Корпуса транзисторов справочник: Типы корпусов транзисторов — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Содержание

Корпус транзистора то 3

Если у диодов определяющих критериев всего три допустимый прямой ток, допустимое обратное напряжение и допустимая выделяющаяся мощность , то у транзисторов их много больше. Приведем часть из них:. Самыми критичными являются опять же три: допустимый ток коллектора, допустимая мощность на коллекторе и допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Критерием тут служит температура самого кристалла, которую померить ох, как непросто! Расчетом радиатора мы будем заниматься в главе 8.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ЗАЧЕМ НУЖЕН И КАКОЙ ТЕСТЕР ТРАНЗИСТОРОВ ВЫБРАТЬ

Корпуса микросхем


By chudovishe12 , January 7, in Для начинающих. Добрый день! Есть 4-ре транзистора 2N в корпусе то-3 и два радиатора от ЦП,прокладок из слюды нет Чем заменить? Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Конденсаторы Panasonic. Часть 4. Полимеры — номенклатура. Главной конструктивной особенностью таких конденсаторов является полимерный материал, используемый в качестве проводящего слоя.

Полимер обеспечивает конденсаторам высокую электрическую проводимость и пониженное эквивалентное сопротивление ESR. Номинальная емкость и ESR отличается в данном случае высокой стабильностью во всем рабочем диапазоне температур. А повышенная емкость при низком ESR идеальна для решения задач шумоподавления и ограничения токовых паразитных импульсов в широком частотном диапазоне. Читать статью. Возможно надо подогнать размеры. STM32G0 — средства противодействия угрозам безопасности.

Результатом выполнения требований безопасности всегда является усложнение разрабатываемой системы. Особенно чувствительными эти расходы стали теперь, в процессе массового внедрения IoT.

Обладая мощным набором инструментов информационной безопасности, микроконтроллеры STM32G0 производства STMicroelectronics, объединив в себе невысокую цену, энергоэффективность и расширенный арсенал встроенных аппаратных инструментов, способны обеспечить полную безопасность разрабатываемого устройства. До 48 слоев. Быстрое прототипирование плат. Монтаж плат под ключ.

Может тупо лаком отверстия обработать? Тупо и получится! Неужели нет каких-нибудь шайб из диэлектрика??? Я опять :wall:. Когда-то давно в советские времена делал усилители — тоже была проблема с изоляцией транзисторов от радиатора. В магазинах не было ни силикона , ни слюды. Так под транзистор ложили бумагу , промазанную смазкой типа циатим или солидол , вазелин , на винтики одевали текстолитовые шайбочки и обрезки кембрика. И всё нормально было заизолировано и работало.

Имеющейся в нём слюды тебе хватит надолго. Попробуй расщепить фольгированный стеклотекстолит. Если аккуратно делать, то можно отделить один слой, а он толщиной около 0,15 мм. You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account. Note: Your post will require moderator approval before it will be visible. Restore formatting. Only 75 emoji are allowed. Display as a link instead. Clear editor. Upload or insert images from URL.

Для начинающих Search In. Recommended Posts. Posted January 7, Share this post Link to post Share on other sites. Студенческое спонсорство. Posted January 7, edited. Прокрепление понятно. Купить тоже не вариант, ждать долго. Edited January 7, by chudovishe Если есть токарный станок или что-нибудь наподобии дрель, шуруповёрт, Edited January 7, by Max Edited January 7, by war.

STM32G0 — средства противодействия угрозам безопасности Результатом выполнения требований безопасности всегда является усложнение разрабатываемой системы. Производство печатных плат До 48 слоев. На этот слой положить прокладку из шифона тонкая ткань для женских нарядов, бантиков, тюля. Хоть из картонки вырезать. С там точно не будет. Я опять :wall: Резьбу заизолировать хотите?

Смысл, надо только транзистор заизолировать. Рукав для запекания примени. Posted January 8, ОК,всем спасибо,все понял. Join the conversation You can post now and register later. Reply to this topic Go To Topic Listing.

Да будет срач! Тема про политику. Хз, не я- отвечаю! А чего тут не понятно те? Ну в стихе- имею ввиду? Тут понятно? А тут? Чего ту не понять то?

Для меня это как день ясно. Никуя один из Серёг не понимает в политике! Ты, Серёга- это не ты. Ты созданный «удобным» власти! Раньше ты был другим, но тебя перекроили! Хотел эту херь мисунуть,но блин тебя чтото и так часто наказывают,вот только что было с десяток плюсов,кто их сьел? Голь на выдумки хитра способы, приемы, методы, хитрости. Цветное оргстекло акрил. Посмотрел, у меня другой паяльник, с керамическим нагревателем, и без термопары.

Там простейший регулятор внутри. Sign In Sign Up.


Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Расстояние между ножками составляет 1,27 мм, высота корпуса в 3 раза корпус для транзисторов с модификацией под цифровым обозначением

Primary Menu

By chudovishe12 , January 7, in Для начинающих. Добрый день! Есть 4-ре транзистора 2N в корпусе то-3 и два радиатора от ЦП,прокладок из слюды нет Чем заменить? Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Конденсаторы Panasonic. Часть 4. Полимеры — номенклатура.

6.04. Мощные транзисторы и отвод тепла

О компании. Сертификаты и Дипломы. Аналоги отечественных полупроводников. Шелохнёв Александр Введение В настоящее время производители аппаратуры стремятся к миниатюризации и более высокому КПД.

Теория и практика.

Транзистор

Что нового? Если это ваш первый визит, рекомендуем почитать справку по сайту. Для того, чтобы начать писать сообщения, Вам необходимо зарегистрироваться. Для просмотра сообщений регистрация не требуется. Забыли пароль?

Параметры и корпуса биполярных транзисторов

Пропускать максимальный постоянный ток в открытом состоянии — это очень редкий случай. В более общих случаях считается мощность, выделяемая на транзисторе, потом уже по тепловому сопротивлению junction to case и тепловому сопротивлению радиаторов, имеющихся в магазе, рассчитывается конечная температура. И да, я бы не советовал превышать градусов на транзисторах, а лучше 80, поскольку рядом могут находиться провода с плавящейся изоляцией или электролитические конденсаторы. А сам текстолит редко выдерживает более , но это уже в зависимости от сорта. Также, советую посмотреть график SOF safe operation area для транзистора. Нередко именно этот график ограничивает ток. А разве проволочки не находятся в жестком компаунде корпуса?

Расстояние между ножками составляет 1,27 мм, высота корпуса в 3 раза корпус для транзисторов с модификацией под цифровым обозначением

Заказ усилителя JLH от Николая — Часть 1

Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.

2.2.3 Корпуса транзисторов

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Силовые MOSFET транзисторы -30…100 В в корпусе SOT-23

Транзистор BSS, производства компании Fairchild, представляет собой маломощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором, способный длительное время выдерживать ток стока не менее мА при напряжении исток-сток до 50 В. Сопротивление его открытого канала не превышает 6 Ом уже при напряжении затвор-исток 4,5 В, обеспечивая при этом надежную и быструю коммутацию при управлении от логических микросхем серий CMOS и TTL. Благодаря пороговому напряжению 1,3 В, транзистор BSS отлично подходит для низковольтных слаботочных приложений на частотах до 1 МГц, таких как 3,3-вольтовые системы управления серводвигателями, силовые драйверы MOSFET-транзисторов, логические трансляторы и другие переключающие устройства. Каталог товаров О компании. Обратный звонок Ваше имя.

Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО

Электроника и электронный инструмент. Справочник параметров транзисторов.

Выговорится нужно Не так давно обокрали мой дом — унесли кучу всего, к удивлению — забрали даже самопальный усилитель и плетеные из моно жилы акустические провода В итоге у меня возникла такая пауза, что просто нет желания заниматься сборкой нового усилителя. Было это около пяти лет назад, так что помнить обо всех нюансах не могу. Спасибо ворам, что хоть колонки не забрали, которые делал два месяца, но оно и понятно — тяжелые они как гробы.

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы.


sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) — DJVU, страница 6

жимов Например, для режима ((кэь (эч (см рнс 2 3) теп човое сопротивление, КтВт, й,и „= (т„— ты))икэ,(ы Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением )(г = Якэ~!кь ()кэ~ !к ~)Я у Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред назначены лля работы в режимах с отсечкой коллекторного тока Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно оч чичаются от динамических режимов работы В лннамических режимах среднее напряжение эми г.гер-база должно быть запирающим Проведенные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позвояяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис 2 7 В ряде случаев параметры некоторыч элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутств) ют Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена Например, если не приволится эквивалентное ьлл Корпус Рис 2 7 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме СКЗ вЂ” активнвк емкость коллектора, СКЗ вЂ” асснвнае емкость «олче ора, СКЭ вЂ” емко н «оллекточьэмиттер, СЭ вЂ” емкость эмнттера С, С„С вЂ” емкости вывол относительно «ор.

Г 3 пука, У.»Э, Ьь. ЬК вЂ” инлуктивиссти слов змнттера, базм, «олпе ора соответственно, К вЂ” сопро зс ие базы, аз — по ело а с ьное сопротивление в Пепи эмиттсра, эквивалентное сопротивление «оллектора, Э вЂ” сонротивчснне эмнтмрното перекопа 32 ледовательное сопРотивление коллектора, то это означает малое послед влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе ристик, стики, и он может быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перех ерехода СВЧ мощных транзисторов включает в сеоя значения емк сзей металлизированных площадок в структуре транзистора и гкостей корпуса. То же относится и к понятию «емкость эмиттерного перехола» уснлителыеые свойства мощных высокочастотных линейных травзисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых основываются на использовании двухтонового сигнала, состопшего из двух гармонических сигналов Нелинейные свойства транзисторов в зточ случае оцениваются коэффициентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющимся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных составляющих спектра выходного сигнача (рис 2 8) к амплитуде основного тона.

Рис. 2.8. Вил спектра частот выхолного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих метолом лвухтонового сигнала !†юнов оя он У вЂ” б напнонпыс сосеввл юю е ре аее лорал а, 3 — коы. бюыа нные соса ааляюыае пят о па. рядка Ууу 26т Ге 6а Уба-тбг 26 гт Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в лике огибающей существует соотношение Рвы„ю Р.ыцп.,’г. Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала. В процессе монтажа транзисторов я схемы механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзистора При рихтовке, формовке и обрезке участок вывола у корпуса транзистора лолжен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (агзолятора) он не испытывал изгибающих илн растягивающих усилий.

Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода прн формовке должно быть не менее 2 мм, есяи в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода 2 Поаупровалннновыа проборы не бочее 0,5 мм радиус его изгиба должен быть ие менее 0,5 мм при диаметре от 0,6 до 1,0 мм — не менее 1 мм, при диаметре бочее 1,0 мм — не менее 1,5 мм Прн чу кении, пайке и монтаже транзисторов сзедует принимаю меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий В процессе выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изотятора) ло места зужения н пайли почжно бысть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не )казано иное Допускаетси пайка без теплоотвода и групповым методом есзи температура припоя не превышает (533 й 5)К, а время пайки не бо зее т с, ес ш в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное Очисгку печатных пзат от ф чюсов допускается производить жидкостями, не портящими покрытие, маркировку и матернач корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензиновая смесь) В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов н МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их ог воздействия статического э ектрнчества Способы защиты изложены в ОСТ !! аАО 336013-73 К числу вал нейших предупредитечьных мер относятся хорошее заземление оборудования и измеритечьных приборов, применение заземляющих браслетов (илн колец) межлу телом оператора и землей, антистатических ~ипатов, нспозьзование низковозьтных электропаяльников с заземленным жалом Транзисторы МДП почевые (кроме мошньж) хранят и транспортируют прн наличии эамыкателей на их выводах Замыкатечи удаляют только перед моментом включения (монтажа) транзистора в схему В момент пайки все выводы МДП транзистора доз.кны быть закорачены Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП полевых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус от попадания флюса и прнпоя Прп выборе лаков или компаунлов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора Прн пргзлзененин МДП полевых транзисторов во входных каскадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их за~питы от эчектрических перегрузок Для измерения параметров транзисторов промышленностью выпускается ряд измерительных приборов Наибольшее распространение дчя измерения параметров маломощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощиых— Л2-42 Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть использованы приборы типов Л2-32, ЛЗ-ЗВ, Л2-46 и Л2-48 Методы измерения основны~ электрических параметров транзисторов установлены государственными стандартами Для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2).

Часть вторая СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Разде з третий ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ и-р-и ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД Транзисторы германиевые сплавные и-р-и универсальные низкочастотные маломощные Прелназначены лля применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах в составе гибрилных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной констр>кцнй.

красная Фс, уб база колле унит мул, мбб, мус, муд бага Карнаробо чная сяочна 35 !8-55 20-60 40-120 40- 160 18 — 110 20- 120 40-240 40- 320 Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической пчате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД) Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе Масса транзистора иа керамической азате не бозес 0,8 г, с гиб. кими выводами не бочсе 0,5 г Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при 1ткв = 5 В, уз = 1 мА не менее ТМЗА, МЗА…………… 1,0 МГц ТМЗВ, ‘ГМЗГ, МЗВ, МЗГ…….

50 мг ТМЗД, МЗД . !О,О МГ 5,0 МГц Постоянная времени цепи обратной связи прп ьгкк = 5 В, !з = 1 мА, Г= 5 МГц пе более ТМЗА, МЗА…………… 3,0 нс ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗВ, МЗГ, МЗД….. 3,5 нс Статический козффидиент передачи тока в схеме с общим эмнттером прп !ткв = 1 В, уз = 10 мА при Т= 293 К ТМЗА, МЗА.

ТМЗВ, МЗВ. ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. при Т= 213 К ТМЗА, МЗА………….., 7 2 — 55 ТМЗВ, МЗВ…………… 8,0-60 ТМЗГ, МЗГ…………… 16-120 ТМЗД, МЗД………..,… 16-160 при Т= 346 К ТМЗА, МЗА ТМЗВ, МЗВ . ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. Граничное напряжение при уз = 5 мЛ не менее . Напряжение насыгцения ко ~лектор-эмиттер прп Iк = 1О мА, ук = 1 мА не ботев Напряжение насышения база-эмпттер при )н=!0 мА, уь = 1 мА не более Время рассасывания при 7„= 10 мА, Г= 1,5 кГц не более . Обратный ток коллектор-эмиттер прп !укз = 15 В, !уьз = = -0,5 В не бочее при Т= 293 К при Т= 346 К Обратный ток эмиттера прн !/вз = 15 В не более .

Емкость кочлекторного перехода при !Iкв = 5 В, Г= 5 МГц пе более . Емкость змнттерного перехода при !твз = 0,5 В,Г= 5 МГц не более . 15 В 0,5 В 1,0 В 2,5 мьс 20 мкА 150 мьА 20 мкА 35 пФ 70 пФ )5 В )5 В !О В !)остоянное напРяжение коллектор-эмиттер . !)остоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора (змиттера) при Т= 2)3+ 308 К. Импульсный ток коллектора (эмиттера) прн т, = !О мкс и средней рассеиваемой мощности, пе превышающей постоянную предельную рассеиваемую мощность . Постоянная рассеиваемая мощность при у=2!3+298 К Тепловое сопротивление переход-среда, Температура окРужающей среды 50 мА )ОО мА, 75 мВт 0,8 К/мвт От 2!3 до 346 К /В гМЯ Та,мл 0,5 0,3 О 01 О,г Ов 04 050„,0 а О,г 04 ОВ ОВ 100„0 Входные характеристики.

Входные характеристики. 1,В 0,9 О,В ‘ 1 г таВ872 ЯЯВ/ОО’ ‘!. ид Зз а,е ‘ О 1 г г 4 52„,//я Зависимость относительного статического коэффициента пе. Редачи тока от тока эмиттера. Зависимость относительного времени рассасывания от /к//в. 37 1,4 к 1,г т о,в о,в Предельные эксплуатационные данные 1,4 й1,0 во,В о,в Прнлзечани я ! При Т> 308 К ток коллектора (эмиттера) мА, рассчитывается по формуле (к(1э) = 2 )1358 — Т 2 При Т> 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле 2И~г и 0,9 ‘213 233 853 Зависимость относительного на пряжения насыщения коччекторэмиттер от температуры Зависимость относительного статического коэффициента пе.

редачи тока от температуры МП9А, МП10, МП10А, МП108э, МП11, МП11А зранзнсторы германиевые сплавные и-р-я усилительные низко частопзые с ненормированным (МП)0, МП)ОЛ, МП)ОБ, МП! ! МП! (А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на частоте ! кГц Предназначены дзя усиления снгназов низкой частоты Вып)слаются в металчостекчянном корпусе с гибкилзи выводазяз Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г Кздяек База Энивтлг Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при (гкк = 5 В, (э = 1 мА не менее МП9Л, МП)0, МП)ОА, МП)ОБ . ! МГп 38 1,9 1,2 1,0 .сч О,б 1,Я ‘й 11 10 *» а,з „-О,О Р,у 0,6 823293тТ,К ‘213838853гуунг313333тд 2 МГц 10 дБ 15-45 15 — 30 25 — 50 25-55 45 — 100 6 — 45 6 — 30 9 — 50 9-55 18 — 100 15 — 90 15 — 60 25-100 25-110 45-165 30 мьА ЗО мкА 50 мкА 30 мкА 30 мкА 150 Оч 2,5 мкСч 60 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 — 323 К МП9А, МП10, МП!1, МП1!А МП10Л, МП10Б .

при Т = З2З вЂ” З4З К МП9А, МП!0, МП11, МП11А МП!ОА, МП10Б . 15 В 30 В 10 В 20 В МП11, МП11А . Коэффициент шума при !зкь = 1,5 В, Т = 0,5 Г= 1 кГц МП9А не более Козффициснт передачи тока в режиме малого сигнала при ггьв — — 5 В, зэ = 1 мА, ~= 1 ьГц при Т= 293 К МП9А МП10, МП10А МП10Б МП11 . МП11А при Т= 213 К МП9А МП!0, МП10А МП10Б МП!1 . МП11А прц Т= 343 К МП9Л МП10, МП!ОА МП10Б МП11 . МП11А Обратный ток коллектор-зчиттер при Т= 293 К ие более МП9А, МП10, МП11, МП11А при !ткэ = 15 В ° МП1ОА при ‘!Укк=’30 В . МП10Б при бнв = 30 В .

Справочник — DataSheet

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
IКБО ICBO Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО IEBO Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭO ICEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭR ICER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭК ICES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭV ICEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭX ICEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK max IC max Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max   IB max Максимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и max ICM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и max IEM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКР Критический ток биполярного транзистора.
UКБО проб. U(BR) CBO Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб. U(BR) ЕBO Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб. U(BR) CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб. U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб. U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб.  U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб.  U(BR) CEX Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр  U(L) CEO Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк Upt  Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ нас UCE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ нас UBE sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ пл UEBfl Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ max UCB max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ max UCE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max  UEB max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и max UCEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и max UCBM max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср  PAV Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Pи PM Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK  PC Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ max Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Pвых Pout  Выходная мощность транзистора.
Pи max PM max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK max PC max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max  — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r rbb , rb Сопротивление базы.
 rКЭ нас rCE sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11б c11e, c11b Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22б c22e, c22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cк cc Емкость коллекторного перехода.
cэ c Емкость эмиттерного перехода.
fгр  fT Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmax fmax Максимальная частота генерации.
 fh31э , fh31б fh31e, fhfe ;fh31b, fhfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвкл ton Время включения.
 tвыкл toff  Время выключения.
tзд td Время задержки.
 tнр tr Время нарастания.
tрас t Время рассасывания.
 tсп t Время спада.
 h11э, h11б h11e, h11b;hie, hib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21б h21e, h21b;hfe, hfb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12б h12e, h12b;hre, hrb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22б h22e, h22b;hoe, hob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э| |h21e| Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Э h11E, hIE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э  H11E, HFE Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21Э Y21E  Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y11э, Y11б Y11e, Y11b;Yie, Yib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12б Y12e, Y12b;Yre, Yrb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21б Y21e, Y21b;Yfe, Yfb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22б Y22e, Y22b;Yoe, Yob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11к S11e, S11b, S11c; Sie, Sib, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12к S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22к S22e, S22b, S22c; Soe, Sob, Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21к S21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, Sfc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, р Gp Коэффициент усиления мощности.
GA, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Кш F Коэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск)  τc (r’bb Сc) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Tокр TA, Tamb Температура окружающей среды.
Tк Tc , Tcase Температура корпуса.
Tп Tj Температура перехода.
Rт, п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-к Rthjс Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-с Rthса Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-с τthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-к τthjс Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-с τthса Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

Транзисторы для строчной развертки телевизоров и мониторов

Существующие стандарты телевизионных разверток используют значение частоты, примерно равное 16 кГц. Системы телевидения высокой четкости (HDTV, ТВВЧ) используют вдвое большее значение (32 кГц). Причем в первом случае минимальный собственный период транзистора должен быть не менее 26 мкс, а во втором — не менее 13 мкс. Минимальные значения задержки включения для этих двух систем также определены и составляют соответственно 6,5 и 4 мкс. Задержку включения в конкретной схеме можно минимизировать, например, путем использования транзистора с максимальным отрицательным током базы (равным примерно половине тока коллектора). Отрицательное напряжение на базе при этом должно быть в пределах —2…—5 В.

Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.

Схему отклонения лучей можно считать разработаной удачно, если обеспечены высокий КПД и низкий уровень электромагнитного излучения, а также низка себестоимость.

Транзистор выходного каскада строчной развертки с высоким напряжением на коллекторе позволил бы при малом токе отклоняющих катушек уменьшить уровень собственных электромагнитных излучений, однако при этом вследствие повышенного напряжения питания в нем увеличились бы собственные потери.

Наличие большого тока в катушках строчного отклонения лучей позволяет использовать выходной транзистор с низким напряжением на коллекторе и, соответственно, пониженное напряжение питания всей схемы строчной развертки. Это дает выигрыш в минимизации потерь переключения, однако большой ток в катушках влечет за собой большие колебания электромагнитного поля и необходимость намотки катушек толстым проводом.

На практике в цепях строчной развертки применяют биполярные транзисторы с допустимым напряжением 1500В. Максимальное значение тока коллектора должно при этом находиться в пределах 2…8А, в зависимости от угла отклонения лучей кинескопа (90 или 110°), мощности высоковольтного источника питания и частоты отклонения.

В таблице приведены основные данные для транзисторов, используемых в устройствах строчной развертки телевизоров и мониторов:

ТранзисторМаксимальное напряжение
коллектор-эмиттер, В
Ток коллектора, АМощность, Вт КорпусВозможность использования
ТелевизорМонитор
BU505D
BU505DF
1500
1500
2
2
75
20
TO220АВ
SOT186
Черно-белый 14″
BU506D
BU506DF
1500
1500
3
3
100
20
Т0220АВ
SOT186
Цветной 90°, 14…17″
BU508AD
BU508ADF
1500
1500
4,5
4,5
125
125
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 21. ..25″
BU705D
BU705DF
1500
1500
2
2
75
29
SOT93A
SOT199
Черно-белый 14″
BU1508DX15004,535SOT186AЦветной 110°, 21…25″VGA 14″
BU2506DF15003,545SOT199Цветной 90°, 21″
BU2508AD
BU2508ADF
1500
1500
4,5
4,5
125
45
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 21. ..25″VGA 14″
BU2520AD
BU2520ADF
1500
1500
6
6
125
45
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 25…29″ SVGA 15… 17″
BU2525ADF1500860SOT199Цветной 110°, 25…29″SVGA 15…21″

Если в обозначении транзистора имеется буква D, то внутри транзистора имеется встроенный (демпфирующий) диод Шоттки.

Изолированные корпуса, позволяют устанавливать транзистор на радиатор без изолирующих прокладок, имеют в обозначении букву F.

Транзистор BU2508A спроектирован специально для выходных каскадов строчной развертки телевизоров: в нем минимизированы потери при переключении в сочетании с высоким коэффициентом усиления по мощности. Он допускает значительные изменения управляющего сигнала на базе и разброс сопротивлений нагрузки. Указанный транзистор можно с успехом использовать взамен транзисторов S2000А, 2SD1577, BU508A. Транзистор BU2508A имеет коэффициент усиления, равный 5, при токе коллектора 4А, тогда как BU2520A имеет такое же усиление, но при токе коллектора 6А. Это позволяет достигать больших мощностей от высоковольтных цепей, что в свою очередь позволяет получить высококонтрастные изображения.

Основные данные для транзисторов, используемых в выходных каскадах строчной развертки мониторов, также приведены в таблице.

В монохромных компьютерных мониторах с частотами строчной развертки 31,5… 48 кГц наиболее часто используется транзистор BU2508A.

В цветных мониторах SVGA с углом отклонения 90° чаще всего используется транзистор BU2520A, а в цветных телевизорах с крупногабаритными кинескопами (угол отклонения 110°) и мониторов с кинескопами от 15″ — транзистор BU2525A. Этот транзистор специально спроектирован для телевизоров высокого класса с экранами формата 16:9 и высоковольтным напряжением до 30кВ. Ток коллектора этого транзистора достигает 8А, а ток базы 1,6А.

На рисунке показаны стандартные корпуса, в которых выпускаются транзисторы для выходных каскадов строчной развертки телевизоров и мониторов, и их цоколевки:

Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов

Справочник по высоковольтным транзисторам PHILIPS для импульсных блоков питания на Времонт.su

Радиосхемы. — Отечественные СВЧ транзисторы. справочник

категория

Справочники радиолюбителя

материалы в категории

Современный уровень развития РЭА и ее элементной базы позволяет в настоящее время создавать полностью твердотельные УКВ ЧМ и телевизионные передатчики с выходной мощностью до 5 кВт [1,2]. Усилительные тракты на основе широкополосных транзисторных усилителей имеют ряд преимуществ по сравнению с ламповыми. Твердотельные передатчики более надежны, электробезопасны, удобны в эксплуатации и легче в производстве.

При блочно-модульной конструкции передатчика отказ одного из блоков оконечного усилителя не приводит к срыву эфирного вещания, поскольку передача будет продолжаться до замены блока, только с пониженной мощностью. Кроме того, широкополосный тракт транзисторного усилителя не требует дополнительной настройки на конкретный канал в пределах рабочей полосы частот[3].

Принято считать, что надежность передатчика зависит, прежде всего, от надежности применяемых активных компонентов. Благодаря применению современных мощных линейных СВЧ транзисторов, конструктивные особенности и технология изготовления которых обеспечивают существенное увеличение их времени наработки на отказ, вопрос повышения надежности твердотельных передатчиков получил принципиальное решение [4].

Растущие требования к техникоэкономическим показателям УКВ ЧМ и телевизионных мощных передатчиков, а также достигнутый уровень отечественной технологии в области создания мощных кремниевых биполярных транзисторов стимулировали развитие нового класса приборов — мощных линейных СВЧ транзисторов. НИИ электронной техники (г. Воронеж) разработал и выпускает их широкую номенклатуру для применения в метровом и дециметровом диапазонах волн.

Транзисторы специально рассчитаны на использование в мощных телевизионных и радиовещательных передатчиках, ретрансляторах, в частности, в телевизионных ретрансляторах с совместным усилением сигналов звука и изображения, а также в усилителях многоканального сигнала базовых станций сотовой системы связи [5]. Эти транзисторы отвечают чрезвычайно жестким требованиям к линейности передаточной характеристики, имеют запас по рассеиваемой мощности и, как следствие, повышенную надежность.

Конструктивно такие транзисторы выполнены в металло-керамических корпусах. Их внешний вид изображен на рис. 1 (показаны корпусы не всех упоминаемых в статье транзисторов; недостающие можно увидеть в статье [6]). Высокие линейные и частотные свойства транзисторных структур реализованы благодаря применению прецизионной изопланарной технологии. Диффузионные слои имеют субмикронную проектную норму. Ширина эмиттерных элементов топологии — около 1,5 мкм при чрезвычайно развитом их периметре.

В целях устранения отказов, вызванных вторичным электрическим и тепловым пробоем, транзисторную структуру формируют на кремниевом кристалле с двуслойным эпитаксиальным коллектором и использованием эмиттерных стабилизирующих резисторов. Долговременной надежностью транзисторы обязаны также применению многослойной металлизации на основе золота.

Линейные транзисторы с рассеиваемой мощностью более 50 Вт (за исключением КТ9116А, КТ9116Б, КТ9133А), как правило, имеют конструктивно встроенную LC-цепь согласования по входу, выполненную в виде микросборки на основе встроенного МДП-конденсатора и системы проволочных выводов. Внутренние цепи согласования позволяют расширить рабочую частотную полосу, упростить согласование по входу и выходу, а также повысить коэффициент усиления по мощности Кур в частотной полосе.

Вместе с тем эти транзисторы являются «балансными», что означает наличие на одном фланце двух идентичных транзисторных структур, объединенных общим эмиттером. Такое конструктивно-техническое решение позволяет уменьшить индуктивность вывода общего электрода и также способствует расширению частотной полосы и упрощению согласования.

При двухтактном включении балансных транзисторов потенциал их средней точки теоретически равен нулю, что соответствует условию искусственной «земли». Такое включение реально обеспечивает примерно четырехкратное увеличение выходного комплексного сопротивления по сравнению с однотактным при одинаковом уровне выходного сигнала и эффективное подавление четных гармонических составляющих в спектре полезного сигнала.

Хорошо известно, что качество телевизионного вещания, прежде всего, зависит от того, насколько линейна передаточная характеристика электронного тракта. Особенно остро вопрос линейности стоит при проектировании узлов совместного усиления сигналов изображения и звука ввиду появления в частотном спектре комбинационных составляющих. Поэтому был принят предложенный зарубежными специалистами трехтоновый метод оценки линейности передаточной характеристики отечественных транзисторов по уровню подавления комбинационной составляющей третьего порядка.

Метод основан на анализе реального телевизионного сигнала при соотношении уровней сигналов несущей частоты изображения -8 дБ. боковой частоты -16 дБ и несущей частоты звукового сопровождения -7 дБ относительно отдаваемой мощности в пике огибающей. Транзисторы для совместного усиления в зависимости от частотного и мощностного ряда должны обеспечивать значение коэффициента комбинационных составляющих МЗ, как правило, не более -53…-60 дБ.

Рассматриваемый класс СВЧ транзисторов с жесткой регламентацией подавления комбинационных составляющих за рубежом получил название суперлинейных транзисторов [7]. Следует отметить, что столь высокий уровень линейности обычно реализуем только в режиме класса А, где можно максимально провести режимную линеаризацию передаточной характеристики.

В метровом диапазоне, как видно из таблицы, имеется ряд транзисторов, представленный приборами КТ9116А, КТ91166, КТ9133А и КТ9173А с выходной пиковой мощностью Рвмх.пик соответственно 5,15, 30 и 50 Вт. В дециметровом диапазоне волн такой ряд представлен приборами КТ983А, КТ983Б, КТ983В, КТ9150Аи ПОЗ с РВВ1Х,ПИК, равной 0,5, 1,3,5, 8 и 25 Вт.

Суперлинейиые транзисторы обычно применяют в совместных усилителях (в режиме класса А) телевизионных ретрансляторов и модулях усилителей мощности передатчиков мощностью до 100 Вт.

Однако для выходных ступеней мощных передатчиков нужны более мощные транзисторы, обеспечивающие необходимый уровень верхней границы линейного динамического диапазона при работе в выгодном энергетическом режиме. Приемлемые нелинейные искажения на большом уровне сигнала могут быть получены применением раздельного усиления в режиме класса АВ.

Исходя из анализа теплофизических условий работы транзистора и особенностей формирования линейности однотонового сигнала, была специально разработана серия СВЧ транзисторов для режима работы в классе АВ. Линейность характеристики этих приборов по зарубежной методике оценивают по уровню компрессии (сжатия) коэффициента усиления по мощности однотонового сигнала — коэффициенту сжатия Ксж или иначе — определяют выходную мощность при некотором нормированном Ксж.

Для применения в метровом диапазоне волн в режиме класса АВ теперь есть транзисторы КТ9151А с выходной мощностью 200 Вт и транзисторы КТ9174А — 300 Вт. Для дециметрового диапазона разработаны транзисторы 2Т9155А, КТ9142А, 2Т9155Б, КТ9152А, 2Т9155В, КТ9182А с выходной мощностью от 15 до 150 Вт.

Впервые возможность создания модульных твердотельных передатчиков в дециметровом диапазоне с совместным усилением сигналов изображения и звукового сопровождения мощностью 100 Вт была продемонстрирована специалистами фирмы NEC [8]. Позднее и на отечественных мощных СВЧ транзисторах были созданы аналогичные передатчики 12, 9]. В частности, в [9] рассказано об оригинальных исследованиях по расширению области использования мощных транзисторов КТ9151А и КТ9152А при создании стоваттных модулей совместного усиления в режиме класса А. Показано, что в этом режиме возможно обеспечивать подавление комбинационных составляющих при недоиспользовании их мощности в 3…4 раза от номинальной в режиме класса АВ.

Специалистами Новосибирского государственного технического университета проведены исследования по применению отечественных мощных СВЧ транзисторов в модулях телевизионных усилителей мощности с раздельным усилением.

На рис. 2 представлена структурная схема усилителя мощности сигнала изображения для телевизионных каналов 1 — 5 с выходной пиковой мощностью 250 Вт. Усилитель выполнен по схеме раздельного усиления сигналов изображения и звука. Для каналов 6 — 12 усилитель выполняют по аналогичной схеме с добавлением промежуточной ступени на транзисторе КТ9116А, работающем в режиме класса А, для получения требуемого коэффициента усиления.

В выходной ступени транзисторы КТ9151А работают в классе АВ. Она собрана по балансно-двухтактной схеме. Это позволяет получить номинальную выходную мощность с довольно простыми согласующими цепями при полном отсутствии «фидерного эха» и уровне четных гармонических составляющих не более -35 дБ. Нелинейность амплитудной характеристики усилителя устанавливают при малом сигнале подборкой смещения рабочей точки в каждой ступени, а также корректировкой нелинейности в видеомодуляторе возбудителя.

Структурная схема усилителя мощности для телевизионных каналов 21 — 60 изображена на рис. 3. Выходная ступень усилителя выполнена также по балансно-двухтактной схеме.

Для обеспечения широкополосного согласования и перехода от несимметричной к симметричной нагрузке в выходных ступенях усилителей каналов 6 — 12 , 21 — 60 применен в качестве корректирующей цепи двухзвенный ФНЧ. Индуктивность первого звена согласующей цепи реализована в виде участков полосковых микролиний на элементах общей топологии печатной платы. Катушками второго звена служат выводы базы транзисторов.

Структура этих усилителей соответствует рис. 2 и 3. Разделение мощности на входе усилительных ступеней и ее сложение на их выходе, а также согласование входов и выходов со стандартной нагрузкой выполнено с помощью трехдецибельных направленных ответвителеи. Конструктивно каждый ответвитель выполнен в виде бифилярных обмоток (четвертьволновых линий) на каркасе, помещенном в экранирующий кожух.

Таким образом, современные отечественные линейные СВЧ транзисторы позволяют создавать мощные — до 250 Вт — модули телевизионных усилителей. Используя батареи таких модулей, можно доводить выходную мощность, отдаваемую в антенно-фидерный тракт, до 2 кВт. В составе передатчиков разработанные усилители отвечают всем современным требованиям на электрические характеристики и надежность.

Мощные линейные СВЧ транзисторы в последнее время начинают широко применять также и при построении усилителей мощности базовых станций сотовой системы связи.

По своему техническому уровню разработанные НИИЭТ мощные СВЧ линейные транзисторы могут быть использованы в качестве элементной базы для создания современной радиовещательной, телевизионной и другой народнохозяйственной и радиолюбительской аппаратуры.

Материал подготовили
А. Асессоров,В. Асессоров, В. Кожевников, С. Матвеев г. Воронеж 

ЛИТЕРАТУРА
1. Hlraoka К., FuJIwara S., IkegamI T. etc. Hig power all solid-state UHF transmitters.— NEC Pes. & Develop. 1985. to 79, p. 61 -69.
2. Асессоров В., Кожевников в., Косой А. Научный поиск российских инженеров. Тенденция развития мощных СВЧ транзисторов — Радио, 1994, № 6, с. 2,3.
3. Широкополосные радиопередающие устройства. Под ред. Алексеева О. А.— М.: Связь, 1978, с. 304.
4. FuJIwurdS., IkegamI Т., Maklagama I. etc. SS series solid-state television transmitter. —NEC Res. & Develop. 1989. № 94, p. 78—89.
5. Асессоров В., Кожевников В., Косой А. Тенденция развития мощных СВЧ транзисторов для применения в радиовещании, телевидении и средствах связи.
— Электронная промышленность. 1994. № 4, с. 76-80.
6. Асессоров В., Кожевников В.. Косой А. Новые транзисторы СВЧ. — Радио. 1996. № 5, с. 57. 58.
7. Миплер О. Суперлинейные мощные транзисторы дециметрового диапазона для проводного телевидения— ТИИЭР, 1970. т. 58. №7. с. 138—147.
8. Kojlwara Y., Hlrakuwa К., Sasaki К. etc UHF high power transistor amplifier with high-dielectric substrate. — NEC Res- & Develop. 1977. № 45, p. 50-57.
9. Гребенников А., Никифоров В., Рыжиков А. Мощные транзисторные усилительные модули для УКВ ЧМ и ТВ вещания.— Электросвязь. 1996, № 3, с. 28—31.

Источник: Радио, 1998 год, №3

Нефедов А.В. Аксенов А.И. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры | Библиотека

  • 20 сентября 2019 г. в 13:39
  • 903
  • Поделиться

  • Пожаловаться

Нефедов А.В. Аксенов А.И. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры

Нефедов А.В. Аксенов А.И. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры

Предисловие

В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и характеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии.

Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения биполярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители.

Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические параметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические параметры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения.

В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных транзисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области применения. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobllity Transistor) GaAIAs/ GaAs, широкого применения и специального назначения.

В четвертом разделе даны корпуса транзисторов.

В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисторов, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов.

В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной радиоэлектронной аппаратуре.

Скачать Отечественные транзисторы

×
  • ВКонтакте
  • Однокласники
  • Facebook
  • Twitter
  • Telegram
  • Pinterest

Справочник

    При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов
следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надёжность
радиоэлектронной аппаратуры может обеспечена только при учёте  таких факторов,
как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость
их параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в
процессе эксплуатации. Данные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных 
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов
и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах и температурных, и атмосферных, и вибрационных, и ударных, и скачков 
в питании, и различных излучений. Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу
радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные 
особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить условия
её эксплуатации и хранения.
Технические характеристики импортных биполярных транзисторов
 Тип структура  Uкэ В Iк А Uкб В  Uбэ В   Pвт   h31э  fмгц корпус 
 2DA1213  pnp  50  2  50  6  1 70-240  160  SOT-89  
 2N1131  pnp  50  0.6  35  5  0.6
 20-45  50  TO-39
 2N1479     npn  40 1.5     60  6   5    20-60      2  TO-39
 2N1480     npn     55 1.5     100  6       5  35-100   2     TO-39
 2N1481  npn  40 1.5  60  6    5  20-60   2  TO-39
 2N1482     npn  55    1.5  100  6    5  35-100      2  TO-39   
 2N1549  pnp    40 15      60  20  106  10-30     0.1  TO-3    
 2N1550  pnp     40 15      60  30  106  10-30  0.1  TO-3  
 2N1551  pnp  40 15   80      40  106  10-30  0.1  TO-3
 2N1552     pnp            100    15      100      50       106   10-30       0.1    TO-3      
 2N1553  pnp  40 15   40    20   106  30-60  0.1  TO-3
 2N1554   pnp  60 15   60   30  106  30-60  0.1  TO-3
 2N1555  pnp  80 15    80   40  106  30-60  0.1  TO-3
 2N1556  pnp  100 15  100    50  106  30-60  0.1  TO-3
 2N1557  pnp   40 15    40   20  106  50-100  0.1  TO-3
 2N1558  pnp  60 15   60   30  106  50-100  0.1  TO-3
 2N1559  pnp  80  15   80   40  106  50-100  0.1  TO-3
 2N1560  pnp  100  15   100    50  106  50-100  0.1   TO-3
 2N1613  npn  75  0.5   75   7   0.8  40-120  60 TO-39
 2N1711      npn            75       0.5     75      7           0.8   100-300   100   TO-39   
 2N1893  npn  120  0.5   120  7   0.8  40-120   70   TO-39
 2N2102  pnp  120   1   120  7    1  35-150  65  TO-39
 2N2218  npn   60  0.8    60  5   0.8  40-120  250   TO-39
 2N2219  npn   60  0.8    60    5   0.8  100-300  250  TO-39
 2N2220  npn   60  0.8    60  5   0.5   20-60  250  TO-18
 2N2221    npn    60  0.8    60   5   0.5   40-120  250   TO-18
 2N2222  npn   60  0.8    60  5   0.5  100-300  250   TO-18 
 2N2270  npn   60  1    60   7     1   50-200   100   TO-39 
 2N2297  npn    80  0.15    80   7    5   40-120    60  TO-39
 2N2369A    npn             40       0.2     40     5         0.36    40-120    500   ТО-18   
 2N2405  npn  120       1    120  7     1    60-200    120  TO-39
 2N2484     npn   60  0.05    60   6  0.36  100-500   15  TO-18
 2N2904  pnp   60   0.6    60      5   0.8   40-120   200  TO-39
 2N2905     pnp   60   0.6    60   5   0.8  100-300   200  TO-39 
 2N2906  pnp   60   0.6    60   5   0.4   40-120   200  TO-18
 2N2907  pnp   60      0.6     60      5      0.4  100-300   200  TO-18
 2N2923  npn   25   0.1     25   5 0.625   90-180    0.1  TO-92
       
 2N2924      npn             25       0.1     25      5       0.625  150-300     0.1  TO-92   
 2N2925   npn   25    0.1     25    5 0.625   235-470    0.1  TO-92
 2N3019   npn   140   1   140    7  0.8  100-300  100  TO-92
 2N3020  npn   80   1   140    7  0.8   40-120  100  TO-39
 2N3021   pnp    30   3    30   4  25   20-60   0.1  TO-3
 2N3022  pnp    45   3    45   4  25   20-60   0.1  TO-3
 2N3023  pnp   60   3    60   4  25   20-60   0.1  TO-3
 2N3024  pnp   30   3    30   4  25   50-180   0.1   TO-3 
 2N3025  pnp   45   3     45   4  25   50-180   0.1   TO-3
 2N3026   pnp  60   3    60    4  25   50-180   0.1  TO-3
Мощные транзисторы

подходят для стандартных пластиковых корпусов

Загрузите эту статью в формате PDF.

Мощные ВЧ-транзисторы обычно защищены довольно дорогими керамическими корпусами, чтобы защитить полупроводниковые микросхемы внутри как от окружающей среды, так и от перегрева. Однако несколько мощных радиочастотных транзисторов от NXP Semiconductors включают устройство мощностью 100 Вт в корпусе

.

Корпус ТО-220 и устройство мощностью 300 Вт в корпусе ТО-247, причем обе упаковки представляют собой стандартные пластиковые корпуса для удобства и простоты обращения (рис.1) . Транзисторы поддерживаются эталонными конструкциями, которые демонстрируют свою производительность в диапазоне частот от 1,8 до 250,0 МГц для приложений от ВЧ до УКВ.

1. Этот коллаж из различных примеров монтажа демонстрирует гибкость поставки MRF101AN и MRF300AN в стандартных пластиковых упаковках.

Мощные транзисторы основаны на технологии устройств с поперечной диффузией металл-оксид-полупроводник (LDMOS), производство которой поддерживается хорошо отработанными процедурами сборки.В отличие от большинства стандартных пластиковых корпусов, используемых для мощных радиочастотных транзисторов, которые должны быть прикреплены к печатной плате (PCB) с помощью точного процесса оплавления припоя, эти мощные транзисторы в пластиковом корпусе могут быть добавлены к печатной плате без экзотические или дорогие методы. Они могут быть собраны на печатной плате с использованием стандартной технологии сквозных отверстий для снижения стоимости. Использование стандартной упаковки позволяет вертикальный монтаж на схеме, что открывает новые и творческие способы достижения надлежащего теплоотвода.

Два мощных транзистора хорошо подходят для коммерческой связи, радиовещания и промышленно-научно-медицинских (ISM) приложений. Это модели MRF101AN с выходной мощностью 100 Вт в пластиковом корпусе TO-220 и MRF300AN с выходной мощностью 300 Вт в пластиковом корпусе TO-247. Фактически, MRF300AN был протестирован как часть эталонной схемы, обеспечивающей выходную мощность 330 Вт в непрерывном режиме на частоте 40,68 МГц, с коэффициентом усиления 28 дБ и эффективностью 79 % (рис.2) . Он спроектирован так, чтобы выдерживать такие серьезные несоответствия импеданса, как эквивалент КСВ 65,0:1.

2. Мощный LDMOS-транзистор MRF300AN обеспечивает выходную мощность более 300 Вт в импульсном или непрерывном режиме на частотах ISM-диапазона с высоким коэффициентом усиления.

Компактный размер 2 × 3 дюйма. Эталонные конструкции блока питания (5,1 × 7,1 см) на основе недорогого материала печатной платы доступны для демонстрации возможностей LDMOS-транзисторов в пластиковом корпусе на стандартных частотах приложений, таких как 27, 40.68, 81,36 и 230 МГц. Например, заменив некоторые катушки и дискретные компоненты и не меняя компоновку печатной платы, компоновку 40,68 МГц можно модифицировать для частот от 1,8 до 250,0 МГц, чтобы обеспечить быстрые циклы проектирования высокочастотных схем, таких как усилители мощности. Ожидается, что благодаря гибкости монтажа в таких пластиковых корпусах эти транзисторы откроют некоторые новые рынки, например, высокочастотные импульсные источники питания.

Транзисторы доступны в различных конфигурациях в пластиковой упаковке.Например, MRF101BN имеет обратную схему расположения выводов, что и MRF101AN, что позволяет упростить двухтактную схему питания с двумя транзисторами в корпусе. Устройства являются частью программы NXP Product Longevity Program, которая гарантирует доступность в течение 15 лет.

«ВЧ-мощность все чаще используется в новых приложениях, где важны простота использования, высокая производительность и универсальность, — говорит Пьер Пиль, старший директор и генеральный менеджер по ВЧ-мощности на нескольких рынках в NXP. «Мы продолжаем нашу миссию по упрощению использования радиочастотной энергии, предоставляя решения, которые минимизируют требования к конструкции, сокращают время выхода на рынок и упрощают цепочку поставок для наших клиентов.

NXP Semiconductors, High Tech Campus 60, 5656 AG Эйндховен, Нидерланды.

(PDF) Исследование пайки кремниевых чипов в корпусах мощных транзисторов

обеспечивает тепловое сопротивление 0,63 и 0,83 кВт (табл. 1) для чипов толщиной 260

,

и 460 мкм соответственно. Утончение чипа на 200 мкм приводит к снижению теплового сопротивления транзистора

на 0,2 К/Вт. Оба из

приведенных выше значений сопротивления ниже максимально допустимого предела

для устройства.Таким образом, можно сделать вывод, что кремниевые пластины не требуют серьезного утончения перед нарезкой.

Этот вывод можно подтвердить, оценив паразитное

электрическое сопротивление кремниевой микросхемы между активной областью транзистора

и припоем. Исследуемые транзисторы КТ-866 были синтезированы в эпитаксиальных слоях

на кремниевых пластинах непроводящего типа толщиной 0,45 мм с удельным электрическим сопротивлением

0,01 Ом·см. Электросопротивление чипов не-

утонченных 24 мм

2

было в пределах 0.002 Ом. Для сравнения, удельное электрическое сопротивление свинцово-серебряного припоя

составляет 21,4·10

−8

Ом·м[9], а электрическое сопротивление

толщиной 24 мм

2

Слой свинцового припоя составляет

0,045–0,09 Ом, что намного выше, чем у кремниевого чипа. Таким образом,

утончение кристалла для уменьшения паразитного электрического сопротивления оказывает незначительное

влияние на электрическое сопротивление между активной областью транзистора

и корпусом собранного устройства.

Утонение стружки оказывает незначительное влияние на электрическое сопротивление между

активной областью и корпусом устройства в сборе, а его

тепловое сопротивление остается в пределах допуска. Эффективность микросхем

утончена в меньшей степени для улучшения других параметров транзистора

, т.е. долговечность, требует дальнейшего изучения.

Резюме

Изучена установка микросхем кремниевого транзистора большой мощности КТ-866

с шлифованными обратными сторонами в позолоченные и никелированные металлические/керамические корпуса КТ-57

методом пайки припоями из металлических сплавов, не содержащих золота. .

Мы показываем, что оба режима пайки (в формьер-газе и в вакууме)

дают одинаковые результаты теплового сопротивления транзистора. Таким образом, шероховатость

шлифованной и металлизированной стороны металла стружки не оказывает ощутимого

влияния, так как полости шероховатости не содержат газовых включений

, препятствующих тепловому контакту.

Далее мы показываем, что флюс не требуется для пайки, если используется свинцово-серебряный припой

в сочетании с металлизацией обратной стороны микросхемы, что приводит к повышению долговечности транзистора.

Мы обнаружили, что приемлемое тепловое сопротивление транзистора может быть

достигнуто без значительного утончения пластин.

Использование свинцово-серебряного припоя вместо золото-кремниевого эвтектического

дает несколько лучшие результаты термостойкости, если применяется металлизация обратной стороны чипа

. Это в свою очередь позволяет перейти на технологии групповой пайки

и снизить расход золота на паяльные площадки.

Метод групповой пайки свинцово-серебряным припоем, разработанный в данной работе

, упрощает и удешевляет монтаж кремниевых приборов в корпусах

по сравнению с индивидуальной пайкой золото-кремниевым эвтектическим припоем

.

Мы также показываем, что дальнейшая экономия золота может быть достигнута, если

не использовать золочение корпусов транзисторов.

Ссылки

[1] В.С. Аносов, Д.В. Гомзиков, М.В. Пашков, Л.А. Сейдман, Р.И. Тычкин, В.М.

Фомин, Исследование метода пайки кремниевой матрицы с использованием эвтектического сплава Au-Si,

Электронная техника, сер. 2, Полупроводн, Полупроводниковые приборы =

Электронная техника, Серия. 2, Полупроводниковое устройство, нет.3, 2016, стр. 4–12. (в

рус.).

[2] В.С. Аносов, Д.В. Гомзиков, М.В. Гомзиков, Л.А. Сейдман, Р.И. Тычкин, В.М.

Фомин, Исследование установки кремниевых микросхем силовых транзисторов в позолоченных и никелированных корпусах из сплава ПСр 2,5

, Полупроводниковые приборы

= Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковый прибор. 4, 2016, стр. 4–10.

(на рус.).

[3] Indium #182 (80Au20Sn) паяльная паста [Indium #182 (80Au20Sn) паяльная паста].

URL: 〈http://www.ostec-materials.ru/materials/indium-182-80au20sn-pripoy-v-

vide-pasty.php〉 (дата обращения 23.12.16). (на рус.).

[4] Кондратюк Р. Припой 80Au20Sn – свойства и особенности применения // Электроника:

Наука, Технология, Бизнес. 10,

2015. С. 154–160.

[5] Р.С. Форман, Г. Миноуг, Основы пайки AuSn на уровне пластин, Chip Scale Rev.

8 (7) (2004) 55–59.

[6] Г. Миноуг, Р. Муллапуди, Новый подход к герметичным пластинчатым шкалам MEMS RF и

GaAs упаковки, CS ManTech, 2015. URL: 〈http://csmantech.org/OldSite/Digests/

2005/2005papers/9.3.pdf〉.

[7] Мухина Е. Технология обработки ультратонких полупроводниковых пластин // Электроника:

Наука. Технология. Бизнес. 3,

2009, стр. 80–81. (на рус.).

[8] Схема состояния двойных металлических систем: Справочник: В 3 т. 11, с.

. Бинарная диаграмма состояний металлов: Справочник: В 3-х томах. 3, книга 1, с. 872. (на рус.).

[9] ГОСТ 19738-74: Припои серебряные, марки [ГОСТ 19738-74: Припои серебро

. Типы]. (на рус.).

[10] Флюс гелевый индиевый (020В, 018, 025, 010, 007 и 012). URL: 〈http://www.ostec-

material.ru/materials/indium-flyus-geli-020v-018-025-010-007-i-012.php〉(дата доступа

, дата обращения 23.12.2019).2016). (на рус.).

[11] С. Валев, Вакуумная пайка в производстве силовой электроники, Современное решение для лабораторного производства

и крупносерийного производства, Силовая электроника = Power

Электрон. 9 (2006) 104–108 (In Russ.).

[12] А. Кантер, Вакуумная пайка – залог качественного паяного соединения // Технологии в

электронной промышленности. Электрон. Ind. 6 (2013) 30–33 (In Russ.),

http://budatec.ru/fileadmin/articles/Statja_vakuumnaja_paika.пдф.

[13] Chao Yuan, Bin Duan, Lan Li, Bofeng Shang, Xiaobing Luo, Улучшенная модель для

, прогнозирующая тепловое контактное сопротивление на границе жидкость-твердое тело, Int. Дж. Тепло. Масса

Трансф. 80 (2015) 398–406, http://dx.doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2014.

09.048.

[14] Р.С. Prasher, Основанное на реологии моделирование и проектирование полимерных тепловых интерфейсов с частицами

, в: Proceedings of the Ninth Intersociety Conference on

Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems, ITHERM’04,

Las Vegas (NV, USA), 2004, с.36–44. http://dx.doi.org/10.1109/ITHERM.2004.

1319151.

[15] ЧП Хопкинс, Тепловой перенос через твердые границы раздела с наноразмерными несовершенствами: эффекты шероховатости, беспорядка, дислокаций и связи на тепловой проводимости границы

, ISRN Mech. англ. (2013) 19, http://dx.doi.org/10.1155/2013/

682586 (статья № 682586).

[16] А.Ф. Керенцев, В.Л. Ланин, Конструктивно-технологические особенности МОП-транзисторов,

Силовая электроника = Power Electron.4 (2007) 100–104 (In Russ.).

[17] В.Л. Ланин, Л.П. Ануфриев, Крепление БТИЗ, Силовая электроника = Power

Электрон. 2 (2009) 94–99 (In Russ.).

В.С. Аносов и др. Современные электронные материалы 3 (2017) 117–121

121

KLA-Tencor | Фототранзистор с корпусом в сборе

Оборудование ClassOne будет доставлено через FedEx, UPS, DHL и/или выбранной транспортной компанией. Для более крупных товаров мы отправим через одну из наших партнерских транспортных компаний, которые имеют опыт при обращении с чувствительным оборудованием для производства полупроводников.

Все заказы отправляются EXW из Атланты, Джорджия, США. Доступность и время выполнения зависят от текущих условий и могут быть изменены в зависимости от по внутреннему запросу во время заказа. Мы оцениваем сроки отгрузки и доставки на основе наличие ваших запчастей, а также выбранные вами варианты доставки. Срочные заказы будут отправьте в тот же день, когда они были получены, если они получены до 14:30 по восточному времени. Для всех запрошенных срочных заказов взимается плата за ускорение. Все международные перевозки осуществляются на условиях EXW, а ввозные пошлины и налоги оплачиваются отдельно. ответственность покупателя.Оборудование ClassOne взимает налог с продаж за отправленные товары в CA, GA, MI, TX и MT.

Оборудование ClassOne предоставляет гарантию на все нерасходные детали в течение 90 дней (если не указано иное). Настоящая гарантия вступает в силу после документально подтвержденной поставки.

Настоящая гарантия не распространяется на дефекты, вызванные небрежностью, неправильной установкой, неправильным использованием, несанкционированным ремонтом, аварией или модификацией покупателем, а также повреждением во время транспортировки. Эта гарантия не распространяется на расходные материалы.Никакие другие гарантии, явные или подразумеваемые, установленные законом или иным образом, не предоставляются.

Для получения всей информации о возврате и разрешении (включая номер RMA) обращайтесь к оборудованию ClassOne по адресу: +1-770-808-8708 или [email protected]

Пожалуйста, подготовьте номер заказа на продажу или номер счета-фактуры, чтобы ускорить процесс возврата.

Обратите внимание на следующую важную информацию: (а) все возвраты должны включать все оригинальные, неповрежденные товары в их оригинальной упаковке; (b) все предметы должны быть в том же состоянии, в котором они были получены; (c) сборы за доставку и обработку не подлежат возврату; (d) покупатель несет ответственность за все расходы по обратной доставке (включая импортные/экспортные пошлины и налоги за международную доставку).

Возвращенные товары должны соответствовать стандартам проверки оборудования ClassOne для выдачи кредита.

Двойные биполярные транзисторы | Нексперия

DFN2020_6_СЕРИЯ Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 30 В, 60 В и 120 В; ток коллектора IC = 1 А и 2 А АКТ
ПБСС4112ПАН 120 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4112ПАНП 120 В, 1 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4130ПАН 30 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4130ПАНП 30 В, 1 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4160ПАН 60 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4160ПАНП 60 В, 1 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4160ПАНПС 60 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4160ПАНС 60 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4220ПАНС 20 В, 2 A Двойной транзистор NPN/NPN low VCEsat BISS Производство
ПБСС4230ПАН 30 В, 2 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4230ПАНП 30 В, 2 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4260ПАН 60 В, 2 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4260ПАНП 60 В, 2 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4260ПАНПС 60 В, 2 A Двойной транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4260ПАНС 60 В, 2 A Двойной транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
PBSS5112PAP 120 В, 1 A Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС5130ПАП 30 В, 1 A Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС5160ПАП 60 В, 1 А Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
PBSS5160PAPS 60 В, 1 А Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
PBSS5220PAPS 20 В, 2 A PNP/PNP с низким VCEsat (BISS), двойной транзистор Производство
ПБСС5230ПАП 30 В, 2 A Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
PBSS5255PAPS 55 В, 2 А PNP/PNP с низким VCEsat (BISS), двойной транзистор Производство
PBSS5255PAPS-Q 55 В, 2 А PNP/PNP с низким VCEsat (BISS), двойной транзистор Производство
PBSS5260PAP 60 В, 2 A Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
PBSS5260PAPS 60 В, 2 А PNP/PNP с низким VCEsat (BISS), двойной транзистор Производство
Биполярные транзисторы LFPAK Биполярные транзисторы LFPAK АКТ
PHPT610030NK Двойной биполярный транзистор большой мощности NPN/NPN Производство
PHPT610030NPK Двойной биполярный транзистор большой мощности NPN/PNP Производство
PHPT610030PK Мощный двойной биполярный транзистор PNP/PNP Производство
PHPT610035NK Двойной биполярный транзистор большой мощности NPN/NPN Производство
PHPT610035PK PNP/PNP согласованный двойной биполярный транзистор высокой мощности Производство
ПИМЗ2; ПУМЗ2 Двойные транзисторы общего назначения NPN/PNP АКТ
ПИМЗ2 Двойные транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
ПУМЗ2 Двойные транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
BC807DS Двойные транзисторы PNP/PNP общего назначения Производство
BC807RA 45 В, 500 мА Двойные транзисторы PNP/PNP общего назначения Производство
BC817DPN Транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC817DS Двойные транзисторы общего назначения NPN/NPN Производство
BC817RA 45 В, 500 мА Двойные транзисторы общего назначения NPN/NPN Производство
BC817RAPN 45 В, 500 мА Двойные транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
BC846BPN Транзистор общего назначения NPN/PNP 65 В, 100 мА Производство
БК846БПН-К Транзистор общего назначения NPN/PNP 65 В, 100 мА Производство
BC846BPNH 65 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC846BPNH-Q 65 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC846BS Транзистор общего назначения NPN/NPN 65 В, 100 мА Производство
БК846БС-К Транзистор общего назначения NPN/NPN 65 В, 100 мА Производство
BC846BSH 65 В, 100 мА NPN/NPN, двойной транзистор общего назначения Производство
BC846BSH-Q 65 В, 100 мА NPN/NPN, двойной транзистор общего назначения Производство
BC846DS Транзистор общего назначения NPN/NPN 65 В, 100 мА Производство
БК846С Двойной транзистор NPN общего назначения Производство
БК846С-К Двойной транзистор NPN общего назначения Производство
BC846SH 65 В, 100 мА NPN/NPN, двойной транзистор общего назначения Производство
БК846СХ-К 65 В, 100 мА NPN/NPN, двойной транзистор общего назначения Производство
BC847BPN 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
БК847БПН-К 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC847BPNH 45 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC847BPNH-Q 45 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC847BS 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
БК847БС-К 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
BC847BSH 45 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
BC847BSH-Q 45 В, 100 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
BC847BV Двойной транзистор NPN общего назначения Производство
BC847BVN Транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC847DS 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
BC847QAPN 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
BC847QAS Транзистор общего назначения NPN/NPN 45 В, 200 мА Производство
BC847RA 45 В, 100 мА Двойные транзисторы общего назначения NPN/NPN Производство
BC847RAPN 45 В, 100 мА Двойные транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
BC856BS 65 В, 100 мА Транзистор общего назначения PNP/PNP Производство
BC856BSH 65 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
BC856BSH-Q 65 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
БК856С 65 В, 100 мА Транзистор общего назначения PNP/PNP Производство
БК856С-К 65 В, 100 мА Транзистор общего назначения PNP/PNP Производство
BC856SH 65 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
БК856СХ-К 65 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
BC857BS Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
БК857БС-К Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
BC857BSH 45 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
BC857BSH-Q 45 В, 100 мА PNP/PNP, двойной транзистор общего назначения Производство
БК857БВ Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
BC857QAS 45 В, 100 мА Транзистор общего назначения PNP/PNP Производство
BC857RA 45 В, 100 мА Двойные транзисторы PNP/PNP общего назначения Производство
НМБ2227А Транзисторы общего назначения NPN/PNP 40 В, 600 мА Производство
ПБСС2515ВПН Транзистор NPN/PNP 15 В, низкий VCEsat Производство
ПБСС2515ВС 15 В, низкий VCEsat, двойной транзистор NPN Производство
ПБСС2515ИПН Транзистор NPN/PNP 15 В, низкий VCEsat Производство
ПБСС2515ИПН-К Транзистор NPN/PNP 15 В, низкий VCEsat Производство
ПБСС3515ВС 15 В, низкий VCEsat PNP, двойной транзистор Производство
ПБСС4140ДПН Транзистор NPN/PNP 40 В, низкий VCEsat Производство
ПБСС4160ДПН 60 В, 1 A Транзистор NPN/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4160ДС 60 В, 1 A Транзистор NPN/NPN с низким VCEsat (BISS) Производство
ПБСС4240ДПН Транзистор NPN/PNP 40 В, низкий VCEsat Производство
ПБСС5160ДС 60 В, 1 А Транзистор PNP/PNP с низким VCEsat (BISS) Производство
ПЭМТ1 Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
PEMX1 Двойной транзистор NPN общего назначения Производство
ПЭМЗ1 Транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
ПЭМЗ7 Транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство
ПИМТ1 Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
ПМБТ2222АЙС 40 В, 600 мА, двойной переключающий транзистор NPN Производство
ПМБТ2227АЙС-К 40 В, 600 мА, двойной переключающий транзистор NPN/PNP Производство
ПМБТ2907АЙС 60 В, 600 мА, двойной переключающий транзистор PNP Производство
ПМБТ3904РА 40 В, 200 мА, двойной переключающий транзистор NPN Производство
ПМБТ3904ВС 40 В, 200 мА Переключающий транзистор NPN/NPN Производство
ПМБТ3904ИС 40 В, 200 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/NPN Производство
ПМБТ3906ВС 40 В, 200 мА Переключающий транзистор PNP/PNP Производство
ПМБТ3906ИС 40 В, 200 мА PNP/PNP согласованные двойные транзисторы Производство
ПМБТ3946ВПН 40 В, 200 мА Переключающий транзистор NPN/PNP Производство
PMBT3946YPN 40 В, 200 мА Двойной транзистор общего назначения NPN/PNP Производство
ПМБТ4401ИС 40 В, 600 мА, двойной переключающий транзистор NPN Производство
ПМБТ4403ИС 40 В, 600 мА, двойной переключающий транзистор PNP Производство
ПУМТ1 Двойной транзистор PNP общего назначения Производство
ПУМХ1 Транзистор общего назначения NPN/NPN 40 В, 100 мА Производство
ПУМХ2 Двойные транзисторы общего назначения NPN/NPN Производство
ПУМЗ1 Транзисторы общего назначения NPN/PNP Производство

RCA CED Player Справочное руководство по диодам и транзисторам

RCA CED Player Справочное руководство по диодам и транзисторам

 

В приведенных ниже таблицах приведены перекрестные ссылки диодов и транзисторов проигрывателей RCA CED на их промышленные аналоги, аналоги NTE, TCE, ECG, Radio Shack и Jameco.NTE Electronics является дистрибьютором электроники, который предлагает широкий спектр микросхем, соответствующих номерам деталей конкретного производителя. Большинство диодов и транзисторов в проигрывателях CED являются обычными деталями в электронной промышленности, и некоторые из них можно приобрести менее чем за 10 центов каждый у Jameco Electronics.

RCA использовала множество разных номеров деталей для этих деталей, которые лишь немного отличались друг от друга. Целью этого было достижение общих производственных спецификаций в заданном диапазоне допусков.Но для целей ремонта, когда заменяется только одна деталь, универсальный промышленный диод или транзистор того же типа и стиля упаковки, что и оригинальная деталь, вероятно, будет работать очень хорошо. Вот почему так много разных номеров деталей RCA в таблицах ссылаются на одну и ту же стандартную деталь.

Для диодов общего назначения требуется только два типа замены: 1N4009 в корпусе DO-35 и 1N4007 в несколько большем корпусе DO-41.Светодиодами можно заменить почти любой светодиод в 5-мм корпусе T1.75, поэтому можно использовать разные цвета и даже мигающие светодиоды. Но варакторы и стабилитроны должны точно соответствовать оригинальной детали, поэтому эффект емкости или опорное напряжение замененной детали находится в пределах спецификации. Что касается транзисторов общего назначения, опять же есть две основные замены отраслевого стандарта: PN2222 для большинства транзисторов NPN в корпусе TO-92 и PN2907 для соответствующего биполярного типа PNP.Эти два транзистора на сегодняшний день являются наиболее распространенными, они используются несколько раз в любом данном проигрывателе, в то время как более экзотические транзисторы, такие как программируемые однопереходные защелки и защелки на эффекте Холла, используются только один или два раза.

Номера деталей со знаком «X» в столбце замены не имеют периода доступности перекрестных справочных данных, в то время как номера с пометкой N/A перечислены в справочниках по перекрестным ссылкам, но этот дистрибьютор не поставляет деталь. При нажатии на номера деталей со связанным текстом открывается таблица данных в формате PDF.

 

Схематические символы и функции:

 

Диод общего назначения
Диод можно рассматривать как клапан, который пропускает электрический ток в одном направлении, но не в другом. Эта характеристика используется для выпрямления или преобразования переменного тока в постоянный путем отсекания отрицательной части синусоидального сигнала переменного тока. Выводы диода — это анод и катод, а «стрелка» внутри символа диода указывает на катод, указывая на то, что ток течет в этом направлении, когда диод смещен в прямом направлении и проводит ток.

 

 

Светоизлучающий диод (LED)
Приведенный выше кремниевый диод общего назначения излучает избыточную энергию в виде тепла при проведении тока. Если используется другой полупроводниковый материал, такой как фосфид арсенида галлия, избыточная энергия может выделяться на более низкой длине волны, видимой человеческому глазу. Это состав светодиода, который с полупрозрачным корпусом используется в качестве долгоживущего светового индикатора в проигрывателях CED и в качестве инфракрасного передатчика в пультах CED.Светодиод (вместе с фототранзистором) также присутствует в сборке OS1 Photo Coupler, используемой в некоторых проигрывателях CED для приблизительного определения прошедшего времени, когда проигрыватель находится в режиме быстрого поиска.

 

 

Фотодиод
Фотодиод имеет область полупроводника, подверженную воздействию внешнего света, к которому он чувствителен. Фотодиоды работают с обратным смещением, что означает, что диод не проводит ток в обычном смысле, но всегда присутствует очень небольшой обратный ток утечки.Этот обратный ток минимален в полной темноте и увеличивается по мере того, как больше света падает на полупроводник. Фотодиоды, чувствительные к инфракрасному излучению, используются в качестве приемников сигналов в проигрывателях CED с ИК-пультами.

 

 

Диод Шоттки
В диодах Шоттки используется соединение полупроводника и металла, а не соединение полупроводникового материала «N» и «P», используемое в диоде общего назначения.Этот переход металл-полупроводник позволяет диодам Шоттки выпрямлять очень высокие частоты. Они используются в секциях ВЧ-выхода (канал 3/4) и ВЧ-входа (антенна) проигрывателей CED.

 

 

Варакторный диод
Варакторный диод на самом деле можно рассматривать как конденсатор с переменным напряжением, что объясняет символ конденсатора слева от символа диода, как RCA изображает варакторы на своих принципиальных схемах.Варакторы обычно использовались в устаревших аналоговых схемах настройки. В проигрывателях CED они используются в резонаторе звукоснимателя, в секции ввода ВЧ-модулятора и в секции настройки процессора OSD.

 

 

Стабилитрон
Стабилитроны характеризуются точным напряжением пробоя и используются для регулирования напряжения в узле схемы до этого точного значения. В проигрывателях CED они проявляются в регулировке питания и в регулировке мощности схемы гребенчатого фильтра.Два стабилитрона CED имеют напряжения 2,85 В и 5,8 В, которые не являются отраслевыми стандартами, но это не означает, что стандартные замены нельзя использовать. Стабилитроны обычно имеют допуск 5%, поэтому питание стабилитронов 2,8 В можно измерять до тех пор, пока не будет найден блок 2,85 В, и то же самое можно сделать с питанием стабилитронов 6,0 В.

 

 

NPN-транзистор
Транзисторы с биполярным переходом выполняют функцию усиления, когда небольшое переменное напряжение или ток, подаваемый на базу (вывод в левой части символа), пропорционально воспроизводится гораздо большим напряжением или током между выводами коллектора и эмиттера.Биполярный переход относится к многослойной конструкции полупроводника, в которой клин из материала «P» помещается между двумя клиньями из материала «N». В этой конструкции NPN небольшой ток базы управляет большим током, протекающим от коллектора к эмиттеру (вывод со стрелкой).

 

 

ПНП-транзистор
Подобно транзисторам NPN, PNP имеют клин из материала «N» между двумя клиньями из материала «P».В этой конструкции базовый ток регулирует больший ток, протекающий от эмиттера к коллектору, как показано стрелкой на выводе эмиттера. В проигрывателях CED транзисторы PNP используются реже, чем транзисторы типа NPN для функций усиления.

 

 

Фототранзистор
Как и фотодиод, фототранзистор чувствителен к свету, падающему на полупроводниковый материал через прозрачное окно.Фотодиоды обычно используются для быстрой световой связи (как в инфракрасных удаленных приемниках CED), в то время как фототранзисторы обычно используются для оптически изолированного управления током (например, реле, которые замыкаются, когда световой луч прерывается). В проигрывателях F/G CED фототранзистор является частью узла фотоэлемента OS1, и его нельзя легко обслуживать как отдельную деталь.

 

 

Защелка на эффекте Холла
Усиление транзистора на эффекте Холла, одного из наиболее интересных типов транзисторов, пропорционально внешнему магнитному полю.Под проигрывателем J/K CED стратегически расположены два HE, выход которых зависит от магнитных полей, генерируемых двигателем проигрывателя. Выходной сигнал защелки HE может быть высоким или низким в зависимости от положения поворотного стола, а объединенный выход двух защелок обеспечивает четыре возможности, соответствующие четырем фазам двигателя поворотного стола. Эта информация отправляется на микрокомпьютер механизма для незначительных корректировок скорости.

 

 

N-канальный полевой транзистор (JFET)
Полевые транзисторы на самом деле являются наиболее распространенным типом в проигрывателях CED, но они почти исключительно используются в интегральных схемах, таких как микросхемы микрокомпьютеров.Автономный полевой транзистор N-JFET в основном используется в цепи корректора импульсных помех (PIC), которая не позволяет внешним микроволнам в диапазоне 900 МГц мешать работе плеера. В N-JFET увеличение напряжения на выводе затвора уменьшает ток, протекающий между выводами истока и стока.

 

 

Однопереходный транзистор (UJT)
Однопереходный транзистор больше похож на диод, чем на транзистор, в том смысле, что напряжение на эмиттере (вывод со стрелкой) определяет, протекает ли ток от нижнего базового вывода (B1) к эмиттеру.Этот уровень напряжения называется пороговым, ниже него устройство отключается. UJT, используемый в звукоснимателе проигрывателей F / G CED, работает только при запуске, чтобы заблокировать генератор 915 МГц на заднем наклоне кривой отклика настроенной линии 910 МГц.

 

 

Программируемый однопереходный транзистор (PUT)
Конструктивно PUT похож на PNP-транзистор с добавлением второго «N» слоя кремния для формирования конструкции PNPN.Как и UJT, это устройство включения / выключения, служащее переключателем, а не усилителем. PUT является программируемым в том смысле, что вывод затвора (угловой) может быть настроен на запуск при запрограммированном напряжении путем смещения вывода с помощью двух внешних резисторов. PUT, используемый в звукоснимателе проигрывателей J / K, заменил UJT, использовавшийся в более ранних моделях, и выполняет ту же функцию.

 

Диоды плеера RCA:

RCA Артикул

Тип диода

Упаковка

Промышленность Экв.

НТЭ Респ.

Представитель TCE

ЭКГ* Респ.

Центр радиовещания

Представитель Jameco

119597

Общего назначения

D0-35

1N4009

SK9091

ЭПРА177

276-1122

Х

129095

Барьер Шоттки

D0-35

1N3011

SK9975

ЭПРА553

Н/Д

Х

141829

Зенер 2.85В

ДО-41

Х

Х

Х

Х

Х

Х

147015

Общего назначения

ДО-41

1N4007

SK5010A

ЭКГ125

276-1114 / РСУ11

7

36011

147943

Варактор

ДО-35

1С2209

SK3320

ЭПРА616

Н/Д

Х

148056

ИК-светодиод

Т1.75

110 турецких лир

СК2027А

ЭКГ3027

276-143

106526

149014

Красный светодиод, рассеянный

Т1,75

КС410Р

СК2020

ЭКГ3020

276-041

104248

149020

2-значный светодиод

16 PIN

935-1A23

Н/Д

Н/Д

Н/Д

Н/Д

Х

149033

Варактор

ДО-35

Х

Н/Д

Н/Д

Н/Д

Н/Д

Х

149042

Зенер 9.1В

D0-41

1N4739

СК9В1

ЭКГ139А

276-562

178837

150711

ИК фото

Т1,75

IRD500

SK10324

ЭКГ3033

276-142

112168

153342

ИК-светодиод

Т1.75

110 турецких лир

СК2027А

ЭКГ3027

276-143

106526

156030

Стабилитрон 5,8 В

D0-41

Х

Х

Х

Х

Х

Х

157629

Варактор

ТО-92

Х

Х

Х

Х

Х

Х

157630

Стабилитрон 10 В

ДО-41

1N4740

СК10В

ЭПРА140А

РСУ11

8

178845

157637

Красный светодиод Прозрачный

Т1.75

СК554Р

СК2025

ЭКГ3025

276-041

34745

159264

Общего назначения

D0-35

1N4009

SK9091

ЭПРА177

276-1122

Х

 

Транзисторы RCA Player:

RCA Артикул

Транзисторный

Упаковка

Промышленность Экв.

НТЭ Респ.

Представитель TCE

ЭКГ* Респ.

Центр радиовещания

Представитель Jameco

140076

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

140129

NPN Биполярный кремний

ТО-220

2SC1628

SK3199

ЭКГ188

РСУ12163325

25857

140130

PNP Биполярный кремний

ТО-220

2SA818

SK3200

ЭКГ189

РСУ11435013

25831

140979

NPN Биполярный кремний

ТО-220

2N5296 / 2N6122

SK3054

ЭПРА196

276-2020

33081

142190

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

142686

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

143793

NPN Биполярный кремний

ТО-92

2N2222

SK3444

ЭПРА123А

276-1617

38236

143794

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

145395

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

145410

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

145776

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

146847

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28644

148061

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28644

148070

N-канальный JFET

ТО-92

2SK161Y

SK9164

ЭПРА451

276-2062

26403

148996

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

149007

Однопереходный кремний

ТО-92

2N4870

SK9121

ЭКГ6410

Н/Д

Х

149040

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

149041

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

150247

N-канальный JFET

ТО-92

2SK161Y

SK9164

ЭПРА451

276-2062

26403

151326

NPN Биполярный кремний

ТО-92

2N4401/PN4401

СК3246А

ЭПРА229

276-2058

38421

153343

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

155882

PNP Биполярный кремний

ТО-220

2SA699A

SK3083

ЭПРА187

276-2027

33064

156262

Программируемый однопереходник

ТО-92

2N6027

SK3628

ЭКГ6402

Н/Д

Х

157631

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2222 / MPS2222A

SK3854

ECG123AP

276-2009

28628

157632

NPN Биполярный кремний

ТО-92

2N2222

SK3444

ЭПРА123А

276-1617

38236

157638

Защелка на эффекте Холла

СИП-3

Х

Х

Х

РСУ12035663

Х

157808

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

158289

NPN Биполярный кремний

ТО-220

2SC1628

SK3199

ЭКГ188

РСУ12163325

25857

159299

NPN Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

159300

PNP Биполярный кремний

ТО-92

PN2907 / MPS2907

SK3466

ЭПРА159

276-2023

28644

160694

NPN Биполярный кремний

ТО-92

2N2222

SK3444

ЭПРА123А

276-1617

38236

* 19 января 2001 г. НТЭ приобрела ЭКГ.Я оставляю замены ЭКГ в таблице, так как ЭКГ существует так долго, новые старые запасы с номерами ЭКГ будут продолжать появляться в течение некоторого времени.

——— Меню навигации ———CED Magic HomeSearch CED MagicRCA SelectaVision VideoDisc FAQUS CED Title DatabaseUK CED Title DatabaseВоспоминания о видеоDiscRCA VideoDisc VaporWare ListCED Digest Mailing ListПодпишите гостевую книгуRCA VideoDisc ClassifiedsCED Magic Chat RoomProductsFeatured CEDТехническая информацияCED MuseumSoftware ЗагрузкиCED ПроизводствоFanfare MoviesSelectaVision MusicРазная информацияСвязанные сайтыКонтакты CED Magic

Главная

Мадалина Фурис: Университет Вермонта


С помощью оптической накачки мы можем создать спин населенностей в полупроводниках, которые превращаются в спиновые поляризованный ток при приложении электрического поля.Если мы используем ферромагнитный сливной контакт для всасывания этих электронов мы видим, что дренируемый ток зависит от ориентации спина электронов относительно намагниченности стока. Иметь спиновая популяция, не параллельная намагничивание просто делает его более вероятным для электроны в токе отскакивают от границы раздела полупроводника и стока.

Исследование, проводимое доктором Фурисом (и С. А. Крукер, X. Лу, К. Адельманн, Д. Л. Смит, C. J. Palmstr∅m, P. A. Crowell) (пожалуйста, вставьте ссылка) объединяет все эти идеи в прототип (показан выше) для практического устройства (справа теперь устройства просто не практичны, потому что они требуют сильного холода [4 Кельвина] для работы): вращение транзистор.

Отрегулируйте магнитное поле и наблюдайте за электроном прецессировать, прежде чем они декогерентны. Отрегулировать напряжение и посмотреть, как это влияет на время релаксации и декогеренцию длина.

Стандартный транзистор — это просто электронное устройство. очень похоже на мини-переключатель. Он имеет как минимум три терминалы. Один терминал называется источником; электрический ток поступает от этой клеммы и переходит к сливному контакту, который всасывает Текущий.Третий терминал называется гейт , и контролирует ток, протекающий через два других за счет изменения количества свободных электронов , способных проводить электричество, вытягивая их из Текущий. Это делает ток больше или меньше, включение и выключение транзистора. Потянув за электроны вне тока берут работу и энергию.Транзисторы лежат в основе компьютерной техники. Компьютерные чипы составляют, по большей части, миллионы маленькие транзисторы, соединенные в логические схемы.

Спиновый транзистор уникален тем, что затвор работает. Ворота не управляются прикладным напряжение на электрическом контакте, как при обычном транзисторы.Вместо того, чтобы манипулировать количеством электронов в токе для управления выходом, мы теперь пытаемся использовать спиновую популяцию для управления выход на сток. Магнитное поле — это ворота который управляет током в устройстве. Поскольку ток через транзистор зависит от ориентация спиновой популяции и ориентацию спиновой популяции можно контролировать магнитным полем (через прецессию спина) мы можем использовать магнитное поле работать как ворота, модулируя ток между истоком и стоком.Одна великая вещь о спиновом транзисторе заключается в том, что для модуляции ток, мы ожидаем, что будет затрачено меньше энергии, в отличие от классического транзистора.

100 шт. пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Taiwan com Бизнес и промышленность Кронштейны и соединительные пластины

100 шт. пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Taiwan com

Нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань 100 шт. пластик, 100 шт. пластик Нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань, корпус держателя TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань 100 шт. пластиковый нейлоновый транзистор, для ссылка, не входит в комплект, Материал: нейлон 66, вес нетто около: 48 г, 100 шт., надеюсь, вы понимаете, например, 3, например 2, KSS на Тайване, корпус транзистора, Примечание: транзистор предназначен только для фото, последний стиль дизайна, Невероятный торговый рай, наслаждайтесь скидками и бесплатной доставкой!.

перейти к содержанию

100шт Пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань














100 шт. пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора ,Материал: Нейлон 66,Приблизительный вес нетто: 48 г,100 шт.,Надеюсь, вы понимаете,Например 3 Например 2,Состояние:: Новый: Совершенно новый,неиспользованный,неоткрытый,неповрежденный товар в оригинальной упаковке,где упаковка применимо, упаковка должна быть такой же, как и в розничном магазине, если только товар не изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерозничную упаковку, например, в коробку без надписей или полиэтиленовый пакет. Полную информацию см. В листинге продавца. См. все определения условий : Страна/регион производства: : Тайвань, Марка: : KSS: MPN: : TH-1V0, Модель: : TH-1V0: UPC: : Не применяется

100 шт. пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань

: Передняя велосипедная корзина Wald 139 (18 x 13 x 6.Женское длинное пальто с павлином — это куртка, которая спадает до голени чуть выше колена. Купить шерстяную бейсболку с ушным вкладышем Elmer Fudd Hat Зимняя теплая хлопковая подкладка унисекс 56-61 см: Покупайте головные уборы ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА. Возможен возврат покупок, соответствующих критериям . Идеальный подарок на любой случай, который, несомненно, произведет незабываемое впечатление. XX Large: спорт и активный отдых. Ножной браслет длиной 9 дюймов и другие ножные браслеты. Blue Oyster Cult 2 Музыка/Рок/Певица Хлопковая рубашка с круглым вырезом Футболка с короткими рукавами для мальчиков и девочек-подростков Классическая посадка Черный: одежда, 100-ваттная лампа накаливания средней мощности A19, бытовая лампа работает с светильниками 220 В только для определенных высоковольтных приложений, продукт идеально подходит для путешествий, ПОЖАЛУЙСТА, ОБРАТИТЕ ВНИМАНИЕ, что из-за световых эффектов.Может освободить ваши руки и обеспечить вам приятное путешествие. Купите худи Adapt Women’s Damn Gina Hoody: покупайте модные худи и толстовки ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА и возврат при соответствующих покупках, отличная прочность и грузоподъемность. Дата первого листинга: 16 февраля, Factory Effex (17-

-SS Набор графических изображений для ветрового стекла серии Skull: Automotive. Автомобильные коврики Classic Loop и коврики для багажника имеют оригинальное качество и изготовлены из устойчивого к выцветанию и пятен нейлонового ковра плотностью 20 унций, носки Cartoon Animal Socks) хорошая мода для вашего стиля, Материал: искусственная кожа (синтетическая кожа, а не натуральная кожа), ветчина и сыр длинное ведро песка брошьминиатюрныйминиатюрный.• Свяжитесь с нами, если вам нужно больше, чем указано в списке, ~ ♥ * Все мои товары в подарок — упакованы и готовы к подарку. Эти запонки выгравированы молекулой серотонина на красивом цельном зерне. Серьги-кисточки черного цвета с металлическими бусинами Сделано в Сиднее. Подкладка из простой белой ткани. черные и грязные пузыри янтарного и зеленого цвета, этот молоток не трескается и не раскалывается и легко удаляет гвозди. Вы получите [МГНОВЕННАЯ ЗАГРУЗКА], формат карты A6/формат открытки: 10 см x 15 см. Платья облегают грудь, имеют лиф с частичной подкладкой и купленную ленту.100 шт. Пластиковый нейлоновый держатель транзистора Корпус TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань: название партии или любой ваш пользовательский текст, я сделаю все возможное и позабочусь о том, чтобы полотенце соответствовало дизайну, обычно доставка осуществляется в течение 5 рабочих дней, 100-граммовый моток пряжи Big Value Twist Super Chunky Yarn от King Cole Wools Yarn состоит из 100% акрила премиум-класса, подходит для машинной стирки и прост в уходе. Маленький — размер круглой формы 10×5 дюймов — может вместить около 30 карт. Симпатичные японские кабошоны из смолы Kawaii Flat Back Размер: 15 мм * 15 мм Товар будет отправлен из США, ✿ КАК ПОДГОТОВИТЬ СТЕНУ ✿, мы вернем вам деньги за заказ или отправим замену.Наша корзина для пароварки и подставка для пароварки изготовлены из пищевой нержавеющей стали США 304, грузового фургона и Ford Transit Connect, а также из точных круглых нейлоновых струн из мононити, CHECK AMAZON’S ASIN Nº: B079QFNP7P***. : HIKERGARDEN Tent-8-Person-Camping-Tents, современная интерпретация классического вида фитнеса. этот продукт останется прочным после многих лет использования. Music City Metals 8801 Перекрестная горелка из нержавеющей стали для газовых грилей марки Swiss Grill — серебро: сад и на открытом воздухе. унций для разницы между разными цветами.Костюм пчеловода изготовлен из чистого хлопкового материала. Если вам предстоит большая работа и вы ищете определенный цвет, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы будем рады процитировать Prosper Plast POD37-R624 37 x 4. Фантастическое украшение для вашей вечеринки или банкета. Цвета будут Подобрали и отправили случайным образом, это достаточно просто для повседневного ношения. дождевики женские водонепроницаемые. Хороший рождественский подарок / подарок на Новый год / подарок на день рождения, БЕЗОПАСНО ДЛЯ ПОСУДОМОЕЧНОЙ МАШИНЫ: облегчает уборку. и станет отличным украшением для вашего дома, верх из кожи Wp и оцелота с обнаженной кровью для легкого входа, печатные синие чернила легко смываются с готовых проектов, пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора из 100 шт. TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань.


100 шт. Пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань





100шт пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Taiwan com Деловые и промышленные кронштейны и соединительные пластины100шт пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Taiwan com

100 шт. пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань

Новый 4-х комплектный утиный скотч для подрядчиков Фирменный клейкий скотч серебристого цвета 1.88 дюймов X 60 ярдов. 2010 Sailor 1911 Standard Profit Black F Fine Fountain Pen из 14-каратного золота для продажи онлайн. КОЛИЧЕСТВО!! Подробная информация о 1771-IAD SER.D 1771-IAD/D 120V AC/DC INPUT *NEW!. TWO Deli 15 Foot Swooper Feather Flag Sign. 100 шт. Пластиковый нейлоновый корпус держателя транзистора TH-1V0 Th2V0 TO-220 KSS Тайвань , Подробная информация о HAMPTON PRODUCTS 300302 VARISPEED 150, Arcotronics 1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.