Транзистор пнп: Как работает PNP-транзистор на примере: поясняю простым языком | ASUTPP

Содержание

Как работает PNP-транзистор на примере: поясняю простым языком | ASUTPP

Транзистор PNP для многих загадка. Но так не должно быть. Если вы хотите проектировать схемы с транзисторами, то безусловно нужно знать об этом типе транзисторов.

Пример: Хотите автоматически включить свет, когда стемнеет транзистор PNP сделает это легко для вас.

Если вы понимаете работу NPN — транзистора, то это облегчит понимание PNP-транзистора. Они работают примерно так же, с одним существенным отличием: токи в транзисторе PNP протекают в противоположных направлениях, если сравнивать с протеканием токов в транзисторе NPN.

Как работают транзисторы PNP?

Транзистор PNP имеет те же выводы, что и NPN:

  • База
  • Эмиттер
  • Коллектор

Транзистор PNP «включится», когда у вас будет небольшой ток, протекающий от эмиттера к базе. Когда я говорю «включится», я имею в виду, что транзистор откроет канал между эмиттером и коллектором. И через этот канал сможет протекать уже гораздо больший ток.

Чтобы ток протекал от эмиттера к базе, вам нужно напряжение около 0,7 В. Поскольку ток идет от эмиттера к базе, база должна иметь напряжение на 0,7 В ниже, чем напряжение на эмиттере.

Установив напряжение на базе PNP-транзистора на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, вы «включаете транзистор» и позволяете току течь от эмиттера к коллектору.

Я знаю, что это может звучать немного запутанно, поэтому читайте дальше, чтобы увидеть, как можно спроектировать схему с транзистором PNP.

Пример: транзисторная схема PNP

Давайте посмотрим, как создать простую схему с транзистором PNP. С помощью этой схемы вы можете «зажечь» светодиод, когда стемнеет.

Шаг 1: Эмиттер

Прежде всего, чтобы включить PNP-транзистор, нужно, чтобы напряжение на базе было ниже, чем на эмиттере. Для этого подключите эмиттер к плюсу вашего источника питания. Таким образом, вы знаете, какое у вас напряжение на эмиттере.

Шаг 2: что вы хотите контролировать

Когда транзистор включается, ток течет от эмиттера к коллектору. Итак, давайте подключим то, что мы хотим контролировать: а именно светодиод.

Поскольку у светодиода всегда должен быть последовательно установлен резистор , давайте добавим и резистор.

Шаг 3: Транзисторный вход

Для включения светодиода необходимо включить транзистор, чтобы канал от эмиттера к коллектору открылся. Чтобы включить транзистор, необходимо, чтобы напряжение на базе было на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, что составляет 9 В — 0,7 В = 8,3 В.

Например, теперь вы можете включить светодиод, когда стемнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный в качестве делителя напряжения.

Напряжение на базе не будет вести себя точно так, как говорит формула делителя напряжения. Это потому, что транзистор тоже влияет на напряжение.

Но в целом, когда значение сопротивления фоторезистора велико (нет света), напряжение будет близко к 8,3 В, и транзистор включен (что включает светодиод). Когда значение фоторезистора низкое (много света присутствует), напряжение будет близко к 9 В и отключит транзистор (который выключит светодиод).

Я использовал такие компоненты:

  • Транзистор PNP- BC557.
  • Фоторезистор — 10 кОм, когда светло, и 1 мОм, когда темно.
  • Резистор на базе транзистора — 100 кОм.
  • Резистор, который последовательно подключен светодиодом — 470 Ом.

Транзистор пнп

Транзисторы биполярные — трёхэлектродные полупроводниковые приборы, у которых электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью. В отличие от полевых транзисторов, работа биполярных основывается на переносе электрического заряда двух типов, носители которых — дырки и электроны. Электроды, подключаемые к среднему слою, называются базой, а электроды, подключаемые к внешним слоям — коллектором и эмиттером эти слои различаются степенью легирования примесями. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: NPN vs. PNP Transistors as Common-Emitter Switches

В чем разница между NPN и PNP транзисторами?


Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов.

Так же транзистор может работать в ключевом режиме. Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а n-p-n структуры; б p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами в зависимости от типа транзистора. Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу. Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу. Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом.

Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n — область для диода это катод подать минус, а на p-область анод.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер — n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов. В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах.

Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых — 0,,3 вольта. Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный плюс щуп мультиметра, а на эмиттер черный минус щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе. Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э , что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника. Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них. Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К , результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка — переход эмиттер-коллектор. Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора , что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику. При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

Имя обязательное. Бесплатное интернет издание посвященное электротехнике, электронике, радиотехнике и другим смежным областям. Журнал состоит из нескольких качественных и полезных статей практической направленности. Видеокурс «Черчение схем в программе sPlan 7». Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.

Видеокурс «Программирование микроконтроллеров для начинающих». Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам! В результате вы научитесь с нуля не тольно разрабатывать собственные устройства, но и сопрягать с ними различную переферию! Запомнить меня. Как проверить транзистор мультиметром.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом. Еще в этом выпуске журнала Как проверить аккумулятор автомобиля. Что такое микроконтроллер. Но на самом деле это будет подделка. В топку такой метод проверки. Напряжение на выходе зарядного увеличилось в следствие выхода из строя стабилизатора в зарядном если таковой имеется. Это может быть микросхема или транзистор. Если нет стабилизаторов, то возможно значение напряжение завышено в результате включения сглаживающих конденсаторов после диодного моста, и в режиме холостого хода, т.

Попробуйте подключить нагрузку и измерить напряжение. Обновить список комментариев. Разнообразный формат статей, красочные иллюстрации, качественные видео материалы. Конфиденциальность данных гарантируется. Основы электроники. Ремонт своими руками. Видеокурс «Черчение схем в программе sPlan 7» Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.

Видеокурс «Программирование микроконтроллеров для начинающих» Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам!

Уверяю такого еще нет нигде! Подпишись на мой канал youtube! Логин Пароль Запомнить меня Забыли пароль? Забыли логин? Desktop Version.


Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые

Принцип полупроводникового управления электрическим током был известен ещё в начале ХХ века. Несмотря на то, что инженеры, работающие в областях радиоэлектроники, знали как работает транзистор, они продолжали конструировать устройства на основе вакуумных ламп. Причиной такого недоверия к полупроводниковым триодам было несовершенство первых точечных транзисторов. Семейство германиевых транзисторов не отличались стабильностью характеристик и сильно зависели от температурных режимов.

Например в NPN-транзисторе носителем тока являются электроны, а в PNP- транзисторе — дырки (вакансии), которые менее мобильны.

Справочная информация — Промэлектроника

В качестве дискретных транзисторов, а также транзисторов интегральных микросхем наибольшее применение находят планарные и планарно-эпитаксиальные транзисторы. Планарные транзисторы с вертикальной структурой n-p-n рис. В транзисторах с вертикальной структурой носители заряда движутся от эмиттера к коллектору в направлении перпендикулярном поверхности кристалла. Планарный транзистор, показанный на рис. Эти транзисторы отличает простота технологии, высокая плотность компоновки. К недостаткам данной структуры следует отнести: большое сопротивление тела коллекторной области, неоднородное легирование коллектора по глубине. Для уменьшения сопротивления коллекторной области для ее формирования используют ионную имплантацию. Коллекторная область такого транзистора получается на основе эпитаксиально-выращенного на подложке p-типа слоя n. Высокоомная эпитаксиальная область n, прилегающая к коллекторному p-n-переходу, необходима для полуения высокого коллекторного напряжения и снижения коллекторной емкости. Расстояние между эмиттерами выбирают больше диффузионной длины носителей в базовом слое, чтобы носители не проникали от эмиттера к эмиттеру через боковые поверхности.

Транзистор

Биполярный транзистор — электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный , поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда — электроны и дырки. Этим он отличается от униполярного полевого транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Принцип работы обоих типов транзисторов похож на работу водяного крана, который регулирует водяной поток, только через транзистор проходит поток электронов.

Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением.

Транзистор биполярный

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Предисловие Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах. Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода.

Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в году тремя учёными — Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли. Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике. Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике. Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор. Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны.

Биполярный транзистор

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора.

Как работает биполярный транзистор

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Clase 47: Como funciona transistor PNP

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века.

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

pnp транзистор

Первым делом давайте вспомним, какой проводимости бывают биполярные транзисторы. Кто читал предыдущие статьи, думаю помнят, что транзисторы бывают NPN проводимости:. Рассмотрим вот такой рисунок:. Здесь мы видим трубу, по которой течет вода снизу вверх под высоким давлением. В данный момент труба закрыта красной заслонкой и поэтому потока воды нет.

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.


20. Принцип работы биполярного транзистора. 21. Npn- и pnp-транзистор.

Разрез биполярного транзистора (bipolar junction transistor, или BJT) схематически показан на рисунке слева вверху. Он образуется двумя P-N переходами, соединенными встречно. В данном случае очень тонкая внутренняя область, называемая базой, имеет р-проводимость, а весь транзистор имеет структуру n-p-n (существуют также транзисторы p-n-p). К правому переходу прикладывается внешнее положительное напряжение, повышающее его потенциальный барьер, как показано на рисунке слева внизу. Тогда при понижении потенциального барьера левого перехода отрицательным внешним напряжением электроны пойдут в базу, но в силу ее очень малой толщины тут же достигнут правого перехода и будут подхвачены положительным напряжением правой области, переходя в нее. Следуя этому поведению электронов, левая область называется эмиттером, а правая – коллектором. То же самое будет и для дырок в p-n-p транзисторе.

Очень небольшая часть электронов, перешедших в базу соединится с дырками и взаимоуничтожится (рекомбинирует), эти носители образуют электрический ток базы. Основной ток пойдет в коллектор. Наиболее распространенная схема усиления с общим эмиттером приведена в центре рисунка. Она аналогична схеме включения лампового триода на рис.7, при этом коллектор похож на анод, а эмиттер на катод. Однако существует довольно существенное отличие: в лампах работают без тока сетки, тогда как в транзисторе принципиально должен быть ток базы. Это означает, что транзистор по этой схеме имеет сравнительно с лампой низкое входное сопротивление. Приведенный справа внизу на рисунке эмиттерный повторитель аналогичен катодному повторителю. Его усиление по напряжению примерно равно 1 (нет усиления), однако входные токи базы значительно меньше, то есть входное сопротивление выше, чем в усилителе с общим эмиттером. Усилительные свойства транзистора характеризуются статическим коэффициентом передачи тока h 21Э , приводимым в справочниках для схемы с общим эмиттером. Этот коэффициент дается для определенного режима по постоянному току (напряжение между коллектором и эмиттером, ток коллектора или эмиттера) и показывает во сколько раз ток коллектора больше тока базы (иначе, коэффициент усиления по току β).

22. Классы работы усилителя.

Выбор рабочей точки усилителя определяет класс работы усилителя, изображенный на рисунке. Класс А предполагает работу всего сигнала в пределах линейной области и обеспечивает самые малые искажения сигнала, однако при низком к.п.д. Например, на приведенной схеме в резисторе нагрузки теряется по постоянному току значительная мощность при большой постоянной составляющей тока. Снизив постоянную составляющую тока в рабочей точке до нуля, получаем класс В. С целью дальнейшего уменьшения потерь мощности по постоянному току в коллекторном резисторе прибегают к комплементарной паре транзисторов (npn и pnp), включенных последовательно, как показано на рисунке справа . Каждый из транзисторов пары работает в одном полупериоде синусоиды сигнала, как показано в центе рисунка, во втором полупериоде он закрыт. Однако на практике трудно настроить усилитель, чтобы на выходе оба полупериода точно стыковались, на рисунке эта нестыковка преувеличена, что приведет к искажениям сигнала. По этой причине используется промежуточный класс АВ.

ПНП | PSpice

2N6034

4,0 А, 40 В PNP-биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6035

4,0 А, 60 В PNP-биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6036

4.0 A, 80 В PNP Биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6040

8,0 А, 60 В PNP Биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6041

8 А, 80 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

2N6042

8.0 A, 100 В PNP Биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6052

12 А, 100 В PNP-биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

2N6287

20 А, 100 В PNP-биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

БКВ26/ПЛП

500 мА, 30 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

БКВ28/ПЛП

500 мА, 30 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

БЦВ46

500 мА, 60 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

БКВ46/ПЛП

500 мА, 60 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

БКВ48/ПЛП

500 мА, 60 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

БД646

8 А, 60 В, кремниевый транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

БД648

8A, 80 В, кремниевый транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

БД650

8A, 100 В, кремниевый транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

БД652

8A, 120 В, кремниевый транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

БДВ47

15 А, 100 В Силовой биполярный транзистор Дарлингтона PNP

BDX34C

10 А, 100 В Силовой биполярный транзистор Дарлингтона PNP

BDX54C

8.0 A, 100 В, 65 Вт Биполярный силовой транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

BDX54C

8,0 А, 100 В, 65 Вт Биполярный силовой транзистор Дарлингтона PNP

БДС64Б

20 А, 100 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

BDX66B

20 А, 100 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

БСП62/ПЛП

1А, 80В, PNP Биполярный транзистор Дарлингтона

БСТ62/ПЛП

0.5А, 80В, PNP биполярный транзистор Дарлингтона

ФММТА63/ЗТС

ПНП Транзистор Дарлингтона

ФЗТ705/ЗТС

2A, 120 В, биполярный транзистор Дарлингтона PNP

МДЖ11015

30 А, 120 В PNP Биполярный силовой транзистор Дарлингтона (с поддержкой AA)

МДЖ11017

Кремниевый силовой транзистор Дарлингтона PNP (с поддержкой AA)

МДЖ11021

15 А, 250 В Силовой биполярный транзистор Дарлингтона PNP

Транзистор ПНП, биполярный, Дарлингтон, 100В, 20А, 160Вт, ТО3 — 7.60 евро: acdcshop.gr

Код товара:

27429
PDF

2N6287G
Технические характеристики
Производитель НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Транзисторного типа PNP
Поляризация биполярный
Транзисторный Дарлингтон
Напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Ток коллектора 20А
Мощность 160 Вт
Чемодан ТО3
Крепление THT
 
Наличие: При заказе
Родственные категории: Аксессуары для изоляторов (6) Радиатор (4)

FK2010 — Радиатор 6K/Вт для TO3,TO66,SOT9

HS-150 — Радиатор черный готовый тип U, 50 мм, TO3

HS-201 — радиатор типа H, длина 100 мм, 2xTO3

NIPPEL-TO3 — Изолирующая втулка TO3 TOP3 макс.130C 7,1 мм

SMICA-TO3 — Теплопроводящая силиконовая прокладка TO3 0,4K/W Д 42 мм Ш 28 мм

AOS3 — Теплопроводящая керамическая прокладка TO3 Д 26,3 мм Ш 40 мм Г 2,9 мм

MICA-TO3 — Теплопроводящая прокладка из слюды TO3 0,35K/W Д 41,5 мм Ш 28,2 мм

TO3-SET — Комплект изоляции для транзисторов TO3

SK48-50-SA — экструдированный радиатор, TO3, черный, Д 50 мм, Ш 65 мм, В 20 мм, 2,9 К/Вт

КАП/3/К — Прокладка теплопроводящая каптон, ТО3, 0.15K/Вт, Д 42 мм, Ш 29 мм
Клиенты, купившие этот товар, также купили

Многооборотный потенциометр — Монтаж потенциометра, многооборотный, 50k, 500мВт, THT, 10%, линейный

Резистор Переменный — монтаж потенциометра, однооборотный, горизонтальный 500 кОм 250 мВт

TTL-Cmos — цифровая ИС, мультиплексор, переключатель, 4 канала, CMOS, THT, DIP14

Транзистор NPN — Транзистор NPN 50В 0.8А 0,625Вт ТО92

Аналоговые ИС — операционный усилитель, 1,1 МГц, 3÷32 В постоянного тока, каналы 2, DIP8

Многооборотный потенциометр — монтаж потенциометра, многооборотный, 10 кОм, 500 мВт, THT, 10 %, линейный

Транзистор NPN — Транзистор NPN, биполярный, 80 В, 0,5 А, 0,8/3 Вт, TO39

Регуляторы напряжения — стабилизатор напряжения, фиксированный, 5 В, 0,5 А, DPAK, SMD, упаковочная лента
  Понедельник, 25 апреля 2022 г.  86768029 запросов с субботы, 23 января 2010 г.
www.acdcshop.gr, Misonos 47, Sitia Crete: +3028430 20201 , факс: +3028430 26821, электронная почта: [email protected]
Copyright © 2004-2022 acdcshop.gr — Дизайн ABCDtec

Знайте разницу между транзисторами NPN и PNP

PNP — это транзистор с биполярным переходом или BJT, в котором дырки являются основными носителями тока, а электроны — второстепенными. Конструкция PNP-транзистора такова, что легированный полупроводник P-типа отделен тонким слоем легированного полупроводникового материала N-типа.

NPN — это еще один BJT, в котором электроны являются основными носителями тока, а дырки — второстепенными. Конструкция NPN-транзистора такова, что два легированных полупроводника N-типа разделены тонким слоем легированного полупроводникового материала P-типа, заключенного между ними.

Различие между транзисторами NPN и PNP

Знаете ли вы, в чем разница между транзисторами NPN и PNP?

Основное различие между транзистором NPN и транзистором PNP указано стрелкой тока.Если ток направлен наружу, это NPN, а если ток направлен внутрь, это NPN-транзистор.

Чтобы понять подробно, давайте различать NPN и PNP -транзистор в таблице:

. Полная форма транзистора NPN — отрицательный положительный отрицательный транзистор.

Полная форма PNP-транзистора — положительно-отрицательно-положительный транзистор.

Транзистор NPN можно лучше понять следующим образом:

N — Никогда

P — Точки 

N — В

Это означает, что ток направлен наружу.

Транзисторы NPN используются в качестве стока тока, т. е. ток течет к коллектору.

В PNP мы можем отличить его от NPN следующим образом:

P — Points

N — In

P — Постоянно

Это означает текущие точки внутрь.

Транзисторы PNP используются в качестве источника тока, т.е. ток вытекает из коллектора.

В транзисторе NPN электроны являются важными носителями тока.

В транзисторе PNP отверстия являются основными/важными носителями тока.

NPN-транзисторы ведут себя как два диода с NP-переходом, когда они соединены спиной к спине с катодными диодами.

PNP-транзистор ведет себя как два диода с PN-переходом, когда они соединены встречно-параллельно.

PNP-транзистор остается выключенным при положительном напряжении и включенным при малом выходном токе и отрицательном напряжении на его базе относительно эмиттера.

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

Направление тока от коллектора к эмиттеру, как показано стрелкой на рисунке.

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

Направление тока от эмиттера к коллектору, как показано стрелкой на рисунке.

В состоянии ON датчики PNP выдают положительный выходной сигнал.

Во включенном состоянии датчики NPN выдают отрицательный сигнал или выходной сигнал.

При включении транзистора электроны попадают на его базу.

При включении транзистора в его базу входят отверстия.

Внутренний ток: поскольку электроны подвижны и находятся в разных положениях, из-за чего в NPN-транзисторе возникает внутренний ток.

Внутренний ток: Внутренний ток в транзисторе PNP возникает из-за различного положения отверстий.

Внешний ток: Внешний ток возникает из-за потока дырок в транзисторе.

Внешний ток: внешний ток возникает из-за потока электронов в транзисторе.

Высокая проводимость возникает из-за большого потока электронов.

Сравнительно низкая проводимость из-за меньшего количества электронов.

Время переключения меньше в транзисторах NPN.

Длительное время переключения в транзисторах PNP.

Путь положительного напряжения проходит вдоль клеммы коллектора.

Путь положительного напряжения проходит вдоль клеммы эмиттера.

Прямое смещение: Базовый переход эмиттера смещен в прямом направлении.

Прямое смещение: Базовый переход эмиттера смещен в прямом направлении.

Обратное смещение: соединение коллектора с базой имеет обратное смещение.

Обратное смещение: Соединение базы коллектора смещено в обратном направлении.

Малый ток: небольшой ток течет от эмиттера к базовому переходу

Малый ток: небольшой ток течет от базы к эмиттерному переходу.

Земля Низкий уровень сигналов в транзисторах NPN.

Сигналы заземления имеют высокий уровень в транзисторах PNP.

Транзисторы PNP и NPN

Транзисторы PNP и NPN противоположны по своим функциям. Когда вы подаете ток на базовый переход NPN-транзистора, через него проходит больше энергии; вот почему NPN считаются хорошими для усилителей. Однако PNP делает обратное. Когда вы подаете ток на базовый переход PNP-транзистора, он отключается.

Оба транзистора работают как вентили. Если вы повернете его в одну сторону, вода (электричество) сможет течь, а если вы повернете его в другую сторону, то нет.Оба транзистора составляют основные компоненты логических элементов для обработки цифровых сигналов в компьютерах и других электронных устройствах.

Другие места, где мы используем транзисторы, это датчики, усилители, генераторы, детекторы, модуляторы и различные электрические схемы для выполнения функций.

Резюме

Итак, мы поняли, что транзисторы PNP и NPN являются устройствами управления током, в которых проводимость осуществляется носителями заряда, а именно: дырками и электронами.Когда основными носителями являются электроны, это NPN-транзистор, а когда большинство носителей являются дырками, это PNP-транзистор.

Использование транзисторов в качестве усилителя и переключателя

Первый транзистор с биполярным переходом был изобретен в 1947 году в лабораториях Белла. «Две полярности» сокращенно обозначается как биполярный, отсюда и название . Биполярный переходной транзистор . BJT представляет собой трехконтактное устройство с коллектором (C), базой (B) и эмиттером (E). Для идентификации клемм транзистора требуется схема контактов конкретной части биполярного транзистора.Он будет доступен в даташите. Существует два типа транзисторов BJT- NPN и PNP . В этом уроке мы поговорим о транзисторах PNP. Давайте рассмотрим два примера PNP-транзисторов — 2N3906 и PN2907A, показанные на изображениях выше.

 

В зависимости от производственного процесса конфигурация выводов может измениться, и эта информация доступна в соответствующем листе технических данных транзистора. В основном все транзисторы PNP имеют вышеуказанную конфигурацию контактов.По мере увеличения номинальной мощности транзистора к корпусу транзистора необходимо прикрепить необходимый радиатор. Несмещенный транзистор или транзистор без потенциала, подаваемого на клеммы, аналогичен двум диодам, соединенным встречно-параллельно, как показано на рисунке ниже. Наиболее важным применением транзистора PNP является переключение на стороне высокого напряжения и комбинированный усилитель класса B.

 

Диод D1 имеет обратную проводимость, основанную на прямой проводимости диода D2. Когда ток течет через диод D2 от эмиттера к базе, диод D1 воспринимает ток, и пропорциональный ток будет протекать в обратном направлении от вывода эмиттера к выводу коллектора при условии, что к выводу коллектора приложен потенциал земли.Константа пропорциональности — это коэффициент усиления (β).

 

Работа транзисторов PNP:

Как обсуждалось выше, транзистор представляет собой управляемое током устройство, которое имеет два обедненных слоя с определенным барьерным потенциалом, необходимым для рассеивания обедненного слоя. Барьерный потенциал для кремниевого транзистора составляет 0,7 В при 25°С и 0,3 В при 25°С для германиевого транзистора. Наиболее распространенным типом используемых транзисторов является кремний, потому что это самый распространенный элемент на земле после кислорода.

 

Внутренняя операция:

Конструкция транзистора pnp заключается в том, что области коллектора и эмиттера легированы материалом p-типа, а базовая область легирована небольшим слоем материала n-типа. Область эмиттера сильно легирована по сравнению с областью коллектора. Эти три области образуют два соединения. Это переход коллектор-база (CB) и переход база-эмиттер.

 

Когда к переходу база-эмиттер прикладывается отрицательный потенциал VBE, уменьшающийся от 0 В, электроны и дырки начинают накапливаться в обедненной области.При дальнейшем снижении потенциала ниже 0,7 В достигается барьерное напряжение и происходит диффузия. Следовательно, электроны текут к положительной клемме, а базовый ток течет (IB) противоположно потоку электронов. Кроме того, ток от эмиттера к коллектору начинает протекать при условии, что на выводе коллектора приложено напряжение VCE. Транзистор PNP может действовать как переключатель и усилитель.

 

Рабочая область в зависимости от режима работы:

1. Активная область, IC=β×IB– Работа усилителя

2.Зона насыщения, IC= ток насыщения – операция переключения (полностью включено)

3. Зона отсечки, IC= 0 – Работа переключателя (полностью ВЫКЛ)

 

Транзистор в качестве переключателя:

PNP-транзистор используется в качестве переключателя высокого напряжения. Для объяснения модели PSPICE был выбран транзистор PN2907A . Первое, что нужно иметь в виду, это использовать токоограничивающий резистор на базе. Более высокие базовые токи повредят BJT. Из таблицы данных максимальный непрерывный ток коллектора составляет -600 мА, и соответствующий коэффициент усиления (hFE или β) указан в таблице данных в качестве условий испытаний.Также доступны соответствующие напряжения насыщения и базовые токи.

 

Шаги для выбора компонентов:

1. Найдите ток коллектора по току, потребляемому вашей нагрузкой. В этом случае это будет 200 мА (параллельные светодиоды или нагрузки) и резистор = 60 Ом.

2. Для перевода транзистора в состояние насыщения необходимо отбирать достаточный базовый ток, чтобы транзистор был полностью открыт. Расчет тока базы и соответствующего резистора, который будет использоваться.

Для полного насыщения базовый ток приблизительно равен 2,5 мА (не слишком высокий и не слишком низкий). Таким образом, ниже показана схема с 12 В на базу, такую ​​же, как и на эмиттер относительно земли, во время которой переключатель находится в выключенном состоянии.

 

Теоретически переключатель полностью разомкнут, но практически наблюдается протекание тока утечки. Этим током можно пренебречь, поскольку они измеряются в пА или нА. Для лучшего понимания управления током транзистор можно рассматривать как переменный резистор между коллектором (C) и эмиттером (E), сопротивление которого изменяется в зависимости от тока через базу (B). ).

 

Первоначально, когда через базу не протекает ток, сопротивление на CE очень велико, поэтому ток через него не течет. Когда на базовой клемме появляется разность потенциалов 0,7 В и выше, переход BE рассеивается и вызывает диффузию перехода CB. Теперь ток течет от эмиттера к коллектору пропорционально току от эмиттера к базе, а также к усилению.

Теперь давайте посмотрим, как управлять выходным током, контролируя базовый ток.Зафиксируйте IC = 100 мА, несмотря на то, что нагрузка составляет 200 мА, соответствующее усиление из таблицы данных находится где-то между 100 и 300, и, следуя той же формуле выше, мы получаем

.

 

Отклонение практического значения от расчетного связано с падением напряжения на транзисторе и используемой резистивной нагрузкой. Кроме того, мы использовали стандартное значение резистора 13 кОм вместо 12,5 кОм на базовой клемме.

 

 

Транзистор в качестве усилителя:

Усиление — это преобразование слабого сигнала в полезную форму.Процесс усиления был важным этапом во многих приложениях, таких как беспроводные передаваемые сигналы, беспроводные принимаемые сигналы, MP3-плееры, мобильные телефоны и т. д. Транзистор может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах транзисторных усилителей, относятся к

.

1. Усилитель с общим эмиттером

2. Усилитель с общим коллектором

3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов тип с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией.Работа происходит в активной области, примером может служить схема однокаскадного усилителя с общим эмиттером. Стабильная точка смещения по постоянному току и стабильное усиление по переменному току важны при разработке усилителя. Название однокаскадного усилителя, когда используется только один транзистор.

Выше показан однокаскадный усилитель, в котором слабый сигнал, подаваемый на клемму базы, преобразуется в β-кратный фактический сигнал на клемме коллектора.

 

Назначение детали:

CIN — конденсатор связи, который соединяет входной сигнал с базой транзистора.Таким образом, этот конденсатор изолирует источник от транзистора и пропускает только сигнал переменного тока. CE — это обходной конденсатор, который действует как путь с низким сопротивлением для усиленного сигнала. COUT — конденсатор связи, который связывает выходной сигнал с коллектора транзистора. Таким образом, этот конденсатор изолирует выход транзистора и пропускает только сигнал переменного тока. R2 и RE обеспечивают стабильность усилителя, тогда как R1 и R2 вместе обеспечивают стабильность в точке смещения постоянного тока, действуя как делитель потенциала.

 

Операция:

В случае транзистора PNP общее слово указывает на отрицательное питание. Следовательно, эмиттер будет отрицательным по сравнению с коллектором. Схема работает мгновенно для каждого временного интервала. Просто для понимания, когда переменное напряжение на клемме базы увеличивается, соответствующее увеличение тока протекает через резистор эмиттера.

Таким образом, это увеличение тока эмиттера увеличивает более высокий ток коллектора, протекающий через транзистор, что уменьшает падение напряжения VCE коллектор-эмиттер.Точно так же, когда входное переменное напряжение уменьшается экспоненциально, напряжение VCE начинает увеличиваться из-за уменьшения тока эмиттера. Все эти изменения напряжения мгновенно отражаются на выходе, который будет инвертированной формой входного, но усиленного сигнала.

Характеристики

Общая база

Общий эмиттер

Общий коллектор

Коэффициент усиления по напряжению

Высокий

Средний

Низкий

Коэффициент усиления по току

Низкий

Средний

Высокий

Прирост мощности

Низкий

Очень высокий

Средний

Таблица: Сравнительная таблица усиления

 

На основании приведенной выше таблицы можно использовать соответствующую конфигурацию.

 

Все о транзисторах PNP | Производство, сборка и проектирование печатных плат MAD

Что такое s PNP-транзистор?

 

Транзистор PNP — это тип транзистора, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа. Это устройство, которое управляется током. И эмиттерный, и коллекторный токи контролировались небольшим током базы. Два кварцевых диода соединены встречно-параллельно в PNP-транзисторе.Диод эмиттер-база расположен слева от диода, а диод коллектор-база расположен справа.

Ток в отверстии состоит из большинства носителей транзисторов PNP. Ток внутри транзистора создается движением дырок, а ток в выводах транзистора создается потоком электронов. Когда через базу PNP-транзистора протекает небольшой ток, он включается. Ток в транзисторе PNP течет от эмиттера к коллектору.

Напряжение, необходимое для эмиттера, коллектора и базы транзистора, обозначается буквой PNP-транзистора. По сравнению с эмиттером и коллектором база PNP-транзистора всегда была отрицательной. Электроны в транзисторе PNP берутся с базовой клеммы. Ток, поступающий в базу, усиливается до того, как достигнет концов коллектора.

 

Обозначение транзистора PNP

 

Транзистор PNP обозначается буквами PNP.На приведенной ниже диаграмме изображен символ PNP-транзистора. В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору, как показано стрелкой, направленной внутрь.

Обозначение транзистора PNP

 

Строительство

 

Структура транзистора PNP изображена на схеме ниже. Эмиттерный и базовый переходы смещены в прямом направлении, а коллекторный и базовый переходы смещены в обратном направлении. Эмиттер, смещенный в прямом направлении, притягивает электроны к батарее, в результате чего ток течет от эмиттера к коллектору.

Конструкция транзистора PNP

 

Легированные полупроводники обнаружены в трех секциях транзистора. С одной стороны эмиттер, с другой коллектор. Основание относится к области в середине. Три компонента транзистора подробно описаны ниже.

 

  • Излучатель : Задача излучателя — поставлять носители заряда приемнику. По сравнению с базой эмиттер всегда смещен в прямом направлении, чтобы обеспечить большое количество носителей заряда.
  • База : База транзистора представляет собой секцию в середине, которая образует два PN-перехода между эмиттером и коллектором. Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, что позволяет цепи эмиттера иметь низкое сопротивление. Из-за обратного смещения перехода база-коллектор цепь коллектора имеет высокое сопротивление.
  • Коллектор : Коллектор — это секция на противоположной стороне эмиттера, которая собирает заряды. Когда дело доходит до коллекционирования, коллекционер всегда склоняется в противоположную сторону.

 

Транзистор эквивалентен двум диодам, поскольку имеет два PN-перехода. Диод эмиттер-база или эмиттерный диод — это название перехода между эмиттером и базой. Переход между коллектором и базой называется диодом коллектор-база или коллекторным диодом.

 

Работа транзистора PNP

 

Поскольку переходы эмиттера и базы смещены в прямом направлении, эмиттер выталкивает дырки в области базы.Эмиттерный ток состоит из этих дырок. Эти электроны объединились с электронами, когда они переместились в полупроводниковый материал или основу N-типа. База транзистора тонкая и не имеет большого количества легирования. В результате лишь несколько дырок объединяются с электронами, а остальные дырки перемещаются в слой объемного заряда коллектора. В результате развивается базовый ток.

Работа транзистора PNP

 

Обратное смещение используется для соединения области коллектор-база.Коллектор собирает или притягивает дырки, которые собираются вокруг обедненной области, когда они подвергались воздействию отрицательной полярности. В результате этого возникает коллекторный ток. Ток коллектора IC пропускает весь ток эмиттера.

 

Кривые и режимы работы транзисторов

 

Режимы работы, используемые для переключения приложений, можно разделить на четыре категории в зависимости от смещения внутренних диодов транзистора.Области отсечки, активные области, области насыщения и пробоя — это разные режимы работы.

 

  • Активный режим : В этом режиме работы транзистор часто используется в качестве усилителя тока. Два диода транзистора смещены в противоположных направлениях, то есть один смещен в прямом направлении, а другой — в обратном. В этом режиме ток течет от эмиттера к коллектору.
  • Режим отсечки : В этом режиме работы оба диода в транзисторе смещены в обратном направлении.Говорят, что транзистор находится в выключенном состоянии, потому что в этом режиме ток не течет ни в каком направлении.
  • Режим насыщения : В этом режиме работы оба диода в транзисторах смещены в прямом направлении. В этом режиме ток свободно течет от коллектора к эмиттеру. Это происходит, когда напряжение на переходе база-эмиттер высокое. Состояние ON называется этим режимом.
  • Режим пробоя : Когда напряжение коллектора превышает установленные пределы, диод коллектора разрушается, а ток коллектора резко возрастает до опасного уровня.В результате транзистор в области пробоя не должен работать. Например, в транзисторе 2N3904, если напряжение коллектора превышает 40В, сразу начинается область пробоя, что приводит к повреждению схемы транзистора.

 

Приложения

 

  • Они используются в схемах усиления.
  • Во встроенных проектах транзисторы используются в качестве переключателя, а благодаря быстрому переключению они также используются для генерации ШИМ-сигналов.
  • Используются парные схемы
  • Darlington (многотранзисторная конфигурация).
  • В электродвигателях транзисторы PNP используются для управления потоком тока.
  • В цепях с согласованной парой PNP-транзисторы используются для генерирования спорной и одновременной мощности.

 

Некоторые преимущества

 

  • Для источника тока используются транзисторы PNP.
  • Поскольку он генерирует сигнал, относящийся к отрицательной шине питания, это упрощает конструкцию схемы.
  • По сравнению с транзисторами NPN они производят меньше шума.
  • Он меньше других транзисторов и может использоваться в интегральных схемах, как и другие.

Транзистор PNP — Элементы электроники

Транзистор PNP является полной противоположностью устройству NPN Transistor , которое мы рассматривали в предыдущем уроке.
В основном, в этом типе конструкции транзистора два диода перевернуты по отношению к типу NPN, что дает P положительный — N отрицательный — P положительный тип конфигурации со стрелкой, которая также определяет излучатель клемма на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Кроме того, все полярности для PNP-транзистора меняются местами. что означает, что он «впитывает» ток в свою базу, в отличие от NPN. транзистор, который «выдает» ток через свою базу. Основное отличие между двумя типами транзисторов заключается в том, что дырок больше. важными носителями для PNP-транзисторов, тогда как электроны являются важные носители для транзисторов NPN.

Затем транзисторы PNP используют небольшой ток базы и отрицательную базу. напряжения для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор.В других словами для транзистора PNP, эмиттер более положителен по отношению к Базе, а также в отношении Коллектора.

Конструкция «PNP-транзистора» состоит из двух P-типов. полупроводниковые материалы по обе стороны от материала N-типа, как показано ниже.

Конфигурация транзистора PNP


(Примечание. Стрелка указывает на эмиттер и обычный ток «in» для PNP-транзистора.)


Конструкция и напряжения на клеммах NPN-транзистора показаны выше.Транзистор PNP имеет очень похожие характеристики на своих биполярных кузенов NPN, за исключением что полярность (или смещение) направлений тока и напряжения меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, рассматриваемых в первом уроке Common Base, Common Emitter и Common Collector.

Напряжение между Базой и Эмиттером ( В BE ), теперь отрицательный в базе и положительный в эмиттере, потому что для Транзистор PNP, клемма базы всегда смещена отрицательно с уважение к Излучателю.

Подключение транзистора PNP
Также напряжение питания эмиттера положительно по отношению к коллектору (V CE CE). Таким образом, для PNP-транзистора проводимость эмиттера всегда более положительна как по отношению к базе, так и по отношению к коллектору.

Источники напряжения подключены к транзистору PNP, как показано. На этот раз эмиттер подключен к напряжению питания V CC с нагрузочным резистором RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора.Базовое напряжение V B , которое имеет отрицательное смещение по отношению к эмиттеру и подключено к базовому резистору R B , который снова используется для ограничения максимального тока базы.

Чтобы заставить ток базы течь в транзисторе PNP, база должна быть более отрицательным, чем эмиттер (ток должен выходить из базы) на примерно 0,7 вольта для кремниевого устройства или 0,3 вольта для германиевого устройство с формулами, используемыми для расчета базового резистора, Base ток или ток коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентный транзистор NPN и дается как.
 


Мы видим, что фундаментальные различия между транзистором NPN а транзистор PNP — это правильное смещение переходов транзисторов. поскольку направление тока и полярность напряжения всегда противоположны друг с другом. Итак, для приведенной выше схемы: Ic = Ie – Ib, поскольку ток должен покинуть базу.

Как правило, транзистор PNP может заменить транзисторы NPN в большинстве электронных схем, разница только в полярности напряжения и направления тока.Транзисторы PNP могут также использоваться в качестве переключающих устройств и примера транзистора PNP переключатель показан ниже.

Схема транзистора PNP


Кривые выходных характеристик для PNP-транзистора очень похожи на кривые для эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180 o учитывать напряжения и токи обратной полярности (т. для PNP-транзистора электронный ток вытекает из базы и коллектор к аккумулятору).Такую же линию динамической нагрузки можно провести на кривые IV, чтобы найти рабочие точки транзисторов PNP.

Транзистор, соответствующий

Дополнительные транзисторы
Вы можете подумать, какой смысл иметь транзистор PNP, когда есть много доступных транзисторов NPN, которые можно использовать в качестве усилитель или твердотельный переключатель?. Ну, имея два разных типа транзисторы «PNP» и «NPN», могут быть большим преимуществом при проектировании схемы усилителя мощности, такие как усилитель класса B.
В усилителях класса B используется «дополнительная» или «согласованная пара» (т. один PNP и один NPN соединены вместе) транзисторы в его выходном каскаде или в реверсивных схемах управления двигателем H-Bridge, где мы хотим равномерно контролировать поток тока через двигатель в обоих направлениях в разное время для прямого и обратного движения.

Пара соответствующих транзисторов NPN и PNP с почти идентичными характеристиками называется . Комплементарные транзисторы , например, TIP3055 (транзистор NPN) и TIP2955. (транзистор PNP) являются хорошими примерами комплементарной или согласованной пары силовые кремниевые транзисторы.Они оба имеют коэффициент усиления по постоянному току, бета, (Ic/Ib ) с точностью до 10% и высоким током коллектора около 15 А, что делает они идеально подходят для общего управления двигателем или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют комплементарные NPN и PNP по своей мощности. конструкция выходного каскада. Транзистор NPN проводит только для положительного половина сигнала, в то время как транзистор PNP проводит для отрицательной половины сигнала.

Это позволяет усилителю передавать необходимую мощность через нагрузить громкоговоритель в обоих направлениях при указанном номинальном импедансе и мощность, приводящая к выходному току, который, вероятно, будет порядка нескольких ампер, равномерно распределенных между двумя комплементарными транзисторами.

Идентификация транзистора PNP

В первом уроке этого раздела о транзисторах мы видели, что транзисторы в основном состоят из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или типу NPN, проверяя его сопротивление между тремя разными выводами: эмиттером, базой и коллектором. Проверив каждую пару выводов транзистора в обоих направлениях с мультиметр приведет к шести тестам в общей сложности с ожидаемым значения сопротивления в Омах приведены ниже.

  • 1. Клеммы между эмиттером и базой. Эмиттер и база должны работать как обычный диод и иметь одностороннюю проводимость.
  • 2. Клеммы коллектор-база – переход коллектор-база должен работать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.
  • 3. Клеммы эмиттер-коллектор — Эмиттер-коллектор не должен проводить ток ни в одном направлении.

Значения терминального сопротивления для транзисторов PNP и NPN

Затем мы можем определить PNP-транзистор как нормально выключенный, но небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе ( B ) по отношению к его эмиттеру ( E ) включат его, что позволит значительно увеличить эмиттер-коллектор. ток течь.Транзисторы PNP проводят, когда Ve намного больше, чем Vc.


Другими словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить ток ТОЛЬКО в том случае, если клеммы базы и коллектора отрицательны по отношению к эмиттеру.

В следующем уроке о биполярных транзисторах вместо использования транзистор в качестве усилительного устройства, рассмотрим работу транзистор в области его насыщения и отсечки при использовании в качестве твердотельный переключатель. Биполярные транзисторные ключи используются во многих приложения для включения или выключения постоянного тока от светодиодов, которые требуют всего несколько миллиампер тока переключения при низком постоянном напряжении или двигатели и реле, которые могут требовать более высоких токов при более высоких напряжениях.

Для чего используется транзистор PNP? – idswater.com

Для чего используется транзистор PNP?

Транзисторы

PNP используются для источника тока, т.е. ток течет из коллектора. Транзисторы PNP используются в качестве переключателей. Они используются в усилительных цепях. Транзисторы PNP используются, когда нам нужно что-то отключить нажатием кнопки.

Как работают транзисторы PNP?

Определение: PNP-транзистор — это тип транзистора, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа.Ток в транзисторе PNP течет от эмиттера к коллектору. Напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой транзистора, обозначается буквой PNP-транзистора.

Что такое транзисторы PNP и NPN?

Транзистор NPN имеет кусок кремния P-типа (база), зажатый между двумя частями N-типа (коллектор и эмиттер). В транзисторе PNP тип слоев меняется на противоположный. Транзисторы NPN и PNP имеют очень похожие схематические символы. Отличие только в направлении стрелки на излучателе.

Как подключить транзистор PNP?

Прежде всего, для включения PNP-транзистора нужно, чтобы напряжение на базе было ниже, чем на эмиттере. Для такой простой схемы обычно эмиттер подключается к плюсу источника питания. Таким образом, вы знаете, какое напряжение у вас есть на эмиттере.

Что такое проводка PNP?

PNP означает положительный, отрицательный, положительный. Также известен как источник. В модуле ввода-вывода вход PNP, когда он не активен, переводится в состояние высокого уровня. e.грамм. +5В. NPN или PNP обычно относятся к цифровым сигналам.

Как включить PNP?

Что такое полная форма транзистора PNP?

Полная форма PNP-транзистора — положительно-отрицательно-положительный транзистор. Транзисторы PNP используются в качестве источника тока, т.е. ток течет из коллектора. В транзисторе NPN электроны являются важными носителями тока. В транзисторе PNP дырки являются основными/важными носителями тока.

Что такое виза PNP?

Если вы хотите иммигрировать в Канаду по программе Provincial Nominee Program (PNP), вас должна выдвинуть канадская провинция или территория.Чтобы соответствовать требованиям, вы должны обладать навыками, образованием и опытом работы, необходимыми для того, чтобы поселиться в Канаде и содержать себя и свою семью.

Почему транзистор NPN предпочтительнее PNP?

Когда транзисторы используются в электронных схемах для целей переключения, то транзистор NPN более предпочтителен, чем транзистор PNP, поскольку скорость переключения транзистора NPN больше, чем транзистора PNP.

Какова основная функция транзистора PNP?

Транзисторы PNP и NPN представляют собой BJT и являются основным электрическим компонентом, используемым в различных электрических и электронных схемах для создания проектов.В работе транзисторов PNP и NPN в основном используются дырки и электроны. Эти транзисторы можно использовать в качестве усилителей, переключателей и генераторов.

Как определить транзистор PNP или NPN?

Требуемые детали

  • Схемы. Просто следуйте этим схемам, и все будет хорошо!
  • Дополнительный шаг. Я решил спаять все в стрипборде и вот результат. Этот шаг не является обязательным, вы можете использовать только макетную плату.
  • /
  • Как транзистор PNP работает в цепи?

    Транзистор PNP подобен NPN с точки зрения функции, которую он выполняет в схеме.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.