Irf 740 технические характеристики: Irf740 характеристики схема подключения

Содержание

Аналоги для irf740 — Аналоги

IRF740 2SK2841

Ближайший аналог

IRF740 D84EQ2

Полный аналог

IRF740 STP11NK40Z

Полный аналог

IRF740 STP11NK40Z

Ближайший аналог

IRF740 STP7NK40Z

Ближайший аналог

IRF740 STP7NK40Z

Ближайший аналог

IRF740 VN2340N5

Полный аналог

IRF740 КП740

Отечественный и зарубежный аналоги

IRF740 КП776А

Отечественный и зарубежный аналоги

IRF7401 HAT2026R

Ближайший аналог

IRF7401 MMSF10N02Z

Полный аналог

IRF7401 MMSF5N02HD

Полный аналог

IRF7401 MMSF5P02HD

Ближайший аналог

IRF7401 NDS8425

Ближайший аналог

IRF7401 NDS8426A

Функциональный аналог

IRF7401 RF1K49211

Ближайший аналог

IRF7401 RF1K49211

Ближайший аналог

IRF7401 Si4426DY

Ближайший аналог

IRF7401 Si9428DY

Ближайший аналог

IRF7401 Si9804DY

Ближайший аналог

IRF7401 STS6NF20V

Ближайший аналог

IRF7401 TPC8001

Ближайший аналог

IRF7401 TPC8008

Ближайший аналог

IRF7401 uPA1701

Ближайший аналог

IRF7401 uPA1701A

Ближайший аналог

IRF7401 uPA1752

Ближайший аналог

IRF7402 STS6NF20V

Полный аналог

IRF7403 FDS6612A

Ближайший аналог

IRF7403 FDS6614A

Ближайший аналог

IRF7403 HAT2020R

Функциональный аналог

IRF7403 HAT2025R

Полный аналог

IRF7403

Mi4416L

Ближайший аналог

IRF7403

Mi9412

Ближайший аналог

IRF7403

Mi9412L

Ближайший аналог

IRF7403 RF1K49156

Ближайший аналог

IRF7403
RF1K49156

Ближайший аналог

IRF7403 Si4412ADY

Ближайший аналог

IRF7403 Si4412DY

Функциональный аналог

IRF7403 SI4416DY

Ближайший аналог

IRF7403 Si4800DY

Ближайший аналог

IRF7403 Si9410DY

Функциональный аналог

IRF7403
Si9936DY

Полный аналог

IRF7403 STS11NF30L

Ближайший аналог

IRF7403 STS7DNF30L

Полный аналог

IRF7403 STS7NF30L

Ближайший аналог

IRF7403 STS8NF30L

Полный аналог

IRF7403 STS9NF3LL

Полный аналог

IRF7403 TPC8001

Ближайший аналог

IRF7403 TPC8006-H

Ближайший аналог

IRF7403 TPC8401

Ближайший аналог

IRF7403 uPA1700

Функциональный аналог

IRF7403 uPA1700A

Функциональный аналог

IRF7403 uPA1702

Ближайший аналог

IRF7403 uPA1705

Ближайший аналог

IRF7404 AAT8107

Возможный аналог

IRF7404 BSO203SP

Возможный аналог

IRF7404 FDS8433A

Ближайший аналог

IRF7404 FDS9431A

Ближайший аналог

IRF7404 HAT1021R

Функциональный аналог

IRF7404 HAT1023R

Ближайший аналог

IRF7404

Mi9434

Ближайший аналог

IRF7404 MMSF3P02HD

Полный аналог

IRF7404 MMSF4P01HD

Полный аналог

IRF7404 Si9430DY

Ближайший аналог

IRF7404 Si9431DY

Ближайший аналог

IRF7404 Si9433DY

Ближайший аналог

IRF7404 Si9434ADY

Ближайший аналог

IRF7404 Si9434DY

Полный аналог

IRF7404 Si9803DY

Ближайший аналог

IRF7404 STS5PF20V

Ближайший аналог

IRF7404 TPC8102

Ближайший аналог

IRF7406 BSO303SP

Возможный аналог

IRF7406 FDS9435A

Ближайший аналог

IRF7406 HAT1020R

Функциональный аналог

IRF7406 HAT1026R

Ближайший аналог

IRF7406

Mi4431

Ближайший аналог

IRF7406

Mi9435

Ближайший аналог

IRF7406 NDS9400A

Ближайший аналог

IRF7406 Si4431ADY

Ближайший аналог

IRF7406 Si4431DY

Ближайший аналог

IRF7406 Si4831DY

Ближайший аналог

IRF7406 Si9435DY

Полный аналог

IRF7406 STS6PF30L

Ближайший аналог

IRF7406 TPC8102

Ближайший аналог

IRF7406 TPC8105-H

Ближайший аналог

IRF7406 TPC8401

Ближайший аналог

IRF7406 TPC8402

Ближайший аналог

IRF7406 TPC8403

Ближайший аналог

IRF7406 uPA1710

Функциональный аналог

IRF7406 uPA1710A

Функциональный аналог

IRF7406 uPA1711

Ближайший аналог

IRF7406 uPA1712

Функциональный аналог

IRF7406 uPA1714

Ближайший аналог

IRF740A 2SK2841

Ближайший аналог

IRF740A 2SK2841

Ближайший аналог

IRF740A 2SK2949

Ближайший аналог

IRF740A 2SK2952

Ближайший аналог

IRF740A BUZ61

Функциональный аналог

IRF740A BUZ61A

Ближайший аналог

IRF740A IRF740A

Ближайший аналог

IRF740A IRF740A

Ближайший аналог

IRF740A MTP10N40E

Полный аналог

IRF740A PHP10N40E

Ближайший аналог

IRF740A PHP13N40E

Функциональный аналог

IRF740A PHW10N40E

Ближайший аналог

IRF740A PHW13N40E

Функциональный аналог

IRF740A RFP7N40

Функциональный аналог

IRF740A RFP7N40

Функциональный аналог

IRF740A STP10NA40

Полный аналог

IRF740A STP11NB40

Полный аналог

IRF740A STP11NK40Z

Полный аналог

IRF740A STP11NK40Z

Полный аналог

IRF740A STP7NK40Z

Ближайший аналог

IRF740A STP7NK40Z

Ближайший аналог

IRF740AL IRFI740A

Ближайший аналог

IRF740AS IRFW740A

Ближайший аналог

IRF740AS MTB10N40E

Полный аналог

IRF740AS PHB10N40E

Ближайший аналог

IRF740AS PHB13N40E

Функциональный аналог

IRF740AS STB11NB40

Полный аналог

IRF740AS STB11NK40ZT4

Полный аналог

IRF740B STP11NK40Z

Полный аналог

IRF740LC 2SK2841

Ближайший аналог

IRF740S 2SK2949

Ближайший аналог

IRF740S STB11NK40ZT4

Полный аналог

IRF740 to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :M-127-303
Обновление: 2022-02-25
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRF740 to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с IRF740 to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
303 IRF740 to-220 Транзистор IRF740 (IRF740N, IRF740B) — MOSFET, N-канал, 400В, 10А, 134Вт, 0.54 Ом, TO-220 43 pyб.
609 IRF840 Транзистор IRF840 — Power MOSFET N-Channel, 500V, 8A, TO-220 54 pyб.
36 FQPF7N60C Транзистор FQPF7N60C (FQPF7N60, 7N60) — Power MOSFET, N-Channel, 600V, 7A, TO-220FP 58 pyб.
282 TL431A to-92 Микросхемы TL431 (TL431A) — Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92 5 pyб.
617 2SA1013 Транзистор 2SA1013 — PNP Transistor, CTV-NF/VA 160V, 1A, 0.9W, 15MHz, TO-92MOD 3.4 pyб.
224 PC817C dip-4 Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) — 5кВ 35В 0.05A, DIP4 11 pyб.
221 UC3842AN dip-8 Микросхемы UC3842AN (UC3842) — ШИМ контроллер Von 16V, Vof 10V, макс.скважность 100% 16 pyб.
272 2SC5707 to-251 Транзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-251 20 pyб.
353 1N4007 dip Диод 1N4007 — RECTIFIER STANDARD RECOVERY GPP, 1A, 1000V, DO-41 1.4 pyб.
526 R2M Стабилитроны R2M — 130V 22 pyб.

 

характеристики на русском и аналоги

Все характеристики тиристора PCR406J взяты из оригинальной документации и переведены на русский. Обычно его используют в подключении непосредственно к выходам микроконтроллеров, логических микросхем и другим маломощным источникам управляющего сигнала. Он способен работать в качестве двунаправленного коммутатора. Он часто встречается в системах управления ёлочными гирляндами, выпущенными в Китае. Изготавливается по диффузионно-планарной технологии. Структура p-n-p-n.

Распиновка

Чаще всего его можно встретить в корпусе ТО-92 для дырочного монтажа и в упаковке SOT-23 для поверхностного. Данная модель маркируется тремя цифрами 406, которые наносятся на корпус. С расположением ножек — цоколёвкой тиристора pcr406j для обеих модификаций можно познакомиться по рисунку ниже.

Технические характеристики

Главные характеристики на которые нужно обратить внимание при расчёте узлов радиоаппаратуры, являются максимально допустимые. При подборе аналогичного прибора для замены также следует обращать внимание на эти данные. Следует помнить, что реальные рабочие параметры должны быть примерно на 20% меньше предельных. Прибор не может долго работать при нагрузках равных или больших допустимых. Тестирование проводится в лаборатории компании производителя при температуре окружающего воздуха +25ОС.

Предельные характеристики PCR406J:

  • максимальное напряжение К — А в закрытом состоянии (при температуре Tj= от 40 до 125°C) VDRM = 400 В;
  • предельно допустимый ток открытого тиристора (при Tc=40°C) IT(RMS) = 0,8 А;
  • средний ток через открытый тиристор (при Tc=40°C) IT(AV) = 0,5 А;
  • импульсное обратное напряжение на затворе (IGR=10 нA) VGRM = 1 В;
  • импульсный ток через управляющий электрод (время импульса не более 10 мс) IGM = 0,1 А;
  • рассеиваемая мощность (время импульса не более 20 мс) PG(AV) = 150 мВ;
  • температура перехода -40 … +125ОС;
  • рабочая температура -40 … +125ОС;
  • температура пайки 250 ОС;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство, размещают их в технической документации сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

Электрические характеристики транзистора PCR406J (при Т = +25 оC)
Название параметра Обозн Условия тестирования min typ max Ед. изм
Пиковый ток между анодом и катодом в закрытом состоянии IDRM VDRM(RGK=1кОм), Tj=125°C 0,1 мА
VDRM(RGK=1кОм), Tj=25°C 1,0 мкА
Напряжение в открытом состоянии VT IT=0,4 A 1,4 В
IT=0,8 A 2,2
Пороговое напряжение в открытом состоянии VT(TO) Tj=125°C 0,95 В
Открывающий ток IGT VD=7V 200 В
Открывающее напряжение VGT VD=7V 0,8 В
Ток удержания IH RGK=1KΩ 5 мА
Ток фиксации IL RGK=1KΩ 6 мА
Критическая скорость нарастания напряжения DV/DT VD=0.67*VDRM

(RGK=1 кОм),

Tj=125°C

Ток утечки в закрытом состоянии VGD VDRM = 400 В

RGK =1 кОм

Tj = 110℃

0,1 В

Аналоги

Самым близким аналогом PCR406J является MCR 100. Среди других тиристоров можно найти подобные, но при замене, как и всегда, нужно ознакомиться с технической документацией. Среди отечественных радиоэлектронных деталей похожего нет.

Производители

Производством PCR406J занимаются такие Китайские компании: Unisonic Technologies, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Foshan Blue Rocket Electronics. В отечественных магазинах можно приобрести изделия выпущенные Unisonic Technologies.

65993-16: ИРФ-479А, ИРФ-479Б Спектрорефрактометры Аббе портативные

Назначение

Спектрорефрактометры Аббе портативные ИРФ — 479А, ИРФ — 479Б (далее -спектрорефрактометры) предназначены для измерения показателя преломления и средней дисперсии моторных топлив и других светлых нефтепродуктов.

Описание

Принцип действия спектрорефрактометров основан на методе измерения предельного угла преломления при прохождении светом границы раздела исследуемой среды, соприкасающейся с рабочей поверхностью измерительной призмы, а также методе компенсации общей угловой дисперсии выходящих из измерительной призмы предельных лучей.

Конструктивно спектрорефрактометры состоят из блока рефрактометрического, стакана и подставки. Блок рефрактометрический выполнен в виде зрительной трубы, в которой последовательно закреплены измерительная призма, призма прямого зрения (призма Амичи), объектив, шкала и окуляр. Стакан закреплен на подставке и содержит осветительную призму.

Лучи естественного света с помощью осветительной призмы попадают в стакан и проходят тонкий слой исследуемого вещества, преломляются в измерительную призму, вторично преломляются на выходной полированной грани измерительной призмы (стекло -воздух) и попадают в зрительную трубу. Свет проходит диафрагму, компенсатор дисперсии и объектив. В фокальной плоскости объектива, совпадающей с плоскостью шкалы, формируется изображение границы светотени, положение которой относительно шкалы определяется показателем преломления исследуемого вещества. Шкалу и границу светотени наблюдают с помощью окуляра. Перемещая окуляр, можно установить резкость изображения шкалы и границы по глазу оператора в пределах ±5 диоптрий. Шкала выполнена равномерно и содержит 110 делений, из них 10 оцифрованные.

На корпусе зрительной трубы имеется кольцо для поворота компенсатора дисперсии и нониус для определения угла поворота компенсатора, который определяется дисперсией исследуемого вещества.

Спектрорефрактометры изготавливаются в двух модификациях:

—    ИРФ-479А — переносной вариант со складывающейся подставкой, принадлежностями и футляром;

—    ИРФ-479Б — стационарный вариант, в котором имеется цифровой термометр и отсек для принадлежностей.

Программное обеспечение

отсутствует.

Технические характеристики

Таблица 1

Технические характеристики

Значение

1. Диапазон измерений показателя преломления nD

от 1,3740 до 1,4908

2. Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений показателя преломления

±0,0002

3. Диапазон измерений средней дисперсии 1) (Afc)x

от 0,0060 до 0,0120

4. Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений средней дисперсии

±0,0002

5. Цена деления относительной шкалы спектрорефрактометров: — между короткими

1 деление

— между средними и длинными

5 делений

— между длинными оцифрованными

10 делений

6. Диоптрийная наводка окуляра, дптр

от -5 до +5

7. Габаритные размеры спектрорефрактометров (ДхШ*В): — ИРФ — 479А, мм, не более

60x52x237

— ИРФ — 479Б, мм, не более

210x105x240

8. Масса спектрорефрактометров: — ИРФ — 479А, кг, не более

0,9

— ИРФ — 479Б, кг, не более

1,8

9. Средний срок службы лет, не менее

5

10. Условия эксплуатации:

— температура окружающего воздуха, °С

от +10 до +35

— относительная влажность окружающего воздуха, %, при 35 °С и ниже

80

Примечание:

1) средняя дисперсия (Afc)x — частная дисперсия вещества для спектральных линий С (длина

волны Х=653,3 нм) и F(длина волны Х=486,1 нм), охватывающих среднюю часть видимого

диапазона

Знак утверждения типа

наносится на бирку методом фотомеханической печати либо методом лазерной гравировки, на эксплуатационную документацию — типографским способом.

Комплектность

Комплект поставки спектрорефрактометров ИРФ — 479 А, Б приведен в таблице 2

Таблица 2

Наименование

Модификация

Кол.

ИРФ-479А

ИРФ-479Б

Блок рефрактометрический

АЭП 44.73.196

1

Подставка

АЭП 42.12.026

АЭП 42.12.028

1

Комплект инструмента и принадлежностей

Палочка

АЭП 75.67.142

1

Пипетка Постера ГОСТ 29227-91

1

Образец контрольный

Г 71.99.522

1

Банка с притертой пробкой

Г 45.96.080

1

Батист отбеленный арт 1402

ТУ 17 РСФСР 63-21-41-80 250х250мм

1

Вата гигроскопическая оптическая ТУ 17 РСФСР-63-9022-90

20 г

Упаковка

АЭП 42.83.740

АЭП 42.83.739

1

Эксплуатационная документация

Руководство по эксплуатации. Часть 1

АЭП 34.15.072 РЭ

1

Руководство по эксплуатации. Часть 2 Методика поверки

АЭП 34.15.072 РЭ1

1

Паспорт

АЭП 34.15.072 ПС

1

Поверка

осуществляется по документу АЭП 34.15.072 РЭ1 «Спектрорефрактометры Аббе портативные ИРФ — 479 А, ИРФ — 479 Б. Руководство по эксплуатации. Часть 2. Методика поверки», утверждённому ФБУ «ЦСМ Татарстан» 15 августа 2016 г.

Основные средства поверки

—    Государственный рабочий эталон единицы показателей преломления в диапазоне значений от 1,25 до 1,45 nD, регистрационный номер 3.1.Z БЮ.0138-2013.

—    Государственный рабочий эталон единицы показателей преломления в диапазоне значений от 1,47 до 1,65 nD, регистрационный номер 3.1.Z ВЗ.0116-2012.

—    ГСО 8123-2002,

—    Топливо ТС-1 ГОСТ 10227-2013.

Допускается применение аналогичных средств поверки, обеспечивающих определение метрологических характеристик поверяемых СИ с требуемой точностью.

Результаты первичной поверки оформляют записью в соответствующем разделе паспорта, заверяют подписью поверителя и знаком поверки. При проведении периодической поверке знак поверки наносится на свидетельство о поверке.

Сведения о методах измерений

приведены в эксплуатационном документе.

Нормативные документы

1    ГОСТ 8.583-2011 ГСИ. Государственная поверочная схема для средств измерений показателя преломления.

2    Спектрорефрактометры Аббе портативные ИРФ-479 А, Б ТУ 4437-201-07507347-2015.

Транзистор IRF740 параметры | Практическая электроника

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

  • Структура — n-канал;
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
  • Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. < 550 мОм (0,55 Ом);
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 125 Вт;
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rt = 1.0 °C/Вт;
  • Температурный диапазон работы T = — 55 .. + 150 °C;
  • Крутизна характеристики S = 7;
  • Пороговое напряжение на затворе Ugs = 2 .. 4 В;
  • Входная емкость Ciss = 1259 пФ;
  • Выходная емкость Cоss = 206 пФ;

Транзистор IRF740 выпускается в различных корпусах, от классического TO-220AB до компактных I2PAK (TO-262) и поверхностных D2PAK (TO-263)

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

Irf740 как проверить мультиметром

При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них.

Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов.

Проверка trz (транзистора), равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа. Эту информацию несложно найти в интернете. У опытного мастера всегда есть под рукой ссылки на проверенные ресурсы. Если таковых нет, то, обычно достаточно вбить маркировку компонента в поисковой системе и нужная информация найдется уже на первой странице поисковой выдачи. Наиболее распространенные типы транзисторов: биполярные, полевые, составные, однопереходные. Определив тип элемента, можно начинать его функциональную проверку.

Биполярный транзистор

Наиболее распространенные транзисторы. Используются в основном в схемах усиления или генерации сигнала: в усилителях, генераторах, модуляторах, инверторах и т. д. Бывают двух типов: p-n-p и n-p-n. Не углубляясь в структуру полупроводникового прибора, достаточно будет сказать, что каждый p-n переход представляет собой диод. Строго говоря, это не совсем так, но для проверки работоспособности такое представление вполне допустимо. Таким образом, последовательность p-n-p представима в виде двух диодов, соединенных катодами, а n-p-n – двух диодов, соединенных анодами. Чтобы проверить, работоспособность такого элемента, нужно мультиметром замерить сопротивление переходов.

Определение работоспособности p-n-p полупроводника:

  • Берется мультиметр. Черный провод (обозначим его как Ч) помещается в гнездо COM (минус).
  • Красный (К) – в гнездо VΩmA (плюс).
  • Тестер выставляется на замер электрического сопротивления. Предельное значение выбирается 2 кОм. Это означает, что мультиметр может корректно измерять сопротивление от 0 до 2000 Ом. При превышении данного порога, на экране прибора загорится «1».
  • Для замера прямых сопротивлений Ч закрепляется на базе элемента.
  • Чтобы замерить величину сопротивления эмиттерного перехода, К помещается на эмиттер.
  • Измеренное значение должно быть от 500 до 1200 Ом. Аналогично и для коллектора.
  • Для измерения обратных сопротивлений на базе элемента закрепляется К. Ч поочередно помещается на коллектор и эмиттер. Полученные значения должны превышать установленный порог в 2кОм. Об этом, в обоих случаях, будет свидетельствовать цифра «1» на экране тестера.
  • Для n-p-n полупроводника применяется та же самая методика. За исключение того, что в п.1 Ч и К помещаются в противоположные гнезда. Тем самым меняется полярность щупов тестера.

Если изначально нет информации относительно расположения базы, коллектора, эмиттера, это нетрудно определить. Измерительный прибор устанавливается в состояние п. 1 и п. 2 вышеприведенной схемы. К (плюс) помещается на правый вывод полупроводника. Ч (минус) поочередно замыкается на средний и левый выводы. Если в обоих случаях тестер покажет «1», то данный контакт и есть база. В противном случае аналогичным образом тестируем оставшиеся контакты.

Остается найти эмиттер и коллектор. Для этого необходимо просто замерить сопротивление коллекторных и эмиттерных переходов. Ч помещается на базу. К поочередно замыкается на оставшиеся выводы. Полученные значения должны лежать в диапазоне от 500–1200 Ом. При этом большее значение будет относиться к коллекторному переходу, а меньшее, соответственно к эмиттерному.

Полевой транзистор

Обладает значительно меньшим энергопотреблением по сравнению с биполярным. Основная область применения – это приборы, работающие в ждущем или следящем режимах. Импортные элементы обычно имеют маркировку, упрощающую идентификацию выводов: G-затвор, S-исток, D-сток. Полевой транзистор или, как его еще называют, мосфет, бывает n-канальный и p-канальный. Алгоритмы проверки работоспособности полупроводников обоих типов похожи.

Определение функциональности n-канального полупроводника.

Поскольку у таких компонентов между стоком и истоком часто встраивается диод, то, для проверки функциональности, на измерительном устройстве устанавливается в режим проверки диодов. Ч идет на минус тестера, а К – на плюс.

  • К помещается на исток элемента, а Ч – на сток. Напряжение должно быть от 500 до 700 мВ.
  • К – на сток, а Ч – на исток. Значение в этом случае должны выходить за пределы измерений мультиметра. Об этом свидетельствует цифра «1» на экране прибора.
  • Ч – на истоке. Касание К затвора открывает транзистор. Ч остается на истоке, а К соединяется со стоком. Замеренное напряжение должно лежать в диапазоне от 0 до 800 мВ и не зависеть от смены полярности проводов тестера.
  • Замыкание К на исток, а Ч – на затвор проводит к закрытию прибора и переводу его в изначальное состояние.

Для определение работоспособности p-канального полупроводника Ч подключается к плюсу мультиметра, а К – к минусу. Дальнейшая последовательность действий аналогична методике проверки элемента n-канального типа.

Составной транзистор

Также известен как пара Дарлингтона. Является каскадом из двух и более биполярных транзисторов. Тестирование таких элементов одним лишь мультиметром, без сборки дополнительных схем, не представляется возможным. Вопрос монтажа подобных вспомогательных схем выходит за рамки данной статьи.

Однопереходный транзистор

В основном используются во всевозможных реле и пороговых устройствах. У элементов данного типа присутствует только один p-n переход. Для проверки его работоспособности мультиметром замеряется сопротивление между ножками «Б1» и «Б2». Если полученная величина незначительна, то компонент неисправен.

Проверка элемента без выпаивания его из схемы

Часто возникает вопрос, как проверить smd транзистор мультиметром. SMD – это аббревиатура от английского Surface Mounted Device (устройство, монтируемое на поверхность). Такие полупроводники не вставляются в отверстия плат. Их просто напаивают сверху на контактные дорожки. В современных платах плотность таких дорожек невероятно велика. Более того, часто они располагаются в несколько слоев. Поэтому если какая-то из дорожек располагается в середине такого «пирога», то ее может быть просто не видно.

Становится понятно, что поскольку демонтаж и обратный монтаж smd компонентов на контактные дорожки печатных плат зачастую сопряжен со значительными сложностями, то лучше всего было бы осуществить проверку функциональности элемента, не выпаивая его. К сожалению, такое подход возможен только для биполярных транзисторов. Однако даже при положительных итогах проверки нельзя быть полностью уверенным в результате. В большинстве же случаев только лишь демонтаж элемента с печатной планы позволяет гарантированно проверить его работоспособность.

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

В современной радиоэлектронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Как доказала практика, конструктивная надежность данных компонентов обуславливает высокую практичность работоспособности всевозможной бытовой техники. В процессе ремонтных работ, которые все же случаются, возникает необходимость тестирования того или иного компонента на предмет его исправности .

IRF740 Распиновка, техническое описание, особенности и альтернативы

IRF740 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может коммутировать нагрузки до 400 В.

 

Конфигурация контактов

Номер контакта

Штифт Наименование

Описание

1

Источник

Ток протекает через источник (максимум 10 А)

2

Ворота

Управляет смещением MOSFET (пороговое напряжение 10 В)

3

Слив

Ток поступает через сток

 

Характеристики

·         N-канальный силовой МОП-транзистор

·         Непрерывный ток стока (ID): 10 А

·         Пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 10 В (предел = ±20 В)

·         Напряжение пробоя сток-исток: 400 В

·         Сопротивление источника утечки (RDS) равно 0.55 Ом

·         Время нарастания и время спада составляет 27 нс и 24 нс

·         Доступен в пакете To-220

 

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF740 , ссылка на которую находится внизу страницы

 

Альтернативы IRF740

ИРФБ13Н50А, УФ450А, ССФ13Н15

 

Другие N-канальные МОП-транзисторы

БСС138, ИРФ520, 2Н7002, БС170, БСС123, ИРФ3205, ИРФ1010Э

 

О МОП-транзисторах IRF740

IRF740 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку MOSFET предназначен для переключения сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете MOSFET с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. д.

Одним из существенных недостатков IRF740 Mosfet является его высокое значение сопротивления во включенном состоянии (RDS), которое составляет около 0.55 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Мосфету требуется схема драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого мосфета. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока.

 

Приложения
  • Переключение устройств большой мощности
  • Схемы инвертора
  • Преобразователи постоянного тока
  • Контроль скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Применения для высокоскоростного переключения

 

2D-модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF740 будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

 

 

Техническое описание

IRF740 — Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора:

FQB33N10TM : полевой транзистор — однодисковый полупроводниковый продукт 33 А, 100 В, 3,75 Вт, поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 100V 33A D2PAK. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 100 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 33A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 мОм @ 16.5А, 10В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 1500 пФ при 25 В; Власть.

IRFS5615PBF : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 33A 150V 144W для поверхностного монтажа; МОП-транзистор N-CH 150V 33A D2PAK. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 150 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 33A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 мОм @ 21 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 1750 пФ при 50 В; Власть.

IPW90R500C3 : Полевой транзистор — один дискретный полупроводниковый продукт 11A 900V 156W Сквозное отверстие; MOSFET N-CH 900V 11A TO-247.s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 900 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 11A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 мОм @ 6,6 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 1700 пФ при 100 В.

SI5509DC-T1-E3 : Дискретный полупроводниковый прибор с полевой матрицей 5A, 3,9A 20В 2,1Вт для поверхностного монтажа; MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N и P-канал; Напряжение стока к источнику (Vdss): 20 В; Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A, 3.9А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 мОм @ 5A, 4,5 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 455 пФ при 10 В; Власть.

SI3475DV-T1-E3 : Полевой транзистор — один дискретный полупроводниковый прибор 950 мА 200 В 3,2 Вт для поверхностного монтажа; MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: MOSFET P-Channel, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 200 В; Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 950 мА; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1,61 Ом @ 900 мА, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 500 пФ.

SI7135DP-T1-GE3 : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 60A 30V 104W для поверхностного монтажа; MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: MOSFET P-Channel, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 60A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3,9 мОм @ 20 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 8650 пФ при 15 В; Власть.

SBM1040-13 : Диоды, выпрямители — один дискретный полупроводниковый продукт 10A 40V Cut Tape (CT) Schottky; ПРЯМОЙ ШОТТКИ 40В 10А POWERMITE3.s: Тип диода: Шоттки; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 40 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 10A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 510 мВ @ 10 А; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка @ Vr: 300A @ 35V; Скорость:.

SRP100A-E3/54 : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 1A 50V Standard; ДИОД 1А 50В 100НС ДО-41. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 50 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1.3В @ 1А; Время обратного восстановления (trr): 100 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 10A @ 50V; Скорость: Быстрое восстановление.

PR1501S-T : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 1,5 А, 50 В, стандарт; ДИОД БЫСТРАЯ ЗАПИСЬ 1,5А 50В DO-41. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 50 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1,5 А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,2 В @ 1,5 А; Время обратного восстановления (trr): 150 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 50V; Скорость:.

MBRB2535CT : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 15A 35V Schottky; ДИОД ШОТТКИ 35В 15А D2PAK. s: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода: 1 пара с общим катодом; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 35 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 15A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 820 мВ @ 30 А; Ток — обратная утечка @ Vr: 200A.

AZ23C5V6-TP : Дискретный полупроводниковый диод-стабилитрон-матрица 1A @ 1V 5.6 В 300 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР ДВОЙНОЙ 5,6В SOT23. s: Конфигурация: 1 пара с общим анодом; Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 5,6 В; Мощность — макс.: 300 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: — ; Ток — обратная утечка @ Vr: 1A @ 1V; Допуск: 5%; Монтаж.

ST303S12PFK0 : Scr — одиночный дискретный полупроводниковый продукт 471A 1200V Standard Recovery; SCR PHASE CONT 1200В 300A TO-118. s: Тип SCR: стандартное восстановление; Напряжение — выключенное состояние: 1200 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 471A; Ток во включенном состоянии (It (AV)) (макс.): 300A; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 200 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 600 мА; Текущий — не респ.

Q8015L5TP : Симисторный дискретный полупроводниковый продукт 15A 800V Standard; Симистор 800В 15А ISO ТО-220. s: тип симистора: стандартный; Конфигурация: Одноместный; Напряжение — выключенное состояние: 800 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 15A; Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.): 2 В; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 50 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 70 мА; Ток — бесповторный скачок напряжения 50, 60 Гц.

BT300S-600R,118 : Scr — один дискретный полупроводниковый продукт 8A 600V Standard Recovery; ТИРИСТОР 8А 600В ДПАК.s: Тип SCR: стандартное восстановление; Напряжение — выключенное состояние: 600 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 8A; Ток во включенном состоянии (It (AV)) (макс.): 5A; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 15 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 20 мА; Ток — бесповторный скачок напряжения 50, 60 Гц (Itsm):.

NE68830-A : Радиочастотный транзистор (bjt) Дискретный полупроводниковый продукт 100 мА 6 В 150 мВт NPN; ТРАНС НПН 2ГГц СОТ-323. s: Частота — переход: 4,5 ГГц; Коэффициент шума (типовой дБ @ f): 1,7 дБ ~ 2,5 дБ @ 2 ГГц; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 80 при 3 мА, 1 В; Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 6 В; Прирост:.

IRF740 Распиновка, эквивалент, использование, характеристики и другая важная информация

Этот пост содержит подробную информацию о распиновке IRF740, эквиваленте, использовании, функциях и другую важную информацию о том, как и где использовать это устройство MOSFET.

 

Характеристики / Технические характеристики
  • Тип упаковки: TO-220
  • Тип транзистора: Канал N
  • Максимальное напряжение от стока к источнику: 400 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный постоянный ток утечки: 10A
  • Максимальный импульсный ток стока: 40 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

 

Замена и аналог

2СК1400А, БУК457-400Б, БУЗ61А, ИРФ740С, МТП10Н40Э, РФП7Н35, РФП7НА40

 

МОП-транзистор IRF740 Объяснение / описание

IRF740 представляет собой высоковольтный МОП-транзистор N-канального типа, транзистор в основном предназначен для приложений с высоким напряжением и высокой скоростью переключения.Максимальное напряжение нагрузки, которым может управлять этот транзистор, составляет до 400 В с максимальным током нагрузки 10 А. Максимальный ток в импульсном режиме составляет 40 А, а сопротивление во включенном состоянии или (RDS) составляет 0,55 Ом.

Максимальное напряжение сток-исток 400 В делает его идеальным для управления различными высоковольтными нагрузками в электронных схемах.

IRF740 также может работать в качестве усилителя и может использоваться во многих типах схем аудиоусилителей.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать

IRF740 можно использовать в цепях, в которых вы хотите управлять нагрузкой до 400 В с током нагрузки 10 А.Кроме того, высокая скорость переключения делает его пригодным для приложений, где пользователю требуется переключение с одного источника на другой за наносекунды.

Нагрузочная способность 400 В позволяет использовать его в различных устройствах с высоким напряжением, таких как источники бесперебойного питания, светодиоды и другие осветительные балласты и т. д.

Кроме того, этот транзистор можно также использовать в каскадах схемы усилителя звука, а также в качестве отдельного усилителя звука.

 

Применение

Приложения, требующие быстрого переключения

Применения высокого напряжения

Приложения для драйверов и контроллеров двигателей переменного тока

Приложения для драйверов и контроллеров двигателей постоянного тока

ИБП

Цепи зарядного устройства

Осветительные и балластные цепи

 

Как добиться долговечности

Для обеспечения долговечности компонента важно не использовать компонент с максимальными характеристиками и всегда использовать его как минимум на 20% ниже максимальных номиналов, поэтому то же самое относится и к IRF740 MOSFET.Максимальный непрерывный ток стока составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку более 8 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 320 В. При эксплуатации используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните и эксплуатируйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов Цельсия и ниже +150 градусов Цельсия.

 

Технический паспорт

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF740-InternationalRectifier.pdf

В чем разница [FAQ]

Этот пост содержит подробную информацию о распиновке IRF740 и IRF640 , эквивалентах, использовании, функциях и другую важную информацию о том, как и где использовать это устройство MOSFET.

 

Каталог

 

 

MOSFET Объяснение/Описание

IRF740 представляет собой высоковольтный N-канальный MOSFET , транзистор в основном предназначен для приложений с высоким напряжением и высокой скоростью переключения.Максимальное напряжение нагрузки, которым может управлять этот транзистор, составляет до 400 В с максимальным током нагрузки 10 А. Максимальный ток в импульсном режиме составляет 40 А, а сопротивление во включенном состоянии или (RDS) составляет 0,55 Ом.

Максимальное напряжение сток-исток 400 В делает его идеальным для управления различными высоковольтными нагрузками в электронных схемах.

 

IRF640 — это N-канальный полевой МОП-транзистор , предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта возможность высокоскоростного переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где пользователь хочет изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.

Транзистор способен управлять нагрузкой до 18А и напряжением до 200В при минимальном напряжении насыщения всего от 2В до 4В на его затворе. Импульсный ток стока составляет 72 А, что означает, что этот MOSFET может управлять нагрузкой до 72 А через короткие промежутки времени или когда нагрузка не подключена постоянно, а подключена только на период времени 300 мкс (микросекунд) с рабочим циклом 1,5%.

Как проверить транзистор MOSFET с помощью мультиметра

 

Модель САПР

 

 

Символ

 

 

 

След

 

 

2D-модель

 

Распиновка : IRFf640 против IRF740

 

нет разницы в распиновке

 

 

Замена и аналог

 

IRF740: 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40

 

IRF640: YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620, IRFB4620, IRFB5620, 2SK740, STP19NB20, YTA640, BUK455-200A, BUK456-200A, BUK456-200B, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 2SK891, 18N25, 18N40, 22N20

 

 

Характеристики/технические характеристики: IRF640 и IRF740

IRF640 IRF740
Тип упаковки: TO-220 Тип упаковки: TO-220 и другие упаковки
Тип транзистора: N-канальный Тип транзистора: N-канальный
Максимальное напряжение от стока к источнику: 400 В Максимальное напряжение от стока к источнику: 200 В
Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ±20 В Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ±20 В
Максимальный постоянный ток утечки: 10 А Максимальный постоянный ток утечки: 18 А
Максимальный импульсный ток стока: 40 А Максимальный импульсный ток стока: 72 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

 

Применение: IRF640 и IRF740

IRF740 IRF640
Приложения, требующие быстрого переключения Зарядные устройства для аккумуляторов и BMS
Применения высокого напряжения Применение солнечной энергии
Драйверы двигателей Приложения, требующие быстрого переключения
Приложения для драйверов и контроллеров двигателей постоянного тока Драйверы двигателей
ИБП исп
Цепи зарядного устройства  
Цепи освещения и балласта  

 

Где мы можем его использовать и как использовать: IRF640 против IRF740

IRF640 можно использовать в цепях, где важна скорость переключения, например, в системах резервного питания от батарей, источниках бесперебойного питания и т. д.и он также будет хорошо работать в коммутационных приложениях общего назначения. Помимо этого, его также можно использовать в строительных блоках аудиоусилителей.

 

 

IRF740 можно использовать в цепях, в которых вы хотите управлять нагрузкой до 400 В с током нагрузки 10 А. Кроме того, высокая скорость переключения делает его пригодным для приложений, где пользователю требуется переключение с одного источника на другой за наносекунды.

Нагрузочная способность 400 В делает его пригодным для использования в различных устройствах с высоким напряжением, таких как источники бесперебойного питания, светодиоды и другие осветительные балласты и т. д.

Кроме того, этот транзистор также можно использовать в каскадах схемы усилителя звука, а также в качестве отдельного усилителя звука.

 

Как безопасно проводить длительные пробеги в цепи: IRF640 и IRF740

 

IRF640

Для долговременной работы мы всегда рекомендуем использовать все компоненты как минимум на 20% ниже их максимальных значений, то же самое касается IRF640 . Максимальный ток стока составляет 18 А, поэтому не подключайте нагрузку более 14 А.4А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 200 В, и в целях безопасности не подключайте нагрузку более 160 В. Максимальный импульсный ток стока составляет 72 А, поэтому максимальная импульсная нагрузка не должна превышать 57,6 А. Используйте соответствующий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте устройство при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.

 

IRF740

Для обеспечения долговечности компонента важно не использовать компонент с максимальными параметрами и всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимального номинала, поэтому то же самое относится и к IRF740 MOSFET.   Максимальный непрерывный ток стока составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку более 8 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 320 В. При эксплуатации используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните и эксплуатируйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов Цельсия и ниже +150 градусов Цельсия.

 

Схемы: IRF640 и IRF740

 

силовой MOSFET IRF740 в качестве схемы переключателя (переключатель 300 вольт постоянного тока и 5 ампер)

 

Атрибуты продукта: IRF740 по сравнению с IRF 640

ТИП ОПИСАНИЕ IRF740 ОПИСАНИЕ IFR640
Категория Дискретные полупроводниковые изделия Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы — FET, MOSFET — одиночные Транзисторы — FET, MOSFET — одиночные
Производитель STMicroelectronics STMicroelectronics
Серия PowerMESH™ II СЕТЧАТАЯ НАКЛАДКА™
Упаковка Трубка Трубка
Статус детали Устарело Устарело
Полевой транзистор Тип N-канал N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла) МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss) 400 В 200 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 10А (Тс) 18А (Тс)
Напряжение привода (макс. число оборотов вкл., мин. число оборотов вкл.) 10 В 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 мОм @ 5.3А, 10В 180 мОм при 9 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ идентификатор 4 В при 250 мкА 4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 43 нКл при 10 В 72 нКл при 10 В
VGS (макс.) ±20 В ±20 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1400 пФ при 25 В 1560 пФ при 25 В
Функция полевого транзистора
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт (TC) 125 Вт (TC)
Рабочая температура -65°C ~ 150°C (ТДж) 150°C (ТДж)
Тип крепления Сквозное отверстие Сквозное отверстие
Комплект поставки поставщика ТО-220 ТО-220
Упаковка/кейс ТО-220-3 ТО-220-3
Базовый номер продукта IRF740 IRF640

 

 Технический паспорт продукта

 

IRF740 Технический паспорт

IRF640 Технический паспорт

 

 

Часто задаваемые вопросы

Что такое IRF740?

IRF740 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может коммутировать нагрузку до 400 В.МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. … Следовательно, этот MOSFET нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.

 

Что такое IRF640?

IRF640 — N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта высокая скорость переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где требуется изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.

 

Для чего используются МОП-транзисторы?

Назначение MOSFET-транзистора в основном состоит в управлении потоком напряжения/тока между истоком и стоком.2

 

Для чего используются силовые МОП-транзисторы?

Мощные полевые МОП-транзисторы

(металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы) представляют собой кремниевые устройства с тремя выводами, которые функционируют путем подачи сигнала на затвор, который управляет проводимостью тока между истоком и стоком.

 

Что такое N-канальный МОП-транзистор?

N-Channel MOSFET представляет собой тип полевого транзистора на основе оксида металла и полупроводника, который относится к категории полевых транзисторов (FET). … Этот тип транзистора также известен как полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET). Иногда его также называют полевым транзистором с металлическим изолятором (MIFET).

 

Каково максимальное напряжение нагрузки транзистора IRF740?

400В

 

Какой тип МОП-транзистора IRF640?

N-канальный МОП-транзистор

 

В каких приложениях хорошо работает IRF640?

Коммутационные приложения общего назначения

 

Что можно использовать IRF640 в качестве отдельного усилителя звука?

Каскады схемы усилителя звука

 

Какой процент компонентов IRF640 ниже максимальных значений?

20%

irf%20740%20n спецификация и примечания по применению

ирф 425

Резюме: ICL8038CCPD HSMS-2820-BLK HSDL-1001-001 icl8038ccjd IRF 315 HSMP 2820 ICM7211AMIPL ICL232CPE hsmp-3890
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF HIP4080AIP ICM7243BIPL IRF3515S IRF840 HIP4081AIP ICM7555CN IRF3710 HIP4082IP ICM7555IBA ирф 425 ICL8038CCPD HSMS-2820-BLK ХДЛ-1001-001 icl8038ccjd ИРФ 315 HSMP 2820 ICM7211AMIPL ICL232CPE hsmp-3890
2004 — ирф 940

Аннотация: irf 530 irf 470 irf 480 irf 950 irf 560 irf 145 a irf 460 irf 4905
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС-296.МИЛ-СТД-202, 19 октября 2004 г. ирф 940 ирф 530 ИРФ 470 ирф 480 ИРФ 950 ирф 560 ирф 145 а ирф 460 ИРФ 4905
1999 — ирф 940

Реферат: irf 480 irf 47 a/irf 1350 20/800v irf
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС-296. МИЛ-СТД-202, 03 мая 99 г. ирф 940 ирф 480 ИРФ 47 а/ирф 1350 20/800В ирф
IRF 850 ​​МОП-транзистор

Реферат: MOSFET IRF 635 MOSFET IRF 630 MOSFET IRF 713 IRF Мощные N-канальные МОП-транзисторы IRF 740 N IRF 450 MOSFET IRF 840 MOSFET P-канальные силовые МОП-транзисторы IRF irf 540 mosfet
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF О-220 IR9523 IRF9522 IRF9513 IRF9511 IRF9512 IRF9510 IRF9623 IRF9621 IRF9622 МОП-транзистор IRF 850 МОП-транзистор IRF 635 МОП-транзистор IRF 630 МОП-транзистор IRF 713 N-канальные силовые МОП-транзисторы IRF ИРФ 740 Н МОП-транзистор IRF 450 МОП-транзистор IRF 840 Мощность канала P MOSFET IRF МОП-транзистор irf 540
2013 — А1060

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС/296 МИЛ-СТД-202, 2002/95/ЕС 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. JS709A 02 окт 12 А1060
2002 — ирф 560

Реферат: irf 1150 транзистор IRF 630 IRF 830 эквивалент IRF 470 irf 145 a IRf 425 irf 460 irf 830 техническое описание эквивалент IRF 740
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС-296. МИЛ-СТД-202, 02 ноября 2001 г. ирф 560 ирф 1150 транзистор ИРФ ​​630 Эквивалент IRF 830 ИРФ 470 ирф 145 а ИРФ 425 ирф 460 irf 830 даташит Эквивалент IRF 740
2009 — ирф 940

Реферат: ИРФ 470 ИРФ 560 ИРФ 145 а ИРФ 47 ИРФ 860 транзистор ИРФ ​​630 ИРФ 480 ИРФ 640 ИРФ1
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС/296 2002/95/ЕС МИЛ-СТД-202, 63лекционный 18 июля 2008 г. ирф 940 ИРФ 470 ирф 560 ирф 145 а ИРФ 47 ИРФ 860 транзистор ИРФ ​​630 ирф 480 ИРФ 640 IRF1
2008 — ИРФ 470

Резюме: irf 940 irf 560 irf 480 irf 830 эквивалент
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС/296 МИЛ-СТД-202, 18 июля 2008 г. ИРФ 470 ирф 940 ирф 560 ирф 480 Эквивалент IRF 830
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF РС-296.МИЛ-СТД-202, 02 ноября 2001 г.
ИРФ 548

Реферат: irf 1244 IRF 547 IRF 725 irf 846 IRF 024 fsc 2n7000 IRF 850 ​​irf818 iRF 800
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 1Н5333Б 1Н914 2N5886 30WQ04FN 1Н5335Б 1СМБ15АТ3 2Н6027 30WQ06FN 1Н5336Б 2Н6028 ИРФ 548 ирф 1244 ИРФ 547 ИРФ 725 ирф 846 ИРФ 024 фск 2н7000 ИРФ 850 irf818 ИРФ 800
2012 — ирф 940

Аннотация: irf 540 irf 560
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF МИЛ-СТД-202, РС/296 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. 12 марта 2012 г. ирф 940 ирф 540 ирф 560
2012 — ирф 480

Аннотация: IRF 024 IRF 47
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-36 11 марта 2011 г. ирф 480 ИРФ 024 ИРФ 47
2014 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-24 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. JS709A 02 окт 12
2006 — транзистор IRF 630

Резюме: irf 560 IRF 470 IRF 830 эквивалент irf 940 эквивалент IRF 740 irf 830 техническое описание IRf 425 irf 145 a i c irf 740
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС/296 МИЛ-СТД-202, 08 апр. 05 транзистор ИРФ ​​630 ирф 560 ИРФ 470 Эквивалент IRF 830 ирф 940 Эквивалент IRF 740 irf 830 даташит ИРФ 425 ирф 145 а я с ирф 740
ирф 064

Аннотация: irf 480 irf 814 irf 544 irf 2248 irf 534 irf 157 irf 260 irf 345 irf240 814
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF IRFP044N ИРФЗ14С ИРЛ2910S IRU1015010-33CY КБЛ10 IRFU420 ИРКТ92/12 IRU1010-CD KBP01G IRFU5305 ирф 064 ирф 480 ирф 814 ИРФ 544 ирф 2248 ИРФ 534 ирф 157 ирф 260 ирф 345 IRFP240 814
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-36 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. JS709A 02 окт 12
2013 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-36 2002/95/ЕС. 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. JS709A 02 окт 12
2006 — ИРФ 504

Реферат: bq 1110 IRF 501 код b15 Q-метр ez 920
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС-296 МИЛ-СТД-202, 13 октября 2006 г. ИРФ 504 бк 1110 ИРФ 501 код b15 Q-метр эз 920
2010 — ИРФ 470

Реферат: ИРФ 680 ИРФ 560 ИРФ 950 ИРФ 47 ИРФ 1150 ИРФ-24 ИРФ 630 ИРФ 3315 ИРФ 425
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-24 2002/95/ЕС 18 июля 2008 г. ИРФ 470 ирф 680 ирф 560 ИРФ 950 ИРФ 47 ирф 1150 ИРФ-24 ирф 630 ИРФ 3315 ИРФ 425
2011 — ирф 560

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-24 2002/95/ЕС 11 марта 2011 г. ирф 560
ирф 1740

Реферат: irf 729 irf 1205 IRF 1470 74HCT14D 74HCT14N AD7243AN ad693aq 74HCT373N 74HCT74N
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 74HCT138N 85HFL100S05 AD557JN АД669АН 74HCT139N 85HFL60S02 AD558JN AD673JN 74HCT14D 85HFLR60S02 ирф 1740 ирф 729 ирф 1205 ИРФ 1470 74HCT14N AD7243AN объявление693aq 74HCT373N 74HCT74N
ирф 560

Реферат: IRF 850 ​​IRF RECTIFIER irf 570 Fairchild 817 irf 144 1N4001 1812 irf 047 1n4148ws philips 1.5КЭ15КА
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 10BQ100 1Н1183 1Н4148-ТР 035KE8 183NQ100 1Н4049 1Н5239Б 185NQ015 1Н4049Р 1Н5240Б ирф 560 ИРФ 850 ИРФ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ирф 570 Фэйрчайлд 817 ирф 144 1N4001 1812 ирф 047 1n4148ws филипс 1.5КЭ15КА
2012 — ИРФ 47

Резюме: IRF 315 irf 740 IRf 425 IRF 470 данные irf IRF24
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИРФ-24 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. 12 марта 2012 г. ИРФ 47 ИРФ 315 ирф 740 ИРФ 425 ИРФ 470 данные irf ИРФ24
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF РС-296. МИЛ-СТД-202, 03 мая 99 г.
2005 — ирф 145 а

Реферат: irf 940 irf 260 irf 560 irf 425 irf 950 irf1 irf 420 a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РС-296.МИЛ-СТД-202, 08 апр. 05 ирф 145 а ирф 940 ирф 260 ирф 560 ирф 425 ИРФ 950 IRF1 ирф 420 а

IRF740 MOSFET — 400V 10A N-Channel Power MOSFET купить онлайн по низкой цене в Индии

IRF740 — это тип N-канальных полевых транзисторов с улучшенным режимом мощности, в которых используется планарная технология DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах.Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания и электронных балластов для ламп на основе полумоста.

Особенности: —

• Низкий затвор Зарядки

• Низкие CRS (типичные 35 PF)

• Быстрое переключение

• Быстрое коммутация

• 100% Avalanche Tested

• Улучшена возможности DV / DT

Подробные характеристики: —

9007 9007
Количество каналов 1 канал
N-канал
400V
Непрерывный ток стока (Id) 10A
Сопротивление сток-исток (Rds On) 0.54OMMS
80018 80024 20V
Заряд на ворота (QG) 53 NC
Диапазон рабочих температур -55 — 150 ° C
Рассеиваемая мощность (Pd) 134 Вт

Связанные документы:-

Техническое описание MOSFET 3
Торговая марка/Производитель Общий
Страна происхождения Китай
Адрес упаковщика/импортера Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
ППМ рупий. 48.38 (включая все налоги)

* Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

Полное руководство и многое другое!

Используя МОП-транзистор, мы можем контролировать напряжение или ток между истоком и стоком.Кроме того, существуют различные типы МОП-транзисторов. Одним из них является N-канальный Mosfet. N-канальный МОП-транзистор представляет собой полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (FET). Мы часто используем его для контроля напряжения. В этой статье будет обсуждаться irf740 Mosfet, который находится под N-Channel Mosfet. Кроме того, эта статья должна помочь вам узнать, как использовать irf740 в ваших цепях.

Что такое Irf740?

irf740 — это n-канальный силовой MOSFET-транзистор, способный переключать силовые нагрузки до 400 В.Эти электрические компоненты могут переключать нагрузки, потребляющие мощность до 10 А. irf740 незаменим в приложениях, требующих переключения с одного источника на другой за считанные секунды. Однако между выводом затвора и выводом истока необходимо поместить пороговое напряжение затвора около 10 В. Этот заряд затвора помогает МОП-транзистору работать с эффективностью переключения.

Более того, при использовании транзистора irf740 можно собрать простую схему драйвера. Вы размещаете эту схему драйвера у штифта затвора.Этот шаг должен обеспечить пороговое напряжение МОП-транзистора 10 В. Mosfet, вероятно, неэффективен, когда он требуется для целей электрического переключения без схемы драйвера.

Примечательно, что N-Channel irf740 доступен по цене и имеет хорошие скорости переключения, необходимые в преобразователе постоянного тока. Кроме того, он имеет мизерное тепловое сопротивление. Однако, как и у любого другого электрического компонента, у irf740 есть и недостатки. Транзистор irf740 Mosfet имеет высокое сопротивление во включенном состоянии 5,5 Ом, широко известный как RDS.Это свойство делает irf740 неэффективным, когда вам требуются приложения с высокой коммутацией.

(символ мосфета)

Конфигурация выводов IRF740

N-канальный силовой МОП-транзистор irf740 имеет три контакта. В таблице ниже приведены подробные описания каждого гвоздя.

PIN NO. НАЗВАНИЕ ОПИСАНИЕ PIN
1 Источник Максимальный ток нагрузки 10А протекает через источник.
2 Затвор Управляет смещением МОП-транзистора, используя пороговое напряжение 10 В.

(транзистор с трехвыводной конфигурацией)

IRF740 Особенности и характеристики

Ниже приведены некоторые примечательные характеристики.

  • Во-первых, вы можете найти irf740s Mosfet N-CH в корпусе TO-220.
  • Во-вторых, irf740 — это n-канальный силовой МОП-транзистор.
  • В-третьих, время нарастания MOSFET N-CH irf740s составляет 27 нс, а время спада — 24 нс.
  • Кроме того, irf740 имеет непрерывный максимальный ток стока 10 А.
  • Кроме того, минимальное напряжение, необходимое для проведения, составляет от 2 В до 4 В.
  • Далее у него есть 400В от стока к источнику напряжения.
  • Кроме того, максимальная рассеиваемая мощность irf740 составляет 125 Вт.
  • Также у irf740 пороговое напряжение затвора 10в, хотя максимальный ток 20в.
  • При этом рабочая температура и максимальная температура хранения должны быть в пределах от -55 градусов Цельсия до +150 градусов Цельсия.
  • Наконец, этот N-канальный полевой транзистор имеет сопротивление сток-исток 0,55 Ом.

(примеры транзисторов в корпусе ТО-220.)

Замена для irf740s

К ним относятся IRFB13N50A, ssf13n15 и UF450A.

Применение
  • Во-первых, вы можете использовать его в преобразователях постоянного тока.
  • Во-вторых, он необходим в цепях инвертора или в цепях зарядного устройства.
  • Кроме того, напряжение привода помогает контролировать скорость двигателей.
  • Дополнительно используется в ИБП.
  • Кроме того, это необходимо для высокоскоростного переключения.
  • Кроме того, этот транзистор можно использовать в диммерах и мигалках светодиодов.
  • Наконец, вы можете использовать этот Mosfet N-CH для переключения мощных устройств.

(двигатели разных размеров.)

Как безопасно запустить irf740 в цепи

Для того, чтобы любой электрический компонент прослужил долго, необходимо использовать его только на 20% ниже его максимальных номинальных значений. Это свойство также необходимо при использовании irf740s.

Как обсуждалось выше, максимальный непрерывный ток стока этого irf740s Mosfet N-CH 400v составляет 10 А. Однако индуктивная нагрузка не должна превышать 8А.

Аналогично, это свойство применимо к напряжению сток-исток.Поскольку максимальное напряжение нагрузки составляет 400 В, напряжение стока не должно превышать 20% ниже максимальной номинальной отметки.

Кроме того, всегда используйте и храните транзистор при подходящих температурных условиях. Кроме того, обязательно используйте радиатор во время работы.

(группа различных электронных компонентов.)

Сводка

Конструкция irf740 специально предназначена для высокого напряжения и быстрого переключения. Этот совет необходим, особенно если пользователь хочет изменить входную мощность с одной нагрузки на другую.

Мы надеемся, что эта статья была вам полезна. По любым вопросам или услугам по этой или любой из наших статей, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.