Обозначение транзистора: Эта страница ещё не существует

Содержание

Условное обозначение — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Условное обозначение — транзистор

Cтраница 1


Условные обозначения транзисторов в их маркировке установлены в следующем виде: первый знак-буква: Г — германиевый; К — кремниевый; второй знак буква Т — транзистор: остальные четыре знака — трехзначное число и буква — шифр, указывающий назначение и модификацию ( разновидность) данного прибора.  [2]

Условное обозначение транзисторов по ГОСТ 5461 — 59 состоит из трех элементов.  [3]

Условное обозначение транзистора показано на рис. 6 — 7 а. На рис. 6 — 7 6 показаны вольт-амперные характеристики участка коллектор-база транзистора типа П-102. Каждая характеристика соответствует определенному значению тока, протекающего по участку эмиттер — база. Из рассмотрения этих характеристик мы еще раз убеждаемся, что величина тока / к, протекающего по участку коллектор-база, практически не зависит от величины напряжения UK, падающего на этом участке, целиком определяется величиной тока эмиттера. Когда ток эмиттера / э равен нулю, по коллекторной цепи протекает небольшой остаточный ток / ко.  [4]

Условное обозначение транзистора показано на рис. 8.44, а, где к — коллектор, э — эмиттер, б — база.  [5]

Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис. 4 — 1, а. Буквы у выводов транзисторов означают: Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор. Кружок у транзистора ( на рисунке показан только у транзистора р-п — р) означает, что кристалл помещен в корпус. По ГОСТ допустимы оба обозначения для транзисторов, имеющих корпус.  [6]

Условное обозначение транзистора IGBT, приведенное на рис. 6.2, указывает, что в его составе есть полевая и биполярная части.  [7]

В условных обозначениях транзисторов стрелкой указывается направление тока эмиттера.  [9]

На условном обозначении транзистора стрелка показывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу.  [10]

Принятые в нашей стране условные обозначения транзисторов содержат сведения об их назначении, физических и конструктивно-технологических свойствах, основных электрических параметрах, применяемом исходном материале.  [11]

На рис. 7.16 иг даны условные обозначения транзисторов. Принцип работы транзисторов обоих типов аналогичен.  [12]

На рис. 4.1 5 показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает направление тока эмиттерного перехода.  [14]

На рис. 4.1, б показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает прямое направление тока эмиттерного перехода.  [15]

Страницы:      1    2    3

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов — DataSheet

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
 IЗ IG  Ток затвора (постоянный).
Iз отс IGSX  Ток отсечки затвора.
IЗ пр  IGF  Прямой ток затвора.
IЗ ут IGSS  Ток утечки затвора.
IЗИО IGSO  Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСО IGDO  Обратный ток перехода затвор-сток.
IИ IS  Ток истока (постоянный).
 IИ нач ISDS  Начальный ток истока.
 IИ ост  ISDX  Остаточный ток истока.
IС ID  Ток стока (постоянный).
 IС нагр IDSR  Ток стока при нагруженном затворе.
  IС нач IDSS  Начальный ток стока.
 IС ост IDSX  Остаточный ток стока.
 IП IB, IU  Ток подложки.
UЗИ
 UGS  Напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ обр  UGSR  Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ отс  UGS(OFF),  UGS(off)  Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор  UGST, UGS(th), UGS(TO)  Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
 UЗИ пр UGSF  Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ проб U(BR) GSS  Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗП
UGB, UGU
 Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗС UGD  Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИП USB, USU  Напряжение исток-подложка (постоянное).
 UСИ UDS  Напряжение сток-исток (постоянное).
  UСП UDB, UDU  Напряжение сток-подложка (постоянное).
  U31— U32 UG1— UG2  Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИ PDS  Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max  Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
S gms
 Крутизна характеристики.
RЗИ rGS, rgs  Сопротивление затвор-исток.
RЗС rGD, rgd  Сопротивление затвор-сток.
RЗСО rGSS, rgss  Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ отк rDS(ON), rds(on), rDS on  Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
RСИ закр rDS(OFF), rds(off), rDS off  Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
Сзио C
gso
 Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Сзсо Cgdo  Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Ссио Cdso  Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, и Ciss, C11ss Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12и Crss, C12ss  Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
С22и Coss, C22ss  Выходная емкость транзистора — емкость между стоком
и истоком.
С22с  Cods, C22ds  Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11и giss, g11s  Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22и goss, g22s  Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11и Yis, Y11s  Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12и Yrs, Y12s  Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21и Yfs, Y21s  Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах |Yfs| = gfs).
Y22и Yos, Y22s  Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. P GP  Коэффициент усиления по мощности.
fY21и fYfs  Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Uш Un  Шумовое напряжение транзистора.
Eш en  Электродвижущая сила шума
 Kш F  Коэффициент шума транзистора.
α
ID
 Температурный коэффициент тока стока.
αrds  Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл ton  Время включения транзистора.
tвыкл toff  Время выключения транзистора.
tзд, вкл td(on)  Время задержки включения.
tзд, выкл td(off)  Время задержки выключения.
tнр tr  Время нарастания.
tсп tf  Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2 IGSS1-IGSS2  Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1 IDSS1/IDSS2  Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2 UGS1-UGS2  Разность напряжений затвор-исток.
|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )|/ΔT |Δ(UGS1-UGS2 )|/ΔT  Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2 gos1-gos2  Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
 g21и1/g21и2 gos1/gos2  Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

Условное изображение транзистора | AutoCAD уроки © Студия Vertex

В этом уроке мы создадим блок условного графического обозначения транзистора. Такой блок будет весьма полезным при создании чертежей электрических принципиальных схем, а методы, при помощи которых мы будем его чертить, позволят в дальнейшем создать полноценную библиотеку изображений элементов электрических схем.

1. Для начала найдем источник информации – правила условного изображения транзистора в схемах:

2. Изобразим транзистор средствами Autocad. Используем примитивы «отрезок» (команда Line) и «окружность» (команда Circle). Для удобства расчетов примем d=12мм. Вот изображение в тонких линиях:

Стрелку построим с помощью команды Polygon. Задаем количество сторон (3), затем выбираем опцию Edge и ориентируем ребро по линии, идущей к выводу:

Поворачиваем треугольник на 90°, корректируем его размеры и устанавливаем в нужную точку:

Остается заштриховать стрелку. Для этого используем команду Hatch. В окне Pattern выбираем сплошную заливку (Solid), затем нажимаем Add: Select objects и указываем контур будущей штриховки. После этого нажимаем OK и видим такой результат:

И, наконец, присвоим линиям нужную толщину. Для этого включаем отображение веса линий:

Затем выделяем  все линии (кроме контура стрелки) и в окне Properties выбираем для них вес, скажем, 0.3 мм:

3. Графическая часть готова. Зададим атрибут, который будет отображать буквенно-цифровое обозначение транзистора на схеме. Для этого воспользуемся командой Define Attributes панели Block:

В появившемся диалоговом окне вводим следующие данные и задаем такие параметры:

После нажатия OK указываем положение атрибута:

Затем в панели Block выбираем команду Set Base Point и указываем базовую точку будущего блока, например, окончание вывода «база»:

Сохраняем чертеж.

[ads]

4. Теперь, если создать новый чертеж Autocad и выполнить команду Insert (панель Block), а затем указать путь к сохраненному блоку (нажав Browse), блок будет вставлен в чертеж. При этом можно задать текстовое обозначение, например, VT1 (команда запросит его в процессе выполнения). Положение, поворот и текстовое значение атрибута можно менять и после вставки блока, окно редактирования атрибутов открывается двойным кликом по блоку:

5. Добавим полезную опцию – сделаем изображение транзистора универсальным, чтобы можно было использовать его для транзисторов n-p-n и p-n-p. Для этого выделим блок и войдем в редактор блоков (команда Edit панели Block). Откроется окно редактора:

Нам необходимо задать пару «параметр-действие». Для наших целей подходят параметр Flip Parameter и действие Flip Action, которые позволяют отражать объекты блока относительно заданной линии. Сначала добавляем параметр. Команда запросит первую и вторую точки зеркальной линии. Первую указываем на середине отрезка со стрелкой, вторую, используя трассировку, выбираем на продолжении перпендикуляра, проходящего через первую точку:

Напомним, что объектная трассировка захватывает точку при наведении на нее курсора и кратковременном удержании на месте. После указания точек задаем расположение ярлыка параметра (произвольное).

6. Следующим шагом задаем действие (команда Flip Action на вкладке Actions). Команда попросит указать параметр, к которому будет привязано действие, затем выбрать объекты (выбираем только стрелку с контуром), и затем указать положение ярлыка. В результате должно получиться следующее:

Пара «параметр-действие» готова. Если теперь закрыть редактор блоков кнопкой Close Block Editor, расположенной в конце ленты инструментов, и согласиться с сохранением изменений, у блока появится еще одна ручка управления, при нажатии на которую стрелка будет менять свое положение:

Осталось лишь сохранить блок на диске – ведь последние изменения коснулись лишь блока в отдельном чертеже. Чтобы сохранить файл блока для дальнейшего использования, нужно набрать с клавиатуры wblock – эта команда пишет указанный блок на диск. Интерфейс команды прост и понятен, важно лишь правильно установить опции и указать путь:

Итак, блоком можно пользоваться. Таким же образом можно создать и другие блоки – в итоге получится библиотека условных графических обозначений элементов, которая ускорит и облегчит процесс создания электрических схем.

На этом данный урок закончен! Ждем Ваших оценок и комментариев ниже!

Компания «Студия Vertex» с 2009 года специализируется на выпуске образовательных курсов посвященных использованию популярных современных САПР.

Транзисторы. Общие сведения.

Что такое транзистор?

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Если быть точнее, то транзистор позволяет регулировать силу электрического тока подобно тому, как водяной кран регулирует поток воды. Отсюда следуют две основные функции прибора в электрической цепи — это усилитель и переключатель.

Существует бесконечное множество разных типов транзисторов – от огромных усилителей высокой мощности размером с кулак, до миниатюрных переключателей на кристалле процессора размером в считанные десятки нанометров (в одном метре 109 нанометров).

Что значит слово «транзистор» и как это связано с его работой?

Слово «транзистор» происходит от двух английских слов — «transfer» (переносить) и «resistor» (сопротивление). Что можно буквально перевести, как «переходное сопротивление». Однако, лучше всего для описания работы этого прибора, подойдет название «переменное сопротивление». Поскольку в электронной цепи, транзистор ведет себя именно как переменное сопротивление. Только если у таких переменных резисторов, как потенциометр и обычный выключатель, нужно менять сопротивление с помощью механического воздействия, то у транзистора его меняют посредством напряжения, которое подается на один из электродов прибора.

Обозначения и типы транзисторов.

Устройство и обозначение транзисторов разделяют на две большие группы. Первая – это биполярные транзисторы (БТ) (международный термин – BJT, Bipolar Junction Transistor). Вторая группа – это униполярные транзисторы, еще их называют полевыми (ПТ) (международный термин – FET, Field Effect Transistor).

Полевые, в свою очередь, делятся на транзисторы с PN-переходом (JFET — Junction FET) и с изолированным затвором (MOSFET- Metal-Oxide-Semiconductor FET) .

Применение биполярных транзисторов.

На сегодняшний день биполярные транзисторы получили самое широкое распространение в аналоговой электронике. Если быть точнее, то чаще всего их используют в качестве усилителей в дискретных цепях (схемах, состоящих из отдельных электронных компонентов).

Также нередко отдельные БТ используются совместно с интегральными (состоящими из многих компонентов на одном кристалле полупроводника) а налоговыми и цифровыми микросхемами. В этом возникает необходимость, например, когда нужно усилить слабый сигнал на выходе из интегральной схемы, обычно не располагающей высокой мощностью.

Применение полевых транзисторов.

В области цифровой электроники, полевые транзисторы, а именно полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), практически полностью вытеснили биполярные благодаря многократному превосходству в скорости и экономичности. Внутри архитектуры логики процессоров, памяти, и других различных цифровых микросхем, находятся сотни миллионов, и даже миллиарды MOSFET, играющих роль электронных переключателей.

Как устроен транзистор и как он обозначается

Транзистор на пальцах

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.

В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти девайсы на полевые и биполярные.

В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения).

На схемах эмиттер — со стрелочкой, а база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором.

Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.

Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец» (PnP).

Короче, транзистор позволяет слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.

МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ. Что такое транзистор и как он работает?


Транзисторы. Определение и история

Транзистор
— электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике. Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких. Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала. В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и

электроны,
и
дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) —
или
электроны,
или
дырки. Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой. И, напоследок:
основная область применения любых транзисторов
— усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Принцип действия

Полупроводники занимают промежуточное состояние между проводниками и диэлектриками. В обычном состоянии они не проводят электрический ток, но их сопротивление падает с ростом температуры. Чем она выше, тем больше энергии, которую получает вещество.

В атомах полупроводника электроны отрываются от «родительского» атома и улетают к другому, чтобы заполнить там «дырку», которую оставил такой же электрон. Получается, что внутри такого материала одновременно происходят два процесса: полет электронов (n-проводимость, от слова negative – отрицательный), и образование «дырок» (p-проводимость от слова positive – положительный). В обычном куске кремния эти процессы уравновешены: количество дырок равно количеству свободных электронов.

Однако с помощью специальных веществ можно нарушить это равновесие, добавив «лишние» электроны (вещества – доноры) или «лишние» «дырки» (вещества акцепторы). Таким образом можно получить кристалл полупроводника с преобладающей n-проводимостью, либо p-проводимостью.

Если два таких материала приложить друг к другу, то в месте их соприкосновения образуется так называемый p-n переход. Дырки и электроны проходят через него, насыщая соседа. То есть там, где был избыток дырок, идет их заполнение электронами и наоборот.

В какой-то момент в месте соприкосновения не останется свободных носителей заряда и наступит равновесие. Это своего рода барьер, который невозможно преодолеть, этакая пустыня. Этот слой принято называть обедненным слоем.

Теперь, если приложить к такому материалу напряжение, то оно поведет себя интересным образом: при прямой его направленности обедненный слой истончится и через него пойдет электроток, а при обратном – наоборот, расширится.

Как говорится, если для чайников, то p-n переход обладает способностью пропускать ток только в одном направлении. Это своего рода «обратный клапан» для электрической сети. На этом их свойстве основана работа всех полупроводниковых приборов.

Существует две основные разновидности транзисторов: полевые (иногда их называют униполярными) и биполярными. Различаются они по устройству и принципу действия.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам. Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу. Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора

), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (
ток базы
). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему? Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки». Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но б
о
льшая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом,
произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу
. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы. Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился. Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор. Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать. Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется
коэффициентом усиления по току
и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно
h31
. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст
статический коэффициент усиления по току
. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. Вторым немаловажным параметром является
входное сопротивление транзистора
. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления. Третий параметр биполярного транзистора —
коэффициент усиления по напряжению
. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению. Также транзисторы имеют
частотную характеристику
, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется
граничной
. Также параметрами биполярного транзистора являются:

  • обратный ток коллектор-эмиттер
  • время включения
  • обратный ток колектора
  • максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Полевой транзистор

Если в биполярном транзисторе управление происходило с помощью тока, то в полевом – с помощью напряжения. Состоит он из пластинки полупроводника, которую называют каналом. С одной стороны к ней подключен исток – через него в канал входят носители электрического тока, а с другой сток – через него они покидают канал.

Сам канал как бы «зажат» между затвором, который обладает обратной проводимостью, то есть если канал имеет n-проводимость, то затвор – p-проводимость. Затвор электрически отделен от канала. Изменяя напряжение на затворе, можно регулировать зону p-n перехода. Чем она больше, тем меньше электрической энергии проходит через канал. Существует значение напряжения, при котором затвор полностью перекроет канал и ток между истоком и стоком прекратится.

Наиболее наглядная иллюстрация в этом случае – садовый шланг, который проходит через камеру небольшого колеса. В таком случае, даже когда в него подается небольшое давление воздуха (напряжение затвор-исток), оно значительно увеличивается в размерах и начинает пережимать шланг, перекрывается просвет шланга и прекращается подача воды (увеличивается зона p-n перехода и через канал перестает идти электроток).

Описанный выше тип полупроводникового прибора является классическим и называется транзистором с управляющим p-n переходом. Часто можно встретить аббревиатуру JFET – Junction FET, что просто перевод русского названия на английский.

Другой тип полевого триода имеет небольшое различие в конструкции затвора. На слое кремния с помощью окисления образуется слой диэлектрика оксида кремния. Уже на него методом напыления металла наносят затвор. Получаются чередующиеся слои Металл -Диэлектрик – Полупроводник или МДП-затвор.

Такой полевой транзистор с изолированным затвором обозначается латинскими буквами MOSFET.

Существует два вида МДП-затвора:

  1. МДП-затвор с индуцированным (или инверсным) каналом в обычном состоянии закрыт, то есть при отсутствии напряжения на затворе электроток через канал не проходит. Для того, чтобы открыть его, к затвору необходимо приложить напряжение.
  2. МДП-затвор со встроенным (или собственным) каналом в обычном состоянии открыт, то есть при отсутствии напряжения на затворе электроток через канал проходит. Для того, чтобы закрыть его, к затвору необходимо приложить напряжение.


Принцип работы прибора

Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала. Благодаря особому строению кристаллических решёток и полупроводниковым свойствам, этот прибор способен увеличивать амплитуду протекающего тока.

Полупроводники — вещества, которые способны проводить ток, а также препятствовать его прохождению. Самыми яркими их представителями являются кремний и германий. Существует два вида полупроводников:

  1. Электронные.
  2. Дырочные.

В полупроводниках электрический ток возникает из-за недостатка или переизбытка свободных электронов. Например, кристаллическая решётка атома состоит из трёх электронов. Однако если ввести в это вещество атом, состоящий из четырёх электронов, один будет лишним. Он является свободным электроном. Соответственно, чем больше таких электронов, тем ближе это вещество по своим свойствам к металлу. А значит, и проводимость тока больше. Такие полупроводники называются электронными.

Теперь поговорим о дырочных. Для их создания в вещество вводятся атомы другого вещества, кристаллическая решётка которого содержит больше атомов. Соответственно, в нашем полупроводнике становится меньше электронов. Образуются вакантные места для электронов. Валентные связи будут разрушаться, так как электроны будут стремиться занять эти вакантные места. Далее, мы будем называть их дырками.

Электроны постоянно стремятся занять дырку и, начиная движение, образуют новую дырку. Таким поведением обладают абсолютно все электроны. В полупроводнике происходит их движение, а значит, начинает проводиться ток. Такие полупроводники называются дырочными.

Таким образом, вводя недостаток или избыток электронов в кремний или германий, мы способствуем их движению. Получается ток. Транзисторы состоят из соединений этих полупроводников по определённому принципу. С их помощью можно управлять протекающими токами и другими параметрами электрических сигналов.

Схема включения полевых транзисторов

Распространены три схемы включения полевых транзисторов. Первая схема – с общим истоком. Вторая – с общим стоком. Третья – с общим затвором. Самой распространенной является схема с общим истоком. Она очень похожа на схему биполярного транзистора с общим эмиттером. Очень большое усиление мощности и тока достигается каскадом с общим истоком.

Схема с общим затвором также сравнима с одной из схем биполярных транзисторов, а именно – с общей базой. Усиления тока она не дает, а потому не трудно предположить, что в ней и усиление мощности намного меньше, чем в схеме с общим истоком.

Последняя схема – с общим затвором – имеет достаточно ограниченное применение на практике. Связано это в первую очередь с тем, что каскад общего затвора имеет крайне низкое сопротивление на входе.

Отличие биполярных транзисторов от полевых

Полевые транзисторы управляются при помощи электрического поля и благодаря этому они очень энергоэффективны. Именно по этой причине они используются при производстве процессоров.

С другой стороны, у полевых транзисторов есть слабое место. Это их тонкий p-n переход. Он очень чувствителен к статическому электричеству. Кстати, именно из-за статического электричества перестают работать флешки и карты памяти, если вы их вытащили из устройства во время работы.

Схемы защиты от статического электричества не успевают сработать, и статика разрушает полевые транзисторы.

А вот биполярные транзисторы наоборот, лучше переносят статику. Но в тоже время, они потребляют больше мощности, так как для их открытия нужен электрический ток.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.


Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

  1. Усилительные схемы.
  2. Генераторы сигналов.
  3. Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.
Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

  1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
  2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
  3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!

Цветовая маркировка транзисторов

В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.

Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.

При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.

Символьно — цветовая маркировка транзисторов

Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).

Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.

Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Маркировка года и месяца изготовления электронных компонентов

Согласно ГОСТ 25486-82, для того, чтобы обозначить месяц и год изготовления транзистора и других электронных компонентов, используются буквы и цифры: первое значение – год, второе значение – месяц. Что касается приборов, изготовленных за рубежом, для обозначения даты выпуска применяется кодировка из четырех цифр, где первые две – это год, следующие – номер модели.

Каждому году соответствует своя буква:
ГодКод

1986U
1987V
1988W
1989X
1990A
1991B
1992C
1993D
1994E
1995F
1996H
1997I
1998K
1999L
2000M
2001N
2002P
2003R
2004S
2005T
2006U
2007V
2008W
2009X
2010A
2011B
2012C
2013D
2014E
2015F

Маркировка месяца
МесяцКод

Январь1
Февраль2
Март3
Апрель4
Май5
Июнь6
Июль7
Август8
Сентябрь9
ОктябрьO
НоябрьN
ДекабрьD

Чтобы обозначить месяц выпуска, применяются не только цифры, но и некоторые буквы: месяцы с января по сентябрь полностью соответствуют цифрам, следующие – первым буквам названия месяца.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

МодельPC Ta = 25°CUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г1402560,11501001,745…630TO-92
КТ6114 А/Б/В0,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ968 В430020050,1150902,835…220TO-39

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
3DG8050A0,625402560,8150100985TO-92
BC517S0,625403010115020033000TO-92
BTN8050A30,625402561,51501006160TO-92
BTN8050BA30,625402561,5150100160TO-92
CX908B/C/D0,625402561150100120…260TO-92
KTC32030,625300,8150190100TO-92
KTC32110,625402561,5150190985TO-92
KTS80500,625250,8175100TO-92
M8050-C/D0,62540256150150120…160TO-92
S80500,34092550,5150150120SOT-23
8050HQLT10,3402551,5150150SOT-23
8050QLT10,3402550,8150150SOT-23
8050SLT10,3402550,5150150120SOT-23
CHT9013GP0,3452550,5150150120SOT-23
F8050HPLG0,3402550,5150150120SOT-23
KTC9013SC0,35403050,5150150200SOT-23
MMBT8050D0,3402550,5150150200SOT-23
MMS9013-H/L0,3402550,5150150200SOT-23
NSS40201L0,5440254150150120SOT-23
NSS40201LT1G0,54404062150200SOT-23
NSV40201LT1G0,54404062150150200SOT-23
PBSS4140T0,3404051150150300SOT-23
S90130,3402550,8150150120SOT-23
ZXTN2040F0,35401150300SOT-23
ZXTN25040DFL0,35401,5190300SOT-23
ZXTN649F0,5253200SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

PRO-ELECTRON (система, разработанная в Европе)

Маркировка приборов у европейских производителей несколько отличается. Код, которым промаркирован иностранный транзистор – это комбинация символом:

  1. Символ под номер один указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А – из германия, В – из кремния, С – из арсенида галлия, R – из сульфида кадмия;
  2. Второй символ сообщает о типе транзистора: С – маломощный прибор с низкой частотностью; D – мощный элемент с низкой частотностью; F – прибор маленькой мощность с высоким уровнем частотности; G – в одном корпусе присутствует одновременно два и более элемента; L – прибор с высокой мощностью и частотностью; S – маломощный прибор с функцией переключения; U – транзистор-переключатель высокой мощности;
  3. Третий символ означает номер серии продукта: изделия общего пользования маркируются цифрами от 100 до 999; в том случае, когда перед цифровым значением прописана буква, это говорит о том, что данная деталь изготовлена для использования в промышленности или специализированного пользования.

Более того, общая кодировка иногда дополнятся символом модификации. Определить ее может только сам производитель.

Японская система JIS

Стандарты маркировки, выработанные в Японии представлены буквами и цифрами в количестве 5 штук:

  1. Цифра под номером 1 – тип полупроводникового транзистора: 0 – обозначение фотодиода или фототранзистора; 1 – обозначение диода; 2 – обозначение транзистора;
  2. Буквенный символ S проставляется на каждом выпущенном элементе;
  3. Третий по счету маркировочный элемент говорит о разновидности детали: А – PNP с высокой частотностью; В – PNP с низкой частотностью; С — NPN с высоким уровнем частотности; D — NPN с низким уровнем частотности; Н – однопереходной; J — транзистор полевого типа с N-каналом; К — транзистор полевого типа с P-каналом;
  4. Цифра под номер 4 – номер серии в диапазоне от 10 до 9999;
  5. Пятый символ маркировки обозначает модификацию. Иногда данный символ отсутствует.

Бывают ситуации, когда в кодировке присутствует 6 символ – это дополнительная литера N, M или S, которая отвечает за соответствие прибора определенным стандартам. Маркировка, разработанная в Японии, не предусматривает использование обозначений цветом.


Источники

  • https://habr.com/ru/post/133136/
  • https://remont220.ru/osnovy-elektrotehniki/1098-tranzistor/
  • https://remont220.ru/stati/595-shemy-vklyucheniya-tranzistorov/
  • https://go-radio.ru/transistor.html
  • https://tyt-sxemi.ru/tranzistor/
  • https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
  • https://raschet.info/cvetovaja-i-simvolno-cvetovaja-markirovka-tranzistorov/
  • https://www.radiodetector.ru/markirovka-tranzistorov/

Мощные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП — Изделия с приемкой ВП АО «ФЗМТ»

Мощные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП

Мощные переключательные МОП транзисторы с n-каналом используются в различных областях электронной техники: устройствах коммутации многоканальных систем, вторичных источниках питания, схемах управления электродвигателями, системах терморегулирования и приводах солнечных батарей, космических аппаратах и другой специальной аппаратуре.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

МОП транзисторы изготавливаются в плоских металлостеклянных корпусах с планарными выводами КТ-97A, КТ-97B, КТ-97C. Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.

Основные электрические параметры
Наимено­вание
изделия
Тип
корпуса
Покры­тие
кор­пуса
UСИ max,
B
IС max,
A
IС(И) max,
A
RСИ отк,
Ом
PС max,
Вт
2П7160А
2П7160А1
КТ-97C Au
Ni
30 46 70 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)
125
2П7160Б
2П7160Б1
КТ-97A Au
Ni
100 20 50 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
75
2П7160В
2П7160В1
КТ-97B Au
Ni
200 35 70 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
125
2П7160Г
2П7160Г1
КТ-97C Au
Ni
400 23 46 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Д
2П7160Д1
КТ-97C Au
Ni
500 20 46 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Е
2П7160Е1
КТ-97B Au
Ni
60 35 70 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Ж
2П7160Ж1
КТ-97A Au
Ni
100 20 50 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
100
2П7160И
2П7160И1
КТ-97C Au
Ni
200 35 70 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160К
2П7160К1
КТ-97C Au
Ni
600 20 46 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе золота;
  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1».

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор 2П7160А АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор 2П7160А1 АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.

Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·смдля корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Что такое 2N транзистор? (с изображением)

Транзистор 2N — это практически любой транзистор с тремя выводами. Обозначение транзистора 2N является частью системы нумерации электронных компонентов, созданной Объединенным инженерным советом по электронным устройствам (JEDEC). Созданная в 1958 году, JEDEC работала вместе с Национальной ассоциацией производителей электротехники (NEMA) над созданием стандартов, методов испытаний, обозначений и систем нумерации деталей для различных электронных компонентов. NEMA прекратила прямое участие JEDEC в своих программах в 1979 году; однако JEDEC продолжал работать как организация по торговле и стандартизации для полупроводниковой промышленности.

Любой транзистор с тремя выводами называется транзистором 2N.

В начале транзисторной промышленности в Соединенных Штатах Альянс электронной промышленности (EIA) и NEMA объединились в совместное предприятие, чтобы создать независимый орган по стандартизации, чтобы помочь установить параметры для многообещающей полупроводниковой промышленности.JEDEC родился благодаря этим усилиям и начал свою работу с обозначения различных новых полупроводниковых устройств и создания системы нумерации деталей, которая определяла некоторые основные аспекты различных полупроводниковых устройств. В начале существования организации было только два настоящих полупроводниковых устройства: диоды и транзисторы.

Диоды создаются из двух частей полупроводникового материала, сплавленных вместе, с проволочным выводом, выходящим из каждой из двух частей.Одна из секций заряжена положительно, а другая отрицательно. Там, где встречаются эти две секции, находится переход диода. Переход диода определяет многие его рабочие характеристики. Поскольку диоды имеют только один переход, они были обозначены JEDEC как полупроводниковые устройства с одним переходом и обозначены номером детали, начинающимся с 1N.

Практически все транзисторы в то время, когда JEDEC начал работать вместе с NEMA, представляли собой устройства с тремя проводами.Транзисторы того времени изготавливались почти исключительно из трех частей электрически заряженного полупроводникового материала, сплавленных вместе. Хотя электрический заряд можно было расположить либо как положительный-отрицательный-положительный, называемый PNP, либо как отрицательный-положительный-отрицательный, называемый NPN, все транзисторы того времени имели два перехода, где сходились три секции. Следовательно, JEDEC идентифицировал транзисторы как двухпереходные полупроводниковые устройства (что означает, что они имеют два перехода) и присвоил им номера деталей, начинающиеся с 2N.Это происхождение транзистора 2N.

С тех первых дней и примерно во время разделения путей NEMA и JEDEC было разработано много новых типов транзисторов. Многие из них имели более трех проводов, а некоторые работали на принципах электромагнитных полей, а не физических соединений.Например, полевой транзистор с двойным затвором имеет только один практический полярный переход, но четыре провода.

Поскольку диод уже использует обозначение 1N, оно было недоступно, поэтому JEDEC изменил значение 1N и 2N для обозначения двухпроводных и трехпроводных устройств.Затем он присвоил обозначение 3N полевому транзистору с двойным затвором, указав, что он имеет четыре провода. В результате этого изменения транзистор 2N стал транзистором с тремя проводными выводами и может иметь два внутренних перехода, в зависимости от конструкции устройства.

JEDEC по-прежнему действует как независимый орган, устанавливающий стандарты для полупроводниковых устройств; однако это больше не единственный создатель номеров деталей полупроводников, поскольку теперь также используются две другие основные системы стандартизации.Япония создала стандарт под названием Японский промышленный стандарт (JIS), в котором номера деталей транзисторов начинаются с 2S. Европейский стандарт Pro Electron (PE) является еще одним основным мировым стандартом для идентификации полупроводниковых компонентов. В этой системе буква указывает на материал, из которого сделан транзистор, за которым следует буква, обозначающая тип устройства. Например, BA обозначает кремниевый диод, BC обозначает кремниевый транзистор общего назначения, а AD обозначает германиевый силовой транзистор.

курсов PDH онлайн. PDH для профессиональных инженеров. ПДХ Инжиниринг.

«Мне нравится широта ваших курсов HVAC; не только экологичность или энергосбережение

курсы.»

 

 

Рассел Бейли, ЧП

Нью-Йорк

«Это укрепило мои текущие знания и научило меня дополнительно нескольким новым вещам

для раскрытия мне новых источников

информации.»

 

Стивен Дедак, ЧП

Нью-Джерси

«Материал был очень информативным и организованным. Я многому научился, и они были

очень быстро отвечают на вопросы.

Это было на высшем уровне. Буду использовать

еще раз. Спасибо.»

Блэр Хейворд, ЧП

Альберта, Канада

«Легкий в использовании веб-сайт.Хорошо организовано. Я действительно воспользуюсь вашими услугами снова.

Я передам вашу компанию

имя другим на работе.»

 

Рой Пфлейдерер, ЧП

Нью-Йорк

«Справочный материал был превосходным, и курс был очень информативным, тем более что я думал, что уже знаком

с реквизитами Канзас

Авария в городе Хаятт.»

Майкл Морган, ЧП

Техас

«Мне очень нравится ваша бизнес-модель. Мне нравится возможность просмотреть текст перед покупкой. Я нашел класс

информативный и полезный

на моей работе.»

Уильям Сенкевич, Ч.Е.

Флорида

«У вас отличный выбор курсов и очень информативные статьи.Вы

— лучшее, что я нашел.»

 

 

Рассел Смит, ЧП

Пенсильвания

«Я считаю, что такой подход позволяет работающему инженеру легко зарабатывать PDH, предоставляя время для проверки

материал.»

 

Хесус Сьерра, ЧП

Калифорния

«Спасибо, что разрешили мне просмотреть неправильные ответы.На самом деле

человек узнает больше

от сбоев.»

 

Джон Скондрас, ЧП

Пенсильвания

«Курс был хорошо составлен, и использование тематических исследований является эффективным

способ обучения.»

 

 

Джек Лундберг, ЧП

Висконсин

«Я очень впечатлен тем, как вы представляете курсы; т.д., что позволяет

студент для ознакомления с курсом

материал перед оплатой и

получение викторины.»

Арвин Свангер, ЧП

Вирджиния

«Спасибо, что предлагаете все эти замечательные курсы. Я, конечно, выучил и

очень понравилось.»

 

 

Мехди Рахими, ЧП

Нью-Йорк

«Я очень доволен предлагаемыми курсами, качеством материала и простотой поиска и

подключение к Интернету

курсы.»

Уильям Валериоти, ЧП

Техас

«Этот материал в значительной степени оправдал мои ожидания. Курс был легким для понимания. Фотографии в основном давали хорошее представление о

обсуждаемые темы.»

 

Майкл Райан, ЧП

Пенсильвания

«Именно то, что я искал. Нужен 1 балл по этике, и я нашел его здесь.»

 

 

 

Джеральд Нотт, ЧП

Нью-Джерси

«Это был мой первый онлайн-опыт получения необходимых кредитов PDH. Это был

информативно, выгодно и экономично.

Очень рекомендую

всем инженерам.»

Джеймс Шурелл, ЧП

Огайо

«Я ценю, что вопросы «реального мира» и имеют отношение к моей практике, и

не основано на каком-то непонятном разделе

законов, которые не применяются

до «обычная» практика.»

Марк Каноник, ЧП

Нью-Йорк

«Отличный опыт! Я многому научился, чтобы использовать его в своем медицинском устройстве

организация.»

 

 

Иван Харлан, ЧП

Теннесси

«Материал курса имеет хорошее содержание, не слишком математический, с хорошим акцентом на практическое применение технологии.»

 

 

Юджин Бойл, П.Е.

Калифорния

«Это был очень приятный опыт. Тема была интересной и хорошо представлена,

а онлайн формат был очень

доступный и простой

использование. Большое спасибо.»

Патрисия Адамс, ЧП

Канзас

«Отличный способ добиться соответствия непрерывному обучению PE в рамках временных ограничений лицензиата.»

 

 

Джозеф Фриссора, ЧП

Нью-Джерси

«Должен признаться, я действительно многому научился. Распечатанная викторина помогает во время

просмотр текстового материала. я

также оценил просмотр

предоставлены фактические случаи.»

Жаклин Брукс, ЧП

Флорида

«Документ Общие ошибки ADA в проектировании помещений очень полезен.

тест требовал исследований в

документ но ответы были

всегда в наличии.»

Гарольд Катлер, ЧП

Массачусетс

«Это было эффективное использование моего времени. Спасибо за разнообразие выбора

в дорожной технике, который мне нужен

для выполнения требований

Сертификация PTOE.»

Джозеф Гилрой, ЧП

Иллинойс

«Очень удобный и доступный способ заработать CEU для выполнения моих требований в штате Делавэр.»

 

 

Ричард Роадс, ЧП

Мэриленд

«Узнал много нового о защитном заземлении. До сих пор все курсы, которые я проходил, были отличными.

Надеюсь увидеть больше 40%

Курсы со скидкой.»

 

Кристина Николас, ЧП

Нью-Йорк

«Только что сдал экзамен по радиологическим стандартам и с нетерпением жду дополнительных

курсы. Процесс прост, и

намного эффективнее, чем

необходимость путешествовать.»

Деннис Мейер, ЧП

Айдахо

«Услуги, предоставляемые CEDengineering, очень полезны для профессионалов

Инженеры для приобретения блоков PDH

в любое время.Очень удобно.»

 

Пол Абелла, ЧП

Аризона

«Пока все было отлично! Поскольку я постоянно работаю матерью двоих детей, у меня не так много

пора искать куда

получить мои кредиты от.»

 

Кристен Фаррелл, ЧП

Висконсин

«Это было очень информативно и поучительно.Простой для понимания с иллюстрациями

и графики; определенно получается

проще  впитать все

теорий.»

Виктор Окампо, инженер.

Альберта, Канада

«Хороший обзор принципов полупроводников. Мне понравилось проходить курс по телефону

.

мой собственный темп во время моего утра

метро

на работу.»

Клиффорд Гринблатт, ЧП

Мэриленд

«Просто найти интересные курсы, скачать документы и получить

викторина. Я бы очень рекомендую

вам в любой PE нуждающийся

Единицы CE.»

Марк Хардкасл, ЧП

Миссури

«Очень хороший выбор тем во многих областях техники.»

 

 

 

Рэндалл Дрейлинг, ЧП

Миссури

«Я заново узнал то, что забыл. Я также рад помочь финансово

от ваш рекламный адрес электронной почты который

сниженная цена

на 40%.»

Конрадо Касем, П.Е.

Теннесси

«Отличный курс по разумной цене. Буду пользоваться вашими услугами в будущем.»

 

 

 

Чарльз Флейшер, ЧП

Нью-Йорк

«Это был хороший тест, и я фактически проверил, что я прочитал профессиональную этику

Коды

и Нью-Мексико

правила.»

 

Брун Гильберт, П.Е.

Калифорния

«Мне очень понравились занятия. Они стоили времени и усилий.»

 

 

 

Дэвид Рейнольдс, ЧП

Канзас

«Очень доволен качеством тестовых документов. Будет использовать CEDengineerng

при необходимости

Сертификация

 

Томас Каппеллин, П.Е.

Иллинойс

«У меня истек срок действия курса, но вы все равно выполнили обязательство и дали

мне то, за что я заплатил — много

спасибо!»

 

Джефф Ханслик, ЧП

Оклахома

«CEDengineering предлагает удобные, экономичные и актуальные курсы

для инженера.»

 

 

Майк Зайдл, П.Е.

Небраска

«Курс был по разумной цене, а материал был лаконичным и

хорошо организовано.»

 

 

Глен Шварц, ЧП

Нью-Джерси

«Вопросы соответствовали урокам, а материал урока

хороший справочный материал

для дизайна под дерево.»

 

Брайан Адамс, П.Е.

Миннесота

«Отлично, я смог получить полезные советы с помощью простого телефонного звонка.»

 

 

 

Роберт Велнер, ЧП

Нью-Йорк

«У меня был большой опыт прохождения курса «Строительство прибрежных зон — Проектирование»

Корпус Курс и

очень рекомендую.»

 

Денис Солано, ЧП

Флорида

«Очень понятный, хорошо организованный веб-сайт. Материалы курса этики штата Нью-Джерси очень понравились

прекрасно приготовлено.»

 

 

Юджин Брекбилл, ЧП

Коннектикут

«Очень хороший опыт. Мне нравится возможность скачивать учебные материалы на

обзор везде и

когда угодно.»

 

Тим Чиддикс, ЧП

Колорадо

«Отлично! Поддерживайте широкий выбор тем на выбор.»

 

 

 

Уильям Бараттино, ЧП

Вирджиния

«Процесс прямой, никакой чепухи. Хороший опыт.»

 

 

 

Тайрон Бааш, П.Е.

Иллинойс

«Вопросы на экзамене были пробными и демонстрировали понимание

материала. Тщательный

и полный».

 

Майкл Тобин, ЧП

Аризона

«Это мой второй курс, и мне понравилось то, что курс предложил мне, что

поможет в моей линии

работы.»

 

Рики Хефлин, ЧП

Оклахома

«Очень быстрая и простая навигация. Я определенно воспользуюсь этим сайтом снова.»

 

 

 

Анджела Уотсон, ЧП

Монтана

«Прост в исполнении. Нет путаницы при подходе к сдаче теста или записи сертификата.»

 

 

 

Кеннет Пейдж, П.Е.

Мэриленд

«Это был отличный источник информации о нагреве воды с помощью солнечной энергии. Информативный

и отличное освежение.»

 

 

Луан Мане, ЧП

Коннетикут

«Мне нравится подход к подписке и возможности читать материалы в автономном режиме, а затем

вернись, чтобы пройти тест.»

 

 

Алекс Млсна, П.Е.

Индиана

«Я оценил количество информации, предоставленной для класса. Я знаю

это вся информация, которую я могу

использование в реальных жизненных ситуациях.»

 

Натали Дерингер, ЧП

Южная Дакота

«Материалы обзора и образец теста были достаточно подробными, чтобы я мог

успешно завершено

курс.»

 

Ира Бродская, ЧП

Нью-Джерси

«Веб-сайт прост в использовании, вы можете скачать материал для изучения, а затем вернуться

и пройти тест. Очень

удобный а на моем

собственное расписание.»

Майкл Гладд, ЧП

Грузия

«Спасибо за хорошие курсы на протяжении многих лет.»

 

 

 

Деннис Фундзак, ЧП

Огайо

«Очень легко зарегистрироваться, получить доступ к курсу, пройти тест и распечатать PDH

сертификат

. Спасибо за создание

процесс простой.»

 

Фред Шайбе, ЧП

Висконсин

«Положительный опыт.Быстро нашел подходящий мне курс и прошел

PDH за один час в

один час.»

 

Стив Торкилдсон, ЧП

Южная Каролина

«Мне понравилась возможность загрузки документов для ознакомления с содержанием

и пригодность до

наличие для оплаты

материал

Ричард Вимеленберг, ЧП

Мэриленд

«Это хорошее пособие по ЭЭ для инженеров, не являющихся электриками.»

 

 

 

Дуглас Стаффорд, ЧП

Техас

«Всегда есть место для улучшения, но я ничего не могу придумать в вашем

процесс, которому требуется

улучшение.»

 

Томас Сталкап, ЧП

Арканзас

«Мне очень нравится удобство прохождения викторины онлайн и получения немедленного

Сертификат

 

 

Марлен Делани, ЧП

Иллинойс

«Обучающие модули CEDengineering — очень удобный способ доступа к информации по

многие различные технические области внешние

по собственной специализации без

необходимость путешествовать.»

Гектор Герреро, ЧП

Грузия

Вы когда-нибудь задумывались, почему транзисторы имеют номера деталей «2N»?

Миллионы почтенных 2N2222 до сих пор производятся каждый год.

Это из Википедии:

Ассоциация твердотельных технологий JEDEC, ранее известная как Объединенный технический совет по электронным устройствам (JEDEC), является независимой организацией по торговле полупроводниковыми технологиями и органом по стандартизации.

Ранняя работа началась с системы нумерации деталей для устройств, которая стала популярной в 1960-х годах.Первые полупроводниковые устройства, такие как кремниевый диод с точечным контактом 1N23, все еще обозначались в старой системе обозначения ламп RMA, где «1» означало «без нити накала/нагревателя», а «N» — «кристаллический выпрямитель». Таким образом, первая цифра RMA была переназначена с «мощность нагревателя» на «количество p-n переходов», чтобы сформировать новый стандарт EIA/JEDEC EIA-370; например, номера деталей выпрямительного диода 1N4001 и транзистора 2N2222 взяты из EIA-370. Они популярны и сегодня. В феврале 1982 года JEDEC выпустила JESD370B, заменив первоначальный EIA-370 и представив новый буквенный символ «C», обозначающий версию кристалла, в отличие от «N», который теперь означает упакованную версию.В японской системе обозначения полупроводников JIS используется аналогичный образец. Позже JEDEC разработала систему нумерации интегральных схем, но она не получила признания в полупроводниковой промышленности. Европейская система нумерации полупроводников Pro Electron возникла аналогичным образом из более старого обозначения ламп Малларда-Филипса.

Ранее, в 20-м веке, организация была известна как JETEC, Объединенный технический совет по электронным лампам, и отвечала за присвоение и согласование обозначений ламп RETMA для электронных ламп (также называемых клапанами).Тип 6L6, который до сих пор используется в усилителях для электрогитар, обычно имеет номер типа, присвоенный JETEC.

Компания JEDEC также разработала ряд популярных чертежей корпусов для полупроводников, таких как TO-3, TO-5 и т. д. Они размещены в Интернете под номером JEP-95.

Спасибо Карлу, W4KRL, через список рассылки AMRAD Tacos за этот фактоид.

Корпуса транзисторов, корпуса устаревших типов

Устаревшие обозначения JEDEC

На этой странице содержится несколько дополнительных схем транзисторов, которые устарели.Схемы корпусов, в которых используются обозначения JEDEC с низким номером, использовавшиеся в ранних транзисторах, которые больше не производятся. Поскольку эти пакеты очень старые, предоставляется только схематический рисунок. Фактические физические размеры доступны, но не приведены здесь, чтобы уменьшить пропускную способность сервера.

ТО-9 Контур


Чертеж упаковки TO-9

Транзистор общего назначения 2N1500 выполнен в корпусе ТО-9. Металлический корпус с 3 контактами аналогичен многим другим устройствам, которые все еще производятся.Выводы транзистора обозначены на чертеже металлическим язычком в основании банки [что не является обязательным]. Выводы изолированы от корпуса.

ТО-11 Контур

Транзистор малой мощности общего назначения 2N341 выполнен в корпусе ТО-11. Еще одна 3-концевая металлическая банка, аналогичная контуру ТО-9, показанному выше. Чертеж TO-11 представлен на главной странице, посвященной контурам корпуса транзистора [здесь не повторяется для экономии полосы пропускания].

ТО-12 Контур

Транзистор малой мощности общего назначения 3N35 выполнен в корпусе ТО-12.Четырехконтактный металлический корпус похож на некоторые другие устройства. Выводы транзистора обозначены на чертеже, который всегда представляет собой вид снизу, обращенный к контактам. Выступ на корпусе находит штифты. Обратите внимание, что в этом пакете используются два отдельных базовых провода [Base 1 и Base 2]. Выводы электрически изолированы от металлического корпуса.


Чертеж корпуса TO-12

TO-44 Внешний вид

T0-44 имел удлиненный металлический корпус, намного более высокий, чем обычно встречающиеся обычные металлические банки.Чертеж TO-44 представлен на главной странице, посвященной контурам корпуса транзистора [не повторяется здесь для экономии полосы пропускания]. В корпусе TO-44 использовался 2N384, который представлял собой высокочастотный PNP-транзистор.

Устаревание пакета

Как уже указывалось, эти обозначения пакетов JEDEC устарели или неактивны. Точная дата, когда обозначения были отозваны для использования, неизвестна. Номера деталей транзисторов, приведенные в качестве примеров, безусловно, устарели и больше не производятся.Графика обеспечивает общую форму или контур компонента, как это определено обозначением JEDEC. Казалось бы, после того, как большая часть электронной промышленности перешла на новый стиль упаковки, и многие упаковки, в которых использовалась схема, сняты с производства, это обозначение устарело. Это означает, что вызов больше не используется для новых устройств, но все еще может использоваться более старыми продуктами, все еще находящимися в производстве.

Комментарий редактора; Я действительно хотел охватить эти пакеты, но используя наименьшую возможную пропускную способность.Таким образом, таблица символов, определяющая физические размеры, общая для всех остальных страниц схемы корпуса, здесь отсутствует. Хотя таблицы имеют небольшой физический размер, их все же необходимо загрузить для просмотра. Любой компонент, покрытый этими очертаниями транзистора, должен был быть выведен из эксплуатации давным-давно, десятилетия назад.

Ползучесть | Транзистор Вики | Фэндом

Ползучесть

Характеристики

+ режущая балка
+ вездеход

Уязвимости

— открытая ячейка (сзади)
— требуется прямая видимость

Предпочтения

Без запаха, твердое покрытие

«Еще этих уродов. — Неизвестно

Крипы — это форма Процесса. Они являются наиболее распространенным типом Процессов и первыми, с которыми сталкивается Ред.

Обозначение: Ползучесть[]

< !-- занято занято занято, не так ли, ногами (или, может быть, щупальцами?) все стучит. очень трудолюбивый, старательный, даже достойный, несмотря на черную роль в иерархии процессов, хотя иерархия, это не совсем так. скорее союз! самый респектабельный. пара из них, они часто работают парами, могут стереть с лица земли небольшой дом за час или два, если их достаточно побудить.затем приходят другие члены семьи, чтобы уступить место чему-то новому, чему-то другому, часто лучшему, чем раньше. Ройс --! >

Информация[]

  • Крипы не могут использовать свое лучевое оружие во время движения
  • Крипы будут искать пользователя в большинстве случаев
  • Осторожно: ползучие режущие балки могут сбить пользователя с рабочего места

Внешний вид[]

Крипы состоят из белых металлических ножек, парящего красного шара, частично закрытого куском белого металла, и куска белого металла над шаром.Их камера видна сзади, как видно из их файлов данных.

Способности[]

Крипы атакуют лучом-снарядом, который со временем наносит большой урон. Тем не менее, Крипы должны на самом деле видеть Рэд, чтобы напасть на нее, поэтому она может использовать укрытие, чтобы избежать их. Модернизированные версии Creeps могут стрелять тремя снарядами одновременно, чтобы покрыть более широкую область, а некоторые могут даже притягивать Red, чтобы не дать ей убежать.

Версии[]

  • Версия 2.0: Три луча
  • Версия 3.0: гравитационные лучи

Общая информация[]

  • Их внутреннее имя «подавитель».

Обозначения в радиоэлектронике. Условные графические и буквенные обозначения электрорадиоэлементов. Примеры построения обозначений транзисторов

Здравствуйте, дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна в первую очередь новичкам. Итак, если вам интересно, что такое транзистор, его принцип работы и вообще с чем его едят, то берем стул поудобнее и подходим поближе.

Продолжим, а контент у нас тут, по статье будет удобнее ориентироваться 🙂

Типы транзисторов

Существуют в основном два типа транзисторов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Конечно, вы могли бы рассмотреть все типы транзисторов в одной статье, но я не хочу варить у вас в голове кашу. Поэтому в этой статье мы будем рассматривать исключительно биполярные транзисторы, а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей.Не будем смешивать все в одну кучу, а уделим внимание каждому, в отдельности.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор является потомком ламповых триодов, использовавшихся в телевизорах 20 века. Триоды ушли в небытие и уступили место более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.

Триоды, за редким исключением, применяются в аппаратуре для любителей музыки.

Биполярные транзисторы могут выглядеть так.

Как видите, биполярные транзисторы имеют три вывода и по конструкции они могут выглядеть совершенно по-разному. Но на электрических схемах они выглядят просто и всегда одинаково. И выглядит все это графическое великолепие примерно так.

Это изображение транзисторов еще называют УГО (Условное графическое обозначение).

Причем биполярные транзисторы могут иметь разный тип проводимости. Существуют транзисторы типа NPN и типа PNP.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора в том, что он является «носителем» электрического заряда (электронов или «дырок»).Те. для транзистора pnp электроны движутся от эмиттера к коллектору и управляются базой. В транзисторе npn электроны идут от коллектора к эмиттеру и контролируются базой. В итоге приходим к выводу, что для замены в схеме транзистора одного вида проводимости на другой достаточно поменять полярность подаваемого напряжения. Или тупо менять полярность источника питания.

Биполярные транзисторы имеют три вывода: коллектор, эмиттер и базу.Думаю, что по УГО запутаться будет сложно, а вот в реальном транзисторе запутаться проще простого.

Обычно где какой вывод определяется каталогом, но можно и просто. Выводы транзистора звенят как два диода, включенных в общую точку (в районе базы транзистора).

Слева картинка для транзистора типа p-n-p, при прозвонке такое ощущение (по показаниям мультиметра), что перед тобой два диода, которые соединены в одной точке своими катодами.Для транзисторов типа n-p-n диоды в базовой точке соединены своими анодами. Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

Принцип работы биполярного транзистора

А теперь попробуем разобраться, как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов, так как эта информация только запутает. Лучше взгляните на эту картинку.

Это изображение лучше всего объясняет, как работает транзистор.На этом изображении человек через реостат регулирует ток коллектора. Смотрит на ток базы, если ток базы растет, то человек увеличивает и ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора х31Э. Если упадет ток базы, то уменьшится и ток коллектора — человек исправит его с помощью реостата.

Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но облегчает понимание принципов его работы.

Для транзисторов можно записать правила, облегчающие понимание. (Эти правила взяты из книги).

  1. Коллектор имеет более положительный потенциал, чем эмиттер
  2. Как я уже сказал, схемы база-коллектор и база-эмиттер работают как диоды.
  3. Каждый транзистор имеет ограничения, такие как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
  4. В том случае, если соблюдаются правила 1-3, то ток коллектора Ik прямо пропорционален току базы Ib.Это соотношение можно записать в виде формулы.

Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — малый ток базы управляет большим током коллектора.

Коэффициент усиления по току.

Его также называют

.

Исходя из вышеизложенного, транзистор может работать в четырех режимах:

  1. Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, это может происходить при недостаточном напряжении база-эмиттер.В результате отсутствует ток базы и, следовательно, ток коллектора.
  2. Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора. В этом режиме напряжения база-эмиттер достаточна для открытия перехода база-эмиттер. Ток базы достаточен, ток коллектора также доступен. Ток коллектора равен току базы, умноженному на коэффициент усиления.
  3. Режим насыщения транзистора — транзистор переходит в этот режим, когда ток базы становится настолько большим, что мощности блока питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора.В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
  4. Режим обратного транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняются местами. В результате таких манипуляций сильно страдает коэффициент усиления транзистора. Транзистор изначально не был рассчитан на работу в таком особом режиме.

Чтобы понять, как работает транзистор, нужно рассмотреть конкретные примеры схем, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.

Транзистор в ключевом режиме

Транзистор в режиме ключа — один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Транзисторная схема в ключевом режиме используется очень часто. Эта транзисторная схема используется, например, когда необходимо управлять мощной нагрузкой с помощью микроконтроллера. Нога контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а вот транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор управляет мощной нагрузкой.Ну, обо всем по порядку.

Суть этого режима в том, что ток базы управляет током коллектора. При этом ток коллектора намного выше тока базы. Здесь невооруженным глазом видно, что есть усиление сигнала тока. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.

На рисунке представлена ​​схема работы транзистора в ключевом режиме.

Для транзисторных схем напряжения большой роли не играют, важны только токи.Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора, то все в порядке.

В этом случае, даже если на базу подать напряжение 5 вольт, а в коллекторной цепи 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор послушно переключит высоковольтную нагрузку.

Главное, чтобы эти напряжения не превышали предельных значений для конкретного транзистора (задаются в характеристиках транзистора).

Насколько нам известно, текущее значение является характеристикой нагрузки.

Мы не знаем сопротивления лампочки, но знаем, что рабочий ток лампочки равен 100 мА. Чтобы транзистор открывался и обеспечивал протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Мы можем отрегулировать базовый ток, изменив значение базового резистора.

Поскольку минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, ток базы должен быть 10 мА, чтобы транзистор открылся.

Необходимый нам ток известен. Напряжение на базовом резисторе будет равно Это значение напряжения на резисторе получено из-за того, что на переходе база-эмиттер откладывается 0,6В-0,7В, и это нельзя забывать учитывать.

В итоге вполне можем найти сопротивление резистора

Осталось выбрать конкретный номинал из ряда резисторов и дело в шляпе.

Теперь вы, наверное, думаете, что транзисторный ключ будет работать как надо? Что при подключении базового резистора к +5 В лампочка загорается, когда гаснет? Ответ может быть, а может и нет.

Дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.

Свет погаснет, когда потенциал резистора сравняется с потенциалом земли. Если резистор просто отключается от источника напряжения, то тут все не так просто. Напряжение на базовом резисторе может возникнуть чудесным образом в результате помех или какой-то потусторонней нечисти 🙂

Чтобы этого эффекта не произошло, сделайте следующее. Другой резистор Rbe включен между базой и эмиттером.Этот резистор выбирается номиналом не менее 10-кратного базового резистора Rб (В нашем случае мы взяли резистор 4,3кОм).

При подключении базы к любому напряжению, то транзистор работает как надо, резистор Rbe ему не мешает. Этот резистор потребляет лишь небольшую часть тока базы.

В случае, когда на базу не подается напряжение, база подтягивается к потенциалу земли, что избавляет нас от всевозможных помех.

Вот, в принципе, и разобрались с работой транзистора в ключевом режиме, а как вы могли заметить, ключевой режим работы — это своего рода усиление сигнала напряжения.Ведь мы управляли напряжением 12 В с помощью низкого напряжения 5 В.

Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель является частным случаем транзисторных схем с общим коллектором.

Отличительной особенностью схемы с общим коллектором от схемы с общим эмиттером (вариант с транзисторным ключом) является то, что эта схема не усиливает сигнал напряжения. То, что входило через базу, выходило через эмиттер с тем же напряжением.

Действительно, допустим, мы подали на базу 10 вольт, при этом мы знаем, что на переходе база-эмиттер где-то между 0.6-0,7В откладывается. Получается, что на выходе (на эмиттере, на нагрузке Rн) будет базовое напряжение минус 0,6В.

Получилось 9,4В, одним словом почти столько же было включено и получилось. Мы убедились, что эта схема не будет повышать сигнал нам по напряжению.

«Какой смысл тогда в таком включении транзистора?» — ты спрашиваешь. Но оказывается, у этой схемы есть еще одно очень важное свойство. Схема включения транзистора с общим коллектором усиливает сигнал по мощности.Мощность это произведение тока на напряжение, но так как напряжение не меняется, мощность увеличивается только за счет тока ! Ток нагрузки представляет собой сумму тока базы и тока коллектора. Но если сравнивать ток базы и ток коллектора, то ток базы очень мал по сравнению с током коллектора. Получается, что ток нагрузки равен току коллектора. И в результате получается эта формула.

Теперь думаю понятно в чем суть схемы эмиттерного повторителя, но это еще не все.

У эмиттерного повторителя есть еще одно очень ценное качество — высокое входное сопротивление. Это означает, что эта транзисторная схема почти не потребляет ток входного сигнала и не нагружает схему источника сигнала.

Для понимания принципа работы транзистора этих двух транзисторных схем будет вполне достаточно. А если еще поэкспериментировать с паяльником в руках, то озарение просто не заставит себя ждать, ведь теория теорией, а практика и личный опыт ценнее в сотни раз!

Где купить транзисторы?

Как и все остальные радиодетали, транзисторы можно купить в любом ближайшем магазине радиодеталей.Если вы живете где-то на окраине и не слышали о таких магазинах (как я раньше), то остается последний вариант — заказать транзисторы в интернет-магазине. Я сам часто заказываю радиодетали через интернет-магазины, потому что в обычном офлайн-магазине чего-то может просто не быть.

Однако, если вы собираете аппарат чисто для себя, то можно не париться, а взять из старого, так сказать вдохнуть новую жизнь в старую радиодеталь.

Ну что друзья, на этом у меня все.Сегодня я рассказал вам все, что запланировал. Если у вас есть вопросы, то задавайте их в комментариях, если вопросов нет, то все равно пишите комментарии, мне всегда важно ваше мнение. Кстати, не забывайте, что каждый, кто оставит комментарий в первый раз, получит подарок.

Также обязательно подписывайтесь на новые статьи, ведь дальше вас ждет много интересного и полезного.

Желаю удачи, успехов и солнечного настроения!

С н/п Владимира Васильева

стр.С. Друзья, обязательно подписывайтесь на обновления! Подписавшись, вы будете получать новые материалы прямо на свою почту! И кстати, каждый подписавшийся получит полезный подарок!

Обозначение радиоэлементов. Фотографии и названия

Обозначение Наименование Фото Описание
Заземление Защитное заземление — защищает людей от поражения электрическим током в электроустановках.
Батарея представляет собой гальванический элемент, в котором химическая энергия преобразуется в электрическую.
Солнечная батарея используется для преобразования солнечной энергии в электрическую.
Вольтметр — измерительный прибор для определения напряжения или ЭДС в электрических цепях.
Амперметр — прибор для измерения силы тока, шкала градуирована в микроамперах или в амперах.
Выключатель — коммутационное устройство, предназначенное для включения и выключения отдельных цепей или электрооборудования.
Тактовая кнопка представляет собой механизм переключения, замыкающий электрическую цепь при нажатии на толкатель.
Лампы накаливания общего назначения, предназначенные для внутреннего и наружного освещения.
Двигатель (двигатель) — устройство, преобразующее электричество в механическую работу (вращение).
Пьезодинамики (пьезоизлучатели) используются в технике для оповещения о происшествии или событии.
Резистор — пассивный элемент электрических цепей с определенным значением электрического сопротивления.
Переменный резистор предназначен для плавного изменения тока, за счет изменения собственного сопротивления.
Фоторезистор Фоторезистор представляет собой резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под действием световых лучей (освещения).
Термистор Термисторы или термисторы представляют собой полупроводниковые резисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.
Предохранитель представляет собой электрическое устройство, предназначенное для отключения защищаемой цепи путем ее разрушения.
Конденсатор служит для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор быстро заряжается и разряжается.
Диод имеет другую проводимость. Задача диода — проводить электрический ток в одном направлении.
Светоизлучающий диод (LED) представляет собой полупроводниковое устройство, создающее оптическое излучение при передаче электричества.
Фотодиод — приемник оптического излучения, преобразующий свет в электрический заряд за счет процесса в p-n-переходе.
Тиристор — это полупроводниковый переключатель, т. е. устройство, назначение которого — замыкать и размыкать цепь.
Назначение стабилитрона — стабилизация напряжения на нагрузке, при изменении напряжения во внешней цепи.
Транзистор — это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и управления электрическим током.
Фототранзистор представляет собой полупроводниковый транзистор, чувствительный к облучающему его световому потоку (освещению).

xn — 18-6kcdusowgbt1a4b.xn — p1ai

Для начинающих О радиодеталях | Мастер Ког. Сделай сам!

Для того, чтобы собрать схему, какие радиодетали не нужны: резисторы (сопротивления), транзисторы, диоды, конденсаторы и т.п. Из многообразия радиодеталей надо уметь быстро отличить нужную по внешнему виду , расшифровать надпись на его корпусе, определить распиновку. Обо всем этом пойдет речь ниже.

Эта деталь встречается практически в каждой схеме радиолюбительских конструкций. Как правило, простейший конденсатор представляет собой две металлические пластины (обкладки) и воздух между ними в качестве диэлектрика. Вместо воздуха может быть фарфор, слюда или другой непроводящий материал. Через конденсатор не проходит постоянный ток, а через конденсатор проходит переменный ток. Благодаря этому свойству конденсатор ставится там, где необходимо отделить постоянный ток от переменного.

Для конденсатора основным параметром является емкость.

Единица емкости — микрофарад (мкФ) берется за основу в радиолюбительских конструкциях и в промышленной аппаратуре. Но чаще используется другая единица — пикофарад (пФ), миллионная доля микрофарада (1 микрофарад = 1 000 нф = 1 000 000 пф). На схемах вы найдете как тот, так и другой агрегат. При этом емкости до 9100 пФ включительно указываются на схемах в пикофарадах или нанофарадах (9н1), а выше — в микрофарадах.Если, например, рядом с символом конденсатора написано «27», «510» или «6800», то емкость конденсатора соответственно 27, 510, 6800 пФ или n510 (0,51 нФ = 510 пФ или 6n8 = 6,8). нФ = 6800 пФ). А вот числа 0,015, 0,25 или 1,0 говорят о том, что емкость конденсатора равна соответствующему количеству микрофарад (0,015 микрофарад = 15 нф = 15 000 пф).

Типы конденсаторов.

Конденсаторы постоянной и переменной емкости.

В переменных конденсаторах емкость изменяется при вращении выступающей наружу оси.При этом одна накладка (подвижная) находит не подвижной, не соприкасаясь с ней, в результате емкость увеличивается. Помимо этих двух типов, в наших конструкциях используется еще один тип конденсатора — подстроечный. Обычно его устанавливают в то или иное устройство, чтобы при настройке точнее подобрать нужную емкость и больше не трогать конденсатор. В любительских конструкциях в качестве конденсатора переменной емкости часто используется подстроечный конденсатор — он дешевле и доступнее.

Конденсаторы различаются материалом между пластинами и конструкцией.Бывают воздушные, слюдяные, керамические и др. конденсаторы. Этот тип постоянных конденсаторов не является полярным. Другой тип конденсатора – электролитический (полярный). Такие конденсаторы производят большой емкости — от десятых долей микрофарад до нескольких десятков микрофарад. На схемах к ним указывается не только емкость, но и максимальное напряжение, при котором их можно использовать. Например, надпись 10,0 х 25 В означает, что конденсатор емкостью 10 мкФ необходимо брать на напряжение 25 В.

Для переменных или подстроечных конденсаторов на схеме указаны крайние значения емкости, которые получаются, если ось конденсатора поворачивать из одного крайнего положения в другое или вращать по кругу (как в подстроечных конденсаторах).Например, надпись 10 — 240 указывает на то, что в одном крайнем положении оси емкость конденсатора равна 10 пФ, а в другом — 240 пФ. При плавном повороте из одного положения в другое емкость конденсатора также будет плавно изменяться от 10 до 240 пФ или наоборот — от 240 до 10 пФ.

Надо сказать, что эту деталь, как и конденсатор, можно увидеть во многих самоделках. Представляет собой фарфоровую трубку (или стержень), на которую снаружи напылена тончайшая пленка металла или сажи (углерода).Поверх низкоомных резисторов большой мощности намотана нихромовая нить. Резистор имеет сопротивление и используется для установки желаемого тока в электрической цепи. Рассмотрим пример с резервуаром: изменяя диаметр трубы (сопротивление нагрузки), можно получить тот или иной расход воды (электрический ток разной силы). Чем тоньше пленка на фарфоровой трубке или стержне, тем больше сопротивление току.

Резисторы постоянные и переменные.

Из постоянных наиболее часто применяют резисторы МЛТ (металлизированные лакированные термостойкие), ВС (влагостойкие), УЛМ (мелкогабаритные углеродистые лакированные), из переменных — СП (переменное сопротивление) и СПО (переменное сопротивление объемное сопротивление).Внешний вид постоянных резисторов показан на рис. ниже.

Резисторы различают по сопротивлению и мощности. Сопротивление, как вы уже знаете, измеряется в омах (ohms), килоомах (kohms) и мегаомах (megohms). Мощность выражается в ваттах и ​​обозначается эта единица буквами Вт. Резисторы разной мощности отличаются размерами. Чем выше мощность резистора, тем больше его размер.

Сопротивление резистора указывается на схемах рядом с его символом.Если сопротивление менее 1 кОм, цифры указывают количество омов без единицы измерения. При сопротивлении 1 кОм и более — до 1 МОм, указывают число килоом и ставят рядом букву «к». Сопротивление 1 МОм и выше выражается числом МОм с добавлением буквы «М». Например, если на схеме рядом с обозначением резистора написано 510, то сопротивление резистора 510 Ом. Обозначения 3,6 кОм и 820 кОм соответствуют сопротивлениям 3.6 кОм и 820 кОм соответственно. Надпись на схеме 1 МОм или 4,7 МОм означает, что используются сопротивления 1 МОм и 4,7 МОм.

В отличие от постоянных резисторов с двумя выводами, у переменных резисторов таких выводов три. На схеме указано сопротивление между крайними выводами переменного резистора. Сопротивление между средним выводом и крайними изменяется при вращении выступающей наружу оси резистора. Причем при повороте оси в одну сторону сопротивление между средним выводом и одним из крайних увеличивается, соответственно уменьшаясь между средним выводом и другим крайним.Когда ось повернута назад, происходит обратное. Это свойство переменного резистора используется, например, для регулирования громкости звука в усилителях, приемниках, телевизорах и т. д.

Приборы полупроводниковые.

Состоят из целой группы деталей: диодов, стабилитронов, транзисторов. В каждой детали используется полупроводниковый материал или, проще говоря, полупроводник. Что это? Все существующие вещества можно условно разделить на три большие группы. Некоторые из них — медь, железо, алюминий и другие металлы — хорошо проводят электрический ток — это проводники.Дерево, фарфор, пластик вообще не проводят электричество. Они непроводники, изоляторы (диэлектрики). Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Такие материалы проводят ток только при определенных условиях.

Диод (см. рисунок ниже) имеет два вывода: анод и катод. Если к ним подключить аккумулятор полюсами: плюс — к аноду, минус — к катоду, то в направлении от анода к катоду потечет ток. Сопротивление диода в этом направлении мало.Если попробовать поменять полюса аккумуляторов, то есть включить диод «наоборот», то через диод ток не пойдет. В этом направлении диод имеет высокое сопротивление. Если через диод пропустить переменный ток, то на выходе мы получим только одну полуволну — это будет пульсирующий, но постоянный ток. Если к четырем диодам, соединенным мостом, подать переменный ток, то мы получим уже две положительные полуволны.

Эти полупроводники также имеют два вывода: анод и катод.В прямом направлении (от анода к катоду) стабилитрон работает как диод, позволяя току течь беспрепятственно. А вот в обратном направлении он сначала не пропускает ток (как диод), а при увеличении подаваемого на него напряжения вдруг «прорывается» и начинает пропускать ток. Напряжение пробоя называют напряжением стабилизации. Оно останется неизменным даже при значительном увеличении входного напряжения. Благодаря этому свойству стабилитрон применяют во всех случаях, когда необходимо получить стабильное напряжение питания какого-либо прибора при колебаниях, например, сетевого напряжения.

Из полупроводниковых приборов в электронике чаще всего используется транзистор (см. рисунок ниже). Он имеет три выхода: база (б), эмиттер (д) и коллектор (к). Транзистор — усилительное устройство. Его условно можно сравнить с таким известным вам приспособлением, как рожок. Достаточно сказать что-нибудь перед узким отверстием рожка, направив широкое на друга, стоящего в нескольких десятках метров, и усиленный рожком голос будет ясно слышен вдалеке.Если взять за вход рупорного усилителя узкое отверстие, а за выход широкое, то можно сказать, что выходной сигнал в несколько раз больше входного. Это показатель усилительной способности динамика, его коэффициент усиления.

Сейчас разнообразие выпускаемых радиодеталей очень богато, поэтому на рисунках показаны не все их виды.

Но вернемся к транзистору. Если через участок база-эмиттер пропускать слабый ток, он будет усиливаться транзистором в десятки и даже сотни раз.Усиленный ток будет протекать через секцию коллектор-эмиттер. Если транзистор прозвонить мультиметром база-эмиттер и база-коллектор, то это аналогично измерению двух диодов. В зависимости от наибольшего тока, который можно пропустить через коллектор, транзисторы делят на маломощные, средние и высокомощные. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры p-p-p или n-p-p. Вот чем отличаются транзисторы с разным чередованием слоев полупроводниковых материалов (если в диоде два слоя материала, то их три).Коэффициент усиления транзистора не зависит от его конструкции.

Литература: Иванов Б.С., «ЭЛЕКТРОННЫЙ СДЕЛАЙ САМ»


P O P U L Y R N O E:

>>
ПОДЕЛИТЬСЯ С ДРУЗЬЯМИ:

Популярность: 29 094 просмотров.

www.mastervintik.ru

РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

В данном справочном материале приведены внешний вид, наименование и маркировка основных зарубежных радиодеталей — микросхем различных типов, разъемов, кварцевых резонаторов, катушек индуктивности и т.п.Информация действительно полезная, так как многие хорошо знакомы с отечественными деталями, а вот с импортными не очень, а ведь именно они устанавливаются во все современные схемы. Приветствуется минимальное знание английского языка, так как все надписи не на русском языке. Для удобства детали сгруппированы вместе. Не обращайте внимания на первую букву в описании, например: f_Fuse_5_20Glass — означает стеклянный предохранитель 5х20 мм.

Что касается обозначения всех указанных радиоэлементов на электрической цепи схемы — см. справочную информацию по этому вопросу в другой статье.

Запчасти Форум

Обсудить статью РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

radioskot.ru

Графические и буквенные обозначения радиодеталей на схемах

видеоусилитель Детектор генератор звуковой частоты система замедления микросхема полосовой фильтр регистр сдвига Звук усилителя промежуточной частоты интерфейсное устройство фазовый детектор
АМ амплитудная модуляция
АФК автоматическая регулировка частоты
АПЧГ автоматическая подстройка частоты гетеродина
АПЧФ автоматическая регулировка частоты и фазы
АРУ автоматическая регулировка усиления
АРЬЯ автоматическая регулировка яркости
КАК акустическая система
ВСУ антенный фидер
АЦП аналого-цифровой преобразователь
Частотная характеристика частотная характеристика
БГИМС большая гибридная интегральная схема
Н.У.К. беспроводной пульт дистанционного управления
БИС большая интегральная схема
Биологическая обратная связь блок обработки сигналов
БП блок питания
БР сканер
БРК Блок радиоканала
БС информационный блок
БТК блокировка трансформатора кадровая
БТС блокировка трансформатора строчная
БУ Блок управления
до н.э. цветной блок
БКИ интегральный блок цветности (на микросхемах)
ВД видеодетектор
ВИМ временная модуляция импульсов
WU ; устройство ввода (вывода)
ВЧ высокая частота
Г гетеродин
ГВт воспроизводящая головка
МХФ высокочастотный генератор
МХФ сверхвысокая частота
ГЗ пусковой генератор; записывающая головка
ГИР Индикатор гетеродинного резонанса
ГИС гибридная интегральная схема
ГКР генератор кадров
ГКЧ Генератор качающейся частоты
ГМВ Генератор метровых волн
ГПД Генератор плавного диапазона
ГО генератор конвертов
ГС генератор сигналов
ГСР генератор строчной развертки
гсс генератор стандартных сигналов
г.г. тактовый генератор
ГУ универсальная головка
ПИСТОЛЕТ генератор, управляемый напряжением
Д
дв длинные волны
дд фракционный детектор
день Делитель напряжения
дм Делитель мощности
дмв дециметровых волн
ДУ пульт дистанционного управления
ДШПФ фильтр динамического шумоподавления
ЕАСС единая автоматизированная сеть связи
ЕСКД документация по проектированию одной системы
час ; мастер-генератор
нержавеющая сталь ; звуковой сигнал; пикап
ЗЧ частота звука
И интегратор
iqm импульсно-кодовая модуляция
ИКУ квазипиковый измеритель уровня
имс интегральная схема
ини Измеритель линейных искажений
вкл. инфранизкая частота
и он источник опорного напряжения
сп блок питания
ичх измеритель частотной характеристики
До переключатель
КБВ коэффициент бегущей волны
кв короткие волны
квх чрезвычайно высокая частота
кзв канал записи-воспроизведения
Ким импульсно-кодовая модуляция
кк Дефлектор барабана рамы
км кодирующая матрица
чщ чрезвычайно низкая частота
эффективность эффективность
КС линия отклонения катушки
CSV Коэффициент стоячей волны
ксвн коэффициент стоячей волны по напряжению
КТ КПП
CF катушка фокусировки
ЛБВ Лампа бегущей волны
лз линия задержки
рыбалка лампа обратной волны
ЛПД лавинный диод
лпп ламповый полупроводниковый телевизор
м модулятор
МА магнитная антенна
МБ метровых волн
пдп структура металл-диэлектрик-полупроводник
МНП структура металл-оксид-полупроводник
мс
МУ микрофонный усилитель
или нелинейные искажения
НЧ низкая частота
О общая база(включение транзистора по схеме с общей базой)
овчина очень высокая частота
или общий исток (включение транзистора* по схеме с общим истоком)
ОК общий коллектор (включение транзистора по схеме с общим коллектором)
очень низкая частота
оос отрицательный отзыв
ОС система отклонения
ОУ операционный усилитель
ОЕ с общим эмиттером (включение транзистора по схеме с общим эмиттером)
ПАВ поверхностные акустические волны
шт. двухголосный префикс
Пульт дистанционного управления пульт дистанционного управления
ПКН кодовый преобразователь напряжения
шт. преобразователь напряжения в код
штифт преобразователь частоты напряжения
поз. положительный отзыв
ППУ блокирующее устройство
пч промежуточная частота; преобразователь частоты
птк переключатель телевизионных каналов
баллов полный телевизионный сигнал
Профессиональное училище промышленный телевизор
УЕ предварительное усилие
ПУВ предусилитель воспроизведения
БСТ предусилитель записи
ПФ ; пьезофильтр
нх передаточная характеристика
шт. полноцветный телевизионный сигнал
Радар линейный регулятор линейности; радиолокационная станция
РП регистр памяти
Rhcg ручная регулировка частоты гетеродина
РРС Регулятор ширины ряда
ПК ; смесительный регулятор
РФ вырезной или блочный фильтр
СЕА электронное оборудование
СБДУ беспроводная система дистанционного управления
СБИС сверхбольшая интегральная схема
СВ средние волны
СВП сенсорный выбор программы
Микроволновая печь сверхвысокая частота
кр генератор сигналов
СДВ сверхдлинные волны
СДУ динамическая световая установка; система дистанционного управления
ЮК переключатель каналов
СЛЭ всеволновый переключатель каналов
ск-д Селектор каналов дециметровых волн
СК-М Переключатель каналов метровых волн
СМ миксер
дюймовый сверхнизкая частота
Совместное предприятие сигнал поля сетки
нержавеющая сталь сигнал синхронизации
сси горизонтальный синхроимпульс
Номер для заказа Селекторный усилитель
середина средняя частота
Телевизор тропосферных радиоволн; ТВ
телевизоры линия выходного трансформатора
твз Трансформатор выходного аудиоканала
твк выходной трансформатор
Тит Таблица тестирования телевизора
ТКЕ температурный коэффициент емкости
переплетения температурный коэффициент индуктивности
ткмп Температурный коэффициент начальной проницаемости
ткнс Температурный коэффициент напряжения стабилизации
ткс температурный коэффициент сопротивления
Мф сетевой трансформатор
торговый центр телецентр
тпк стол с цветными полосами
ТО технические условия
Есть усилитель
ХК усилитель воспроизведения
УВС видеоусилитель
УВХ устройство выборки-хранения
УВЧ Усилитель сигнала высокой частоты
УВЧ УВЧ
УЗ усилитель записи
УЗЧ аудиоусилитель
УКВ ультракороткие волны
УЛПТ унифицированный полупроводниковый ламповый телевизор
УЛКТ унифицированный ламповый полупроводниковый цветной телевизор
УЛТ унифицированный ламповый телевизор
УМЗЧ усилитель мощности звука
CNT унифицированный телевизор
УНЧ усилитель низкой частоты
УООН управляемый напряжением усилитель.
УТП усилитель постоянного тока; унифицированный полупроводниковый телевизор
ЦЭКБС усилитель промежуточной частоты
УПЧЗ ?
УПЧИ усилитель промежуточной частоты изображения
УРЧ радиочастотный усилитель
США ; устройство сравнения
УВЧ микроволновый усилитель
ОСС усилитель горизонтальной синхронизации
УСУ универсальное сенсорное устройство
Уу устройство управления (узел)
УП ускоряющий (контрольный) электрод
УЭИТ универсальная электронная тестовая таблица
ПЛЛ контур фазовой автоподстройки частоты
HPF фильтр верхних частот
ФД ; фотодиод
ФИМ фазово-импульсная модуляция
FM фазовая модуляция
ФНЧ Фильтр нижних частот
ФПФ Фильтр промежуточной частоты
ФПЧЗ звуковой фильтр промежуточной частоты
ФПКИ изображение IF-фильтр
ФСИ селективный фильтр с сосредоточенными параметрами
ФСС концентрированный отборный фильтр
Футов фототранзистор
ПФК фазо-частотная характеристика
ЦАП цифро-аналоговый преобразователь
Цифровой компьютер цифровой компьютер
КМУ Цветомузыкальная инсталляция
КТ центральное телевидение
БХ частотный детектор
ЧИМ частотно-импульсная модуляция
чм частотная модуляция
прокладка широтно-импульсная модуляция
шс шумовой сигнал
эв электрон-вольт (эВ)
КОМПЬЮТЕР. электронный компьютер
ЭДС электродвижущая сила
эквивалент электронный переключатель
ЭЛТ электронно-лучевая трубка
ЭМИ электронный музыкальный инструмент
эмо электромеханическая обратная связь
ЭМП электромеханический фильтр
ЭПУ игровое устройство
Электронный компьютер электронный цифровой компьютер

www.радиоэлементы.ру

Радиодетали … Что такое Радиодетали?

Радиодетали Обозначение радиодеталей на схемах

Радиодетали — разговорное название электронных компонентов, используемых для изготовления устройств (приборов) цифровой и аналоговой электроники.

На появление названия повлиял тот исторический факт, что в начале 20 века радио стало первым вездесущим, и в то же время технически сложным для обывателя электронным устройством.Первоначально под термином «радиодетали» подразумевались электронные компоненты, используемые для производства радиоприемников; затем бытовое, с известной долей иронии, название было распространено на остальные электронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.

Классификация

Электронные компоненты делятся по способу действия в электрической цепи на активные и пассивные.

Пассивные

Основными элементами, имеющимися практически во всех электронных схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), являются:

С использованием электромагнитной индукции

На основе электромагнитов:

Кроме того, для создания схемы используются все виды схемных соединителей и используются разъединители — ключи; для защиты от перенапряжения и короткого замыкания — плавкие предохранители; для восприятия сигнала человеком — лампочки и динамики (динамическая головка громкоговорителя), для формирования сигнала — микрофон и видеокамера; для приема аналогового сигнала, передаваемого по воздуху, приемнику нужна антенна, а для работы вне сети электрического тока — аккумуляторы.

Действующий
Вакуумные приборы

С развитием электроники появились вакуумные электронные приборы:

Полупроводниковые приборы

Позднее получили распространение полупроводниковые приборы:

и более сложные комплексы на их основе — интегральные микросхемы

По метод

Технологически по способу монтажа радиодетали можно разделить на:

см. также

Ссылки

дв.академик.ру

обозначений на схеме. Как читать обозначения радиодеталей на схеме?

Технологии 4 июня 2016 г.

В статье вы узнаете о том, какие существуют радиодетали. Будут рассмотрены обозначения на схеме по ГОСТу. Начать нужно с самых распространенных — резисторов и конденсаторов.

Для сборки любой конструкции необходимо знать, как радиодетали выглядят в реальности, а также как они обозначаются на электрических схемах.Радиодеталей много — транзисторы, конденсаторы, резисторы, диоды и т.д.

Конденсаторы — это детали, которые встречаются в любой конструкции без исключения. Обычно самые простые конденсаторы представляют собой две металлические пластины. А воздух выступает диэлектрической составляющей. Сразу вспоминаются уроки физики в школе, когда обсуждалась тема конденсаторов. В качестве модели использовались две огромные плоские круглые железы. То приближали друг к другу, то отдаляли. И измерения проводились в каждом положении.Стоит отметить, что вместо воздуха можно использовать слюду, а также любой материал, не проводящий электрический ток. Обозначение радиодеталей на импортных принципиальных схемах отличается от принятых в нашей стране ГОСТов.

Обратите внимание, что через обычные конденсаторы не протекает постоянный ток. С другой стороны, переменный ток проходит через него без особого труда. Учитывая это свойство, конденсатор устанавливают только там, где необходимо отделить переменную составляющую в постоянном токе.Следовательно, можно составить эквивалентную схему (по теореме Кирхгофа):

  1. При работе от переменного тока конденсатор заменяется отрезком проводника с нулевым сопротивлением.
  2. При работе в цепи постоянного тока конденсатор заменяется (нет, не конденсатором!) на сопротивление.

Основной характеристикой конденсатора является его электрическая емкость. Единицей емкости является фарад. Он очень большой. На практике, как правило, применяют конденсаторы, емкость которых измеряется в микрофарадах, нанофарадах, микрофарадах.На схемах конденсатор обозначен в виде двух параллельных линий, от которых идут отводы.

Конденсаторы переменные

Есть еще такой тип устройств, у которых емкость меняется (в данном случае за счет того, что есть подвижные пластины). Емкость зависит от размера пластины (в формуле S — ее площадь), а также от расстояния между электродами. В переменном конденсаторе с воздушным диэлектриком, например, благодаря наличию подвижной части можно быстро менять площадь.Следовательно, изменится и емкость. А вот обозначение радиодеталей на зарубежных схемах несколько иное. Резистор, например, изображается на них ломаной кривой.

Похожие видео

Конденсаторы постоянной емкости

Эти элементы различаются по конструкции, а также по материалам, из которых они изготовлены. Можно выделить наиболее популярные виды диэлектриков:

  1. Воздух.
  2. Слюда.
  3. Керамика.

Но это относится исключительно к неполярным элементам.Существуют также электролитические конденсаторы (полярные). Именно эти элементы имеют очень большие емкости — от десятых долей микрофарад до нескольких тысяч. Кроме емкости у таких элементов есть еще один параметр — максимальное значение напряжения, при котором допускается его использование. Эти параметры написаны на схемах и на корпусах конденсаторов.

Обозначения конденсаторов на схемах

Стоит отметить, что в случае использования подстроечных или переменных конденсаторов указываются два значения — минимальная и максимальная емкость… На самом деле на корпусе всегда можно найти некий диапазон, в котором будет изменяться емкость, если повернуть ось прибора из одного крайнего положения в другое.

Допустим, у вас есть переменный конденсатор емкостью 9-240 (измерение по умолчанию в пикофарадах). Это означает, что при минимальном перекрытии пластин емкость будет равна 9 пФ. А на максимуме — 240 пФ. Стоит более подробно рассмотреть обозначение радиодеталей на схеме и их название, чтобы уметь правильно читать техническую документацию.

Соединение конденсаторов

Сразу можно выделить три типа (их как раз столько) соединений элементов:

  1. Последовательное — суммарную емкость всей цепи легко посчитать. В этом случае он будет равен произведению всех емкостей элементов, деленному на их сумму.
  2. Параллельный — в этом случае подсчитать общую мощность еще проще. Необходимо сложить емкости всех конденсаторов, входящих в цепочку.
  3. Смешанная — в этом случае схема делится на несколько частей. Можно сказать, что он упрощается — одна часть содержит только параллельно соединенные элементы, вторая — только последовательно.

И это только общие сведения о конденсаторах, на самом деле о них можно много говорить, приводить в пример занимательные эксперименты.

Резисторы: общая информация

Эти элементы тоже можно встретить в любой конструкции — хоть в радиоприемнике, хоть в схеме управления на микроконтроллере.Это фарфоровая трубка, на которую снаружи напыляется тонкая пленка металла (углерода — в частности, сажи). Впрочем, можно нанести даже графит — эффект будет аналогичный. Если резисторы имеют очень малое сопротивление и большую мощность, то в качестве токопроводящего слоя используется нихромовая проволока.

Основной характеристикой резистора является сопротивление. Используется в электрических цепях для установки требуемого значения тока в определенных цепях. На уроках физики проводилось сравнение с бочкой, наполненной водой: если изменить диаметр трубы, можно регулировать скорость струи.Следует отметить, что сопротивление зависит от толщины проводящего слоя. Чем тоньше этот слой, тем выше сопротивление. При этом обозначения радиодеталей на схемах не зависят от размера элемента.

Резисторы постоянные

Что касается таких элементов, то можно выделить наиболее распространенные типы:

  1. Металлизированные лакированные термостойкие — сокращенно МЛТ.
  2. Влагостойкость — BC.
  3. Малогабаритный карбоновый лакированный — УЛМ.

Резисторы имеют два основных параметра — мощность и сопротивление. Последний параметр измеряется в Омах. Но эта единица измерения чрезвычайно мала, поэтому на практике часто можно встретить элементы, у которых сопротивление измеряется мегаомами и килоомами. Мощность измеряется исключительно в ваттах. При этом размеры элемента зависят от мощности. Чем он больше, тем больше элемент. А теперь об обозначении радиодеталей. На схемах импортных и отечественных устройств все элементы могут обозначаться по-разному.

На бытовых схемах резистор представляет собой небольшой прямоугольник с соотношением сторон 1:3, его параметры пишут либо сбоку (если элемент расположен вертикально), либо сверху (в случае горизонтального расположения). Сначала указывается латинская буква R, затем порядковый номер резистора в схеме.

Переменный резистор (потенциометр)

Постоянные сопротивления имеют только два вывода. Но переменных три. На электрических схемах и на корпусе ячейки указано сопротивление между двумя крайними контактами.А вот между средним и любым из крайних сопротивлений будет меняться в зависимости от положения, в котором находится ось резистора. В этом случае, если подключить два омметра, то можно увидеть, как будут меняться показания одного в меньшую сторону, а второго в большую. Вы должны понимать, как читать схемы электронных устройств. Не лишним будет знать обозначения радиодеталей.

Общее сопротивление (между крайними выводами) останется неизменным.Переменные резисторы служат для регулировки усиления (с их помощью меняют громкость в радиоприемниках, телевизорах). Кроме того, переменные резисторы широко используются в автомобилях. Это датчики уровня топлива, регуляторы оборотов электродвигателей, яркость освещения.

Соединение резисторов

В этом случае картина совершенно обратная картине с конденсаторами:

  1. Последовательное соединение — складывается сопротивление всех элементов цепи.
  2. Параллельное соединение — произведение сопротивлений делится на сумму.
  3. Смешанная — вся схема разбита на более мелкие цепочки и рассчитывается поэтапно.

На этом можно закрыть обзор резисторов и приступить к описанию наиболее интересных элементов — полупроводниковых (обозначения радиодеталей на схемах, ГОСТ для УГО, рассмотрены ниже).

Полупроводники

Это самая большая часть всех радиоэлементов, так как в число полупроводников входят не только стабилитроны, транзисторы, диоды, но и варикапы, вариконды, тиристоры, симисторы, микросхемы и др.Да, микросхемы — это один кристалл, на котором может быть великое множество радиоэлементов — и конденсаторы, и сопротивления, и p-n-переходы.

Как известно, есть проводники (металлы, например), диэлектрики (дерево, пластик, ткани). На схеме могут быть разные обозначения радиодеталей (треугольник скорее всего диод или стабилитрон). Но стоит отметить, что треугольник без дополнительных элементов обозначает логическое основание в микропроцессорной технике.

Эти материалы либо проводят ток, либо нет, независимо от того, в каком агрегатном состоянии они находятся. Но есть и полупроводники, свойства которых меняются в зависимости от конкретных условий. Это такие материалы, как кремний, германий. Кстати, стекло тоже отчасти можно отнести к полупроводникам — в обычном состоянии оно не проводит ток, а вот при нагреве картина совершенно обратная.

Диоды и стабилитроны

Полупроводниковый диод имеет только два электрода: катод (отрицательный) и анод (положительный).Но в чем особенности этой радиодетали? Вы можете увидеть обозначения на схеме выше. Итак, вы подключаете блок питания плюсом к аноду и минусом к катоду. В этом случае электрический ток будет течь от одного электрода к другому. Следует отметить, что элемент в данном случае имеет крайне низкое сопротивление. Теперь можно провести эксперимент и подключить аккумулятор наоборот, тогда сопротивление току увеличится в несколько раз, и он перестанет течь. А если через диод подать переменный ток, то на выходе получится постоянный (хоть и с небольшими пульсациями).При использовании мостовой схемы включения получаются две полуволны (положительные).

Стабилитроны, как и диоды, имеют два электрода — катод и анод. При прямом включении этот элемент работает так же, как и рассмотренный выше диод. Но если запустить ток в обратном направлении, то можно увидеть очень интересную картину. Изначально стабилитрон не пропускает через себя ток. Но когда напряжение достигает определенного значения, происходит пробой, и элемент проводит ток.Это напряжение стабилизации. Очень хорошее свойство, благодаря которому удается добиться стабильного напряжения в цепях, полностью избавиться от колебаний, даже самых малых. Обозначение радиодеталей на схемах в виде треугольника, а на его вершине проходит линия, перпендикулярная высоте.

Если диодов и стабилитронов иногда не найти даже в конструкциях, то транзисторы вы найдете в любом (кроме детекторного приемника).Транзисторы имеют три электрода:

  1. База (сокращенно буквой «Б»).
  2. Коллектор (К).
  3. Излучатель (E).

Транзисторы могут работать в нескольких режимах, но чаще всего они используются в усилителе и ключе (как переключатель). Можно провести сравнение с мегафоном — кричали на базе, из коллектора вылетал усиленный голос. И держаться рукой за излучатель — это дело. Основной характеристикой транзисторов является коэффициент усиления (отношение тока коллектора к току базы).Именно этот параметр, наряду со многими другими, является основным для данной радиодетали. Обозначения на схеме для транзистора — вертикальная линия и две линии, подходящие к ней под углом. Существует несколько наиболее распространенных типов транзисторов:

  1. Полярные.
  2. Биполярный.
  3. Поле.

Существуют также транзисторные сборки, состоящие из нескольких усилительных элементов. Это самые распространенные радиодетали. Обозначения на схеме обсуждались в статье.

Если вы только начали разбираться в радиотехнике, то в этой статье я расскажу о том, как обозначаются на схеме радиодетали, как они на ней называются и какой у них вид .

Здесь вы узнаете, как обозначаются транзистор, диод, конденсатор, микросхема, реле и т.д.

Пожалуйста, нажмите для получения более подробной информации.

Как обозначается биполярный транзистор

Все транзисторы имеют три вывода, а если он биполярный, то двух типов, как видно из изображения перехода PNP и перехода PNN.И три вывода называются e-эмиттер, k-коллектор и b-база. Где какой пин на самом транзисторе ищем в справочнике, или вводим в поиск название транзистора+пины.

Транзистор имеет следующий вид, и это только малая часть их вида, существующие номиналы полны.

Как обозначается полярный транзистор

Уже есть три вывода, которые имеют следующие названия, это s-shutter, i-source, s-drain

А вот внешний вид визуально мало чем отличается, точнее может иметь одинаковую базу.Вопрос как узнать что это за база, а это уже из справочников или интернета по обозначению написанному на базе.

Как обозначается конденсатор

Конденсаторы бывают как полярными, так и неполярными.

Отличие их обозначения в том, что один из выводов обозначен на полярном со знаком «+», а емкость измеряется в микрофарадах «микрофарад».

А вид у них такой, надо учитывать, что если конденсатор полярный, то на базе на одной из сторон ножек указан вывод, только на этот раз это в основном знак «-«.

Способ индикации диода и светодиода

Обозначение светодиода и диода на схеме отличается тем, что светодиод заключен в оболочку и выходят две стрелки. Но роль у них разная — диод служит для выпрямления тока, а светодиод уже для излучения света.

А у светодиодов такой вид.

А вот такой обычный выпрямитель и импульсные диоды например:

Как обозначена микросхема.

Микросхемы

представляют собой уменьшенную схему, выполняющую ту или иную функцию, при этом они могут иметь большое количество транзисторов.

А вид у них такой.

Обозначение реле

В первую очередь думаю о них слышали автолюбители, особенно водители Жигулей.

Так как когда не было форсунок и транзисторы не были распространены, фары, прикуриватель, стартер и все в нем почти включались и управлялись через реле в машине.

Таково простое реле цепи.

Здесь все просто, на электромагнитную катушку подается ток определенного напряжения, а та, в свою очередь, замыкает или размыкает участок цепи.

На этом статья заканчивается.

Если хотите, какие радиодетали вы хотите увидеть в следующей статье, пишите в комментариях.

Обозначение радиодеталей на схеме

В данной статье представлен внешний вид и схема обозначение радиодетали

Наверное каждый начинающий радиолюбитель видел как внешне радиодетали так и возможно схемы, а что там на схеме надо долго думать или искать и только где то может прочитать и увидеть новые для себя слова типа резистор, а транзистор, диод и так далее.они обозначены. Разберем в этой статье. И так поехали.

1. Резистор

Чаще всего можно увидеть резистор на платах и ​​схемах, так как их больше всего на платах.

Резисторы как постоянные, так и переменные (сопротивление можно регулировать ручкой)

На одной из картинок постоянный резистор ниже и обозначение постоянный и переменный на схеме.

А как выглядит переменный резистор? Это еще картинка ниже. Прошу прощения за то, что написал эту статью.

2. Транзистор и его обозначение

Об их функциях написано много информации, но раз уж тема про нотации, то поговорим о нотации.

Транзисторы бывают биполярные и полярные, переходы PNP и NPN. Все это учитывается и при пайке к плате, и в схемах.Смотрите картинку, поймете

Обозначение транзистора npn переход npn

Это эмиттер , К этому коллектор , а Б это база Транзисторы pnp переходов будут отличаться тем что стрелка будет не от базы а к базе. Подробнее, еще одна картинка


Бывают также биполярные и полевые транзисторы, обозначения на схеме полевых транзисторов похожи, но отличаются, так как нет базы эмиттера и коллектора, а есть С — сток, I — исток, Z — ворота


И напоследок о транзисторах, как они выглядят на самом деле


В общем, если у детали три ножки, то процентов 80 на то, что это транзистор.

Если у вас есть транзистор и вы не знаете, что это за переход и где находится коллектор, база и вся остальная информация, то загляните в справочник по транзисторам.

Конденсатор, внешний вид и обозначение

Конденсаторы бывают полярные и неполярные, у полярных на схеме добавляют плюс, так как он для постоянного тока, а неполярные соответственно для переменного тока.

Имеют определенную емкость в мкФ (микрофарадах) и рассчитаны на определенное напряжение в вольтах.Все это можно прочитать на корпусе конденсатора

Микросхемы , внешнее обозначение на схеме

Уфф уважаемые читатели, таких в мире просто огромное количество, начиная от усилителей и заканчивая телевизорами

Первый транзистор

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учеными — Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор был не очень презентабельным, это не помешало ему произвести революцию в электронике.

Трудно представить, какой была бы нынешняя цивилизация, если бы не был изобретен транзистор.

Транзистор — первое твердотельное устройство, способное усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет деталей, подверженных вибрации, и имеет компактные размеры. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было небольшое введение, а теперь давайте более подробно рассмотрим, что такое транзистор.

Во-первых, стоит напомнить, что транзисторы делятся на два больших класса.К первым относятся так называемые биполярные, а ко вторым — полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основным материалом для производства полупроводников являются германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка — арсенид галлия ( GaAs ).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на кремниевой основе, хотя этот факт вскоре может быть поколеблен, так как развитие технологий продолжается.

Так уж сложилось, но в начале развития полупроводниковой техники ведущее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что изначально ставка была сделана на создание полевого транзистора. До ума его довели лишь позже. Почитайте про МОП-транзисторы.

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сначала выясним, как он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных конструкций. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто вспомним, что биполярный транзистор может быть как P-N-P, так и N-P-N структуры.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются так.

Как видите, на рисунке показаны два условных графических символа. Если стрелка внутри круга направлена ​​к центральной линии, то это транзистор P-N-P.Если стрелка направлена ​​наружу, то она имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать символ, а сразу определить тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применить эту аналогию.

Во-первых, давайте посмотрим, куда указывает стрелка на обычном изображении. Далее представляем, что мы идем по направлению стрелки, и если мы наткнемся на «стену» — вертикальную линию — то, значит, «Пройди Н эм»!» Н эм» — значит p- n -p (n- H -NS).

Ну а если идти и не упираться в «стенку», то на схеме показан транзистор npn структуры. Аналогичную аналогию можно применить и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p ). Об обозначении разных полевых транзисторов читайте на схеме

Обычно дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда он может иметь четыре контакта, но четвертый используется для соединения металлического корпуса с общим проводом.Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно коллекторный (о нем мы поговорим позже), может быть в виде фланца для крепления к радиатору охлаждения или быть частью металлического корпуса.

Взгляните. На фото различные транзисторы советского производства, а так же начала 90-х годов.

Но это современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет свое назначение и название: база, эмиттер и коллектор.Обычно эти наименования сокращают и пишут просто Б ( База ), НС ( Излучатель ), ТО ( Коллектор ). На зарубежных схемах выход коллектора маркируется буквой С , это от слова Collector — «коллектор» (глагол Collect — «собирать»). Выход базы маркируется как B , от слова Base (от англ. Base — «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а выход излучателя обозначается буквой Е , от слова Излучатель — «эмитент» или «источник выбросов».В этом случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

Электронная схема

В выводы транзисторов необходимо припаять, строго соблюдая цоколевку. То есть вывод коллектора припаивается именно к той части схемы, где он должен быть подключен. Нельзя впаивать вывод коллектора или эмиттера вместо вывода базы. В противном случае схема не будет работать.

Как узнать где на схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Это просто.Выход со стрелкой всегда является эмиттером. Тот, который проведен перпендикулярно (под углом 90 0 ) к центральной линии, является базовым штифтом. А тот, что остался, это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор маркируется условным обозначением ВТ или Q … В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы В или Т . .. Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33.Следует иметь в виду, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые транзисторы.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как они имеют одинаковые корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронный компонент нанесена неизвестная маркировка.

При этом нужно знать, что на многих печатных платах маркировано позиционирование и указан тип элемента.Это так называемая шелкография. Вот как можно написать Q305 на печатной плате рядом с деталью. Это означает, что данный элемент является транзистором и его порядковый номер на принципиальной схеме 305. Бывает и так, что рядом с выводами указано наименование электрода транзистора. Итак, если рядом с выводом стоит буква Е, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом можно чисто визуально определить, что установлено на плате — транзистор или совсем другой элемент.

Как уже было сказано, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых транзисторов. Поэтому после определения типа элемента необходимо уточнить класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесенной на его корпус.


Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента — VT

Любой транзистор имеет свой тип или маркировку.Пример маркировки: КТ814. По нему можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в техпаспорте. Это также справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы одной серии, но с немного другими электрическими параметрами. Тогда имя содержит дополнительные символы в конце или, реже, в начале маркировки. (например, буква А или Д).

Зачем возиться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно добиться одинаковых характеристик у всех транзисторов.Всегда есть определенная, пусть небольшая, но разница в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут отличаться весьма существенно. Особенно это было заметно раньше, когда технология их серийного производства только отрабатывалась.

AMZ Многоцелевой бустер и буфер

БАЗОВАЯ ПЛАТА

Это полная схема схемы, которая содержится на многоцелевой печатной плате AMZ.Ни в одной из приведенных схем не будут использоваться все детали, размещенные на плате. Дополнительные детали были включены, чтобы добавить гибкости и возможностей для плат. Основная идея состоит в том, чтобы создать одну печатную плату, которую можно использовать для создания нескольких проектов, включая усилители, буферы и многое другое.

Если деталь не показана на схеме или в списке деталей для одной из цепей, то она не требуется для этого проекта и может быть оставлена ​​пустой на печатной плате.

Он предназначен для использования с кремниевыми или германиевыми транзисторами и полярностью NPN или PNP.Эта доска является максимальной универсальностью!

Размеры печатной платы 1,5 x 1,3 дюйма. На схеме слева показаны основные подключения к многоцелевой плате.

Круглый объект непосредственно над обозначением «Gr» — это расположение транзистора (Q1). Он достаточно большой, чтобы вместить даже пакет TO-5. Маленькая вкладка в левом нижнем углу — это индикатор вывода излучателя.

При использовании биполярного транзистора ТО-92 (E-B-C) он должен быть ориентирован плоской стороной вправо.Это помещает эмиттер внизу, а коллектор вверху. Базовый провод придется немного согнуть, чтобы он поместился в среднем отверстии.

Обратите внимание, , что транзистор типа BC108 имеет обозначение C-B-E и должен иметь плоскую сторону, обращенную влево. Всегда проверяйте спецификацию транзистора, чтобы найти правильное обозначение контактов.

Есть еще несколько специальных элементов, которые следует отметить на печатной плате. Во-первых, прямо над печатным обозначением R3 на плате находится небольшая круглая площадка.Эта площадка используется только для нескольких схем и игнорируется в остальное время.

Во-вторых, позиция R5 имеет три площадки посередине между площадками резисторов. Они предназначены для дополнительного подстроечного резистора, который используется в качестве резистора R5 для некоторых вариантов схемы. Если подстроечный резистор не указан, контактные площадки игнорируются, а резистор припаивается к контактным площадкам выше и ниже блока R5.

Также добавлены знаки полярности для C2, C3 и C4; их нет на плате. Положительная сторона электроитики должна быть ориентирована на знак плюс, как требуется.Эти маркировки верны для версий NPN и схем n-fet или n-mos.


КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ БУСТЕР

Показанная здесь схема представляет собой базовый усилитель на биполярных транзисторах, точно такой же, как в древнем LPB-1. Это простая конструкция с большим выигрышем. Потенциометр R10 смонтирован на плате.

Список деталей

R3 — 470 кОм
R4 — 47 кОм
R5 — 10 кОм
R6 — 390 Ом
R9 — перемычка
R10 — аудиоконус 100 кОм
C1 — 0.22 мкФ
C2 — 1 мкФ
Q1 — кремниевый транзистор NPN (2N5088, 2N3904 или аналогичный)

Все резисторы 1/4 Вт, а конденсаторы в мкФ.


Многие другие схемы подробно описаны в ссылке, которая отправляется при заказе многоцелевой печатной платы AMZ, и вы можете собрать любой из усилителей или буферов для отличного звука.


ЦЕПИ ДЛЯ ЭТОЙ ПЛАТЫ ВКЛЮЧАЮТ:

  • Усилитель кремниевого транзистора
  • Глушитель АМЗ
  • АМЗ Маффмастер
  • Грязный импульс
  • Усилитель германиевых транзисторов AC128
  • PNP Усилитель высоких частот типа Rangemaster
  • Германиевый транзисторный буфер
  • Усилитель транзистора Jfet
  • Транзисторный буфер Jfet/драйвер линии
  • Усилитель транзисторов Mosfet (не усилитель Mosfet AMZ)
  • Буфер Mosfet
  • Фильтр источника питания
  • и БОЛЬШЕ!

Примечание.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *