Тип корпуса транзисторов: Типы корпусов транзисторов

Корпус интегральной микросхемы (ИМС) — Радиодетали — Статьи — почитать

Корпус интегральной микросхемы (ИМС) — это герметичная конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями.  Длина корпуса микросхем зависит от числа выводов. Давайте рассмотрим некоторые типы корпусов, которые наиболее часто применяются радиолюбителями.

DIP (Dual In-line Package) — тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов для монтажа в отверстия печатной платы, является самым распространенным типом корпусов. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика или керамики. В обозначении корпуса указывается число выводов. В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты — микросхемы, сборки диодов, ТТЛ-логика, генераторы, усилители, ОУ и прочие… Компоненты в корпусах DIP обычно имеют от 4 до 40 выводов, возможно, есть и больше. Большинство компонентов имеет шаг выводов 2.54 миллиметра и расстояние между рядами 7.62 или 15.24 миллиметра.

Одной из разновидностью корпуса DIP является корпус QDIP на таком корпусе 12 выводов и обычно имеются лепестки для крепления микросхемы на радиатор, вспомните микросхему К174УН7


Разновидностью DIP является PDIP – (Plastic Dual In-line Package) – корпус  имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными преимущественно для монтажа в отверстия. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с расстоянием между выводами 7.62 мм  и широкая, с расстоянием между выводами 15.24 мм. Различий между DIP и PDIP в плане корпуса нет, PDIP обычно изготавливается из пластика, CDIP — из керамики. Если у микросхемы много выводов, например  28 и более, то корпус может быть широким.


SIP (Single In-line Package) – плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы, с одним рядом выводов по длинной стороне. Обычно в обозначении также указывается число выводов. Нумерация выводов данных типов микросхем начинается слева, если смотреть на маркировку спереди.

\

ТО92 – распространённый тип корпуса для маломощных транзисторов и других полупроводниковых приборов с двумя или тремя выводами, в том числе и микросхем, например интегральных стабилизаторов напряжения. В СССР данный тип корпуса носил обозначение КТ-26.


TO220 — тип корпуса для транзисторов, выпрямителей, интегральных стабилизаторов напряжения и других полупроводниковых приборов малой и средней мощности. Нумерация выводов для разных элементов может отличаться, у транзисторов одно обозначение, у стабилизаторов напряжения другое…


PENTAWATT – Содержит 5 выводов, в таких корпусах выпускаются, например усилители НЧ (TDA2030, 2050…), или стабилизаторы напряжения.


DPAK — (TO-252, КТ-89) корпус для размещения полупроводниковых устройств. D2PAK аналогичен корпусу DPAK, но больше по размеру; в основном эквивалент TO220 для SMD-монтажа, бывают трёх, пяти, шести, семи или восьмивыводные.


SO (Small Outline) пластиковый корпус малого размера. Корпус имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными для монтажа на поверхность. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с шириной корпуса 3.9 мм (0.15 дюйма) и широкая, с шириной корпуса 7.5 мм (0.3 дюйма).


SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) — предназначен для поверхностного монтажа, по сути это то же, что и SO. Имеет форму прямоугольника с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Как правило, нумерация выводов одинаковых микросхем в корпусах DIP и SOIC совпадает. Помимо сокращения SOIC для обозначения корпусов этого типа могут использоваться буквы SO, а также SOP (Small-Outline Package) и число выводов. Такие корпуса могут иметь различную ширину. Обычно обозначаются как SOxx-150, SOxx-208 и SOxx-300 или пишут SOIC-xx и указывают какому чертежу он соответствует. Данный тип корпусов схож с QSOP.


Также существует версия корпуса с загнутыми под корпус (в виде буквы J) выводами. Такой тип корпуса обозначается как SOJ (Small-Outline J-leaded).


QFP (Quad Flat Package) — семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам. Форма основания микросхемы — прямоугольная, а зачастую используется квадрат. Корпуса обычно различаются только числом выводов, шагом, размерами и используемыми материалами. BQFPотличается расширениями основания по углам микросхемы, предназначенными для защиты выводов от механических повреждений до запайки.


В это семейство входят корпуса TQFP (Thin QFP), QFP, LQFP (Low-profile QFP). Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа; установка в разъём или монтаж в отверстия штатно не предусмотрена, хотя переходные коммутационные устройства существуют. Количество выводов QFP микросхем обычно не превышает 200, с шагом от 0,4 до 1,0 мм.
 

QFN (Quad-flat no-leads) – у таких корпусов, так же как и у корпусов SOJ, вывода загнуты под корпус.  Данный корпус схож с типом корпусов MLF, у них вывода расположены по периметру и снизу.

TSOP (Thin Small-Outline Package) – данные корпуса очень тонкие, низкопрофильные, являются разновидностью SOP микросхем. Применяются в модулях оперативной памяти DRAM и для чипов флеш-памяти, особенно для упаковки низковольтных микросхем из-за их малого объёма и большого количества штырьков (контактов). В более современных модулях памяти такие корпуса уже не применяются, их заменили корпуса типа BGA. Обычно различают два типа корпусов, они представлены ниже на фото.

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) — представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в качестве микросхемы BIOS на системных платах.

ZIP (Zigzag-In-line Package) — плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы со штырьковыми выводами, расположенными зигзагообразно. Бывают ZIP12, ZIP16, ZIP17, ZIP19, ZIP20, ZIP24, ZIP40 цифры означают количество выводов и тип корпуса, кроме этого они различаются габаритами корпусов, а так же расстоянием между выводами.





Корпус транзистора то 220 — Домострой

TO220 (или TO-220) — тип корпуса для транзисторов, выпрямителей, интегральных стабилизаторов напряжения и других полупроводниковых приборов малой и средней мощности (до 50 Вт выделения тепла). Одной из наиболее распространённых микросхем, выпускающихся в корпусе TO220, являются интегральные стабилизаторы напряжения серии 78xx.

ТО220 состоит из медного никелированного основания, к верхней стороне которого припаивается кристалл полупроводникового прибора, набора жёстких выводов (англ. leadframe ), и герметичного пластикового корпуса. Обычный «транзисторный» ТО220 имеет три вывода, существуют модификации с двумя, четырьмя, пятью и семью выводами. В основании имеется единственное крепёжное отверстие ∅4,2 ±0,6 мм под винт. В СССР для более плотного прижима середины приборов в этом корпусе к радиатору, массово использовалась пружинная пластинка с отверстием под тот же винт, накладывавшаяся сверху на прибор. За рубежом практиковалось и прижатие к радиаторам вообще без винта, фасонной плоской пружиной. В обычном исполнении (индексы AB, AC) средний вывод соединён с основанием и, как правило, электрически соединяется с коллектором биполярного транзистора или со стоком МДП-транзистора. Существуют варианты ТО-220 (FP, Full Package, Isowatt), в которых основание корпуса полностью покрыто изолирующим пластиком.

Термическое сопротивление контакта между корпусом ТО220 и радиатором без учёта изолирующей прокладки обычно лежит в пределах от 0,5 до 1 К/Вт. Полное термическое сопротивление между наиболее нагруженным слоем кристалла и радиатором лежит в диапазон от 1 до 5 К/Вт. Термическое сопротивление транзистора без радиатора составляет порядка 50 К/Вт(то есть рассеиваемая мощность при комнатной температуре не превышает двух ватт). Предельные токи современных низкоомных МДП-транзисторов в корпусе ТО-220 ограничены не свойствами самих транзисторов (кристаллов), а свойствами проволоки, соединяющей выводы корпуса с кристаллом. Например, при пропускании через канал транзистора сопротивлением в 10 мОм тока в 75А на кристалле выделяется мощность 56 ватт. Однако тот же ток разогревает проволоку диаметром 0,38 мм до температуры в 220°С, при этом вывод стока в опытной установке нагревается до 180°С [1] .

Корпус — это часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных транзисторов и тиристоров.
Для просмотра чертежей корпусов транзисторов и тиристоров кликните на соответствующую типу корпуса картинку.

TO220 — TO 220 Différents boîtiers TO 220 … Wikipédia en Français

TO220 — The TO 220 is a style of electronic component package, commonly used for transistors, silicon controlled rectifiers, and integrated circuits. TO 220 packages commonly have three leads although units with two, four, five or seven leads are also… … Wikipedia

TO220 — Cuatro vistas del encapsulado TO 220 … Wikipedia Español

Addierverstärker — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Differenzierer — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Elektrometerverstärker — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Invertierender Verstärker — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Invertierer — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Nichtinvertierender Verstärker — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

OP-Schaltung — Der Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OV, OpAmp, OA) ist ein elektronischer Verstärker, der einen invertierenden und einen nichtinvertierenden Eingang besitzt und eine sehr hohe Verstärkung aufweist. Als Eingangsschaltung wird immer ein… … Deutsch Wikipedia

Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

 

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

 

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

 

4)Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

 

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

  • на рис. 1 — uPA2724UT1A,

  • на рис. 2 — TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,

  • на рис. 3 — LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),

  • на рис. 4 — MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,

  • на рис. 5 — VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

 

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

 

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

 

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

 

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

 Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

Глава 22. Биполярные транзисторы . Введение в электронику

ЦЕЛИ

После изучения этой главы студент должен быть в состоянии:

• Описать конструкцию транзистора и две его различные конфигурации.

• Нарисовать схематические обозначения n-p-n и р-n-р транзисторов и пометить их выводы.

• Перечислить способы классификации транзисторов.

• Перечислить функции транзистора, используя справочник и условное обозначение.

• Перечислить распространенные корпуса транзисторов.

• Объяснить, как проверить транзистор с помощью омметра и с помощью прибора для проверки транзисторов.

• Описать процесс подбора замены транзистора.

В 1948 году в лабораториях фирмы Bell был изготовлен первый работающий транзистор. Транзистор — это состоящее из трех элементов и двух р-n переходов устройство, используемое для управления электрическим током.

Изменяя величину напряжения, приложенного к трем элементам, можно управлять величиной тока через транзистор и использовать его для усиления, генерации или переключения. Этим применениям посвящены главы 26, 27 и 28.

22-1. КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРА

Когда к полупроводниковому диоду добавляется третий слой полупроводника, получается устройство, которое может усиливать мощность или напряжение. Это устройство называется биполярным транзистором или просто транзистором. Далее мы везде будем использовать термин транзистор.

Транзистор, как и диод, может быть изготовлен из германия или кремния, но кремний более популярен. Транзистор состоит из трех областей с чередующимся типом проводимости (по сравнению с двумя у диода). Эти три области могут быть расположены двумя способами.

В первом случае материал р-типа расположен между двумя слоями материала n-типа, образуя n-p-n транзистор (рис. 22-1). Во втором случае слой материала n-типа расположен между двумя слоями материала р-типа, образуя р-n-р транзистор (рис. 22-2).

У транзисторов обоих типов средняя область называется базой, а внешние области называются эмиттером и коллектором.

Рис. 22-1. n-p-n транзистор.

Рис. 22-2. р-n-р транзистор.

22-1. Вопросы

1. Чем конструкция транзистора отличается от конструкции диода?

2. Какие существуют два типа транзисторов?

3. Как называются три части транзистора?

4. Нарисуйте схематические обозначения n-p-n и р-n-р транзисторов и обозначьте их выводы.

5. Для чего используются транзисторы?

22-2. ТИПЫ ТРАНЗИСТОРОВ И ИХ КОРПУСА

Транзисторы классифицируются по следующим параметрам:

1. По типу проводимости (n-p-n или р-n-р).

2. По используемому материалу (германий или кремний).

3. По основному назначению (высокой или низкой выходной мощности, переключательные или высокочастотные).

Большинство транзисторов идентифицируются по условному обозначению. Условное обозначение состоит из пяти элементов и содержит информацию об исходном материале транзистора, его назначении, классификации, номере разработки. Эти символы идентифицируют устройство как транзистор и показывают, что он имеет 2 р-n перехода.

Корпуса служат для защиты транзистора и обеспечивают возможность электрического подсоединения к эмиттеру, базе и коллектору. Корпус также служит для отвода тепла или площадью, с которой тепло может излучаться, удаляя избыточное тепло от транзистора и предотвращая возможность теплового повреждения. Существует много различных корпусов, охватывающих широкую область применений (рис. 22-3).

Рис. 22-3. Различные корпуса транзисторов.

Корпуса транзисторов отличаются размерами и конфигурацией. Некоторые часто встречающиеся корпуса транзисторов показаны на рис. 22-4.

Вследствие большого разнообразия корпусов транзисторов очень трудно предложить общее правило для идентификации выводов эмиттера, базы и коллектора на каждом устройстве. Для этого лучше обратиться к инструкции, предоставляемой производителем, или к справочнику.

Рис. 22-4. Типичные корпуса транзисторов.

22-2. Вопросы

1. Как классифицируются транзисторы?

2. Какие символы используются для классификации транзисторов?

3. Для чего служат корпуса транзисторов?

4. Как обозначаются корпуса транзисторов?

5. Как определить, какой вывод у транзистора является базой, эмиттером или коллектором?

22-3. ОСНОВЫ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА

Диод является выпрямителем, а транзистор — усилителем. Транзистор может использоваться различными способами, но основной его функцией является усиление сигналов.

К транзистору должно быть правильно приложено напряжение смещения для того, чтобы области эмиттера, базы и коллектора взаимодействовали должным образом.

При правильно приложенном напряжении смещения эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном. Правильно приложенное напряжение смещения на транзистор типа n-р-n показано на рис. 22-5.

Рис. 22-5. Правильно смещенный n-р-n транзистор

Смещение в прямом направлении заставляет электроны течь с эмиттера n-p-n транзистора. Прямое смещение — это положительное напряжение на выводе базы по отношению к эмиттеру. Положительный потенциал базы притягивает электроны, создавая поток электронов из эмиттера. На электроны, притянутые базой, начинает влиять положительный потенциал, приложенный к коллектору. Большинство электронов притягивается к коллектору и к положительному выводу источника тока, создающего обратное смещение. Небольшая часть электронов поглощается областью базы и поддерживает небольшой поток электронов от базы, область базы при этом должна быть предельно тонкой. В правильно смещенном р-n-р транзисторе выводы источников тока необходимо поменять местами (рис. 22-6).

Рис. 22-6. Правильно смещенный р-n-р транзистор

Разница между n-р-n и р-n-р транзисторами двойная: источники тока имеют противоположную полярность, и направление потока электронов меняется на противоположное.

Как и в диоде, в транзисторе существует потенциальный барьер. В транзисторе потенциальный барьер возникает у перехода эмиттер-база. Для того чтобы электроны могли проходить через этот переход, внешнее смещение должно превышать потенциальный барьер. Величина внутреннего потенциального барьера определяется типом используемого полупроводникового материала. Как и в диодах, величина внутреннего потенциального барьера составляет 0,3 вольта для германиевых транзисторов и 0,7 вольта для кремниевых.

К переходу коллектор-база транзистора также должен быть приложен положительный потенциал, достаточно высокий для того, чтобы притягивать большинство электронов, поставляемых эмиттером. Напряжение обратного смещения, приложенное к переходу коллектор-база обычно намного выше, чем напряжение прямого смещения, приложенного к переходу эмиттер-база, снабжающего электронами этот источник более высокого напряжения.

22-3. Вопросы

1. В чем основная функция транзистора?

2. Каков правильный способ подачи смещения на транзистор?

3. В чем разница подачи смещения на n-р-n и р-n-р транзистор?

4. Чему равна величина потенциального барьера для германиевого и кремниевого транзисторов?

5. Чем отличаются напряжения смещения переходов коллектор-база и эмиттер-база?

22-4. ПРОВЕРКА ТРАНЗИСТОРОВ

Транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые обычно работают длительное время без отказа.

Если транзистор вышел из строя, то это вызвано или высокой температурой, или большим током, или высоким напряжением. Отказ может быть вызван и высоким механическим давлением. В результате такого электрического или механического воздействия в транзисторе может произойти разрыв цепи или короткое замыкание, или его характеристики могут измениться достаточно сильно, чтобы повлиять на его работу. Существует два метода проверки транзисторов для определения его исправности: с помощью омметра и с помощью прибора для проверки транзисторов.

Стандартный омметр может помочь обнаружить неисправный транзистор методом проверки вне цепи. Для этого проверяется сопротивление между двумя переходами транзистора следующим образом: между эмиттером и базой, между коллектором и базой и между коллектором и эмиттером. При проверке транзистора сопротивление между любыми двумя выводами измеряется при подключении измерительных проводов омметра одним и тем же образом. После этого измерительные провода омметра меняют местами. При одном подключении проводов сопротивление должно быть высоким, 10000 ом или более. При противоположном подключении сопротивление должно быть ниже, менее чем 10000 ом.

Каждый переход транзистора имеет низкое сопротивление, когда он смещен в прямом направлении, и высокое сопротивление, когда он смещен в обратном направлении. Батарея в омметре является источником как прямого, так и обратного смещения. Измеренное сопротивление различно у транзисторов различных типов, но всегда отличается при перемене выводов омметра. Этот метод проверки пригоден как для транзисторов типа n-р-n, так и для транзисторов типа р-n-р (рис. 22-7).

Рис. 22-7. Измерение сопротивлений переходов транзистора.

Если транзистор не проходит эту проверку, то он неисправен, но, тем не менее, может быть неисправным, и если проходит. Более надежным способом проверки транзисторов является использование прибора для проверки транзисторов.

Предостережение: как и в случае диодов, напряжение на выводах омметра не должно превышать максимально допустимое между переходами транзистора. Нижние шкалы некоторых омметров могут допустить ток, который повредит транзистор при проверке. В качестве меры предосторожности лучше начать измерение с безопасной шкалы и только после этого перейти на шкалу, дающую адекватный отсчет.

Приборы для проверки транзисторов специально рассчитаны на проверку транзисторов и диодов. Существуют два типа таких приборов: для проверки в составе цепи и для проверки вне цепи. Оба прибора могут быть размещены в одном корпусе (рис. 22-8).

Рис. 22-8. Прибор для проверки транзисторов.

Способность транзисторов усиливать принимается за грубую оценку их работоспособности. Прибор для проверки в составе цепи имеет преимущество, так как транзистор не надо удалять из цепи для проверки. Прибор для проверки вне цепи может не только определить исправность транзистора, но также измерить ток утечки, что нельзя проделать в составе цепи.

Приборы для проверки транзисторов содержат органы управления для установки величины напряжения, тока и сигнала. Для выбора правильных режимов измерения необходимо обратиться к инструкции по эксплуатации прибора.

22-4. Вопросы

1. Что может служить причиной выхода транзистора из строя?

2. Каковы два метода проверки транзисторов?

3. Что должен показывать омметр при проверке n-р-n транзистора?

4. Какие существуют два типа приборов для проверки транзисторов?

22-5. ЗАМЕНА ТРАНЗИСТОРОВ

Чтобы обеспечить возможность замены транзисторов, производители публикуют их параметры. Пользуясь этими данными, можно уверенно проводить замену транзисторов.

Если транзистора нет в списке или его условное обозначение пропущено, для точного выбора замены может быть использована следующая процедура.

1. n-p-n или р-n-р? Первым источником информации может быть условное обозначение на схеме. Если схемы нет, нужно определить полярность источника питания между эмиттером и коллектором. Если на коллекторе по отношению к эмиттеру плюс, то это — транзистор n-р-n типа. Если на коллекторе по отношению к эмиттеру минус, то это — транзистор р-n-р типа. Простой способ запомнить полярность напряжения на коллекторе для каждого типа транзистора показан на рис. 22-9.

Рис. 22-9. Как запомнить полярность напряжения на коллекторе.

2. Германиевый или кремниевый? Измерьте напряжение между эмиттером и базой. Если это напряжение составляет примерно 0,3 вольта, то транзистор германиевый. Если это напряжение составляет примерно 0,7 вольт, то транзистор кремниевый.

3. Какова область частот, в которой работает транзистор?

Установите тип цепи и установите, работает ли транзистор в диапазоне звуковых частот, в килогерцовом или в мегагерцовом диапазоне.

4. Чему равно рабочее напряжение? Напряжение между коллектором и эмиттером, коллектором и базой и эмиттером и базой может быть определено либо из схемы, либо путем непосредственного измерения. Транзистор, выбранный для замены, должен иметь паспортные значения напряжений, по крайней мере, в три или четыре раза превышающие напряжения, при которых он будет работать. Это поможет защитить транзистор от выбросов напряжения, тока и переходных процессов, имеющих место в большинстве цепей.

5. Какие требования к току коллектора? Простейший способ определения тока коллектора — измерение тока в цепи коллектора с помощью амперметра. Измерение должно быть проведено при максимальной потребляемой мощности. Опять же, в целях безопасности для замены следует подобрать транзистор, паспортное значение тока коллектора которого в три-четыре раза превышает измеренный ток.

6. Какова максимальная рассеиваемая мощность? Для определения максимальной мощности (Р = IE) используйте максимальное напряжение и максимальное значение тока коллектора. Транзистор является главным фактором при определении рассеиваемой мощности в цепях следующих типов:

• Входные каскады на звуковых или радиочастотах (от 50 до 200 мВт).

• Каскады промежуточной частоты или задающие каскады (от 200 мВт до 1 Вт).

• Мощные выходные каскады (1 Вт и выше).

7. Какое усиление по току? Усиление малого сигнала постоянного тока в схеме с общим эмиттером характеризуется коэффициентом усиления h21, или Бета (β) и будет рассмотрено далее. Некоторыми типичными категориями усиления являются:

• Смесители радиочастоты, усилители промежуточной и звуковой частот (усиление в диапазоне от 80 до 150 кГц)

• Задающие каскады радио и звуковой частоты (от 25 до 80 кГц)

• Выходные каскады радио и звуковой частоты (от 4 до 40 кГц)

• Предварительные усилители с высоким усилением (от 150 до 500 кГц)

8. Каков тип корпуса? Часто разница между типами корпуса оригинальной детали и рекомендуемой замены несущественна. На размер и тип корпуса обращают внимание только тогда, когда на плате мало места и требуется точная подгонка. При установке мощных транзисторов необходимо всегда использовать силиконовую смазку для того, чтобы обеспечить отвод тепла.

9. Какая конфигурация выводов? Это не самое главное соображение при замене транзисторов, хотя для облегчения установки транзистора желательно, чтобы конфигурация выводов совпадала.

22-5. Вопросы

1. Где можно найти советы по замене транзисторов?

2. Почему важно знать, является транзистор германиевым или кремниевым?

3. Почему при замене транзистора важно знать его рабочую частоту, рабочие значения напряжений и токов и рассеиваемую мощность?

4. Что характеризует коэффициент транзистора Бета?

5. Играет ли важную роль при замене транзистора его корпус и конфигурация выводов?

РЕЗЮМЕ

• Транзистор — это устройство, состоящее из трех слоев, и используемое для усиления мощности и напряжения.

• Биполярный транзистор часто называют просто транзистором.

• Транзисторы бывают конфигурации n-p-n или р-n-р.

• Средняя область транзистора называется базой, а две внешние области — эмиттером и коллектором.

• Схематические обозначения n-p-n и р-n-р транзисторов изображены ниже:

• Транзисторы классифицируются по типу проводимости (n-p-n или р-n-р), по материалу (германиевый или кремниевый), по мощности: малой или большой, по способу использования: переключательный или высокочастотный.

• Условные обозначения транзисторов состоят из элементов, содержащих буквы и цифры.

• Корпуса транзисторов обеспечивают защиту, отвод тепла и возможность подключения транзистора к схеме.

• Корпуса транзисторов обозначаются буквами ТО (transistor outline).

• При правильно поданном напряжении смещения переход эмиттер-база транзистора смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база — в обратном.

• Источники смещения р-n-р транзистора имеют полярность противоположную полярности источникам смещения n-p-n транзистора.

• Внутренний потенциальный барьер для германиевого транзистора составляет 0,3 вольта, а для кремниевого — 0,7 вольт.

• Напряжение обратного смещения, приложенное к переходу коллектор-база, выше, чем напряжение прямого смещения, приложенное к переходу эмиттер-база.

• При проверке транзистора с помощью омметра каждый переход показывает низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление при обратном смещении.

• Приборы для проверки транзисторов могут проверять транзисторы как в цепи, так и вне цепи.

Глава 22. САМОПРОВЕРКА

1. Переход транзистора может быть смещен в прямом направлении, в обратном направлении или быть несмещенным. Каковы нормальные условия смещения переходов эмиттер-база и коллектор-база в транзисторе?

2. Какое сопротивление должен показывать каждый переход при проверке исправного транзистора с помощью омметра?

3. Какие трудности возникают при определении типа материала и идентификации выводов эмиттера, коллектора и базы неизвестного транзистора при его проверке с помощью омметра?

4. Почему необходимо знать тип проводимости транзистора (n-р-n или р-n-р) при его подключении в цепь?

5. Чем отличается проверка транзистора с помощью омметра от проверки с помощью прибора для проверки транзисторов?

Радиационно стойкие транзисторы НИИИС

Состояние разработки: В стадии выполнения.
Технология: МОП на объемном кремнии 2.0 мкм
Типономиналы: p — канальные МОП транзисторы 2ПЕ118А9, 2ПЕ118Б9
n — канальные МОП транзисторы 2ПЕ117Б9, 2ПЕ117Б9
Напряжение сток-истока, макс.: + 50 В; +100 В ; + 200 В
Напряжение затвор-исток, макс.: 15 В
Ток стока, макс.: 1.5 A
Постоянная рассеиваемая мощность, макс.: 1.5 Вт
Пороговое напряжение: от +1.0 В до +2.5 В; от -1.0 В до -2.5 В
Максимально допустимое напряжение сток-истока: 2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 100 В
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118Б9: 200 В
Пороговое напряжение: для транзисторов p- типа от -1.0 В до -2.5 В
для транзисторов n- типа от +1.0 В до +2.5 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 0.45 Ом
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118A9: 0.65 Ом
Ток утечки затвора: до 200 нА
Емкость затвор-исток: 3.5 нФ
Тип корпуса: КТ 93-1, КФШЛ.432252.001ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:
1 — 0.8·5УС; 7И6 — 0.85·5УС; 7И7 — 0.9·5УС
1 — 97·5УС; 7С4 — 4.9·5УС
Температурный диапазон: -60ºС … +85ºС
Максимально допустимый ток стока: 10 А
Технические условия: АЕЯР.432140.868ТУ

Технические характеристики корпусов Transistor Outline (TO)

Корпуса TO

Требования к качеству

Почему герметичная упаковка так важна для высокоскоростной передачи данных?

В контексте микроэлектроники термин «герметичность» относится к герметичному уплотнению, которое предотвращает проникновение влаги и вредных газов в герметичный корпус. Допустимое содержание влаги внутри герметичной упаковки с полостью обычно не должно превышать 5000 частей на миллион водяного пара в течение всего срока службы устройства.Поэтому герметичными считаются только упаковки из стекла, металлов и керамики.

Как влага влияет на устройство?

Водород и водяной пар внутри упаковки снижают производительность и надежность чувствительных герметизированных компонентов. Это может привести к:

  • Химическая коррозия, вызывающая повреждение металлических межсоединений
  • Электрическая утечка через контакты
  • Электрические короткие замыкания из-за роста дендритов серебра и золота
  • Изменение импеданса линии передачи
  • Рассеяние света или дрейф длины волны в фотонных компонентах

Металлостеклянные банки ТО – выбор для надежной герметичности

Сварка стекла с металлом на протяжении десятилетий была предпочтительной технологией для изготовления вакуумных герметичных упаковок.Ключевые преимущества герметизации стеклом по сравнению с негерметичной или квазигерметичной полимерной упаковкой:

  • Без газовыделения: Металлостеклянные герметичные упаковки не содержат органических веществ и, следовательно, не выделяют газы с течением времени (подтверждено испытаниями по анализу остаточного газа).
  • Проницаемость близка к нулю: Металлостеклянные герметичные упаковки практически не пропускают газ.

Преимущества упаковок SCHOTT TO

В то время как сварка стекла с металлом является наиболее проверенной технологией изготовления герметичных упаковок, искусство прочного соединения стекла с металлом освоено лишь немногими.Более того, высокопроизводительные пакеты ТО с вакуумно-герметичными уплотнениями могут изготавливаться только с коллекторами и крышками, отвечающими самым строгим требованиям по долговечности.

Опираясь на более чем 50-летний опыт работы в области технического обслуживания, компания SCHOTT уделяет особое внимание обеспечению наиболее стабильного соответствующего качества, которое обеспечивает превосходную технологичность в производстве наших клиентов, обеспечивая высокую производительность и превосходную производительность, особенно в приложениях. которые требуют высокоскоростной передачи или приема оптических сигналов.

Идеально подходящие разъемы и крышки TO, а также широкие возможности индивидуальной настройки позволяют нашим клиентам разрабатывать высокопроизводительные оптические сборки для высокоскоростной инфраструктуры нового поколения.

Внешний вид корпуса транзистора | Продукты и поставщики

ПАКЕТ ТРАНЗИСТОРА

  • Описание: запасы сырья, которые можно быстро настроить в соответствии с вашими конкретными требованиями.Мы приглашаем вас ознакомиться с нашими предложениями продуктов и связаться с нами по любым вопросам, касающимся вашего последнего проекта. Транзистор Контуры представляют собой классические корпуса , которые до сих пор используются в современных

  • Описание: Группа Hermetic Solutions Group имеет большой опыт в производстве корпусов питания , в том числе корпусов с высокой мощностью рассеивания тепла и корпусов с транзистором схема .У нас самый большой выбор открытых инструментов, а также индивидуальные возможности для любого размера.

  • Описание: Avago HCPL-M453 представляет собой оптопару интерфейса модуля питания. Этот небольшой схема высокий CMR, высокоскоростной, диод- транзистор оптопара представляет собой одноканальное устройство в миниатюрном корпусе с пятью выводами. Его SO-5, зарегистрированный JEDEC (MO-155) , пакет , схема , не требует «через

    • Напряжение пробоя коллектора-эмиттера: 5 вольт
    • Напряжение изоляции: 3750 вольт
    • Вариант монтажа: поверхностный монтаж
    • Рабочая температура: от -55 до 100°C
  • Описание: компоненты передачи и приема. Транзистор Контуры (TO) и микроэлектроника Корпуса Герметичные корпуса для высокочастотных компонентов выпускаются в различных исполнениях и позволяют передавать большие объемы данных в существующих структурах, особенно в TO

    • Тип продукта: Упаковка Адаптеры/преобразователи
  • Описание: Avago HCPL-M452 представляет собой оптопару интерфейса модуля питания. Этот небольшой схема высокий CMR, высокоскоростной, диод- транзистор оптопара представляет собой одноканальное устройство в миниатюрном корпусе с пятью выводами.Его SO-5, зарегистрированный JEDEC (MO-155) , пакет , схема , не требует «через

    • Напряжение пробоя коллектора-эмиттера: 5 вольт
    • Напряжение изоляции: 3750 вольт
    • Вариант монтажа: поверхностный монтаж
    • Рабочая температура: от -55 до 100°C
  • Описание: Корпорация Materion поставляет керамические корпуса с воздушной полостью , которые соответствуют отраслевому стандарту , контуры для транзисторов RF Power .Эти пакеты обеспечивают проверенную производительность и надежность. Экономичные пакеты являются отличной платформой для беспроводных приложений в диапазоне 500

    • Применение: Другое
    • Форма / Форма: прутковый материал
  • Описание: Транзисторы , оснащенные резистором NPN/PNP (см. «Упрощенный контур , символ и выводы» для получения подробной информации о корпусе ). Особенности и преимущества Встроенные резисторы смещения Упрощенная конструкция схемы Уменьшение количества компонентов Снижение затрат на сборку и размещение

    • Тип упаковки: Другое
    • Полярность: дополнительная
  • Описание: Транзисторы , оснащенные резистором NPN/NPN (см. «Упрощенный контур , символ и выводы» для получения подробной информации о корпусе ).Особенности и преимущества Встроенные резисторы смещения Упрощенная конструкция схемы Уменьшение количества компонентов Снижение затрат на сборку и размещение

    • Тип упаковки: Другое
    • Полярность: NPN
  • Описание: Транзисторы , оснащенные резистором NPN/NPN (см. «Упрощенный контур , символ и выводы» для получения подробной информации о корпусе ). Особенности и преимущества Встроенные резисторы смещения Упрощенная конструкция схемы Уменьшение количества компонентов Снижение затрат на сборку и размещение

    • Тип упаковки: Другое
    • Полярность: NPN
  • Описание: Транзисторы , оснащенные резистором NPN/PNP (см. «Упрощенный контур , символ и выводы» для получения подробной информации о корпусе ).Особенности и преимущества Встроенные резисторы смещения Упрощенная конструкция схемы Уменьшение количества компонентов Снижение затрат на сборку и размещение

    • Тип упаковки: Другое
    • Полярность: дополнительная
  • Описание: Тип продукта Характеристики Разъем и контактные клеммы К: Печатная плата Упаковка Контур Размеры: TO-5 Тип продукта: Гнездо Конфигурация терминала: Контакт

    • Покрытие контактов: Позолота
    • Номинальный ток: 3 А
    • Крепление: Другое
    • Количество контактов: 3
  • Описание: Тип продукта Характеристики Разъем и контактные клеммы К: Печатная плата Упаковка Контур Размеры: TO-5 Тип продукта: Гнездо Конфигурация терминала: Контакт

    • Покрытие контактов: Золотое покрытие
    • Номинальный ток: 3 А
    • Крепление: Другое
    • Количество контактов: 8
  • Описание: Тип продукта Характеристики Разъем и контактные клеммы К: Печатная плата Упаковка Контур Размеры: TO-5 Тип продукта: Гнездо Конфигурация терминала: Контакт

    • Покрытие контактов: Золотое покрытие
    • Номинальный ток: 3 А
    • Крепление: Другое
    • Количество контактов: 3
  • Описание: Тип продукта Характеристики Разъем и контактные клеммы К: Печатная плата Упаковка Контур Размеры: TO-5 Тип продукта: Гнездо Конфигурация терминала: Контакт

    • Покрытие контактов: Золотое покрытие
    • Номинальный ток: 3 А
    • Крепление: Другое
    • Количество контактов: 3
  • Описание: Широкополосный GaN Транзистор 28 В, 4 Вт.GaN HEMT MAGX-011086 представляет собой широкополосный транзистор , оптимизированный для работы в диапазоне от постоянного тока до 6 ГГц в удобном для пользователя корпусе , идеально подходящем для приложений с высокой пропускной способностью. Устройство было разработано для насыщенной и линейной работы с уровнями выходной мощности 4.

  • Описание: — Низкое падение напряжения — Доступен квалификационный отчет в соответствии с AEC-Q101 — Малый схема SOT 343 упаковка Целевые приложения: — Для различных приложений, таких как сотовые и беспроводные телефоны, DECT, WLAN, PHS и RF модемы

  • Описание: SY100ELT23 — это двойные дифференциальные преобразователи PECL-to-TTL.Поскольку используются уровни PECL (положительный ECL), требуется только +5 В и заземление. Небольшой корпус с 8 выводами SOIC и конструкция ELT23 с малым перекосом и двойным затвором делают его идеальным для приложений, требующих

    • Входное напряжение: 5 вольт
    • Семейство логики
    • : Транзистор-транзистор Логика (TTL), PECL
    • Рабочий ток: 30 мА
    • Упаковка: SOIC, Другое
  • Описание: , рекомендует совместимый по выводам драйвер MIC5014 MOSFET.Дополнительные характеристики Работа от +4,75 В до +32 В Ток менее 1 мкА в выключенном состоянии Внутренний насос заряда для управления затвором N-канального силового полевого транзистора над источником питания Доступен в небольшом корпусе схема

  • Описание: 206T/ 207T/ 217T поставляются в стандартном корпусе SOIC-8A, маленьком корпусе , контур , корпус для поверхностного монтажа, что делает их идеально подходящими для приложений с высокой плотностью размещения в ограниченном пространстве.

    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 0.4000 вольт
    • Напряжение изоляции: 3000 вольт
    • Вариант монтажа: поверхностный монтаж
    • Рабочая температура: от -55 до 100°C
  • Описание: TRANSCLAMP-1 — это зажимное устройство, предназначенное для улучшения тепловых и электрических характеристик транзисторов RF Power . Размеры зажима были оптимизированы для большинства «Gemini» в корпусе RF power транзисторов . По вопросам совместимости обращайтесь к Richardson RFPD.Ключ

  • Описание: взаимодействие с различными схемами логического уровня. Удобная упаковка в низкопрофильной упаковке для поверхностного монтажа . Особенности Маленький схема Поверхностный монтаж Буфер с высокой помехоустойчивостью Открытый коллектор Угол приема 130° Соответствует RoHS

    • Тип выхода: Токовый выход
    • Тип фотодатчика: Фотодиод PN
    • Напряжение питания: 16 В
  • Описание: цепи.SKY65173-70LF использует недорогую технологию поверхностного монтажа (SMT) в виде 4-контактного разъема 2,4 x 4,5 мм Small Outline Transistor (SOT-89) package .

    • Диапазон частот: от 869 до 960 МГц
    • Максимальное усиление: 16,5 дБ
    • Коэффициент шума: 2,6 дБ
    • Выходная точка пересечения (IP 3 ): 44 дБм
  • Описание: передающие цепи. SKY65162-70LF использует недорогую технологию поверхностного монтажа (SMT) в виде 4-контактного разъема 2.4 x 4,5 мм Маленький Контур Транзистор (SOT-89) упаковка .

    • Применение: Наземные ВЧ/СВЧ системы
    • Диапазон частот: от 400 до 2700 МГц
    • Входной КСВ: 24:1
    • Максимальное усиление: 20 дБ
  • Описание: передающие цепи. SKY65162-70LF использует недорогую технологию поверхностного монтажа (SMT) в виде 4-контактного разъема 2,4 x 4,5 мм Small Outline Transistor (SOT-89) package .

    • Категория: макетная плата
  • Описание: HMC219B представляет собой сверхминиатюрный двойной балансный микшер общего назначения в 8-выводном пластиковом корпусе mini small , контур , корпус с открытой площадкой (MINI_SO_EP). Этот пассивный монолитный микроволновый смеситель с интегральной схемой (MMIC) изготовлен из металла арсенида галлия (GaAs).

    • Потери при преобразовании: 9 дБ
    • Диапазон частот ПЧ: от 0,0 до 3000 МГц
    • LO — IF Изоляция: 35 дБ
    • LO — ВЧ изоляция: 40 дБ
  • Описание: IBI100 состоит из фототранзистора, оптически связанного с инфракрасным диодом AlGaAs, в безвыводном гибридном корпусе для поверхностного монтажа .Характеристики Гибридный 6-контактный корпус Напряжение изоляции 1500 В пост. тока Высокий CTR Малый корпус контур Высокий

    • Напряжение пробоя коллектора-эмиттера: 30 вольт
    • Напряжение изоляции: 1500 вольт
    • Вариант монтажа: плоская упаковка
    • Рабочая температура: от -55 до 125°C
  • Описание: 61010 представляет собой планарный кремниевый транзистор Photodarlington N-P-N в небольшом корпусе , предназначенном для установки в корпус.Большая эффективная апертура и узкая угловая чувствительность делают это высокочувствительным устройством с минимальной чувствительностью к внеосевому или рассеянному свету. Этот датчик

    • Темновой ток: 250 нА
    • Рабочая температура: от -55 до 125°C
    • PN, PIN или Avalanche: фотодиод PN, фотодиод PIN
    • PSD: Да
  • Описание: цепи. SKY65173-70LF использует недорогую технологию поверхностного монтажа (SMT) в виде 4-контактного разъема 2.4 x 4,5 мм Маленький Контур Транзистор (SOT-89) упаковка . Характеристики Широкополосный диапазон частот: от 869 до 960 МГц. Низкий уровень шума.

  • Тип усилителя: Малошумящий усилитель, усилитель мощности
  • Диапазон частот: от 869 до 960 МГц
  • Максимальное усиление: более 16,5 дБ
  • Максимальное рабочее напряжение: 5 вольт
  • Описание: предупреждение о сбое питания. ADM696/ADM697 доступны в 16-контактном DIP-разъеме и в небольших корпусах , корпус , корпус и обеспечивают следующие функции: Выход сброса при включении питания во время включения, выключения питания и отключения питания.Пороговое значение напряжения СБРОСА регулируется с помощью внешнего источника напряжения.

    • Особенности: Сторожевой таймер (WDT), Предупреждение о сбое питания
    • Рабочая температура: от -55 до 125°C
    • Тип упаковки: SOIC
    • Количество выводов: 16

Поиск поставщиков по категориям Топ

  • Высокопроизводительный балун WLAN, использующий интегрированную пассивную технологию на подложке SI-GaAs

    Сообщается о малогабаритной технологии упаковки транзисторов с трехмерным электромагнитным моделированием.

  • Экологические испытания WRCIP, PEMS и транзисторы для поверхностного монтажа CHP

    Эти компоненты производятся в корпусе HSOT (герметичный малогабаритный транзистор) компанией Sertech Labs, входящей в состав компании Microsemi.

  • Планарная несимметричная антенна CPW FED с модифицированным Н-образным слотом для приложений WLAN/Wi-MAX.

    Технология упаковки транзисторов с небольшим контуром с трехмерным изображением сообщается об электромагнитном моделировании.

  • Параметры процесса контактной проекционной сварки корпуса оптического передающего устройства

    Ключевые слова: допустимый диапазон сварки, проверка на герметичность гелием, технологический процесс. параметр, контактная проекционная сварка, корпус транзистора.

  • Справочник Springer по лазерам и оптике

    Часто детектор помещается в герметичный транзисторный корпус (например, ТО-5, ТО-39 или ТО-3). 8) для защиты от окружающей среды и радиочастотного экрана интегральные полевые транзисторы или операционные усилители.

  • Упаковка микросенсора

    Кремниевые датчики давления были упакованы для многих лет в специальных корпусах TO (схема транзисторов) с порты давления либо в опорной плите, либо в крышке (например,, Серия In®neon KPY 40 [8]).

  • http://dspace.mit.edu/bitstream/handle/1721.1/37686/127297129-MIT.pdf?sequence=2

    Ниже производительность, чувствительные к стоимости устройства собираются в менее дорогих форматах корпусов транзисторов, таких как TO-46 и TO-56. Пакет бабочки по-прежнему Самый популярный выбор оптоэлектронной упаковки.

  • Новые методы и приборы для тестирования функциональности, производительности и надежности МЭМС на уровне устройств, чипов и пластин.

    Образец смонтирован на корпусе контура транзистора (ТО). (слева), который установлен на специальном держателе с электрическими соединениями (в центре), которые можно поместить в нано индентор (слева).

  • Корпорация Newport предлагает сборку Eutectic в «корпусах TO» на усовершенствованном устройстве для склеивания упаковочных штампов MRSI-605

    Пакеты схемы транзисторов или «пакеты TO», обычно называемые TO Cans или TO Headers, являются популярным стилем упаковки для приложений фотоники.

  • Бесцветный оптический передатчик для восходящего WDM PON на основе преобразования длины волны

    RSOA, использованный в эксперименте, не Охлаждаемый прибор в корпусе транзистора.

46.Типы дискретных пакетов|Chip One Stop

Тип упаковки: TO-92 Биполярный транзистор в пластиковом корпусе

2SJ346 : P-канальный тип MOS (высокоскоростное переключение, приложения аналогового переключателя).

MPS-A65 : Кремниевые планарные эпитаксиальные транзисторы Дарлингтона.

NEZ5964-8D : 4w/8w C-диапазон Power GAAS Fet N-канальный GAAS Mes Fet. GaAs полевые транзисторы серии NEZ обладают высокой выходной мощностью, высоким коэффициентом усиления и высокой эффективностью в C-диапазоне для микроволновой и спутниковой связи. Внутренние входные и выходные схемы согласованы до 50 Ом и предназначены для обеспечения хорошей равномерности усиления и выходной мощности в выделенной полосе частот. Для снижения теплового сопротивления устройство имеет PHS (Plated Heat.

).

PBSS4140S : PBSS4140S; Транзистор NPN 40 В Low Vcesat; Упаковка: SOT54 (СПТ, Е-1).

PHP212/T3 : Транзистор MOSFET Sot-96. Продукт Заменяет данные от 23 октября 1996 г. Файл в Discrete Semiconductors, SC13b 18 июня 1997 г. Высокоскоростное переключение Отсутствие вторичного пробоя Очень низкое сопротивление в открытом состоянии. ПРИМЕНЕНИЕ Привод двигателя и привода Управление питанием Синхронное выпрямление. Два МОП-транзистора с режимом улучшения P-канала в 8-контактном пластиковом корпусе SOT96-1 (SO8). ОСТОРОЖНО Устройство.

VTO39-12HO7 : Мосты с половинным и полным управлением. Условия = 85С, модуль 85С; (180 синус; на тиристор) TVJ = 0 TVJ = TVJM мс (50 Гц), синус мс (60 Гц), синус мс (50 Гц), синус мс (60 Гц), синус мс (50 Гц), синус мс ( 60 Гц), синусоидальный мс (50 Гц), синусоидальный мс (60 Гц), синусоидальный Корпус с керамической пластиной DCB Напряжение изоляции 3000 В~ Планарные пассивированные микросхемы Низкое прямое падение напряжения Выводы подходят для печатной платы.

05002-100AMZB : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0,00001 мкФ, НАНЕСИТЕЛЬНЫЙ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 1,00E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

FCF10A20FR : ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Пакет: ТО-220, АНАЛОГИЧНЫЙ ТО-220, 3 PIN.

NTCDP40203LG202HC : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ от ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 20000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ.s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие; Диапазон сопротивления: 20000 Ом; Рабочая температура: от -40 до 165 C (от -40 до 329 F).

PDTA115TE : 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, SC-75, 3 PIN.

SH035M0100ST : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 35 В, 100 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: поляризованный; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 35 вольт; Ток утечки: 115 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F).

SK01 : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 25–500 В, КРЕПЛЕНИЕ В СКВОЗНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

SR190 : 1 А, 90 В, КРЕМНИЕВЫЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-41. s: Упаковка: ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-2 ; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1000 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

TCML1-19X+ : ВЧ ТРАНСФОРМАТОР 800–1900 МГц. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: RF; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая температура: от -20 до 85 C (от -4 до 185 F).

WA13 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ЛАЗУРОВКА/ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,2 Вт, 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 30 %, 0,1 Ом — 100000000000 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), ЧИП; Рабочее напряжение постоянного тока: 122 вольта; Рабочая температура: 70°С (158°F).

Классификация Код упаковки Типичное изображение Резюме

Система SC

SC51

Он широко используется в качестве упаковки для транзистора. форма аналогична ТО92.

SC59

Это пакет, эквивалентный SOT23, TO236 MOD JEDEC. код.Каждый поставщик имеет свое имя для этого пакета. Например, он называется Mini Mold (Ex-NEC Электроника), S-MIN (I Toshiba) и TSM (Toshiba) в зависимости от поставщика.

SC62

Это пакет, эквивалентный SOT89, TO243 JEDEC. код.Каждый поставщик имеет свое имя для этого пакета. Он называется Power Mini Mold (электроника Ex-NEC), PW-Min(i Toshiba, UPAK(Ex-Renesas Technology Corp).

SC63/SC64/SC65/SC67

Он широко используется в качестве пакета для напряжения регулятор.SC63 иногда обозначается как PW-Mold. (Toshiba), DPAK(S)/MP-3 (Renesas Technology) в зависимости на поставщика.

SC70

В нынешних условиях у каждого поставщика есть свое имя для этого пакета.Он называется SSP (Ex-NEC электроника), UMT3/CMPAK(NXP), USM(Toshiba)в зависимости от поставщик.

Система SOT (маленький контурный транзистор)

СОТ23

Иногда его представляют как МПАК (Renesas Technology), SMV (Toshiba) и MTP5 (Новое японское радио). Ко., ООО) в зависимости от поставщика. В ДЖЕЙТА стандартный, он представлен как SC74A. В настоящее время есть 5-контактный, 6-контактный и 8-контактный, и он многоцелевой используется как компактный пакет различных ИС хотя изначально он был разработан как 3-контактный пакет. Шаг свинца 0,95 мм.

СОТ223

Существуют типы 3-контактных и 5-контактных, и этот тип пакет имеет вкладку для излучения.Иногда это представлен как Power Mini Mold (NEC Electronics), PW-Min (i Toshiba) и УПАК (Renesas Technology). Ведущая подача составляет 1,5 мм.

СОТ89

Характеристика этого пакета: 1 контакт имеет шире, чем остальные 3 контакта.Ведущий шаг 1,9 мм.

Система SOT (маленький контурный транзистор)

СОТ143

Этот тип упаковки имеет вкладку для излучения SOT23.Это используется в качестве компактного пакета для излучения регулятор напряжения в IC, и имеет 4 контакта, 5 контактов и 6 булавки. Шаг свинца 2,3 мм.

Система TO (схема транзистора)

Пластик/керамика

ТО3П

В настоящее время он широко используется в качестве упаковки для напряжения регулятор, хотя изначально это пакет для транзистор.

ТО92

Этот пакет эквивалентен TO226AA кода JEDEC.

TO220/TO220AB/Изолированный TO220

Радиатор устанавливается на противоположной стороне отвода. в этом пакете.Используется как компактный пакет для излучения регулятора напряжения в ИС, и имеет 3 контакты, 5 контактов, 7 контактов.

ТО247

Радиатор устанавливается на противоположной стороне отвода, и сравнительно тонкий тип упаковки.

ТО252

Многие производители называли его DPAK, PPAK, SC63, SC64.

Система TO (схема транзистора)

Пластик/керамика

ТО263

Многие производители называют его D2PAK.Размер аналогичен TO220 форма сравнительно небольшая.

TO System(Transister Outline)

Metal CAN

ТО3/ТО66

TO3 — более старый пакет.Внешняя форма полностью сетчатая, конструкция может быть закреплена на радиаторе с помощью винта, становясь типом шляпы, и используя два боковых отверстия.

ТО5/ТО12/ТО8/ТО33/ТО39

Это цилиндрическая металлическая упаковка.Внешняя форма ТО5 и ТО39, ТО12 и ТО33 аналогичны. В ТО8 есть немного больше.

ТО18/ТО72

Это цилиндрическая металлическая упаковка. Внешняя форма похож на TO5, но отличается размером и формой головная часть.

ТО46/ТО99/ТО100

Это цилиндрическая металлическая упаковка. Название отличается из-за разницы битовых чисел.

2N3906 техническое описание — Тип упаковки: TO-92 Биполярный транзистор в пластиковой оболочке,

1N5614U : VRWM = 200 В ;; Io(A) = 1,5;; Trr(nS) = 2000 ;; Упаковка = смд, стекло ;; Терминалы = с вкладками, для поверхностного монтажа.

DTA115EE : . ! 1) Встроенные резисторы смещения позволяют настроить схему инвертора без подключения внешних входных резисторов (см. эквивалентную схему). 2) Резисторы смещения состоят из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией, чтобы обеспечить положительное смещение входа, а паразитные эффекты почти полностью устранены.3) Нужны только условия включения/выключения.

FTR-P3 : . КОМПАКТНОЕ СИЛОВОЕ РЕЛЕ — 25 А ДЛЯ АВТОМОБИЛЬНЫХ ПРИМЕНЕНИЙ Серия FTR-P3 Компактный для упаковки высокой плотности. (65% объема предыдущего поколения серии FBR 51/52). q Высокая контактная мощность благодаря проверенному контактному материалу. (100 000 операций, 25 А, даже при уменьшенном размере). q Экономия энергии катушки (номинальное значение 600 мВт достигается благодаря современному магниту.

MCH6612 : . Низкое сопротивление включению. ед. : мм Сверхскоростное переключение.Привод 2173А 4В. Композитный тип с двумя полевыми МОП-транзисторами в одном корпусе, облегчающий монтаж с высокой плотностью. s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая рассеиваемая мощность Температура канала Температура хранения Обозначение VDSS VGSS.

MMBTA55 : Усилитель общего назначения PNP. Это устройство предназначено для применения в усилителях общего назначения при токах коллектора до 300 мА. Получено из Процесса 73. Характеристики см. в стандарте MPSA56.VCES VCBO VEBO IC TJ, Tstg Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база коллектор Ток — непрерывный *Данные номинальные значения являются предельными значениями, выше которых работоспособность любого полупроводникового прибора.

NTE6094 : Кремниевый выпрямитель с барьером Шоттки. Пиковое повторяющееся обратное напряжение 45 В..

SSUR3140 : сверхбыстрый выпрямитель (менее 100 нс), комплектация: DO-4.

AUIRFP1405 : 95 А, 55 В, 0,0053 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC.s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 55 вольт; RDS(вкл.): 0,0053 Ом; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-3; Количество юнитов в ИС: 1.

BSX47E4 : 1 A, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-39, 3 PIN.

BYW27-1000AMP : 1 А, 1000 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-2 ; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1000 мА.

DA2J108 : 0.2 А, 300 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Комплектация: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SMINI2-F5-B, 2 PIN; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 200 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

IRFN340-JQR-B : 7,5 А, 400 В, 0,7 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 400 вольт; RDS(вкл.): 0,7000 Ом; Тип упаковки: ТО-220, ГЕРМЕТИЧЕСКИЙ, ТО-220СМ, 3-контактный; Количество юнитов в ИС: 1.

NSZ-10 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 10 Вт, 5; 10 %, 300 частей на миллион, 0.1 Ом — 50 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Радиальные выводы, РАДИАЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ; Рабочая температура: от -50 до 40 C (от -58 до 104 F).

PUMT1G-AL6-R : 100 мА, 40 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПАКЕТ БЕЗ ГАЛОГЕНА-6.

RJP4007ANS-00-Q6 : 400 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канальный ; Тип упаковки: 4.40 Х 3 ММ, ПЛАСТИК, ВСОН-8 ; Количество юнитов в ИС: 1.

2N869.MOD : 100 мА, 25 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-206AA. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧНАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-18, 3 PIN.

до 18 пакета типа BJT транзистор 2N2222A переключение REED REED EDR201A05

A

1

Максимальный эмиттер Базовое напряжение 9002

Компонентные характеристики Компонентные параметры
тип дизайна 2N2222A
Transistor OutlinePackage Тип Корпус: до-18, до-92, до-39
Семья BJT, NPN
Материал транзистора

01

1

15

NPN Максимальная мощность диссипация 500 мВт / 1200 мВт
Максимальный коллектор для базового напряжения 75V
Максимальный коллектор для эмиттера напряжение 90V 50V 6V
Максимальный коллекторный ток 800 мА
Минимальный H Fe

01

Усиливание 9
Производители
  1. на полупроводниковых
  2. Fairchild Semiconductor
  3. NXP полупроводники Philips
  4. ST Microelectronics
  5. SEME Лаборатория
  6. SEMICOA Полупроводники
  7. Бока Semicondu ктор корп.
  8. Micro Electronics
  9. Microsemi Lavrence

    3

  10. Центральный полупроводник Corp.
  11. New Jercy Semiconductor Products Inc.
  12. Compets Semiconductors
  13. CDIL — CONTOVENTAL DEVICE INDIA INDIAL Ltd.
  14. Multi Comp
  15. Tiger Electronics Co. Ltd.

Три режима эксплуатационной области транзисторов:

  1. Active Region
  2. Область насыщения
  3. Регион насыщенности

1 —  Характеристики активной области :

  • В «активной области» транзистор работает как «усилитель»
  • Соединение база-эмиттер имеет прямое смещение.
  • Соединение коллектор-база имеет обратное смещение.

2-  Характеристики области насыщения :

  • В области «насыщения» транзистор работает как «замкнутый ключ».
  • Электрод «База» подключен к напряжению питания [Vcc]
  • Напряжение на переходе База-Эмиттер больше 0,6 В , т. е. В BE > 4
  • Соединение база-эмиттер смещено в прямом направлении.
  • Соединение коллектор-база имеет прямое смещение.
  • Максимальный ток коллектора насыщения [ Ic ]  течет, т.е. [ Ic=Vcc/R L ]
  • Это состояние транзистора действует как «Полностью включено», а это «Область насыщения».
  • Напряжение между коллектором и эмиттером  [ В CE  ]  в идеальном случае примерно равно нулю. [V CE  = 0V]

3- Характеристики области отсечки :

  • «Основной» электрод заземлен до нулевого напряжения  [ 0 В ].
  • Напряжение перехода база-эмиттер меньше 0,6 В  т.е. В BE  <   0,6 В.
  • Соединение база-эмиттер имеет обратное смещение.
  • Соединение коллектор-база имеет обратное смещение.
  • Нет тока коллектора [ Ic ]  протекает, т.е. [ Ic=0   ].
  • Это состояние транзистора действует как «Полностью ВЫКЛ», и это «Область отсечки».
  • Коллектор для эмиттера напряжение [V CE ] примерно равен напряжению питания [V CC ] [V CE = V CC ]

Типы корпуса транзистора

Нержавеющая сталь
Упаковка Аналоги
402
05-П
10D3
1412 Минипак
17 вечера
21:00
2502LFLG
2x ТО-18
35 микро-X
36 микро-X
76 х
77 х
19:00
85-П
86-П
9А4 SOT-9 (4-контактный) /ProElectron/, TO-66 /JEDEC/
А1Е26
ДОБАВИТЬ А-ПАК
AFY34
КАН
CLCC-18
D2B1
D2B2
D2B4
Д2ПАК
Д-61-8
Д-61-8-СЛ
Д-61-8-СМ
D-67 (ПОЛОВИНА УПАКОВКИ)
ДИЛ-4 ТО-250АА /ДЖЕДЕК/
ДИП-12
ДИП-14
ДИП-16
ДИСК41
ДИСК42
ДИСК51
ДИСК54
ДИСК55
ДИСК56
ДО-10
ДО-11
ДО-12
ДО-17
ДО-18
ДО-19
ДО-2
ДО-20
ДО-200АА
ДО-200АБ
ДО-200АБ
ДО-200АС
ДО-200АД
ДО-201АА (ДО-27)
ДО-201АД
ДО-202АА (ДО-13)
ДО-203АА (ДО-4)
ДО-203АБ (ДО-5)
ДО-204АА (ДО-7)
ДО-204АБ (ДО-14)
ДО-204АС (ДО-15)
ДО-204АД (ДО-16)
ДО-204АЭ (ДО-26)
ДО-204АФ (ДО-29)
ДО-204АГ (ДО-34) СОД-68 /ПроЭлектрон/
ДО-204АХ (ДО-35) СОД-27 /ПроЭлектрон/
ДО-204АЛ (ДО-41)
ДО-204АР
ДО-205АА (ДО-8)
ДО-205АБ (ДО-9)
ДО-205АС
ДО-21
ДО-210АА (ДО-1)
ДО-213АА
ДО-213АБ
ДО-213АС
ДО-214АА
ДО-214АБ
ДО-214АС СОД-106 /ПроЭлектрон/
ДО-22
ДО-23
ДО-24
ДО-25
ДО-28
ДО-3
ДО-30
ДО-31
ДО-32
ДО-33
ДО-36
ДО-37
ДО-38
ДО-39
ДО-40
ДО-42
ДО-43
ДО-44
ДО-45
ДО-6
ДП
Д-ПАК
Э-ЛАЙН
ФМ
ФМ-100
ФМ-20
ФП-14
Ф-ПАК
ШЕСТИГРАННЫЙ
И2ПАК
INT-A-PAK
И-ПАК
ИЗОТОП
ИЗОВАТТ-221
J2A32
J2A7
К-ПАК
КС133А
L3L15
Л3О12
ЛЦК-1
ЛЦК-2
ЛЦК-3
ЛЦК-4
ЛЦК-6
ОООС-4
LPCC-16 МО-229 /JEDEC/
LPCC-6 МО-229 /JEDEC/
LPCC-8 МО-229 /JEDEC/
М-111
М-118
М-122
М-123
М-147
М-154
М-156
М-162
М-164
М-168
М-169
М-174
М-198
М-205
М-207
М-208
М-208
М-228
МАКРО-H
МАКРО-Т
МАКРО-Х
МБ-13
МД-34
МД-36
МЭЛФ
МИКРО-6
Микро-Е
Мини-форма SC-59 /JEITA/, SOT-346 /ProElectron/, TO-236 /JEDEC/
МЛП832
ММ-1
ММ-17
ММ-3
ММ-4
ММ-5
ММ-8
МО-150АЭ ССОП-20 /Спец/, СОТ-339-1 /ПроЭлектрон/
МО-178 СОТ-23-5 /ПроЭлектрон/
МО-178-АА
МО-229 LPCC-6 /специальный/, LPCC-8 /специальный/, LPCC-16 /специальный/
МП-10
МП-2 СК-84 /ДЖЕЙТА/
МП-25 ТО-220АБ (ТО-220) /JEDEC/, SOT-78 /ProElectron/, SC-46 /JEITA/
МП-25СК ТО-262 /ДЖЕДЕК/
MP-25ZJ ЗК ЗП СОТ-404 /ПроЭлектрон/, ТО-263 /ДЖЕДЕК/
МП-25ЗТ ТО-263-7 /ДЖЕДЕК/
МП-3 ТО-251 /ДЖЕДЕК/
МП-3-З ТО-252 /ДЖЕДЕК/, СОТ-428 /ПроЭлектрон/
МП-45
МП-45Ф СОТ-186 /ПроЭлектрон/, ТО-220И /ДЖЕДЕК/
МП-5 СОТ-32 /ПроЭлектрон/, ТО-225АА /ДЖЕДЕК/, ТО-126-ИСО /ДЖЕДЕК/, ТО-126 /ДЖЕДЕК/
МП-88 ТО-3П
М-ПАК
МС-7
МТ-1
МТ-100
МТ-11
МТ-200
МТ-21
МТ-25
МТ-27
МТ-28
МТ-34
МТ-36
МТ-38
МТ-4
МТ-60
МТ-62
МТ-65
МТ-67
МТ-72
МТ-9
МТ-90
М-ТИП
МВт-6
Н-ПАК
ОВ-1
ОВ-16
ОВ-17
ОВ-9
ПЛКК-20
PowerSO-10
ПОВИРТАБ
П-ПАК
QFN-16
КФН-4
КФН-8
Р-108
Р-119
Р-135
Р-137
Р-138
Р-14
Р-144
Р-145
Р-19
Р-27
Р-31
Р-31
Р-32
Р-45
Р-46
Р-55
Р-57
Р-68
Р-77
Р-78
Радиальный-4А
Радиальный-4Б
РД-91
С-138
С-7
СК-101 СОТ-883 /ПроЭлектрон/
СК-43 ТО-226АА (ТО-92) /ДЖЕДЕК/, СОТ-54 /ПроЭлектрон/
СК-43А SOT-54 /ProElectron/, TO-226AA (TO-92) /JEDEC/
СК-46 СОТ-78 /ПроЭлектрон/, ТО-220АБ (ТО-220) /ДЖЕДЕК/, МП-25 /Спец/
СК-59 Мини-форма /Специальная/, TO-236 /JEDEC/, SOT-346 /ProElectron/
СК-59/4 СК-61 /ДЖЕЙТА/
СК-59/5 СК-74А /ДЖЕЙТА/, СОТ-753 /ПроЭлектрон/
СК-59/6 ТСОП-6 /Спец/, СК-74 /ДЖЕЙТА/, СОТ-457 /ПроЭлектрон/
СК-59А
СК-61 СК-59/4 /Особый/
СК-61АА СОТ-143Р /ПроЭлектрон/
СК-62 ТО-243АА /ДЖЕДЕК/, СОТ-89 /ПроЭлектрон/, ТО-243 /ДЖЕДЕК/
СК-70 СОТ-323 /ПроЭлектрон/
СК-70-4 СОТ-343Р /ПроЭлектрон/
СК-70-5 SOT-353 /ProElectron/, SC-88A /JEITA/
СК-70-6 СОТ-363 /ПроЭлектрон/, СК-88 /ДЖЕЙТА/
СК-72 /Специальная/
СК-73 ТО-261-АА /JEDEC/, СОТ-223 /ProElectron/, ТО-261 /JEDEC/
СК-74 СК-59/6 /Спец/, СОТ-457 /ПроЭлектрон/, ТСОП-6 /Спец/
СК-74А СК-59/5 /Спец/, СОТ-753 /ПроЭлектрон/
СК-75 СОТ-416 /ПроЭлектрон/
СК-76 СОД-323 /ПроЭлектрон/
СК-79 СОД-523 /ПроЭлектрон/
СК-84 МП-2 /Особый/
СК-88 СК-70-6 /ЭИАЖ/, СОТ-363 /ПроЭлектрон/
СК-88А СК-70-5 /ЭИАЖ/, СОТ-353 /ПроЭлектрон/
СК-89 ТУСМ /Спец/, СОТ-490 /ПроЭлектрон/
СК-89-5
СК-90 СОД-323Ф /ПроЭлектрон/
СК-95
СК-95-5
СК-96
СКД-80
SCT-598
ПОЛУУПАКОВКА0
ПОЛУУПАКОВКА1
ПОЛУУПАКОВКА1A
ПОЛУУПАКОВКА2
ПОЛУУПАКОВКА3
ПОЛУУПАКОВКА3A
ПОЛУУПАКОВКА3B
ПОЛУУПАКОВКА4
ПОЛУУПАКОВКА5
ПОЛУУПАКОВКА6
СИП
СМ-8
СМА
SmartC2
SmartC4
SMB
SMC
СМД-1
СМД-10
СМД-2
СМД-3
СМД-4
СМД-П
СО-16
СО-4
СО-6
СО-6-4
СО-8 СОТ-96-1 /ПроЭлектрон/
СОД-106 ДО-214АС /ДЖЕДЕК/
СОД-110
СОД-113
СОД-123
СОД-123Ф
СОД-15
СОД-16
СОД-17
СОД-23
СОД-26
СОД-27 ДО-204АХ (ДО-35) /ДЖЕДЕК/
СОД-323 СК-76 /ДЖЕЙТА/
СОД-323Ф СК-90 /ДЖЕЙТА/
СОД-36
СОД-523 СК-79 /ДЖЕЙТА/
СОД-57
СОД-6
СОД64
СОД-68 ДО-204АГ (ДО-34) /ДЖЕДЕК/
СОД-723
СОД-723А
СОД-80
СОД-882
СОД-882Т
СОП-10
СОП-16
СОП-8
СОТ-103
СОТ-11
СОТ-1123
СОТ-128 ТО-202 /ДЖЕДЕК/
СОТ-143 ТО-253 /ДЖЕДЕК/, ТО-253АА /ДЖЕДЕК/
СОТ-143Б
СОТ-143Р SC-61AA /ДЖЕЙТА/
СОТ-161
СОТ-171
СОТ-172
СОТ-173
СОТ-186 МП-45Ф /Спец/, ТО-220И /ДЖЕДЕК/
СОТ-199
СОТ-223 ТО-261-АА /JEDEC/, SC-73 /JEITA/, ТО-261 /JEDEC/
СОТ-223-5
СОТ-227
СОТ-23 ТО-236 /ДЖЕДЕК/, ТО-236АБ /ДЖЕДЕК/
СОТ-23-5 МО-178 /JEDEC/
СОТ-23-6
СОТ-25
СОТ-263
СОТ-30
СОТ-32 ТО-225АА /JEDEC/, МП-5 /Специальный/, ТО-126-ISO /JEDEC/, ТО-126 /JEDEC/
СОТ-323 СК-70 /ДЖЕЙТА/
СОТ-33
СОТ-339-1 МО-150АЭ /JEDEC/, SSOP-20 /Специальный/
СОТ-343
СОТ-343Ф
СОТ-343Н
СОТ-343Р СК-70-4 /ДЖЕЙТА/
СОТ-346 TO-236 /JEDEC/, мини-форма /специальная/, SC-59 /JEITA/
СОТ-353 СК-70-5 /ЭИАДЖ/, СК-88А /ДЖЕЙТА/
СОТ-363 СК-88 /ДЖЕЙТА/, СК-70-6 /ЭИАДЖ/
СОТ-37 ТО-50/3 /ДЖЕДЕК/
СОТ-38
СОТ-399
СОТ-404 ТО-263 /JEDEC/, MP-25ZJ ZK ZP /Специальный/
СОТ-416 СК-75 /ДЖЕЙТА/
СОТ-42
СОТ-426
СОТ-428 МП-3-З /Спец/, ТО-252 /ДЖЕДЕК/
СОТ-429
СОТ-457 TSOP-6 /Специальный/, SC-74 /JEITA/, SC-59/6 /Специальный/
СОТ-48
СОТ-490 СК-89 /ДЖЕЙТА/, ТУСМ /Специальный/
СОТ-5 ТО-205АД /ДЖЕДЕК/, ТО-39 /ДЖЕДЕК/
СОТ-505-1 ЦСОП-8 /Особый/
СОТ-54 ТО-226АА (ТО-92) /JEDEC/, SC-43 /JEITA/, SC-43A /JEITA/, X-55 /Specia= л/
СОТ-552-1 ЦСОП-10 /Спец/
СОТ-563
СОТ-64
СОТ-663
СОТ-665
СОТ-666
СОТ-723
СОТ-753 SC-59/5 /специальный/, SC-74A /JEITA/
СОТ-78 ТО-220АБ (ТО-220) /JEDEC/, МП-25 /Специальный/, SC-46 /JEITA/
СОТ-82
СОТ-883 СК-101 /ДЖЕЙТА/
СОТ-89 ТО-243АА /ДЖЕДЕК/, СК-62 /ДЖЕЙТА/, ТО-243 /ДЖЕДЕК/
СОТ-89-4
СОТ-9 ТО-66 /ДЖЕДЕК/
SOT-9 (4 контакта) 9А4 /ДИН41875/, ТО-66 /ДЖЕДЕК/
СОТ-93 ТО-218АА /JEDEC/, ТОП-3 /Специальный/, ТО-218 /JEDEC/
СОТ-96
СОТ-96-1 СО-8 /Особый/
СОТ-963
СОТ-98
СП-0
СП-1
СП-10
СП-2
СП-3
СП-8
СП-9
С-ПАК
ССОП-20 МО-150АЭ /ДЖЕДЕК/, СОТ-339-1 /ПроЭлектрон/
ССОП-8
нержавеющая сталь СК-72 /ДЖЕЙТА/
СуперСОТ-3
СуперСОТ-6
СуперСОТ-8
Т-МАКС
ТО-1 Х-9 /Особый/
ТО-1 (2-контактный)
ТО-10
ТО-100
ТО-102
ТО-105 ТО-222АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-106
ТО-107
ТО-11
ТО-114
ТО-116
ТО-117
ТО-12 ТО-205АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-120
ТО-122
ТО-126 СОТ-32 /ПроЭлектрон/, ТО-225АА /JEDEC/, МП-5 /Спец/, ТО-126-ИСО /ДЖЕДЕК/
ТО-126-ИСО СОТ-32 /ПроЭлектрон/, ТО-225АА /JEDEC/, МП-5 /Специальный/, ТО-126 /JEDEC= /
ТО-127 ТО-225АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-128
ТО-129
ТО-13
ТО-131
ТО-17
ТО-18 ТО-206АА /ДЖЕДЕК/
ТО-18 (2-контактный)
ТО-202 СОТ-128 /ПроЭлектрон/
ТО-204АА ТО-3 /ДЖЕДЕК/
ТО-204АБ ТО-41 /ДЖЕДЕК/
ТО-204АЭ ТО-3 /ДЖЕДЕК/
ТО-205АА ТО-5 (2-контактный) /JEDEC/
ТО-205АБ ТО-12 /ДЖЕДЕК/
ТО-205АС ТО-33 /ДЖЕДЕК/
ТО-205АД ТО-39 (2-контактный) /JEDEC/, СОТ-5 /ProElectron/, ТО-39 /JEDEC/
ТО-205АФ
ТО-205АГ ТО-56 /ДЖЕДЕК/, ТО-39 /ДЖЕДЕК/
ТО-206АА ТО-18 /ДЖЕДЕК/
ТО-206АБ ТО-46 /ДЖЕДЕК/
ТО-206АС ТО-52 /ДЖЕДЕК/
ТО-206АФ ТО-72 /ДЖЕДЕК/
ТО-210АБ ТО-60 /ДЖЕДЕК/
ТО-213АА ТО-66 /ДЖЕДЕК/
ТО-218 SOT-93 /ProElectron/, TOP-3 /Special/, TO-218AA /JEDEC/
ТО-218АА ТО-218 /JEDEC/, СОТ-93 /ПроЭлектрон/, ТОП-3 /Спец/
ТО-218-ИСО
ТО-22
ТО-220АБ (ТО-220) МП-25 /Спец/, СК-46 /ДЖЕЙТА/, СОТ-78 /ПроЭлектрон/
ТО-220АС
ТО-220И СОТ-186 /ПроЭлектрон/, МП-45Ф /Спец/
ТО-222АБ ТО-105 /ДЖЕДЕК/
ТО-225АА ТО-126 /JEDEC/, ТО-126-ISO /JEDEC/, МП-5 /Специальный/, СОТ-32 /ProElectr= на/
ТО-225АБ ТО-127 /ДЖЕДЕК/
ТО-226АА (ТО-92) СК-43 /ДЖЕЙТА/, СОТ-54 /ПроЭлектрон/, СОТ-30 /ПроЭлектрон/, СК-43А /JEITA/, TO-92 /JEDEC/, X-55 /Special/
ТО-226АБ (ТО-92)
ТО-226АС (ТО-92 2п)
ТО-226БА ТО-98 /ДЖЕДЕК/
ТО-23
ТО-236 СОТ-23 /ПроЭлектрон/, ТО-236АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-236 SC-59 /JEITA/, SOT-346 /ProElectron/, мини-форма /специальная/
ТО-236АБ ТО-236 /ДЖЕДЕК/, СОТ-23 /ПроЭлектрон/
ТО-237
ТО-24
ТО-243 SOT-89 /ProElectron/, TO-243AA /JEDEC/, SC-62 /JEITA/
ТО-243АА ТО-243 /JEDEC/, SOT-89 /ProElectron/, SC-62 /JEITA/
ТО-244АБ
ТО-247
ТО-247АС
ТО-247АД
ТО-247-ИСО
ТО-247-ПЛЮС
ТО-250АА ДИЛ-4 /специальный/
ТО-251 МП-3 /Особый/
ТО-252 МП-3-З /Спец/, СОТ-428 /ПроЭлектрон/
ТО-252-АА
ТО-253 ТО-253АА /ДЖЕДЕК/, СОТ-143 /ПроЭлектрон/
ТО-253АА СОТ-143 /ПроЭлектрон/, ТО-253 /ДЖЕДЕК/
ТО-254
ТО-257
ТО-258
ТО-259-АА
ТО-26
ТО-261 SOT-223 /ProElectron/, TO-261-AA /JEDEC/, SC-73 /JEITA/
ТО-261-АА SC-73 /JEITA/, SOT-223 /ProElectron/, TO-261 /JEDEC/
ТО-261-АБ
ТО-262 МП-25СК /Специальный/
ТО-263 MP-25ZJ ZK ZP /Специальный/, SOT-404 /ProElectron/
ТО-263-5
ТО-263-7 МП-25ЗТ /Специальный/
ТО-263-9
ТО-264
ТО-267
ТО-268
ТО-27
ТО-274
ТО-28
ТО-29
ТО-3 ТО-204АА /ДЖЕДЕК/, ТО-204АЭ /ДЖЕДЕК/
ТО-3П МП-88
ТО-30
ТО-31
ТО-32
ТО-323
ТО-33 ТО-205АС /ДЖЕДЕК/
ТО-36
ТО-37
ТО-38
ТО-39 ТО-205АГ /ДЖЕДЕК/, ТО-205АД /ДЖЕДЕК/, СОТ-5 /ПроЭлектрон/
ТО-39 (2-контактный) ТО-205АД /ДЖЕДЕК/
ТО-3П
ТО-40
ТО-41 ТО-204АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-41 (3-контактный)
ТО-44
ТО-45
ТО-46 ТО-206АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-48
ТО-49
ТО-5
ТО-5 (2-контактный) ТО-205АА /ДЖЕДЕК/
ТО-50
ТО-50/3 СОТ-37 /ПроЭлектрон/
ТО-51
ТО-52 ТО-206АС /ДЖЕДЕК/
ТО-53
ТО-56 ТО-205АГ /ДЖЕДЕК/
ТО-57
ТО-58
ТО-59
ТО-60 ТО-210АБ /ДЖЕДЕК/
ТО-61
ТО-62
ТО-63
ТО-66 TO-213AA /JEDEC/, SOT-9 /ProElectron/, SOT-9 (4-контактный) /ProElectron/, 9= А4 /DIN41875/
ТО-66-ИСО
ТО-68
ТО-7
ТО-70
ТО-71
ТО-71 (6-контактный)
ТО-72 ТО-206АФ /ДЖЕДЕК/
ТО-72 x2
ТО-77
ТО-78
ТО-8
ТО-82
ТО-83
ТО-84
ТО-86
ТО-89
ТО-9
ТО-98 ТО-226БА /ДЖЕДЕК/
ТО-99-6
ТО-99-8
ТОП-3 ТО-218АА /ДЖЕДЕК/, ТО-218 /ДЖЕДЕК/, СОТ-93 /ПроЭлектрон/
ТОП-66
Т-ПАК
ТСОП-6 SOT-457 /ProElectron/, SC-59/6 /Special/, SC-74 /JEITA/
ТСОП-8
ЦСОП-10 СОТ-552-1 /ПроЭлектрон/
ЦСОП-8 СОТ-505-1 /ПроЭлектрон/
ТУСМ СОТ-490 /ПроЭлектрон/, СК-89 /ДЖЕЙТА/
У-10
У-126
У-2
У-21
У-23
У-29
У-41
У-7
У-8
У-88
У-9
НЕИЗВЕСТНО
У-ПАК
УСМ
УЦЛП-6
ВСОФ-6
Х-01
Х-016
Х-04
Х-07
Х-09
Х-10
Х-101
Х-104
Х-106
Х-115
Х-13
Х-16
Х-17
Х-18
Х-19
Х-21
Х-220
Х-23
Х-240
Х-26
Х-27
Х-28
Х-3
Х-30
Х-33
Х-34
Х-37
Х-39
Х-42
Х-49
Х-53
Х-54
Х-55 ТО-226АА (ТО-92) /ДЖЕДЕК/, СОТ-54 /ПроЭлектрон/
Х-66
Х-71
Х-73
Х-79
Х-82
Х-9 ТО-1 /ДЖЕДЕК/
Х-90
Х-92
Х-99
ХМ17
ХМ20
ХМ-24
ХМ-25
ХМ-26
ХМ36
ХМ37
ХМ46
ХМ5
XSLP04
XSOF-3
З-ПАК
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.