поведения ФР после ГУФ-стабилизации приведён на рис 6. При облучении жёстким ультрафиолетом (длины волн <250 нм) происходит дополнительная сшивка полимеров поверхностного слоя, который препятствует сильной деформации плёнки при повышенной температуре. Такой слой делает сложным или невозможным снятие резиста в обычных растворителях (ацетон, NMP). Это, а также дополнительная сшивка полимеров фоторезиста из-за воздействия паразитного УФ и температуры, заставляют искать альтернативы стандартным снимателям. Один из вариантов — снятие в плазме кислорода с дополнительной отмывкой после процесса. Также существуют сниматели на основе более эффективных растворителей, например TechiStrip P1316.

Термическое воздействие при плазмохимическом травлении может вызвать такой нежелательный эффект как вскипание остаточного растворителя. В этом случае нужно увеличить время сушки фоторезиста для гарантированного удаления растворителя, но температура такой сушки не должна превышать температуру оплавления фоторезиста. Удлинённая сушка после проявления также способствует снижению риска интенсивного выделения остатков растворителя и воды.

Термические воздействия при глубоком травлении часто учтены производителями оборудования для этого процесса. Столик, на который помещается пластина внутри реактора, часто делают массивным, чтобы обеспечить возможности для отвода большого количества тепла. Существуют решения, при которых столик дополнительно охлаждается жидкостью или газом, либо сама подложка охлаждается потоком инертного газа с обратной стороны.

Таким образом, для глубокого плазмохимического травления необходимо выбирать резист, обладающий следующими свойствами:

  • большая толщина плёнки;
  • малое выделение газов при экспонировании или отсутствие такого явления;
  • высокая температурная стойкость.

Заключение

В тех случаях, когда плазмохимическое травление по неорганической маске становится невозможным или нетехнологичным, единственным вариантом проведения этого процесса является использование фоторезистивной маски.

Фоторезист в процессе плазмохимического травления подвергается довольно агрессивным физико-химическим воздействиям. Поэтому нужно выбирать резист, который способен образовывать толстую плёнку при нанесении (желательно за один цикл), который (в идеале) не выделяет никаких газов при воздействии УФ-излучения плазмы и который сохраняет свой профиль при росте температуры максимально долго. При разработке технологического маршрута нужно также учитывать, что в ряде случаев могут возникнуть сложности с его снятием в жидкостных процессах, что потребует добавления новых реагентов в дополнение к стандартно используемой химии. При выборе оборудования для глубокого плазмохимического травления желательно выбирать модели, обеспечивающие максимальные возможности по снижению термического воздействия плазмы на ФР.

ООО «Остек-Интегра» сотрудничает с производителями фоторезистов для самых передовых технологических процессов. При необходимости специалисты компании могут оказать технологическую поддержку при выборе наилучшего фоторезиста для глубокого плазмохимического травления, помочь с применением нового материала, привлекая его производителей.


1 Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology

M. Goosey, Plastics for electronics

3 K. Booker et al., Deep, vertical etching for GaAs using inductively coupled plasma/reactive ion etching, Journal of Vacuum Science & Technology B 38, 012206 (2020)

WILLIAMS et al., ETCH RATES FOR MICROMACHINING PROCESSING—PART II, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL. 12, NO. 6, 2003

https://www.allresist.com/product-overview/products-photoresists/

6 N.W. Bartlett, R.J. Wood, Comparative analysis of fabrication methods for achieving rounded microchannels in PDMS, Journal of Micromechanics and Microengineering, 26 (2016) 115013 (10pp)


Изготовление платы с помощью фоторезиста

Хочу поделиться своим опытом изготовления печатных плат с помощью пленочного негативного фоторезиста. На этот раз я использовал фоторезист Riston 200.

Первое что нам понадобиться, сделать качественный фотошаблон. Для этого нужно распечатать наш рисунок лазерным принтером на обычной бумаге. Чем тоньше бумага, тем лучше. Далее, для повышения контрастности (если это необходимо), я беру фотошаблон и на доли секунды полностью погружаю его в банку с растворителем (растворитель использую автомобильный 647). Даю ему подсохнуть и потом пропитываю подсолнечным маслом.

В итоге должен получиться такой фотошаблон.

Перед нанесением фоторезиста нужно подготовить поверхность текстолита. Для этого понадобиться чистящий порошок, например, как на фото, и наждачная бумага зернистостью 800-1000.


Берем текстолит, насыпаем на него немного порошка и с помощью наждачки начинаем его чистить. Наждачку при этом нужно смочить водой. Также несколько капель можно капнуть и на порошок.

После такой чистки поверхность текстолита у меня получается полуматовой. Это хорошо для фоторезиста, потому что он будет лучше держаться. 

После того как мы почистили плату, порошок нужно тщательно смыть теплой водой. После смывки обратите внимание, как ложиться на текстолит вода. Она должна ложиться ровным слоем, не собираясь в капли. Если этого нет, чистку нужно повторить (можно без наждачки). Когда текстолит отмыт, я сразу бросаю его в миску с водой и накрываю ее, чтобы туда не попал мусор.

Далее, отрезаем нужный нам кусок фоторезиста с небольшим запасом, берем кусок липкой ленты и одной ее частью приклеиваем к нижней стороне фоторезиста. Другой стороной приклеиваем ленту к какой-нибудь поверхности и начинаем отделять от фоторезиста нижнюю защитную пленку.


Таким способом я только начинаю отделение пленки, а срываю ее полностью только над миской или даже частично в воде, чтобы фоторезист не слипся. После того как мы сняли защитную пленку, опускаем фоторезист на дно и прижимаем его к текстолиту.


Теперь берем все это, аккуратно вытягиваем и вытираем с него воду. Затем берем резиновый валик и начинаем им слегка разглаживать фоторезист, пока не выгоним из под него всю воду. Для этой процедуры я использую валик от старого принтера. 

 


После этого берем фен и с легка нагреваем текстолит. Текстолит нужно греть с обратной стороны текстолита.


После небольшого прогрева берем валик и начинаем катать со всех сторон по фоторезисту. Делаю я так раз 5-6, с каждым разом все сильнее нагревая текстолит, и с каждым разом все сильнее прижимая валик.

Для засветки фоторезиста я использую вот такую ультрафиолетовую лампу.


И такой настольный светильник.


Для засветки также пригодиться стекло. Я использую стекло из старого принтера, потому что где-то читал, что оно лучше пропускает ультрафиолет.

Вот так у меня происходит засветка фоторезиста. Естественно, засветка фоторезистра происходит через фотошаблон. 


На расстоянии 20см засветка у меня длится где-то 8-9 минут. Чем старее фоторезист, тем больше времени может понадобиться для его засветки. 

После засветки можно наблюдать изменение цвета засвеченных областей.


Важно! Роботу с фоторезистом нужно проводить в затемненной комнате. Если солнце сильно не светит, то мне достаточно просто закрыть шторку, ну а если этого бывает недостаточно, то я на карниз еще вешаю одеяло. После засветки также нельзя допускать попадания на заготовку прямых солнечных лучей и света от ламп, особенно экономок.

Для проявки фоторезиста я использую кальцинированную соду в следующей пропорции: одна чайная ложка с горкой на один литр воды.

Берем посуду, наливаем туда литр теплой воды, кидаем ложку соды, размешиваем. 

Затем с фоторезиста нужно снять верхнюю защитную пленку. Она очень хорошо снимается под струей холодной воды, проведите несколько раз пальцем по краю текстолита и она без проблем снимется. После снятия пленки бросаем нашу заготовку в проявитель.


Я делаю так: подержу ее десять секунд в растворе, потом вытягиваю и кисточкой начинаю водить туда сюда. Можно и не вытягивать, но так лучше, потому что видно, что на ней происходит. Проявляется фоторезист у меня в течении одной минуты.

Вот что должно получиться после проявки.

Для травления печатных плат я использую хлорное железо разведенное водой согласно инструкции. Чтобы этот процесс происходил быстрее, я ставлю посуду с хлорным железом в ведро наполненное горячей водой. В свежем растворе травление длиться 15-20 минут.

Вот и результат.


А это уже луженная плата. 


Автор статьи: Юрий Гузиенко.

Фоторезист — Продукция — ELTM.ru

 

Компания DuPont предлагает сухие пленочные фоторезисты серии Riston, которые отвечают современным требованиям процессов фотолитографии и гарантируют высокую производительность процесса получения рисунка схемы.

 

Продукция DuPont™ Riston® отвечает современным требованиям электронной отрасли:

  • более точные характеристики,
  • более высокое качество,
  • более низкая стоимость.

 

Фоторезисты Riston имеют высокое разрешение с большой глубиной фокусировки, позволяют получать изображение с минимальным количеством дефектов.

 

Широкий ассортимент фоторезистов Riston позволяет предлагать материалы в соответствии с конкретными требованиями заказчика.

 

Если вам нужна техническая поддержка, то необходимо предоставить информацию: например, какой тип платы, требования к ширине линии, расстояние между проводниками, тип травления, и специалисты нашей компании подберут фоторезист в соответствии с вашими требованиями.

 

Фоторезисты серии Riston изготавливаются с жестким контролем технологии производственного процесса.

 

Производство продукции компании DuPont сертифицировано в соответствии с ИСО 9002 и дополнительного сертификата на эту продукцию не требуется.

 

Фоторезист Riston поставляется в упаковке 305 мм х 152 м х 2 рулона и 610 мм х 152 м х 2 рулона.

 

 Таблица фоторезистов серии Riston

Модель

Толщина мкм

Область применения

Особенности процесса

 Марки

SD200

DEC-Riston-200-DataSheet

20, 25, 30, 38, 50

 

Кислотное и щелочное травление.

Металлизация (Cu, Sn, SnPb)

Для внутренних и внешних слоев.

 

Высокая скорость процесса.

 Мелкий пленочный мусор в процессе проявления.

Эффективно заполняет царапины, раковины и другие неровности на медной поверхности.  

 Высокий выход годных заготовок.

Серия имеет высокую степень разрешения, сильную адгезию  к медной поверхности.

SD220

SD225

SD220

SD230

SD238

SD250

 

PM300

DEC-Riston-PM300-DataSheet

30, 38, 50

 

Для внутренних и внешних слоев.

Кислотное и щелочное травление.

Металлизация (Cu, Sn, SnPb)

Широкое рабочее окно.

 Быстрое удаление пленки.

Высокая стойкость в гальванических процессах.

 Отсутствие образования шлама.

Высокая производительность.

Возможность тонкой линии.

 

PM330

PM338

PM350

 

W200

DEC-Riston-200-DataSheet

50, 55, 65, 75

 

Для наружных слоев.

Для селективного химического никеля/ золота.

Высокая точность.

Эффективно разрешают проблемы инфильтрации золота.

 

W250

W255

W265

W275

GPM200

DEC-Riston-200-DataSheet

30,40,50

Для электролитического золота.

Металлизация NI/AU на наружном слое.

Для тонких линий.

Отсутствие явления зазубренного золота.

 

GPM230

GPM240

GPM250

LDI7200M

DEC-Riston-LDI7200-DataSheet

 

 

30,38

 

Формирование рисунка схемы: прямое лазерное экспонирование (355 Нm).

Традиционное экспонирование.

Для кислотного и щелочного травления.

 

 

 

Высокая способность закрывать отверстия. Превосходное разрешение, высокая адгезия.

Высокая устойчивость к воздействию кислот.

Очень высокая производительность.

LDI7230M

LDI7238M

 

LDI7300M

DEC-Riston-LDI7300-DataSheet

20,25,30,38

Формирование рисунка схемы: прямое лазерное экспонирование (355 Нm).

Для кислотного и щелочного травления.

 

Высокое разрешение.

Сильная адгезия.

 Быстрая скорость экспозиция.

Высокая производительность

LDI7320M

LDI7325M

LDI7330M

LDI7338M

LDI7500

20, 25, 30

Формирование рисунка схемы: прямое лазерное экспонирование (355 Нm).

Для тонкодисперсных цепей с шагом менее 80 мкм.

Для кислотного травления.

 

Высокая кислотостойкость.

 

 Высокое разрешение.

Сильная адгезия.

 Быстрая скорость экспозиция.

Высокая производительность.

LDI7520

LDI7525

LDI7530

LDI8000

 

30,38

 

Формирование рисунка схемы: прямое лазерное экспонирование  (405 нм).

Для кислотного травления.

Высокая стабильность.

 Высокая производительность.

 

LDI8030

LDI8038

 

Фоторезист пленочный ПФ-ВЩ-50 5 листов в конверте 200х300мм REXANT

  • Нет товаров для сравнения


  • Ультразвуковые волны REXANT против комаров

    ​Лето несет с собою много приятных сюрпризов и развлечений. Это время года предназначено только для удовольствий и расслабленного отдыха на природе. Однако не только люди чувствуют приближение тепла, но и насекомые. Поэтому бороться с этими малоприятными созданиями надо всеми доступными средствами. Ультразвуковой отпугиватель комаров REXANT от детей — инновационный прибор, который с успехом справляется с этой задачей.

    07.06.2016
    Лупы и лампы

    Для эффективной работы мастеру необходимо хорошее рабочее место. Оно должно быть освещенным и оборудовано различными инструментами. Поэтому качественные лампы и лупы для рабочего стола – это именно то, что необходимо настоящему мастеру.

    11.06.2015
    Архив новостей
  • Артикул: 09-3482

    Описание Фоторезист пленочный ПФ-ВЩ-50 5 листов в конверте 200х300мм REXANT

    Материал фоторезист пленочный ПФ-ВЩ-50 5 листов в конверте 200х300мм REXANT необходим при изготовлении элементов в радиоэлектронике. Он применим на стадиях, когда получают слои, проводящие электричество, необходимой формы. Слои можно расположить как на многослойной, так и на однослойной печатной плате. А получать слои, о которых идет речь, можно с помощью предлагаемого фоторезиста, используя как негативную, так и позитивную технологию.
     
    Состав товара можно описать так: полиэтилентерефталатная основа и нанесенное на нее вещество, чувствительное к свету. Полиэтиленовая пленка выполняет защитную функцию по отношению к этому слою. Непосредственно перед тем, как начать работу с фоторезистом, эту пленку удаляют. Успешно осаждается слой металла из электролита, pH которого меньше 7, за счет того, что экспонируемый фоторезист обладает достаточной гальваностойкостью. Можно обрабатывать фоторезист в растворах с pH  
    Купить фоторезист пленочный ПФ-ВЩ-50 5 листов в конверте 200х300мм REXANT оптом и в розницу можно в интернет-магазине Electro-nic.

    С этим товаром смотрят


    Отзывы о Фоторезист пленочный ПФ-ВЩ-50 5 листов в конверте 200х300мм REXANT


    Фоторезист — Справочник химика 21

        Исходным материалом при химическом способе служит фольгированный диэлектрик, т. е. изоляционный материал, на поверхность которого с одной или двух сторон наклеена медная фольга толщиной 35—50 мкм. На поверхность медной фольги вначале наносят защитный рисунок (рельеф), соответствующий заданной электрической схеме. Незащищенными остаются пробельные места. Защитный рисунок схемы выполняют стойкими к воздействию травильных растворов материалами (красками или фоторезистами). [c.104]
        Большое число применений фоторезистов кратко описано в разд. 8.5. Одно из важнейших приложений они находят в производстве электронных интегральных схем, где резисты используются для обозначения участков нанесения покрытия на кремниевой подложке, на которых в последующем образуются сопротивления, конденсаторы, диоды и транзисторы готовой схемы, а также металлические проводники, соединяющие между собой элементы, изолирующие и пассивирующие слои. В процессе производства сложной схемы может быть несколько десятков стадий переноса изображения, травления, легирования или других операций. Каждая стадия должна выполняться в пространстве с точностью не хуже сотен нанометров. Для получения необходимой точности используются фотографические методы, хотя УФ-излучение может быть дополнено более коротковолновыми рентгеновскими лучами, пучками электронов или ионов в случае необходимости размещения большого числа компонентов в малом пространстве. Применяемые в настоящее время фоторезисты в основном построены на полимерных системах. Те, которые используются в полупроводниковой промышленности, представляют собой улучшенные варианты фоторезистов для приготовления фотопластинок. В этом разделе будут описаны три типичные системы фоторезистов. [c.256]

        На лабораторных занятиях студенты знакомятся с современными способами изготовления печатных плат (ПП) и протекающими при этсм химическим и электрохимическими процессами. При анализе физико — химических процессов большое внимание уделяется теоретическим основам химического меднения, активации поверхности, особенностям применяемых растворов, получению защитного рельефа, в том числе использования различных фоторезистов [c.50]

        СИНТЕЗ ПРОИЗВОДНЫХ в-НИТРОБЕНЗИЛОВЫХ ЭФИРОВ — ПОЛУПРОДУКТОВ для ФОТОРЕЗИСТОВ с ХИМИЧЕСКИМ УСИЛЕНИЕМ ИЗОБРАЖЕНИЯ [c.53]

        Несмотря на широкий ассортимент зарубежных и отечественных фоторезистов, разработка новых светочувствительных материалов с улучшенными свойствами представляет собой важную научно-техническую задачу. Весьма актуальными в научном и прикладном отношении являются синтез и исследование свойств соединений на основе 1 -нафталинон-2-диазида 4(5)-сульфонилхлоридов с целью изучения возможности создания новых видов фоторезистов. [c.55]

        Синтезированные соединения были испытаны в качестве светочувствительного компонента для композиции фоторезиста на основе новолачных смол. [c.55]

        Синтез производных о-нитробензиловых эфиров — полупродуктов для фоторезистов с химическим усилением изображения [c.185]

        Очень интересны фоторезисты — материалы, которые под действием света приобретают способность избирательно растворяться. Такие материалы наносят на поверхность твердого тела в виде [c.137]


        Соединения серебра и меди широко используются в изготовлении так называемых печатных схем, микромодулей, твердых и пленочных схем. Особое значение в современной технологии изготовления миниатюрных радиосхем приобрела техника точного травления — точечная и порисунку. Для этого широко применяется фотолитографический метод. Он заключается в следующем. На поверхность твердого тела (кристалла) наносят слой фотоэмульсии, называемой фоторезистом (от фр. resi ter — сопротивляться). Фоторезист способен задубливаться под действием ультрафиолетового облучения, после чего может противостоять действию травителей. Свойствами фоторезиста, например, обладают желатин с добавками бихромата калия, спирта и аммиака, поливиниловый спирт с бихроматом аммония и другие вещества. Фотографическим способом изготовляют шаблон (маски) — четкий чернобесцветный рисунок на фотопластинке. Им закрывают поверхность твердого тела со слоем фоторезиста. Облучают фоторезист через шаблон ультрафиолетовой лампой. На облученных участ,ках фоторезист по-лимеризуется ( задубливается ) и переходит в нерастворимое состояние. С помощью растворителей фоторезист смывают с участков, не подвергавшихся облучению, а облученные участки остаются защищенными плотно прилегающей к поверхности, устойчивой к травителям [c.359]

        Можно на полупроводниках по рисунку нанести вакуумным напылением или электролитически, или химическим осаждением проводящие тонкие слои металла (Си, Ag и др.) или, наоборот, стравить по рисунку, например, медь с фольгированного гетинакса, что используется при изготовлении печатных схем. Фотолитографическим методом можно по рисунку удалить слой диэлектрика с полупроводника (например, 5Юо с поверхности кремния), образовать слой диэлектрика на металле или полупроводнике и т. д. Задубленные слои фоторезистов удаляют специально подобранными растворителями. [c.360]

        Разновидности Ф. т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску во втором — на позитивном фоторезисте получают негативный рис ок. [c.171]

        Технология изготовлеиия печатных плат состоит в следующем [21]. На поверхность медной фольги наносят фоторезист экспонируют печатную схему, проявляют и вытравливают рисунок. В двусторонней или многослойной печатных платах для соединения металлических слоев между собой высверливают отверстия, которые подвергают химическому меднению. Для увеличения толщины слоя меди на поверхности и внутри отверстий применяют электрохимическое меднение. Печатные схемы имеют сложный рисунок (рис. 133). В печатной схеме для компьютера — около 10 ООО отверстий. Изготовляют печатные платы толщиной от 3 до 40 мкм. Наиболее ответственный этап в технологии изготовления печатных плат — металлизация отверстий и достижение надежного контакта между слоями. Для этого, например, применяют травление диэлектрика (см. табл. 21). Раствор для травления должен удалять даже полимер, подвергнутый деструкции во время сверления. [c.259]

        Ряд перфторированных веществ чрезвычайно стойки к действию кислорода, элементного фтора и других агрессивных веществ, устойчивы при температурах даже выше 400 °С. Все это является предпосылками для их широкого применения в качестве теплоносителей, мономеров, красителей, фоторезистов, антиоксидантов, светостабилизаторов, лекарственных препаратов, детергентов. Они используются в качестве смазочных материалов и герметиков в вакуумной технике, в аэрокосмической и холодильной технике, легкой и пищевой промышленности, радиоэлектронике (в современной технологии изготовления интегральных схем для микроэлектроники, процессах газоразрядного плазмохимического травления, ионной имплантации, очистки поверхности подложек и т.п.). [c.15]

        Продукт конденсации 3,3 -диамино-4,4 -дигидроксибензофенона и 1 -нафталинон-2-диазида 5-сульфонилхлорида представляет интерес в качестве перспективного материала для композиций фоторезистов с инверсией изображения. [c.55]

        Получение более или менее постоянной записи света и тени с помощью фотографии представляет наиболее хорошо известный из прикладных фотохимических процессов. Фотография относится к одному из методов получения фотоизображения, в котором для записи и копирования изобразительной информации используются кванты света. Помимо фотографии другие широко распространенные приложения фотоизображения включают копирование деловых бумаг (ксерокопию) и изготовление различных видов печатных форм. Если рисующий свет изменяет свойства (например, растворимость) материала, используемого для защиты некоторой подложки, то последующей обработкой можно перенести изображение на первоначально защищенную шаблоном поверхность. Такие материалы называются фоторезистами. Они чрезвычайно важны в производстве печатных форм, интегральных схем и печатных плат для электронной промышленности, в изготовлении мелких компонентов типа сеток электрических бритв, пластин затворов фотоаппаратов и многих других изделий. В настоящее время большое внимание привлечено к получению изображения с целью создания полностью оптических запоминающих устройств, отличающихся от магнитных тем, что запись и считывание информации осуществляются электромагнитным излучением видимой части спектра. Хорошо развиваются сейчас приложения оптического считывания к видео- и аудиотехнологиям ( компакт-диски ), а также в области оптического считывания — записи в запоминающих устройствах для компьютеров. [c.242]


        Резисты, у которых при обработке удаляются области, подвергнутые световому воздействию, известны как позитивно работающие, потому что у них остаются области под защитным покрытием, ослабляющим действие света. Позитивный фоторезист должен состоять из образующей пленку фенолоформальде-гидной смолы, смешанной с нафтохинон-диазидным соединением, ЯВЛЯЮЩИМСЯ фоточувствительным компонентом. Отщепление азота, сопровождаемое перегруппировкой кольца и реакцией со следовыми количествами воды, присутствующей в атмосфере или самой пленке, приводит к образованию инденкарбо-новой кислоты  [c.256]

        Сама смола обладает слабокислыми свойствами и растворима в щелочных растворах, но сенсибилизатор исходно нерастворим в воде и защищает пленку. Однако инденкарбоновая кислота, образующаяся при облучении, будет растворяться в щелочном проявителе, поэтому вся освещенная пленка будет растворена, а нерастворенной останется пленка на неэкспонированных участках. Два важных негативно работающих фоторезиста зависят от фотополимеризации, а не от изменения растворимости полимера, как описано в последнем абзаце. Фотополимеризацию можно классифицировать в зависимости от того, требует ли каждое увеличение относительной молекулярной массы своей собственной фотохимической стадии активации или большое число стадий термической полимеризации происходит после поглощения кванта света. [c.257]

        Поливиниловый спирт используется в фотолитографии на его основе готовятся фоторезисты (гл. ХП, 8 и 9). Для поливинилового спирта характерны все свойства спиртов. В присутствии минеральных кислот он реагирует с альдегидами, образуя поливинилацетали. Спиртовые растворы поливинилацеталей используются как высококачественные клеи, например, для изготовления безосколочного стекла (триплекс) и в смеси с резольной фенол-формальдегидной смолой (как клей БФ). На основе поливинилацеталей готовятся высококачественные электроизоляционные эмальлаки (винифлекс), которые используются для приготовления эмалированных (обмоточных) проводов. Винифлекс был впервые разработан Всесоюзным электротехническим институтом имени В. И. Ленина. [c.387]

        В настоящее время для получения люминофорной мозаики на экране цветного телевидения почти исключительно пользуются фотопечатью. Для этого приготовляют суспензию люминофора данного свечения в водно-спир-товом 2—4%-ном растворе поливинилового спирта (см. гл. XIII, 5), содержащем 0,4—0,8% (ЫН4)2Сг207. Суспензию распределяют по экрану поливом. Цокрытие сушат, засвечивают через фотографически полученную маску определенные места ( точки ) фоторезиста, затем удаляют с незащищенных мест фоторезист с люминофором (проявление). Процесс повторяют для люминофоров другого цвета свечения, закрепляемого таким же фотолитографическим методом на других участках ( точках ) [c.459]

        Развитие научных основ электрофлотомембранной технологии позволяет решать проблемы ресурсосбережения и экологической безопасности гальванических производств. Сточные воды представляют собой сложную систему, содержащую большое количество различных минеральных и органических загрязняющих веществ, что объясняется разнообразием перерабатываемого сырья и применяемых материалов. Несмотря на существенные различия в технологии металлургического производства и металлопокрытий различных изделий, их объединяет наличие отходов, содержащих большое количество ионов меди, Щ1нка, никеля, кадмия, хрома, кислот и щелочей, фоторезист СПФ-ВЩ. [c.53]

        Исследования, проведенные с фоторезистом, в состав которого входят 12 компонентов, показали, что в растворах NaOH (раствор снятия) и КагСОз (раствор проявления) происходит его растворение в технологическом процессе и загрязнение промывных вод. Установлено, что при увеличении кислотности раствора до рН=2-3 происходит полимеризация компонентов фоторезиста и его эффективное извлечение, причем в присутствии СОз процесс протекает более эффективно. Время флотации составляет 3-5 минут. Положительное влияние на процесс оказывают ионы меди (II), железа (II и III), алюминия (III), олова (II), кальция и магния. [c.54]

        Ароматич. Д. применяют преим. для получения азокрасителей, а также как светочувствит. материалы для изготовления фоторезистов и в диазотишш (см. [c.41]

        Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

        ФОТОЛИЗ, разрыв связи в молекуле в результате поглощения фотона. Часто этот термин неточно используют в более широком смысле как любое хим. превращение при действии света на в-во. В термине импульсный фотолиз такое употребление считается приемлемым. Подр нее см. Фотохимические реакции. М.Г. Кузьмин. ФОТОЛИТОГРАФИЯ, способ формирования рельефного покрьп ия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. [c.171]

        Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

        Часто для првдания фоторезистному покрытию специфич. св-в (пошшение стойкости к травителям, уменьшение отражения из чения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные по1фьггия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. ф-ции. Двухслойное покрытие м. 6. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хнм. модификации пов-сти. [c.171]

        Осн. требования к Ф. высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, к-рые определяются обычно св-вами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений. [c.171]

        Важные практич. применения Ф. связаны с фотофафией, фотолитофафией и др. процессами записи и обработки информации, пром. и лаб. синтезом орг. и неорг. в-в (фото-нитрозирование циклогексана с целью получения капролак-тама, синтез витаминов фуппы Д напряженных полициклич. структур и др.), синтезом и модификацией полимерных материалов (фсггополимеризация, фотомодификация и фотодеструкция полимеров), квантовой электроникой (фотохим. лазеры, затв ы, модуляторы), микроэлектроникой (фоторезисты), преобразованием солнечной энергии в химическую. [c.183]

        Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]


    Фоторезист — обзор | ScienceDirect Topics

    7.3.4.1 Удаление фоторезиста и полимера

    Фоторезист необходимо удалять с полупроводниковых пластин много раз в процессе изготовления ИС. Легкость или сложность удаления будут зависеть от процессов, которым подвергался фоторезист, таких как термообработка, плазменное травление или ионная имплантация. Многие исследователи [54–62] продемонстрировали использование сверхкритических жидкостей для удаления фоторезиста в различных условиях.Ранняя работа над процессом SCORR, проведенная Лос-Аламосской национальной лабораторией, показала, что фоторезист набухает за счет диффузии CO 2 в полимерную матрицу и что сорастворитель способствует разрушению полимера и разрыву связей на поверхности. На рис. 7.3-21А показан пример набухшего фоторезиста в процессе обработки. Рисунок 7.3-21B показывает полное удаление слоя фоторезиста.

    Рис. 7.3—21. Удаление фоторезиста (A) в середине процесса scCO 2 и (B) после экспонирования, демонстрирующее полное удаление фоторезиста.В scCO 2 добавляли сорастворители с использованием процесса SCORR [55].

    Используется с разрешения Лауры Б. Ротман, представлен в Green & Конференция по устойчивой химии, Королевское химическое общество.

    Механизмы удаления фоторезиста с помощью обработки scCO 2 отличаются от типичного подхода влажной химии. Вместо растворения фоторезиста можно использовать scCO 2 для набухания полимера и последующего его отделения от поверхности. Фоторезист, подвергшийся плазменному травлению, имеет «полимерную корку» по краю рисунка и верхней поверхности, и его труднее удалить, чем основной материал.Таким образом, использование такого подхода к удалению связи может быть весьма эффективным.

    Исследование образцов фоторезиста в середине процесса может предоставить подробную информацию о механизмах. На рис. 7.3-22 видно, что фоторезист вздулся и поврежден там, где начинаются края рисунка. Поскольку сверхкритический CO 2 может проникать сквозь «корку», он может воздействовать на нижележащий фоторезист и фактически начать его извлекать. Продолжение обработки и введение импульсов быстрого сброса давления, а затем повторного повышения давления показывает, что фоторезист отслаивается от поверхности и отрывается листами, как показано на рисунке 7.3-23.

    Рис. 7.3—22. Проникновение scCO 2 и сорастворителя в фоторезист в середине процесса [63]. Ротман, Л. Б., Роби, Р. Дж., Али, М. К., и Маунт, Д. Дж., «Сверхкритические флюидные процессы для изготовления полупроводниковых устройств», Труды конференции Advanced Semiconductor Materials Conference (ASMC). Авторское право (2002) IEEE.

    Используется с разрешения.

    Рис. 7.3—23. После сброса давления и повторного повышения давления scCO 2 для снятия фоторезиста; (A) вид сверху и (B) поперечное сечение [54].

    Используется с разрешения Лауры Б. Ротман, представлено на ежегодном собрании NSF/SRC в 2003 г.

    Дополнительным требованием является наличие достаточного потока жидкости для удаления отслоившегося фоторезиста. Если поток жидкости недостаточен, отслоившийся фоторезист остается на поверхности пластины. Сходство наблюдается в утончении пограничного слоя, которое наблюдается при очистке водой, обсуждаемой в главе 4.

    В большинстве химических процессов повышение температуры ускоряет процесс.Однако в сверхкритических флюидных процессах действуют конкурирующие силы, поэтому нельзя предполагать, что более высокая температура даст лучшие результаты. При более высоких температурах плотность жидкости ниже, что может привести к снижению растворимости. Температура стеклования – это температура, выше которой полимерное вещество размягчается и становится эластичным и вязким. Исследования Савана [64] показали, что CO 2 при высоком давлении может пластифицировать полимеры и вызывать значительное снижение температуры стеклования.Это наблюдалось, как показано на рис. 7.3-24, где при повышении температуры фоторезист плавился и растекался, а не удалялся.

    Рис. 7.3—24. Расплав и течение фоторезиста после превышения температуры стеклования [63]. Ротман, Л. Б., Роби, Р. Дж., Али, М. К., Маунт, Д. Дж., «Сверхкритические флюидные процессы для изготовления полупроводниковых устройств», Труды конференции Advanced Semiconductor Materials Conference (ASMC). Авторское право (2002) IEEE.

    Используется с разрешения.

    На способность полимера растворять CO 2 влияют два фактора: кристалличность и количество поперечных связей в полимере.Наличие кристалличности в полимере препятствует сорбции CO 2 . Полимеры с высокой степенью сшивки растворяют меньше CO 2 , чем полимеры с меньшей степенью сшивки. Сорбция CO 2 впоследствии приводит к набуханию полимера и дополнительно усиливается при превышении температуры стеклования. Дополнительное разрушение полимера может происходить при взаимодействии с солюбилизированным CO 2 и/или сорастворителем. При сбросе давления солюбилизированный CO 2 начинает расширяться по мере снижения давления в сосуде.Это расширение газа и пониженное гидростатическое давление, оказываемое на полимер, часто приводят к временному усилению эффекта набухания полимера. Прежде чем взаимодействие полимер/полимер может быть восстановлено, могут возникнуть трещины под напряжением, пузыри или полное отслоение полимерной пленки, так как CO 2 быстро десорбируется. Для полного удаления фоторезиста в процессе необходимо объединить три механизма: CO 2 и сорастворитель при соответствующей температуре и давлении набухают полимер; в сочетании с быстрой декомпрессией отслаивают и отслаивают ее от поверхности; и, наконец, поток жидкости удаляет ее с поверхности пластины.

    Некоторые альтернативные подходы к удалению фоторезиста с использованием сверхкритического CO 2 заключаются в использовании системы сорастворителей, которая фактически растворяет слой «корки» и нижележащий фоторезист. Использование параметров растворимости Хансена (HSP) в качестве ориентира для выбора сорастворителя применялось для удаления фоторезиста [56, 65]. Система сорастворителей может включать более одного растворителя. Поскольку полярный раствор плохо растворяется в неполярном scCO 2 , можно использовать добавление промежуточного растворителя с полярными и неполярными группами, растворимыми в scCO 2 .

    Корзенски и др. [57] обнаружили, что добавление полярных сорастворителей к scCO 2 эффективно для фоторезиста, имплантированного ионами в малых дозах, но не для средних или высоких доз (дозы обсуждаются в главе 6). Для растворения высокодозированного ионно-имплантированного фоторезиста были необходимы химические добавки. Использование механизма восстановления или фторирования для образования растворимых фторидов или гидридов scCO 2 привело к полному удалению фоторезиста в процессе растворения.Результаты до и после показаны на рис. 7.3-25.

    Рис. 7.3—25. СЭМ-изображение (A) контрольного образца фоторезиста с ионно-имплантированным DUV (глубоким ультрафиолетом) и (B) полностью очищенного образца после обработки с использованием scCO 2 с химической добавкой [57]. Воспроизведено с разрешения ECS — The Electrochemical Society от Korzenski, M.B., Xu, C., Baum, T.H., Saga, K., Kuniyasu, H. и Hattori, T., Восьмой международный симпозиум по технологии очистки в производстве полупроводниковых устройств.

    Левитин и др. [58] исследовали реакции между гидроксидом тетраметиламмония (TMAH) и CO 2 для его использования для удаления остатков фоторезиста и посттравления. Исследования показали, что бикарбонатная соль действует как активный ингредиент для очистки. Использование бикарбоната тетраметиламмония (TMAHCO 3 ) в качестве эффективной добавки к системе scCO 2 также изучалось в зависимости от фазового поведения. Было обнаружено, что однофазные смеси обеспечивают более эффективную очистку остатков после травления, чем двухфазные смеси.

    Фоторезисты AZ и MicroChemicals TI резисты

    Позитивные, негативные и перевернутые изображения

    Позитивные резисты образуют инденкарбоновую кислоту во время экспонирования, что делает их растворимыми в водных щелочных растворах. Таким образом, положительные резисты развиваются там, где они были экспонированы, а неэкспонированные участки остаются на подложке. Так как позитивные резисты не образуют поперечных связей, структура резиста округляется при температуре выше точки размягчения, которая обычно составляет 100-130°C.

    Отрицательные стойки , такие как AZ ® NLOF 2000 ® NLOF 2000 ® или AZ ® 15NXT или 125NXT кросс-ссылка после экспозиции и (не требуется для AZ ® 125nXT ) последующий этап запекания, при этом неэкспонированная часть резиста растворяется в проявителе.

    Сшивание делает резист термически стабильным, так что даже повышенные температуры не ухудшают профиль резиста.Однако по мере повышения температуры процесса степень сшивки увеличивается, и становится трудно или даже невозможно удалить резист мокрым химическим способом.

    Реверсивное изображение Резисты могут обрабатываться как в положительном, так и в отрицательном режиме. В позитивном режиме последовательность процессов такая же, как и для позитивных резистов. В режиме переворота изображения требуется запекание переворота изображения после экспонирования с последующей экспозицией заливки без маски. Даже в отрицательном режиме степень сшивания резиста довольно низкая, поэтому структуры резиста будут округляться за пределами температуры размягчения, обычно равной 130°C.

    Методы нанесения резистивного покрытия

    Нанесение центрифугированием является наиболее распространенным методом покрытия резистов. Почти все резисты AZ ® и TI оптимизированы для центрифугирования и позволяют получить очень гладкие и однородные пленки резиста. Достигаемая толщина пленки резиста пропорциональна обратному квадратному корню из скорости вращения и, таким образом, регулируется в определенном диапазоне для каждого резиста. Однако, поскольку краевой валик становится более выраженным при низких скоростях отжима, для получения толстых пленок мы рекомендуем использовать резисты с высокой вязкостью, такие как AZ ® 4562 или AZ ® 9260 , а также подходящие профили отжима. .

    Распылительное покрытие позволяет наносить покрытие на подложки практически произвольной формы и текстуры. Для достижения ровной и однородной толщины пленки резиста, а также хорошего покрытия краев текстур (если таковые имеются) требуется оптимизированный состав резиста с различными растворителями с низкой и высокой температурой кипения. Напыляемое покрытие устойчиво к AZ ® 4999 , а TI Spray соответствует этим требованиям практически для всех видов нанесения распыляемого покрытия.

    Покрытие погружением является подходящей техникой покрытия для больших прямоугольных подложек и требует минимального расхода резиста на площадь покрытия. Для однородной толщины пленки резиста по всей подложке требуется определенный состав растворителя в резисте, как это реализовано в резисте MC Dip Coating Resist.

    Области применения резистивной маски

    Влажное химическое травление требует оптимальной адгезии к подложке.Для этой цели мы рекомендуем AZ ® 1500 серии для толщины пленки от 500 нм до 3 мкм, AZ ® ECI 3000 серии для толщины пленки 1-4 мкм. серия AZ ® 4500 для пленок толщиной несколько 10 мкм. Если требуется низкое разрешение, PL 177 является экономичной альтернативой. Травильные вещества, содержащие HF, иногда вызывают крупномасштабное отслоение резиста в результате диффузии HF через резист к подложке под ним.В этом случае, как правило, полезно увеличить толщину пленки резиста, используя такие резисты, как AZ ® 4562 или AZ ® 9260 .

    Сухое травление требует повышенной точки размягчения резиста, а также крутых боковых стенок. Резист высокого разрешения AZ ® 701 MIR 14 сП или 29 сП оптимизирован для обоих требований и имеет температуру размягчения 130°C.

    Требуется толщиной

    : Если требуется сопротивление толщины пленки, превышающие 5 мкм, толстые положительные стойки AZ ® 4562 или AZ ® 9260 или отрицательный AZ ® Рекомендуется 15nXT или AZ ® 125nXT . Два nXT устойчивы к поперечным связям и, следовательно, демонстрируют превосходную термическую стабильность во время сухого травления.

    Процесс отрыва рекомендует профиль резиста с подрезанием, который можно получить с помощью резистов с переворачиванием изображения, таких как AZ ® 5214E ​​ (толщина пленки резиста 1-2 мкм), TI 35ESx (3- 5 мкм) или негативные резисты AZ ® nLOF 2000 (2–20 мкм).Кроме того, эти резисты термически стабильны и, следовательно, помогают предотвратить скругление структур резиста во время нанесения покрытия.
    Если дизайн маски требует позитивных резистов для отрыва, боковые стенки резиста должны быть как можно более крутыми, чтобы предотвратить покрытие этих боковых стенок. Для этой цели мы рекомендуем резист высокого разрешения AZ ® 701 MIR 14cps или 29cps .

    Гальваническое покрытие требует улучшенной адгезии резиста к подложке, а также повышенной стабильности резиста в электролите.Негативные резисты AZ ® 15nXT (толщина резистивной пленки 5–30 мкм) и AZ ® 125nXT (оптимизированы для этих требований примерно до 150 мкм). Оба резиста могут быть проявлены в проявителях на основе TMAH, подвергнуты мокрому химическому удалению в обычных смывках и совместимы со всеми распространенными материалами подложек и электролитами для покрытия медью, золотом и никелем. Если для гальванического покрытия необходимо использовать позитивные резисты, серии AZ ® 4500 и AZ ® 9260 обеспечивают крутые боковые стенки и хорошую адгезию.

    Достижимая толщина пленки резиста

    Как правило, последние две цифры названия резиста обозначают толщину пленки, полученную методом центрифугирования (без гирсета) при 4000 об/мин с шагом 100 нм. Толщина примерно уменьшается с (увеличением) квадратным корнем из скорости вращения, поэтому данный резист допускает определенный диапазон достижимой толщины пленки резиста. Если желаемая толщина пленки резиста не может/не должна быть достигнута путем изменения скорости отжима, рекомендуется использовать другую доступную вязкость данного резиста.В противном случае необходимо учитывать следующее:

    Разбавление высоковязких резистов с помощью PGMEA (= AZ ® Растворитель EBR ) позволяет выполнить несколько применений с различной толщиной пленки, используя только один резист. Однако разбавленные резисты чувствительны к образованию частиц с уменьшенным сроком годности в зависимости от резиста, степени разбавления, температуры и времени хранения разбавленного резиста. Поскольку частицы частично состоят из фотоактивного соединения, фильтрация частиц перед использованием увеличивает темновую эрозию и снижает скорость проявления резиста.Для получения информации о конкретных рецептах разбавления, пожалуйста, свяжитесь с нами.

    Получение толстых пленок с резистами с низкой вязкостью проблематично по двум основным причинам:  i) требуемые низкие скорости вращения увеличивают краевой валик, и ii) в случае резистов с положительным или перевернутым изображением довольно высокая концентрация фотоактивного соединения ( низкая оптическая прозрачность) в типичных «тонких резистах» требует высоких доз облучения для достаточного экспонирования, что затрудняет получение крутых профилей резиста и может вызвать лопание и вспенивание пузырьков N2, образующихся во время экспонирования.

    Боковое разрешение и соотношение сторон

    Сам фоторезист, а также толщина пленки резиста ограничивают теоретическое разрешение. При оптимальных условиях тонкие резисты с высоким разрешением, такие как AZ ® 701 MIR , позволяют получить элементы размером прибл. 300 нм с экспозицией i-line. Помимо высокого абсолютного разрешения, для некоторых процессов требуется высокое соотношение сторон (отношение высоты элемента к его ширине). Современные толстые резисты, такие как AZ ® 9260 , допускают соотношение сторон 6-10 и даже более высокие значения при оптимизированных условиях процесса.Во многих случаях не резист, а оборудование и параметры процесса ограничивают достижимое разрешение. Чтобы максимизировать разрешение данного резиста, помимо условий экспонирования (отсутствие зазора между маской и резистом, вызванным частицами, пузырьками или краевым валиком), а также параметры мягкого обжига, доза экспонирования и проявление (проявитель и его концентрация, время разработки) должны быть тщательно оптимизированы.

    Спектральная чувствительность

    Оптическое поглощение (рис.справа) неэкспонированных позитивных фоторезистов колеблется от прибл. 460 нм в видимой области спектра до ближнего УФ, что соответствует спектру излучения ртутных ламп в выравнивателях маски. Этот спектр поглощения обуславливает типичный красновато-коричневый цвет многих фоторезистов. Во время экспонирования фоторезисты почти полностью обесцвечиваются до ок. 310 нм. Некоторые современные позитивные резисты, такие как AZ ® 5214E ​​ или AZ ® 9260 , не чувствительны к G-линии, в то время как большинство негативных резистов, например AZ ® nLOF 2 или AZ ® 15nXT и 125nXT чувствительны только вблизи линии i и поэтому кажутся человеческому глазу почти бесцветными.Диапазон оптического поглощения не заканчивается резко в сторону более высоких длин волн. Таким образом, высокая интенсивность освещения (например, лазерное скрайбирование) или -times позволяет экспонировать также около 10 нм в видимой части спектра. легче проверить результат покрытия.

    Примечание:

    MicroChemicals распространяет оригинальные фоторезисты AZ ® как в оригинальных торговых единицах, так и в небольших торговых единицах объемом 250 мл и 1.000 мл, повторно розливают во флаконы в условиях чистой комнаты (класс 10). Эти резисты охватывают огромный диапазон толщин практически для всех литографических применений на основе резистов с положительным и отрицательным тоном.

    MicroChemicals разрабатывает, производит и распространяет фоторезисты TI для специальных применений, таких как отрыв, плазменное и жидкостное химическое травление. Индивидуальные преимущества указываются индивидуально.
     
    Общие сведения см. в INTRODUCTION.pdf

    Фоторезисты для литографии | Дюпон

    Фоторезисты


    Соответствие требованиям поколения литографии

    DuPont предлагает надежную, проверенную в производстве линейку фоторезистов с вариантами материалов, которые соответствуют требованиям для всех поколений литографических процессов от 365 нм до 13.Длина волны 5 нм и экспозиция, обеспечивающая характеристики от 280 до 20 нм.

    Стремление к достижению все более мелких технологических узлов означает, что фоторезисты должны обеспечивать более высокое и лучшее разрешение с большей глубиной резкости и меньшим количеством дефектов. В то же время устаревшие узлы полагаются на проверенные и надежные рецептуры. От нашей линейки i-line/g-line до семейств продуктов 193 и KrF — у DuPont есть фоторезисты, соответствующие вашим потребностям.

    В сочетании с травильными, проявочными и вспомогательными продуктами DuPont вы получаете комплексное решение по материалам для поддержки процессов производства полупроводников.

    Наш широкий ассортимент также позволяет нам адаптировать фоторезисты к конкретным требованиям заказчика.

    Продукция i-Line

    Наши устаревшие фоторезисты i-Line (365 нм) разработаны с учетом различных требований к толщине при высоком разрешении и низком уровне дефектов.

    Сопутствующие товары:

    • SPR™ 3 Фоторезист
    • SPR™ 700 Фоторезист
    • Фоторезисты MCPR™

    Продукция DUV

    Наши фоторезисты DUV (248 нм) демонстрируют отличные характеристики продукта с низким уровнем дефектов для различных областей применения.

    • UV™ Positive Tone Resist поддерживает экспозицию и раннее проявление. Он обеспечивает высокое разрешение для размещения шаблонов меньшего размера.
    • UVN™ Negative Tone Resist, в котором экспонирование проявляется в обратном порядке. Резист UVN™, не содержащий пены, является оптимальным решением для нанесения рисунка на глубокие канавки.
    • SL™ Resist — это наш низкотемпературный резист, который запекается при температуре менее 100°C. Он отличается высоким разрешением и подходит для небольших размеров шаблонов.

    Фоторезисты EPIC™

    Фоторезисты

    EPIC™ представляют собой серию из 193 резистов, широко используемых в 193 процессах с верхним покрытием и без него.EPIC™ IM Resist от DuPont разработан для уникальной среды, создаваемой иммерсионной литографией, в которой вода между линзой и пластиной позволяет экспонировать более тонкие узоры.

    • Предотвращает проникновение компонентов резиста, попадающих в воду, в пленку резиста
    • Создает барьерный слой между водой и резистом, устраняя необходимость в барьерном слое и экономя время и деньги клиентов

    Фоторезист — полупроводниковая техника

    Центр знаний

    Светочувствительный материал, используемый для формирования рисунка на подложке.

    Фоторезист — светочувствительный полимер. При воздействии ультрафиолетового света превращается в растворимый материал. Затем эти открытые участки можно растворить с помощью растворителя, оставив после себя рисунок.

    Хотя в полупроводниковой литографии это делалось в течение многих лет, проблема заключается в том, что световой пучок ArF с длиной волны 193 нм слишком толстый для конструкций размером менее 22 нм, которые невозможно реализовать с помощью одного прохода лазера. Однако экстремальное ультрафиолетовое излучение неоднократно задерживалось, потому что источник энергии недостаточен для того, чтобы сделать его экономически выгодным. Пока продолжается работа над источником питания, исследователи также пытаются сделать фоторезист более чувствительным, решая проблему с двух сторон, а не только с одной.

    Большинство резистов, используемых сегодня, представляют собой химически амплифицированные резисты. В них падающий свет не вызывает растворения полимера основной цепи напрямую. Скорее, свет поглощается генераторами фотокислоты (ПАГ), которые высвобождают несколько молекул фотокислоты на фотон. Фотокислота вступает в реакцию с защитными группами на основной цепи полимера, «снимая защиту» с нее и заставляя ее растворяться в проявителе. С резистами EUV падающий свет может также возбуждать фотоэлектроны, которые, в свою очередь, могут запускать реакцию образования фотокислоты.

    Таким образом, в самом сердце химии химически усиленных резистов мы находим компромисс между разрешением и чувствительностью. Чтобы максимизировать разрешение, разработчики резистов хотели бы, чтобы молекулы основной цепи были небольшими, а реакция снятия фотокислотной защиты происходила близко к местоположению ПАГ. Как расстояние диффузии фотокислоты, так и количество резиста, снятого с защиты каждой молекулой фотокислоты, должны быть небольшими.

    С другой стороны, чтобы максимизировать чувствительность, разработчики ищут почти противоположные характеристики.Поперечное сечение захвата фотонов должно быть большим, чтобы использовать как можно больше фотонов. Каждый фотон должен генерировать множество молекул фотокислоты, которые должны быстро диффундировать в слой резиста, чтобы снять защиту с максимально возможного количества полимерных цепей. К сожалению, большое расстояние распространения, которое предполагает это поведение, способствует размытию, неопределенности размеров экспонируемого элемента.

    1. Из чего состоят фоторезисты и как они работают?

    Фоторезисты  в частности, используются в микроэлектронике и микросистемных технологиях для изготовления микрометровых и субмикронных структур.Allresist предлагает широкий спектр различных типов резистов, которые охватывают широкий спектр применений:

    Фоторезисты производства Allresist, например AR-P 1200 (спрей-резисты), AR-P 3100, 3200, 3500, 3700 состоят из комбинации пленкообразующих агентов, таких как, например, крезольные новолачные смолы и светочувствительные компоненты, такие как напр. нафтохинондиазид (НХД), которые растворяют в растворителях, таких как, например, метоксипропилацетат (эквивалент PGMEA). Добавление светочувствительного компонента к растворимому в щелочи новолаку приводит к снижению растворимости в щелочи.NCD-группы блокируют OH-группы крезола новолака, который уходит в отставку; снижается растворимость в щелочах (ингибирующий эффект). После экспонирования при длине волны 308–450 нм (УФ-диапазон) с использованием маски для экспонирования светочувствительный компонент преобразуется в соответствующее производное инденкарбоновой кислоты, блокировка снимается, и, таким образом, растворимость позитивных резистов в щелочи повышается в 3 раза. 100. После проявления остаются только те области, которые были защищены маской, а открытые участки отделяются. Показатель преломления резистов на основе новолака находится в диапазоне от 1.58 – 1,63. После проявления остаются только участки, защищенные маской, а облученные участки растворяются. Фоторезисты обеспечивают превосходную защиту от жидких травильных сред со значениями pH от 0 до 12.

    Негативные фоторезисты , такие как AR-N 4200, 4300, 4400, состоят из новолаков и бисазидов (4200, без CAR) или новолаков, генераторов кислоты и аминовые компоненты (4300, 4400, CAR), растворенные в более безопасных растворителях, например, метоксипропилацетат (PGMEA). (CAR = химически усиленный резист).Химическая амплификация основана на образовании кислот при облучении и последующем сшивании аминовых компонентов новолаками. Поскольку кислоты (протоны) непрерывно образуются во время реакции сшивания, каждый протон может индуцировать множество событий сшивания, что приводит к высокой чувствительности.

    После экспонирования и последующего этапа закалки композиция CAR приводит к поперечному сшиванию экспонированной пленки негативного тона. Следовательно, облученные области становятся нерастворимыми и остаются после проявления, в то время как необлученные области все еще растворяются и растворяются проявителем.

    Толстые негативы толщиной до 200 мкм могут быть получены с помощью CAR 44 (AR-N 4400). Эти резисты, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн 300–440 нм и к синхротронному излучению, обеспечивают превосходное структурное качество. Слои и структуры размером до 100 мкм могут быть реализованы с помощью фотолитографии.

    Реверсивные резисты  например, резисты серии AR-U 4000; позитивные резисты с дополнительным аминным компонентом. В зависимости от производственного процесса могут быть созданы позитивные или негативные изображения.Для позитивного режима экспонирование и проявление осуществляется как обычно для позитивных резистов. Негативные изображения получаются, если после экспонирования по изображению проводится дополнительный этап закалки и заливки всей поверхности (Вопрос 13).

    Резисты для отрыва  являются положительными резистами AR-P 5300 и двухкомпонентной системой резистов AR-BR 5400/AR-P 3510. Отрыв (испарение и напыление металла) также возможен с отрицательными резистами. AR-N 4200, 4300 и 4450, а также с переворотом изображения противостоит AR-U 4000.Во всех случаях должна быть создана подрезанная кромка резиста, чтобы резист не растворялся средством для удаления дальше, чем металлизированная кромка после нанесения металла.

    Структура с подрезкой

    Защитные покрытия , такие как AR-PC 500 и 5000, предлагаются компанией Allresist для самых разных областей применения, например. для защиты обратной стороны обработанных пластин во время травления KOH и HF, для механической защиты при транспортировке или в качестве изолирующего слоя.Специальным защитным покрытием является Electra 92 (AR-PC 4010, 5091), которое является проводящим и используется для электронно-лучевой литографии. Защитные покрытия не чувствительны к свету и не могут образовывать узор, если используются отдельно. Однако на них можно наносить фоторезисты в контексте двухслойной системы.

    Allresist также производит широкий ассортимент специальных резистов, например, стойкие к гальванопокрытию резисты , такие как SX AR-P 5900/4, для применений, выполняемых при значении pH 13.

    -P 5910 (ранее X AR-P 3100/10) обладает значительно лучшими адгезионными свойствами, чем все другие фоторезисты.

    Для нанесения рисунка на стекло/SiO 2  подложек в концентрированном HF , двухкомпонентной системе положительных тонов SX ARPC 5000/40 – AR-P 3540 T или двухкомпонентной системе отрицательных тонов SX AR- Рекомендуется ПК 5000/40 – АР-Н 4400-10. Сначала верхний слой фоторезиста проявляют в водно-щелочных условиях, а затем в растворителях проявляют нижнюю пленку SX AR-PC 5000/40.

    AR продукты доступны как для глубокого УФ-диапазона 240–300 нм (AR-N 4200, 4300), так и для длинноволнового диапазона до 500 нм (SX AR-P 3500/ 6).

    Термостойкие резисты до 400 °C — это полиимидные резисты SX AR-PC 5000/80 и SX AR-P 5000/82 и SX AR-P 3500/8 (PHS).

    фоторезист

    Фоторезист — это светочувствительный материал, используемый в ряде промышленных процессов, таких как фотолитография и фотогравировка, для формирования узорчатого покрытия на поверхности.

    Дополнительные рекомендуемые знания

    Тон фоторезиста

    Фоторезисты делятся на две группы: позитивные резисты и негативные резисты.Позитивный резист представляет собой тип фоторезиста, в котором часть фоторезиста, подвергающаяся воздействию света, становится растворимой в проявителе фоторезиста, а неэкспонированная часть фоторезиста остается нерастворимой в проявителе фоторезиста.

    Негативный резист представляет собой тип фоторезиста, в котором часть фоторезиста, подвергающаяся воздействию света, становится относительно нерастворимой в проявителе фоторезиста. Неэкспонированная часть фоторезиста растворяется проявителем фоторезиста.

    Поглощение в УФ и более коротких длинах волн

    Фоторезисты чаще всего используются при длинах волн в ультрафиолетовом спектре или короче (бензол [2] или углеродные хромофоры с двойной связью [3] появляются при длине волны около 200 нм. Из-за появления большего количества возможных переходов поглощения, связанных с большей разницей энергий, поглощение имеет тенденцию к увеличению с более короткой длиной волны или большей энергией фотона.Фотоны с энергией, превышающей потенциал ионизации фоторезиста (обычно 8 эВ), также могут высвобождать электроны, которые способны дополнительно экспонировать фоторезист.От примерно 8 эВ до примерно 20 эВ фотоионизация электронов внешней «валентной зоны» является основным механизмом поглощения [4]. Выше 20 эВ ионизация внутренних электронов и оже-переходы становятся более важными. Поглощение фотонов начинает уменьшаться по мере приближения к области рентгеновского излучения, поскольку допускается меньшее количество оже-переходов между глубокими атомными уровнями при относительно более высокой энергии фотона. Поглощенная энергия может запускать дальнейшие реакции и в конечном итоге рассеивается в виде тепла. Это связано с выделением газов и загрязнением фоторезиста.

    Электронно-лучевое облучение

    Фоторезисты

    также можно подвергать экспонированию электронными лучами с теми же результатами, что и экспонирование светом. Основное отличие состоит в том, что в то время как фотоны поглощаются, отдавая всю свою энергию сразу, электроны отдают свою энергию постепенно и во время этого процесса рассеиваются внутри фоторезиста. Как и в случае с высокоэнергетическими длинами волн, многие переходы возбуждаются электронными пучками, поэтому нагрев и выделение газа по-прежнему вызывают беспокойство. Энергия диссоциации связи С-С равна 3.6 эВ. Вторичные электроны, генерируемые первичным ионизирующим излучением, обладают энергией, достаточной для диссоциации этой связи, вызывая разрыв. Кроме того, низкоэнергетические электроны имеют большее время взаимодействия с фоторезистом из-за их меньшей скорости. Расщепление разбивает исходный полимер на сегменты с меньшей молекулярной массой, которые легче растворяются в растворителе.

    Не принято выбирать фоторезисты для экспонирования электронным лучом. Электронно-лучевая литография обычно использует резисты, специально предназначенные для воздействия электронным лучом.

    DNQ-новолачный фоторезист

    Один очень распространенный положительный фоторезист, используемый с линиями I, G и H ртутной лампы, основан на смеси диазонафтохинона (DNQ) и новолачной смолы (фенолоформальдегидной смолы). DNQ ингибирует растворение новолачной смолы, однако при воздействии света скорость растворения увеличивается даже по сравнению с чистым новолаком. Механизм, с помощью которого неэкспонированный DNQ ингибирует растворение новолака, не совсем понятен, но считается, что он связан с водородными связями (или, точнее, с диазосочетанием в неэкспонированной области).DNQ-новолачные резисты проявляются растворением в щелочном растворе (обычно 0,26 н. гидроксида тетраметиламмония в воде).

    Один очень распространенный негативный фоторезист основан на полимере на основе эпоксидной смолы. Общепринятое название продукта – фоторезист СУ-8.

    Фоторезист ДУФ

    Резист к глубокому ультрафиолету (DUV), как правило, представляет собой полимеры на основе полигидроксистирола. с генератором фотокислоты, обеспечивающим изменение растворимости. Однако этот материал не испытывает диазосопряжения.Комбинированные механизмы поглощения бензол-хромофор и ДНХ-новолака приводят к более сильному поглощению фоторезистами ДНХ-новолака в DUV, что требует гораздо большего количества света для достаточной экспозиции. Сильное поглощение DUV приводит к снижению чувствительности фоторезиста.

    Химическая амплификация

    Фоторезисты

    , используемые в производстве для DUV и более коротких длин волн, требуют использования химического усиления для повышения чувствительности к энергии воздействия.Это делается для того, чтобы бороться с большим поглощением на более коротких длинах волн. Химическое усиление также часто используется при электронно-лучевом облучении для повышения чувствительности к дозе облучения. При этом кислоты, высвобождаемые экспозиционным излучением, диффундируют во время этапа спекания после экспонирования. Эти кислоты делают окружающий полимер растворимым в проявителе. Одна молекула кислоты может катализировать многие такие реакции «снятия защиты»; следовательно, требуется меньше фотонов или электронов. Кислотная диффузия важна не только для повышения чувствительности фоторезиста и пропускной способности, но и для ограничения шероховатости края линии из-за статистики дробового шума. a b D. van Steenwinckel et al., J. Vac. науч. Тех. Б, том. 24, 316-320 (2006). .

    Фоторезистные радиометры и фотометры | ILT

    Фоторезист/фотолитография — химическое вещество, которое становится нерастворимым под воздействием ультрафиолетового света

    Фоторезист представляет собой светочувствительное химическое вещество, которое используется для формирования покрытия на поверхности или подложке и используется для формирования рисунков для промышленной обработки.Затем на это покрытие можно воздействовать определенной полосой света, называемой спектром действия фоторезиста, чтобы вызвать желаемое изменение фоторезиста. Это изменение приводит к тому, что фоторезист либо становится растворимым, либо нерастворимым по отношению к другому химическому веществу, называемому проявителем, который будет промываться фоторезистом.

     

    После проявления фоторезист, подвергшийся воздействию света в спектре действия, либо остается, либо смывается, оставляя рисунок, который затем можно использовать для дальнейшей обработки, такой как химическое травление, гравировка или литография.

     

    Фоторезист/фотолитография широко используются во многих технологиях, включая микрообработку

    Фоторезист/фотолитография широко используется в производстве печатных плат, где узоры, созданные с его помощью, размещают соединения схемы или дорожки печатных плат с помощью травильных химикатов.

     

    Другим активным пользователем фотолитографии и фоторезиста является полупроводниковая промышленность, где это важный шаг в фотолитографическом производстве микрошаблонов, которые используются для формирования крошечных схем отдельных полупроводниковых устройств.

     

    Фоторезисты

    также нашли применение в биомедицинской инженерии, голографии и микрообработке. Последнее применение, микрообработка, является быстро развивающейся областью промышленных технологий.

     

    Также известная как MEMS, сокращение от Micro-Electro-Mechanical Systems technology, микрообработка вывела использование фоторезиста на новую замечательную высоту. Специальные фоторезисты и подложки тщательно обрабатываются и многократно проявляются в слоях микроразмера, образуя полнофункциональные микросхемы, структуры и даже целые машины, такие как зубчатые передачи, клапаны, зеркала, датчики и гироскопы.Некоторые устройства MEMS могут иметь размер всего один микрометр.

     

    DLP или цифровая обработка света — это технология, используемая в современных проекционных телевизорах, в которой используется микрочип с тысячами микроскопических зеркал на поверхности, изготовленный по технологии MEMS, а также источник света для создания гладких, высококонтрастных изображений без дрожания. .

     

    Контроль экспонирования фоторезистов имеет решающее значение для поддержания производства

    Существует множество типов фоторезистов, подходящих для самых разных применений, и спектры действия могут варьироваться от одного к другому.Крайне важно контролировать настройки экспонирования спектра действия, как интенсивность света, так и время экспонирования, чтобы избежать расточительного недоэкспонирования или переэкспонирования фоторезиста во время обработки и производства.

     

    Для сохранения этих настроек требуется экспонометр со спектральной характеристикой, максимально близкой к спектру действия фоторезиста, чтобы получить точное представление о том, насколько хорошо экспонируется фоторезист. Еще больше усложняет ситуацию то, что технологическое оборудование, на котором экспонируются фоторезисты, часто бывает очень компактным и имеет минимальное пространство для проведения этих измерений.

     

    International Light Technologies стремится предоставить множество уникальных инструментов для фоторезистов, чтобы помочь нашим клиентам в выполнении этих часто сложных измерений.

     

    Выбор системы

    Счетчики

    ILT поставляются с прослеживаемой NIST, аккредитованной по ISO 17025 калибровкой в ​​ваттах, люменах, ваттах/см 2 , люксах и фут-канделях, а также с полным спектральным анализом.

     

    Входная оптика, включая небольшие косинусные рецепторы, интегрирующие сферы, адаптеры узкого луча и апертуры (для проверки однородности), могут быть добавлены к системам ILT, что делает их наиболее универсальными доступными системами.

     

    Инженеры ILT и персонал технической поддержки готовы настроить системы в соответствии с уникальными требованиями наших клиентов.

     

    Используйте приведенную ниже таблицу, чтобы определить систему (измеритель + детектор), которая соответствует вашему конкретному приложению. Используйте таблицу, чтобы найти спектральный диапазон, который вы хотите измерить. Таблицу можно отфильтровать, чтобы отобразить наши измерители по типу (например, ручные), а также выполнить поиск по минимальному и максимальному спектральному диапазону, который вы хотите измерить.Таблицы также можно сортировать для группировки систем по типу измерителя, спектральному диапазону, диапазону измерения и единицам измерения. Нажмите на ссылку продукта системы, чтобы просмотреть ее детали.

     

    Нужна помощь? Свяжитесь с нами, используя форму ниже, или по телефону 978-818-6180.

     

    * Все радиометры/фотометры/спектрорадиометры отслеживаются NIST.
    * Если единицы измерения не указаны, свяжитесь с нами (также доступны эмпирические единицы, например,
    fc , фл, нит, лм/фут²).  
    Изображение предоставлено Sandia National Laboratories, SUMMiTTM Technologies, mems.sandia.gov

     

     

    Обзор всех люксметров по типу применения

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.