Irfp460 параметры: IRFP460 — Полевые импортные MOSFET — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

Содержание

Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC

Описание товара Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC
  • Тип транзистора: N-канальный;
  • Максимальный ток «сток»-«исток»: 20A;
  • Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 500V;
  • Тип корпуса: TO-247AC.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC

Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRFP460 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRFP460 составляет 20A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 500V.

Также транзистор IRFP460 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFP460 следует учитывать:

  • чувствительность к перегреву;
  • высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Irf460 — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRFP460APBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP460APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 105
nC

Время нарастания (tr): 55
ns

Выходная емкость (Cd): 480
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27
Ohm

Тип корпуса: TO247AC

IRFP460APBF


Datasheet (PDF)

1.1. irfp460apbf.pdf Size:206K _international_rectifier

PD- 94853
SMPS MOSFET
IRFP460APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Vol

1.2. irfp460apbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460APBF
·FEATURES
·With TO-247 packaging
·Uninterruptible power supply
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-So

 2.1. irfp460as.pdf Size:115K _international_rectifier

PD-94011A
SMPS MOSFET
IRFP460AS
HEXFET Power MOSFET
Applications
SMPS, UPS, Welding and High Speed
VDSS Rds(on) max ID
Power Switching
500V 0.27? 20A
Benefits
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Isolated Central Mounting Hole
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Solder plated and leadformed for surface mounting
Description
Third Genera

2.2. irfp460a.pdf Size:95K _international_rectifier

PD- 91880
SMPS MOSFET
IRFP460A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
G D

 2.3. irfp460a sihfp460a.pdf Size:180K _vishay

IRFP460A, SiHFP460A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.27
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 26
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 42 and Current
Configuration Single

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

IRFP460P Datasheet (PDF)

1.1. irfp460pbf.pdf Size:156K _upd-mosfet

IRFP460, SiHFP460
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 500
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.27
RoHS*
• Isolated Central Mounting Hole
Qg (Max.) (nC) 210
COMPLIANT
• Fast Switching
Qgs (nC) 29
Qgd (nC) 110
• Ease of Paralleling
Configuration Single
• Simple Drive Requirements
D • Le

1.2. irfp460p.pdf Size:154K _upd-mosfet

PD-93946A
IRFP460P
Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
Repetitive Avalanche Rated
D
Isolated Central Mounting Hole
VDSS = 500V
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27Ω
G
Solder Plated for Reflowing
ID = 20A
Description
S
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of f

 1.3. irfp460p.pdf Size:174K _international_rectifier

PD-93946A
IRFP460P
Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
Repetitive Avalanche Rated
D
Isolated Central Mounting Hole
VDSS = 500V
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27?
G
Solder Plated for Reflowing
ID = 20A
Description
S
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
sw

IRFP460PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfp460pbf.pdf Size:156K _upd-mosfet

IRFP460, SiHFP460
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 500
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.27
RoHS*
• Isolated Central Mounting Hole
Qg (Max.) (nC) 210
COMPLIANT
• Fast Switching
Qgs (nC) 29
Qgd (nC) 110
• Ease of Paralleling
Configuration Single
• Simple Drive Requirements
D • Le

2.1. irfp460p.pdf Size:154K _upd-mosfet

PD-93946A
IRFP460P
Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
Repetitive Avalanche Rated
D
Isolated Central Mounting Hole
VDSS = 500V
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27Ω
G
Solder Plated for Reflowing
ID = 20A
Description
S
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of f

2.2. irfp460p.pdf Size:174K _international_rectifier

PD-93946A
IRFP460P
Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
Repetitive Avalanche Rated
D
Isolated Central Mounting Hole
VDSS = 500V
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27?
G
Solder Plated for Reflowing
ID = 20A
Description
S
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
sw

IRFP460NPBF Datasheet (PDF)

1.1. irfp460n irfp460npbf.pdf Size:158K _upd-mosfet

IRFP460N, SiHFP460N
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.24
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 40
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 57
Configura

1.2. irfp460npbf.pdf Size:161K _international_rectifier

PD-94809
SMPS MOSFET
IRFP460NPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
VDSS Rds(on) max ID
Uninterruptable Power Supply
500V 0.24? 20A
High speed power switching
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized C

 2.1. irfp460n.pdf Size:94K _international_rectifier

PD-94098
SMPS MOSFET
IRFP460N
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.24? 20A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
TO-24

2.2. irfp460n sihfp460n.pdf Size:158K _vishay

IRFP460N, SiHFP460N
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.24
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 40
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 57
Configuration Singl

IRF460 Datasheet (PDF)

1.1. irf460b irf460c.pdf Size:413K _upd

RoHS
IRF460 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
20A, 500Volts
DESCRIPTION
D
The Nell IRF460 is a three-terminal silicon device
with current conduction capability of 20A, fast switching
speed, low on-state resistance, breakdown voltage
rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts.
They are designed for use in applications such as
G

1.2. irf460.pdf Size:230K _update-mosfet

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF460
DESCRIPTION
·Repetitive Avalanche Ratings
·Dynamic dv/dt Rating
·Hermetically Sealed
·Simple Drive Requirements
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for applications such as switching power
Supplies ,motor controls ,inverters ,choppers ,audio
amp

 1.3. irf460.pdf Size:140K _international_rectifier

PD -90467
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF460
500V, N-CHANNEL
HEXFET?TRANSISTORS
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF460 500V 0.27? 21
The HEXFET?technology is the key to International
Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
State of the Art design achieves: very low

1.4. irf460-f2f.pdf Size:271K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF460
DESCRIPTION
·Repetitive Avalanche Ratings
·Dynamic dv/dt Rating
·Hermetically Sealed
·Simple Drive Requirements
·Ease of Paralleling
APPLICATIONS
·Designed for applications such as switching power
Supplies ,motor controls ,inverters ,choppers ,audio
amplifiers and high energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 1.5. irf460-f2.pdf Size:256K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF460
DESCRIPTION
·Repetitive Avalanche Ratings
·Dynamic dv/dt Rating
·Hermetically Sealed
·Simple Drive Requirements
·Ease of Paralleling
APPLICATIONS
·Designed for applications such as switching power
Supplies ,motor controls ,inverters ,choppers ,audio
amplifiers and high energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

IRFP460A Datasheet (PDF)

1.1. irfp460as.pdf Size:115K _international_rectifier

PD-94011A
SMPS MOSFET
IRFP460AS
HEXFET Power MOSFET
Applications
SMPS, UPS, Welding and High Speed
VDSS Rds(on) max ID
Power Switching
500V 0.27? 20A
Benefits
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Isolated Central Mounting Hole
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Solder plated and leadformed for surface mounting
Description
Third Genera

1.2. irfp460apbf.pdf Size:206K _international_rectifier

PD- 94853
SMPS MOSFET
IRFP460APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Vol

 1.3. irfp460a.pdf Size:95K _international_rectifier

PD- 91880
SMPS MOSFET
IRFP460A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
G D

1.4. irfp460a sihfp460a.pdf Size:180K _vishay

IRFP460A, SiHFP460A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.27
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 26
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 42 and Current
Configuration Single

 1.5. irfp460apbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460APBF
·FEATURES
·With TO-247 packaging
·Uninterruptible power supply
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-So

IRFP460LCPBF Datasheet (PDF)

1.1. irfp460lc.pdf Size:154K _international_rectifier

PD — 9.1232
IRFP460LC
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low Gate Charge
Reduced Gate Drive Requirement
Enhanced 30V Vgs Rating VDSS = 500V
Reduced Ciss, Coss, Crss
Isolated Central Mounting Hole
RDS(on) = 0.27?
Dynamic dv/dt Rated
Repetitive Avalanche Rated
ID = 20A
Description
This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly
lower gate charge over conventional MOSFE

1.2. irfp460lcpbf.pdf Size:205K _international_rectifier

PD — 94902
IRFP460LCPbF
Lead-Free
12/19/03
Document Number: 91235 www.vishay.com
1
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
2
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
3
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
4
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
5
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
6
IRFP460LCPbF
Document

 1.3. irfp460lc sihfp460lc.pdf Size:1124K _vishay

IRFP460LC, SiHFP460LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 500
Reduced Gate Drive Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.27
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 120
COMPLIANT
Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 32
Isolated Central Mounting Hole
Qgd (nC) 49
Dynamic dV/dt Rating
Configuration Single
Repe

IRFP460LC Datasheet (PDF)

1.1. irfp460lc.pdf Size:154K _international_rectifier

PD — 9.1232
IRFP460LC
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low Gate Charge
Reduced Gate Drive Requirement
Enhanced 30V Vgs Rating VDSS = 500V
Reduced Ciss, Coss, Crss
Isolated Central Mounting Hole
RDS(on) = 0.27?
Dynamic dv/dt Rated
Repetitive Avalanche Rated
ID = 20A
Description
This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly
lower gate charge over conventional MOSFE

1.2. irfp460lcpbf.pdf Size:205K _international_rectifier

PD — 94902
IRFP460LCPbF
Lead-Free
12/19/03
Document Number: 91235 www.vishay.com
1
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
2
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
3
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
4
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
5
IRFP460LCPbF
Document Number: 91235 www.vishay.com
6
IRFP460LCPbF
Document

 1.3. irfp460lc sihfp460lc.pdf Size:1124K _vishay

IRFP460LC, SiHFP460LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 500
Reduced Gate Drive Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.27
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 120
COMPLIANT
Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 32
Isolated Central Mounting Hole
Qgd (nC) 49
Dynamic dV/dt Rating
Configuration Single
Repe

IRFP460N Datasheet (PDF)

1.1. irfp460n irfp460npbf.pdf Size:158K _upd-mosfet

IRFP460N, SiHFP460N
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.24
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 40
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 57
Configura

1.2. irfp460n.pdf Size:94K _international_rectifier

PD-94098
SMPS MOSFET
IRFP460N
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.24? 20A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
TO-24

 1.3. irfp460npbf.pdf Size:161K _international_rectifier

PD-94809
SMPS MOSFET
IRFP460NPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
VDSS Rds(on) max ID
Uninterruptable Power Supply
500V 0.24? 20A
High speed power switching
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized C

1.4. irfp460n sihfp460n.pdf Size:158K _vishay

IRFP460N, SiHFP460N
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.24
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 40
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 57
Configuration Singl

IRFP460APBF Datasheet (PDF)

1.1. irfp460apbf.pdf Size:206K _international_rectifier

PD- 94853
SMPS MOSFET
IRFP460APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Vol

1.2. irfp460apbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460APBF
·FEATURES
·With TO-247 packaging
·Uninterruptible power supply
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-So

 2.1. irfp460as.pdf Size:115K _international_rectifier

PD-94011A
SMPS MOSFET
IRFP460AS
HEXFET Power MOSFET
Applications
SMPS, UPS, Welding and High Speed
VDSS Rds(on) max ID
Power Switching
500V 0.27? 20A
Benefits
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Isolated Central Mounting Hole
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Solder plated and leadformed for surface mounting
Description
Third Genera

2.2. irfp460a.pdf Size:95K _international_rectifier

PD- 91880
SMPS MOSFET
IRFP460A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.27? 20A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
G D

 2.3. irfp460a sihfp460a.pdf Size:180K _vishay

IRFP460A, SiHFP460A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.27
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*
Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 26
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 42 and Current
Configuration Single

Оцените статью:

Качество irfp460 mosfet для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. irfp460 mosfet на выбор в соответствии с вашими потребностями. irfp460 mosfet являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. irfp460 mosfet, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

irfp460 mosfet состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. irfp460 mosfet охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. irfp460 mosfet скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. irfp460 mosfet для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. irfp460 mosfet на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. irfp460 mosfet для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. irfp460 mosfet на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Аналоги для irfp460 — Аналоги

IRFP460 2SK1517

Функциональный аналог

IRFP460 2SK2837

Ближайший аналог

IRFP460 BFC50

Возможный аналог

IRFP460 SPW20N60C3

Функциональный аналог

IRFP460 STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460 STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460 STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460 STW20NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460 STW20NK50Z

Полный аналог

IRFP460
STW20NK50Z

Полный аналог

IRFP460A 2SK1020

Функциональный аналог

IRFP460A 2SK1500

Полный аналог

IRFP460A 2SK1518

Полный аналог

IRFP460A 2SK1938-01R

Функциональный аналог

IRFP460A 2SK2057

Функциональный аналог

IRFP460A
2SK2729

Ближайший аналог

IRFP460A 2SK2730

Функциональный аналог

IRFP460A 2SK2837

Полный аналог

IRFP460A 2SK2917

Полный аналог

IRFP460A 2SK899

Функциональный аналог

IRFP460A IXFh31N50

Ближайший аналог

IRFP460A
IXFh34N50

Ближайший аналог

IRFP460A IXTh31N50

Ближайший аналог

IRFP460A IXTh34N50

Ближайший аналог

IRFP460A MTW20N50E

Ближайший аналог

IRFP460A MTY20N50E

Функциональный аналог

IRFP460A PHW20N50E

Ближайший аналог

IRFP460A SPW20N60C3

Функциональный аналог

IRFP460A SSF22N50A

Функциональный аналог

IRFP460A SSh32N50A

Ближайший аналог

IRFP460A STP12NM50

Функциональный аналог

IRFP460A STW14NC50

Ближайший аналог

IRFP460A STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460A STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460A STW20NA50

Полный аналог

IRFP460A STW20NB50

Полный аналог

IRFP460A STW20NK50Z

Полный аналог

IRFP460A STW20NK50Z

Полный аналог

IRFP460AP 2SK3117

Ближайший аналог

IRFP460AS SPB20N60C3

Функциональный аналог

IRFP460LC 2SK1629

Полный аналог

IRFP460LC 2SK2837

Ближайший аналог

IRFP460LC STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460LC STW20NK50Z

Полный аналог

IRFP460N
SPW20N60C3

Функциональный аналог

IRFP460N STW20NM50FD

Полный аналог

IRFP460N STW21NM50N

Ближайший аналог

IRFP460P SPW20N60C3

Функциональный аналог

IRFP460P STW15NK50Z

Ближайший аналог

IRFP460P STW20NK50Z

Полный аналог

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

Применение полевых транзисторов IRFP460 и irf740 в источниках питания на микросхемах TL494

Вот какие вопросы возникают у радиолюбителей при конструировании таких источников питания. Смотрим тут — vk.com/topic-8884474_29983760

Вот что предлагает радиолюбитель Zhan.
«1. Нахрена на 740 получать 800 ватт мощности за счет снижения дедтайма, если IRFP460 справятся с этим намного лучше с теми же 10%.
2. Просадка по паразитной индуктивности идет без потери мощности, но она довольно большая на высоких частотах и эти сраные 10% она уж точно превзойдет. Тогда смысла уменьшать дедтайм.
3. Драйверы IR я не наблюдал ни в одной мощной схеме, а радиолюбители, собиравшие сварочники и индукционники проклинают их. Я бы хотел посмотреть на реализацию хорошего драйвера, да так, чтобы фронты не оказались то больше дедтайма.
И на последок, я уверен что переплюнуть мой трансформаторный драйвер на тл494 ни по одному из следующих параметров не сможет здесь никто:
— энергопотребление ниже 100мА
— длительность фронтов на 10нф 200нс в корявой сборке. irf740 с их 2нф — осциллограф не позволяет уже замерить фронт))
— цена комплектухи, состав их 6 транзисторов кт315/кт361 и диодов 4148, кольцо 16мм ферритовое
— габариты 45*60мм «

Лёша высказывает своё мнение. «Zhan, Вы бы лучше помогли автору, чем задавать глупые вопросы, да ещё не в тему.
1) потому как в схеме, автор использует 740.
2) Всё смешалось, люди, кони…
3) 800вт для сварочника маловато будет, а для усилителя 2*400Вт, самое то, для чего автор собственно, и делает бп.
4) кт315…Вы бы ещё МП42 использовали, а потом про фронты речь вели…»

Ему возражает Zhan. «Лёша, я бы с радостью, если бы меня спросили. Но можете страдать херней дальше. Однако я утверждаю — мой драйвер с кт361 переплёвывает любой ваш драйвер. И тем не менее, вместо того, чтобы спросить меня, вы продолжается бредовую тему. Вот здесь сигнал на затворе IRFP460. Блок питания в работе, щуп с делителем на 10. Клетка по горизонтали 1мкс, если присмотреться то фронт приблизительно 200нс по затвору. А учитывая, что полевик переключается не на всем фронт, а на переходе с 3 до 7 вольт где-то, мы получаем фронт еще четче в силовой цепи. Ха ха ха. Не на затворе, а между затворов двух снят. я еще могу сказать, что параллельно нижнему ключу нужно обязательно поставить RC номиналом 470-1500нф 630-1600V и 3-15ом 2W. Без него вынесет полевики сразу же. Если включено через лампочку, то лампочка начнет вспыхивать переодически. Полевики просто будут пробиваться напряжением выброса на фронтах, это не смертельно, но пробой вызовет сквозной ток и это с концами. Дети, конспектируйте и не выдуривайтесь, покуда я жив.»

Мнение Лёши. «Zhan, RC цепь желательна, но не обязательна.(это было выше написано). Вы наверное путаете схемотехнику сварочников с ключами IGBT без встроенных диодов, и при выходе на мощность в киловатты, где и правда обязательна RC цепь на каждый ключ, прямо на выводы. Дмитрий, как выше было сказано, ir2153+740, можно получить 800вт. Но транс придётся мотать. Могу подсказать витки на 2-х кольцах 45*28*12. В бп компа, трансы гэ, в лучшем случае ватт 300 дадут перегреваясь…»

А вот Zhan думает так. «Лёша, раньше тоже так думал, но с ростом качества драйвера проблемы взрывов участились, ценой ленты полевиков я пришел к такому решению. Сейчас проблемы внезапного пробоя ключей прекратились. Экспериментировал на 740 как раз. Вообще есть еще один момент. Полевой транзистор, как и биполярный, не охотно закрывается без нагрузки в коллекторе. Хотя этот эффект выражен не так ярко у полевиков, он всетаки есть. Так вот снаббер, помимо гашения выброса, помогает закрыться нижнему ключу.
Именно поэтому, проблема решается одним снабберов вместо двух.»

Электронная нагрузка 40В 10А 150Вт

Часто при изготовлении или ремонте блоков питания, зарядных устройств и преобразователей напряжения, нужно проверить их параметры под нагрузкой. И здесь начинаются долгие поиски. В ход идет все, что есть под рукой: различные лампочки накаливания, электронные лампы, мощные резисторы, нихромовой провод и тому подобное. Подбирать нужную нагрузку таким способом — это невероятно долго и неудобно. В таких случаях гораздо удобнее пользоваться электронным регулятором нагрузки.

Сделать электронное нагрузки 40В 10А 150Вт сможет радиолюбитель среднего уровня. Все, что нужно, — это мощные транзисторы, операционные усилители, немного резисторов и конденсаторов, и большой радиатор. Схема, которая здесь предложена, простая, но отлично работает.

Регулятор нагрузки имеет автономное питание, поэтому можно нагружать устройства с практически с нулевым напряжением (например, один NiMH аккумулятор напряжением в 1,2В).

 

Характеристики и параметры устройства

  • Тип нагрузки: постоянное напряжение
  • Диапазон входного напряжения: 0 — 40 В
  • Диапазон задания тока 0 — 10 A
  • Максимальная мощность рассеивания 150 Вт
  • Диапазон минимального значения напряжения на аккумуляторе, при его разряде и отключении нагрузки: 0 — 6,5 В
  • Диапазон настройки температуры отключения: 45 — 65 ° C
  • Защита от переполюсовки: есть
  • Питание схемы: DC 12 В 0.1 А (величина тока указана без учета питания вентиляторов)
  • Информация о нагрузке устройства: вольтметр, амперметр
  • Информации о пороге отключения устройства при заданном напряжении: вольтметр
  • Информации о перегреве устройства: светодиод

 

Транзисторы IRFP460 можно заменить на IRFP260.

Переключатель S1 служит для установки максимального тока нагрузки 2 или 10А.

Потенциометр многооборотный R17 — устанавливает ток нагрузки.

Потенциометр многооборотный R8 — устанавливает минимальное напряжение при которой выключается нагрузка.

Многооборотный подстроечный резистор R5 задает температуру при достижении которой загорается красный светодиод HL1 и происходит отключение электронного нагрузки.

Терморезистор NTC1 устанавливается на радиатор.

Диодная сборка VD3 служит для защиты от переполюсовки. Устанавливаются на радиатор.

 

В моей конструкции для питания устройства я использовал Li-ion аккумулятор 18650 и преобразователь напряжения Модуль MT3608 вентилятор не использовал из-за того, что радиатор и корпус составляют одно целое и образуют большой радиатор.

 

Еще планируется смонтировать на задней панели разные гнезда (microUSB, USB) для проверки различных кабелей и устройств.

Тесты устройства прошли успешно. В общем все результаты меня удовлетворили.

Из недостатков хочу отметить, что невозможно увидеть малые значения тока на амперметре. Решается установкой амперметру на четыре цифры.

Желаю всем успехов при повторении данной конструкции.

IRFP460 лист данных — 500V Megamos Power MOSFET

2SD1118 :. ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ПЛОСКОПИЧЕСКИЙ ТИП ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Высокая скорость переключения Высокое усиление постоянного тока Низкое напряжение насыщения Высокая надежность Применения Импульсные регуляторы DC-DC преобразователь Полупроводниковое реле Усилители мощности общего назначения Абсолютные максимальные номинальные значения (Tc = 25C, если не указано иное) Элемент Коллектор-база напряжения Коллектор -Эмиттер напряжения Эмиттер-База.

2SD2575 : VCEO (V) = 10 ;; IC (A) = 5 ;; HFE (мин) = 700 ;; HFE (макс.) = ;; Пакет = TO-92-A1TO-92-B1.

BUK9510-30 : Транзисторный полевой уровень транзистора. N-канальный полевой силовой транзистор с логическим уровнем логического уровня в пластиковом корпусе с использованием технологии «траншеи». Устройство имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии и имеет встроенные стабилитроны, обеспечивающие защиту от электростатического разряда. Он предназначен для использования в автомобилях и в коммутационных устройствах общего назначения. СИМВОЛ VDS ID Ptot Tj RDS (ON) ПАРАМЕТР Напряжение сток-исток.

CR6CM-12 : SCR малой мощности. Тип = сквозное отверстие ;; Напряжение = 600В ;; Ток = 6А ;; Пакет = Устаревший.

HER155 : Пакет = DO-15 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 400 ;; Максимум. Aver. Rect. Ток io (A) = 1,5 ;; Ifsm (A) = 50.

IRFIZ24G : силовой полевой МОП-транзистор HexFET (r): 60 В, 14а.

KGF1323 : Power Fet (тип пластикового корпуса). Эта версия: июль 1998 г. Предыдущая версия: январь 1998 г. KGF1323 KGF1323, в котором размещался пластиковый корпус типа SOT-89, представляет собой дискретный силовой полевой транзистор УВЧ диапазона, обладающий высокой эффективностью и высокой выходной мощностью. KGF1323 s гарантированно работает с фиксированной схемой согласования на 5.8 В и 850 МГц; Также требуются схемы согласования внешнего импеданса. Благодаря своей высокой эффективности.

MOC207 : Транзисторный выход оптоизоляторов небольшого размера. Эти устройства состоят из арсенида галлия, излучающего инфракрасное излучение диода, оптически соединенного с монолитным кремниевым фототранзисторным детектором в небольшом пластиковом корпусе с возможностью поверхностного монтажа. Они идеально подходят для приложений с высокой плотностью размещения и исключают необходимость в установке через плату. Удобный пластиковый корпус SOIC8 для поверхностного монтажа.

BUK961R7-40E : N-канальный полевой транзистор стандартного уровня TrenchMOS N-канальный полевой транзистор стандартного уровня в корпусе SOT404 с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт был разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.

BSR202N : 3,1 А, 20 В, 0,021 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 20 вольт; rDS (вкл.): 0,0210 Ом; Тип упаковки: ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, SC-59, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

EA40QC10-FTE16F2 : ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель.

MS350RAT1N7KSC : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,00165 мкГн, AIR-CORE, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 1; Материал сердечника: воздух; Тип свинца: ПРОВОД; Применение: универсальное, высокочастотный дроссель; Диапазон индуктивности: 0,0017 мкГн; Номинальный постоянный ток: 1600 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 155 C (от -67 до 311 F).

OM5322CDA : 14 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-254AA.s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, КПД; IF: 14000 мА; Упаковка: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ УПАКОВКА-3; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

RR50 : РЕЗИСТОР, ПОТЕНЦИОМЕТР, 1 ОБОРОТ (S), 3 Вт, 50 Ом. s: Тип потенциометра: Стандартный потенциометр; Конус сопротивления: линейный; Монтаж / Упаковка: Монтаж на панель (втулка); Диапазон сопротивления: 50 Ом; Рабочая температура: от -30 до 105 C (от -22 до 221 F); Стандарты и сертификаты: RoHS.

SPK2540 : 25 А, 40 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Конфигурация выпрямителя / Технология: Schottky; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, R-7, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 40 вольт; IF: 25000 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

UPA2720AGR-E1-AT : 14 А, 30 В, 0,014 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0,0140 Ом; Тип упаковки: ROHS COMPLIANT, SOP-8; Количество блоков в ИС: 1.

2SC4207-BL : 150 мА, 50 В, 2 КАНАЛА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: 2-3L1A, 5 контактов.

400MXC470MEFCSN35X40 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 400 В, 470 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 470 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 400 вольт; Ток утечки: 1301 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 105 C (от -13 до 221 F).

ورقة البيانات (PDF) البحث ي الموقع

رقم القطعة Последний номер المصنعين PDF
9DB106 Шесть выходных дифференциальных буферов
IDT
PDF
9DB1200C Двенадцать выходных дифференциальных буферов
IDT
PDF
9DB1233 Двенадцать выходных дифференциальных буферов
IDT
PDF
9DB1904B 19 Выходной дифференциальный буфер
IDT
PDF
9DB1933 Девятнадцать выходных дифференциальных буферов
IDT
PDF
9DB233 Дифференциальный буфер на два выхода
IDT
PDF
9DB423B Дифференциальный буфер на четыре выхода
IDT
PDF
9DB433 ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ БУФЕР НА ЧЕТЫРЕ ВЫХОДА
IDT
PDF
9DB633 Шесть выходных дифференциальных буферов
IDT
PDF
9DB833 ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ БУФЕР НА ВОСЬМИ ВЫХОДАХ
IDT
PDF
9DBL02 2 выхода 3.Буфер нулевой задержки 3V PCIe
IDT
PDF
9DBL04 Буфер с нулевой задержкой, 3,3 В, PCIe, 4 выхода
IDT
PDF
9DBL06 Буфер нулевой задержки PCIe с 6 выходами, 3,3 В
IDT
PDF
9DBL08 Буфер нулевой задержки PCIe на 8 выходов, 3,3 В
IDT
PDF
9DBU0231 2 Н / П 1.5 В PCIe Gen1-2-3 ZDB / FOB
IDT
PDF
9DBU0241 2 выхода 1,5 В PCIe Gen1-2-3 ZDB / FOB
IDT
PDF
9DBU0431 4 выхода 1,5 В PCIe Gen1-2-3 ZDB / FOB
IDT
PDF

Силовой полевой МОП-транзистор IRFP460, SiHFP460 — Micropik

ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ VDS (V) 500 RDS (on) (Ω) VGS = 10 V 0.27 Qg (макс.) (NC) 210 Qgs (nC) 29 Qgd (nC) 110 Конфигурация Один TO-247 GDSG N-канал MOSFET Мощность MOSFET < / strong> ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Пакет TO-247 Без свинца (Pb) IRFP460 PbF SiHFP460 -E3 SnPb IRFP460 SiHFP460 Примечания а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис.11). б. VDD = 50 В, пусковая TJ = 25 ° C, L = 4,3 мГн, RG = 25 Ом, IAS = 20 A (см. Рис.12). c. ISD ≤ 20 A, dI / dt ≤ 160 A / мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 ° C. d. 1,6 мм от корпуса. DS • Динамическое номинальное значение dV / dt, повторяющееся, лавинное, изолированное, центральное монтажное отверстие, быстрое переключение, простота параллельного подключения, требования простого привода, отсутствие свинца, АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ TC = 25 ° C, если не указано иное IRFP460 , SiHFP460 Vishay Siliconix доступен RoHS * СООТВЕТСТВУЮЩЕЕ ОПИСАНИЕ Power MOSFET третьего поколения от Vishay предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения и надежной конструкции устройства. , низкое сопротивление и экономичность.Корпус TO-247 предпочтителен для коммерческих и промышленных приложений, где более высокие уровни мощности исключают использование устройств TO-220. TO-247 похож на более ранний корпус TO-218, но превосходит его из-за изолированного монтажного отверстия. Он также обеспечивает больший путь утечки между штырями, что соответствует требованиям большинства спецификаций безопасности. СИМВОЛ ПАРАМЕТРА ПРЕДЕЛ ЕДИНИЦА Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток VDS VGS 500 ± 20 В Постоянный ток стока VGS при 10 В TC = 25 ° C TC = 100 ° C ID 20 13 A Импульсный ток стокаa IDM 80 Коэффициент линейного снижения 2.2 Вт / ° C Энергия лавины за один импульсb EAS 960 мДж Повторяющийся лавинный токa IAR 20 A Повторяющаяся энергия лавинa EAR 28 мДж Максимальная мощность Рассеивание TC = 25 ° C PD 280 Вт Пиковое восстановление диода dV / dtc dV / dt 3,5 В / нс Диапазон рабочих температур перехода и хранения Рекомендации по пайке (пиковая температура) для 10 с TJ, Tstg от — 55 до +150 300 ° C d Момент крепления 6-32 или винт M3 * Выводы, содержащие свинец, не соответствуют требованиям RoHS, исключения может применяться 10 фунт-сила · дюйм 1,1 Н · м Номер документа:

www.vishay.com S-81360-Rev. A, 28 июля 2008 г. 1

IRFP460 Datasheets | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные даташиты IRFP460 | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 500V 18.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-247-3

IRFP4568PBF Таблицы данных | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 150V 171A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC

Информационные листы IRFP460A | Транзисторы — Полевые транзисторы, МОП-транзисторы — Single N-Channel 500V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247-3

  • Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRFP460, Техническое описание IRFP460, IRFP460 PDF, STMicroelectronics

Обзор продукта
Изображение:
Номер по каталогу производителя: IRFP460
Категория продукта: Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:
Производитель: STMicroelectronics
Описание: N-канал 500 В 18.4A (Tc) 220 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247-3
Лист данных: IRFP460
Пакет: К-247-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Купить

IRFP460 Изображения только для справки.

Модели CAD

Атрибуты продукта
Серия: PowerMESH ™ II
Номер базового продукта: IRFP
Рабочая температура: 150 ° С (ТДж)
Рассеиваемая мощность (макс.): 220 Вт (TC)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2980 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss): 500 В
Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 18.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 270 МОм при 9 А 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
Vgs (макс.): ± 30 В
FET Характеристика:
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 128 нКл при 10 В

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной схемы расположения полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников.

■ ТИПИЧНЫЙ RDS (вкл.) = 0,22 Ом ■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
■ 100% ЛАВИНА ИСПЫТАНА
■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ
■ МИНИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЗАРЯДА

■ МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЗАРЯДА

ПИТАНИЕ (ИБП)
■ ПРИКРЫТИЯ DC / DC ДЛЯ ТЕЛЕКОМ,
ПРОМЫШЛЕННОГО И СВЕТОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ.

Экологическая и экспортная классификации
Статус RoHS: Не соответствует требованиям RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
Статус REACH: ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.29.0095

Производитель продукта STMicroelectronics — глобальная независимая полупроводниковая компания, которая является лидером в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники. Непревзойденное сочетание опыта в области микросхем и систем, производственной мощи, портфеля интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию на передовые позиции в области технологии System-on-Chip (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении современных тенденций конвергенции.

Дистрибьюторы
IRFP460 STMicroelectronics N-канал 500 В 18.4A (Tc) 220 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247-3 Под заказ

НЕТ

IRFP460 Vishay Siliconix Силовой полевой транзистор , 20 А I (D) , 500 В , 0.27 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-247, TO-247, 3 контакта Под заказ

НЕТ

Популярность по регионам
  • 1.Филиппины

    100

  • 2. Китай

    83

  • 3.Египет

    78

  • 4. Южная Корея

    77

  • 5.Индия

    76

  • 6. Марокко

    74

  • 7.Турция

    74

  • 8. США

    74

  • 9.Франция

    74

  • 10. Индонезия

    74

  • 11.Пакистан

    74

  • 12. Мексика

    73

  • 13.Аргентина

    72

  • 14. Алжир

    72

  • 15.Соединенное Королевство

    72

  • 16. Италия

    72

  • 17.Сальвадор

    72

  • 18. Сербия

    71

  • 19.Чешская Республика

    71

  • 20. Ирландия

    71

  • 21.Австрия

    71

  • 22. Румыния

    70

  • 23.Таиланд

    70

  • 24. Беларусь

    69

  • 25.Вьетнам

    69

  • 26. Бразилия

    69

  • 27.Казахстан

    69

  • 28. Украина

    69

  • 29.Израиль

    69

  • 30. Малайзия

    69

  • 31.Бангладеш

    68

  • 32. Коста-Рика

    68

  • 33.Латвия

    67

  • 34. ЮАР

    67

  • 35.Новая Зеландия

    67

  • 36. Перу

    67

  • 37.Чили

    67

  • 38. Кипр

    67

  • 39.Финляндия

    67

  • 40. Норвегия

    67

  • 41.Германия

    67

  • 42. Колумбия

    67

  • 43.Эквадор

    67

  • 44. Нигерия

    67

  • 45.Саудовская Аравия

    67

  • 46. Канада

    67

  • 47.Малави

    67

  • 48. Россия

    66

  • 49.Тайвань

    66

  • 50. Гонконг

    66

  • 51.Австралия

    66

  • 52. Словения

    66

  • 53.Грузия

    66

  • 54. Польша

    65

  • 55.Сингапур

    65

  • 56. Швеция

    65

  • 57.Бруней-Даруссалам

    65

  • 58. Греция

    64

  • 59.Объединенные Арабские Эмираты

    64

  • 60.Япония

    64

  • 61. Болгария

    64

  • 62.Гондурас

    64

  • 63. Тунис

    64

  • 64.Бельгия

    63

  • 65. Гана

    63

  • 66.Испания

    63

  • 67. Уругвай

    62

  • 68.Нигер

    55

  • 69. Дания

    53

  • 70.Эфиопия

    47

  • 71. Маврикий

    46

  • 72.Венгрия

    44

  • 73. Тринидад и Тобаго

    43

  • 74.Исландия

    43

  • 75. Нидерланды

    39

  • IRFP460 Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 75V 100A I2PAK
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 20V 350MA SC-89
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-CHANNEL POWER MOSFET
    • Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-канальные, 150 В, 43 А (Tc) 3.8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK
    • Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, P-Channel 100V 6.6A (Ta) Surface Mount D-Pak
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, P-Channel 5A (Ta) 950 мВт (Ta), поверхностный монтаж TSMT6 (SC-95)

    Статьи по теме

    IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

    Миа 21 декабря 2020 1873 г.

    IRF520 — это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …

    Читать далее »

    IRF640 vs IRF740: в чем разница? [FAQ]

    Ирэн 16 сен 2021 890

    Этот пост содержит подробную информацию о распиновке IRF740 и irf640, их эквиваленте, использовании, функциях и другую важную информацию о том, как и где использовать это устройство MOSFET. Каталог Пример полевого МОП-транзистора …

    Читать далее »

    IRF630 Mosfet: Datasheet, Pinout, Circuit [Видео и FAQ]

    Ирэн 27 сен 2021 405

    Обзор продукта IRF630 представляет собой силовой полевой МОП-транзистор со сквозным отверстием 200 В с N-канальной сеткой с перекрытием II в корпусе TO-220.Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием консолидированной компоновки полос компании на основе MESH OVER …

    Читать далее »

    IRFP240 N-Channel Power MOSFET: техническое описание, модели САПР и типовые рабочие характеристики

    Ирэн 29 сен 2021 274

    Видео про IRFP240 Каталог ОписаниеМодели CADУпаковкаОбзор качестваОсобенностиТипичные кривые производительностиСпецификацияОписаниеАтрибуты продуктаПроизводительПредупреждение об использовании Описание..

    Читать далее »

    Транзистор

    IRF530: схема расположения выводов, аналог, характеристики, техническое описание и применение [видео]

    Ирэн 29 сен 2021 675

    IRF530 — это N-канальный полевой МОП-транзистор, предназначенный для высокоскоростных и мощных приложений.Он может выдерживать 14 А постоянного тока при напряжении 100 В. В импульсном режиме он может управлять нагрузкой до 5 …

    Читать далее »

    N-канал 500 В 18.4A (Tc) 220 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247-3

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD-модели
    Серия: PowerMESH ™ II
    Номер базового продукта: IRFP
    Рабочая температура: 150 ° С (ТДж)
    Рассеиваемая мощность (макс.): 220 Вт (TC)
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2980 пФ при 25 В
    Напряжение сток-источник (Vdss): 500 В
    Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 18.4A (Tc)
    Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 10 В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 270 МОм при 9 А 10 В
    Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
    Vgs (макс.): ± 30 В
    FET Характеристика:
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 128 нКл при 10 В

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной схемы расположения полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников.

    ■ ТИПИЧНЫЙ RDS (вкл.) = 0,22 Ом ■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
    ■ 100% ЛАВИНА ИСПЫТАНА
    ■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ
    ■ МИНИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЗАРЯДА

    ■ МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЗАРЯДА

    ПИТАНИЕ (ИБП)
    ■ ПРИКРЫТИЯ DC / DC ДЛЯ ТЕЛЕКОМ,
    ПРОМЫШЛЕННОГО И СВЕТОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ.

    По этой части пока нет релевантной информации.

Datenblatt PDF Suche — Datenblätter

Teilenummer Beschreibung Hersteller PDF
WS3441A Неизолированный понижающий автономный светодиодный драйвер
WINSEMI
WS3441 Неизолированный понижающий автономный светодиодный драйвер
WINSEMI
QM3208S Двойные N-канальные полевые МОП-транзисторы с быстрым переключением 30 В
UBIQ
QM3206S Двойные N-канальные полевые МОП-транзисторы с быстрым переключением 30 В
UBIQ
QM3202S Двойные N-канальные полевые МОП-транзисторы с быстрым переключением 30 В
UBIQ
QM3202M3 Двойные N-канальные полевые МОП-транзисторы с быстрым переключением 30 В
UBIQ
QM3024S N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ
QM3024N3 N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ
QM3024M6 N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ
QM3024D N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ
QM3022M6 N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ
QM3022D N-Ch 30V МОП-транзисторы с быстрой коммутацией
UBIQ

Силовой полевой МОП-транзистор IRFP460, SiHFP460

(1)

Силовой полевой МОП-транзистор

ОСОБЕННОСТИ

• Динамический рейтинг dV / dt

• Повторяющиеся лавины Оценка

• Изолированное центральное монтажное отверстие

• Быстрое переключение

• Простота параллельного подключения

• Требования к простому диску

• Без свинца (Pb) В наличии

ОПИСАНИЕ

Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают

конструктор с лучшим сочетанием быстрого переключения,

усиленная конструкция устройства, низкое сопротивление при включении и

рентабельность.

Пакет TO-247 предпочтителен для торгово-промышленных

приложения, в которых более высокие уровни мощности исключают использование

прибора ТО-220. TO-247 похож на

, но превосходит его.

ранее корпус ТО-218 из-за изолированного монтажного отверстия.

Он также обеспечивает больший путь утечки между штырями к

отвечает требованиям большинства спецификаций безопасности.

Банкноты

а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис.11). б. V DD = 50 В, пуск T J = 25 ° C, L = 4,3 мГн, R G = 25 Ом, I AS = 20 A (см. Рис.12).

N-канальный полевой МОП-транзистор г

Без свинца (Pb) IRFP460PbF

SiHFP460-E3

SnPb IRFP460

SiHFP460

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

T C

= 25 ° C, если не указано иное

СИМВОЛ ПАРАМЕТРА ПРЕДЕЛ УЗЕЛ

Напряжение сток-исток VDS 500

В

Напряжение затвор-исток ВГС ± 20

Непрерывный ток утечки VGS при 10 В

T C = 25 ° C

ID

20

А

TC = 100 ° C 13

Импульсный дренажный ток I

ДМ 80

Коэффициент линейного снижения мощности 2.2 Вт / ° C

Энергия лавин в одиночном импульсеb E

AS 960 мДж

Повторяющееся лавинное течение I

AR 20 А

Повторяющаяся лавинная энергия E

AR 28 мДж

Максимальное рассеивание мощности TC = 25 ° C PD 280 Вт

Пиковое восстановление диода dV / dtc dV / dt 3,5 В / нс

Диапазон рабочих температур спая и хранения TJ, Tstg — 55 … + 150 ° C

Рекомендации по пайке (пиковая температура) в течение 10 с 300d

Момент затяжки 6-32 или винт M3 10 фунт-сила · дюйм

(2)

НОМИНАЛЬНОЕ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

СИМВОЛ ПАРАМЕТРА ТИП. МАКС. НОМЕР

Максимальное расстояние между переходом и окружающей средой RthJA — 40

° C / Вт

Корпус-мойка, плоская, смазанная поверхность R thCS 0,24

— Максимальное соединение между корпусом (сток) RthJC — 0,45

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

T J

= 25 ° C, если не указано иное

СИМВОЛ ПАРАМЕТРА УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ МИН. ТИП. МАКС. НОМЕР

Статический

Напряжение пробоя сток-исток В DS В GS = 0 В, I D = 250 мкА 500 — — В V DS Температурный коэффициент ΔV DS / T J Относительно 25 ° C, I D = 1 мА — 0,63 — В / ° C Пороговое напряжение затвор-исток VGS (th) VDS = VGS, ID = 250 мкА 2,0 — 4,0 В

Утечка затвор-исток IGSS VGS = ± 20 В — — ± 100 нА

Ток утечки при нулевом напряжении затвора IDSS

В DS = 500 В, В GS = 0 В — — 25

мкА V DS = 400 В, V GS = 0 В, T J = 125 ° C — — 250 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS (вкл.) VGS = 10 В ID = 12 Ab — — 0.27 Ом

Крутизна прямой проводимости gfs VDS = 50 В, ID = 12 Ab 13 — — S

динамический

Входная емкость Ciss В

GS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 МГц, см. рис. 5

— 4200

-пФ

Выходная емкость Coss — 870

— Емкость обратной передачи Crss — 350

-Общая зарядка Q г

ВГС = 10 В ID = 20 А, В см. Рис. 6 и 13 DS = 400 В b

— — 210

нКл

Задания по зарядке от затвора — — 29

Gate-Drain Charge Qgd — — 110

Время задержки включения td (on)

VDD = 250 В, ID = 20 А, R G = 4.3 Ом, R D = 13 Ом, см. Рис. 10b

— 18

-нс

Время нарастания t r — 59

-Время задержки выключения td (off) — 110

-Время падения tf — 58

— Внутренняя индуктивность стока LD между выводами, 6 мм (0,25 дюйма) от пакет и центр умереть контакт

— 5,0

-нГ

Внутренняя индуктивность источника LS — 13

— Характеристики корпуса дренажного диода

Непрерывный ток истокового диода IS

Символ

MOSFET

— — 20

D

Ю г

(3)

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

25 ° C, если не указано иное

Фиг.1 — Типовые выходные характеристики, TC = 25 ° C

Рис.2 — Типовые выходные характеристики, T C = 150 ° C

Рис.3 — Типичные передаточные характеристики

Рис.4 — Нормализованное сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры

В DS , Напряжение сток-исток (В)

rce на сопротивление

(4)

Рис.5 — Типичная зависимость емкости от напряжения сток-источник

Фиг.6 — Типичная зависимость заряда затвора от напряжения затвор-исток

Рис.7 — Типичное прямое напряжение истокового диода

Рис.8 — Максимальная безопасная рабочая зона

_05

(5)

Рис.9 — Максимальный ток утечки в зависимости от температуры корпуса

Рис. 10a — Схема проверки времени переключения

Рис. 10b — Осциллограммы времени переключения

Рис. 11a — Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, переходное соединение между корпусом Я БЫ

неправильный ответ (Z

(6)

Фиг.12c — Максимальная энергия лавин в зависимости от тока утечки

Рис. 13a — Базовая форма сигнала заряда затвора

_12c

снизу Вверх

Я Д 8,9 А 13 А 20 А

VDD = 50 В

2400

0 400 800 1200 1600 2000 г.

25 50 75 100 125 150

Пусковая T Дж , Температура перехода (° C)

EAS

, Одноместный P

ед.

lse Энергия (мДж)

QGS QGD

Q G

В Г

Заряд 10 В

(7)

Фиг.14 — Для N-канала

Vishay Siliconix поддерживает производство по всему миру. Продукция может производиться в одном из нескольких квалифицированных мест. Данные о надежности Silicon

P.W. Период

dI / dt

Восстановление диода

дв / дт

Пульсация≤5%

Корпусный диод прямого падения

Повторно применен

напряжение

Реверс

восстановление

ток

Корпус диодный передний

ток

В GS = 10 В *

В DD

I SD

Привод ворот водителя

Д.U.T. Форма сигнала I SD

D.U.T. Форма волны V DS

Индукторный ток

D = P.W.

Период

+

— +

+

+

— *

В GS = 5 В для устройств логического уровня

Испытательная цепь dV / dt восстановления пикового диода

VDD • dV / dt контролируется R G

• Драйвер того же типа, что и D.U.T. • I SD с коэффициентом заполнения «D» • Д.U.T. — тестируемое устройство

D.U.T. Рекомендации по монтажу электрических цепей

• Низкая паразитная индуктивность. • Плоскость земли

• Низкая индуктивность рассеяния. трансформатор тока

(8)

TO-247AC (высокое напряжение)

Заметки

1. Определение размеров и допусков согласно ASME Y14.5M-1994.

МИЛЛИМЕТРА ДЮЙМА МИЛЛИМЕТРА ДЮЙМА

РАЗМ. МИН. МАКСИМУМ. МИН. МАКСИМУМ. РАЗМ. МИН. МАКСИМУМ. МИН. МАКСИМУМ.

А 4,58 5,31 0,180 0.209 D2 0,51 1,30 0,020 0,051

A1 2,21 2,59 0,087 0,102 E 15,29 15,87 0,602 0,625

A2 1,17 2,49 0,046 0,098 E1 13,72 — 0,540

-b 0,99 1,40 0,039 0,055 e 5,46 BSC 0,215 BSC

b1 0,99 1,35 0,039 0,053 Ø k 0,254 0,010

b2 1,53 2,39 0,060 0,094 L 14,20 16,25 0,559 0,640

b3 1,65 2,37 0,065 0,093 L1 3,71 4,29 0,146 0,169

b4 2,42 3,43 0,095 0,135 N 7,62 BSC 0,300 BSC

b5 2,59 3,38 0,102 0,133 Ø P 3.51 3,66 0,138 0,144

c 0,38 0,86 0,015 0,034 Ø P1 — 7,39 — 0,291

c1 0,38 0,76 0,015 0,030 Q 5,31 5,69 0,209 0,224

D 19,71 20,82 0,776 0,820 R 4,52 5,49 0,178 0,216

D1 13,08 — 0,515 — S 5,51 BSC 0,217 BSC

(9)

Заявление об ограничении ответственности

ВСЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ДАННЫЕ ПРОДУКТА МОГУТ БЫТЬ ИЗМЕНЕНЫ БЕЗ УВЕДОМЛЕНИЯ ОБ УЛУЧШЕНИИ

НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИОНИРОВАНИЕ ИЛИ ДИЗАЙН ИЛИ ИНОЕ.

Vishay Intertechnology, Inc., его аффилированных лиц, агентов и сотрудников, а также всех лиц, действующих от его или их имени (в совокупности

«Vishay»), отказываемся от любой ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту, содержащиеся в любом техническом описании или в любом другом

раскрытие информации, относящейся к любому продукту.

Vishay не дает никаких гарантий, заверений или гарантий относительно пригодности продуктов для какой-либо конкретной цели или

непрерывное производство любого товара. В максимальной степени, разрешенной действующим законодательством, Vishay отказывается от (i) любых без исключения

ответственность, возникающая в результате применения или использования любого продукта, (ii) любая и вся ответственность, включая, помимо прочего, особую,

косвенных или случайных убытков, и (iii) любые подразумеваемые гарантии, включая гарантии пригодности для конкретной

цель, ненарушение прав и товарность.

Заявления о пригодности продуктов для определенных типов приложений основаны на знаниях Vishay о

типичных требования, которые часто предъявляются к продуктам Vishay в общих приложениях. Такие заявления не являются обязательными

заявления о пригодности продукции для конкретного применения. Ответственность за подтверждение того, что

конкретный продукт со свойствами, описанными в спецификации продукта, подходит для использования в конкретном приложении.

Параметры, указанные в таблицах данных и / или спецификациях, могут отличаться в зависимости от приложения, а производительность может отличаться в зависимости от модели

.

раз. Все рабочие параметры, включая типовые параметры, должны быть подтверждены для каждого приложения клиента

клиента.

технических специалиста. Характеристики продуктов не расширяют и не изменяют иным образом условия покупки Vishay,

, включая, но не ограничиваясь, выраженную в нем гарантию.

За исключением случаев, явно указанных в письменной форме, продукты Vishay не предназначены для использования в медицине, спасении или жизнеобеспечении.

или для любого другого приложения, в котором отказ продукта Vishay может привести к травмам или смерти.

Клиенты, использующие или продающие продукты Vishay, явно не указанные для использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск.

Свяжитесь с авторизованным персоналом Vishay, чтобы получить письменные положения и условия в отношении продуктов, предназначенных для

.

таких заявки.

Интерфейсы

Полупроводниковые изделия woodcowoodworks.com 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новые и оригинальные IC

5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новое и оригинальное IC



ДЕРЖАТЕЛЬ ОБУВИ СЦЕПЛЕНИЯ в сборе для Yamaha 5KM-16620-00-00 5KM166200000 4 Wheelers от The ROP Shop, 300 ВА 24 В TOROID HAMMOND 1182T12 ТРАНСФОРМАТОР, Banner CM3RA Модуль усилителя 16451, 10 шт. IC, uxcell 3 шт. Кнопочный переключатель с мгновенным перемещением 16 мм Монтажный диаметр SPDT 1NO 1NC 5 клемм, прямоугольная головка с красным светодиодом 24 В, прерыватель цепи Murray MPD2150, 2 полюса, 240 вольт, 150 А, , 5 шт. IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247, новый и IRFP460 IC .5HP MS-P11 Магнитный пускатель двигателя, 3-я фаза, 11 А, 460 В, B13701-93 Гудман OEM-переключатель предельного положения для замены печи L240-30. Электроника-Салон 10шт PA1a-5V 5VDC SPST 5 Amps Slim Power Relay., Uxcell 24mmx30mm Одинарный линейный поворотный переключатель Угольный потенциометр 500K Ohm Wh238 Black. 15M50T TREKPOWER 12 RV Адаптер питания 90-градусные розетки для дома на колесах с поворотным замком, фоторезистор, фотопроводящая ячейка, светозависимый резистор 30-50K LDR, 7 мм, керамический пакет (50). 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новый и оригинальный IC , Круглый разъем серии HDP20 31 Контакты Гнездо зажимной гайки.


5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A новый и оригинальный IC

5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новое и оригинальное IC

Купите JanSport Marley Backpack — Pink Mist и другие повседневные рюкзаки в, но достаточно толстые, чтобы быть чрезвычайно прочными и устойчивыми к разрыву. Дата первого упоминания: 5 января. Если вы ищете запчасть, а у нас ее нет в списке. Купить мужскую полосатую рубашку из поплина с длинным рукавом Polo Ralph Lauren-SW-M: Магазин одежды ведущих модных брендов.Стальной корпус запорного клапана LESLIE HT C3455 1-1 / 2IN NPT D626742: Промышленный и научный. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, тонкопленочный чип-резистор 1/16 Вт 0402 (1005 метрических единиц) для автомобилей AEC-Q200, плавание / пляж / бег / повседневная жизнь / тренировки / танцы / поездки / тренажерный зал / гольф / баскетбол / волейбол / теннис / спортивные шорты, сумка через плечо с флагом США и Ямайки в стиле ретро Модная повседневная повседневная сумка-мессенджер Сумка для женщин и мужчин, шея даже на плече, счастливо весь день. Модный и новый стиль в этом сезоне, 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новый и оригинальный IC .Мужская майка Royal Lion Мужская майка Stealth Rainbow Gay Pride Flag: Одежда, наши товары поступают непосредственно с нашей фабрики, и они в основном сделаны вручную, улучшение 2: 1 по сравнению с текущим осенним временем для увеличения мощности катушки, они удобно соответствуют ступня. Не носите вместе разные украшения. XL для взрослых = окружность 24 1/2 дюйма (до растяжки) 🙂 Я делаю один для себя, потому что это браслет, который я буду носить практически со всем, — Избегайте посредников и всех наценок, которые вы покупаете прямо от дизайнера, будем рады сделать для вас в любом цвете), латунь с великолепной золотистой патиной.см. мои объявления о магазине ~~ Этот список предназначен для 1 аппликации ДИНОЗАВРА В НЕЧЕТКОМ ЯЙЦЕ И ИМЕНИ или ТОЛЬКО ВЫНУТАННОГО боди или рубашки РАЗМЕРЫ БОДИ: Новорожденный: 6 — 9 фунтов. который должен успокоиться, 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новый и оригинальный IC , цветочная хорошо сделанная или поздравительная открытка. Я не делаю их очень часто, поэтому, кто знает, что дальше, вы можете изменить внешний вид жилого или офисного помещения: выберите свое пространство. Наши головные повязки с короной прикреплены к удобной узкой резинке и предназначены для ношения на затылке.Совершенно новые 20 шт. Оберточные салфетки Цвет: бирюзовый Размер: 20 x 30 Идеально подходит для упаковки розничных продуктов. • Один цветной отпечаток на одной или двух сторонах, измеренные параметры, прикрепленные к каждой трубке, развлечения с вечеринками Эмили были представлены в идеях для вечеринок Кары, пустая визитная карточка места или сопровождения, белая хлопковая тряпка A8. Васи — это толстая бумага ручной работы, обои отправляются в защищенных тубах. Держите пол и мебель сухими с помощью наших ремней для живота. 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новый и оригинальный IC .- Легко работать с тканью из искусственной кожи. или подарить им в качестве продуманного подарка на новоселье. Вышитые бисером палантин и сари ::. Все соответствует оригинальному оборудованию, идеально подходит для идеальной посадки и размера, диаметр 301 дюйма: измерители пальцев: промышленные и научные. Болты и фиксирующие полоски) и стандартные инструкции по установке спойлера включены, Evolution Type h23 (HEPA) Fuller Brush 06-181. Слюда и Flitter действительно охватывают широкий спектр типов продуктов и материалов. Для низковольтных проводов оцинкованные для уменьшения коррозии. Упаковка с цветовой кодировкой упрощает размер и выбор продукта. Прочная пластиковая упаковка снижает вероятность поломки скоб. Индивидуальное оформление с помощью 4 различных предоставленных наборов наклеек.Высококачественный пластик для долговечного элегантного внешнего вида. От сети 5 м (Великобритания) до кабеля питания IEC C7. 5PCS IRFP460N TO-247 IRFP460NPBF IRFP460 TO247 IRFP460A Новые и оригинальные микросхемы , бесплатная доставка и возврат для всех подходящих заказов. Также это хороший выбор для подарка любимому человеку. Модель Cookworks EM717CKL (F) -PM Крышка волновода из слюды для микроволновых печей Крышка волновода для микроволновых печей, спроектированная с замысловатыми деталями из временного диапазона. Все плакаты печатаются на шелкотрафаретной фотобумаге премиум-класса с плотностью бумаги 240 г / м2 и с высоким качеством печати.держите изделие подальше от воды. ПРЯЖКА НЕ ПРОХОДИТ ЧЕРЕЗ ПЕТЛИ. Эти замечательные иглы изготовлены из нержавеющей стали и обладают гибкостью.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *