Irf9540N параметры: полевой P-канальный транзистор -100В -19А

Содержание

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

Лучше ли использовать IRF9540N P Channel Enhancement mode MOSFET для переключения 3.3 В на мой WiFi-чип?

IRF9540N не подходит для этой задачи.
Возможно, вы неправильно поняли параметр Vgsth. Чтобы включить Vs — Vg, его величина должна быть значительно больше, чем Vgsth.
Ваш доступный Vgs макс -3,3 В.

IRF9540N — здесь необходимо около -4,5 В, чтобы рассмотреть возможность встать с постели, и ему действительно нужно 7 В или более при более высоких токах.

В то время как на рисунках 1 и 2 показано, что напряжение 3.3 В слишком низкое, на рисунке 3 показано, что если вы экстраполируете график (и задержите дыхание И не удивляйтесь, если это покажется неразумным), то кривая 25С МОЖЕТ опуститься примерно до 3 В — но МОЖЕТ изгибаться слишком круто.

Тем не менее, графики приведены для типичных значений.

На странице 2 спецификации указано, что Vgsth составляет -2 В мин. И -4 В макс.
При проектировании вы ДОЛЖНЫ ВСЕГДА использовать значения WORST CASE .
Здесь «наихудший случай» равен -4 В, чтобы получить 250 мкА, а Vds = Vgs.
то есть, даже если бы у вас был лучший FET, у него было бы 2 В Vds с 2 В Vgs.
Это не было бы хорошо.
Если вы выберете их, вы МОЖЕТЕ найти некоторые, которые работают несколько лучше, чем другие, и те, которые МОГУТ работать достаточно хорошо для вас — но, возможно, нет, и это не может быть гарантировано.

Лучшая вероятность, основанная на всех свидетельствах и технических характеристиках, заключается в том, что даже если необходимый вам ток нагрузки крошечный — значение Vgsth настолько выше напряжения вашего привода, что оно просто сидит и ухмыляется вам.


… с помощью Дарлингтона я получил падение 1,2 В и
затем я использовал Sziklai Darlington (PNP) и получил падение напряжения 0,7 В, но смог включить модуль WiFi.

При низком напряжении насыщения и пара Дарлингтона, и пара Шиклая плохи, потому что они «крадут свой собственный привод», когда поворачиваются. С DP вы получаете 1 ++ Vbe минимальное падение, а SP может быть немного ниже, но все же> 1 x Vbe

Лучше использовать независимые NPN и PNP, где падение напряжения является напряжением насыщения PNP (в данном случае) транзистора. См. ниже:

Логический уровень P Channel FET войдет в эту цепь позднее.
R4 тогда не нужен, но не причиняет вреда.

Q2 может быть одним PNP с адекватным рейтингом или несколькими меньшими параллельно.
Будет работать широкий спектр небольших биполярных PNP. Очень хорошим маленьким биполярным является BC807-40 / BC327-40, у которого есть требуемый номинальный ток, но бета (усиление тока) будет несколько падать при более высоких токах, а напряжение насыщения возрастает с увеличением тока.
Спецификация BCxx7 здесь
См. Рис. 9. BCxx7-40 имеет типичное напряжение насыщения около 0,07 В при 100 мА, повышающееся до, возможно, 0,125 В при 300 мА.

Часть -40 имеет бета-версию 400 типичных (диапазон 250-600). Нижние бета-транзисторы могут использоваться с меньшими значениями R4. В идеале, если используются N x Q2, тогда также оборудуйте N x R4 от Q1-c до каждого базового НО Q2, как показано, вероятно, будет работать нормально. Значения резисторов могут быть примерно правильными — при необходимости. R2 не требуется, если вход всегда находится на высоком или низком уровне и никогда не плавает. R3 — «или безопасность», чтобы гарантировать, что Q2 выключен. Более низкие значения R4 могут быть необходимы для получения достаточно низкого напряжения насыщения. Кривая насыщения таблицы данных находится при принудительной бета = 10 !!! т.е. 30 мА базовый привод для 300 мА Ic. FET становится привлекательным :-).

смоделировать эту схему — схема, созданная с использованием CircuitLab

Подключение резервного источника питания | AlexGyver Community

Тема из соседней ветки напомнила мне о одной нерешённой задачи. Решил под «чаёк» посвятить денёк паяльнику.
Задача: При пропадании питания переключаться на батарею, при нормальном питании заряжать аккумулятор. При всём схема переключения должна как можно меньше рассеивать мощность. Универсальность, то-есть не должно быть разницы между напряжением источника питания и батареи.
Немного изучил схемы питания ноутбуков, у меня прям и правда появилась надежда, что получится реализовать данное переключение на полевых транзисторах IRL3205, но не тут то было, при правильном включении транзисторы полностью не открывались. Делать на транзисторах из ноута не резон, токи там до 9 ампер, а хотелось не ограничивать себя ни в чём. Однако одна схема имеет полное право на жизнь, но только в том случае, если DC-DC преобразователь для повышения либо понижения напряжения с целью заряда батарее исполнен в изолированном виде (то есть не имеет общего минуса, если будет общий плюс, то ничего страшного). Однако такой преобразователь надо делать самому.

С этими параметрами схема переключения потребляет 5 ма, и то эти 5 ма, как потом выяснилось жрёт делитель на резисторах R1,R3. Однако при нагрузке в 1А, при 24 В в схеме ничего не греется. Судя по токам с ЛБП данные ролевые транзисторы работают прям как механические реле.

Немного подумав сгонял за чаем, попутно прикупив повышающий dc-dc и 4 p канальных полевика, хотел купить IRF4905, но их было только 3, в итоге купил IRF9540N, жаль что они всего на 23 А, но ничего, для эксперимента пойдёт. Итак следующая рабочая схема:


Намучался немного, начал сомневаться в даташитах, в законе Ома, и в здравом уме. Схема работает стабильно. Единственный минус на 1 Ампере потерял 50мА, Думаю R5 и R11 надо бы взять поменьше. Мне уже было лень тестировать, может позже, когда буду реализовывать свои задумки, но считаю, что схема полностью рабочая. Транзистор с какого то БП ПК, прям очень чувствительный. Вообще весь принцип прост, можно брать любые транзисторы и любые полевики, просто смотрим даташит и вспоминаем законы Ома.
Мелкое описание: При подаче основного питания транзистор Q10 откроется, вслед за собой открыв ключ на Q8 и Q13, параллельно + питания попадёт на затвор второго ключа, закрыв его наглухо. Так же при начнёт работать DC-DC конвертер, заряжая аккумулятор. Об этом ниже. Как основное питание пропадёт, транзистор Q10 схлопнется, через его коллектор базу уйдёт заряд с затворов полевиков и те тоже закроются наглухо, сразу же после этого откроется второй ключ запитывая всю схему от батареи.
Ну и как следствие схема, которую я не проверял, но уверен что она точно работает

Это когда надо сделать резервное постоянное питание.

Зачем создал тему сам не знаю, наверное сам ничего толкового в Инете не нашёл. Про dc-dc завтра допишу.
ПС: Знаю, что даже при 10А Амперах будет жутко греться, но на сегодня пока хватит, завтра может и решу эту проблему, от себя скажу, что мне эти ключи не понравились, на ESR тестере все ключи открываются при разном напряжении, в диапазоне от 1,2 до 2,7 В.
ПСПС: Подключил ключ на двух транзисторах напрямую. При подачи питания чувствуется просадка в 50 ма при нагрузки в 1 Ампер. То есть это особенность этих ключей, номинал резисторов никак не влияет. Но что самое интересное, после 4х минут потери уменьшаются до нуля, ключи холодные, более 8ми минут тестировать не смог, катушка с светодиодной лентой расплавилась (я просто лоханулся, 24 ВТ это немало).

Теперь про зарядку аккума c большим напряжением, чем напряжение питания, если честно, считаю, что если использовать умную BMC с банками и допускать где ток заряда не более 2х Ампер, я бы использовал модуль XTU-SY-8

Если же на постоянку ставить кислотный на 12 Вольт (использовать в роле ИБП) я бы делал нечто умное, надо добавлять заряд разряд, отключение, это нельзя сделать без МК, а если экономить на схеме, то аккумуляторы в 2 раза меньше жить будут…

Оригинальный Новый 5 шт./P3NA60 STP3NA60 TO220 TO 220|Транзисторы| |



Новые поступления



Чехол LTGEM для Howard Leight от Honeywell Impact Sport Earmuff и Genesis Sharp Shooter защитные очки|Дорожные

EUDORA Модный Черный пирсинг пупка AAA Ziron сексуальное кольцо для с пуговицами штанга

Регулируемая силиконовая детская шапочка для шампуня с мультяшной Свинкой

Соска/грудь пенис язык тело стимулятор ролик секс игрушки для пар нержавеющая

USB Сопротивление нагрузке измерение сопротивления старения разрядки тока

Клапан контроля холостого хода для Ford Mondeo 3 1 8 2 0 1113873 1358402 1S7G9F715AE LF0120660 LF0120660Z07 1S7G9F715AD

Свежие отзывы


Материнская плата для ноутбука 929516 601 G3BB N17E hp 17 a 17t с Ц ⇒

«ME INTERESA ESTA PLACA, ALGÚN CORREO O NUMERO PARA CONSULTAR»

(Добавлено: 18.03.2022)


Поддельные аквариумные коралловые завод Декорации для аквариума иск ⇒

«Идеальное приобретение для любого аквариума, эти кораллы изготовлены из чистых и экологичных смол, они не вредят рыбам, и вообще не загрязняют воду. Если кораллы замазались, то отмыть их тоже не проблема, все делается просто при помощи губки. Вид …»

(Добавлено: 18.03.2022)


Новинка 1 рулон (500 этикеток) белые самоклеющиеся ценовые этикетки ⇒

«Ценовые стикеры. Для картин.»

(Добавлено: 18.03.2022)


Бесплатная доставка 14 дюймов 6 ГБ Оперативная память 64/120/240/48 ⇒

«На этот раз Алиэкспресс просто осуществил мою мечту. Я так долго хотела себе розовый ноутбук. Именно розовый. Притом этот оказался очень благородного цвета да еще с множеством прекрасных технических характеристик. Очень яркие и живые цвета на экра…»

(Добавлено: 18.03.2022)


Женские сексуальные рубашки с v-образным вырезом в полоску повседне ⇒

«Универсальная вещь. Когда прохладней, ношу как рубашку, когда припекает, подвязываю концы и рубашка становится подобием болеро. Расцветку тоже назову универсальной — подходит к моей черной юбке, белым и рыжим джинсам, что касается макияжа, опять ж…»

(Добавлено: 18.03.2022)


Рождественский винный набор бутылка крышка сумки украшения для вече ⇒

«Люблю всякие штучки для декора от Aliexpress. В это раз искала красивые мешочки для бутылок вина и нашла такие на Aliexpress. Подвернулись прям в тему нового года. Цена приемлемая, поэтому заказала сразу несколько разных. Мешочки из фетра, цвета я…»

(Добавлено: 18.03.2022)


IRF9540N техническое описание — одиночный P-канальный HexFET Power MOSFET -100 В в TO-220AB

1SMC5 : Подавители переходного напряжения Зенера пиковой мощности 1500 Вт. Подавители переходных напряжений Zener с пиковой мощностью 1500 Вт Серия SMC предназначена для защиты компонентов, чувствительных к напряжению, от высоковольтных переходных процессов с высокой энергией. Они обладают отличной способностью фиксации, высокой устойчивостью к перенапряжениям, низким импедансом стабилитрона и малым временем отклика. Серия SMC поставляется в эксклюзивном экономичном корпусе ON Semiconductor.

CPh4303 : . с Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая мощность рассеивания Температура канала Температура хранения Обозначение VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW10s, рабочий цикл 1% Установлен на керамической плате ( 900 мм20,8 мм) Условия Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение с нулевым затвором Ток стока.

FDh544 : Высоковольтные диоды общего назначения.

FSYE913A0D : Радиационно-стойкие, устойчивые к Сегре P-канальные силовые МОП-транзисторы.Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR мощные P-канальные полевые МОП-транзисторы Подразделение Intersil Corporation по производству дискретных продуктов разработало серию радиационно-стойких полевых МОП-транзисторов, специально предназначенных для коммерческих и военных космических приложений. Комбинируется повышенная устойчивость Power MOSFET к эффектам одиночного события (SEE), в частности к разрыву затвора одиночного события (SEGR).

SIGC121T120R2CL : Чипы высокого напряжения. Для применения с медленным переключением привода; Низкое напряжение насыщения.

T2322B : Симистор 2.5А 200В, Комплектация: ТО-225, Контакты=3. Разработан в первую очередь для переключения питания переменного тока. Чувствительность затвора этих симисторов позволяет использовать экономичные схемы управления на транзисторах или интегральных схемах, а также расширяет возможности их использования в маломощных приложениях управления фазой и переключения нагрузки. Очень высокая чувствительность затвора Низкое напряжение в открытом состоянии при высоких уровнях тока Микросхема, пассивированная стеклом, для стабильности.

NTMFS4925N : Силовой МОП-транзистор 30 В, N-канальный, 48 А, SO8FL Силовой МОП-транзистор 30 В, N-канальный, 48 А, корпус SO8FL.

BFU760F : Широкополосный кремниевый германиевый радиочастотный транзистор NPN NPN кремнийгерманиевый микроволновый транзистор для высокоскоростных малошумящих приложений в пластиковом 4-контактном корпусе SOT343F с двумя эмиттерами.

CD5CC010CO3 : КОНДЕНСАТОР СЛЮДЯНОЙ, 300 В, 0,000001 мкФ, ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: слюда; Диапазон емкости: 1,00E-6 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 100 (+/- %); WVDC: 300 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

DA2S101 : КРЕМНИЙ, УКВ-ДИАПАЗОН, МИКСЕР-ДИОД. s: Тип диода: МИКСЕРНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: смеситель; Соответствует RoHS: RoHS.

ETC9-1 : ВЧ ТРАНСФОРМАТОР 20–220 МГц. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: RF; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

KM-0.25A251K : 1 ЭЛЕМЕНТ, 250 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 250 мкГн; Номинальный постоянный ток: 500 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

SL6360L : 3 ФАЗЫ, 3 А, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 50000 мА; Количество выводов: 5; Количество диодов: 6.

STX0560-AP : СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. Возможность работы при высоком напряжении Очень высокая скорость переключения Области применения Компактные люминесцентные лампы (КЛЛ) SMPS для зарядного устройства TO-92 Это устройство изготовлено с использованием высоковольтной мультиэпитаксиальной планарной технологии для обеспечения высоких скоростей переключения и возможности работы при высоком напряжении.Он использует ячеистую структуру эмиттера с планарной краевой заделкой для повышения скорости переключения.

1658821-1 : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ 10/100/1000 BASE-T; АВТОМИКС; ПРИЛОЖЕНИЕ(Я) ETHERNET. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор; Стандарты: RoHS.

3549H-1AA-104B : РЕЗИСТОР, ПОТЕНЦИОМЕТР, ГИБРИД, 10 ОБОРОТОВ, 2 Вт, 100000 Ом. s: Тип потенциометра: стандартный потенциометр; Конус сопротивления: линейный; Монтаж/упаковка: панельный монтаж (втулка), СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 100000 Ом; Допуск: 10 +/- %; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F); Стандарты и сертификаты: RoHS.

P-Channel MOSFET Tutorial только с положительным напряжением

На каждой странице моего блога вы можете заметить окно чата. Если я не занят, мы можем общаться в режиме реального времени. Если нет, сообщения приходят ко мне по электронной почте. Вот один, который я получил от Мэтта на днях:

.
Как можно использовать полевой МОП-транзистор с каналом P в цепях с положительным напряжением?»

Давайте немного поговорим о том, как (и почему) можно использовать P-Channel MOSFET. Мэтт, и он не единственный, вероятно, задает этот вопрос, основываясь на «мифе» о том, что P-Channel MOSFET требуют питания с «отрицательным напряжением».

Продолжайте читать, чтобы узнать, как использовать только положительное напряжение в этом руководстве по p-канальному МОП-транзистору.

Учебное видео по N-канальным и P-канальным МОП-транзисторам

Во-первых, для получения дополнительной информации ознакомьтесь с видеоуроком AddOhms о полевых МОП-транзисторах, который я уже сделал.

Что изменилось?

MOSFET Символы из Википедии

Фактическая конструкция двух типов МОП-транзисторов отличается. Существует множество объяснений сокращения слоев.Вместо этого давайте сосредоточимся на том, как вы используете их в цепи.

В

ГС Порог

Первое, что нам нужно знать об использовании МОП-транзисторов, это одно из их важнейших свойств: V GS th. Что означает пороговое значение напряжения от затвора до источника. По мере изменения разности напряжений между этими двумя контактами будет меняться и сопротивление между контактами СТОК и ИСТОЧНИК. Этот порог определяет, как MOSFET включается и выключается.

То, как изменяется это сопротивление, зависит от того, является ли он N-канальным или P-канальным МОП-транзистором.

P-Channel MOSFET Учебное пособие и объяснение

Посмотрите на V GS -й для P-Channel MOSFET. Вы могли заметить, что V GS th является отрицательным значением. В качестве примера мы можем использовать техпаспорт IRF5305.

Его V GS th указывается в виде диапазона: от -2,0 В до -4,0 В. Итак, как вы можете использовать этот полевой МОП-транзистор с Arduino, LaunchPad, Raspberry Pi или любым другим микроконтроллером? Вы действительно должны генерировать отрицательное напряжение?

Речь идет о разнице

В этой спецификации возникает миф об «отрицательном напряжении»: поскольку в техническом описании указано «отрицательное», ясно, что для работы вам необходимо отрицательное напряжение.И таблицы данных никогда не лгут (кроме случаев, когда они лгут…).

Давайте буквально прочитаем, что говорит спецификация. «Напряжение от ворот к истоку минус четыре вольта». Используя другие слова, вы можете прочитать это как «значение напряжения GATE минус значение напряжения SOURCE».

Посмотрите на напряжения в этой конфигурации «переключатель верхней стороны»:

Ворота теперь на 5 вольт. ИСТОЧНИК также на 5 вольт. Это означает, что Vgs составляет 5 В — 5 В = 0 В. Таким образом, Vgs в этом случае составляет 0 вольт.Это напряжение означает, что МОП-транзистор выключен или открыт.

Теперь это та же схема, но GATE подключен к земле, а не к 5 вольтам.

Давайте снова посмотрим на ИСТОЧНИК и ВОРОТ. ИСТОЧНИК по-прежнему на 5 вольт. Однако теперь GATE находится на земле, что означает, что на нем 0 В. Если вы возьмете напряжение ЗАТВОРА минус ИСТОЧНИК, вы получите 0 В — 5 В = -5 В. Это включит МОП-транзистор.

Видишь, что там только что произошло? Мы получили «отрицательное» напряжение, используя только источники положительного напряжения…

Зачем использовать N-канал вместо P-канала

Нам нужно будет посвятить учебник тому, когда использовать n-канальный и p-канальный MOSFET.Отличное использование P-Channel — это схема, в которой напряжение вашей нагрузки такое же, как и уровни напряжения вашей логики. Например, если вы пытаетесь включить 5-вольтовое реле с помощью Arduino. Ток, необходимый для катушки реле, слишком велик для вывода ввода-вывода, но для работы катушки требуется 5 В. В этом случае используйте P-Channel MOSFET, чтобы включить реле с контакта ввода-вывода Arduino.

Если напряжение вашей нагрузки выше, например 12 или 24 В, возможно, вы захотите использовать N-канальный полевой МОП-транзистор в конфигурации «нижняя сторона».

Заключение

Использовать P-канал с положительным напряжением легко при правильном подключении к цепи. Нам просто нужно избавиться от мифа о том, что они работают с «отрицательными напряжениями».

 

irf9540nlangen Лист данных в формате PDF — Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF9540N

Электрические характеристики при TJ = 25°C (если не указано иное)

В(БР)ДСС

∆V(BR)ДСС/∆TJ

РДС(вкл.)

ВГС(й)

gfs

Параметр

Напряжение пробоя сток-исток

Напряжение пробоя Темп.Коэффициент

Статическое сопротивление сток-источник во включенном состоянии

Пороговое напряжение затвора

Передняя крутизна

ИДСС

Ток утечки сток-исток

ИГСС

шт

Qgs

Кгд

тд(о)

т.р.

тд(выкл)

тф

Утечка от шлюза к источнику

Обратная утечка от ворот к источнику

Общая стоимость ворот

Заряд от ворот к источнику

Заряд от ворот к сливу («Миллер»)

Время задержки включения

Время нарастания

Время задержки выключения

Время осени

ЛД

Индуктивность внутреннего стока

ЛС

Индуктивность внутреннего источника

Сисс

Входная емкость

Косс

Выходная емкость

Крест

Емкость обратной передачи

Мин.тип. Максимум. Единицы

-100 ––– ––– В

––– -0,11 ––– В/°C

––– ––– 0,117 Ом

-2,0 ––– -4,0 В

5.3 ––– ––– С

––– ––– -25 мкА

––– ––– -250

––– ––– 100

нА

––– ––– -100

––– ––– 97

––– ––– 15 нКл

––– ––– 51

––– 15 –––

––– 67 –––

нс

––– 51 –––

––– 51 –––

––– 4.5 –––

нГн

––– 7,5 –––

––– 1300 –––

––– 400 ––– пФ

––– 240 –––

Условия

VGS = 0 В, ID = -250 мкА

Ссылка на 25°C, ID = -1 мА

VGS = -10 В, ID = -11 А „

VDS = VGS, ID = -250 мкА

VDS = -50 В, ID = -11 А

VDS = -100 В, VGS = 0 В

VDS = -80 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C

ВГС = 20В

ВГС = -20В

ID = -11А

Вдс = -80В

VGS = -10 В, см. рис.6 и 13 „

ВДД = -50В

ID = -11А

RG = 5,1 Ом

RD = 4,2 Ом, см. рис. 10 „

Между свинцом,

Д

6 мм (0,25 дюйма)

из пакета

Г

и центр контакта матрицы

С

ВГС = 0 В

Вдс = -25В

ƒ = 1,0 МГц, см. рис. 5

Номинальные значения и характеристики источника и стока

Параметр

ЕСТЬ

Непрерывный источник тока

(корпусной диод)

ИСМ

Импульсный источник тока

(корпусной диод)

ВСД

Прямое напряжение диода

трр

Время обратного восстановления

Qrr

Зарядка обратного восстановления

тонны

Время включения вперед

Мин.тип. Максимум. Единицы

Условия

––– ––– -23

МОП-транзистор символ

А с изображением

Д

встроенный реверс

Г

––– ––– -76

диод с p-n переходом.

С

––– ––– -1,6 В TJ = 25°C, IS = -11 A, VGS = 0 В „

––– 150 220 нс TJ = 25°C, IF = -11A

––– 830 1200 нКл di/dt = -100 А/мкс „

Собственным временем включения можно пренебречь (включение преобладает при LS+LD)

Примечания:

Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена

макс.температура соединения. (см. рис. 11)

‚ Начальная TJ = 25°C, L = 7,1 мГн

RG = 25 Ом, IAS = -11 А. (См. рис. 12)

ƒ ISD ≤ -11 А, di/dt ≤ -470 А/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS,

ТДж ≤ 175°C

Ширина импульса ≤ 300 мкс; рабочий цикл ≤ 2%.

2014-8-9

2

www.kersemi.com

ирф9540н

ИРФ9540Н

шестигранный полевой транзистор

®

 Мощный МОП-транзистор

ПД — 91437Б

Параметр

Макс.

Единицы

я

Д

 @ Т

С

 = 25°C

Непрерывный ток стока, В

ГС

при -10 В

-23

я

Д

 @ Т

С

 = 100°C

Непрерывный ток стока, В

ГС

при -10 В

-16

А

я

немецких марок

Импульсный ток стока

-76

Р

Д

@T

С

 = 25°C

Рассеиваемая мощность

140

Вт

Линейный коэффициент снижения характеристик

0.91

Вт/°C

В

ГС

Напряжение затвор-источник

± 20

В

Е

КАК

Одноимпульсная лавинная энергия

430

мДж

я

АР

Лавинный поток

-11

А

Е

АР

Повторяющаяся энергия лавины

14

мДж

дв/дт

Пиковое восстановление диода dv/dt

ƒ

-5.0

В/нс

Т

Дж

Рабочий узел и

от -55 до + 175

Т

СТГ

Диапазон температур хранения

Температура пайки, в течение 10 секунд

300 (1,6 мм от корпуса)

°С

Момент затяжки, винт 6-32 или M3

10 фунт-сила•дюйм (1,1 Н•м)

Абсолютные максимальные значения

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

Р

θ

ДЖК

Соединение с корпусом

–––

1.1

Р

θ

КС

Корпус-раковина, плоская, смазанная поверхность

0,50

–––

°С/Вт

Р

θ

ДЖА

Соединение с окружающей средой

–––

62

Термическое сопротивление

В

ДСС

 = -100 В

Р

ДС(на)

 = 0.117

Ом

я

Д

 = -23 А

л

Передовые технологические процессы

л

Динамический рейтинг dv/dt

л

Рабочая температура 175°C

л

Быстрое переключение

л

P-канал

л

Полностью лавинный рейтинг

13.05.98

С

Д

Г

ТО-220АБ

Описание

В МОП-транзисторах

пятого поколения от International Rectifier
используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления
во включенном состоянии на единицу площади кремния.Это преимущество
в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства
, которыми хорошо известны МОП-транзисторы HEXFET Power
, дает разработчику
чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования
в самых разных приложениях.

Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений
при уровне рассеиваемой мощности
примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление
и низкая стоимость упаковки TO-220
способствуют его широкому распространению в отрасли
.

ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ В ИДЖАРИИ! — Журнал с низкой комиссией за обработку в EEE/ECE/E&I/ECE/ETE

Международный журнал передовых исследований в области электротехники, электроники и приборостроения (IJAREEIE) является международным ежемесячным рецензируемым журналом с высоким коэффициентом воздействия, открытым доступом. Журнал направлен на продвижение инновационных исследований в различных дисциплинах электротехники, электроники, приборостроения, техники управления и компьютерных наук, инженерии и приложений. IJAREEIE предлагает авторам представить оригинальные и неопубликованные работы в виде письменных обзоров, коротких сообщений и заметок, касающихся многочисленных дисциплин, которые сообщают о текущих исследованиях.

Основные моменты IJAREEIE

  • Импакт-фактор : 7,282
  • 5300+ Цитаты
  • 9+ лет существования
  • Опубликовано 9000+ статей
  • 22+ выпуска конференции
  • Простая и легкая отправка и публикация
  • Электронные сертификаты с цифровой подписью
  • CrossRef DOI для каждой статьи

Наши услуги авторам

  • Простой и удобный процесс подачи статьи
  • Быстрый ответ после подачи статьи
  • Быстрое рассмотрение и публикация в течение 12–24 часов
  • Электронные сертификаты с цифровой подписью для каждого автора сразу после оплаты
  • Низкая плата за обработку для поощрения исследователей
  • Максимум 6 авторов разрешено на статью
  • Бесплатный журнал открытого доступа
  • Уникальный DOI для каждой статьи CrossRef
  • Статья может быть представлена ​​авторами в любой день, в любое время
  • Сборы за обработку платежей через Google Pay / Phone Pe / Paytm/ Net Banking
  • Авторский запрос или решение проблемы с понедельника по воскресенье [с 8:00 до 21:00]
  • Консультации по телефону или помощь в написании или публикации статьи
  • Поддержка WhatsApp @ +91-6381
  • 8

Частота

:

12 выпусков в год

ISSN (онлайн)

:

2278-8875

ISSN (печать)

:

2320-3765

Тематическая категория

:

Электротехника, электроника, КИПиА
Инженерия, информатика и инженерия.

Использование МОП-транзисторов с уровнями TTL (5 В и 3,3 В) — Arduino, ESP8266, ESP32 и компоненты Raspberry Pi

Если вы ищете полевые транзисторы, совместимые с 3V3: прокрутите страницу до конца (последнее обновление в ноябре 2021 г.)

В различных проектах Arduino, которым необходимо переключать высокую нагрузку постоянного тока, для этого используются полевые МОП-транзисторы в соответствии со схемой справа (R1 является необязательным и может потребоваться для отключения полевого транзистора, если на выводе низкий уровень).

Популярные МОП-транзисторы, которые используются, это IRF510 и IRF 520

IRF510 IRF520

Глядя на эти графики, можно увидеть, что при уровне от затвора до истока 5 В (уровни Arduino) IRF510 способен выдавать только 1 ампер, тогда как он рассчитан на постоянный ток 5,6 ампер. Модель 520 несколько лучше: при 5 В она выдает 3 А при максимальном токе 9,2. Это связано с тем, что эти полевые транзисторы предназначены для пропускания максимального тока при напряжении затвора около 10 вольт, что превышает то, что может обеспечить большинство микроконтроллеров.

Для IRF522 еще хуже.

Глядя на кривую, при напряжении затвор-исток 5В IRF522 почти не включается. Вы ограничены током около 200 мА. Тогда гораздо лучше использовать дешевый транзистор Дарлингтона.

Лучше выбрать IRF530:

При напряжении 5 В на затворе IRF530 будет пропускать около 4,5 ампер.

Если вы покупаете полевой МОП-транзистор для Arduino, обратите внимание на IRL540. L показывает, что это полевой МОП-транзистор логического уровня.МОП-транзистор логического уровня означает, что он предназначен для полного включения с логического уровня микропроцессора. Стандартный МОП-транзистор (серия IRF и т. д.) предназначен для работы от 10 В.

Вот кривая для IRL540:

Теперь при напряжении 5 В вы выходите за пределы линейной области, и полевой МОП-транзистор уже может обеспечивать заявленный непрерывный ток 28 А.

Вы также можете рассмотреть IRLZ44.

В техническом описании IRLZ44 указано, что Vgs(th) составляет 1-2 В. При 3-вольтовом приводе полевой транзистор падает менее 0.2-R омическое рассеивание будет менее 1 Вт, и это хорошо. Если мы используем Vgs = 4 В, указанное для выходов микросхемы AVR, рассеивание должно быть около 0,4 Вт при 25 ° C (0,8 Вт для Tj = 175 ° C). График передаточных характеристик (рисунок 3 в техпаспорте) показывает, что он может выдерживать 30 ампер при напряжении затвора 3 В3.

Является ли полевой МОП-транзистор стандартным МОП-транзистором или «логическим» полевым транзистором, становится ясно из таблицы данных. Если, например, вы посмотрите в таблице данных IRFZ44N на Rds (включено), в нем указано «сопротивление во включенном состоянии» при условии, что Vgs = 10 В (и Id = 25 А).Если нет рейтинга для Rds(on) при Vgs=5В (или 4,5В), то это не полевой МОП-транзистор логического уровня. Логический уровень MOSFET будет иметь Rds (on), указанный для Vgs = 5 В или 4,5 В. Если это указано только для Vgs=10V, это не логический уровень.

Еще одна вещь, которую следует остерегаться в технических описаниях, это Vthresh (пороговое напряжение). Это не напряжение затвора для включения устройства, это напряжение затвора, при котором оно полностью выключается (обычно менее нескольких мкА тока). Если Vthresh задан в диапазоне 2..4В, это не может быть полевой МОП-транзистор логического уровня (Vthresh обычно равен 0.от 5 до 1 В для полевых МОП-транзисторов логического уровня).

При разработке с полевыми МОП-транзисторами имейте в виду, что вместо того, чтобы иметь Vsat, как у биполярного транзистора, полностью насыщенный МОП-транзистор действует как линейный резистор с низким значением. Если, например, вы хотите переключить 5 А в цепь 12 В и хотите потерять только 0,5 В на MOSFET, тогда его сопротивление во включенном состоянии (Vds(on)) должно быть <= 0,1 Ом (0,5 В / 5 А)

В этом случае тепловыделение составляет 5x5x0,1=2,5 Вт. Но предположим, что выбранный вами полевой транзистор имеет сопротивление 0,05 Ом Vds (вкл.2R Вт, т. е. 10x10x0.05 = 5 Вт. Для этого потребуется хороший радиатор, если нагрузка включена более одной или двух секунд, но это не проблема, если он получает миллисекундные импульсы каждые несколько секунд. Доступно «сопротивление во включенном состоянии» от 0,2 до 0,001 Ом (хотя менее 0,005 Ом становится дороже).

Относительно дешевый BUZ11 также является опцией. Хотя это не полевой МОП-транзистор логического уровня, он переходит в режим насыщения при напряжении затвора 5 В при токе около 7 А и VDS примерно от 0,5 до 1 В. Но RDS(on) будет далек от идеала и вы потеряете 3.5-7 Вт в полевом транзисторе:

Однако, если вы застряли с полевым транзистором, таким как IRF522, которому действительно требуется высокое напряжение для эффективного переключения, используйте следующую схему:

Поймите, однако, что это инвертирующая схема. ВЫСОКИЙ уровень на выходе Arduino отключит нагрузку. Кроме того, 520 и 510 будут более эффективными с этой схемой.

Не забудьте использовать радиатор для MOSFET, если вы используете какие-либо серьезные нагрузки

Если вы используете эту схему для переключения каких-либо серьезных нагрузок, целесообразно припаять толстый провод поверх дорожек, идущих от MOSFET.Здесь вы найдете дизайн печати. Это для прямой передачи, поэтому оно уже правильно зеркально отражено.

Если у вас есть нелогический полевой транзистор (например, серия IRF, и вам нужна гальваническая развязка от вашей схемы микроконтроллера, вам пригодится следующая схема:

Уровни 3,3 В

Долгое время «TTL» означало 5 вольт. В настоящее время все больше и больше 3,3-вольтовых плат доступны как в серии Arduino, так и в популярных ESP8266 и raspberry Pi.На этих платах STN4NF03L (Vgs(th) 1Volt) может быть хорошим выбором. Не идеальный выбор, но хороший. См. раздел 2.1 рис. 4 в техпаспорте. (Имейте в виду, что Vgs(th) – пороговое напряжение истока затвора – это не то напряжение, при котором можно использовать полевой транзистор, см. предупреждение в конце этого абзаца). , или IRLZ44 (Vgs(th) 1-2V) (обсуждалось выше, а практические результаты последнего можно найти в комментарии Jeroen ниже)
Другие полевые транзисторы, которые можно использовать с 3V3, например (ни в коем случае не полные):
IRLB8721PbF Vgs(th) 1.35–2,35 В
PJC7400_R1_00001 Vgs(th) 1,7 В
IRLMS2002TRPBF Vgs(th) 1,2 В
AON2408 Vgs(th) 1,2 В
 PMV16XNR Vgs(th) 0,4–0,9 В. Сопротивление во включенном состоянии составляет всего 20 мОм при питании затвора только от 3 В и может выдавать ток чуть более 6 А. ) 1-2,2 Вольт при напряжении затвора 3V3 должно быть в состоянии обеспечить 100А. (стр. 3 Таблица характеристик передачи). Он имеет Rds(on) в десятки миллиОм.Насколько я знаю, это только в корпусе Powerpack.

Позвольте мне еще раз подчеркнуть для новичка, что Vgs(th) — это напряжение на затворе, при котором полевой транзистор только начинает открываться. Он не полностью открыт при таком напряжении и может выдавать очень небольшую мощность . Однако упомянутые здесь полевые транзисторы могут обеспечить большую мощность, когда у них есть 3 на 3 на входе. Проверьте их техническое описание, чтобы убедиться, что этого достаточно для вашего проекта. (обычно вы найдете его на странице 3 в «графике передаточных характеристик»).Если, например, мы посмотрим на FQP30N60L, у которого Vgs(th) составляет 1-2,5 Вольта, мы увидим, что при комнатной температуре при 1 Вольте… он ничего не делает, но при 2,5 Вольтах он может потреблять около 2 ампер. Однако при 3 на 3 он может выдавать около 11 ампер

.

Например, STN4NF03L (Vgs(th)1Volt) может выдавать около 4 ампер при 3v3, но почти ничего при 1 вольте.

А как насчет некоторых доступных модулей MOSFET с популярных «китайских веб-сайтов». например этот:

Параллельно подключено два силовых транзистора D4184.D4184 имеет Vgs(th) 1,7-2,6В. Таблица данных (страница 3) учит нас, что при 3V3 максимальный ток, вероятно, составляет около 1, может быть, 2 ампера (это трудно увидеть на графике). Так что плата подойдет для 3V3, если вам нужно всего 2-4 ампера. Его реальная мощность составляет 2*50 ампер, однако требуется напряжение затвора 10 вольт.

Как насчет этого:

Ну у того есть IRF520, который даже на 5 Вольт не очень подходит.

Как насчет этого:

Что ж, похоже, что он доступен либо с FR120, либо с LR7843, либо с AOD4184.
FR120 имеет Vgs(th) 1-2,5 В. Тем не менее, передаточные характеристики в таблице данных показывают, что даже при 3 на 3 ток утечки действительно минимален.
LR7843 имеет Vgs(th) 1,4-2,3В при 3В3, он способен отдавать большие токи. на графике передаточной характеристики видно 40 Ампер, но только на коротких импульсах. Максимальный ток 16 ампер.
AOD4184, насколько я знаю, похож на D4184, о котором говорилось выше: плата подойдет для 3V3, если вам нужно всего 2-4 ампера. Его реальная мощность составляет 2*50 ампер, однако требуется напряжение затвора 10 вольт.

Эпилог
Я вынужден добавить здесь несколько предостережений. Я сосредоточился в основном на том, является ли уровень 3V3 или 5 вольт подходящим для включения полевого транзистора и получения приличного тока, протекающего через него (в отличие от только порогового напряжения затвора). Однако это не означает, что каждый полевой транзистор, который я упомянул здесь как относящийся к уровню TTL, будь то 3v3 или 5 вольт, подходит для вашего конкретного проекта. Несмотря на то, что 3V3 или 5 вольт могут подойти даже для полного открытия полевого транзистора, есть и другие факторы, которые следует учитывать при выборе полевого транзистора для вашего проекта.Двумя важными из них являются Rds(on) (=Статическое сопротивление стока-источника во включенном состоянии) и Ciss (входная емкость).

Для примера: полевой МОП-транзистор AO6400 с максимальным током 6,9 А может полностью включиться даже при напряжении 1,05 В. Однако RDS при низком напряжении затвора примерно в два раза выше, чем при Vg 10 вольт. При 10 вольтах это 28 мОм, а при 2,5 вольтах 52 мОм. при максимальном токе рассеиваемая мощность составит 1,3 против 2,5 Вт. Может быть, и то, и другое не так уж много, но это может быть важно для вашего проекта.AO6400 имеет емкость затвора 630 пФ, а IRLZ44 имеет емкость затвора 3300 пФ. В сочетании с резистором затвора, который определяет время RC, или, другими словами, скорость, с которой полевой транзистор будет реагировать на определенное напряжение затвора. Опять же, это может быть минимально, но может иметь значение для вашего проекта

Нравится:

Нравится Загрузка…

Родственные

Отслеживание точки максимальной мощности для солнечной фотоэлектрической панели [150411]

MPPT — Отслеживание точки максимальной мощности

MPPT — Отслеживание точки максимальной мощности

Забавно, что большинство солнечных панелей, которые я вижу у себя дома, даже некоторые из них очень большие, от 25 кВт до 2 МВт, но ни одна из них не контролируется каким-либо MPPT.Сразу теряется 25% мощности из-за плохой рабочей зоны параметра. Для зарядных устройств по утрам, когда батарея разряжена и ее напряжение приближается к 11 вольт, и она получает первое питание от панели, она настолько снижает напряжение солнечной батареи, что вы теряете значительное количество энергии при 11 вольтах (см. график). С другой стороны, в пиковый полдень, когда батарея полностью заряжена при напряжении около 13,6 вольт, это все еще не позволяет панели вырабатывать максимальную мощность для других нагрузок, таких как 13,6 вольт. Он по-прежнему работает далеко от своего MPPT; я.е 17,5 вольт. MPPT всегда регулирует импеданс нагрузки таким образом, чтобы панель всегда производила максимальное напряжение V*I.

Но если быть откровенным, построить MPPT очень просто. Микроконтроллер сделает все за вас. Только вам нужно построить очень сильный и надежный алгоритм MPPT, который может очень быстро попасть в нужное место MPPT, а затем он будет отслеживать это место в течение дня.

Рисунок-1 [прототип]

Типичная солнечная фотогальваническая панель фактически действует как источник тока.Когда ток блокируется, он преобразуется в напряжение и ток, таким образом вырабатывая энергию. Но если вы потребляете все больше и больше тока, напряжение продолжает снижаться, а с другой стороны, когда ток уменьшается, напряжение продолжает расти. Максимальная мощность достигается там, где произведение V*I становится максимальным. На рисунке точка обозначена как точка максимальной мощности (перегиб кривой). MPP получается путем изменения нагрузки, подключенной к цепи. Если мы добавим большую нагрузку, напряжение будет уменьшено, а для меньшей нагрузки напряжение будет увеличено.Теоретически
[фото любезно предоставлено Интернетом]
MPPT составляет 17,5 Вольт при 25 градусах Цельсия, но в действительности оно сильно различается.

Окружающие условия влияют на мощность солнечной фотоэлектрической батареи.

Рисунок-2 [Влияние температуры]
фото предоставлено: Интернет

Если солнечное излучение изменяется, кривая принимает новую форму, то же самое происходит и с MPP. Если температура окружающей среды изменяется, кривая PV принимает еще более новую форму, поэтому MPP также изменяется.Но если мы сможем соответствующим образом изменять нагрузку, мы всегда сможем получить максимальную мощность от солнечной панели.

Рис. 3. MPPT 120-ваттной панели
. фото предоставлено: Интернет

Это типичная фотоэлектрическая панель мощностью 120 Вт. Если мы подключим панель к 12-вольтовому свинцово-кислотному аккумулятору для зарядки без MPPT, панель будет работать от 13,6 вольт (полный заряд) до 11,5 вольт (полный разряд). В этот момент панель не сможет обеспечить затененное количество энергии, поскольку она вообще не может достичь напряжения MPT, которое обычно составляет 17.5 вольт — колено кривой. Количество энергии, которое мы теряем, довольно опустошительно — почти 25%.

Здесь мы разработаем MPPT на основе Arduino, который будет действовать как клапан между нагрузкой и панелью. Таким образом, непрерывно модулируя клапан, мы будем извлекать мощность из панели на уровне MPPT. Полученная таким образом мощность на выходе клапана может быть использована для зарядки аккумулятора или для любых других целей. Для мониторинга напряжения, тока, мощности и ватт-часа мы подключим одну ЖК-панель 16*2 к Arduino.Однако, когда ЖК-панель будет удалена, это будет урезанная модель MPPT стоимостью около 500 рупий. Его можно легко поместить между солнечной панелью и нагрузкой, чтобы получить питание в точке MPPT. Небольшие пользователи, такие как солнечный фонарь, небольшие пользователи мощностью от 1 до 5 кВт могут увеличить выходную мощность с помощью этого. Однако для подачи большей мощности нам необходимо использовать IGBT для увеличения тока.

Рис. 4. Влияние MPPT
. фото предоставлено: Power with Nature

Описание схемы: Сердцем проекта является ATMEGA328, который программируется снаружи с помощью «AVR on board» (EFY-Dec-14).Для измерения тока мы использовали один ACS712-30 (подходит для тока до 30 ампер). Для измерения напряжения панели мы использовали делитель напряжения на 22К и 100К, как показано на схеме. Для подачи питания от солнечной панели к другому концу (клапану) мы использовали P-Channet MOSFET IRF9540N, который может обеспечивать ток до 19 ампер при максимальном напряжении 100 вольт и может рассеивать энергию 125 Вт, но использует подходящий радиатор для охлаждения. Этот полевой транзистор фактически действует как клапан, который отбирает мощность от солнечной панели в точке MPPT и передает ее на сторону нагрузки.

Сторона нагрузки: Он просто открыт для подключения любой нагрузки, но если он слишком сильно снижает напряжение панели, это приведет к потерям. Так что будьте осторожны с соответствующей мощностью нагрузки. Для нагрузки я использовал пучок светодиодов мощностью 2 Вт * 9 дюймов. 3 светодиода последовательно с 3 рядами параллельно для подключения к выходу.

Базовое напряжение: Переменная с плавающей запятой base_volt использовалась для создания базового напряжения, выше которого начнет работать только MPPT. Эта переменная может быть установлена ​​на подходящее напряжение, так что, когда напряжение солнечной панели ниже этого напряжения, она будет действовать как открытые ворота, так что любая энергия, которую она получает от панели, будет передаваться на сторону нагрузки.Это достигается простой установкой коэффициента заполнения на 255 в этот момент.

Предупреждения: Напряжение измеряется путем создания делителя напряжения, в котором используются резисторы 100k и 22k. Танталовые резисторы предпочтительны для точных измерений. Однако обычные резисторы сильно различаются. Лучший способ решить эту проблему — измерить их значения мультиметром после выполнения необходимой пайки на плате, а затем ввести их фактические измеренные значения в расчеты.

Наличие датчика тока ACS712 на печатной плате создает много помех MCU и датчикам температуры, поэтому их лучше размещать подальше от печатной платы (см. мой прототип), иначе будут мерцания или ошибочные результаты.

Принцип действия: Частота установлена ​​на 15000 Гц. В начале цикла. Arduino измеряет мощность по измерению напряжения и тока. Р = В*И. После этого он меняет рабочий цикл, увеличивая или уменьшая, а затем наблюдает за движением Силы.Если он поднимается выше на 0,1 Вт, процесс продолжается. Если Сила перемещает нижнюю сторону, она останавливает процесс. Однако в приведенном выше процессе Arduino будет продолжать выполнять это действие бесконечно, и мощность всегда будет колебаться относительно MPT. Поэтому его необходимо остановить. Таким образом, чтобы смягчить процесс, мы просто увеличиваем размах мощности до 0,2–0,25, и хотя модуляция продолжает работать, но мощность не сильно колеблется, и панель работает на уровне среднего MPPT. Светодиод подключен к цифровому контакту 13, чтобы показать, включен ли процесс модуляции или нет. Просто поместив модель между нагрузкой и солнечной панелью, количество извлекаемой энергии будет значительно увеличено. Это может быть очень полезно для небольшого солнечного фонарика и т. д.

Код Arduino находится здесь:
https://drive.google.com/file/d/0B3E3LcSKoM-6ZEhsWmFZTkR3OFU/view?usp=sharing

Дополнительные библиотеки необходимые для этого эскиза доступны здесь.
https://drive.google.com/file/d/0B3E3LcSKoM-6UXd4VlRHNEpJLWM/view?usp=sharing

Модель можно дополнительно расширить, добавив к ней емкость для зарядки аккумулятора.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.