Полупроводниковый тиристор: Страница не найдена — Электрознаток

Содержание

Полупроводниковые управляемые вентили. Динисторы и тиристоры

Полупроводниковые вентили могут иметь сложную четырехслойную структуру из трех р—n-переходов (рис. 1). Напряжение внешнего источника э. д. с. включается плюсом к крайнему р-переходу, а минусом — к крайнему n-переходу. При этом крайние переходы оказываются смещенными в прямом направлении, а средний n—р-переход — в обратном направлении.


Рис.1. Тиристор

а — устройство; б — условное обозначение; в — эквивалентная схема; г — схема включения; д — вольт-амперная характеристика


Ток через прибор не протекает. Однако при повышении напряжения источника до определенной величины происходит электрический пробой среднего — n-р-перехода и через прибор начинает протекать ток.

Диодный тиристор, или динистор

Работу такого прибора удобно пояснить, рассматривая его транзисторную схему замещения (см. рис. 1,а), представляющую собой два последовательно включенных транзистора: р—n—р и n— р—n, соединенных таким образом, что коллектор одного транзистора одновременно является базой другого. Такой прибор, имеющий два внешних вывода, называют диодным тиристором, или динистором.

При незначительном увеличении приложенного напряжения через динистор протекает очень маленький ток, который является обратным для среднего n — р — перехода и током базы для транзистора Т2.

При значительном увеличении напряжения до величины Uвкл (см. рис. 1, д) происходят пробой среднего n — р — перехода и увеличение тока базы транзистора Т2. Транзистор Т2 открывается и открывает транзистор T1.

Процесс открытия транзисторов Т2 и T1. Происходит лавинообразно, и после их открытия сопротивление динистора резко уменьшается, так как транзисторы поддерживают друг друга в открытом состоянии.

Таким образом, для открытия динистора необходимо приложить значительное напряжение Uвкл; в дальнейшем динистор сам удерживается в открытом состоянии. Для закрытия динистора необходимо уменьшить протекающий ток до величины Iвыкл, недостойной для удержания транзисторов Т1 и Т2 в открытом состоянии, либо включить динистор в обратном направлении. После закрытия динистора его можно открыть снова, приложив к выводам напряжение Uвкл.

Тиристор отличается от динистора

Тиристор отличается от динистора наличием вывода от слоя с р-проводимостью, являющегося управляющим электродом. Если на управляющий электрод подавать положительное по отношению к катоду напряжение, это приведет к открытию транзистора Т2, который в свою очередь откроет транзистор Т1, и через прибор начнет протекать прямой ток.

В дальнейшем оба транзистора удерживают друг друга в открытом состоянии. Изменяя величину управляющего напряжения, можно управлять временем открытия тиристора, поэтому тиристоры называют полупроводниковыми управляемыми вентилями.

Управление тиристором осуществляется только при его включении, после этого он становится неуправляемым. Обратное переключение тиристора происходит так же, как и неуправляемого вентиля (динистора), — снижением неуправляемого тока до определенной величины Iвыкл. Важным преимуществом тиристоров перед транзисторами является очень низкое сопротивление включенного прибора. Это позволяет пропускать через него токи в десятки раз большей величины, чем пропускаемые через транзистор.

Тиристоры применяют в различных устройствах автоматики и вычислительной техники. Мощные тиристоры применяют в силовой преобразовательной технике и в электроприводах.

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 www.fotorele.net e:mail [email protected] ТИРИСТОРЫ

Подробнее

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС

ТРИАКИ ТС6-60, ТС6-00, ТС7-50, ТС7-30 Триаки предназначены для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре в цепях переменного тока частотой до 500 Гц. Конструкция триаков штыревая

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3.5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ Фототиристор, содержащий полупроводниковый элемент ТО3-5, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно — распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email [email protected] tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г.минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail [email protected] Техническая информация

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь»

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г.минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

Реле РЭС90, РЭС90-1 ЯЛ ТУ

Реле РЭС90, РЭС90- ЯЛ0..0ТУ Электромагнитные низкочастотные неполяризованные одностабильные, управляемые постоянным током, с двумя переключающими контактами. Предназначены для коммутации электрических

Подробнее

IL1501, IL , IL , IL

СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ПОНИЖАЮЩЕГО DC/DC КОНЕРТЕРА (Функциональный аналог AP1501 ф. Anachip) Микросхемы IL1501, IL1501-33, IL1501-50, IL1501-12 — являются понижающими DC/DC конвертерами. Назначение микросхем

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные выпрямители

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А

, П303, П303А, П304, П306, П306А Транзисторы большой мощности низкочастотные кремниевые p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах, работающих при повышенной температуре

Подробнее

ЭЛЕКТРУМ АВ. Паспорт

ЭЛЕКТРУМ А Паспорт стречно-параллельные тиристоры По вопросам продаж и поддержки обращайтесь: Архангельск (882)-90-2 Астана +(2)2-2 Белгород (22)0-2- Брянск (82)9-0-2 ладивосток (2)29-28- олгоград (8)28-0-8

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä33630, Ä33800, Ä33000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä33 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê.

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email [email protected] tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3

2А551А-3 2А551Г-3 Диоды 2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 бескорпусные кремниевые диффузионные СВЧ переключательные p-i-n предназначены для управления фазой и уровнем СВЧ сигнала. Диоды поставляют

Подробнее

П605, П605А, П606, П606А

П605, П605А, П606, П606А Германиевые конверсионные высокочастотные p-n-p транзисторы. Предназначены для работы в высокочастотных и быстродействующих импульсных схемах. Выпускаются в металлическом герметичном

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

М2ТКИ5006 С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin О С Н О В Н Ы Е

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä350, Ä330 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ ýêñïëóàòàöèè

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ

2А 522А -2 ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ Диоды 2А522А-2, 2А522А-5 полупроводниковые СВЧ кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные бескорпусные предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре

Подробнее

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80

М О Д У Л И Д И О Д Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V RRM = 400-1600 В I F(AV) = 80 А (T C = 100 C) I FSM = 2 кa (T j = 140 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание

Подробнее

ДИОДЫ ДЛ ДЛ

ДИОДЫ ДЛ563300 ДЛ573300 ДЛ5734000 ДЛ5735000 Общие сведения Назначение и область применения Диоды ДЛ563, ДЛ573 выпускают на токи от 300 до 5000 А таблеточного исполнения с повышенной термодинамической устойчивостью.

Подробнее

ОАО «Интеграл» филиал «Транзистор»

ОАО «Интеграл» филиал «Транзистор» шифр «Транзистор-М» Разработка составного биполярного n-p-n транзистора в малогабаритном металлокерамическом корпусе Наименование, шифр ОКР, основание, исполнитель и

Подробнее

Не удается найти страницу | Autodesk Knowledge Network

(* {{l10n_strings.REQUIRED_FIELD}})

{{l10n_strings.CREATE_NEW_COLLECTION}}*

{{l10n_strings.ADD_COLLECTION_DESCRIPTION}}

{{l10n_strings.COLLECTION_DESCRIPTION}} {{addToCollection.description.length}}/500 {{l10n_strings.TAGS}} {{$item}} {{l10n_strings.PRODUCTS}} {{l10n_strings.DRAG_TEXT}}  

{{l10n_strings.DRAG_TEXT_HELP}}

{{l10n_strings.LANGUAGE}} {{$select.selected.display}}

{{article.content_lang.display}}

{{l10n_strings.AUTHOR}}  

{{l10n_strings.AUTHOR_TOOLTIP_TEXT}}

{{$select.selected.display}} {{l10n_strings.CREATE_AND_ADD_TO_COLLECTION_MODAL_BUTTON}} {{l10n_strings.CREATE_A_COLLECTION_ERROR}}

УСТРОЙСТВО И СВОЙСТВА ТИРИСТОРОВ

ЭЛЕКТРОПРИВОДА МЕТАЛЛОРЕЖУЩИХ СТАНКОВ

Тиристором (от греческого слова Шуга — дверь и английского resistor — резистор) называют полупроводниковый (на кремниевой основе) прибор с четырехслойной структурой, имеющий свойства управляемого вентиля. На схемах он обозначается как диод (вен­тиль) с управляющим электродом на стороне катода. Конструк­ция тиристора показана на рис. 15,а. Он состоит из основания 1, соединенного с полупроводниковым кристаллом — анодом 2, коль­ца 10, гибкого внутреннего проводника 9, крышки 3, изолятора крышки 4, стержня крышки 5, вывода катода 6, управляющего электрода 8, наконечника катодного вывода 7.напряжения от угла зажигания

катод сделаны в виде штырей. Выпускаются таблеточные тиристо­ры, отличающиеся отсутствием штырей. Они меньше по размерам и поэтому более компактны.

Рассмотрим свойства тиристоров. Их основным качеством яв­ляется возможность получения регулируемого по величине выпрям­ленного напряжения. Это достигается подачей на управляющий электрод положительного по отношению к катоду импульса, ко­торый отпирает тиристор, т. е. его сопротивление становится близ­ким к нулю. Если к аноду и катоду (рис. 16, а) подключить напря­жение переменного тока, а на управляющий электрод подавать уп­равляющее напряжение положительной полярности (рис. 16,6) то тиристор будет работать как обыкновенный диод, т. е. синусои­дальное, переменное напряжение будет преобразовываться в од — нополупериодную (однопульсную) форму выпрямленного напря­жения.

Тиристор обладает свойством пропускать ток до тех пор, пока напряжение на анод — катоде не будет равно нулю. ). если подать его в

точке Б, среднее выпрямленное напряжение будет равно l%3d’ и, наконец, в точке В оно будет близко нулю. Таким образом, мы получили возможность изменять выпрямленное напряжение за счет получения «отрезков синусоид». Если ширина отрезка 180 эл. градусов, то выпрямленное напряжение максимально, с уменьшени­ем ширины отрезка выпрямленное напряжение соответственно уменьшается. Положение управляющего импульса относительно полуволны напряжения переменного тока удобно выразить в виде такого понятия, как угол зажигания. Обозначим его греческой буквой а. Если а = 0 (соответствует точке A), Ud = UA ax,

Резка металла. Широкий выбор оборудования

Наиболее популярным и распространенным методом металлообработки считается резка металла, при помощи которой получают всевозможные продукты проката или листа. Не существует универсального оборудования и станков — один вид обрабатывает профиль или …

Цилиндрические редукторы. Особенности оборудования

Цилиндрический редуктор — простое и эффективное решение для ступенчатого снижения числа оборотов и повышения крутящего момента.

РЕМОНТ И НАЛАДКА ЭЛЕКТРОПРИВОДОВ СЕРИИ ПМСМ

Разборка и сборка электроприводов серии ПМСМ (1—3-й ти­пы размеров). При разборке следует освободить выходной конец вала агрегата от шкива или другого соединительного устройства; снять щеткодержатель 7 (см. рис. 55, а) …

Размещение беженцев в Александрии

Предлагаем расселение и помощь для беженцев в Александрии, для этого есть такая возможность:
Центральный бассейн города Александрии, ЧП Спортренд, на сегодняшний день есть свет, горячая вода(душ), если будут дети — возможен подогрев детского бассейна
Видео-обзор:

Дополнительно возможно размещение в промзоне Александрии, на площадях организации МСД — там есть холодная вода и свет-генератор.

Подходите к бассейну, со стороны стоматологической поликлиники(БАМа, Тынды) торец бассейна — постучать в обе двери, дежурит постоянно сторож, периодически для переодевания и других бытовых потребностей оказывается помощь ТО.

Контактный телефон: +380 98 169 1188

Тиристор коды ТН ВЭД 2022: 8541300009, 8536500300, 8541900000

Тиристоры, 8541300009
Тиристор, 8501522009
Тиристоры 8541300009
Тиристоры на напряжение 50-1000 вольт, 8541300009
Тиристор 8541300009
Тиристоры низковольтные, 8541300009
Тиристор напряжение питания от 50 до 1000 Вольт переменного тока 8541300009
Блоки коммутации силовых симисторов и тиристоров 9031803800
Защита тиристора от перенапряжения 8536301000
Тиристор полупроводниковый 8541300009
Трансформатор промышленный питания плат управления драйверами тиристоров устройства плавного пуска 8504318008
Тиристор для защиты цепей от перенапряжения 8541300009
Модуль: силовой,ПУВ, кремниевые управляемые тиристоры — КУТ, Пульт; главный, 8537209100
Согласованный комплект из тиристоров,артикулы: 81004-286-51-R, 81001-450-51-R, 81001-451-61-R, 81001-451-71-R, 81004-286-52-R, 81001-450-52-R, 81001-451-62-R, 81001-451-72-R, 81004-286-53-R, 81001-450-53-R, 81001-451-63-R, 8541300009
Тиристор, арт. 3ADC340074P0001, 5STP1818F0003 8541300009
(2 тиристора), напряжение 1400 В, ток 800 А 8541
Тиристор, напряжение 220 В, модели КК1500А/2800V и КP1500А/3600V. 8541300009
Тиристор быстродействующий импульсный, напряжение от 220 до 1000 Вольт, тип ТБИ, модель TFI153-1000-15-641, тиристор силовой, напряжение от 220 до 1000 Вольт, модель T253-1000-16-61 854130000
Тиристоры, номинальное напряжение 220 вольт 8541300009
Тиристор (полупроводниковый ключ системы ИБП) 8535900009
Модуль тиристора 8504

6.     Тиристоры | Электротехника

Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

Перевод тиристора из закрытого состояния в открытое в электрической цепи осуществляется внешним воздей­ствием на прибор. К числу факто­ров, наиболее широко используе­мых для отпирания тиристоров, относится воздействие напряжени­ем (током) или светом (фототиристоры). Основными типами тиристоров являются диодные (рис. 6.1, а) и триодные (рис. 6.1,  б – г).

В диодных тиристорах (динисторах) переход прибора из закрытого состояния в открытое связан с тем, что напряжение между анодом  и катодом достигает некоторой граничной величины, являющейся параметром прибора.

В триодных тиристорах управление  состоянием прибора производится по цепи третьего – управляющего электрода. По цепи управляющего электрода при этом могут выполняться либо одна, либо две операции изменения состояния тиристора. В зависи­мости от этого различают одно- и двухоперационные тиристоры.

В однооперационных тиристорах (рис. 6.1, б) по цепи управляющего электрода осуществимо только отпирание ти­ристора. С этой целью на управляющий электрод подается положительный относительно катода импульс напряжения. Запирание одно­операционного тиристора, а также динистора производится по цепи анода изменением полярности напряжения анод-катод.

Двух­операционные тиристоры (запираемые тиристоры) допускают по цепи управ­ляющего электрода как отпирание, так и запирание прибора. Для запирания на управляющий электрод подается отрицательный им­пульс напряжения.

В фототиристорах (рис. 6.1, г) отпирание прибора производит­ся с помощью светового им­пульса.

Все перечисленные приборы выполняют функцию бесконтактного ключа, обладающего односторонней проводимостью тока. Прибор, позволяющий проводить ток в обоих направлениях, называют сим­метричным тиристором (симистором). По своему назначению симистор (рис. 6.1, д) призван выполнять функции двух обычных тиристоров (рис. 6.1, б), включенных встречно-параллельно.

Тиристоры

Добавлено 12 ноября 2016 в 19:20

Сохранить или поделиться

Тиристоры – это широкий ряд биполярных полупроводниковых приборов, имеющих четыре (или более) перемежающихся N-P-N-P слоя. Тиристоры включают в себя: управляемые кремниевые выпрямители (SCR), симисторы (TRIAC), запираемые тиристоры (GTO), кремниевые управляемые коммутаторы (SCS), динисторы (диодные тиристоры, «диоды для переменного тока», DIAC), однопереходные транзисторы (UJT), программируемые однопереходные транзисторы (PUT). В данном разделе рассматривается только управляемые кремниевые выпрямители (SCR), хотя упоминаются и запираемые тиристоры (GTO).

Шокли предложил четырехслойный диодный тиристор в 1950 году. Но он был реализован спустя годы компанией General Electric. В настоящее время управляемые кремниевые выпрямители (SCR) способны работать с мощностями уровнями от ватт до мегаватт. Самые маленькие приборы в корпусах, как у маломощных транзисторов, коммутируют токи в сотни миллиампер при переменных напряжениях около 100 В. Самые большие приборы, в корпусах диаметром 172 мм, коммутируют токи 5600 ампер при переменном напряжении 10 000 вольт. Самые мощные управляемые кремневые выпрямители (SCR) могут состоять из полупроводниковой пластины диаметром в сотни миллиметров.

Управляемый кремниевый выпрямитель (SCR): (a) профиль легирования, (b) эквивалентная схема на биполярных транзисторах

Управляемый кремниевый выпрямитель – это четырехслойный диод с управляющим электродом (показан на рисунке (a) выше). Если он включен, то он проводит ток, как диод, только в одном направлении. Если он не запущен, то он не проводит ток совсем.

Принцип его работы объясняется, исходя из эквивалента из соединенных транзисторов, показанного на рисунке выше (b). Положительный сигнал запуска прикладывается между управляющим выводом и катодом. Это приводит к тому, что эквивалентный NPN транзистор начинает проводить ток. Коллектор проводящего NPN транзистора подтягивается вниз, перемещая базу PNP транзистора к своему напряжению, что приводит к тому, что и PNP транзистор начинает проводить ток. Коллектор проводящего PNP транзистора подтягивается вверх, перемещая базу NPN транзистора в своем направлении. Эта положительная связь (регенерация) усиливает уже и без того проводящее состояние NPN транзистора. Более того, NPN транзистор будет теперь проводить ток даже при отсутствии сигнала на управляющем электроде. После того, как управляемый кремниевый выпрямитель (SCR) начал проводить ток, он продолжит это делать до тех пор, пока на аноде присутствует положительное напряжение. Для батареи постоянного тока, показанной на рисунке, это навсегда. Однако SCR тиристоры чаще всего используются с источниками переменного тока или импульсными источниками. Проводимость прекращается с окончанием положительной полуволны синусоиды на аноде. Кроме того, практические схемы на SCR тиристорах полагаются на этап периода переменного тока, идущий к нулю, к отсечке или переключению управляемого кремниевого выпрямителя (SCR).

Рисунок ниже (a) показывает профиль легирования управляемого кремниевого выпрямителя (SCR тиристора). Обратите внимание, что катод, который соответствует эмиттеру NPN транзистора на эквивалентной транзисторной схеме, сильно легирован, что показывает N+. Анод также сильно легирован (P+). Он соответствует эмиттеру PNP транзистора на эквивалентной транзисторной модели. Два средних слоя, соотвествующих областям базы и коллектора, легированы менее сильно: N и P. Профиль мощного SCR тиристора может быть разбросан по всей полупроводниковой пластине значительного диаметра.

Тиристоры: (a) поперечное сечение, условные обзначения (b) управляемого кремниевого выпрямителя (SCR) и запираемого тиристора (GTO)

Условные графические обозначения SCR и GTO тиристоров показаны на рисунке выше (b и c). Базовое обозначение диода показывает, что проводимость от катода к аноду является однонаправленной, как и у диода. Добавление управляющего электрода указывает на управление проводимостью диода. Запираемый тиристор (GTO) имеет двунаправленные стрелки на управляющем выводе, показывая, что проводимость может быть отключена отрицательным импульсом, а также включена положительным импульсом.

В дополнение к вездесущим кремниевым SCR тиристора были произведены экспериментальные устройства из карбида кремния. Карбид кремния (SiC) работает при более высоких температурах и проводит тепло лучше, чем любой метал. Это должно дать возможность создавать устройства с меньшими физическими размерами и способные работать с более высокими мощностями.

Подведем итоги

  • Управляемые кремниевые выпрямители (SCR тиристоры) являются наиболее распространенным членом в тиристорном семействе четырехслойных диодов.
  • Положительный импульс, приложенный к управляющему выводу SCR тиристора, приводит его к состоянию проводимости. Проводимость продолжается, даже если импульс на управляющем электроде пропадет. Проводимость прекращается, только когда напряжение между анодом и катодом падает до нуля.
  • SCR тиристоры чаще всего используются с источниками переменного тока (или импульсными источниками) из-за своей непрерывной проводимости.
  • Запираемый тиристор (GTO) пожет быть выключен подачей отрицательного импульса на управляющий электрод.
  • SCR тиристоры могут коммутировать мегаватты мощности, до 5600 А и 10 000 В.

Оригинал статьи:

Теги

ОбучениеТиристорЭлектроника

Сохранить или поделиться

IXYS SEMICONDUCTOR Тиристоры — модули SCR

МСС95-16IO1B

91Р1083

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 116А Модуль 180А 7 контактов 2,25 кА 200 мА 2,5 В 125°С
МСС310-16IO1

68×2897

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 320 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 320А Модуль 500А 7 контактов 9,2 кА 150 мА 140°С
МСС162-16IO1

68×2896

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 181 А, 1.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 181А Модуль 300А 7 контактов 6кА 200 мА 2,5 В 100°С
MCD95-16IO1B

91Р1084

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.6кВ 200 мА 116А ТО-240АА 180А 3 контакта 2,25 кА 200 мА 2,5 В 125°С
ММО90-16ИО6

97К5183

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 41 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.6кВ 100 мА 41А СОТ-227Б 65А 4 контакта 700А 100 мА 1,5 В 150°С
МСС200-16IO1

34AC1908

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 340 А, 1.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 216А 340А 8кА 150 мА 100°С
ММО74-12IO6

97К5180

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 34 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.2кВ 100 мА 34А СОТ-227Б 53А 4 контакта 520А 100 мА 1,5 В 150°С
ММО62-16IO6

97К5179

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.6кВ 100 мА 25А СОТ-227Б 39А 4 контакта 400А 100 мА 1,5 В 150°С
ММО62-12IO6

97К5178

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.2кВ 100 мА 25А СОТ-227Б 54А 4 контакта 350А 100 мА 1,5 В 150°С
MCMA140P1600TA

50Y2679

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 140 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 140А ТО-240АА 200А 7 контактов 2,4 кА 200 мА 1,5 В 125°С
МСС162-12IO1

34AC1907

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 300 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 150 мА 181А 300А 6кА 200 мА 2,5 В 100°С
MCD95-12IO1B

71Ах5966

МОДУЛЬ ТИРИСТОРА/ДИОДА, 116A, 1.2 кВ СООТВЕТСТВУЕТ ROHS: ДА

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.2кВ 150 мА 116А 182А 2,25 кА 200 мА 2,5 В 100°С
МСО100-12ИО1

97К4455

Тиристорный модуль, одиночный, 99 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Одиночный SCR 1.2кВ 100 мА 99А СОТ-227Б 156А 4 контакта 1,4 кА 200 мА 1,5 В 150°С
МСС132-12IO1

34AC1906

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 300 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 150 мА 130А 300А 4,75 кА 200 мА 2,5 В 100°С
MCMA110PD1600TB

02AC9889

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 110 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.6кВ 150 мА 110А ТО-240АА 170А 5 контактов 1,9 кА 200 мА 1,5 В 125°С
MCD56-12IO1B

68×2899

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 60 А, 1 шт.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.2кВ 100 мА 60А Модуль 100А 5 контактов 1,5 кА 200 мА 1,5 В 100°С
МСС95-12IO1B

68×2898

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 150 мА 116А Модуль 180А 7 контактов 2,25 кА 200 мА 2,5 В 100°С
МСО500-18ИО1

34AC1912

Тиристорный модуль, одинарный, 880 А, 1 шт.8 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Одиночный SCR 1.8кВ 300 мА 560А 880А 17кА 300 мА 125°С
MCD94-22IO1B

34AC1911

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 163 А, 2.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 2.2кВ 150 мА 104А 163А 1,7 кА 150 мА 1,5 В 100°С

IXYS SEMICONDUCTOR Тиристоры | Ньюарк

МСС95-16IO1B

91Р1083

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 180А 116А
МСС310-16IO1

68×2897

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 320 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 500А 320А
МСС162-16IO1

68×2896

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 181 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 300А 181А
CS45-12IO1

89K9982

Тиристор, 1,2 кВ, 100 мА, 48 А, 75 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 100 мА 75А 48А
CS20-12IO1

89K9978

Тиристор, 1,2 кВ, 65 мА, 19 А, 30 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 65 мА 30А 19А
MCD95-16IO1B

91Р1084

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 200 мА 180А 116А
ММО90-16ИО6

97К5183

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 41 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 100 мА 65А 41А
МСС200-16IO1

34AC1908

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 340 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 340А 216А
ММО74-12IO6

97К5180

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 34 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 100 мА 53А 34А
ММО62-16IO6

97К5179

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 100 мА 39А 25А
ММО62-12IO6

97К5178

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 100 мА 54А 25А
MCMA140P1600TA

50Y2679

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 140 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 200А 140А
МСС162-12IO1

34AC1907

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 300 А, 1,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 150 мА 300А 181А
MCD95-12IO1B

71Ах5966

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ/ДИОДОВ, 116 А, 1,2 КВ СООТВЕТСТВУЕТ ROHS: ДА

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 150 мА 182А 116А
CS30-12IO1

89K9980

Тиристор, 1,2 кВ, 65 мА, 31 А, 49 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 65 мА 49А 31А
МСО100-12ИО1

97К4455

Тиристорный модуль, одиночный, 99 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 100 мА 156А 99А
МСС132-12IO1

34AC1906

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 300 А, 1,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 150 мА 300А 130А
MCMA110PD1600TB

02AC9889

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 110 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии. Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 150 мА 170А 110А
MCD56-12IO1B

68×2899

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 60 А, 1,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 100 мА 100А 60А
МСС95-12IO1B

68×2898

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 150 мА 180А 116А
МСО500-18ИО1

34AC1912

Тиристорный модуль, одиночный, 880 А, 1,8 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.8кВ 300 мА 880А 560А
MCD94-22IO1B

34AC1911

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 163 А, 2,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Доступно в указанном количестве
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

2.2кВ 150 мА 163А 104А

национальный%20полупроводниковый%20тиристор техпаспорт и примечания по применению

ТДА0200

Реферат: TDA0200SP UA1489PC MC7812CK Motorola ULN2803N UA324PC MC7812CK «перекрестная ссылка» AM6012PC UA7812UC UA7812KC
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF AM6012APC AM6012PC CA081AE CA081BE CA081E CA082AE CA082BE CA082E CA084AE CA084BE TDA0200 ТДА0200СП UA1489PC MC7812CK моторола ULN2803N UA324PC MC7812CK «перекрестная ссылка» UA7812UC UA7812KC
2007 — LM4702

Аннотация: National Semiconductor National Semiconductor Logic Thx Dolby True HD 7.1 полупроводник LME49810 LM4702B LM4702C LM6245
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM4702 LM4702 национальный полупроводник национальная полупроводниковая логика спасибо долби правда hd 7.1 полупроводник LME49810 LM4702B LM4702C LM6245
2002 г. — аутсорсинг IBM

Реферат: avnet celestica flextronics National Semiconductor CC
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
КАД7001

Резюме: SBX1610-52 sony SBX1610-52 LA2785 UPC177C ST L7805CV NJM79L05A SBX1810-52 sbx1610 MC34063P1
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF AD66761 АН1311 АН1311С АН1319 АН1319С АН1339 АН1339НС АН1393 АН1393НС АН1432 КАД7001 SBX1610-52 Сони SBX1610-52 ЛА2785 UPC177C СТ L7805CV NJM79L05A SBX1810-52 sbx1610 MC34063P1
1996 — UPC451C

Резюме: LM324N LF353N эквивалент upc451g LM902N LM324AD CA082E Signetics NE556N CA339E NE5532an signetics
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF CA081AE CA081BE CA081E CA082AE CA082BE CA082E CA084AE CA084BE CA084E CA124E UPC451C LM324N эквивалент LF353N упс451г LM902N LM324AD CA082E Сигнетикс NE556N CA339E NE5532an Signetics
1998 — Маркировка транзисторов Motorola smd коды

Резюме: 7

1CA 5962-89MIA lm6482a замена для 11c90 LM311 SMD ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД QA LM714h JM38510/10305BEA Коды маркировки полупроводников Motorola smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2004 — лм2490

Реферат: IC lm2490 LM1228 LM1220 LM1222 CRT — национальный 1ss83 1ss831n4148 LM2423 1XXXB
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 1990-е 2000-е LM1269- 110 МГц LM1246- 150 МГц LM2429- 15 МГц LM2459- лм2490 ИС лм2490 LM1228 ЛМ1220 ЛМ1222 ЭЛТ — национальный 1сс83 1сс831н4148 LM2423 1XXXB
2004 — применение чопперного усилителя

Резюме: национальный полупроводниковый прерыватель переменного тока постоянного тока Усилитель прерывателя переменного тока в постоянном токе Национальный полупроводниковый операционный усилитель переменного тока прерыватель цепи переменного тока прерыватель постоянного тока LTC2050
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF МАКС4238 LTC2050 OPA734 AD8551 Применение прерывателя усилителя национальный полупроводник прерыватель постоянного тока переменного тока Прерыватель переменного тока — постоянного тока прерыватель усилитель национальный полупроводниковый операционный усилитель прерыватель переменного тока схема прерывателя переменного тока прерыватель постоянного тока LTC2050
2007 — 1 Вт светодиод 50 мА

Реферат: LM3404 национальный полупроводник R350 LM5007 LM3485 LM3432 LM3430 2N3904 LM3404HV
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 350 мА LM3404 1 Вт светодиод 50 мА LM3404 национальный полупроводник 350 рэндов LM5007 LM3485 LM3432 ЛМ3430 2Н3904 ЛМ3404ХВ
2007 — 13LVDS

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 56 кбит/с 64 кбит/с РС-232 480 Мбит/с 65 Гбит/с ДС16ЭВ5110 ДС38ЭП100 LM3674 13LVDS
2007 — LM4702

Резюме: национальный полупроводник LM4702C полупроводник lm4702 эквивалент LM4702b LME49810 LM4974
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM4702 LM4702 национальный полупроводник LM4702C полупроводник эквивалент lm4702 LM4702b LME49810 LM4974
2007-HDMI SDI

Резюме: LMH0046 LM3674 IEC-801-2 EQ50F100 DS40MB200 DS38EP100 DS16EV5110 DS15BR400 13LVDS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 56 кбит/с 64 кбит/с РС-232 480 Мбит/с 65 Гбит/с LM25576 LP38691 HDMI SDI LMH0046 LM3674 МЭК-801-2 EQ50F100 ДС40МБ200 ДС38ЭП100 ДС16ЭВ5110 ДС15БР400 13LVDS
2006 — VLF4012

Аннотация: 8-контактный светодиод RGB vlf3012 LM3508 LM3502 LM3500 LM27966SQ LM2796 LM2751 led 1.8 В 25 мА
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM2707 50 кГц. LM2751 LM3502 LM2796 LM27951/2 ЛМ3500 1кХ06/2007 LP3958 LP5526 VLF4012 8-контактный RGB-светодиод vlf3012 LM3508 LM3502 ЛМ3500 LM27966SQ LM2796 LM2751 светодиод 1,8 В 25 мА
КАД7001

Резюме: SBX1610-52 LA2785 MC1723CP эквивалент lm723cn M62477 L7805CV эквивалент M50727 M34510M4 sbx1610 UPC177C
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF АН1311 АН1311С АН1319 АН1319С АН1339 АН1339НС АН1393 АН1393НС АН311 Ан311С КАД7001 SBX1610-52 ЛА2785 MC1723CP эквивалент lm723cn M62477 Эквивалент L7805CV M50727 M34510M4 sbx1610 UPC177C
2008 — ADC081000

Резюме: ADC12DL065 CLC420 LMH6502 LMH6503 LMH6504 LMH6550 LMH6551 LMH6555
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 220-2×100= 290-3×100 340-4×100 ADC081000 АДК12DL065 CLC420 LMH6502 LMH6503 LMH6504 LMH6550 LMH6551 LMH6555
2008 — национальный полупроводник

Аннотация: LIDAR adc ADC08500 ADC08D500 ADC08D1500 ADC08D1020 ADC08D1000 ADC08B3000 ADC083000 PS2008
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ADC083000 АДК08Б3000 АДК08Д1500 АДК08Д1520 АДК081500 АДК08Д1000 АДК08Д1020 ADC081000 ADC08500 АДК08Д500 национальный полупроводник лидар ацц ADC08500 АДК08Д500 АДК08Д1500 АДК08Д1020 АДК08Д1000 АДК08Б3000 ADC083000 PS2008
Сони SBX1610-52

Резюме: SBX1610-52 PCF8544 msm58371 SFH5110-38 эквивалент M62446 M50925 L7808CV эквивалент PIC-12043TE2 SHARP HD44780
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF AD66761 АН1311 АН1311С АН1319 АН1319С АН1339 АН1339НС АН1393 АН1393НС АН1432 Сони SBX1610-52 SBX1610-52 PCF8544 msm58371 Эквивалент SFH5110-38 M62446 M50925 Эквивалент L7808CV PIC-12043TE2 ОСТРЫЙ HD44780
2007 — «Светодиод 5 Вт»

Аннотация: 1-ваттный светодиод OSRAM LM3404HV spice для ноутбука с ЖК-инвертором luxeon driver 20-ваттный LM2754 «3-ваттный светодиодный» светодиодный светильник INDUCTOR spice диммер LM3404
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 350 мА ЛМ3402/02ХВ ЛМ3404/04ХВ «светодиод 5 ватт» Светодиод OSRAM мощностью 1 Вт. LM3404HV специи ноутбук ЖК-инвертор Люксеон драйвер 20 ватт LM2754 «светодиод 3 ватта» светодиодная лампа INDUCTOR диммер для специй LM3404
2007 — Схема усилителя звука 300 Вт

Аннотация: схема усилителя звука 300 Вт принципиальная схема усилителя звука star sound 300 Вт ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ЗВУКА 3-канальная схема усилителя звука 300 Вт 100 В УСИЛИТЕЛЬ ЗВУКА 300 Вт недорогая СХЕМА СХЕМЫ схема транзисторного усилителя мощности 300 Вт схема усилителя мощности 300 Вт с басами и высокими частотами схема усилителя мощности 300 Вт Схема усилителя звука 100 Вт на канал
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2010 — ЛМВ1100

Аннотация: принципиальная схема bluetooth-наушников с шумоподавлением IC с активной обратной связью по шумоподавлению
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ЛМВ1100 схема блютуз наушников ИС шумоподавления обратная связь активного шумоподавления
2007 — национальный полупроводник

Аннотация: mp3 fm SEMICONDUCTOR ic 4890 LM4935 LM49100 LM4853 LM4852 LM4846 LM4844
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM4853 LM4857 LM4844 LM4949 LM4935 LM49370 LM4852 LM4845 LM4846 LM4947 национальный полупроводник мп3 фм ПОЛУПРОВОДНИК ик 4890 LM4935 ЛМ49100 LM4853 LM4852 LM4846 LM4844
2007 — LP3919

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LP3919 LP3919
2007 — АН1593

Резюме: VLF3010AT-220MR33 C3216X7R1E105K CRCW0603 LM3508 LM3508TL M67C AN-1593 300110
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 100 кГц LM3508 Ан-1593 АН1593 VLF3010AT-220MR33 C3216X7R1E105K CRCW0603 LM3508TL М67С Ан-1593 300110
2007 — АН1714

Резюме: C1005X5R1A105K LM2772SDX
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM2772 LM2772 ТОО-10 LM2772SDX К1005С5Р1А105К C1608X5R0J475K Ан-1714 АН1714 К1005С5Р1А105К LM2772SDX
2011 — LM3242

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM3242

Управление силовым полупроводниковым тиристором

Включение тиристора

Динамика перехода из закрытого состояния в открытое характеризуется временем включения силового полупроводникового тиристора, рассчитываемым обычно от начала импульса тока затвора до достижения анодным током заданного значения или момент, когда анодное напряжение падает до заданного малого значения.При этом время включения обычно делят на две фазы: время задержки включения и время нарастания.

В течение времени задержки значительных изменений анодного тока и напряжения не происходит. Если ток затвора имеет острый передний фронт, т. е. воздействие затвора на тиристор можно считать импульсным, то время задержки примерно равно времени накопления в слаболегированных слоях зарядовой структуры избыточных электронно-дырочных пар , что равно Q крит , плюс время прохождения электронов и дырок через сильно легированные слои.

Во время нарастания происходит фактический переход тиристора в открытое состояние, после завершения этой фазы оборудование, в котором находится тиристор, ведет себя так, как будто этот твердотельный ключ замкнут. Силовые полупроводниковые тиристоры, как правило, работают в цепях с активно-индуктивной нагрузкой, в которых время нарастания тока после замыкания тиристорного ключа определяется временем нарастания тока, где обычно не используют момент анодный ток нарастает до заданного значения, но момент падения анодного напряжения на тиристоре до заданного значения, значительно меньше напряжения источника, т.е.е., момент, когда тиристорный ключ можно условно считать замкнутым.

Следует отметить, что конечный момент включения, как правило, не соответствует физическому включению тиристора по всей площади. Процесс распространения состояния включения более длительный и может занимать до нескольких миллисекунд, тогда как время включения тиристора, определяемое по описанным выше правилам, занимает всего несколько микросекунд.

Выключение тиристора

Динамика перехода из включенного состояния в выключенное характеризуется двумя физическими процессами: восстановлением характеристик обратной и прямой блокировки.

Обратное восстановление силового полупроводникового тиристора в целом аналогично процессу обратного восстановления силового полупроводникового диода и описывается схожими характеристиками. В случае силового полупроводникового тиристора происходит обратное восстановление его высоковольтного эмиттерного p-n перехода, обычно являющегося анодным p-эмиттером, сопровождающееся расширением его области пространственного заряда и удалением части избыточных электронов а в слаболегированных слоях накапливались дырки.

Поскольку тиристор, проводящий анодный ток рабочей плотности, имеет n- и p-базовые слои, залитые избыточными электронно-дырочными парами, и аналогичен по своему состоянию силовому полупроводниковому диоду, фаза задержки обратного напряжения при его обратном восстановлении по процессам очень близок к диоду.

В конце этой фазы часть р-базы освобождается от избыточных электронно-дырочных пар. В результате создается препятствие для выноса электронов в n+-эмиттер, и коллекторный p-n-переход с прямым смещением начинает инжектировать дырки в n-базу.

За счет этого эффекта транзистора наблюдается небольшое увеличение тока и заряда обратного восстановления в тиристоре по сравнению с аналогичной диодной структурой. Однако этот эффект, как правило, становится существенным только в конце фазы спада обратного тока восстановления, что приводит к более значительному хвостовому току обратного восстановления, чем у силовых полупроводниковых диодов.

Эта транзисторная фаза протекания обратного тока продолжается даже после того, как обратное напряжение на силовом полупроводниковом тиристоре достигает напряжения источника.Удаление избыточных электронов из n-базы значительно уменьшается, а поток избыточных дырок, выходящий через обратно смещенный анодно-эмиттерный p-n-переход, компенсируется потоком дырок, инжектируемых коллекторным p-n-переходом с прямым смещением. В результате количество избыточных электронно-дырочных пар в n-базе уменьшается в основном только за счет их рекомбинации.

Таким образом, восстановление обратной блокировки уже произошло, т.е. на силовой полупроводниковый тиристор подается обратное напряжение, однако в n-базе еще остается значительный заряд избыточных электронно-дырочных пар.Если изменить полярность подаваемого на тиристор напряжения, то произойдет процесс обратного восстановления коллекторного p-n перехода, так как он будет находиться под обратным смещением.

Импульс тока восстановления этого p-n перехода может привести к реактивации тиристорной структуры, т.е. прямая блокировка еще не восстановлена.

Для предотвращения переключения тиристорной структуры необходимо, чтобы заряд обратного восстановления коллекторного p-n перехода оставался меньше Q крит .Но этот заряд пропорционален заряду избыточных электронно-дырочных пар в момент смены полярности напряжения.

Поскольку заряд избыточных электронно-дырочных пар в n-базе со временем уменьшается за счет рекомбинации, это условие в какой-то момент времени будет выполнено. Наименьший интервал времени между моментом смены направления анодного тока при обратном восстановлении и моментом смены полярности анодного напряжения, когда силовой полупроводниковый тиристор не переключается, называется временем выключения – t q .

Дополнительную информацию о силовых полупроводниках см. в разделе «Силовые полупроводники» на веб-сайте.

IXYS SEMICONDUCTOR Тиристоры | element14 Австралия

МСС95-16IO1B

1841870

Тиристорный диодный модуль, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 180А
ММО90-16ИО6

1080125

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 41 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 90А
МСС310-16IO1

2429718

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 320 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 500А
МСС200-16IO1

2782980

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 340 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 340А
MCD312-16IO1

3438461

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ/ДИОДОВ, 320 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 520А
MCD56-16IO1B

3438462

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ/ДИОДОВ, 60 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 94А
MCD95-16IO1B

1841869

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 180А
CS19-12HO1

1080107

Тиристор, 1,2 кВ, 28 мА, 19 А, 29 А, ТО-220АБ, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 29А
CS45-12IO1

1080112

Тиристор, 1,2 кВ, 100 мА, 48 А, 75 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 75А
CS45-16IO1

1080113

Тиристор, 1,6 кВ, 100 мА, 48 А, 75 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 75А
MCMA140P1600TA

2470022

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 140 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 200А
CLA30E1200PB

3438310

Тиристор, 1,2 кВ, 30 мА, 30 А, 47 А, ТО-220АБ, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 47А
ММО62-16IO6

1080121

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 54А
МСС255-16IO1

2674805

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 250 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 450А
MCMA110P1600TA

3438464

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 110 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 170А
CS45-08IO1

3438321

Тиристор, 800 В, 80 мА, 45 А, 71 А, TO-247, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

800В 71А
ММО74-12IO6

1080122

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 34 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 53А
МСО500-18ИО1

2782984

Тиристорный модуль, одиночный, 880 А, 1,8 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.8кВ 880А
МСС26-16IO1B

2674806

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 27 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 50А
CLA30E1200HB

3438309

Тиристор, 1,2 кВ, 28 мА, 30 А, 47 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 47А
МСС56-16IO1B

3438456

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 60 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 94А
CS30-12IO1

1080110

Тиристор, 1,2 кВ, 65 мА, 31 А, 49 А, ТО-247АД, 3 контакта

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 49А
MCMA65P1600TA

3438469

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 65 А, 1,6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.6кВ 105А
ММО62-12IO6

1080119

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 54А
МСС162-12IO1

2782979

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 300 А, 1,2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

1.2кВ 300А

Полупроводники: тиристоры и др.

Фонд современной электроники

1.) Основы
2.) Важные полупроводниковые устройства
2.a) Формирование мощности: Тиристоры: SCR, Triacs, Diacs
2.b) Другое применение: диоды, транзисторы
3.) Материалы
4.) Хронология истории
5.) Избранные пионеры

1.) Основы

Что такое полупроводник?
Полупроводниковые материалы – это материалы, которые позволяют электричеству проходят за счет потока электронов. Напротив, обычные проводники имеют ионная проводимость. Различные элементы являются полупроводниками. Один из первым, с кем экспериментировали, был германий (Ge) (элемент № 32). Кремний и галлий сегодня являются более известными полупроводниками.

Полупроводники настолько универсальны в применении благодаря способности людей, чтобы точно контролировать, как эти материалы проводят электричество: контролируя размер кристалла элемента и легирование, можно добиться желательно резистивно.
Легирование – введение определенных примесей в чистый образец полупроводника для достижения желаемых свойств. Легирование полупроводника до высоких уровней делает материал больше похожим на проводник, это называется дегенератом.Слаболегированный полупроводник называется внешним. Существует много методов легирования материалов, и это очень сложный процесс. Область исследования.

Понять p-n переходы и полупроводники лучше, вам нужно будет вложить хорошие количество времени в лекции, это не простое явление и слишком длинно, чтобы покрыть здесь. См. 59-минутную вводную лекцию по Solid государство (полупроводники) от ITT Мадрас здесь.

Будущее:
Полупроводники сегодня составляют основу бытовой электроники и будут продолжать иметь жизненно важное значение в будущем. Технологии, которые заменят многие полупроводниковые Электроника будет электроникой на основе углеродных нанотрубок и искусственных алмазов. военные и НАСА используют алмазы вместо кремниевых пластин, потому что они менее подвержены повредить вредными лучами в космосе. Твердотельная технология, используемая в нашей энергосистеме и электроника подвержена повреждениям во время солнечных вспышек или других электромагнитных импульсов Мероприятия.

Строительство:
Полупроводник устройства состоят из одного или нескольких p-n переходов. На рисунке ниже вы увидеть простое полупроводниковое устройство, состоящее из монокристалла арсенид галлия. Область n может быть легирована теллуром, а область p область может быть легирована цинком. Существует множество материалов, которые можно используется для допинга. У нас есть видео о том, как это работает.

Важно Полупроводниковые приборы:

2.а) мощность Кондиционирование: Тиристоры: тиристоры, симисторы и диаки

(управление и манипулирование мощности для выполнения определенной работы):

Тиристоры — семейство полупроводниковых устройств, используемых для выполнения многих работ. это используется в передаче электроэнергии HVDC и содержит не менее 4 слоев полупроводников n- и p-типа (устройство PNPN). SCR, диаки и симисторы являются формами тиристоров.

Исправление — допускающий ток только в одном направлении.Диоды и тиристоры выпрямители.

СКР — Выпрямитель с кремниевым управлением — одно устройство, которое может выполнять свою работу реле, переключатель, автоматический выключатель, магнитный усилитель и многие более. SCR представляет собой управляемый однополупериодный выпрямитель. Он используется с Мощность переменного тока средней и высокой мощности — от диммеров ламп до управления двигателем к силовой передаче.

SCR позволяет ток должен идти только в одном направлении, как диод, за исключением того, что он только позволяет току проходить, когда он находится на желаемом уровне.Диод позволяет проходить всему току, пока анод остается положительным.

SCR либо «включено» или «выключено». Когда ток подается на один конец, он возрастает, когда он достигает заданного значения, разрешается прохождение через устройство. Когда ток падает ниже «тока удержания» SCR полностью блокирует ток. Когда ток меняет направление, SCR блокирует это как хорошо.

Детали:

Анод — (+) с этой стороны втекает ток, с этой стороны вылетают электроны
Катод — (-) с этой стороны вытекает ток.
Gate — устройство может быть включено или выключено воротами

Вы можете видеть что, управляя значением, когда ток блокируется, форма волны рубится. Позволяя меньшему току проходить, вы можете уменьшить количество мощности, поступающей на электродвигатель, замедляя его. Еще одна вещь вы можете преобразовать переменный ток в постоянный, например, на интерфейсе, где Мощность переменного тока соответствует линии передачи HVDC.

Это был улучшение в том, что механические или ртутные дуговые выключатели приводят к дуга формируется при физическом сближении двух проводников.Эта дуга вызовет опасный скачок напряжения, который может повредить чувствительную электронику. Еще одно улучшение заключается в том, что SCR предотвращает «утечку» тока. через, когда он находится в выключенном состоянии. Это устройство было одним из самых важные ранние разработки в области электроники. Впервые построен Бобом Hall в GE, основанный на элементарной работе устройств PNPN в Bell Labs.

Триак — Используется в качестве триггера для SCR.Аналогичен SCR, за исключением того, что он может сделать полное волновое выпрямление. Концепция разработана Биллом Гуцвиллером и построена Гордон Холл (GE) (1957).

Узнайте больше о симисторах здесь >

Диак — (Диод для переменного тока). Как SCR, за исключением того, что он работает в обоих направлениях. Он не проводит до напряжения пробоя освобождается, затем он проводит до тех пор, пока ток не упадет ниже определенного порог.При смене полярности работает так же опять таки.
Диаки бывают нескольких видов. Power diac в Японии называется sidac и был первым использовались в первых диммерах для ламп, проданных потребителям в США. Этот диак был построен Хатсон из Техаса. Позже этот диммер с диаком был заменен на SCR.

Другой сигнальный диод, называемый диаком, представляет собой низковольтное устройство, используемое в основном для стробирования SCR и симисторы, но не способен нести какую-либо особую мощность.

Существуют и другие диаки, формально известные как квадраки (комбинация диак-триак) и альтернисторы. Сегодня устройства теперь доступны до 3000 ампер и 10 кВ с не менее чем 25 различными структурами.

Узнайте больше о диаксах здесь >

2.b) Другое применение: диоды и транзисторы:

Диод — Банка быть изготовлены из полупроводников или в виде вакуумной лампы.
Имеет низкое сопротивление в одном направлении и сильное сопротивление в другом. Он действует как односторонний клапан в водопроводной трубе (сантехника — это хорошо). аналог)

Может преобразовывать переменный ток в DC, он также используется для обнаружения сигналов VHF, UHF и в качестве измерителя выпрямитель. Первый тип полупроводника был сделан из германия.


Применение и типы: туннельный диод, светодиоды, лазер, и узнайте больше о многих видах диодов >

Вверху: большой старый ВЧ-блок питания, используемый для питания микроволновой печи. (предварительно твердое состояние).Эта тяжелая «коробка» имеет длину около 1,5 дюймов (45 см).

Вверху: полупроводниковый ВЧ источник питания, который выполняет ту же работу. как тяжелый ящик слева. Этот очень легкий и маленький. Твердотельные устройства стабилизации питания позволяют для гораздо меньших компьютеров и бытовой техники.

Подробнее Приложения и устройства:
Слишком много применений материала для перечисления, однако вы можно нажать на следующие ссылки, чтобы просмотреть связанные страницы и видео на на веб-сайте Технического центра Эдисона.

3.) Материалы:


Узнайте о многих материалах Периодической таблицы, которые являются полупроводниками:

Германий
Кремний
Индий
Галенит
Больше


Ниже видео: основы создания интегральных схем на кремниевых пластинах (часть нашей медной серии в нашей серии Electrical World).

4.) История:

Основные события и даты:


1906 — Первый полупроводниковый прибор: «Кошачий Разработан детектор Whisker — использует проволоку в тесном контакте с галенитом
. 1925 — Юлиус Эдгар Лилиенфельд разработал идею полевого транзистора. но он не смог построить работающую модель из-за некачественных материалов.
1934 — Оскар Хейл также разрабатывает полевой транзистор
. 1947 — Бардин и Браттейн открыли эффект усиления в германии. в лабораториях Белла. Это первый точечный транзистор
. 1948 — Транзистор с точечным контактом также независимо открыт в Германии
. 1949 — Вернер Якоби создает первую «интегральную схему». на 5 транзисторах
1953 — Первый коммерческий транзистор, проданный Philco
. 1954 — Первый кремниевый транзистор, изготовленный компанией Texas Instruments.
1955 — Первый все транзисторные автомобильные радиоприемники производства Philco
Вверху: Боб Холл (слева) и Сол Душман смотрят на большой сингл германиевый кристалл в General Electric.Работа Холла привела к значительным улучшениям в транзистор, тем временем в тех же лабораториях GE вакуумные трубки были уменьшены с хрупких, больших стеклянных трубок до керамических, прочных цилиндров размером с горошину. Руководство GE решило подождать с новыми маленькими электронными лампами. Белл Лаборатории в конечном итоге выиграли в этой битве, поскольку твердотельные лампы заменили лампы.

1956 г. — тиристор впервые коммерчески доступный

1957 — Гордон Холл и Фрэнк В.(Билл) Гуцвиллер разрабатывает SCR (кремниевый управляемый выпрямитель) в «Дженерал Электрик». Гуцвиллер нарисовал идею на бумаге, а Холл построил ее, и, по мнению некоторых, заслуживает похвалы. Гордон Холл на объекте Клайда отдела полупроводниковых изделий столкнулся с его менеджер Рэй Йорк, чтобы посмотреть, сможет ли он SCR, который на тот момент был только теоретическим. Он был успешным однако Боб Муни (патентный поверенный) считал, что защита заявки будет стоить так дорого что это было бы не то, что СДПГ могла бы себе позволить.

Обратите внимание, многие люди помогли разрабатывают эту технологию в Bell Labs и General Electric. Ник Холоньяк и Дик Олдрич покинул Bell Labs и был отправлен в Advanced Semiconductor Lab в GE Syracuse под направление Харриса Салливана. Как и в случае с МРТ и другими технологиями, Было много споров по поводу того, кто изобрел устройство. «Билл [Гутцвиллер] был менеджером Application Engineering и предположил, что было бы замечательно иметь выпрямитель с контрольный электрод.Но такие предположения не являются ни изобретением, ни сведением к упражняться.»


1958 — Texas Instruments создает первую настоящую «интегральную схему». состоящий из одного куска полупроводникового материала с несколькими компонентами внутри него.

1960 — Первый МОП — полевой транзистор металл-оксид-полупроводник

5.) Избранное Пионеры:

Звонок Лаборатории:
Джон Бардин (транзистор)
Уильям Шокли (транзистор)
Уолтер Браттейн (транзистор)
Фред Зейтц (физика твердого тела)
Гордон Тил и Морган Спаркс — разработал метод двойного легирования, используемый в германии

John Moll — Переключатель PNPN (ведущий в SCR)
Карл Фрош — открыл маскировку диоксидом кремния
Моррис Таненбаум —

Со временем здесь будут добавлены новые имена

Общие Электрический:
Роберт Н.Холл — Полупроводниковый лазер, Транзисторы, SCR, изобрели процесс диффузии сплава. Schenectady
Закажите наше полное видео-интервью с ним. Шоу № Т007. Пожертвовать чтобы получить это на DVD.
Уильям Данлэп —
Кроуфорд Данлэп — легирование германием, улучшение процесса диффузии сплава


Ника Холоньяк — красный светодиод, Симисторные, металлические тонкопленочные технологии. (также работал в Bell Labs). Сиракузы

Ричард Олдрич — Триак.Сиракузы
Рэй Йорк — Триак. Сиракузы
Finis Gentry — Triac. Сиракузы

Берни Бедфорд — SVC — статический Компенсатор реактивной мощности. Schenectady
Билл Гуцвиллер — изобретатель симистора, SCR — выпрямителя с кремниевым управлением. Clyde

John Harnden Jr. — GEMOV — Металлооксидный варистор и система кондиционирования, SCR. Скенектади.
Bill Morris — GEMOV — Металлооксидный варистор. Schenectady
Fracois Martzloff — GEMOV
Джо Вонг — GEMOV
William Kornrumpf — SCRs.Скенектади

John Saby — соединение из сплава транзистор — Syracuse
Addison Sheckler — улучшенные диоды с помощью методов кристаллизации — Syracuse
Jerry Suran — Диод с двойной базой. Сиракузы

RCA:

Jacques Pankove — соединение из сплава транзистор

Texas Instruments:

Гэри Питтман (Первый светодиод, инфракрасный)
Bob Biard (First LED, инфракрасный)

Монсанто:

Джордж Крафорд (желтый светодиод)

Прочее Компании/Университеты:

Сюдзи Накамура (синий светодиод)

Подробнее об Изобретатели светодиодов

Роберт Нойс — Триак
Вернер Якоби


Популярные видео по истории полупроводников:

GE Semiconductor Business, Устная история с доктором.Оливер Винн — Бывший менеджер микропроцессорного подразделения General Electric

.
Связанные темы:

Статья М. У. и Дж. Харндена

Источники:

Полупроводник Исследования и разработки в General Electric , Марк П.Д. Берджесс
Видеоинтервью с Робертом Холлом , Технический центр Эдисона. 2008. Шоу # T007
LEDs and OLEDs, Edison Tech Center.2012
Википедия: Транзисторы, диоды, симисторы
Оливер Винн — инженер-электрик
Теория биполярного переходного транзистора Чака Макманиса. 2003.

 

IXYS SEMICONDUCTOR Тиристоры — модули SCR

MCD95-16IO1B

1841869

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.6кВ 200 мА 116А 180А 2,25 кА 200 мА 2,5 В 125°С
МСС95-16IO1B

1841870

Тиристорный диодный модуль, 116 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 200 мА 116А 180А 2,25 кА 200 мА 2,5 В 125°С
МСС26-16IO1B

2674806

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 27 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 100 мА 27А 50А 520А 200 мА 1,5 В 100°С
МСС162-16IO1

2429717

Тиристорный модуль, 181A, 1.6кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 181А 300А 6кА 200 мА 2,5 В 100°С
MCMA140P1600TA

2470022

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 140 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 140А 200А 2,4 кА 200 мА 1,5 В 125°С
ММО74-12IO6

1080122

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 34 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.2кВ 100 мА 34А 53А 520А 100 мА 1,5 В 150°С
МСС200-16IO1

2782980

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 340 А, 1.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 216А 340А 8кА 150 мА 100°С
МСС255-16IO1

2674805

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 250 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 250А 450А 9,2 кА 150 мА 125°С
MCD26-16IO1B

2674808

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 27 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 36 шт. Только кратные 36 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 36 Мульт: 36

Последовательное подключение — SCR/диод 1.6кВ 100 мА 27А 50А 520А 200 мА 1,5 В 100°С
МСС56-12IO1B

2782982

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 94 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 100 мА 60А 94А 1,5 кА 200 мА 1,5 В 100°С
МСС44-12IO1B

3438453

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 49А, 1.2КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 100 мА 49А 77А 1,15 кА 200 мА 1,5 В 100°С
ММО62-16IO6

1080121

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.6кВ 100 мА 25А 54А 350А 100 мА 1,5 В 150°С
МСС95-12IO1B

2429719

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 116 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 150 мА 116А 180А 2,25 кА 200 мА 2,5 В 100°С
ММО90-16ИО6

1080125

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 41 А, 1600 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.6кВ 100 мА 41А 90А 700А 100 мА 1,5 В 150°С
МСС310-16IO1

2429718

Тиристорный модуль, последовательное соединение, 320 А, 1 шт.6 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 320А 500А 9,2 кА 150 мА 140°С
ММО62-12IO6

1080119

Тиристорный модуль, встречно-параллельный, 25 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Антипараллельный SCR 1.2кВ 100 мА 25А 54А 350А 100 мА 1,5 В 150°С
MCD56-12IO1B

2429720

Тиристорно-диодный модуль, последовательное соединение, 60 А, 1 шт.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.2кВ 100 мА 60А 100А 1,5 кА 200 мА 1,5 В 100°С
МСО500-12ИО1

2674809

Тиристорный модуль, 560 А, 1 шт.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Одиночный SCR 1.2кВ 300 мА 560А 880А 17кА 300 мА 125°С
МСС162-12IO1

2782979

Тиристорный модуль, последовательно соединенный, 300 А, 1.2 кВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 150 мА 181А 300А 6кА 200 мА 2,5 В 100°С
MCMA110P1600TA

3438464

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 110А, 1.6КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 150 мА 110А 170А 1,9 кА 200 мА 1,5 В 125°С
MCMA700P1600CA

3438470

МОДУЛЬ ТИРИСТОРА, 700А, 1.6КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.6кВ 95 мА 700А 1,1 кА 19кА 300 мА 125°С
MCD162-16IO1

3438459

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ/ДИОДОВ, 181A, 1.6КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Последовательное подключение — SCR/диод 1.6кВ 150 мА 181А 300А 6кА 200 мА 2,5 В 100°С
МСС26-12IO1B

3438449

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 27А, 1.2КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 100 мА 27А 42А 520А 200 мА 1,5 В 100°С
МСС26-12IO8B

3438450

МОДУЛЬ ТИРИСТОРОВ, 27А, 1.2КВ

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

Серия Connected — SCR 1.2кВ 100 мА 27А 42А 520А 200 мА 1,5 В 100°С
МСО100-12ИО1

1080130

Тиристорный модуль, 99 А, 1200 В

IXYS ПОЛУПРОВОДНИК

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.