Irf820 характеристики: IRF820 , , , — RadioLibrary

Содержание

Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП780А

Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП780А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Диапазон рабочих температур корпуса от — 55 до + 125°C. Обозначение технических условий АДБК 432140.826 ТУ.

Основные электрические параметры КП780А,Б,В (корпус КТ-28)
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Пороговое напряжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2,0 4,0
Ток стока КП780А,Б КП780В А tи 300мкс, Q 50 Uси=10B,Uзи=10В Uси=10B,Uзи=10В  

2,5

2,2

 
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП780А,Б

КП780В

Rси отк Ом tи 300мкс, Q 50

 

Iс=1,5А,Uзи=10В Iс=1,5А,Uзи=10В

   

 

3,0

4,0

Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0   250
Ток утечки затвора Iз ут нА Uси=0,Uзи=±20В -100 +100
Крутизна ВАХ S А/B tи 300мкс, Q 50 Uси=25В,Iс=1,5А  

1,5

 
Прямое напряжение диода КП780А,Б

КП780В

Uпр В tи 300мкс, Q 50 Ic=-2,5A,Uзи=0 Ic=-2,2A,Uзи=0    

1,6

1,5

Время включения/выключения * tвкл/ tвыкл нс tи 300мкс, Q 50, Uси=250В,Iс=2,1А, Rг=18 Ом,Rс=100 Ом    

16/70

Тепл. сопрот. переход-корпус * Rt п-к °С/Вт     2,5
Входная емкость * C11и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   675
Выходная емкость * C22и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   140
Проходная емкость * C12и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   56
Основные электрические параметры КП780А9,Б9,В9 (корпус КТ-89)
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Пороговое напряжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2,0 4,0
Ток стока КП780А9,Б9 КП780В9 А tи 300мкс, Q 50 Uси=10B,Uзи=10В Uси=10B,Uзи=10В  

2,4

2,1

 
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

КП780А9,Б9 КП780В9

Rси отк Ом tи 300мкс, Q 50

 

Iс=1,5А,Uзи=10В Iс=1,5А,Uзи=10В

   

 

3,0

4,0

Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0   25
Ток утечки затвора Iз ут нА Uси=0,Uзи=±20В -100 +100
Крутизна ВАХ S А/B tи 300мкс, Q 50 Uси=25В,Iс=1,5А  

1,5

 
Прямое напряжение диода КП780А9,Б9

КП780В9

Uпр В tи 300мкс, Q 50 Ic=-2,4A,Uзи=0 Ic=-2,1A,Uзи=0    

1,6

1,5

Время включения/выключения * tвкл/ tвыкл нс tи 300мкс, Q 50, Uси=250В,Iс=2,1А, Rг=18 Ом,Rс=100 Ом    

16/70

Тепл. сопрот. переход-корпус * Rt п-к °С/Вт     3
Входная емкость * C11и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   675
Выходная емкость * C22и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   140
Проходная емкость * C12и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   56

Транзисторы часть 1

код товара Наименование Описание Наличие
151334 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ 11 Технические характеристики: I 30 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151111 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 170 RL1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162537 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 N Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154103 Транзистор Infineon SPP 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158950 Однополярный стандартный транзистор BS 170 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
159204 Маломощный полевой транзистор NXP BSN 10A NXP Технические характеристики: I 0,175 A; U 50 V; P 0,83 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162412 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162549 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N Технические характеристики: I -12 A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162652 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3703 Технические характеристики: I 210 A; U 30 V; R 0.0028 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162679 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 024 N Технические характеристики: I 16 A; U 55 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162747 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 N Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151034 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000 Технические характеристики: I 0.2 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162408 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 Технические характеристики: I -31A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162461 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7389 Технические характеристики: I 5.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162536 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9530 N Технические характеристики: I -14 A; U -100 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162742 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N Технические характеристики: I 26 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162848 Транзистор International Rectifier IRLR 2905 Технические характеристики: I 42 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157112 Транзистор BF 245 B Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162764 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NS Технические характеристики: I 116 A A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153609 Транзистор питания Infineon BUZ 80 A SIE Технические характеристики: I 3 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164339 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Z Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164398 Транзистор International Rectifier IRLR 7843 HEXFET Технические характеристики: I 161 A; U 30 V; R 3.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157210 Транзистор BF 256 C Технические характеристики: I 0.01 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158976 Однополярный стандартный транзистор BS 107 Технические характеристики: I 0.13 A; U 200 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150929 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 107 Технические характеристики: I 0.25 A; U 200 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151362 Транзистор MOSFET ST Microelectronics BUZ 11 A Технические характеристики: I 27 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162362
Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 N
Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162374 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 S Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162375 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Технические характеристики: I 169 A; U 55 V; R 0.005 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162377 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 S Технические характеристики: I 131 A; U 55 V; R 0.0053 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162399 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 4905 Технические характеристики: I -74 A; U -55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162402 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162409 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 S Технические характеристики: I -31 A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162410 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 530 N l Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0.11 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162413 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NS Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162443 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7301 Технические характеристики: I 5.2 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162468 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 A Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162476 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7416 Технические характеристики: I -10 A; U -30 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162520 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162526 Транзистор MOSFET Vishay IRF 840 Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162527 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 A Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162530 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LC Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162533 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9510 Технические характеристики: I -4 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162553 Транзистор MOSFET Vishay IRFB 11 N 50 A Технические характеристики: I 11 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162642 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 250 N Технические характеристики: I 30 A; U 200 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162659 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 460 Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162660 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 460 A Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162751 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 V Технические характеристики: I 55 A; U 60 V; R 0.0165 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162786 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 0.006 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162795 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 530 N Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162825 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 3303 Технические характеристики: I 4.6 A; U 30 V; R 0.031 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162827 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2502 TR Технические характеристики: I 4.2 A; U 20 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162832 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6401 TR Технические характеристики: I -4.3 A; U -12 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162869 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 N HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162873 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 N HEXFET Технические характеристики: I 27 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162877 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 N HEXFET Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162879 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 NS HEXFET Технические характеристики: I 47 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0,008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151573 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151583 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06 Технические характеристики: I 50 A; U 60 V; P 131 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152902 Маломощный транзистор Infineon BSS 123 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152928 Маломощный транзистор Infineon BSS 138 N Технические характеристики: I 220 mA; U 50 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140252 Однополярный стандартный транзистор BSN20 Технические характеристики: I 100 mA; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162494 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7524 D 1 TRPBF Технические характеристики: I -1.7 A; U -20 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162398 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 3710 S Технические характеристики: I 57 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162420 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 6215 S Технические характеристики: I -13 A; U 150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162547 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 9 Z 14 Технические характеристики: I -6.7 A; U -60 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162555 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 18 N 50 K Технические характеристики: I 17 A; U 500 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162583 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 120 Технические характеристики: I 1.3 A; U 100 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162592 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9210 Технические характеристики: I -0.4 A; U -200 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162619 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBF 30 G Технические характеристики: I 1.9 A; U 900 V; R 3.7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162635 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 048 N Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162662 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 9140 N Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162675 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162678 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 014 Технические характеристики: I 7.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162689 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 224 Технические характеристики: I 3.8 A; U 250 V; R 1.1  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFS 23 Технические характеристики: I 24A; U 200 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162725 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 320 Технические характеристики: I 3.1 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162728 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 420 Технические характеристики: I 2.4 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162755 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NS Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162769 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3102 S Технические характеристики: I 61 A; U 20 V; R 0.013 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162778 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3302 S Технические характеристики: I 39 A; U 20 V; R 0.020 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162806 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162811 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 3705 N Технические характеристики: I 52 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162818 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 44 N Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162839 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I -2.3 A; U -20 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162849 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3103 Технические характеристики: I 55A; U 30 V; R 0.019 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162866 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 L HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 200 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156493 Однополярный транзистор Korea Electronics 2N7000A Технические характеристики: I 200 mA; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155779 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STD 5 NK 40 ZT 4 Технические характеристики: I 3 A; U 400 V; R 1.9 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164401 Транзистор International Rectifier IRLU 3717 HEXFET Технические характеристики: I 120 A; U 20 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153234 Интеллектуальный выключатель питания Infineon BTS 432 E 2-E-3062A ProFET Технические характеристики: I 11 A; U >60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153029 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 998 Технические характеристики: I 30 mA; U 12 V; P 200 mW [email protected].ru или по тел. (495) 66-99-077
153581 Транзистор питания Infineon BUZ 31 Технические характеристики: I 13.5 A; U 200 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153608 Транзистор питания Infineon BUZ 32 Технические характеристики: I 9.5 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153369 Транзистор питания Infineon BUZ 42 Технические характеристики: I 4 A; U 500 V; R 2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153382 Транзистор питания Infineon BUZ 60 SIE Технические характеристики: I 5.5 A; U 500 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153463 Транзистор питания Infineon BUZ 73 H Технические характеристики: I 7 A; U 200 V; R 0,4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153985 Транзистор Infineon SPW 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156103 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 80 NF 10 Технические характеристики: I 80 A; U 200 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156110 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 L Технические характеристики: I 16 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152954 Маломощный транзистор Infineon BSP 318 S Технические характеристики: I 2600 mA; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152980 Маломощный транзистор Infineon BSP 320 S Технические характеристики: I 2900 mA; U 60 V; R 0.12 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153165 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 115 A Технические характеристики: I 15.5 A; U 50 V; R 120 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164334 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Z Технические характеристики: I 150 A; U 55 V; R 4.90 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164337 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 2807 Z Технические характеристики: I 89 A; U 75 V; R 9.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164338 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Z Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164357 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7831 Технические характеристики: I 21 A; U 30 V; R 3.6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164361 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 3704 Z Технические характеристики: I 42 A; U 20 V; R 8.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164331 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Z Технические характеристики: I 190 A; U 40 V; R 3.70 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153191 Транзистор Infineon BSP 76 Технические характеристики: I 5 A; U >42 V; R 200 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154116 Транзистор Infineon SPD 07 N 60 S5 Технические характеристики: I 7,3 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153749 Транзистор Infineon SPU 01 N 60 S5 Технические характеристики: I 0,8 A; U 600 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153568 Транзистор питания Infineon BUZ 30 A SIE Технические характеристики: I 21 A; U 200 V; R 0.13 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153489 Транзистор питания Infineon BUZ 73 AL Технические характеристики: I 5.8 A; U 200 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153393 Транзистор Infineon BTS 621 L1-E-3128A ProFET Технические характеристики: I 2 x 4.4 A; U 5 — 34 V; R 2 x 100 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153381 Транзистор питания Infineon BUZ 104 S Технические характеристики: I 14 A; U 55 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153700 Транзистор питания Infineon BUZ 100 S Технические характеристики: I 77 A; U 55 V; R 0.015 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153420 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I 12.6 A; U 5 — 34 V; R 30 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153231 Маломощный транзистор Infineon BSP 295 Технические характеристики: I 1800 mA; U 50 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
163643 Транзистор MOSFET 2 N 4416 Технические характеристики: I 15 mA; U 30 V; P 300 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151006 Транзистор MOSFET NXP 2 N 7002 GEG HSMD Технические характеристики: I 0.18 A; U 60 V; P 0.25 W; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150994 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7002 LT 1 Технические характеристики: I 0.115 A; U 60 V; R 7.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157830 Транзистор MOSFET BF 244 A N Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157082 Транзистор MOSFET BF 244 B Технические характеристики: I 50 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157120 Транзистор MOSFET BF 245 C Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157848 Транзистор MOSFET BF 245 A Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157139 Транзистор MOSFET BF 246 A Технические характеристики: I 0.08 A; U25 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158968 Однополярный стандартный транзистор BS 250 Технические характеристики: I 0.25 A; U 45 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150848 Транзистор MOSFET NXP BSP 250 GEG NXP Технические характеристики: I 3 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150901 Транзистор MOSFET NXP BSS 84 GEG Технические характеристики: I 0.13 A; U 50 V; R 10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151517 Транзистор MOSFET Infineon BUZ 21 Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; P 105 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162357 Транзистор MOSFET Vishay FB 180 SA 10 Технические характеристики: I 180 A; U 100 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162358 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 E Технические характеристики: I 57 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162364 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NS Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162365 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1104 Технические характеристики: I 100 A; U 40 V; R 0.009 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162368 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 N Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162371 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NS Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162372 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162373 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRF 1404 L Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162384 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3415 Технические характеристики: I 43 A; U 150 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162390 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3706 Технические характеристики: I 77 A; U 20 V; R 0.0085 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162393 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3707 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.0125 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162394 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162397 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Технические характеристики: I 57 A; U100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162404 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 520 N Технические характеристики: I 9.7 A; U 100 V; R 0,2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162406 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5210 Технические характеристики: I -40 A; U -100 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162414 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162415 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 S Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162416 Транзистор MOSFET Vishay IRF 620 Технические характеристики: I 5.2 A; U 200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162419 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 6215 Технические характеристики: I -13 A; U -150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162421 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 630 N Технические характеристики: I 9.3 A; U 200 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162424 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 N Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162425 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NS Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162427 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 644 Технические характеристики: I 14 A; U 250 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162429 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 710 Технические характеристики: I 2 A; U 400 V; R 3.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162431 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7103 Технические характеристики: I 3 A; U 50 V; R 0.13 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162433 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7105 Технические характеристики: I 3.5 A/-2.3 A; U 25 V; R 0.109 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162437 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7204 Технические характеристики: I -5.3 A; U -20 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162440 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7220 Технические характеристики: I -11 A; U -14 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162441 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162445 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7304 Технические характеристики: I -4.3 A; U -20 V; R 0.09 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162447 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7307 Технические характеристики: I 5.2 A/-4.3 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162449 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162451 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7311 Технические характеристики: I 6.6 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162455 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7317 Технические характеристики: I 6.6 A/-5.3 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162456 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7319 Технические характеристики: I 6.5 A/-4.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162458 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7342 Технические характеристики: I -3.4 A; U -55 V; R 0.105 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162459 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7343 Технические характеристики: I 4.7 A/-3.4 A; U 55 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162462 Транзистор MOSFET Vishay IRF 740 Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162463 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF Технические характеристики: I 8.7 A; U 20 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162464 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7402 Технические характеристики: I 6.8 A; U 20 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162467 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7406 Технические характеристики: I -5.8 A; U -30 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162471 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 LC Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162473 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7410 Технические характеристики: I -16 A; U -12 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162474 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7413 Технические характеристики: I 12 A; U 30 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162481 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7456 Технические характеристики: I 16 A; U 20 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162482 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7457 Технические характеристики: I 15 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162483 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7458 Технические характеристики: I 14 A; U 30 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162521 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 A Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162529 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 L Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 850 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162532 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9410 Технические характеристики: I 7 A; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162538 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NS Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162539 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9610 Технические характеристики: I -1.8 A; U -200 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162540 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9620 Технические характеристики: I -3.5 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162541 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9630 Технические характеристики: I -6,5 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162542 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9640 Технические характеристики: I -11 A; U -200 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162545 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9953 Технические характеристики: I -2.3 A; U -30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162551 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34 Технические характеристики: I -19 A; U -55 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162556 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 23 N 15 D Технические характеристики: I 23 A; U 150 V; R 0.09 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162559 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 31 N 20 D Технические характеристики: I 31 A; U 200 V; R 0.082 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162560 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 41 N 15 D Технические характеристики: I 41 A; U 150 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162561 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 59 N 10 D Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162562 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 60 A Технические характеристики: I 9.2 A; U 600 V; R 0.75  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162563 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 65 A Технические характеристики: I 8.5 A; U 650 V; R 0.9  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162564 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 20 Технические характеристики: I 2.2 A; U 600 V; R 4.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162565 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162567 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 A Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162568 Транзистор MOSFET Vishay IRFBC 40 Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162578 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162582 Транзистор MOSFET Vishay IRFD 110 Технические характеристики: I 1A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162591 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9120 Технические характеристики: I -1 A; U -100 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162594 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1010 N Технические характеристики: I 49 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162602 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 630 G Технические характеристики: I 5.9 A; U 200 V; R 0.4  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162606 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 730 G Технические характеристики: I 3.7 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162611 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 840 G Технические характеристики: I 4.6 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162612 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 9630 G Технические характеристики: I -4.3 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162617 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBC 40 G Технические характеристики: I 3.5 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162623 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 44 N Технические характеристики: I 31A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162626 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 014 N Технические характеристики: I 1.9 A; U 55 V; R 0.16 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162627 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 110 Технические характеристики: I 1.5 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162630 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 4105 Технические характеристики: I 3.7 A; U 55 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162633 Транзистор MOSFET Vishay IRFL 9110 Технические характеристики: I -1.1 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162634 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 044 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162637 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 064 N Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162639 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 150 N Технические характеристики: I 39 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162640 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 22 N 50 A Технические характеристики: I 22 A; U 500 V; R 0.23 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162641 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 240 Технические характеристики: I 20 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162645 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 264 Технические характеристики: I 38 A; U 250 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162648 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 350 Технические характеристики: I 16 A; U 400 V; R 0.30 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162650 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162651 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 LC Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162653 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3710 Технические характеристики: I 51 A; U 100 V; R 0.028 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162656 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162657 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 450 A Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162658 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 LC Технические характеристики: I 16 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162663 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 9240 Технические характеристики: I 12 A; U 200 V; R 0.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162665 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 50 Технические характеристики: I 11 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162669 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 LC Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162671 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 40 Технические характеристики: I 5.4 A; U 800 V; R 2.0 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162672 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 50 Технические характеристики: I 7.8 A; U 800 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162676 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 40 Технические характеристики: I 4.3 A; U 1000 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162682 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1205 Технические характеристики: I 37 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162686 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1 N 60 A Технические характеристики: I 1.4 A; U 600 V; R 7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162690 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 2407 Технические характеристики: I 42 A; U 75 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162696 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 5305 Технические характеристики: I 31 A; U -55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162699 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 9024 Технические характеристики: I 8A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162701 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 9120 N Технические характеристики: I — 6.6 A; U — 100 V; R 0.48 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162729 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 5305 Технические характеристики: I 28 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162730 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 9024 N Технические характеристики: I 11 A; U 55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162737 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162739 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N Технические характеристики: I 17 A; U 50 V; R 0.07 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162745 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 E Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162746 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 ES Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162752 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 46 N Технические характеристики: I 46 A; U 55 V; R 0.02  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162753 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162757 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 V Технические характеристики: I 72 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162758 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 Технические характеристики: I 92 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162759 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 S Технические характеристики: I 110 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162760 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1104 Технические характеристики: I 104 A; U 40 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162763 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 N Технические характеристики: I 100 A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162767 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2910 Технические характеристики: I 55 A; U 100 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162770 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3103 HEXFET Технические характеристики: I 56 A; U 30 V; R 0.014 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162776 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3202 Технические характеристики: I 48 A; U 20 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162779 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3303 Технические характеристики: I 38 A; U 30 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162782 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162783 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 S Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162784 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 N Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162785 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NS Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162787 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 L Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162789 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162798 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 540 N Технические характеристики: I 36 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162801 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162805 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162814 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 540 N Технические характеристики: I 23 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162815 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 24 N Технические характеристики: I 14 A; U 50 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162819 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 014 Технические характеристики: I 2 A; U 55 V; R 0.14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162820 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 024 N Технические характеристики: I 3.1A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162826 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2402 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 20 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162828 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2803 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162833 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR Технические характеристики: I -3.7 A; U -20 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162836 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 2002 TR Технические характеристики: I 6.5 A; U 20 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162843 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162845 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 120 N Технические характеристики: I 10 A; U 100 V; R 0.185 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162856 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162857 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 110 Технические характеристики: I 4.3 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162865 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 00.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162871 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 NS HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162875 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 NS HEXFET Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162881 Транзистор MOSFET International Rectifier SI 4410 DY Технические характеристики: I 10 A; U 30 V; R 0.0135 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153244 Транзистор MOSFET Infineon BSP 78 Технические характеристики: I 30 A; U >42 V; R 50 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153422 Транзистор Infineon IPP80CN10NG (=BUZ 72) Технические характеристики: I 13 A; U 100 V; R 78 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151456 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor IRF 9620 Технические характеристики: I -14 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162448 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7309 Технические характеристики: I 4 A/-3 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
142808 Транзистор MOSFET MMBF 4416 Технические характеристики: I 10 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151098 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MMB F170 LT1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153042 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 999 Технические характеристики: I 30 mA; U 20 V; P 200 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155772 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155773 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 640 Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155781 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 36 NF 06 Технические характеристики: I 30 A; U 60 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155786 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STW 34 NB 20 Технические характеристики: I 34 A; U 200 V; R 80 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151301 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 2955 VT4 Технические характеристики: I 42  A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151269 Силовой транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151322 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V LT4 Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0,18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153220 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 432 E2 ProFET Технические характеристики: I 11 A; U>60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151623 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0,14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151569 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06 Технические характеристики: I 70 A; U 60 V; R 0,014 Ω; P 150 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153243 Маломощный транзистор Infineon BSP 296 Технические характеристики: I 1 A; U 100 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153257 Маломощный транзистор Infineon BSP 88 Технические характеристики: I 320 mA; U 240 V; R 8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153270 Маломощный транзистор Infineon BSP 89 Технические характеристики: I 360 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153297 Маломощный транзистор Infineon BSS 119 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153072 Маломощный транзистор Infineon BSS 87 Технические характеристики: I 290 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153955 Маломощный транзистор Infineon SN 7002 Технические характеристики: I 190 mA; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140163 Транзистор MOSFET (Dual Gate) Infineon BF 990 Технические характеристики: I 30 mA; U 18 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162593 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9220 Технические характеристики: I -0.56 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162608 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 740 GLC Технические характеристики: I 5.7 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160642 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN100N50P Технические характеристики: I 75 A; U 500 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160646 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN44N100P Технические характеристики: I 37 A; U 1000 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160645 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN60N80P Технические характеристики: I 53A; U 800 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160643 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN82N60P Технические характеристики: I 72 A; U 600 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153623 Транзистор питания Infineon BUZ 81 Технические характеристики: I 4 A; U 800 V; R 2.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153019 Маломощный транзистор Infineon BSO 304 SN Технические характеристики: I 6400 mA; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153046 Маломощный транзистор Infineon BSP 373 Технические характеристики: I 1700 mA; U 100 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162477 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7421 D 1 Технические характеристики: I 5.8 A; U 30 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162395 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162423 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 634 Технические характеристики: I 8.1 A; U 250 V; R 0.45 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162435 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 720 Технические характеристики: I 3.3 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162444 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7303 Технические характеристики: I 4.9 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162446 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7306 Технические характеристики: I -3.6 A; U -30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162452 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7313 Технические характеристики: I 6.5 A; U 30 V; R 0.029 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162457 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7341 Технические характеристики: I 4.7 A; U 55 V; R 0.05 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162465 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7403 Технические характеристики: I 8.5 A; U 30 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162484 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7459 Технические характеристики: I 12 A; U 20 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162522 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162524 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 A Технические характеристики: I 5 A; U 500 V; R 1.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162546 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9956 Технические характеристики: I 3.5 A; U 30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162570 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 40 LC Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162572 Транзистор MOSFET Vishay IRFBE 30 Технические характеристики: I 4.1 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162576 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBF 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 900 V; R 3.7  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162579 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162581 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162589 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9024 Технические характеристики: I -1.6 A; U -60 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162590 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9110 Технические характеристики: I -0.7 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162595 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1310 N Технические характеристики: I 24 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162615 Транзистор MOSFET Vishay IRFIB 6 N 60 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 600 V; R 0.75 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162616 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIB 7 N 50 A Технические характеристики: I 6.6 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162625 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 48 N Технические характеристики: I 36 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162638 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 140 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162668 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162684 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 13 N 20 D Технические характеристики: I 14 A; U 200 V; R 0.235 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162766 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2703 Технические характеристики: I 24 A; U 30 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162816 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 34 N Технические характеристики: I 22 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected]rad-rus.ru или по тел. (495) 66-99-077
162824 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 2705 Технические характеристики: I 3.8 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162835 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 1902 Технические характеристики: I 3.2 A; U 20 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162852 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3410 Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140586 Транзистор MOSFET ROHM Semiconductor UM6K1NTN Технические характеристики: I 100 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077

SON-1206D-1 | zhevak

Подойдёт любой полевой транзистор, который рассчитан на напряжение не менее 500-600 В и ток стока 10-20 А. Мощность зарядника небольшая, поэтому, я думаю даже подойдут такие старенькие транзисторы как IRF820, IRF830, IRF840.

Сейчас таких высоковольтных транзисторов полным полно. Можете смело ставить любой транзистор с обозначением IRFBiiNvv, где ii — значение тока в амперах, а vv — это значение напряжения в десятках вольт. Например, IRFB20N50 — это транзистор на 500 В и ток 20 А. Дополнительные буквы в конце обозначения определяют корпус транзистора, его температурный диапазон, ещё какую-нибудь не существенную для Вашего случая характеристику типа бессвинцовой технологии или типа упаковочной тары.

Вам важно выбрать транзистор, у которого напряжение не ниже 500 В. Больше — можно, но смысла брать транзистор с напряжением более 550-600 В нет.

Дело в том, что максимальное напряжение на транзисторе определяется выпрямленным напряжением сети (примерно 300-350В) плюс пересчитанное с коэф. трансформации выходное напряжение на вторичной обмотке. Максимальное напряжение на вторичной обмотке можно считать, что не превышает 15-16 В, но, честно говоря, я не знаю, соотношение витков первичной и вторичной обмоток и не измерял амплитуду напряжения на транзисторе. Я могу только предполагать, что пересчитанное напряжение в первичной обмотке напряжение на первичной обмотке находится годе-то в районе 100-150 В.

Что же касается тока, то поскольку зарядник не такой уж мощный (чай не сварочный аппарат!), поэтому, считаю, будет разумным взять транзистор с током 10-20 А. Транзисторы с меньшим током будут несколько сильнее греться. Но, как показывает практика, я что-то не заметил какого-либо заметного нагрева. Значит, можно взять менее дорогой транзистор с током 10-15 А.

Ну и самое главное — транзистор должен быть с каналом N-типа.Транзисторы с каналом P-типа тоже есть, но их значительно меньше.

Что касается таких параметров как напряжение на затворе и ёмкость затвора, то об этом можно не беспокоится. Как правило, все высоковольтные транзисторы в этом отношении примерно одинаковые.

Так что, выбирайте транзистор по току-напряжению и смело устанавливайте! Работать будет.

Электронные ключи — Стр 3

22

 

 

 

 

 

Продолжение таблицы 1

 

 

 

 

5,2

 

 

 

КП749А

IRF620

200

0,8

 

50

 

КП749Б

IRF621

150

0,8

5,2

 

 

 

КП749В

IRF622

200

1,2

4,0

 

 

 

КП750А

IRF640

200

0,18

18,0

 

125

 

КП750Б

IRF641

150

0,18

18,0

 

 

 

КП750В

IRF642

200

0,22

16,0

 

 

2,0 — 4,0

КП751А

IRF720

400

1,8

3,3

 

50

КП751Б

IRF721

350

1,8

3,3

 

 

 

КП751В

IRF722

400

2,5

2,8

 

 

 

КП780А

IRF820

500

3,0

2,5

 

50

 

КП780Б

IRF821

450

3,0

2,5

 

 

 

КП780В

IRF822

500

4,0

2,2

 

 

 

СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………….5

1 ЦИФРОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ…………………………………………….

5

1.1

Диодные электронные ключи…………………………………………………………………

5

1.2

Электронные ключи на биполярных транзисторах………………………………

7

1.3

Электронные ключи на полевых транзисторах…………………………………..

12

1.4

Цифровые ключи на IGBT транзисторах…………………………………………….

14

1.5

Аналоговые ключи……………………………………………………………………………….

17

23

Учебное издание

Авторы: Кудрявцев И.А., Фалкин В.Д.

ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

Учебное пособие

Самарский государственный аэрокосмический ун-т им. академика С.П. Королева

443086, Самара, Московское шоссе, 34

Цветовая маркировка полевых транзисторов и их аналоги

Приведенные ниже данные составил Козак Виктор Романович

Цветовая маркировка полевых транзисторов
КП312А
КП312Б
2П312А
2П312Б
маркируется двумя желтыми точками
маркируется двумя синими точками
маркируется одной желтой точкой
маркируется одной синей точкой
3П320А-2
3П320Б-2
маркируется одной красной точкой
маркируется одной зеленой точкой
КП323А-2
КП323Б-2
маркируется черным символом «+»
маркируется синим символом «+»
3П324А-2
3П324Б-2
маркируется одной красной точкой
маркируется одной синей точкой
АП325А-2
3П325А-2
маркируется черной полосой и точкой
маркируется черной полосой
3П326А-2
3П326Б-2
не маркируется
маркируется черной точкой
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
маркируется одной белой точкой
маркируется двумя белыми точками
маркируется одной красной точкой
маркируется двумя красными точками
3П328А-2 маркируется черной точкой
КП329А
КП329Б
маркируется одной цветной точкой
маркируется двумя цветными точками
3П330А-2
3П330Б-2
3П330В-2
не маркируется
маркируется белой точкой
маркируется черной точкой
3П331А-2 маркируется черной полосой
3П339А-2 маркируется черными точкой и полосой
3П343А-2 маркируется двумя черными точками
3П344А-2 маркируется черной точкой
КП346А-9
КП346Б-9
маркируется белой точкой
маркируется желтой точкой
3П606А-2
3П606Б-2
3П606В-2
маркируется черной точкой
маркируется двумя черными точками
маркируется тремя черными точками
3П608А-2
3П608Б-2
3П608Г-2
маркируется желтой точкой
маркируется двумя желтыми точками
маркируется зеленой точкой
3П927А-2
3П927Б-2
3П927В-2
3П927Г-2
3П927Д-2
маркируется красной точкой
маркируется белой точкой
маркируется черной точкой
маркируется красной и белой точками
маркируется красной и черной точками

Стабилизатор напряжения для ламповых схем • HamRadio

Стабилизатор напряжения для ламповых схем при конструировании схем мы часто сталкиваемся со значительной разницей между напряжением, поступающим от источника питания анода, и фактическими требованиями устройства. Устранение этой разницы при использовании последовательно включенных резисторов имеет ряд недостатков тогда напряжение сильно зависит от нагрузки. Предлагаемая схема способна обеспечить необходимое напряжение с допуском 4-5%, одновременно снижая пульсации. Принципиальная схема стабилизатор напряжения для ламповых схем показана на рисунке.

Диод D1 подключен последовательно к входу для защиты схемы в случае ошибочного изменения полярности. Диоды D2, D3 и резистор R1, определяют опорное напряжение. При выборе этих элементов определяется выходное напряжение. Опорное напряжение в воротах и будет идти T1 и T2. Использование МОП-транзисторов вместо биполярных продиктовано отсутствием явления вторичного пробоя, которое ограничивало бы ток при высоких напряжениях.

Использование двух транзисторов облегчает отвод тепла от них. Резистор R2 и конденсатор C2 предотвращают паразитные колебания. Резисторы R3 и R4 предназначены для выравнивания характеристик между транзисторами T1 и T2. Резисторы R5 и R6 и транзистор T3 ограничивают выходной ток до установленного значения. Когда падение напряжения на R6 достаточно велико, чтобы открыть T3, источники T1 и T2 замыкаются на свои затворы, что ограничивает выходное напряжение, в результате чего возникает ток.

 

Резистор R5 защищает базу T3 от повреждения от перегрузки по току. Конденсаторы С1 и С3 предназначены для блокировки импульсных помех, которые в ламповых цепях крайне нежелательны. Стабилизатор напряжения для ламповых схем собрана на односторонней печатной плате размером 105 мм × 40 мм, которая показана на рисунке.

Максимальное выходное напряжение, которое можно получить, ограничено напряжением источника питания транзисторов T1 и T2, рабочим напряжением конденсаторов C1 … C3. Его значение определяется путем сложения напряжений стабилитронов D2 и D3 — в представленной схеме не рекомендуется превышать напряжение выше 300 В, что достаточно для предварительных усилителей и других устройств с низким энергопотреблением.

Стабилитроны следует устанавливать чуть выше платы из-за выделяемого тепла. Также желательно использовать диоды с максимально возможной мощностью, чтобы они не перегревались. Для выходного тока, превышающего 150 мА, используйте резисторы R3, R4 и R6 с более высокими допустимыми по мощности. Фактически полученные значения выходного напряжения и максимального тока могут отличаться от предполагаемых из-за допусков параметров отдельных элементов. В стабилизаторе, адаптированном к входящему напряжению питания около 250 В, выходное напряжение составляет около 220 В, а максимальный выходной ток составляет около 70 мА.

Ну и в заключении хотелось добавить о типе транзисторов, они должны соответствовать минимальным требованиям к параметрам, MOSFET с каналом N-типа и максимальным напряжением сток-исток не менее 500 В. Этим требованиям отвечает, например, IRF820. На транзисторах находится высокий положительный потенциал — в целях безопасности их следует крепить к радиатору с помощью теплопроводящих прокладок, а также, как и в схеме, можно использовать транзисторы с изолированными корпусами типа IRFIBC20G.

Спецификация

IRF820 — 2,5 А, 500 В, 3 000 Ом, N-канальный силовой МОП-транзистор

HTZ130B24K : . НОМИНАЛЬНЫЕ ТОКИ — С ВОЗДУШНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ IF(AV) Средний прямой ток IF Непрерывный (постоянный) прямой ток Rth(ja) Термическое сопротивление перехода к окружающей среде НОМИНАЛЬНЫЕ ТОКИ — С МАСЛЯНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ IF(AV) Средний прямой ток IT Непрерывный (постоянный) прямой ток Rth(jo ) Температурное сопротивление перехода к маслу. ОЦЕНКИ ИМПУЛЬСОВ 2t I2t для предохранителя IFSM Surge (неповторяющегося) вперед.

M53210810CB0 : SIMM.= M53210810CW0 8 МБ X 32 DRAM Simm с использованием 4 МБ X 4, обновление 4 КБ/2 КБ, 5 В ;; Плотность (МБ) = 32 ;; Организация = 8Mx32 ;; Режим = Быстрая страница ;; Обновление = 2K/32 мс ;; Скорость(нс) = 50,60 ;; #Пин = 72 ;; Состав компонентов = (4Mx4)x16 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = Припой.

SIGC12T120 : Высоковольтные микросхемы. Для привода, траншейных и полевых упоров. : 1200 В Технология Trench & Field Stop низкие потери при выключении короткий хвостовой ток положительный температурный коэффициент простота параллельного подключения Этот чип используется для: силового модуля МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ: Размер растра Размер площадки излучателя Размер площадки затвора Площадь общая / активная Толщина Размер пластины Плоское положение Макс.возможные чипы на пластину Пассивация лицевой стороны Эмиттерная металлизация.

VHP203JTP120K50AB : Герметично запечатанная миниатюрная ультравысокоточная технология Z-пленки. Герметично запаянные миниатюрные сверхвысокоточные резисторы с технологией Z-Foil с TCR 0,05 ppm/C, допуском 0,001 % и стабильностью срока службы 0,005 Не зависит от влажности Температурный коэффициент сопротивления (TCR): 0,05 ppm/C до 60 C) Доступно без свинца Коэффициент мощности «R из-за самонагрева»: 5 ppm при номинальной мощности RoHS* СООТВЕТСТВУЕТ Допуск:.

431610 : Корпуса, коробки и футляры 7,87 x 3,52 x 2 Черная экструдированная раковина. s: Производитель: Hammond; Категория продукта: корпуса, коробки и футляры; RoHS: Подробная информация ; Продукт: монтажные шкафы; Длина: 7,87 дюйма; Ширина: 3,52 дюйма; Высота: 2 дюйма; Материал: экструдированный алюминий; Черный цвет.

SN74HC21QPWRQ1 : Логика — интегральная схема затвора и инвертора (ics) И затвор Digi-Reel 4 мА, 4 мА 2 В ~ 6 В; IC DUAL 4IN POS-AND GATE 14TSSOP. s: количество цепей: 2; Пакет/кейс: 14-ЦСОП (0.173″, ширина 4,40 мм); Тип логики: AND Gate; Упаковка: Digi-Reel; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Количество входов: 4; Ток-выход: высокий, низкий: 4 мА, 4 мА; Рабочий.

CRCW08055R36FKEAHP : 5,36 Ом, 0,333 Вт, чип-резистор 1/3 Вт — поверхностный монтаж; RES 5,36 Ом 0,33 Вт 1% 0805 SMD. с: Сопротивление (Ом): 5,36 Ом; Мощность (Ватт): 0,333 Вт, 1/3 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Толстая пленка; Температурный коэффициент: 100ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

05002560AJZB : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0,000056 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 5,60E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

CHB022 : РЧ РАЗЪЕМ. s: Приложения: ВЧ и СВЧ соединители.

GNSG70-500E : 2 А, 400 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Пакет: DIE-1 ; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 400 вольт; ЕСЛИ: 2000 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

BR206 : IC МОДУЛЬ DC/DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 20A. s: Семья: Неопределенная семья ; Ряд: *.

SCMRA0B450MC00MV00 : КОНДЕНСАТОР ДВУХСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, 16 В, 450000000 мкФ, МОНТАЖ НА ШАССИ. s: Технология: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Диапазон емкости: 4,50E8 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 16 вольт; Способ крепления: КРЕПЛЕНИЕ НА ШАССИ; Рабочая температура: от -30 до 65 C (от -22 до 149 F).

SDS125-100K : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль руководства: ОДНА ПОВЕРХНОСТЬ; Литой/экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Номинальный постоянный ток: 2700 мА; Рабочая Температура:.

74-03-01 : 0 МГц — 28000 МГц ФИКСИРОВАННЫЙ ВЧ/СВЧ-АТТЕНЮАТОР. s: Тип аттенюатора: Фиксированный; Частота: 0.от 0 до 28 ГГц; КСВ: 1,35 1 ; Затухание: 3 дБ.

8427-0-15-01-30-02-04-0 : БЕРИЛЛИЕВАЯ МЕДЬ, ОЛОВО-СВИНЦОВЫЙ (100) ПОВЕРХ НИКЕЛЕВОЕ ПОКРЫТИЕ, КОНТАКТ ДЛЯ ПХД. s: Тип терминала: ТЕРМИНАЛ ДЛЯ ПХД ; Материал: медь.

IRF820 — Технический паспорт PDF — Транзисторы — FET, MOSFET — Single — Rochester Electronics, LLC

  • Тип

    Параметр

  • Тип крепления

    Сквозное отверстие

  • Пакет/кейс

    ТО-220-3

  • Поверхностное крепление Что такое поверхностный монтаж?
    с выводами, предназначенными для пайки на той стороне печатной платы, на которой установлен корпус компонента.

    НЕТ

  • Материал транзисторного элемента

    СИЛИКОН

  • Рабочая Температура Какая рабочая температура?
    Рабочая температура — это диапазон температуры окружающей среды, в котором работает блок питания или любое другое электрическое оборудование. Он варьируется от минимальной рабочей температуры до пиковой или максимальной рабочей температуры, за пределами которой блок питания может выйти из строя.

    -55°C~150°C TJ

  • Статус детали Каков статус детали?
    Детали могут иметь множество статусов по мере их прохождения через этапы настройки, анализа, проверки и утверждения.

    Устаревший

  • Уровень чувствительности к влаге (MSL)

    1 (без ограничений)

  • Количество прекращений

    3

  • Технология

    МОП-транзистор (оксид металла)

  • Терминальное положение

    ОДИНОЧНЫЙ

  • Достичь кода соответствия

    неизвестно

  • Код JESD-30

    Р-ПСФМ-Т3

  • Квалификационный статус Что такое квалификационный статус?
    Показатель формальной аттестации квалификаций.

    КОММЕРЧЕСКИЙ

  • Количество элементов

    1

  • Конфигурация

    ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ

  • Рассеиваемая мощность-макс.

    50 Вт Тс

  • Режим работы Что такое режим работы?
    Фаза эксплуатации на этапах эксплуатации и технического обслуживания жизненного цикла объекта.

    РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ

  • Соединение корпуса

    СЛИВ

  • Тип полевого транзистора

    N-канал

  • Применение транзистора

    ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ

  • Rds On (Max) @ Id, Vgs

    3 Ом @ 1.5А, 10В

  • Vgs(th) (макс.) @ Id

    4 В при 250 мкА

  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds

    360 пФ при 25 В

  • Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

    2,5 А Тс

  • Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

    24 нКл при 10 В

  • Напряжение сток-исток (Vdss)

    500 В

  • Напряжение привода (макс. число оборотов вкл., мин. число оборотов вкл.)

    10 В

  • VGS (макс.)

    ±20 В

  • Код JEDEC-95

    ТО-220АБ

  • Максимальный ток стока (абс.) (ID)

    2.5А

  • Сток-источник On Сопротивление-макс.

    3 Ом

  • Максимальный импульсный ток стока (IDM)

  • Минимальное напряжение пробоя DS

    500 В

  • Статус RoHS Что такое статус RoHS?
    RoHS означает «Ограничение некоторых опасных веществ» в «Директиве об опасных веществах» в электрическом и электронном оборудовании.

    Не соответствует требованиям RoHS

  • irf820%20эквивалентный техпаспорт и примечания по применению

    IRF820

    Аннотация: IRF822
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820/821/822/823 О-220 IRF820 IRF821 IRF822 IRF823
    ирф820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820, ИРФ821, ИРФ822, IRF823 ThIRF823 irf820
    IRF820

    Резюме: IRF822 irf821 IRF820.821 НА 823 IRF820 SAMSUNG к 55 д 3j3 IRF423 IRF422 IRF420
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820/821/822/823 IRF820 IRF821 IRF822 IRF823 О-220 7Тб414С QG1731L, ИРФ820/821/822/823 ИРФ820.821 ПО 823 IRF820 САМСУНГ к 55 д 3j3 IRF423 IRF422 IRF420
    IRF822

    Аннотация: irf820
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820, ИРФ821, ИРФ822, IRF823 ТА17405.РФ822, РФ823 IRF822 irf820
    IRF820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820/821 О-220 IRF820 IRF821 IRF820
    IRF822

    Реферат: IRF820 IRF823 IRF821 Диод IRF820
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820, ИРФ821, ИРФ822, IRF823 50В-500В IRF822 IRF823 IRF820 IRF821 Диод IRF820
    2001 — IRF820

    Аннотация: irf-82
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 IRF82 O220AB IRF820 ирф-82
    IRF820

    Аннотация: IRF820.821 ИРФ822
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ820/821/822/823 IRF820 IRF821 IRF822 IRF823 ИРФ820.821
    2000 — IRF820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 IRF820
    1998 — IRF820

    Аннотация: IRF820N
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 IRF820 IRF820N
    IRF820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF IRF820 IRF820
    2006 — IRF820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 О-220 IRF820
    2н50

    Реферат: irf420 IRF820 MTP2N45 ST 2N50 1rf820 mtp2n50 2N50A IRF423 IRF422
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF ИРФ420-423/ИРФ820-823 МТП2Н45/2Н50 О-204АА IRF420 IRF421 IRF422 IRF423 О-220АБ IRF820 IRF821 2н50 IRF820 МТР2Н45 СТ 2Н50 1рф820 мтп2н50 2Н50А IRF423
    2006 — IRF820

    Резюме: JESD97 IRF8204
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 IRF820 JESD97 IRF8204
    IRF820

    Аннотация: p-канальный MOSFET 100 В IRF820-251 высоковольтный MOSFET, корпус to-220 Диод IRF820 TO-252 N-канальный силовой MOSFET
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220ФП О-252 О-251 IRF820 p-канальный мосфет 100v ИРФ820-251 высоковольтный мосфет, корпус до-220 Диод IRF820 TO-252 N-канальный силовой МОП-транзистор
    IRF 450 МОП-транзистор

    Реферат: IRF820 IRF821 IRF823 D 823 транзистор 4570 821 транзистор IRF 450 IRF820.821 МТР3Н45 72СМ
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF IRF820 IRF821 IRF823 221а-04 tq-220ab IRF821. МОП-транзистор IRF 450 IRF823 Транзистор Д 823 4570 821 транзистор ИРФ ​​450 ИРФ820.821 МТР3Н45 72СМ
    1997 — IRF822

    Резюме: IRF820 IRF821 IRF823 TB334 IRF823 Харрис
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ИРФ820, ИРФ821, ИРФ822, IRF823 IRF822 IRF820 IRF821 IRF823 ТБ334 IRF823 Харрис
    2000 — IRF820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 IRF820
    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF IRF820
    2006 — Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF IRF820 О-220 IRF820 О-220
    Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF IRF820 ИРФС22 IRF823 О-220АБ С-307 ИРФ820, ИРФ821, ИРФ822, IRF823 С-308
    2008 — irf820

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ИРФ820, SiHF820 О-220 12 марта 2007 г. irf820
    2012 — ИРФ820ПБФ

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ИРФ820, SiHF820 2002/95/ЕС О-220АБ 2011/65/ЕС 2002/95/ЕС.2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. 12 марта 2012 г. ИРФ820ПБФ
    2012 — Д 92 М — 02 ДИОД

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ИРФ820, SiHF820 2002/95/ЕС О-220АБ 2011/65/ЕС 2002/95/ЕС. 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. 12 марта 2012 г. Д 92 М — 02 ДИОД
    2012 — Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF ИРФ820, SiHF820 2002/95/ЕС О-220АБ 11 марта 2011 г.

    Сайты поиска технических данных для полупроводников

    Что такое техническое описание?

    Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам .Спецификация — это документ, напечатанный или электронный, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

    Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

    Раньше он распространялся в виде книги, называемой сборником данных, но теперь он доступен в виде файла PDF.Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.

    Тем не менее рекомендую свериться с техническими данными за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.

    Сайты ссылок

    1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников

    • https://www.arrow.com/
    • https://www.digikey.com/
    • https://www.mouser.com/
    • http://www.element14.com/
    • https://www.verical.com/
    • http://www.chip1stop.com/
    • https://www.avnet.com/
    • http://www.newark.com/
    • http://www.futureelectronics.com/
    • https://www.ttiinc.com/

     

    2. Datasheet Search Site Collection

    • http://www.datasheet39.com/
    • http://www.datasheet4u.com/
    • http://www.datasheetcatalog.com/
    • http://www.alldatasheet.ком/
    • http://www.icpdf.com/
    • http://www.htmldatasheet.com/
    • http://www.datasheets360.com/
    • https://octopart.com/

    Octopart — это поисковая система для электронных и промышленных деталей. Найдите данные детали , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

     

    3. Другие семейства веб-сайтов, связанные с таблицами данных

    • https://en.wikipedia.org/wiki/Технические данные
    • http://www.smdcode.com/en/
    • http://www.s-manuals.com/smd
    • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

    4. Как читать техническое описание

     

    Связанные статьи в Интернете

    IRF820 ИК-транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед

    IRF820 от производителя IR представляет собой полевой транзистор — одиночный с полевым МОП-транзистором N-Ch 500 Вольт 4 Ампер.IRF820 представляет собой N-канальный 500В 4A (Tc) 80Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp. Более подробную информацию о IRF820 можно увидеть ниже.

    Категории
    Транзисторы
    Производитель
    Международный выпрямитель
    Номер детали Весвин
    В1070-ИРФ820
    Статус без содержания свинца / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
    Состояние
    Новое и оригинальное — заводская упаковка
    Наличие на складе
    Запасы на складе
    Минимальный заказ
    1
    Расчетное время доставки
    12-17 апреля (выберите ускоренную доставку)
    Модели EDA/CAD
    IRF820 от SnapEDA
    Условия хранения
    Сухой шкаф и пакет защиты от влаги
    Vgs Напряжение источника затвора
    20 В
    Vds Напряжение пробоя источника стока
    500 В
    Удельный вес
    0.211644 унции
    Типичное время задержки включения
    8 нс
    Типичное время задержки выключения
    33 нс
    Транзистор Тип
    1 N-канал
    Полярность транзистора
    N-канал
    Технология
    Си
    Серия
    IRF/SIHF820
    Время нарастания
    8.6 нс
    Rds On Сопротивление источника стока
    3 Ом
    Pd Рассеиваемая мощность
    50 Вт
    Упаковка
    Трубка
    Чемодан
    ТО-220-3
    Количество каналов
    1 канал
    Тип монтажа
    Сквозное отверстие
    Минимальная рабочая температура
    — 55 С
    Максимальная рабочая температура
    + 150 С
    Id Непрерывный ток стока
    2.5 А
    Время осени
    16 нс
    Конфигурация
    Одноместный
    Режим канала
    Улучшение

    Ищете IRF820? Добро пожаловать в Весвин.ком, наши продажи здесь, чтобы помочь вам. Вы можете узнать о наличии компонентов и ценах на IRF820, просмотреть подробную информацию, включая производителя IRF820 и таблицы данных. Вы можете купить или узнать о IRF820 прямо здесь и прямо сейчас. Veswin является дистрибьютором электронных компонентов для товарных, распространенных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Весвин поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, CEM-клиентов и ремонтных центров по всему миру.Мы поддерживаем большой склад электронных компонентов, который может включать IRF820, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором IRF820 с полным спектром услуг для IRF820. У нас есть возможность закупать и поставлять IRF820 по всему миру, чтобы помочь вам с вашей цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас!

    • Q: Как заказать IRF820?
    • О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
    • В: Как оплатить IRF820?
    • A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
    • В: Как долго я могу получить IRF820?
    • О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
      Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
      Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте.
    • В: Гарантия IRF820?
    • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
    • В: Техническая поддержка IRF820?
    • О: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке IRF820, примечаниями по применению, заменой, техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
    ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.
    СЕРТИФИКАЦИЯ ИСО
    Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics являются точными, всеобъемлющими и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования гарантируют долгосрочное стремление Veswin Electronics к постоянным улучшениям.
    Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте отображались правильные данные о продуктах.Пожалуйста, обратитесь к техническому описанию/каталогу продукта, чтобы получить подтвержденные технические характеристики от производителя перед заказом. Если вы заметили ошибку, пожалуйста, сообщите нам.

    Время обработки: стоимость доставки зависит от зоны и страны.
    Товары пересылаются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

    ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или номером детали продукта.Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.

    • Мы предоставляем 90 дней гарантии;
    • Будет применяться предотгрузочная инспекция (PSI);
    • Если некоторые из товаров, которые вы получили, не имеют идеального качества, мы ответственно организуем возврат или замену.Но предметы должны оставаться в своем первоначальном состоянии;
    • Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    • Если ваш товар значительно отличается от описания нашего продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.
    • Налоги и НДС не будут включены;
    • Для получения более подробной информации, пожалуйста, просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
    • Хорошее качество. Еще предстоит проверить

      Опубликовано: 05 июля 2020 г.

    Комментарий

    IRF820 МОП-транзистор — 500 В 2.5A N-Channel Power MOSFET купить онлайн по низкой цене в Индии

    IRF820 — это семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов нового поколения, в которых используется усовершенствованный механизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую производительность при заряде затвора. Эта передовая технология была специально разработана для сведения к минимуму потерь проводимости, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания экстремальных скоростей dv/dt и более высокой энергии лавины. Он очень подходит для различных преобразований мощности переменного тока в постоянный в режиме переключения для миниатюризации системы и повышения эффективности.

    Особенности: —

    • Динамические DV / DT Рейтинг

    • Повторяющаяся лавина Оценка

    • Быстрая коммутация

    • Простота параллельно

    • Простой требования к диску

    • Соответствует Директиве RoHS 2002/95 / EC

    подробные характеристики

    — 150 ° C 97 50W
    1 канал
    транзистор полярность N-канал
    Напряжение сливного источника (VDS) 500V
    Непрерывный ток стока (Id) 2.5A
    Устойчивость к источникам слива (RDS ON) 3OHMS
    Gate-Source напряжение (VGS) 20V
    загрузка ворот (QG) 17 NC 17 NC
    Диапазон рабочих температур -65 — 150 ° C

    Связанные Документы

    IRF820 MOSFET DataSeet

    Торговая марка/Производитель Универсальный
    Страна происхождения Китай
    Адрес упаковщика/импортера Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
    ППМ рупий. 32.45 (включая все налоги)

    * Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

    Поиск

    может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, вам понравится
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓Доставка по всему миру!
    ✓Ограниченная распродажа
    ✓Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна отправка немедленно
    № модели
    Код ТН ВЭД 8529
    0
    Минимальное количество Начиная с одной детали
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Поиск
  • идентификатор продукта
    артикул
    gtin14
    мпн
    Статус детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары пересылаются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация об отслеживании
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Недоступно
    Заказная авиапочта 15-25 дней В наличии
    ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ 5-10 дней В наличии
    Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Спасибо за покупку нашей продукции на нашем сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
    Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

    Подробнее о защите покупок PayPal см.
    Получите заказанный товар или верните деньги.
    Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
    Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    Программа защиты покупателей PayPal
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

    Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
  • Достаточный запас по вашему срочному требованию.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
  • Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточно.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наши основные продукты
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, регулируемые R
    Звук специального назначения Аксессуары Реле
    Часы/хронометраж Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Диакс, Сидак Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и осцилляторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Соединители, межблочные соединения
    Логика ВЧ полевые транзисторы Конденсаторы
    Память ВЧ-транзисторы (BJT) Изоляторы
    PMIC SCR Светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Триаки

    Какова цена?

  • Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
  • Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

  • Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить столько, сколько захотите.
  • Когда вы отправите мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, примечаниями по применению, замена, даташит в pdf, инструкция, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предоставляете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6-месячную гарантию на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как нашего друга и работаем добросовестно!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, обращайтесь к нам.Мы всегда к вашим услугам!

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.