Распиновка транзистора: Эта страница ещё не существует

Содержание

Распиновка транзистора

Новости: 9. Высказывания: Лишь в неудаче художник познает свое подлинное отношение к творчеству, только после поражения полководец видит свои ошибки. Стефан Цвейг. Основные параметры транзистора биполярного высокочастотного npn. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как определить распиновку транзистора Дарлингтона

Транзисторы биполярные (5 шт.)


Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны Вт. У максимальное напряжение насыщения коллектор — эмиттер равно два вольта, у TIP — 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском — 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

Хорошей заменой может быть транзистор КТА, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо. При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1. Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт.

Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув. Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами. Параметры самодельного составного транзистора Рвых, Iк макс. Вот вроде и все.

До свидания. Cпасибо за статью, собрал составной транзистор по Вашей схеме, но почему-то коэффиц. Привет, не знаешь, как и обращаться. Трудно из далека точно сказать почему всего 4.

Возникает сомнение в правильности измерения данного параметра. Ваш e-mail не будет опубликован. Поделиться Твитнуть Pin Отпр. Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.


Схема транзистора КТ827

Биполярный, мощный, высоковольтный, импортного производства транзистор серии имеет обратной проводимости NPN. Самый распространённый корпус TO Имеют высокую скорость переключения. Различные корпуса имеет у многочисленных производителей транзистор Всё дело в последних буквах маркировки. Поэтому надо быть особенно осторожным и всегда прозванивать его тестером перед заменой. Под множеством имён производится этот популярный транзистор: mje , wg2gf , alj , wg2 , wg 2 gf

Чем заменить КТ, схема транзистора КТ, дискретный аналог транзистора.

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Приведено фото транзистора КТ, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т. Транзисторы КТ выпускаются в пластмассовом корпусе TO Цоколевка у транзисторов КТ — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP Масса транзистора КТ составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Цоколевка транзистора 13002 и российский аналог

Думаю, многим начинающим и продолжающим любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут!

Сайт помогает найти что-нибудь интересное в огромном ассортименте магазинов и сделать удачную покупку.

TL431 datasheet, TL431 схема включения

Про светодиоды уже написал достаточно много, теперь читатели не знают как их правильно и питать, чтобы они не сгорели раньше положенного срока. В импульсных блоках питания на ТЛ бывает реализована обратная связь и опорное напряжение. Вид корпусов ТЛ Частично функционал похож на известную LM , только она работает на малой силе тока и предназначена для регулировки. Все особенности и типовые схемы включения указаны в datasheet на русском языке.

Как определить выводы транзистора, цоколевка

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах. Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны Вт. У максимальное напряжение насыщения коллектор — эмиттер равно два вольта, у TIP — 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском — 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора. Хорошей заменой может быть транзистор КТА, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В.

Чем заменить КТ, схема транзистора КТ, дискретный аналог транзистора.

Предлагаю создать «кунст-камеру»ловушек. Цоколевка у нее наоборот, в принципе можно поставить другую, типичную кренку, только задом-наперед. В телевизоре Electa в перв. Можно запросто сунуть не той полярностью, причем телевизор временно работать будет.

Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО Например, у Kwang Myoung 1 — эммитер, 2 — база, 3 — коллектор. V CE sat не более 0.

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений.

Расскажите, как с помощью обыкновенного тестера определить где Б Э К. И как биполярные транзисторы изучать? Стас Участник с мая Москва Сообщений: ТАНК проще по корпусу определить. Обыкновенный-это какой хотя бы стрелочный или цифровой? И как понять- изучать биполярный транзистор?

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность. Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя. Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями. Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.


Распиновка смд транзисторов. Маркировка SMD. Руководство для практиков. Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова

Привет друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМЫ», продолжаем вместе с вами знакомиться с современными . Сегодняшний обзор — обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

Это фото различных СМД транзисторов, справа — обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются «Q» и «VT» (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется — от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек — микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте).

Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать:)

Припаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS .

Обсудить статью SMD ТРАНЗИСТОРЫ

Сегодня мы поговорим о
SMD компонентах , которые появились благодаря прогрессу в области радиоэлектронике и немного затронем такой радиоэлемент, как .
Surface Mounted Device или SMD переводится так – устройства поверхностного монтажа, т.е. вид радиокомпонентов, которые впаиваются со стороны дорожек и контактных площадок сразу на плату.

В современной электронике сложно найти схему, в которой бы не применялись
smd компоненты . По параметрам большинство smd деталей ничем не отличаются от обычных, кроме размера и веса. Благодаря своей компактности появилась возможность создавать сложные электронные устройства малых размеров, ну например сотовый телефон.

Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова.

Ниже показана конструкция этих планарных транзисторов

Как и у обычных, у планарных транзисторов так же имеется множество видов: полевые, составные (дарлингтон), IGBT (биполярные, с изолированным затвором), биполярные.
  1. Введение
  2. Корпуса SMD компонентов
  3. Типоразмеры SMD компонентов
    • SMD резисторы
    • SMD конденсаторы
    • SMD катушки и дроссели
  4. SMD транзисторы
  5. Маркировка SMD компонентов
  6. Пайка SMD компонентов

Введение

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются «SMD». По-русски это значит «компоненты поверхностного монтажа». Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово «запекают» и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.

Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2) , WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2) , SOD882D (DFN1106D-2) , SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3) , SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252) , D2PAK (TO-263) , D3PAK (TO-268)
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6) , SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8) , SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9) , WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10) , SOT1158 (DFN2512-12) , SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32) , SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять .

Типы корпусов SMD по названиям

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам
LQFP низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFP пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам
CQFP керамический QFP >4, в четыре линии по бокам
TQFP тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. М ассив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы, чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.


Типоразмеры SMD-компонентов

Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его «типоразмеру». Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от «0201» до «2512». Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.

smd резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
0201 0.6 (0.02) 0.3 (0.01) 0.23 (0.01) 0.13 1/20
0402 1.0 (0.04) 0.5 (0.01) 0.35 (0.014) 0.25 1/16
0603 1.6 (0.06) 0.8 (0.03) 0.45 (0.018) 0.3 1/10
0805 2.0 (0.08) 1.2 (0.05) 0.4 (0.018) 0.4 1/8
1206 3.2 (0.12) 1.6 (0.06) 0.5 (0.022) 0.5 1/4
1210 5.0 (0.12) 2.5 (0.10) 0.55 (0.022) 0.5 1/2
1218 5.0 (0.12) 2.5 (0.18) 0.55 (0.022) 0.5 1
2010 5.0 (0.20) 2.5 (0.10) 0.55 (0.024) 0.5 3/4
2512 6.35 (0.25) 3.2 (0.12) 0.55 (0.024) 0.5 1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
0102 1.1 (0.01) 2.2 (0.02) 1/4
0204 1.4 (0.02) 3.6 (0.04) 1/2
0207 2.2 (0.02) 5.8 (0.07) 1

smd конденсаторы

Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:

Танталовые конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) T, мм (дюйм) B, мм A, мм
A 3.2 (0.126) 1.6 (0.063) 1.6 (0.063) 1.2 0.8
B 3.5 (0.138) 2.8 (0.110) 1.9 (0.075) 2.2 0.8
C 6.0 (0.236) 3.2 (0.126) 2.5 (0.098) 2.2 1.3
D 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 2.8 (0.110) 2.4 1.3
E 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 4.0 (0.158) 2.4 1.2

smd катушки индуктивности и дроссели

Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.

Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются «моточные изделия». Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом «08» обозначает длину, а «05» ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.

smd диоды и стабилитроны

Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпуса L* (мм) D* (мм) F* (мм) S* (мм) Примечание
DO-213AA (SOD80) 3.5 1.65 048 0.03 JEDEC
DO-213AB (MELF) 5.0 2.52 0.48 0.03 JEDEC
DO-213AC 3.45 1.4 0.42 JEDEC
ERD03LL 1.6 1.0 0.2 0.05 PANASONIC
ER021L 2.0 1.25 0.3 0.07 PANASONIC
ERSM 5.9 2.2 0.6 0.15 PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF 5.0 2.5 0.5 0.1 CENTS
SOD80 (miniMELF) 3.5 1.6 0.3 0.075 PHILIPS
SOD80C 3.6 1.52 0.3 0.075 PHILIPS
SOD87 3.5 2.05 0.3 0.075 PHILIPS

smd транзисторы

Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.

Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Пайка чип-компонентов

В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

Транзистор ГТ701А, основные характеристики и цоколевка


Рис.1. Внешний вид и цоколевка транзистора ГТ701А.

ГТ701А — Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный.
Область применения: для применения в системах зажигания и преобразователях напряжения. Допускается применять в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощности.
Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

Технические характеристики биполярного транзистора ГТ701А

Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
ГТ701А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мА 6/60
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мА
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 2
ток коллектора IК мА 5
Коэффициент передачи тока h21э ≥10
Граничная частота коэффициента передачи fгр кГц 50
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В
постоянное напряжение коллектор-эмиттер UKЭ max В 55
постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max В 15
постоянный ток коллектора
IK max А 12
постоянный ток базы IБ max А
рассеиваемая мощность без теплоотвода Рmax Вт
рассеиваемая мощность с теплоотвода РТmax Вт 50
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +70
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -55
Общее тепловое сопротивление транзистора RТ п.с °С/мВт
внутреннее тепловое сопротивление RТ п.к °С/мВт 1,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Основное назначение
Для устройств зажигания двигателей

Зарубежный аналог: 2N2137A; 2N2138A; 2N2142A; 2N2143A; 2N5887; 2N5888; 2N5889; 2N5890; 2N5891; 2NU74; ASZ15; ASZ18
См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем

Правильная цоколёвка транзисторов Deneb-80

Приветствую!

Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная.

Вот решил поделиться случаем из практики. Когда бился над проблемой не один день, а решение оказалось до смешного простейшим!

Думаю, хватит тянуть кота за… что попалось:) Опишу суть. 

Кому лень читать много букв, можете посмотреть все на видео: 

https://youtu.be/eFxy8aDVwOc

Собирал как-то простейший H-мост для управление моторчиком. Сопротивление обмотки его в районе 1 кОма. В инете полно похожих схем. Единственное отличие было в питании. Двигателю нужно было 24 В, а управление шло от микроконтроллера, т.е. 5 В. В общем-то, сложностей никаких возникнуть не должно. Схема следующая:

Подаём на управляющие транзисторы либо 5 В, либо 0, двигатель вращается в одну, либо в другую сторону.

Сначала для проверки подаю с контроллера на один транзистор (не важно какой) 1, на другой 0. При этом нагрузки никакой нет. Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы. Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В.

В итоге спалил несколько транзисторов. Перед впайкой проверяю транзисторы мультиметром на проверке диодов. По даташиту на BC557 слева направо идёт коллектор-база-эмиттер (смотрим на лицевую сторону). Вот картинки из нескольких даташитов известных фирм (On Semiconductor, NXP и Farnell):

      

Тыкаем минусовой щуп в базу, плюсовой сначала в эмиттер, потом в коллектор. В обоих случаях прибор показывает 0.7 В. Вроде все правильно. Транзистор целый, база в середине. Но! На своих ли местах коллектор и эмиттер?

Помог мне более опытный знакомый. Он усомнился в правильности цоколёвки китайских транзисторов. И высказал предположение, что коллектор с эмиттером не на своих местах, т.е. цоколёвки в даташиту не совпадает с реальной. Как это проверить?

При проверке тестером можно убедиться только в том, что переходы база-коллектор и база-эмиттер целые, и проверить тип транзистора (pnp или npn). Но нельзя определить где коллектор, а где эмиттер. Для определения нужно собрать две простенькие схемки:

Первая

И вторая

При таком включении ток базы будет определятся так: напряжение питания (5 В) минус падение напряжения на переходе база-эмиттер (0.6-0.7 В) деленное на R1 (4.7 кОм). Получается около 0.9 мА.

Подаём питание, измеряем ток. 

При правильном включении (схема 1) ток, измеренный амперметром будет равен ток базы (0.9 мА), умноженный на коэффициент усиления транзистора (по даташиту минимальный 90).

Затем меняем крайние выводы (коллектор, эмиттер) местами, снова подаем питание и смотрим ток. 

Приведу значения, которые получились у меня: при первом включении ток был равен 6 мА, при другом включении 143 мА.

В итоге оказалась, что расположение выводов купленных транзисторов не совпадает с расположением в даташитах.

В моем случае получалось, что при подаче напряжения в схему открывались эмиттерные переходы pnp транзисторов, а при открытии одного из управляющих транзисторов протекал сквозной ток.

Еще один метод определения коллекторного и эмиттерного переходов состоит в измерении сопротивления. Из-за особенностей изготовления коллекторный переход имеет меньшее сопротивление, в отличие от эмиттерного перехода. Например, у меня получались следующие значения: 6.5 МОм – сопротивление перехода база-коллектор и 6.67 МОм – сопротивление перехода база-эмиттер. Но, думаю, метод определения по измерению тока является более точным.

Мультиметр, используемый мной.

И его обзор.

Мультитестер для измерения характеристик транзисторов, ESR конденсаторов и др.

Оставить сообщение:

[contact-form-7 id=”3550″ title=”Контактная форма 1″]

См. также:


Если Вы нашли что-то полезное, поделитесь с друзьями:

[SvenSoftSocialShareButtons]

Транзистор BU406 — DataSheet

Кремниевый n-p-n транзистор для выходных каскадов строчной развертки

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения
Корпус TO-220AB
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU406

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 200 В
Vcbo Напряжение коллектор-база 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 7 А
Icm Ток коллектора импульсный t = 10 мс 15 А
Ib Ток базы 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 60 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 А 1 мА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 1.2 В
fT Граничная частота эффективного усиления 10 мГц
Co Выходная емкость Vcb = 10 В, Ie = 0 А 80 пФ
Tf Время спада импульса Индуктивная нагрузка Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 0.75 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Реверс-инжиниринг старой микросхемы OR/NOR / Хабр

Не так давно я получил фотографию кристалла загадочной схемы OQ100 [1] от

EvilMonkeyDesignz

. Я проанализировал её и обнаружил, что это чип логики, реализованный на быстрой ECL (эмиттерно-связанная логика) схеме и датируемый, вероятно, началом 1970-х годов. Чип содержит три логических элемента, два с 2 входами и один с 4 входами. Каждый элемент имеет неинвертированный и инвертированный выходы, работая как вентили OR и NOR. Эта статья резюмирует мои исследования. (Недавно я также проанализировал

OQ104

, другой чип из этой серии.)


Фотография кристалла микросхемы Philips QC100. Фото предоставленоEvilMonkeyDesignz.

На фотографии выше представлен чип под микроскопом. Большая часть кремния на изображении имеет ярко-розовый цвет. Области кремния с различным легированием имеют зеленые или желтоватые оттенки и образуют транзисторы и резисторы микросхемы. Пятнистые области — это металлический слой поверх кремния, связывающий компоненты. Черные провода по краям соединяют микросхему с внешними контактами.

Компоненты чипа

Транзисторы — это ключевые компоненты микросхемы. В этом чипе используется тип, называемый NPN-транзисторами. На фото ниже показано, как транзистор выглядит на микросхеме. Под фотографией находится рисунок в разрезе, показывающий примерную структуру. На самом деле транзистор устроен сложнее, чем простой N-P-N сэндвич из книжек, однако если внимательно посмотреть на рисунке под букву E, то можно заметить слои N-P-N, которые и образуют транзистор. Контакт эмиттера (E) соединен с N+ кремнием. Ниже располагается слой P, соединенный с контактом базы (B). А под ним находится слой N, соединенный с коллектором ©.


Структура NPN-транзистора. Вверху: транзистор на кристалле. Внизу: схема в разрезе.

В чипе также используется несколько PNP-транзисторов. Хотя может показаться, что PNP-транзистор является просто перевернутым NPN-транзистором, на самом деле он имеет другую структуру, основанную не на вертикальном расположении областей, а на горизонтальном. Коллектор и база образуют концентрические квадратные кольца вокруг эмиттера. Контакт базы не подключен напрямую к области базы. Вместо этого контакт находится на расстоянии, а сигнал базы проходит внизу, через слой N.


Структура PNP-транзистора. Вверху: транзистор на кристалле. Внизу: схема в разрезе.

С PNP-транзисторами на этой микросхеме есть еще одна сложность. Коллектор разделен, поэтому у транзистора два коллектора. Причем один из коллекторов подключен напрямую к базе. На фото выше можно увидеть, как область коллектора разделена по вертикали, поэтому имеется один коллектор слева и один справа, соединенный с базой. Эта конструкция может показаться причудливой, однако она является довольно распространенной в интегральных схемах. Её цель заключается в построении токового зеркала, в котором оба коллектора пропускают одинаковый ток.

Другими ключевыми компонентами этой микросхемы являются резисторы. На фото ниже изображены два резистора на кристалле. Резисторы состоят из полосок кремния P, имеющего более-высокое сопротивление и представленного розовым цветом на фото. Каждый конец резистора соединен с металлическим слоем; металл в середине соединяет два резистора последовательно. (Металлическая дорожка также проходит через резистор, но не соединяется с ним.) Чем длиннее и уже резистор, тем выше сопротивление, поэтому данные резисторы имеют относительно высокое сопротивление [2]. Непосредственно на схеме резисторы довольно крупные и неточные.


Два резистора на кристалле.

Схема

Компоненты были распознаны, теперь можно переходить к реверс-инжинирингу. Но прежде чем описать полную схему, я объясню, как работает ECL (Эмиттерно-связанная логика) [3]. На схеме ниже показана дифференциальная пара или пара с длинным хвостом, которая усиливает разницу между двумя входами. (Эта схема также распространена в аналоговых схемах, составляя основу операционного усилителя.) Основная идея заключается в том, что приемник тока (круг внизу) генерирует фиксированный ток

I

. Этот ток разделяется между левым путем (

I1

) и правым путем (

I2

). Если транзистор слева имеет более высокое входное напряжение, чем транзистор справа, большая часть тока пойдет по левому пути. Но если транзистор справа имеет более высокий вход, большая часть тока будет идти по правому пути. Эта схема усиливает разницу напряжений: даже небольшая разница между двумя входами переключит большую часть тока с одной стороны на другую.


Схема простой схемы дифференциальной пары. Приемник тока передает фиксированный ток I через дифференциальную пару. Если два входа равны, ток делится поровну между двумя ветвями. В противном случае большая часть тока будет приходиться на ветвь с более высоким входным напряжением.

Чтобы превратить пару в логический элемент OR, можно поместить несколько транзисторов слева. Если на каком-либо из входов высокий уровень, ток будет переключен влево, в противном случае ток переключится вправо. Поскольку ток понижает эту сторону до низкого уровня, левая ветвь будет выходом NOR, а правая ветвь — выходом OR. (С ECL вы получаете инвертированные и прямые выходы «бесплатно».) На схеме ниже показана реализация одного логического элемента; это вентиль с двумя входами. Вторая дифференциальная пара используется для буферизации и усиления выходных сигналов. Схема приемника тока обсуждается в сноске [4].


Схема одного логического элемента.

На диаграмме ниже показана реализация на кристалле вентиля с четырьмя входами. Большая часть площади занята приемником тока и соответствующими резисторами. NPN- и PNP-транзисторы относительно компактны, а вот резисторы занимают много места. Внизу четыре входных транзистора реализуют функцию OR вместе с опорным транзистором на другой ветви. Выходные транзисторы больше по размеру, поэтому они могут обеспечивать больший ток.


Один логический элемент с отмеченными функциональными блоками.

На диаграмме ниже показано расположение трех логических элементов на кристалле. (Элемент, описанный выше, находятся справа.) Резисторы делителя напряжения обеспечивают опорное напряжение для источников тока.


Кристалл с отмеченными основными функциональными блоками.

На рисунке ниже показано, как схема соотносится с 16-ю контактами. Три логических элемента OR представлены соответствующими символами; каждый элемент имеет 4 входа. Также у элементов есть неинвертированный и инвертированный выход, обозначенный кружком. Мне неизвестно, как напряжение принимает чип, поэтому я обозначил контакты питания + и -.


Распиновка микросхемы.

Примечания


  1. Читатель рассказал, что Philips использовала обозначение OQ для своих нестандартных интегральных схем. Это могло бы объяснить, почему я не смог найти эти чипы в справочнике.
  2. Сопротивление резистора пропорционально длине, деленной на ширину. Чтобы понять это, обратите внимание, что область с двойной длиной равносильна двум резисторам, соединенным последовательно, поэтому ее сопротивление в два раза больше. Область с двойной шириной аналогичная двум резисторам, соединенным параллельно, поэтому ее сопротивление в два раза меньше.
  3. Логическая схема на этой микросхеме имеет несколько отличий от стандартных элементов ECL. Типичный элемент ECL имеет входы на одной ветви и опорное напряжение, подключенное к транзистору на другой ветви. Таким образом, вход, превышающий опорное напряжение, представляет собой логическую 1, а входной сигнал ниже опорного напряжения — логический 0. Однако здесь выход первой ветви подается в качестве входа на вторую ветвь. Если на входе высокий уровень, он подтягивает этот выход к низкому уровню, перекрывая другую ветвь. И наоборот, если вход низкий, выход становится высоким, включая вторую ветвь.

    Я не знаю, что стало причиной такого дизайна. Это немного похоже на NTL (непороговая логика), поскольку здесь нет порога, установленного опорным напряжением. Возможно схема реализует триггер Шмитта, схему с гистерезисом, где при включении схемы вход должен опуститься значительно ниже для её выключения.

    Второе отличие этой схемы от типичного элемента ECL — это выходной буфер. В элементах ECL обычно используется эмиттерный повторитель, а не вторая дифференциальная пара.

  4. Я просто кратко опишу схему приемника тока, показанную ниже. Два больших резистора образуют делитель напряжения, который создает опорное напряжение на полпути между двумя напряжениями питания (возможно, 0 вольт). Из-за поведения транзисторов VBE  будет составлять одно падение на диоде (~ 0,7 В). Остальная часть схемы генерирует «правильный» ток через правый нижний резистор для достижения этого падения напряжения. На микросхеме два PNP-транзистора вверху представляют собой один транзистор с двумя коллекторами. Они реализуют токовое зеркало, в котором ток через правый транзистор совпадает с током через левый транзистор.



    Схема приемника тока, используемая в микросхеме. Делитель используется всеми приемниками тока на чипе.


Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Схема контактов транзистора 2N3906, техническое описание и эквивалент

Транзистор

2N3906 — это популярный транзистор с биполярным переходом PNP, используемый в приложениях с малой мощностью и током и средним напряжением. Он широко используется для усиления и переключения малой мощности.

2N3906 дополняет биполярный транзистор 2N3904 NPN.

2н3906 ПНП-транзистор в корпусе ТО-92

Он имеет номинальный ток 200 мА, номинальное напряжение 40 В и номинальную мощность 625 мВт. И обеспечивает усиление по току 100 при протекании через коллектор тока 10 мА.2N3N06 популярен благодаря высокому коэффициенту усиления и низкому напряжению насыщения.

Примечание. Транзистор 2N3906 был впервые изготовлен компанией Motorola.

2N3906 Схема контактов транзистора 2N3906 Распиновка Распиновка

2N3906 имеет три контакта: эмиттер, база и коллектор соответственно слева направо (плоская сторона с выводами, направленными вниз).

2N3906 Технический паспорт транзистора

Этот транзистор доступен в корпусах для сквозных отверстий и в различных корпусах для поверхностного монтажа (SOT23, SOT223 и т. д.), наиболее популярным из которых является TO-92.2N3906 называется MMBT3906 в корпусе SOT23 или SMD. Или, другими словами, MMBT3906 — это SMD-версия 2N3906.

Ниже приведен паспорт транзистора 2N3906 в корпусе ТО-92:

Скачать техническое описание транзистора 2N3906.

Электрические характеристики, номинальный ток-напряжение и физические размеры транзистора 2n3906 подробно приведены в этом техническом паспорте.

Ниже приведено техническое описание 2N3906 (MMBT3906) в корпусе SOT23:

Скачать техническое описание транзистора MMBT3906.

2N3906 аналог

Ниже приведен список популярных транзисторов, которыми можно заменить 2N3906:

BC557, BC527, BC558, BC559, 2N2907, BC556, A1015, C945, 2N4403, 9014.

Технические характеристики транзистора 2N3906 9 5 2N3906 Транзисторные характеристики Таблица

2N3906 до-92 Размеры упаковки

Ниже представлено изображение размеров корпуса 2Н3906 ТО-92.Все размеры указаны в мм.

Размеры упаковки 2N3906

Проекты электроники на базе 2N3906:

Детектор низкой освещенности с использованием 23906 с LDR

Эта схема обнаруживает слабое освещение, включая светодиод, подключенный между коллектором и землей. При слабом освещении вокруг эмиттерный ток течет от эмиттера к коллектору на землю, зажигая светодиод на своем пути.

Схема детектора низкой освещенности на 2N3906

На схеме, приведенной выше, 2N3906 используется в качестве переключателя для включения/выключения светодиода (в зависимости от окружающего освещения), подключенного к клемме коллектора.Вся схема питается от источника питания 9 В.

Резистор 5,6 кОм подключен между нагрузкой (светодиодом) и землей для защиты светодиода от перегрузки по току. Требуемое сопротивление резистора можно легко рассчитать по закону Ома.

При значительном падении света на LDR (низкое сопротивление) база транзистора не смещена. И нулевой ток течет на базу транзистора. Благодаря этому 2N3906 остается в состоянии отсечки и светодиод не светится.

Когда на LDR падает слабый свет (высокое сопротивление), база транзистора смещается, и на базу транзистора течет -ve ток. Из-за этого тока смещения 2N3906 переходит в состояние насыщения и включается светодиод.

Распиновка

, эквивалент, характеристики, техническое описание и применение [Видео]

IRF530 — это N-канальный полевой МОП-транзистор , разработанный для высокоскоростных и мощных приложений. Он способен выдерживать постоянный ток 14 А при напряжении 100 В.В импульсном режиме он может управлять нагрузкой до 56 А. В этой серии доступны другие транзисторы с немного отличающимися характеристиками, например IRF531 , IRF532 и IRF533 .

 

Каталог

 

IRF530 MOSFET Объяснение / Описание

IRF530 — это N-канальный MOSFET , способный непрерывно управлять нагрузкой 14 А при напряжении нагрузки 100 В. В этой серии также доступны другие транзисторы IRF531 . IRF532 и IRF533 Все эти транзисторы немного отличаются друг от друга, но их можно использовать вместо друг друга, если ваша нагрузка не соответствует номинальным значениям этих транзисторов.

IRF530 предназначен для высокоскоростных и мощных приложений, высокоскоростное приложение может быть в электронном устройстве или цепи прибора, в котором разработчику схемы требуется очень быстрое переключение за наносекунды, приложениями могут быть цепи ИБП, цепи зарядного устройства батареи , так далее.

Он также имеет низкую способность управления затвором, благодаря чему пользователь может управлять им непосредственно с выхода микросхем или микроконтроллеров. Он также может управлять нагрузкой до 56 А в импульсном режиме ,

.

Помимо этого  IRF530  также можно использовать как отдельный аудиоусилитель или можно использовать в усилителях звука более высокой мощности .

 

Тест IRF530, часть 1

 

 

 

Распиновка IRF530

 

 

IRF530 Распиновка

 

 

Описание контактов IRF530

PNP PNP
Пакет (THT) до-92
Комплектор-базовое напряжение 60 V
Коллектор-эмиттер напряжение: 40 V
Эмиттер-базовое напряжение: 6 V
Коллектор Ток: 0.2 A
Коллекторное рассеивание — 0.625
DC Account GAIN (H Fe ) 100 до 300
Переход частоты 300 МГц
SHOOL 5 DB
Дальность температуры соединения 55 до +150 ° C
Номер контакта Имя контакта Описание контакта
1 Ворота Управление смещением MOSFET
2 Слив Втекание тока через сток
3 Источник Утечка тока через источник

 

 

IRF530 CAD Медель

Символ

 

след

 

 

Характеристики переключения

  • Время задержки включения td(on): 10 нс
  • Время нарастания tr: 34 нс
  • Время задержки выключения td(off): 23 нс
  • Время спада tf: 24 нс

 

Характеристики/технические характеристики

  • Тип упаковки: TO-220AB и другие упаковки
  • Тип транзистора: N-канальный
  • Максимальное напряжение от стока к истоку: 100 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ±20 В
  • Максимальный ток Ток стока   составляет: 14 А
  • Макс. импульсный Ток стока  : 56 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт
  • Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

Замена и эквивалентные

BUZ20, IRFI530G, IRFS530, MTP12N10E, RFP12N10, STP13N10, STP18N10, BUK453-100B, BUK453-100A, BUZ72, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620.

 

Приложения

  • Источники бесперебойного питания
  • Зарядные устройства и схемы BMS
  • Применение солнечной энергии
  • Драйверы двигателей
  • ИБП
  • Преобразователи постоянного и переменного тока
  • Регуляторы
  • Аудиоусилитель
  • Драйверы соленоидов и реле

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF530 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

 

2D-модель и размеры

 

Цена и запас

 

Цена и запас

 

 

Технические характеристики

Физические характеристики  
Количество контактов 3
Технический  
Непрерывный ток стока (ID) 14 А
Текущий 14 А
Текущий рейтинг 17 А
Сопротивление стока к источнику 160 м
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 В
Напряжение от затвора к источнику (Vgs) 20 В
Упаковка оптом
Рассеиваемая мощность 88 Вт
Время нарастания 34 нс
Напряжение 100 В
Номинальное напряжение (пост. ток) 100 В
Соответствие  
Бессвинцовый Содержит свинец
RoHS Не соответствует

 

 

Цепь IRF530

 

Нефиксированная цепь индуктивной нагрузки

 

 


Схема проверки времени переключения для резистивной нагрузки

 

Тестовая схема заряда затвора

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать?

IRF530 может использоваться в любом типе универсального и высокоскоростного коммутатора, который соответствует его спецификациям.Помимо этого, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей . Процедура использования/эксплуатации этого МОП-транзистора такая же, как и у других МОП-транзисторов.

 

Как обеспечить длительный срок службы?

Для обеспечения долговременной работы всегда используйте компонент как минимум на 20 % ниже его максимальных номинальных характеристик. То же самое относится к транзистору IRF530  . Максимальный ток стока составляет 14 А, поэтому не подключайте нагрузку более 11.2А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В. Используйте соответствующий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте этот транзистор при температуре от -55 до +150 градусов по Цельсию.

 

IRF530 VS IRF530FP

Исходный контент uid IRF530 ИРФ530ФП
Код RoHS
Код жизненного цикла детали Устарело Переведено
Изготовитель НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОРПОРАЦИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Код комплекта деталей ТО-220АБ  
Описание упаковки ФЛАНЕЦ, R-PSFM-T3 ФЛАНЕЦ, R-PSFM-T3
Количество выводов 3  
Код упаковки производителя ДЕЛО 221A-09  
Достичь кода соответствия не соответствует соответствует
Код ECCN EAR99 EAR99
Время выполнения заказа 1 неделя  
Дополнительная функция ДОСТУПНЫ ВАРИАНТЫ ЛИДЕРОВ  
Номинальная мощность лавинной защиты (Eas) 98 мДж  
Соединение корпуса СЛИВ СЛИВ
Конфигурация ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОДИНОЧНЫЙ
Напряжение пробоя DS – мин. 100 В 100 В
Максимальный ток стока (абс.) (ID) 14 А  
Максимальный ток стока (ID) 14 А  
Сток-исток Вкл. Сопротивление-макс. 0.14 0,16
Технология FET МЕТАЛЛ-ОКСИД ПОЛУПРОВОДНИК МЕТАЛЛ-ОКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JEDEC-95 ТО-220АБ ТО-220АБ
JESD-30 Код Р-ПСФМ-Т3 Р-ПСФМ-Т3
JESD-609 Код е0 е0
Количество элементов 1 1
Количество клемм 3 3
Режим работы РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Максимальная рабочая температура 175 С  
Материал корпуса упаковки ПЛАСТИК/ЭПОКСИД ПЛАСТИК/ЭПОКСИД
Форма упаковки ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ
Тип упаковки ФЛАНЕЦ ФЛАНЕЦ
Пиковая температура оплавления (Цель) 235 225
Полярность/Тип канала N-КАНАЛ N-КАНАЛ
Макс. рассеиваемая мощность (абс.) 75 Вт  
Максимальный импульсный ток стока (IDM) 49 А  
Квалификационный статус Не соответствует требованиям Не соответствует требованиям
Поверхностный монтаж НЕТ НЕТ
Финишная отделка Олово/свинец (Sn/Pb) ОЛОВЯННЫЙ СВИНЦ
Терминальная форма СКВОЗНОЕ СКВОЗНОЕ
Положение терминала ОДИНОЧНЫЙ ОДИНОЧНЫЙ
Время при пиковой температуре оплавления – макс. (с) 30 30
Применение транзистора ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ  
Материал транзисторного элемента СИЛИКОН СИЛИКОН
Базовый номер соответствует 2 4
Код Pbfree  

 

 IRF530 Техническое описание

 IRF530 Техническое описание

 

 

Часто задаваемые вопросы IRF530

1.Что такое IRF530?

IRF530 — это N-канальный МОП-транзистор, способный непрерывно управлять нагрузкой 14 А при напряжении нагрузки 100 В. Помимо этого, IRF530 также можно использовать в качестве отдельного аудиоусилителя или использовать в аудиоусилителях большей мощности.

2.Где используются МОП-транзисторы?

Мощные МОП-транзисторы

обычно используются в автомобильной электронике, в частности, в качестве переключающих устройств в электронных блоках управления и в качестве преобразователей мощности в современных электромобилях.Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), гибридный МОП-биполярный транзистор, также используется для широкого спектра приложений.

3. Как безопасно запустить IRF520 в цепи?

Чтобы обеспечить долговременную работу, всегда используйте компонент как минимум на 20 % ниже его максимальных номинальных значений, то же самое относится и к транзистору IRF530. Максимальный ток стока составляет 14 А, поэтому не подключайте нагрузку более 11,2 А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В.Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте этот транзистор при температуре от -55 до + 150 градусов по Цельсию.

4. Какой тип МОП-транзистора IRF530?

N-канальный МОП-транзистор

5. С каким напряжением совместим IRF530?

100 В

6.Как называются транзисторы, доступные в IRF530?

IRF531

7.Какие возможности вождения имеет IRF530?

Низкая пропускная способность ворот

8.Что может IRF530 управлять в импульсном режиме?

56А

9. С каким аудиоусилителем можно использовать IRF530?

Мощные аудиоусилители

Транзистор BC557: распиновка, техническое описание, схема [видео]

BC557 — популярный транзистор с биполярным переходом PNP , который поставляется в небольшом корпусе TO-92 . Это PNP-транзистор общего назначения, который можно использовать в электронных схемах в качестве переключателя или усилителя.

 

В сегодняшнем блоге мы покажем вам все о транзисторе BC557 PNP, его распиновке , параметрах, как он работает, где его использовать и так далее, надеюсь, что этот блог поможет!

Электронный проект TOP3 с использованием BC557


Каталог


BC557 Описание

BC557 — это популярный PNP-транзистор с биполярным переходом, который поставляется в небольшом корпусе TO-92.Это PNP-транзистор общего назначения, который можно использовать в электронных схемах в качестве переключателя или усилителя. Его рейтинг HFE варьируется от 125 до 800, что делает его идеальным транзистором для использования в качестве слабого усилителя сигнала в электронных схемах, таких как усиление аудиосигнала .

 

Рейтинги HFE BC557 можно определить по последней букве после его номера , например, рейтинги HFE BC557A находятся в диапазоне 110–220, рейтинги HFE BC557B — в диапазоне 200–450, а рейтинги HFE BC557C — в диапазоне 420–800.Максимальное рассеивание коллектора составляет 500 мВт, что является еще одним преимуществом его использования в каскадах усиления.

 

Кроме того, хорошо работает при использовании в качестве переключателя для нагрузок менее 100 мА. Транзистор также имеет хорошее отношение коллектор-эмиттер (VCE) -45 В, поэтому его можно использовать в схемах, требующих от 40 до 45 вольт постоянного тока.


Распиновка BC557

Транзистор BC557 Распиновка транзистора BC557

 

Номер контакта Название контакта Описание
1 Коллектор Ток протекает через коллектор
2 База Управляет смещением транзистора
3 Излучатель Утечка тока через эмиттер

Характеристики BC557

  • Биполярный транзистор PNP

  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300

  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА

  • Базовое напряжение эмиттера (VBE) равно 6 В

  • Базовый ток (IB) не более 5 мА

  • Доступен в пакете To-92


BC557 Параметр

Упаковка/футляр: ТО-226-3 ТО-92-3 (ТО-226АА)
Базовый номер продукта: BC557
Упаковка устройства поставщика: ТО-92-3
Тип транзистора: ПНП
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib Ic: 650 мВ при 5 мА 100 мА
Отсечка тока коллектора (макс.): 15 нА (ICBO)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic Vce: 110 при 2 мА 5 В
Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 45В

Эквивалент BC557

  • BC557 Транзистор, эквивалентный PNP : BC157, BC558, 2N3906, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42

  • Дополнительный NPN : Дополнительный NPN к BC557 — BC547

  • Выходные контакты некоторых эквивалентов отличаются, пожалуйста, ознакомьтесь с информацией о выводах эквивалентного транзистора перед заменой в схеме.


BC557 Принцип работы

В транзисторах PNP основными носителями являются дырки, тогда как в транзисторах NPN основными носителями являются электроны. Хотя дырки являются основными носителями, базовый вывод по-прежнему важен для общей работы транзистора.

 

В случае NPN из эмиттера вместо электронов испускаются дырки, и они являются коллекторами через вывод коллектора.

BC557 Структура

BC557 известен как устройство с регулируемым током, потому что слабый ток, присутствующий на стороне базы, используется для управления большим током, присутствующим на остальных клеммах.

 

Помните, что когда транзистор выключен, на клемме базы есть ток, а когда транзистор включен, на клемме базы ток отсутствует.


Где и как использовать BC557

Поскольку BC557 является транзистором общего назначения, его можно использовать в широком спектре приложений общего назначения, таких как аудиоусилители в небольших радиоприемниках, электронные зуммеры, электронные звонки и другие звуковые устройства. цепи, требующие малого усиления.

 

Этот транзистор также можно использовать в каскадах предусилителя звука из-за его высокого коэффициента усиления. Помимо этих применений, этот транзистор также можно использовать в качестве переключателя в электронных приложениях для нагрузки 100 мА, коммутируя любую часть электронной схемы, другие мощные транзисторы, светодиоды, реле и так далее.


Как безопасно использовать транзистор BC557 в течение длительного времени в электрической цепи

Чтобы безопасно использовать этот транзистор для хорошей работы в течение длительного времени в вашей электронной схеме, не используйте его при -45 В постоянного тока, всегда используйте подходящий базовый резистор, не используйте Этот транзистор с нагрузкой более -100 мА, рабочая температура и температура хранения вокруг транзистора должны быть в пределах от -65 до +150 градусов Цельсия, и всегда проверяйте распиновку транзистора, прежде чем помещать его в схему.


BC557 Типичное применение

1. BC557 Транзистор в качестве переключателя

 

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в областях насыщения и отсечки, как объяснялось ранее. Как указывалось ранее, транзистор будет действовать как открытый переключатель при прямом смещении и как закрытый переключатель при обратном смещении; это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения должен быть ограничен максимальным значением 5 мА. Все, что превышает 5 мА, разрушит транзистор, поэтому резистор всегда подключается последовательно с выводом базы. Значение резистора (RB) можно рассчитать по следующей формуле:

 

РБ = ВБЕ / ИБ

 

Где значение VBE должно быть 5В для BC557 и ток базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

 

2. Транзистор BC557 в качестве усилителя

 

В активной области транзистор действует как усилитель.Он имеет возможность усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

 

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

 

 

Наиболее распространенной и широко используемой конфигурацией среди вышеупомянутых типов излучателей является общий тип излучателя. Коэффициент усиления по постоянному току транзистора при использовании в качестве усилителя можно рассчитать по следующей формуле:

 

Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB)


BC557 Упаковка


Приложение BC557

  • Предусилитель

  • Аудиоусилитель слабого сигнала

  • Вождение с нагрузкой ниже 0.1 мА или 100 мА

  • Любое приложение общего назначения, подпадающее под его рейтинги.


BC557 Производитель

ON Semiconductor (Nasdaq: ON) продвигает энергоэффективные инновации, помогая клиентам сократить глобальное потребление энергии. Компания предлагает комплексный портфель энергоэффективных решений для управления питанием и сигналами, логических, дискретных и индивидуальных решений, которые помогают инженерам-проектировщикам решать свои уникальные задачи проектирования в автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной, медицинской, военной/авиационно-космической и энергетической отраслях. заявки на поставку.ON Semiconductor управляет гибкой, надежной цепочкой поставок и программой качества мирового уровня, а также сетью производственных предприятий, офисов продаж и центров дизайна на ключевых рынках Северной Америки, Европы и Азиатско-Тихоокеанского региона.


Спецификация компонентов


Часто задаваемые вопросы

  • Что такое транзистор BC557?

BC557 — широко используемый биполярный транзистор PNP , изготовленный в небольшом корпусе TO-92.Это PNP-транзистор общего назначения , который можно использовать в качестве переключателя или усилителя в электронных схемах. … Максимальное рассеивание коллектора составляет 500 милливатт, что также является еще одним хорошим моментом для его использования в каскадах усиления.

  • Могу ли я использовать BC557 вместо BC547?

Серии BC547 -9 и BC557 -9 функционально идентичны обычной серии BC107-9.Все они имеют максимальную рассеиваемую мощность 500 мВт. Они имеют по существу схожие характеристики, и могут , как правило, заменять друг друга (в группах PNP и NPN по три штуки в каждой)

  • Что делает транзистор?

Транзистор, также известный как BJT (транзистор с биполярным переходом), представляет собой полупроводниковое устройство, управляемое током, которое можно использовать для управления потоком электрического тока, в котором небольшой ток в выводе Base управляет большим током. между коллектором и эмиттером.

 

Вывод транзистора B772, характеристики, техническое описание и применение

Привет, ребята! Надеюсь, ты сегодня в порядке. Спасибо, что нажали на это чтение. Сегодня в этом посте я расскажу вам о Введении в B772.

B772 представляет собой биполярный переходной транзистор средней мощности, который в основном используется для переключения и усиления и принадлежит к семейству PNP-транзисторов. Он поставляется в корпусе TO-126 и имеет ток коллектора 3 А, что означает, что он может поддерживать нагрузку до 3 А.60 В — это напряжение коллектор-база, 30 В — напряжение коллектор-эмиттер, а 5 В — напряжение эмиттер-база, что означает, что для смещения транзистора и запуска транзистора требуется 5 В.

В этом посте я буду обсуждать распиновку, техническое описание, принцип работы, номинальную мощность, физические размеры и области применения B772.

Начнем.

Знакомство с B772
  • B772 — это транзистор с биполярным переходом, относящийся к категории PNP-транзисторов.
  • Он содержит три вывода, которые называются выводами эмиттера, коллектора и базы. Во время процесса усиления в схеме небольшой входной ток, присутствующий на базовой клемме, используется для создания большого выходного тока на остальных клеммах.
  • Этот PNP-транзистор изготовлен из кремния и поставляется в корпусе TO-126.
  • B772 поставляется с тремя слоями, два из которых являются слоями с p-легированием, а один — с n-легированием. Слой n-легирования находится между двумя слоями p-легирования.

  • Два слоя, легированные n, представляют собой коллектор и эмиттер, а один слой, легированный n, представляет базовую клемму и указывает, что базовая клемма требует подачи отрицательного напряжения для запуска работы транзистора.
  • Вы уже знаете, что и электроны, и дырки играют решающую роль в процессе проводимости внутри транзистора, в случае транзистора PNP дырки являются основными носителями, а электроны являются неосновными носителями в случае транзисторов NPN.
  • Для сравнения, транзисторы NPN предпочтительнее транзисторов PNP, поскольку подвижность электронов лучше, чем движение дырок в транзисторе PNP. В редких случаях и PNP, и комплементарные ему NPN-транзисторы включаются в одну схему.
  • Это устройство изготовлено с использованием технологии строгального станка, которая позволяет создавать прочные высокопроизводительные компоненты.

 

B772 Технический паспорт

Технический паспорт любого компонента содержит основные характеристики устройства.Это поможет вам получить ток и напряжение, необходимые для выводов эмиттера, коллектора и базы. Нажмите ниже, чтобы загрузить техническое описание B772.

B772 Распиновка

B772 имеет три основных контакта, которые известны как:

1: Излучатель

2: Коллектор

3: База

  • Эти клеммы используются для внешнего соединения с электронной схемой.Все эти штифты имеют разную концентрацию легирования и разную функциональность.
  • Сторона эмиттера более легирована по сравнению с другими клеммами. Кроме того, вывод эмиттера содержит весь ток транзистора, т.е. Ie = Ic + Ib

B772 Принцип работы
  • B772 представляет собой устройство с низким напряжением насыщения и высоким током, где вывод базы отвечает за общее действие транзистора. .
  • Сторона эмиттера и коллектора смещена в обратном направлении, когда на клемме базы присутствует ток, и в этом случае устройство считается выключенным.

  • А когда ток на стороне базы отсутствует, коллектор и эмиттер смещены в прямом направлении, и транзистор открыт.
  • Напомним, это PNP-транзистор, здесь n-легированный слой представляет отрицательную сторону базы. Подача отрицательного напряжения на базу подается для запуска рабочего процесса транзистора.

Номинальная мощность B772

В следующей таблице показаны абсолютные максимальные номинальные характеристики устройства B772.

9 W 4
  • Вы можете увидеть со стола, 60 В — это коллекторное напряжение и 30 В — это напряжение между коллектором и эмиттером. При этом напряжение между эмиттером и базой равно 5В.
  • Общая рассеиваемая мощность составляет 12,5 Вт, что указывает на количество энергии, выделяемой при работе этого транзистора.
  • Температура соединения составляет 150°C, а температура хранения составляет от 65 до 150°C
  • Это называется стресс-рейтингом.Когда вы включаете это устройство в свой проект, убедитесь, что рейтинги не превышают абсолютные максимальные рейтинги.
  • Если они превысят требуемые значения, это повредит устройство и, следовательно, весь проект.
  •  

    Разница между транзисторами PNP и NPN
    • И NPN, и PNP являются транзисторами с биполярным переходом и работают одинаково, за некоторыми исключениями. Направление тока и полярность напряжения меняются местами.
    • В случае PNP-транзистора проводимость осуществляется от эмиттера к коллектору, а в случае NPN-транзистора процесс проводимости осуществляется от коллектора к эмиттеру.

    • Кроме того, дырки являются основными носителями в случае транзисторов PNP и неосновными носителями в случае транзисторов NPN. В то время как электроны являются основными носителями в транзисторах NPN и неосновными носителями в случае транзисторов PNP.
    • Отрицательное напряжение подается на базовый вывод в случае PNP-транзистора, а положительное напряжение прикладывается к базовому выводу в случае NPN-транзистора.

    Альтернативы B772

    Ниже приведены альтернативы B772.

    • BD186
    • БД132
    • КСБ772
    • БД188
    • БД190
    • МДЖЭ232
    • КШ772
    • MJE235

    При работе с альтернативами перепроверьте распиновку альтернатив, так как, вероятно, распиновка B772 может отличаться от распиновки альтернатив.

    NPN-транзистор, комплементарный D772, называется D882.

    B772 Применение
    • Используется для переключения и усиления средней мощности.
    • Используется в цепи управления двигателем.
    • Встроен в драйверы реле.
    • Включается в цепи регулятора напряжения.
    • Используется для управления нагрузками до 3 А.
    • Используется в нестабильных и бистабильных мультивибраторах.
    • Используется в схемах Н-моста.

     

     

    B772 Физические размеры

    На следующем рисунке показаны физические размеры компонента, которые помогут определить и оценить общее пространство, необходимое для схемы.

    На сегодня все. Надеюсь, вы найдете эту статью полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать свой вопрос в разделе ниже, я хотел бы помочь вам наилучшим образом. Не стесняйтесь делиться своими ценными предложениями и отзывами в разделе комментариев, они помогают нам настраивать наш контент в соответствии с вашими конкретными потребностями и требованиями. Спасибо за прочтение статьи.

    Схема контактов транзистора D400, аналоги, функции, области применения и многое другое

    D400 или 2SD400 представляет собой NPN-транзистор, доступный в корпусе TO-92MOD или TO-92LM.В этом посте описывается распиновка транзистора D400, эквивалент, особенности, области применения и другие подробности об этом транзисторе.

    Характеристики/технические характеристики:
    • Тип упаковки: TO-92LM / TO-92MOD
    • Тип транзистора: NPN
    • Макс. ток коллектора (I C ): 1A
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 25 В
    • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 25 В
    • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
    • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 900 мВт
    • Максимальная частота перехода (fT): 180 МГц
    • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE 60– 560
    • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

     

    Замена и аналог

    2SD2206, 2SC3207, 2SC3070, 2SD1930, 2SD400MP, 2SD400P-1, 2SC4781, CE2F3P, 2SD1140, 2SD2213, KTD2854, NTE2341, STX112, 2SC4682, ZTX690B, 2SC3225, ZTX692B, 2SC3726, 2SD1153, 2SD1929, 2SD1984, 2SD2088, 2SD2206A.

     

    Транзистор 2SD400 Объяснение / Описание:

    2SD400 — это NPN-транзистор, доступный в корпусе TO-92LM или TO-92MOD. Этот транзистор в основном предназначен для использования в электронных усилителях низкой частоты, а также в электронных схемах регуляторов. Электронный регулятор представляет собой схему, которая регулирует скорость машины. Помимо этих применений, этот транзистор также можно использовать во множестве других приложений общего назначения. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 1 А, благодаря чему его можно использовать для управления различными нагрузками в цепи, ток которой не превышает 1 А при использовании в качестве переключателя.Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер транзистора составляет всего 0,3 В и обычно всего 0,1 В. Для управления нагрузкой 500 мА базовый ток должен составлять 50 мА, а для управления нагрузкой 1 А базовый ток должен составлять 100 мА.

    Кроме того, его также можно использовать в качестве аудиоусилителя общего назначения, а также в ВЧ-цепях, максимальная частота перехода транзистора составляет до 180 МГц, благодаря чему его также можно использовать в ВЧ-цепях до 180 МГц.

    Кроме того, максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 900 мА, а минимальное и максимальное усиление по постоянному току составляет от 60 до 560, однако транзистор доступен в четырех различных категориях в соответствии с коэффициентом усиления по постоянному току, который можно определить по первой букве, написанной под номер части.Если эта буква «D», то усиление будет от 60 до 120, если буква «E», то усиление будет от 100 до 200, если это «F», то усиление будет от 160 до 320, а если « G», то прирост составит от 280 до 560.

     

    Где мы можем его использовать и как использовать

    Как сказано выше, транзистор D400 в основном предназначен для низкочастотных усилителей и электронных регуляторов, но не ограничивается этим и может также использоваться для множества других приложений общего назначения.Например, его можно использовать в различных коммутационных приложениях, аудиоусилителях, а также в радио- и радиочастотных приложениях на частотах ниже 180 МГц.

     

    Применение

    Усилители низкой частоты

    Цепи управления скоростью

    Аудиоусилители

    Коммутация нагрузки до 1А

    Цепи радиочастотные

     

    Как безопасно работать в цепи

    Чтобы обеспечить долгосрочную производительность транзистора D400, рекомендуется всегда использовать его на 20% ниже максимального значения.Максимальный ток коллектора транзистора составляет 1 А, поэтому не подключайте нагрузку более 800 мА. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 25 В, поэтому не подключайте нагрузку более 20 В и всегда храните и используйте транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

     

    Технический паспорт

    Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

    https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/D/4/0/D400_SanyoSemiconDevice.пдф

    2SA1943 PNP-транзистор, характеристики и применение

    2SA1943 представляет собой PNP-транзистор, первоначально произведенный Toshiba. Из-за высокого коэффициента усиления по току транзистора и тока коллектора он очень часто используется в усилителях звуковой частоты или аудиосхемах высокой мощности. Но теперь этот транзистор полностью от Toshiba, и он был заменен на TTA1943. Тем не менее, все еще можно найти на рынке старый добрый транзистор 2SA1943, поскольку его все еще клонируют другие производители в Китае.конфигурация контактов 2sa1943 .

    Схема контактов:

    91 495 Абсолютные максимальные рейтинги B772
    No. Рейтинг Символ Значение Единица
    1 коллектор-эмиттер Vce 30 V
    2 коллектор-база напряжения Vcb 60 V
    3 эмиттер-база напряжения Вэб 5 V
    4 коллекторный ток IC 3 3
    5 50052 HFE от 30 до 300
    6
    6 Развитие мощности PTOT 12.5 W
    7 TTG TSTG -65 до 150 C

    9 PIN-код

    9

    9 9 Base

    9 Controls Town Collector и Emitter

    9 Collector

    Особенности PNP Transistore:

    • пакет — к-264

      6
    1
    1
    2 Ток потоки через Collector
    3 Emitter нынешний нынешний утомляет через Emitter
    Тип пакета — PNP
  • коллектор Напряжение излучателя: -230 V
  • Коллектор-база напряжения: -230 Volt
  • Pold
  • Усилительное напряжение: -5 Вольт
  • Ток коллектора 15 A
  • Collector Setipation — 150 Watt
  • Коэффициент усиления по постоянному току (h fe ) –  55 160
  • 9 0315 Частота перехода – 30 МГц
  • Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении от -55 до +150 °C
  • Дополнение к транзистору PNP

    Замена и эквивалент 2SA1943 транзистор

    замена и эквивалент PNP транзистора: 2SA1962, KTA1962A, 2SA2151A-O KTA1943, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943A, KTA1962, KTA1943, MJW1302A или MJW1302AG

    Как можно использовать Транзистор 2SA1943

    Транзистор 2sa1943 в основном используется в усилителях В большинстве усилителей используется двухтактная схема, аналогичная схеме усилителя класса B, в которой требуется транзистор NPN и транзистор PNP.2SA1943 — это PNP-транзистор, и он также имеет дополнительный 2SE5200, который является разновидностью NPN-транзистора. Транзисторы 2sa1943 и 2SE5200 часто используются вместе для разработки усилителей высокой мощности. Поскольку транзисторы работают с высокой частотой переключения и высоким током коллектора, которые имеют тенденцию очень быстро нагреваться, поэтому они всегда используются вместе с радиатором. Эти транзисторы обычно используются для производства стереосистем мощностью 200 Вт и выше, они могут реагировать на частоту от 5 Гц до 100 кГц и имеют очень хорошую чувствительность 0.75 В среднекв.

    Применение PNP Transistory:
    • Высокоточное переключение (до 15a) Грузы
    • AF / RF Circuits
    • Chush-Plush Confication Chirit
    • Может использоваться в качестве средних выключателей мощности
    • Низкая скорость
    • Усилитель звуковой частоты

    2SA1943 техническое описание

    A1943 распиновка

    2SA1943 упаковка

    2SC5200 Транзистор: распиновка, корпус, техническое описание, эквивалент, схема

    Транзистор 2SC5200

    2sc5200 — это транзистор NPN BJT, используемый для приложений усилителя мощности, этот транзистор имеет более разнообразные функции при работе.Мы объясняем каждую электрическую характеристику транзистора из таблицы данных 2sc5200.

    Затем мы также объясняем аспекты применения схемы транзистора 2sc5200, которые включают эквивалентные транзисторы и различные схемы с использованием 2sc5200.

    2sc5200 распиновка 2sc5200 распиновка

    Pin01 — база

    Pin02 — Коллектор

    Pin03 — Излучатель

    Пакет ТО-264 Пакет ТО-264

     

    Для этого транзистора 2sc5200 используется корпус to-264.Это упаковка из пластика и эпоксидного материала.

    Этот пакет имел различные применения в IGBT, MOSFET и интегральных схемах, особенностью этого пакета является то, что его можно легко прикрепить к радиаторам.

    Технический паспорт 2SC5200

    В этот раздел мы включили информацию об электрических характеристиках транзистора 2sc5200, чтобы мы могли использовать эти значения для создания схем, а также получить правильное представление о транзисторе 2sc5220.

    2sc5200 напряжение

    Напряжение коллектор-база 230В и напряжение коллектор-эмиттер 230В, оба эти значения будут указывать на высокое напряжение транзистора 2sc5200, тогда также напряжение эмиттер-база является напряжением срабатывания, оно всего 5В.

    • Коллектор – базовое напряжение (VCB) = 230 В
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) = 230 В
    • Излучатель — базовое напряжение (VEB) = 5 В

     

    2sc5200 транзистор ампер

    Ток коллектора равен 15А, это значение тока, которое указывает максимальную токовую мощность транзистора, тогда Ток базы равен 1.5А, это максимальный ток базы транзистора.

    Коэффициент усиления по постоянному току в основном используется в приложении усилителя, поэтому значения коэффициента усиления находятся в условиях двух токов коллектора.

    • Ток коллектора (IC) = 15 А
    • Базовый ток (IB) = 1,5 А
    • Коэффициент усиления постоянного тока = VCE = 5 В, IC = 1 А

                              = от 55 до 160 HFe

                              = VCE = 5 В, IC = 7 А

                              = от 35 до 60 HFe

    Рассеиваемая мощность транзистора 2sc5200 составляет 150 Вт, а максимальная температурная способность транзистора составляет от -55 до 150°C.

    Частотная характеристика или частота перехода транзисторного устройства составляет 30 МГц, и мы знаем важность выходной емкости коллектора в транзисторе, здесь для 2sc5200 значение составляет 200 пф.

    Рассеиваемая мощность коллектора (ПК) = 150 Вт

    Температура перехода = 150°C

    Диапазон температур хранения = от -55 до 150°C

    Частота перехода (FT) = 30 МГц

    Выходная емкость коллектора = 200 пф

     

    Эквивалент 2sc5200

    Транзисторный эквивалент для 2sc5200: 2sc3320, 2sc5242, 2sd1313 и FJL4315

    Замена 2sc5200

    Идеальной заменой транзистору 2sc5200 являются TTC5200, MJL3281A, MJl13002A и KTC5242.

    2sc5200 дополнительный

    Дополнительный PNP для 2sc5200: 2sa1943

    2sc5200 версия для поверхностного монтажа

    sc5200 — это силовой транзистор, поэтому у них нет транзистора SMD-версии.

    усилитель 2sc5200

    Схема основного усилителя, использующая транзистор 2sc5200, имеет дополнительный PNP-транзистор 2sa1943.

    Схема усилителя 2sc5200 Схема монофонического усилителя мощностью 100 Вт

     

    Основными компонентами этой схемы являются комплементарная комбинация транзисторов 2sc5200 и 2sa1943, а в схеме усилителя используется транзистор BC547.

     

    Для этой схемы усилителя мы можем установить одинарный и двойной источник питания, схема на рисунке работает с двойным источником питания.

     

    Транзистор BC547 используется для установки фиксированного напряжения для двухтактной схемы транзисторов, после чего звуковой сигнал поступает на 2sc5200 и 2sa1943. Совместная работа обоих транзисторов обеспечивает высокую выходную мощность для схемы усилителя.

     

    Транзистор 2sc5200 использует
    • Аудиосхемы высокой мощности
    • Цепи ЗЧ
    • Усилители звуковой частоты
    • Устройство с низкой скоростью нарастания
    • Схемы двухтактной конфигурации
    • Сильноточные цепи
    • Используется в цепях средней мощности
    • Высококачественные аудиосхемы
    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.