Транзистор применение: Эта страница ещё не существует

Содержание

Транзисторы Применение — Энциклопедия по машиностроению XXL

Цепь —С1 облегчает переходные процессы при появлении и прекращении тока в первичной обмотке катушки. Конденсатор С2 защищает транзистор от перенапряжений, которые могут возникнуть в цепи питания. Германиевый транзистор, примененный в транзисторном коммутаторе, должен работать при температуре окружающего воздуха не выше 65° С, поэтому коммутатор следует размещать не под капотом двигателя, а в кабине водителя и по возможности ближе к дверным проемам.  [c.120]
Автором разработана опытная схема автоматического регулятора с усилителями на транзисторах, применение которых позволило создать малогабаритную конструкцию регулятора с достаточно высокой чувствительностью. Описываемый регулятор служит для поддержания силы тока в изделии на заранее заданном уровне. Он имеет диапазон регулирования от 400 до 1000 а и чувствительность срабатывания 50 а. Возможно выполнение регулятора с другим диапазоном регулирования силы сварочного тока при замене трансформатора тока или переключении его пределов.  
[c.136]

СНИЖЕНИЕ ПОТЕРЬ ПРИ КОММУТАЦИИ ТРАНЗИСТОРОВ Применение форсирующих цепочек  [c.221]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,-  [c.276]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения.  [c.247]

В практической схеме (фиг. 15, б) можно использовать транзисторы П13, П14, П15, П16 и им подобные в случае применения транзисторов п—р—и следует сменить полярность источников питания и электролитических конденсаторов на обратную.  

[c.251]

Реже возникают отказы из-за плохого присоединения контактов и неоднородности материалов. В лабораториях иногда обнаруживаются токовые перегрузки транзисторов, вызванные ошибками операторов. В таких случаях внутренние выводы оказываются отпаянными от внешних контактов и на их концах образуются шарики припоя. У мощных транзисторов наблюдаются отказы, обусловленные тепловыми перегрузками. Они могут быть предотвращены применением в конструкции хороших теплоотводов.  [c.290]

Миниатюризация производится путем применения транзисторов, микромодулей, интегральных твердых схем и пленочно-гибридных схем.  [c.137]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении.  

[c.108]


Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв-  
[c.109]

Применение в качестве нелинейных сопротивлений многоэлектродных электронных ламп, транзисторов и универсальных нелинейных элементов позволяет распространить метод нелинейных сопротивлений на нелинейные задачи нестационарной теплопроводности. При этом задача может быть решена на существующих аналоговых машинах (7 С-сетках) с использованием нелинейных сопротивлений и блоков, имеющихся в этих машинах.  

[c.127]

Наиболее широко используются диоды и транзисторы, имеются данные и о применении в качестве термодатчиков тиристоров и других полупроводниковых приборов.  [c.251]

В последнее время разработаны системы зажигания с применением полупроводниковых элементов — транзисторов. Эта система сложнее рассмотренной, но имеет ряд  [c.154]

В САУ нашли широкое применение также полупроводниковые усилители на базе триод-транзисторов, которые позволяют усиливать мощность и силу тока подаваемых сигналов, а также тиристорные преобразователи-усилители. Применение последних обеспечивает плавность пусковых режимов, повышение КПД, снижение массы и габаритов аппаратуры.  [c.105]

Методики НК в зависимости от требуемого уровня надежности ЗРИ позволяют обеспечить проведение диагностического контроля подавляющего большинства изделий различных классов (микросхем, транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, реле и т.д.). Эти методики разрабатывались, в первую очередь, для исследования тех ЭРИ, которые по опыту их применения в отрасли обладали пониженной надежностью и недостаточным ресурсом. Разработанные и внедренные индивидуальные методики устанавливают  

[c.461]

Коэффициентом усиления транзистора (Вот) называется отношение силы тока коллектора к силе тока базы. Для транзистора, примененного в РР382,  [c.51]

Пользователь САПР может не знать этих эквивалентных схем, ему достаточно сведений об области применения моделей, их описания на входном языке программного комплекса анализа и значений параме7 ров. Описание транзистора может выглядеть так  [c.91]

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсисторы не получили из-за несовершенства конструкций [9].  

[c.153]

Естественно, что тот или иной конкретный прибор может не содержать некоторых из перечисленных узлов. Так, вместо МДМ-усилителя может быть применен иной усилитель постоянного тока, в этом случае будут отсутствовать модулятор и демодулятор. Приборы выполняются на лампах или транзисторах, а иногда сочетают те и друтие элементы.  [c.46]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений.  

[c.288]

Германий как полупроводник играет важную роль в полупроводниковой электронике. В этой области инфоко используют германий для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов или транзисторов]. Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а poir их службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Это делает особенно перспективным их применение в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках и т. п.  [c.531]


В 50—60-х годах продолжались интенсивные разработки магнитных аналоговых элементов и усилителей. Разработанные принципы построения рядов сердечников обеспечили возможность создания оптимальных по чувствительности, коэффициенту усиления, весу, стоимости и к. п. д. магнитных элементов, работающих в широком диапазоне мощностей на основе ограниченного числа типоразмеров сердечников. Была создана общесоюзная нормаль на такие сердечники. Были разработаны новые принципы построения магнитных усилителей, модуляторов, зондов и бесконтактных реле, отличающихся повышенной чувствительностью и стабильностью на основе применения двойной (перекрестной) обратной связи, выпрямления четных гармоник нелинейными симметричными сопротивлениями, наложения взаимно перпендикулярных магнитных полей, применения двухфазных источников питания, выполнения условий минимальных искажений выходного напряжения и шумов и др. Созданные бесконтактные реле получили широкое применение в качестве измерительных элементов в системах автоматического контроля электротехнических изделий. Кроме того, были разработаны новые типы усилителей с повышенными к. п. д. и быстродействием на основе сочетания магнитных усилителей с транзисторами, устранения задержки в рабочей цепи усилителей с выходом на переменном токе и применения бестрансформаторных реверсивных схем постоянного тока.  
[c.265]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Изучение их свойств, получение опыта их использования и достижения теории полупроводников создали условия для появления транзисторов и развития транзисторной электроники (1948 г.). Основными задачами ее были (да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50-х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы (рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. Вскоре появились смесительные диоды, используемые в сунергетеро-  [c.382]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет-  

[c.233]

Применение. С., обладающие фоторефрактивным эффектом, используются для записи и обработки оптич. сигналов. Сегнетокерамика с эффектом ПТКС применяется для создания приборов в системах теплового контроля и в измерит, технике. Полупроводниковая сегнетокерамика с гонкими межзёренными прослойками испольэуетсп в конденсаторах большой ёмкости. Высокоомные С. применяются в гибридных структурах, где возможно управление проводимостью полевого транзистора в канале исток— сток путём переключения спонтанной поляризации в сегнетоэлектрич. затворе. Возможно использование переключения сегнетоэлектрич, доменов в плёнках для создания энергонезависимых устройств памяти с высокой ёмкостью и высоким быстродействием (технология таких устройств совместима с кремниевой технологией).  [c.475]

Наим, шумами обладают квантовые усилители, у к-рых в условиях глубокого охлаждения жидким гелием уровень тепловых шумов становится соизмеримым с шумами спонтанного излучения активного вещества в диапазоне частот 0,520 ГГц Т 5- 6 К при охлаждении до 4,2 К. Обычно применяемые трёхуровневые мазеры строятся как регенеративные У. э, к., реже как усилители бегущей волны. Наличие громоздких и дорогостоящих криогенной охлаждающей и магн. систем ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными приёмными устройствами радиоастрономии и сверхдальней космич. связи. С мазерами сравнимы по шумовым свойствам полупроводниковые параметрич. усилители (ППУ) при глубоком охлаждении (до 20 К и ниже), однако необходимость системы охлаждения заставляет использовать их в осн. в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствит. радиоприёмные устройства, а габариты, масса и потребляемая мощность менее существенны. ППУ, в к-рых в качестве изменяемого энергоёмкого параметра служит нелинейная ёмкость полупроводникового диода — варикапа, работают в диапазоне частот 0,3- -35 ГГц, имеют относит, полосы пропускания от долей до неск. %, АГ,о= 17-нЗО дБ на каскад, широкий динамич. диапазон. В качестве источников накачки применяются генераторы на транзисторах СВЧ без умножения и с умножением частоты, на Ihmia диодах и на лавинно-пролётных диодах. Неохлаждаемые ППУ превосходят по шумовым параметрам неохлаждаемые У. э. к. на транзисторах СВЧ, но значительно уступают последним по сложности, технологическим и массогабаритным показателям, в связи с чем вытесняются ими, прежде всего из бортовой аппаратуры.  [c.242]

Применение коммутатора облегчает работу контактов прерывателя, так как прерывание тока в первичной цепи осуществляется транзистором, а через контакты гфоходит уже не весь ток первичной цепи, а лишь малый по значению  [c.22]

Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так называемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого Tiina. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе-ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже первые из таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 гм ). Так же как и в случае Д1юдов, усовершенствование технологии их изготовления привело к уменьшению размеров и. значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры.  [c.213]


Первые германиевые транзисторы применялись в качестве усилителей и осцилляторов. Новые открытия привели к столь йначите-пьному расширению областей их применения, что в одном только 19Г)9 г. было выпущено 125 млн. штук полупроводниковых приборов [ 161. В течение последних 4—5 лет были разработаны способы изготовления полупроводниковых приборов в массовом масштабе, благодаря чему эти приборы иашли широкпе применение в различных областях техники. Применение полупроводниковых приборов позволило усовершенствовать радиоаппаратуру, усилители для глухих, оборудование для проволочной связи и уменьшить  [c.213]

MX габариты. Замена электронных ламп транзисторами привела к увеличению дальности действия телефонной связи. Устойчивость работы всех видов связи в значительной мере зависит от применения для этой цепи полупроводниковых приборов. Благодаря их применению были значительно уменьшены размеры и усовершонствонаны различные виды военной аппаратуры. Эти улучшения, столь важные для военных объектов, способствовали также их применению в бытовых и промышленных устройствах. Применение специальных германиевых приборов привело к большим успехам в технике управления ракетами и спутниками земли.  [c.214]

Припои. Иидий и многие его сплавы хорошо прилипают к многим металлам II неметаллам [33]. Благодаря этому широкое применение находят специальные припои, содержащие индий. Разработаны некоторые низкотемпературные припои, содержащие иидий, в том числе сплавы индий — медь — серебро и индий — медь — золото. Большое количество нидийсодержащих припоев в таблетках применяется в производстве транзисторов.  [c.240]

Эмиттеры, транзисторы, выключатели. Среди многочисленных потенциальных областей применения углеродных нанотрубок использование последних в электронной технике считается одним из самых перспективных. В связи с размерными особенностями (большое отношение длины к диаметру и малые размеры), возможностью изменения проводимости в широких пределах и химической устойчивостью углеродные нанотрубки рассматриваются как принципиально новый материал для электронных приборов нового поколения, в том числе и ультраминиатюрных [3, 13, 17].  [c.166]


Применение полевого транзистора

Полевые транзисторы используют как аналоговые выключатели. Применение их как выключателей в аналоговых схемах является прямым следствием их способа работы. Это обусловлено тем обстоятельством, что когда напряжение на затворе-источнике, VGS равно нулю, n-канал транзистора будет работать в области насыщения и будет действовать почти как небольшая схема.

Таким образом, напряжение на выходе будет равно нулю (Рисунок 1). С другой стороны, если отрицательное напряжение находится между выводами затвора и источника i.e., если VGS отрицательно, то транзистор работает в области выключения или в области отсечки.

Это означает, что в данном случае полевой транзистор действует как открытая схема и ток стока, ID будет равен нулю. Вследствие этого, напряжение через загрузочное сопротивление RD будет равно нулю, что порождает то обстоятельство, что VDD похоже на V0.

Рисунок 1 Полевой транзистор как аналоговый выключатель

Это свойство вести себя как выключатель может быть использовано для проектирования аналогового мультиплексора, как показано на рисунке 2.

Рисунок 2 n-к-1 Мультиплексор, использующий полевые транзисторы.

Тут каждый из сигналов на входе (сигнал 1, сигнал 2, … сигнал n) проходит через выделенный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (T1, T2, … Tn) перед контактом с выводом выхода, V0. Тут лишь один сигнал среди множества сигналов на входе возникает на выводе выхода, в зависимости от напряжения VGS на выводах затвора.

К примеру, если VGS2 отрицательное, в то время как все остальные VGS равны нулю, то сигнал на выходе будет Сигналом 2. Более того, способность к выключению у биполярных транзисторов с изолированным затвором используется в двигателе внутреннего сгорания, а именно в обмотках, ответственных за возгорание, которые требуют быстрого выключения и возможностей блокировки напряжения.

Усилители

Переход в полевых транзисторах используется на стадии усиления. Он изолирует предыдущую стадию от следующей стадии и, таким образом, действует как буферные усилители (Рисунок 3). Это обусловлено тем, что такие транзисторы имеют очень высокое полное сопротивление на входе, в силу чего предыдущая стадия будет слегка загружена, вызывая полный выход Стадии 1, возникая на входе буфера.

Можно сделать так, что весь выход буфера будет возникать на входе в Стадии 2, используя данные транзисторы в конфигурации общего стока, благодаря низкому полному сопротивлению на выходе. Это даже значит, что буферные усилители способны к управлению большими нагрузками или сопротивлениями с небольшой нагрузкой.

Рисунок 3 Полевой транзистор как буферный усилитель

Полевые транзисторы являются устройствами, которые издают мало шума, по крайней мере, если сравнивать их с биполярными плоскостными транзисторами. Это делает их полезными компонентами для использования в качестве усилителя на приёмниках с внешним интерфейсом, ведь они нуждаются в минимальном уровне шума на выходе в итоге.

Стоит также отметить, что полевые транзисторы являются устройствами с контролируемым напряжением, что делает их идеальными для использования в качестве усилителей для радио частот. Причина этого в том, что за исключением усилителя для радио частот откликаются достаточно хорошо, даже когда антенны в конце приёмника принимают недельные сигналы (сигналы с очень низким током).

Полевой транзистор как усилитель в конфигурации общего источника может быть использован для управления другим полевым транзистором (усилителем) в конфигурации общего затвора, формируя каскадный усилитель, как показано на рисунке 4.

Хотя коэффициент усиления каскадного усилителя такой же, как и у усилителя в конфигурации с общим источником, его ёмкостное сопротивление на входе весьма низкое, если сравнивать с ним же у усилителя в конфигурации с общим источником. Более того, каскадный усилитель даёт очень высокое сопротивление на входе.

Генератор с фазовращателем

Полевой транзистор даёт высокое полное сопротивление на своих выводах входа, которое уменьшает эффект нагрузки. Также они могут использоваться как для усиления, так и для функций обратной связи. Эта особенность полевых транзисторов делает их подходящими для использования в схемах генераторов с фазовращателем, как показано на рисунке 5.

Рисунок 5 Полевой транзистор как генератор с фазовращателем

Модулятор

Полевой транзистор, действующий как выключатель, может быть использован как модулятор (Рисунок 6), где напряжение постоянного тока, VDS преобразуется в напряжение переменного тока с таким же уровнем амплитуды, VAC. Это вытекает из того, что квадратная форма волны напряжения используется как VGS, в результате чего транзистор действует в области выключения и в области насыщения, попеременно. Такие схемы модулятора помогают преодолеть проблему смещения, которая существует в случае усилителей с непосредственной связью.

Рисунок 6 Полевой транзистор как модулятор

Ограничитель тока

N-канальный полевой транзистор, чей терминал затвора укорочен вместе с выводом источника, действует как ограничитель тока. Это означает, что в этом размещении, полевой транзистор даёт току проходить через них, чтобы достигнуть только определённого уровня, после чего, он становится удерживаемой постоянной, безотносительной к колебаниям уровня напряжения. Эти ограничители тока из интегральной части не изменяющегося постоянного тока или стабилизирующих диодов.

Рисунок 6 Полевой транзистор как ограничитель тока

Полевые транзисторы широко используются в интегрированных схемах из-за их компактного размера. Они используются в схемах микшеров для телевизоров и радиоприемников из-за низких модуляционных искажений. Более того, полевые транзисторы также применяют в резисторах с переменным напряжением в операционных усилителях, схемах контроля звука, ведь они обеспечивают большую изоляцию между их выводами затвора и стока. Полевые транзисторы применяются в таких областях как цифровая электроника и оптоволоконные системы.

Пора подвести итоги: полевой транзистор может использоваться как аналоговый выключатель, как усилитель, как генератор с фазовращателем, как модулятор и как ограничитель тока. Каждый вариант имеет свои особенности, делающие его действительно значимым.

Вряд ли можно переоценить роль полевого транзистора в повседневной жизни. Все перечисленные пять способов его применения имеют очень существенное значение в наши дни. Сложно выделить какое-то наиболее значимое использование среди названных, ведь каждое может оказаться где-то просто незаменимым.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

 

Похожее

Навигация по записям

MOSFET-транзистор. Применение MOSFET-транзисторов в электронике

Транзисторы MOSFET часто используются в производстве микросхем. Указанные элементы предназначены для управления напряжением цепи. Работают устройства по принципу изменения полярности. На сегодняшний день выпущено множество модификаций, которые отличаются по параметру выходного сопротивления, чувствительности и проводимости. По конструкции они являются схожими.

Модели с малой проводимостью состоят из двух ячеек. Проводники установлены в нижней части корпуса. Внутри элемента располагаются каналы с диодами. Область применения транзисторов очень обширная. Наиболее часто они встречаются в блоках питания.

Транзисторы серии IRG4BC10K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они подходят для коммутаторов. Устанавливаются они на микросхемах с высокой проводимостью тока. Режимы работы транзистора можно регулировать за счет изменения частоты в цепи. В данном случае показатель предельной чувствительности равняется 5 мВ. Выходное напряжение подводники способны выдерживать в 12 В. Если рассматривать модификации с коннекторами, то там транзисторы подсоединяются через модулятор. Конденсаторы для улучшения проводимости используются только импульсного типа.

Для решения проблем с отрицательной полярностью необходимы варикапы. Также важно отметить, что указанные транзисторы подходят для видеосендеров. В данном случае элементы способны работать только с полевыми конденсаторами. В этом случае проводимость тока не будет превышать 10 мк. В блоках питания применение транзисторов ограничено моделями до 15 В.

Параметры транзистора серии IRG4BC8K

Представленной серии MOSFET N-канальный транзистор пользуется большим спросом. В первую очередь важно отметить, что он относится к классу высокочастотных элементов. Параметр чувствительности у моделей равняется 6 мВ. Проводимость тока в среднем составляет 12 мк. Для коммутаторов модели подходят плохо. Также они быстро перегреваются в боках питания.

Работать устройства могут только с поглощающими фильтрами. Наиболее часто модификации встречаются в контроллерах и регуляторах. Микросхемы для них подбираются серии РР20. Если рассматривать стандартный контроллер с указанным транзистором, то конденсаторы используются проходного типа. Фильтры в данном случае берутся с обкладкой. Если рассматривать схему регулятора, то транзистор устанавливается за открытыми конденсаторами. Показатель проводимости должен составлять не более 15 мк. Максимальная допустимая перегрузка тока — 3 А.

Применение моделей IRG4BC17K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они применяются для коммутаторов и ресиверов. В данном случае проводимость тока колеблется в районе 5,5 мк. Чувствительность модификации зависит от типа выбранных конденсаторов. Если рассматривать схему стандартного ресивера, то они используются полевого типа. В этом случае чувствительность элемента колеблется в районе 16 мВ. Также важно отметить, что фильтры разрешается использовать только поглощающего типа.

Допустимый уровень перегрузки в такой ситуации не будет превышать 3,5 А. Выходное напряжение указанные транзисторы в ресиверах выдерживают в 14 В. Если рассматривать схему с коммутатором, то конденсаторы применяются импульсного типа. Всего для устройства потребуется два фильтра. Непосредственно транзистор устанавливается за обмоткой. Показатель проводимости тока обязан составлять не более 8 мк.

Если рассматривать модификацию с оперативными конденсаторами, то вышеуказанный параметр не превысит 10 мк. Как проверить MOSFET-транзистор? Сделать это можно при помощи обычного тестера. Указанный прибор сразу покажет нарушение целостности проводников.

Особенности модели IRG4BC15K

Мощные транзисторы представленной серии подходят для микросхем РР20. Используются они в различных регуляторах для управления двигателями. Режимы работы транзистора легко регулировать благодаря изменению частоты в цепи. Если рассматривать схему обычной модели, то выходное напряжение на проводниках равняется 15 В. В среднем показатель проводимости тока составляет 4,5 мк.

Чувствительность элемента зависит от конденсаторов, а также адаптера. Еще важно учитывать показатель выходного сопротивления в цепи. Если рассматривать модификацию с сеточным адаптером, то чувствительность элемента равняется не более 20 мВ. Использовать триоды в цепи запрещается. Для того чтобы увеличить проводимость транзистора, используются выпрямители.

Если рассматривать регулятор на широкополосном адаптере, то показатель чувствительности составляет не более 15 мВ. Также важно отметить, что выходное напряжение колеблется в районе 10 В. В данном случае пороговое сопротивление составляет около 20 Ом. В силовых блоках применение транзисторов ограничено устройствами до 15 В.

Область применения транзистора IRG4BC3K

Транзисторы представленной серии подходят для коммутаторов различной мощности. Также устройства активно используются в ресиверах. Пропускная способность модификаций колеблется в районе 7 мк. В данном случае чувствительность зависит от конденсаторов. Если рассматривать стандартный коммутатор, то они в нем используются однопереходного типа. В данном случае показатель чувствительности не превысит 3 мВ. Если рассматривать устройства с двухпереходными конденсаторами, то в этом случае вышеуказанный параметр может достигать 6 мВ.

Также важно отметить, что работать транзистор способен лишь с переходными адаптерами. В некоторых случаях для повышения стабильности напряжения устанавливаются изоляторы. Фильтры чаще всего используются проводникового типа. Если рассматривать схему ресивера с указанными транзисторами, то выходное напряжение не должно превышать 12 В. В данном случае конденсаторы целесообразнее подбирать операционного типа. В среднем чувствительность будет составлять 12 мВ.

Установка транзистора в электропривод

MOSFET-транзистор в электроприводы небольшой мощности разрешается устанавливать через переходники. В данном случае конденсаторы используются с фильтрами. Преобразователь для нормальной работы системы подбирается без выпрямителя. В некоторых случаях устанавливается динистор.

Если рассматривать привод на 10 кВт, то транзистор должен находиться с кенотроном. Показатель выходного напряжения максимум будет достигать 15 В. Однако следует также учитывать сопротивление в цепи. В среднем указанный параметр не превышает 50 Ом.

Транзистор в блоке питания на 5 В

В блоках питания на 5 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать без фильтров. Непосредственно адаптеры подбираются контрольного типа. У некоторых модификаций используется демпфер. В таком случае параметр проводимости не превысит 5,5 мк. Чувствительность, в свою очередь, зависит от типа конденсаторов. У блоков на 5 В они часто используются интегрального типа. Также существуют модификации с импульсными элементами. Чем заменить транзистор в блоке питания на 5 В? При необходимости это всегда можно сделать, установив расширитель.

Транзисторы у блоков на 10 В

В блоки питания на 10 В MOSFET-транзистор устанавливается с поглощающими фильтрами. Конденсаторы чаще всего используются импульсного типа. Параметр выходного сопротивления в цепи не должен превышать 50 Ом. Также важно отметить, что открытые адаптеры использовать запрещается. В данном случае их можно заменить компаратором. Показатель отрицательного сопротивления при этом не превысит 40 Ом.

Устройства в блоке на 15 В

В блок питания на 15 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать с высокой пропускной способностью. Если рассматривать модификации без усилителей, то они подбираются с переходником. Конденсаторы для цепи многие эксперты рекомендуют брать дуплексного типа. В этом случае чувствительность элемента составит 35 мВ. В свою очередь, показатель перегрузки будет не более 2,5 А.

Для того чтобы увеличить проводимость тока, используются импульсные конденсаторы. Однако важно отметить, что они потребляют много электроэнергии. Также конденсаторы импульсного типа оказывают дополнительную нагрузку на преобразователь. Чтобы решить представленную проблему, рядом с транзистором устанавливается триод. Целесообразнее использовать триод сеточного типа. Также на рынке представлены модификации с инвертором.

Транзисторы в регуляторах освещения

В регуляторах освещения часто используются транзисторы с низкой чувствительностью. Все это необходимо для того, чтобы решить проблемы с резкими перепадами температуры. В данном случае показатель отрицательного сопротивления не должен превышать 50 Ом. Конденсаторы для систем подбираются двоичного типа. Многие эксперты не советуют использовать дуплексные адаптеры.

Что такое транзистор? (принцип действия, назначение и применение, как выглядит)

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

  1. Усилительные схемы.
  2. Генераторы сигналов.
  3. Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.

Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Что такое транзистор?

В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им. У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности.

Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств – от нескольких нанометров (бескорпусные элементы, используемые в микросхемах), до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования. Обратные напряжения промышленных триодов могут достигать до 1000 В.

Устройство

Конструктивно триод состоит из полупроводниковых слоев, заключённых в корпусе. Полупроводниками служат материалы на основе кремния, германия, арсенида галлия и других химических элементов. Сегодня проводятся исследования, готовящие на роль полупроводниковых материалов некоторые виды полимеров, и даже углеродных нанотрубок. Видимо в скором будущем мы узнаем о новых свойствах графеновых полевых транзисторов.

Раньше кристаллы полупроводника располагались в металлических корпусах в виде шляпок с тремя ножками. Такая конструкция была характерна для точечных транзисторов.

Сегодня конструкции большинства плоских, в т. ч. кремниевых полупроводниковых приборов выполнены на основе легированного в определённых частях монокристалла. Они впрессованы в пластмассовые, металлостеклянные или металлокерамические корпуса. У некоторых из них имеются выступающие металлические пластины для отвода тепла, которые крепятся на радиаторы.

Электроды современных транзисторов расположены в один ряд. Такое расположение ножек удобно для автоматической сборки плат. Выводы не маркируются на корпусах. Тип электрода определяется по справочникам или путём измерений.

Схематически строение транзистора можно представить в виде двух полупроводниковых диодов, разделённых дополнительным слоем. (Смотри рисунок 1). Именно наличие этого слоя позволяет управлять проводимостью полупроводникового триода.


Рис. 1. Строение транзисторов

На рисунке 1 схематически изображено строение биполярных триодов. Существуют ещё класс полевых транзисторов, о которых речь пойдёт ниже.

Базовый принцип работы

В состоянии покоя между коллектором и эмиттером биполярного триода ток не протекает. Электрическому току препятствует сопротивление эмиттерного перехода, которое возникает в результате взаимодействия слоёв. Для включения транзистора требуется подать незначительное напряжение на его базу.

На рисунке 2 показана схема, объясняющая принцип работы триода.


Рис. 2. Принцип работы

Управляя токами базы можно включать и выключать устройство. Если на базу подать аналоговый сигнал, то он изменит амплитуду выходных токов. При этом выходной сигнал точно повторит частоту колебаний на базовом электроде. Другими словами, произойдёт усиление поступившего на вход электрического сигнала.

Таким образом, полупроводниковые триоды могут работать в режиме электронных ключей или в режиме усиления входных сигналов.

Работу устройства в режиме электронного ключа можно понять из рисунка 3.


Рис. 3. Триод в режиме ключа

Обозначение на схемах

Общепринятое обозначение: «VT» или «Q», после которых указывается позиционный индекс. Например, VT 3. На более ранних схемах можно встретить вышедшие из употребления обозначения: «Т», «ПП» или «ПТ». Транзистор изображается в виде символических линий обозначающих соответствующие электроды, обведённые кружком или без такового. Направление тока в эмиттере указывает стрелка.

На рисунке 4 показана схема УНЧ, на которой транзисторы обозначены новым способом, а на рисунке 5 – схематические изображения разных типов полевых транзисторов.


Рис. 4. Пример схемы УНЧ на триодах

Полевой транзистор

Назначение то же, что и биполярного, но разное строение. Транзисторы координируют более высокие мощности при аналогичных размерах.

В структуре есть элементы:

  • сток для приемки большого напряжения;
  • затвор для управляемого напряжения;
  • исток для раздачи напряжения при открытом положении.

Как работает

В устройстве полевого типа ток проходит к стоку сквозь канал в легированном проводнике под затвором. Он расположен между нелегированной прослойкой (в ней отсутствуют зарядные носители) и затвором. Здесь присутствует участок обеднения, где ток не проводится.

Размер канала по ширине ограничен областью между участком обеднения и прослойкой. Силой тока управляют с помощью изменения вольтажа, приложенного к затвору. В этом случае меняется канальное сечение, и ток на выходе меняет величину.

Схемы включения

Полевые транзисторы подключают одним из трех способов:

  • с общим стоком;
  • с совместным истоком;
  • с общей базой.

Схема с общим стоком аналогична подключению биполярного модуля с совместным коллектором. Используют тип подсоединения в согласующихся каскадах, где нужно входное напряжение большое, а на выходе — низкое. Включение поддерживает широкий диапазон частот.

Схема с общим истоком дает большое увеличение мощности и электротока, при этом фаза напряжения контура стока переворачивается. Сопротивление на входе может быть несколько сотен мегаОм, чтобы его снизить, добавляют между истоком и затвором резистор.

В схеме с общим затвором нет усиления электротока, повышение мощности небольшое. Напряжение находится в аналогичной фазе с управляющим. При изменении входного импульса напряжение на истоке повышается или понижается.

Как проверить полевой транзистор?

В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико.

И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.

Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения (напряжения обратной полярности).

Таким образом, если поставить «+» тестера (красный щуп, соединенный с «красным» входом тестера) на исток, а «-» (черный щуп, соединенный с черным входом тестера) на сток, то канал будет «звониться», как обычный диод в прямом направлении.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной.

Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей статье. Т.е. на участке «сток — исток» будет падать напряжение 500-600 мВ.

Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует.

Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за параллельно подключенных цепей не всегда можно сделать однозначный вывод даже об исправности защитного диода.

В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос – исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится.

При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения (около 4 В), приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится.

Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack (который предназначен для монтажа на печатную плату) в разъем не вставишь, но можно припаять к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем. Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную.

Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами.

В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам.

В заключение скажем, что буквы MOS в аббревиатуре MOSFET расшифровываются как Metal — Oxide — Semiconductor (металл – оксид – полупроводник). Такова структура ПТ – металлический затвор («кран») отделен от канала из полупроводника слоем диэлектрика (оксида кремния).

Надеюсь, с «трубами», «кранами» и прочей «сантехникой» вы сегодня разобрались.

Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Принцип работы биполярного транзистора

Принцип работы биполярного транзистора для чайников опишем на образце P→N→P транзисторного аппарата на рисунке 3. Принцип работы биполярного транзистора N→P→N вида сходен переходу в прямом направлении, только в этом случае заряды – электрические частицы движутся от «К» до «Э». Для выполнения данного условия необходимо всего на всего изменить полярность подключенного напряжения.

Рисунок 3 – Принцип работы P→N→P транзистора

При отсутствии внешних возмущений, внутри биполярника между его слоями будет существовать разность зарядов. На границах раздела будут установлены единые барьерные мосты, так как в это время доля «дырок» в коллекторе соответствует их численности в эмиттере.

Для точной работы биполярного транзистора переход в коллекторном пласте необходимо сместить в противоположном курсе, в то же время в эмиттере направленность перехода должна быть прямым. В этом случае режим функционирования будет активным.

Для выполнения вышеуказанных условий необходимо применить два питания, один из которых с положительным знаком соединяем с концом эмиттера, «минус» подключаем к базовому слою. Второй источник напряжения соединяем в следующем порядке: «плюс» к базовому концу, «минус» – к концу коллектора. Изобразим подключение на рисунке 4.

Рисунок 4 – Принципиальная схема подключения транзистора

Под воздействием напряжения Uэ, Uк через барьеры совершается переход дырок в эмиттере №1-5 и в базовом слое электрически заряженных частиц №7,8. В данном случае величина тока в эмиттере будет зависеть от количества переходов дырок, так как их больше.

Дырки, которые перешли в базовый слой собираются у барьерного перехода. Тем самым у границы с эмиттерным слоем будет собираться массовое количество дырок, в то же время у границы с «К», концентрация их существенно ниже. В связи с этим начнется диффузия дырок к «К» и близи границы произойдет их ускорение поля «Б» и переход в «К».

При перемещении через средний слой базы дырки рекомбинируют, заряженный электрон 6 замещает дырку 5. Такое перемещение будет совершаться с увеличением плюсового заряда при переходе дырок, соответственно движение зарядов в обратном направлении будет создавать ток определенной величины, а база остается электрически нейтральной.

Число дырок, которые перешли в коллектор будет меньше числа, которые покинули эмиттер. Это значит, что электрический ток «К» будет отличаться от значения тока «Э».

Обратный переход дырок из коллектора нежелателен и снижает эффективность транзистора, потому что переход осуществляется не основными, а вспомогательными носителями энергии и зависит данный переход сугубо от величины температуры. Данный ток носит название тока тепла. По значению теплового тока судят о качестве биполярного транзистора.

Рисунок 5 – Направление токов в биполярном транзисторе

На основании выше изложенного напрашивается вывод: любое изменение тока в структуре слоев эмиттер – база сопровождается изменением величины тока коллектора, причем самое малое изменение «базового» тока приведет к значимой коррекции выходного коллекторного тока.

Устройство и принцип действия

Транзистор — электронный полупроводник, состоящий из 3 электродов, одним из которых является управляющий. Транзистор биполярного типа отличается от полярного наличием 2 типов носителей заряда (отрицательного и положительного).

Отрицательные заряды представляют собой электроны, которые высвобождаются из внешней оболочки кристаллической решетки. Положительный тип заряда, или дырки, образуются на месте высвобожденного электрона.

Устройство биполярного транзистора (БТ) достаточно простое, несмотря на его универсальность. Он состоит из 3 слоев проводникового типа: эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К).

Эмиттер (от латинского «выпускать») — тип полупроводникового перехода, основной функцией которого является инжекция зарядов в базу. Коллектор (от латинского «собиратель») служит для получения зарядов эмиттера. База является управляющим электродом.

Слои эмиттерный и коллекторный почти одинаковые, однако отличаются степенью добавления примесей для улучшения характеристик ПП. Добавление примесей называется легированием. Для коллекторного слоя (КС) легирование выражено слабо для повышения коллекторного напряжения (Uк). Эмиттерный полупроводниковый слой легируется сильно для того, чтобы повысить обратное допустимое U пробоя и улучшить инжекцию носителей в базовый слой (увеличивается коэффициент передачи по току — Kт). Слой базы легируется слабо для обеспечения большего сопротивления (R).

Переход между базой и эмиттером меньший по площади, чем К-Б. Благодаря разнице в площадях и происходит улучшение Кт. При работе ПП переход К-Б включается со смещением обратного типа для выделения основной доли количества теплоты Q, которое рассеивается и обеспечивает лучшее охлаждение кристалла.

Быстродействие БТ зависит от толщины базового слоя (БС). Эта зависимость является величиной, изменяющейся по обратно пропорциональному соотношению. При меньшей толщине — большее быстродействие. Эта зависимость связана с временем пролета носителей заряда. Однако при этом снижается Uк.

Между эмиттером и К протекает сильный ток, называемый током К (Iк). Между Э и Б протекает ток маленькой величины — ток Б (Iб), который используется для управления. При изменении Iб произойдет изменение Iк.

У транзистора два p-n перехода: Э-Б и К-Б. При активном режиме Э-Б подключается со смещением прямого типа, а подключение К-Б происходит с обратным смещением. Так как переход Э-Б находится в открытом состоянии, то отрицательные заряды (электроны) перетекают в Б. После этого происходит их частичная рекомбинация с дырками. Однако большая часть электронов достигает К-Б из-за малой легитивности и толщины Б.

В БС электроны являются неосновными носителями заряда, и электромагнитное поле помогает им преодолеть переход К-Б. При увеличении Iб произойдет расширение открытия Э-Б и между Э и К пробежит больше электронов. При этом произойдет существенное усиление сигнала низкой амплитуды, т. к. Iк больше, чем Iб.

Watch this video on YouTube

Для того чтобы проще понять физический смысл работы транзистора биполярного типа, нужно ассоциировать его с наглядным примером. Нужно предположить, что насос для закачки воды является источником питания, водопроводный кран — транзистором, вода — Iк, степень поворота ручки крана — Iб. Для увеличения напора нужно немного повернуть кран — совершить управляющее действие. Исходя из примера можно сделать вывод о простом принципе работы ПП.

Однако при существенном увеличении U на переходе К-Б может произойти ударная ионизация, следствием которой является лавинное размножение заряда. При комбинации с тоннельным эффектом этот процесс дает электрический, а с увеличением времени и тепловой пробой, что выводит ПП из строя. Иногда тепловой пробой наступает без электрического в результате существенного увеличения тока через выход коллектора.

Кроме того, при изменении U на К-Б и Э-Б меняется толщина этих слоев, если Б тонкая, то происходит эффект смыкания (его еще называют проколом Б), при котором происходит соединение переходов К-Б и Э-Б. В результате этого явления ПП перестает выполнять свои функции.

Устройство тиристора

Фиксирование устойчивого состояния прибора возможно благодаря наличию ряду особенностей во внутреннем строении устройства. На представленной ниже схеме можно в этом убедиться:

На этой структуре становится очевидным тот факт, что тиристор представлен в виде 2-х простых электронных транзисторов, которые не похожи по своей структуре, однако связаны между собой. Кроме того, ключевую роль в составе полупроводникового электроприбора играют три следующих звена:

  • Катод;
  • Анод;
  • Электрод управления.

Из-за того, что тиристор имеет четыре последовательно-соединенных диода, его переходный слой имеет такую форму: (р) — (п) — (р) — (п). Этот факт объясняет пропускную способность I, который течет лишь в единственной направленности направлении: от плюса к минусу.

Говоря и описывая внешний вид тиристоров, надо сказать, что они производятся из разных корпусов, поэтому исключен вариант с простым отводом тепла, однако, из-за наличия массивного металлического корпуса, способны выдерживать большие токи.

Зачем нужен транзистор?

У меня часто возникает вопрос: зачем нам транзистор? Почему бы не подключить светодиод и резистор напрямую к батарее?

Преимущество транзистора заключается в том, что вы можете использовать небольшой ток или напряжение для управления гораздо большим током и напряжением.

Это очень полезно, если вы хотите управлять такими вещами, как двигатели, мощные светодиоды, динамики, реле и многое другое при помощи микроконтроллера / Raspberry Pi / Arduino. Выход микроконтроллера может обеспечить всего несколько миллиампер при напряжении 5 В. Поэтому, если вы хотите управлять, например уличным освещением 230 В, вы не можете сделать это напрямую микроконтроллером

Вместо этого вы можете использовать реле. Но даже реле обычно требует большего тока, чем может обеспечить выход микроконтроллера. Поэтому вам понадобится транзистор для управления реле:

Транзисторы. Определение и история

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Принцип работы транзистора

В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им. У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности.

Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств – от нескольких нанометров (бескорпусные элементы, используемые в микросхемах), до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования. Обратные напряжения промышленных триодов могут достигать до 1000 В.

Виды полевых транзисторов

В семействе МОП полевых транзисторов в основном выделяют 4 вида:

1) N-канальный с индуцированным каналом

2) P-канальный с индуцированным каналом

3) N-канальный со встроенным каналом

4) P-канальный со встроенным каналом

Как вы могли заметить, разница только в обозначении самого канала. С индуцированным каналом он обозначается штриховой линией, а со встроенным каналом — сплошной.

В современном мире полевой транзистор со встроенным каналом используется все реже и реже, поэтому, в наших статьям мы их не будем рассматривать. Будем изучать только N и P — канальные полевые транзисторы с индуцированным каналом.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Применение тиристоров

Итак, как вам стало известно ранее, основным назначением тиристоров является их способность управлять мощностью нагрузки.

Кроме того, они имеют ряд других достоинств, а именно: быть “выпрямителем”, иметь два номинально-устойчивых положения, служить в качестве усилителя тока. Именно из-за вышеназванных качественных особенностей, полупроводниковый прибор нашел достаточно широкое применение.

Тиристор используют в роли включателя/выключателя/переключателя в электрических коммутационных устройствах, ведь он способен замыкать и размыкать электроцепь.

Также его активно задействуют как аппарат преобразования (так как тиристор способен генерировать постоянный ток в переменный) в солнечных батареях, в системах бесперебойного питания и в других областях, связанных с электроснабжениях.

Следует сказать и о возможностях тиристора в электронном зажигании, ведь устройство эксплуатируют в двигателях внутреннего сгорания, трамблерах и аккумуляторах для работы стартера.

Если говорить про быт, то надо напомнить, что полупроводниковое устройство применяется в сварке или машиностроении в качестве все того же инвертора.

Типовые области применения биполярных отечественных транзисторов

Приведенные ниже данные составил Козак Виктор Романович

Наименование Области применения биполярных транзисторов малой мощности
1Т101 для работы в низкочастотных усилителях
КТ104 для применения в усилителях
ГТ108 для работы в усилительных и импульсных схемах
ГТ109 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты
ГТ115 усилительный элемент в радиолюбительских конструкциях
ГТ116 для работы в формирователях и усилителях импульсов, мультвибраторах и других переключающих схемах
КТ117 однопереходные транзисторы для применения в маломощных генераторах
КТ118 двухэмиттерный транзистор для работы в схемах модуляторов
КТ119 однопереходные транзисторы для работы в генераторах и переключающих устройствах
КТ120 для работы в усилительных и импульсных схемах
ГТ122 для работы в низкочастотных усилителях
ГТ124 для работы в низкочастотных усилителях
ГТ125 для работы в низкочастотных усилителях
2Т126 для работы в усилителях и стабилизаторах постоянного тока
КТ127-1 для работы в усилителях и стабилизаторах тока
КТ201 для усиления сигналов низкой частоты
КТ202 для работы в усилительных и импульсных устройствах
КТ203 для работы в усилительных и импульсных устройствах
КТ205 для работы в усилительных и импульсных устройствах
КТ206 для работы в усилительных и импульсных устройствах
КТ207 для работы в усилителях
КТ208 для работы в усилительных и генераторных устройствах
КТ209 для работы в усилительных и импульсных устройствах
КТ211 транзисторы с нормированным уровнем шума для входных каскадов малошумящих усилителей
КТ214-9 для работы в ключевых и линейных устройствах
КТ215-9 для работы в ключевых и линейных устройствах
КТ301 для работы в усилительных и генераторных устройствах
КТ302 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц для предварительных каскадов усилителей низкой частоты
КТС303 для работы в выходных каскадах операционных усилителей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и генераторах импульсных сигналов. Состоит из транзисторов n-p-n и p-n-p.
ГТ305 для применения в схемах усиления высокой частоты
КТ306 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ307 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
ГТ308 для работы в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных схемах
ГТ309 для применения в схемах усиления высокой частоты
ГТ310 транзисторы с нормированным коэффициентом шума для применения в схемах усиления высокой частоты
ГТ311 для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот и для переключающих устройств
КТ312 для работы в усилительных, переключательных и генераторных устройствах
ГТ313 для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот
КТ313 для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах
КТ314 для работы в усилительных и переключающих схемах
КТ315 для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты
КТ316 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ317 для работы в схемах усилителей высокой и низкой частоты, в переключающих и импульсных схемах
КТ318 для работы в переключающих схемах
ГТ320 для применения в схемах переключения и усиления сигналов высокой частоты
ГТ321 для применения в схемах переключения
КТ321 для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах
ГТ322 транзисторы с нормированным коэффициентом шума для применения в схемах усиления высокой и промежуточной частоты
КТ324 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ325 для усиления сигналов высокой частоты
КТ326 для применения в схемах усиления высокой и сверхвысокой частоты
ГТ328 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц (7 дб) предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления
ГТ329 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты и СВЧ
ГТ330 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для усиления и генерирования электрических сигналов
КТ331 для усиления и генерирования сигналов высокой частоты
КТ332 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для усиления и генерирования сигналов высокой частоты
КТ333 для работы в переключающих и импульсных схемах
ГТ335 для использования в переключательных схемах
КТ336 для работы в переключающих и импульсных схемах
КТ337 для работы в переключающих, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
ГТ338 транзисторы для работы в режиме лавинного пробоя
КТ339 для работы в схемах усиления высокой частоты
КТ340 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
ГТ341 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц для усиления СВЧ сигналов
КТ342 для усиления и генерирования сигналов в широком диапазоне частот
КТ343 для работы в переключающих, импульсных и усилительных схемах высокой и низкой частот, генераторах низкой и высокой частоты
КТ345 для работы в переключающих, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
ГТ346 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 800 МГц (8 дб) предназначены для усиления сигналов в дециметровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления
КТ347 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
КТ348 для работы в переключательных, импульсных, усилительных и генераторных схемах низкой и высокой частоты
КТ349 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
КТ350 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ351 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ352 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ354 предназначены для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот
КТ355 для усиления и генерирования сигналов в широком диапазоне частот
КТ357 для переключения и усиления сигналов высокой частоты
КТ358 для усилительных и генераторных схем
КТ359 транзисторы с нормированным уровнем шума (6 дб) на частоте 20 МГц для применения в усилителях
КТ360 переключательные транзисторы для применения в переключающих и усилительных устройствах
КТ361 для работы в усилителях высокой частоты
ГТ362 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб для ГТ362А и 5.5 дб для ГТ362Б) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ363 для переключения и усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот
КТ364 для применения в схемах переключения
КТ366 для применения в импульсных, переключательных и усилительных сверхвысокочастотных схемах
КТ368 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 60 МГц (3.3 дб для КТ368А) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
КТ369-9 переключательные транзисторы
КТ370-9 для переключения и усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот
КТ371 для усиления сигналов СВЧ
КТ372 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (3.5 дб для КТ372А и 5.5 дб для КТ372Б,В) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ373 для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты
1Т374 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ375 для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты
ГТ376 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц д(3.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
КТ377 для применения в импульсных каскадах
КТ378 для применения в импульсных каскадах
КТ379 для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты
КТ380 для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты
КТ381 подобранные пары транзисторов
КТ382 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (3 дб для КТ382А и 4.5 дб для КТ382Б) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот
ГТ383 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ384 для импульсных и переключающих каскадов наносекундного диапазона
2Т385-9 для работы в импульсных и переключающих схемах наносекундного диапазона
1Т386 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц (4 дб) для применения в усилителях высокой частоты, смесителях, гетеродинах, в том числе для схем с автоматической регулировкой усиления
ГТ387 генераторные транзисторы для усиления и генерирования СВЧ сигналов
2Т388 для работы в импульсных, переключающих и усилительных высокочастотных схемах
2Т389 для работы в импульсных, переключающих и усилительных высокочастотных схемах
КТ391-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 3,6 ГГц (4.5 дб для КТ391А, 5.5 дб для КТ391Б, 6.0 дб для КТ391В) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ392 для усиления сигналов высокой частоты
КТС393-9 транзисторная сборка предназначенная для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях, и других каскадах
КТС394 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих и других каскадах
КТС395 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих, импульсных и других каскадах
КТ396-9 для усиления СВЧ сигналов
КТ397 для усиления сигналов высокой частоты
КТС398-94 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, и других каскадах
КТ399 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот
КТ3101 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ3102 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (10 дб для КТ3102А-Г и 4 дб для КТ3102Д-Е) для работы в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, допускается работа в инверсном режиме
КТС3103 транзисторная пара p-n-p для работы в дифференциальных каскадах с коэффициентом шума 5 дб на частоте 60 МГц
КТ3104 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 60 МГц (8 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
КТ3106-9 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 120 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
КТ3107 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (10 дб для КТ3107А-Д, И, К и 4 дб для КТ3107Е, Ж, Л) предназначены для усиления, генерирования и переключения сигналов низкой и высокой частот
КТ3108 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 100 МГц (6 дб), предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты
КТ3109 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 800 МГц (6 дб для КТ3109А, 7 дб для КТ3109Б, 8 дб для КТ3109В) для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн и в другой приемно-усилительной аппаратуре
1Т3110 генераторный транзистор для усиления и генерирования СВЧ сигналов
2ТС3111 транзисторная сборка для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и фазовых детекторах
КТ3114 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для применения в усилителях СВЧ
2Т3115-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 5 ГГц (5 дб для КТ3115А, 4.6 дб для КТ3115В, 6 дб для КТ3115Г) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ3117 высокочастотные переключательные транзисторы
КТ3120 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
КТ3121 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (2 дб) для применения во входных каскадах усилителей СВЧ
КТ3122 транзисторы для работы в режиме лавинного пробоя для формирования импульсов с наносекундной длительностью
КТ3123 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (3 дб для КТ3123А,В и 4 дб для КТ3123Б) для применения в усилительных, импульсных и ключевых режимах в схемах усилителей и автогенераторов СВЧ-сигналов
2Т3124-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 4-6 ГГц (5 дб) для применения в СВЧ малошумящих усилителях
КТ3126 для генерирования, усиления и преобразования колебаний высокой частоты
КТ3127 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 100 МГц (5 дб) для применения в схемах генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты в каскадах с АРУ
КТ3128 для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления
2Т3129-9 для применения в низкочастотных и высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах и импульсных устройствах
КТ3130-9 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (4 дб для КТ3130Ж9), для применения во входных каскадах малошумящих усилителей а также в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения
КТ3132-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2-6 ГГц для применения в СВЧ малошумящих усилителях в диапазоне частот 1-7.2 ГГц
2ТС3136-1 дифференциальная пара p-n-p транзисторов
2Т3141-2 для СВЧ устройств с малым уровнем шума
КТ3142 для усилительных, преобразовательных и генераторных устройств
2Т3150-2 для применения в усилителях высокой частоты
2Т3154-1 для усилительных и переключающих устройств
2Т3155-С1 для усилительных устройств
2Т3156-2 для усилительных устройств
КТ3157 переключательные транзисторы для импульсных схем
2Т3158-2 для импульсных схем
2Т3160-2 для импульсных схем
2Т3161-С сборка транзисторов pnp/npn для работы в коммутационных цепях автоматических телефонных станций и в усилительных каскадах высокой частоты
2Т3162 для применения в усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ диапазонов
2Т3164 для импульсных схем и усилительных устройств
КТ3165 для применения в селекторах телевизионных каналов в качестве преобразователя частоты, гетеродина и усилительного элемента
КТ3168-9 малошумящий транзистор (3дб на частоте 1 ГГц)
КТ3169-9
КТ3169-91
малошумящий транзистор для селекторов каналов телевизионных приемников
КТ3170-9 для применения в бытовой видеотехнике и в выходных каскадах УПЧ телевизоров
КТ3172-9 для работы в бытовой видеотехнике
КТ3174-С2 для применения в широкополосных дифференциальных усилителях, сумматорах, компараторах, смесителях, балансных усилителях
Транзистор Область применения биполярных транзисторов средней мощности
ГТ402 для выходных каскадов УНЧ
ГТ403 для работы в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока
ГТ404 для выходных каскадов УНЧ
ГТ405 для выходных каскадов УНЧ
КТ501 для работы в УНЧ с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах
КТ502 для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах
КТ503 для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах
2Т504 переключательные транзисторы для высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователей
2Т505 работа во вторичных источниках питания и других переключающих устройствах
2Т506 работа в ключевых схемах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения и в других схемах
2Т509 работа в микрорежиме в высоковольтных стабилизаторах напряжения в качестве регулирующих элементов и другой аппаратуре
КТ601
КТ601-М
для применения в схемах радиовещательных и ТВ приемников
КТ602
КТ602-М
для схем усиления и генерирования сигналов
КТ603 для работы в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах
КТ604 для применения в схемах операционных усилителей, видеоусилителей и генераторов разверток
КТ605 для работы в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах
КТ606 для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах свыше 100 МГц при напряжении питания 28 В
КТ607 для работы в автогенераторах, усилителях, умножителях частоты
КТ608 для быстродействующих импульсных и высокочастотных схем
ГТС609 для переключательных схем
КТ610 для усиления напряжения и мощности СВЧ
КТ611 для усиления и генерирования сигналов в диапазоне высоких частот
ГТ612 для усиления и генерирования сигналов СВЧ
КТС613 для быстродействующих импульсных схем
ГТ614 для работы в генераторных схемах в схеме с общей базой
КТ616 для работы в переключающих схемах
КТ617 для работы в переключающих схемах
КТ618 для работы в переключающих схемах
КТС622 для переключательных схем
КТ624 для работы в импульсных схемах
КТ625 переключательные транзисторы
КТ626 для работы в усилителях и генераторах коротковолнового диапазона
КТ629 для работы в импульсных и переключающих схемах и в схемах усиления сигналов высокой частоты средней мощности
КТ630 для работы в усилительных и импульсных схемах
КТС631 для переключательных схем
2Т632 для применения в линейных широкополосных усилителях
2Т633 для работы в высокочастотных и импульсных схемах в схеме с общей базой
2Т634-2 для работы в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в диапазоне частот 1-5 ГГц
КТ635 для импульсных и высокочастотных схем
2Т637-2 для генераторов и усилителей мощности в схеме с общей базой
2Т638 работа в схемах усиления, генерирования и переключения высокочастотных сигналов
КТ639 для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, импульсных и переключающих устройствах
КТ640 для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1-7.2 ГГц
2ТС641 сдвоенный транзистор p-n-p и n-p-n
2Т642-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1-8.15 ГГц
2Т643-2 для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 2-8 ГГц
КТ644 для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, импульсных и переключающих устройствах
КТ645 для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах
КТ646 для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах
2Т647-2 для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1-10 ГГц при напряжении питания 15 В
2Т648-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1-12 ГГц в схеме с общей базой
2Т649-2 работа в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты
2Т652 работа в переключающих и усилительных схемах
2Т653 работа в ключевых и линейных схемах, преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания
2Т657-2 работа в схеме с общим эмиттером в линейных усилителях мощности с большим динамическим диапазоном на частотах до 2 ГГц
2Т658-2 работа в широкополосных импульсных и линейных усилителях и преобразователях
КТ659 для высокоскоростных переключающих устройств
КТ660 для импульсных схем и генераторов электрических колебаний
КТ661 для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций
КТ662 для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций
2Т663 для переключающих устройств
2Т664-91 для применения в усилителях и переключающих устройствах
2Т665-91 для применения в усилителях и переключающих устройствах
КТ668 для низкочастотных устройств с малым уровнем шума, для генераторов и переключающих устройств
2Т671-2 для применения в схеме с общей базой в диапазоне частот 2-8,5 ГГц в усилительных, генераторных и умножительных устройствах с повышенным уровнем выходной мощности при напряжении питания 13 В
2Т672-2 для импульсных схем
2Т679-2 работа в переключающих и усилительных схемах
КТ680 для применения в усилителях низкой частоты
КТ681 для применения в усилителях низкой частоты
2Т682-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 3.6 ГГц для применения в СВЧ малошумящих усилителях
КТ683 работа в переключающих и усилительных схемах
КТ684 работа в переключающих и усилительных схемах бытовой видеотехники
КТ685 для применения в усилителях и переключающих устройствах
КТ686 для применения в предоконечных и оконечных каскадах радиочастотных схем, в усилительных схемах и для универсального применения
2Т687-С2 для работы в импульсных линейных усилителях и преобразователях
2Т689-С для усилительных устройств
2Т690-С для усилительных устройств
2Т691-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц для применения в СВЧ малошумящих усилителях
2Т693-С 4 n-p-n транзистора для работы во вторичных источниках электропитания
КТ6115 транзистор для ключевых линейных схем
КТ6116 транзистор для схем повышенного напряжения питания
Транзистор Области применения биполярных транзисторов большой мощности
ГТ701 работа в усилителях мощности низкой частоты, в импульсных и ключевых схемах
ГТ702 работа в усилителях мощности низкой частоты, в импульсных схемах, ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов
ГТ703 работа в усилителях мощности низкой частоты
КТ704 для работы в импульсных модуляторах
ГТ705 работа в усилителях мощности низкой частоты
2Т708 составные транзисторы для работы в усилителях и переключающих устройствах
2Т709
2Т709-2
составные транзисторы для работы в ключевых и линейных схемах
КТ710 для применения в высоковольтных стабилизаторах и импульсных устройствах
КТ712 составные высоковольтные транзисторы для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах напряжения
2Т713 для работы в схемах высоковольтных электронных ключах
КТ715 для применения в высоковольтных импульсных устройствах
2Т716
2Т716-1
составные транзисторы для работы в ключевых и линейных схемах
КТ719 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ720
КТ720 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ719
КТ721 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ722
КТ722 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ721
КТ723 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ724
КТ724 для работы в ключевых и линейных схемах в паре с КТ723
КТ801 для работы в схемах кадровой и строчной разверток, в источниках питания
КТ802 для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилителях мощности
КТ803 для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках питания
КТ805 для выходных каскадов строчной развертки телевизоров, систем зажигания двигателей внутреннего сгорания
ГТ806 для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения
КТ807 для генераторов кадровой и строчной разверток, усилителей низкой частоты, источников питания
КТ808 для работы в ключевых схемах, генераторов строчной развертки, электронных регуляторов напряжения
КТ809 для работы в ключевых и импульсных схемах
ГТ810 для применения в выходных каскадах строчной развертки телевизионных приемников
КТ812 для выходных каскадов строчной развертки телевизоров
1Т813 для работы в схемах переключающих устройств
КТ814 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ815 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ816 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ817 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ818-2
КТ818
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ819-2
КТ819
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ820 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ821 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ822 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ823 для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
КТ824 импульсные высоковольтные транзисторы
КТ825
КТ825-2
составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты
2Т826 для работы в схемах преобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах
КТ827 составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты
КТ828 для работы в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах
КТ829 составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах
2Т830 для работы в ключевых и линейных схемах, преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания
2Т831 для работы в ключевых и линейных схемах, преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания
КТ834 работа в схемах регуляторов тока и напряжения в ключевых схемах
КТ835 работа в ключевых усилителях мощности, вторичных источниках питания, усилителях и преобразователях
2Т836 для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания
КТ837 для применения в усилителях и переключающих устройствах
КТ838 для каскадов горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств
КТ839 работа во вторичных источниках питания и высоковольтных ключевых схемах
КТ840 для телевизоров «Электроника Ц-402» и для ключевых источников питания
КТ841 работа в ключевых схемах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях линейных стабилизаторов напряжения
КТ842 работа в схемах мощных преобразователей, линейных стабилизаторов напряжения
2ТС843 для применения в источниках вторичного электропитания
2Т844 работа в ключевых и импульсных схемах
2Т845 работа в ключевых и импульсных схемах
КТ846 для каскадов горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств
КТ847 работа во вторичных источниках питания и переключающих устройствах
2Т848 работа в ключевых схемах бесконтактных систем зажигания
КТ850 для усилительных и переключающих устройств
КТ851 для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах
КТ852 составные транзисторы для усилительных и переключающих устройств
КТ853 составные транзисторы для усилительных и переключающих устройств
КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах
КТ855 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения
2Т856 работа в ключевых и других схемах
КТ857 для усилительных и переключающих устройств
КТ858 для усилительных и переключающих устройств
КТ859 для усилительных и переключающих устройств
2Т860 работа в усилителях мощности, вторичных источников питания, преобразователях
2Т861 работа в усилителях мощности, вторичных источников питания, преобразователях
2Т862 работа в схемах импульсных модуляторов, вторичных источников питания и других схемах
КТ863 для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках
КТ864 для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты
КТ865 для применения в источниках вторичного электропитания, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения
2Т866 работа в малогабаритных источниках питания ключевого типа и переключающих устройствах
2Т867 работа во вторичных источниках питания и других ключевых схемах
КТ872 высоковольтный транзистор для применения в оконечных каскадах строчной развертки цветных телевизоров
2Т874 работа во вторичных источниках питания и других ключевых схемах
2Т875 для усилительных (постоянного тока, низкой частоты) и переключающих устройств
2Т876 для усилительных (постоянного тока, низкой частоты) и переключающих устройств
2Т877 составные транзисторы для усилительных (постоянного тока, низкой частоты) и переключающих устройств
КТ878 высоковольтный переключающий транзистор для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания
2Т879 для применения в мощных переключающих устройствах
2Т880 для работы в ключевых и линейных схемах
2Т881 для работы в усилителях, ключевых и линейных схемах
2Т882 для работы в ключевых и линейных схемах
2Т883 для работы в ключевых и линейных схемах
2Т884 для работы в ключевых и линейных схемах
КТ885 для работы в схемах источников вторичного электропитания и других ключевых схемах
КТ886 для работы в схемах источников вторичного электропитания
2Т891 для работы в схемах источников вторичного электропитания и в других ключевых схемах
КТ892 составные высоковольтные транзисторы
КТ896 составные транзисторы для работы в ключевых и линейных схемах
КТ897 составные транзисторы с встроенным стабилитроном, аналог BU931Z для работы в импульсных источниках питания с индуктивной нагрузкой
КТ898 составные транзисторы с встроенным стабилитроном, аналог BU931ZP
КТ8101 высоковольтный транзистор
КТ8102 высоковольтный транзистор
КТ8108 для работы в схемах источников вторичного электропитания
КТ8130 для работы в линейных и ключевых схемах РЭА широкого применения
КТ8131 для работы в линейных и ключевых схемах РЭА широкого применения
КТ8138 для работы в высокоскоростных высоковольтных мощных переключающих схемах, а также в линейных схемах
ГТ901 для импульсных и усилительных устройств
КТ902 для применения в схемах высокочастотных усилителей мощности
КТ903 для схем высокочастотных генераторов и усилителей
КТ904 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 100-400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В
КТ905 для применения в переключающих каскадах, импульсных усилителях и выходных каскадах усилителей низкой частоты
ГТ906 для применения в преобразователях напряжения, переключающих и других импульсных каскадах
КТ907 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 100-400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока и в импульсных схемах при напряжении питания 28 В
КТ908 для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах
КТ909 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 100-500 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В
ГТ910 для применения в схемах мостовых преобразователей напряжения
КТ911 для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах свыше 400 МГц при напряжении питания 28 В
КТ912 для работы в усилителях мощности высокой частоты внутри корпуса имеется полупроводниковый диод- датчик температуры, электрически соединенный с коллектором
КТ913 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В
КТ914 предназначен для использования в широкополосных двухтактных усилителях мощности на частотах до 400 МГц в паре с транзистором КТ904 при напряжении питания 28 В
КТ916 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В
КТ917 для работы в импульсных схемах, схемах усиления и генерирования
КТ918 для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах 1-3 ГГц при напряжении питания 20 В
КТ919 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 700-2400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока в схеме с общей базой
КТ920 для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В
КТ921 для работы в усилителях КВ и УКВ диапазонов, для стабилизаторов и преобразователей напряжения; транзистор КТ921В предназначен для работы в термостойкой скваженной геофизической аппаратуре и рассчитан на эксплуатацию в диапазоне температур от -60 до +200 градусов
КТ922 для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах свыше 50 МГц при напряжении питания 28 В
КТ925 для применения в схемах усилителей мощности, умножителей частоты и автогенераторах на частотах 200-400 МГц при напряжении питания 12,6 В
КТ926 для работы в импульсных модуляторах
КТ927 для работы в коротковолновых транзисторных передатчиках в диапазоне частот до 30 МГц внутри корпуса имеется полупроводниковый диод- датчик температуры, электрически соединенный с коллектором
2Т928 работа в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний
КТ929 для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах свыше 50 МГц при напряжении питания 8 В
2Т930 для работы в схемах широкополосных усилителях мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
2Т931 для работы в схемах широкополосных усилителях мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В, внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
КТ932 для работы в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах
2Т933 для работы в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах
КТ934 для работы в схемах широкополосных усилителях мощности класса С, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 100 МГц при напряжении питания 28 В
КТ935 для работы в ключевых и импульсных схемах
КТ936 для применения в широкополосных усилителях мощности
КТ937-2 для работы в схемах с общей базой усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 900-5000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока
КТ938-2 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне до 5 ГГц в режимах с отсечкой коллекторного тока по схеме с общей базой при напряжении питания 20 В
КТ939 предназначен для усилителей класса А с повышенными требованиями к линейности
КТ940 для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения
2Т941 для применения в импульсных и линейных усилителях мощности
2Т942 для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 700-2000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока по схеме с общей базой при напряжении питания 28 В
КТ943 для работы в импульсных схемах и усилителях
КТ944 для применения в широкополосных усилителях мощности на частотах 1.5-30 МГц при напряжении питания 28 В
КТ945 для работы в импульсных модуляторах, переключающих и импульсных устройствах
2Т946 работа в схемах с общей базой в непрерывном и импульсном режимах в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты на частотах 0.4-1.5 ГГц при напряжении питания 28 В
2Т947 работа в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0.1-1.5 МГц при напряжении питания 27 В
КТ948 работа в усилителях и генераторах по схеме с общей базой в диапазоне частот 0,7-2,3 ГГц
2Т949 работа в ключевых и линейных схемах в аппаратуре специального назначения
2Т950 для работы в выходных каскадах мощных ВЧ усилителей при напряжении питания 28 В 
2Т950А предназначен для частот 30-80 МГц
2Т950Б предназначен для частот 1.5-30 МГц
2Т951 для работы в выходных каскадах мощных ВЧ усилителей при напряжении питания 28 В
2Т951А предназначен для частот 30-80 МГц
2Т951Б предназначен для частот 1.5-30 МГц
2Т955 для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1.5-30 МГц при напряжении питания 28 В
КТ956 для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1.5-30 МГц при напряжении питания 28 В
КТ957 для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1.5-30 МГц при напряжении питания 28 В
2Т958 для применения в схемах усилителей мощности класса С, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В, внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
2Т960 для работы в схемах усилителях мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 12,6 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
КТ961 для применения в усилителях и импульсных устройствах
КТ962 для работы в схемах усилителях мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400-1000 МГц при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
2Т963 работа в усилителях и генераторах в схеме с общей базой на частотах 2-10 ГГц
2Т964 работа в широкополосных усилителях мощности на частотах 30-80 МГц при напряжении питания 40 В
КТ965 работа в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 12.6 В
КТ966 работа в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 12.6 В
КТ967 работа в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 12.6 В
2Т968 работа в линейных широкополосных усилителях и других схемах
КТ969 для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, аналог BF469
КТ970 для работы в схемах усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеется согласующее двухзвенная LC-цепь
2Т971 для применения в схемах усилителях мощности и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В, внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
КТ972 составные транзисторы усилительные
КТ973 составные транзисторы усилительные
2Т974 работа в импульсных и линейных усилителях и преобразователях
2Т975 работа в импульсном режиме в усилительных и генераторных устройствах на частотах 1,4-1,6 ГГц в схеме с общей базой
КТ976 работа на частотах до 1000 МГц в схеме с общей базой в выходных каскадах усилителей мощности, умножителях и автогенераторах при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
2Т977 работа в автогенераторном режиме радиоимпульсов по схеме с общим коллектором на частотах 0,6-1,6 ГГц в генераторных устройствах
2Т978 для применения в переключающих устройствах
2Т979 работа в схемах с общей базой в непрерывном и импульсном режимах в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты на частотах 0.7-1.4 ГГц при напряжении 28 В в непрерывном режиме и 35-40 В в импульсном режиме внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные LC-цепи на входе и выходе транзистора
КТ980 работа в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот от 1,5 до 30 МГц для 2Т980А и от 30 до 80 МГц для 2Т980Б при напряжении питания 50 В
КТ981 работа в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот от 30 до 80 МГц при напряжении питания 12.6 В
2Т982 работа по схеме с общей базой в усилительных, генераторных и умножительных устройствах в диапазоне частот от 3 до 7 ГГц
КТ983 для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40-860 МГц при напряжении питания 25 В
2Т984 работа на частотах 720-820 МГц в схемах с общей базой выходных каскадов импульсных усилителей мощности класса С при напряжении питания 50 В внутри корпуса имеются согласующие LC-звенья
2Т985-С сборка из двух транзисторов работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220-400 МГц при напряжении питания 28 В сборка содержит внутренние согласующие LC-звенья для каждого транзистора
2Т986 абота в импульсном режиме в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 1,4 до 1,6 ГГц внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи на входе и выходе транзистора
2Т987 работа в схеме с общей базой в балансных усилителях мощности в импульсном и непрерывном режимах в полосе частот от 0,7 до 1 ГГц при напряжении питания до 28 В. Для передающих устройств радиолокационных систем и систем связи
2Т988 работа в схеме с общей базой в импульсном и непрерывном режимах в полосе частот от 0,1 до 1 ГГц для 2Т988А и от 0,9 до 1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т989 работа в усилителях мощности твердотельных связных и радиолокационных устройств в диапазоне частот от 1,3 до 2,2 ГГц при напряжении питания 28 В
2Т990-2 для усиления и генерирования СВЧ сигналов
2Т991-С сборка из двух транзисторов работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой на частотах 350-700 МГц при напряжении питания 28 В
2Т992-2 для широкополосных усилителей мощности на частотах 0,8-2,2 ГГц
КТ993 работа в ключевых и импульсных схемах
2Т994 работа в импульсном режиме на частотах 1,4-1,6 ГГц в усилительных и генераторных устройствах при напряжении питания 50 В внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т995-2 работа в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 2 до 10 ГГц при напряжении питания 14 В
2Т996-2 работа в аппаратуре многоканальной кабельной связи с повышенными требованиями к линейности усиления в полосе частот 4-60 МГц
КТ997 для применения в устройствах управления СБИС ЗУ на цилиндрических магнитных доменах
КТ999 для применения в блоке цветности цветного телевизора
2Т9101-С сборка из двух транзисторов, работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в диапазоне частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В сборка содержит внутренние согласующие LC-звенья для каждого транзистора
2Т9102-2 для усилителей мощности, автогенераторных и умножительных устройств в диапазоне частот от 0,7 до 2,4 ГГц
2Т9103-2 работа по схеме с общей базой в усилительных, генераторных и умножительных устройствах в диапазоне частот от 0,9 до 5 ГГц
2Т9104 работа в схемах выходных каскадов широкополосных усилителей мощности в полосе частот 350-700 МГц по схеме с общей базой при напряжении питания 28 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
КТ9105-С сборка из двух транзисторов, работа в двухтактных широкополосных усилителях 
мощности в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В сборка содержит внутренние согласующие LC-звенья для каждого транзистора
2Т9106-С2 для усилительных устройств
2Т9108-2 для работы в диапазоне частот от 0,6 до 1,6 ГГц
2Т9109 работа в мощных каскадах передающих устройств в полосе частот 720-820 МГц по схеме с общей базой при напряжении питания 50 В внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
2Т9111 работа в линейных широкополосных передатчиках КВ и УКВ диапазонов на частотах от 1,5 до 80 МГц при напряжении питания 50 В
2Т9114 работа в усилительных и генераторных устройствах по схеме с общей базой на частотах до 1.4-1.6 ГГц внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
КТ9115 для применения в фазоинверсных предоконечных каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты и видеоусилителях телевизионных приемников
КТ9116 для применения в линейных усилителях мощности по схеме ОЭ в диапазоне частот 170-230 МГц при напряжении питания 28 В
2Т9117 переключательные транзисторы для применения в усилительных и переключающих схемах
2Т9118 работа в передающих устройствах радиолокационных и связных систем в диапазоне частот 0,9-1,4 ГГц в непрерывном и импульсном режимах по схеме с общей базой
2Т9119-2 работа в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 0.9 до 5 ГГц
2Т9121 работа в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 2.3-2.7 ГГц при напряжении питания 35 В, внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т9122 работа в качестве источника СВЧ-мощности в передающих устройствах радиолокационных и связных систем, работающих в диапазоне частот 1,3-2 ГГц в непрерывном и импульсном режимах, внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т9123 составные транзисторы для переключающих устройств
2Т9124 работа в схеме с общей базой в в диапазоне частот 3,1-3,5 ГГц в радиолокационной, связной и другой аппаратуре при напряжении питания 21 В, внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т9125-С сборка из двух транзисторов, работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В
КТ9126 предназначен для применения в усилителях мощности и генераторах метрового и дециметрового диапазонов длин волн
2Т9127 работа в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1.0-1.15 ГГц при напряжении питания 50 В, внутри корпуса имеются согласующие LC-цепи
2Т9128-С сборка из двух транзисторов, работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 100-200 МГц при напряжении питания 28 В
2Т9129 импульсный широкополосных мощный с внутренними цепями согласования по входу и по выходу СВЧ транзистор предназначен для работы в схеме с общей базой в полосе частот 3,1-3,5 ГГц при напряжении питания 24 В
2Т9130 предназначен для применения в широкополосных видеоусилителях мониторов
КТ9131 предназначен для работы в линейных широкополосных передатчиках в диапазоне частот 1.5-30 МГц при напряжении питания 50 В
2Т9132-С сборка из двух транзисторов, работа в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в диапазоне частот 350-700 МГц при напряжении питания 30 В, содержит внутренние цепи согласования по входу
КТ9133 предназначен для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне 170-230 МГц при напряжении питания 28 В
2Т9134 сборка из двух транзисторов, работа в схеме с общей базой на частотах 0,6-1,5 ГГц в усилительных и генераторных устройствах при напряжении питания 45 В
2Т9135-2 работа в схеме с общей базой на частотах 2-10 ГГц в усилительных и генераторных устройствах при напряжении питания 14 В
2Т9136-С сборка из двух транзисторов, для применения в импульсных генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот от 200 до 500 МГц по схеме ОБ при напряжении питания 45 В
КТ9137 работа в схеме с общим эмиттером на частотах до 2,3 ГГц в усилительных устройствах с повышенными требованиями к линейности усиления СВЧ-сигнала
2Т9139 работа в схеме с общей базой на частотах 2,7-3,1 ГГц в широкополосных устройствах при напряжении питания 21 В
КТ9140 работа в схеме с общей базой в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты в непрерывном и радиоимпульсном режимах в диапазоне частот 0,9-1,45 ГГц при напряжении питания 28 В
КТ9141
КТ9141-1
для работы в выходных каскадах видеоусилителей многоцветных графических дисплеев
КТ9143 для применения в выходных каскадах усилителей мощности
КТ9144-9 предназначен для применения в линейных и ключевых схемах, в импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения
КТ9145-9 предназначен для применения в линейных и ключевых схемах, в импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения
2Т9146 работа в схеме с общей базой на частотах 1,5-1,55 ГГц в усилительных и генераторных устройствах при напряжении питания 45 В
2Т9147-С биполярная сборка из двух транзисторов для работы в двухтактных широкополосных усилителях мощности на частотах 100-400 МГц
2Т9149 работа в импульсных усилителях мощности в схеме ОБ на частотах 2-2,3 ГГц при напряжении питания 28 В
2Т9153-С биполярная сборка из двух транзисторов для работы в двухтактных широкополосных усилителях мощности на частотах 390-840 МГц
2Т9158 для работы в СВЧ усилительных каскадах РЭА
КТ9180 для работы в линейных и ключевых схемах
КТ9181 для работы в линейных и ключевых схемах

Применение полевого транзистора: устройство, использование, принцип работы

Рассмотрим использование идей, реализованных в полевых транзисторах, в более сложных электронных устройствах.

Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором (флэш-память). Рассмотрим структуру и принцип действия ячейки так называемой флэш-памяти.

Устройства флэш-памяти являются современными быстродействующими программируемыми постоянными запоминающими устройствами (ППЗУ) с электрической записью и электрическим стиранием информации (ЭСППЗУ; в аббревиатуре нет букв, соответствующих словам «электрическая запись», так как такая запись подразумевается).

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Эти устройства являются энергонезависимыми, так как информация не стирается при отключении питания. Ячейки памяти выдерживают не менее 100 000 циклов записи/стирания.

Изобразим упрощенную структуру ячейки флэш-памяти (рис. 1.107).

Слои полупроводника, обозначенные через n+, имеют повышенную концентрацию атомов-доноров. Изоляция затворов для упрощения рисунка не показана. Структура ячейки в некотором отношении подобна структуре МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа.

Абрамян Евгений Павлович

Доцент кафедры электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Один из затворов называют плавающим, так как он гальванически не связан с электродами прибора и его потенциал изменяется в зависимости от заряда на нем («плавающий» потенциал).

При записи информации в ячейку памяти электроны из истока туннелируют через тонкий слой изолирующего окисла кремния (толщиной около 1 · 10-8 м) и переходят на плавающий затвор. Накопленный отрицательный заряд на плавающем затворе увеличивает пороговое напряжение u из порог. Поэтому в будущем при обращении к транзистору такой ячейки он будет восприниматься как выключенный (ток стока равен нулю).

При стирании информации электроны уходят с плавающего затвора (также в результате туннелирования) в область истока. Транзистор без заряда на плавающем затворе воспринимается при считывании информации как включенный.

Длительность цикла считывания (чтения) информации составляет не более 85 нс. Состояние ячейки памяти может сохраняться более 10 лет.

Полупроводниковые приборы с зарядовой связью (ПЗС). Прибор с зарядовой связью имеет большое число расположенных на малом расстоянии затворов и соответствующих им структур металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Изобразим упрощенную структуру прибора с зарядовой связью (рис. 1.108).

При отрицательном напряжении на некотором затворе под ним скапливаются дырки, совокупность которых называют пакетом. Пакеты образуются из дырок, инжектированных истоком или возникающих в результате генерации пар электрон-дырка при поглощении оптического излучения. При соответствующем изменении напряжений на затворах пакеты перемещаются в направлении от истока к стоку.

Приборы с зарядовой связью используются

  • в запоминающих устройствах ЭВМ;
  • в устройствах преобразования световых (оптических) сигналов в электрические.

Классификация полевых транзисторов такая же, как и биполярных транзисторов, т. е. используется буквенно-цифровой код, в котором второй элемент — буква П, определяющая подкласс.

 Примеры обозначения приборов:

  • КП310А— кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А;
  • 2П701Б— кремниевый транзистор большой мощности, с граничной частотой не более 30 МГц, номер разработки 1, группа Б.

Применение pnp транзисторов

На рис. 22.6 приведена схема усилителя на pnp-транзисторе. Пусть это будет кремниевый транзистор. Тогда его ток и напряжения на эмиттере, базе и коллекторе можно рассчитать следующим образом:

Из соотношения VBE= VbVe следует Ve= VbVBE.Поскольку VBE = 0,6 В (кремниевый транзистор) и Vb = 1,5 В, то

Ve = 1,5 – 0,6 = 0,9 В.

Учитывая, что Ve = Ie·R4, получаем

Таким образом, статический режим работы транзистора определяется следующими условиями:

Ve = — 0,9 В, Vb = — 1,5 В, Vc = — 6,4 В, Ie = 1,1 мА.

Приведенные значения напряжений на эмиттере, базе и коллекторе типичны для однокаскадных усилителей — УПЧ или предоконечных каскадов. Напряжение на базе равно примерно 0,1 VСС, а на коллекторе — примерно 0,6 VСС. Видно, что для транзисторов того и другого типа наи­меньшим по абсолютной величине является напряжение на эмиттере, наибольшим — напряжение на коллекторе, а напряжение на базе при­мерно на 0,6 В (для кремниевого транзистора) «выше» напряжения на эмиттере.

Транзистор прп-типа в схеме усилителя с отрицательным напряжением питания

Можно использовать прп-транзистор в схеме усилителя, питаемого от ис­точника с отрицательным напряжением VСС, как показано на рис. 22.7. В этом случае шасси играет роль положительной шины питания, и все напряжения в схеме отрицательны, поскольку они измеряются относи­тельно положительного шасси. Используя типичные величины, указан­ные на схеме, и учитывая, что напряжение на базе Vb равно падению напряжения на резисторе R1, а напряжение на коллекторе — падению напряжения на резисторе R3, получаем

Таким образом, статический режим работы транзистора определяется следующими условиями: Ve = — 8,8 В, Vb = — 8,2 В, Vc = — 4 В.


Рис. 22.7.   Усилитель на прп-транзисторе

с отрицательным напря­жением питания —VCC.

          Рис. 22.8. Влияние базового тока Ib.

Базовый ток

Базовый ток Ib (рис. 22.8) течет от положительной шины источника пита­ния через резистор R1 и эмиттерный переход транзистора к эмиттеру. Та­ким образом, через резистор смещения R1 протекают два тока: ток покояIs (протекающий также через резистор R2) и базовый ток (не протекаю­щий через R2).За счет базового тока падение напряжения на резисторе R1 возрастает на величину IbR1. Поскольку VR1 + VR2= VCC, то увеличе­ние VR1 приводит к уменьшению VR1, т. е. к уменьшению напряжения на базе. В нормальных условиях ток Ib очень мал, и им можно пренебречь, считая, что Vbполностью определяется резистивным делителем R1 R2.

Однако при большой величине базового тока (например, когда транзи­стор работает в сильноточном режиме) или при очень большом сопроти­влении резистора R1 изменение напряжения на базе, связанное с током Ib, начинает влиять на статические условия работы транзистора, и это изменение нужно принимать во внимание.

Рассмотрим схему на рис. 22.8. При нормальных условиях базовый ток, например          10 мкА, создает на резисторе R1 падение напряжения IbR1 = 10 · 10-6 · 15 · 103= 150 · 10-3 = 0,15 В. Как видим, это мало по сравнению с напряжением на базе 1,8 В, определяемым цепью сме­щения R1 R2. Если теперь перевести транзистор в состояние высокой проводимости с большим пропускаемым током, то базовый ток также воз­растет. Предположим, что он увеличится до 80 мкА. Тогда падение на­пряжения на резисторе R1, создаваемое таким базовым током, составит 80 · 10-6 · 15 · 103 = 1,2 В. На эту величину, т. е. от 1,8 В до 0,6В, уменьшится напряжение на базе транзистора.

Смещение базовым током

Базовый ток можно использовать для задания нормального смещения транзистора, как показано на рис. 22.9. В этой схеме резистор R2 исклю­чен и используется только резистор R1 с очень большим сопротивлением. Ток Ib теперь полностью определяет падение напряжения на этом ре­зисторе (ток покоя отсутствует). Величина этого падения напряжения достаточна для создания нормального смещения.

Для базового тока величиной 10 мкА (рис. 22.9) напряжение на базе рассчитывается следующим образом:

VR1 = IbR1 = 10 · 10-6 · 390 · 103 = 3,9 В.

Напряжение на базе — это напряжение между базой и шасси, т. е.

Vb= VCCVR1 = 6 – 3,9 = 2,1 В.

Преимущество схемы на рис. 22.9 — высокое входное сопротивление, обусловленное отсутствием резистора R2, шунтирующего вход, недоста­ток — полное отсутствие стабильности по постоянному току.

Отсечка и насыщение

Говорят, что транзистор находится в состоянии отсечки, когда он пере­стает проводить, т. е. когда его ток равен нулю. При Ie = 0 падение напряжения на резисторе R4 отсутствует (рис. 22.10).

Рис. 22.9. Смещение базовым током.                                 Рис. 22.10. Условие отсечки тран­зистора:

                                                                                                 Ve = 0, Vc = VCC.


Рис. 22.11. Условие насыщения транзистора; VeVc.

Следовательно, на­пряжение на эмиттере также равно нулю. Поскольку Ic = 0, то падение напряжения на резисторе R3 отсутствует и напря­жение на коллекторе равно напряжению питания VCC. Таким образом, напряжение между коллектором и эмиттером VCE= VcVe также равно напряжению питания VCC.

Говорят также, что транзистор находится в состоянии насыщения, ко­гда пропускаемый им ток настолько велик, что дальнейшее увеличение этого тока невозможно, т. е. когда Ie и Ic достигают своих максималь­ных значений. При увеличении Ie увеличивается также Ve (рис. 22.11). При увеличении Ic возрастает падение напряжения на резисторе R3, что приводит к уменьшению напряжения на коллекторе относительно VCC и  приближению его к напряжению на эмиттере. Таким образом, при увеличении тока транзистора напряжения на эмиттере и коллекторе приближаются друг к другу. В состоянии насыщения, когда ток транзистора максимален, напряжения Ve и Vc становятся практически одинаковыми, т> е. vceпрактически равно нулю. На рис. 22.11 указаны типичные значения напряжений в схеме, когда транзистор находится в состоянии насыщения.

Таким образом, транзистор можно использовать в качестве ключа (рис. 22.12):

ключ ЗАМКНУТ   — транзистор в состоянии насыщения,

ключ РАЗОМКНУТ — транзистор в состоянии отсечки.

 

Рис. 22.12. Транзисторный ключ.

Добавить комментарий

Применение транзистора в повседневной жизни — pnpnтранзистор

Здесь мы знаем о применениях транзистора в повседневной жизни . Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство с тремя выводами и устройство, управляемое током. Здесь мы перечисляем все области применения транзистора . Транзистор в основном используется для усиления слабого электрического сигнала и полезен в усилительных цепях.

Каково применение транзистора в повседневной жизни?

Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство и его использование для регулирования тока или напряжения питания.Его можно использовать в качестве переключателя в электрических цепях, а также использовать в качестве усилителя. Итак, здесь мы разберем для вас основные области применения транзистора.

Здесь мы перечисляем области применения транзисторов. (практическое применение транзисторов) :

1. Транзисторы используются в цифровых и аналоговых схемах в качестве переключателя.

2. использование в устройствах усилителя сигнала

3. Сотовые телефоны будут одним из наиболее широко используемых применений транзисторов. В каждом сотовом телефоне используется транзисторный усилитель.

4. Использование в регуляторах мощности и контроллерах

5. В современной электронике ИС используется почти во всех приложениях электроники. Транзисторы используются при создании некоторых интегральных схем (ИС).

6. Микропроцессор включает в себя более миллиарда транзисторов в каждой микросхеме.

7. Транзисторы используются практически во всех электронных устройствах, от печей до компьютеров и от кардиостимуляторов до самолетов.

8. в калькуляторах, компьютерах, радиоприемниках, а также в слуховых аппаратах, во всех повседневных устройствах, требующих хорошего качества звука (поскольку в усилителях часто используются транзисторы)

9.Военные использовали мощные радиочастотные (РЧ) возможности транзистора в радарах и портативных рациях.

10. Пары транзисторов Дарлингтона часто используются в сенсорных и светочувствительных устройствах.

11. Радиационно-стойкий транзистор часто используется в спутниках и других аэрокосмических устройствах.

После краткого знакомства с повседневным использованием транзисторов , мы подробно рассмотрим некоторые важные области применения транзисторов:

Использование транзистора в качестве переключателя:

В большинстве приложений транзисторы используются в качестве переключателей в цепях.Если электронная схема использует транзистор в качестве переключателя, то для смещения транзистора используется либо транзистор PNP, либо транзистор NPN, что мы должны увидеть. Транзистор в основном работал в трех разных режимах,

активная область,

область насыщения,

и область отсечки.

транзистор работает как усилитель только в активной области. Две другие рабочие области транзистора , область насыщения и область отсечки , использовались для работы транзисторного переключателя.Транзистор работает как переключатель только в этих двух рабочих областях.

Когда мы подаем напряжение на базу транзистора, выполняется операция переключения. Когда напряжение  (V в > 0,7 В) приложено между выводами базы и эмиттера транзистора, тогда напряжение между коллектором и эмиттером (Vce) приблизительно равно 0. Таким образом, транзистор действует как короткое замыкание, и мы можем сказать транзистор находится в выключенном состоянии. Коллекторный ток протекает через транзистор.

Аналогичным образом, когда на клеммы базы и эмиттера не подается напряжение или нулевое напряжение (Vin = 0 В), транзистор работает в области отсечки и действует как разомкнутая цепь. В этом случае коммутационная нагрузка (в данном случае светодиодная лампа) подключается к стороне выхода с опорной точкой. Таким образом, когда транзистор включен, ток будет течь через нагрузку или светодиод на землю.

Читайте также – Применение MOSFET

Транзистор в качестве усилителя:

Транзисторные схемы используются в качестве схемы усилителя.В предыдущей статье мы подробно обсуждаем схему транзисторного усилителя и как работает транзисторный усилитель?.

Если вы не читали, то рекомендуем прочитать — Транзисторная схема в качестве усилителя

Почему транзисторы используются в повседневной жизни?

Ранее электронные лампы использовались для тех же целей, но после изобретения транзистора транзисторы стали использоваться практически во всех приложениях малой мощности. Из-за транзистора размер ИС уменьшился.Транзистор имеет следующие краткие преимущества для использования в некоторых практических приложениях:

  • Меньший размер, поэтому в устройстве требуется меньше места
  • Коэффициент усиления по высокому напряжению
  • Для работы требуется низкое напряжение питания
  • Нет проблем с нагревом во время работы
  • Твердотельное устройство Итак, они механически настолько прочны.
  • При использовании транзистора в ИС размер производимой ИС настолько мал, что ее можно легко переносить.

Читайте также – Применение полупроводников

Резюме :

Транзистор является основным полупроводниковым устройством, которое используется для регулирования тока и напряжения в небольших электронных схемах.Транзисторы используются во многих схемах усиления для усиления слабых сигналов. В наши дни они используются почти во всех электронных устройствах. Сотовые телефоны содержат транзисторную схему в качестве схемы усиления звука.

Транзисторы настолько малы по размеру, что размеры современных ИС уменьшились, и мы получили выгоду. Они также используются в некоторых аэрокосмических приложениях. Так что одной строкой можно сказать, что благодаря изобретению транзистора возможна современная электроника. надеюсь, вы понимаете применение транзистора в повседневной жизни и повседневное использование транзистора.

Если у вас есть какие-либо вопросы по этой теме, не стесняйтесь задавать их в комментариях. Спасибо.

источник изображения – www.electronicshub.org

Ознакомьтесь с некоторыми популярными статьями —

Применение параллельных двигателей постоянного тока

отсутствие заявления в школу

Продолжить чтение

Каковы общие применения транзисторов? (с рисунками)

Обычное применение транзисторов включает цифровые и аналоговые переключатели, усилители сигналов, регуляторы мощности и контроллеры оборудования.Транзисторы также являются строительными блоками интегральных схем и большинства современных электронных устройств. Микропроцессоры часто включают в себя более миллиарда таких элементов в каждом чипе. Транзисторы используются почти везде, от печей до компьютеров и кардиостимуляторов до самолетов.

Транзисторы используются в аудиотехнике и других электронных устройствах.

Первые транзисторы были произведены в конце 1940-х годов в качестве полупроводниковой замены электронных ламп. Ранние применения транзисторов включали телефонное оборудование, радиоприемники и слуховые аппараты. Компьютеры размером с комнату были переработаны для использования транзисторов, что уменьшило их размер и проблемы с перегревом. По сравнению с лампами транзисторы маленькие, дешевые и легкие, они также долговечны и нечувствительны к вибрации или ударам. Благодаря отсутствию времени прогрева, низкому рабочему напряжению и длительному сроку службы транзистор быстро заменил большинство ламповых технологий.

Каждый чип микропроцессора может иметь миллиарды транзисторов.

Повышение портативности привело к появлению множества новых применений транзисторов в 1950-х и 1960-х годах.Калькуляторы, телевизоры и мегафоны стали меньше и доступнее; некоторые из них были даже невозможны, пока не был изобретен транзистор. Домашние стереосистемы и любительские радиопередатчики также стали более доступными. Военные использовали мощные радиочастотные (РЧ) возможности транзистора в радарах и портативных рациях. По мере совершенствования технологии некоторые производители компьютеров предлагали полностью транзисторные модели, которые больше не занимали всю комнату.

В автомобильных инверторах используются сильноточные транзисторы.

В начале 1960-х годов была создана интегральная схема (ИС), объединяющая сотни соединенных между собой транзисторов на небольшом кристалле. Вскоре ИС содержали тысячи маломощных транзисторов, что делало компьютеры и бытовую электронику очень портативными. Однако многие применения дискретных транзисторов остаются для устройств средней и большой мощности. Размер материала и рассеивание тепла, необходимые для большего тока и напряжения, просто требуют более крупного устройства.Например, в большинстве аудиоусилителей, импульсных источниках питания и контроллерах двигателей используются отдельные силовые транзисторы.

В конце 1940-х годов первые транзисторы использовались в качестве полупроводниковой замены электронных радиоламп.

Существует множество других применений силовых транзисторов, включая зажигание автомобилей, системы управления и аксессуары.Медицинские устройства, средства управления промышленными машинами и навигационное оборудование зависят от характеристик транзисторов. В преобразователях мощности для питания бытовых кондиционеров от автомобильных аккумуляторов постоянного тока используются сильноточные транзисторы. Некоторые приложения могут также включать цифровые, аналоговые или смешанные ИС вместе с силовыми транзисторами. Даже в схемах средней мощности, таких как драйверы катушек и дисплеев, часто используются дискретные транзисторы или небольшая транзисторная матрица.

В транзисторных приложениях специального назначения также используются отдельные устройства.Мобильные телефоны и микроволновые системы включают в себя транзисторы, способные работать на частотах до сотен гигагерц. Радиационно-стойкие транзисторы обычно используются в спутниках и других аэрокосмических устройствах. Чрезвычайно чувствительные пары транзисторов Дарлингтона часто встречаются в сенсорных и светочувствительных устройствах. Являясь частью оптоизолятора, фототранзистор также может электрически изолировать одну цепь от другой, но при этом контролировать ее.

Нанотехнологии и органические материалы внедряют новые типы транзисторов.Кроме того, каждый год производится более миллиарда дискретных транзисторов. Поскольку каждый микропроцессор производится примерно миллиардом раз, применение транзисторов кажется почти бесконечным.

Одним из первых применений транзистора были слуховые аппараты.

Применение транзистора — Схемы применения транзистора и его применение

Применение транзистора

Транзисторы будут называться строительными блоками всей области электроники, многие приложения написаны после транзисторов.В этой статье мы обсуждаем применение транзисторов, обсуждение включает в себя несколько тем, таких как применение транзистора в повседневной жизни, применение транзистора BJT, применение транзистора NPN, применение транзистора PNP, применение силового транзистора, схемы применения транзистора, использование транзистора.

 

Применение транзистора не ограничивается односторонним способом, поскольку каждое из приложений в основном зависит от типов транзисторов, таких как BJT , FET , MOSFET , транзистор Дарлингтона, транзистор Шокки, многоэмиттерный транзистор, фототранзистор, лавинный транзистор и т. д.

 

Применение транзистора в быту

 

Ранее мы упоминали, что транзисторы называют строительным блоком электроники, современная повседневная жизнь в основном зависит от электронных систем, поэтому, естественно, повседневные приложения также включают транзисторы.

 

1. Транзисторы применяются как в аналоговых, так и в цифровых схемах.

 

2. Регулятор мощности в блоке питания электронных устройств,

  • Зарядное устройство для мобильного телефона
  • Адаптеры переменного тока в постоянный
  • Блок питания телевизора
  • ИИП
  • Магнитофон

 

       3.Интегральные схемы состоят из тысяч транзисторов.

  • Микроконтроллеры
  • Микропроцессоры
  • Логические блоки

 

5. Логическая работа микроконтроллеров и микропроцессоров осуществляется с помощью транзисторов.

 

6. В схемах усилителей в качестве элемента усиления используются транзисторы.

 

Применение биполярного транзистора

 

Применение транзистора BJT

 

Биполярный переходной транзистор находит огромное применение почти во всех электронных схемах. BJT представляет собой трехвыводное устройство, а именно коллектор, эмиттер и базу, которое состоит из двух типов NPN-транзистора и PNP-транзистора.

 

BJT нашел широкое применение в схемах переключения и схемах усилителей, схемах переключения, таких как небольшие устройства, на большие схемы, транзисторы известны как электронные переключатели, обычные переключатели имеют минимальную частоту переключения, но транзистор как переключатель работает с частотой до 1000 Гц.

 

А также BJT работает как схема усилителя, уровень амплитуды сигнала увеличивается с помощью схемы усилителя, эта функция выполняется с помощью различных схем подключения транзисторов, таких как общий эмиттер, общая база и общий коллектор.

 

Транзистор NPN

 

Применение NPN-транзистора

 

Здесь ясно, что полупроводник n-типа является основным носителем, применение NPN-транзисторов больше, чем PNP-транзистора, из-за протекающего характера электронов n-типа выше, чем дырок p-типа. Транзистор NPN представляет собой транзистор типа BJT, который состоит из двух полупроводников n-типа, разделенных тонким слоем полупроводников p-типа.

Транзистор NPN BJT представляет собой устройство с тремя выводами, такими как эмиттер, база и коллектор, подключение напряжения питания всегда осуществляется таким образом, что коллектор подключается к положительному, вывод эмиттера к отрицательному, а вывод базы для управления состоянием ВКЛ/ВЫКЛ. транзистора, который зависит от напряжения.

 

Транзисторы NPN применяются в коммутационных устройствах в качестве малых и больших цепей, схем усилителей, высокочастотных устройств, двухтактных комплементарных усилителей на транзисторах и логических преобразователей.

 

Применение транзистора PNP

 

Применение транзистора PNP

 

Транзисторы PNP BJT полностью отличаются от транзисторов NPN, начиная с внутренней структуры и заканчивая всей работой.

 

В транзисторе PNP мы видим, что два полупроводника p-типа разделены тонким слоем полупроводника n-типа, поэтому транзисторы PNP имеют отверстия p-типа в качестве основных носителей.

 

Небольшой ток базы может управлять большим током эмиттер-коллектор, из-за этого транзистор PNP известен как токопроводящее устройство.

 

Транзисторы PNP также представляют собой устройство с тремя выводами, а именно эмиттер, коллектор и база, и символ указывает, что ток базы протекает снаружи.

 

Транзистор PNP находит применение в сильноточных приложениях, сильнодействующих переключающих устройствах, приложениях усилителя мощности, устройствах аварийного отключения (высокоскоростной режим), парных цепях Дарлингтона, согласующих парных цепях, тяжелом двигателе для управления сильноточным потоком и роботизированных приложениях.

Силовой транзистор

 

Применение силового транзистора

 

Перед тем, как перейти к применению силового транзистора, нам нужно знать основные понятия о силовых транзисторах.

 

Силовые транзисторы не являются другим устройством по сравнению с обычным транзистором, основная структура и функциональность силовых транзисторов такие же, как у обычного транзистора, но номинальная мощность или емкость силовых транзисторов выше, чем у обычного транзистора.

 

По этой причине силовые транзисторы являются основным компонентом в приложениях силовой электроники, общий номинальный ток силового транзистора выше, а напряжение должно быть в постоянном диапазоне.

 

Каждый тип транзистора имеет свой тип силового транзистора, даже это BJT, комбинация комплементарных транзисторов PNP-NPN работает как усилитель мощности, это также тип силового транзистора, высокочастотное коммутационное приложение, сильноточные источники питания, высокие приложения для управления током двигателя, IGBT в приложениях с инвертором, полевой транзистор (FET) в приложениях для управления током, POWER MOSFET в приложениях автомобильной автоматики и автомобильных систем.

 

Цепи применения транзисторов

 

 

1.   Схема с общим эмиттером

 

Схема с общим эмиттером

 

Конфигурация с общим эмиттером представляет собой обычно используемую транзисторную сеть, схемное соединение этой конфигурации аналогично, вывод базы транзистора действует как вход схемы, а коллектор транзистора служит выходом схемы, а эмиттер транзистора принимается за общее соединение для базы и коллектора.

Это причина, по которой соединение является конфигурацией с общим эмиттером.

 

Важные элементы схемы с общим эмиттером

 

  • Общие эмиттеры обеспечивают значительно улучшенный коэффициент усиления по напряжению при среднем коэффициенте усиления по току.
  • Общий эмиттер имеет среднее входное и выходное сопротивление
  • Нормальная работа схемы будет выглядеть так: они инвертируют входной сигнал, и, другими словами, у нас есть фазовый сдвиг на 180 градусов на выходе схемы.
  • Для построения схемы с общим эмиттером требуется несколько компонентов.

 

Применение схемы с общим эмиттером

 

1. Цепь аудиоусилителя

2. Усилитель напряжения низкой частоты

3. Базовая схема включения логических схем

4.   Радио 

2.    Общий коллектор   Цепь с общим коллектором

 

Схема с общим коллектором находит применение в сильноточных цепях, соединения схемы с общим коллектором транзистора аналогичны, а вход схемы между клеммами эмиттер-база и выход схемы являются коллектор-эмиттер.

 

Важные моменты конфигурации общего коллектора

 

  • Конфигурация с общим коллектором имеет высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление.
  • Коэффициент усиления по напряжению для схемы меньше, а коэффициент усиления по току у них больше.
  • Сигнал этой цепи имеет входной и выходной сигналы, которые совпадают по фазе.

 

Применение схемы с общим коллектором

 

1.Схема неинвертирующего усилителя

2.   Эти схемы используются в качестве устройства согласования полного сопротивления

.

3.   Используется в цифровом канале логической сети

4. Используется в коммутационных цепях

5. Используется в сильноточных схемах усиления

 

3.   Цепь с общей базой

 

Общая базовая схема

 

В схеме клемма базы транзистора используется как общая как для входа, так и для выхода сигнала.

 

Входной сигнал подается между выводами база-эмиттер транзистора, а соответствующий этому выходу – между выводами база-коллектор транзистора, при этом вывод базы заземлен.

Важные моменты общей базовой конфигурации

 

  • Для этой конфигурации с общей базой коэффициент усиления по току обычно равен или меньше единицы.
  • Коэффициент усиления по напряжению в этой цепи высокий, по этой причине конструкция цепей затруднена.
  • У них был высокий выходной импеданс и низкий входной импеданс.
  • В этой цепи входной и выходной сигналы совпадают по фазе.

Применение схемы с общей базой

 

1.   Используется как неинвертирующий усилитель.

2.   Используется в качестве предусилителя в микрофонах с подвижной катушкой.

3.   Используется на УВЧ и УКВ, ВЧ усилитель.

4. Используется в низкочастотных схемах.

5.   Используется в качестве схемы буфера тока.

 

 

4.   Схема усилителя на транзисторе с общим эмиттером  Схема усилителя на транзисторе с общим эмиттером

 

Схемы усилителей с общим эмиттером являются базовыми однокаскадными усилителями, они будут работать как усилители напряжения.

 

Так же, как и в конфигурации с общим эмиттером, вход берется с клеммы базы транзистора, выход может браться с клеммы коллектора, эмиттер является общим для входа и выхода.

 

Объяснение схемы усилителя на транзисторе с общим эмиттером  

 

Схема, показанная ниже, представляет собой схему усилителя, на входе которой резисторы R1-R2 образуют делитель напряжения, используемый для подачи напряжения смещения на транзистор.

 

Резистор RL используется на выходе в качестве нагрузочного резистора, резистор RE служит для термостабильности всей цепи.

 

Тогда конденсатор C1 является входным конденсатором для отдельного сигнала переменного тока от напряжения смещения постоянного тока, известного как конденсатор связи.

 

5.   Транзисторная схема эмиттерного повторителя Транзисторная схема эмиттерного повторителя

 

Детали конструкции схем транзисторных эмиттерных повторителей очень похожи на схему усилителя.

Выход берется с эмиттерной клеммы транзистора, а не с коллекторной клеммы, что является особенностью схемы эмиттерного повторителя.

Вход расположен между клеммами база-эмиттер.

Важные элементы цепи эмиттерного повторителя

 

  • Схема не имеет коэффициента усиления по напряжению, но имеет высокий коэффициент усиления по току и мощности.
  • Высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс.
  • Входной и выходной сигналы совпадают по фазе.
  • Имеет ток холостого хода для функции согласования импеданса.
  • Схема эмиттерного повторителя также известна как схема с общим коллектором.

Применение эмиттерного повторителя в некоторых схемах
 

1.Регулируемый стабилитрон

Эти схемы в основном используются в схемах зарядных устройств сотовых телефонов.

1.   Простой регулятор скорости двигателя

Двигатели будут подключены через вывод транзистора-эмиттера для управления скоростью двигателя.

 

 

6.   Двухтранзисторная схема усилителя   Схема двухтранзисторного усилителя

 

Основным применением транзисторов является схема усилителя, обычные одноступенчатые усилители показали гораздо более низкую выходную мощность, двухтранзисторные усилители или двухступенчатые усилители состоят из транзисторов NPN и PNP, готовых обеспечить высокую выходную мощность.

 

Одной из особенностей этой схемы является то, что компонентов схемы в усилителе немного, а транзисторы, используемые в схеме, являются комплементарными транзисторами.

 

Важные моменты схемы двухтранзисторного усилителя

 

  • Схема усилителя обеспечивает достаточное усиление или согласование выходного сопротивления 
  • Схема обеспечивает более высокий уровень изоляции ввода-вывода
  • Цепь имеет более высокий коэффициент усиления или более высокую пропускную способность

 

Недостатки двухтранзисторной схемы усилителя

 

  • Выходная мощность схемы мала для эффективной выходной нагрузки.
  • У них был зашумленный выходной сигнал, когда схема устарела.
  • Цепь имела плохую передачу мощности
  • Плохая способность согласования импеданса
  • Схема больше по размеру
  • Для схемы также требуются мощные цепи питания.

7.   Транзистор в качестве переключателя

 

Транзистор в качестве переключателя

 

Транзистор работает как обычный переключатель в цепях, но частоту переключения необходимо изменять в приложениях путем модификации схемы, высокоскоростное переключение до 1000 или 2000 Гц — это возможность схемы переключения транзистора.
Мы знаем, что транзисторы называются электронными переключателями, в связи с этим применение транзисторов в электронных схемах огромно.

Как правило, транзистор работает в 4 областях работы, а именно в активном состоянии, состоянии отсечки и состоянии насыщения, каждая из цепей работает на основе транзистора в этих рабочих областях.

Транзистор работает в зонах насыщения и отсечки для работы коммутационных цепей.

Схема, показанная выше, представляет собой переключение транзистора ВКЛ/ВЫКЛ для светодиодов, базовый резистор транзистора RB устанавливает напряжение для начала работы транзистора, которое равно 0.7v, подключенный между клеммами эмиттер-база.

При этом на переход коллектор-эмиттер не поступает напряжение.

В этом состоянии транзистор работает как переключатель, а светодиод светится.

Таким же образом, на входе нет напряжения, транзистор работает в области отсечки и работает как разомкнутая цепь.

Операция транзисторного переключения находит применение в большем количестве схем, больших и меньших цепях

 

1.Переключение инвертора

2. Переключение SMPS

3.   Переключение мультивибратора

 

8.   Цепь управления реле с использованием транзистора 

 

 

Схема управления реле с использованием транзистора


Реле являются одним из важных компонентов в электронике, они называются выходными устройствами, которые доступны в различных формах и размерах, и они нашли широкое применение в электронике.

Обычно реле используются для управления (ВКЛ./ВЫКЛ.) мощным устройством с использованием электронной схемы.

 

Работа цепи управления реле с использованием транзистора  

 

Приведенная выше схема представляет собой транзисторную схему управления реле, состоящую из реле с обратным диодом и транзистора с базовым резистором RB.

Напряжение драйвера базы транзистора на транзисторе является основным источником для управления работой реле, поэтому их необходимо тщательно рассчитать и правильно выбрать.

Резистор базы RB основан на токе через клеммы коллектор-эмиттер транзистора или также называется током катушки реле.

 

Применение схемы управления реле с использованием транзистора

 

Это схема драйвера реле с использованием транзистора, применение этой конкретной схемы в основном происходило при взаимодействии между переменным и постоянным током в одной и той же цепи.

 

1. Цепь преобразователя переменного тока в постоянный

2.Схема инвертора

 И цепные приложения также в сильноточных цепях

1. Устройства управления двигателем

2. Системы промышленной автоматизации

3. Системы ПЛК

4. Системы сигнализации на железнодорожных сетях

5. Распределительные сети

 

Вывод для транзистора

 

Мы знаем, что мир без транзисторов называется никаким развитием электроники и техники, до изобретения транзисторов мир начинает работать по-другому, объяснение применения транзисторов в этом посте не заканчивается.

Транзистор работает как энергетический клапан, используя входной триггер для управления выходным сигналом, если это схема переключения на транзисторе или схема усилителя на транзисторе, транзистор работает почти так же, разница только в транзисторе регион эксплуатации.

Когда мы переходим к прикладному уровню транзистора, рабочая операция приложения транзисторной схемы почти такая же, но в течение нескольких дней, поскольку разные транзисторы схемы доступны для разных схем, а также для разных уровней энергии.

 

Транзистор как применение

 

BJT и MOSFET — это два типа транзисторов, но они разработаны для разных схемных применений, сравнивая BJT и MOSFET, мы можем обнаружить большее количество систем защиты и более высокий уровень мощности, выдаваемый MOSFET.


Например, биполярный переходной транзистор используется для усиления, переключения и цепей с умеренным уровнем энергии, но дело обстоит так же с полевым транзистором, это транзистор управления током, используемый в приложениях со сверхвысоким током, полевые МОП-транзисторы относятся к другому типу транзистора, который является самым быстрым коммутационным компонентом, особенно для инверторов, ИБП и схем SMPS.

 

Мы можем завершить этот пост, так как транзисторы имеют большое значение на любом уровне развития электроники, будь то аналоговый или цифровой, или если это небольшой датчик или система автоматизации, мы можем обнаружить транзистор на внутреннем компоненте.

Цифровые приложения — Транзисторы и транзисторные схемы Видеолекция

Мы находимся в Разделе 10-4, и он будет разделен на разделы A и B. A будет рассматривать цифровые приложения, а B — аналоговые приложения.Мы собираемся ограничиться лишь рассмотрением приложений в этой конкретной главе. О применении транзисторов написаны целые книги, потому что их очень много. Мы просто рассмотрим небольшую выборку вещей, которые можно сделать с помощью транзисторов.

В первую очередь цифровые приложения. Когда транзистор используется в качестве переключателя, он либо полностью открыт, либо полностью выключен. Транзисторные переключатели распространены в цифровых схемах, промышленных схемах управления, охранной сигнализации, компьютерных схемах и многом другом.Транзисторный переключатель, используемый в качестве драйвера лампы, показан справа. Здесь у нас есть компьютер, и он подключен к транзистору и к свету. Напомним, что транзистор как переключатель либо полностью включен, либо полностью выключен. Это будет соответствовать насыщению и отсечке. Это термины, которые используются для описания этого. В отсечке тока нет. Насыщенность максимальная.

Промышленный компьютер, выходные данные будут… с компьютером у вас будет два уровня выходных данных, и обычно это нулевой и пятый уровни.Ноль для низкого и 5 вольт для высокого. Если в этой конфигурации есть ноль вольт, то смещение от эмиттера к базовому переходу будет равно нулю и нулю. Если на этом диоде есть нулевые болты, ток не течет. Если в эмиттере есть ток, то в коллекторе нет тока. Это похоже на открытый переключатель. Если бы мы измерили напряжение здесь, вы бы увидели 24 вольта. Предохранитель минус. Транзистор в этом случае по существу выглядит как разомкнутый ключ, потому что нет падения напряжения.На нем есть падение напряжения, но здесь это просто напряжение питания. Он не проводит ток, и на нем нет напряжения, поэтому он выключен.

Если у нас есть вход 5 вольт, выходящий из нашего компьютера, он сначала увидит этот базовый резистор здесь, а затем увидит сопротивление диода. Диод упадет на 0,7, и это упадет на 4,3 из этих 5 вольт, если это 5-вольтовый вход. Что произойдет в этом случае, так это то, что теперь у нас есть правильное смещение. Диод включится, и этот диод будет проводить то, что мы называем насыщением.Он будет вести себя настолько жестко, насколько это возможно. Смещение на базе-коллекторе, оно тоже уйдет в насыщение. Обычно то, что вы видите здесь, помните, у нас здесь ноль. Здесь мы видим 0,7.

Напомним, что здесь просто еще один диод. Это просто еще один диод, и он будет насыщаться, он будет проводить изо всех сил. В итоге вы получите 0,7, а затем оно будет приближаться к нулю. То, что вы обычно видите здесь, может быть от 0,1 до 0,2 вольта. Теперь у нас есть ситуация, когда, если мы измерим напряжение отсюда до сюда, мы увидим, может быть, 0.2 вольта. Это будет выглядеть почти как мертвый шорт. В результате, если здесь всего 0,2 вольта, значит, на этом свете будет 23,8 вольта. Свет бы осветил.

Одним из преимуществ использования транзистора в этой конфигурации является то, что перед нами настоящий промышленный компьютер. Компьютер не собирается выдавать много тока. Помните, что ток, протекающий через транзистор, является функцией того, что мы называем бета-частотой, а на самом деле отношения тока между коллектором и базой.Помните, что бета сильно различается, и бета может быть, я просто назову здесь число, оно может быть 300. Это будет означать, что ток коллектора будет в 300 раз больше, чем ток базы. Помните, мы сказали, что когда ток течет через эмиттер, для практических целей мы говорим, что IE равно IC, потому что такое крошечное количество тока действительно проходит через базу.

Допустим, у нас есть 1 ампер тока, протекающего от эмиттера к базе, и если бета равна 300, то ток, который будет нагружать этот компьютер, будет 1 ампер, деленный на 300, что будет очень мало.Это еще одна причина, по которой транзистор используется в качестве интерфейса, потому что он просто не будет нагружать источник. Он говорит, чтобы он включился.

 

Интегральные логические схемы

Все современные компьютеры построены на интегральных схемах, т.е. ИС. ИС состоят из десятков, тысяч и даже миллионов интегральных транзисторов. Выводы на микросхеме подключаются к некоторым интерфейсным транзисторам.

Биполярный. В современных ИУС биполярные транзисторы используются не так часто, как в прошлом, но их функции по-прежнему применимы.На самом деле, очень часто они используют МОП-технологии.

 

Входная цепь

Здесь у нас входная цепь. В этой схеме используется транзистор с общим коллектором PNP и диоды Шоттки. Это может быть вход в цифровую схему. Здесь используются диоды Шоттки. Что это собирается сделать, так это защитить вход здесь от высокого напряжения. Если напряжение слишком высокое, оно закоротит землю через диод Шоттки.

D2 — коллекторный фиксирующий диод.Это удерживает Q1 от слишком глубокого насыщения. Это позволяет схеме быстрее переключаться с насыщения на отсечку. Что они обнаружили в транзисторах, так это то, что они входят в насыщение слишком глубоко, им требуется некоторое время, чтобы выйти из насыщения и войти в отсечку. Этот диод предотвратит слишком глубокое насыщение транзистора. Выходной сигнал будет здесь, и выходной сигнал будет либо высоким, либо низким в зависимости от отсечки или насыщения. Опять же, в этой конкретной ситуации, если транзистор отключен, то здесь будут ощущаться полные 5 вольт.Если транзистор насыщен, напряжение здесь и здесь будет, вероятно, около 0,2 вольта, поэтому выход будет около 0,2 прямо здесь, потому что здесь 0,2 здесь и здесь, тогда вы получите свой выход прямо здесь. Выходы в этом будут, вероятно, около 0,2 и 5 вольт. Это будет низкий уровень. Это было бы кайфом.

 

Выходная цепь тотемного столба

Затем у нас есть выходная схема тотемного столба. Эта логика тотализатора обеспечивает либо высокий, либо низкий выходной сигнал. Если T3 включен, T4 выключен, и наоборот.Здесь у нас есть эта уникальная конфигурация, и идея здесь в том, что один транзистор будет включен, а другой выключен. Когда это происходит, транзистор включен, помните, что мы смотрели на насыщение. Если он включен, у нас есть только около 0,2 вольта на нем. Тогда, если это 5-вольтовая логика, то остаток напряжения будет здесь. Если это заземлится прямо здесь, тогда это даст нам кайф.

Обратная ситуация, если бы это проводило, то здесь около 0,2 вольта. Это было бы открыто.Большая часть нашего напряжения будет падать здесь. Здесь будет около 0,2 вольта. Это будет представлять наш минимум. Это выходная схема с тотемным полюсом, часто используемая в цифровых схемах выходного каскада.

 

МОП-транзистор: КМОП-инвертор

Затем у нас есть MOSFET, и это инвертор CMOS. МОП-транзисторы используются в большинстве ИС, выпускаемых сегодня для цифровых продуктов. Обычно используются как p-, так и n-канальные устройства. Если вы посмотрите на это, здесь у нас есть вход, здесь у нас есть выход.Это КМОП n-типа, а это p-типа. Мы увидим, что нулевое напряжение приведет к отключению Q2 и насыщению Q1. У нас нулевой болт. Если у вас нет поступающих болтов, Q2 будет отрезан, а этот насытится.

С этими полевыми МОП-транзисторами электронного режима будет происходить то же явление. Когда этот будет отрезан, он будет представлять абсолютно гигантское сопротивление. Когда этот обрежут, он будет выглядеть как короткометражка. С CMOS сопротивление здесь настолько велико, а короткое замыкание здесь такое маленькое падение, что в довольно близком приближении выходы будут либо ноль, либо пять вольт.Другое, 5 вольт, вызовет насыщение Q2, это будет закорочено, а Q1 будет отключен. Это та же идея, что и логика тотемного столба. Один включен, а другой выключен.
Кривая передачи в вашем тексте показывает, что точки кроссовера составляют около 2,5 вольт. У вас есть вход, вероятно, ноль и 5 вольт или ноль и 3,5 или в зависимости от цифрового логического уровня. Точки кроссовера около 2,5 вольт. В вашем тексте об этом не упоминается, но технология CMOS делает возможными устройства с очень низким током.В таких вещах, как цифровые часы и спутники, используется технология CMOS, потому что они должны работать при очень малых токах. Возможно, вы заметили, что в цифровых часах батарея работает вечно, потому что они построены с использованием технологии CMOS, которая работает с очень низким током.

 

Гибрид

Потом есть гибриды. Биполярные технологии, как правило, быстрее, чем технология MOSFET, но потребляют значительно больше энергии. Биполярные быстрее, но потребляют много энергии.МОП-транзисторы имеют очень низкий ток. Биполярные устройства также управляют большими нагрузками на более высоких скоростях, чем МОП-транзисторы. Биполярный больше подходит для более высоких нагрузок. Устройства MOSFET могут быть построены с более высокой плотностью. Производители часто комбинируют эти две технологии в ИС. В пределах данной микросхемы МОП-транзистора вы можете поместить их много на микросхему. Вы можете упаковать их с более высокой плотностью, чем с биполярным. Такие производители, как Intel, часто будут иметь то, что они называют гибридом, который будет комбинацией технологии MOSFET и биполярности в их цифровых технологиях.

 

Устройства памяти  

Все компьютеры широко используют полупроводниковую память. В качестве элементов памяти используются транзисторы (биполярные и MOSFET). Память MOSFET является более распространенной. Каждый бит двоичных данных представлен срезанным или насыщенным полевым МОП-транзистором. Обратите внимание, что каждый бит данных памяти представлен либо отсечкой, либо насыщенным МОП-транзистором. МОП-транзистор у вас будет восемь крошечных МОП-транзисторов для представления одного бита данных.

Кроме того, устройства памяти, использующие биполярные и полевые МОП-транзисторы, когда вы смотрите на компьютер и видите кэш, L1 и L2 построены из этого типа устройств.Эта часть обычно встроена прямо в микропроцессор. Вы увидите это в памяти вашего ПК.

Это был очень краткий обзор некоторых применений транзисторов. Мы смотрели на память. Мы рассмотрели гибридные, МОП-транзисторы, КМОП, тотемный выход. Мы рассмотрели интегральные логические схемы. На этом мы завершаем наш взгляд на цифровые приложения. В следующем разделе мы рассмотрим линейные применения транзисторов.

Видеолекции, созданные Тимом Файгенбаумом в муниципальном колледже Северного Сиэтла.

Применение линейных транзисторов — Транзисторы и транзисторные схемы Видеолекция

Мы продолжаем читать раздел 10.4, и в этом разделе мы сосредоточимся на линейных приложениях.

Транзисторы

продолжают использоваться в линейных приложениях. Большинство транзисторных приложений выполняют интерфейсные функции. Интерфейс используется для обеспечения совместимости уровней тока или напряжения в одной части системы с другой частью системы. Линейные ИС состоят из нескольких тысяч соединенных между собой транзисторов, которые выполняют желаемую функцию.

Мы начинаем с усилителя тока.

 

Усилитель тока

Приведенная ниже схема используется в качестве усилителя тока в промышленной компьютерной системе. Здесь у нас есть компьютерные схемы, и помните, что они будут выводить нули и единицы, а затем у нас есть что-то, называемое ЦАП, и это цифро-аналоговый преобразователь, так что он будет принимать эти цифровые данные и преобразовывать их в аналоговый сигнал.

Давайте посмотрим на наше обсуждение здесь.

Цифро-аналоговый преобразователь преобразует двоичные данные в аналоговый формат для управления физическими величинами, такими как скорость двигателя, температура и давление, и эти устройства обычно называют датчиками. Это устройства, которые преобразуют физические величины в электрические величины и наоборот. Иногда они берут величины и преобразуют их в напряжение, и эти устройства используются в промышленном контроле.

Здесь у нас схема — исполнительская дисфункция.

Q1 настроен как эмиттерная полярность.Он передаст аналоговое значение на внешнее устройство. Полярность эмиттера увеличивает ток в зависимости от данных для питания внешнего устройства. Здесь у нас есть схема, двоичные данные преобразуются в аналоговые. Аналоговые данные подаются на транзистор, и обратите внимание, что он находится в конфигурации эмиттерного повторителя, поэтому в основном любое значение здесь будет найдено здесь в той же фазе. Разница в том, что выходное сопротивление значительно уменьшилось, а ток увеличился. Помните о токе, протекающем через эмиттер — большая его часть идет на коллекторы, так что лишь небольшая часть этого тока на самом деле будет ощущаться через базу, и это предотвратит ненужную нагрузку на наш цифро-аналоговый преобразователь.

 

Специальные конфигурации усилителя

Существует несколько специальных конструкций усилителей, используемых во многих приложениях, в которых используется соединение нескольких транзисторов. Мы собираемся посмотреть на пару Дарлингтона. Мы рассмотрим дифференциальные усилители, а они, кстати, являются строительными блоками для линейных интегральных схем. Позже в тексте мы рассмотрим нечто, называемое операционным усилителем, или буквально, тысячи различных конфигураций построены с усилителями, и дифференциальный усилитель является входным каскадом для этих устройств.Затем мы рассмотрим нечто, называемое усилителем Cascode.

 

Пара Дарлингтона

Хорошо. Здесь у нас есть пара Дарлингтона. Давайте посмотрим, вспомним, что ток база-коллектор является функцией бета. Теперь, помните, мы говорили об этом. Мы сказали, что бета равна IC над IB, и мы просто… мы говорили об этом, но помните, что ток, который проходит через середину — только небольшая часть проходит через базу — большая часть идет к коллектору. Так как там два транзистора… размещены вместе, база … или эмиттер к базе, общая сумма залога будет зависеть от бета, умноженной на бета. Если бета для этого транзистора была… Давайте просто… Я напишу здесь число, 141, а бета для этого транзистора была 141, и если мы их умножим, вы получите около 20k. . Ток, проходящий здесь, будет в 20 000 раз больше, чем ток, который проходит здесь, так что это большое изменение.

Теперь, в этом конкретном устройстве, ваш учебник не показывает это так.В вашем учебнике на самом деле показаны два отдельных транзистора, но это … этот BCX38B фактически помещает два транзистора в один корпус, а не разделяет их. Теперь то, что вы увидите здесь, если вы внимательно посмотрите на это — вы увидите, что подошли. Поскольку ток подается через эмиттер, он идет к базе, и поэтому у нас будет ток, выходящий из базы, и это будет функция 141 раз, если это бета, меньшая, чем у эмиттера, и затем он подключен к этому один и тот маленький, этот крошечный ток проходит здесь.Затем снова, если бета равна 141, она снова уменьшается на эту долю.

Ток от базы к эмиттеру будет зависеть примерно от 20 л, если это действительно так. Причина, по которой я использовал это конкретное число, заключается в том, что общее усиление тока может достигать 20 000 с наконечником Motorola 101. Теперь это пара Дарлингтона, о которой они упоминали в вашем тексте, которая имеет эту конкретную бета-версию. Если вы возьмете квадратный корень, вы получите вот что, поэтому бета достигает примерно 141.

Поскольку напряжение остается неизменным, а ток резко увеличивается, сопротивление очень низкое. Помните, что когда у вас было напряжение, поступающее на базу, и оно сбрасывалось с эмиттера, напряжение оставалось почти таким же, но ток резко увеличивался. Помните, что сопротивление обратно пропорционально току, поэтому, если этот фактор подскочит вверх, сопротивление уменьшится на этот же коэффициент. Это… помните, мы говорили об эмиттерном повторителе, который использовался для понижения выходного импеданса, и поэтому, когда вы используете этот тип устройства, выходной импеданс будет уменьшен всего на … просто огромный фактор. Это было бы… выходные импедансы были бы очень низкими, и это подходило бы для управления низким импедансом, возможно низким… мы говорили о динамике; мы подключили динамик здесь. Этот тип устройства обычно используется для управления его оконечными выходными каскадами в усилителях.

Хорошо. Выход имеет очень низкий импеданс, который обеспечивает высокий входной импеданс для следующего каскада или вывода и повторного вызова. Мы говорили об усилителях, если бы у нас был… низкий выходной импеданс позволил бы послать сигнал на следующий каскад, а если следующий каскад имеет высокий входной импеданс, то большая часть этого сигнала фактически будет захвачена.

 

Дифференциальные усилители

Помните, это то, о чем мы говорили, дифференциальные усилители. Это входной каскад операционных усилителей. Выходы будут равными, но противоположными. У меня есть небольшой скриншот здесь. На самом деле это из этой конкретной схемы в электронном верстаке, и здесь показаны выходы Q1 и Q2. Вы заметите, что они равны, но они противоположны.

Без входа выходная разность между Q1 и Q2 будет равна нулю вольт, поэтому нам нужно немного изучить теорию того, как это работает на самом деле.Обратите внимание, что у нас есть положительные 20 вольт здесь, в верхней части усилителя, и отрицательные 20 вольт, здесь, внизу. Что произойдет здесь, так это то, что у нас есть эти 20 вольт на этом компоненте прямо здесь, и это около 20 вольт. Что в конечном итоге произойдет, так это то, что, поскольку у нас есть наш источник, подключенный вот так эффективно, у нас есть земля здесь и земля здесь. Теперь у нас нет … это не … это заземлило бы переменный ток, но поскольку у нас есть источник сигнала, эффективно подключенный к земле, это работает именно так.

Минус 20 вольт будет означать, что здесь будет 0,7 падения, здесь 0,7 падения, и, таким образом, на этом 100-киловольтном компоненте будет 19,3 вольта. Теперь это разовьет специфический поток, и этот поток будет разделен на две части — половина пойдет туда, половина пойдет сюда. Теперь, если эти два транзистора идентичны, что является требованием для них, у нас будет точно такой же ток, протекающий здесь, и точно такой же ток, протекающий здесь.

Теперь, во что это выльется… предположим, что здесь около 10 вольт на коллекторе, а здесь мы скажем 10 вольт на коллекторе. Теперь, поскольку это точно такое же напряжение, то, если бы мы соединили и посмотрели на … Если бы у нас был компонент здесь, и мы посмотрели бы на напряжение на этом компоненте, то оно было бы равно нулю, потому что каждый коллектор имеет точно такое же значение . .. Разница будет равна нулю и, следовательно, термин дифференциальный усилитель. Что он собирается сделать, так это усилить разницу, поэтому, если нет входных данных, у нас будет ноль.

Хорошо, равные количества тока проходят через каждый транзистор. При входе общий ток остается прежним, но теперь делится неравномерно, что приводит к выходу. Итак, с вводом, давайте посмотрим, что происходит с вводом. Предположим, что на вход поступает переменный ток, и вот что произойдет, так это то, что здесь у нас есть положительное значение, поступающее на этот транзистор. Теперь, что будет делать этот плюс, так это… смещение этого транзистора будет… Если у нас здесь отрицательное напряжение, а сейчас у нас здесь положительное, это …. прямое смещение будет увеличиваться, и этот транзистор будет проводить намного тяжелее, чем этот.

Что произойдет, так это то, что у нас появится этот текущий поставщик. Поскольку этот проводник тяжелее, через него будет протекать больший ток, чем через эту сторону, и поскольку подается ограниченный ток, здесь будет протекать больший ток, чем здесь. Теперь, каков результат этого? Что ж, если через этот транзистор протекает больший ток, больший ток будет течь через R3.Теперь это приведет к падению большего напряжения здесь, что приведет к более низкому напряжению здесь. По мере увеличения это напряжение будет фактически уменьшаться, и это явление. Мы говорили о фазе и версии, где у вас есть вход в транзистор, а выход инвертирован. Поскольку увеличение тока здесь является фактическим выходом на Q1, напряжение будет снижаться, потому что здесь падает больше тока; на этом устройстве падает больше напряжения.

Теперь с другой стороны, помните, у нас было больше тока, протекающего через Q1, а здесь меньше тока.Теперь здесь происходит обратное. Поскольку здесь меньше тока, меньшее напряжение падает на R2, что делает доступным большее напряжение, поэтому это напряжение будет увеличиваться. Если мы измеряем этот компонент, мы видим, что этот уменьшается, этот увеличивается, и мы будем измерять разницу. Дифференциальный выход обеспечивает выход, когда входы различны. В этом конкретном устройстве на этом выходе у нас будет … 180 градусов не по фазе с входом, и на самом деле это будет … это будет в той же фазе, что и ввод. Когда мы впервые представили транзисторы, мы упомянули, что некоторые усилители будут инвертировать, и могут быть ситуации, когда у вас будет неинвертированный выход, и это тот случай, когда у вас будет неинвертированный выход или выход находится в той же фазе, что и ввод.

Хорошо. Продолжая наше обсуждение дифференциальных усилителей, мы снова вернемся к той же схеме. Дифференциальный усилитель является основным компонентом линейных интегральных схем.Как я упоминал ранее, эти устройства используются в качестве входного каскада для тех вещей, которые мы называем операционными усилителями. Это устраняет необходимость в соединительных колпачках, поэтому он может усиливать до очень низких частот, включая постоянный ток. Теперь вы помните, что для практических целей мы фактически находимся на земле в качестве входа. Теперь, когда мы находимся на земле, нет постоянного тока, который прерывает работу, поэтому мы можем послать … нет необходимости в разделительном конденсаторе, поэтому мы можем послать чрезвычайно низкую частоту. На самом деле, мы можем перейти к постоянному току, если захотим, поэтому нет необходимости в соединительных крышках, реакторах и прочем, что возникает из-за конденсаторов.Это главное преимущество дифференциального усилителя.

DA используются для усиления сигналов низкого уровня, подверженных шуму. Усилитель подавляет шум. Его часто называют синфазным шумом. Напомним, что нет выхода без входа. Шум появится на обоих входах и не будет усиливаться, так как он не представляет разницы. Теперь, как правило, с шумовыми входами, например, 60-герцовым шумом или внеатмосферным шумом, возможно, радиочастотной энергией или чем-то еще, что окружает приложение, оно будет применяться к обоим входам.Вот этот шум идет. Допустим, шум здесь, но шум тоже здесь. Теперь вспомним, что дифференциальный усилитель только усиливает разницу. Если у меня есть один и тот же ввод здесь и тот же ввод здесь, нет никакой разницы на входах; шум не усиливается. Я не думаю, что в вашем тексте это упоминалось, но его часто называют синфазным шумом, поскольку шум является общим для обоих входов и, следовательно, не усиливается. Это представляет собой значительное улучшение по сравнению с усилителем с общим эмиттером.С усилителем с общим эмиттером он будет усиливать сигнал, но он также будет усиливать шум, а дифференциальный усилитель этого не сделает.

 

Каскодный усилитель

Хорошо. Затем у нас есть усилитель Cascode. Эти усилители имеют очень высокий входной импеданс, так как они используют с, и у них очень низкая входная емкость. Теперь входная емкость имеет тенденцию шунтировать высокочастотные сигналы на землю, что снижает усиление в возрасте F. Теперь это одна из проблем с биполярным транзистором, заключается в том, что емкость окружает весь транзистор, и когда вы начинаете посылать их очень, очень высокочастотные сигналы о том, что емкость самого биполярного транзистора начинает замыкать этот сигнал на землю.Это устройство имеет очень маленькую входную емкость, поэтому его можно использовать для усиления высоких частот.

Давайте кратко рассмотрим. Посмотрите на эту конфигурацию. R2 и R3 обеспечивают смещение для Q1, и нумерация, которую я имею для них, не будет такой же, как в вашем тексте. Поскольку я построил это с помощью верстака, у меня есть …  так что эти числа будут применяться к этим схемам, даже если это одна и та же схема в вашем тексте; нумерация компонентов разная.

В любом случае, R2 и R3 обеспечивают смещение постоянного тока для стат.C5 прямо здесь обеспечивает заземление переменного тока для Q1. Сопротивление стока Q2 показывает низкое сопротивление в истоке Q1 прямо здесь. Теперь это приводит к низкому усилению для Q2. Высокий входной импеданс в сочетании с низким коэффициентом усиления снижает емкость и позволяет пропускать высокочастотные сигналы. Оба полевых транзистора J в этой схеме могут быть заменены полевыми транзисторами с двойным затвором, поэтому оба этих компонента фактически могут быть заменены полевыми транзисторами с двойным затвором. В вашем тексте есть его изображение, так что вам не обязательно иметь все это, вы можете просто использовать этот мосфет с двойным затвором, который выполняет эту функцию.

Хорошо. На этом мы завершаем наш краткий обзор линейных усилителей. Смотрим на усилитель Cascode, идеально подходящий для высоких частот. Мы рассмотрели дифференциальный усилитель, который усиливает разницу и широко используется в качестве входного каскада в операционных усилителях. Мы также рассмотрели пару Дарлингтона, которая значительно снижает выходной импеданс и довольно резко увеличивает ток. Давайте посмотрим. Мы посмотрели на усилитель тока. Они используются в промышленном контроле; на самом деле, в наших программах по электронике мы уделяем особое внимание теме промышленного контроля.На самом деле у меня есть несколько кварталов, посвященных всем различным типам устройств, которые можно использовать в промышленном управлении.
На этом завершается раздел 10.4, посвященный линейным приложениям.

Видеолекции, созданные Тимом Файгенбаумом в муниципальном колледже Северного Сиэтла.

Транзисторные схемы и типы схем »Примечания по электронике

Существует множество различных транзисторных схем, начиная от таких типов, как общий эмиттер и эмиттерный повторитель, до конструкций, таких как токовое зеркало, Дарлингтон, пара Шиклаи, токовое зеркало, пара с длинным хвостом, источник тока и многие другие.


Типы транзисторных схем Включает:
Типы транзисторных схем Общий эмиттер Повторитель эмиттера Общая база Пара Дарлингтона Пара Шиклаи Текущее зеркало Длиннохвостая пара Источник постоянного тока Множитель емкости Двухтранзисторный усилитель Фильтр верхних частот

См. также: Схема транзистора


Транзистор позволяет создавать множество схем с различными функциями.От усилителей до буферов, от фильтров до генераторов, источников тока, пар с длинными хвостами и многого другого.

Какой бы ни была схема, основные условия смещения следуют одним и тем же основным правилам, но топология схемы позволяет использовать транзистор различными способами для обеспечения множества различных функций схемы.

Транзисторные схемы

Существует множество различных типов транзисторных схем. Каждый тип имеет свою топологию и выполняет разные функции.

Выбор различных типов транзисторных схем приведен ниже:

  • Схема усилителя на транзисторе с общим эмиттером: Усилитель с общим эмиттером является одним из наиболее широко используемых типов транзисторных схем. Он используется во многих приложениях, где приемлемы средние уровни входного и выходного сигналов и требуется средний коэффициент усиления по напряжению. . . . . Подробнее об усилителе на транзисторе с общим эмиттером
  • Транзисторная схема эмиттерного повторителя:   Этот тип транзисторной схемы часто используется там, где требуется высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление.Он действует как буферная цепь. Он также известен как схема с общим коллектором. . . . . Узнайте больше о транзисторном усилителе с общим коллектором/эмиттерным повторителем.
  • Транзисторная схема с общей базой:   Транзисторная схема с общей базой не так широко используется, как схемы с общим эмиттером и эмиттерным повторителем. Он находит применение в некоторых микрофонных усилителях, а также в усилителях VHF/UHF RF. . . .. Узнайте больше об усилителе на транзисторах с общей базой .
  • Пара Дарлингтона:   Пара Дарлингтона — это форма конфигурации транзисторной схемы, которая используется для обеспечения очень высокого уровня усиления. Когда эмиттер первого транзистора соединен с базой второго, он эффективно дает бета-умножение. Эта схема на транзисторе типа f может использоваться по-разному и обеспечивает отличные рабочие характеристики. . . . . Узнайте больше о паре Darlington.
  • Пара Шиклаи:   Пара Шиклаи во многом похожа на Дарлингтон, но при несколько иной конфигурации ее можно использовать с Дарлингтоном в выходных каскадах транзисторных усилителей. . . . . Узнайте больше о паре Sziklai.
  • Схема токового зеркала:   Этот тип транзисторной схемы широко используется в интегральных схемах. Он имеет два плеча, и ток, текущий в одном плече, отражается в другом. . . . . Узнайте больше о схеме токового зеркала .
  • Пара с длинными хвостами:   Схема транзисторных пар с длинными хвостами представляет собой базовую форму дифференциального усилителя, которая лежит в основе многих схем операционных усилителей. . . . . Узнайте больше об усилителе с длинной хвостовой парой.
  • Источник постоянного тока:     . . . . Узнайте больше об активном источнике постоянного тока .
  • Умножитель емкости: Схема умножения емкости транзистора умножает эффективную емкость конденсатора на значение β транзистора. . . . . Узнайте больше о умножителе емкости .
  • Двухтранзисторный усилитель:   Полезная небольшая схема, использующая транзисторы PNP и NPN, обеспечивающая определенный уровень усиления с возможностью увеличения усиления по сравнению с одним транзистором. . . . . Подробнее о двухтранзисторном усилителе
  • Фильтр верхних частот:   Несмотря на то, что операционные усилители способны обеспечивать очень хорошие фильтры верхних частот, иногда для выполнения той же функции требуется простая схема на транзисторах. . . . . Узнайте больше о фильтре верхних частот .

Это дает общее представление о некоторых типах транзисторных схем. Существует огромное количество различных типов схем, каждая из которых имеет свою функцию и параметры.Используя их, можно построить гораздо большие схемы, обеспечивающие более сложную общую функцию.

Дополнительные схемы и схемы:
Основы операционных усилителей Схемы операционных усилителей Цепи питания Транзисторная конструкция Транзистор Дарлингтона Транзисторные схемы схемы полевых транзисторов Символы цепи
    Вернитесь в меню «Схема проектирования». . .

ECSTUFF4U для инженера-электронщика

В этой статье мы узнаем, что о применении силового транзистора в повседневной жизни.Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство с тремя выводами, а также устройство, управляемое током. Здесь мы перечислим все самые области применения транзистора, чтобы лучше понять эту тему. Транзистор в основном используется для усиления слабого электрического сигнала, а также полезен в схеме усиления. Итак, здесь мы разбираем для вас основное применение силового транзистора.

  • Используется в усилителе сигнала
  • Используется как в цифровой, так и в аналоговой схеме в качестве переключателя
  • Используется в регуляторе мощности и контроллере
  • Используется в сотовом телефоне
  • Используется в современной электронной ИС
  • Микропроцессор включает в себя более миллиарда транзисторов, используемых в каждой микросхеме
  • Пара транзисторов Дарлингтона часто используется в сенсорных устройствах
  • Военные также использовали транзистор в качестве мощного радиочастотного устройства в радарах и портативных радиоволнах
  • В повседневной жизни нам приходится использовать компьютер, радиоприемники, слуховые телефоны, для которых требуется хорошее качество звука, которое необходимо удовлетворить с помощью транзисторной схемы 

Почему транзистор используется в повседневной жизни?

  • Коэффициент усиления высокого напряжения
  • Для работы требуется низкое напряжение питания
  • Меньший размер
  • Нет проблем с нагревом во время работы
  • Твердотельное устройство
  • Механически такой прочный
  • Легко переносимый

В этой статье мы узнаем, что о применении силового транзистора в повседневной жизни.Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство с тремя выводами, а также устройство, управляемое током. Здесь мы перечислим все самые области применения транзистора, чтобы лучше понять эту тему. Транзистор в основном используется для усиления слабого электрического сигнала, а также полезен в схеме усиления. Итак, здесь мы разбираем для вас основное применение силового транзистора.

  • Используется в усилителе сигнала
  • Используется как в цифровой, так и в аналоговой схеме в качестве переключателя
  • Используется в регуляторе мощности и контроллере
  • Используется в сотовом телефоне
  • Используется в современной электронной ИС
  • Микропроцессор включает в себя более миллиарда транзисторов, используемых в каждой микросхеме
  • Пара транзисторов Дарлингтона часто используется в сенсорных устройствах
  • Военные также использовали транзистор в качестве мощного радиочастотного устройства в радарах и портативных радиоволнах
  • В повседневной жизни нам приходится использовать компьютер, радиоприемники, слуховые телефоны, для которых требуется хорошее качество звука, которое необходимо удовлетворить с помощью транзисторной схемы 

Почему транзистор используется в повседневной жизни?

  • Коэффициент усиления высокого напряжения
  • Для работы требуется низкое напряжение питания
  • Меньший размер
  • Нет проблем с нагревом во время работы
  • Твердотельное устройство
  • Механически такой прочный
  • Легко переносимый
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.