Tip32C транзистор характеристики: TIP32 , , datasheet, , ,

Содержание

КТ816 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ816 – кремниевый эпитаксиально-планарный, низкочастотный, мощный транзистор p-n-p структуры. Применяется в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами весом около 0,7 г.

Цоколевка транзистора КТ816

Маркировка транзистора КТ816

Есть 2 типа маркировки транзистора:
1. Не кодированная – указывается в 2 строчки. В верхней написан месяц и год выпуска. В нижней – полное название транзистора.
2. Кодированная – указывается в одну строчку. Первый символ число 6 для КТ816, второй символ буква означающая группу и 2 последних символа указывают на месяц и год выпуска.
6А – КТ816А
6Б – КТ816Б
6В – КТ816В
6Г – КТ816Г

Характеристики транзистора КТ816

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ816А
25 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ816Б 45 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ816В 60 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ816Г 80 3 (6) 1 (25) 25-275 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ815

КТ816А: TIP32
КТ816Б: BD234
КТ816В: BD236
КТ816Г: BD238

Транзистор TIP32 —

Драгоценные металлы в транзисторе TIP32 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе TIP32.
Золото: 0.00393 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: Из перечней ЛАЭС.

Если у вас есть интересная информация о транзисторе TIP32 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей

: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки TIP32:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) TIP32 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры

:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.


Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.

Купить транзисторы или продать а также цены на  TIP32:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, TIP32:

Транзистор КТ855 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ855
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог
КТ855А BD566, MJ15019 *3, TIP42F, TIP42D *2, TIP32F *2, MJE5172 *2, TIP523 *3
КТ855Б BDT42C, 2SB506A *1, MJE5171 *2, TIP546 *3, ECG381 *2, SK3441 *2, 2N6476 *2, BD956 *2, BD540D *2
КТ855В BDT45C, MJE5171, TIP546 *1, BDT32C *2, TIP32C *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ855А 40* Вт
КТ855Б 40*
КТ855В 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ855А ≥5 МГц
КТ855Б ≥5
КТ855В ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ855А
250 В
КТ855Б 150
КТ855В 150
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ855А 5 В
КТ855Б 5
КТ855В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ855А 5(8*) А
КТ855Б 5(8*)
КТ855В
5(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ855А 250 В ≤1 мА
КТ855Б 150 В ≤1
КТ855В 150 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ855А 4 В; 2 А ≥20*
КТ855Б 4 В; 2 А ≥20*
КТ855В 4 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ855А 10 В 200 пФ
КТ855Б 10 В 200
КТ855В 10 В 200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ855А ≤0.5 Ом, дБ
КТ855Б ≤0.5
КТ855В ≤0.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ855А Дб, Ом, Вт
КТ855Б
КТ855В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ855А пс
КТ855Б
КТ855В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

TIP32C PNP Биполярный силовой транзистор (100 В, 3 А, TO-220) – QuartzComponents

Политика возврата

В связи с типом продаваемой нами продукции мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным браком, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента получения продукта, подкрепленного надлежащими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили товар, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения товара, подкрепленного соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат продуктов, поврежденных в результате неправильного использования продукта. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения.Пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями продукта и техническим описанием, прежде чем выбрать и заказать продукт.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии по фиксированной цене 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий. Для всех заказов на сумму выше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки по адресу [email protected] по любому вопросу, связанному с доставкой.

Политика возврата

Из-за типа продаваемой нами продукции мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным браком, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента получения продукта, подкрепленного надлежащими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили товар, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения товара, подкрепленного соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат продуктов, поврежденных в результате неправильного использования продукта. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями продукта и техническим описанием, прежде чем выбрать и заказать продукт.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии по фиксированной цене 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки по адресу [email protected] по любому вопросу, связанному с доставкой.

TIP32C PNP Биполярный силовой транзистор TO-220 Пакет купить онлайн по низкой цене в Индии

TIP32 представляет собой трехслойное устройство PNP в пределах рабочего диапазона, ток коллектора IC является функцией тока базы IB, изменение тока базы дает соответствующее усиленное изменение тока коллектора для заданного напряжения коллектор-эмиттер VCE.

Особенности:-

• Низкое напряжение насыщения

• Простые требования к приводу

• Зона повышенной безопасности

• Для дополнительных конструкций с низким уровнем искажений

• Легко носить с собой и держать в руках

Подробные характеристики:-

Полярность транзистора ПНП
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 40 В постоянного тока
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 В постоянного тока
Непрерывный ток коллектора (Ic) 3АДК
Непрерывный базовый ток (Ib) 1АДК
Базовое напряжение эмиттера (VEBO) 5 В постоянного тока
Рассеиваемая мощность (Pd) 40 Вт
Диапазон рабочих температур -65 — 150°С
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) 10-50

Связанные документы:-

Транзистор TIP32C Техническое описание

Торговая марка/Производитель Универсальный
Страна происхождения Китай
Адрес упаковщика/импортера Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
ППМ рупий. 17.7 (включая все налоги)

* Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

STMicroelectronics TIP32C Транзистор PNP, 3 А, 100 В, 3-контактный TO-220

Компоненты RS

Сертификат соответствия RoHS

Директивы ЕС 2011/65/ЕС и 2015/863 ограничивают использование 10 перечисленных ниже веществ при производстве определенных типов электрооборудования.

Хотя это ограничение юридически не распространяется на компоненты, признано, что «соответствие требованиям» компонентов важно для многих клиентов.

Определение соответствия RoHS стандарту RS:

  • Продукт не содержит каких-либо запрещенных веществ в концентрациях и применениях, запрещенных Директивой,
  • , а для компонентов изделие можно обрабатывать при более высоких температурах, необходимых для бессвинцовой пайки
  • .

Вещества с ограничениями и максимально допустимые концентрации в однородном материале, по весу:

Вещество Концентрация
Свинец 0.1%
Ртуть 0,1%
ПБД (полибромированные дифенилы) 0,1%
ПБДЭ (полибромированные дифениловые эфиры) 0,1%
Шестивалентный хром 0,1%
Кадмий 0,01%
ДЭГФ (бис(2-этилгексил)фталат) 0,1%
BBP (бензилбутилфталат) 0.1%
ДБФ (дибутилфталат) 0,1%
ДИБФ (диизобутилфталат) 0,1%

Поставщик изделия, указанного ниже, сообщил RS Components, что изделие соответствует требованиям RoHS.

Компания RS Components предприняла все разумные шаги, чтобы подтвердить это заявление. Информация относится только к продуктам, проданным на дату или после даты настоящего сертификата.

Подробная информация о продукте

Артикул RS 4859777
Описание продукта STMicroelectronics TIP32C PNP-транзистор, 3 А, 100 В, 3-контактный TO-220
Производитель/торговая марка STMicroelectronics
Номер детали производителя ТИП32К

RS Components Ltd, Birchington Road, Corby, Northants, NN17 9RS, UK

Распечатать этот сертификат

PNP Транзисторное переключение

 

Интерфейс микроконтроллера — Часть 12

Использование транзисторов PNP для переключения нагрузок более высокого напряжения

  

голов

Самый простой способ коммутировать более мощную нагрузку, чем может выдержать микроконтроллер, — это использовать NPN-транзистор, как описано в части 7.В части 8 показано, как использовать PNP-транзистор, позволяя нагрузке иметь потенциал земли, что иногда необходимо. Одним из ограничений схемы, описанной в части 8, является то, что нагрузка не может работать при напряжении, превышающем напряжение питания микроконтроллера. В этой главе показано , как управлять нагрузкой с более высоким напряжением, которая должна быть заземлена.

Переключение стороны высокого напряжения

Схемы, описанные в частях 7 и 8, довольно просты, и если приложение позволяет, это хороший способ.К сожалению, у вашего приложения могут быть требования, которым эти схемы не будут соответствовать. Например, автомобильные приложения обычно требуют управления заземленной нагрузкой с напряжением 12 В. На рис. 12-1 показан один из способов добиться этого. В этой схеме контакт порта микроконтроллера P0 включает и выключает NPN-транзистор Q1. Q1, в свою очередь, обрабатывает более высокие напряжения и токи, которые микро не может обрабатывать, чтобы включать и выключать PNP-транзистор Q2. Q2 действует как переключатель, который подает питание на нагрузку.

Предположим, что в качестве нагрузки используется лампа на 12 В, работающая на частоте .5 А. Первым делом подбираем транзистор, переключающий нагрузку. Поиск в нашей корзине запчастей выдает транзистор TIP32C в корпусе TO-22. Это выглядит мясистым. Это будет работать? В таблице 1 показаны некоторые ключевые характеристики. Обратите внимание, что в характеристиках TIP32 указаны отрицательные числа. Это отстает от спецификаций для NPN-транзисторов. Это связано с тем, что направления тока в двух типах транзисторов противоположны. Базовый ток течет в NPN-транзистор, но вытекает из PNP-транзистора. Мы можем игнорировать полярность при вычислениях.

Vceo -100В.Это намного выше 12 В, которые питают нагрузку. Он может работать с током коллектора 3 А, что значительно выше тока нагрузки, поэтому он выглядит хорошим кандидатом. Следующим шагом является определение того, что потребуется для управления TIP32.

Минимальное значение HFE или коэффициент усиления TIP32C составляет 10, а ток коллектора (Ic) 3 А равен 10. Мы не будем переключать почти такой большой ток, и HFE будет выше в этих условиях, но мы хотим, чтобы наши конструкции быть надежным и воспроизводимым, поэтому мы используем консервативное значение 10.Ток коллектора транзистора равен току базы, умноженному на коэффициент усиления.

Ic = Ib * HFE

Преобразование уравнения дает нам

Ib = Ic/HFE = 0,5 А/10 = 0,05 А или 50 мА

Это означает, что транзистор Q1 должен потреблять не менее 50 мА. Еще одним важным параметром для Q1 является возможность работы с напряжением питания нагрузки, V+ на рис. 12-1. Еще один поиск в мусорном ведре выдает транзистор 2N2222A. Его характеристики указаны в таблице 1.

Согласно нашим расчетам выше, Ib2 составляет минимум 50 мА.Ib2 также является током коллектора Q1, если вы игнорируете ток, подаваемый R3, что мы сейчас и сделаем. Нам нужно выбрать значение для R2, ​​которое позволит 50 мА течь от V+ через переход эмиттер-база Q2 через R2 и в коллектор Q1. Таким образом, Ib2 совпадает с Ic1. Закон Ома говорит нам, что значение R2 равно

.

R2 = Vr2/Ir2

Мы знаем, что ток через R2, Ir2, составляет 50 мА. Какое напряжение на R2? Это будет V+ (12 В) минус напряжение базового эмиттера, Vbe(sat) Q2 и Vce(sat) Q1.Из таблицы 1

Vr2 = V — Vbe2 — Vce1 = 12 -1,8 — 0,3   =  9,9 В

Зная напряжение на резисторе R2 и требуемый ток, закон Ома говорит:

R2 = V/I = 9,9/0,05 = 198 Ом

Основные характеристики TIP32C

Vceo                   -100 В

Ic                        -3A

Vce(sat)               -1.2В

Vbe(sat)              -1,8 В

HFE  (I c =3 A)     10

Основные характеристики 2N222A

Vceo                     40 В

Ic                          600 мА

Vce(sat)                .3 В

Vbe(sat)                1,2 В

HFE (Ic = 150 мА)   50

Поскольку 198 Ом не является стандартным значением резистора, мы будем использовать резистор 220 Ом.Я мог бы рассмотреть возможность использования резистора следующего стандартного номинала менее 198 Ом, чтобы увеличить ток и улучшить запасы. Проблема здесь в том, что 50 мА — это довольно большой ток для резистора. Рассмотрим это

P = I*I*R = 0,050 * 0,050 * 198 = 0,495 Вт

Нам понадобится резистор не менее 1/2 Вт. Если мы используем резистор с более низким номиналом, ток немного увеличится, но, поскольку мощность зависит от квадрата тока, рассеиваемая мощность будет быстро расти. Так что же нам делать? До сих пор мы были консервативны в наших оценках и использовали наихудшее значение для HFE, коэффициента усиления транзистора.Скорее всего, усиление будет намного выше, чем 50, поэтому мы могли бы обойтись меньшим базовым током, может быть, даже немного меньшим.

Если бы я просто делал одну или две копии этой схемы, и это были бы единственные силовые транзисторы PNP, которые у меня были под рукой, я бы попробовал большее значение для R2, ​​возможно, приближающееся к 1K. Я мог настраивать схему, пока она не работала должным образом и не сжигала резисторы. Если бы я разрабатывал схему для массового производства, это была бы плохая идея. Рано или поздно будет выпущена партия плат, в которых компоненты будут иметь набор параметров, которые не будут работать.Или, что еще хуже, они пройдут испытания на заводе, но потерпят неудачу в полевых условиях.

В промышленной конструкции лучшим вариантом было бы найти силовой PNP-транзистор с более высоким коэффициентом усиления, поэтому потребуется меньший базовый ток. Одним из вариантов может быть транзистор Дарлингтона. Пары Дарлингтона представляют собой два транзистора в массиве, поэтому усиление двух транзисторов перемножается, чтобы получить усиление устройства. Одной из возможных частей является TIP117 с минимальным коэффициентом усиления 500. Для TIP117 потребуется всего 1 мА, или 1/50 базового тока TIP32, с которого мы начали.Вместо того, чтобы начинать расчеты с начала, мы продолжим проектирование с помощью TIP32C.

Следующим шагом является вычисление значения R1. R1 будет ограничивать базовый ток через Q1. Поскольку Q1 действует как переключатель для включения Q2, нам нужно перевести Q1 в состояние насыщения. Мы знаем, что ток базы, умноженный на усиление, будет током коллектора. Переключив это уравнение и подставив параметры для Q1, 2N2222, который был у нас в коробке с деталями, мы получили

.

Ib1 = Ic1/HFE = .050/50  = 0,001 А 90 005

У нас есть ток через R1. Теперь нам нужно напряжение на нем. Как объяснялось в части 2, напряжение на контуре должно быть равно нулю. Поскольку микроконтроллер работает от 5 В, напряжение на P0, когда оно установлено на высокий уровень, также будет около 5 В. Помимо резистора R1, единственным другим элементом цепи в контуре является переход база-эмиттер Q1. В паспорте указано это значение: Vbe(sat) = 1,2 В. Итак:

Vr1 = Vp0 – Vbe = 5 – 1.2 = 3,8 В.

По закону Ома

R = V/I = 3,8/0,001 = 3800 или 3,8 кОм.

Эти значения дают базовый ток 1 мА через Q1. Этого, вероятно, достаточно, но мы можем немного увеличить его и дать больше запаса для деталей, не соответствующих спецификациям, и других реальных проблем, используя резистор с меньшим номиналом. Возьмем резистор 2,2К. Подключаю,

Ib1 = V/R = 3,8/2200 = 0,0017A

Это даст нам ток коллектора

фунтов стерлингов * HFE = .0017 х 50 = 0,086 А

Это больше, чем 0,050 А, необходимое для насыщения Q2. Просто чтобы убедиться, что это значение не вызовет проблем, мы видим, что максимальный базовый ток для TIP32C, Ibmax – 3 А, а Ic для Q1 – 0,6 А. Это даже близко не предел возможностей наших транзисторов.

Теперь нам нужно вычислить значения еще нескольких компонентов.Первый — R3. Когда мы хотим отключить нагрузку, на базе Q2 должно быть напряжение, близкое или выше, чем на его эмиттере. R3 будет подавать это напряжение. Единственное, о чем нам нужно беспокоиться, это то, что если значение слишком низкое, а Q1 включен, ток будет течь через R3, а также через R2 и Q1. Если значение R3 слишком низкое, через R2 будет больше тока, что повысит напряжение базы Q2. Это может помешать полному включению Q2.

Хорошим практическим правилом было бы сделать R3 как минимум в 10 раз больше, чем R2.Это не сильно увеличит ток через Q1 и R2. Мы уже проверили, что мы не близки к максимальному току коллектора для Q1, поэтому немного больше ничего не повредит.

Конечный резистор R4. Когда система включена, через P0 могут возникнуть переходные токи, которые могут включить Q1 и, в конечном итоге, нагрузку. Если нагрузкой является двигатель или другое устройство, которое может привести к повреждению, если нагрузка будет включена до тех пор, пока микроконтроллер полностью не перейдет под контроль, R4 поможет предотвратить (но не гарантирует) включение Q1.Если нагрузкой является светодиод или другое устройство, кратковременная вспышка которого не вызовет проблем, R4 можно оставить выключенным. Эмпирическое правило примерно в 10 раз больше значения R1 будет хорошей отправной точкой для этого резистора.

Наконец, есть D1. Как объяснялось в предыдущих разделах, мы хотим поместить диод в цепь, если нагрузка является индуктивной, чтобы защитить переключающие транзисторы. Двигатели, соленоиды и реле являются индуктивными нагрузками. Если нагрузка чисто резистивная, D1 можно пропустить.

Резюме

Иногда в соответствии с проектными требованиями требуется более одного транзистора, когда нагрузка требует большего напряжения и/или тока, чем может выдержать микросхема.Использование транзистора NPN для управления транзистором PNP позволит управлять заземленной нагрузкой с более высокими напряжениями и токами.

  

Попался список

1.Убедитесь, что оба транзистора могут работать с напряжением питания нагрузки.

2. Убедитесь, что PNP-транзистор может выдерживать ток, требуемый нагрузкой.

3. Выберите PNP-транзистор с хорошим коэффициентом усиления, чтобы свести к минимуму требования к базовому току и чрезмерное энергопотребление.

4. Защитите транзистор демпфирующим диодом, если нагрузка представляет собой реле, соленоид, двигатель или иную индуктивную нагрузку.

  

Пример использования TIP31C и TIP32C

Сегодня в этом блоге я собираюсь дать вам обзор варианта использования TIP31C и TIP32C.Этот блог является постоянным блогом о серии транзисторов, поэтому, если вы хотите прочитать о любом другом транзисторе, вы можете нажать ЗДЕСЬ .

PNP
TIP32C — Силовой транзистор TIP31C — Силовой транзистор NPN
TIP32C представляет собой кремниевый силовой PNP-транзистор (BJT) в пластиковом корпусе TO-220. Поскольку он имеет высокий ток коллектора около 3 А, его можно использовать для переключения мощности или усиления большого сигнала.Транзистор в основном известен своей высокой мощностью усиления. TIP31 представляет собой типичный NPN-транзистор (BJT) в пластиковом корпусе TO-220. Центральный блок (база) тонкий, а другой внешний эмиттер и коллектор более легированы по сравнению с базой. Он имеет высокий ток коллектора около 3А.

 

 

 

Технические характеристики

PNP
TIP32C — Силовой транзистор TIP31C — силовой транзистор NPN

 

Параметр Значение
напряжение коллектор-база (IE = 0) -100В
Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) -100 В  
Напряжение эмиттер-база (IC = 0) -5В
Токосъемник -3А
Пиковый ток коллектора -5А
Суммарная рассеиваемая мощность 40 Вт
Базовый ток -1А
напряжение база-эмиттер -1.8В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -1,2 В
Ток отключения эмиттера (IC = 0) -1 мА
Коэффициент усиления постоянного тока 50

Параметр Значение
напряжение коллектор-база (IE = 0) 100 В
Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) 100 В  
Напряжение эмиттер-база (IC = 0)
Токосъемник
Пиковый ток коллектора
Суммарная рассеиваемая мощность 40 Вт
Базовый ток
напряжение база-эмиттер 1.8В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,2 В
Ток отключения эмиттера (IC = 0) 1 мА
Коэффициент усиления постоянного тока 50

 

 

Приложения:

TIP31C-

Простые переключатели — одно из основных применений транзисторов в электронных схемах. Просто при подаче напряжения на базу транзистор проводит ток по каналу коллектор-эмиттер.Когда базовое напряжение отсутствует, переключатель выключен. Переключатель включается при наличии базового напряжения.

  • Светодиод: Это красный светодиод диаметром 8 мм.
  • R1(470) : Этот резистор 470 ограничивает ток, протекающий через светодиод, предотвращая его перегорание. Закон Ома можно использовать для расчета величины тока, который может протекать через резистор.
  • TIP31C : Это базовый NPN-транзистор. Коллектор подключен к R1 и светодиоду, а эмиттер подключен к земле.Когда вы включаете транзистор, ток проходит через коллектор и эмиттер, который зажигает светодиод. Когда транзистор выключен, он работает как изолятор, и светодиод не светится.
  • S1: Этот переключатель определяет, может ли ток проходить к базе. Замыкание этого переключателя активирует транзистор, вызывая протекание тока через светодиод. В результате замыкание этого переключателя активирует светодиод, даже если он не подключен напрямую к цепи светодиода.

Транзистор работает как усилитель, усиливая слабый сигнал. Когда на переход эмиттер-база подается постоянное напряжение смещения, он остается смещенным в прямом направлении. Это прямое смещение сохраняется независимо от полярности сигнала.

Из-за низкого сопротивления входной цепи каждое незначительное изменение входного сигнала приводит к значительному изменению выходного сигнала. Ток эмиттера входного сигнала переходит в ток коллектора, который затем протекает через нагрузочный резистор RL, вызывая на нем высокое падение напряжения.В результате небольшое входное значение приводит к большому выходному напряжению, что указывает на то, что транзистор работает как усилитель.

 

Транзистор также можно использовать для однонаправленного управления и регулирования скорости двигателя постоянного тока путем переключения транзистора через равные промежутки времени, как показано на рисунке. Мы можем многократно включать и выключать двигатель, переключая транзистор в зонах отсечки и насыщения.

 

 
TIP32C-

Транзистор TIP32C работает так же, как транзистор TIP31C с точки зрения переключения, но ток течет от базы.Базовый вывод PNP-транзистора всегда смещен отрицательно по отношению к эмиттеру.

При этом нагрузка подключается к транзисторному коммутационному выходу с опорной точкой. Когда транзистор активирован, ток проходит от источника к транзистору, затем к нагрузке и, наконец, к земле.

Усиление — это процесс преобразования слабого сигнала в полезный. Усиление является важным шагом во многих приложениях, таких как сигналы, передаваемые по беспроводной сети, принимаемые по беспроводной сети сигналы, MP3-плееры, мобильные телефоны и так далее.В различных конфигурациях транзистор может увеличивать мощность, напряжение и ток. TIP32C используется в схеме усиления, показанной выше.

 

 


 

 Транзистор TIP32C – это устройство, используемое для усиления и переключения электрических сигналов в автоматическом дезинфицирующем средстве для рук.

 

После понимания вариантов использования этих транзисторов, если вы хотите их купить, щелкните вниз по их названиям.
TIP32C
TIP31C

TIP32C STMicroelectronics | ОЕМстрон

ТИП32К

Д# 35C0642

НПЦ Мультикомп

ТРАНЗИСТОР, BJT, PNP, -100 В, -3 А, TO-220, Полярность транзистора: PNP, Напряжение коллектора-эмиттера V(br)ceo: -100 В, Ток коллектора постоянного тока: -3 А, Рассеиваемая мощность Pd: 40 Вт, Монтаж транзистора: Сквозное отверстие, нет.контактов: 3 контакта, ассортимент продукции: — Соответствует RoHS: Да

RoHS: соответствует

Минимальное количество: 1

Контейнер: сыпучий

337
  • 10000$0,2670
  • 5000$0.2790
  • 1000 $ 0.3080
  • 90 $ 0.3080
  • 500 $ 0.3640
  • 100 $ 0.3860
  • 50 $ 0.4430
  • 10 $ 0.5940
  • 1 $ 0.7330

TIP32CG

Д# 26M4154

ПО Полупроводник

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 100 В, 3 МГц, 40 Вт, 3 А, 10 Соответствует RoHS: Да

RoHS: соответствует

Минимальное количество: 1

Контейнер: сыпучий

0
  • 2500$0.3020
  • 1000 0,3190
  • 500 0,3840
  • 100 0,4790
  • 10 0,6730
  • 1 0,7820

TIP32CG.

Д# 26AC4307

ОН Полупроводник

Полярность транзистора: PNP, напряжение эмиттера коллектора V(br)ceo: 100 В, постоянный ток коллектора: 3 А, рассеиваемая мощность Pd: 40 Вт, монтаж транзистора: сквозное отверстие, №.Количество контактов: 3 контакта, частота перехода ft: 3 МГц, усиление постоянного тока hFE: 10hFE, MSL: — Соответствует RoHS: Да

RoHS: соответствует

Минимальное количество: 1

Контейнер: сыпучий

4025
  • 2500$0.2630
  • 1000$0,2980
  • 500$0,3330
  • 100$0,3670
  • 10$0,5630
  • 1$0,6720
  • 100$0,3670

TIP31C NPN Транзистор Техническое описание: Работа и его применение

Транзистор TIP31C NPN выпускается в пластиковом корпусе TO-220 и часто используется в широком спектре приложений, таких как аудио, коммутация, силовая линейка и т. д. Транзистор типа PNP — это TIP32C. Это биполярный транзистор с тремя выводами, такими как эмиттер, база и коллектор.

Базовый вывод слегка легирован, тогда как два других вывода, такие как коллектор и эмиттер, сильно легированы. Этот транзистор TIP31 очень дешев и довольно прост в использовании в нескольких приложениях. В этой статье обсуждается обзор силового NPN-транзистора TIP31C, конфигурация выводов, схема, работа и его применение.

Что такое транзистор TIP31C NPN?

TIP31C — это NPN-транзистор в корпусе TO-220. Основное назначение этого транзистора — использование в приложениях общего назначения.Эти типы транзисторов доступны в четырех различных типах, но они различаются в зависимости от серии, используемой после количества транзисторов, таких как TIP31A, TIP31, TIP31C и TIP31B. Эти серии транзисторов имеют разное номинальное напряжение.

Конфигурация выводов NPN-транзистора TIP31C

По сравнению с другими сериями транзисторов, транзистор серии TIP31C будет иметь максимальное напряжение нагрузки около 100 В, а ток коллектора — около 3 А. Этот транзистор используется для усиления и приложений общего назначения.

Когда этот транзистор используется в качестве переключателя, он способен быстро переключаться и управлять различными нагрузками одновременно. Его также можно использовать в каскадах аудиоусилителей.

Конфигурация контактов

Конфигурация контактов NPN-транзистора TIP31C показана ниже. Этот транзистор включает в себя три вывода, каждый из которых и его функции обсуждаются ниже.

  • Контакт 1 (базовый): Этот контакт используется как ТРИГГЕР для активации транзистора.
  • Контакт 2 (коллектор): Этот контакт подключен к нагрузке
  • Контакт 3 (эмиттер): Этот контакт подключен к клемме GND

Эквивалентными транзисторами TIP31C являются 2N6122, TIP31A, MJE340K, TIP31B и SW4F013. Но нам нужно проверить различные параметры этого транзистора, прежде чем тщательно их изменять, такие как ток, напряжение и коэффициент усиления, которые могут привести к необратимым повреждениям. Аналогичные транзисторы TIP31C : TIP121, TIP120, TIP122, 2N6290, 2N6288 и 2N6292

Технические характеристики и особенности

Спецификация и характеристики NPN-транзистора TIP31C включают следующее.

  • Доступен в пакете TO-220
  • Диапазон рабочих температур от -65 до +150 C
  • Транзистор типа NPN
  • Максимальное и минимальное усиление по постоянному току 10–50
  • Ток коллектора Макс. 3 А
  • Макс. частота перехода 3 МГц
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером 100 В
  • Максимальное рассеивание тока коллектора 40 Вт
  • Максимальное напряжение между коллектором и базой 100 В
  • Максимальное напряжение между эмиттером и базой 5 В
  • Напряжение насыщения низкое
  • Расходные материалы Easy Drive
  • Операционная зона очень безопасна
  • Для парных конструкций с меньшими искажениями
  • Простая ручка и переноска
Как безопасно использовать транзистор TIP31C NPN?

Этот транзистор используется очень безопасно для работы в течение многих лет.Для этого нам нужно оставаться на 20% ниже самых высоких оценок. Поскольку максимальный номинал компонентов может сократить срок службы, для обеспечения необходимого базового тока на транзисторе используется соответствующий базовый резистор.

Не подключайте нагрузку выше 3 А и 100 В, не подключайте нагрузку выше 5 А в импульсном/пиковом режиме. Температура этого транзистора должна быть от > -65 С < +150 С.

Транзистор Darlington TIP31C NPN для привода двигателя постоянного тока

Как правило, потенциометр не может напрямую управлять скоростью двигателя постоянного тока, потому что они потребляют огромное количество тока, поэтому существует большая вероятность сжечь потенциометр.В качестве альтернативы можно заменить потенциометр с небольшим током для запуска двигателя постоянного тока с парой Дарлингтона NPN-транзистора TIP31C.

Ниже показана схема, использующая транзисторы Дарлингтона для управления двигателем постоянного тока. Эта схема может быть построена с помощью потенциометра, транзистора Дарлингтона (транзистор TIP31C NPN), диода 1N4148 и двигателя постоянного тока. В приведенной выше схеме линейный потенциометр подключен между Vs и 0V.

Транзистор Дарлингтона для привода двигателя постоянного тока

Таким образом, напряжение на выводе потенциометра всегда будет где угодно, иначе оно останется между двумя напряжениями цепи.Как только небольшое количество тока протекает через стеклоочиститель внутри потенциометра, напряжение будет немедленно изменено парой транзисторов Дарлингтона.
Поток тока от переменного резистора можно изменить через два транзистора, значительно увеличив поток тока, которым можно управлять с помощью переменного резистора.

Основным недостатком этой схемы является то, что транзистор Дарлингтона не является полностью линейным, поэтому изменение скорости двигателя постоянного тока при заданном вращении переменного резистора будет более тонким в середине его диапазона.Поскольку двигатель постоянного тока является индуктивной нагрузкой, он будет генерировать противо-ЭДС, которая может повредить второй транзистор. Диод типа 1N4148 предотвратит этот вред, закоротив эту противо-ЭДС.

Питание этой схемы может осуществляться напрямую от выпрямителя. Этот выпрямитель поможет предотвратить залипание двигателя на меньшей скорости. Максимальное напряжение питания составляет 60 В, а максимальный потребляемый ток двигателя составляет 3 А.

Где использовать/применения

Применение транзистора TIP31C включает следующее.

Когда вам нужно простое коммутационное устройство для использования в нагрузках средней мощности, очень полезен транзистор TIP31C. Эти транзисторы доступны очень легко и с меньшими затратами.

Когда вам нужно усилить сигнал, коэффициент усиления транзистора достаточно хороший, а коэффициент усиления почти линейный. Следовательно, эти характеристики сделают этот транзистор одним из лучших компонентов, используемых в усилителях.

Этот тип транзистора используется для управления сигналами микроконтроллера из-за его быстрого отклика и коэффициента усиления.Таким образом, его можно просто использовать в высокоскоростных коммутационных приложениях.

  • Используется для управления скоростью двигателя постоянного тока
  • Усилители сигналов и звука
  • Системы освещения
  • ШИМ-приложения
  • Драйверы реле
  • SMPS или импульсный источник питания
  • Пара Дарлингтона
  • Проектирование цепей электропитания
  • Аудиоусилители
  • Коммутация нагрузки ниже 3000 мА/3 А
  • Каскады аудиоусилителя
  • Приложения на базе драйверов двигателей
  • Разработка схем для зарядных устройств

Таким образом, это обзор технических данных NPN-транзистора TIP31C, который включает в себя конфигурацию выводов, технические характеристики, функции, схему и ее применение.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.