Транзистор кт3126: Транзистор КТ3126 — DataSheet

Содержание

Транзистор КТ3126 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ3126

 

Параметры транзистора КТ3126
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3126А BF506, 2N4411, BF506 *1, BF660 *2, BFT92, BF579
КТ3126Б S3640, AF139 *1, AFY16 *1, РМВТН81 *2, ECG2403 *2, NTE2403 *2, ММВТН81, MMBTH81LT1, 

2N4411 *3

КТ3126А-9 2SC2188, BF506 *2, ВF606А, BF451 *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ3126А 30 °C 150 мВт
КТ3126Б 30 °C 150
КТ3126А-9 110
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ3126А ≥500 МГц
КТ3126Б ≥500
КТ3126А-9 ≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3126А 20 В
КТ3126Б 20
КТ3126А-9 35
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3126А  — 3 В
КТ3126Б 3
КТ3126А-9 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3126А 20 мА
КТ3126Б 20
КТ3126А-9 30
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3126А 15 В ≤1 мкА
КТ3126Б 15 В ≤1
КТ3126А-9 15 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3126А 5 В; 3 мА 25…100
КТ3126Б 5 В; 3 мА 60…180
КТ3126А-9 5 В; 3 мА 25…100
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3126А 10 В ≤2.5 пФ
КТ3126Б 10 В ≤2.5
КТ3126А-9 10 В ≤2.5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3126А ≤120 Ом, дБ
КТ3126Б ≤120
КТ3126А-9 ≤120
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3126А Дб, Ом, Вт
КТ3126Б
КТ3126А-9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк
(нс)
КТ3126А ≤15 пс
КТ3126Б ≤15
КТ3126А-9 ≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером  «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт  за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми  городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону.  Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

  • платы от приборов, компьютеров
  • платы от телевизионной и бытовой техники
  • микросхемы любые
  • транзисторы
  • конденсаторы
  • разъёмы
  • реле
  • переключатели
  • катализаторы автомобильные и промышленные
  • приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам:

8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Транзисторы | Скупка радиодеталей и радиолома

Раньше, когда миниатюризация ещё не была так развита, в электронных и радиотехнических устройствах и приборах, а так же в бытовой технике использовались транзисторы. Транзисторы бывают в круглых, плоских, металлических и даже в пластмассовых корпусах.
Из драгоценных металлов чаще всего транзисторы содержат золото, серебро, палладий и иногда — платину.

Транзисторы легко распознать по наличию у них трех ножек.
Наибольшее количество драгоценных металлов, содержащихся в транзисторах, можно найти в советской вычислительной технике, а так же в разработках предприятий военно-промышленного комплекса СССР.

Транзисторы: рекомендации по разборке:

Не секрет что желтое покрытие на транзисторах и микросхемах советского производства — это позолота. В разные года толщина покрытия колебалась от одного до пяти микрон, поэтому детали выпущенные до 90 года имеют более толстый слой покрытия, чем те которые выпускались позже отсюда и разница в цене.

При разборке плат желтые транзисторы и микросхемы лучше выпаивать. Способ может быть любой: строительным феном, паяльником, на электроплитке или горелкой. Главное — сохранить в целости выводы (ножки). Чем длиннее выводы, тем выше цена за транзистор или микросхему.

Транзисторы и микросхемы без выводов считаются дешевле (т.к. значимая часть золота находиться на выводах). По этой же причине новые детали с желтым покрытием всегда дороже (выводы не обрезаны). Если нет возможности выпаивать детали, наши специалисты посчитают детали на платах. Если у вас большое количество плат, радиодеталей и нет возможности привезти их к нам на приемный пункт, тогда мы можем приехать к вам и на месте оценить детали и рассчитаться.

О выезде звоните по тел.: 8-937-266-19-99.

Мы принимаем транзисторы с драгметаллами:

Наименование Фото
КТ 201, 203, 305, 118 КП 301Прайс
КТ 312, 301, 306 желтыеПрайс
КТ 601, 603, 608 желтыеПрайс
КТ 602, 604 желтыеПрайс
КТ 630, 830, 631, 831Прайс
КПС 104, АОТ, АОД, АОУПрайс
КТ 301, 306, 312, 313 белыеПрайс
ГТ 311, 316 желтыеПрайс
КТ 308, П307, 308, 309 белыеПрайс
КТ 602, 604 белыеПрайс
КТ 610, 913, КТ 939Прайс
КТ 909Прайс
КТ 930, 958Прайс
КТ 912, 947, КП 904Прайс
КТ 935, 704, 926Прайс
КТ 911, 920, 922, 930, 931, 950Прайс
КТ 904, 907 желтыеПрайс
КТ 606 белыйПрайс
КП 901, 903 желтое кольцоПрайс
КТ 802, 803, 808, 809, 908, 812Прайс
КТ 815, 816, 817, 639, 611Прайс
Транзисторы производства стран СЭВПрайс
КТ 3117, 645, 368, 3126, 3102Прайс
КТ 315, 361Прайс

Габаритные чертежи и расположение выводов биполярных транзисторов Справочники Любительская Радиоэлектроника

                                                       

 


1Т101, 1Т102

КТ104, КТ208, КТ301,  КТ302, ГТ305, ГТ309

ГТ108, ГТ115, ГТ124

ГТ109, ГТ310

1Т116, ГТ122, ГТ125

КТ117

КТ118

КТ119

КТ120, 2Т126-1, КТ206, КТ307, КТ354, КТ380, КТ3134-1

КТ127-1, КТ331-1, КТ332-1

КТ201, КТ203, КТ313, КТ316, КТ326, КТ327, КТ340, КТ342, КТ343, КТ347, КТ349, КТ351, КТ352, КТ363, КТ3102, КТ3108, КТ3117, КТ3142, КТ3175, КТ616

КТ202, КТ211-1, 2Т317-1, КТ318

2Т205

КТ207, КТ210, КТ333, КТ348, КТ359, КТ379

КТ201-М, КТ209, КТ316-М, КТ337, КТ349-М, КТ345, КТ350, КТ351, КТ352, КТ363-М, КТ368-М, КТ375, КТ399-М, КТ3102-М, КТ3107, КТ3117-1, КТ3128-1, КТ502, КТ503, КТ632-1, КТ638, КТ645, КТ660, КТ668, КТ680, КТ681, КТ685, КТ686

2Т214-9, 2Т215-9, 2Т218-9, 2Т368-9, 2Т370-9, 2Т385-9, КТ396-9, КТ3106-9, КТ3126-9, КТ3129-9, КТ3130-9, КТ3153-9, КТ3169-9

КТС303-2

КТ208, КТ501, КТ3152

ГТ308, ГТ320, ГТ321, КТ321

ГТ311, ГТ313, ГТ338

КТ312

КТ314-2, КТ369, 2Т377-2, 2Т378-2, КТ384-2, КТ388-2, КТ389-2, КТ392-2, КТ397-2, КТ3150-2, КТ624-2, КТ625-2, 2Т629-2

КТ315, КТ361, КТ3122

ГТ322, ГТ328, ГТ346, КТ368, ГТ376, ГТ386, КТ399, КТ3127

КТ324, КТ360, КТ366, КТ3104, 2Т3135-1

ГТ329, ГТ330, ГТ341, ГТ362

ГТ335, ГТ402, ГТ404, КТ601, КТ603, КТ605, КТ608, КТ620

КТ336

КТ337

КТ209, КТ345, КТ351, КТ352

КТ355

КТ357, КТ358, КТ373

КТ364, КТС394, КТС395

КТ371, КТ382, КТ3120

КТ372

1Т374-6, 2Т3114-6, 2Т3121-6

2Т381-1

ГТ383, ГТ387, КТ391, 2Т3115-2, КТ3123-2, 2Т657-2, 2Т658-2, 2Т682-2, 2Т691-2

КТС393, 2ТС3136-1

КТ3101-2

КТС3103, 159НТ1

КТ3123-М

КТ306

КТС393-93

2Т3124-2, 2Т3132-2

2Т3133, 2Т652

КТ3155

КТ3169-91

КТ3174-С2

КТ339

ГТ402, ГТ404

ГТ403

ГТ405

КТ602, КТ604, КТ611

КТ607-4, 1Т612, 1Т614

КТ626

1Т3110-2, 2Т640-2, 2Т642-2, 2Т643-2, 2Т647-2, 2Т648-2, 2Т671-2

2ТС641

2Т649-2

2Т664-91, 2Т665-91, КТ666-9, КТ667-9, КТ9144-9, КТ9145-9

КТ203-М, КТ306-М, КТ313-1, КТ326-М, КТ342-М

КТ684

КТ355-М, КТ3157

КТ325-М, КТ339-М

2ТС687-С2

2Т688

КТ936

КТ3109

КТ3126

2ТС3111

ГТ701, 1Т901, КТ933

1Т702

ГТ703, ГТ705, 2Т713, КТ808-М, КТ812, КТ818-М, 2Т818, КТ819-М, 2Т818, 2Т824-М, 2Т825, 2Т826, 2Т827, 2Т828, 2Т832, 2Т834, 2Т838, 2Т839, 2Т840, 2Т841, 2Т842, 2Т844, 2Т845, 2Т846, 2Т847, 2Т848 и т.д.

КТ704, 1Т824, 2Т917, КТ926, КТ935

2Т708

2Т709, 2Т716

2Т709-2, 2Т716-1, КТ723, КТ724, КТ805-М, КТ818, 2Т818-2, КТ819, 2Т819-2, 2Т825-2, КТ835, 2Т837, КТ840-1, КТ896, КТ899

КТ801

КТ807

КТ802, КТ803, КТ805, ГТ806, КТ808, КТ809, ГТ813, КТ902, КТ903, КТ908

ГТ810, 1Т905, ГТ906

КТ601-М, КТ602-М, КТ604-М, КТ605-М, КТ611-М, КТ639, КТ644, КТ646, КТ807-М, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ902-М, КТ940, КТ943, КТ961, КТ969, КТ972, КТ973, КТ9115, КТ9157

КТ820-1, КТ821-1

КТ822-1, КТ823-1

КТ617, КТ618, 2Т630, 2Т632, КТ633, 2Т635, 2Т638, 2Т653, 2Т830, 2Т831, 2Т836, 2Т860, 2Т861, 2Т880, 2Т881, 2Т888, КТ325, 2Т928, 2Т933, 2Т941, 2Т968, 2Т974, КТ9141, КТ9143

КТ712, КТ829, 2Т841-1, 2Т842-1, КТ850, КТ851, КТ852, КТ853, КТ854, КТ855, КТ856-1, КТ857, КТ858, КТ859, КТ863, КТ882, КТ883, 2Т884, КТ8109, КТ997, КТ9120

2Т862Б-Г, 2Т866, 2Т874

КТ606, КТ904, КТ907, КТ914, КТ921

ГТ905, ГТ906-М

КТ909

КТ911

КТ912

КТ610, КТ913, КТ916, 2Т939

2Т634-2, 2Т637-2, КТ918, 2Т938-2

КТ919, 2Т937-2, 2Т942

КТ920, КТ922, КТ925, КТ929, КТ934, 2Т951, КТ983

КТ927

2Т930, 2Т931, 2Т958, 2Т960

2Т946

КТ944, 2Т947

2Т948, 2Т9103-2

2Т949, 2Т993

2Т950

2Т955, 2Т965, 2Т966, 2Т981

2Т956, 2Т957, 2Т964, КТ967, 2Т980, 2Т9111


2Т962, 2Т976

2Т963-2, 2Т995-2, 2Т9119-2, 2Т9135-2

2Т975, 2Т986

2Т977

2Т982-2

2Т984, 2Т9104, 2Т9109

2Т985-С, 2Т9105-С, 2Т9125-С, 2Т9128-С

2Т987

КТ979, 2Т988, 2Т989, 2Т9114, 2Т9124, 2Т9129, 2Т9139, 2Т9149, 2Т9158

2Т991-С, 2Т9101-С, 2Т9132-С, 2Т9136-С

2Т994, 2Т9146

2Т996-2

2Т9118, 2Т9122

2Т9121, 2Т9127, 2Т9146Б,В

2Т9134


2Т9137

2Т9140

КТ872, КТ898, КТ8101, КТ8102, КТ8106, КТ8107

КТ999

2Т9126, 2Т9131

КТ970, 2Т971, КТ9116, КТ9133

2Т879

КТ9141-1

2Т891

КТ970

КТ715

1НТ251

КТС622

1НТ661

198НТ1, 198НТ2, 198НТ3, 198НТ4

 

Анализ частотных свойств транзистора с общей базой

Введение

Транзистор (от англ. Transfer – переносить и Resistor – резистор), полупроводниковый прибор, использующийся для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника, содержащего не менее трех областей с различной – электронной (n) и дырочной (p) – проводимостью.

Первый транзистор был изобретен в 1948 году американцами У.Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током, а также по принципу действия  их делят на:

 

(в процессах токопрохождения биполярных транзисторов участвуют основные и не основные носители зарядов, а в  полевых – носители одного знака)

 

В полевых транзисторах, управление потоком основных носителей заряда осуществляется в области полупроводника, называемой каналом, путем изменения его поперечного сечения с помощью электрического поля. Полевой транзистор имеет следующие три электрода: исток, через который в n канал втекают основные носители; сток, через который они вытекают из канала, и затвор, предназначенный для регулирования поперечного сечения канала. В настоящее время существует множество типов полевых транзисторов, которые в ряде устройств работают более эффективно, чем биполярные. Преимуществом полевых транзисторов является также и то, что ассортимент полупроводниковых материалов для их изготовления значительно шире (так как они работают только с основными носителями заряда), благодаря чему возможно создание, например, температуроустойчивых  приборов. Большое значение также имеют низкий уровень шумов и высокое входное сопротивление этих транзисторов.

Биполярным транзистором (БТ) называется трех электродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по току, напряжению или мощности и имеющие три или более вывода. Действие транзистора основано на управлении движением носителе электрических зарядов в полупроводниковом кристалле. Наиболее распространены транзисторы с тремя выводами. Слово “биполярный” означает, что физические процессы в БТ определяются движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок). Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они располагаются достаточно близко – на расстоянии, меньшем диффузионной длины. Два p-n перехода образуются в результате чередования областей с разным типом электропроводности. Промышленность выпускает различные транзисторы, которые классифицируют по характеру переноса носителей (биполярные и полевые), числу p-n переходов, порядку чередования областей p-n переходов, методам изготовления, мощности, диапазону рабочих частот и т.п.

Биполярные транзисторы независимо от их структуры (p-n-p или n-p-n) классифицируют по ряду признаков.

Классификация БТ

По числу  p-n переходов транзисторы подразделяют на:
–  однопереходные
–  двухпереходные
–  многопереходные

По порядку чередования областей  p-n переходов различают  транзисторы  структуры:

–   p-n-p

(принцип действия обоих  типов транзисторов одинаков)

По характеру распределения атомов примеси и движению носителей заряда транзисторы разделяют на:

  • бездрейфовые (диффузионные)
  • дрейфовые

(БТ с однородной базой называют бездрейфовыми, а с неоднородной базой – дрейфовыми.)

По применяемому материалу транзисторы классифицируются на:

  • германиевые
  • кремниевые
  • арсенид-галлиевые

По технологии изготовления транзисторы бывают:

  • сплавные
  • диффузионные
  • эпитаксиальные
  • планарные

По допустимой мощности, рассеиваемой на электродах транзистора, их подразделяют на:

 

Примечание: Если конструкция корпуса не позволяет рассеивать выделяемую мощность, то транзистор размещают на радиаторе, охлаждаемую поверхность которого подбирают так, чтобы температура кристалла полупроводника не превышала допустимую.

По значению предельной частоты биполярные транзисторы делят на:

Маркировка БТ

Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов.

Таблица №1. Маркировка БТ.

№ элемента п/п

Что обозначает элемент

Расшифровка элемента

1

Исходный материал

Г(1) – германий.
К(2) – кремний.
А(3) – арсенид-галлия.

2

Тип транзистора

Т – биполярный.
П – полевой.

3

Цифра, указывающая на частотные и мощностные свойства.

см. таблицу №2

4, 5 (6)

Цифра, указывающие порядковый номер разработки

–––

6 (7)

Буква, указывающая на разновидность транзистора из данной группы

–––

 

Таблица №2. Классификация транзисторов по мощности и частоте.

Частота

Мощность

Малая

Средняя

Большая

Низкая

1

4

7

Средняя

2

5

8

Высокая

3

6

9

Примеры обозначения:

KT315A, КТ806Б, ГТ108А, КТ3126, КТ3102, КТ3107, КТ972А.

 

Область транзистора, расположенная между p-n переходами, называют базой. Одна из примыкающих к базе областей должна наиболее эффективно осуществлять инжекцию носителей в базу, а другая – экстрагировать носители из базы (толщина базы делается значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей в ней; ширина базы в сравнении с шириной эмиттера и коллектора очень мала и составляет единицы микрометров)

Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей в базу, называют эмиттером, а переход – эмиттерным.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию носителей из базы, называют коллектором, а переход – коллекторным.

Кроме того, концентрация атомов примесей в эмиттере и коллекторе (низкоомные области) значительно больше, чем в базе (высокоомная область). Площадь коллекторного перехода больше эмиттерного, что способствует увеличению коэффициента переноса носителей из эмиттера в коллектор.

Основные свойства БТ определяются процессами в базовой области, которая обеспечивает взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов. Поэтому ширина базовой области должна быть малой (обычно меньше 1 мкм). Если распределение примеси в базе от эмиттера к коллектору однородное (равномерное), то в ней отсутствует электрическое поле и носители совершают в базе только диффузионное движение. В случае неравномерного распределения примеси (неоднородная база) в базе существует “внутреннее” электрическое поле, вызывающее появление дрейфового движения носителей: результирующее движение определяется как диффузией, так и дрейфом. БТ с однородной базой называют бездрейфовыми, а с неоднородной базой – дрейфовыми.

Цоколевка биполярных транзисторов

Габаритные чертежи  и расположение выводов 

1Т101, 1Т102, КТ104, КТ208, КТ301, КТ302, ГТ305, ГТ309, ГТ108, ГТ115, ГТ124, ГТ109, ГТ310, 1Т116, ГТ122, ГТ125,  КТ117, КТ118, КТ119, КТ120, 2Т126-1, КТ206, КТ307, КТ354, КТ380, КТ3134-1, КТ127-1, КТ331-1, КТ332-1,  КТ201, КТ203, КТ313, КТ316, КТ326, КТ327, КТ340, КТ342,  КТ343, КТ347, КТ349, КТ351, КТ352, КТ363, КТ3102, КТ3108, КТ3117, КТ3142, КТ3175, КТ616
КТ202, КТ211-1, 2Т317-1, КТ318, 2Т205, КТ207, КТ210, КТ333, КТ348, КТ359, КТ379, КТ201-М, КТ209, КТ316-М, КТ337, КТ349-М, КТ345, КТ350, КТ351, КТ352, КТ363-М, КТ368-М, КТ375, КТ399-М, КТ3102-М, КТ3107, КТ3117-1, КТ3128-1, КТ502, КТ503, КТ632-1, КТ638, КТ645, КТ660, КТ668,  КТ680, КТ681, КТ685, КТ686

 

 
1Т101, 1Т102
 
КТ104, КТ208, КТ301,  КТ302, ГТ305, ГТ309
ГТ108, ГТ115, ГТ124 ГТ109, ГТ310
 1Т116, ГТ122, ГТ125  КТ117
КТ118
КТ119
КТ120, 2Т126-1, КТ206, КТ307, КТ354, КТ380, КТ3134-1
КТ127-1, КТ331-1, КТ332-1
 КТ201, КТ203, КТ313, КТ316, КТ326, КТ327, КТ340, КТ342, КТ343, КТ347, КТ349, КТ351, КТ352, КТ363, КТ3102, КТ3108, КТ3117, КТ3142, КТ3175, КТ616
КТ202, КТ211-1, 2Т317-1, КТ318
2Т205
КТ207, КТ210, КТ333, КТ348, КТ359, КТ379
КТ201-М, КТ209, КТ316-М, КТ337, КТ349-М, КТ345, КТ350, КТ351, КТ352, КТ363-М, КТ368-М, КТ375, КТ399-М, КТ3102-М, КТ3107, КТ3117-1, КТ3128-1, КТ502, КТ503, КТ632-1, КТ638, КТ645, КТ660, КТ668, КТ680, КТ681, КТ685, КТ686
2Т214-9, 2Т215-9, 2Т218-9, 2Т368-9, 2Т370-9, 2Т385-9, КТ396-9, КТ3106-9, КТ3126-9, КТ3129-9, КТ3130-9, КТ3153-9, КТ3169-9

3126, кт3126«

3126, кт3126«


3126 (, п-н-п)


Т = 25С R (R ), C /
Т = 25С
I , макс. Я .макс U R макс (U 0 макс ), U 0 макс , U 0 макс , P макс , (P макс ), Т, С T макс , C T макс , C ч 21 21 ) U (U ), я ), U , I 0 , (I R ), ф х31 ), К , С , С , т ,
3126 20 20 20 3 150 85 150 85 25…150 5 3 1,2 1 600 1,5 1,5 780
3126 20 20 20 3 150 85 150 85 60…180 5 3 1,2 1 600 1,5 1,5 780


www.5v.ru

Transistores kt3126 аналогового силикона BF506 URSS 100 шт .: Electrónica


  • Asegúrate de que esto соответствует al ingresar tu número de modelo.
  • transistores de silicio kt3126 a analógico bf506 URSS 100 Pcs
  • Hay más de 25 000 artículos en nuestro almacén. Полный список, который можно найти в воде www.amazon.com/shops/a19nx3rfnsyb6r
  • Не использовать никаких ресурсов, чтобы узнать больше о необходимых материалах, о контактах и ​​контактах с носителями.

KTA1266Y pnp-транзистор, дополнительный npn, замена, распиновка, конфигурация контактов, замена, аналог smd, даташит

Характеристики транзистора KTA1266Y

  • Тип: PNP
  • Напряжение коллектор-эмиттер: -50 В
  • Напряжение коллектор-база: -50 В
  • Эмиттер-база
  • Напряжение эмиттер-база
  • V
  • Ток коллектора: -0.15 A
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 0,625 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ): 120 до 240
  • Переходная частота: 80 МГц
  • Диапазон рабочих температур и температурного перехода: От -55 до +150 ° C
  • Корпус: TO-92
  • Электрически похож на популярный транзистор 2SA1266-Y

Распиновка KTA1266Y

KTA1266Y изготовлен в пластиковом корпусе TO-92.Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, коллектора и базы.
Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.

Классификация h

FE

Транзистор KTA1266Y может иметь коэффициент усиления по току от 120 до 240 . Коэффициент усиления KTA1266 будет в диапазоне от 70 до 400 , для KTA1266O он будет в диапазоне от 70 до 140 , для KTA1266GR он будет в диапазоне от 200 на номер 400 .

Дополнительный транзистор NPN

KTC3198Y — дополнительный транзистор NPN для KTA1266Y.

Версия SMD транзистора KTA1266Y

2SA1037 (SOT-23), 2SA1037-Q (SOT-23), 2SA1162 (SOT-23), 2SA1162-Y (SOT-23), 2SA1586 (SOT-323), 2SA1586 -Y (SOT-323), 2SA1832 (SOT-23), 2SA1832-Y (SOT-23), 2SA812 (SOT-23), FJX733 (SOT-323), FJX733Y (SOT-323), KSA812 (SOT-23) ), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23), KTA1504S-Y (SOT-23), KTA1504Y (SOT-23) и TMBT3906 (SOT-23) — это SMD-версия транзистора KTA1266Y.

KTA1266Y Транзистор в корпусе TO-92

2SA1266-Y является версией TO-92 транзистора KTA1266Y.

Замена и аналог транзистора KTA1266Y

Вы можете заменить KTA1266Y на 2SA1015, 2SA1015Y, 2SA1020, 2SA1020Y, 2SA1048, 2SA1048-Y, 2SA1246, 2SA1266, 2SA1266-Y, 2SA1266-Y , 2SA1315-Y, 2SA1317, 2SA1318, 2SA1391, 2SA1392, 2SA1450, 2SA1481, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1516SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2198, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA, 2SA1534SA-2 -Y, 2SA684, 2SA684-R, 2SA720, 2SA720-R, 2SA817, 2SA817-Y, 2SA817A, 2SA817A-Y, 2SA935, 2SA935-Q, 2SA953, 2SA954, 2SA12984S, 2SB74029, 2SBA984, 2SB74029, 2SBA9402 , 2SB764, 2SB892, 2SB985, A1015, A1015Y, A733, BC212, BC212A, H733, KSA1015, KSA1015Y, KSA1281-Y, KSA708C, KSA708CY, KSTA733C, KSA7859CY, KSA7859CY, KSPA7339CY, KSA7859CY, KSPA7339CY , KTA1274Y, KTA1281, KTA1281Y, KTA200, KTA200-Y, KTB764 или PN3645.

сотрудников, созданных на транзисторе «alta velocidad», который интересует вас

.
Bajo el título «Hablemos de ciencia», VO propone para debatir el tema del trabajo de los científicos en la creación de los llamados supertransistores, dispositivos electrónicos que se excluen Por la pérdida récord de bajas pérdidas de cor. Los científicos e ingenieros posicionan los supertransistores como capaces de multiplicar aumentando la velocidad y la seguridad de las comunicaciones inalámbricas.Estas obras lograron interesar a los militares. Los últimos creen que tanto la velocidad como la seguridad de los datos cuando se Transmission Por canales inalámbricos Definitivamente no afectarán. Лос-представительницы де лас empresas que crean equipos informáticos «civiles» y equipos de comunicación despertaron interés en tales desarrollos.

El otro día, en la comunidad científica, aparecieron las tesis del informe del profesor asistente del Departamento de Ingeniería Informática de la Universidad Americana Delaware Зенг Юпинг.En el informe, señala que un grupo devestigadores en el labratorio de dicha universalidad estadounidense creó un transistor con «extrema movilidad de electronics». El dispositivo le permite controlar eficazmente la corriente en el circuito, trabajando con un récord de bajas pérdidas. Cabe señalar que el nuevo transistor se basa en varios grupos de semiconductores. Entonces, el nitruro de galio se usa junto con el nitruro de indio y aluminio. En este caso, la «estructura» está contenida en un sustrato de silicio.

Según Zeng Yuping, la muestra de supertransistor creada durante las pruebas mostró una frecuencia de corte de alta ganancia récord. Durante las pruebas, se registró un registro de los volúmenes de transmisión de información en el rango de frecuencia seleccionado.


Los científicos de la Universidad de Delaware представляет собой транзисторную систему «alta velocidad». Según Zeng Yuping, la tarea es lograr grandes cantidades de transferencia de datos a través de canales inalámbricos por unidad de tiempo.Una tarea adicional es alcanzar nuevas frecuencias для una transmisión eficiente y segura de una señal inalámbrica.

El informe señala otra ventaja del transistor de alta velocidad creado: tiene una alta resistencia a la radiación y, por lo tanto, puede usarse en condiciones, por ejemplo, del espacio external. Адемас, супертранзистор tiene un bajo consumo de energía.

El informe también dijo que un grupo de científicos continúa estudiando y creando transistores transparent basados ​​en óxido de titanio.

Esquema de la forma rutilo de dióxido de titanio.

En el context del trabajo en curso en dichos dispositivos, una línea de empresas de tecnología digital ya se ha alineado para ellos.

Brawl Stars: Brawl Talk — 2 НОВЫХ БРАУЛЕРА, ДНИ БРАУЛИ И МНОГОЕ ДРУГОЕ!

Скачать сейчас !! ►► supr.cl/playbrawl
Стань БОЙЦОМ! Подписаться! ►► supr.cl/subscribe

Быстрая многопользовательская игра 3 на 3 и королевская битва для мобильных устройств! Играйте с друзьями или в одиночку в различных игровых режимах менее чем за три минуты.

Разблокируйте и улучшите десятки бойцов с помощью мощных суперспособностей, звездных способностей и гаджетов! Собирайте уникальные скины, чтобы выделиться и похвастаться. Сражайтесь в разнообразных загадочных локациях Brawliverse!

СРАЖАЙТЕСЬ В НЕСКОЛЬКИХ РЕЖИМАХ ИГРЫ
— Захват драгоценных камней (3 на 3): объединитесь и перехитрите вражескую команду. Соберите и удерживайте 10 драгоценных камней, чтобы выиграть, но разберитесь и потеряйте свои драгоценные камни.
— Showdown (Solo / Duo): Битва за выживание в стиле королевской битвы. Собирайте бонусы для своего бойца.Берите друга или играйте в одиночку — станьте последним бойцом, выжившим в самой шумной королевской битве. Победитель забирает все!
— Brawl Ball (3 на 3): это совершенно новая игра Brawl Ball! Продемонстрируйте свои футбольные навыки и забейте два гола раньше соперника. Здесь нет красных карточек.
— Bounty (3v3): уничтожайте противников, чтобы заработать звезды, но не позволяйте им забивать вас. Команда с наибольшим количеством звезд побеждает в матче!
— Ограбление (3 на 3): защитите сейф своей команды и попытайтесь взломать сейф противников. Перемещайтесь по карте, чтобы красться, взрывать и проложить себе путь к сокровищам врагов.
— Особые события: ограниченные по времени специальные игровые режимы PvE и PvP.
— Championship Challenge: присоединяйтесь к киберспортивной сцене Brawl Stars во внутриигровых квалификациях!

РАЗБЛОКИРУЙТЕ И УЛУЧШАЙТЕ БРАУЛЕРОВ
Собирайте и улучшайте различных бойцов с помощью мощных суперспособностей, звездных способностей и гаджетов! Повышайте их уровень и собирайте уникальные скины.

BRAWL PASS
Выполняйте задания, открывайте ящики для драки, зарабатывайте драгоценные камни, значки и эксклюзивный скин Brawl Pass! Свежий контент каждый сезон.

СТАТЬ ЗВЕЗДНЫМ ИГРОКОМ
Поднимитесь по местным и региональным таблицам лидеров, чтобы доказать, что вы величайший скандалист из всех!

ПОСТОЯННОЕ РАЗВИТИЕ
Следите за новыми бойцами, скинами, картами, специальными событиями и игровыми режимами в будущем.

ВНИМАНИЕ! Brawl Stars можно загрузить и играть бесплатно, однако некоторые игровые предметы также можно приобрести за реальные деньги. Если вы не хотите использовать эту функцию, отключите внутриигровые покупки в настройках вашего устройства. Кроме того, в соответствии с нашими Условиями обслуживания и Политикой конфиденциальности вам должно быть не менее 9 лет, чтобы играть или загружать Brawl Stars.

Характеристики:
— Объединяйтесь в битвы 3 на 3 в реальном времени с игроками со всего мира
— Динамичный многопользовательский режим Battle Royale для мобильных устройств
— Открывайте и собирайте новых мощных бойцов — каждый со своей фирменной атакой и супер способность
— Новые события и игровые режимы ежедневно
— Битвы в одиночку или с друзьями
— Поднимитесь на вершину списков лидеров в глобальном и местном рейтинге
— Присоединитесь или создайте свой собственный клуб с другими игроками, чтобы делиться советами и сражаться вместе
— Настроить Драки с открываемыми скинами
— Карты, созданные игроками, предлагают сложные новые ландшафты для освоения

От создателей Clash of Clans, Clash Royale и Boom Beach!

Поддержка:
Свяжитесь с нами в игре через настройки, справку и поддержку или посетите supercell.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *