Транзисторный: Недопустимое название — Викисловарь

Содержание

Транзисторы или лампы?

Современный транзистор

Современная лампа

За всю историю создания усилителей мощности звуковой частоты разработано огромное количество схемотехнических решений.

Как показывает практика, транзисторные усилители при их правильном использовании по объективным техническим характеристикам значительно превосходят ламповые. Тем не менее, многие специалисты отдают предпочтение ламповым усилителям, несмотря на их заоблачную стоимость.

Принято считать, что ламповый усилитель имеет более правильное звучание, характеризуемое терминами «прозрачность», «четкость», «детальность» и т.д. Строго говоря, такое мнение не совсем субъективно.

Чтобы предугадать разницу в звучании ламповых и транзисторных усилителей необходимо рассмотреть на физическом уровне различия между транзисторами и лампами.

Показатели Лампа — триод Полевой транзистор Биполярный транзистор
Тип проводимости Электронная(через вакуум) Электронная или дырочная (через канал в кристалле кремния) Электронная или дырочная (через 2 барьера: эмиттер – база и база — коллектор)
Входная нелинейность Отсутствует Отсутствует на НЧ Пропорциональна величине тока коллектора и обусловлена нелинейностью ВАХ база — эмиттер
Выходная нелинейность Пропорциональна корню третей степени из величины тока анода Пропорциональна квадратному корню величины тока стока Пропорциональна величине тока коллектора
Термочувствительность Отсутствует Ток стока и крутизна зависят от мгновенной температуры кристалла Ток коллектора и коэффициент усиления по току зависят от мгновенной температуры кристалла
Выходное сопротивление В два раза меньше сопротивления нагрузки Как правило, больше сопротивления нагрузки Больше сопротивления нагрузки

Биполярный транзистор отличается от лампы термочувствительностью основных параметров, большей нелинейностью входных и выходных характеристик. Кроме этого, лампа превосходит транзистор удобством согласования своего внутреннего сопротивления с сопротивлением громкоговорителя. Полевой транзистор занимает среднее положение между биполярным транзистором и лампой-триодом.

На первый взгляд, в качестве усилительных элементов, предпочтительнее использовать лампы. Несмотря на кажущуюся очевидность, такое решение не является взвешенным.

На помощь транзисторам приходит схемотехническая хитрость – «отрицательная обратная связь» (ООС). Практически все усилители мощности охвачены местными и общими обратными связями. Они линеаризуют усилитель, уменьшают его выходное сопротивление, расширяют диапазон частот, делают его работу стабильной и независимой от колебаний температуры кристаллов. В итоге, транзисторные усилители обладают великолепными техническими характеристиками. Кроме того, применение биполярных и полевых транзисторов обеспечивает более высокий КПД, массогабаритные показатели и, что немало важно, существенно меньшую стоимость.

Однако не стоит забывать, что в каждом явлении имеются как положительные, так и отрицательные стороны. Интермодуляционные искажения в выходном сигнале, его размывание по времени и разрушение «фазовой картины» – плата за использование отрицательной обратной связи. Присутствие в музыкальном сигнале даже небольших по величине продуктов интермодуляции высших порядков вызывает у слушателя ощущение «металличности», «жесткости». Чаще всего такое звучание характеризуют как ненатуральное. Обилие реактивностей в усилительных каскадах приводит к «многопутевому» распространению сигнала и фазовой деструктуризации.

Размывание сигнала вызвано тем, что через цепь обратной связи он многократно возвращается на вход усилительного каскада. В результате, на выходе, помимо самого сигнала, появляется множество откликов задержанных по времени и смещенных по фазе. Время размывания сигнала для общей обратной связи может достигать 100мс и более. В итоге, наиболее заметным последствием действия на звук общей ООС является ухудшение динамики и ослабление энергичности музыкального звучания.

Необходимо отметить, что в транзисторном усилителе без ООС не обойтись, так как для того чтобы обеспечить даже скромные значения нелинейных искажений и приемлемое выходное сопротивление, усилитель на транзисторах должен иметь, как минимум, глубокие местные ООС. Местные ООС лучше чем общие ведут себя на звуке, и обеспечивают меньшие по величине задержки и более короткий период размывания сигнала. Применение качественных «звуковых» транзисторов позволяет отказаться от общей ООС и получить от усилителя «четкость», «прозрачность», «динамичность» и «энергичность» воспроизведения.

Современные ламповые и транзисторные усилители

Ламповые усилители мощности с ООС, по изложенным выше причинам, практически не используются. Тем не менее, и в них есть элемент, ухудшающий качество звучания – выходной трансформатор, который предназначен для согласования выходного сопротивления усилителя и сопротивления нагрузки. Но вред от ООС оказывается большим, чем от применения выходного трансформатора.

Причина «натурального» звучания лампового усилителя заключается в его «гениальной» простоте. При этом его стоимость может достигать нескольких сотен тысяч долларов. В силу высокой стоимости, низкого КПД и низкой выходной мощности ламповые усилители звуковой частоты сегодня интересны только истинным ценителям музыки и занимают почетное место только среди прочего Hi-End оборудования в звуковых студиях. А транзисторные усилители широко используются, поскольку имеют высокую надежность, большую выходную мощность и удобство в эксплуатации.

В настоящее время ведущими производителями усилителей мощности звуковой частоты по праву считаются Pass Labs, Unison Research, McIntosh, Accuphase, Denon, NAD, Marantz, Pioneer, Yamaha, Arcam и др.

Что такое транзисторный усилитель?

Транзисторный усилитель — это электронная схема, которая использует полупроводниковый транзистор вместо ламповой или интегральной микросхемы для усиления электрических сигналов. Обычно используемый в аудиоприложениях, транзисторный усилитель обеспечивает отличные характеристики в относительно небольшом корпусе. Он в значительной степени заменил усилитель сигнала вакуумной трубки и остается сильным конкурентом более современному интегральному микросхеме (ИС).

До изобретения транзистора в 1947 году в усилителях использовались вакуумные лампы. Вакуумные трубки были большими, громоздкими, хрупкими и неэффективными, и им требовалось время для разогрева. Транзисторы устранили все эти проблемы, предлагая при этом возможность усиления сигналов с гораздо меньшими искажениями. Кроме того, они смогли выводить более мощные сигналы, позволяя некоторым транзисторным усилителям выводить сотни ватт на канал. Их небольшой размер и низкое энергопотребление также сделали возможным создание портативных аудиокомпонентов на батарейках, таких как транзисторные радиоприемники.

Структура схемы транзисторного усилителя относительно проста. В нем источник питания подключен к клемме коллектора транзистора, а сигнал, который должен быть усилен, поступает на базовую клемму. Транзистор использует сигнал на базе, чтобы определить, сколько энергии от коллектора протекает через его затвор к выводу эмиттера, который передает усиленный сигнал. Если сравнивать транзистор с краном-краном, то коллектором будет труба подачи, а источником будет то место, где выходит вода, а основанием будет рука, которая включает, выключает втулку или где-то посередине.

Усилители, использующие микросхемы, начали заменять транзисторный усилитель в 1960-х годах. Микросхема объединила несколько электронных компонентов в один маленький кусочек кремния, что позволяет ему делать больше в гораздо меньшем пространстве. Плохое качество звука и очень ограниченные возможности выходной мощности мучают эти типы усилителей. Однако за прошедшие годы технология улучшилась настолько, что большинство портативных и недорогих компонентов домашнего аудио используют усилители интегральных схем.

Даже при использовании недорогих микросхем многие компоненты домашнего аудио все еще используют транзисторные усилители, хотя их часто называют дискретными усилителями. Этот тип схемы более распространен в усилителях мощности и на конечном выходном каскаде усилителей, которые принимают сигнал линейного уровня от предварительного усилителя и усиливают его для вывода на динамики. Некоторые компоненты высокого класса и предусилители также используют транзисторные усилители. В любом случае в этих схемах усилителей в качестве источника усиления используются полевые транзисторы на основе оксидов металлов (MOSFET).

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

2.06. Транзисторный источник тока

ГЛАВА 2. ТРАНЗИСТОРЫ

НЕКОТОРЫЕ ОСНОВНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ



Хотя источники тока не столь известны, они не менее полезны и важны, чем источники напряжения. Источники тока представляют собой прекрасное средство для обеспечения смещения транзисторов, и кроме того, незаменимы в качестве активной нагрузки для усилительных каскадов с большим коэффициентом усиления и в качестве источников питания эмиттеров для дифференциальных усилителей. Источники тока необходимы для работы таких устройств, как интеграторы, генераторы пилообразного напряжения. В схемах усилителей и стабилизаторов они обеспечивают широкий диапазон напряжений. И наконец, источники постоянного тока требуются в некоторых областях, не имеющих прямого отношения к электронике, например в электрохимии, электрофорезе.

Рис. 2.20.

Подключение резистора к источнику напряжения. Схема простейшего источника тока показана на рис. 2.20. При условии что R

н » R (иными словами, Uн » U), ток сохраняет почти постоянное значение и равен приблизительно I = U/R. Если нагрузкой является конденсатор, то, при условии что Uконд » U, он заряжается с почти постоянной скоростью, определяемой начальным участком экспоненты, характерной для данной RC-цепи.

Простейшему резистивному источнику тока присущи существенные недостатки. Для того чтобы получить хорошее приближение к источнику тока, следует использовать большие напряжения, а при этом на резисторе рассеивается большая мощность. Кроме того, током этого источника трудно управлять в широком диапазоне с помощью напряжения, формируемого где-либо в другом узле схемы.

Упражнение 2.6. Допустим, нам нужен источник тока который бы обеспечивал точность 1% в диапазоне изменения напряжения на нагрузке от 0 до +10 В. Какой источник напряжения нужно подключить последовательно к резистору?

Упражнение 2.7. Допустим, что в предыдущем упражнении требуется получить от источника ток 10 мА. Какая мощность будет рассеиваться на резисторе? Какая мощность передается нагрузке?

Рис. 2.21. Транзисторный источник тока: основная идея.

Какая мощность передается нагрузке? Транзисторный источник тока. Очень хороший источник тока можно построить на основе транзистора (рис. 2.21). Работает он следующим образом: напряжение на базе Uб > 0,6 В поддерживает эмиттерный переход в открытом состоянии: Uэ = Uб — 0,6 В. В связи с этим Iэ = Uэ/Rэ = (Uэ — 0,6/Rэ. Так как для больших значений коэффициента h21эIэ ≈ Iк, то Iк ≅ (Uб — 0,6 В)/Rэ независимо от напряжения Uк до тех пор, пока транзистор не перейдет в режим насыщения (Uк > Uэ + 0.2 В).

Смешение в источнике тока. Напряжение на базе можно сформировать несколькими способами. Хороший результат дает использование делителя напряжения, если он обеспечивает достаточно стабильное напряжение. Как и в предыдущих случаях, сопротивление делителя должно быть значительно меньше сопротивления схемы со стороны базы по постоянному току h21эRэ. Можно воспользоваться также зенеровским диодом и использовать для смещения источник питания Uкк, а можно взять несколько диодов, смещенных в прямом направлении и соединенных последовательно, и подключить их между базой и соответствующим источником питания эмиттера. На рис. 2.22 показаны примеры схем смещения. В последнем примере (рис. 2.22,6) транзистор p-n-p — типа питает током заземленную нагрузку (он — источник тока). Остальные примеры (в которых используются транзисторы n-р-n — типа.) правильнее было бы называть «поглотителями» тока, но принято называть все схемы такого типа источниками тока. [Название «поглотитель» и «источник» связано с направлением тока; если ток поступает в какую-либо точку схемы, то это источник, и наоборот]. В первой схеме сопротивление делителя напряжения составляет приблизительно 1,3 кОм и очень мало по сравнению с сопротивлением со стороны базы, составляющим ≅100кОм (для h21э = 100). Любое изменение коэффициента β, связанное с изменением напряжения на коллекторе, не повлияет существенным образом на выходной ток, так как соответствующее изменение напряжения на базе совсем мало. В двух других схемах резисторы в цепи смещения выбраны так, чтобы протекающий ток составлял несколько миллиампер, — этого достаточно, чтобы диоды были открыты.

Рабочий диапазон. Источник тока передает в нагрузку постоянный ток только до определенного конечного напряжения на нагрузке. В противном случае источник тока был бы способен генерировать бесконечную мощность. Диапазон выходного напряжения, в котором источник тока ведет себя как следует, называется рабочим диапазоном. Для рассмотренных только что транзисторных источников тока рабочий диапазон определяется из того, что транзистор должен находиться в активном режиме работы. Так, в первой схеме напряжение на коллекторе можно понижать до тех пор, пока не будет достигнут режим насыщения, т. е. до +12 В. Вторая схема, с более высоким напряжением на эмиттере, сохраняет свойства источника лишь до значения напряжения на коллекторе, равного приблизительно + 5,2 В.

Во всех случаях напряжение на коллекторе может изменяться от значения напряжения насыщения до значения напряжения питания. Например, последняя схема работает как источник тока в диапазоне напряжения на нагрузке, ограниченном значениями 0 и +8,6 В. Если в нагрузке используются батареи или собственные источники питания, то напряжение на коллекторе может быть больше, чем напряжение источника питания. При использовании такой схемы рекомендуется следить за тем. чтобы не возник пробой транзистора (напряжение Uкэ не должно превышать значение Uкэпроб — напряжение пробоя перехода коллектор-эмиттер) и не рассеивалась излишняя мощность (определяемая величиной произведения IкUкэ). В разд. 6.07 вы увидите, что для мощных транзисторов область безопасной работы определяется специально.

Упражнение 2.8. В схеме имеются два стабилизированных источника напряжения: +5 и 15 В. Разработайте схему источника тока на основе транзистора n-р-n — типа, которая бы обеспечивала ток +5 мА. В качестве источника напряжения для базы используйте источник +5 В. Чему равен рабочий диапазон в такой схеме?

В источнике тока напряжение на базе не обязательно должно быть фиксированным. Если предусмотреть возможность изменения напряжения Uб, то получим программируемый источник тока. Если выходной ток должен плавно отслеживать изменения входного напряжения, то размах входного сигнала uвх (напоминаем, что строчными буквами мы договорились обозначать изменения) должен быть небольшим, таким, чтобы напряжение на эмиттере никогда не уменьшалось до нуля. В таком источнике тока изменение выходного тока будет пропорционально изменениям входного напряжения.

Недостатки источников тока. Как сильно отличается транзисторный источник тока от идеального? Иными словами, изменяется ли ток в нагрузке при изменении, скажем напряжения, т.е. имеет ли источник тока эквивалентное сопротивление конечной величины (Rэкв

1. При заданном токе коллектора и напряжение Uбэ, и коэффициент h21э (эффект Эрли) несколько изменяются при изменении напряжения коллектор-эмиттер. Изменение напряжения Uбэ, связанное с изменением напряжения на нагрузке, вызывает изменение выходного тока, так как напряжение на эмиттере (а следовательно, и эмиттерный ток) изменяется, даже если напряжение на базе фиксировано. Изменение значения коэффициента h21э приводит к небольшим изменениям выходного (коллекторного) тока при фиксированном токе эмиттера, так как Iк = Iэ — Iб; кроме того, немного изменяется напряжение на базе в связи с возможным изменением сопротивления источника смешения, обусловленного изменениями коэффициента h21э (а следовательно, и тока базы). Эти изменения незначительны. Например, изменение выходного тока для схемы, представленной на рис. 2.22, a, составляет приблизительно 0,5% для транзистора типа 2N3565. В частности, при изменении напряжения на нагрузке от 0 до 8 В эффект Эрли обусловливает изменение тока на 0,5%, а нагрев транзистора — на 0,2%. Изменение коэффициента вносит дополнительный вклад в изменение выходного тока — 0,05% (для жесткого делителя напряжения). Все эти изменения приводят к тому, что источник тока работает хуже, чем идеальный: выходной ток немного зависит от напряжения и, следовательно, его сопротивление не бесконечно. В дальнейшем вы узнаете, что есть методы, которые позволяют преодолеть этот недостаток.

2. Напряжение Uбэ и коэффициент h21э зависят от температуры. В связи с этим при изменении температуры окружающей среды возникает дрейф выходного тока. Кроме того, температура перехода изменяется при изменении напряжения на нагрузке (в связи с изменением мощности, рассеиваемой транзистором) и приводит к тому, что источник работает не как идеальный. Изменение напряжения и Uбэ в зависимости от температуры окружающей среды можно скомпенсировать с помощью схемы, показанной на рис. 2.23. В этой схеме падение напряжения между базой и эмиттером транзистора Т2 компенсируется падением напряжения на эмиттерном переходе Т1 который имеет такие же температурные характеристики. Резистор R3 играет роль нагрузки для Т1, необходимой для задания втекающего тока базы транзистора Т2.

Рис. 2.23. Один из методов температурной компенсации источника тока.

Улучшение характеристик источника тока. Вообще говоря, изменение напряжения Uбэ, вызванное как влиянием температуры (относительное изменение составляет приблизительно -2 мВ/°С), так и зависимостью от напряжения Uбэ (эффект Эрли оценивается величиной ΔUбэ ≈ -0,001 ΔUкэ), можно свести к минимуму, если установить напряжение на эмиттере достаточно большим (по крайней мере 1 В), тогда изменение напряжения Uбэ на десятые доли милливольта не приведет к значительному изменению напряжения на эмиттерном резисторе (напомним, что схема поддерживает постоянное напряжение на базе). Например, если Uэ = 0,1В (т. е. к базе приложено напряжение 0,7 В), то изменение напряжения Uбэ на 10 мВ вызывает изменение выходного тока на 10%, если же Uэ = 1,0 В, то такое же изменение Uбэ вызывает изменение тока на 1%. Однако, не стоит заходить слишком далеко. Напомним, что нижняя граница рабочего диапазона определяется напряжением на эмиттере. Если в источнике тока, работающем от источника питания +10 В, напряжение на эмиттере сделать равным +5 В, то диапазон выхода будет равен немного менее 5 В (напряжение на коллекторе может изменяться от Uэ + 0,2 В до Uкк, т. е. от 5,2 до 10 В).


Рис. 2.24. Каскодный источник тока, обладающий повышенной устойчивостью к изменениям напряжения на нагрузке.

На рис. 2.24 показана схема, которая существенно улучшает характеристики источника тока. Источник тока Т1 работает, как и прежде, но напряжение на коллекторе фиксируется с помощью эмиттера Т2. Ток, текущий в нагрузку, такой же, как и прежде, так как коллекторный (для Т2) и эмиттерный токи приблизительно равны между собой (из-за большого значения h21э). В этой схеме напряжение Uкэ (дая Т1) не зависит от напряжения на нагрузке, а это значит, что устранены изменения напряжения Uбэ, обусловленные эффектом Эрли и температурой. Для транзисторов типа 2N3565 эта схема дает изменение тока на 0,1% при изменении напряжения на нагрузке от 0 до 8 В; для того чтобы схема обеспечивала указанную точность, следует использовать стабильные резисторы с допуском 1%. (Кстати, эту схему используют в высокочастотных усилителях, где она известна под названием «каскод»). В дальнейшем вы познакомитесь со схемами источников тока, в которых используются операционные усилители и обратная связь, и в которых также решена задача устранения влияния изменений Uбэ на выходной ток.

Влияние коэффициента h21э можно ослабить, если выбрать транзистор с большим значением h21э, тогда ток базы будет вносить незначительный вклад в ток эмиттера.

Рис. 2.25. Транзисторный источник тока с использованием напряжения Uбэ в качестве опорного.

На рис 2.25 показан еще один источник тока, в котором выходной ток не зависит от напряжения питания. В этой схеме напряжение Uбэ транзистора Т1, падая на резисторе R1, определяет выходной ток независимо от напряжения Uкк

Uвых = Uбэ/R2U2.

С помощью резистора R1 устанавливается смещение транзистора Т2 и потенциал коллектора Т1, причем этот потенциал меньше, чем напряжение Uкк, на удвоенную величину падения напряжения на переходе; тем самым уменьшается влияние эффекта Эрли. В этой схеме нет температурной компенсации; напряжение на R2 уменьшается приблизительно на 2,1 мВ/°С и вызывает соответствующее изменение выходного тока 0,3%/°С).


Модель Эберса-Молла для основных транзисторных схем


Транзисторный коммутатор и аварийный вибратор автомобиля

Рис. 1. Транзисторный коммутатор ТК102:
а — общий вид; б — электрическая схема; 1 — транзисторный коммутатор; 2 — катушка зажигания; 3 — свечи; 4 — распределитель зажигания; 5 — блок резисторов 6 — аккумуляторная батарея; 7 — включатель зажигания; 8 — блок вспомогательных элементов; 9 — прерыватель

При размыкании контактов прерывателя транзистор запи рается. Во вторичной обмотке катушки зажигаиия индуктируется ЭДС высокого напряжения, достаточная для воспламенения смеси в цилиндре двигателя. При замыкании контактов прерывателя транзистор снова открывается, замыкая первичную цепь.

Ток, проходящий через контакты прерывателя, не превышает 0,6—0,8 А, что облегчает работу и увеличивает срок службы контактов. Остальные элементы транзисторного к&ммутатора выполняют вспомогательные функции, увеличивая надежность и долговечность системы зажигания.

Импульсный трансформатор ИТ обеспечивает четкость работы транзистора в режиме запирания. При размыкании контактов прерывателя под действием ЭДС вторичной обмотки трансформатора на базу транзистора подается положительный потенциал, а на эмиттер — отрицательный, что увеличивает скорость закрытия транзистора и убывания магнитного потока катушки зажигания и повышает ЭДС во вторичной обмотке катушки. Стабилитрон Д1 предохраняет транзистор от выхода из строя под действием ЭДС самоиндукции первичной обмотки катушки зажигания. Стабилитрон пробивается при ЭДС, превышающей 100 В.

Диод Д2 препятствует протеканию тока к транзистору, минуя первичную обмотку катушки зажигания. Конденсатор С1 и резистор R2 облегчают режим переключения транзистора, уменьшая его нагрев. Резистор R1 необходим для формирования запирающего импульса. Конденсатор С2 предохраняет транзистор от случайных кратковременных перенапряжений, возникающих в цепи.

Транзисторный коммутатор ТК200 собран на кремниевых транзисторах типа п — р — п и имеет четыре экранированных штепсельных разъема (КЗ, Д и два ВК) и один клеммный зажим, с помощью которых подключается в цепь системы зажигания.

Работу транзисторного коммутатора рассмотрим на примере упрощенной принципиальной электрической схемы транзисторной системы зажигания. При включенном зажигании входной транзистор 77 коммутатора закрыт, так как на его базе отсутствует положительный потенциал. К базе силового транзистора Т2 через резистор R2 и диод Д2 проводится положительный потенциал от аккумуляторной батареи — транзистор открыт.

Рис. 2. Транзисторный коммутатор ТК200:
а — общий вид; б — электрическая схема; 1 — аккумуляторная батарея; 2— включатель зажигания; 3 — добавочный резистор 4 — транзисторный коммутатор; 5 — катушка зажигания; 6 — свеча; 7 — распределитель зажигания (датчик-распределитель)

При вращении коленчатого вала двигателя приводится в действие ротор датчика импульсов ИД, положительные сигналы напряжения в строго определенные моменты поступают на базу транзистора 77 и открывают его. Открытие транзистора ТI приводит к резкому понижению потенциала базы транзистора Т2, вследствие чего он закрывается и прерывает ток в первичной цепи катушки зажигания. Процессы, происходящие в системе зажигания после прерывания тока в первичной цепи, аналогичны рассмотренным выше.

За два оборота коленчатого вала двигателя (один оборот ротора датчика импульсов) на базу транзистора 77 подается восемь положительных импульсов, вызывающих столько же раз закрытие транзистора Т2, а следовательно, и прерывание тока в первичной цепи системы зажигания. При каждом прерывании тока в первичной цепи происходит образование искры между электродами свечи и воспламенение смеси в порядке работы цилиндров двигателя.

В реальных схемах транзисторных коммутаторов ТК200 роль транзистора Т2 выполняют три транзистора, что обеспечивает высокий коэффициент усиления.

Стабилитрон Д4 защищает силовой транзистор Т2 от пробоя током ЭДС самоиндукции первичной обмотки катушки зажигания. Срабатывает он при ЭДС самоиндукции свыше 180 В.

Стабилитрон Д5 предназначен для защиты транзисторного коммутатора от чрезмерного повышения напряжения в сети автомобиля. При напряжении свыше 16 В происходит пробой стабилитрона Д5 и на базу входного транзистора 77 подается положительный потенциал. В результате транзистор 77 открывается, а силовой транзистор Т2 закрывается, выключая из работы систему зажигания, что приводит к уменьшению частоты вращения коленчатого вала двигателя и не дает возможности генератору развить напряжение свыше 16 В при неработающем регуляторе напряжения.

Цепь, состоящая из резистора R3 и конденсатора С2, образует в схеме коммутатора обратную связь, которая обеспечивает надежное искрообразование при проворачивании пусковой рукояткой коленчатого вала с малой скоростью. Эта же цепочка обеспечивает многоискровой разряд в свечах, что облегчает пуск двигателя при низких температурах.

Остальные элементы схемы выполняют вспомогательные функции, повышая надежность работы и долговечность системы зажигания.

Рис. 3. Аварийный вибратор:
а — общий вид; б — электрическая схема; 1 — контакты; 2 — якорь; 3 — сердечник: 4 — обмотка; 5 — пружина; 6 — конденсатор

Аварийный вибратор РС331 входит в состав бесконтактной транзисторной системы зажигания и предназначен для обеспечения работы системы зажигания в случае выхода из строя транзисторного коммутатора или датчика импульсов. Для перевода системы зажигания на аварийный режим необходимо отсоединить провод от штепсельного разъема «КЗ» транзисторного коммутатора и подключить его к разъему аварийного вибратора. Ток, проходящий по обмотке, намагничивает сердечник, который притягивает якорь и размыкает контакты. Первичная цепь размыкается, что равносильно запиранию транзистора Т2. Под действием пружины контакты снова замыкаются. Частота вибрации контактов составляет 300—400 периодов в секунду. Конденсатор уменьшает искрообразование между контактами. Так как при переходе на аварийный вибратор нарушается управление опережением зажигания, работа двигателя ухудшается, понижаются его мощность и экономичность. По причине сгорания контактов аварийного вибратора продолжительность работы системы зажигания в аварийном режиме обычно не превышает 30 ч.

Полевой транзисторный усилитель — TINA и TINACloud

Полевой транзисторный усилитель

В этой главе мы проводим параллель с подходом, который мы использовали для транзисторов BJT, на этот раз концентрируясь на полевом транзисторе. Изучив этот материал, вы

  • Понять разницу между FET и BJT.
  • Узнайте различия между различными формами полевых транзисторов.
  • Знать, как смещать полевые транзисторы для линейной работы.
  • Понять модели слабых сигналов и как их использовать.
  • Уметь анализировать схемы усилителя FET.
  • Уметь проектировать схемы усилителя FET в соответствии со спецификациями.
  • Понять, как программы компьютерного моделирования моделируют полевые транзисторы.
  • Знать, как FET изготавливаются как часть интегральных схем.
ВВЕДЕНИЕ

Современный полевой транзистор (FET) предложенный W. Shockley в 1952 г., отличается от BJT. FET — это мажоритарный перевозчик устройство. Его работа зависит от использования приложенного напряжения для управления основными носителями (электроны в nматериал и отверстия в pтип) в канале. Это напряжение контролирует ток в устройстве с помощью электрического поля.

Полевые транзисторы являются трехполюсными устройствами, но, в отличие от биполярного транзистора, именно напряжение на двух клеммах контролирует ток, протекающий на третьей клемме. Три терминала в FET являются истощать, источник и ворота.

Сравнивая FET с BJT, мы увидим, что истощать (D) является аналогом коллектора и источник (S) аналогичен излучателю. Третий контакт ворота (G), аналогично основанию. Исток и сток полевого транзистора обычно можно поменять, не влияя на работу транзистора.

Мы подробно обсудим два класса полевых транзисторов: транзистор на полевых транзисторах (JFET) и металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET).

Глава начинается с обсуждения характеристик MOSFET и JFET и сравнения этих характеристик. Затем мы рассмотрим способы использования этих устройств в цепях и методы смещения различных конфигураций усилителя.

Поскольку мы подробно изучаем методы анализа, мы представляем компьютерные имитационные модели. Далее следуют подробные разделы, посвященные методам анализа и методологии проектирования.

Глава заканчивается кратким обсуждением других специальных устройств.

Симуляторы цепей TINA и TINACloud, поддерживающие этот ресурс, включают в себя множество сложных компьютерных имитационных моделей MOSFET и JFET и цепей, которые будут использоваться для симуляции цепей.

СЛЕДУЮЩАЯ — 1. Преимущества и недостатки полевых транзисторов

Транзисторные технологии будущего — «ИТ-ГРАД»

Закон Мура начинает терять актуальность. Число транзисторов на кристалле по-прежнему удваивается, но уже не каждые два года. Дело в том, что кремниевые транзисторы приближаются к своему технологическому пределу.

Сегодня мы расскажем о материалах, которые могут заменить кремний, и дадим краткий обзор новых подходов к производству полупроводниковых приборов.

Новые материалы

Одним из основных «заменителей» кремния могут выступить углеродные нанотрубки — это цилиндры с толщиной стенок в один атом углерода. Такие транзисторы переключаются примерно в пять раз быстрее классических.

Один из первых прототипов представила группа американских инженеров три года назад. Ожидается, что технология найдет применение в гибкой электронике.

Двумя другими перспективными материалами инженеры называют диоксид и селенид гафния. Первый применяется в микроэлектронике еще с 2007 года.

Реорганизация кристаллической структуры этого вещества позволяет увеличить его электрическую постоянную в четыре раза, а транзисторные затворы из диоксида гафния снижают влияние туннельного эффекта.

Что касается второго материала, то он должен помочь миниатюризовать современные транзисторы. Селениды сами по себе очень тонкие — толщиной в три атома. При этом они обладают хорошими показателями энергопотребления.

Группе ученых уже удалось создать несколько рабочих прототипов. Сейчас инженеры думают, как соединять такие маленькие устройства друг с другом, и разрабатывают компактные контактные площадки.

Также стоит отметить такой материал, как дисульфид молибдена. Сам по себе он плохой полупроводник и уступает по свойствам кремнию. Однако в Нотрдамском университете установили, что транзисторы на основе тонких молибденовых пленок имеют уникальные свойства. Они не пропускают ток в выключенном состоянии и требуют мало энергии на переключение.

Прототип такого устройства два года назад представили в лаборатории в Беркли. Его ширина составляет всего один нанометр. Разработчики убеждены, что продлить закон Мура суждено именно таким транзисторам.

Альтернативные методы разработки

Первый метод основан на пьезоэлектрических транзисторах. Они состоят из пьезоэлектрического и пьезорезистивного компонентов. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые, второй реагирует на звуковые волны и управляет транзистором в зависимости от их интенсивности.

Пьезоэлектрические транзисторы энергоэффективнее кремниевых, поэтому их планируют использовать в мобильных устройствах. Однако они могут найти применение и в дата-центрах. Технология позволит сократить затраты на охлаждение оборудования. Разработками в этой области сегодня занимается IBM, а также инженеры из Национальной физической лаборатории Великобритании.

Еще один вариант — спиновые транзисторы. Такие устройства работают не с электронами, а с их спинами (моментами импульса элементарных частиц). Движутся спины под воздействием внешнего магнитного поля, которое упорядочивает их в одном направлении. В результате возникает спиновый ток. Эти транзисторы потребляют в разы меньше энергии по сравнению с кремниевыми.

Концепцию спиновых транзисторов представили еще в 90-х. С тех пор в этом направлении работают крупные компании, например Intel, но до того момента, когда спиновые устройства выйдут за пределы лабораторий, еще далеко.

/фото RawPixel PD

Помимо спиновых и пьезоэлектрических транзисторов стоит отметить и металл-воздушные транзисторы. Они похожи на классические MOSFET-транзисторы, однако их сток и исток выполняются из металла. Сток и исток располагаются на расстоянии в 30 нм друг от друга и обмениваются зарядами при помощи автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда австралийских инженеров из Мельбурнского университета. Ожидается, что рабочая частота таких устройств достигнет сотен гигагерц. В перспективе технология позволит увеличить производительность аппаратного обеспечения в центрах обработки данных.

В целом пока рано говорить о какой-то одной и полноценной замене классическим кремниевым транзисторам. Разработки в этой области ведутся, и, возможно, прорыв случится в ближайшее время. Например, металл-воздушные транзисторы уже готовят к выходу на рынок. Это может произойти всего через два года.

О чем еще мы пишем в нашем блоге:

Оцените статью

☆☆☆☆☆

ТРАНЗИСТОРНЫЙ — Что такое ТРАНЗИСТОРНЫЙ?

Слово состоит из 13 букв: первая т, вторая р, третья а, четвёртая н, пятая з, шестая и, седьмая с, восьмая т, девятая о, десятая р, одиннадцатая н, двенадцатая ы, последняя й,

Слово транзисторный английскими буквами(транслитом) — tranzistornyi

Значения слова транзисторный. Что такое транзисторный?

Транзистор

ТРАНЗИСТОР, полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем…Сэндвич отпиливают от кристалла и разрезают в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные транзисторные элементы длиной ок. 3 мм с поперечным сечением 0,6ґ0,6 мм.

Энциклопедия Кругосвет

ТРАНЗИСТОР полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем…Сэндвич отпиливают от кристалла и разрезают в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные транзисторные элементы длиной ок. 3 мм с поперечным сечением 0,6ґ0,6 мм.

Энциклопедия Кольера

Транзисторный радиоприёмник

Транзисторный радиоприёмник, радиоприёмник, в котором для усиления сигналов, преобразования их по частоте и детектирования используют полупроводниковые приборы (главным образом транзисторы и полупроводниковые диоды).

БСЭ. — 1969—1978

Диодно-транзисторная логика

Диодно-транзисторная логика (ДТЛ), англ. Diode–transistor logic (DTL) — технология построения цифровых схем на основе биполярных транзисторов, диодов и резисторов.

ru.wikipedia.org

Резисторно-транзисторная логика

Резисторно-транзисторная логика (РТЛ) — технология построения логических электронных схем на базе простых транзисторных ключей. Коллектор транзистора (ключа) соединён через резистор с шиной питания (как правило +3,15В — половина накала лампы)…

ru.wikipedia.org

Контакторно-транзисторная система управления

Контакторно-транзисторная система управления (сокр. КТСУ) — электротехническое устройство для управления электрическим током через тяговые электродвигатели подвижного состава электротранспорта.

ru.wikipedia.org

Русский язык

Дио́дно-транзи́сторный.

Орфографический словарь. — 2004

Транзи́стор/н/ый.

Морфемно-орфографический словарь. — 2002

  1. транжирящий
  2. транжир
  3. транзакция
  4. транзисторный
  5. транзистор
  6. транзитивность
  7. транзитивный

Размещайте несколько подкастов на одном хостинг-аккаунте (по одной цене)

Transistor позволяет создавать, импортировать и размещать неограниченное количество подкастов в вашей учетной записи за одну месячную плату.

Переключитесь на Transistor и сэкономьте деньги

Большинство хостинговых компаний берут с вас большие деньги за размещение более одного подкаста.

Провайдер Несколько подкастов Пять подкастов Десять подкастов Редактировать
Транзистор.FM $19/месяц $19/месяц Подробности
простая передача ✔️ $75/месяц $150/месяц Подробности
Баззпроут ✔️ $90/месяц $180/месяц Подробности
стручок ✔️ $70/месяц $140/месяц Подробности
Либсин ✔️ $75/месяц $150/месяц Подробности

При переходе на Transistor вы можете размещать несколько подкастов и платить только одну ежемесячную плату.

Каждый раз, когда вы создаете новый подкаст на Transistor, вы получаете:

Что можно делать с несколькими подкастами?

Подкастеры, ведущие несколько шоу, могут экспериментировать и пробовать разные форматы:

  1. Увеличение количества шоу — один из лучших способов увеличить количество слушателей, которых вы получаете каждый месяц.

  2. Наличие нескольких шоу позволяет опробовать новые концепции и выбрать тему (или формат) подкаста, которая больше всего откликается.

  3. Создавайте несколько форматов для разных слушателей! Некоторым людям нравятся двухчасовые интервью, другим нравятся 30-минутные пригородные шоу, а большинство людей посмотрят 5-минутный эпизод с яркими моментами.

Программное обеспечение для анализа подкастов

Transistor неизменно считается одним из лучших инструментов для анализа подкастов. Он дает вам подробную статистику для вашего подкаста, такую ​​​​как ежемесячные прослушивания, общее количество прослушиваний на эпизод, среднее количество загрузок на эпизод, самые популярные приложения для прослушивания и устройства, которые используют ваши слушатели.

Общая аналитика для вашего подкаста

На странице «Аналитика» Transistor мы предоставляем различную высокоуровневую статистику:

  • Среднее количество загрузок на выпуск:  это показывает, насколько хорошо ваши выпуски 7, 30, 60, и 90 дней после публикации. Часто потенциальные рекламодатели особенно хотят видеть эти цифры.

  • Количество людей, подписавшихся на ваш подкаст: количество подписчиков, как известно, трудно измерить, поскольку подкастинг построен на основе RSS (открытая платформа, которая не отслеживает отдельных лиц).Однако мы даем вам оценку, основанную на среднем числе первых 24 часов загрузок ваших последних 3 эпизодов, чтобы рассчитать примерное количество подписчиков. График представляет собой расчетное количество с течением времени.

  • Тенденции слушателей:  просматривать историю загрузок с течением времени. Это позволяет просматривать количество прослушиваний по годам, месяцам, дням или за последние 24 часа.

Распределение слушателей по выпускам

Хотите отсортировать выпуски подкаста по популярности? Вы можете сделать это с помощью нашей таблицы распределения эпизодов:

.

Эту таблицу также можно экспортировать в виде файла CSV и открыть в Microsoft Excel, Google Sheets или Apple Numbers.

Сравните статистику выпусков

Теперь вы можете просмотреть подробную аналитику по каждому выпуску, опубликованному на Transistor, и сравнить его с предыдущими выпусками.

Посмотрите, какие приложения для подкастов люди используют для прослушивания вашего шоу

Как ваша аудитория слушает? Используют ли они подкасты Apple, Spotify или Google Podcasts? Вы можете увидеть эти тенденции с течением времени в нашей диаграмме проигрывателя подкастов:

.

Вы можете выбрать приложения, которые хотите видеть на диаграмме, и визуализировать, где вы получаете больше слушателей.

Вы также можете экспортировать эти данные в виде файла CSV.

См. устройства для прослушивания и операционную систему

Чтобы узнать, сколько слушателей ваших подкастов используют настольные компьютеры, мобильные устройства, смарт-часы или смарт-колонки, вы можете теперь просмотреть аналитику Transistor.

Вы также можете узнать, используют ли слушатели подкастов iPhone, Android, Windows, Apple Watch, Amazon Alexa, Google Home и Sonos.

Карта слушателей подкастов

Transistor предоставляет карту, чтобы вы могли видеть, из каких стран ваши слушатели.

Еще более полезным является то, что вы можете увидеть список того, какой процент слушателей проживает в каждой стране.

В США, Канаде и Австралии вы также получаете разбивку по штатам/провинциям.

Видеообзор Transistor Analytics

1948: Концепция переходного транзистора | Кремниевый двигатель

После изобретения Бардином и Браттейном точечного транзистора в декабре 1947 года (Milestone 1947) физик Bell Labs Уильям Шокли начал месяц интенсивной теоретической деятельности.23 января 1948 года он задумал совершенно другой транзистор, основанный на p-n переходе, открытом Расселом Олом в 1940 году. его тонкую механическую конфигурацию было бы трудно изготовить в больших объемах с достаточной надежностью.

Шокли также не согласился с объяснением Бардина того, как работает их транзистор. Он утверждал, что положительно заряженные дырки также могут проникать сквозь объемный германиевый материал, а не только просачиваться по поверхностному слою.Это явление, названное «инжекцией неосновных носителей», имело решающее значение для работы его переходного транзистора, трехслойного сэндвича из полупроводников n-типа и p-типа, разделенных p-n переходами. Так сегодня работают все «биполярные» переходные транзисторы.

16 февраля 1948 года физик Джон Шайв добился работы транзистора в полоске германия с точечными контактами на противоположных сторонах, а не рядом друг с другом, продемонстрировав, что отверстия действительно протекают через германий. Шокли подал заявку на патент на переходной транзистор в июне того же года и опубликовал свою подробную теорию его работы в 1949 году.Тем не менее, прошло еще два года, прежде чем ученые и инженеры Bell Labs разработали процессы, которые позволили производить его переходной транзистор в промышленных количествах (Milestone 1951).

  • Шокли, Уильям. Лабораторная тетрадь Bell Labs № 20455 (январь 1948 г.), стр. 128–32, 23.
  • Shockley, W. «Элемент схемы, использующий полупроводниковый материал», U.Патент S. 2 569 347 (подана 26 июня 1948 г., выдана 25 сентября 1951 г.).
  • Шокли, Уильям. «Теория PN-переходов в полупроводниках и транзисторах с PN-переходами», Bell System Technical Journal Vol. 28 № 3 (июль 1949 г.), стр. 435-89.
  • Шокли, Уильям. Электроны и дырки в полупроводниках с применением в транзисторной электронике . (Нью-Йорк: Ван Ностранд, 1950).
  • Шокли, Уильям.«Транзисторная технология пробуждает новую физику», Нобелевская лекция. Нобелевские лекции, Physics 1942-1962 (Амстердам: Elsevier Publishing Company 1964).

  • Шокли, Уильям. «Путь к концепции переходного транзистора», IEEE Transactions on Electron Devices , Vol. ЭД-23, № 7 (июль 1976 г.), стр. 597-620.
  • Холоньяк, Ник. Инженер-электрик , устная история, проведенная в 1993 году Фредериком Небекером, Центр истории IEEE, Университет Рутгерса, Нью-Брансуик, Нью-Джерси, США.
  • Риордан, М. и Ходдесон, Л. Хрустальный огонь: рождение века информации . (Нью-Йорк: WW Norton 1997), стр. 142–55.
  • Интервью Лилиан Ходдесон с Уильямом Шокли 10 сентября 1974 г., Библиотека и архив Нильса Бора, Американский институт физики, Колледж-Парк, Мэриленд, 20740.

Разработан новый революционный интеллектуальный транзистор

В дополнение к обычным контрольным воротам (красные) есть еще программные ворота (синие).Кредит: Технический университет Вены

Революционно новые электронные компоненты могут быть адаптированы для выполнения самых разных задач — технология, идеально подходящая для искусственного интеллекта.

Обычно компьютерные микросхемы состоят из электронных компонентов, которые всегда выполняют одно и то же действие. Однако в будущем станет возможной большая гибкость: новые типы адаптивных транзисторов могут динамически переключаться во время выполнения для выполнения различных логических задач. Это в корне меняет возможности проектирования микросхем и открывает совершенно новые возможности в области искусственного интеллекта, нейронных сетей или даже логики, которая работает с большим количеством значений, чем просто 0 и 1.

Чтобы добиться этого, ученые TU Wien (Вена) сделали ставку не на обычную кремниевую технологию, а на германиевую. Это был успех: самый гибкий транзистор в мире теперь производится с использованием германия. Он был представлен в журнале ACS Nano . Особые свойства германия и использование специальных электродов программного затвора позволили создать прототип нового компонента, который может открыть новую эру технологии микросхем.

Дополнительный управляющий электрод меняет все

Транзистор является основой каждого современного электронного устройства: это крошечный компонент, который либо пропускает ток, либо блокирует его — в зависимости от того, подается ли электрическое напряжение на управляющий электрод.Это позволяет создавать простые логические схемы, а также запоминающие устройства.

Способ переноса электрического заряда в транзисторе зависит от используемого материала: либо имеются свободно движущиеся электроны, несущие отрицательный заряд, либо в отдельных атомах может отсутствовать электрон, так что это пятно заряжено положительно. Тогда это называется «дырками» — их также можно перемещать в материале.

В новом транзисторе Технического университета Вены и электроны, и дырки управляются одновременно очень особым образом: «Мы соединяем два электрода чрезвычайно тонкой проволокой из германия через чрезвычайно чистые высококачественные интерфейсы.Над германиевым сегментом мы размещаем электрод затвора, как в обычных транзисторах. Решающим является то, что наш транзистор имеет дополнительный управляющий электрод, который расположен на границе между германием и металлом. Он может динамически программировать работу транзистора», — объясняет доктор Масиар Систани, научный сотрудник в группе профессора Вальтера Вебера в Институте твердотельной электроники Технического университета Вены.

Вальтер Вебер, Масиар Систани и Рафаэль Бёкле (слева направо).Кредит: Технический университет Вены

Эта архитектура устройства позволяет управлять электронами и дырками отдельно. «Тот факт, что мы используем германий, является решающим преимуществом», — говорит Масиар Систани. «Это связано с тем, что германий имеет особую электронную структуру: когда вы подаете напряжение, ток сначала увеличивается, как и следовало ожидать. Однако после определенного порога ток снова уменьшается — это называется отрицательным дифференциальным сопротивлением. С помощью управляющего электрода мы можем модулировать, при каком напряжении находится этот порог.Это приводит к новым степеням свободы, которые мы можем использовать, чтобы придать транзистору именно те свойства, которые нам нужны в данный момент».

Таким образом, например, вентиль НЕ-И (логический вентиль «не-и») может быть переключен на вентиль ИЛИ-НЕ (логический вентиль «ни-ни»). «До сих пор интеллект электроники исходил просто из соединения нескольких транзисторов, каждый из которых имел лишь довольно примитивную функциональность. В будущем этот интеллект может быть перенесен на адаптируемость самого нового транзистора», — говорит проф.Уолтер Вебер. «Арифметические операции, которые ранее требовали 160 транзисторов, возможны с 24 транзисторами благодаря этой повышенной адаптивности. Таким образом, скорость и энергоэффективность цепей также могут быть значительно увеличены».

Исследовательская группа профессора Вебера работает в Техническом университете Вены всего около двух лет. Профессор Вальтер Вебер сделал себе международное имя благодаря своей работе над новой реконфигурируемой электроникой. Доктор Масиар Систани является экспертом в области германиевой электроники и специализируется на исследовании явлений электронного транспорта.Эти две области знаний идеально подходят для создания адаптивного германиевого транзистора. «Некоторые детали все еще нуждаются в оптимизации, но с нашим первым программируемым германиевым транзистором мы доказали, что основная идея действительно работает. Для нас это решающий прорыв», — говорит Масиар Систани.

Искусственный интеллект

Эти новые возможности особенно интересны для приложений в области искусственного интеллекта: «Наш человеческий интеллект основан на динамически изменяющихся цепях между нервными клетками.Благодаря новым адаптивным транзисторам теперь можно целенаправленно менять схемы непосредственно на микросхеме», — говорит Уолтер Вебер. Таким образом можно реализовать и многозначную логику — т.е. схемы, работающие не только с 0 и 1, но и с большим числом возможных состояний.

Быстрое промышленное применение этой новой технологии вполне реально: используемые материалы уже сегодня используются в полупроводниковой промышленности, и нет необходимости в каких-либо совершенно новых производственных процессах. В некотором отношении технология будет даже проще, чем раньше: сегодня полупроводниковые материалы легируют, т.е.е. обогащены отдельными чужеродными атомами. В этом нет необходимости с транзистором на основе германия; можно использовать чистый германий.

«Мы не хотим полностью заменять хорошо зарекомендовавшую себя технологию кремниевых транзисторов нашим новым транзистором, это было бы самонадеянно», — говорит Масиар Систани. «В будущем новая технология, скорее всего, будет встроена в компьютерные чипы в качестве надстройки. Для некоторых приложений просто будет более энергоэффективно и удобно полагаться на адаптивные транзисторы.

Ссылка: «Адаптивные транзисторы нанометрового масштаба на основе Ge, обеспечивающие программируемое отрицательное дифференциальное сопротивление, обеспечивающее многозначную логику», Масиар Систани, Рафаэль Бёкле, Дэвид Фалькенштайнер, Минь Ань Луонг, Мартиен И. ден Хертог, Алоис Лугштейн и Вальтер М. Вебер, 27 Октябрь 2021 г., ACS Nano .
DOI: 10.1021/acsnano.1c06801

Интернет-магазин транзисторов

| Future Electronics

Дополнительная информация о транзисторах…

Что такое транзистор?

Транзистор представляет собой полупроводник, содержащий твердую неподвижную часть, пропускающую заряд.Транзистор может усиливать и коммутировать электронные сигналы и электроэнергию и изготовлен из полупроводникового материала, по крайней мере, с тремя выводами, которые используются для подключения к внешней цепи. Транзисторы могут усиливать сигнал, потому что выходная мощность может быть выше, чем входная мощность. При подаче напряжения или тока на одну из пар клемм происходит изменение тока через другую пару клемм.

Типы транзисторов

Компания Future Electronics предлагает несколько различных типов транзисторов.У нас есть многие из наиболее распространенных типов, классифицированных по нескольким параметрам, включая полярность, общую рассеиваемую мощность, ток коллектора, напряжение CE, тип упаковки и многие другие параметры, характерные для типа транзистора. Наши параметрические фильтры позволят вам уточнить результаты поиска в соответствии с требуемыми параметрами.

Транзисторы от Future Electronics

Future Electronics предлагает широкий ассортимент транзисторов от нескольких производителей. Как только вы решите, нужны ли вам биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, цифровые транзисторы, транзисторы общего назначения, IGBT-транзисторы, полевые транзисторы JFET или переключатели нагрузки, вы сможете выбрать их технические характеристики, и результаты поиска будут сужены для соответствия вашему конкретному применению транзистора. потребности.

Приложения для транзисторов:

Есть много приложений, которые используют транзисторы, включая:

  • Логические ворота
  • Общее переключение
  • Усиление и звукоизоляция
  • Обработка сигналов
  • Радиопередача

Выбор правильного транзистора :

Параметрический поиск FutureElectronics.com позволяет при поиске подходящих транзисторов фильтровать результаты по категориям.Мы несем следующие категории транзисторов:

  • Биполярные транзисторы
  • Darlington Transistors
  • Digital Transistors
  • Транзисторы общего назначения
  • IGBT Transistors
  • JFET
  • Нагрузочные выключатели

Как только вы выберете категорию транзисторов, вы можете сузить их вниз по различным атрибутам: по общей рассеиваемой мощности, полярности, напряжению CE и току коллектора, и это лишь некоторые из них. Используя эти фильтры, вы сможете найти подходящие транзисторы Дарлингтона, биполярные транзисторы, цифровые транзисторы, IGBT-транзисторы, транзисторы общего назначения, переключатели нагрузки или JFET.

Транзисторы в готовой к производству упаковке или в количествах для НИОКР

Если количество транзисторов, которое вам требуется, меньше, чем полная катушка, мы предлагаем нашим клиентам несколько наших транзисторов в лотках, тубах или в отдельных количествах, что поможет вам избежать ненужных излишек.

Future Electronics также предлагает своим клиентам уникальную программу инвентаризации, предназначенную для устранения потенциальных проблем, которые могут возникнуть из-за непредсказуемых поставок продуктов, которые могут содержать необработанные металлы, и продуктов с неустойчивыми или длительными сроками поставки.Поговорите с ближайшим филиалом Future Electronics и узнайте больше о том, как вы и ваша компания можете избежать возможной нехватки.

Serebii.net AbilityDex — Транзистор

СпособностьDex A-L AdaptabilityAerilateAftermathAir LockAnalyticAnger PointAnticipationArena TrapAroma VeilAs One — расстроить & Чиллерные NeighAs One — расстроить и Grim NeighAura BreakBad DreamsBall FetchBatteryBattle ArmorBattle BondBeast BoostBerserkBig PecksBlazeBulletproofCheek PouchChlorophyllClear BodyCloud NineColor ChangeComatoseCompetitiveCompoundeyesContraryCorrosionCotton DownCursed BodyCute CharmDampDancerDark AuraDauntless ShieldDazzlingDefeatistDefiantDelta StreamDesolate LandDisguiseDownloadDragon в MawDrizzleDroughtDry SkinEarly BirdEffect SporeElectric SurgeEmergency ExitFairy AuraFilterFlame BodyFlare BoostFlash FireFlower GiftFlower VeilFluffyForecastForewarnFriend GuardFriskFull Metal BodyFur ПальтоGale WingsGalvanizeОбжорствоGooeyGorilla TacticsGrass PeltGrassy SurgeGulp MissileGutsHarvestHealerHeatproofHeavy MetalHoney GatherHuge PowerHunger SwitchHustleHydrationHyper CutterIce BodyIce FaceIce ScalesIlluminateIllusionImmunityImposterInfiltratorInnards OutInner FocusInsomniaIntimidateIntrepi d SwordIron BarbsIron FistJustifiedОстрый глазKlutzLeaf GuardLevitateLiberoЛегкий металлLightningrodLimberLiquid OozeLiquid VoiceLong Reach СпособностьDex M-Z Магия BounceMagic GuardMagicianMagma ArmorMagnet PullMarvel ScaleMega LauncherMercilessMimicryMinusMirror ArmorMisty SurgeMold BreakerMoodyMotor DriveMoxieMultiscaleMultitypeMummyNatural CureNeuroforceNeutralizing GasNo GuardNormalizeObliviousOvercoatOvergrowOwn TempoParental BondPastel VeilPerish BodyPickpocketPickupPixilatePlusPoison HealPoison PointPoison TouchPower ConstructPower из AlchemyPower SpotPranksterPressurePrimordial SeaPrism ArmorPropeller TailProteanPsychic SurgePunk RockPure PowerQueenly MajestyQuick DrawQuick FeetRain DishRattledReceiverRecklessRefrigerateRegeneratorRipenRivalryRKS SystemRock HeadRough SkinRun AwaySand ForceSand RushSand SpitSand StreamSand VeilSap SipperSchoolingScrappyScreen CleanerSerene GraceShadow ShieldShadow TagShed SkinSheer ForceShell ArmorShield DustShields DownSimpleSkill LinkМедленный стартSlush RushSniperSnow CloakSnow WarningSolar PowerSolid RockSoul-HeartSoundproofSpeed ​​BoostStakeoutStallStalwartStamina ChangeStance ChangeStaticSteadfastSteam Engine eSteelworkerSteely SpiritStenchSticky HoldStorm DrainStrong JawSturdySuction CupsSuper LuckSurge SurferSwarmSweet VeilSwift SwimSymbiosisSynchronizeTangled FeetTangling HairTechnicianTelepathyTeravoltThick FatTinted LensTorrentTough ClawsToxic BoostTraceTransistorTriageTruantTurboblazeUnawareUnburdenUnnerveUnseen FistVictory StarVital SpiritVolt AbsorbWandering SpiritWater AbsorbWater BubbleWater CompactionWater VeilWeak ArmorWhite SmokeWimp OutWonder GuardWonder кожи Zen Mode
Транзистор
Текст игры:
Усиливает приемы электрического типа.
Углубленный эффект:
Увеличивает урон от атак электрического типа на 50%

Покемоны, которые могут иметь способность Transistor:

Нет. рис Имя Тип Способности Базовая статистика
HP Атт Защита С.Атт С.Защита Скорость
#894
Региелеки Транзистор 80 100 50 100 50 200

Покемоны, которые могут иметь способность Transistor в качестве скрытой способности:

Нет. рис Имя Тип Способности Базовая статистика
HP Атт Защита С.Атт S.Def Скорость

Transistor Wars — IEEE Spectrum

Есть простая причина, по которой все задумываются о модернизации: чем меньше вы делаете КМОП-транзистор, тем больше тока он теряет в выключенном состоянии. Эта утечка возникает из-за геометрии устройства. Стандартный КМОП-транзистор состоит из четырех частей: истока, стока, канала, который их соединяет, и верхнего затвора для управления каналом. Когда затвор включен, он создает проводящий путь, который позволяет электронам или дыркам двигаться от истока к стоку.При выключении ворот этот токопроводящий путь должен исчезнуть. Но поскольку инженеры сократили расстояние между истоком и стоком, контроль затвора над каналом транзистора стал слабее. Ток проходит через часть канала, наиболее удаленную от затвора, а также через кремниевую подложку. Единственный способ сократить утечки — найти способ удалить весь этот лишний кремний.

За последние несколько десятилетий появилось два очень разных решения этой проблемы.Один из подходов состоит в том, чтобы сделать кремниевый канал традиционного планарного транзистора как можно более тонким, убрав кремниевую подложку и вместо этого настроив канал поверх изоляционного материала. Другая схема состоит в том, чтобы повернуть этот канал на бок, выталкивая его из плоскости транзистора, чтобы создать трехмерное устройство. У каждого подхода есть свой набор достоинств и производственных проблем, и производители микросхем сейчас разрабатывают лучший способ догнать Intel. В ближайшие несколько лет в и без того быстро развивающейся отрасли произойдут серьезные потрясения.

Изменение на КМОП-транзисторы не является чем-то новым, но темпы нарастают. Когда первые КМОП-устройства поступили в массовое производство в 1980-х годах, путь к дальнейшей миниатюризации казался простым. Еще в 1974 году инженеры исследовательского центра IBM T. J. Watson Research Center в Йорктаун-Хайтс, штат Нью-Йорк, под руководством Роберта Деннарда уже набросали идеальную последовательность. Команда описала, как постоянное уменьшение длины затвора, толщины изолятора затвора и других размеров элементов может одновременно улучшить скорость переключения, энергопотребление и плотность транзисторов.

Но этот набор правил, известный как закон масштабирования Деннарда, уже некоторое время не соблюдается. Во время бума персональных компьютеров в 1990-х потребность в более быстрых микропроцессорах привела к уменьшению длины затвора транзистора быстрее, чем того требовал закон Деннарда. Уменьшение размера транзисторов увеличило скорость, но инженеры обнаружили, что при этом они не могут уменьшить напряжение на устройствах, чтобы снизить энергопотребление. Так много тока терялось, когда транзистор был выключен, что сильное напряжение — приложенное к стоку, чтобы протащить носители заряда через канал — было необходимо, чтобы гарантировать, что устройство переключится как можно быстрее, чтобы избежать потери мощности в процессе переключения.

Иллюстрация: Эмили Купер

Устранение ИЗБЫТОЧНОСТИ: В ближайшие несколько лет традиционные планарные КМОП-транзисторы с полевым эффектом [слева] будут заменены альтернативными архитектурами, которые улучшат управление затвором канала. UTB SOI [в центре] заменяет объемный кремниевый канал тонким слоем кремния, закрепленным на изоляторе. FinFET [справа] поворачивает канал транзистора на бок и оборачивает затвор с трех сторон. Нажмите, чтобы увеличить.

К 2001 году мощность утечки быстро приближалась к величине мощности, необходимой для переключения транзистора из его «выключенного» состояния. Это был тревожный сигнал для отрасли. Тенденция обещала чипы, которые будут потреблять одинаковое количество энергии независимо от того, используются они или нет. Производителям микросхем нужно было найти новые способы увеличения плотности транзисторов. В 2003 году, когда длина каналов транзисторов сократилась до 45 нанометров, Intel представила чипы, несущие устройства, изготовленные с применением технологии деформации.Эти транзисторы имели кремниевые каналы, которые были физически сжаты или вытянуты для увеличения скорости и снижения потерь мощности из-за сопротивления. К следующему «узлу» — отраслевой жаргон для вехи плотности транзисторов — компании перестали уменьшать размеры транзисторов и вместо этого начали просто сжимать транзисторы ближе друг к другу. А в 2007 году Intel продлила действие закона Мура еще на несколько лет, представив первое серьезное изменение в материалах, заменив постоянно утончающийся изолятор из оксида кремния, который находится между затвором и каналом транзистора, на оксид гафния.

Этот материал с лучшей изоляцией помог остановить основной источник тока утечки — туннелирование электронов между затвором и каналом. Но утечка из истока в сток по-прежнему была огромной проблемой. По мере того, как компании сталкивались с перспективой создания еще более плотных чипов с характеристиками, приближающимися к 20 нм, становилось все более очевидным, что сжать вместе традиционные планарные транзисторы или еще больше их уменьшить с помощью существующих технологий невозможно. Замена на новый изолятор или добавление большего напряжения не уменьшит его.Снижение энергопотребления и сохранение закона Мура потребовало бы фундаментального изменения структуры транзистора — новой конструкции, которая могла бы максимизировать контроль затвора над каналом.

К счастью, в ходе более чем 20-летних исследований разработчики транзисторов нашли два очень эффективных способа повысить эффективность транзисторного затвора. Поскольку сами ворота не могут стать намного сильнее, эти схемы направлены на то, чтобы облегчить контроль над каналом. Один подход заменяет объемный кремний обычного транзистора тонким слоем кремния, построенным на изолирующем слое, создавая устройство, которое часто называют сверхтонким корпусом кремний-на-изоляторе или UTB SOI, также известным как полностью обедненный SOI.

Второй способ поворачивает тонкий кремниевый канал на 90 градусов, создавая «плавник», который выступает из плоскости устройства. Затем затвор транзистора накинут на верхнюю часть канала в виде перевернутой буквы U, заключая его в скобки с трех сторон и предоставляя затвору почти полный контроль над каналом. В то время как обычные КМОП-устройства в основном плоские, за исключением тонкого изолирующего слоя и затвора, эти полевые транзисторы FinFET — или транзисторы Tri-Gate, как Intel назвала свои трехсторонние устройства, — определенно являются трехмерными.Все основные компоненты транзистора — исток, сток, канал и затвор — расположены на верхней части подложки устройства.

Обе схемы обладают одним и тем же основным преимуществом: утончая канал, они приближают затвор к сливу. Когда транзистор закрыт, электрическое поле стока может пройти по одному из двух путей внутри канала к местам назначения с нулевым напряжением. Он может распространяться по всему каналу к истоку или заканчиваться на затворе транзистора. Если поле достигает источника, оно может снизить энергетический барьер, удерживающий носители заряда в источнике от входа в канал.Но если ворота находятся достаточно близко к стоку, они могут действовать как громоотвод, отклоняющий силовые линии от источника. Это сокращает утечку, а также означает, что силовые линии не проникают очень далеко в канал, рассеивая еще больше энергии, притягивая любые блуждающие носители.

Первый трехмерный транзистор был нарисован Дигом Хисамото и другими сотрудниками Hitachi, которые представили дизайн устройства, получившего название Delta, на конференции в 1989 году. Корни UTB SOI уходят еще дальше; они являются естественным продолжением ранних исследований каналов КНИ, которые начались в 1980-х годах, когда исследователи начали экспериментировать с транзисторами, построенными из нелегированных кремниевых каналов толщиной 200 нм на изоляционном материале.

Но перспективы обоих подходов с тонкими каналами не были полностью оценены до 1996 года, когда Ченмин Ху и его коллеги из Калифорнийского университета в Беркли начали амбициозное исследование, финансируемое Агентством перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США, чтобы посмотрите, как далеко могут зайти эти проекты. В то время промышленность производила 250-нм транзисторы, и никто не знал, можно ли масштабировать устройства ниже 100 нм. Команда Ху показала, что две альтернативные архитектуры могут решить проблемы энергопотребления планарных КМОП-транзисторов и что они могут работать с длиной затвора 20 нм, а позднее и меньше.

FinFET и UTB SOI обеспечивают значительный выигрыш в энергопотреблении. Конструкции логических микросхем обычно требуют, чтобы транзистор во включенном состоянии потреблял как минимум в 10 000 раз больше тока, чем течет в выключенном состоянии. Для 30-нм транзисторов — примерно такого размера, к которому в настоящее время стремится большинство производителей микросхем — эта спецификация дизайна означает, что устройства должны пропускать не более нескольких наноампер тока, когда они выключены. В то время как 30-нм планарные КМОП-устройства пропускают примерно в 50 раз больше, обе конструкции с тонкими каналами довольно легко попадают в цель.

Но эти две архитектуры не совсем равны. Для достижения наилучшей производительности канал UTB SOI должен иметь толщину не более одной четверти длины затвора. Поскольку затвор FinFET ограничивает канал с трех сторон, трехмерные транзисторы могут достичь того же уровня управления с каналом или ребром, толщина которого в два раза меньше длины затвора транзистора.

Этот больший объем канала дает FinFET явное преимущество, когда речь идет о пропускной способности по току.Лучшие результаты исследований и разработок показывают, что 25-нм FinFET может пропускать примерно на 25 процентов больше тока, чем UTB SOI. Это увеличение тока не имеет большого значения, если у вас есть только один транзистор, но в ИС это означает, что вы можете заряжать конденсаторы на 25 процентов быстрее, что делает чипы намного быстрее. Более быстрые чипы, очевидно, много значат для производителя микропроцессоров, такого как Intel. Вопрос в том, сочтут ли другие производители чипов более высокие скорости достаточными для перехода на FinFET, что требует больших предварительных инвестиций и совершенно нового набора производственных задач.

Единственным самым большим препятствием в производстве FinFET является изготовление ребер таким образом, чтобы они были узкими и однородными. Для 20-нм транзистора — примерно такого же размера, как тот, который Intel запускает в производство — ребро должно быть около 10 нм в ширину и 25 нм в высоту; он также должен отклоняться не более чем на полнанометра — всего на несколько атомных слоев — в любом заданном направлении. В процессе производства производители должны контролировать все источники вариаций, ограничивая их размером не более 1 нм на пластине шириной 300 мм.

Сокращение отдачи: По мере того, как транзисторы становились меньше, их энергопотребление росло. К 2001 году мощность, утекающая через транзистор, когда он был выключен, быстро приближалась к количеству энергии, необходимой для включения транзистора [слева], что является предупреждающим знаком для индустрии микросхем. Как показывают эти данные Intel, проблема с утечкой в ​​конечном итоге остановила масштабирование транзистора [справа], процесс, называемый законом Деннарда. Переход на альтернативные архитектуры позволит производителям микросхем снова уменьшить размер транзисторов, повысив их плотность и производительность. Нажмите, чтобы увеличить.

Такая точность нужна не только для изготовления плавника; его также необходимо поддерживать для остальной части производственного процесса, включая термическую обработку, легирование и многочисленные этапы осаждения и удаления пленки, необходимые для создания изолятора затвора и затвора транзистора. В качестве дополнительной сложности оксид затвора и затвор должны быть нанесены так, чтобы они повторяли контуры ребра. Любой процесс, который повреждает плавник, может повлиять на работу устройства.Результирующее изменение качества устройств заставит инженеров использовать схемы с более высокой мощностью, чем они рассчитаны, что сведет на нет любой выигрыш в энергоэффективности.

Необычная геометрия FinFET также создает проблемы для легирования, которое не требуется, но может помочь сократить ток утечки. Каналы FinFET нуждаются в двух видах присадок: одна помещается под затвор, а другая в части канала, которые проходят по обе стороны от затвора, помогая соединить канал с истоком и стоком.В настоящее время производители смазывают каналы, направляя ионы прямо в материал. Но этот подход не сработает для FinFET. Устройствам необходимо, чтобы легирующие примеси распределялись равномерно по верхней части ребра и боковым стенкам; любая неравномерность концентрации вызовет накопление зарядов, повысит сопротивление устройства и приведет к потере мощности.

Допинг в будущем станет только сложнее. По мере того, как FinFET сжимаются, они становятся настолько близкими друг к другу, что отбрасывают «тени» друг на друга, предотвращая проникновение примесей в каждую часть каждого ребра.В Silicon Systems Group компании Applied Materials мы работали над одним возможным решением: погрузить ребра в плазму, чтобы примеси могли мигрировать непосредственно в материал, независимо от его формы.

Поскольку устройства UTB SOI очень похожи на обычные планарные КМОП-транзисторы, их проще производить, чем FinFET. Большинство существующих конструкций и технологий производства будут работать с новыми транзисторами из тонкого кремния так же хорошо, как и с традиционными транзисторами. И в некотором смысле UTB SOI легче производить, чем современные транзисторы.Устройствам не нужны легированные каналы, упрощение, которое может сэкономить производителям планарных КМОП от 20 до 30 шагов из примерно 400 в процессе производства пластин.

Но у UTB SOI есть свои проблемы, в основном тонкий канал. Требование, чтобы каналы UTB SOI были в два раза тоньше, чем у сопоставимых ребер FinFET, делает любые изменения толщины еще более критичными для этих устройств. Фирма под названием Soitec со штаб-квартирой в Бернене, Франция, которая лидирует в производстве ультратонких пластин кремния на изоляторе, в настоящее время демонстрирует слои кремния толщиной 10 нм, которые различаются всего на 0.толщиной 5 нм. Это впечатляющее достижение для пластин диаметром 300 мм, но его необходимо улучшать по мере уменьшения размеров транзисторов. И неясно, насколько точна техника Soitec, которая включает в себя расщепление пластины для создания ультратонкого слоя кремния, в конечном итоге может быть реализована.

Еще одним ключевым камнем преткновения при внедрении UTB SOI является цепочка поставок. На данный момент существует несколько потенциальных поставщиков ультратонких пластин SOI, что в конечном итоге может сделать производителей чипов UTB SOI зависимыми от нескольких источников.Марк Бор из Intel говорит, что труднодоступные пластины могут увеличить стоимость готовой пластины на 10% по сравнению с 2–3% для пластин с трехмерными транзисторами (оценка отраслевого консорциума SOI предполагает, что готовые пластины UTB SOI на самом деле будет дешевле).

В будущем мы ожидаем, что производители чипов разделятся на два лагеря. Те, кто заинтересован в самых быстрых транзисторах, перейдут на FinFET. Другие, кто не хочет вкладывать столько средств в коммутатор, сочтут UTB SOI более привлекательными.

Транзисторы

UTB SOI имеют дополнительную особенность, которая делает их особенно привлекательными для приложений с низким энергопотреблением: небольшое напряжение можно легко приложить к самой нижней части микросхемы, заполненной устройствами UTB SOI. Это небольшое напряжение смещения изменяет свойства канала, уменьшая электрический барьер, препятствующий протеканию тока от истока к стоку. В результате к затворам транзисторов необходимо приложить меньшее напряжение, чтобы включить устройства. Когда транзисторы не нужны, это напряжение смещения можно снять, что восстанавливает электрический барьер, уменьшая величину тока, протекающего через устройство, когда оно выключено.Как давно утверждал Томас Скотницки из STMicroelectronics, такое динамическое переключение экономит энергию, что делает устройства особенно привлекательными для чипов в смартфонах и других мобильных гаджетах. Скотницкий говорит, что компания рассчитывает выпустить свой первый чип UTB SOI, который будет использовать 28-нм транзисторы для питания мобильного мультимедийного процессора, к концу 2012 года.

Тем не менее, лишь немногие компании привержены той или иной технологии. STMicroelectronics, а также такие фирмы, как GlobalFoundries и Samsung, входят в состав Международного альянса разработчиков полупроводников, который поддерживает и извлекает выгоду из исследований устройств в IBM и инвестирует как в FinFET, так и в SOI UTB.То, как именно разделится отрасль и какая конструкция станет доминирующей, будет зависеть от решений, принятых крупнейшими литейными заводами, и от того, насколько быстро будут разработаны стандарты. В сообщениях предполагается, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., которая доминирует в производстве микросхем на заказ, начнет производить 14-нм FinFET в 2015 году, но неясно, будет ли компания также поддерживать производство UTB SOI. Переход на производство FinFET требует значительных инвестиций, и в какую бы сторону ни повернулась TSMC, она окажет давление на других производителей, таких как GlobalFoundries, United Microelectronics Corp., и новичкам в литейном бизнесе, таким как Samsung, выбирать направление.

Также до сих пор неясно, насколько далеко может быть расширена каждая технология. Сейчас похоже, что и FinFET, и UTB SOI должны быть в состоянии охватить следующие три поколения транзисторов. Но транзисторы UTB SOI могут не развиваться намного ниже 7 нм, потому что в этот момент для их оксида затвора потребуется эффективная толщина 0,7 нм, что потребует значительных инноваций в материалах. FinFET могут иметь аналогичный лимит.В 2006 году команда Корейского передового института науки и технологий использовала электронно-лучевую литографию для создания 3-нм FinFET. Но создать одно устройство — это не то же самое, что собрать миллионы вместе для создания микропроцессора; когда транзисторы расположены так близко друг к другу, паразитные емкости и сопротивления будут отводить ток от каждого ключа. Некоторые прогнозы предполагают, что когда FinFET будут уменьшены до 7 нм или около того, они будут работать не лучше, чем планарные устройства.

Тем временем исследователи уже пытаются выяснить, какие устройства могут прийти на смену FinFET и UTB SOI, чтобы продолжить масштабирование по закону Мура.Одна из возможностей состоит в том, чтобы экстраполировать концепцию FinFET с помощью устройства с нанопроволокой, которое полностью окружено цилиндрическим затвором. Другая идея состоит в том, чтобы использовать квантовое туннелирование для создания переключателей, которые не могут пропускать ток, когда они не включены. Мы не знаем, что будет дальше. Появление FinFET и UTB SOI ясно показывает, что времена простого масштабирования транзисторов давно позади. Но переход на эти новые конструкции также наглядно демонстрирует, как творческое мышление и хорошая конкуренция могут помочь нам довести закон Мура до предела — каким бы он ни был.

Об авторах

Халед Ахмед — старший член IEEE и специалист по технологической стратегии в группе кремниевых систем компании Applied Materials, где Клаус Шуграф является техническим директором.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.