Транзистор 2sc2625 параметры: Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги

2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.

Характерные особенности

• Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,2 В при I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 1,0 мкс при I_C = 5,0 А.
• Удовлетворительная линейность изменения параметра h_FE.
• Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	UCBO	450
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	UEBO	7
Ток коллектора постоянный, А	IC	10
Ток коллектора импульсный, А	ICM	20
Ток базы постоянный, А	IB	3
Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C	PC	80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150°C
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С	Tstg	-55°C…+150°C
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJС	1,56

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U(BR)CBO	IC = 1,0 мА, IE = 0	≥ 450
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 10,0 мА, IB = 0	≥ 400
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 0,1 мА, IC = 0	≥ 7,0
Ток коллектора выключения, мА	ICBO	UCB = 450 В, IE = 0	≤ 1,0
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 7,0 В, IC = 0	≤ 100,0
Характеристики включенного состояния ٭
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 4,0 А, IB = 800 мА	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 4,0 А, IB = 800 мА	≤ 1,5
Статический коэффициент усиления по току	hFE	UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А	≥ 10
Временные характеристики работы транзистора
Время нарастания импульса, мкс	ton	UCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	tf		≤ 1,0

٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.

Схема проверки временных характеристик

На рисунке:

• P_W = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
• R_L = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.

Модификации (версии) транзистора

Тип	PС	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	RƟJC	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,56		1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,17		— / — / —	TO-3PN
2SC2625B	80	450	400	7	10	150	> 10	1,55		1,0 / 2,0 / 1,0	TO-3P(B)

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	≥ 10	1,2	1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
КТ834А	100	500	400	8	15	150	150	1,5	— / — / 0,6	ТО-3
КТ840А	60	900	400	5	6	150	10 — 100	0,6	0,2 / 3,5 / 0,6	ТО-3
КТ840Б		750	350
КТ840В		860	375
КТ847	125	650	650	8	15	200	8 — 25	1,5	— / 3,0 / 1,5	ТО-3
2Т856А	125	950	—	5	10	—	10 — 60	1,5	— / — / 0,5	—
2Т856Б		750
2Т856В		550
2Т856Г		850
КТ862В	50	600	350	5	10	150	12 — 50	1,5	0,5 / 2,0 / 0,5	—
КТ862Г			400
2Т862В	50	600	350	5	10	150	12 — 50	1,5	0,5 / 2,0 / 0,5	—
2Т862Г			400
КТ872А	100	—	700	6	8	150	6	1	— / 6,7 / 0,8	ТО-218
КТ872В			600
КТ878А	100	—	900	6	25	150	12 — 50	1,5	— / 3,0 / —	ТО-3
КТ878В			600
КТ890А/Б/В	120	350	350	5	20	150	300	1,6	—	ТО-218

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	RƟJC	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,56	1,2	1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
2SC2626	80	450	300	7	15	150	> 10	1,55	1,2	0,8 / 2,0 / 0,8	TO-218
2SC3318	80	500	400	7	10	150	> 45	1,55	1	0,5 / 1,5 / 0,15	TO-218
2SC3320	80	500	400	7	15	150	> 30	—	1	0,5 / 1,5 / 0,15	TO-218
2SC3847	85	1200	800	7	10	150	> 100	—	1,5	0,5 / 3,5 / 0,3	TO-218
2SC4138	80	500	400	10	10	150	> 45	—	0,5	1,0 / 3,0 / 0,5	TO-218
2SC4275	80	500	400	10	10	150	> 120	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-218
2SC4276	80	500	400	10	15	150	> 30	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-218
2SC4298	80	500	400	10	15	150	> 55	—	1,3	1,0 / 3,0 / 0,5	TO-218
2SC4509	80	500	400	10	10	150	> 10	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3PML
2SC4510	80	500	400	10	15	150	> 25	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3PML
2SC4557	80	900	550	7	10	150	> 10	—	0,5	1,0 / 5,0 / 0,5	TO-3PML
2SC5024R/O/Y	90	800	500	7	10	150	15 — 35	—	1	0,5 / 3,0 / 0,3	TO-218
2SC5352	80	600	400	7	10	150	> 20	—	1	0,5 / 2,0 / 0,3	TO-3PN
2SC5924	90	900	600	—	14		> 10	—	—	— / — / —	TO-3PF
KSC5024R/O/Y	90	800	500	7	10	150	15 — 35	—	1	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3P
MJE13009K/P	80	700	400	9	12	150	> 40	1,55	1,5	1,0 / 3,0 / 0,7	TO-3P TO-220
MJE13011	80	450	400	7	10	150	> 10	—	1,5	1,0 / 2,0 / 1,0	TO-220/F TO-3P
T25	80	450	400	7	10	—	> 30	—	—	— / — / —	TO-3PN
TT2148	80	500	400	7	12	150	> 20	—	0,8	0,5 / 2,5 / 0,3	TO-3PB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока I_C от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) I_B.

Характеристика снята при температуре корпуса T_C = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики получены при соотношении токов I_C/I_B = 5 и при температуре корпуса транзистора T_C = 25°C.

Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора t_on, t_s, t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Кривые сняты при температуре корпуса транзистора T_C = 25°C и при соотношениях: I_C = 5I_B1, I_B1 = -I_B2 (см. схему измерений временных характеритсик).

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса T_C = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей P_W: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.

Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности P_C транзистора при нарастании температуры корпуса T_C.

2sc2654 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

2SC3686 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3686.pdf Size:92K _sanyo

Ordering number:EN1938A
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC3686
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Applications Package Dimensions
Ultrahigh-definition color display horizontal deflec-
unit:mm
tion output.
2022A

Features
Fast speed (tf typ=100ns).
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
High reliability (adoptio

1.2. 2sc3686.pdf Size:99K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC3686
ESCRIPTION
·High breakdown voltage
·High reliability (adoption of HVP process).
·Fast speed
·Adoption of MBIT process.
·With TO-3PN package
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display horizontal
deflection output.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base

 1.3. 2sc3686.pdf Size:198K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3686
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 800V(Min)
CEO(SUS)
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for ultrahigh-definition color display horizontal
deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R

2SC2625 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

1.2. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

 1.3. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

2SC2624 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2624.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2624
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXI

4.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

4.2. 2sc2626.pdf Size:101K _fuji

Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com

 4.3. 2sc2620.pdf Size:24K _hitachi

2SC2620
Silicon NPN Epitaxial Planar
Application
VHF amplifier, Local oscillator
Outline
MPAK
3
1
1. Emitter
2. Base
2
3. Collector
2SC2620
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 30 V
Collector to emitter voltage VCEO 20 V
Emitter to base voltage VEBO 4V
Collector current IC 20 mA
Collector power dissipation PC 100 mW
Junct

4.4. 2sc2628.pdf Size:138K _mitsubishi

 4.5. 2sc2627.pdf Size:135K _mitsubishi

4.6. 2sc2629.pdf Size:135K _mitsubishi

4.7. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

4.8. 2sc2621 3da2621.pdf Size:231K _no

2SC2621(3DA2621) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于彩电色度信号输出。
Purpose: Color TV chroma output applications.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 300 V
CBO
V 300 V
CEO
V 6.5 V
EBO
I 200 mA
C
I 700 mA
CP
P (Ta=25℃) 1.2 W
C
P (Tc=25℃) 10 W
C
T 150 ℃

4.9. 2sc2626.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2626
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXI

4.10. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

4.11. 2sc2620.pdf Size:337K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC2620
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=20mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=20V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 30
Collect

2SC2954 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2954.pdf Size:103K _nec

DATA SHEET
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC2954
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DESCRIPTION
The 2SC2954 is an NPN epitaxial silicon transistor disigned for
PACKAGE DIMENSIONS
low noise wide band amplifier and buffer amplifier of OSC, for VHF
(Unit: mm)
and CATV bnad.
4.50.1
FEATURES
1.50.1
1.60.2
Low Noise and High Gain.
f = 200 MHz, 500 MHz
NF: 2.3 dB, 2.4

1.2. 2sc2954.pdf Size:182K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor 2SC2954
DESCRIPTION
·Low Noise and High Gain
NF = 2.3 dB TYP. ; ︱S ︱2 = 20 dB TYP.
21e
@ f = 200 MHz
NF = 2.4 dB TYP. ; ︱S ︱2 = 12.5 dB TYP.
21e
@ f = 500 MHz
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low noise wide band amplifier and buffer
amplifie

 4.1. 2sc2958 2sc2959.pdf Size:80K _nec

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SC2958, 2959
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Ideal for use of high voltage current such as TV vertical
deflection (drive and output), audio output, pin cushion
correction
Complementary transistor with 2SA1221 and 2SA1222
VCEO = 140 V: 2SA1221/2SC2958
VCEO = 160 V: 2SA1222/2SC2959

4.2. 2sc2951.pdf Size:21K _advanced-semi

2SC2951
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI 2SC2951 is a High
PACKAGE STYLE .200 2L FLG
Frequency Transistor Designed for
General Purpose Oscillator
Applications up to 10 GHz.
FEATURES:
• POSC = 630 mW Typical at 7.5 GHz
•
•
•
• Omnigold Metallization System
•
•
•
MAXIMUM RATINGS
IC 440 mA
VCE 16 V
VCB 25 V
PDISS 9.7

 4.3. 2sc2952.pdf Size:28K _advanced-semi

2SC2952
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
PACKAGE STYLE TO-39
DESCRIPTION:
The 2SC2592 is a High Frequency
Transistor Designed for General
Purpose VHF-UHF Amplifier
Applications.
MAXIMUM RATINGS
IC 250 mA
VCE 30 V
PDISS 3.5 W @ TC = 25 OC
TJ -65 to +200 OC
TSTG -65 to +200 OC
1 = Emitter 2 = Base
3 & 4 = Collector (Case)
50 OC/W
θJC
θ
θ
θ
CHARACTERISTICS TC = 25 OC

2SC5858 Datasheet (PDF)

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

 4.3. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

4.4. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

 4.5. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

2SC5859 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Биполярный транзистор 2SC5859 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5859

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 210
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 23
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 320
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5

Корпус транзистора: 2-21F2A

2SC5859

Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC3619 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3619.pdf Size:213K _toshiba



1.2. 2sc3619.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3619
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 300V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High voltage switching and amplifier applications.
·Color TV horizontal driver applications.
·Color TV chroma output applications.
ABSOL

 4.1. 2sc3613.pdf Size:241K _toshiba



4.2. 2sc3617.pdf Size:225K _nec

 4.3. 2sc3618.pdf Size:228K _nec

4.4. 2sc3616.pdf Size:168K _nec

 4.5. 2sc3615.pdf Size:164K _nec

4.6. 2sc3611.pdf Size:70K _panasonic

Power Transistors
2SC3611
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
For video amplifier
8.0+0.5
0.1
3.20.2
? 3.160.1
Features
High transition frequency fT
Small collector output capacitance Cob
Wide current range
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
0.750.1
0.50.1
Parameter Symbol

4.7. 2sc3617.pdf Size:1269K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3617
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=0.3A
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 50
Collector — Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter — Base Voltage VE

4.8. 2sc3618.pdf Size:1258K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3618
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=0.7A
● Collector Emitter Voltage VCEO=25V
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 25
Collector — Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter — Base Voltage VE

2SC2786 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2786.pdf Size:286K _nec

4.1. 2sc2783.pdf Size:117K _toshiba



4.2. 2sc2782.pdf Size:137K _toshiba

2SC2782
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2782
VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Unit in mm
Output Power : Po = 80W (Min.)
(f = 175MHz, VCC = 12.5V, Pi = 18W)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 36 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 16 V
Emitter-Base Voltage VEBO 4 V
Collector Current IC 20 A

 4.3. 2sc2780.pdf Size:209K _nec

4.4. 2sc2784.pdf Size:185K _nec

 4.5. 2sc2787.pdf Size:228K _nec

4.6. 2sc2785.pdf Size:281K _nec

4.7. 2sc2788.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2788
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·Collector-Emitter Breakdown Voltage
·Good Linearity of h
FE
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulators applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.8. 2sc2785.pdf Size:494K _lge

2SC2785
TO-92S Transistor (NPN)
1. EMITTER
TO-92S
2. COLLECTOR
3. BASE
1 2 3
Features

High voltage VCEO:50V
Excellent hFE Linearity:0.92 TYP hFE1 (0.1mA)/ hFE2 (1mA)
Complementary to 2SA1175 PNP transistor
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Value Units
Parameter
VCBO 60 V
Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V
VEBO Emit

4.9. 2sc2780.pdf Size:1171K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC2780
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=50mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=140V
● Complementary to 2SA1173
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 140
Collector — Emitter Voltage VCEO

2SC2634 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2634 e.pdf Size:42K _panasonic

Transistor
2SC2634
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1127
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Low noise voltage NV.
High foward current transfer ratio hFE.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2
Collector to base voltage VCBO 60 V 0.45 0.1 0.45 0.1
1.27 1.27
Collector to emitter v

1.2. 2sc2634.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2634
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1127
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Low noise voltage NV.
High foward current transfer ratio hFE.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2
Collector to base voltage VCBO 60 V 0.45 0.1 0.45 0.1
1.27 1.27
Collector to emitter v

 4.1. 2sc2639.pdf Size:127K _toshiba



4.2. 2sc2638.pdf Size:128K _toshiba



 4.3. 2sc2632.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1124
5.9 0.2 4.9 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
0.7 0.1
2.54 0.15
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Rat

4.4. 2sc2632 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1124
5.9 0.2 4.9 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
0.7 0.1
2.54 0.15
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Rat

 4.5. 2sc2636 e.pdf Size:59K _panasonic

Transistor
2SC2636
Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification/oscillation
Unit: mm
6.9 0.1 2.5 0.1
1.5
1.5 R0.9 1.0
Features
R0.9
High transition frequency fT.
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
0.85
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
0.55 0.1 0.45 0.05
Parameter Symbol

4.6. 2sc2631 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1123
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2

4.7. 2sc2631.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1123
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2

4.8. 2sc2636.pdf Size:126K _panasonic

4.9. 2sc2630.pdf Size:135K _mitsubishi

Биполярный транзистор 2SC5252 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5252

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3

Корпус транзистора: TO-3PFM

2SC5252

Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi

2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

1.2. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo

 4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba

2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba



 4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba



4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba



 4.5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba



4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba

2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba



4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi

2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector

4.9. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi

Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet

4.10. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB

4.11. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

4.12. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC2625B Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

3.1. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

3.2. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

Оцените статью:

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)							Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить. Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница.
Показать только: 40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ
Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортный	Корпус
Внешний вид корпусов ТО:
Транзисторы на напряжение до 40В:
КТ668 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1	BC557 BC857	TO-92 smd	современный pnp транзистор 40В 0.1А
КТ6111 (А-Г)	ТО-92		npn	0.1	BC547 BC847	TO-92 smd	npn транзистор 40В 0.1А
КТ6112 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1 (0.15)	2SA1266 2SA1048	TO-92 TO-92	pnp транзистор 40В 0.1А
КТ503 А,Б	ТО-92		npn	0.15	2SC1815	TO-92	описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
2Т3133А	ТО-126		npn	0.3			npn транзистор 40В 0.3А
КТ501 Ж,И,К	ТО-92		pnp	0.3 (0.2)	2N3906	TO-92	описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
КТ645Б	ТО-92		npn	0.3 (0.2)	2N3904	TO-92	npn транзистор 40В 0.3А
КТ646Б	ТО-126		npn	0.5 (0.6)	2N4401 MMBT2222	TO-92 smd	описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
КТ626А	ТО-126		pnp	0.5	2N4403 BC807	TO-92 smd	транзистор биполярный кт626, характеристики
КТ685 А,В	ТО-92		pnp	0.6			транзистор биполярный кт685, характеристики
КТ686 А,Б,В	ТО-92		pnp	0.8	BC327	ТО-92	характеристики транзистора кт686
КТ660А	ТО-92		npn	0.8	BC337 BC817	ТО-92 smd	npn транзистор 40В 0.8А
КТ684А	ТО-92		npn	1	BC635	TO-92	npn транзистор 40В 1А
КТ692А	ТО-39		pnp	1	BC636	TO-92	pnp транзистор 40В 1А
КТ815А	ТО-126		npn	1.5	BD135	TO-126	npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
КТ639А,Б,В	ТО-126		pnp	1.5	BD136	TO-126	npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
КТ814А	ТО-126		pnp	1.5			pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
2Т860В	ТО-39		pnp	2	2SA1020	TO-92L	транзистор биполярный 2т860
КТ852Г	ТО-220		pnp	2	FMMT717	sot23	транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
КТ943А	ТО-126		npn	2			транзистор биполярный кт943
КТ817А,Б	ТО-126		npn	3			описание транзистора кт817 на 40В 3А
КТ816Б	ТО-126		pnp	3	2SB856	TO-220	транзистор биполярный кт816
КТ972Б КТ8131А	ТО-126		npn	4			описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
КТ973Б КТ8130А	ТО-126		pnp	4	2SB857	TO-220	описание транзистора кт973
КТ835Б	ТО-220		pnp	7.5			описание транзистора кт835 на 40В 7А
2Т837В,Е	ТО-220		pnp	8			транзистор биполярный 2т837
КТ829Г	ТО-220		npn	8			описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
КТ853Г	ТО-220		pnp	8			характеристики транзистора кт853
КТ819А,Б	ТО-220, ТО-3		npn	10	TIP34	TO-247	описание транзистора кт819 на 40В 10А
КТ818А	ТО-220, ТО-3		pnp	10	TIP33	TO-247	описание транзистора кт818
КТ863А	ТО-220		npn	10 (12)	2SD1062	TO-220	транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
2Т877В	ТО-3		pnp	20			составной 2Т877 на 40В 20А
Транзисторы на напряжение до 60В:
КТ503В,Г	ТО-92		npn	0.15 (0.1)	2SC3402 2SC3198 BC546	TO-92 TO-92 TO-92	описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
КТ645А	ТО-92		npn	0.3
КТ662А	ТО-39		pnp	0.4 (0.1)	BC556	TO-92	импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
КТ646А	ТО-126		npn	0.5	BD137 BCV49	TO-126 smd	описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
КТ626Б	ТО-126		pnp	0.5	BD138 BCV48	TO-126 smd	транзистор 60В 0.5А в справочнике
КТ685Б,Г	ТО-92		pnp	0.6 (1)	BC638	TO-92
КТ644(А-Г)	ТО-126		pnp	0.6			описание транзистора КТ644
КТ661А КТ529А	ТО-39 TO-92		pnp	0.6 (1)	2SA684 MMBT2907	TO-92L smd
КТ630Д,Е КТ530А	ТО-39 TO-92		npn	1	BC637 BSR41	TO-92 smd	транзистор на 60В 1А
КТ683Д,Е	ТО-126		npn	1	2SD1616	TO-92	транзистор на 60В 1А
КТ659А	ТО-39		npn	1.2
КТ961В	ТО-126		npn	1.5	BD137	TO-126
КТ639Г,Д	ТО-126		pnp	1.5	BD138	TO-126
КТ698В	ТО-92		npn	2	2SC2655 2SD1275	TO-92 TO-220FP	транзистор на 60В 2А
2Т831Б	ТО-39		npn	2
2Т830Б	ТО-39		pnp	2
2Т880В	ТО-39		pnp	2
2Т881В	ТО-39		npn	2
КТ852В	ТО-220		pnp	2			составной биполярный транзистор на 60В 2А
2Т708Б	ТО-39		pnp	2.5
КТ817В	ТО-126		npn	3 (4)	2N5191 2SD1266	ТО-126 TO-220FP	транзистор КТ817 на 60В 3А
2Т836В	ТО-39		pnp	3
КТ816В	ТО-126		pnp	3	2SB1366 2SB1015	TO-220FP TO-220FP	транзистор КТ816В на 60В 3А
КТ972А КТ8131Б	ТО-126		npn	4	BD677	TO-126	составной отечественный транзистор на 60В 4А
КТ973А КТ8130Б	ТО-126		pnp	4 (5)	BD678 2SA1469 2SB1203	TO-126 TO-220 smd	описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
КТ829В	ТО-220		npn	8 (5)	TIP120	TO-220	транзистор на 60В 5А
КТ8116В	ТО-220		npn	8			транзистор КТ8116 на 60В 8А
КТ853В	ТО-220		pnp	8			транзистор на 60В 8А
2Т837Б,Д	ТО-220		pnp	8
2Т709В	ТО-3		pnp	10	MJE2955	TO-220	биполярный транзистор на 60В 10А
2Т875В	ТО-3		npn	10	MJE3055	TO-220	транзистор на 60В 10А
2Т716В,В1	ТО-3 ТО-220		npn	10
КТ8284А	ТО-220		npn	12 (15)	TIP3055	TO-218	составной транзистор на 60В 15А
2Т825В2	ТО-220		pnp	15
КТ827В	ТО-3		npn	20			составной транзистор КТ827 на 60В 20А
2Т825В	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
2Т877Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
КТ8106Б	ТО-220		npn	20			составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
КТ896Б	ТО-220		pnp	20			составной транзистор КТ896 на 60В 20А
КТ8111В9	ТО-218		npn	20			составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
Транзисторы на напряжение до 70В:
КТ815В	ТО-126		npn	1.5	2SC5060	TO-92S	на 70В 1А
КТ814В	ТО-126		pnp	1.5
КТ698Б	ТО-92		npn	2			отечественный на 70В 2А
2Т831В	ТО-39		npn	2
2Т860Б	ТО-39		pnp	2
КТ943 Б,Д	ТО-126		npn	2
2Т837А,Г	ТО-220		pnp	8			на 70В 8А
КТ808ГМ	ТО-3		npn	10
КТ818В	ТО-220, ТО-3		pnp	10			описание транзистора КТ818В на 70В 10А
2Т876Б	ТО-3		pnp	10
2Т875Б	ТО-3		npn	10
Транзисторы на напряжение до 80В:
КТ503Д	ТО-92		npn	0.15 (0.3)	2SC1627	TO-92	транзистор на 80В 0.1А
КТ626В	ТО-126		pnp	0.5 (0.7)	2SA935	TO-92L	транзистор на 80В 0.5А
КТ684Б	ТО-92		npn	1			транзистор на 80В 1А
КТ961Б	ТО-126		npn	1.5			транзистор на 80В 1.5А
2Т881Б	ТО-39		npn	2 (1.5)	BD139	TO-126	транзистор на 80В 2А
2Т830В	ТО-39		pnp	2 (1.5)	BD140 BCP53	TO-126 smd	транзистор на 80В 2А
2Т880Б	ТО-39		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ852Б	ТО-220		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ943В,Г КТ8131В	ТО-126		npn	2 (4)	2N6039	TO-126	составной транзистор на 80В 4А
2Т836А,Б КТ8130В	ТО-39 ТО-126		pnp	3			характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
КТ829Б	ТО-220		npn	8 (5)	BD679 TIP121 MJD44h21	TO-126 TO-220 smd	транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
КТ8116Б	ТО-220		npn	8 (10)	2SD2025 BDX33B	TO-220FP TO-220	составной транзистор на 80В 10А
КТ853Б	ТО-220		pnp	8 (10)	BDX34B	TO-220	составной транзистор на 10А 80В
2Т709Б	ТО-3		pnp	10	TIP33B	TO-247	транзистор на 80В 10А
2Т876А,Г	ТО-3		pnp	10
2Т716Б,Б1	ТО-3 ТО-220		npn	10			транзистор на 80В 10А
КТ808ВМ	ТО-3		npn	10
КТ819Б,В*	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34B	TO-247
2Т875А,Г	ТО-3		npn	10
КТ8284Б	ТО-220		npn	12			на 80В 12А
2Т825Б2	ТО-220		pnp	15			транзистор на 80В 15А
КТ827Б	ТО-3		npn	20			транзистор на 80В 20А
2Т825Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
2Т877А	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
КТ8111Б9	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТ8106А	ТО-220		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТД8280А	ТО-218		npn	60			составной транзистор на 80В 60А
КДТ8281А	ТО-218		pnp	60			транзистор на 80В 60А
КТД8283А	ТО-218		pnp	60
Транзисторы на напряжение до 100-130В:
КТ601А,АМ	ТО-126		npn	0.03			биполярный транзистор на 100В 30мА
КТ602А,АМ	ТО-126		npn	0.075
КТ638А,Б	ТО-92		npn	0.1	2SC2240	TO-92	биполярный транзистор на 100В 100мА
КТ503Е	ТО-92		npn	0.15
КТ807А,Б	ТО-126		npn	0.5
КТ630А,Б,Г	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ684В	ТО-92		npn	1	BC639	TO-92	биполярный npn транзистор на 100В 1А
КТ683Б,В,Г	ТО-126		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ719А	ТО-126		npn	1.5
КТ815Г	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ961А	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ814Г	ТО-126		pnp	1.5 (1)	2N5400 BC640 2SA1358	TO-92 TO-92 TO-126	биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
КТ6103А	ТО-92		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ6102А	ТО-92		pnp	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ698А	ТО-92		npn	2	BD237	TO-126	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т831Г	ТО-39		npn	2	SD1765	TO-220FP	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т881А,Г	ТО-39		npn	2			биполярный транзистор на 100В 2А
2Т860А	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т830Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т880А,Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
КТ852А	ТО-220		pnp	2			составной pnp транзистор на 100В 2А
2Т708А	ТО-39		pnp	2.5			составной pnp транзистор на 100В 2.5А
КТ817Г	ТО-126		npn	3			транзистор 100В на 3А
КТ816Г	ТО-126		pnp	3 (5)	TIP42C TIP127	TO-220	pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
КТ805БМ,ВМ	ТО-220		npn	5			npn транзистор на 100В 5А
КТ829А	ТО-220		npn	8 (5)	TIP122	TO-220	составной npn транзистор на 100В 8А
КТ8116А	ТО-220		npn	8			составной npn  транзистор на 100В 8А
КТ853А	ТО-220		pnp	8 (5)			составной pnp транзистор на 100В 8А
КТ8115А	ТО-220		pnp	8			составной pnp транзистор на 100В 8А
2Т709А	ТО-3		pnp	10	BDX34C	TO-220	составной pnp транзистор на 100В 10А
2Т716А,А1	ТО-3 ТО-220		npn	10	BDX33C	TO-220	составной npn транзистор на 100В 10А
КТ808 АМ,БМ	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 100В 10А
КТ819А,Г	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34C	TO-247	npn транзистор на 100В 10А
КТ818Г	ТО-220 ТО-3		pnp	10	TIP33B 2SA1265	TO-247	pnp транзистор на 100В 10А
КТ8284В	ТО-220		npn	12			составной npn транзистор на 100В 12А
КТ8246 А,Б	ТО-220		npn	15			составной  npn транзистор на 100В 15А
2Т825А2	ТО-220		pnp	15			составной pnp транзистор на 100В 15А
ПИЛОН-3А	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
КТ827А	ТО-3		npn	20			составной  npn транзистор на 100В 20А
2Т825А	ТО-3		pnp	20			составной pnp транзистор на 100В 20А
КТД8257А	ТО-220		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т935Б	ТО-220		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТД8278Б,В	ТО-220 ТО-263		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ896А	ТО-220		pnp	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ8111А9	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
КТД8280Б	ТО-218		npn	60			составной npn транзистор на 100В 60А
КТД8281Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
КТД8283Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
Транзисторы на напряжение до 160В:
КТ611В,Г	ТО-126		npn	0.1	2SC2230 2SD1609	TO-92L TO-126
КТ940В	ТО-126		npn	0.1
КТ6117	ТО-92		npn	0.6 (0.3)	2N5551	TO-92
КТ6116	ТО-92		pnp	0.6 (0.3)	2N5401	TO-92
КТ630В	ТО-39		npn	1	2SC2383	TO-92L
КТ683А	ТО-126		npn	1
КТ850В	ТО-220		npn	2
КТ8123А	ТО-220		npn	2
КТ851В	ТО-220		pnp	2 (1)	2SA940 KSA1013 2SA1306	TO-220 TO-92L TO-220FP
КТ805АМ	ТО-220		npn	5
КТ855Б,В	ТО-220		pnp	5
КТ899А	ТО-220		npn	8
КТ712Б	ТО-220		pnp	10	2SA1186	ТО-3Р
КТ863БС	ТО-220 ТО-263		npn	12	2SC3907	TO-3P ?
КТ8246В,Г	ТО-220		npn	15
КТ8101Б	ТО-218		npn	16
КТ8102Б	ТО-218		pnp	16	2SA1216	SIP3
КТД8257Б	ТО-220		npn	20
ПИР-2 (КТ740А)	ТО-220 ТО-218		npn	20
КТ879Б	КТ-5		npn	50
Транзисторы на напряжение до 200В:
КТ611А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.2)	2SC1473 BFP22	TO-92 TO-92	биполярный транзистор на 200В 0.1А
КТ504Б	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 200В 1А
КТ851А	ТО-220		pnp	2			биполярный транзистор на 200В 2А
КТ842Б	ТО-3		pnp	5			биполярный транзистор на 200В 5А
КТ864А	ТО-3		npn	10 (7)	BU406	TO-220	биполярный транзистор на 200В 10А
КТ865А	ТО-3		pnp	10			биполярный транзистор на 200В 10А
КТ712А	ТО-220		pnp	10			составной биполярный транзистор на 200В 10А
КТ945А	ТО-3		npn	15			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8101А	ТО-218		npn	16			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8102А	ТО-218		pnp	16	2SA1294 2SA1302	TO-247	биполярный транзистор на 200В 16А
КТД8257(А-Г)	ТО-220		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТД8278А	ТО-220 ТО-263		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ897Б	ТО-218		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ898Б	ТО-218		npn	20			составной  транзистор на 200В 20А
КТ867А	ТО-3		npn	25			биполярный транзистор на 200В 25А
КТ879А	КТ-5		npn	50			биполярный транзистор на 200В 50А
Транзисторы на напряжение до 250В:
КТ605А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	BF422	TO-92
КТ940Б	ТО-126		npn	0.1
КТ969А	ТО-126		npn	0.1
КТ504В	ТО-39		npn	1
2Т882В	ТО-220		npn	1
КТ505Б	ТО-39		pnp	1
2Т883Б	ТО-220		pnp	1	2SA1837	TO-220FP
КТ850А,Б	ТО-220		npn	2
КТ851Б	ТО-220		pnp	2
КТ855А	ТО-220		pnp	5
КТ857А	ТО-220		npn	7 (8)	MJE15032	TO-220
КТ844А	ТО-3		npn	10
2Т862А,Б	ТО-3		npn	15
Транзисторы на напряжение до 300В:
КТ940А	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	2SC2482 2SC5027 BF820	TO-92L TO-92L smd	npn транзистор на 300В 0.1А
КТ9115А	ТО-126		pnp	0.1 (0.05)	2SA1091 BF821	TO-92 smd	pnp транзистор на 300В 0.1А
КТ6105А	ТО-92		npn	0.15			npn транзистор на 300В 0.1А
КТ6104А	ТО-92		pnp	0.15	2SA1371	TO-92L	pnp транзистор на 300В 0.1А
2Т882Б	ТО-220		npn	1 (0.5)	MJE340 MPSA42	TO-126 TO-92	npn транзистор на 300В 1А
КТ504А	ТО-39		npn	1 (1.5)	MJE13002	TO-220	npn транзистор на 300В 1А
Т505А	ТО-39		pnp	1 (0.5)	MJE350	TO-126
2Т883А	ТО-220		pnp	1
КТ8121Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 3А
КТ8258Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 4А
КТ842А	ТО-3		pnp	5			на 300В 5А
КТ8124В	ТО-220		npn	7			npn транзистор на 300В 6А
КТ8109А,Б	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТД8262(А-В)	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТ8259Б	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 300В 8А
КТ854Б	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 300В 10А
КТД8279(А-В)	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 300В 10А
КТ892А,В	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТ8260А	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТД8252(А-Г)	ТО-220 ТО-218		npn	15			составной npn транзистор на 300В 15А
КТ890(А-В)	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ897А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ898А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8232А,Б	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8285А КТ8143Ш	ТО-218 ТО-3		npn	30 80			мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
Транзисторы на напряжение до 400В:
2Т509А	ТО-39		pnp npn npn	0.02 (0.5) 0.2 0.2	2SA1625 MPSA44 MJE13001	TO-92	npn транзистор на 400В 0.5А
2Т882А	ТО-220		npn	1 (1.5)	MJE13003 TIP50	TO-220 TO-220	npn транзистор на 400В 1А
КТ704Б,В			npn	2.5 (2)	BUX84	TO-220	npn транзистор на 400В 2.5А
КТ8121А	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 400В 3А
КТ8258А	ТО-220		npn	4	MJE13005	TO-220	npn транзистор на 400В 4А
КТ845А	ТО-3		npn	5	BUT11	TO-220	npn транзистор на 400В 5А
КТ840А,Б	ТО-3		npn	6	2SD1409	TO-220FP	npn транзистор на 400В 6А
КТ858А	ТО-220		npn	7	2SC2335	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8124А,Б	ТО-220		npn	7	2SC3039	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8126А	ТО-220		npn	8	MJE13007	TO-220	npn транзистор на 400В 8А
КТ8259А	ТО-220		npn	8	2SC4834	TO-220FP	npn транзистор на 400В 8А
КТ8117А	ТО-218		npn	10	2SC2625	TO-247	npn транзистор на 400В 9А
КТ841Б	ТО-3		npn	10	2SC3306	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862Г	ТО-3		npn	10	2SC4138	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862В	ТО-3		npn	10 (12)	MJE13009 2SC3042	TO-220 TO-3P	биполярный транзистор на 400В 10А
КТД8279А	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 400В 10А
КТ834В	ТО-3		npn	15			составной транзистор на 400В 15А
КТ848А	ТО-3		npn	15			транзистор на 400В 15А
КТ892Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8260Б	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8285Б	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 400В 30А
2Т885А	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 400В 40А
Транзисторы на напряжение до 500В:
КТ6107А	ТО-92		npn	0.13			npn транзистор на 500В 0.1А
КТ6108А	ТО-92		pnp	0.13
КТ704А			npn	2.5 (1.5)	2SC3970	TO-220FP	npn транзистор на 500В 2А
КТ8120А	ТО-220		npn	3 (5)	BUL310	TO-220FP	npn транзистор на 500В 3А
КТ812Б	ТО-3		npn	8			npn транзистор на 500В 8А
КТ854А	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
2Т856В	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
КТ8260В	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
КТ834А,Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
ПИР-1	ТО-218		npn	20			npn транзистор на 500В 20А
КТ8285В	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 500В 30А
2Т885Б	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 500В 40А
Транзисторы на напряжение до 600В:
КТ888Б	ТО-39		pnp	0.1			pnp транзистор на 600В 0.1А
КТ506Б	ТО-39		npn	2			npn транзистор на 600В 2А
2Т884Б	ТО-220		npn	2 (3)	2SC5249	TO-220FP	npn транзистор на 600В 2А
КТ887Б	ТО-3		pnp	2 (1)	2SA1413	smd	pnp транзистор на 600В 2А
КТ828Б,Г	ТО-3		npn	5 (6)	2SD2499 2SD2498 2SD1555	TO-3PF TO-3PF TO-3PF	строчный транзистор на 600В 5А
КТ8286А	ТО-218 ТО-3		npn	5 (8)	2SC5386	TO-3P ?	строчный транзистор на 600В 5А
КТ856А1,Б1	ТО-218		npn	10	ST1803	ISOW218	строчный транзистор на 600В 10А
КТ841А,В	ТО-3		npn	10	2SC5387	ISOW218	npn транзистор на 600В 10А
КТ847А	ТО-3		npn	15 (20)	2SC4706 2SC5144	TO-3P TO-247 ?	мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
КТ8144Б	ТО-3		npn	25			мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
КТ878В	ТО-3		npn	30			мощный npn транзистор на 600В 30А
Транзисторы на напряжение до 700В:
КТ826(А-В)	ТО-3		npn	1			npn транзистор на 700В 1А
КТ8137А	ТО-126		npn	1.5			npn транзистор на 700В 1.5А
КТ887А	ТО-3		pnp	2			pnp транзистор на 700В 2А
КТ8286Б	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 700В 5А
КТ8107(А-Г)	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 700В 8А
КТ812А	ТО-3		npn	10	BUh200	TO-220	высоковольтный транзистор на 700В 10А
2Т856Б	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 700В 10А
Транзисторы на напряжение до 800В:
КТ506А	ТО-39		npn	2			высоковольтный npn транзистор 800В 1А
2Т884А	ТО-220		npn	2			npn транзистор на 800В 2А
КТ859А	ТО-220		npn	3	2SC3150	TO-220	npn транзистор на 800В 3А
КТ8118А	ТО-220		npn	3			npn транзистор на 800В 3А
КТ828А,В	ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 4А
КТ8286В	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 5А
КТ868Б	КТ-9		npn	6 (8)	2SC5002 2SC4923	TO-3PF TO-3PML	высоковольтный транзистор на 800В 6А
КТ8144А	ТО-3		npn	25	2SC3998	TO-3PBL	высоковольтный транзистор на 800В 25А
КТ878Б	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.? Транзисторы на напряжение до 900В:
КТ888А	ТО-39		pnp	0.1			транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
КТ868А	КТ-9		npn	6 (3)	2SC3979	TO-220	npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
2Т856А	ТО-3		npn	10			npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
КТ878А	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
КТ838А	ТО-3		npn	5	BU508	TO-3PF	биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
КТ846А	ТО-3		npn	5	BU2506	SOT-199	современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
КТ872А,Б	ТО-218		npn	8	BU2508 2SC5447	TO-3PFM SOT-199	современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
КТ886Б1	ТО-218		npn	8 (10)	BU1508	TO-220	современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
КТ839А	ТО-3		npn	10	BU2520	TO-3PML	современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
КТ886А1	ТО-218		npn	10 (12)	2SC5270	TO3-PF	современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
			npn	25	2SC5244 2SC3998	TOP-3L ТО-3PBL	строчный транзистор на 1500В 25А
Транзисторы на напряжение свыше 2000В
2Т713А	ТО-3		npn	3			транзистор высоковольтный на 2000В 3А
КТ710А	ТО-3		npn	5			npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

2SC2625 техпаспорт —

2SC5840 : Телевизор/Дисплей. VCBO(V) = 80 ;; ИК(А) = 3 ;; HFE(мин) = 80 ;; HFE(max) = 280 ;; Пакет = ТО-220Д-А1.

BAT15-099R : кремниевый диод Шоттки. Силиконовое перекрестное кольцо Счетверенный диод Шоттки Электростатический разряд: Устройство, чувствительное к электростатическому разряду, соблюдайте меры предосторожности при обращении! Максимальные характеристики (на диод) Параметр Прямой ток Суммарная рассеиваемая мощность 70 C Диапазон рабочих температур Температура хранения Обозначение IF Ptot Top Tstg Значение Единица измерения мВт C Тепловое сопротивление (на диод) Переход — точка пайки 1) RthJS.

EXB850 : Гидравл.

FDD3680 : Логический уровень. 100-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор Powertrench. Этот N-канальный МОП-транзистор был разработан специально для повышения общей эффективности преобразователей постоянного тока, использующих синхронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Эти полевые МОП-транзисторы отличаются более быстрым переключением и меньшим зарядом затвора, чем другие полевые МОП-транзисторы с сопоставимым значением RDS(ON). В результате получается полевой МОП-транзистор, которым легко и безопасно управлять (даже при очень высоких температурах

).

HBD675 : 4A 5V NPN Эпитаксиальный планарный транзистор для использования в качестве устройств вывода в дополнительных усилителях общего назначения.

MTB3N100E : Продукты для поверхностного монтажа D2pak, 2 А, N-канальные, VDSS 1000. Технический паспорт TMOS E-FET.TM High Energy Power FET D2PAK для поверхностного монтажа Корпус D2PAK позволяет разместить кристалл большего размера, чем любой существующий Пакет для поверхностного монтажа, который позволяет использовать его в приложениях, требующих использования компонентов для поверхностного монтажа с более высокой мощностью и меньшими возможностями RDS(on). Этот высоковольтный полевой МОП-транзистор использует усовершенствованный.

DSEA29-06AC : Быстродействующие диоды HiPerFRED 2-го поколения * Классы напряжения блокировки: 200 В, 300 В, 400 В, 600 В и 1200 В.* Низкие обратные токи утечки при высокой температуре. * Диапазон тока: 8А — 120А в среднем..

045MD22AAMK1STD : CAP,AL2O3,45UF,10%-TOL,10%+TOL. применение Ряд алюминиевых электролитических конденсаторов, специально разработанных для переменного тока. операции, которые помогают запустить двигатель, подавая опережающий ток на вспомогательную обмотку. Конденсатор не подключен постоянно к обмотке двигателя и отключается после пуска, как правило, автоматически. Прерывистый запуск двигателя переменного тока 6.3 мм Двойной.

CMRDM3590TR : 160 мА, 20 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 20 вольт; RDS(вкл.): 3 Ом; PD: 125 мВт; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS ПАКЕТ-6; Количество юнитов в ИС: 2.

EPR1532S-RCTR : ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЙ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Телекоммуникации; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Стандарты: RoHS.

HJ44h21-AA3-R : 8 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: SOT223, SOT-223, 4 контакта.

R5020818FSWL : 175 А, 800 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-8. s: Упаковка: DO-8, DO-8, 1 PIN; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 800 вольт; ЕСЛИ: 175000 мА; трр: 1,5 нс.

254DCN5R4M : КОНДЕНСАТОР, ДВУХСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, 5,4 В, 250000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Технология: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 250000 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); ВВДК: 5.4 вольта; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 65 C (от -40 до 149 F).

2N4960LEADFREE : 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-39. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ТО-39, 3 PIN.

380L127M160J012 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 160 В, 270 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: поляризованный; Диапазон емкости: 270 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 160 вольт; Ток утечки: 624 мкА; ESR: 737 мОм; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

транзистор%202sc2625 спецификация и примечания по применению

хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ-трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM инверторный сварочный аппарат Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Мощный ТВ-транзистор, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007-DDA114TH Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Схема контактов транзистора BC109, аналог, использование, характеристики, характеристики и многое другое

BC109 — довольно популярный транзистор, который уже много лет используется во многих схемах.В этом посте описывается распиновка транзистора BC109, эквивалент, использование, функции, характеристики и другая важная информация об этом BJT-транзисторе TO-18 в металлическом корпусе.

 

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: ТО-18
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 100 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 20 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 30 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 300 мВт
• Макс. частота перехода (fT): 100 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ): от 200 до 800
• Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -65 до 150  по Цельсию

 

Транзистор BC109 Объяснение/Описание:

BC109 — популярный NPN-транзистор в металлическом корпусе TO-18.Это транзистор общего назначения, используемый в коммерческих и образовательных схемах. Это транзистор серии BC10x; в этой серии есть и другие транзисторы BC107 и BC108.

Транзистор предназначен для общих целей коммутации и усиления, максимальный ток коллектора составляет 100 мА, однако вы также увидите некоторые различия в токе коллектора транзистора у разных производителей, некоторые производители имеют ток коллектора 50 мА, а некоторые имеют он доступен в 100 мА, поэтому лучше сначала подтвердить ток коллектора транзистора у поставщика, у которого вы покупаете.

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора составляет 20 В, что означает, что транзистор может управлять максимальным напряжением нагрузки 20 В. Кроме того, максимальное рассеивание коллектора составляет 300 мВт, а коэффициент усиления по постоянному току — от 200 до 800, а также он имеет хороший коэффициент шума 4 дБ.

Транзистор доступен с тремя различными значениями hFE: значение hFE BC109 составляет от 200 до 800, значение hFE BC109B составляет от 200 до 450 и значение hFE BC109C составляет от 420 до 800.

 

Дополнительный номер PNP:

PNP Дополнительно к BC109 является BC177

 

Замена и аналог:

Транзистор точного соответствия для BC109 — BC108.BC107 также будет работать, но единственное отличие состоит в том, что его максимальный коэффициент усиления по постоянному току составляет 450, но в большинстве случаев это не будет иметь большого значения. Другими ближайшими возможными заменителями являются A158C, BCY65X. Если вы не можете найти эти эквиваленты, вы также можете попробовать эквиваленты пластиковой упаковки TO-92: BC546 , BC547 , BC548 , BC549, BC560.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

BC109 является транзистором общего назначения, поэтому его можно использовать в любых приложениях общего назначения, подпадающих под его спецификации.Его можно использовать для управления нагрузками до 100 мА. Низкий коэффициент шума 4 дБ делает его идеальным для использования для усиления звука, предварительного усиления и усиления любого электронного сигнала. Частота перехода 100 МГц также идеально подходит для использования в радиочастотных цепях с частотой менее 100 МГц.

 

Приложения:

Схемы усилителя звука

Любое усиление сигнала

Аудио предусилитель

Пара Дарлингтона

Радиочастотные цепи

Коммутация нагрузки до 100 мА

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные значения:

Для безопасной работы рекомендуется не использовать транзистор на его абсолютных максимальных номиналах и всегда оставаться на 20% ниже.Максимальный ток коллектора транзистора составляет 100 мА, поэтому не подключайте нагрузку более 80 мА. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 20 В, поэтому не подключайте нагрузку более 16 В. Коллектор транзистора соединен с его корпусом, поэтому необходимо изолировать транзистор от соединений схемы и всегда хранить и эксплуатировать этот транзистор при температуре выше -65°С и ниже 150°С.

 

Технический паспорт

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/C/1/BC109_PhilipsSemiconductors.pdf

Схема простого инвертора

на транзисторах 2SC1815

Инвертор — это простое электронное устройство, которое можно использовать для обеспечения резервного питания в случае отключения электроэнергии или отказа сети. Простой в сборке инвертор может просто сделать это, добавив питание от батареи постоянного тока и преобразовав его в стабильный сигнал переменного тока желаемого уровня напряжения. Инверторы нашли свое применение в любой отрасли: от резервного питания дома до основных вспомогательных блоков питания для сложного сетевого оборудования в центрах NOC.В сегодняшней статье мы рассмотрим пошаговую процедуру проектирования схемы простого инвертора с использованием NPN-транзисторов 2SC1815.

https://www.youtube.com/watch?v=b-8C09JYDjE&feature=youtu.be

Мы выражаем искреннюю благодарность ALLPCB за спонсирование проектов на этом веб-сайте и канале Youtube. ALLPCB — лучшая компания по сборке и производству прототипов печатных плат в Китае . Компания ALLPCB, расположенная в Ханчжоу, удовлетворяет все ваши потребности в дизайне печатных плат, предлагая лучший сервис, который вы когда-либо испытывали, с точки зрения качества проектирования, предпродажной и послепродажной поддержки и быстрой доставки.Мы в Circuits-Diy настоятельно рекомендуем заказывать печатные платы у AllPCB. Просто зарегистрируйте новую учетную запись на веб-сайте AllPCB, заполните физические параметры своей платы и загрузите файл Gerber. Вот так просто!. Получите мгновенную расценку на печатную плату, посетив их веб-сайт сегодня!.

2SC1815 Транзистор

Сердцем этой схемы является транзистор 2SC1815. 2SC1815 — это NPN-транзистор общего назначения, который обычно используется в усилителях.Здесь мы используем 2SC1815 в нестабильной конфигурации мультивибратора. Нестабильный мультивибратор — это автономный генератор, который непрерывно переключается между двумя нестабильными состояниями. При отсутствии внешнего сигнала транзисторы попеременно переключаются из состояния отсечки в состояние насыщения с частотой, определяемой постоянными времени RC цепи связи. Если эти постоянные времени равны (R и C равны), то будет генерироваться прямоугольная волна с частотой 1/1,4 RxC . Следовательно, нестабильный мультивибратор также является генератором импульсов или генератором прямоугольных импульсов.

Необходимое оборудование

Для сборки этого проекта вам понадобятся следующие детали:

2SC1815 Распиновка

Чтобы заказать нестандартные печатные платы по смехотворно выгодной цене, посетите сайт: www.allpcb.com

IRFZ44 Распиновка

Полезные шаги

1) Прежде всего, припаяйте все резисторы на печатной плате.

2) После этого припаяйте транзисторы 2SC1815 на печатной плате.

3) Припаяйте конденсаторы 10 мкФ на печатной плате.

4) После этого припаяйте МОП-транзисторы IRFZ44n к печатной плате.

5) Припаяйте входные и выходные клеммные колодки к печатной плате.

6) Подсоедините разъем питания 12 В пост. тока к разъемам входной клеммной колодки

.

7) После этого подключите повышающий трансформатор 12 В 3 А – 220 В к клемме выходного блока на печатной плате.

8) Подсоедините лампочку 220В к вторичной обмотке трансформатора. После этого включите питание и проверьте схему, используя батарею постоянного тока 12 В.

Принципиальная схема

Рабочее объяснение

Схема инвертора работает следующим образом. Здесь мы используем два транзистора 2SC1815, сконфигурированные как схема мультивибратора, работающая в нестабильном режиме, чтобы генерировать свободно работающую прямоугольную волну. При включении питания в цепи, использующей батарею постоянного тока 12 В, схема мультивибратора генерирует сигнал прямоугольной формы, но для того, чтобы устройство переменного тока работало без каких-либо проблем, нам требуется чистый синусоидальный сигнал переменного тока от инвертора.Это достигается за счет отсекания избыточного среднеквадратичного напряжения нестабильного сигнала прямоугольной формы от схемы мультивибратора.

Для этого мы подаем прямоугольный сигнал с выхода схемы мультивибратора на два полевых МОП-транзистора IRFZ44, это измельчает избыточное среднеквадратичное напряжение прямоугольного сигнала на выходе в несколько зашумленный синусоидальный сигнал. Затем выходной синусоидальный сигнал подается на повышающий трансформатор 12–220 В, который повышает напряжение до желаемого уровня переменного тока 220 В. Вы можете подключить LC-конфигурацию параллельно к выходу трансформатора, чтобы еще больше уменьшить шум и улучшить форму выходного сигнала переменного тока.