Irfz44N характеристики на русском: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Содержание

Irfz44 описание на русском

Наших услуг:. Часто задаваемые вопросы:. Импортные пошлины, налоги и сборы не включены в пункт цены или доставку. Эти сборы за покупателя. Guangdong, China.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Mosfet Powerful Voltage Regulator IRFZ44 Mosfet

IRFZ44N to-220


Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Посмотреть все 76 отзывы. Защита Покупателя Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Обзор Axxxa RU. Хороший продавец, рекомендую.

Отправил быстро, доставка немногим больше месяца до Приморского края. Выглядит не плохо, похоже на оригинал, как минимум выполнены качественно. В работе не проверял ещё, магнитом тоже. Упаковка очень качественная, пришли в коробке, внутри пупырка, всё проложено качественно.

Так же сами микросхемы в пластиковой антистатической упаковке по 10 штук. Продавец ответственный, буду при необходимости обращаться ещё. Посмотреть все отзывы. Бесплатная доставка 10 шт. Бесплатная доставка; набор из 10 шт. Показать еще. Axxxa RU. Dxxxv RU. Фото ниже. Не проверял еще. Позже- дополню отзыв Продавец общительный, оперативно реагирует на вопросы о заказе. Истикало мое время защиты заказа, я связался с продавцом, мол, так-то и так-то, продавец оперативно отреагировал, сказал, что были некоторые проблемы с таможней, и после этого сразу же продлил время защиты еще на 30 дней.

Exxxn RU. Продавцу спасибо. Sxxxv RU. Доставка в Саратов 20 дней, это быстро. Упаковано все в пластиковый контейнер. Проверил несколько тестером транзисторов, все рабочее. Все отлично. Dxxxh RU. А так все норм, в принципе доволен так как спешить некуда заказывал на запас. Axxxo RU. Пришла не быстро. Проверил все мосфеты, рабочие. Цена количество радует, качество пока неизвестно. Всё равно спасибо продавцу! Транзисторы совершенно не держат нагрузку дальше думайте брать или нет,упаковкой и доставкой вполне доволен!

Смотреть описание. Бесплатная доставка шт. Оптовая торговля в Интернет : tda svarosvki прямоугольная волна 10pcs mosfet banvasac irfz w voltage regulator irf transistor Популярные товары по запросу «»: tdac tdaa 20n60 svarosvki attiny45 w voltage regulator rd16hhf1 Большая скидка на : tdac 20n60 relay module high low trigger svarosvki rf transistor irfpn irf arduino nano rd16hhf1 низкая цена для : gy irfb irfz48 tda svarosvki shup irlb k содержательные обзоры : gy rf transistor svarosvki irfpn irf mosfet ch p digit potentiometer.

Али Экспресс на русском — китайский интернет-магазин на русском языке в российских рублях.


Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Правила форума. Правила Расширенный поиск. Опции темы Версия для печати Отправить по электронной почте… Подписаться на эту тему…. На сколько я понимаю в L заведена обратня связь по току , вот он и шимит по мере сил и разумения. Отрегулируете нормально ток , по номиналу движка он и будет в заданных технически характеристиках работать , для людей не сведующих совсем в электронике наверное есть схемы по проще без полушага , если ток не большой то лучше поставить линейный стабилизатор тока например на LM и пусть себе тепло рассеивает на радиаторе простенько и со вкусом , вам что жалко электричества? Надеюсь что ни кого не задел , но в том то и прелесть L , что она шимит , и выставляет ток в зависимости от скорости вращения движка.

Многих интересует описание на русском LMN, но даташит большой, основная часть . IRFZ характеристики datasheet на русском, аналоги.

IRFZ44 к-220 60 В 50A мощность mosfet транзисторы

Применение Источник бесперебойного питания Переключение Электропитания применение Жесткие коммутируемые и высокочастотные схемы. Маркировка посылка и информация о заказе. Группу описания транспортного средства. ID постоянного тока. Идм с верхней частью в виде крыльев. Ток слива-непрерывный Ток-импульсный примечание 1. Пиковая диодный модуль напряжения. Зарядное устройство PD. Ограничения фактор. Электронного отслеживания товаров, при заказе.

IRFZ44N (E) datasheet мощный полевой MOSFET транзистор описание на русском

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Партнер статьи: Electronoff.

Баба Яга — против! Жалко терять 3 Вольта на глупом проходном транзисторе.

10pcs IRFZ44N IRFZ44 Power MOSFET 49A 55V TO-220

We supply all kinds children baby products, office and school stationery, Health and beauty, fashion accessories, Fashion apparel, The products have sold well in many countries such as: USA, Europe, Middle East, and in Southeast Asia etc, We warmly welcome more customers from all world. Доставка Окт 23 и Ноя Дешевые mosfet мост, купить качество mosfet 20a непосредственно из Китая mosfet p поставщиков: краткое введение:они являются совершенно новыми. Деталь погружен не познее 3 рабочего дня как только полная компенсация установлена. Мы ответим ваши почте в течение 24 часов обычно.

IRFZ44 datasheet

Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Клиент Услуги политики Мы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас есть, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы как можно быстрее вернуть вам. Сфера деятельности: Авто IC, цифровая аналоговая схема, одночиповый микрокомпьютер, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, эффект поля, Шоттки, реле, резисторы конденсаторы, Световая трубка, разъемы, и другие услуги поддержки! Доставка по всему миру.

Купить товар Yuxinyuan 10 шт IRFZ24 IRFZ34 IRFZ44 IRFZ46 IRFZ48 LMT IRF транзистор К IRFZ44PBF можно приобрести непосредственно.

Возможность скачать даташит (datasheet) IRFZ44 в формате pdf электронных компонентов

Новый клиент? Начинать здесь. Если повреждение связано с экраном, эта ситуация не должна считаться включенной в сферу действия настоящей гарантии.

Регистрация Забыл пароль. IRFZ44N мощный полевой трензистор, имеет низкую емкость затвора, напряжение открытия. Используется в промышленной, бытовой аппаратуре и конструкциях Arduino. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.

Терморезисторы КМТ-1 — негерметизированные, незащищенные, неизолированные.

Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Если вам нужно больше деталей, пожалуйста, нажмите И отправьте заказ. Если вам нужно больше количества, пожалуйста, свяжитесь с нами. Если вы не возражаете против цены, если некоторые детали не могут узнать в моем магазине, пожалуйста, свяжитесь с нами, у нас все еще есть много частей, которые не изданы. Мы отправим Последняя версия продукта, u Pgraded функции.

Есть много запасов не на полках, если необходимо, пожалуйста, предоставьте нам модели или фотографии О насМы обещаем : 1 : производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества. Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Описание : Двигатель низкой мощности в V светодиодный освещенияЖесткий питание электроприводаМаршрутизаторы и сетевое оборудование 9 в 12 В 15 вОборудование для беспроводной связиБеспроводной пульт дистанционного управления M MВнимание : Это DCDC модуль преобразователя Напряжения, следует отметить при использовании : 1 Входное напряжение не может быть больше, чем максимальный диапазон ввода2 выходная мощность не может быть больше максимальной нагрузки в течение длительного времени3 Входная мощность должна быть больше выходной мощности, потому что Потребляемая мощность самого модуляИзменить параметр Описание : 1.


Транзистор ifr630: характеристики, datasheet и цоколевка

CS830F MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CS830F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5

A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 40
ns

Выходная емкость (Cd): 85
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4
Ohm

Тип корпуса:

CS830F


Datasheet (PDF)

0.1. cs830f a9rd.pdf Size:248K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS830F A9RD General Description VDSS 500 V CS830F A9RD, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

0.2. cs830f.pdf Size:298K _lzg

IRFS830(CS830F) N-Channel MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 0.3. cs830fa9rd.pdf Size:247K _wuxi_china

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS830F A9RD General Description VDSS 500 V CS830F A9RD, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

CS830F Datasheet (PDF)

0.1. cs830f a9rd.pdf Size:248K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS830F A9RD General Description VDSS 500 V CS830F A9RD, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

0.2. cs830f.pdf Size:298K _lzg

IRFS830(CS830F) N-Channel MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 0.3. cs830fa9rd.pdf Size:247K _wuxi_china

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS830F A9RD General Description VDSS 500 V CS830F A9RD, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Области безопасной работы

Область безопасной работы определяется как множество значений тока и напряжения, в пределах которых можно ожидать, что устройство будет работать без повреждений.

Как правило, область безопасной работы представляется в виде графика в спецификации производителя. Ток в амперах отображается по оси Y. Максимальное напряжение сток-исток для MOSFET (или напряжение коллектор-эмиттер для биполярного транзистора) откладывается по оси X. Кривая обычно напоминает горнолыжный склон, где допустимый ток резко падает с увеличением напряжения.

Поскольку обычно MOSFET используются в импульсных схемах, некоторые производители транзисторов определяют область безопасной работы в зависимости от длительности импульсов (в миллисекундах). Если транзистор постоянно включен (проводит постоянный ток), то максимальный допустимый ток спадает быстрее, чем если ток пульсирует с интервалом 1 мс или 10 мс. Как видно из Рисунка 1, область безопасной работы будет наибольшей, когда транзистор переключается с периодом 100 мкс (что эквивалентно частоте 10 кГц). Таким образом, область безопасной работы любого транзистора зависит от коэффициента заполнения импульсов, то есть, от соотношения между временами включения и выключения.

Рисунок 1. Область безопасной работы для напряжения и тока зависит
от коэффициента заполнения управляющих импульсов.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001.  SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Строение полевого транзистора

Давайте еще раз рассмотрим структуру полевого транзистора.

Имеем “кирпич” полупроводникового материала P-проводимости. Как вы помните, основными носителями в полупроводнике P-типа являются дырки, поэтому, их концентрация намного больше, чем электронов. Но электроны также есть и в P-полупроводнике. Как вы помните, электроны в P-полупроводнике – это неосновные носители и их концентрация очень мала, по сравнению с дырками. “Кирпич” P-полупроводника носит название Подложки. От подложки выходит вывод с таким же названием: подложка.

Другие слои – это материал N+ типа, диэлектрик, металл. Почему N+, а не просто N? Дело в том, что этот материал сильно легирован, то есть концентрация электронов в этом полупроводнике очень большая. От  полупроводников N+ типа, которые располагаются по краям, отходят два вывода: Исток и Сток.

Между Истоком и Стоком через диэлектрик располагается металлическая пластинка, от который идет вывод. Называется этот вывод Затвором. Между Затвором и другими выводами нет никакой электрической связи. Затвор вообще изолирован от всех выводов транзистора, поэтому МОП-транзистор также называют транзистором с изолированным затвором.

Мы видим, что полевой транзистор на схеме имеет 4 вывода (Исток, Сток, Затвор и Подложка), а реальный транзистор имеет только 3 вывода.

В чем прикол? Дело все в том, что Подложку обычно соединяют с Истоком. Иногда это уже делается в самом транзисторе еще на этапе разработки. В результате того, что Исток соединен с Подложкой, у нас образуется диод между Стоком и Истоком, который иногда даже не указывается в схемах, но всегда присутствует:

Поэтому, следует соблюдать цоколевку при подключении МОП-транзистора в схему.

Полевые транзисторы «IRF. «

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «IRF. «

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

Uc-и max – максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max – максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и – минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си – емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max – пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) – крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс – ток стока (А) при котором измерялась

NXP » MRF1K50H

John Powell, NXP Semiconductors

Microwave Engineering Europe

Последние достижения в области технологии LDMOS позволили не только использовать радиочастотные транзисторы в тех приложениях, где раньше безраздельно доминировали электровакуумные приборы, но и расширить сферу их применения. Новый мощный радиочастотный транзистор MRF1K50H компании NXP при питании напряжением 50 В способен как в импульсном, так и в непрерывном режимах отдавать в нагрузку 1500 Вт в диапазоне частот от 1.8 до 500 МГц, что делает его самым мощным транзистором среди выпускаемых отраслью по любым технологиям и для любых частот.

Когда несколько лет назад NXP представила транзистор с непрерывной выходной мощностью 1250 Вт, он быстро завоевал популярность в самых разных приложениях большой мощности, где раньше традиционно использовались электровакуумные триоды и тетроды, поскольку это был первый LDMOS транзистор, способный работать в системах, в которых могут происходить огромные рассогласования импедансов.

Новый MRF1K50H (Рисунок 1) сместил этот уровень надежности в область более высоких мощностей, что делает его еще более привлекательным для приложений большой мощности. Это могут быть, в частности, схемы накачки углекислотных лазеров и источников плазмы, а также установки физики высоких энергий, в которых они формируют электромагнитное поле, ускоряющее пучки заряженных частиц.

Рисунок 1. Изображенные здесь в трех вариантах корпусов новые 1.5-киловаттные радиочастотные транзисторы компании NXP на сегодня являются самыми мощными твердотельными высокочастотными приборами. Версия с керамическим корпусом с воздушной полостью совместима с существующими транзисторами; для увеличения выходной мощности достаточно лишь небольшой перенастройки.

MRF1K50H также хорошо подойдет для использования во многих промышленных системах, таких как нагревательное, сварочное и сушильное оборудование, в котором всегда использовались электронные лампы, поскольку никаких твердотельных источников радиочастотного диапазона, в которых сочетались бы надежность электровакуумных приборов с высокой выходной мощностью просто не существовало. Кроме того, транзистор найдет применение в УКВ передатчиках телевизионного вещания, УВЧ радарах и наземных базовых станциях подвижной радиосвязи.

Рисунок 2. MRF1K50H отдает непрерывную мощность 1550 Вт на частоте 27 МГц при усилении 25.9 дБ и КПД 78%.

Кроме того, MRF1K50H, вероятно, приобретет популярность среди производителей линейных усилителей для любительского радио, где один транзистор легко обеспечит максимальную пиковую мощность огибающей (1500 Вт), допустимую почти во всех КВ и некоторых УКВ диапазонах.

По уровню надежности и сроку службы этот транзистор намного превосходит любые электронные лампы. В экстремальных условиях, когда температура перехода может достигать 225 °C, среднее время наработки на отказ транзистора MRF1K50H составляет 35 лет, однако в нормальном режиме работы при температуре корпуса до 100 °C оно превышает 450 лет. Это гарантирует длительный срок эксплуатации без замены транзистора, намного сокращающий вынужденные простои промышленных систем, время их обслуживания и стоимость использования. Кроме того, твердотельные источники радиочастотных сигналов позволяют управлять выходной мощностью в их полном динамическом диапазоне, фактически, предлагая ранее недоступные варианты использования.

Рисунок 3. Основные характеристики транзисторов MRF1K50H в радиовещательном диапазоне частот. Как можно видеть, КПД остается в пределах 81% … 84%.

Получить выходную мощность 1.5 кВт можно как от транзистора в керамическом корпусе с воздушной полостью (MRF1K50H), так и от транзистора в формованном пластмассовом корпусе (MRF1K50N). MRF1K50H совместим по выводам со своим 1250-ваттным предшественником MRFE6VP61K25H, а также с устройствами других производителей, так что переход на новые транзисторы не вызовет у разработчиков никаких трудностей. Более того, у транзисторов не только одинаковые корпуса, но и очень близкие значения выходной емкости, что позволяет устанавливать MRF1K50H на ту же печатную плату, выполнив лишь минимальные перенастройки, связанные с его большей выходной мощностью.

Область применения полевого транзистора

КМОП-структуры, которые строятся из комплементарной пары данных устройств и у которых каналы разного типа (n- и р-), нашли широкое применение в аналоговых и цифровых интегральных схемах. За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (точнее, размером величины напряжения, которое попадает на затвор), а не током, что протекает через базу (что можно наблюдать в биполярных транзисторах), происходит меньшее потребление энергии. Это актуально для схем следящих и ждущих устройств, а также там, где необходимо обеспечение малого энергопотребления и энергосбережения (спящий режим на телефоне). В отличие от полевых схемы включения биполярных транзисторов будут требовать большей энергии, поэтому не приходится рассчитывать на их длительную работу без источника постоянной энергии. Это одно из наиболее весомых преимуществ. Схемы включения биполярных транзисторов, кстати, строятся на более знакомых большинству радиолюбителей терминах: база, эмиттер и коллектор.

В качестве примера использования полевых транзисторов на практике можно привести пульт дистанционного управления или наручные кварцевые часы. За счёт реализации с применением КМОП-структур данные устройства могут похвастаться работой в несколько лет, используя при этом всего один миниатюрный источник питания, такой как аккумулятор или батарейка. Вот такие преимущества дают схемы включения транзистора. И это ещё не предел возможностей их использования. Благодаря конструктивному усовершенствованию полевые транзисторы всё шире применяются в разных радиоустройствах, где они успешно заменяют биполярные. Поскольку в открытом состоянии они обладают низким сопротивлением, то их можно встретить в усилителях, которые увеличивают звуковые частоты высокой верности. Использование в радиопередающей технике позволяет увеличивать частоту несущего сигнала и таким образом обеспечивать устройствам высокую помехоустойчивость. Поэтому схемы включения транзистора и пользуются такой популярностью.

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом – 250 Вольт

Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать судьбу транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

IRF830AL MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF830AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 24
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4
Ohm

Тип корпуса:

IRF830AL


Datasheet (PDF)

0.1. irf830alpbf irf830aspbf sihf830al sihf830as.pdf Size:207K _vishay

IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.40 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 24RequirementQgs (nC) 6.3 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterize

7.1. irf830as.pdf Size:155K _international_rectifier

PD- 92006ASMPS MOSFETIRF830AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Curre

7.2. irf830a.pdf Size:108K _international_rectifier

PD- 91878CSMPS MOSFETIRF830AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Curren

 7.3. irf830as-lpbf.pdf Size:676K _international_rectifier

PD- 95139SMPS MOSFETIRF830AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power Switching Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Vol

7.4. irf830apbf.pdf Size:168K _international_rectifier

PD- 94820SMPS MOSFETIRF830APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High speed power switching Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Volt

 7.5. irf830a.pdf Size:911K _samsung

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

7.6. irf830a sihf830a.pdf Size:1091K _vishay

IRF830A, SiHF830AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.4RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 24 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 6.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 11and CurrentConfigurati

7.7. irf830apbf sihf830a.pdf Size:1093K _vishay

IRF830A, SiHF830AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.4RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 24 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 6.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 11and CurrentConfigurati

7.8. irf830a.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor IRF830AFEATURESDrain Current I [email protected] T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedLow Drive RequirementMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch Mode Power SupplyUninterruptable Power SupplyHigh speed power switc

Другие MOSFET… IRF820FI
, IRF820S
, IRF821
, IRF822
, IRF822FI
, IRF823
, IRF830
, IRF830A
, IRF5210
, IRF830AS
, IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
.

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства

Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев

У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:


Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или
униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от
максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность
недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно
имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее
лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя
затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют
худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th)
имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый
постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить,
срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора,
ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Выбор p-канальных и n-канальных MOSFET

Невозможно создать p-канальный силовой MOSFET, который имел бы такие же электрические характеристики, как и n-канальный MOS-FET. Поскольку подвижность носителей заряда в n-канальном силовом MOSFET в 2,5–3 раза выше, то для обеспечения одного и того же сопротивления в открытом состоянии Rds(on), размер кристалла p-канального MOSFET должен быть в 2,5–3 раза больше, по сравнению с n-канальным транзистором. Вследствие большей площади кристалла p-канальные MOSFET-транзисторы имеют меньшее тепловое сопротивление и более высокие значения допустимого тока. Но их динамические характеристики (емкость, заряд затвора и др.) зависят от размера кристалла.

На низких частотах переключений, при которых доминируют потери проводимости, p-канальный MOSFET должен иметь тот же уровень номинального тока ID25, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый номинальный ток ID25, нагрев их кристаллов будет практически одинаков при одинаковой температуре корпуса и одинаковом токе. В этом случае оптимальный размер кристалла p-канального MOSFET составит уже 1,5–1,8 от размера кристалла n-канального транзистора.

На высоких частотах переключения, где доминируют динамические потери, p-канальный MOSFET должен иметь ту же величину заряда затвора, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый заряд затвора и управляются одинаково, их динамические потери близки. В этом случае p-канальный MOSFET имеет тот же размер кристалла, что и n-канальный, но его номинальный ток ID25 может быть меньше, чем у n-канального.

Для работы в линейном режиме необходимо соответствие p-канального и n-канального транзистора по FBSOA (области безопасной работы) в реальном режиме

Это часто означает соответствие по номинальной рассеиваемой мощности ID25, но, кроме того, нужно обращать внимание на физическую способность транзистора работать в линейном режиме

В реальных приложениях необходимо тщательно выбирать p-канальный MOSFET-тран-зистор по номинальному току ID25 или заряду затвора Qg. Приложений, в которых требуется одинаковое сопротивление в открытом состоянии Rds(on), не так много.

Возможно, вам также будет интересно

Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. С 70-х годов, когда в СССР были созданы, детально изучены и запущены в серию первые в мире мощные полевые транзисторы, эти приборы превратились из маломощных «недоносков» с высоким входным сопротивлением, во всем остальном уступающих биполярным транзисторам, в мощные приборы с уникально малым (до 0,001 Ом) сопротивлением во включенном состоянии, рабочими токами до 400 А и выше и рабочими напряжениями от десятков до 1200 В. Приборы имеют

Основной причиной выпуска нового семейства силовых модулей SEMIKRON, получившего название  SEMiX,  были  требования рынка по дальнейшему повышению эффективности преобразовательной техники и необходимость разработки аналогов модулей EconoPack+ (EUPEC), чрезвычайно популярных благодаря малым габаритам и высокой эффективности. Очевидно поэтому во всех материалах и презентациях, посвященных SEMiX, проводится сравнение их характеристик с параметрами модулей Econopack+. Для решения задачи

Сложность коммутационных процессов в силовых транзисторных ключах преобразователей напряжения не позволяет рассчитывать аналитически демпфирующие цепи для этих ключей. В статье рассмотрены примеры расчета номиналов компонентов демпфирующих цепей с применением пакета Pspice.

Транзистор Irfz IC44n 55V 49A-220 Mosfet Irfz44npbf Irfz44n



Продукт Paramenters


 1.передовые технологии
2.с ультра низким On-Resistance
3.Динамический dv/dt рейтинг
4.175 °C рабочей температуры
5.быстрой коммутации
6.полностью лавину номинальной

 

Ток — непрерывная слив (Id) @ 25 °C 49A (Tc)
Напряжение питания привода (макс. Rds On, Мин. RDS ON) 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs 17,5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(й) (макс.) @ Id 4V @ 250 Мка
Vgs (макс.) ±20V
Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175 °C (TJ)
Тип крепления Через отверстие
Слейте на источник высокого напряжения (Vdss) 55 V
Ворота (Qg) (макс.) @ Vgs 63 nC @ 10 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1470 pF @ 25 В


Профиль компании


 

Упаковка продукта

Часто задаваемые вопросы

1.Кто вы?
Мы производителя высокого качества в Китае собственные микросхемы IC входит,транзистор,нагревательных элементов отопления салона,
Конденсаторы,памяти,IGBT, Mosfet,Traic/SCR,оптоэлектронные компоненты.Почти все компоненты
Электроники в нашей продукции.

2.Вы также продажа оригинальных запасных частей?
Да, мы также поставки оригинальных материалов bcz все наши разработаны микросхемы на основе оригинала
Так мы сотрудничаем с некоторые оригинальные конструкции и развития Департамента,
У нас есть хорошие источники оригинала.

3.Каковы ваши преимущества?
Нашей высококачественной продукции с разумной ценой может полностью заменить оригинальные детали.

4.Вы можете предоставить OEM Service?
Да, мы можем, если у вас есть проекты и просить plz свяжитесь с нами.

5.можно купить все im requireing компонентов от вас?
Конечно да,из списка Bom котировки до двери до двери express service,у нас есть профессиональные
Объем продаж для соединения с вами все время.

 

Irfz44n схема включения двигателя — Авто журнал

Греется закрытый транзистор

ФОРУМ › Вопросы и Ответы › Греется закрытый транзистор

  • В этой теме 9 ответов, 7 участников, последнее обновление , сделано .

Решил я полевым транзистором поуправлять двигателем (N канальный мосфет IRFZ44N). Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении и 3 конденсатора (между 2мя выводами и между каждым и корпусом). Заметил, что когда коэффициент заполнения равен нулю через транзистор течет ток и он сильно греется. Отключил транзистор, замкнул затвор на землю — картина та же. Даташит на мосфет. Напряжение Sorce-Gate = 0, они буквально закорочены. Смотрю ток на ЛБП. Он примерно 30 мА после подачи питания (что интересно, этот ток не зависит от напряжения) и растет. По мере роста тока транзистор сильно греется. 100 мА — держать руками уже нельзя. Сопротивление Drain-Source 530 Ом. Что при 18 В питания дает эти самые 30мА. Мосфет на 55В. Люди добрые, скажите пожалуйста что я в этой жизни делаю не так?

Вложения:

[quote quote=1965]Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении[/quote]

на кой? в мосфете и так иже есть диод…и что за двигатель?

Диод гасит индуктивные выбросы, которые так бы пришлись на транзистор. Двигатель постоянного тока (от шуруповерта) на 18В.

[quote quote=1965] Сопротивление Drain-Source 530 Ом.[/quote]

Многовато будет, однако

Я теперь вообще запутался. 530 Ом это сопротивление диода мосфета при прозвонке в режиме диода при его прямом включении, то есть Source-Drain. Но напряжение в схеме приложено наоборот. Так как он расположен в схеме, он (диод) не звонится. То есть природа этих 30 мА (которые постепенно растут) остается неизвестной. Затвор звонил — не пробит.

Замени на другой транзистор. Купил наверное какой то левак с китая. От них чего хочешь можно ожидать.

Да. Взял другой мультиметр. Он показывает +- те же цифры только уже на шкале напряжения. +-0,530В падение напряжения на диоде. То есть транзистор рабочий (номинально), тогда что не так то?

[quote quote=1965]Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении и 3 конденсатора (между 2мя выводами и между каждым и корпусом).[/quote]

А зачем эти конденсаторы? Или это имеются ввиду паразитные параметры?

Они только портят картину. Полевые транзисторы и так имеют очень серьезные паразитные емкости.

Особенно емкость затвора. Ни в коем случае нельзя напрямую подключать к затвору (процессор или устройство управления). Нужно поставить резистор последовательно, даже если это всего 100 Ом или 1К.

И поставьте резистор с затвора на землю — 10К, через который будет стекать заряд с затвора, когда напряжение с затвора снимается.

Если и это не поможет, возможно что у вас просто поддельный транзистор (я бы рекомендовал попробовать б.у. транзистор, даже если это будет другого подобного типа).

Чего тут думать ? Закрытый полевик не должен ничего пропускать , сдох он , меняйте …

Греться может только открытый транзистор…

Плавный розжиг ламп фар. Часть 1

Приветствую паяльникофилов-автолюбителей и просто любопытствующих =)
На новый год снегурка принесла вот такой ништячек:

Лампы по отзывам оправдывают красивые надписи на упаковке, но есть одна беда — служат они меньше стандартных. Как продлить срок службы? — ведь жаль, если хорошие лампы быстро умрут. Как известно, почти в 100% случаев лампы горят при включении — когда нить накаливания холодная и её сопротивление низкое, происходит бросок тока, от которого спираль и разрушается. Вывод логичен — ограничить бросок тока. Это я и решил сделать для долгой и счастливой жизни лампочек в моём авто.
Это цель №1. Плавный розжиг ламп головного света.
Цель №2: контроль исправности нитей накала ламп (с отображением в салоне).
Цель №3: автоматическое включение света в темное время суток.
Цель №4: реализация функции ДХО «по-американски» — т.е. работа дальнего на 30% от полной мощности вместо ДХО.
Цель №5: автоматическое переключение ближнего/дальнего света на трассе при встречке.
Цель №6: плавная регулировка оборотов вентилятора охлаждения двигателя в зависимости от температуры ОЖ.
Реализовать всё это безобразие решил на контроллере фирмы Atmel.
Часть первую посвящаю разработке драйвера ламп света. Да, изобретаю велосипед, но кто твердо держит паяльник в руках, меня поймет))
Чуток теории.
Лампы имеют «заземление» на корпус (читай минус питания), что обязывает применение драйвера, управляющего плюсом питания. Серьёзно переделывать штатную проводку я не собираюсь и разрабатываю устройства с этим учетом.
Строим на MOSFET-транзисторах. P-канальные применить можно, но повторяемость схемы уменьшится, да и это не камильфо 😉 Остановил свой выбор на широко распространенных мощных N-канальных транзисторах. Тут выбор большой. самое элементарное (и пожалуй лучший вариант) — это применение транзисторов со старых (а лучше новых) материнских плат и видеокарт. Тут вариантов много. Одни из них:

Рассмотрим схемы включения Р и N-канальных транзисторов:

Но если мы собираемся строить на N-канальных с «земляной» нагрузкой, то тут все резко осложняется. Не вдавась в подробности скажу, что нужно на gate подавать напряжение на 10В выше напряжения питания. Тут самое простое — это применение специализированных драйверов: www.google.ru/search?q=%D…AA&biw=1440&bih=755&dpr=1 Но они годятся ТОЛЬКО при коэффициенте заполнения входного сигнала от 5 до 95%. Это налагает некоторые ограничения. Ограничивать себя не люблю) Да и не хочу потер мощности 5% — сей девайс будет запитан толстым проводом от генератора для минимизации потерь в проводах и максимального увеличения яркости ламп. Потому вариант с такими драйверами мне не подходит. Выход один: иметь источник напряжения выше напряжения штатной сети на 10В т.е. BOOST.
Для этих целей сначала собрал элементарный блокинг-генератор на 1 транзисторе. Зачем ставить целый специализированный ШИМ-контроллер для столь малого? (стрелять по воробьям из пушки).

Диод из серии FR, транзистор КТ814 (815 или аналогов под рукой не нашлось), трансформатор намотан на фиг знает каком кольцевом магнитопроводе от дросселя старой мат.платы (примерно 15мм диаметром) тремя проводами 0,4мм (можно от 0,2 до 0,6) 30 витков. На выходе без нагрузки 24В, под нагрузкой 20-22В (зависит от нагрузки). Мощность получилась неплохой — хватит для оперирования несколькими мосфетами. Частота генерации порядка 1МГц.
Собрал по схеме

драйвер на N-канальном мосфете для управления нижней нагрузкой. Транзисторы VT1 — VT3 типа SS9015 и SS9014 (можно любые маломощные). С матери выпаял STB3020L (30V 19mOmh 40A). А вот с МК еще конь не валялся. Побыстрому сковырял ручной ШИМ-генератор на 155ЛН1:

При выбранных элементах частота генерации составила порядка 165Гц, коэффициент заполнения от 40 до 90%, чего хватает с лихвой для проверки работы драйвера.

Запитал я всё это хозяйство от компьютерного БП. Жаль он слабоват, в защиту уходит часто при пуске нахолодную (что и без того подтверждает высокие токи пуска лампы нахолодную). Схема заработала практически сразу. Чуток повозился с Boost-генератором. БП слабоват, напряжение упало до 10В. Но это не мешает тестированию драйвера.

МОП-транзистор IRFZ44N

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

  1. Назначение контактов
  2. Графическое обозначение
  3. Распиновка
  4. Основные характеристики
  5. Максимальные значения
  6. Тепловые параметры
  7. Электрические параметры
  8. Маркировка
  9. Аналоги
  10. Схема включения
  11. Варианты применения
  12. Производители

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
  • Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
  • Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

С

хема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты

применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Критерии выбора частоты ШИМ для управления скоростью двигателя постоянного тока?

Я работаю над схемой управления скоростью для двигателя с щеткой постоянного тока (24 В, 500 об / мин, 2 А, 4 кгсм).

Основными компонентами, которые я планирую использовать, являются PIC16f873, оптопара 4n25, МОП-транзистор IRFZ44N, диод BY 500 — 800 (для свободного хода).

  • Каковы критерии выбора частоты ШИМ?
  • Каково влияние очень высоких и очень низких частот ШИМ на систему?
  • Какие недостатки и улучшения необходимо внести в оборудование, представленное здесь?

Существует несколько проблем, связанных с частотой ШИМ при движении двигателя:

Импульсы должны поступать достаточно быстро, чтобы механическая система двигателя усредняла их. Обычно для этого достаточно нескольких десятков Гц или нескольких сотен Гц. Это редко является ограничивающим фактором.

В некоторых случаях важно, чтобы нытье не было слышно на частоте ШИМ. Даже если механическая система в целом не реагирует на отдельные импульсы, отдельные обмотки катушки могут. Электродвигатель работает на магнитных силах, причем каждая петля провода в катушке устроена так, чтобы создавать эти силы. Это означает, что каждый кусок провода в обмотке имеет боковое усилие, пропорциональное току, по крайней мере, часть времени. Провод в обмотках не может двигаться далеко, но он все еще может вибрировать достаточно, чтобы результат был слышен. Частота ШИМ 1 кГц может быть хорошей во всех других отношениях, но если это происходит в устройстве конечного пользователя, то нытье на этой частоте может быть неприемлемым. По этой причине ШИМ для управления двигателем конечного потребителя часто выполняется на частоте 25 кГц, что немного превышает то, что слышит большинство людей.

Средний ток катушки. Это может быть сложной проблемой. Отдельные катушки двигателя будут выглядеть в основном индуктивными для цепи управления. Вы хотите, чтобы ток через катушки был в основном таким, какой вы ожидаете от среднего значения, применяемого ШИМ, а не повышался или понижался практически каждый импульс.

Каждая катушка будет иметь некоторое конечное сопротивление, которое вызывает потерю мощности, пропорциональную квадрату тока, проходящего через нее. Потери будут выше при том же среднем токе, когда в течение импульса происходит значительное изменение тока. Рассмотрим крайний пример того, как катушка реагирует на импульсное напряжение почти мгновенно, и вы управляете ей с 50% -ной прямоугольной волной. Сопротивление рассеяния будет составлять 1/2 от полного включения катушки, при этом средний ток (следовательно, крутящий момент двигателя) также будет составлять 1/2 от полного включения. Однако, если катушка была возбуждена с постоянным током 1/2 вместо импульсов, резистивное рассеивание было бы на 1/4 от полного включения, но с той же 1/2 тока полной шкалы и, следовательно, крутящего момента.

Еще один способ думать об этом заключается в том, что вы не хотите, чтобы значительный переменный ток превышал средний уровень постоянного тока. Переменный ток не влияет на работу двигателя, это делает только среднее значение. Компонент переменного тока, следовательно, вызывает только резистивные потери в катушках и других местах.

Переключение потерь. Идеальный выключатель либо полностью включен, либо полностью выключен, что означает, что он никогда не рассеивает мощность. Реальные переключатели не переключаются мгновенно и поэтому проводят некоторое конечное время в переходной области, где они рассеивают значительную мощность. Часть работы электроники привода состоит в том, чтобы минимизировать это время перехода. Тем не менее, независимо от того, что вы делаете, на каждом фронте будет некоторое время, когда переключатель не идеален. Это время обычно фиксировано для каждого фронта, поэтому его доля в общем периоде ШИМ увеличивается с частотой. Например, если коммутатор тратит всего 1 мкс при переходе каждого импульса, то при частоте ШИМ 25 кГц, то есть периоде 40 мкс, время перехода составляет 1/40 от общего количества. Это может быть приемлемым. Однако, если частота переключения была увеличена до 100 кГц, что означает период 10 мкс, тогда время перехода будет 10%. Это может вызвать проблемы.

Что касается вашей трассы, меня больше всего беспокоит то, как медленно Q1 будет двигаться. Известно, что оптоизоляторы работают медленно (по сравнению с большинством других компонентов, таких как отдельные транзисторы), особенно при выключении. У вас есть только R2 (хотя я могу прочитать его значение), потянувший на ворота FET, чтобы отключить его. Это будет медленно. Это может быть хорошо, если вы можете терпеть медленную частоту ШИМ, учитывая все другие компромиссы, которые я упомянул выше.

Вы могли бы рассмотреть возможность размещения PIC на стороне двигателя опто. Вы можете общаться в цифровом режиме с этим PIC через интерфейс UART или что-то, что не должно работать на частоте ШИМ. Затем этот PIC генерирует соответствующий PWM локально и жестко включает и выключает Q1 с помощью дополнительных схем для этой цели. Таким образом, высокоскоростные сигналы и быстрые фронты не проходят через оптоизолятор.

голоса

Рейтинг статьи

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким значением Rds 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором MOSFET начинает проводить ток. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если полевой МОП-транзистор должен быть полностью включен.

 

Конфигурация выводов IRFZ44N

Номер контакта

Название контакта

Описание

1

Ворота

Управляет смещением MOSFET

2

Слив

Ток поступает через сток

3

Источник

Ток течет через источник

 

Характеристики и характеристики
  • Малосигнальный N-канальный МОП-транзистор
  • Непрерывный ток стока (ID) составляет 49 А при 25°C
  • Импульсный ток стока (ID-пик) составляет 160 А
  • Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 2 В
  • Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 4 В
  • Напряжение затвор-исток составляет (VGS) ±20 В (макс.)
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
  • Время нарастания и время спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
  • Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
  • Доступен в пакете То-220

 

Примечание. Полные технические сведения о можно найти в техническом описании IRFZ44N , приведенном в конце этой страницы.

 

Альтернативы IRFZ44N

ИРФ2807, ИРФБ3207, ИРФБ4710

 

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .Вдобавок к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных цепей. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4В, но ток стока будет максимальным только при подаче напряжения затвора 10В. Если MOSFET должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте MOSFET версии IRLZ44N с логическим уровнем.

 

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используют неправильно.IRLZ44N представляет собой полевой МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что полевой МОП-транзистор может быть полностью включен при напряжении всего 5 В на выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET необходимо полностью включить с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Однако он частично включается при прямом напряжении 5 В на выводе ввода-вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

 

Как использовать МОП-транзистор IRFZ44N

В отличие от транзисторов, МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что их можно включить или выключить, подав необходимое пороговое напряжение затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный МОП-транзистор, поэтому контакты стока и истока остаются открытыми, когда на контакт затвора не подается напряжение. При подаче напряжения на затвор эти контакты замыкаются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, то простая схема управления с использованием транзистора будет работать для обеспечения необходимого напряжения затвора для запуска MOSFET для полного открытия. Для других коммутационных и усилительных приложений требуется специальная микросхема драйвера МОП-транзистора IC .

 

IRFZ44N с вентилем 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. д., тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, подаваемого на вывод затвора. На приведенном ниже графике показано, какой ток стока допустим для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только при напряжении на затворе около 10 В.Если оно где-то около 5В, то ток стока ограничен 20А и так далее.

 

Приложения
  • Переключение устройств большой мощности
  • Контроль скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Приложения для высокоскоростного переключения
  • Преобразователи или схемы инверторов

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

 

Источник питания

— не получает выход 5 В Источник питания

— не получает выход 5 В
Сеть обмена стеками

Сеть Stack Exchange состоит из 178 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Посетите биржу стека
  1. 0
  2. +0
  3. Авторизоваться Зарегистрироваться

Электротехника Stack Exchange — это сайт вопросов и ответов для специалистов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация занимает всего минуту.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Любой может задать вопрос

Любой может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются на вершину

спросил

Просмотрено 219 раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь построить цепь постоянного тока 5 В постоянного тока 3 А.Как указано в этом техническом описании: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm338.pdf на странице № 15.

По расчёту R2= 1,28 Ом, но у меня его нет у меня около него 1,6.

Я создал схему, используя резистор R2 = 1,6 Ом, поместил резистор 1 кОм в качестве нагрузки и проверил напряжение на нем, оно дает мне 15,68 В, что является проблемой.

Как мне это сделать?

Как указано в этом техническом описании: ti.com/lit/ds/symlink/lm338.pdf на странице №.12. Я создал схему, и она дает мне постоянное напряжение 5,1 В, просто хочу попросить подтверждения, что ток, проходящий через этот ток, будет зависеть от нагрузки, верно? и мы можем вынуть максимум 5А, верно?

спросил май 6, 2019 в 7:51

\$\конечная группа\$ 8 \$\начало группы\$

В комментариях вы упомянули, что использовали I_adj = 3 A.Проверьте электрические характеристики на стр. 4 или 5. Максимальный ток составляет 0,1 мА. Я предлагаю прочитать техническое описание более подробно, чтобы лучше понять, как работает схема, и иметь возможность рассчитать правильное значение R_2.

РЕДАКТИРОВАТЬ: Чтобы дать дополнительную информацию к ответу … интегральная схема будет форсировать 1,25 В через R_1. Ток, протекающий через него, равен 1,25 В/R_1. Ток, поступающий с контакта ADJ, указан в таблице данных и составляет не более 0,1 мА.Из токового закона Кирхгофа можно сказать, что ток, протекающий через резистор R_2, представляет собой сумму этих двух токов. Выходное напряжение равно сумме падений напряжения на обоих резисторах. Мы знаем, что падение на первом резисторе составляет 1,25 В, а на втором — ток*сопротивление. Зная силу тока, можно рассчитать выходное напряжение по сопротивлению. Или вы можете выразить сопротивление из уравнения и рассчитать его из выходного напряжения.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.