Кт3126А: КТ3126А, Кремниевый PNP транзистор, усилительные устройства с ненормированным коэффициентом шума, Россия

Транзистор кт3126А. Пластик | Festima.Ru

Рaзные paдиодетaли из личных запасoв. Сoветcкогo и импоpтногo прoизвoдcтвa. Hовые и б/у аккуpaтнo дeмонтированныe. Каждaя из дeтaлей в наличии в небольшом кoличecтвe 1-3 шт. Микpocxeмы: 8581CР, 93LС66А, А81DC, АN78M05, АS2525A, АS2591А, DP804С, EZ1084CТ-3.3, HCF4066ВE, KA2142, КIA7805А, KS0063B, KS0076B02, L7805CV, L7809CV, L7812CV, L7815CV, L7817CV, L7905СV, L7912СV, LА4285, LА7840, LF347N, LМ2466ТА, LМ2480NА, LМ324N, LМ380N, М38123М4-053SР, М57704Н, МСА640, МСА650, МDА3505, МL2035СР, NТ68F63U, РIС16F72-I/SР, РQО5RF11, РSТ529D, SЕ140N, SТ24С04WР, SТR11006, SТRG6653, SТRS6307, ТDА2003, ТDА4605, ТDА7297, ТDА7496, ТDА8174А, ТNY178РN, ТОР243Y, UС3842В, 140УД12, 140УД1А, 140УД1Б, 155ЛИ1, К155ЛА3, К157ДА1, К174АФ4А, К174УН14, К174УН4А, К174УН9, К174ХА9, К174ХА10, К176ИД1, К176ИЕ12, К224ХП1, К548УН1А, К553УД1А, К553УД2, К555ЛА10, К561ЛА7, КР1021УР1, КР140УД1Б, КР1533ТР2, КР188РУ2А, КР198НТ1Б, КРЕН1Б. Транзисторы: 20N60С3, 2SА940, 2SВ647С, 2SС1507, 2SС1815, 2SС2482, 2SС2688, 2SС4217, 2SС4370А, 2SС4544, 2SС5030FО, 2SD1468S, 2SD1555, 2SD1556, 2SD2089, 2SD2396, 2SD2499, 2SJ6916, 2SК2611, 2SК2761, ВU508DF, D2058Y, D4204D, НLD133D, IRF634В, IRF640А, IRF840А, IRFР450, IRFР9530, IRFR210, IRFUС20, IRL2203N, МJЕ13003, РНХ7NQ60Е, SТ13003ВR, SТ2009DНI, SТР3NА60FI, ВС107А, 1Т308В, 1Т403Г, ГТ115В, ГТ308Б, ГТ309В, ГТ322В, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ701А, КП103К, КП103М, КП301Б, КП303В, КП303Ж, КП707В2, 2Т203Г, 2Т312Б, 2Т316Б, 2Т602А, 2Т602Б, 2Т704А, 2Т803А, 2Т803АОС, 2Т819А, 2Т825А, 2Т828А, 2Т830Б, 2Т831Б, 2Т903Б, 2Т926А, КТ117А, КТ201Б, КТ203А, КТ203Г, КТ209Л, КТ3102Б, КТ3102Е, КТ312А, КТ313Б, КТ315Б, КТ315Г, КТ316Б, КТ361Б, КТ361Г, КТ601А, КТ602Б, КТ602БМ, КТ603А, КТ603Б, КТ608Б, КТ646Б, КТ801Б, КТ803А, КТ805АМ, КТ805ИМ, КТ808А, КТ808БМ, КТ809А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ812А, КТ814Б, КТ814Г, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ817А, КТ817Г, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819Г, КТ829А, КТ835Б, КТ837В, КТ837У, КТ840А, КТ846В, КТ850А, КТ851А, КТ872А, КТ903Б, КТ908Б, КТ940А, КТ961Б, КТ972А, КТ972Б, КТ972Г, П210А, П213А, П213Б, П214А, П217Б, П307В, П605, П605А, П701А, ТК235-32-05-1.

Тиристоры, симисторы: АС03Е, АС05D, ТF361М, КН102А, КН102Б, КУ101А, КУ101Б, КУ201Г, КУ201Д, КУ201К, КУ202И, КУ202Н, КУ208А, КУ208Г, Т112-10-6-4, Т122-25-6-4. Диоды, мосты, стабилитроны: 1N5392, 1N5400, 1N5406, 31DF4, ВYМ36С, ВYW36, D2SВА60, DТV1500НFР, ЕR1002F, ЕR1002FСТ, ЕSАD92-02, FСF10А40, FМРG12S, GВU406, GВU606, GРJ15М, GUR460, НВR16200, ISL9R860Р2, КВР205G, КВU8К, МВR3045SТG, RНRР1560, RU3YХ, S1WВS60, S30SС4М, SВ520, SВ540, SR504, SТРR1020СF, SТРS1545СТ, SТРS2045СТ, SТРS20Н100СТ, SТРS3045СТ, SТРS40Н100СW, SТТН806DТI, ТS20Р06G, UG2D, 2Д202М, 2Д202Р, 2Д504А, 5ГЕ40Ф, 7ГЕ3А-С, Д223Б, Д226Б, Д242Б, Д808, Д810, Д813, Д814А, Д814АПП, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д, Д815А, Д815Г, Д815Д, Д816А, Д816Б, Д816В, Д817Б, Д817В, Д818Г, Д818Е, КД202А, КД202Р, КД213А, КД503Б, 2С107А, КС119А, КС133А, КС139А, КС156А, КС162А, КС168А, КС168В, КС175А, КС182А, КС213Б, КС468А, КС482А, КС515А, КС527А. Оптроны: СQY80NG, ЕТ1102, РС-17К1, РС817С, SFН617А-2, ТLР421, АОТ110А, АОТ110В, АОУ103А1. ИК-приёмники: ТSОР1238, ТSОР1738, ТSОР4838, VS1838, GР1U5, RС-37V3. Есть конденсаторы электролитические, слюдяные, высоковольтные, разные резисторы, светодиоды, кварцевые резонаторы, переключатели, реле и другие детали. Цена за шт. Пересылка по РФ отсутствует.

Аудио и видео техника

Транзисторы разные

КТ208И

Цена по запросу

Транзистор: КТ208И

КТ208К

Цена: 74.61 руб

Транзистор: КТ208К

КТ203БМ

Цена: 3.49 руб

Транзистор: КТ203БМ

2Т203Б

Цена: 182.56 руб

Транзистор: 2Т203Б

КТ203А

Цена: 102.69 руб

Транзистор: КТ203А

КТ203Б

Цена: 63.81 руб

Транзистор: КТ203Б

КТ201ВМ

Цена по запросу

Транзистор: КТ201ВМ

КТ117Г

Цена: 104.42 руб

Транзистор: КТ117Г

КТ117А

Цена: 104.42 руб

Транзистор: КТ117А

КТ3123А-2

Цена: 580.18 руб

Транзистор: КТ3123А-2

КТ3126А

Цена: 2.28 руб

Транзистор: КТ3126А

КТ3127А

Цена: 102.69 руб

Транзистор: КТ3127А

КТ3128А1

Цена: 5.71 руб

Транзистор: КТ3128А1

КТ3129Д9

Цена: 4.14 руб

Транзистор: КТ3129Д9

КТ3132А-2

Цена: 342.30 руб

Транзистор: КТ3132А-2

КТ313Б

Цена: 104.42 руб

Транзистор: КТ313Б

КТ3130В9

Цена по запросу

Транзистор: КТ3130В9

КТ3157А

Цена: 3.42 руб

Транзистор: КТ3157А

КТ316А

Цена: 102.69 руб

Транзистор: КТ316А

КТ316ДМ

Цена: 2.31 руб

Транзистор: КТ316ДМ

КТ321А

Цена: 5.80 руб

Транзистор: КТ321А

КТ325

Цена по запросу

Транзистор: КТ325

2Т325Б

Цена: 136.92 руб

Транзистор: 2Т325Б

2Т325В

Цена: 102.69 руб

Транзистор: 2Т325В

КТ325Б

Цена по запросу

Транзистор: КТ325Б

КТ326А

Цена: 102.69 руб

Транзистор: КТ326А

2Т326Б

Цена: 166.26 руб

Транзистор: 2Т326Б

КТ337А

Цена: 5.71 руб

Транзистор: КТ337А

КТ342_М

Цена по запросу

Транзистор: КТ342_М

КТ350

Цена по запросу

Транзистор: КТ350

КТ352А

Цена: 3.49 руб

Транзистор: КТ352А

КТ355

Цена по запросу

Транзистор: КТ355

КТ363

Цена по запросу

Транзистор: КТ363

2Т363Б

Цена: 108.40 руб

Транзистор: 2Т363Б

КТ363БМ

Цена: 15.08 руб

Транзистор: КТ363БМ

КТ368А

Цена: 64.40 руб

Транзистор: КТ368А

КТ368АМ

Цена: 4.06 руб

Транзистор: КТ368АМ

КТ368БМ

Цена: 5.71 руб

Транзистор: КТ368БМ

КТ371

Цена по запросу

Транзистор: КТ371

КТ372В

Цена по запросу

Транзистор: КТ372В

КТ382А

Цена: 17.41 руб

Транзистор: КТ382А

КТ382_М

Цена по запросу

Транзистор: КТ382_М

КТ391_2

Цена по запросу

Транзистор: КТ391_2

КТ399А

Цена: 139.23 руб

Транзистор: КТ399А

Выходная емкость — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Выходная емкость — транзистор

Cтраница 3

Если настройка резонатора должна в эксплуатации изменяться, то расчет ведется для средней частоты заданного диапазона перестройки. При этом емкость нижнего отрезка линии, сшределяемая суммой выходной емкости транзистора в установленной емкости надстроечного конденсатора, должна быть равна средней емкости варикапа, которая определяется соответствующим напряжением смещения на его р-п переходе. После изготовления резонатора сопряжение контуров на границах диапазона перестройки осуществляют подстроечными конденсаторами.  [31]

Воздействие на входе транзистора преобразователя AM помехи с большим уровнем ( выше 10 — 50 мВ) приводит к динамическому изменению режима транзистора и соответствующему изменению его входных и выходных емкостей. Поскольку смеситель через элементы связи соединен с гетеродином, то изменение входной или выходной емкости транзистора смесителя приводит к паразитной ЧМ гетеродина. Другим возможным путем проникновения перекрестной помехи является паразитная AM колебаний гетеродина по общим цепям питания смесителя и гетеродина при динамических изменениях режима смесителя по току от воздействия больших входных сигналов.  [32]

Гетеродины I-II и III диапазонов собраны на транзисторах VT5, VT4 КТ3126А соответственно и включены по схеме с общей базой. В I-II диапазоне контур гетеродина образован из индуктивности катушки L21, емкости варикапа VD13, выходной емкости транзистора

VT5 и емкости монтажа, а в III диапазоне — из индуктивности катушки L20, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 и емкости монтажа.  [34]

Выбрав La так, чтобы резонанс имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния С0, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость Со образуется выходной емкостью транзистора рассчитываемого каскада н входной динамической емкостью следующего.  [35]

Гетеродины I — II и III диапазонов, собранные на транзисторах VT5 ГТ346Б и VT4 ГТ346Б соответственно, включены по схеме с заземленной базой. Контур гетеродина в I — II диапазоне образуется из индуктивности катушки LI9, емкости варикапа VD13 КВ121А, выходной емкости транзистора VT5 ГТ346Б и емкости монтажа. В III диапазоне контур гетеродина образуется из индуктивности катушки L18, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 ГТ346Б и емкости монтажа. Для сопряжения частоты гетеродина в середине принимаемых диапазонов в его схемах подобраны соответствующие номиналы конденсаторов С40 в I — II и С38 в III диапазоне. Точная настройка сопряжения частот в концах диапазонов осуществляется с помощью подстроенных конденсаторов в контурах УВЧ.  [36]

На эквивалентной схеме для высоких частот ( рис. 6.44, г) емкость С2 отсутствует, так как ее сопротивление на этих частотах близко к нулю. В основном здесь на коэффициент усиления влияет емкость цепи нагрузки Сн ли входная емкость следующего каскада, определяемая формулами (6.35), (6.43), (6.80) и (6.85), и выходная емкость Сси транзистора.  [37]

Гетеродины I-II и III диапазонов собраны на транзисторах VT5, VT4 КТ3126А соответственно и включены по схеме с общей базой. В I-II диапазоне контур гетеродина образован из индуктивности катушки L21, емкости варикапа VD13, выходной емкости транзистора VT5 и емкости монтажа, а в III диапазоне — из индуктивности катушки L20, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 и емкости монтажа.  [39]

Получены расчетные соотношения для параметров коллекторной цепи и колебательной мощности однотактного ключевого генератора с фильтрующим контуром. Определены потери в транзисторе. Учитывается влияние нелинейности выходной емкости транзистора на энергетические характеристики. Приведены соотношения для максимальной частоты такого генератора, обусловленные выходной емкостью транзистора.  [40]

Трансформатор Тр, включенный в цепь коллектора транзистора Т, выполняется на карбонильном сердечнике броневого типа или на оксиферовом кольце. Индуктивность первичной обмотки трансформатора должна быть в пределах 10 — 15 мгн. Слишком большая индуктивность образует совместно с выходной емкостью транзистора колебательный контур с резонансной частотой, лежащей в нижней части диапазона, тогда как желательно, чтобы трансформатор за счет паразитного резонанса поднимал усиление каскада вблизи верхней границы диапазона.  [41]

Переключение выходного контура УВЧ с одного диапазона ( канала) на другой производится, так же как и во входной цепи, путем последовательного включения контурных катушек. Применение последовательного включения контурных катушек во входной и выходной цепях УВЧ при переключении каналов позволяет использовать более простые галетные переключатели без заметного ухудшения стабильности работы каскада. Результирующая емкость этого делителя совместно с выходной емкостью транзистора TI и емкостью монтажа образует емкость конденсатора нагрузочного колебательного контура УВЧ.  [43]

Гетеродины I — II и III диапазонов, собранные на транзисторах VT5 ГТ346Б и VT4 ГТ346Б соответственно, включены по схеме с заземленной базой. Контур гетеродина в I — II диапазоне образуется из индуктивности катушки LI9, емкости варикапа VD13 КВ121А, выходной емкости транзистора VT5 ГТ346Б и емкости монтажа. В III диапазоне контур гетеродина образуется из индуктивности катушки L18, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 ГТ346Б и емкости монтажа. Для сопряжения частоты гетеродина в середине принимаемых диапазонов в его схемах подобраны соответствующие номиналы конденсаторов С40 в I — II и С38 в III диапазоне. Точная настройка сопряжения частот в концах диапазонов осуществляется с помощью подстроенных конденсаторов в контурах УВЧ.  [44]

Страницы:      1    2    3    4

KT3126A Лист данных (PDF) — Integral Corp.

Деталь № Описание Html View Производитель
BXY44 HiRel Кремний ШТЫРЬ Диод HiRel Дискретный и СВЧ Полупроводник Текущий контролируемый РФ резистор за РФ аттенюаторы и переключатели 1 2 3 4 5 Более Siemens Semiconductor Group
2N5109 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 5 Корпорация Microsemi
MRF559 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 5 Корпорация Microsemi
BXY44P HiRel Кремний ШТЫРЬ Диод HiRel Дискретный и СВЧ Полупроводник Текущий контролируемый РФ резистор за РФ аттенюаторы и переключатели 1 2 3 4 Siemens Semiconductor Group
2N5179 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 5 Корпорация Microsemi
MRF581 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 5 Более Корпорация Microsemi
BAS40 HiRel Кремний Шоттки Диод HiRel Дискретный и СВЧ Полупроводник Общее назначение диоды за высокоскоростной переключение Схема защита 1 2 3 4 Siemens Semiconductor Group
2N6255 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 Корпорация Microsemi
MRF5812 РФ & СВЧ ДИСКРЕТНЫЙ НИЗКИЙ СИЛА Транзисторы 1 2 3 4 5 Корпорация Microsemi
BAS70 HiRel Кремний Шоттки Диод HiRel Дискретный и СВЧ Полупроводник Общее назначение диоды за высокоскоростной переключение 1 2 3 4 Siemens Semiconductor Group

Транзисторы кремниевые КТ3126А аналог БФ506 СССР 100 шт: Электроника


13.50 $ 13,50

  • Убедитесь, что он подходит, введя номер своей модели.
  • Транзисторы кремниевые КТ3126А аналог БФ506 СССР 100 шт.
  • На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R
  • Если вы не можете найти нужный элемент, вы можете связаться с нами.

KT973A_358592.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

ODI
DIODE
PART Описание Maker
KT973A KTIT85A KTIT132A KT815A KT8117A KT3102AM KT ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы
INTEGRAL Semiconductor Devices
INTERSIL
Samsung semiconductor
INTEGRAL [Integral Corp.]
INTEGRAL АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
GAP07N70 SEP6060 2N7002 SER5305 GAP03N70 GAP04N70 Миниатюрные дискретные полупроводниковые элементы
ETC [ETC]
N.A.
Sinyork
List of Unclassifed Manufacturers
http://
3DD101B 3DD101E (3DD101A — 3DD101E) Discrete semiconductor devices power transistor
SJ
BFY182 From old datasheet system
HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor)
Siemens Semiconductor Group
BAT14 BAT14-013 BAT14-033 BAT14-043 BAT14-063 BAT1 From old datasheet system
HiRel Silicon Schottky Diode (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor Medium barrier diodes for detector and mixer applications) 伊雷尔硅肖特基二极管(伊雷尔分立半导体和微波探测器和培养基的应用垒二极管混频器)
Siemens Semiconductor G…
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
BXY44 BXY44-FP BXY44-T BXY44-T1 BXY44-T2 BXY44-FPH SILICON, PIN DIODE
HiRel Silicon PIN Diode (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor Current controlled RF resistor for RF attenuators and switches) 伊雷尔硅PIN二极管(伊雷尔分立半导体和微波射频电流控制的衰减器和开关射频电阻)
From old datasheet system
SIEMENS A G
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
MMBT8550 MMBT8050 M28S KTC5242 BA114ES6R MMBT1015 Mini Size Discrete Semiconductor Elements
Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT01; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight
THYRISTOR 75V 100A SMB DO-214AA
Multiconductor Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:20; No.Strands x Strand Size:19 x 32; Jacket Material:Teflon; Approval Bodies:UL NEC/CUL,CEC; Capacitance:31.7pF/ft; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes
Mini size of Discrete semiconductor elements 迷你型离散半导体元件
Multiconductor Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:19 x 34; Jacket Material:Teflon; Approval Bodies:UL NEC/CUL,CEC; Capacitance:27.4pF/ft; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes 迷你型离散半导体元件
N/A
Power Innovations Limited
ETC
Sinyork Co Ltd
N.A.
Electronic Theater Controls, Inc.
BAT15-013 BAT15-013S BAT15-033 BAT15-034 BAT15-043 Из старой системы данных Операционные усилители ввода / вывода с однополярным питанием
500 МГц, маломощные операционные усилители
BBG LO PWR MULT MOD H FRE; Корпус: Узкий корпус SOIC-8; Количество контактов: 8; Контейнер: лента и катушка; Кол-во в контейнере: 2500
400 МГц, операционные усилители со сверхнизким уровнем искажений
250 МГц, операционные усилители для передачи видео с низким энергопотреблением
Кремниевый диод Шоттки HiRel (диоды HiRel Discrete и Microwave Semiconductor со средним барьером для приложений детекторов и микшеров) SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE
HiRel Silicon Schottky Diode (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor Диоды со средним барьером для детекторов и смесителей) 伊雷尔 硅 肖特基 二极管 (伊雷尔 分立 半导体 和 探测器 培养基二极管 混频 器)
, 350 МГц, сверхмалошумящие операционные усилители SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE
Single / Dual / Quad, 400MHz, маломощные усилители с обратной связью по току SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, MIXER
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
SIEMENS A G
AM29845AJC AM29845A / BLA AM29845ADMB AM29845APC AM2 600V UltraFast 8-25 кГц дискретный IGBT в корпусе TO-220AB; IRG4BC30K в стандартной упаковке
, 1200V UltraFast, 4–20 кГц, дискретный IGBT в корпусе TO-247AC; IRG4PH50K в стандартной упаковке
600V UltraFast, 8-60 кГц, дискретный IGBT в корпусе TO-247AC; IRG4PC40U в стандартной упаковке
600V UltraFast 8-25 кГц дискретный IGBT в корпусе TO-247AC; Аналогичен IRG4PC40K в бессвинцовой упаковке
1200V UltraFast 8-25 кГц, одиночный IGBT в корпусе TO-274AA; IRGPS40B120U в стандартной упаковке
600V UltraFast 8-60 кГц дискретный IGBT в корпусе TO-247AC; IRG4PC50U в стандартной упаковке
, 1200V UltraFast, 8-40 кГц, дискретный IGBT в корпусе TO-274AA; IRG4PSH71U в стандартной упаковке
, 1200V UltraFast, 4–20 кГц, дискретный IGBT в корпусе D2-Pak; IRG4Bh30K-S в стандартной упаковке
Дискретный IGBT, быстродействующий, 600 В, 1–8 кГц, в корпусе TO-247AC; IRG4PC50F в стандартной упаковке
, 1200V UltraFast, 5-40 кГц, дискретный IGBT в корпусе TO-247AC; IRG4PH50U со стандартной упаковкой
10-разрядная защелка D-типа
Дискретный IGBT 600 В, 60–150 кГц в корпусе TO-262; A IRG4BC40WL в стандартной упаковке 8 D 型 锁存 器
8-битная защелка типа D 8 位 D 型 锁存 器
Bourns, Inc.
ESJC30 Штыревой разъем в форме коробки, Обжимное соединение для дискретного провода, Разъемы для дискретных проводов; Номер HRS: 543-0551-3 00; Тип разъема: провод; Контактный пол
КРЕМНИЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД
FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
FUJI [Fuji Electric]
10TQ045S 10TQ040S 10TQ030S 10TQ035 10TQ 10TQ045 10 ВЫПРЯМИТЕЛЬ ШОТТКИ 肖特基
Дискретный диод Шоттки, 35 В, 10 А в корпусе D2-Pak 35V0A 肖特基 的 的 分立 的 一 D2 — PAK 封装
, 40 В, 10 А, дискретный диод Шоттки в корпусе D2-Pak
, дискретный диод Шоттки, 10 А,
, 35 В, 10 А Диод в корпусе TO-220AC
Дискретный диод Шоттки 45В 10А в корпусе TO-220AC
Дискретный диод Шоттки 45В 10А в корпусе D2-Pak
International Rectifier, Corp.
SIEMENS AG
IRF [Международный выпрямитель]
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *