Irf9530 характеристики: IRF9530PBF, Транзистор, P-канал 100В 12А [TO-220AB], Vishay

Содержание

Irf9530 аналог

Правила FAQ. Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 2. Конференция работает на сервере Netberg. Добавлено: Техно-доки лучше Гуглить. А если серьезно, просто, у гугла больше инфы по иностр.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Ремонт индукционых плит аналоги IGBT транзисторов

SMCreative


Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3. Субъективный взгляд. Умоляю не обсуждать экономические и общетеоретические проблемы, ОЧЕНЬ приветствуются обсуждения технических вопросов. Ближе к технике, господа, ближе к технике не забывая о теме!

Монтаж альтернативного предусилителя ZP2 ZP2. Руководство по эксплуатации. Добавлено: Кто может помогите плиззз Solo 6 в некоторых композициях трещать стали. Или када в самом плеере громкость меняешь треск мелькает.

У меня тут мысль, что проблема в фильтрах верхних частот, или в фильтрах вообще. Заранее благодарю. Вот сейчас прослушиваю, тресков нет. Странно, у нас тут свет отрубают часто, может из-за скачков напряжения. Но када громкость меняешь треск всё-таки мелькает. Через MP3 нет таких тресков. За статьи спасибо.

Удаление темброблока в Соло6С означает и отказ от пульта ДУ. Ломать, по возможности, нужно так, чтобы потом легко можно было бы все вернуть в исходное состояние. От платы оконечника просто отсоединяем два разъема, обведенных красными кружочками, левый из них подает сигнал о включении с малой постоянной времени, по сравнению со временем заряда основных емкостей фильтра, для работы схемы замыкания выходов предусилителя на землю во избежании щелчка в АС при включении питания, правый — это питание на предусилитель.

Собственно, задача — подсоединить источник сигнала к этим проводам. На мой взгляд, с наименьшими трудозатратами и без установки дополнительного RCA входа на заднюю панель, сделать это лучше так: 77 Сигнальный провод от оконечника к преду оканчивается с двух сторон трехпиновыми мамками.

К оконечнику его подсоединяем, к преду — нет место подключения на оборотной стороны плата преда показано маленьким зеленым кружком. Второй конец разбираем или отрезаем — зависит от опыта, наличия подобных раъемов, проводов и ловкости рук.

Готовим плату преда — аккуратно перерезаем две дорожки по красной линии. Белый провод подпаиваем к левому каналу выше места разреза, красный — к правому. Черный провод можно подпаять к общему проводу, но лучше его никуда не подключать, а пустить отдельный толстый провод с общего провода оконечника и припаять его к общему проводу в районе входных гнезд на плате преда.

Надеюсь, все было понятно. Прочитал с удовольствием. За фото «потрохов» SOLO — респект, а за тест динамиков — гранд респект. Приветствую всех. Возможно, автор цикла сможет помочь. Сегодня сел за них. Ну не сходится выходной каскад со схемой из статьи. В каждом канале соединены коллектор с эмиттером в средней точке. Если там биполярники- они могут быть только одной проводимости при таком раскладе.

И информация самая противоречивая- кто пишет- GT, полевики, кто пишет- биполярники. Datasheetoв на них болт. Где-только TIP GT присутствуют, а относительно вторых- один прогорел,второй краской залит до полной нечитаемости. Крыша уже едет. Точно ли там комплементарная пара- по плате ну никак не выходит? Нельзя ли сфотать плату выходника снизу? IGBT там,оказывается,стоят. А вот на что их менять- вопрос по-прежнему открыт Причина отказа,скорее всего в том, что узкоглазые твари не затягивают крепеж, транзюки легко рукой поворачиваются на радиаторах.

Поскольку все молчат, буду выкладывать результаты своих исследований. Поиск схем по инету привел к двум выводам. Первый- стабильности схемотехнического решения у microlabов- никакой. Считая схему на этом сайте- нашел четыре варианта.

У меня пятый,»савсэм нэпохожый». Отличаются,соответственно и построением субмодуля. Он тоже близко непохож на тот,что на фотах. Промер на уцелевшем канале показывает начальные смещения на затворах 3 в. Все IGBT,которые удалось найти- открываются с 5в, значит- не подойдут без переработки субмодуля. Вот тока достать их не легче,но все же попробую. Что интересно- на сайте toshiba semiconductors их нету,datasheet датируется г,вряд ли они еще выпускаются. Замена на полевики. Крутизна характеристики от того же GT20D отстает вдвое.

Значит мощность усилка снизится в разы. Ну и ток покоя выставлять обязательно. А вот на что их менять- вопрос по-прежнему открыт.

Завершение моей эпопеи с ремонтом. Нашел уже выброшенный второй транзистор. Все-таки в моем варианте оказалось- два GT Заменил на два IRF Проверил холостой ход в выходном плече. И транзисторы теплые- все же около 5 ватт на пару рассеивать приходится. Регулировочным резистором выставил 15 ма. Звучат,не греются. Хорошо звучат,нормально. На сем заканчиваю, сто лет бы их не видеть больше.

Повторяю,для тех,кто будет иметь дело с Микролабами и наткнется на эту страничку. Изучите внимательно попавшуюся конкретно вам схему, не полагайтесь на интернет.

То ,что мне удалось найти в инете по части схем Solo-6C не тока не помогло, навредило. Если бы внимательно не пригляделся перед запайкой,добил бы их окончательно. Вариант постом ранее делался, когда схема была только «в уме», но без нарисованной схемы на логически связанную нумерацию элементов моей башки уже не хватает. Надо было чаще в детстве в шахматы вслепую играть.

При нарисованной схеме выявилось несколько ошибок, да и в некоторых типоразмерах была ошибка. Последний вариант выглядит так: 77 Ошибок больше не обнаруживается, будем надеяться, что их нет и на самом деле. Плата типоразмером оригинального преда Solo, только на задней панели нужно будет просверлить отверстие под миниджек головного телефона. Отверстия в центре платы — на всякий случай, для возможной фиксации платы расширения.

Два разъема расширения и ISP разведены под общую сетку 2. Разведено место и под второй сдвоенный блок входных разъемов RCA, но, к сожаленнию, примененные производителем разъемы достаточно уникальны по типоразмеру, точно таких мне найти не удалось, хотя прекрасно можно использовать и одиночные RCA разъемы под винт, если будут нужны все 4 входа на задней панели.

Но можно использовать их и как внутренние, к примеру, для встроенного тюнера и пр. А усилитель тоже пойдёт под нож? А динамики будете использовать от Visaton? Поделитесь планами. Жутко интересно. BANA Что-то много вопросов не по делу. Я считаю, что вопрос по качеству звука SOLO в этой теме закрыт.

Улучшить качество звука долларовых колонок, вложив туда еще , это не совсем правильный путь, тем более, что от оригинала тогда вообще ничего не останется. А усилия на 20 долларов дадут эффект только для самого автора доработок.

К тому же, хоть колонки Соло с замененными ВЧ и НЧ динамиками стоимостью как два комплекта Соло-6С и стоят на рабочем столе и по-прежнему подключены в пассиве ко второму выходу усилителя, я их не слушаю, так как внизу диапазона слушать их невозможно из-за корпуса в сравнении с моей hi-fi парой.

Но зато они активно используются как плацдарм для измерительного оборудования и отлично для этого подходят: 77 Вторая плата шестых Солок брошена в хламовник, а Соло-4 пытался подарить дочке, но у нее вечно чемодан под завязку, посылать по почте — так выгоднее там у себя купить что-то, тем более она все время меняет местоположение. Поэтому для меня вопрос разработки нового предусилителя — не для улучшения звука, а просто так, занятие для души и тела. Не касаясь более качества звука, можно отметить кое-что другое, что можно улучшить.

Да и число линейных входов маловато, если они входят в состав настольного мультимедийного центра. К тому же, примененная оригинальная элементная база — микроконтроллер, звуковой процессор — недокументирована. Поэтому несколько раз зарождалась идея сделать что-то более продвинутое, но каждый раз не до старта не доходило.


Уважаемый посетитель!

Switch to English регистрация. Телефон или email. Чужой компьютер. Иван Лушников , конденсатор , или фильтр от помех. Артур Кравченко , теоретически возможно , но снимать с него можно будет только фото , т. Виталий Кучеревский , теоретически можно , но датчик вибрации и настройки сна не будут работать.

Форум: Документация Добавлено: (Вт) Subject: Аналог MTP Думаю, вполне заменит IRF Тема: Предложение на компоненты.

Справочная информация — Промэлектроника

Сообщения без ответов Активные темы. Модераторы: Горшком назвали Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 0. Power Electronics Посвящается источникам питания вообще и сварочным источникам в частности. Текущее время: , Добавлено: , Непосредственно в драйверах тоже ВС повел себя чудесно, гараздо лучше составных х — и усиления достаточно и скорости и Uкн несравненно меньше. При меньшем габарите не греется. Оба драйвера с ТГР в силе.

Аналоги для irf9530

Запросить склады. Перейти к новому. Re: Pickit2. Либо интерфейсный кабель в затылок, либо силовой в жопу

Подбор транзисторов для драйвера униполярного ШД Доброго утра. Есть три шаговых мотора 17pm-jp2vs.

заменя для транзисторов 8550 и 8050

Автор Grigory , 27 августа, в HardWare. Сначала предыстория. Как-то давно года полтора назад где-то на форуме я постил то ли тему, то ли сообщение о том, что у меня сгорели одни из колонок Microlab Solo 6C. Отвёз я колонки на диагностику. Там мне сказали, что выгорела пара предохранителей, пара керамических конденсаторов и, главное, транзисторы. Поскольку я никогда не паял электронику до этого, то отложил колонки в сторону, а на их место поставил другие, которые у меня имелись, но для себя решил, что колонки эти не буду чинить в сервисе принципиально, а когда-нибудь сам попробую их починить.

Транзисторы импортные

Подскажите, пожалуйста, чем можно заменить сгоревшие выходные транз. Читал на др. Если не затруднит, подскажите, как это реализовать, и что придется в усилке подстроить. Заранее благодарю за советы. Вот тут есть схема. Спасибо большое за совет, попробую найти эти транзы И еще вопросик; после установки аналогов в усилитель,в нем что-нибудь придется подстраивать? На плате я нашел только один подстроечный резист.

Если подойдут с фланцами, то посмотри вот эти — 2SJ, 2SJ, 2SJ, 2SJ, FDS, IRF, IRF

Транзистор MOSFET IRF9530

По этим цифрам IRLM «выглядит лучше», но вот насколько эта разница существенна или это «заметить не возможно». Кто из этих параметров «важен в моей ситуации» — не ясно. А если вообще отказаться от биполярников и мосфетов и заменить их, например такими IGBT транзисторами???

IRF9530 to220металл транзистор

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: MOSFET vs IGBT — ЧТО ВЫБРАТЬ?

Напряжение коммутации 12В ток 8,5А, транзисторы подключены к Atmega8 через преобразователь уровня ПУ8 5вв, таким образом, открывающее напряжение на затворе транзистора равно напряжению коммутации 12В. Сопротивление канала, при открывающем напряжении 12В 0,Ом. Расчетная мощность рассеивания 0,5Вт. Но вот блин транзистор греется, причем стоит на теплоотводе, а греется до 85С, после минут работы. Откуда такая рассеиваемая мощность?

Радиодетали,электронные компоненты.

IRF9530 to220металл транзистор

В рассматриваемом примере для питания приложения требуется постоянное напряжение 5 В, однако с выхода трансформатора на двухполупериодный мостовой выпрямитель поступает напряжение 18 В с. В течение фазы заряда два электролитических конденсатора одинаковой емкости C 1 и C 2 включены последовательно через смещенные в прямом направлении диоды D 1 и D 2 и получают зарядный ток. Каждый из конденсаторов заряжается примерно до половины пикового значения выпрямленного напряжения за вычетом падений напряжения на диодах D 1 и D 2. В начале фазы разряда диод D 1 смещается в обратном направлении, и конденсатор C 2 разряжается через нагрузку, которой для него является регулятор напряжения IC 1. Далее анодное напряжение диода D 1 продолжает уменьшаться, напряжение затвор-исток транзистора Q 1 становится отрицательным, и транзистор открывается, давая возможность конденсатору C 1 разряжаться на нагрузку через смещенный в прямом направлении диод D 3.

Хочешь стать куратором любимой темы? Автор atred Раздел Детский электротранспорт. Автор jazg Раздел Инструменты и технологии. Автор sk.


отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

50 Вт усилитель на полевых транзисторах. Схема

Это схема усилителя мощности на базе полевых транзисторов (MOSFET) с напряжением питания ± 35В. Входной сигнал предварительно фильтруется и усиливается перед поступлением на MOSFET транзисторы. Дифференциальный  предварительный усилитель собран на транзисторах Q5 и Q6.

Что такое дифференциальный усилитель? Дифференциальный усилитель представляет собой тип усилителя мощности, который усиливает разницу между двумя входными сигналами на определенную величину (коэффициент усиления).

Здесь мы имеем дело со схемой и работой высоковольтного дифференциального усилителя с использованием полевых транзисторов IRF9530 и IRF530. Для работы данного усилителя необходим двухполярный источник питания.

Принципиальная схема усилителя на полевых транзисторах

Необходимые компоненты усилителя

  • Двухполярный источник питания
  • Резисторы 0,25Вт (10 Ом; 560 Ом; 680 Ом; 820 Ом; 1,2 кОм; 2,2 кОм; 2,7 кОм x 2шт; 4,7 кОм x 2шт; 10 кОм; 15 кОм; 47 кОм x 2шт)
  • Потенциометр (1 кОм)
  • Электролитические конденсаторы (47 мкФ, 16 В x 2шт; 100 мкФ; 50 В x 4шт)
  • Конденсаторы (220пф; 68нф)
  • Дроссель 0,1 мкГн
  • Диод (1N4002)
  • Биполярные транзисторы (BC556 x 2шт; BC546 x 2шт)
  • MOSFET (IRF530; IRF 9530)
  • Динамик (8 Ом)

Работа усилителя мощности на полевых транзисторах

Входной аудиосигнал, перед тем как поступить на полевые транзисторы, сначала фильтруется с использованием фильтра низких частот (C7, R16 ) и предварительно усиливается на транзисторах Q5 и Q6.

Для регулировки тока покоя, предварительно подготовленный сигнал поступает на базу транзистора Q3.

Комплементарная пара полевых транзисторов IRF530 и IRF9530 представляет собой оконечный каскад усиления.

R14 и C8 уменьшают нежелательный шум, возникающий в усилителе.

Конденсаторы C5 и C3 являются фильтрами питания.

Примечание: Для обеспечения оптимального температурного режима работы полевых транзисторов их необходимо установить на радиатор.

www.circuitsgallery.com

Паяльный фен YIHUA 8858

Обновленная версия, мощность: 600 Вт, расход воздуха: 240 л/час…

mosfet — радиоэлектроника, схемы и статьи

Ниже приведены принципиальные схемы и статьи по тематике «mosfet» на сайте по радиоэлектронике и радиохобби RadioStorage.net .

Что такое «mosfet» и где это применяется, принципиальные схемы самодельных устройств которые касаются термина «mosfet».

Приведена электронная принципиальная схема несложного высококачественного усилителя мощности ЗЧ на 20 Ватт, выполнена полностью на транзисторах, на выходе — полевые транзисторы КП904. Схема простого и мощного усилителя низкой частоты с выходным каскадом на полевых транзисторах КП912. Максимальная выходная мощность — 65 Ватт. Приведена принципиальная схема широкополосного усилителя мощности ЗЧ (УМЗЧ), выполненного по симметричной схеме на полевых транзисторах КП904. В радиолюбительской практике широкое распространение получил усилитель мощности ЗЧ (УМЗЧ), выполненный по симметричной схеме. Комплементарные биполярные транзисторы его входного каскада включены по схеме двухтактного дифференциального усилителя, а следующего за ним — по схеме … Принципиальная схема усилителя мощности с МДП -транзисторами в выходном каскаде, мощность порядка 12Вт. Схема приведена на следующем рисунке. Его основные технические характеристики … Построение усилителей мощности звуковой частоты (УМЗЧ) на полевых транзисторах привлекает разработчиков возможностью достижения «ламповой» мягкости звучания (вольтамперные характеристики полевых транзисторов очень похожи на аналогичные характеристики вукуумных ламп)… «Полевой» УМЗЧ Эндре Пирета заметно прост, но также соответствует нормам высококачественного звуковоспроизведения. Оригинально (без привычных дифференциальных усилителей) решен входной каскад — это двухтактный комплементарный каскад … Мощный УМЗЧ с работой всех каскадов в режиме класса А, обеспечивающий на 8-омной нагрузке 32 Вт при потрясающе высоком реальном КПД 45% Ричард Барфут обращает внимание, что в обычном резистивном усилительном каскаде с ОЭ и разделительным конденсатором теоретически … Схема УМЗЧ, разработанного Мэттом Такером. Первый дифференциальный каскад выполнен на биполярных транзисторах Q1Q5 по типовой схеме с токовым зеркалом Q7Q8 в нагрузке, а каскад усиления напряжения — на Q9Q13 с ОЭ и нагрузкой на генератор тока Q6Q2 … Схема электрическая принципиальная усилителя приведена на рисунке (в скобках приведены замененные элементы). Данная конструкция является модернизациейразработки [1]. Принципиальная схема УМЗЧ на MOSFET транзисторах (200Вт). Все основные части усилителя — трансформатор, радиаторы …

🛍 10 шт.лот IRF9530NPBF TO-220 IRF9530N IRF9530 TO220 MOSFET P 100V 14A 160.5₽

Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированного качества, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучшеСоветы покупателей

1: сначала убедитесь, чтоВаш адрес правильный

2: перед тем, как расписаться о посылке, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена товаром

О насМы обещаем:* Производите только лучшие потребительские товары и Обеспечивайте максимально высокое качество.* Быстрая и точная доставка товаров нашим клиентам по всему миру

Политика обслуживания клиентовМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас есть, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы ответить вам как можно скорее.Сфера деятельности: Автоматическая интегральная схема, цифро-аналоговая схема, микрокомпьютер с одним чипом, фотоэлектрическая муфта, хранение, Трехконтактный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, Резисторные конденсаторы светильник вая трубка, разъемы и другие универсальные вспомогательные услуги!1. Доставка по всему миру. (За исключением некоторых стран и армейской военной почты/военно-полевой почты)2. Заказы обрабатываются своевременно после подтверждения оплаты.3. Мы осуществляем доставку только по подтвержденным адресам заказа. Адрес Вашего заказа должен совпадать с адресом доставки.4. Представленные изображения не являются реальным товаром и предназначены только для справки.5. Время доставки определяется перевозчиком и не включает выходные и праздничные дни. Сроки доставки могут меняться, особенно во время курортного сезона.6. Если вы не получили посылку в течение 30 дней с момента оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы отследим отправку и свяжемся с вами как можно скорее. Наша цель – удовлетворение клиентов!7. В связи со статусом на складе и разницей во времени мы отправим ваш товар с первого доступного склада для быстрой доставки.

Наши преимущества1: у нас есть собственный запас, с достаточными запасами2: качество продукции прошло серию сертификаций3: Мы поддерживаем различные транспортировки, Гонконг и китайские почтовые пакеты, EMS.DHL федеральные. UPS и TNT, могут полностью удовлетворить различные потребности покупателя.

Я твердо верюМы будем вашим лучшим партнером

25-ваттный усилитель на мосфетах

К преимуществам схемы можно отнести простоту сборки, высокое качество звучания и высокую чуствительность входа, что позволяет эксплуатировать данный услитель без преампа.

Без проблем может быть напрямую подключен к CD-плееру, тюнеру или магнитофону. Для регулировки уровня громкости, на вход рекомендуется поставить потенциометр на 10кОм. Выходные транзисторы Q8 и Q9 должны быть установлены на радиатор, помимо этого также рекомендуется установить Q6 и Q7 на небольшой теплоотвод. Настройка усилителя сводиться к установке резистором R11 тока покоя 100мА.

Технические данные:

  1. Выходная  мощность: свыше 25 Вт RMS при нагрузке 8 Ом
  2. Чувствительность: 200 МВ входное для 25ВТ выходной мощности
  3. Частотная характеристика: 30гц-20 кГц,- 1 дБ
  4. коэффициент нелинейных искажений на частоте 1 кГц:
    1. 0,1 Вт 0.014%
    2. 1Вт 0.006% 0.006
    3. 10Вт%
    4. 20Вт 0.007%
    5. 25ВТ 0.01%*
  5. суммарный коэффициент гармонических искажений @10 кГц:
    1. 0,1 Вт 0.024%
    2. 1 Вт 0.016%
    3. 10Вт 0.02%
    4. 20Вт 0.045%
    5. 25ВТ 0.07%

Список необходимых компонентов:

  • 2 х 47К 1/4 Вт резисторы (R1, R4)
  • 1 х 4K7 1/4W резистор (R2)
  • 1 х 1К5 1/4W резистор (R3)
  • 1 х 390R 1/4W резистор (R5)
  • 1 х 470R 1/4W резистор (R6)
  • 1 х 33K 1/4W резистор (R7)
  • 1 х 150К 1/4W резистор (R8)
  • 1 х 15к 1/4W резистор (R9)
  • 1 х 27R 1/4W резистор (R10)
  • 1 х 500R 1/2ВТ резистор подстроечный (R11)
  • 3 х 10R 1/4 Вт резисторы (R12, R13, R16)
  • 2 х 220R 1/4 Вт резисторы (R14, R15)
  • 1 х 2ВТ резистор 8R2 (R17)
  • 1 х R22 4W резистор (проволочный) (R18)
  • 1 х 470нФ 63в конденсатор (С1)
  • 1 х 330пФ 63в конденсатор (С2)
  • 2 х 470мкФ 63в Электролитические конденсаторы (С3, С5)
  • 4 х 63 в 100нФ конденсаторы (С4,С6,С8,С11)
  • 1 х 100мкф 25В Электролитический конденсатор (С7)
  • 1 х 10пФ 63 в конденсатор (С9)
  • 1 х 1мкФ 63 в конденсатор (C10)
  • 5 х BC560C 45В 100 ма низкий уровень шума выс PNP транзисторы (В1-В5)
  • 1 х BD140 80В 1,5 а транзистор PNP (В6)
  • 1 х BD139 80В 1,5 а транзистор NPN (В7)
  • 1 х IRF530 100В 14А N-канальных транзисторов Hexfet (В8)
  • 1 х IRF9530 100В 12А p-канальный транзистор Hexfet (В9)

Электропитание:

  • 1 х 3K3 1/2 Вт резистор (R1)
  • 1 х 10 нФ 1000В полиэстер конденсатор (С1)
  • 2 х 4700мкФ 50В Электролитические конденсаторы (С2, С3)
  • 2 х 63 в 100нФ конденсаторы (С4, С5)
  • 1 х 200В 8А диодный мост (D1)
  • 1 х 5 мм. красный светодиод (D2)
  • 2 х 3,15 а предохранители (F1, F2)
  • 1 х 220В первичной, на 25 + 25В вторичной обмотке (Т1)
  • 1 х сетевой штепсель «папа» (ПЛ1)
  • 1 х  выключатель (К1)

Характеристики мощных комплементарных полевых транзисторов

Многие любители высококачественного звуковоспроизведения уже давно оценили достоинство использования комплементарных полевых транзисторов в выходных каскадах УНЧ. Достоинство это не скрывается под большими семейными трусами, а наоборот так и норовит прорости наружу в виде красивого («мягкого/лампового») звучания, малого уровня искажений и устойчивости к перегрузкам.
А по таким параметрам, как коэффициент демпфирования, передача низких и высоких частот, ширина рабочей полосы пропускания — они превосходят даже классические образцы ламповых усилителей.

Итак. Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума — это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами.

Теперь о главном — какие выбрать полевики!

Начнём с исходной точки — мощных и дорогих комплементарных полевых транзисторов, специально разработанных для аудиоаппаратуры. Такие транзисторы отличаются слабой зависимостью крутизны (forward transfer admitance) от тока стока и сглаженными выходными ВАХ.
Параметры некоторых специализированных КМОП транзисторов, приведены в табл. 1.

 Транзистор    Канал   UСИmax, В   UЗИmax, В   IСmax, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ 
 10N20
 20N20 (Exicon)
 N-кан  200  ±14  8
 16
   125
 250
 500
 950
 10P20
 20P20 (Exicon)
 P-кан  200  ±14  8
 16
   125
 250
 700
 1900
 2SK133
 2SK134
 2SK135 (Hitachi)
 N-кан  120
 140
 160
 ±14  7    100  600
 2SJ48
 2SJ49
 2SJ50 (Hitachi)
 P-кан  120
 140
 160
 ±14  7    100  900
 2SK1056
 2SK1057
 2SK1058 (Hitachi)
 N-кан  120
 140
 160
 ±15  7    100  600
 2SJ160
 2SJ161
 2SJ162 (Hitachi)
 P-кан  120
 140
 160
 ±15  7    100  900
 2SK175 (Hitachi)  N-кан  180  ±15  8  1,7  125  
 2SJ55 (Hitachi)  P-кан  180  ±15  8  1,0  125  
 2SK1529
 2SK1530 (Toshiba) 
 N-кан  180
 200
 ±20  10
 12
   120
 150
 700
 900
 2SJ200
 2SJ201 (Toshiba) 
 P-кан  180
 200
 ±20  10
 12
   120
 150
 1300
 1500
 BUZ900P
 BUZ901P 
 N-кан  160
 180
 ±14  8    125  500
 BUZ905P
 BUZ906P 
 P-кан  160
 180
 ±14  8    125  730

Ненамного худшими параметрами будут обладать усилители, построенные на массовых, а потому недорогих, мощных MOSFET-ах, изначально предназначенных для коммутационных (Fast Switching) миссий. Причём по некоторым характеристикам, таким как: крутизна характеристики, сопротивление сток-исток в открытом состоянии, подобные транзисторы превосходят своих специализированных аудио коллег.

Количество такого Fast Switching комплементарного MOSFET-добра никем немерено, поэтому ограничусь параметрами всего лишь нескольких КМОП экземпляров, наиболее популярных в радиолюбительском УНЧ-строении.

 Транзистор    Канал   UСИ max, В   UЗИ max, В   IС max, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ 
 IRFZ34  N-кан  55  ±20  29  0,04  68  700
 IRF9Z34N  P-кан  55  ±20  19  0,1  68  620
 IRF130
 IRF131
 IRF132
 IRF133
 N-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  14
 14
 12
 12
 0,18
 0,18
 0,25
 0,25
 75  600
 IRF9130
 IRF9131
 IRF9132
 IRF9133
 P-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  12
 12
 10
 10
 0,3
 0,3
 0,4
 0,4
 75  700
 IRF530
 IRF531
 IRF532
 IRF533
 N-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  14
 14
 12
 12
 0,18
 0,18
 0,25
 0,25
 75  600
 IRF9530
 IRF9531
 IRF9532
 IRF9533
 P-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  12
 12
 10
 10
 0,3
 0,3
 0,4
 0,4
 75  700
 IRF540
 IRF541
 IRF542
 IRF543
 N-кан  100
 80
 100
 80
 ±20  28
 28
 25
 25
 0,077
 0,077
 0,1
 0,1
 125  1450
 IRF9540
 IRF9541
 IRF9542
 IRF9543
 P-кан  100
 80
 100
 80
 ±20  19
 19
 15
 15
 0,2
 0,2
 0,3
 0,3
 125  1100
 IRF630
 IRF631
 IRF632
 IRF633
 N-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  9
 9
 8
 8
 0,4
 0,4
 0,5
 0,5
 75  600
 IRF9630
 IRF9631
 IRF9632
 IRF9633
 P-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  6,5
 6,5
 5,5
 5,5
 0,8
 0,8
 1,2
 1,2
 75  560
 IRF640
 IRF641
 IRF642
 IRF643
 N-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  18
 18
 16
 16
 0,18
 0,18
 0,22
 0,22
 125  1600
 IRF9640
 IRF9641
 IRF9642
 IRF9643
 P-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  11
 11
 8
 8
 0,5
 0,5
 0,7
 0,7
 125  1100
 IRFP140  N-кан  100  ±20  31  0,077  180  1275
 IRFP9140  P-кан  100  ±20  21  0,2  180  1300

А для желающих ознакомиться с примерами схем УНЧ с выходными каскадами, построенными на мощных комплементарных транзисторах, приведу несколько ссылок:

Схема усилителя низкой частоты на мощных полевых транзисторах, реализованная по чисто ламповой схемотехнике Ссылка на схему .

Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 200 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .

Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 800 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .

 

Технические характеристики

IRF9530: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора:

IPI530N15N3 G : полевой транзистор — однодисковый полупроводниковый продукт 21 А, 150 В, 68 Вт, сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 150 В 21 А TO262-3. s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 150 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 21A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 мОм @ 18A, 10В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 887 пФ при 75 В; Власть.

NTMFS4937NT3G : Fet — один дискретный полупроводниковый продукт 10.2A 30 В 920 мВт для поверхностного монтажа; MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 °C: 10,2 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,5 мОм @ 30 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 2516 пФ.

STL56N3LLH5 : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 56A 30V 62.5W Поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 30V 15A POWERFLAT. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 56A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 мОм @ 7.5А, 10В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 950 пФ при 25 В; Власть.

SI3455ADV-T1-E3 : Полевой транзистор — однодисковый полупроводниковый продукт 2,7 А, 30 В, 1,14 Вт, поверхностный монтаж; MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: MOSFET P-Channel, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный слив (Id) при 25 °C: 2,7 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 мОм @ 3,5 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: — ; Власть.

GBU10005 : Мостовой выпрямитель Дискретный полупроводниковый продукт 10A 50V Однофазный; РЕКТ МОСТ ГПП 10А 50В ГБУ.s: Тип диода: однофазный; Посылка/кейс: GBU; Упаковка: туба; Время обратного восстановления (trr): — ; Скорость: стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io); Ток — постоянный ток вперед (если): 10А; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 50 В; Тип крепления: Сквозное отверстие.

1N5401-E3/73 : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 3A 100V Standard; ДИОД ГП 3А 100В ДО-201АД. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 3A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1.2В @ 3А; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 100V; Скорость: стандартное восстановление.

SD150R20PC : Диоды, выпрямители — один дискретный полупроводниковый продукт 150A 2000V (2kV) Standard; ДИОД STD REC 2000В 150А DO-30. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 2000 В (2 кВ); Ток — средний выпрямленный (Io): 150A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,5 В @ 470 А; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка при Vr: 15 мА при 2000 В.

BZX79C43_T50A : Диод — Зенер — Однодисковый полупроводниковый продукт 50 нА при 30,1 В 43 В 500 мВт сквозное отверстие; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 43В 500МВт DO-35. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 43 В; Мощность — макс.: 500 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 150 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,5 В @ 100 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 50 нА при 30,1 В; Допуск: 6,98%; Тип монтажа: Сквозной.

BZX79-B5V6,113 : Диод — Зенер — Однодисковый полупроводниковый продукт 2A @ 1V 5.6В 400мВт через отверстие; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 5.6В 500МВт DO-35. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 5,6 В; Мощность — макс.: 400 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ @ 10 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 2A @ 1V; Допуск: 2%; Тип крепления: Сквозное отверстие; Упаковка.

TDZ7V5J,115 : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 1 А при 5 В 7,5 В 500 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 500МВт 7,5В СОД-323Ф. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 7,5 В; Мощность — макс.: 500 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1.1 В при 100 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 1A @ 5V; Допуск: 2%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

BZX84C7V5-7 : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 1 А @ 5 В 7,5 В 300 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 7,5В 350МВт SOT23-3. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 7,5 В; Мощность — макс.: 300 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 15 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ @ 10 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 1A @ 5V; Допуск: 6,04%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

2N686 : Scr — один дискретный полупроводниковый продукт 25A 250V Standard Recovery; SCR PHASE CONT 250V 25A TO-48.s: Тип SCR: стандартное восстановление; Напряжение — выключенное состояние: 250 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 25A; Ток во включенном состоянии (It (AV)) (макс.): 16A; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 40 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 20 мА; Текущий — непредвиденный всплеск.

FZT1051ATC : Транзистор (bjt) — однодисковое полупроводниковое изделие 5A 40V 2.5W NPN; ТРАНЗИСТОР NPN С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ SOT223. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 40 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 5A; Мощность — Макс: 2.5 Вт ; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 270 при 1 А, 2 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 340 мВ при 100 мА, 5 А; Частота.

RN2112FS(TPL3) : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 50 мА 20 В 50 мВт PNP — с предварительным смещением; ТРАНЗИСТОР PNP 20V 0.05A FSM. s: Тип транзистора: PNP — предварительно смещенный; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 20 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 50 мА; Мощность — макс.: 50 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 22K; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом):.

2N4126TA : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА 25 В 625 мВт PNP; ТРАНЗИСТОР ПНП 25В 200МА ТО-92. s: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 25 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 200 мА; Мощность — макс.: 625 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 120 при 2 мА, 1 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 400 мВ при 5 мА, 50 мА.

FZT792ATC : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 2A 70V 2W PNP; ТРАНЗИСТОР PNP ВЫСОКОЕ УСИЛЕНИЕ SOT223.s: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 70 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 2A; Мощность — макс.: 2 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 300 при 10 мА, 2 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 500 мВ при 200 мА, 2 А; Частота.

BTA208-600B,127 : Симисторный дискретный полупроводниковый продукт 8A 600V Standard; СИМИСТОР 600В 8А TO220AB. s: тип симистора: стандартный; Конфигурация: Одноместный; Напряжение — выключенное состояние: 600 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 8A; Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.): 1.5В ; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 50 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 60 мА; Ток — бесповторный скачок напряжения 50, 60 Гц.

NSBA143EF3T5G : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 100 мА 50 В 254 мВт PNP — с предварительным смещением; ТРАНС ДУАЛЬ ПБРТ ПНП СОТ-1123. s: Тип транзистора: PNP — предварительно смещенный; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 254 мВт; Резистор — база (R1) (Ом): 4,7 кОм; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом):.

ZXT14N50DXTA : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 6A 50V 1.1W NPN; TRANS NPN LO SAT 50V 6A 8-MSOP. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 6А; Мощность — макс.: 1,1 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 300 при 1 А, 2 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 130 мВ при 300 мА, 6 А; Частота.

IRF9530 12A 100V P-Channel Power MOSFET

IRF9530 12A 100V P-Channel Power MOSFET с лучшим сочетанием быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.Корпус TO-220AB повсеместно предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в промышленности

IRF9530 Распиновка

Конфигурация контактов IRF9530

PIN № PIN-код
1 2 Drint
3 Source
Основные характеристики

IRF9530

  • P-канал Университет
  • Компактный пластиковый пакет
  • Быстрая переключение
  • Низкий привод Ткан
  • Легкость параллельно
  • Отличная температурная стабильность
  • Отличная температурная стабильность
  • Тип назначателя: IRF9530
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Тип управления каналом: P-канал

IRF9530 Спецификация

ID (A) ID (A) PD (W)

0
VDS (MAX) VDS (Макс) RDS (ON) VGS (MAX)
12 88 100 0.3 20

IRF9530 Эквивалент/Альтернатива

  • IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202

Применение

  • Импульсные регуляторы
  • Импульсные преобразователи
  • Драйверы двигателей
  • Драйверы реле

IRF9530 MOSFET- 100V 14A P-Channel Power MOSFET купить онлайн по низкой цене в Индии

IRF9530 — это семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов нового поколения, в которых используется усовершенствованный механизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую производительность при заряде затвора.Эта передовая технология была специально разработана для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания экстремальных скоростей dv/dt и более высокой энергии лавины. Он очень подходит для различных преобразований мощности переменного тока в постоянный в режиме переключения для миниатюризации системы и повышения эффективности.

Особенности: —

• Динамический DV / DT Рейтинг

• 100% Avalanche оценивается

• Быстрая коммутация

• Легкость параллельно

• Новое высокое напряжение Benchmark

• P-канал

• Соответствует К RoHS Директиве 2002/95 / EC

Подробные характеристики: —

9 P-канал

9000V

9 Диапазон рабочих температур

Количество каналов 1 канал
Напряжение пробоя источника (VDS) -100V
Непрерывный утечный ток (ID) -14A
Сопротивление сливных источников (RDS на) 0.20 ОАО
Gate-Source напряжение (VGS)
Заряд на ворота (QG) 58 NC
-55 — 175 ° C
Рассеиваемая мощность (Pd) 79 Вт

Связанные документы

 IRF9530

MOSFET
Бренд/Производитель Универсальный
Страна происхождения Китай
Адрес упаковщика/импортера Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
ППМ рупий. 33.04 (включая все налоги)

* Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

IRF9530 Power MOSFET Технические данные Скачать PDF

Каталог

 

Особенности

  • Динамическое отображение dV/drating
  • Повторяющийся лавинообразный
  • P-канал
  • Рабочая температура 175°C
  • Быстрое переключение
  • Простота параллельного соединения

 

Описание

Мощность третьего поколения МОП-транзистор от Vishay обеспечивает разработчика наилучшей комбинацией быстрого переключения, надежной конструкции устройства , эффективности , низкого сопротивления во включенном состоянии и стоимости .

 

Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. широкий прием по всей промышленности .

 

Обзор продукта

В ДС  (В)

-100

R ДС(вкл.) (Ом)

В GS  = -10 В

0.30

Q г  макс. (нКл)

38

Q gs  (нКл)

6,8

Q gd  (нК)

21

Конфигурация

Одноместный

 

Информация для заказа

Упаковка

ТО-220АБ

Без свинца (Pb)

ИРФ9530ПбФ

Без свинца (Pb) и без галогенов

IRF9530PbF-BE3

 

Абсолютные максимальные значения

(T C  = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ПРЕДЕЛ

ЕДИНИЦА

Напряжение сток-исток

В ДС

-100

В

Напряжение затвор-исток

В ГС

± 20

Непрерывный ток стока

В GS при 10 В

T C = 25 °C

И Д

— 12

 

А

T C = 100 °C

-8.2

Импульсный ток стока a

я ДМ

-48

Линейный коэффициент снижения

 

0,59

Вт/°C

Энергия одиночного импульса лавины b

ЕАС

400

мДж

Повторяющийся лавинный ток a

I АР

-12

А

Повторяющаяся энергия лавины a

УХО

8.8

мДж

Максимальная рассеиваемая мощность

T C = 25 °C

Р Д

88

Вт

Пиковое восстановление диода dV/dt c

дВ/дт

— 5.5

В/нс

Диапазон температур рабочего спая и хранения

т дж , т стг

от -55 до +175

°С

Рекомендации по пайке (пиковая температура) d

На 10 с

 

300

Момент затяжки

Винт 6-32 или M3

 

10

фунт-сила·дюйм

1.1

Н·м

Примечания

а.Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис. 11)

b.V DD = -25 В, пусковой T J  = 25 °C, L = 4,2 мГн, R g  = 25 л, I AS  = -12 A (см. рис. 12)

c.I SD ≤ -12 A, dI/dt ≤ 140 A/мкс, В DD ≤ V DS , T J ≤ 175 °C

д.6 мм от футляра

 

Номинальные значения теплового сопротивления

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ТИП.

МАКС.

ЕДИНИЦА

Максимальное расстояние перехода к окружающей среде

R thJA

62

 

°С/Вт

Шкаф-раковина, плоская поверхность, смазанная маслом

Р ТКС

0.50

Максимальное расстояние присоединения к корпусу (слив)

Р ТС

1,7

 

Технические характеристики

(T J  = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ

МИН.

ТИП.

МАКС.

ЕДИНИЦА

Статическая

Напряжение пробоя сток-исток

В ДС

В GS  = 0 В, I D  = -250 мкА

-100

В

В ДС температурный коэффициент

ΔV ДС Дж

Ссылка на 25 °C, I D  = -1 мА

-0.10

В/°C

Пороговое напряжение затвор-исток

В ГС(й)

В DS  = В GS , I D  = -250 мкА

-2,0

-4.0

В

Утечка затвор-исток

I ГСС

В GS  = ± 20 В

± 100

нА

Нулевой ток стока напряжения затвора

I ДСС

В DS  = -100 В, В GS  = 0 В

-100

мкА

В DS  = -80 В, В GS  = 0 В, T J  = 150 °C

-500

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Р ДС(на)

В GS  = -10 В

I D  = -7.2 А б

0,30

л

Прямая крутизна

г фс

В ДС  = -50 В, I Д  = -7,2 А б

3,7

С

Динамический

Входная емкость

С исс

В GS  = 0 В, В DS  = -25 В,

ф = 1.0 МГц, см. рис. 5

860

 

пФ

Выходная емкость

С ОС

340

Обратная передаточная емкость

С рсс

93

Общая стоимость ворот

Q г

 

В GS  = -10 В

 

I D  = -12 А, В DS  = -80 В,

см. рис.6 и 13 б

38

 

нК

Плата за ворота-источник

Q GS

6.8

Зарядка ворот-дренаж

Q гд

21

Время задержки включения

т д(он)

 

В DD  = -50 В, I D  = -12 А,

R г  = 12 л,R D  = 3.9 л, см. рис. 10 б

12

 

 

нс

Время нарастания

т р

52

Время задержки выключения

т д(выкл)

31

Время падения

т ф

39

Входное сопротивление затвора

Л Г

Между свинцом, 6 мм (0.25″) от упаковки и центра контакта матрицы

4,5

 

 

нГн

Индуктивность внутреннего стока

л с

7.5

Индуктивность внутреннего источника

Р г

f = 1 МГц, открытый сток

0,4

3,3

л

Характеристики диода корпуса сток-исток

Непрерывный ток диода исток-сток

И С

Символ MOSFET, показывающий

интегральный диод с обратным p-n переходом

-12

 

 

А

Импульсный диод прямого тока a

I СМ

-48

Напряжение бортового диода

В SD

T J  = 25 °C, I S  = -12 А, В GS  = 0 В b

-6.3

В

Время обратного восстановления основного диода

т рр

T J  = 25 °C, I F  = -12 А, dI/dt = 100 А/мкс b

120

240

нс

Заряд обратного восстановления корпусного диода

Q рр

0.46

0,92

мкКл

Время включения вперед

т на

Собственное время включения незначительно (преобладает время включения L S и L D )

Примечания

а. Повторяющийся рейтинг ; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см.11)

b.Длительность импульса ≤ 300 мкс; рабочий цикл ≤ 2 %

 

Типовые характеристики

(25 °C, если не указано иное)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF9530 Техническое описание

Вы можете  загрузить техническое описание IRF9530 по ссылке, указанной ниже:

IRF9530 Технический паспорт

 

Часто задаваемые вопросы IRF9530

Что такое МОП-транзистор с каналом P?

P-Channel MOSFET — это  классификация металлооксидных полупроводниковых устройств .Он состоит из n-подложки посередине с легкой концентрацией легирования. Это три терминальных устройства. Он обладает униполярными характеристиками, поскольку его работа зависит от большинства носителей заряда.

 

Что такое N-канальный МОП-транзистор?

N-Channel MOSFET – это тип полевого транзистора на основе оксида металла и полупроводника, который относится к категории полевых транзисторов (FET) . Работа MOSFET-транзистора основана на конденсаторе.Этот тип транзистора также известен как полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET).

 

Для чего используются силовые МОП-транзисторы?

Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор), используемый для коммутации больших токов . Силовые полевые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру с выводами истока и стока на противоположных сторонах микросхемы. Вертикальная ориентация устраняет скопление людей у ​​ворот и обеспечивает большую ширину канала.

 

В чем преимущество N-канального МОП-транзистора перед P-канальным МОП-транзистором?

N-канальный MOSFET имеет несколько преимуществ по сравнению с P-канальным MOSFET.Например, основные несущие N-канала (электроны) имеют более высокую подвижность, чем основные несущие P-канала (дырки) . Из-за этого N-канальный транзистор имеет более низкие RDS(on) и емкость затвора при той же площади кристалла.

В чем разница между JFET и MOSFET?

JFET работает только в режиме истощения, тогда как MOSFET работает как в режиме истощения, так и в режиме улучшения . МОП-транзисторы используются в схемах СБИС из-за их дорогого производственного процесса по сравнению с менее дорогими полевыми транзисторами JFET, которые в основном используются в приложениях с малым сигналом.

 

Купить IRF9530 100V 14A P Power MOSFET TO-220 Package на HNHCart.com — Тележка Hatchnhack

IRF9530 — это семейство высоковольтных МОП-транзисторов нового поколения, в которых используется усовершенствованный механизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую производительность при заряде затвора. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания экстремальных скоростей dv/dt и более высокой энергии лавины.Он очень подходит для различных преобразований мощности переменного тока в постоянный в режиме переключения для миниатюризации системы и повышения эффективности.

Особенности

  • Динамический рейтинг dV/dt
  • Повторяющаяся лавина с рейтингом
  • Рабочая температура 175 °C
  • Быстрое переключение
  • Простота параллельного соединения
  • Простые требования к приводу
  • Низкое сопротивление во включенном состоянии
  • Подходит для различных преобразователей переменного/постоянного тока в режиме переключения.
     

Приложения

  • Переключение устройств большой мощности
  • Регулятор скорости двигателя
  • Светодиодный диммер и мигалка
  • Преобразователи и схемы инверторов

 

IRF9530 — это семейство высоковольтных МОП-транзисторов нового поколения, в которых используется усовершенствованный механизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую производительность при заряде затвора.Эта передовая технология была специально разработана для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания экстремальных скоростей dv/dt и более высокой энергии лавины. Он очень подходит для различных преобразований мощности переменного тока в постоянный в режиме переключения для миниатюризации системы и повышения эффективности.

Характеристики

  • Динамический рейтинг dV/dt
  • Повторяющаяся лавина с рейтингом
  • Рабочая температура 175 °C
  • Быстрое переключение
  • Простота параллельного соединения
  • Простые требования к приводу
  • Низкое сопротивление во включенном состоянии
  • Подходит для различных преобразователей переменного/постоянного тока в режиме переключения.
     

Приложения

  • Переключение устройств большой мощности
  • Регулятор скорости двигателя
  • Светодиодный диммер и мигалка
  • Преобразователи и схемы инверторов

 

Количество каналов 1 канал
Полярность транзистора P-канал
Напряжение пробоя сток-исток -100 В
Непрерывный ток стока -14 А
Сопротивление сток-исток 0.20 Ом
Напряжение затвор-исток 20 В
Плата за ворота 58 нКл
Диапазон рабочих температур -55°С — 175°С
Рассеиваемая мощность 50 Вт
ДОСТАВКА
  • Мы в HatchnHack верим, что вы, как наш клиент, с энтузиазмом заказали товары и срочно нуждаетесь в них.
  • Мы стараемся отправлять все заказы, полученные до 12:00 по стандартному индийскому времени, в течение 24 часов с момента заказа. Заказы, полученные по субботам и воскресеньям, должны быть отправлены к понедельнику.
  • Для обеспечения максимально быстрого времени доставки (то есть времени, в течение которого заказ достигает вашего порога), мы отправляем ваш заказ только через надежные и пользующиеся высокой репутацией курьерские службы.
  • Время от времени мы можем быть ограничены техническими проблемами или проблемами со складскими запасами (в зависимости от спецификации продукта или доступности) и должны частично выполнить ваш заказ.В таких редких случаях мы сообщим вам об этом перед отправкой заказа.
  • В редких случаях у нас могут быть рабочие случаи, когда нам требуется более 2 дней для отправки заказа. В таком случае клиент имеет право запросить полный возврат средств.
  • Мы имеем право обрабатывать индивидуальные заказы и заказы с оптовыми скидками не менее чем за 2 рабочих дня. Клиент может запросить отмену заказа, но решение о возмещении будет зависеть от таких факторов, как закупка материалов или статус клиента в компании.
  • Если вы считаете, что состояние посылки не соответствует требованиям, или у вас есть какие-либо сомнения относительно того, что она повреждена или повреждена, пожалуйста, свяжитесь с нами через канал поддержки по телефону — 9625453232 или по электронной почте [email protected] ком’.
  • Для отслеживания статуса доставки вашего заказа вы можете либо воспользоваться разделом «Отслеживание вашего заказа» на нашем веб-сайте, либо щелкнуть полученное от нас по почте подтверждение с информацией об отслеживании.
  • Все посылки должны быть отправлены с включенным счетом-фактурой, в котором указана цена в соответствии с Налоговым законодательством Индии.
  • Мы используем Shiprocket в качестве нашего партнера по реализации и используем более 29 000 пин-кодов.
    Ожидаемый срок доставки представляет собой сумму времени отправки и времени, затраченного на процесс курьерской доставки.

ПОЛИТИКА ВОЗВРАТА
  • Наша политика действует 15 дней. Если с момента покупки прошло 15 дней, к сожалению, мы не можем предложить вам возврат или обмен.
  • Чтобы иметь право на возврат, ваш товар должен быть неиспользованным и находиться в том же состоянии, в котором вы его получили.Он также должен быть в оригинальной упаковке.
  • Некоторые виды товаров не подлежат возврату.
  • Дополнительные предметы, не подлежащие возврату: подарочные карты и загружаемые программные продукты
  • Чтобы завершить возврат, нам требуется квитанция или подтверждение покупки.
  • Пожалуйста, не отправляйте покупку обратно производителю.
  • В некоторых ситуациях предоставляется только частичное возмещение (если применимо)
    • Любой товар не в своем первоначальном состоянии, поврежден или отсутствует по причинам, не связанным с нашей ошибкой
    • Любой товар, возвращенный более чем через 15 дней после доставки

дополняющий %20%20irf9530 техпаспорт и примечания по применению

СА-7272Б

Резюме: 7150A SMD МАРКИРОВКА КОД 901 smd код a106 7273B SA-7012TB 7272b SMD КОД SA SA-7273B МАРКИРОВКА A106
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СА-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 СА-72ТБ СА-73ТБ СА-7012Б 0806-3Соответствует СА-7272Б 7150А КОД МАРКИРОВКИ SMD 901 смд код а106 7273Б СА-7012ТБ 7272б СМД КОД СА СА-7273Б МАРКИРОВКА A106
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СА-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 SA-7012Bï
драм2960

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF CFA0601A 16-бит АМ2960 CFA0601A 2960 драмов РА
q02c

Аннотация: Q03d
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF CFA0603A 64-бит АМ2960 CFA0603A CFA0602A 32-битный q02c Q03d
7273Б

Аннотация: SA-7172TB
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СА-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 SA-7012Bï 7273Б СА-7172ТБ
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF CFA0602A 32-бит АМ2960 CFA0602A
КОД МАРКИРОВКИ SMD 1C

Резюме: 7272B SA-7272B SMD МАРКИРОВКА КОД 901 7273B SA-7010 7150A smd маркировка AB 6 PIN SA-7010TA SMD КОД SA
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СА-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 СА-72ТБ СА-73ТБ СА-7012Б) КОД МАРКИРОВКИ СМД 1С 7272Б СА-7272Б КОД МАРКИРОВКИ SMD 901 7273Б СА-7010 7150А smd маркировка AB 6 PIN СА-7010ТА СМД КОД СА
7150А

Реферат: sa7011a 7111-C SA-7000 7150-A sa-7010ta 7250-B smd код маркировки sa SMD CODE SA SA7030
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СА-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 СА-7051Б) СА-7111Б) 7150А sa7011a 7111-С СА-7000 7150-А СА-7010та 7250-Б smd код маркировки sa СМД КОД СА СА7030
2008 — Д1275

Резюме: R5F72856 H6066 8-контактный IC R5F72
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SH7280 SH7285 REJ06B0803-0100/Ред. Д1275 R5F72856 H6066 8-контактный IC R5F72
2004 — mj150* Дарлингтон

Аннотация: BJT BD139 TIP102 транзистор Дарлингтона MJ31193 MJ11029 npn транзистор дарлингтона 200 ватт npn транзистор дарлингтона 150 ватт 300 вольт 16 ампер транзистор BJT транзистор 400 вольт.100 ампер mj15004 п-н-п
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2Н3055А, МДЖ15015, MJ15016 2Н3055, MJ2955 2Н3442 2Н3771, 2N3772 2N3773* 2Н6609 mj150* Дарлингтон БДЖТ БД139 TIP102 Транзистор Дарлингтона MJ31193 MJ11029 npn-транзистор Дарлингтона 200 Вт npn-транзистор Дарлингтона 150 Вт Транзистор 300 вольт 16 ампер Транзистор BJT 400 вольт.100 ампер mj15004 пнп
2009 — 7050E

Реферат: S-7050ETB s-7000 SMD MARKING CODE 201 S-7051EC «дополнительный код» S-7010EC S-7051EA
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF С-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 УЛ-94В-0 7050Е С-7050ЭТБ с-7000 КОД МАРКИРОВКИ SMD 201 S-7051EC «дополнительный код» S-7010EC S-7051EA
2010 — m061

Резюме: 2N2707 PA6015 m0702 2N4107 VC80 8VC80
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 80137B0138 2Н4079 2Н4107 2Н4136 2Н531 2Н532 2Н533 м061 2Н2707 PA6015 м0702 VC80 8VC80
1998 — 2j18

Резюме: MAX104 MAX104CHC
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF МАКС104 МАКС104 2j18 MAX104CHC
2sc738

Резюме: 2SA1993 2SA1994 2SA1285 2SA904A 2sc3246 2sc2603 2SA847
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SA847A 2SA904A 2SA999 2SA999L 2SAI282 2SA1282A 2SA1283 2СА12С4 2SA1285 2SA1285A 2sc738 2SA1993 2SA1994 2sc3246 2sc2603 2SA847
код маркировки smd 14

Аннотация: КОД МАРКИРОВКИ SMD
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF С-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 смд маркировка код 14 КОД МАРКИРОВКИ SMD
пвм 2003

Аннотация: SH7046
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SH7046 REJ05B0094-0100O/Ред. пвм 2003
2001 — p8287

Аннотация: AN9850 2.Принципиальная схема радиоуправляемого радиоуправления 4 ГГц с расширенным спектром Схема грабликового комплекса Схема радиоуправляемого радиоуправления на 2,4 ГГц HFA3861A «Многофазные дополнительные коды» AN9820 P802 «Дополнительная кодовая манипуляция»
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF AN9850 IEEE802 11 Мбит/с HFA3983 HFA3783 HFA3683 HFA3861 16-бит HFA3841 p8287 Схема радиоуправления 2,4 ГГц с расширенным спектром грабельный комплекс Принципиальная схема радиоуправляемой радиостанции 2,4 ГГц HFA3861A «Многофазные дополнительные коды» AN9820 P802 «Дополнительный кодовый ключ»
КОД МАРКИРОВКИ SMD sh

Реферат: Ш-7010Б Ш-7050А ш-7050та «дополнительный код» 7030а Ш-7010А Ш-7030С 7070МС маркировка ш
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Ш-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 УЛ-94В-0 ET-7200AIn ЭТ-7200А) Ш-700ТА Ш-700ТБ длина490 КОД МАРКИРОВКИ SMD sh Ш-7010Б Ш-7050А ш-7050та «дополнительный код» 7030а Ш-7010А Ш-7030С 7070MC маркировка ш
КОД МАРКИРОВКИ SMD sh

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Ш-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 полифениле00 Ш-70А КОД МАРКИРОВКИ SMD sh
CM18-12NPP-KW1

Реферат: CM18-08BPP-KC1 CM18-12NPP-KC1 CM18-08BNP-KC1 CM18-08BPP-KW1 CM18-12NNP-KC1 CM18-08BNP-TWO CM18-12NNP-KW1 CM18-08BNP-KW1 bu 2580
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF CM18-08BPP-ДВА CM18-08BNP-ДВА СМ18-12НПП-КВ1 СМ18-08БПП-КС1 СМ18-12НПП-КС1 СМ18-08БНП-КС1 СМ18-08БПП-КВ1 СМ18-12ННП-КС1 CM18-08BNP-ДВА СМ18-12ННП-КВ1 СМ18-08БНП-КВ1 бу 2580
2000 — 2.Схема радиоуправления 4 ГГц с расширенным спектром

Реферат: 9850 RECEIVER rake complex p8287 AN9850 AN9820 HFA3783 HFA3860B «Дополнительная кодовая манипуляция» P802
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF AN9850 IEEE802 11 Мбит/с HFA3860B HFA3861A Схема радиоуправления 2,4 ГГц с расширенным спектром 9850 ПРИЕМНИК грабельный комплекс p8287 AN9820 HFA3783 HFA3860B «Дополнительный кодовый ключ» P802
ДАРЛИНГТОН

Резюме: 2SB1620 2sd Дарлингтон 2SD2489 Дарлингтон IC 2SD2401 2SB1621 FM100 2SD249C
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2СД176! 2SD1785 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2045 2SD2081 2SD2082 2SD2083 ДАРЛИНГТОН 2СБ1620 2-й Дарлингтон 2SD2489 Дарлингтон IC 2СД2401 2СБ1621 FM100 2СД249С
2006 — СМ17

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF R8C/25 REJ05B0845-0100/Ред. СМ17
СХ-7050Б

Реферат: КОД МАРКИРОВКИ SMD ma
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Ш-7000 УЛ-94ХБ УЛ-94В-0 Ш-70А Ш-7050Б КОД МАРКИРОВКИ SMD ma
2006 — ICS1527

Реферат: ICS1890 ICS280 ICS8302-01 ICS8302AM-01 ICS8302AM-01T MK1491-14
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ICS8302-01 ICS8302-01 199707558Г ICS1527 ICS1890 ICS280 ICS8302AM-01 ICS8302AM-01T МК1491-14

IRF9530 — INTERNATIONAL RECTIFIER MOSFET, ТРАНЗИСТОРЫ

Все продукты 7-СЕГМЕНТНЫЕ ДИСПЛЕИ (1)РЕГУЛИРУЕМЫЕ ИНДУКТОРЫ (8)СИГНАЛИЗАЦИИ ЗУММЕРЫ СИРЕНЫ (2)АЛЮМИНИЕВЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ (108)УСИЛИТЕЛИ (1)АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕДНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ (2)АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (1)АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (4)СЕТЕВЫЕ РЕЗИСТОРЫ МАССИВА ( 73)АУДИО (3)УСИЛИТЕЛИ ЗВУКА (5)АУДИОСИСТЕМА (1)АУДИОСИСТЕМА (1)АУДИО СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ (2)АУДИО ТРАНСФОРМАТОРЫ (4)ОБЪЕДИНИТЕЛЬНАЯ ПЛАТА (1)РАЗЪЕМЫ ОБЪЕДИНИТЕЛЬНОЙ ПЛАНКИ (12)РАЗЪЕМЫ «БАНАН» И НАКОНЕЧНИКИ (1)ПЛОЩАДКА — МАССИВ (1)BJT ТРАНЗИСТОРЫ (9)ПЛАТА-ПЛАТА (3)ПЛАТА-ПЛАТА РАЗЪЕМЫ (16)КОРОБКИ (2)МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ (10)БУФЕРЫ – ДРАЙВЕРЫ – ПРИЕМНИКИ – ПЕРЕДАТЧИКИ (310)КАБЕЛЬ В СБОРЕ (1)КЛЕТКА В СБОРЕ (1) )КОНДЕНСАТОРНЫЕ МАСШТАБЫ (2)КОНДЕНСАТОРЫ (1435)УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА (19)КРАЙНИЕ СОЕДИНИТЕЛИ ПЛАТЫ (9)CD-DVD-приводы (1)КЕРАМИЧЕСКИЕ (72)ЧИП-РЕЗИСТОРЫ – НАКЛАДНЫЙ МОНТАЖ (792)АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ (22)ЗАЩИТА ЦЕПИ (84) КРУГЛЫЕ РАЗЪЕМЫ (2)ЧАСЫ/ТАЙМЕРЫ (19)БУФЕРЫ ЧАСОВ (2)ЧАСЫ/ТАЙМЕРЫ (8)КОАКСИАЛЬНЫЕ РАЗЪЕМЫ (27)ОБЩИЕ ДРОССЕЛИ (5)РАЗЪЕМЫ (492)КОНТАКТЫ (5)СЧЕТЧИКИ – ДЕЛИТЕЛИ (19)КРИСТАЛЛЫ ( 5)КРИСТАЛЛЫ И КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ (18)КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕЗОНАТОРЫ (4)РЕГУЛЯТОРЫ ТОКА (5)РАЗЪЕМЫ D-SUB (7)СБОР ДАННЫХ – АЦП (12)ЛИНИЯ ДАННЫХ (1)ФИЛЬТРЫ ЛИНИИ ДАННЫХ (1)БЕСЩЕТОЧНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (8)ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (1)ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (1) )ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (26)ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (1)ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (15)ЦИФРОВАЯ ЗАДЕРЖКА (1)ЦИФРОВЫЕ ИЗОЛЯТОРЫ (4)ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР (3)ЦИФРОВЫЕ СИГНАЛ ПРОЦЕССОРЫ (1)ЦИФРОВО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (19)ЦИФРОВЫЕ К АНАЛОГОВЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМ (1)DIN-РАЗЪЕМЫ (1)ДИОДНЫЕ МАСШТАБЫ (4)ДИОДЫ (885)DIP-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (13)МАТРИЧНЫЕ ДИСПЛЕИ (1)DRAM (11)ДРАЙВЕРЫ ПРИЕМНИКИ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКИ (15)EEPROM (24)EEPROMS (15)ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ДВОЙНОЙ СЛОЙ (1)ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВУХСЛОЙНЫЙ – СУПЕРКОНДЕНСАТОРЫ (1)ФИЛЬТРЫ EMI/RFI (1)КОРПУСЫ (2)EPROM (1)EPROM – PROM (22)EPROM OTP (2)EPROM СТИРАЕМЫЕ УФ (7)ВЕНТИЛЯТОРЫ (9)ПОДАЧА СКВОЗНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ (12)ФЕРРИТОВЫЕ ШАРИКИ (24)ФЕРРИТОВЫЕ ШАРИКИ И ЧИПЫ (20)ФЕРРИТОВЫЕ ШАРИКИ И ЧИПЫ (12)FFC FPC ПЛОСКИЕ ГИБКИЕ СОЕДИНИТЕЛИ (3)FIFOS (29)ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ (27)ФИЛЬТРЫ (72)ФИКСИРОВАННЫЕ ИНДУКТОРЫ (166) FLASH (27)FLASH MEMORY (16)FLIP FLOPS (165)FPGA – ПРОГРАММИРУЕМЫЙ В ПОЛЕ ВОРОТНАЯ МАССИВА (35)УПРАВЛЕНИЕ ЧАСТОТОЙ И ВРЕМЯ (58)СИНТЕЗИАТОРЫ ЧАСТОТЫ (4)АКСЕССУАРЫ ДЛЯ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ (1)ДЕРЖАТЕЛИ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ (1)ПРЕДОХРАНИТЕЛИ (45)ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ТРУБНЫЕ РАЗРЯДНИКИ (1)ВОРОТА И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (439)ГЕНЕРАТОРЫ (4)КОНТРОЛЛЕР ( 6)РАЗЪЕМЫ КОЛЛЕКТОРА (142)РАСШИРИТЕЛИ ВВОДА-ВЫВОДА (2)IGBT (5)ИНДУКТОРЫ ДРОССЕЛЬНЫЕ КАТУШКИ (216)ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ (4689)ИНТЕРФЕЙС (9)ИНТЕРФЕЙС — ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКИ (4)ИНТЕРФЕЙС – МОДЕМЫ (1)ИНТЕРФЕЙС – ТЕЛЕКОМ (2) )ИНТЕРФЕЙС И В/В (2)ИНТЕРФЕЙСНЫЕ КОНТРОЛЛЕРЫ (2)ИНТЕРФЕЙСНЫЕ ФИЛЬТРЫ (1)ИНТЕРФЕЙСНЫЕ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ (4)ИНТЕРФЕЙСНЫЕ ТЕРМИНАТОРЫ (1)РАЗЪЕДИНИТЕЛИ (4)ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ (1)ЗАЩЕЛКИ (57)ЖК-ДИСПЛЕИ (2)СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ ( 5)СВЕТОДИОДЫ (110)ЛОГИКА (1965)ГЕРКОНОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (5)ПАМЯТЬ (103)РАЗЪЕМЫ ПАМЯТИ (2)МЕТАЛЛОПЛЕНКА (69)МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ (57)МИКРОФОНЫ (4)МИКРОПРОЦЕССОР (10)МИКРОПРОЦЕССОРЫ (10)MLCC (927) МОДЕМЫ (1)МОДУЛИ (1)МОП-транзисторы (233)МОТОДРАЙВЕРЫ (1)МУЛЬТИВИБРАТОРЫ (19)NVSRAM (3)ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ (188)ОПТИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ (3)ОПТОПАРЫ (26)ГЕНЕРАТОРЫ (48)ПРОЧЕЕ (10)ПРОЧЕЕ (7) )ДРУГОЕ (2)ДРУГОЕ (61)ДРУГОЕ (1)ДРУГОЕ (2)БУМАЖНАЯ ПЛЕНКА (5)ПЕРИФЕРИЙНЫЕ УСТРОЙСТВА (2 )ПЬЕЗО-ДИНАМИКИ (1)ШТЫРЬКИ (1)PLL (4)PMIC – КОНТРОЛЛЕРЫ (40)PMIC – РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ (190)ПОТЕНЦИОМЕТРЫ (8)РАЗЪЕМЫ ПИТАНИЯ (10)ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПИТАНИЯ – ДРАЙВЕРЫ НАГРУЗКИ (10)ФИЛЬТРЫ ЛИНИИ ПИТАНИЯ (6) )УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ (3)ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (31)КОНТРОЛЛЕРЫ ПИТАНИЯ (3)СИЛОВЫЕ ТРАНСФОРМАТОРЫ (1)ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИКА (226)СБРОСНЫЕ ПРЕДОХРАНИТЕЛИ PTC (14)ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ (2)ИМПУЛЬСНЫЕ ТРАНСФОРМАТОРЫ (3)КНОПОЧНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (3)РЕАЛЬНОЕ ВРЕМЯ ЧАСЫ (4)ПРЯМОУГОЛЬНЫЕ СОЕДИНИТЕЛИ (5)ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ (187)ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ (4)ГЕРКОНОВЫЕ РЕЛЕ (4)РЕЛЕ (44)РЕЗИСТОРЫ (1932)ВЧ УСИЛИТЕЛИ (6)ВЧ РАЗЪЕМЫ BNC (2)ВЧ КОМБАЙНЕРЫ (2)ВЧ ФИЛЬТРЫ ( 1)КУПИСНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (1)ЗАЩИТНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ (1)РАЗЪЕМЫ SATA (1)ДИОДЫ ШОТТКИ (90)SDRAM (5)ДАТЧИКИ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (9)ОБОЛОЧНЫЕ СОЕДИНИТЕЛИ (4)РЕГИСТРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ (32)СИГНАЛЬНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ – МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ – ДЕКОДЕРЫ (166) )РАЗЪЕМЫ (23)СПЕЦИАЛЬНАЯ ЛОГИКА (1)СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ (45)СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ (26)КОНТРОЛЛЕРЫ (2)ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ (26)КОММУТАЦИОННЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ (1)ТАНТАЛОВЫЙ (227)ТЕЛЕКОМ РАЗЪЕМЫ (4)ТЕЛЕКОМ ИС (3)ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОРЫ ( 17)ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ ( 6)КЛЕММНЫЕ БЛОКИ (36)КЛЕММНЫЕ ВТУЛКИ (1)ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА (31)ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА (443)ТОНКАЯ ПЛЕНКА (1)ТОНКАЯ ПЛЕНКА (3)СКВОЗНОЕ ОТВЕРСТИЕ (376)ТИРИСТОРЫ (1)ТИРИСТОРЫ (8)ТУМБИЛИ (1) ТРАНСФОРМАТОРЫ (32)ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАТРИЦЫ (2)ТРАНЗИСТОРЫ (511)ТРАНСЛЯТОРЫ – ИЗМЕНИТЕЛИ УРОВНЯ (25)ТРИММЕРЫ (52)ДИОДЫ TVS (119)UART (7)БЕЗ КАТЕГОРИИ (2937)Без категории (47)USB (1)USB – DVI – HDMI (4)USB-РАЗЪЕМЫ (1)ВАКУУМНЫЕ ЛАМПЫ (41)ПЕРЕМЕННЫЕ ДАТЧИКИ (1)ВАРИСТОРЫ (1)ПРОЦЕССОР ВИДЕОСИГНАЛОВ (1)ОПОРНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ (29)РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ (60)ЗЕНЕР-ДИОДЫ (288)