Кремниевый фотодиод: Hamamatsu. Кремниевые фотодиоды

Содержание

Фотодиод кремниевый — Энциклопедия по машиностроению XXL

В последнее время ведущие фирмы США, Англии, Японии стали применять в считывателях перфолент и перфокарт кремниевые фотопреобразователи вместо фотодиодов и фототранзисторов.  [c.173]

Кремниевый лавинный фотодиод  [c.183]

Схема приемного устройства системы слежения показана на рис. 5.14. Квадрантный фотодетектор представляет собой высокочувствительный кремниевый фотодиод с квантовой эффективностью более 50%. Предварительные усилители 2 предназначены для уси-  [c.197]


Через некоторое время появились образцы телевизионных систем, в которых по лазерному лучу передавалось пять различных телевизионных изображений. В этих системах в качестве источника излучения использовался газовый лазер, работающий на волне 0,6328 мкм при излучаемой мощности всего в 8 мВт. В приемном устройстве применялся кремниевый фотодиод. Передача изображения велась на каналах 66.
..75, 76…S2, 182… 186, 198..-204,  [c.86]

Низкочастотные шумы выходного излучения гелий-неонового лазера коррелируют с шумами постоянного тока в разряде. Ге-лий-неоновый лазер с холодной эмиссией питался от источника постоянного тока с последовательным сопротивлением развязки 300 ком, включенным между источником питания и разрядной трубкой [2]. Шумы в световом пучке регистрировались кремниевым фотодиодом с постоянной времени, меньшей 1 мксек. Анализ корреляции сигналов фотодиода и разрядного тока показал, что шумы лазера можно объяснить токовыми шумами в разряде постоянного тока.  [c.462]

Кремниевый фотодиод с РШ-переходом в схеме с настроенным контуром [77].  [c.503]

Рис, 4Л4. Зависимость квантового выхода кремниевого фотодиода от длины волны и  [c.203]

Фотодиод без внешнего источника э.д.с., называемый вентильным фотоэлементом, осуществляет непосредственное преобразование энергии падающего излучения в электрическую энергию. Неравновесные электроны и дырки, образующиеся при поглощении света, пространственно разделяются в переходном слое (фото-э.д.с.), что приводит к возникновению тока во внешней цепи. Кремниевые фотоэлементы такого типа имеют высокий к.п.д. (14—16%) и используются в качестве источника энергии в солнечных батареях космических аппаратов.  

[c.466]

В середине 70-х гг. был опробован принципиально иной способ электронной установки выдержки в фотоаппаратах, имеющих систему ТТЛ его называют способом прямого (или динамического) измерения. Фотоприемник (безынерционный кремниевый фотодиод) внутри камеры направлен на кадровое окно (рис. 41, в). При нажатии на спуск поворачивается зеркало 16 камеры, затем трогается с места первая шторка 15, и в тот же момент конденсатор электронного затвора начинает заряжаться. Значение электрического сигнала определяется засветкой приемника  

[c.96]

Мозгом фотоаппарата / является электронный микропроцессор 12. Тактовые импульсы П для отмеривания автоматически устанавливаемой выдержки (п. 4.4), времени работы автоспуска и для других операций по управлению съемкой выдает кварцевый генератор/О ( частота импульсов 32 768 = 2 Гц). Сигналы от микропроцессора 12 поступают в вычислительный блок — большую интегральную схему 13, куда вводятся значения силы фототока от кремниевых фотодиодов 4 системы ТТЛ (они размещены рядом с пентапризмой 3 аппарата, см. п. 4.3) и выбранные фотографом значения диафрагмы 14, светочувствительности пленки 15 и ручной коррекции экспозиции 16 (т. е. возможной поправки к работе автоматики). Рассчитанное значение выдержки передается через тот же микропроцессор для исполнения приводом затвора 23 таким же образом передаются команды на запуск приставного электродвигателя 24 для транспортирования пленки (п. 5.2), на впечатывание в кадр данных о съемке 25 (п. 3.4).  

[c.119]


К достоинствам фотодиодов следует отнести линейность их характеристик в широком диапазоне освещенностей. Для кремниевых фотодиодов в диапазоне изменения фототока 10 нА. .. 10 мА люкс-амперные характеристики линейны при изменении освещенности на 8 порядков.  [c.108]

Детекторы в комбинации сцинтиллятор Сг1(Т1) -кремниевый фотоприемник имеют обобщенный квантовый выход QD около 0,8. Линейные фотодиоды имеют коэффициент шума 3 дБ при коэффициенте усиления  [c.108]

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра. Данные, представленные на рис. 4.18, говорят о том, что использовать ФЭУ в области длин волн, больших 0,9 мкм, нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода. В диапазоне 0,9…3 мкм наибольшее применение находят твердотельные фотодиоды кремниевые р/ -диоды, МОП-диоды, лавинные фотодиоды, а также фотодиоды на основе тройных соединений. На рис. 4.19 представлена спектральная зависимость квантовой чувствительности указанных типов фотодиодов [80]. Принцип действия фотодиодов основан на генерации свободных носителей заряда в обратносмещенно i рп-переходе [19]. Основные характеристики существующих фотодиодов представлены в табл. 4.8 [80]. Их сравнение показывает, что одновременно наибольшей чувствительностью и быстродействием в спектральной области 0,6…1,2 мкм обладают лавинные фотодетекторы, представляющие собой твердотельный аналог ФЭУ. Высокая чувствительность лавинных фотодиодов объясняется наличие м внутреннего усиления вследствие лавинообразного размножения свободных носителей в обедненной зоне рп-перехода под действием электрического поля высокой напряженности. По сравнению с ФЭУ прикладываемое к лавинному фотодиоду напряжение обратного смещения не велико (порядка 100 В), однако малые размеры обедненной зоны создают высокие напряженности электрического поля, обеспечивающие внутреннее усиление порядка 10 и более.  

[c.182]

Для фотоэлектрической пирометрии в области от 700 °С и выше предпочтительным детектором является фотоумножитель с фотокатодом типа 5-20. Его конкурентом служит кремниевый фотодиод, который хотя и обладает некоторыми преимущест-  [c.376]

Существуют два основных источника шума, появляющегося в выходном сигнале детектора шум самого детектора и флуктуации, присутствующие в тепловом излучении, которое попадает в детектор [58]. Ни один из них не ограничивает чувствительность фотоэлектрических пирометров в области выше 700 °С. Оба детектора (фотоумножитель и кремниевый фотодиод) могут быть использованы с временем усреднения, достаточно большим, чтобы снизить случайную погрешность из-за шума детектора и флуктуаций излучения до уровня в несколько миликельвинов в температурном эквиваленте.  [c.377]

Фотодиод германиевый [кремниевый ] — фотодиод монокристалли-ческой структуры, выполненный из примесных полупроводниковых материалов на основе германия (кремния) [4].  

[c.163]

Величина фото-э.д.с. существенно зависит от свойств используемого полупроводника и технологии изготовления. Для уменьшения флуктуаций темпового тока полезно охлаждение устройства. Широкое распространение получили германиевые и кремниевые фотодиоды. На рис. 8.28 приведены спектральные характеристики таких приемников света. Как видно, максимальная чувствительность германиевого фотодиода наблюдается в такой области длин волн (). iiK мкм), где использование фотоумножителей практически уже невозможно.  [c.443]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений.  

[c.288]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К).  [c.433]


ПП без модуляции потока излучения выпускаются двух типов полного излучения термоэлектрические (ППТ) и частичного излучения фотодиодные (ПЧД) (рис. 9,19). В преобразователях ППТ в качестве приемника излучения используется хромель-коиелевая тер-1Мобатарея из фольги. Для уменьшения погрешности, вызванной воздействием окружающей температуры, предусмотрена температурная компенсация. В преобразователях ПЧД в качестве приемника излучения используются германиевый (д-тя номинальной статической характеристики ДГ) и кремниевый (для номинальной статической характеристики ДК) фотодиоды. В преобразователях ПЧД-121 и ПЧД-131 фотодиоды ми кротермоста тированы.  
[c.346]

Второе основное требование к матрице фотодетекторов заключается в том, чтобы такую бездефектную матрицу можно было реализовать конструктивно при существующем уровне технологии. Современная полупроводниковая технология предоставляет нам такие возможности. В фирме Bell Laboratories разработана передающая трубка с матрицей, которая состоит из ООО отдельных дискретных кремниевых фотодиодов, укрепленных на одной пластине. Фирма LSI разработала матрицу, состоящую из 51 200 кремниевых фототранзисторов 125], используя метод многослойных соединений, в результате чего любой бит может быть считан примерно за микросекунду.  [c.436]

Поскольку разрешающая способность локатора определялась, главным образом, расходимостью лазерного луча, могла быть применена приемная оптика невысокого качества. Поэтому отраженное излучение собиралось линзой Френеля 5 диаметром 25,4 см н фокусным расстоянием 20 см. Фотодетектор 7 представлял собой кремниевый фотодиод диаметром 1 см. Для ослабления влияния фонового излучения перед ним был установлен интерфереицион-  

[c.254]

В качестве примеров укажем три фотодетектора АМ-излуче-ния со сверхвысокими частотами, которым уделялось большое внимание [73, 75—77] кремниевый фотодиод типа PIN с очень малой постоянной времени объемное фотосопротивление из dSe и лампа бегущей волны с фотокатодом (фото-ЛБВ).  [c.503]

В практике создания фотоэлектрических контрольных и измерительных устройств широко используются высокоомные германиевые и кремниевые фотоэлементы (фотодиоды и фототриоды). Недостатком фотодиодов является их невысокая чувствительность. Большую чувствительность имеют светочувствительные плоскостные полупроводниковые триоды (фототранзисторы). Основные характеристики фотодиодов и фототриодов представлены в табл. 38 и 39.  

[c.348]

Рпс. 4,13. Поверхностно-барьерный кремниевый ТСМПбратурОЙ В 10 рЗЗ. фотодиод. / — пленка золота толщиной -100 а ВесЬМа распространенны-  [c.202]

Квантовый выход этого приемника определяется числом пар —олектрон — дырка на фотон. На рис. 4.14 дана зависимость квантового выхода от длины волны и от энергии фотонов. Энергетичеокая чувствительность приемника при энергии фотонов до 10 эв почти постоянна, а при энергии фотонов, большей 10 эв, быстро возрастает. Видно, что особенно эффективно применение такого детектора для коротковолнового излучения квантовый выход для длинноволнового излучения очень мал. Применение кремниевого фотодиода в сочетании со слоем салицилата натрия энергетически не выгодно, так как  [c.202]

Фотодиодами называются преобразователи, в которых под воздействием лучистой энергии возникают электронно-дырочные пары, разделяемые р— -переходом и образующие фототок. Основными материалами для фотодиодов служат германий и кремний. Интегральная чувствительность фотодиодов может достигать 25—30 мА/лм. Кремниевые фотодиоды отличаются высокой стабильностью характеристик при изменении условий эксплуатации, малыми темновыми токами (следовательно, высоким порогом чувствительности), возможностью работы при больших обратных напряжениях. Германиевые фотодиоды обладают большей интегральной чувствительностью и более широкой, чем у кремниевых, спектральной характеристикой поглощения. Фотодиоды являются значительно более быстродействующими, чем фоторезисторы, и широко используются для приема модулированного по интенсивности излучения.  [c.205]

Оптрон (рис. 133) состоит из источника света 4, световода 2 и приемника света 1. В качестве приемника света используют кремниевый фотодиод, полученный в теле полупроводниковой подложки методом диффузии. Световодом служит селеновое стекло, напыленное на подложку. Источник света представляет собой светодиод, образованный напылением на селеновое стекло слоя арсепида галлия с последующим образованием в нем диффузионного р — п-перехода.  [c.227]

В 70-е гг. сернистокадмиевые фоторезисторы в фотоаппаратах высокого класса постепенно вытесняются кремниевыми фотодиодами, имеющими примерно такие же размеры светочувствительной площадки. По конструкции такой фотодиод похож на селеновый фотоэлемент (слой кремния, нанесенный на подложку, освещается через тонкую пленку окиси кремния), но используется чаще в схеме с внешним источником питания, которое требуется также для усилителя фототока (а усиливать приходится очень слабые токи — несколько пикоампер) и для других деталей электрической схемы. Фотодиод обес ечивает быстродействие до единиц микросекунд и линейную зависимость фототока от освещенности чувствительной площадки. Например, при изменении освещенности в 10 миллионов раз — от 0,001 до 10 ООО лк сила фототока растет пропорционально от 10″» до 10 А. Кремниевые фотодиоды первоначально использовались в солнечных батареях, они чувствительны не только к лучам видимой части спектра, но и к инфракрасным, поэтому в фотоаппаратах используются со специальными оптическими светофильтрами, задерживающими инфракрасные лучи.  [c.75]

В последние годы наряду с кремниевыми фотодиодами применяются арсенидо-фосфидо-галлиевые фотодиоды. По основным характеристикам они близки к кремниевым, но выгодно отличаются своей спектральной чувствительностью она зависит от соотношения частей арсенида и фосфида и ограничена видимой областью спектра, что позволяет обойтись без светофильтра перед фотодиодом.  [c.75]

Поскольку каждый из способов измерения яркости —-интегральный и детальный — имеет свои достоинства, на мировом рынке появились модели аппаратов, в которых предусмотрены оба эти способа, и фотограф по желанию может выбрать один из них. Например, в фотоаппарате Лейка Н4 (рис. 39, д, е) полупрозрачное поворотное зеркало отражает в видоискатель 70 % светового потока, а остальную часть пропускает к пластинке /шторным затвором, которая откидывается в момент съемки. Ребристая поверхность этой пластинки действует подобно линзе Френеля, но только не на пропускание света, а на отражение. Отраженный ею свет направляется к кремниевому фотодиоду 6, перед которым располагаются сменные светоограиичителн 14. Если установлен светоограничитель в виде трубки, то на фотоприемник попадает свет от всей площади кадра (рис. 39, д). Но если с помощью специального переключателя установить перед фотоприемником светоограничитель с линзой, то получается детальное измерение (рис. 39. е).  [c.90]


Позади одного окна находится источник инфракрасного излучения, позади другого — приемник (кремниевый фотодиод). При предварительном нажатии на спуск фокусируемый объект (в центре поля зрения видоискателя) освещается узким параллельным пучком инфракрасных лучей, а фото-приемник смещается в направлении базы дальномера, пока на нем не сфокусируется отраженный от объекта пучок. Это смещение определяется расстоянием до объекта, так как учитывает параллактический угол а (рис. 44,6), который зависит от удаленности объекта. Одновременно и объектив фотоаппарата 1 2,8/38 мм (на рисунке не показан) смещается в положение, обеспечивающее резкость изображения (в диапазоне от 0,9 м до бесконечности ) Затем фотограф может скомпоновать кадр и сделать снимок окончательным нажатием на спуск.  [c.102]

I — фокусируемый объектив 2 — коллективная линза видоискателя 3 сигналы фокусировки (стрелки и марка) в поле зрения видоискателя 4 — поворотное зеркало 5 — дополнительное поворотное зеркало 6 — автофокусировочный модуль 7 — светофильтр, поглощающий инфракрасный свет 8— светоделитель 9 — линейки (Л и Б) кремниевых фотодиодов (расположены перпендикулярно плоскости рисунка) 10 — электродвигатель  [c.106]

В наиболее соверщенных моделях фотоаппаратов Поляроид и Кодак для одноступенного процесса широко использованы достижения современной фототехники электронные затворы с кремниевыми фотодиодами, автомати ческая установка экспозиции при съемках с импульсными лампами, встроенные электродвигатели для выполнения различных установочных операций, а в фотоаппарате Поляроид SX70 Альфа — система автоматической фокусировки (ультразвуковой локатор).  [c.116]

С фотоаппаратом-сопрягается мощная импульсная лампа-вспышка 7. При установке лампы-вспышки в направляющие полозки обоймы на фотоаппарате замыкаются контакты цепи синхронизации 8 (обеспечивающие вспышку в момент полного открытия кадра) и дополнительной цепи 9 (для передачи в фотоаппарат сигнала готовности вспышки при полном заряде ее конденсатора). Одновременно автоматически устанавливается выдержка X (1/100 с), соответствующая гголному открытию кадра при работе фокального (шторного) затвора. Часто используется лампа-вспышка с цепью автоматического прерывания разряда (см. п. 4.5), причем кремниевый фотодиод 6 этой цепи расположен внутри камеры 1 и воспринимает свет, отраженный от фотопленки 5. Благодаря этому при дозировании длительности у вспышк учитываются значения диафрагмы объектива 2, -кратности светофильтра и т. п., т. е. используются пре- имущества систем ТТ/1.  [c.119]

Цифровая радиоскопия с использованием дискретных детекторов. Детекторы. Современные линейные матрицы радиационных преобразователей используют такие детекторы, как газовые ионизационные камеры, подключенные к малошумящим усилителям, сцин-тилляционные кристаллы, сочлененные с ФЭУ или фотодиодом. Важными характеристиками таких детекторов являются низкий уровень собственного шума и крутой фронт выходного сигнала (без большого послесвечения при использовании твердотельных кристаллов). Сцин-тилляционные кристаллы должны иметь достаточно большой световой выход, согласованный по спектру с входом светового детектора. С учетом ограничений по габаритам и стоимости кремниевые фотодиоды являются наиболее часто используемыми в качестве световых детекторов. Сцинтилляционные кристаллы, сочлененные с такими световыми детекторами, должны иметь световы-ход со спектром, смещенным в красную сторону.  [c.98]

У рассматриваемых детекторов в качестве фотоприемников используют ФЭУ, кремниевые фотодиоды (по-верхносто-барьерные, диффузионные, лавинные и др.), фототранзисторы и т.п.  [c.108]


Кремниевый фотодиод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Кремниевый фотодиод

Cтраница 1

Кремниевые фотодиоды являются хорошими фотоприемниками, однако для получения выходных сигналов требуемой амплитуды необходимо дополнять фотодиод усилителем. Повышать коэффициент усиления путем использования внешних по отношению к корпусу оптрона элементов неэффективно, так как увеличиваются габариты системы.  [1]

Кремниевые фотодиоды и фототранзисторы имеют максимум чувствительности при длине волны порядка 0 9 мкм и границу чувствительности при 1 1 мкм.  [3]

Кремниевые фотодиоды не вполне пригодны для более длинноволнового диапазона 1300 нм и 1550 нм. Фотодиод pin — типа на основе InGaAs имеет достаточно широкую область высокой чувствительности. Данный материал не образует ярко выраженный пик на кривой чувствительности, как кремний. В диапазоне от 900 до 1650 нм его чувствительность не опускается ниже 0.5 А / Вт, что позволяет использовать его как для длины волны 1300 нм, так и для 1550 нм. На рис. 9.4 представлены типичные кривые чувствительности для различных фотодиодов.  [4]

Кремниевые фотодиоды могут работать при изменении температуры окружающей среды в пределах от — 60 до 80 С. Кремниевые фотогенераторы применяются, в частности, для преобразования солнечной энергии в электрическую.  [6]

Кремниевые фотодиоды имеют малый темновой ток ( при температуре 100 С темновой ток не превышает 3 мка), однако чувствительность их в 5 — 10 раз меньше по сравнению с германиевыми фотодиодами.  [8]

Кремниевые фотодиоды могут хорошо работать без термостати-рования в большом диапазоне изменения окружающей температуры.  [9]

Кремниевые фотодиоды являются хорошими фотоприемниками, однако для получения выходных сигналов требуемой амплитуды необходимо дополнять фотодиод усилителем. Повышать коэффициент усиления путем использования внешних по отношению к корпусу оптопары элементов неэффективно, так как увеличиваются габариты схемы.  [10]

Обычно кремниевые фотодиоды применяют в комбинации с фильтрами.  [11]

Поверхностно-барьерные кремниевые фотодиоды могут работать в диапазоне 0 4 — 1 0 мк, имеют диаметр активной области 140 мк, R3KB 600 ом, М 1 и относительно просты в изготовлении.  [13]

У кремниевых фотодиодов со структурой p — i — rt — типа высокий квантовый выход в широком диапазоне волн ( см. рис. 7.15), а чувствительность зависит от толщины ( — области. В видимой и ближней инфракрасной областях электромагнитного спектра, примерно до Я1 мкм, высокие значения параметров у кремниевых фотодиодов, а в области длин волн 0 8 — 1 5 мкм — у германиевых с p — n — переходом и лавинных со структурой p — i-гг-типа.  [14]

Чувствительность кремниевых фотодиодов равна 3 мА / лм, германиевых — 20 мА / лм, сернисто-серебряных — 10 — 15 мА / лм. Фотодиоды обладают значительной инерционностью из-за конечного времени диффузии носителей заряда к p — n — переходу и прохождения их через область объемного заряда в p — n — переходе. Кроме того, на инерционность влияет также время зарядки емкости p — n — перехода. Частотные характеристики фотодиодов зависят от материалов, из которых они выполнены, а также от толщины и площади p — n — перехода.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Швабе — Пресс-центр — Новости


Холдинг «Швабе» запатентовал усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода, функционирующего в приборе в режиме датчика. Она обеспечивает повышение стабильности работы как на уровне каждой рабочей площадки фотоприемника, так и устройства в целом.

Оригинальная конструкция планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода была разработана сотрудниками предприятия Холдинга — ОАО «Швабе-Фотосистемы». Данное устройство играет роль датчика в сканирующей системе отображения рельефа местности при низком уровне освещенности. Подобные сканеры устанавливаются на различные летательные и космические аппараты.

«Модернизация конструкции позволила нам существенно улучшить работу фотодиода. Мы уменьшили уровень темнового тока в устройстве, как в нормальных условиях, так и при повышенных температурах. Помимо этого нам удалось снизить неравномерность этих параметров по различным площадкам изделия. В результате возрос показатель стабильности работы фотодиода в целом», — рассказал генеральный директор ОАО «Швабе-Фотосистемы» Анатолий Филачев.

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод относится к полупроводниковым приборам, чувствительным в видимой и ближней инфракрасной области спектра (0,4-1,2 мкм). Отличительной особенностью новинки является единое охранное кольцо между отдельными рабочими площадками фотоприемного устройства. Данный компонент в изделии препятствует носителям заряда, генерированным на периферии кристалла, достигать границы полупроводниковых областей фотоприемника и увеличивать темновой ток (прим.: ток, проходящий через фотоэлемент в отсутствии облучения). 

В Холдинге «Швабе» на разработке и изготовлении инфракрасных оптических приборов, систем ночного видения, инфракрасных тепловизионных фотоприемников и фотоприемных устройств, инфракрасных датчиков также специализируются такие предприятия, как АО «Производственное объединение «Уральский оптико-механический завод» имени Э.С. Яламова», АО «Швабе-Фотоприбор» и другие.

Источник: Пресс-релиз

Радиосхемы. — Кремниевые фотодиоды справочник

категория

Справочники радиолюбителя

материалы в категории

Кремниевые фотодиоды предназначены для использования в качестве приемников инфракрасного излучения в составе оптических датчиков. Их применяют в системах фотоэлектрической автоматики, в устройствах бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программноуправляемого оборудования, работающих на длине волны излучения в пределах 0,5… 1,12 мкм. Собственно приемником фотодиода служит его р-п переход. Под действием излучения ВАХ перехода существенно изменяется.

Фотодиоды могут содержать один фоточувствительный элемент, два (ФД-20-З0К), четыре (ФД-19КК) и более. Фоточувствительное поле фотодиода ФД-246 разделено на 12 (или 64) элементов. Это позволяет снимать выходной сигнал в шестиразрядном коде Грея. Геометрическая форма и размеры элементов также могут быть различными.

В качестве входного окна у фотодиода ФД-К-227 использован иммерсионный конус, у ФД-252 и ФД-252-1 — световод. Входное окно прибора ФД-20 З0К не имеет защитного прозрачного «стекла».

Фотодиоды выпускают в герметичном металлостеклянном корпусе разной конструкции. Плюсовой вывод прибора маркируют либо точкой контрастного цвета на корпусе, либо отрезком цветной ПВХ трубки на проволочном выводе. При отсутствии меток плюсовым является более длинный вывод.

  

Приборы работают в двух электрических режимах — с внешним смещением и без смещения. В первом из них фотодиод обеспечивает высокую токовую монохроматическую чувствительность, во втором — высокую обнаружительную способность.

Основные размеры, цоколевка и спектральные характеристики чувствительности кремниевых фотодиодов представлены на рис. 1-23. Основные технические характеристики приборов сведены в табл. 1. Прочерки в таблице означают, что у соответствующего прибора прочеркнутые параметры по техническим условиям не нормированы.

Основные параметры фотодиодов, их размерность и определения (по ГОСТ 21934-83)

Область спектральной чувствительности, мкм — интервал длины волны спектральной характеристики, в котором чувствительность приемника излучения превышает 10 % максимального значения.

Длина волны максимума спектральной чувствительности, мкм-длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.

Рабочее напряжение. В — постоянное напряжение, приложенное к приемнику, при котором обеспечены номинальные значения параметров при длительной работе.

Темповой ток, А — ток, протекающий через приемник излучения при заданном напряжении на нем в отсутствие потока излучения.

Фототок (ток фотосигнала), А — ток, протекающий через приемник при указанном напряжении на нем, обусловленный воздействием потока излучения.

Интегральная чувствительность по току, А/лм — отношение фототока к мощности потока излучения (заданного спектрального состава), вызвавшего появление фототока.

Порог чувствительности, Вт — среднееквадратическое значение первой гармоники действующего на приемник модулированного потока измерения с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратическое значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратиче-скому значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

Порог чувствительности в единичной частотной полосе, ВгПц (или лмлГГц) -порог чувствительности приемника излучения, приведенный к единичной частотной полосе усилителя.

Коэффициент фотоэлектрической связи, % (или отн. ед.) — отношение значения напряжения (тока) фотосигнала неосвещенного (необлучаемого) фоточувствительного элемента, расположенного рядом с освещенным (облучаемым), к значению напряжения (тока) фотосигнала освещенного (для многоэлементных приемников излучения).

Обнаружительная способность, Вт~’ — величина, обратная порогу чувствительности.

Плоский угол зрения (2в), град. — угол в нормальной фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение (ток) фотосигнала приемника излучения уменьшается до заданного уровня.

В табл. 1 среди прочих есть параметр «постоянная времени приемника излучения, с», отсутствующий в ГОСТ21934-83. В ведомственной нормали этот параметр определен как время с начала воздействия на фотоприемник прямоугольного импульса оптического излучения до момента, когда напряжение фотосигнала достигнет значения, равного 1 — 1/е от максимального значения (см. книгу Аксененко М. Д., Бараночникова М. Я, Смолина О. В. Микроэлектронные фотоприемные устройства. — М.: Энергоатомиздат, 1984, с. 137).

Постоянная времени т определяет значение верхней граничной частоты воспроизведения импульсного сигнала, модулирующего поток излучения: Fв.rp° 1/2πт(если т-в секундах, то частота Fв.rp — в герцах).

Фотодиод ФД-9К (рис. 7,а) выпускают в двух модификациях — с размерами фоточувствительнсто элемента 4,4×4,4 мм или 5,6×5,6 мм. Рабочее поле прибора ФД-20-ЗЗК (рис. 15,а) составлено из двух пар фоточувствительных элементов размерами 0,3×1,4 мм и 0,4×1,4 мм.

Приборы ФД-246 оформлены в унифицированном металлическом корпусе (рис. 20) с числом выводов, соответствующим числу фоточувствительных элементов. Выводы фотодиодов ФД-7К, ФД-9К, ФД-17К, ФД-18К, ФД-24К выполнены в виде плоских лепестков с отверстием для пайки проводников. У фотодиодов ФД-6К, ФД-8К, ФД-10К, ФД-21-КП, ФД-23К, ФД-25К, ФД-26К, ФД-27К, ФД-28КП, ФД-К-155, ФД-К-227, ФД-256 выводы гибкие, многопроволочные.

Фотодиоды ФД-11 (рис. 8) выпускают как с многопроволочными гибкими, так и с однопроволочными выводами. У фотодиодов ФДК-1 и ФДК-1 в (рис. 1) плюсовой вывод свит из двух проволок. Приборы некоторых типов (например, ФД-28КП. рис. 17,а) имеют дополнительный вывод от корпуса-экрана.

На графиках спектральных характеристик заштрихована зона технологического разброса.

Кремниевые фотодиоды способны работать в весьма широких пределах эксплуатационных параметров. Значения этих параметров представлены в табл. 2.

В заключение заметим, что в процессе серийного производства приборов в техническую документацию вносят множество изменений и уточнений, касающихся электрических характеристик и эксплуатационных режимов. Поэтому указанную выше информацию следует использовать для предварительного выбора прибора того или иного типа, после чего необходимо обратиться к техническим условиям на него.

ЛИТЕРАТУРА

1. Аксененко М. Д., Бараночников М. Л. Приемники оптического излучения. Справочник. — М.: Радио и связь, 1987.
2. Аксененко М, Д., Бараночников М. Л., Смолин О. В. Микроэлектронные фотоприемные устройства — М.: Энергоатомиздат. 1984.
3. ГОСТ 17772-79. Приемники излучения и устройства приемные полупроводниковые фотоэлектрические.

Материал подготовил Л. ЛОМАКИН.
Радио, 19998 год, №2

Кремниевые фотодиоды ФДУК от АЦИА Политехник

Кремниевые фотодиоды ФДУК от АЦИА Политехник

АЦИА Политехник

Разработчик и изготовитель

Продукция

Кремниевые фотодиоды

Усилители

Эксклюзив

Системы детектирования с повышенным динамическим диапазоном измерения

Общее описание

Кремниевые фотодиоды, благодаря своим высоким техническим характеристикам, широко используются в таких областях научного и промышленного приборостроения как фотометрия, спектрометрия, пирометрия, вакуумметрия, а также в метрологии.

Фотодиоды серии ФДУК-… оптимизированы для диапазона 280-1100 нм, обладают меньшей удельной емкостью.

Фотодиоды серии ФДУК-…У оптимизированы для работы в диапазоне 190-1100 нм и обладают повышенной стойкостью к УФ излучению. Благодаря стабильности параметров эти фотодиоды используются как вторичные эталоны в диапазоне 190-1100 нм.

Фотодиоды серии ФДУК-…УВ обладают широким спектральным диапазоном 0.02-1100 нм. Предназначены для использования одновременно в ближнем инфракрасном, видимом, UV, DUV, XUV диапазонах, а также в мягком рентгене.

Кремниевые лавинные фотодиоды ФДУК-…Л Предназначены для регистрации электромагнитных квантов и частиц в режиме внутреннего усиления фотодиода за счёт лавииного умножения.

Кроме устоявшейся номенклатуры фотодиоды могут быть изготовлены под конкретную задачу Заказчика (различная форма активной области, многоэлементные детекторы, фотодиодные линейки или матрицы).

Примером разработки детекторов под конкретную задачу являются фотодиоды ФДПК для пирометров спектрального отношения, которые представляют собой два фотодиода, расположенных на одной оптической оси и имеющих параллельные выходы. Кроме того, в качестве входного окна используется оптический фильтр.

Детекторы отраженных электронов так же разработаны под конкретную задачу.

Кроме самих детекторов разработаны также прецизионные измерительные устройства в виде гибридных интегральных микросхем с повышенным динамическим диапазоном измерения токовых сигналов оптического, рентгеновского спектров и электрических токовых сигналов в диапазоне от 10-16А до 10-2 А. Освоены предусилители с фронтом нарастания до 1-2 нс.

Возможна разработка фотодиодов нестандартной формы.

Marktech расширяет линейку стандартных кремниевых фотодиодов

Marktech Optoelectronics Inc. расширила линейку стандартных кремниевых фотодиодов, включив в нее дополнительные процессы, размеры активной области, изоляцию корпуса и варианты упаковки.

Клиенты компании теперь могут выбрать один из четырех процессов для расширения спектра применений в ультрафиолетовом (УФ) и ближнем инфракрасном (БИК) диапазонах. К ним относятся 365-нм УФ-улучшенная серия 4 для спектральных диапазонов от 300 до 1100 нм, а также предлагаются дополнительные 7.5 мм 2 размер активной области; серия 8 общего назначения для спектральных диапазонов от 350 до 1100 нм; и серия 11 с УФ- и БИК-усилением для спектральных диапазонов от 254 до 1100 нм.

Что касается новых стандартных вариантов монтажа, то теперь заказчики могут указать блоки для поверхностного монтажа для автоматизированных функций захвата и размещения в дополнение к существующему выбору TO-46 (трехконтактный) или TO-5 (двухконтактный и трехштырьковый) металлическая жестяная упаковка. Пакеты металлических банок ТО могут быть дополнительно изолированы корпусом для снижения шума.

По данным Marktech, последние дополнения к стандартному семейству кремниевых фотодиодов были сделаны в ответ на отзывы клиентов, присоединившись к также недавно представленным кремниевым лавинным фотодиодам и широкополосным PIN-фотодиодам. Все кремниевые фотодиоды Marktech отличаются высокой чувствительностью, низким уровнем шума, малым темновым током и соответствуют требованиям REACH и RoHS. Небольшие и средние партии стандартных кремниевых фотодиодов обычно доступны со склада в течение 24 часов через давнего партнера компании по сбыту, Digi-Key Electronics.

Кремниевые фотодиоды

Marktech поставляются с полным набором излучателей NIR и точечных источников излучения. Фотодиоды и светодиодные излучатели могут поставляться либо как отдельные автономные компоненты, либо объединяться в цельный, механически и спектрально согласованный блок, например отражательный переключатель. Большинство нестандартных и гибридных конструкций компании доступны в течение шести-восьми недель с момента утверждения прототипа и могут быть произведены практически в любом количестве, от прототипа до объемов OEM.

Типичные области применения включают колориметры, оборудование для спектроскопии, флуоресценцию, фотометры и аналитическое оборудование в таких отраслях, как медицина, лабораторные и университетские исследования, аэрокосмическая промышленность, робототехника и промышленная автоматизация.

Для получения дополнительной информации о кремниевых фотодиодах Marktech посетите здесь.

Кремниевые фотодиодные пиранометры: рабочие характеристики, исторический опыт и новые процедуры калибровки

PDF-версия также доступна для скачивания.

Кто

Люди и организации, связанные либо с созданием этой статьи, либо с ее содержанием.

Что

Описательная информация, помогающая идентифицировать эту статью.Перейдите по ссылкам ниже, чтобы найти похожие элементы в электронной библиотеке.

Когда

Даты и периоды времени, связанные с этой статьей.

Статистика использования

Когда этот артикул использовался в последний раз?

Взаимодействие с этой статьей

Вот несколько советов, что делать дальше.

PDF-версия также доступна для скачивания.

Цитаты, права, повторное использование

Международная структура взаимодействия изображений

Распечатать / поделиться


Печать
Электронная почта
Твиттер
Фейсбук
Тамблер
Реддит

Ссылки для роботов

Полезные ссылки в машиночитаемом формате.

Архивный ресурсный ключ (ARK)

Международная структура взаимодействия изображений (IIIF)

Форматы метаданных

Картинки

URL-адреса

Статистика

Кинг, Д.Л. и Майерс, Д.Р. Кремниевые фотодиодные пиранометры: рабочие характеристики, исторический опыт и новые процедуры калибровки. статья, 1 ноября 1997 г .; Альбукерке, Нью-Мексико. (https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc696157/: по состоянию на 19 апреля 2022 г.), Библиотеки Университета Северного Техаса, цифровая библиотека ЕНТ, https://digital.library.unt.edu; зачисление отдела государственных документов библиотек ЕНТ.

Новости оптики и фотоники — Крошечные «черные дыры» скоростной кремниевый фотодиод

Конические черные дыры в кремнии размером около 1 мкм могут улавливать фотоны и действовать как фотодетектор для высокоскоростных соединений. Вверху слева: схема сверхбыстрого фотодиода. Вверху справа и внизу слева: Сканирующие электронные микрофотографии фотодиода и его воронкообразных отверстий. Внизу справа: обычное изображение фотодетектора и СЭМ-изображение.[Изображение: М. Саиф Ислам, Калифорнийский университет в Дэвисе]

Черные дыры во Вселенной обладают таким сильным гравитационным притяжением, что свет никогда не сможет покинуть их. Теперь американские ученые разработали кремниевый фотодетектор с крошечными отверстиями, которые могут улавливать фотоны, чтобы повысить скорость оптической связи (Nature Photon., doi:10.1038/nphoton.2017.37). Работа под руководством инженера-электрика М. Саифа Ислама из Калифорнийского университета в Дэвисе, США, является частью продолжающихся усилий по интеграции оптических каналов связи в центрах обработки данных, вплоть до уровней между чипами и внутри чипов.

Почему кремниевые фотодиоды

Кремниевые фотодиоды

хорошо работают в видимом диапазоне длин волн, но коэффициент поглощения кремния резко падает в двух ключевых инфракрасных диапазонах: в диапазоне 840–860 нм, используемом в многомодовой связи на короткие расстояния, и в диапазоне 850–950 нм, в котором были предложены для методов мультиплексирования с разделением по короткой длине волны. Чтобы противодействовать слабому поглощению, кремниевые фотодиоды должны быть сделаны с толстыми слоями, что замедляет сигналы, или, альтернативно, должны включать другие, более дорогие полупроводники, которые плохо интегрируются с кремнием при изготовлении схемы.

Ислам и его коллеги разработали полностью кремниевый фотодетектор для совместимости с экономичными производственными процессами сверхбольшой интеграции (СБИС) в электронной промышленности. Через слои диода p i n (с полупроводниковой областью типа n наверху) исследователи протравили периодический массив крошечных отверстий, некоторые из которых имели форму обычных цилиндров, а другие — миниатюрные воронки. Свет от многомодового волокна освещал фотодетектор сверху.

Численное моделирование показало, что освещение сверху будет вызывать боковое распространение поля в фотодиоде; другими словами, фотоны, попадающие в отверстия, будут втягиваться в кремний толщиной 2,0 мкм. Таким образом, свет проходит через гораздо больше кремния, повышая эффективность поглощения кремния.

Короткий вылет, высокие скорости

Эксперименты с импульсным волоконным лазером с длиной волны 850 нм показали, что фотодиод имеет импульсную характеристику 23 пс, что соответствует скорости передачи данных не менее 20 Гбит/с.В диапазоне пропускания от 820 до 860 нм его квантовая эффективность превышала 50 процентов. По словам команды, эта технология может быть полезна для так называемых оптических каналов «ближнего действия» менее 300 м в центрах обработки данных. Исследователи из Калифорнийского университета в Санта-Круз, США, и W&WSens Devices Inc., США, также внесли свой вклад в исследование.

Global CT Silicon Photodiode Market 2022 Введение, определение, спецификации, классификация и отраслевой охват к 2028 году – Blackswan Real Estate

В течение прогнозируемого периода с 2022 по 2028 год исследование Global CT Silicon Photodiode Market , проведенное MarketsandResearch.biz исследует предыдущие и настоящие перспективы и тенденции роста, чтобы получить важную информацию о ключевых рыночных переменных. Совокупный годовой темп роста рынка (CAGR) в течение прогнозируемого периода также включен в исследование.

Основная цель отчета — дать читателям общее представление о конкурентах отрасли, текущих рыночных тенденциях, рыночном потенциале, темпах роста и других соответствующих данных. В отчете тщательно изучены такие важные темы, как движущие силы и ограничения, возможности, производство, участники рынка и конкуренция.

В исследовании представлен всесторонний взгляд на мировой рынок кремниевых фотодиодов для компьютерной томографии как сегодня, так и в будущем. Он также включает отдельные главы, посвященные региональным исследованиям, чтобы предоставить обзор перспективных рынков, а также ежегодные прогнозы роста на период исследования с 2022 по 2028 год. Это исследование охватывает важные отраслевые тенденции, размер рынка, оценки доли рынка и профили ведущих игроков отрасли.

СКАЧАТЬ БЕСПЛАТНО ОБРАЗЕЦ ОТЧЕТА: https://www.marketandresearch.biz/sample-request/274393

В этом отчете основное внимание уделяется многим важным регионам на региональном уровне:

  • Северная Америка (США, Канада и Мексика)
  • Европа (Германия, Франция, Великобритания, Россия, Италия и остальные страны Европы)
  • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Корея, Индия, Юго-Восточная Азия и Австралия)
  • Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия и остальная часть Южной Америки)
  • Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Египет, Южная Африка и остальная часть Ближнего Востока и Африки)

Ниже перечислены основные приложения, выделенные в отчете:

  • КТ без спирали
  • Односрезовая спираль Scan CT
  • Многосрезовая спираль Scan CT

В отчете выделены следующие виды продукции:

  • Металлическая упаковка
  • Керамическая набивка
  • Пластиковая упаковка
  • Другие

В этом отчете объясняются планы и процедуры расширения, прогнозы роста и структура затрат.Следующие производители занимают видное место в отчете о рынке:

  • Хамамацу Фотоникс
  • Excelitas Technologies
  • OSI Оптоэлектроника
  • НЖД
  • Вишай
  • Ханивелл
  • ТТЕ
  • Эдмунд Оптикс
  • Киосеми
  • Оптодиод

ДОСТУП К ПОЛНОМУ ОТЧЕТУ: https://www.marketsandresearch.biz/report/274393/global-ct-silicon-photodiode-market-2022-by-manufacturers-regions-type-and-application-forecast-to-2028

Основываясь на первичных исследованиях и углубленных вторичных исследованиях, отчет был сформирован на основе последних тенденций, анализа цен, потенциального и прошлого спроса и предложения, экономического состояния, влияния COVID-19 и других аспектов.Специалисты отрасли и наши штатные эксперты в данной области проводят первичное исследование.

Настройка отчета:

Этот отчет можно настроить в соответствии с требованиями клиента. Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж ([email protected]), который позаботится о том, чтобы вы получили отчет, соответствующий вашим потребностям. Вы также можете связаться с нашими руководителями по телефону +1-201-465-4211, чтобы поделиться своими требованиями к исследованиям.

Свяжитесь с нами
Марк Стоун
Руководитель отдела развития бизнеса
Телефон: +1-201-465-4211
Электронная почта: [email protected]

Photodiode Energy Sensors — Ophir

How can we help you?

Send us your information and we will assist you as quickly as we can.

First name *

Last name *

Company *

E-mail *

Phone

Country * — Select -AfghanistanAlbaniaAlgeriaAndorraAngolaAntiguaArgentinaArmeniaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBhutanBoliviaBosniaBotswanaBrazilBruneiBulgariaBurkinaBurundiCambodiaCameroonCanada — AlbertaCanada — British ColumbiaCanada — ManitobaCanada — New BrunswickCanada — Newfoundland and LabradorCanada — Nova ScotiaCanada — OntarioCanada — Prince Edward IslandCanada — QuebecCanada — SaskatchewanCape VerdeCentral African RepublicChadChileChinaColombiaComorosCongoCosta RicaCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFijiFinlandFranceGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGreeceGrenadaGuatemalaGuineaGuyanaHaitiHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMauritaniaMauritiusMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNorth KoreaNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPolandPortugalQatarRepublic of MontenegroRomaniaRussian FederationRwandaSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth KoreaSpainSri LankaSudanSurinameSwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzania, United Republic ofThailandTogoTongaTrinidadTunisiaTurkeyTurkmenistanTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaVietnamYemenZambiaZimbabwe

States * — Select -AlabamaAlaskaArizonaArkansasCaliforniaColoradoConnecticutDelawareDistrict of ColumbiaFloridaGeorgiaGuamHawaiiIdahoIllinoisIndianaIowaKansasKentuckyLouisianaMaineMarylandMassachusettsMichiganMinnesotaMississippiMissouriMontanaNebraskaNevadaNew HampshireNew JerseyNew MexicoNew YorkNorth CarolinaNorth DakotaNorthern Marianas IslandsOhioOklahomaOregonPennsylvaniaPuerto RicoRhode IslandSouth CarolinaSouth DakotaTennesseeTexasUtahVermontVirginiaWashingtonWest VirginiaWisconsinWyoming

States * — Select -北海道青森県岩手県宮城県秋田県山形県福島県茨城県栃木県群馬県埼玉県千葉県東京都神奈川県新潟県富山県石川県福井県山梨県長野県岐阜県静岡県愛知県三重県滋賀県京都府大阪府兵庫県奈良県和歌山県鳥取県島根県岡山県広島県山口県徳島県香川県愛媛県高知県福岡県佐賀県長崎県熊本県大分県宮崎県鹿児島県沖縄県海外

By checking this box, you agree to receive our newsletters, surveys, announcements, and marketing offers in accordance with our privacy policy Message

(* Indicates required field)

Light Intensity Meter Market Size 2022 – 2030

The competitive landscape analysis of Light Intensity Meter Market uncovers detailed company profiles, revenue shares, portfolio innovations, regional product footprint, key developmental strategies, pricing structure, target markets, and near-term plans of market leaders.Весь этот раздел помогает читателям получить представление о том, что движет конкуренцией и что поможет им выделиться, чтобы завоевать новые целевые рынки.

Оценки и прогнозы рынка

подкреплены обширным первичным исследованием, которое дополнительно дополняется точечным вторичным исследованием рынка Интенсивность света. Аналитики-исследователи потратили много времени и усилий на сбор важной отраслевой информации от KIP, таких как OEM-производители, ведущие поставщики и дистрибьюторы, а также государственные органы.

По ключевым игрокам

Smartsensor
Завод фотоэлектрических приборов Пекинского педагогического университета
Testo AG
EVERFINE Corporation
Lisun Electronics
Konica minolta
TES
CEM
HCJYET
SENSINGM

По типам

Обычный фотодиод
Кремниевый фотодиод

По приложениям

Образовательная зона
Офисная зона
Производственные площади
Больничный сектор
Гостиничная зона
Деловые зоны/магазины

Нажмите на ссылку, чтобы получить бесплатный образец отчета @ https://crediblemarkets.com/sample-request/light-intensity-meter-market-805269?utm_source=PP&utm_medium=SatPR

Географический подробный анализ потребления, доходов, доли рынка и темпов роста следующих регионов:

  • Северная Америка (США, Канада, Мексика)
  • Европа (Германия, Великобритания, Франция, Италия, Испания, другие)
  • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Юго-Восточная Азия, другие)
  • Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Южная Африка, другие)
  • Южная Америка (Бразилия, другие страны)

Некоторые пункты из оглавления

Global Light Intensity Meter Market 2022, исследовательский аналитический отчет о росте стоимости CAGR, доля отрасли, ключевые профили компаний, тип, приложения, размер, тенденции и прогноз до 2030 года

Глава 1 Рынок измерителей силы света – область исследования

Глава 2 Рынок измерителей силы света – методология исследования

Глава 3 Рыночные силы измерителя силы света

Глава 4 Рынок измерителей силы света – по географическому признаку

Глава 5 Рынок измерителей силы света – торговая статистика

Глава 6 Рынок измерителей силы света – по типу

Глава 7  Рынок измерителей силы света – по приложениям

Прямая покупка этого отчета об исследовании рынка сейчас @ https://crediblemarkets.com/reports/purchase/light-intensity-meter-market-805269?license_type=single_user;utm_source=PP&utm_medium=SatPR

Глава 8 Рынок измерителей силы света в Северной Америке

Глава 9 Анализ рынка измерителей силы света в Европе

Глава 10 Анализ рынка измерителей силы света в Азиатско-Тихоокеанском регионе

Глава 11 Анализ рынка измерителей силы света на Ближнем Востоке и в Африке

Глава 12 Анализ рынка измерителей силы света в Южной Америке

Глава 13 Профили компаний

Глава 14 Прогноз рынка – по регионам

Глава 15 Прогноз рынка – по типам и приложениям

Пункты, указанные в отчете

• В отчете обсуждаются основные участники рынка, такие как участники рынка, поставщики сырья, поставщики оборудования, конечные пользователи, трейдеры, дистрибьюторы и т. д.

• Упоминается полный профиль компаний. И мощность, производство, цена, доход, стоимость, валовая прибыль, валовая прибыль, объем продаж, доход от продаж, потребление, темпы роста, импорт, экспорт, предложение, будущие стратегии и технологические разработки, которые они делают, также включены в отчет. В этом отчете проанализирована история данных и прогноз за 12 лет.

• Подробно обсуждаются факторы роста рынка, в которых подробно объясняются различные конечные пользователи рынка.

• Данные и информация по участникам рынка, регионам, типам, приложениям и т. д., а также пользовательские исследования могут быть добавлены в соответствии с конкретными требованиями.

• Отчет содержит SWOT-анализ рынка. Наконец, отчет содержит заключительную часть, в которую включены мнения отраслевых экспертов.

У вас есть какие-либо вопросы или конкретные требования? Спросите нашего отраслевого эксперта по адресу https://crediblemarkets.com/enquire-request/light-intensity-meter-market-805269?utm_source=PP&utm_medium=SatPR

Свяжитесь с нами

Надежная аналитика рынков

99 Wall Street 2124 New York, NY 10005

Контактный номер: +1(929)-450-2887

Электронная почта: [электронная почта защищена]

Анализ мирового рынка фотодиодов с 2022 по 2028 год. Ведущими игроками являются AC Photonics Inc, Albis Optoelectronics, API, Centronic

Мировой рынок фотодиодов в 2022 году по производителям, регионам, типам и приложениям, прогноз до 2028 года стал предметом исследования, проведенного MarketsandResearch.биз . Исследование также включает данные на уровне страны/региона, которые помогают определить, какая страна/регион является самой быстрорастущей и крупнейшей на рынке Фотодиод. В этом анализе рассматриваются определения рынка, классификации, приложения, обязательства и мировые корпоративные тенденции.

В исследовании рассматриваются прошлые тенденции роста, текущие факторы роста, ожидаемые будущие результаты, история и общий потенциал будущего роста рынка, а также основные трейдеры.В исследовании рассматриваются многие тенденции роста, потенциала и сегментации на мировом рынке фотодиодов, а также конкурентная среда. Наши исследователи сделали все возможное, чтобы исследование было максимально открытым и честным.

СКАЧАТЬ БЕСПЛАТНО ОБРАЗЕЦ ОТЧЕТА: https://www.marketsandresearch.biz/sample-request/257737

В документе подробно изложены результаты отраслевого исследования динамики материнской отрасли. В исследовании используется междисциплинарный подход для выявления новых возможностей и неиспользованного потенциала на мировом рынке фотодиодов.Кроме того, подробно обсуждаются анализ цепочки поставок, анализ размера прибыли и исследование ценообразования, чтобы помочь организациям и дать им оценку того, сколько денег им потребуется для выхода на этот рынок. При необходимости отчет будет включать правила, требования к упаковке и тарифные сборы из нескольких стран.

Сегментация рынка по типу:

  • Кремниевые фотодиоды
  • Фотодиоды InGaAs

Сегментация рынка на основе приложений:

  • Камера
  • Медицинский
  • Оборудование для обеспечения безопасности
  • Автомобилестроение

Фирмы на мировом рынке:

  • AC Photonics Inc
  • Альбис Оптоэлектроника
  • API
  • Центроник
  • Эверлайт
  • ФЭЙРЧАЙЛД
  • Оптотехнология фермионики
  • Первый датчик
  • Хамамацу
  • Кодэнши
  • Корпорация Киосеми
  • Лазерные компоненты
  • Lite-On Opto
  • Моксан
  • НЖД
  • Оптодиод
  • OSI Оптоэлектроника
  • ОСРАМ
  • QPhotonics
  • РОМ
  • Датчики Без ограничений
  • Теледайн Джадсон
  • ТТЭ(ОПТЭК)
  • Вишай
  • Вокстел

Включены географические регионы, например

  • Северная Америка (США, Канада и Мексика)
  • Европа (Германия, Франция, Великобритания, Россия, Италия и остальные страны Европы)
  • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Корея, Индия, Юго-Восточная Азия и Австралия)
  • Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия и остальная часть Южной Америки)
  • Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Египет, Южная Африка и остальная часть Ближнего Востока и Африки)

ДОСТУП К ПОЛНОМУ ОТЧЕТУ: https://www.marketandresearch.biz/report/257737/global-photodiode-market-2022-by-manufacturers-regions-type-and-application-procast-to-2028

Некоторые из основных вопросов, рассмотренных в отчете, включают: Каковы наиболее популярные сегменты рынка , Каковы бизнес-риски текущего сценария и последствия для роста рынка и прогнозирования? и Кто является основными игроками рынка и как они справляются с различными вопросов?

Настройка отчета:

Этот отчет можно настроить в соответствии с требованиями клиента.Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж ([email protected]), который позаботится о том, чтобы вы получили отчет, соответствующий вашим потребностям. Вы также можете связаться с нашими руководителями по телефону 1-201-465-4211, чтобы поделиться своими требованиями к исследованиям.

Свяжитесь с нами
Марк Стоун
Руководитель отдела развития бизнеса
Телефон: 1-201-465-4211
Эл.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.