Транзистор c2335 параметры: KSC2335 , , datasheet, , , C2335

Качество транзисторы c2335 для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы c2335 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы c2335 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы c2335, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзисторы c2335 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы c2335 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы c2335 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы c2335 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы c2335 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы c2335 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы c2335 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Аналоги для 2sc2335 — Аналоги

2SC2335 2SC2334

Полный аналог

2SC2335 2SC2427

Полный аналог

2SC2335 2SC2501

Полный аналог

2SC2335 2SC2502

Полный аналог

2SC2335 2SC2503

Полный аналог

2SC2335 2SC2517

Полный аналог

2SC2335
2SC2518

Полный аналог

2SC2335 2SC2534

Полный аналог

2SC2335 2SC2542

Полный аналог

2SC2335 2SC2553

Полный аналог

2SC2335 2SC2816

Полный аналог

2SC2335 2SC2826

Полный аналог

2SC2335
2SC2827

Полный аналог

2SC2335 2SC3039

Полный аналог

2SC2335 2SC3056

Полный аналог

2SC2335 2SC3158

Полный аналог

2SC2335 2SC3163

Полный аналог

2SC2335 2SC3317

Полный аналог

2SC2335
2SC4242

Полный аналог

2SC2335 2SC4273

Полный аналог

2SC2335 2SD1069

Полный аналог

2SC2335 2SD1088

Полный аналог

2SC2335 2SD1114

Полный аналог

2SC2335 2SD1163

Полный аналог

2SC2335
2SD1163A

Полный аналог

2SC2335 2SD362

Полный аналог

2SC2335 2SD823

Полный аналог

2SC2335 2SD866

Полный аналог

2SC2335 2SD884

Полный аналог

2SC2335 BU406

Полный аналог

2SC2335
BU407

Полный аналог

2SC2335 BUV46

Полный аналог

2SC2335 ECG379

Полный аналог

2SC2335 MJE13006

Полный аналог

2SC2335 MJE13007

Полный аналог

2SC2335 MJE13007A

Полный аналог

2SC2335 MJE13009

Полный аналог

2SC2335 READ

Полный аналог

2SC2335 SD362

Полный аналог

2SC2335 ST13007

Ближайший аналог

2SC2335 TIPL763S

Полный аналог

3-1-2014 datasheets |

cd4528bccd4528bc
f24yf24y
MM1035MM1035
tda 8143
tda 8143
sh901sh901
sony kvj25mf1sony kvj25mf1
ztx432ztx432
MAX1779MAX1779
2e192e19
data sheet lm 2585sdata sheet lm 2585s
transistor D1071transistor D1071
sr575sr575
hp-r650ff3hp-r650ff3
sd-5038sd-5038
22
AN7171KAN7171K
sn54alssn54als
JQX-40F 2ZJQX-40F 2Z
2SC45122SC4512
MCC18MCC18
stk 4272stk 4272
VCT 3834FVCT 3834F
Ah4500 FAIRLINE Ah4500 FAIRLINE
p35ao
p35ao
Goldstar CKT21902190Goldstar CKT21902190
BU61580V3BU61580V3
ucs3906ucs3906
83068306
533533
MD0565RMD0565R
DS-1 94DS-1 94
SN74ALS163SN74ALS163
-241-241
lq065t9dr51lq065t9dr51
TLP721-1TLP721-1
83068306
COSMO 1010 817B06cCOSMO 1010 817B06c
LM37LM37
Bosh AL60DVBosh AL60DV
CC3509NCC3509N
970 930970 930
P1000P1000
gbc 301gbc 301
LM3405LM3405
17071707
RPM7RPM7
p3090087p3090087
79058CT79058CT
mbr30200ctmbr30200ct
225 225
24942494
MixxxaMixxxa
power supervisorpower supervisor
au 005uf ceramic caau 005uf ceramic ca
TOSHUBA 2SG5589TOSHUBA 2SG5589
prochieprochie
hardlockhardlock
pc to tvpc to tv
1910TM-20-81910TM-20-8
930930
futaba fps-148futaba fps-148
m-34201m4m-34201m4
49c40249c402
samsung K9GAG08samsung K9GAG08
EPM712EPM712
F245BF245B
57545754
CD4052BMCD4052BM
31303130
AN5850AN5850
b425nb425n
FI-C3-A1-15000FI-C3-A1-15000
260 260
DATASHEET TPS40210DATASHEET TPS40210
KIA7815APKIA7815AP
SoundMAX SM-CMD3000SoundMAX SM-CMD3000
mp20045dq18mp20045dq18
Intel P8039HIntel P8039H
2SA103M2SA103M
6mbp20jb6mbp20jb
ALS245ALS245
TMP47C834N-R134TMP47C834N-R134
m2030Qm2030Q
lcd lmo16llcd lmo16l
g4aocg4aoc
fz44nsfz44ns
TSXP57303MTSXP57303M
cny47cny47
Ups 400 Ups 400
BD3802BD3802
5962-9163901Q25962-9163901Q2
L200L200
a1091a1091
TF115TF115
d1879d1879
fi -fafi -fa
RR11RR11
39c30239c302
sck 2r59sck 2r59
stk402120sstk402120s
20045-1820045-18
Panasonic SA-AK 52Panasonic SA-AK 52
er20t-s-dc12ver20t-s-dc12v
do222 GG70ALdo222 GG70AL
tic55tic55
41 volt zener41 volt zener
car alarms Tomahawkcar alarms Tomahawk
AD7706BN AD7706BN
smd 9926Msmd 9926M
tt2076 tt2076
spi spi
S3F49TAS3F49TA
bml 2415bml 2415
6174Z-10176174Z-1017
ACX525AACX525A
ImageImage
d5869sd5869s
MY-650 MY-650
2977129771
sHERIFFsHERIFF
nsx-v800nsx-v800
ntv-2011mkntv-2011mk
ZNR-V10271UZNR-V10271U
sw 439sw 439
cs9736jcs9736j
AD7799BRUZAD7799BRUZ
case type sscase type ss
7805c2t7805c2t
ds199ds199
sankeysankey
sf121e transistorsf121e transistor
rec503rec503
AT45DB01AT45DB01
cd 4047bcd 4047b
kx-tga110rukx-tga110ru
TECC78012apTECC78012ap
BA7uBA7u
res 49res 49
ATMLu72bATMLu72b
SOHY ERICSSON W595SOHY ERICSSON W595
65A5d65A5d
sps 20hsps 20h
5142 5142
proskit bx-4135proskit bx-4135
gavriilgavriil
K113K113
WIA 82WIA 82
dataflashdataflash
и l7805c
ls7232ls7232
pic28fpic28f
Infrared driverInfrared driver
technics g95technics g95
PTB20077PTB20077
MSC1163GS-BKMSC1163GS-BK
R1LP0408CSPR1LP0408CSP
REF02CREF02C
tda12047tda12047
MAX9591MAX9591
fb17n50lfb17n50l
TDA8178FSTDA8178FS
MAX109MAX109
S51-1429-05S51-1429-05
aj11p2ccaj11p2cc
ifr1640ifr1640
nec0882nec0882
str-6853str-6853
KP39HM2-025KP39HM2-025
Indezit WIA 82Indezit WIA 82
FUN29A001bsFUN29A001bs
DIODO ZENER SR4416DIODO ZENER SR4416
CQ642gCQ642g
TEXALARM AV2155TEXALARM AV2155
c2335 c2335
LB598DLB598D
DAC0808LJDAC0808LJ
32793279
ARF675S45ARF675S45
m82227m82227
dst85b24385B243dst85b24385B243
UTC D882LUTC D882L
P4NK60 ZFPP4NK60 ZFP
TFMS 4300NTFMS 4300N
PAN 310108PAN 310108
LSI SC2005LSI SC2005
l6267l6267
atc321atc321
HY27uu088gHY27uu088g
lmch9s214lmch9s214
m50115APm50115AP
CLA-1380CLA-1380
URAL RCDMP3-2 URAL RCDMP3-2
philips 21PT166B60philips 21PT166B60
BA3842FBA3842F
203A5203A5
01440144
dwa 108dwa 108
NSX-V25NSX-V25
G2612G2612
753432753432
ir533mir533m
stk392-250stk392-250
MS 5540MS 5540
t12225t12225
D 965D 965
tu v70tu v70
P8818P8818
Y51 H 85CY51 H 85C
pdf hef4050pdf hef4050
vlt103vlt103
PA2030APA2030A
ts4 20ts4 20
6k03k6k03k
lsd 3212-20lsd 3212-20
V20K300V20K300
B405B405
AMS431ALAMS431AL
RECON PNRECON PN
TPN0506TPN0506
Samsung LE19C450E1WSamsung LE19C450E1W
UA1558UA1558
SXEMS TOYOTA 58806SXEMS TOYOTA 58806
BZX85C33BZX85C33
287-220-50 287-220-50
15mc1815mc18
AM29f8AM29f8
datasheet hy1418datasheet hy1418
B1111B1111
41167089084116708908
CLV1550CLV1550
NNCCAWHNNCCAWH
TRD1073TRD1073
adf7020bcpzadf7020bcpz
cxa2575cxa2575
d23c8000xcz-164d23c8000xcz-164
cq830cq830
Samsung S3C4510x01Samsung S3C4510x01
nevatronic 12nevatronic 12
HD74HCT125HD74HCT125
30n60hc30n60hc
TDDG 5551-MTDDG 5551-M
822 822
mc13717vhmc13717vh
sg6105sg6105
11821182
TC9149 pTC9149 p
FS12UMA-4FS12UMA-4
st4735st4735
stv1302astv1302a
F26SBF26SB
1-0491-049
LM340AT5LM340AT5
c563gc563g
xct38152xct38152
STK490-040PDFSTK490-040PDF
E2T38974E2T38974
1057210572
esperantoesperanto
-68 -68
sk45aask45aa
BA033BA033
BA033BA033
MSM51V4400L-10MSM51V4400L-10
-310-310
50znk50znk
idh22sg60cidh22sg60c
gaq516gaq516
31233123
NEC c1344NEC c1344
ES-43-TB ES-43-TB
West T2901SkWest T2901Sk
lgp13001lgp13001
210210
icls 2025icls 2025
uc8453uc8453
transistor 07n60s5transistor 07n60s5
IXDh45N60c3IXDh45N60c3
SPBM3SPBM3
tuf1tuf1
0707
1009pn1009pn
LM2671M-12LM2671M-12
PFB2N60cPFB2N60c
tom tom navigatortom tom navigator
P-CAD 2001 P-CAD 2001
tl4941drtl4941dr
mpc 1230h3mpc 1230h3
ncckxn34063ncckxn34063
80196208019620
8C447 smd8C447 smd
152152
mcl d01 94v0mcl d01 94v0
и 51-420-2stk 290

C2335 Транзистор — NPN, аналог (2SC2335)

Номер детали: C2335, 2SC2335

Функция: Кремниевый силовой NPN-транзистор

Упаковка: TO-220AB

Производство: NEC

Изображений:

1 стр.

2 стр.

Описание:

ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ КРЕМНИЙНЫЙ СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР 2SC2335 КРЕМНИЙ NPN ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 2SC2335 — это силовой транзистор, разработанный для высокоскоростного переключения высокого напряжения, и идеально подходит для использования в качестве драйвера в таких устройствах, как импульсные стабилизаторы. , Преобразователи постоянного тока в постоянный и высокочастотные усилители мощности.Характеристики • Низкое напряжение насыщения коллектора: VCE (насыщ.) = 1,0 В МАКС. @IC = 3,0 A • Быстрая скорость переключения: tf = 1,0 мкс МАКС. @IC = 3,0 A • SOA с обратным смещением с широкой базой: VCEX (SUS) 1 = 450 В МИН. @IC = 3,0 А АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ (TA = 25 ° C) Параметр От коллектора к напряжению базы От коллектора к напряжению эмиттера От эмиттера к напряжению базы Коллекторный ток (постоянный) Коллекторный ток (импульсный) Базовый ток (постоянный ток) Общая рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Символ VCBO VCEO VEBO IC (DC) IC (импульсный) IB (DC) PT Tj Tstg Условия PW ≤ 300 мкс, рабочий цикл ≤ 10% TC = 25 ° C TA = 25 ° C Номинальные характеристики 500 400 7.0 7,0 15 Единица измерения В В В А А 3,5 40 1,5 150 от −55 до +150 А Вт Вт Вт ° C ° C ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Деталь № 2SC2335 Пакет TO-220AB (TO-220AB) Информация в этом документе может быть изменена без предварительного уведомления. Перед использованием этого документа убедитесь, что это последняя версия. Не все устройства / типы доступны в каждой стране. Уточняйте наличие и дополнительную информацию у местного представителя NEC. Документ № D14861EJ2V0DS00 (2-е издание) Дата публикации: апрель 2002 г. N CP (K) Напечатано в Японии © 21090928 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25 ° C) Параметр Символ Условия Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от коллектора к эмиттеру VCEO (SUS) VCEX (SUS) 1 VCEX (SUS) 2 IC = 3.0 A, IB1 = 0,6 A, L = 1 мГн IC = 3,0 A, IB1 = -IB2 = 0,6 A, VBE (ВЫКЛ.) = -5,0 В, L = 180 мкГн, фиксированный IC = 6,0 A, IB1 = 2,0 A, −IB2 = 0,6 A, VBE (OFF) = −5,0 В, L = 180 мкГн, фиксированный ток отсечки коллектора Ток отсечки коллектора Ток отсечки коллектора Ток отсечки коллектора ICBO ICER ICEX1 ICEX2 VCB = 400 В, IE = 0 A VCE = 400 В , RBE = 51 Ом, TA = 125 ° C VCE = 400 В, VBE (OFF) = -1,5 В VCE = 400 В, VBE (OFF) = -1,5 В, TA = 125 ° C Ток отсечки эмиттера Постоянный ток Усиление постоянного тока коэффициент усиления постоянного тока Коэффициент усиления постоянного тока Напряжение насыщения коллектора Напряжение насыщения базы Время включения Время хранения Время спада IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE (sat) VBE (sat) ton tstg tf VEB = 5.0 В, IC = 0 A VCE = 5,0 В, IC = 0,1 A Примечание VCE = 5,0 В, IC = 1,0 A Примечание VCE = 5,0 В, IC = 3,0 A Примечание IC = 3,0 A, IB = 0,6 A Примечание IC = 3,0 A, IB = 0,6 A Примечание IC = 3,0 A, RL = 50 Ом, IB1 = −IB2 = 0,6 A, VCC 150 В См. Схему тестирования. Примечание Импульсный тест PW ≤ 350 мкс, рабочий цикл ≤ 2% КЛАССИФИКАЦИЯ hFE Маркировка hFE2 M от 20 до 40 L от 30 до 60 K от 40 до 80 ВРЕМЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ (тонны, tstg, tf) ИСПЫТАТЕЛЬНАЯ ЦЕПЬ 2SC2335 MIN. 400 450 400 20 20 10 ТИП. МАКСИМУМ. 10 1.0 10 1.0 10 80 80 1.0 1.2 1.0 2.5 1.0 Ед. Изм.

3 стр.

C2335 Лист данных

BC556B, BC557A, B, C, BC558B

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > ручей Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) 2007-03-29T13: 43: 51-07: 00BroadVision, Inc.2020-09-22T10: 22: 28 + 02: 002020-09-22T10: 22: 28 + 02: 00application / pdf

  • ON Semiconductor
  • BC556B, BC557A, B, C, BC558B — Транзисторы усилителя PNP Silicon
  • uuid: db491f73-8c11-47ff-89c4-903cb4c078d3uuid: 64793dd7-38b0-49a8-a4fc-395127c3e8d0 конечный поток эндобдж 4 0 объект > эндобдж 6 0 объект > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 объект > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > ручей HMo8 = a8IIX.\ 6e92w W \ Cєp} 7pM953i ~~ y65C: 5C \ nhAᴉDH) & L! `B`K7HZnfUwt = zԥfYf7) k yN} Q & -2 յ` m (kN # D = / QxE9O?, M ׯ Ya) [Y)! WT? KP / H n) v-_U] ~ ƏHNfC7qUo य j ֏) b (! ! t`SB! а ih 5tyUw􃶝F2tzn 찺 ay خ d Ն IUOlz`t @ m% thka- ߮ LLYu; ߣ # D ~ E򻏭 픔 [l [-;) egUQa ջ! 2> Ūc%>} V = j, YUwN 찚 P͟auP.

    Datenblatt PDF Suche — Datenblätter

    Teilenummer Beschreibung Херстеллер PDF
    W6750 STRW6750
    Санкен
    VT6105 Контроллер Rhine III 10/100 Мбит / с PCI Fast Ethernet
    ЧЕРЕЗ
    TT2077 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2076 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2075 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2074 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2073 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2072 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    TT2071 Малый трехфазный изолирующий трансформатор кВА
    TEMCo
    СУМ47Н10-24Л N-канал 100-В (D-S) полевой МОП-транзистор
    Vishay
    СУМ36Н20-54П N-канал 200 В (D-S) MOSFET
    Vishay
    STM32F101ZG 32-битный MCU
    СТМикроэлектроника

    bc% 20114% 20 Техническое описание транзистора и примечания по применению

    R4F20114RNFB # V0 Renesas Electronics Corporation MCU Renesas, которые поддерживают различные системные требования, с низким энергопотреблением и множеством периферийных функций.Для поддержки, OA, принтеры, факсы, датчики FA, измерительное оборудование, устройства связи, компактные двигатели
    R4F20114DFB # U0 Renesas Electronics Corporation Поддержка H8S / 20115, 20103 Group ограничена клиентами, которые уже внедрили эти продукты. Если вы переходите на новые продукты, обратите внимание на другие линейки, такие как H8S / 20103R, 20115R Group.
    R4F20114RDFB # V0 Renesas Electronics Corporation MCU Renesas, которые поддерживают различные системные требования, с низким энергопотреблением и множеством периферийных функций.Для поддержки, OA, принтеры, факсы, датчики FA, измерительное оборудование, устройства связи, компактные двигатели
    R4F20114NFB # U0 Renesas Electronics Corporation Поддержка H8S / 20115, 20103 Group ограничена клиентами, которые уже внедрили эти продукты. Если вы переходите на новые продукты, обратите внимание на другие линейки, такие как H8S / 20103R, 20115R Group.
    R4F20114RNFA # V0 Renesas Electronics Corporation MCU Renesas, которые поддерживают различные системные требования, с низким энергопотреблением и множеством периферийных функций.Для поддержки, OA, принтеры, факсы, датчики FA, измерительное оборудование, устройства связи, компактные двигатели
    R2A20114FP # W5 Renesas Electronics Corporation R2A20114FP # W5

    [PDF] INFINEON BC858CW — Скачать бесплатно PDF

    Скачать INFINEON BC858CW …

    PNP Кремниевые AF-транзисторы

    BC 856W … BC 860W

    Характеристики ● ● ● ● ●

    Для входных каскадов AF и приложений драйвера Высокое усиление по току Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Низкий уровень шума между 30 Гц и 15 кГц Дополнительные типы: BC 847W, BC 848W, BC 849W, BC 850W (NPN)

    Тип

    Маркировка

    Код заказа (лента и катушка)

    BC 856 AW BC 856 BW BC 857 AW BC 857 BW BC 857 CW BC 858 AW BC 858 BW BC 858 CW BC 859 AW BC 859 BW BC 859 CW BC 860 BW BC 860 CW

    3As 3Bs 3Es 3Fs 3Gs 3Js 3Ks 3Ls 4As 4Bs 4Cs 4Fs 4Gs

    Q62702-C2335 Q62702-C62-C22-92-C2292 C62702-C62-C2292-Q62-92 C2295 Q62702-C2296 Q62702-C2297 Q62702-C2298 Q62702-C2299 Q62702-C2300 Q62702-C2301 Q62702-C2302 Q62702-C2303

    1) Для

    Конфигурация контактов 1 2 3 B E

    323

    подробные сведения см. В главе «Описание пакета».

    Группа полупроводников

    1

    04.96

    BC 856W … BC 860W

    Максимальные характеристики Описание

    Символ

    BC 856W BC 857W BC 858W Блок BC 860W BC 859W

    V Напряжение коллектора

    V Коллектор

    65

    45

    30

    В

    Напряжение коллектор-база

    VCBO

    80

    50

    30

    В

    Напряжение коллектор-эмиттер

    00020003

    VCES20002

    В

    Напряжение эмиттер-база

    VEBO

    5

    5

    5

    В

    Ток коллектора

    IC

    100

    мА

    000

    000

    000

    000

    000 коллектора

    000

    000

    000

    000

    000 мА

    Общая рассеиваемая мощность, TS = 115 ˚C

    Ptot

    250

    мВт

    Температура перехода

    9000 2 Tj

    150

    ˚C

    Диапазон температур хранения

    Tstg

    –65 до 150

    ˚C

    Терморезистивный переход — окружающий1)

    Rth JA

    240/

    000

    Место соединения — точка пайки

    Rth JS

    105

    K / W

    Semiconductor Group

    2

    BC 856W… BC 860W

    Электрические характеристики при TA = 25 ˚C, если не указано иное. Параметр

    Символ

    Значения

    Единица

    мин.

    тип.

    макс.

    65 45 30

    — — —

    — — —

    Напряжение пробоя коллектор-база V (BR) CB0 IC = 10 мкА BC 856W BC 857W, BC 860W BC 858W, BC 859W

    80 50 30

    — — —

    — — —

    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер IC = 10 мкА, VBE = 0 BC 856W BC 857W, BC 860W BC 858W, BC 859W

    V (BR) CES 80 50 30

    — — —

    — — —

    Напряжение пробоя эмиттер-база IE = 1 мкА

    В (BR) EB0

    5

    Ток отсечки коллектора VCB = 30 В VCB = 30 В, TA = 150 ˚ C

    ICB0 — —

    — —

    15 5

    Коэффициент усиления постоянного тока IC = 10 мкА, VCE = 5 В BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW… BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW IC = 2 мА, VCE = 5 В BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW… BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW

    hFE

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1) IC = 10 мА, IB = 0.5 мА IC = 100 мА, IB = 5 мА

    VCEsat

    Напряжение насыщения база-эмиттер1) IC = 10 мА, IB = 0,5 мА IC = 100 мА, IB = 5 мА

    VBEsat

    Напряжение базового эмиттера IC = 2 мА, VCE = 5 В IC = 10 мА, VCE = 5 В

    VBE (вкл.)

    Характеристики постоянного тока Напряжение пробоя коллектор-эмиттер IC = 10 мА BC 856W BC 857W, BC 860W BC 858W, BC 859W

    1) Импульсный тест

    : t ≤ 300 мкс, D = 2%.

    Semiconductor Group

    3

    V

    V (BR) CE0

    nA µA —

    — — —

    140 250 480

    — — —

    125 220 420

    180 290 5000 475800

    — —

    75250

    300650

    — —

    700850

    — —

    600 —

    650 —

    750 820

    мВ

    BC 856W… BC 860W

    Электрические характеристики при TA = 25 ˚C, если не указано иное. Параметр

    Символ

    Значения

    Единица

    мин.

    тип.

    макс.

    Характеристики переменного тока Частота перехода IC = 20 мА, VCE = 5 В, f = 100 МГц

    fT

    250

    МГц

    Выходная емкость VCB = 10 В, f = 1 МГц

    Cobo

    3

    пФ

    Входная емкость VCB = 0.5 В, f = 1 МГц

    Cibo

    10

    Входное сопротивление короткого замыкания IC = 2 мА, VCE = 5 В, f = 1 кГц BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW … BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW

    h21e

    Коэффициент передачи обратного напряжения холостого хода IC = 2 мА, VCE = 5 В, f = 1 кГц BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW… BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW

    h22e

    Коэффициент передачи прямого тока короткого замыкания IC = 2 мА, VCE = 5 В, f = 1 кГц BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW… BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW

    h31e

    Полная выходная проводимость холостого хода IC = 2 мА, VCE = 5 В, f = 1 кГц BC 856 AW… BC 859 AW BC 856 BW… BC 860 BW BC 857 CW… BC 860 CW

    h32e

    Коэффициент шума IC = 0.2 мА, VCE = 5 В, RS = 2 кОм f = 30 Гц… 15 кГц BC 859W BC 860W BC 859W f = 1 кГц, ∆ f = 200 Гц BC 860W

    F

    Эквивалентное шумовое напряжение IC = 0,2 мА, VCE = 5 В, RS = 2 кОм f = 10 Гц… 50 Гц BC 860W

    Vn

    Группа полупроводников

    кОм — — —

    — — — 10– 4

    — — —

    1,5 2,0 3,0

    — — — —

    — — —

    200 330600

    — — — мкСм

    — — —

    18 30 60

    — — — дБ

    — — — —

    1.2 1,0 1,0 1,0

    4 3 4 4 мкВ

    — 4

    2,7 4,5 8,7

    0,110

    BC 856W … BC 860W

    Общая рассеиваемая мощность Ptot = f (TA *; TS) * Корпус установлен на эпоксидной смоле

    Емкость коллектор-база CCB0 = f (VCB0) Емкость эмиттер-база CEB0 = f (VEB0)

    Допустимая импульсная нагрузка Ptot max / Ptot DC = f (tp)

    Частота перехода fT = f (IC ) VCE = 5 В

    Группа полупроводников

    5

    BC 856W… BC 860W

    Ток отсечки коллектора ICB0 = f (TA) VCB = 30 В

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = f (VCEsat), hFE = 20

    Коэффициент усиления постоянного тока hFE = f (IC) VCE = 5 В

    Напряжение насыщения база-эмиттер IC = f (VBEsat), hFE = 20

    Группа полупроводников

    6

    BC 856W … BC 860W

    h параметр he = f (IC) нормализованный VCE = 5 В

    h параметр he = f (VCE) нормализованный IC = 2 мА

    Коэффициент шума F = f (VCE) IC = 0.2 мА, RS = 2 кОм, f = 1 кГц

    Коэффициент шума F = f (f) IC = 0,2 мА, VCE = 5 В, RS = 2 кОм

    Группа полупроводников

    7

    BC 856W … BC 860W

    Коэффициент шума F = f (IC) VCE = 5 В, f = 120 Гц

    Коэффициент шума F = f (IC) VCE = 5 В, f = 1 кГц

    Коэффициент шума F = f (IC) VCE = 5 В, f = 10 кГц

    Группа полупроводников

    8

    Биполярные транзисторы | Транзисторы NPN и PNP

    Биполярные транзисторы

    представляют собой твердотельные трехконтактные устройства, изготовленные из трех слоев кремния.Биполярный транзистор предназначен для усиления тока, биполярные транзисторы также могут работать как переключатель. Существует два основных типа транзисторов: PNP (положительный отрицательный положительный) или NPN (отрицательный положительный-отрицательный).

    Как делается биполярный транзистор

    Биполярные транзисторы конструируются путем соединения двух сигнальных диодов спина к спине, создавая два последовательно соединенных PN перехода, имеющих общий вывод P или N. По своей природе кремний обычно плохо проводит электричество. Однако, когда кремний обрабатывают определенными химическими веществами или примесями, мы можем заставить материал и электроны вести себя по-другому.Этот процесс называется допингом. Процесс легирования улучшает способность полупроводников проводить электричество.

    Как работают биполярные транзисторы?

    Биполярные транзисторы имеют две возможные функции: переключение и усиление. Благодаря наличию в устройствах трех слоев легированного полупроводникового материала, снабжение транзистора сигнальным напряжением позволяет дискретному компоненту действовать как изолятор или проводник. Это умное изменение предоставляет транзисторам две основные функции: переключающую (цифровую) электронику или усилительную (аналоговую) электронику.

    Транзисторы доступны в вариантах монтажа на панели, на поверхность и в сквозное отверстие в пластиковом корпусе или в металлическом корпусе. У всех есть три клеммы или контакта: база, коллектор и эмиттер.

    Они также доступны как;

    • Цифровые транзисторы — изготовлены из полупроводникового материала, обычно кремния, который проводит ток (или электричество) с небольшим сопротивлением. Они также имеют как минимум три клеммы для удобного подключения к внешней цепи.
    • Транзисторы UJT — построены из полоски силикона типа N с легким легированием, с небольшой частью сильно легированного материала P-типа, прикрепленной к одной стороне. Поскольку кремниевый стержень слегка легирован, он имеет очень высокое сопротивление.

    Применения биполярных транзисторов?

    Транзисторы — один из наиболее широко используемых дискретных компонентов в электронных конструкциях и схемах. Транзисторы используются для усиления всех типов электрических сигналов в схемах, состоящих из отдельных компонентов, а не микросхем (интегральных схем).

    10 шт. IRF1404 IRF1405 IRF1407 IRF2807 IRF3710 LM317T IRF3205 Транзистор TO-220 TO220 IRF1404PBF IRF1405PBF IRF1407PBF IRF3205PBF: Amazon.com: Industrial & Scientific


    В настоящее время недоступен.
    Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
    • Убедитесь, что он подходит, введя номер своей модели.
    • Протестировано перед отправкой. Ссылка на упаковку ♥ Справочный вес: 0,1 кг (0,22 фунта).
    • Обычно расчетное время доставки: 7-24 дня (отслеживается) —— Мы также предоставляем услуги ускоренной доставки с использованием DHL или UPS: 2 -7 дней (без учета времени обработки).
    • Если в нашем магазине сумма заказа превышает 120 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугой ускоренной доставки.
    • Продукты редкого типа обеспечивают —— Поисковое ключевое слово или модель продукта, такую ​​как «RF-кабель» или «разъем», в нашем магазине, возможно, вы найдете некоторые продукты редкого типа.. Или без колебаний отправьте нам электронное письмо с моделью продукта, мы отправим вам ссылку напрямую.
    • Мы придаем большое значение сотрудничеству с каждым клиентом. Любой вопрос, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться ко мне. Желаю отличного дня!
    ]]>
    Спецификации для этого элемента
    016800 UNSPSC 0168 UNSPSC Код .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    Фирменное наименование Phoncoo
    Ean 5303396730373
    Номер детали phIC1113