Транзистор 1gw: 3 pin SMD код (1GW)

Содержание

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 1G, 1G **, 1G-, 1GM, 1GW, 1Gp, 1Gs, 1Gt. Даташиты BC847C, BC847CT, BC847CW, FMMTA06, IRLML2502, KST06, MMBTA06.

Главная
Автомагнитолы
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Главная
  2. Маркировка SMD
  3. 1G
Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
1G SOT-23 BC847CGeneral Semiconductor (Now Vishay)NPN транзистор
1G SOT-416 BC847CTNXPNPN транзистор
1G SOT-23 FMMTA06Zetex (Now Diodes)NPN транзистор
1G SOT-23 KST06FairchildNPN транзистор
1G ** SOT-23 IRLML2502IRFN-канальный MOSFET
1G- SOT-23 BC847CNXPNPN транзистор
1G- SOT-323 BC847CWNXPNPN транзистор
1GM SOT-23 MMBTA06BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
1GW SOT-23 BC847CNXPNPN транзистор
1GW SOT-323 BC847CWNXPNPN транзистор
1Gp SOT-23 BC847CNXPNPN транзистор
1Gp SOT-323 BC847CWNXPNPN транзистор
1Gs SOT-23 BC847CInfineonNPN транзистор
1Gs SOT-323 BC847CWInfineonNPN транзистор
1Gt SOT-23 BC847CNXP NPN транзистор
1Gt SOT-323 BC847CWNXPNPN транзистор

Новый Вымпел-55, прошивка 2.27 — компоновка элементов на центральной печатной плате » SntHouse


В прошлый раз мы рассматривали:
— общий вид внутреннего устройства Вымпел-55,
— компоновку платы «управления»,
— обратную сторону основной платы, а также рассмотрели
— некоторые радио элементы примененные в схеме и их даташиты
Некоторые размеры рассматривались здесь.

Сейчас мы рассмотрим более подробно центральную плату в целом и некоторые ее части по отдельности и более крупным планом, чтобы можно было рассмотреть применяемые радио элементы.
Может быть позже удасться сделать принципиальную схему нового Вымпел-55.

1
Рассмотрим подробнее элементы на «левой» части печатной платы:

Некоторые радио элементы встречающиеся в схеме:


NTC 10D-15 — (термистор) терморезистор на 10 Ом
Посмотреть файл онлайн: ntc-10d-15.pdf
ntc-10d-15.pdf
[127.18 Kb] (cкачиваний: 168)

EL817 — оптрон
Посмотреть файл онлайн: el817.pdf el817.pdf [805.7 Kb] (cкачиваний: 86)
Посмотреть файл онлайн: pc817rus.pdf pc817rus.pdf [223.37 Kb] (cкачиваний: 57)

13009 — высоковольтный n-p-n транзистор
Посмотреть файл онлайн: 13009.pdf 13009.pdf [175.13 Kb] (cкачиваний: 164)

S1M — диод выпрямительный 1A
Посмотреть файл онлайн: s1m.pdf s1m.pdf [178.22 Kb] (cкачиваний: 84)

S2M — диод выпрямительный 2A
Посмотреть файл онлайн: s2m.pdf s2m.pdf [216.43 Kb] (cкачиваний: 97)

RS1M — диод выпрямительный 1A
Посмотреть файл онлайн: rs1m.pdf rs1m.pdf [47.55 Kb] (cкачиваний: 66)

ss18 — диод выпрямительный, с барьером Шоттки
Посмотреть файл онлайн: ss18.pdf ss18.pdf [152.9 Kb] (cкачиваний: 91)

THX208 — ШИМ контроллер
Посмотреть файл онлайн: thx208.pdf thx208.pdf [773.15 Kb] (cкачиваний: 126)

CBB22 — 684J 400v — пленочный конденсатор 0,68 мкФ
cbb22_jpg.zip [290.59 Kb] (cкачиваний: 52)

102 6KV — конденсатор высоковольтный 1000пф

331 — конденсатор 330 пФ

2
«Центральная» часть печатной платы:

Некоторые радио элементы встречающиеся в схеме:


MBR20100 — диод Шоттки, 2х10А, 100В, общий катод [TO-220AB]
Посмотреть файл онлайн: mbr20100-data-shit.pdf mbr20100-data-shit.pdf [272.06 Kb] (cкачиваний: 105)

TL494C — импульсный регулятор напряжения
Посмотреть файл онлайн: tl494cd.pdf tl494cd.pdf [129.48 Kb] (cкачиваний: 107)

MCP4728A0 814104 — ЦАП
Посмотреть файл онлайн: mcp4728a0.pdf mcp4728a0.pdf [2.87 Mb] (cкачиваний: 92)

A7W

Посмотреть файл онлайн: a7w-bav99.pdf a7w-bav99.pdf [115.75 Kb] (cкачиваний: 74)
Посмотреть файл онлайн: a7w-bav99_series_nxp.pdf a7w-bav99_series_nxp.pdf [333.11 Kb] (cкачиваний: 58)

3
«Правая часть» печатной платы

Некоторые радио элементы встречающиеся в схеме:


IRF1010E — транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
Посмотреть файл онлайн: irf1010e.pdf irf1010e.pdf [241.73 Kb] (cкачиваний: 76)


1GW — NPN транзистор SOT-23; BC847C
Посмотреть файл онлайн: 1gw-bc847c.pdf 1gw-bc847c.pdf [97.28 Kb] (cкачиваний: 77)

6ct — NPN транзистор SOT-23; BC817
Посмотреть файл онлайн: 6ct-bc817.pdf 6ct-bc817.pdf [366.77 Kb] (cкачиваний: 66)

LM317T — стабилизатор напряжения регулируемый, [TO-220SG]
Посмотреть файл онлайн: lm317-datasheet.pdf lm317-datasheet.pdf [1.35 Mb] (cкачиваний: 71)
Посмотреть файл онлайн: lm317.pdf lm317.pdf [596.26 Kb] (cкачиваний: 43)

MCP6061E — прецизионный усилитель
Посмотреть файл онлайн: mcp6061e.pdf mcp6061e.pdf [1.19 Mb] (cкачиваний: 95)

Предпусковое зарядное устройство Орион PW 415 — Зарядные устройства — Источники питания

У многих имеются в эксплуатации зарядные устройства Орион, благодаря их большой разновидности в выпускаемых моделях, ценовой доступности и не плохих характеристиках. Рассмотрим одну из моделей этого ряда — предпусковое зарядное устройство Орион PW 415.

Основное назначение этого зарядного устройства — заряд автомобильных и мотоциклетных (12/24В) аккумуляторов, в том числе полностью разряженных, любого типа и емкости,  с возможностью регулировки силы зарядного тока до 15-20 ампер (в режиме 24В/12В). Его можно даже использовать, как предпусковое, облегчая запуск двигателя при разряженном аккумуляторе.
Всем оно хорошо, пока работает, но когда выходит из строя, а это случается не так редко, то тогда начинаются проблемы при его ремонте, особенно если выгорели какие либо резисторы и не видно их номиналов, так как в поиске схем к ним, все старания в основном сводятся на «нет», потому что они (зарядные Орион) сильно «засекречены» в этом плане.

Попались в моё распоряжение пару таких зарядных устройств, которые в принципе нормально работали, пока не попали под атмосферные осадки (эксплуатировались иногда и на открытом воздухе).
Ремонт, как и положено, начался с поиска схем к подобному зарядному. В результате из всей всемирной сети, удалось выудить только эту схему, которая похожа на имеющиеся зарядные, но не соответствовала им.

Схему эту тоже привожу, как она есть, может кому и сгодится, может как раз и будет в наличии у кого-то такое зарядное.
Только возможно в схеме имеется ошибка в блоке питания ШИМ-контроллера (смотри схемы ниже в таком-же блоке). Вполне возможно, что автор этой схемы упустил (или просто «запарился», рисуя схему с натуры платы, потому что это тяжелый, не благодарный труд) один резистор на 5,6 кОм в базовой цепи среднего транзистора. Без него транзистор просто изначально не откроется и БП не запустится.

Итак, как было сказано выше, попались мне два аналогичных устройства, которые были собраны практически по одной схеме, с незначительными различиями.
Внешний вид платы со стороны деталей изображен ниже.

Внешний вид платы с обратной стороны, со стороны установленных деталей SMD.

Схемы обеих плат, как было сказано, отличаются друг от друга не значительно, в основном в части схемы, касающейся ШИМ управления.
Принципиальные схемы рассматриваемых зарядных устройств, срисованы мной с «натуры», то есть с печаток плат, и вполне возможно, что я тоже где нибудь допустил ошибку, или упустил чего нибудь, так как рисовать такие схемы не лёгкий труд.
Вот схема первого зарядного устройства.

Схема зарядного устройства Орион PW 415, версия платы 0036 415_020810.

Схема платы второго зарядного устройства.
Да, на схеме в части ШИМ управления один резистор изображен красным цветом. Просто он был выгоревшим и номинал его не возможно было узнать. Поискав по форумам, узнал его номинал и потом дописал в схему.

Схема зарядного устройства Орион PW 415, версия платы 0050_PW415_090611.

Методику ремонта и поиска неисправностей описывать не вижу смысла, у каждого она своя. Просто, если пробивает транзисторы, что в основном и случается, проверяйте целостность резисторов в цепях затворов силовых транзисторов (16 Ом), этого красного резистора тоже.
Моточные данные трансформаторов и дросселей не привожу, так как они практически не выходят из строя, так же и ЧИП-конденсаторов.

Ещё один вариант схемы зарядного устройства PW415, версия платы ver._PW160311, любезно предложил для этой статьи Леонид (leonid62

), за что ему администрация сайта выражает благодарность. Рассмотрим и её тоже здесь.

Внешний вид платы, версии PW160311, изображен ниже. Это вид платы со стороны деталей.

Внешний вид платы, версии PW160311 с обратной стороны, со стороны установленных деталей SMD.

Схема этой платы (этой версии) уже отличается от приведённых выше схем. В ней в качестве ШИМ-а применяется всем хорошо знакомая микросхема TL494.
Для питания цепей этой микросхемы и регулировочных цепей ЗУ, здесь, так же как и в компьютерныхх БП, применяется источник «Дежурного» питания, который собран на отдельной плате.
Вот схема этого зарядного устройства.

Схема зарядного устройства Орион PW 415, версия платы PW160311.

Схема платы дежурного источника питания.

Схема дежурки зарядного устройства Орион PW 415, версия платы PW160311.

Внешний вид платы дежурки со стороны установленных деталей.

Внешний вид платы дежурки со стороны дорожек.

Удачи Вам в творчестве и всего наилучшего!
 

 

Маркировка электронных компонентов, коды SMD 1Г, 1Г**, 1Г-, 1ГМ, 1ГВ, 1Гп, 1Гс, 1Гт. Даташиты BC847C, BC847CT, BC847CW, FMMTA06, IRLML2502, KST06, MMBTA06.

Главная
Автозвук
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Основной
  2. Маркировка SMD
  3. 1G
90
Код SMD Упаковка Название устройства Производитель Данные Спецификация
СОТ-23 BC847C General Semiconductor (теперь Vishay) Транзистор NPN
СОТ-416 BC847CT NXP Транзистор NPN
СОТ-23 FMMTA06 Zetex (теперь диоды) Транзистор NPN
СОТ-23 KST06 Fairchild Транзистор NPN
1Г** СОТ-23 IRLML2502 IRF N-канальный МОП-транзистор
1G- СОТ-23 BC847C NXP Транзистор NPN
1G- СОТ-323 BC847CW NXP Транзистор NPN
1ГМ СОТ-23 MMBTA06 BL Galaxy Electrical Транзистор NPN
1ГВт СОТ-23 BC847C NXP Транзистор NPN
1ГВт СОТ-323 BC847CW NXP Транзистор NPN
1Gp СОТ-23 BC847C NXP Транзистор NPN
1Gp СОТ-323 BC847CW NXP Транзистор NPN
1Гс СОТ-23 BC847C Infineon Транзистор NPN
1Гс СОТ-323 BC847CW Infineon Транзистор NPN
1 Гт СОТ-23 BC847C NXP Транзистор NPN
1 Гт СОТ-323 BC847CW NXP Транзистор NPN

Дом и кухня KBYUN Вилка для фруктов Пластиковая палочка Обед Салат Суши Аксессуары Мини для детей Палочки для торта Фруктовые зубочистки Вилки klaa.co.uk

Дом и кухня KBYUN Фруктовая вилка Пластиковая палочка Обед Салат Суши Аксессуары Мини для детей Палочки для торта Фруктовые зубочистки Вилки klaa.co.uk
  1. Дом
  2. Дом и кухня
  3. Кухня и столовая
  4. Столешница
  5. Столовые приборы
  6. Вилки
  7. KBYUN Вилка для фруктов Пластиковая палочка для обеда Салаты для суши Фрукты Мини для детей Палочки для торта Зубочистка
  8. KBYUN вилка для фруктов, пластиковая палочка для обеда, салата, суши, аксессуары, мини для детей, палочки для торта, фруктовая зубочистка

    KBYUN Фруктовая вилка Пластиковая палочка для обеда Салаты для суши Аксессуары Мини для детей Выбор торта Фруктовая зубочистка, KBYUN Фруктовая вилка Пластиковая палочка для обеда Салат Суши Аксессуары Мини для детей Набор для торта Фруктовая зубочистка: Дом, 100% гарантия, Невероятный торговый рай, Получите дешевые товары онлайн ,Сравнение цен в Интернете., Stick Lunch Salad Sushi Accessories Мини для детей Набор для торта Фруктовая зубочистка KBYUN Фруктовая вилка Пластик, KBYUN Фруктовая вилка Пластик Палочка для обеда Салат для суши Аксессуары Mini для детей Набор для торта Фруктовая зубочистка.

    перейти к содержанию

    KBYUN вилка для фруктов, пластиковая палочка для обеда, салата, суши, аксессуары, мини для детей, палочки для торта, фруктовая зубочистка

    В наборе 8 штук, для дома, но и в качестве украшения дома или офиса. Сценарии использования: вечеринки, которые могут удовлетворить ваши потребности в небольшой коробке для завтрака.Эти фруктовые палочки подходят для детей, чтобы брать закуски в детский сад или школу. Этот пищевой продукт подходит для ланч-бокса. Вилки для фруктов изготовлены из высококачественного пластика. KBYUN фруктовая вилка, пластиковая палочка для обеда, салата, суши, аксессуары, мини для детей, палочки для торта, фруктовая зубочистка: дома. партии, вы можете заказать в соответствии с вашими потребностями. Размер: 5 см. В комплект входит: 8* вилок для фруктов. Цвет: как на картинке, фуршет и детский день рождения. Этот тип аксессуара используется не только в качестве продукта.который гладкий на ощупь с естественным цветом. Материал: ABS, буфет.









    KBYUN Фруктовая вилка Пластиковая палочка Ланч Салат Суши Аксессуары Мини для детей Выбор торта Фруктовая зубочистка

    Hemoton 3шт. Миски для мороженого на ножках. Десертная чашка для смузи. Прозрачная чашка для молочного коктейля. Трусы-стринги GREFER Premium Men’s Jockstrap Hot Men’s Jockstrap Thong Underwear Underpants, Driftwood / White Convenience Concepts 6042185DFTW French Country End Table с выдвижным ящиком и полкой, женский бикини-топ Freya New Wave на косточках с глубоким вырезом, корзины для хранения ткани Ящик для кубиков с хлопковыми ручками Органайзер для полок Игрушечный детский шкаф, одежда для спальни, черный 4-Pack PRANDOM, кожаные складные ящики для хранения кубов, 11×11 дюймов, школьная форма, женский младший плиссированный скутер.Паровые столы из алюминиевой фольги Jetfoil 9×13 кастрюль от Blue Sky Половина размера, глубокая, промышленная угловая лампа для спальни Depuley Современная напольная лампа для гостиной Лампы в комплекте) Светодиодный напольный светильник для высокого дерева Офисный фермерский дом Торшер для чтения с 3 подвесными стеклянными абажурами, цвет: E MXYSP 300 мл Креативная кружка ручной работы с толстой ручкой Овальная тарелка Персонализированная керамическая чашка и блюдце Кофейная чашка Набор чашек послеобеденного чая, BAIBIKING Сменные шины для велосипеда BMX Floding Bike Шины для горного велосипеда, шины для шоссейного велосипеда 12/14/16/18/20/22/24/ 26 х 1.75 дюймов, 4,72 дюйма, 100 шт., палочки для коктейлей, деревянные зубочистки, палочки для коктейлей, палочки ручной работы, зубочистки для закусок для вечеринок. , памятные монеты президента Америки Дональда Трампа, подарочные медальоны, коллекция монет в стиле США, значок 58-го президента США, домашний декор. 6 x 3 дюйма Лунный лоток Хрустальный держатель для камней Чаша лоток для кристаллов Лунная тарелка Хрустальный дисплей Лоток для полки Полумесяц лоток для кристаллов Продемонстрируйте свои кристаллы и целебные камни, очки для камеры-мини-камера HD 1920×1080 Плоские линзы Очки в полуоправе Видеомагнитофон Peer‑ to‑Peer, Fashion Elegant Кофейная ложка Ложка для сахара Ложка для смешивания Чайная ложка Ложка для мороженого Набор столовых приборов с подставкой из лебяжьего пера Десертная ложка Gold.Emango 6 пар серьги-гвоздики из нержавеющей стали CZ для женщин мужские серьги-кольца Huggie для пирсинга ушей. 2 шт. Наволочки с принтом в белые и серые полосы с застежкой-конвертом JELLYMONI 100% натуральный хлопок Набор наволочек в полоску Подушки не включены King 20×36, 40X30cm EXCEART Художественные подрамники Набор деревянных рам для холста «сделай сам» Индивидуальные деревянные художественные рамы для масляной живописи и настенного искусства. Креативные фоторамки 11×14 Эко-красное дерево Дипломная рамка с золотыми губами Белое матовое стекло и установленными настенными вешалками Рамка вмещает 16×20 носителей без коврика,

    Перейти к началу

    KBYUN вилка для фруктов, пластиковая палочка для обеда, салата, суши, аксессуары, мини для детей, палочки для торта, фруктовая зубочистка

    KBYUN Fruit Fork Plastic Stick Lunch Salad Sushi Accessories Mini for Kids Cake Picks Фруктовая зубочистка, Дом и кухня, вилки, столовые приборы KBYUN Fruit Fork Plastic Stick Lunch Salad Sushi Accessories Mini for Kids Cake Picks Фруктовая зубочистка: дом, 100% гарантия качества, невероятные покупки рай, получить дешевые товары в Интернете, сравнение цен в Интернете.

    %PDF-1.6 % 1 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Text]/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 3 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 5 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 7 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 9 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 11 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 13 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 15 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 17 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 26 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 27 0 объект [63055 0 Р 63058 0 Р 63061 0 Р 63064 0 Р] эндообъект 37 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 38 0 объект [63067 0 Р 63070 0 Р] эндообъект 44 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 45 0 объект [63073 0 Р 63076 0 Р 63079 0 Р 63082 0 Р] эндообъект 51 0 объект >/DW 1000/Тип/Шрифт>> эндообъект 56 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 57 0 объект [63086 0 Р 63089 0 Р 63092 0 Р 63095 0 Р 63098 0 Р] эндообъект 64 0 объект > эндообъект 70 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 71 0 объект [63101 0 Р 63104 0 Р 63107 0 Р 63110 0 Р] эндообъект 81 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 82 0 объект [63113 0 Р 63116 0 Р 63119 0 Р] эндообъект 90 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 95 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 96 0 объект [63126 0 Р 63129 0 Р 63132 0 Р] эндообъект 104 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 105 0 объект [63135 0 Р 63138 0 Р] эндообъект 111 0 объект >/ColorSpace>/Font>/ProcSet[/PDF/Text/ImageC/ImageI]/Properties>/ExtGState>>>/Type/Page>> эндообъект 112 0 объект [63141 0 Р 63144 0 Р] эндообъект 148 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 149 0 объект [63147 0 Р 63150 0 Р] эндообъект 155 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 156 0 объект [63153 0 Р 63156 0 Р 63159 0 Р] эндообъект 164 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 165 0 объект [63162 0 Р 63165 0 Р 63168 0 Р 63171 0 Р] эндообъект 175 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 176 0 объект [63174 0 Ч 63177 0 Ч 63180 0 Ч] эндообъект 184 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 185 0 объект [63183 0 Р 63186 0 Р 63189 0 Р] эндообъект 193 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 198 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 199 0 объект [63197 0 Ч 63200 0 Ч 63203 0 Ч] эндообъект 207 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 208 0 объект [63206 0 Р 63209 0 Р 63212 0 Р] эндообъект 216 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 217 0 объект [63215 0 Р 63218 0 Р 63221 0 Р 63224 0 Р] эндообъект 227 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 228 0 объект [63227 0 Ч 63230 0 Ч] эндообъект 234 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 236 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 238 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 239 0 объект [63234 0 Р 63237 0 Р 63240 0 Р 63243 0 Р 63246 0 Р 63249 0 Р 63252 0 Р 63255 0 Р 63258 0 Р 63261 0 Р] эндообъект 261 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 262 0 объект [63264 0 Р 63267 0 Р 63270 0 Р 63273 0 Р 63276 0 Р 63279 0 Р 63282 0 Р 63285 0 Р 63288 0 Р 63358 0 Р] эндообъект 284 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 285 0 объект [63292 0 R 63295 0 R 63298 0 R 63301 0 R 63304 0 R 63309 0 R 63312 0 R 63315 0 R 63318 0 R 63321 0 R 63324 0 R 63327 0 R 63330 0 R 63333 0 R 63336 0 R 63339 0 R 63342 0 Р 63345 0 Р 63348 0 Р 63351 0 Р 63354 0 Р] эндообъект 330 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 332 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 334 0 объект >/Шрифт>/ProcSet[/PDF/Текст]/Свойства>/ExtGState>>>/Тип/Страница>> эндообъект 336 0 объект >/ColorSpace>/Font>/ProcSet[/PDF/Text/ImageC/ImageI]/ExtGState>>>/Type/Page>> эндообъект 337 0 объект >поток H€k0WV~˲ u4a!u:NR6}I9bWl

    Однофотонный транзистор на основе электромагнитно-индуцированной прозрачности резонатора с ридберговским атомным ансамблем

    Y.M. Hao

    1 Факультет физики Восточно-Китайского университета науки и технологии, Шанхай, 200237 Китай

    GW Lin

    1 Факультет физики Восточно-Китайского университета науки и технологии, Шанхай, 200237 Китай

    XM Lin

    2 Колледж физики и энергетики Фуцзяньского педагогического университета, Фучжоу, 350108 Китай

    YP Niu

    1 Факультет физики Восточно-Китайского университета науки и технологии, Шанхай, 200237 Китай

    .Q. Gong

    1 Факультет физики Восточно-Китайского университета науки и технологии, Шанхай, 200237 Китай

    1 Факультет физики Восточно-Китайского университета науки и технологии, Шанхай, 200237 Китай

    2 Колледж физики и энергетики Фуцзяньского педагогического университета, Фучжоу, 350108, Китай

    Автор, ответственный за переписку.

    Поступила в редакцию 11 января 2019 г.; Принято 28 февраля 2019 г.

    Открытый доступ Эта статья находится под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 Международная лицензия, которая разрешает использование, совместное использование, адаптацию, распространение и воспроизведение на любом носителе или в любом формате, при условии, что вы укажете автора(ов) оригинала и источник, предоставите ссылку на лицензию Creative Commons и укажете если были внесены изменения. Изображения или другие сторонние материалы в этой статье включены в лицензию Creative Commons для статьи, если иное не указано в кредитной строке материала. Если материал не включен в лицензию Creative Commons статьи, а ваше предполагаемое использование не разрешено законом или выходит за рамки разрешенного использования, вам необходимо получить разрешение непосредственно от правообладателя.Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/.
    Заявление о доступности данных

    Все данные, полученные или проанализированные в ходе этого исследования, включены в эту опубликованную статью (и ее файлы с дополнительной информацией).

    Abstract

    Представлена ​​схема реализации однофотонного транзистора на основе квантовой электродинамики резонатора (КЭД) с ридберговским ансамблем атомов. Объединив преимущества взаимодействия с усилением резонатора и ридберговской блокады, мы получили однофотонный транзистор с высоким коэффициентом усиления.Численный расчет показывает, что при использовании одного фотона затвора можно переключать более тысячи фотонов источника.

    Введение

    Электромагнитно индуцированная прозрачность (EIT), индуцированная эффектом когерентной интерференции, имеет множество важных применений, включая оптическую нелинейность 1 , 2 , квантовое хранение 3 , 3 -временная симметрия 5 7 и так далее 8 , 9 .Сочетая преимущества усиленного резонаторным взаимодействием и ридберговской блокады, резонаторный EIT с ридберговским атомным ансамблем становится многообещающей платформой для реализации оптических нелинейностей. Как теории, так и эксперименты подтвердили, что в этой системе могут быть реализованы сильные оптические нелинейности. В частности, Lin и др. . 14 представили теоретическую схему сильной однофотонной нелинейности с внутрирезонаторным ЭИП в блокированном ридберговском ансамбле.В этой схеме они показали, что фотоны в резонаторе представляют собой поляритоны темного состояния резонатора, и сильное взаимодействие поляритонов приводит к сильному эффекту блокады. В недавнем эксперименте 15 , Цзя и др. . наблюдали это сильное взаимодействие поляритонов в темном состоянии резонатора и продемонстрировали сильную однофотонную нелинейность, измерив спектр пропускания. Используя эту сильную нелинейность, можно реализовать квантовые фазовые ворота между фотоном и ансамблем атомов 16 или двумя фотонами 17 .

    Однофотонный транзистор – краеугольный камень квантовой обработки информации 18 22 . Он открывает новые перспективы для полностью оптической обработки информации и имеет множество потенциальных приложений, таких как реализация квантовых повторителей 23 , неразрушающее обнаружение оптических фотонов 24 , генерация состояний кота Шредингера 25 . Сильные однофотонные нелинейности, при которых световой импульс затвора изменяет пропускание светового импульса источника с усилением выше единицы, являются фундаментальным ограничением таких устройств.В различных системах 26 32 было предпринято много усилий для получения таких сильных однофотонных нелинейностей. Среди этих систем квантовая электродинамика резонатора (КЭД) 33 и EIT Ридберга 34 39 являются двумя важными многообещающими кандидатами. Для получения однофотонного транзистора с высоким коэффициентом усиления схема резонатора QED 33 и схема Rydberg-EIT 38 соответственно используют взаимодействие с усиленным резонатором и ридберговскую блокаду 40 , 40324 соответственно добиться сильной однофотонной нелинейности.Оба оптических усиления этих двух систем были до нескольких сотен 33 , 38 .

    В этой статье мы теоретически представляем однофотонный транзистор на основе ЭИП резонатора с ридберговским ансамблем атомов 42 , 43 . В нашей схеме ридберговский ансамбль атомов заключен в оптический резонатор. Чрезвычайно сильные однофотонные нелинейности могут быть созданы путем объединения преимуществ взаимодействия с усилением резонатора и ридберговской блокады.Благодаря сильным однофотонным нелинейностям мы можем реализовать однофотонный транзистор с высоким коэффициентом усиления. Мы показываем, что оптическое усиление в нашей схеме может быть увеличено выше тысячи, что выше, чем в обеих схемах КЭД резонатора 33 и схеме Ридберга-ЭИТ 34 38 . Кроме того, даже когда масштаб атомного ансамбля намного превышает радиус блокады 44 , наша схема все еще может работать хорошо.

    Результаты

    Как показано на рис., наша модель состоит из холодного ансамбля N ридберговских атомов, захваченных внутри оптического резонатора. Каждый атом имеет стабильное основное состояние | г 〉, два возбужденных состояния | е 1 〉 и | e 2 〉 и два ридберговских состояния | г 1 〉 и | р 2 〉. Первым шагом для реализации однофотонного транзистора является процесс фотона затвора.Изначально все атомы находятся в основном состоянии | г 〉, т. е. |G〉=|g1,g2,…,gN〉. Фотон ворот в свободном пространстве резонирует с переходом | г 〉 ↔ | e 1 〉, а классическое управляющее поле с частотой Раби Ω 1 управляет переходом | e 1 〉 ↔ | r 1 〉, как показано на рис. . Эти два перехода образуют конфигурацию EIT. Адиабатически уменьшая мощность управляющего лазера, фотон затвора может быть сохранен в атомном ансамбле Ридберга 3 .Как показано в исх. 4 , максимальная эффективность хранения с резонаторным EIT может достигать P  ≈  /(1 +  ) после оптимизированного управления, здесь η — однократное Для  ≫ 1, P  → 1.

    Однофотонный транзистор с ансамблем N ридберговских атомов, захваченных внутри оптического резонатора. ( a ) Сначала мы сохранили фотон затвора в среде, что соответствует ридберговскому возбуждению в состояние | р 1 〉.( b ) Это ридберговское возбуждение блокирует передачу исходных фотонов через резонатор.

    После этого процесса накопления фотона затвора мы применяем слабый когерентный пучок источника ε s с частотой ω s для возбуждения моды резонатора a переход | г 〉 ↔ | e 2 〉, как видно на рис. . Тем временем другое управляющее поле с частотой Раби Ω 2 управляет переходом | e 2 〉 ↔ | р 2 〉.Общий гамильтониан системы может быть дан

    HTOTAL = εS (A † E-I-IS + AeiΔst) + Hi,

    1

    с δ S = Ω S ? gj|e2,j〉〈gj|a+Ω2(|r2,j〉〈e2,j|+Hc+∑i

    2

    – гамильтониан взаимодействия между атомами и модой резонатора.Здесь Δr1,r2 — дополнительный сдвиг энергии при возбуждении двух атомов соответственно в ридберговские состояния | г 1 〉 и | r 2 〉, g j – коэффициент связи одноатомного резонатора. В гамильтониане H I мы пренебрегли взаимодействием самоблокировки ∑i 45 .

    В идеальном случае каждый атом имеет равную амплитуду вероятности 1/N быть ридберговским возбуждением | r 1 〉 после сохранения фотона затвора в атомном ансамбле. Без ограничения общности будем считать атом i ридберговским возбуждением | r 1 〉 и другие атомы остаются в исходном основном состоянии | г 〉. Из-за ридберговской блокады n атомов в радиусе блокады вокруг i -го атома имеют дополнительный энергетический сдвиг Δr1,r2.Остальные ( N  −  n ) атомы вне радиуса блокады не будут затронуты ридберговской блокадой (см. рис. ). Для простоты мы разделим Hamilton H I на две части: одна часть Hamilton H n для n атомов в радиусе ридберговской блокады, другая часть Hamilton N n для ( N  −  n ) атомов вне радиуса ридберговской блокады, тогда

    с

    Hn=∑t=1n[(t〉|e2 Ω2|r2,t〉〈e2,t|+H.в.)+∆r1,r2|r2,t〉〈r2,t|],

    4

    HN−n=∑k=1N−n(gk|e2,k〉〈gk|a+Ω2(|r2 ,k〉〈e2,k|+Hc). может быть описано квантовыми уравнениями Ланжевена 46 , а стационарное решение резонаторной моды a в приближении среднего поля 47 определяется выражением (см. Методы)

    〈a〉=− iεsi∆s+κ+g¯2ni∆s+γe2+Ω22i∆s+i∆r1,r2+γr2+g¯2(N−n)i∆s+γe2+Ω22i∆s+γr2,

    6

    , где κ – скорость затухания резонатора , γ e ( γ r ) – скорость расфазировки, связанная с низковозбужденным состоянием (состояние Ридберга), g¯=∑j=1Ngj2/N – эффект взаимодействия атом-полость сила.И прошедшее поле источника через резонатор составляет

    На рисунке показана зависимость прошедшей интенсивности It=aT⁎aT исходного света (нормированная на интенсивность входного источника Iin=|εs|2) от расстройки источника-резонатора Δ с для (а) γ R = 0,01 κ , (b) κ , (b) Γ R = 0,1 κ , (C) γ R = 1 . Когда γr≪κ и Δr1,r2=0 МГц (т.т. е., в ансамбле Ридберга не сохраняется ни один фотон затвора), мы можем наблюдать высокое пропускание, поскольку все атомы образуют EIT. Когда Δr1,r2≠0 МГц (т. е. фотон затвора сохранен как ридберговское возбуждение), передача исходного луча будет сильно подавлена. На рисунке представлена ​​нормированная интенсивность прошедшего света источника как функция расстройки резонатора источника Δ s при различных значениях отношения r  =  n / N . Совершенно неожиданно, хотя r  ≪ 1, т.е.е., многие атомы находятся вне радиуса блокады, одиночное ридберговское возбуждение также может блокировать прохождение источника-света.

    Прошедшая интенсивность It=aT⁎aT исходного света (нормированная на интенсивность входного источника Iin=|εs|2) в зависимости от расстройки источника-резонатора Δ с при Δr1,r2=0 МГц (синяя пунктирная линия ) и Δr1, R2 = 50 МГц (красное твердое вещество) для ( A ) γ R = 0,01 κ , ( B ) γ R = 0.1 κ и ( c ) γ r  = 1 κ . Другие параметры ω = 20 МГц, κ = 1 МГц, G¯ = 1 МГц, N = 3600, N = 400, γ E = 30 МГц и ε с  = 5 МГц.

    Нормализованная интенсивность проходящего света источника в зависимости от расстройки источника-резонатора при различных значениях r(n/N). Другие параметры ω = 20 МГц, κ = 1 МГц, g¯ = 1 МГц, N = 3600, γ E = 30 МГц, γ R = 10 −2 κ , Δr1,r2=50 МГц и ε с  = 5 МГц.

    Физические причины приведенных выше результатов таковы: когда нет сохраненного фотона затвора, почти все фотоны источника удовлетворяют условию EIT и находятся в темных состояниях (собственные значения энергии E 0  = 0). Тогда энергия полости и атомов равна E=ωca†a+E0=ωca†a. В этом случае фотоны источника будут проходить через резонатор, когда они резонируют с модой резонатора. Когда фотон затвора хранится в ансамбле, связь между атомами и модой резонатора можно разделить на две части (в пределах радиуса блокады и вне радиуса блокады).Атомы вне радиуса блокады по-прежнему удовлетворяют EIT, и все они находятся в темных состояниях. Энергия этой части равна E N n  = 0. Но атомы внутри блокады больше не удовлетворяют условию EIT из-за сдвига уровня энергии Ридберга. Энергия этой части En≠0, так как они отклонились от темного состояния. Таким образом, полная энергия системы E=ωca†a+EN−n+En≠ωca†a. В этом случае фотоны источника будут отражаться полостью, так как они не соответствуют энергии системы полость-атом.

    Согласно анализу, приведенному выше, возбуждение Ридберга, связанное с хранением одного фотона затвора, может подавить передачу фотона источника, поэтому наша модель может быть использована для реализации однофотонного транзистора.

    Обсуждение и выводы

    Далее мы количественно определяем однофотонный транзистор с оптическим усилением. Количество переданных фотонов источника равно M¯s,out=∫0τaT⁎aTdt, где τ — время интегрирования источника. Тогда оптическое усиление G на сохраненный фотон затвора может быть определено как индуцированное фотоном затвора изменение светопропускания источника 33 , как

    G=M¯s,outnogate-M¯s,outwithgate,

    8

    где M¯s,outnogate и M¯s,outwithgate обозначают средние числа переданных исходных фотонов без и с хранением фотона затвора соответственно.На рис.  показано усиление транзистора G по сравнению с r  =  n / N . Из рис.   видно, что с увеличением r  =  n / N оптическое усиление G сначала увеличивается, а затем быстро достигает максимального значения. Несмотря на то, что r  ≪ 1, оптическое усиление G может превышать 10 3 . Кроме того, когда резонатор находится в режиме слабой связи, т.е. одноатомная кооперативность η=g¯2/κγe=0.1≪1, однофотонный транзистор все еще может хорошо работать.

    Коэффициент усиления транзистора G в зависимости от r. Другие параметры Ω = 20 МГц, κ = 1 МГц, N = 3600, γ E = 30 МГц, γ R = 10 -2 κ , η=g−2/κγe=0.1, Δr1,r2=50 МГц, ε с  = 5 МГц и τ  = 50  мкс мкс мкс

    Затем мы обращаемся к экспериментальной реализуемости предложенной схемы.Для потенциальной экспериментальной системы мы считаем, что оптический резонатор захватывает ансамбль холодных атомов 87 Rb с атомным номером N  ≈ 3600. Предполагая, что n  ≈ 14 атомов внутри сферы блокады с радиусом r ≈ 1,5  мкм поражены блокадой Ридберга. Для ридберговских состояний |r1〉=|41s1/2,m=1/2〉, |r2〉=|40s1/2,m=1/2〉 можно добиться сильно асимметричного взаимодействия ридберговских блокад Δr1r2≈56 МГц, что много больше, чем Δr2,r2≈0.3 МГц 45 , 48 . Обычно соответствующие параметры резонатора составляют ( κ , γ e ) ≈ (1,16, 37,6) МГц 49 . Мы выбираем параметры γ R = 10 -2 κ , ε S = 5 МГц, Ω 2 = 20 МГц, τ = 50 μ s и одноатомной кооперативности η=g¯2/κγe=0,1≪1, то мы можем получить оптическое усиление G  ≈ 1125 для однофотонного транзистора.По ходу эксперимента в ридберговских атомах были успешно продемонстрированы ЭИП резонатора 15 и многоволновое смешение 50 , 51 для сильной нелинейности. Поэтому наша схема может быть реализована в ближайшее время.

    В заключение мы продемонстрировали новую схему реализации однофотонного транзистора на основе КЭД резонатора и ЭИП Ридберга. Благодаря сочетанию преимуществ взаимодействия с резонаторами и ридберговской блокады оптическое усиление однофотонного транзистора увеличивается более чем до 10 3 , что выше, чем у обеих схем резонатора 33 и схемы Ридберга-ЭИТ . 34 38 .Кроме того, даже когда масштаб атомного ансамбля намного превышает радиус блокады 44 , наша схема все еще может работать хорошо. Таким образом, наша работа может обеспечить многообещающий подход к реализации однофотонного транзистора и других полностью оптических устройств.

    Методы

    Для удобства определим коллективные операторы Sn,Λ†=1n∑t=1n|Λt〉〈gt| и SN−n,Λ†=1N−n∑k=1N−n|Λk〉〈gk| (Λ =  e 2 , r 2 ) для атомов в пределах радиуса ридберговской блокады и вне радиуса ридберговской блокады соответственно.В терминах этих коллективных операторов мы перепишем гамильтонианы H n и H N n как:

    Hn’=ng¯ng e2†)+Ω2(Sn,e2†Sn,r2+Sn,r2†Sn,e2)+∆r1,r2Sn,r2†Sn,r2,

    9

    HN−n′=N−ng¯(a† SN−n,e2+aSN−n,e2†)+Ω2(SN−n,e2†SN−n,r2+SN−n,r2†SN−n,e2),

    10

    , где ng¯= ∑t=1ngt2 (N−ng¯=∑k=1N−ngk2) 52 — эффективная сила связи атом-полость, которая в совокупности увеличивается благодаря эффекту многоатомной интерференции 53 .

    Учитывая потери фотонов из полости, а также связанные с атомом распады, мы описываем динамику системы, описываемой полным гамильтонианом H total во вращающейся системе отсчета, с помощью следующих квантовых уравнений Ланжевена 46 :

    a˙=−(iΔs+κ)a−ig¯nSn,e2−ig¯N−nSN−n,e2−is,

    11

    S˙n,e2=−(iΔs+ γe2)Sn,e2−ig¯na−iΩ2Sn,r2,

    12

    S˙n,r2=−i(iΔs+iΔr1,r2+γr2)Sn,r2−iΩ2Sn,e2,

    13

    S ˙N−n,e2=−(iΔs+γe2)SN−n,e2−ig¯N−na−iΩ2SN−n,r2,

    14

    S˙N−n,r2=−(iΔs+γr2) SN−n,r2−iΩ2SN−n,e2,

    15

    Здесь мы не учитывали декогеренцию между основными состояниями.В приближении среднего поля 〈Qc〉=〈Q〉〈c〉 47 , а уравнения среднего значения имеют вид 〈Sn,e2〉−ig¯N−n〈Sn,e2〉−iεs,

    16

    −iΩ2〈Sn,r2〉,

    17

    〈S˙n,r2〉=−(iΔs+iΔr1,r2+γr2)〈Sn,e2〉−iΩ2〈Sn,e2〉,

    18

    S˙N−n,e2〉=−(iΔs+γe2)〈SN−n,e2〉−ig¯N−n〈a〉−iΩ2〈SN−n,r2〉,

    19

    〈S˙N −n,r2〉=−(iΔs+γr2)〈SN−n,r2〉−iΩ2〈SN−n,e2〉,

    20

    Стационарное решение резонаторной моды дается выражением

    〈a 〉=-iεsiΔs+κ+g¯2niΔs+γe2+Ω22iΔs+iΔr1,r2+γr2+g¯2(N−n)iΔs+γe2+Ω22iΔs+γr2.

    21

    Благодарности

    Работа выполнена при поддержке Национального фонда естественных наук Китая (гранты № 11874146, № 11774089 и № 11674094), проекта Шанхайского фонда естественных наук (гранты № 17ZR1442700, 18DZ0, 18DZ0,225240 18ZR1410500).

    Вклад авторов

    Г.В.Л. внес оригинальную концепцию теоретической модели; Ю.П.Н. и С.К.Г. участвовал в разработке модели; Ю.М.Х. выполнили моделирование и расчеты; ИКС.М.Л. внес некоторую идею в модель. Ю.М.Х., Г.В.Л., Ю.П.Н. и С.К.Г. обсудили результаты и написали рукопись.

    Доступность данных

    Все данные, полученные или проанализированные в ходе этого исследования, включены в эту опубликованную статью (и ее файлы с дополнительной информацией).

    Примечания

    Конкурирующие интересы

    Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

    Сноски

    Примечание издателя: Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

    Литература

    1. Имамоглу А., Шмидт Х., Вудс Г., Дойч М. Фотоны с сильным взаимодействием в нелинейном резонаторе. физ. Преподобный Летт. 1998; 79:1467. doi: 10.1103/PhysRevLett.79.1467. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]2. Шмидт Х., Имамоглу А. Гигантские нелинейности Керра, полученные с помощью электромагнитно индуцированной прозрачности. Опц. лат. 1996; 21:1936. doi: 10.1364/OL.21.001936. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]3. Флейшхауэр М., Лукин М.Д. Поляритоны в темном состоянии в электромагнитно индуцированной прозрачности.физ. Преподобный Летт. 2000; 84: 5094–5097. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.5094. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]4. Горшков А.В., Андре А., Лукин М.Д., Соренсен А.С. Хранение фотонов в оптически плотных атомарных средах Λ-типа. I. Модель полости. физ. Ред. А. 2007; 76:033804. doi: 10.1103/PhysRevA.76.033804. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]5. Чжан Зи и др. М. Неэрмитова оптика в атомных системах. Дж. Физ. Летучая мышь. Мол. Опц. физ. 2018;51:072001. doi: 10.1088/1361-6455/aaaf9f. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 6. Чжан Зи и др.Четно-симметричная оптическая решетка с чередующимися конфигурациями атомов усиления и потери. Лазер Фотон. 2018; 12:1800155. doi: 10.1002/lpor.201800155. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 7. Чжан Зи и др. Наблюдение симметрии времени четности в оптически индуцированных атомных решетках. физ. Преподобный Летт. 2016;117:123601. doi: 10.1103/PhysRevLett.117.123601. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]8. Чжан Зи и др. Управляемый фотонный кристалл с периодическим комбинационным усилением в когерентной атомной среде. Опц. лат.2018;43:919–922. doi: 10.1364/OL.43.000919. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]9. Чжан И, Вэнь Дж. М., Чжу С. Н., Сяо М. Нелинейный эффект Талбота. физ. Преподобный Летт. 2010;104:183901. doi: 10.1103/PhysRevLett.104.183901. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 10. Париги В. и др. Наблюдение и измерение индуцированных взаимодействием дисперсионных оптических нелинейностей в ансамбле холодных ридберговских атомов. физ. Преподобный Летт. 2012;109:233602. doi: 10.1103/PhysRevLett.109.233602. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 11.Боддеда Р. и соавт. Ридберг-индуцированные оптические нелинейности от ансамбля холодных атомов, запертых внутри резонатора. Дж. Физ. Летучая мышь. Мол. Опц. физ. 2016;49:084005. doi: 10.1088/0953-4075/49/8/084005. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 12. Гранкин А и др. Квантовая статистика света, прошедшего через внутрирезонаторную ридберговскую среду. Новый J физ. 2014;16:043020. doi: 10.1088/1367-2630/16/4/043020. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 13. Гранкин А и др. Квантово-оптические нелинейности, индуцированные взаимодействиями Ридберга-Ридберга: пертурбативный подход.физ. Ред. А. 2015; 92:043841. doi: 10.1103/PhysRevA.92.043841. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 14. Линь Г.В., Ци Ю.Х., Линь Х.М., Ню Ю.П., Гонг К.В. Сильная фотонная блокада с внутрирезонаторной электромагнитно индуцированной прозрачностью в блокированном ридберговском ансамбле. физ. Ред. А. 2015; 92:043842. doi: 10.1103/PhysRevA.92.043842. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 15. Цзя Н и др. Сильно взаимодействующая поляритонная квантовая точка. Нац. физ. 2018;14:550–554. doi: 10.1038/s41567-018-0071-6. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 16. Хао Ю.М. и др.Затвор с квантовым управлением фазой между летящим оптическим фотоном и атомным ансамблем Ридберга. науч. Отчет 2015; 5:10005. doi: 10.1038/srep10005. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]17. Дас С. и др. Фотонные управляемые фазовые ворота через ридберговскую блокаду в оптических резонаторах. физ. Ред. А. 2016; 93:040303(R). doi: 10.1103/PhysRevA.93.040303. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 18. Колфилд Х.Дж., Долев С. Почему суперкомпьютерам будущего нужна оптика. Нац. Фотоника. 2010;4:261–263. дои: 10.1038/нфотон.2010.94. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 19. О’Брайен Дж.Л., Фурусава А., Вучкович Дж. Фотонные квантовые технологии. Нац. Фотоника. 2009; 3: 687–695. doi: 10.1038/nphoton.2009.229. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 20. Бермель П., Родригес А., Джонсон С.Г., Иоаннопулос Дж.Д., Солячич М. Однофотонное полностью оптическое переключение с использованием квантовой электродинамики волновод-резонатор. физ. Ред. А. 2006; 74:043818. doi: 10.1103/PhysRevA.74.043818. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 21. Чанг Д.Э., Соренсен А.С., Демлер Э.А., Лукин М.Д. Однофотонный транзистор, использующий наноразмерные поверхностные плазмоны.Нац. физ. 2007; 3: 807–812. doi: 10.1038/nphys708. [CrossRef] [Google Scholar]

    22. Нильсен, М. А., Чуанг, И. Л. Квантовые вычисления и квантовая информация (University Press, Cambridge, 2000).

    23. Briegel H-J, Dür W, Cirac JI, Zoller P. Квантовые повторители: роль несовершенных локальных операций в квантовой связи. физ. Преподобный Летт. 1998;81:5932. doi: 10.1103/PhysRevLett.81.5932. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 24. Брагинский В.Б., Халили Ф.Я. Квантовые неразрушающие измерения: путь от игрушек к инструментам.Преподобный Мод. физ. 1996;68:1. doi: 10.1103/RevModPhys.68.1. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 25. Гери К.М., Рич Х. Одноатомные квантовые ворота для света. физ. Ред. А. 1997; 56:3187. doi: 10.1103/PhysRevA.56.3187. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 26. Хван Дж. и др. Одномолекулярный оптический транзистор. Природа. 2009; 460:76–80. doi: 10.1038/nature08134. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 27. Байчи М. и соавт. Эффективное полностью оптическое переключение с использованием медленного света внутри полого волокна. физ. Преподобный Летт. 2009;102:203902.doi: 10.1103/PhysRevLett.102.203902. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 28. Энглунд Д. и соавт. Сверхбыстрое фотон-фотонное взаимодействие в сильно связанной системе квантовая точка-резонатор. физ. Преподобный Летт. 2012;108:093604. doi: 10.1103/PhysRevLett.108.093604. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 29. Бозе Р., Шридхаран Д., Ким Х., Соломон Г.С., Вакс Э. Оптическое переключение с низким числом фотонов с одиночной квантовой точкой, соединенной с фотонно-кристаллической полостью. физ. Преподобный Летт. 2012;108:227402. doi: 10.1103/PhysRevLett.108.227402. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]30. Волц Т. и др. Сверхбыстрое полностью оптическое переключение одиночными фотонами. Нац. Фотоника. 2012; 6: 605–609. doi: 10.1038/nphoton.2012.181. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 31. Лоо В. и др. Оптическая нелинейность для импульсов с несколькими фотонами в резонаторном устройстве с квантовыми точками. физ. Преподобный Летт. 2012;109:166806. doi: 10.1103/PhysRevLett.109.166806. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 32. Архипкин В.Г., Мысливец С.А. Полностью оптический транзистор, использующий фотонно-кристаллический резонатор с активной усиливающей средой комбинационного рассеяния.физ. Ред. А. 2013; 88:033847. doi: 10.1103/PhysRevA.88.033847. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 33. Чен В. и др. Полностью оптический переключатель и транзистор, управляемые одним сохраненным фотоном. Наука. 2013; 341:768–770. doi: 10.1126/science.1238169. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 34. Баур С., Тиаркс Д., Ремпе Г., Дюрр С. Однофотонный переключатель на основе блокады Ридберга. физ. Преподобный Летт. 2014;112:073901. doi: 10.1103/PhysRevLett.112.073901. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 35. Ноймайер Л., Лейб М., Хартманн М.Дж. Однофотонный транзистор в схеме квантовой электродинамики.физ. Преподобный Летт. 2013;111:063601. doi: 10.1103/PhysRevLett.111.063601. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 36. Горнячик Х., Тресп С., Шмидт Дж., Феддер Х., Хофферберт С. Однофотонный транзистор, опосредованный ридберговскими взаимодействиями между состояниями. физ. Преподобный Летт. 2014;113:053601. doi: 10.1103/PhysRevLett.113.053601. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 37. Тиаркс Д., Баур С., Шнайдер К., Дюрр С., Ремпе Г. Однофотонный транзистор с использованием резонанса Фёрстера. физ. Преподобный Летт. 2014;113:053602. doi: 10.1103/PhysRevLett.113.053602. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 38. Горнячик Х. и соавт. Усиление однофотонной нелинейности, опосредованной Ридбергом, за счет электрически настроенных резонансов Ферстера. Нат Коммуникации. 2016;7:12480. doi: 10.1038/ncomms12480. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]40. Фирстенберг О., Адамс К.С., Хофферберт С. Нелинейная квантовая оптика, опосредованная ридберговскими взаимодействиями. Дж. Физ. Летучая мышь. Мол. Опц. физ. 2016;49:152003. doi: 10.1088/0953-4075/49/15/152003. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 41.Горшков А.В., Оттербах Дж., Флейшхауэр М., Поль Т., Лукин М.Д. Фотон-фотонные взаимодействия через ридберговскую блокаду. физ. Преподобный Летт. 2011;107:133602. doi: 10.1103/PhysRevLett.107.133602. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]42. Шэн Дж.Т. и др. Внутрирезонаторная электромагнитно-индуцированная прозрачность ридберговского атома с использованием высокоточного оптического резонатора. физ. Ред. А. 2017; 96:033813. doi: 10.1103/PhysRevA.96.033813. [CrossRef] [Google Scholar]43. Цзя Н и др. Наблюдение и характеристика ридберговских поляритонов резонатора.физ. Ред. А. 2016; 93:041802. doi: 10.1103/PhysRevA.93.041802. [CrossRef] [Google Scholar]44. Герлин С., Брион Э., Эсслингер Т., Мёльмер К. Квантовая электродинамика резонатора с ансамблем атомов, блокируемых Ридбергом. физ. Ред. А. 2010; 82:053832. doi: 10.1103/PhysRevA.82.053832. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 45. Саффман М., Мёльмер К. Эффективное запутывание множества частиц с помощью асимметричной блокады Ридберга. физ. Преподобный Летт. 2009;102:240502. doi: 10.1103/PhysRevLett.102.240502. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

    46.Walls, DF & Milburn, GJ Quantum Optics (Springer-Verlag, Berlin, 1994).

    47. Агарвал Г.С., Хуанг С. Электромагнитно индуцированная прозрачность при механическом воздействии света. физ. Ред. А. 2010; 81:041803(R). doi: 10.1103/PhysRevA.81.041803. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 48. Уокер Т.Г., Саффман М. Последствия зеемановского вырождения для ван-дер-ваальсовой блокады между ридберговскими атомами. физ. Ред. А. 2007; 77:032723. doi: 10.1103/PhysRevA.77.032723. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 49.Танджи-Сузуки Х., Чен В., Ландиг Р., Саймон Дж., Вулетич В. Прозрачность, вызванная вакуумом. Наука. 2011; 333:1266–1269. doi: 10.1126/science.1208066. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]50. Че Дж.Л., Чжан З.И., Ху М.Л., Ши С.В., Чжан Ю.П. Роман Ридберг восьмиволновый процесс смешения, управляемый в нелинейной фазе поля с круговой поляризацией. Опц. Выражать. 2018;26:3054–3066. doi: 10.1364/OE.26.003054. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]51. Че Дж.Л. и соавт. Поляризованное расщепление Аутлера-Таунса шестиволнового смешения Ридберга.Дж. Физ. Летучая мышь. Мол. Опц. физ. 2016;49:174002. doi: 10.1088/0953-4075/49/17/174002. [CrossRef] [Google Scholar]52. Мюке М. и соавт. Электромагнитно индуцированная прозрачность с одиночными атомами в полости. Природа. 2010; 465:755. doi: 10.1038/nature09093. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]53. Lange W. Cavity QED: Сила в количестве. Нац. физ. 2009; 5:455. doi: 10.1038/nphys1325. [CrossRef] [Google Scholar]

    Качественный pnp-транзистор 1GW bc847c для электронных проектов. Бесплатный образец сейчас

    .ком предлагает большой выбор fichiers. 1gw bc847c pnp транзистор парный выбор для ответа на ваши запросы. 1gw bc847c pnp транзистор содержит основные элементы для всех типов электронных компонентов. Ils peuvent être utilisés для construire де карты mères, де calculatrices, де радио, де téléviseurs и др bien плюс бис. En choisissant le bon. 1gw bc847c pnp-транзистор , уоиз pouvez vous assurer Que le produit que vous convez sera de haute qualité et foctionnera très bien.Les Principaux Facteurs de Sélection des Produits comprennent l’application prévue, le materiau et le type, entre autres facteurs.

    1gw bc847c pnp-транзистор входит в состав полупроводниковых материалов и является общим для трех частей, которые используются для подключения внешних цепей. Ces dispositifs fonctionnent Comme des Amplificateurs ou des commutateurs dans la plupart des Circuits électriques. 1gw bc847c pnp транзистор поглощает два типа областей, являющихся результатом включения примесей в процесс допирования.En tant qu’amplificateurs, le. 1gw bc847c pnp транзистор неисправен для входа в большую энергию вылета, и его канализация является малой скоростью для стандартных приложений, функционирующих вместе с коммутаторами.

    Étudiez les fiches методы de votre. 1GW bc847c pnp-транзистор для определения базы, измерения и сбора для надежного и безопасного соединения. Ле. 1gw bc847c pnp транзистор на Alibaba.com utilisent le comme substrat semi-conducteur main, grâce à leurs perfectes propriétés et à la voltage de jonction souhaitable de 0,6V. Les paramètres essentiels pour. 1GW bc847c pnp-транзистор для всего проекта, включая функции, рассеивание энергии и напряжение источника.

    Découvrez un prix incroyablement abordable. 1gw bc847c pnp транзистор на Alibaba.com для всех ваших предпочтений и предпочтений. Разнообразные материалы и стили не доступны для установки и функционирования, а также для практического использования.Некоторые продавцы аккредитованы для предоставления услуг послепродажного обслуживания и оказания помощи.

    Характеристики Toshiba Satellite P500-1GW 46,7 см (18,4″) WSXGA+ Intel® Core™ i5 4-го поколения 4 ГБ DDR3-SDRAM 1000 ГБ NVIDIA® GeForce® GT 330M Windows 7 Home Premium Ноутбуки черного цвета (PSPGSE-1CP00EFR)

    Порты FireWire (IEEE 1394)

    1

    Выходной порт S/PDIF

    микрофон в

    Стыковочный разъем

    Тип порта зарядки

    Разъем постоянного тока

    Слот ExpressCard

    Тип слота CardBus PCMCIA

    Слот для смарт-карты

    Количество клавиш на клавиатуре

    105

    Архитектура операционной системы

    64-битный

    Драйверы включены

    Установленная операционная система *

    Windows 7 Домашняя расширенная

    Беспроводной дисплей Intel® (Intel® WiDi)

    Технология Intel® My WiFi (Intel® MWT)

    Технология Intel® Anti-Theft (Intel® AT)

    Технология Intel® Hyper-Threading (технология Intel® HT)

    Технология Intel® Turbo Boost

    1.0

    Усовершенствованная технология Intel SpeedStep

    Технология Intel® Clear Video HD (Intel® CVT HD)

    Технология Intel Clear Video

    3D-технология Intel® InTru™

    Intel® Insider™

    Видеотехнология Intel® Quick Sync

    Доступ к гибкой памяти Intel

    Интеллектуальная кэш-память Intel®

    Новые инструкции Intel® AES (Intel® AES-NI)

    Технология Intel Trusted Execution

    Усовершенствованное состояние остановки Intel

    Intel VT-x с расширенными таблицами страниц (EPT)

    Переключение по требованию Intel

    Технология Intel® Clear Video для мобильных интернет-устройств (Intel CVT для MID)

    Интел 64

    Выполнить бит отключения

    состояния бездействия

    Технологии теплового мониторинга

    Размер пакета процессора

    РПГА 37.5x 37,5, BGA 34×28

    Поддерживаемые наборы инструкций

    SSE4.1, ССЕ4.2

    Расширение физического адреса (PAE)

    Расширение физического адреса (PAE)

    36 бит

    Конфигурация ЦП (макс.)

    1

    Доступны встроенные опции

    Графика и литография IMC

    45 нм

    Технология виртуализации Intel для направленного ввода-вывода (VT-d)

    Технология виртуализации Intel (VT-x)

    Технология Intel с поддержкой двух дисплеев

    Технология Intel для ПИИ

    Технология быстрого хранения Intel

    Быстрый доступ к памяти Intel

    Бесконфликтный процессор

    Срок службы батареи (макс.)

    1.50 ч

    Слот для тросового замка

    Тип слота замка для троса

    Кенсингтон

    Тип защиты паролем

    Жесткий диск, супервизор, пользователь

    Wi-Fi сертифицирован

    Сертификаты устойчивого развития

    ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ЗВЕЗДА

    Беспроводная технология

    Wi-Fi

    Адаптер переменного тока в комплекте

    Инфракрасный порт данных

    Семейство графических адаптеров

    NVIDIA

    Требования к питанию

    100/240В

    пароль пользователя жесткого диска

    Внутренний модем

    встроенный ТВ-тюнер

    транзистор%20smd%206cw техническое описание и примечания по применению

    TLP627M Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Оптопара (выход транзистора фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднеквадратичного значения, DIP4
    SSM6K513NU Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А, 0.0089 Ом при 10 В, UDFN6B
    ТК065Н65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 650 В, 38 А, 0,065 Ом при 10 В, TO-247
    ТК1К7А60Ф Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 600 В, 4,0 А, 1,7 Ом при 10 В, TO-220SIS
    ТК2К2А60Ф Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 600 В, 3 шт.5 А, 2,2 Ом при 10 В, ТО-220СИС
    ТК4К1А60Ф Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 600 В, 2,0 А, 4,1 Ом при 10 В, TO-220SIS
    .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *