Неисправности транзистора: Неисправности элементов электроники (резисторы, конденсаторы, диоды, динисторы, тиристоры, транзисторы)

Содержание

Неисправности элементов электроники (резисторы, конденсаторы, диоды, динисторы, тиристоры, транзисторы)

Резисторы


1. Обрыв выводов

Причина неисправности:

а) Некачественный резистор
б) Неудачное крепление или повышенная вибрация

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить, изменив крепление или устранив повышенную вибрацию

2. Сгорание

Причина неисправности:

а) Перегрузка по току
б) Напряжение, прикладываемое к резистору, выше допустимого
в) Недостаточное охлаждение

Принимаемые меры:

а) Заменить на резистор большей номинальной мощности
б) Заменить на более высоковольтный резистор или включить при замене два (или более) резистора последовательно с сохранением общего сопротивления прежним
в) Заменить, улучшив условия охлаждения

3. Нарушение контакта в переменном резисторе

Причина неисправности:

а) Износ подвижного контакта или проводящего слоя

Принимаемые меры:

а) Заменить

4. Изменение сопротивления сверх допустимого

Причина неисправности:

а) Некачественный резистор
б) Перегрузка по току

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить на резистор большей номинальной мощности

5. Потеря или уменьшение чувствительности фоторезистора

Причина неисправности:

а) Некачественный фоторезистор
б) Старение при большом сроке службы
в) Систематический перегрев тепловым излучением

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить
в) Заменить, улучшив вентиляцию фоторезистора или защитив его от перегрева

Конденсаторы


1. Короткое замыкание внутри конденсатора

Причина неисправности:

а) Некачественный конденсатор
б) Перенапряжение
в) Велика пульсация напряжения

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить на конденсатор с более высоким допускаемым напряжением
в) Заменить на конденсатор с более высоким допускаемым напряжением или принять меры к уменьшению пульсации напряжения

2. Обрыв цепи внутри конденсатора

Причина неисправности:

а) Некачественный конденсатор
б) Неудачное крепление или повышенная вибрация

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить, изменив крепление или устранив повышенную вибрацию

3. Увеличение тока утечки

Причина неисправности:

а) Некачественный конденсатор

Принимаемые меры:

а) Заменить

4. Уменьшение величины емкости

Причина неисправности:

а) Разгерметизация конденсатора
б) Уменьшение содержания электролита вследствие длительного срока службы

Принимаемые меры:

а) Заменить
б) Заменить

Диоды


1. Пробой диода

Причина неисправности:

а) Перенапряжения при коммутировании напряжения питания (тока нагрузки)
б) Установлен диод более низкого класса, чем это требуется
в) Перегрузка по току

г) Ухудшились условия охлаждения

Принимаемые меры:

а) При замене:

  • установить на входе (выходе) защитные RC-цепочки;
  • установить на входе (выходе) стабилитрон с балластным резистором;
  • применить однотипный диод, но более высокого класса;
  • включить несколько диодов последовательно
б) При замене установить однотипный диод более высокого класса
в) При замене выяснить и устранить причину перегрузки
г) При замене:
  • выяснить и устранить причину ухудшения условий охлаждения;
  • увеличить площадь радиаторов охлаждения;
  • применить принудительное охлаждение диодов;
  • применить диод с большим значением номинального тока
2. Сгорание диода

Причина неисправности:

а) Короткое замыкание в цепи нагрузки или емкостного фильтра

Принимаемые меры:

а) При замене выяснить в устранить причину короткого замыкания

3. Обрыв выводов

Причина неисправности:

а) Недостаточно жесткое закрепление выводов или повышенная вибрация

Принимаемые меры:

а) При замене улучшить крепление или устранить причину повышенной вибрации

Динисторы и тиристоры


1. Произвольное включение (без сигнала управления)

Причина неисправности:

а) Большая скорость нарастания напряжения питания
б) В сети питания существуют перенапряжения, включающие прибор
в) Ухудшились условия охлаждения

Принимаемые меры:

а) На входе устройства поставить интегрирующую RC-цепочку
б) Отфильтровать напряжение питания
в) Улучшить условия охлаждения или восстановить нормальное функционирование системы принудительного охлаждения

2. Пробой в прямом направлении

Причина неисправности:

а) Перегрузка по току
б) Большая скорость нарастания прямого тока

Принимаемые меры:

а) При замене выяснить и устранить причину перегрузки; при невозможности устранения заменить прибором с большим значением номинального тока

б) При замене уменьшить скорость нарастания; для этого последовательно с прибором включить индуктивность

3. Пробой в обратном направлении

Причина неисправности:

а) Перенапряжения при коммутировании напряжения питания (тока нагрузки)
б) Установлен прибор более низкого класса, чем это требуется

Принимаемые меры:

а) При замене:

  • установить на входе (выходе) устройства защитные цепочки или стабилитроны с балластными резисторами;
  • применить однотипный прибор, но более высокого класса
б) При замене установить прибор однотипный, но более высокого класса

4. Сгорание прибора

Причина неисправности:

а) Короткое замыкание в цепи нагрузки или емкостного фильтра

Принимаемые меры:

а) При замене выяснить и устранить причину короткого замыкания

5. Тиристор не управляется

Причина неисправности:

а) Не подаются управляющие импульсы на управляющий переход прибора
б) Разрушен управляющий переход тиристора вследствие перегрузки по току

Принимаемые меры:

а) Проверить схему управления тиристором и восстановить ее нормальное функционирование
б) При замене выяснить причину перегрузки управляющего перехода и устранить ее

6. Обрыв выводов

Причина неисправности:

а) Недостаточно жесткое закрепление выводов или повышенная вибрация

Принимаемые меры:

а) При замене улучшить крепление или устранить причину повышенной вибрации

Транзисторы


1. Пробой или сгорание одного или нескольких переходов

Причина неисправности:

а) Значения обратных напряжений, прикладываемых к переходам, превышают максимально допустимые для данного транзистора
б) Перенапряжения во входных (выходных) цепях транзистора, вызванные коммутированием тока в индуктивностях нагрузки

в) Перегрузка по току
г) Ухудшились условия охлаждения

Принимаемые меры:

а) При замене уменьшить значения обратных напряжений, зашунтировав соответствующие переходы (резисторами, диодами, стабилитронами)
б) При замене снизить перенапряжения с помощью защитных цепочек, стабилитронов, обратных шунтирующих диодов
в) При замене выяснить и устранить причины перегрузки и при необходимости последовательно с нагрузкой включить резистор, контролируя достаточность уровня выходного сигнала транзистора
г) При замене:

  • восстановить нормальное функционирование штатной системы охлаждения;
  • увеличить площадь радиатора;
  • применить принудительное охлаждение
2. Обрыв выводов

Причина неисправности:

а) Недостаточно жесткое закрепление или повышенная вибрация

Принимаемые меры:

а) При замене улучшить крепление или устранить причину повышенной вибрации

Как определить неисправный транзистор — Морской флот

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов,…

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Проверка транзисторов — обязательный шаг при диагностике и ремонте микросхем

Что такое транзистор

Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные.

Транзистор один из основных компонентов микросхем и электрических схем

Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. На базу подается ток небольшой величины, который вызывает изменение в зоне эмиттер-коллектор сопротивления, что приводит к изменению протекающего тока. Ток протекает в одном направлении, которое определяется типом перехода и соответствует полярности подключения.

Транзистор данного типа оснащен двумя p-n переходами. Когда в крайней области прибора преобладает электронная проводимость (n), а в средней — дырочная (p), то транзистор называется n-p-n (обратная проводимость). Если наоборот, тогда прибор именуется транзистором типа p-n-p (прямая проводимость).

Полевые транзисторы имеют характерные отличия от биполярных. Они оснащены двумя рабочими выводами — истоком и стоком и одним управляющим (затвором). В данном случае на затвор воздействует напряжение, а не ток, что характерно для биполярного типа. Электрический ток проходит между истоком и стоком с определенной интенсивностью, которая зависит от сигнала. Этот сигнал формируется между затвором и истоком или затвором и стоком. Транзистор такого типа может быть с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором. В первом случае рабочие выводы подключаются к полупроводниковой пластине, которая может быть p- или n-типа.

Принцип работы полевого транзистора

Главной особенностью полевых транзисторов является то, что их управление обеспечивается не при помощи тока, а напряжения. Минимальное использование электроэнергии позволяет его применять в радиодеталях с тихими и компактными источниками питания. Такие устройства могут иметь разную полярность.

Как проверить мультиметром транзистор

Многие современные тестеры оснащены специализированными коннекторами, которые используются для проверки работоспособности радиодеталей, в том числе и транзисторов.

Чтобы определить рабочее состояние полупроводникового прибора, необходимо протестировать каждый его элемент. Биполярный транзистор имеет два р-n перехода в виде диодов (полупроводников), которые встречно подключены к базе. Отсюда один полупроводник образовывается выводами коллектора и базы, а другой эмиттера и базы.

Используя транзистор для сборки монтажной платы необходимо четко знать назначение каждого вывода. Неправильное размещение элемента может привести к его перегоранию. При помощи тестера можно узнать назначение каждого вывода.

Чтобы определить состояние транзистора, необходимо протестировать каждый его элемент

Важно! Данная процедура возможна лишь для исправного транзистора.

Для этого прибор переводится в режим измерения сопротивления на максимальный предел. Красным щупом следует коснуться левого контакта и измерить сопротивление на правом и среднем выводах. Например, на дисплее отобразились значения 1 и 817 Ом.

Затем красный щуп следует перенести на середину, и с помощью черного измерить сопротивления на правом и левом выводах. Здесь результат может быть: бесконечность и 806 Ом. Красный щуп перевести на правый контакт и произвести замеры оставшейся комбинации. Здесь в обоих случаях на дисплее отобразится значение 1 Ом.

Делая вывод из всех замеров, база располагается на правом выводе. Теперь для определения других выводов необходимо черный щуп установить на базу. На одном выводе показалось значение 817 Ом – это эмиттерный переход, другой соответствует 806 Ом, коллекторный переход.

Схема проверки транзисторов с помощью мультиметра

Важно! Сопротивление эмиттерного перехода всегда будет больше, чем коллекторного.

Как прозвонить мультиметром транзистор

Чтобы убедиться в исправном состоянии устройства достаточно узнать прямое и обратное сопротивление его полупроводников. Для этого тестер переводится в режим измерения сопротивления и устанавливается на предел 2000. Далее следует прозвонить каждую пару контактов в обоих направлениях. Так выполняется шесть измерений:

  • соединение «база-коллектор» должно проводить электрический ток в одном направлении;
  • соединение «база-эмиттер» проводит электрический ток в одном направлении;
  • соединение «эмиттер-коллектор» не проводит электрический ток в любом направлении.

Как прозванивать мультиметром транзисторы, проводимость которых p-n-p (стрелка эмиттерного перехода направлена к базе)? Для этого необходимо черным щупом прикоснуться к базе, а красным поочередно касаться эмиттерного и коллекторного переходов. Если они исправны, то на экране тестера будет отображаться прямое сопротивление 500-1200 Ом.

Точки проверки транзистора p-n-p

Для проверки обратного сопротивления красным щупом следует прикоснуться к базе, а черным поочередно к выводам эмиттера и коллектора. Теперь прибор должен показать на обоих переходах большое значение сопротивления, отобразив на экране «1». Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден.

Такая методика позволяет решить вопрос: как проверить мультиметром транзистор, не выпаивая его из платы. Это возможно благодаря тому, что переходы устройства не зашунтированы низкоомными резисторами. Однако, если в ходе замеров тестер будет показывать слишком маленькие значения прямого и обратного сопротивления эммитерного и коллекторного переходов, транзистор придется выпаять из схемы.

Перед тем как проверить мультиметром n-p-n транзистор (стрелка эмиттерного перехода направлена от базы), красный щуп тестера для определения прямого сопротивления подключается к базе. Работоспособность устройства проверяется таким же методом, что и транзистор с проводимостью p-n-p.

О неисправности транзистора свидетельствует обрыв одного из переходов, где обнаружено большое значение прямого или обратного сопротивления. Если это значение равно 0, переход находится в обрыве и транзистор неисправен.

Принцип работы биполярного транзистора

Такая методика подходит исключительно для биполярных транзисторов. Поэтому перед проверкой необходимо убедиться, не относиться ли он к составному или полевому устройству. Далее необходимо проверить между эмиттером и коллектором сопротивление. Замыканий здесь быть не должно.

Если для сборки электрической схемы необходимо использовать транзистор, имеющий приближенный по величине тока коэффициент усиления, с помощью тестера можно определить необходимый элемент. Для этого тестер переводится в режим hFE. Транзистор подключается в соответствующий для конкретного типа устройства разъем, расположенный на приборе. На экране мультиметра должна отобразиться величина параметра h31.

Как проверить мультиметром тиристор? Он оснащен тремя p-n переходами, чем отличается от биполярного транзистора. Здесь структуры чередуются между собой на манер зебры. Главных отличием его от транзистора является то, что режим после попадания управляющего импульса остается неизменным. Тиристор будет оставаться открытым до того момента, пока ток в нем не упадет до определенного значения, которое называется током удержания. Использование тиристора позволяет собирать более экономичные электросхемы.

Схема проверки тиристора мультиметром

Мультиметр выставляется на шкалу измерения сопротивления в диапазон 2000 Ом. Для открытия тиристора черный щуп присоединяется к катоду, а красный к аноду. Следует помнить, что тиристор может открываться положительным и отрицательным импульсом. Поэтому в обоих случаях сопротивление устройства будет меньше 1. Тиристор остается открытым, если ток управляющего сигнала превышает порог удержания. Если ток меньше, то ключ закроется.

Как проверить мультиметром транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является трехэлектродным силовым полупроводниковым прибором, в котором по принципу каскадного включения соединены два транзистора в одной структуре: полевой и биполярный. Первый образует канал управления, а второй – силовой канал.

Чтобы проверить транзистор, мультиметр необходимо перевести в режим проверки полупроводников. После этого при помощи щупов измерить сопротивление между эмиттером и затвором в прямом и обратном направлении для выявления замыкания.

IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер

Теперь красный провод прибора соединить с эмиттером, а черным коснуться кратковременно затвора. Произойдет заряд затвора отрицательным напряжением, что позволит транзистору оставаться закрытым.

Важно! Если транзистор оснащен встроенным встречно-параллельным диодом, который анодом подключен к эмиттеру транзистора, а катодом к коллектору, то его необходимо прозвонить соответствующим образом.

Теперь необходимо убедиться в функциональности транзистора. Сначала стоит зарядить положительным напряжением входную емкость затвор-эмиттер. С этой целью одновременно и кратковременно красным щупом следует прикоснуться к затвору, а черным к эмиттеру. Теперь необходимо проверить переход коллектор-эмиттер, подключив черный щуп к эмиттеру, а красный к коллектору. На экране мультиметра должно отобразиться незначительное падение напряжения в 0,5-1,5 В. Эта величина на протяжении нескольких секунд должна оставаться стабильной. Это свидетельствует о том, что во входной емкости транзистора утечки нет.

Проверка транзистора мультиметром без выпаивания из микросхемы

Полезный совет! Если напряжения мультиметра недостаточно для открытия IGBT транзистора, тогда для заряда его входной емкости можно использовать источник постоянного напряжения в 9-15 В.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления.

Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства. Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору.

Перед проверкой исправного состояния транзистора, стоит учесть, что современные радиодетали типа MOSFET имеют дополнительный диод, расположенный между истоком и стоком, который обязательно нанесен на схему прибора. Полярность диода полностью зависит от вида транзистора.

Полезный совет! Обезопасить себя от накопления статических зарядов можно при помощи антистатического заземляющего браслета, который надевается на руку, или прикоснуться рукой к батарее.

Устройство полевого транзистора с N-каналом

Основная задача, как проверить мультиметром полевой транзистор, не выпаивая его из платы, состоит из следующих действий:

  1. Необходимо снять с транзистора статическое электричество.
  2. Переключить измерительный прибор в режим проверки полупроводников.
  3. Подключить красный щуп к разъему прибора «+», а черный «-».
  4. Коснуться красным проводом истока, а черным стока транзистора. Если устройство находится в рабочем состоянии на дисплее измерительного прибора отобразиться напряжение 0,5-0,7 В.
  5. Черный щуп подключить к истоку транзистора, а красный к стоку. На экране должна отобразиться бесконечность, что свидетельствует об исправном состоянии прибора.
  6. Открыть транзистор, подключив красный щуп к затвору, а черный – к истоку.
  7. Не меняя положение черного провода, присоединить красный щуп к стоку. Если транзистор исправен, тогда тестер покажет напряжение в диапазоне 0-800 мВ.
  8. Изменив полярность проводов, показания напряжения должны остаться неизменными.
  9. Выполнить закрытие транзистора, подключив черный щуп к затвору, а красный – к истоку транзистора.

Пошаговая проверка полевого транзистора мультиметром

Говорить об исправном состоянии транзистора можно исходя из того, как он при помощи постоянного напряжения с тестера имеет возможность открываться и закрываться. В связи с тем, что полевой транзистор обладает большой входной емкостью, для ее разрядки потребуется некоторое время. Эта характеристика имеет значение, когда транзистор вначале открывается с помощью создаваемого тестером напряжения (см. п. 6), и на протяжении небольшого количества времени проводятся измерения (см. п.7 и 8).

Проверка мультиметром рабочего состояния р-канального полевого транзистора осуществляется таким же методом, как и n-канального. Только начинать измерения следует, подключив красный щуп к минусу, а черный – к плюсу, т. е. изменить полярность присоединения проводов тестера на обратную.

Исправность любого транзистора, независимо от типа устройства, можно проверить с помощью простого мультиметра. Для этого следует четко знать тип элемента и определить маркировку его выводов. Далее, в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления узнать прямое и обратное сопротивление его переходов. Исходя из полученных результатов, судить об исправном состоянии транзистора.

Как проверить мультиметром транзистор: видео инструкция

Как” определить базу, коллектор и эмиттер

Иногда бывают ситуации, когда нет под рукой справочника и возможности найти цоколёвку в интернете, а надпись на корпусе транзистора стала нечитаемой. Тогда, пользуясь схемами с диодами, можно опытным путём найти базу и определить тип прибора.

Строение биполярного транзистора и как его можно представить чтобы понять как его будем проверять

Путём перебора ищем положение щупов, при котором «звонятся» все три электрода. Тот вывод, относительно которого появляются показания на двух других и будет базой. Потому, плюс или минус подан на базу определяем тип, PNP или NPN. Если на базу подаём плюс — это NPN тип, если минус — это PNP.

Чтобы определить, где эмиттер,а где коллектор, надо сравнить показания мультиметра при измерении. На эмиттере ток всегда больше. Так и найдём опытным путём базу, эмиттер и коллектор.

>

Неисправность — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Неисправность — транзистор

Cтраница 1

Неисправность транзистора в схеме — явление редкое и может быть вызвано его перегревом при плохом теплоотводе или при пайке, или нарушением режимов работы схемы.  [1]

Неисправность транзистора или любой другой радиодетали может повлечь за собой заметное ухудшение качества приема или полное нарушение работы приемника.  [2]

Неисправность транзистора VT10 приводит к хаотическим горизонтальным полосам на экране телевизора.  [4]

Неисправность транзистора в схеме — явление редкое и может быть вызвано его перегревом при плохом теплоотводе или при пайке, или нарушением режимов работы схемы.  [5]

Неисправность транзистора VT10 приводит к хаотическим горизонтальным полосам на экране телевизора.  [7]

Неисправность транзистора определить, измеряя напряжения на базе и эмиттере. Если напряжение на базе транзистора ниже, чем на эмиттере, то неисправен либо этот транзистор, либо предыдущий.  [8]

Часто встречаются следующие неисправности транзисторов: обрыв одного иг. Внешними признаками, указывающими на возможный выход из строя мощных транзисторов, является почернение корпуса или цвета побежалости на нем; у неисправных транзисторов типа КТ315, КТ361 нередко на корпусе бывает черное пятно, вспученность.  [10]

Часто встречаются следующие неисправности транзисторов: обрыв одного из переходов, пробой одного из переходов, пробой или утечка под напряжением участка эмиттер — коллектор; надломленные выводы. Внешними признаками, указывающими на возможный выход из строя мощных транзисторов, является почернение корпуса или цвета побежалости на нем; у неисправных транзисторов типа КТ315, КТ361 нередко на корпусе бывает черное пятно, вспученность.  [12]

Изображение неустойчиво по вертикали в телевизоре УЛПЦТ-59-П из-за неисправности транзистора 1Т17, резисторов 1R117, 1R118 и конденсаторов 1С96, 1С98 блока радиоканала.  [13]

Дефект может заключаться из-за отсутствия импульсов запуска каскада строчной развертки или из-за неисправности транзисторов VT1, VT2 и их цепей.  [14]

Страницы:      1    2

3.6. Основные неисправности, методы их поиска и устранения

3.6. Основные неисправности, методы их поиска и устранения

Проведение ремонтных работ любого электронного устройства в большинстве случаев имеет комплексный характер. Поиск неисправности, ее локализация и устранение проводятся, как правило, с помощью контрольно-диагностических измерительных приборов. После любого вида ремонтно-восстановительных работ необходимо проводить тщательную предварительную проверку функционирования узлов блока питания по методике, приведенной в предыдущем пункте. В некоторых случаях постепенная проверка каскадов позволяет обнаружить дефекты, не выявленные ранее, и проконтролировать правильность проведенных замен элементов. Все операции по измерению электрических режимов работы элементов силового каскада следует проводить согласно рис. 2.21 при подключении источника питания к сети через трансформатор развязки.

При проведении диагностики основных полупроводниковых приборов необходимо проверять и пассивные элементы, задающие электрические режимы функционирования активных компонентов. Нередко дефект, вызванный отказом именно пассивных элементов, является причиной потери работоспособности узла на активных приборах. Перед принятием окончательного решения по поводу замены убедитесь в нормальном состоянии печатных проводников платы и пассивных элементов.

Безусловно, в качестве рекомендаций по проведению ремонтных работ следует особо отметить необходимость всестороннего анализа причин, которые могли привести к появлению дефекта или отказу работоспособности. При выявлении причины нужно восстановить логику действий, вызвавших тот или иной отказ, на основании которых легче спрогнозировать возможные неисправности элементов и локализовать их. Если возникает необходимость замены элементов, ее следует проводить с использованием оригинальных компонентов или самых близких функциональных аналогов. При этом подборе элементов в первую очередь учитываются параметры, наиболее критичные для функционирования в конкретных условиях. К ним могут относиться тепловые режимы, максимальные величины тока или напряжения используемого прибора. Локализовать неисправный узел можно по внешним признакам проявления дефекта и, соответственно, наметить план действий по выявлению возникшей неисправности.

При включении блока питания сгорает предохранитель.

Возможная причина: в каскаде усилителя мощности неисправны силовые транзисторы.

Алгоритм поиска неисправности:

1. При отключенном электропитании импульсного преобразователя тестером провести проверку целостности внутренней структуры силовых транзисторов Q5 и Q6. Дополнительно проверить отсутствие электрического контакта корпусов этих транзисторов с радиатором. Во время проверки транзисторов следует учитывать, что во внутренней структуре мощных полупроводниковых приборов могут быть включены дополнительные диоды между эмиттером и коллектором или между эмиттером и базой.

2. Если требуется замена транзисторов, то аналоги должны соответствовать оригинальным приборам по рабочим уровням напряжений, тока, а также по частотным характеристикам. Выход из строя силовых транзисторов может повлечь за собой отказ пассивных элементов, установленных в базовых цепях транзисторов Q5 и Q6. Перед проведением контрольных прогонов при подключенном напряжении питания эти элементы также должны быть предварительно проверены.

Возможная причина: выход из строя элементов, обеспечивающих режим «медленного» запуска источника питания.

Алгоритм поиска неисправности:

1. Убедиться в целостности печатных проводников, соединяющих элементы R16 и C6 c соответствующими выводами микросхемы IC1.

2. Обязательно проконтролировать соответствие обозначенных на элементах номиналов реальным параметрам, а также отсутствие повреждений на них.

3. Влияние указанных элементов на неисправность можно объяснить следующими обстоятельствами. При подключении источника питания к сети конденсаторы вторичных каналов разряжены и находятся в состоянии КЗ. На начальном этапе запуска схемы преобразователя включается узел принудительного ограничения длительности импульсов управления. Работа узла основана на постепенном заряде конденсатора C6, включенного в дифференцирующую цепь последовательно с резистором R16. Принцип работы узла «медленного» запуска описан в подразделе 3.4.4. Если произошло нарушение соединения конденсатора C6 и резистора R16, то в начальный момент включения источника на выводе IC1/4 спадающий положительный импульс появляться не будет. При отсутствии этого напряжения на IC1/4 компаратор «мертвой зоны» DA1 не будет оказывать влияния на параметры последовательности импульсов. Длительность импульсов возбуждения усилителя мощности будет максимальна, так как источник питания работает практически на короткозамкнутую нагрузку.

Возможная причина: переключатель S1 установлен неправильно, вследствие чего уровень входного напряжения не соответствует номиналу.

Алгоритм поиска неисправности:

1. Если селектор входного напряжения S1 установлен в положение, соответствующее 115 В, то выпрямитель и сетевой фильтр сконфигурированы для работы по схеме удвоителя напряжения. Включение такого источника в сеть 220 В приведет к повышению постоянного напряжения на усилителе мощности до уровня, превышающего 600 В, и повреждению электролитических конденсаторов C10 и C11, транзисторов Q5 и Q6 и элементов в базовых цепях силовых транзисторов.

2. После замены неисправных элементов перед включением источника в реальную сеть питания проведите полный комплекс проверок функционирования усилителя мощьности в соответствии с методикой изложенной в разделе 3.6.

После подачи питания запуска источника не происходит.

Возможная причина: неисправность в цепи фильтрации импульса начального питания.

Алгоритм поиска неисправности:

1. В схеме с самовозбуждением узел начального питания ШИМ преобразователя IC1 подключается к выходу выпрямителя канала +12 В. В схеме, приведенной на рис. 3.2, это диод D18 и RC фильтр на C17, C18 и R31. Если есть повреждение в цепи, связывающей связи указанные элементы, то начальный импульс не дойдет до микросхемы IC1. Если же существуют повреждения конденсаторов в цепи фильтрации, то импульс, действующий на IC1/12, будет очень коротким и внутренняя логика микросхемы не успеет выработать импульсы возбуждения усилителя мощности.

2. Для проверки работы цепи подачи первичного питания на микросхему IC1 при подключении источника питания к сети переменного тока проконтролируйте появление положительного импульса на конденсаторе C18, его сглаживание на C17 и подачу этого напряжения на вывод IC1/12. Контроль появления импульса начального питания, его преобразование в цепи выпрямления и фильтрации и прохождение положительного напряжения на IC1/12 проводить относительно общего провода вторичной цепи.

Возможная причина: отказ элементов каскада задержки включения защиты на транзисторе Q2.

Алгоритм поиска неисправности:

1. В начальный момент включения источника питания вследствие появления импульса положительной полярности на базе Q2 транзистор открывается и шунтирует каскад датчиков перегрузки вторичных цепей на Q1. Если импульс не появляется или неисправен транзистор Q2, шунтирование не происходит. В отсутствие вторичных напряжений транзистор Q1 закрыт и на его коллекторе устанавливается напряжение, равное по уровню опорному, выработанному на IC1/14. Высокий уровень напряжения через диод D4 поступит на IC1/4 и вызовет блокировку ШИМ преобразователя.

2. Контроль срабатывания каскада на транзисторе Q2 проводить при подключении источника питания к сетевому питающему напряжению. Измерения осуществлять относительно общего провода вторичной цепи питания. При нормальной работе каскада на Q2 после появления импульса начального питания на IC1/12 через конденсатор C5 проходит положительный импульс, уровень которого делится на резисторах R4 и R5. Напряжение, пропорциональное соотношению этих сопротивлений, поступает на базу Q2 и открывает его. Транзистор переходит в насыщение. По мере перезаряда конденсатора C5 напряжение на базе Q2 снижается и синхронно с ним закрывается транзистор Q2. Для выявления неисправного элемента необходимо проверить логику срабатывания элементов в каскаде на транзисторе.

3. Если обнаружено, что в базовой цепи Q2 присутствуют отказавшие пассивные компоненты, замените их на элементы, полностью аналогичные по параметрам, так как их номиналы задают временные характеристики начального шунтирования цепи защиты.

В случае отказа транзистора Q2 его можно заменить n-p-n транзистором малой мощности, например КТ3102, в пластиковом корпусе с любым буквенным индексом.

Возможная причина: после включения происходит блокировка ШИМ преобразователя.

Алгоритм поиска неисправности:

1. Блокировка ШИМ преобразователя может возникать из-за сигналов, поступающих на входы IC1/15 и IC1/4. Ложное срабатывание защиты по входу IC1/15 может возникнуть, если нарушены связи между резисторами R13 – R15. Если из трех резисторов с IC1/15 соединен только один R14, то на этом выводе будет отрицательное напряжение, поступающее от датчика длительности импульсов управления на трансформаторе T3. Напряжение на IC1/15 будет ниже уровня общего провода, к которому подключен вывод IC1/16. При таком соотношении напряжений на указанных входах произойдет блокировка импульсных последовательностей на выходах IC1.

2. Для проверки данного узла следует при выключенном источнике питания проверить все соединения элементов, подключенных к IC1/15, на соответствие принципиальной схеме. Если обнаружены повреждения печатных проводников, их следует восстановить. В случае повреждения элементов, их необходимо заменить.

Возможная причина: происходит ложное срабатывание защиты из-за нарушения электрических связей между элементами в эмиттерной цепи Q1.

Алгоритм поиска неисправности:

1. При нормальном режиме работы источника питания транзистор Q1 находится в проводящем состоянии. Уровень напряжения на его коллекторе близок к потенциалу общего провода. Если транзистор Q1 неисправен или нарушены связи между элементами, подключенными к его эмиттеру, напряжение на коллекторе будет иметь положительный уровень. Через диод D4 оно будет подаваться на вывод IC1/4 и приведет к блокировке ШИМ преобразователя. После подачи питания отключение преобразователя в случае неисправности элементов каскада на Q1 происходит довольно быстро, поэтому обычными измерительными приборами зафиксировать момент появления положительного напряжения на аноде D4 оно достаточно сложно.

2. Чтобы убедиться в исправности этого каскада, нужно при выключенном питании проверить правильность соединений элементов, подключенных к эмиттеру Q1. Проверить сам транзистор Q1. Если обнаружен неисправный элемент, его обязательно нужно заменить на аналогичный по параметрам. Транзистор Q1 можно заменить на отечественный аналог КТ3107 с любым буквенным индексом.

Возможная причина: отказ микросхемы ШИМ преобразователя или элементов промежуточного усилителя.

Алгоритм поиска неисправности:

1. При отсутствии воздействий по входам IC1/4 и IC1/15, приводящим к блокировке ШИМ преобразоваля, микросхема IC1 начинает функционировать сразу после подачи питания на ее вывод 12. Проверку исправности микросхемы IC1 следует проводить, предварительно отключив все элементы, воздействующие на входы блокировки работы ШИМ преобразователя. Все нагрузки каналов вторичных напряжений должны быть отсоединены. Для отключения элементов защиты по выводу IC1/4 нужно отпаять один из выводов диода D4. При этом останутся включенными элементы, обеспечивающие процесс «медленного» запуска. Отпаяйте один из выводов резистора R14, при этом будет отключен датчик контроля длительности импульсов возбуждения силового каскада.

2. Включите источник питания. Проверьте генерацию импульса начального питания по появлению положительного напряжения на выводе IC1/14. На выводе IC1/12 должно появиться напряжение +5 В. Появление пилообразного напряжения на выводе IC1/5 будет свидетельствовать о нормальном запуске внутреннего генератора.

3. Если все предыдущие проверки дали положительный результат, проконтролируйте появление импульсов на выводах IC1/11 и IC1/8. Кратковременное появление импульсов на выходах микросхемы может служить признаком нормального ее запуска, но затем она может отключаться вследствие появления сигнала блокировки.

4. Если такой эффект наблюдается, проверьте работоспособность всех элементов, подключенных к выводам IC1/1,2,4,15. Полное отсутствие переменных сигналов на сигнальных выводах и напряжения + 5 В на IC1/14 указывает на отказ микросхемы и необходимость ее замены.

5. После проведения необходимых замен элементов все соединения восстановите.

6. Окончательное тестирование отремонтированного источника питания должно проводиться при полной комплектации с подключением всех узлов защиты.

Возможная причина: выход из строя резисторов смещения в базовых цепях силовых транзисторов.

Алгоритм поиска неисправности:

Если в результате проверок предыдущих пунктов обнаружено отсутствие импульса начального питания микросхемы IC1, необходимо проверить исправность элементов в базовых цепях силовых транзисторов. Отсутствие положительного смещения в базовых цепях Q5 и Q6 приведет к нарушению условий автогенерации начального импульса питания и к невозможности запуска.

Проверку проводить при отключенном напряжении питания.

Возможная причина: выход из строя резисторов в делителе на R7 и R8.

Алгоритм поиска неисправности:

1. Если неисправен резистор R7, то вывод IC1/1 постоянно подключен к общему проводу через R8. На входах усилителя ошибки DA3 (схема на рис. 2.7) постоянно будет присутствовать сигнал рассогласования, заставляющий ШИМ преобразователь увеличивать длительность импульсов управления силовыми транзисторами. В результате напряжения во вторичных каналах будут чрезмерно возрастать, и включится защита по каналу +12 В. Либо от датчика на трансформаторе T3 на микросхему IC1 поступит сигнал, свидетельствующий о слишком большой длительности импульсов управления, что также вызовет блокировку ШИМ преобразователя.

2. Отказ резистора R8 приведет к тому, что во вторичных каналах уровни напряжений не будут повышаться до номинальных значений. Сопротивления резисторов в плечах делителей на R7, R8 и R9, R10 должны быть примерно одинаковы. Проверьте правильность соединений этих резисторов и их номиналы.

Короткое замыкание в канале с отрицательным номиналом напряжения не вызывает блокировки источника.

Возможная причина: нарушение электрических связей в канале защиты от перегрузки на Q1.

Алгоритм поиска неисправности:

Такой эффект может возникнуть при КЗ в канале -5 В, если неисправен диод D2 или он не подсоединен к выходу этого канала. Проверьте исправность диода и корректность его подключения в электрической цепи.

Вторичные напряжения в норме. С данным блоком питания компьютер не включается.

Возможная причина: нарушение работы узла формирования сигнала «питание в норме».

Алгоритм поиска неисправности:

1. Каскад на транзисторе Q7 вырабатывает сигнал высокого логического уровня с задержкой относительно времени установления вторичных напряжений. При включении источника питания и появлении вторичного напряжения +5 В на базе Q7 возникает положительный импульс, открывающий транзистор. На его коллекторе устанавливается напряжение, близкое к потенциалу общего провода. Постепенно положительный заряд на отрицательной обкладке конденсатора C22 спадает и транзистор Q7 закрывается. На коллекторе появляется напряжение, уровень которого равен значению, установившемуся во вторичном канале +5 В. В отсутствие этого сигнала не произойдет инициализации логики компьютерной системы. 2. Для того чтобы идентифицировать неисправность в каскаде формирования сигнала «питание в норме», при включении источника проследите логику срабатывания элементов, подключенных к транзистору Q7 и самого транзистора. Отказавший элемент замените.

В одном из вторичных каналов напряжение не достигает номинального уровня.

Возможная причина: отказ одного из диодов выпрямителя или отсутствие у него электрической связи с вторичной обмоткой.

Алгоритм поиска неисправности:

1. Если произошел отказ выпрямительного диода, то в контролируемый канал будет поступать энергии в два раза меньше номинального уровня.

2. Проверьте электрические соединения выпрямительных диодов и их исправность. В случае отказа, замените на аналогичный по параметрам.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.

Продолжение на ЛитРес

Причины выхода транзистора из строя — Ремонт электрорадиотехнических деталей — Ремонт деталей теплоизмерительных и электроизмерительных приборов

Измеряя сопротивление, не допускают перегрузки переходов р-п током, так как она приводит к возрастанию температуры и выходу из строя транзистора. Наиболее безопасно применять омметры с внутренним источником напряжения 1,5 В или меньше, а в многопредельных омметрах использовать шкалы с пределами 1 х 100 или 1 х 1000 Ом.

Сопротивление между коллектором и эмиттером в прямом и обратном направлениях должно быть не менее 10 кОм. При меньшем сопротивлении транзистор будет иметь большие токи утечки и должен быть заменен. Сопротивление между выводами базы и эмиттера и выводами базы и коллектора должно составлять в одном направлении меньше 150 Ом, в другом — более нескольких тысяч ом.

Выявление неполадок транзисторов может быть осуществлено также измерением напряжения на их выводах, что требует особой осторожности, так как даже кратковременные замыкания между коллектором и базой выводят транзистор из строя. При обрыве вывода базы на ней сохраняется нормальное напряжение, в то время как транзистор находится в режиме отсечки, на что указывает отсутствие тока в цепях коллектора и эмиттера.

Если вольтметр показывает одинаковые напряжения на коллекторе и эмиттере, то наиболее вероятной причиной неисправности является пробой в коллекторном или эмиттерном переходах.

Вместе с тем это явление может возникнуть из-за изменения напряжения смещения, вследствие которого транзистор оказывается чрезмерно открытым. В этом случае напряжение на эмиттере будет примерно равным напряжению на коллекторе. Для проверки исправности такого каскада подключают вольтметр параллельно резистору в эмиттерной цепи, после чего замыкают выводы эмиттера и базы. Если транзистор исправен, то показания вольтметра должны уменьшиться, поскольку прямое напряжение смещения при этом упадет до нуля.

Выявление неполадок полевых транзисторов

Полевые транзисторы по сравнению с биполярными обладают большим входным сопротивлением и наличием термостабильной точки, вследствие чего предпочтительны для применения в усилителях постоянного тока, используемых в различных контрольно-измерительных приборах и регуляторах теплоэнергетических процессов. Полевые транзисторы также обладают лучшими шумовыми свойствами на низких и инфранизких частотах и хорошей стабильностью электрических параметров.

Наиболее часто повреждения полевых транзисторов возникают в результате разряда на них статического электричества, накопленного на производственном оборудовании или на одежде и обуви обслуживающего, например ремонтного, персонала.


«Справочное пособие по ремонту приборов и регуляторов»,
А.А.Смирнов

мосфет или полевик, мультиметром не выпаивая, с изолированным затвором на неисправность

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Иногда требуется точно определить, работоспособен ли полевой транзистор. Это возможно выполнить с использованием мультиметра. Как проверить полевик — подробнее рассказывается далее.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

  1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
  2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.
Проверка мультиметром

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

  • с управляющим переходом;
  • с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

  1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
  2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
  3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
  4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.
Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении
  1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в.

Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

  1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
  2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
С управляющим p-n-переходом
  1. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
  2. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

Примеры поиска неисправностей в электрических принципиальных схемах

В каждом примере описаны условия проявления отдельных неисправно­стей. Предполагается, что в каждом случае неисправность обусловлена дефектом одного элемента схемы, но данная неисправность схемы может быть связана с несколькими элементами. Все потенциалы измеряются в вольтах относительно шасси с помощью вольтметра с чувствительно­стью 20 кОм/В.

1. Усилитель постоянного тока (рис. 38.10)

Контрольная точка

1

2

3

4

Номинальное напряжение

0,7

0,1

5,1

4,5

Неисправность А

(нет выходного сигнала)

0

0

8,65

8

Неисправность В

(нет выходного сигнала)

0,01

0,01

8,4

7,75

Неисправность С

(нет выходного сигнала)

0,48

0

0,02

0

Неисправность D

(нет выходного сигнала)

0,7

0,1

5,1

4,7

Неисправность А

Транзистор T1 в состоянии отсечки, Ve = 0, Vc = VCC. Отсечка обусловлена ну­левым напряжением на базе этого транзистора (контрольная точка 1). Так как между двумя транзисторами существует непосредственная связь по постоянному току, напряжение на базе транзистора T2 увеличивается вместе с увеличением напряжения на коллекторе транзистора T1, что приводит к насыщению транзи­стора T2.
Ответ: обрыв резистора R1.

Неисправность В

Транзистор T1 в состоянии отсечки. Напряжения в контрольных точках 1 и 2 равны, что наводит на мысль о наличии короткого замыкания. Эти напряжения определяются резисторным делителем, составленным из резистора R1 (1,6 МОм), включенного последовательно с параллельной парой резисторов R2 (70 кОм)

Рис. 38.10.

и R4 (1 кОм). Как и в случае неисправности А, транзистор T2 находится в состоянии насыщения.

Ответ: короткое замыкание перехода база-эмиттер транзистора T1.

Неисправность С
Оба транзистора в состоянии отсечки. Напряжение на эмиттере транзистора T2 равно нулю (контрольная точка 4). Низкое напряжение на коллекторе тран­зистора T1 указывает на насыщение транзистора, в то время как напряжение на его базе (контрольная точка 2) равно нулю. Такая ситуация соответствует отсечке транзистора в результате обрыва резистора в цепи коллектора. Пониже­ние напряжения на базе транзистора T1 (относительно номинального значения) связано с протеканием большого базового тока через резистор R1 (1,6 МОм).
Ответ: обрыв резистора R3. Неисправность D
Транзистор T1 работает в нормальном статическом режиме. Насыщение тран­зистора T12привело бы к высокому напряжению на его эмиттере. Поскольку на­пряжение на эмиттере близко к номинальному, а выходной сигнал отсутствует, транзистор T2 должен находиться в состоянии отсечки. Повреждение транзи­стора, например внутренний обрыв перехода база-эмиттер, привело бы к нулево­му напряжению на эмиттере. При внутреннем обрыве коллекторного перехода напряжение на эмиттере было бы очень мало. Неисправность может быть об­условлена только обрывом резистора R5.
Ответ: обрыв резистора R5.

2. Двухкаскадный усилитель с RC-связью на полевых транзисторах (рис. 38.11)

Контрольная точка

1

2

3

4

5

6

Номинальное напряжение

15

2,4

5,55

0

3,3

12,75

Неисправность А

 (нет выходного сигнала)

15

0

0

0

3,3

12,75

Неисправность В

(нет выходного сигнала)

15

2,4

5,55

5,55

7,5

9,9

Неисправность С

(нет выходного сигнала)

15

2,4

5,55

0

4,1

15

Неисправность D

(нет выходного сигнала)

15

2,4

5,55

0

6,1

10,8

Неисправность Е

(низкий уровень выходного сигнала)

15

2,4

5,55

0

3,3

12,75

Рис. 38.11.

Неисправность А

Транзистор T1 в состоянии отсечки. Транзистор T2 в нормальном режиме. Ну­левое напряжение на стоке и истоке наводит на мысль об обрыве резистора R2. Заметим, что при обрыве резистора R3 было бы получено высокое значение истокового напряжения.

Ответ: обрыв резистора R2.

Неисправность В

Транзистор T1 в нормальном режиме. Транзистор T2 насыщен (высокое напря­жение на истоке-стоке). Полевой транзистор может перейти в состояние насы­щения при уменьшении напряжения обратного смещения затвор-исток VGS. В случае полевого транзистора с каналом n-типа, используемого в данной схеме, это может произойти или при уменьшении абсолютной величины напряжения на затворе (приближении потенциала затвора к потенциалу истока с уменьше­нием падения напряжения VGS), или при удалении резистора утечки затвора (см. также неисправность D). Измерения в контрольных точках 3 и 4 указывают на короткое замыкание конденсатора C2. Это приводит к увеличению напряже­ния на затворе транзистора T2 с соответствующим уменьшением напряжения обратного смещения и увеличением тока через транзистор.
Ответ: короткое замыкание конденсатора Сч.


Неисправность С
Транзистор T1 в нормальном режиме. Напряжение на стоке транзистора T2 равно напряжению источника питания (15 В), что указывает на отсечку этого транзистора. Увеличение напряжения на истоке (контрольная точка 5) указы­вает на обрыв резистора R6. Заметим, что неисправность транзистора, связанная с внутренним обрывом перехода, приводила бы к отсечке, но одновременно и к нулевому напряжению на истоке.
Ответ: обрыв резистора R6.


Неисправность D
Транзистор T1 в нормальном режиме. Транзистор T2 насыщен (высокое напря­жение на истоке и стоке). Поскольку напряжение на затворе остается равным нулю, насыщение связано с обрывом резистора утечки затвора, что приводит к потере обратного смещения и увеличению тока стока.
Ответ: обрыв резистора R4.


Неисправность Е
Все напряжения по постоянному току в схеме соответствуют номинальным зна­чениям. Следовательно, неисправность связана с прохождением переменного тока. Низкий уровень выходного сигнала указывает на обрыв развязывающего конденсатора в цепи истока, что приводит к появлению отрицательной обратной связи по переменному току и уменьшению коэффициента усиления схемы.
Ответ: обрыв конденсатора C3 или C5.

3. Стабилизированный источник питания (рис. 38.12)

 Примечание. Всегда начинайте с измерения опорного напряжения ста­билитрона. Низкое или нулевое падение напряжения на стабилитроне указывает на то, что стабилитрон не находится в области пробоя. Это может быть связано либо с неисправностью самого стабилитрона, либо с повреждением резистора, определяющего ток стабилитрона (резистор R5 в схеме на рис. 38.12).


Рис. 38.12.

 

Контрольная точка          

1

2

3

4

5

Номинальное напряжение

18

14,1

8,75

9,35

13,3

Неисправность А

19,5

2,65

0

0,7

2,0

Неисправность В

19,8

13,5

8,75

9,35

13,5

Неисправность С

20

20

8,65

0

19,3

Неисправность D

19,5

0

0

0

0

Неисправность Е

20

20

0

0

0

Неисправность А
Опорное напряжение стабилитрона равно нулю, что указывает на короткое за­мыкание между контрольной точкой 3 и шасси. Заметим, что обрыв резистора R5 не привел бы к нулевому показанию вольтметра в точке 3, так как внутрен­нее сопротивление вольтметра дополнило бы эмиттерную цепь транзистора T2 и прибор показал бы падение напряжения.
Ответ: короткое замыкание стабилитрона Z1 или конденсатора C3.
Неисправность В
Стабилитрон работает. Контрольные точки 2 и 5 имеют одинаковые потенциалы, что указывает на короткое замыкание. Транзистор T1 находится в состоянии отсечки, поэтому увеличилось напряжение на его коллекторе (в контрольной точке 1).
Ответ: короткое замыкание эмиттерного перехода транзистора T1.
Неисправность С
Падение напряженияна стабилитроне на 0,1 В меньше номинального напряже­ния стабилизации. Это указывает на то, что стабилитрон находится в рабочей области (области пробоя), но получает недостаточный ток. Причиной такой си­туации является отсечка транзистора T2 (на его коллекторе 20 В). Отсечка связана с нулевым напряжением на базе этого транзистора, что указывает на обрыв в цепи смещения.
Ответ: обрыв резистора R3 или верхней части потенциометра R1.
Неисправность D
Нулевое напряжение на стабилитроне обусловлено нулевым напряжением в кон­трольной точке 5. Транзистор T2 находится в состоянии отсечки (на его базе и эмиттере нулевое напряжение). В контрольной точке 1 измеренное напряжение почти соответствует номинальному напряжению, однако на коллекторе транзи­стора T2 все те же 0 В. Это указывает на неисправность элементов R2 или C2.
Ответ: обрыв резистора R2 или короткое замыкание конденсатора C2.
Неисправность Е
Нулевое напряжение на стабилитроне обусловлено нулевым напряжением в кон­трольной точке 5. Напряжение на эмиттерном переходе транзистора T1 равно разности напряжений в контрольных точках 2 и 5: 20 – 0 = 20 В. Хорошо из­вестно, что pn-переход не может поддерживать прямое напряжение смещения, превышающее 0,7 В.
Ответ: обрыв эмиттерного перехода транзистора T1.

4. Выходной каскад (рис. 38.13)

Примечание. Следует начать с проверки напряжения в контрольной точке 4, где номинальное значение напряжения приблизительно равно 0,5VCC.Если измеренное напряжение больше, то транзистор T3 имеет более высокую проводимость, чем транзистор T1, и наоборот.

Неисправность А

В контрольной точке 4 действует полное напряжение источника питания VCC. Транзистор T3 насыщен, а транзистор T2 находится в состоянии отсечки. КоллекторT1 (контрольная точка 2) находится под напряжением VCC, что указы­вает на отсечку этого транзистора. Напряжение на базе T1 равно нулю, следо­вательно, неисправна цепь смещения.

Ответ: обрыв резистора R2.


Рис. 38.13.

Контрольная точка

1

2

3

4

5

Номинальное напряжение

0,61

6,3

6,7

6,45

12

Неисправность А

(нет выходного сигнала)

0

12

12

12

12

Неисправность В

(нет выходного сигнала)

0,19

0

0,79

1,09

12

Неисправность С

(очень низкий выходной сигнал)

0,4

1,1

1,08

1,08

12

Неисправность D

(нет выходного сигнала)

0,61

5,85

6,22

6,0

12

 

Неисправность В
Контрольная точка 2 имеет нулевой потенциал, что указывает на возможное короткое замыкание на шасси. Такое короткое замыкание приводит к очень сильному прямому смещению эмиттерного перехода транзистора T2, зарядке конденсатора C2 и уменьшению напряжения в контрольной точке 4. Низкое напряжение на базе T1 связано с низким напряжением в контрольной точке 4.
Ответ: короткое замыкание коллекторного перехода транзистора T2 или конденсатора C1.
Неисправность С
Напряжение в контрольной точке 4 существенно меньше номинального напряже­ния, Конденсатор C2 заряжается через транзистор T2, проводимость которого выше, чем в нормальном режиме, из-за низкого напряжения на его базе (кон­трольная точка 2). Низкий потенциал контрольной точки 2 не связан с насыще­нием T1. Заметим, что напряжение прямого смещения VBEэтого транзистора составляет всего 0,4 В вместо номинального значения 0,61 В. Таким образом, T1 должен находиться в состоянии отсечки в результате обрыва резистора в цепи коллектора. Отсечка не полная: транзистор T1 проводит ток, который проте­кает через эмиттерный переход транзистора T2 и заряжает конденсатор C2, что приводит к уменьшению напряжения в контрольной точке 4 до 1,08 В.
Потенциал базы T3 равен потенциалу коллектора T1, поскольку через рези­стор R5не протекает ток. Транзистор T3 находится в состоянии отсечки.
Ответ: обрыв резистора R6.
Неисправность D
Измеренные значения напряжений приблизительно совпадают с номинальными значениями. Следовательно, неисправность связана с прохождением переменно­го тока. Обрыв конденсатора C2 мог бы привести к небольшому уменьшению напряжения в контрольной точке 4 относительно номинального значения, так как баланс между двумя выходными транзисторами T2 и T3 больше не поддер­живается за счет заряда на конденсаторе C2.
Ответ: обрыв конденсатора C2.

 

5. Бистабильный мультивибратор (рис. 38.14)

В контрольных точках схемы должны действовать следующие номиналь­ные значения напряжений:

Контрольная точка

1

2

3

4

5

Состояние I

(транзистор T1 закрыт)

1,1

0,45

18,5

1,3

1,2

Состояние II

(транзистор T1 открыт)

1,1

1,3

1,2

0,45

18,5

В каждом из следующих случаев сигнал на выходе не изменяется при подаче на вход мультивибратора входного импульса.


Рис. 38.14.

Контрольная точка

1

2

3

4

5

Неисправность А

0,95

0,95

18,5

1,6

1,0

Неисправность В

0,9.5

0

18,5

1,6

1,0

Неисправность С

0,1

0,7

0,1

0,05

18,5

Неисправность D

1,1

0,45

18,5

1,3

1,2

Неисправность Е

7,7

8,0

19,0

8,0

19,0

Примечание. Бистабильный мультивибратор имеет два устойчивых состояния, в которых он может находиться, и, следовательно, два воз­можных набора номинальных напряжений в точках схемы.При лока­лизации неисправности сначала определяется состояние каждого тран­зистора, затем измеренные напряжения сравниваются с номинальными напряжениями для определения причины отсутствия переключения из одного состояния в другое.
Неисправность А
Транзистор T1 закрыт (отсечка), транзистор T2 открыт (насыщение). Напряже­ние VBE. Для транзистора T1 равно нулю, что указывает на короткое замыкание между его базой и эмиттером. Напряжение в контрольной точке 1 (0,95 В) в этом случае определяется падением напряжения на резисторе R4.
Ответ: короткое замыкание эмиттерного перехода транзистора T1.
Неисправность В
Транзистор T1 закрыт, транзистор T2 открыт. Нулевое напряжение на базе транзистора T1 указывает на неисправность цепи смещения R6 – R3.
Ответ: обрыв резистора R6.
Неисправность С
Транзистор T2 в состоянии отсечки. Кажется, что транзистор T1 насыщен; од­нако низкое напряжение на эмиттере (0,1 В в контрольной точке 1) указывает на отсечку из-за обрыва коллекторного резистора R1. Измеряемое напряжение на коллекторе транзистора T1 (контрольная точка 3) обусловлено внутренним сопротивлением вольтметра, а измеряемое напряжение на эмиттере (контроль­ная точка 1) — большим базовым током, протекающим через прямосмещенный эмиттериый переход транзистора T1.
Ответ: обрыв резистора R1.
Неисправность D
Все постоянные напряжения в норме. Неисправность связана с переменным то­ком.
Ответ: обрыв конденсатора C1.
Неисправность Е
Показания вольтметра одинаковы для обоих транзисторов (оба в состоянии от­сечки). Следовательно, неисправность должна быть общей для обоих транзисто­ров. Резистор R4 – единственный общий элемент, влияющий на режим схемы по постоянному току. Показание вольтметра в контрольной точке 1 обусловлено его внутренним сопротивлением.
Ответ: обрыв резистора R4.

6. Цифровая схема (рис. 38.15)

Описание схемы. Схема на рис. 38.15 является частью светового кон­троллера нагрузки линии передачи. Импульсы, поступающие на вход этой схемы, подсчитываются двоичным счетчиком на микросхеме ИС 5, который является делителем на 5. как видно из таблицы состояний его выходов. Сигналы, снимаемые с трех выходов ИС 5, выхода С (вывод 8), выхода B (вывод 9) и выхода А (вывод 12), формируют двоичный код, соответствующий определенной функции рассматриваемой системы. На­пример, когда состояние выходов СВА счетчика соответствует двоичной комбинации 000, зажигается ЖЕЛТЫЙ светодиод, а ЗЕЛЕНЫЙ и КРАС­НЫЙ светодиоды погашены. В состоянии 011 зажигаются ЖЕЛТЫЙ и КРАСНЫЙ светодиоды, а ЗЕЛЕНЫЙ погашен и т. д. Счетчик сбрасывается в исходное состояние 000 после зажигания ЗЕЛЕНОГО светодиода. Комбинационные логические схемы, следующие за счетчиком, образ схему управления зажиганием светодиодов. Микросхемы ИС 7а, ИС 7b, ИС 7с – буферные усилители тока.


Рис. 38.15. Таблица состояний выходов микросхемы ИС5

С

B

А

Активный выход

0

0

0

Желтый

0

0

1

Красный

0

1

0

Красный

0

1

1

Красный/желтый

1

0

0

Зеленый

Исходя из описанного ниже признака неисправности иизмеренныхлогических состояний на выводах микросхем, установить причину неисправности схемы.

 

Признак неисправности: не зажигается ЗЕЛЕНЫЙ светодиод

При проверке функционирования схемы путем подачи на вход отдельных им­пульсов с выхода логического импульсного генератора в соответствующих узлах схемы были зарегистрированы логические состояния микросхем ИС5, ИС6d, ИС7с. Все показания сняты с помощью логического пробника.

Выводы

ИС 5

ИС 6d

ИС 7с

С

В

А

4

5

6

3

4

 

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

1

0

1

1

1

1

0

1

0

0

1

1

1

1

0

1

1

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

1

0

1

1

1

1

Ответ. По состояниям выходов ИС 5 видно, что «зеленая» двоичная по­следовательность 100 отсутствует, поэтому на выводах 3 и 4 ИС 7с действует уровень логической 1, удерживающий ЗЕЛЕНЫЙ светодиод в выключенном со­стоянии. Неисправность – константный 0 на выходе С счетчика ИС 5. Счетчик сбрасывается в состояние 000 сразу же после «красно-желтой» комбинации.
Возможная неисправность: константный 0 на выводе 8 или выводе 2 счетчика ИС 5.

Добавить комментарий

Неисправности транзисторов

  • Раздел 7.3 Тестирование транзисторов
  • • Двухдиодная модель для БЮТ.
  • • Определение соединений транзисторов.
  • • Тестирование BJT.
  • • Тестирование полевых транзисторов.
  • • Тестирование полевых МОП-транзисторов

Двухдиодный транзистор, модель

Рис.7.3.1 Модель двухдиодного транзистора.

Как показано на рис. 7.3.1, независимо от того, является ли транзистор (а) типом NPN или (б) биполярным транзистором типа PNP, он состоит из двух диодных переходов, перехода база-эмиттер и перехода база-коллектор. В целях тестирования их можно представить себе просто как два диода с одним общим соединением, то есть с базой. Итак, чтобы проверить транзистор, вам просто нужно проверить прямое и обратное сопротивление каждого из этих переходов. Однако для этого сначала необходимо выяснить, какой штифт какой.

План A — Используйте лист данных производителя

Лучший способ проверить функции контактов — воспользоваться таблицей данных производителя. Практически каждый транзистор, когда-либо созданный, имеет свой собственный лист данных в Интернете. Просто введите номер транзистора в строку поиска в Интернете, и вы найдете несколько сайтов, на которых публикуются нужные вам данные. Вы также должны найти схему в таблице данных, показывающую соединения контактов транзистора (распиновку), где показаны контакты коллектора, базы и эмиттера, а также любые варианты.Если вы не можете найти нужную информацию, придется прибегнуть к Плану Б.

Рис.7.3.2 Общие транзисторные блоки.

Plan B — Определение функций выводов путем просмотра информации о корпусе транзистора.

Что делать, если вы не можете найти идентификационный номер жизненно важного транзистора на самом транзисторе? Еще не все потеряно; вы все еще можете найти функции булавки, немного поработав детективом. Если транзистор, который вы тестируете, имеет металлический корпус, как на схемах компоновки общих корпусов TO18, TO3, TO126, TO202, TO72 и т. Д., это полезно. К коллектору почти всегда присоединяется металлический корпус или зона радиатора, чтобы тепло отводилось легче. Это означает, что если вы измеряете сопротивление от корпуса или металлической монтажной области к каждому контакту по очереди, один контакт, который измеряет нулевое сопротивление, является коллектором. Однако нам действительно нужно найти базу. В корпусах транзисторов, таких как TO39, это просто; эмиттер почти всегда находится рядом с металлическим язычком, а коллектор подсоединен к банке.

Обратите внимание, что часто это делает основание центром трех соединений — но это не всегда так; не полагайтесь на то, что база находится в центре.Изучите распространенные типы пакетов, показанные на рис. 7.3.2. Возможны вариации даже в пределах одного и того же типа упаковки. Так что, если план B не решил загадку, не беспокойтесь, всегда есть план C.

Plan C — Тестирование транзисторов с неизвестными выводами.

Однако еще один полезный способ найти основание — это измерить сопротивление между различными контактами. Для начала представьте, что мы подозреваем, что неизвестный транзистор может быть типа NPN (они гораздо более распространены, чем PNP в современных схемах), и он может быть неисправным

Фиг.7.3.3 Определение выводов транзисторов и поиск неисправных транзисторов


.

Использование таблицы поиска неисправностей

Следуйте инструкциям в ячейках 1, 2 и 3

Если вы переходите к блоку 4, и оба теста дают показания от 500 Ом до 1 кОм, молодцы! Вы нашли базовый вывод с первой попытки, и в поле 5 сообщается, что вы тестируете транзистор NPN.

В качестве альтернативы, если оба измерения указывают на бесконечность, вы перейдете к блоку 6, так как положительный провод не был на базе.Так что вернитесь к проверке 2 и попробуйте еще раз, подключив положительный провод к другому выводу. Повторяйте этот тест, пока не найдете основной штифт.

Или, если оба измерения на шаге 4 показывают бесконечность, либо транзистор неисправен (один или оба перехода имеют разомкнутую цепь), либо транзистор имеет тип PNP. Поэтому вам нужно начать все сначала, но на этот раз используя отрицательный вывод измерителя, чтобы найти базовый штифт.

Если в тесте 3 один или оба теста показывают 0 Ом (короткое замыкание), и вы случайно не коснулись положительного и отрицательного выводов вместе во время тестов, транзистор неисправен из-за короткого замыкания одного или обоих переходов.

Диагностическая таблица проверяет биполярный транзистор независимо от того, знаете ли вы, какие контакты какие или нет, но-

Если вы уже знаете распиновку

Вот сокращенная версия для подтверждения неисправности известного транзистора. Если все тесты прошли успешно, транзистор в порядке. Если какие-либо тесты не пройдут, транзистор выброшен в мусорное ведро.

1. Проверить сопротивление между коллектором и эмиттером.

2. Затем поменяйте местами положительное и отрицательное подключение счетчика.Если транзистор исправен, в обоих направлениях должно быть показание бесконечности.

Теперь подключите положительный провод измерительного прибора к базе и проверьте сопротивление обоих переходов, подключив отрицательный измерительный щуп (3) к коллектору, а затем (4) к эмиттеру. В обоих случаях вы должны получить типичное значение прямого сопротивления от 500 Ом до 1 кОм.

Наконец, поменяйте местами подключения счетчика, чтобы отрицательный провод был подключен к базе. Подключите положительный зонд (5) к коллектору, затем (6) к эмиттеру.Оба соединения теперь должны показывать бесконечность.

Тестирование полевых транзисторов

Рис.7.3.4 Диод JFET Модель

Полевые транзисторы

сконструированы иначе, чем биполярные транзисторы, и поэтому требуют других методов тестирования. Сначала рассмотрим схемы JFET на рис. 7.3.4, которые показывают путь сток / исток в виде единого блока кремния типа N или P, а затвор — как простой диод, который имеет либо анод (в полевых транзисторах с каналом P), либо катод ( в N-канальных полевых транзисторах), подключенных непосредственно к тракту сток / исток.Поэтому вместо того, чтобы тестировать два PN перехода, как в BJT, в JFET нам нужно проверить только один переход.

Первое, что нужно знать перед тестированием подозрительного JFET, — это распиновка выводов, как и любого другого транзистора, ее можно получить, загрузив лист данных для конкретного интересующего JFET.

Рис.7.3.5 2N3819 Паспорт.

После идентификации контактов источника, стока и затвора следующие тесты цифрового измерителя должны выявить состояние полевого транзистора:

  • 1.Переключите измеритель в режим проверки диодов.
  • 2. Измерьте сопротивление между источником и сливом с помощью положительного провода измерителя на сливном штифте.
  • 3. Поменяйте местами провода измерителя (положительный на источник) и снова снимите показания сопротивления.

Результаты тестов 1 и 2 обычно должны быть от 130 до 180 Ом, но это может отличаться в разных полевых транзисторах JFET. Если сопротивление кажется подозрительно низким, это может означать, что на затворе с очень высоким импедансом имеется остаточное напряжение из-за емкости затворного перехода.Чтобы устранить эту возможность, закоротите затвор и источник, на мгновение коснувшись обоих контактов вместе, затем повторите тесты 1. и 2. Показание 0 Ом или бесконечность означает, что JFET неисправен.

  • 4. Предполагая, что шаги 2 и 3 в порядке, проверьте сопротивление между затвором и источником с помощью положительного измерительного щупа на выводе затвора. Ожидайте сопротивление от 700 Ом до 1 кОм. Это прямое сопротивление диода затвора.
  • 5. Удерживая положительный зонд счетчика на затворе, переместите отрицательный зонд к сливу и проверьте сопротивление между затвором и сливом.Ожидайте аналогичных результатов для теста 4.
  • 6. Теперь поменяйте местами подключения измерителя и проверьте обратное сопротивление диода затвора, поместив отрицательный щуп на вывод затвора, а положительный щуп на вывод истока. Теперь сопротивление должно быть бесконечным.
  • 7. Наконец, проверьте сопротивление затвора для слива, оставив отрицательный датчик на затворе и переместив положительный зонд к контакту слива. Снова чтение должно быть бесконечным.

Рис. 7.3.6 JFET в антистатической пене


.

Во всех этих тестах вы должны по возможности воздерживаться от работы с JFET. В идеале при работе с полевыми транзисторами любого типа вы должны работать на рабочей станции ESD (антистатический разряд) или носить антистатический браслет. В качестве альтернативы вы можете, по крайней мере, воткнуть штыри (при условии, что они достаточно длинные) в кусок антистатической пены, такой как обычно хранятся полевые транзисторы. Сопротивление между штырями позволит избежать накопления статического напряжения, но будет достаточно высоким. чтобы не сильно повлиять на показания сопротивления, которые вы снимаете во время этих тестов.

Тестирование полевых МОП-транзисторов

Первое, что нужно понять о полевых МОП-транзисторах, — это то, что они намного более чувствительны к повреждению статическим разрядом, чем любые другие типы транзисторов, даже полевые транзисторы. Это связано с тем, что полевые МОП-транзисторы являются транзисторами с изолированным затвором, поэтому затвор полностью изолирован от тракта сток / исток. Это означает, что между затвором и другими выводами существует значительная емкость. Эту емкость можно легко зарядить до любого напряжения, включая чрезвычайно высокие напряжения, которые могут присутствовать на человеческом (вашем) теле, например, просто при ходьбе по комнате с ковровым покрытием.Такое статическое напряжение может легко вывести из строя полевой МОП-транзистор. Поэтому с самого начала следует проявлять осторожность, чтобы не прикасаться к клеммам полевого МОП-транзистора, когда полевой МОП-транзистор не находится в антистатической упаковке или не подключен к цепи. Поэтому для целей этих тестов мы будем предполагать, что тестировщик (вы) будете использовать антистатические методы, как описано в разделе о тестировании JFET. Однако одна мера предосторожности, которую мы не можем использовать, — это вставить MOSFET в антистатическую пену; так как это помешает нашим тестам работать.Поэтому при проведении тестов мы стараемся максимально не прикасаться к выводам полевого МОП-транзистора и вставлять выводы в макетную плату.

Тестовая последовательность полевого МОП-транзистора

Рис.7.3.7 MOSFET на макетной плате.

  • 1. Установите цифровой мультиметр в положение проверки диодов.
  • 2. На мгновение замкните клеммы затвора и стока вместе с одним из щупов измерителя, чтобы разрядить любую емкость затвора.
  • 3. Подключите положительный датчик измерителя к клемме слива, а отрицательный датчик к клемме источника.Счетчик должен показывать бесконечность.
  • (Если измеритель показывает 0 Ом, попробуйте снова замкнуть затвор и сток с отрицательным проводом измерителя, чтобы убедиться, что любой заряд затвора удален).
  • Подключите положительный провод измерителя к источнику, а отрицательный датчик — к клемме слива. Измеритель должен теперь показать около 500 Ом
  • .
  • То, что вы сейчас проверили, — это обратное и прямое сопротивление внутреннего защитного диода полевого МОП-транзистора.
  • 4. Теперь подключите отрицательный щуп измерительного прибора к клемме источника и на мгновение коснитесь клеммы затвора положительным щупом измерительного прибора.Это на мгновение зарядит емкость базы, достаточную для включения полевого МОП-транзистора.
  • 5. Подключите положительный зонд к сливу, а отрицательный — к источнику (повторение теста 3). На этот раз измеритель должен показать 0 Ом, потому что MOSFET теперь включается напряжением, которое вы приложили к затвору.
  • 6. Поменяйте местами провода измерителя (положительный на источник и отрицательный на сток). Сопротивление сток / исток снова должно быть 0 Ом, подтверждая, что полевой МОП-транзистор включен.
  • 7.Чтобы выключить полевой МОП-транзистор, используйте любой датчик для кратковременного замыкания затвора на слив.
  • 8. Убедитесь, что полевой МОП-транзистор теперь «выключен», поместив положительный датчик на клемму слива и отрицательный датчик на источник, чтобы убедиться, что сопротивление между стоком и источником равно бесконечности, что еще раз показывает, что при нулевом напряжении на затворе MOSFET теперь выключен, и MOSFET работает правильно.

Заключение.

Проведение тестов JFET или MOSFET поможет вам выявить неисправные полевые транзисторы и лучше понять полевые транзисторы, но также призвано дополнить ваши исследования этих компонентов.Для получения более подробной информации обратитесь к модулю полупроводников 4 (полевые транзисторы), чтобы завершить изучение этих важных компонентов.

Предупреждение. Никогда не работайте с цепями, находящимися под напряжением, если вы не знаете И ИСПОЛЬЗУЕТЕ безопасные методы работы. Многие цепи, которые получают питание от сети (сети) (а некоторые нет), содержат СМЕРТЕЛЬНОЕ напряжение, а также другие опасности. Работать с цепями под напряжением должен только полностью обученный персонал. Перед тем, как пытаться работать с цепями под напряжением с использованием любой информации, представленной на этом веб-сайте, пожалуйста, прочтите важный ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ.

Начало страницы.>

Неисправности транзисторов

Почему выходят из строя транзисторы?

Все полупроводниковые приборы чрезвычайно надежны. При условии, что они эксплуатируются правильно, у них нет никаких причин для отказа; но, конечно, они терпят неудачу, и это может происходить по разным причинам.

Производственные ошибки

Производственные неисправности случаются (очень редко), обычно в новом оборудовании.Если в новом транзисторе есть неисправность, она часто проявляется в первые несколько часов использования. Если он будет работать правильно в течение этого периода, то велика вероятность, что он будет работать и дальше. Большая часть производственных дефектов может быть обнаружена с помощью «испытаний на выдержку» нового оборудования. Это запускает его на испытательном стенде в течение нескольких часов, чтобы убедиться в отсутствии ранних сбоев. Предметы, прошедшие эти испытания, можно с уверенностью использовать в регулярных целях.

Возраст компонента

Нет реальной причины, по которой транзисторы должны стареть.Срез кремния возрастом 10 лет должен быть таким же, как ломтик годовалого возраста. Однако старые системы, содержащие транзисторы, действительно начинают доставлять больше проблем. Причина этого в том, что другие компоненты, такие как резисторы, могут изменять свои значения с возрастом, особенно если они подвергаются воздействию нагрева, вызванного протеканием тока. В конечном итоге это может привести к тому, что транзистор будет работать за пределами своих нормальных параметров, например, работать при температуре выше допустимой. Именно тогда транзисторы могут выйти из строя.В таких обстоятельствах целесообразно исследовать причины неисправного транзистора, а не просто его заменять. После замены всегда проверяйте напряжение на клеммах транзистора, чтобы убедиться в отсутствии отклонений от нормы.

Внешние причины

Иногда внешние причины могут повредить или даже разрушить транзисторы. Неправильное обращение с полевыми транзисторами может привести к повреждению электростатическим разрядом. Иногда это приводит к тому, что транзистор (или печатная плата) не работает при установке в систему.Это может быть связано с тем, что очень тонкие изолирующие слои внутри устройства полностью вышли из строя из-за высокого напряжения статического электричества, небрежно приложенного к клеммам. Что еще хуже, иногда такие разряды не вызывают немедленного разрушения устройства, но повреждают изоляцию до такой степени, что через какое-то время (часы или годы) устройство выходит из строя.

В оборудовании с питанием от сети (сети) время от времени могут возникать очень короткоживущие импульсы высокого напряжения, вызванные такими событиями, как удары молнии (даже на некотором расстоянии от места повреждения) могут повредить полупроводники.Также скачки напряжения, вызванные локально такими событиями, как индукционное оборудование, такое как запуск или остановка двигателей. Большинство цепей с питанием от сети (и даже некоторые маломощные), подверженные такому повреждению, имеют встроенную защиту, предотвращающую повреждение. В большинстве случаев эта защита работает хорошо, но редко бывает эффективна на 100%.

Схемотехника

Многие неисправности, особенно в оборудовании, изготовленном для домашнего пользователя, можно найти, обратившись к базам данных повторяющихся неисправностей, опубликованным в технических журналах в Интернете.Причина возникновения этих повторяющихся неисправностей в основном зависит от конструкции. Товары для дома созданы для того, чтобы их производить по выгодной цене и какое-то время обеспечивать бесперебойную работу. Производители могут производить продукты, соответствующие тщательно разработанным стратегиям. Некоторые неисправности возникают из-за того, что изделие превышает «расчетный срок службы», в то время как другие возникают преждевременно. Разработка электронного продукта для определенного периода жизни в условиях, которые будут очень изменчивыми (например, в наших домах) и над которыми дизайнеры не могут повлиять, — это не точная наука.Однако возникающие неисправности обычно следуют определенной схеме, и тщательная запись предыдущих неисправностей может быть хорошим индикатором будущих неисправностей. Эти сбои могут повлиять на транзисторы так же легко, как и на любой другой компонент.

Мощность и надежность

Рассматривая неисправное оборудование, всегда помните, что надежность любого компонента пропорциональна мощности, которую он рассеивает. Другими словами, «Если обычно становится жарко, то обычно выходит из строя». Такое правило предполагает, что вышедший из строя транзистор с большей вероятностью находится в выходных каскадах схемы, чем в каскадах низкого напряжения и мощности, которые ему предшествуют.Любая схема, в которой используется либо высокое напряжение, либо большой ток, либо и то, и другое, создает гораздо большую нагрузку на полупроводники, чем схемы с низким напряжением и низким током. Хотя устройства, используемые в этих схемах, спроектированы так, чтобы выдерживать такое использование, они справляются с этим хуже, чем устройства, которые относительно легко работают в условиях низкого энергопотребления. Основные проблемные зоны — это блоки питания и выходные каскады. Когда вы сталкиваетесь с неисправной схемой и очень мало информации о ней, быстрая проверка полупроводников на этих этапах может сэкономить много работы.

Неисправности полупроводников

Когда диод или транзистор выходит из строя, обычно происходит одно из двух:

• Переход (или переходы) замыкается накоротко (его сопротивление становится очень низким или нулевым).

• Соединение (или соединения) размыкается (его сопротивление становится очень большим или бесконечным).

Конечно, этот список можно расширить, включив в него те соединения, которые могут стать негерметичными (немного низкое сопротивление), хотя это случается редко. На практике за этим состоянием обычно довольно скоро следует полное короткое замыкание.

Из вышесказанного следует, что диоды и транзисторы могут быть проверены простым измерением сопротивления, в большинстве случаев это так. Набор тестов сопротивления может с большой степенью уверенности показать, исправен ли полупроводник или неисправен. Конечно, могут возникнуть и другие неисправности, и проводятся другие испытания, но они будут обсуждаться после всех важных испытаний на сопротивление.

Начало страницы.>

Тестирование и поиск неисправностей транзисторных цепей мультиметра

»Электроника

Обнаружение неисправностей в транзисторных схемах с помощью мультиметра можно упростить, если принять логический подход и использовать некоторые подсказки и подсказки, полученные из опыта.


Руководство по мультиметру Включает:
Основы работы с измерителем Аналоговый мультиметр Как работает аналоговый мультиметр Цифровой мультиметр DMM Как работает цифровой мультиметр Точность и разрешение цифрового мультиметра Как купить лучший цифровой мультиметр Как пользоваться мультиметром Измерение напряжения Текущие измерения Измерения сопротивления Тест диодов и транзисторов Диагностика транзисторных цепей


Одно из основных применений мультиметров, будь то аналоговые мультиметры или цифровые мультиметры, цифровые мультиметры — это проверка и поиск неисправностей в схемах, подобных тем, что используются в транзисторных радиоприемниках.Мультиметры — это идеальное испытательное оборудование для поиска множества неисправностей в транзисторах или других электронных схемах.

Однако, чтобы использовать мультиметр для проверки цепи и поиска неисправностей, необходимо иметь некоторые знания об этой цепи, а также принять логический подход к отслеживанию любых неисправностей, которые могут существовать.

Небольшой опыт в понимании вероятных неисправностей и отказов, возникающих в различных типах оборудования, также помогает. Измеритель может использоваться для их проверки и часто очень быстро обнаруживает неисправность.

Для этих простых тестов можно использовать как аналоговые мультиметры, так и цифровые мультиметры — выбор обычно делается в зависимости от того, что есть в наличии.

Слово предупреждения

Некоторое электрическое и электронное оборудование может работать от сети. Только квалифицированный персонал должен пытаться ремонтировать оборудование с питанием от сети или оборудование, которое содержит высокое или опасное напряжение. Кроме того, там, где присутствует высокое напряжение, следует использовать только подходящее испытательное оборудование с соответствующими сертификатами и способное выдерживать высокие напряжения.Высокое напряжение может убить , поэтому будьте осторожны!

Ищите явные неисправности

Первым шагом при поиске любых неисправностей и тестировании транзисторной схемы любого типа является поиск очевидных или серьезных неисправностей. Это один из ключевых этапов ремонта любого оборудования.

К счастью, большинство неисправностей электронного оборудования, такого как транзисторные радиоприемники, относительно легко найти — многие из них очевидны, а некоторые могут даже не нуждаться в каком-либо испытательном оборудовании. Они часто возникают в результате движения или физического повреждения, поэтому часто бывает легко найти эти неисправности и проблемы.

Соответственно, первым шагом в поиске неисправности является поиск основных проблем.

  • Проверьте питание цепи: Первые шаги при проверке цепи — убедиться, что на нее подается питание. Это легко сделать с помощью мультиметра, настроенного на диапазон напряжений. Измерьте напряжение с помощью тестового измерителя в точках, где источник питания входит в печатную плату. Если мультиметр показывает отсутствие напряжения питания, существует ряд возможностей для исследования:

    • Аккумулятор может разрядиться, если оборудование работает от аккумулятора.Иногда это может быть очевидно, так как батарея может протекать. В этом случае извлеките аккумулятор и удалите все остатки, которые могли протечь на держателе аккумулятора, в частности на контактах. Остаток может вызвать коррозию контактов, поэтому необходимо хорошо очистить контакты. Следите за тем, чтобы не прикасаться к остатку, так как он может вызвать коррозию.

      Если состояние батареи не так очевидно, то простое измерение напряжения с помощью тестового прибора может выявить, является ли это проблемой.Проверить напряжение тестером при включенном радио. Если аккумулятор не может обеспечить необходимый ток, то при включении радио напряжение упадет.

    • Двухпозиционный выключатель неисправен. Это можно проверить, отключив любой источник питания — шнур питания должен быть отключен от источника питания, чтобы полностью изолировать оборудование. Затем проверьте целостность цепи переключателя, проверяя его как во включенном, так и в выключенном положении — для этого используйте диапазон Ом на мультиметре. Также помните, что переключатель может переключать обе стороны входящего питания, т.е.е. под напряжением и нейтралью, и любая из этих сторон переключателя может быть нефункциональной.
    • Если есть предохранитель, то стоит его проверить. В идеале удалите предохранитель и проверьте целостность с помощью мультиметра. Его сопротивление должно быть меньше Ом.
    • Корродированный разъем. Одна из распространенных проблем заключается в том, что со временем разъемы корродируют, и соединения могут стать очень плохими, особенно если оборудование не использовалось в течение некоторого времени. Чтобы решить эту проблему, может помочь отключение и повторное соединение разъема.
    • Проверьте, нет ли обрывов проводов, которые не позволили бы току достичь печатной платы. Со временем и при движении оборудования провода могут сломаться. Одной конкретной областью может быть вывод батареи — эти выводы особенно подвержены повреждению из-за необходимости перемещать, и если батарея была заменена грубо, это может привести к поломке провода. Проверьте визуальные признаки, а также используйте диапазон Ом мультиметра.
  • Проверьте выходы платы: Точно так же, как разорванные соединения могут существовать для линии питания, то же самое может быть верно и для выходов с платы.Опять же, стоит проверить все разъемы, которые со временем могли подвергнуться коррозии или окислению, а также проверить наличие сломанных соединений.
  • Проверьте входы в цепи: Аналогичным образом, если входные сигналы не достигают платы, она не сможет работать. Снова следует проверить все переключатели и разъемы, а также любые оборванные провода. Часто мультиметр можно использовать для проверки целостности проводов, но сначала убедитесь, что на цепь не подается питание.

  • Проверьте работу любых других выключателей: Главный выключатель питания, очевидно, важен, как и любые другие выключатели в оборудовании.

  • Проверьте работу других переключателей: Хотя упомянутый выше переключатель питания может быть одной из возможных проблем, в цепи могут быть другие переключатели, которые могут вызвать неисправность оборудования. Со временем переключатели могут выйти из строя из-за скопления грязи и коррозии на контактах переключателя.Грязь и смола могут быть особой проблемой, если оборудование находится в среде, где присутствуют курильщики.

    Можно проверить переключатель с помощью мультиметра, но иногда простое нажатие переключателя может помочь очистить контакты. Очиститель переключателей также может помочь.

Используя мультиметр для поиска неисправностей, можно обнаружить многие очевидные неисправности, которые могут возникнуть. Если проблема не может быть обнаружена, и кажется, что правильная мощность достигает схемы транзистора, и все входы подключены и присутствуют, а выходные линии не повреждены, тогда может потребоваться дальнейшая диагностика самой платы транзистора. .В этом снова может помочь мультиметр.

Поиск неисправности

Если неисправность не является одной из очень очевидных, тогда может потребоваться немного больше знаний схемы вместе с некоторыми простыми тестовыми приборами. Измеритель является одним из ключевых элементов тестового оборудования, но для тестирования можно использовать и другие профессиональные приемы.

Один из ключевых методов — применить систематический подход, чтобы можно было сосредоточиться на проблеме.

Часто лучше работать от края внутрь.Для радиоприемников часто полезно работать от громкоговорителя в обратном направлении, так как можно вводить сигналы и видеть, как они выходят из громкоговорителя, постепенно возвращаясь через радиоприемник, чтобы увидеть, где сигнал больше не работает.

Для других элементов может быть лучше работать другим способом, но каждый должен быть определен в соответствии с ремонтируемым элементом.

Рассматривая пример транзисторного радиоприемника, можно было бы провести одно испытание с работающим радиоприемником, прикоснувшись щупом измерительного прибора к центральному контакту регулятора громкости (при этом регулятор громкости наполовину повернут вверх.При прикосновении щупа мультиметра к центральному штифту должен быть слышен небольшой щелчок.

Такие радиоприемники часто нуждаются в ремонте — тестовые счетчики являются одним из основных тестовых инструментов, используемых при обнаружении неисправностей.

Если доступна какая-либо другая форма инжектора аудиосигнала, генератора сигналов и т. Д., То это тоже можно было бы использовать, но часто тестовый измерительный зонд намного проще для быстрой проверки.

Если аудиоусилитель работает, то необходимо сдвинуть сцену назад. Большинство радиоприемников являются супергетеродинными, поэтому затем можно проверить каскады усилителя ПЧ.Установите генератор сигналов на промежуточную частоту (обычно около 455 кГц для старых радиостанций AM и 10,7 МГц для радиоприемников FM). Если возможно, введите модуляцию, в противном случае слушайте несущую.

Примечание о супергетеродинном радио:

В супергетеродинном радио используется метод, при котором входящие сигналы смешиваются или умножаются с сигналом внутреннего гетеродина. Таким образом, сигналы могут быть преобразованы по частоте в промежуточную частоту, где они могут быть отфильтрованы.Используя гетеродин с переменной частотой, можно использовать фильтр промежуточной частоты с фиксированной частотой.

Подробнее о супергетеродинном радио .

Если можно доказать, что этапы IF работают, переместите этап назад. Убедитесь, что гетеродин работает. Можно услышать гетеродин на другом радиоприемнике поблизости, настроив его на ожидаемую частоту гетеродина. Обычно это на 455 кГц выше принимаемой частоты для AM-радио.Для FM-радио она, скорее всего, будет отличаться от принимаемой частоты на 10,7 МГц.

Если LO работает, то проблема, скорее всего, в этапах RF. Опять же, введите сигнал и посмотрите, что произойдет. Возможно, сцена вообще не работает, или она может быть нечувствительной.

Приняв логический подход, подобный тому, который использовался для радио в приведенном выше примере, можно определить зону неисправности. Фактический подход будет зависеть от испытуемого объекта, но зачастую дорогостоящее испытательное оборудование не требуется, и можно использовать измерительный прибор, такой как аналоговый измерительный прибор или цифровой мультиметр.

Как только область, в которой находится неисправность, была обнаружена, можно начинать тестирование цепи с помощью мультиметра.

Ожидаемые напряжения в цепи транзистора

При тестировании конкретной транзисторной схемы можно использовать мультиметр, чтобы определить правильность напряжения в цепи. Чтобы проверить и найти неисправность конкретной транзисторной схемы, необходимо иметь представление о том, какими должны быть установившиеся напряжения. Схема ниже представляет собой типичную базовую транзисторную схему.Многие схемы похожи на него, и он дает хорошую отправную точку для объяснения некоторых моментов, которые следует отметить.

Ожидаемые показания напряжения при проверке транзисторной схемы с помощью мультиметра.

Схема показывает несколько точек, в которых можно измерить напряжение в цепи. Большинство из них измеряются относительно земли. Это самый простой способ измерения напряжения, потому что «общий» или отрицательный щуп может быть прикреплен к подходящей точке заземления (многие черные щупы, используемые для отрицательной линии, имеют для этой цели зажим типа «крокодил» или «крокодил»).Тогда все измерения можно будет производить относительно земли.

Обычно вокруг транзисторной схемы есть несколько точек, которые легко измерить, и ожидаемые напряжения можно ожидать по большей части, если сделать несколько предположений:

  • Предположим, что схема работает в линейном режиме, т.е. это не переключающая схема.
  • Предположим, что схема работает в режиме общего эмиттера, как показано на схеме.
  • Предположим, что цепь имеет резистивную коллекторную нагрузку.

Если вышеприведенные предположения верны, то можно ожидать следующих напряжений. В противном случае необходимо сделать поправку на изменения.

  1. Напряжение коллектора должно составлять примерно половину напряжения шины. В частности, он должен составлять половину напряжения шины меньше напряжения эмиттера. Таким образом можно получить наибольший перепад напряжения. Если транзистор имеет индуктивную нагрузку, как в случае усилителя промежуточной частоты в радиоприемнике, который может иметь трансформатор промежуточной частоты в цепи коллектора, то на коллекторе должно быть практически то же напряжение, что и напряжение на шине.
  2. Напряжение эмиттера должно быть около 1-2 вольт. В большинстве схем с общим эмиттером класса А включен эмиттерный резистор, обеспечивающий некоторую обратную связь по постоянному току. Напряжение на этом резисторе обычно составляет вольт или около того.
  3. Базовое напряжение должно соответствовать напряжению включения PN-перехода выше эмиттера. Для кремниевого транзистора, который является наиболее распространенным типом, это составляет около 0,6 вольт.

Обозначения ожидаемых типов напряжения можно увидеть на принципиальной схеме.

В дополнение к этому существует много других типов цепей, для которых может потребоваться поиск неисправностей. В наши дни довольно распространены коммутационные схемы, в которых транзисторы используются для управления другими элементами, такими как реле или другие устройства. Они не работают в линейном режиме. Вместо этого все напряжения либо включены, либо выключены. Напряжение коллектора будет либо приблизительно равным нулю, когда транзистор включен, либо приблизительно напряжением шины, когда он выключен. Эмиттер обычно подключается к земле, и базовое напряжение будет высоким, т.е.е. приблизительно 0,6 вольт для кремниевого транзистора, когда транзистор включен (т. е. коллектор близок к нулю), и низкий (ноль вольт), когда транзистор выключен, а уровень коллектора высокий.

Измеритель, аналоговый или цифровой мультиметр, является идеальным испытательным оборудованием для поиска неисправностей в цепи электронного транзистора. Часто схемы, такие как транзисторные радиоприемники, выходят из строя после того, как они использовались в течение многих лет, и полезно иметь возможность их отремонтировать. Кроме того, при сборке оборудования схемы не всегда работают с первого раза, и необходимо найти неисправности в этих схемах.Хотя с помощью мультиметра невозможно решить все проблемы, это один из самых полезных базовых инструментов для любой работы по поиску неисправностей.

Другие темы тестов:
Анализатор сети передачи данных Цифровой мультиметр Частотомер Осциллограф Генераторы сигналов Анализатор спектра Измеритель LCR Дип-метр, ГДО Логический анализатор Измеритель мощности RF Генератор радиочастотных сигналов Логический зонд Тестирование и тестеры PAT Рефлектометр во временной области Векторный анализатор цепей PXI GPIB Граничное сканирование / JTAG Получение данных
Вернуться в меню тестирования.. .

Как правильно искать и устранять неисправности в схемах транзисторов (BJT)

Устранение неисправностей в схемах BJT — это, по сути, процесс выявления электрических неисправностей в сети с помощью мультиметров на различных узлах в цепи.

Методы устранения неполадок BJT — огромная тема, и поэтому включение 100% решений и стратегий может быть затруднительным в рамках одной статьи.

По сути, пользователь должен знать несколько основных движений и измерений, которые могут позволить ему выявить место проблемы и помочь распознать решение.

Совершенно очевидно, что первым шагом к тому, чтобы иметь возможность диагностировать неисправность цепи BJT, было бы тщательно ознакомиться с тенденциями сети и иметь представление об указанных диапазонах напряжения и тока.

Проверка напряжения база-эмиттер

Помните, что для любого BJT в активной области наиболее важным измеряемым уровнем постоянного тока на самом деле является его напряжение база-эмиттер V BE .

Для BJT, который находится во включенном состоянии, напряжение на его базе и эмиттере V BE должно быть около 0.7 V.

Правильные соотношения для тестирования V BE можно увидеть на приведенном ниже рисунке. Обратите внимание, что положительный (красный) вывод цифрового мультиметра касается клеммы базы для npn-транзистора, а отрицательный (черный) вывод — клеммы эмиттера.

Любая другая форма дисплея, не соответствующая приблизительно 0,7 В, например 0, 4 или 12 В, или отрицательное значение, может указывать на неисправное устройство, и в такой ситуации сетевые соединения могут потребовать более глубокого анализа.

Для транзистора pnp можно использовать ту же стратегию, однако полярность измерительного щупа должна быть изменена для получения аналогичного отклика.


Проверка напряжения коллектор-эмиттер

При устранении неисправностей BJT другим уровнем напряжения, имеющим не меньшее значение, является напряжение коллектор-эмиттер.

Вспомните общие характеристики BJT, что значения V CE в районе 0,3 В указывают на то, что устройство насыщено — ситуация, которая на самом деле не должна существовать, если, конечно, BJT не работает в режиме переключения.При этом:

Для стандартного усилителя с биполярным транзистором, работающего в активной области, V CE обычно составляет от 25% до 75% от V CC .

Например, если напряжение питания V CC = 20 В, а отображение на измерителе тока коллектор-эмиттер V CE может составлять от 1 до 2 В или от 18 до 20 В, то это, несомненно, ненормальное исход. Если иное не было спроектировано специально, сеть и соединения должны быть проверены.Это можно увидеть на изображении ниже.

Проверка соединений разомкнутого контура BJT

Если напряжение коллектор-эмиттер V CE = 20 В (с питанием V CC = 20 В), может возникнуть как минимум две возможности, либо устройство (BJT) поврежден и приобрел характеристики разомкнутой цепи между выводами коллектора и эмиттера, или, возможно, разомкнуто соединение между петлей цепи коллектор-эмиттер или база-эмиттер.

Ситуацию можно увидеть ниже, при которой ток коллектора I C может быть равен 0 мА, а V RC = 0 В.

Здесь мы видим, что черный щуп вольтметра подключен к общей земле источника, а красный щуп — к нижнему выводу резистора. При отсутствии тока коллектора и соответствующем нулевом падении напряжения около R C может быть получено показание 20 В.

Когда счетчик подключен к клемме коллектора BJT, показание, вероятно, будет 0 В, потому что питание V CC отключен от активного устройства из-за обрыва цепи.


Проверка неверного сопротивления

Вероятно, наиболее типичными неисправностями в процедурах поиска и устранения неисправностей являются включение неверных значений сопротивления для любой данной сети.

Подумайте о влиянии использования резистора 680 Ом для базового резистора R B вместо требуемого правильного сетевого значения 680 кОм. Для напряжения питания V CC = 20 В и конфигурации с фиксированным смещением результирующий базовый ток будет 28,4 мА вместо требуемых 28.4
мкА. Огромная разница !!

Базовый ток 28,4 мА, несомненно, означает, что устройство находится в области насыщения, что может привести к его повреждению. Поскольку реальные значения резистора во многих случаях не совпадают с минимальным значением цветового кода, может быть целесообразно подтвердить значение резистора омметром, прежде чем применять его в цепи.

Это обеспечит приближение истинных значений к предполагаемым диапазонам и даст пользователю определенную уверенность в правильности применяемого значения сопротивления.

Поиск и устранение неисправностей в неизвестных ситуациях

Могут быть случаи, когда может накапливаться разочарование.

Возможно, вы проверили BJT на измерителе кривой или другом тестовом инструменте BJT и обнаружили, что он абсолютно нормальный.

Все уровни резисторов кажутся подходящими, межсоединения выглядят надежными, и, возможно, использовалось правильное напряжение питания — что тогда ?? На этом этапе специалист по устранению неполадок должен попытаться достичь более высокого уровня мышления.

Может быть, внутренняя сеть из провода и торцевого соединения провода плохая?

Как часто вы обнаруживали, что простое нажатие BJT в некоторых подходящих местах приводило к срабатыванию «замыкающего и размыкающего» соединений?

В другом случае вы можете обнаружить, что источник питания включен с правильным напряжением, но регулятор ограничения тока был ошибочно установлен в нулевую точку, блокируя указанное правильное количество тока в цепи.

Естественно, чем выше сложность сети, тем шире может быть спектр возможностей.

В любом случае, вероятно, наиболее успешными стратегиями устранения неисправностей в сети BJT всегда является исследование различных уровней напряжения относительно земли.

Обычно это делается путем подключения черного (отрицательного) щупа вольтметра к земле и «касания» основных точек сети красным (положительным) щупом.

На приведенном выше рисунке, когда красный датчик подключен непосредственно к источнику питания V CC , он должен отображать на измерителе уровень подаваемого напряжения V CC .Это просто потому, что сеть работает с одним общим заземлением для подключенного источника питания и других параметров.

При V C показание должно быть меньше, в зависимости от падения напряжения на R C . И напряжение V E должно быть ниже V C на величину, равную V CE или напряжению коллектор-эмиттер.

Неудачной регистрации любого из этих экземпляров будет достаточно, чтобы определить неисправное соединение или элемент. Если V RC и V RE имеют справедливые значения, но V CE показывает 0 В, вероятно, что BJT внутренне поврежден, что приведет к короткому замыканию при считывании между выводами коллектора и эмиттера.

Как отмечалось ранее, если V CE регистрирует уровень около 0,3 В, как определено в V CE = V C — V E (из-за различия двух величин, как было оценено выше), система может указать состояние насыщения с BJT, который может быть неисправным или, возможно, не может быть неисправным.

Из приведенного выше обсуждения должно быть относительно очевидно, что вольтметр, аналоговый или цифровой, очень важен в процедуре ремонта.

Диапазоны тока (в амперах) часто определяются через сами уровни напряжения, измеряемые на различных резисторах, а не излишне «разрывают» сеть для вставки миллиамперметрических щупов мультиметра.

Для проверки более крупных схем в технических паспортах указаны точные диапазоны напряжения со ссылкой на землю для легкого тестирования и распознавания возможных проблемных областей.

Решение практического примера # 1

Обращаясь к различным показаниям напряжения для следующей конфигурации BJT, выясните, должна ли конструкция работать правильно, если не укажите причину.

Example # 2

Обращаясь к показаниям, показанным на диаграмме, определите, находится ли транзистор в положении «включено» или нет, и правильно ли работает сеть.

Обращаюсь к вам

Я надеюсь, что это руководство поможет вам понять, как устранять неполадки в схемах транзисторов BJT. В статье до сих пор говорилось об устройстве npn. Вскоре я попытаюсь обновить сообщение, добавив в него больше информации о методах устранения неполадок pnp-транзистора.

Если у вас есть дополнительные сомнения, пожалуйста, используйте поле для комментариев ниже, чтобы выразить свои мысли.

Как устранить неполадки в схемах транзисторов (BJT)

Здравствуйте, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем руководстве мы рассмотрим Как устранить проблемы в схемах транзисторов (BJT) . Поиск и устранение неисправностей в схемах с использованием транзисторов или BJT — это процесс, с помощью которого мы обнаруживаем любые неисправности или неисправности, существующие в этой схеме, с помощью различных тестов. Существуют разные способы поиска неисправностей в схемах, в этом посте будут обсуждаться различные методы устранения неполадок в схемах транзисторов.

В этом посте мы подробно рассмотрим поиск и устранение неисправностей в схемах смещения транзистора и проведем различные тесты транзистора. Итак, давайте начнем с Как устранить проблемы в схемах транзисторов (BJT).

Поиск и устранение неисправностей в схемах транзисторов (BJT)

Поиск и устранение неисправностей транзистора со смещением

  • Существует множество ошибок и неисправностей, которые могут возникнуть в схемах смещения транзисторов.
  • Основными неисправностями являются обрыв смещения сопротивления, обрыв цепи, короткое замыкание и т. Д.
  • На рисунке ниже показана схема смещения транзистора, в которой все напряжения относятся к клемме заземления.

  • 2 напряжения смещения — это VBB и VCC, которые составляют три и девять вольт соответственно.
  • Показаны безупречные значения базы и коллекторов. Эти значения напряжений определяются как.
  • βDC принимается на полпути между наименьшими и крайними значениями hFE, указанными в таблице данных для 2N3904, показанной на рисунке ниже.

  • Различные значения hFE (βDC) приведут к различным выходам для данной цепи.

VB = VBE = 0,7 В

IB = (VBB-0.7) / РБ

= (3 В — 0,7 В) / 56 кОм

= 2,3 / 56 кОм

= 41,1 мкА

IC = βDCIB

= 200 (41,1 мкА)

= 8,2 мА

VC = 9 В — МККК

9 В — (8,2 мА) (560 Ом) = 4,4 В

  • В схемах могут возникать многочисленные неисправности, и соответствующие индикации показаны на рисунке ниже.
  • Признаки неисправности отображаются в виде неверного измеренного напряжения.
  • Если транзистор не работает точно, рекомендуется проверить, что VCC и земля соединены и работают.
  • Общая проверка на самом верху сопротивления коллектора и на самом коллекторе позволяет быстро определить, существует ли VCC и работает ли транзистор в нормальном состоянии, в режиме отсечки или насыщения.
  • Если транзистор находится в состоянии отсечки, напряжение коллектора равно VCC, а если он находится в состоянии насыщения, то напряжение коллектора будет 0.
  • Еще один ошибочный расчет может наблюдаться при обрыве цепи на пути коллектора.
  • Точка, не связанная с землей, называется плавающей точкой.
  • Обычно очень низкие и иногда изменчивые напряжения в диапазоне от микровольт до меньших милливольт обычно вычисляются с плавающей запятой.

Проверка транзистора с помощью цифрового мультиметра
  • Цифровой мультиметр используется как высокоскоростной и надежный метод проверки обрывов или коротких замыканий транзисторов.
  • На приведенном ниже рисунке вы можете видеть, что транзистор как 2 диода соединены как для NPN, так и для PNP-транзистора.
  • Переход база-коллектор работает как один диод, а база-эмиттер как другой диод.
  • Как мы знаем, тонкий диод будет демонстрировать большое значение сопротивления для состояния обратного смещения для состояния прямого смещения.
  • Неисправный диод показывает очень меньшее или нулевое значение сопротивления как для прямого, так и для обратного смещения.
  • Самый частый тип неисправности — это обрыв диода.Как и PN-переход транзистора, так и диоды имеют одинаковые основные характеристики.

Положение для проверки диода цифрового мультиметра

  • Многочисленные цифровые мультиметры имеют положения для проверки диодов, которые обеспечивают самый простой способ проверки любого транзистора.
  • Обычный цифровой мультиметр, показанный на рисунке ниже, имеет небольшой диод в виде символа, обозначающий положение переключателя функций.
  • Когда установлен тест диодов, мультиметр выдает внутреннее напряжение, достаточное для прямого смещения и обратного смещения транзисторного перехода.

Когда транзистор исправен

  • В схеме на приведенном выше рисунке, обозначенная как (a) красный вывод измерителя соединен с базой NPN-транзистора, а черный — с эмиттером, чтобы создать переход база-эмиттер с прямым смещением.
  • Если соединение в порядке, у вас будут значения от 0,6 до 0,8 вольт почти с 0,7 вольт для прямого смещения.
  • Провода в цепи (b) заменены на обратное смещение перехода база-эмиттер.
  • Если транзистор работает нормально, вы увидите OL на экране измерителя.

Когда транзистор неисправен

  • Если транзистор неисправен из-за разомкнутой точки или внутреннего соединения, вы получите показание разомкнутой цепи (OL) как для прямого, так и для обратного смещения в переходе, как поясняется на рисунке ниже, обозначенном как (a).
  • , если переход транзистора имеет короткое замыкание, на измерителе будет нулевое значение как при прямом, так и при обратном смещении, как показано на рисунке как (b).
  • Некоторые цифровые мультиметры имеют на передней панели тестовое гнездо для проверки транзистора на значение hFE.
  • Если транзистор неправильно вставлен в гнездо или если он не работает точно из-за неправильного перехода или внутреннего соединения, счетчик покажет единицу или ноль.
  • Если значение βDC находится в нормальном диапазоне для определенного транзистора, то он работает правильно.
  • Нормальный диапазон для βDC можно найти в таблице данных.

Проверка транзистора функцией ОМ

  • Такой цифровой мультиметр, у которого нет положения для проверки диодов на гнезде hFE, использовал открытые или закороченные переходы, устанавливая функциональный переключатель в диапазон Ом для проверки транзисторов.
  • Для проверки прямого смещения PN перехода точного транзистора мы получим значение резистора, которое может изменяться в зависимости от внутренней батареи измерителя.
  • хорошего транзистора
  • Многие цифровые мультиметры не имеют достаточного напряжения в диапазоне Ом для полного прямого смещения перехода, и вы можете получить значение от 100 до 1000 Ом.
  • Для проверки обратного смещения точного транзистора мы будем получать знак вне диапазона в основном на цифровых мультиметрах, поскольку обратный резистор больше, чтобы найти.
  • В зависимости от показаний счетчика, знаки вне диапазона могут показывать одну или показывать тире.
  • Хотя вы не можете получить точные интерпретации прямого и обратного сопротивления на
    измерителе, относительные интерпретации адекватны для определения правильно работающего pn перехода транзистора.
  • Индикация
  • Out range показывает, что значение обратного сопротивления очень велико, как вы думали.
Тестеры транзисторов
  • Тестер транзисторов может проверять транзистор как в цепи, так и без нее.
  • Допустим, вышла из строя схема усилителя, разработанная на печатной плате.
  • Точный поиск неисправностей показывает, что мы не распаиваем какие-либо элементы конструкции на печатной плате до тех пор, пока не убедимся, что они неисправны.
  • Когда какой-либо элемент отделяется от платы, существует вероятность повреждения контакта и следов на плате PCB.
  • Мы можем выполнить внутрисхемную проверку транзистора с помощью тестера транзисторов, показанного на рисунке ниже.
  • 3 провода зажима прикреплены к клеммам транзистора, и тестер показывает положительный результат, если транзистор в порядке.

Итак, друзья, это подробный пост о том, как устранять проблемы в схемах транзисторов (BJT), если у вас есть какие-либо вопросы, задавайте их в комментариях. Спасибо за чтение.

Автор: Генри
http://www.theengineeringknowledge.com

Я профессиональный инженер и закончил известный инженерный университет, а также имею опыт работы инженером в различных известных отраслях.Я также пишу технический контент, мое хобби — изучать новые вещи и делиться ими с миром. Через эту платформу я также делюсь своими профессиональными и техническими знаниями со студентами инженерных специальностей.

Сообщение навигации

Что вызывает отказ транзистора?

Что вызывает отказ транзистора?

Старение транзистора из-за колебаний температуры внутри компонентов из-за прохождения тока может вызвать отказ. Электрические свойства материалов внутри могут изменяться из-за старения.Внешние причины, такие как скачки напряжения в блоке питания, нагрев, механическое повреждение, также могут привести к выходу из строя транзисторов.

Могут ли транзисторы выйти из строя?

Обычно они выходят из строя, когда что-то еще в цепи выходит из строя и радикально меняет условия (напряжение и т. Д.). В течение всего срока службы педали вы можете просто не беспокоиться о выходе из строя транзистора. Но имейте в виду, что сильный нагрев может повредить некоторые / большинство полупроводников.

Как узнать, что транзистор неисправен?

Подсоедините плюсовой провод мультиметра к ЭМИТТЕРУ (E) транзистора.Подсоедините отрицательный вывод измерителя к BASE (B) транзистора. Для исправного NPN-транзистора вы должны увидеть «OL» (Превышение предела). Если вы проверяете транзистор PNP, прибор должен показать падение напряжения от 0,45 до 0,9 В.

Как проверить, исправен ли транзистор?

Если идентификационные данные базы, эмиттера и коллектора неизвестны, подключите черный щуп к одному из выводов транзистора. По очереди коротко прикоснитесь красным щупом к каждому из оставшихся отведений. Если на обоих выводах высокий уровень, черный зонд подключен к базе, транзистор NPN и в норме.

Могу ли я использовать NPN вместо PNP?

Как правило, транзисторы PNP могут заменять транзисторы NPN в большинстве электронных схем, единственная разница заключается в полярности напряжений и направлениях тока. Транзисторы PNP также могут использоваться в качестве переключающих устройств, и ниже показан пример транзисторного переключателя PNP.

Что представляет собой полная форма транзистора PNP?

PNP означает «Положительный», «Отрицательный», «Положительный». Также известен как поиск. На модуле ввода-вывода вход PNP, когда он не задействован, подтягивается до высокого состояния e.г. + 5В. NPN или PNP обычно относятся к цифровым сигналам.

Какой ток нужен для включения транзистора?

Для включения транзистора нужна разница напряжений между базой и эмиттером не менее 0,7В. Поскольку эмиттер заземлен, это означает, что любое напряжение выше 0,7 В, приложенное к базе, включит транзистор.

Как запустить транзистор PNP?

Для включения транзистора необходимо, чтобы напряжение на базе было равно 0.На 7В ниже эмиттера, что на 9В — 0,7В = 8,3В. Например, теперь вы можете включить светодиод, когда он темнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный как делитель напряжения.

Как транзистор PNP работает как переключатель?

Для транзистора PNP потенциал эмиттера должен быть положительным по отношению к базе. Тогда транзистор работает как твердотельный переключатель «однополюсный однопроходный» (SPST). При подаче нулевого сигнала на базу транзистора он выключается, действуя как разомкнутый переключатель, и течет нулевой ток коллектора.

В чем разница между МОП-транзистором и транзистором?

Биполярный переходной транзистор (BJT) — это устройство, управляемое током (в отличие от MOSFET, управляемое напряжением), которое, среди прочего, широко используется в качестве усилителя, генератора или переключателя.

Что такое транзистор PNP?

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такой тип транзистора известен как транзистор PNP. Это устройство, управляемое током.Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. …

Почему используется транзистор PNP?

Транзисторы

PNP используются для источника тока, то есть ток течет из коллектора. Транзисторы PNP используются в качестве переключателей. Они используются в схемах усиления. Транзисторы PNP используются, когда нам нужно что-то выключить нажатием кнопки.

Что такое PNP NPN?

Датчики

PNP выдают положительный выходной сигнал на вход вашего промышленного управления, в то время как датчики NPN выдают отрицательный сигнал во включенном состоянии.NPN, или «понижающие» выходные датчики, работают противоположным образом, понижая напряжение заземления на входе, когда он включен.

Какой транзистор лучше PNP или NPN?

Транзистор NPN имеет электроны в качестве основных носителей заряда, тогда как транзистор PNP имеет дырки в качестве основных носителей заряда. Подвижность электронов лучше подвижности дырок. подвижность электронов больше, чем у дырок, поэтому транзисторы npn быстрее, чем pnp, поэтому они предпочтительнее.

Сколько существует типов транзисторов?

два типа

Какие два основных типа транзисторов?

Базовая электроника — Типы транзисторов

  • Первичный транзистор — биполярный транзистор, а полевой транзистор — это современная версия транзистора.Давайте посмотрим на BJT.
  • Типы BJT — транзисторы NPN и PNP.
  • Полевой транзистор является униполярным устройством, что означает, что он изготовлен с использованием материала p-типа или n-типа в качестве основной подложки.
  • Источник.

Какие общие типы транзисторов?

Транзисторы

в основном делятся на два типа. Это биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET). BJT снова подразделяются на транзисторы NPN и PNP.Полевые транзисторы подразделяются на JFET и MOSFET.

Каковы два основных применения транзистора?

Основное применение транзисторов включает в себя коммутационные приложения или как усиление, так и переключение.

Каков принцип работы транзистора?

Транзистор

A состоит из двух PN-диодов, соединенных спиной друг к другу. Он имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Основная идея транзистора заключается в том, что он позволяет вам управлять потоком тока через один канал, изменяя интенсивность гораздо меньшего тока, протекающего через второй канал.

Для чего используются транзисторы?

Транзистор, полупроводниковое устройство для усиления, управления и генерации электрических сигналов. Транзисторы — это активные компоненты интегральных схем или «микрочипов», которые часто содержат миллиарды этих крохотных устройств, выгравированных на их блестящих поверхностях.

Является ли транзистор основной функцией?

Транзистор

— это своего рода твердотельное полупроводниковое устройство, которое имеет множество функций, таких как обнаружение, выпрямление, усиление, переключение, стабилизация напряжения, модуляция сигнала и так далее.Как переключатель переменного тока, транзистор может управлять выходным током в зависимости от входного напряжения.

Почему мы используем диод?

Наиболее распространенная функция диода — пропускать электрический ток в одном направлении (называемом прямым направлением диода) и блокировать его в противоположном направлении (обратном направлении). Формы выпрямителей, диодов могут быть использованы для таких задач, как извлечение модуляции из радиосигналов в радиоприемниках.

Как транзистор работает как усилитель?

Транзистор действует как усилитель, увеличивая силу слабого сигнала.Напряжение смещения постоянного тока, приложенное к переходу базы эмиттера, заставляет его оставаться в прямом смещенном состоянии. Таким образом, небольшое входное напряжение приводит к большому выходному напряжению, что показывает, что транзистор работает как усилитель.

Как диагностировать печатную плату с помощью неисправного транзистора — инженерно-техническое

Электронные схемы требуют, чтобы все компоненты, содержащиеся в этой цепи, работали правильно. Если какой-либо из компонентов выйдет из строя, это может иметь катастрофические последствия для любых устройств, подключенных к этой цепи.Неисправные активные компоненты, такие как транзисторы, диоды и микрочипы, часто труднее диагностировать, чем вышедшие из строя пассивные компоненты, такие как резисторы; активные компоненты ведут себя иначе, чем пассивные компоненты, когда они подвергаются воздействию различных напряжений. Если вы подозреваете, что транзистор вышел из строя, транзистор необходимо проверить перед повторным включением цепи.

Инструкции
Процедура тестирования соединительного полевого транзистора (JFET)
1 Скрутите один провод от первого резистора к клемме стока на транзисторе.Скрутите один вывод от второго резистора к выводу истока на транзисторе. Скрутите свободные выводы обоих резисторов вместе с выводом затвора транзистора. Подождите 30 секунд, а затем снимите резисторы с клемм транзистора.

2 Мультиметр может проверять диоды, подавая напряжение на провода зонда. Включите мультиметр; установите шкалу измерения на «Diode Test». Для n-канального JFET поместите красный щуп мультиметра на вывод затвора транзистора, а черный щуп мультиметра — на вывод стока.Для p-канального JFET поместите красный щуп мультиметра на вывод стока, а черный щуп — на вывод затвора.

Процедура тестирования биполярного переходного транзистора (BJT)
4 Включите мультиметр и отправьте шкалу измерений в режим «Проверка диодов». Для транзистора NPN поместите красный щуп мультиметра на вывод базы транзистора, а черный щуп — на вывод коллектора. Для транзистора PNP поместите черный щуп мультиметра на вывод базы, а красный щуп — на вывод коллектора.

5 Проверьте дисплей мультиметра. Если мультиметр показывает оценку «прошел», снимите щуп мультиметра с коллектора, поместите его на вывод эмиттера и перейдите к следующему шагу. Если мультиметр показывает оценку «Fail», снимите щупы мультиметра с обеих клемм и замените транзистор.

6 Проверьте дисплей мультиметра. Если мультиметр показывает оценку «прошел», транзистор работает нормально. Если мультиметр показывает оценку «Fail», транзистор необходимо заменить.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *