Виды корпусов транзисторов: Типы корпусов транзисторов отечественного производства

Содержание

Типы smd-корпусов

2 вывода 3 вывода 4 вывода 5 выводов 6 выводов 8 выводов >9 выводов
smcj
[do214ab]
7,0х6,0х2,6мм
d2pak
[to263]
9,8х8,8х4,0мм
mbs
[to269aa]
4,8х3,9х2,5мм
d2pak5
[to263-5]
9,8х8,8х4,0мм
mlp2x3
[mo229]
(dfn2030-6)
(lfcsp6)
3,0х2,0х0,75мм
tssop8
[mo153]
4,4х3,0х1,0мм
usoic10
(rm10|micro10)
3,0х3,0х1,1мм
smbj
[do214aa]
4,6х3,6х2,3мм
dpak
[to252aa]
6,6х6,1х2,3мм
sop4
4,4х4,1х2,0мм
dpak5
[to252-5]
6,6х6,1х2,3мм
ssot6
[mo193]
3,0х1,7х1,1мм
chipfet
3,05х1,65х1,05мм
tdfn10
(vson10|dfn10)
3,0х3,0х0,9мм
(gf1)
[do214ba]
4,5х1,4х2,5мм
(smpc)
[to277a]
6,5х4,6х1,1мм
ssop4
4,4х2,6х2,0мм
sot223-5
6,5х3,5х1,8мм
dfn2020-6
[sot1118]
(wson6 | llp6)
(udfn6)
2,0х2,0х0,75мм
tdfn8
(wson8)
(lfcsp8)
3,0х3,0х0,9мм
(wson10)
3,0х3,0х0,8мм
smaj
[do214ac]
4,5х2,6х2,0мм
sot223
[to261aa]
{sc73}
6,5х3,5х1,8мм
sot223-4
6,5х3,5х1,8мм
mo240
(pqfn8l)
3,3х3,3х1,0мм
sot23-6
[mo178ab]
{sc74}
2,9х1,6х1,1мм
(mlf8)
2,0х2,0х0,85мм
msop10
[mo187da]
2,9х2,5х1,1мм
smf
[do219ab]
2,8х1,8х1,0мм
sot89
[to243aa]
{sc62}
4,7х2,5х1,7мм
sot143
2,9х1,3х1,0мм
sot89-5
4,5х2,5х1,5мм
tsot6
[mo193]
2,9х1,6х0,9мм
msop8
[mo187aa]
3,0х3,0х1,1мм
(uqfn10)
1,8х1,4х0,5мм
sod123
[do219ab]
2,6х1,6х1,1мм
sot23f
2,9х1,8х0,8мм
sot343
2,0х1,3х0,9мм
sot23-5
[mo193ab|mo178aa]
{sc74a}
(tsop5/sot753)
2,9х1,6х1,1мм
sot363
[mo203ab|ttsop6]
{sc88|sc70-6}
(us6)
2,0х1,25х1,1мм
vssop8
3,0х3,0х0,75мм
bga9
(9pin flip-chip)
1,45х1,45х0,6мм
sod123f
2,6х1,6х1,1мм
sot346
[to236aa]
{sc59a}
(smini)
2,9х1,5х1,1мм
sot543

1,6х1,2х0,5мм
sct595
2,9х1,6х1,0мм
sot563f
{sc89-6|sc170c}
[sot666]
(es6)
1,6х1,2х0,6мм
sot23-8
2,9х1,6х1,1мм
   
sod110
2,0х1,3х1,6мм
sot23
[to236ab]
2,9х1,3х1,0мм
(tsfp4-1)
1,4х0,8х0,55мм
sot353
[mo203aa]
{sc88a|sc70-5}
(tssop5)
(usv)
2,0х1,25х0,95мм
sot886
[mo252]
(xson6/mp6c)
1,45х1,0х0,55мм
sot765
[mo187ca]
(us8)
2,0х2,3х0,7мм
   
sod323
{sc76}
1,7х1,25х0,9мм
dfn2020
(sot1061)
2,0х2,0х0,65мм
(tslp4)
1,2х0,8х0,4мм
sot553
(sot665|esv)
{sc107}
1,6х1,2х0,6мм
wlcsp6
1,2х0,8х0,4мм
       
sod323f
{sc90a}
1,7х1,25х0,9мм
sot323
{sc70}
(usm)
2,0х1,25х0,9мм
dfn4
1,0х1,0х0,6мм
sot1226
(x2son5)
0,8х0,8х0,35мм
           
dfn1608
(sod1608)
1,6х0,8х0,4мм
sot523
(sot416)
{sc75a}
(ssm)
1,6х0,8х0,7мм
(dsbga4|wlcsp)
0,75х0,75х0,63мм
               
sod523f
{sc79}
1,2х0,8х0,6мм
sot523f
(sot490)
{sc89-3}
1,6х0,8х0,7мм
                   
sod822
(tslp2)
1,0х0,6х0,45мм
dfn1412
{sot8009}
1,4х1,2х0,5мм
                   
    sot723
{sc105aa}
(tsfp-3)
(vesm)
1,2х0,8х0,5мм
                   
    dfn1110
{mo340ba}
(sot8015)
1,1х1,0х0,5мм
                   
    sot883
{sc101}
(tslp3-1)
(cst3)
1,0х0,6х0,5мм
                   
    sot1123
0,8х0,6х0,37мм
                   

SOT23: маркировка, даташит и микросхемы

Первый прибор с пластиковым корпусом, используемый для монтажа на поверхности, SOT23, впервые появился в 1969 году. А 3 года назад компания Nexperia смогла продать около 30 миллиардов устройств. Дело в том, что устройство является инновацией в изготовлении полупроводниковых приборов.

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

  • был добавлен 5-контактный вариант;
  • появилась бессвинцовая версия;
  • был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

  • снижение канального сопротивления;
  • паразитного сопротивления;
  • выводной емкости и индуктивности;
  • увеличение рабочего тока;
  • увеличение рабочего напряжения;
  • увеличение скорости действия.

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

  1. Невысокое открытое сопротивление.
  2. Стабильность температуры, если не используется радиатор.
  3. Невысокий порог напряжения затвора.
  4. Бюджетная стоимость.

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой. Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения.

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

  • управляющее напряжение затвора;
  • тип корпуса;
  • технология кристаллизации;
  • уровень напряжения стока и размера кристалла.

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

  1. L — уровень управляющего напряжения.
  2. F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
  3. L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

ШИМ-контроллеры SOT23

Замена контроллеров широтно-импульсной модуляции с корпусом SOT23 приводит к сложностям в определении их вида. Наименования устройств, как правило, очень длинные, их не разместить на маленьком корпусе. Поэтому туда наносится не оно, а специальный код.

ШИМ-контроллером называется специальная схема sot23, на которой строится блок питания на импульсах. Когда нагрузочный этого прибора меняется, это приводит к изменению импульсной скважности. Имеются в виду импульсы, которые генерирует микросхема.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

  1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
  2. Input Voltage (VCC) — питание.
  3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
  4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
  5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
  6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
  7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB. От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

  1. sot23-3.
  2. sot23-5.
  3. sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

  1. DC/DC.
  2. AC/DC.
  3. ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

На AliExpress  очень большой выбор транзисторов в корпусе SOT-23, можете по ссылке перейти и выбрать для себя нужный.

Типы корпусов электронных компонентов

Условно все типы корпусов электронных компонентов можно разделить на два типа: корпуса с выводами для монтажа в сквозные отрверстия (РТН-Plated Through-hole) и корпуса с планарыми выводами (SMT — Surface Mounting Technology).

Ниже представлены основыне типы корпусов микросхем и дискретных компонентов. Как правило, в зависимости от расположения выводов, можно выделить следующие типы корпусов:

  1. корпуса с периферийным расположением выводов, когда вы¬воды расположены по краям кристалла или корпуса;
  2. корпуса с матричным расположением выводов.

Следует отметить, что большинство типов микросхем имеют периферийное расположение выводов. Тем не менее, шаг периферийных выводов ограничен 0,3 мм, что позволяет микросхемам с корпусами больших размеров иметь до 500 выводов. Но нужно принять во внимание, что при шаге выводов меньше 0,5 мм выход годных изделий резко снижается.

Большое разнообразие имеют электронные компоненты с матричным расположением выводов:

  1. CSP (Chip-scale Packages — корпус, соизмеримый с размером кристалла),
  2. PBGA (Plastic Ball Grid Array — пластмассовые корпуса с шариковыми матричными выводами),
  3. CBGA (Ceramic Ball Grid Array — керамические корпуса с шариковыми матричными выводами),
  4. PPGA (Plastic Pin Grid Array — пластмассовые корпуса с матричными контактными площадками),
  5. CCGA (Ceramic Column Grid Array — керамические корпуса со столбиковыми матричными выводами).

Ниже приведена информация об основных типах корпусов элкетронных комопнентов, применяемых при разработке печатных плат.

Чип-резистор

Чип-конденсаторы

Чип-индуктивность

Танталовый чип-конденсатор

MELF(Metal Electrode Face)-компоненты

Транзисторы в корпусе SOT23

Транзисторы в корпусе SOT89

Диоды в корпусе SOD123

Транзисторы в корпусе SOT143

Транзисторы в корпусе SOT223

Транзисторы в корпусе TO-252/TO-268 (Modified Through-Hole Component)

Микросхемы в корпусе SOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Микросхемы в корпусе SSOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Микросхемы в корпусе SOP (Small Outline Package)

Микросхемы в корпусе TSOP (Thin Small Outline Package)

Микросхемы в корпусе CFP (Ceramic Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SOJ (Components with J Leads on Two Sides)

Микросхемы в корпусе PQFP (Plastic Quad Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack) Rectangular

Микросхемы в корпусе CQFP (Ceramic Quad Flat Pack) Rectangular

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Square

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Rectangular

Микросхемы в корпусе LCC (Leadless Ceramic Chip Carrier)

Микросхемы в корпусе DIP (Dual-In-Line Pin)

Микросхемы в корпусе BGA (ball grid array — матрица шариковых выводов)

Чип-резистор

Рисунок 1 — Конструкция чип-резистора

Рисунок 2 — Размеры чип-резистора

Рисунок 3 — Таблица основных параметров чип-резистора

Чип-конденсаторы

Рисунок 4 — Конструкция чип-конденсатора

Рисунок 5 — Размеры чип-конденсатора

Рисунок 6 — Таблица основных параметров чип-конденсатора

Чип-индуктивность

Рисунок 7 — Конструкция чип-индуктивности

Рисунок 8 — Размеры чип-индуктивности

Рисунок 9 — Таблица основных параметров чип-индуктивности

Танталовый чип-конденсатор

Рисунок 10 — Конструкция танталового чип-конденсатора

Рисунок 11 — Размеры танталового чип-конденсатора

Рисунок 12 — Таблица основных параметров танталового чип-конденсатора

MELF(Metal Electrode Face)-компоненты

Рисунок 13 — Конструкция MELF-компонента

Рисунок 14 — Размеры MELF-компонента

Рисунок 15 — Таблица основных параметров MELF-компонента

Транзисторы в корпусе SOT23

Рисунок 16 — Конструкция SOT23

Рисунок 17 — Размеры SOT23

Рисунок 18 — Таблица основных параметров SOT23

Транзисторы в корпусе SOT89

Рисунок 19 — Конструкция SOT89

Рисунок 20 — Размеры SOT89

Рисунок 21 — Таблица основных параметров SOT89

Диоды в корпусе SOD123

Рисунок 22 — Конструкция SOD123

Рисунок 23 — Размеры SOD123

Рисунок 24 — Таблица основных параметров SOD123

Транзисторы в корпусе SOT143

Рисунок 25 — Конструкция SOT143

Рисунок 26 — Размеры SOT143

Рисунок 27 — Таблица основных параметров SOT89

Транзисторы в корпусе SOT223

Рисунок 28 — Конструкция SOT223

Рисунок 29 — Размеры SOT223

Рисунок 30 — Таблица основных параметров SOT223

Транзисторы в корпусе TO-252/TO-268 (Modified Through-Hole Component)

Рисунок 31 — Конструкция TO252

Рисунок 32 — Размеры TO252

Рисунок 33 — Таблица основных параметров TO252

Примечаниие к таблице: * — TO-252, ** — TO-268.

Микросхемы в корпусе SOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Рисунок 34 — Конструкция SOIC

Рисунок 35 — Размеры SOIC

Рисунок 36 — Таблица основных параметров SOIC

Микросхемы в корпусе SSOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Рисунок 37 — Конструкция SSOIC

Рисунок 38 — Размеры SSOIC

Рисунок 39 — Таблица основных параметров SSOIC

Микросхемы в корпусе SOP (Small Outline Package)

Рисунок 40 — Конструкция SOP

Рисунок 41 — Размеры SOP

Рисунок 42 — Таблица основных параметров SOP

Микросхемы в корпусе TSOP (Thin Small Outline Package)

Рисунок 43 — Конструкция TSOP

Рисунок 44 — Размеры TSOP

Рисунок 45 — Таблица основных параметров TSOP

Микросхемы в корпусе CFP (Ceramic Flat Pack)

Рисунок 46 — Конструкция CFP

Рисунок 47 — Размеры CFP

Рисунок 48 — Таблица основных параметров CFP

Микросхемы в корпусе SOJ (Components with J Leads on Two Sides)

Рисунок 49 — Конструкция SOJ

Рисунок 50 — Размеры SOJ

Рисунок 51 — Таблица основных параметров SOJ

Рисунок 52 — Размеры SOJ

Рисунок 53 — Таблица основных параметров SOJ

Микросхемы в корпусе PQFP (Plastic Quad Flat Pack)

Рисунок 54 — Конструкция PQFP

Рисунок 55 — Размеры PQFP

Рисунок 56 — Таблица основных параметров PQFP

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack)

Рисунок 57 — Конструкция SQFP

Рисунок 58 — Размеры SQFP

Рисунок 59 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 60 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 61 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 62 — Таблица основных параметров SQFP

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack) Rectangular

Рисунок 63 — Конструкция SQFP Rectangular

Рисунок 64 — Размеры SQFP Rectangular

Рисунок 65 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 66 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 67 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 68 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Микросхемы в корпусе CQFP (Ceramic Quad Flat Pack) Rectangular

Рисунок 69 — Конструкция CQFP

Рисунок 70 — Размеры CQFP

Рисунок 71 — Таблица основных параметров CQFP

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Square

Рисунок 72 — Конструкция PLCC

Рисунок 73 — Размеры PLCC

Рисунок 74 — Таблица основных параметров PLCC

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Rectangular

Рисунок 75 — Конструкция PLCC Rectangular

Рисунок 76 — Размеры PLCC Rectangular

Рисунок 77 — Таблица основных параметров PLCC Rectangular

Микросхемы в корпусе LCC (Leadless Ceramic Chip Carrier)

Рисунок 78 — Конструкция LCC

Рисунок 79 — Размеры LCC

Рисунок 80 — Таблица основных параметров LCC

Микросхемы в корпусе DIP (Dual-In-Line Pin)

Рисунок 81 — Конструкция DIP

Рисунок 82 — Размеры DIP

Рисунок 83 — Таблица основных параметров DIP

Микросхемы в корпусе BGA (ball grid array — матрица шариковых выводов)

шаг выводов 1.5 мм

Рисунок 84 — Конструкция BGA

Рисунок 85 — Размеры BGA

Рисунок 86 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 87 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1.27 мм

Рисунок 88 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 89 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1 мм

Рисунок 90 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 91 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1.27 мм, PBGA Rectangular

Рисунок 92 — Таблица основных параметров PBGA

повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

25 мая 2018

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD.

Одним из требований, предъявляемых к силовым преобразователям с жесткой коммутацией, например, корректорам коэффициента мощности (ККМ) компьютерных серверов и телекоммуникационных систем, источникам бесперебойного питания (ИБП) и инверторам солнечных батарей, является постоянный рост удельной мощности. Увеличение мощности силовых устройств при прежних габаритах диктует разработчикам необходимость поиска путей реализации высокочастотных преобразовательных схем с повышенным КПД и пониженным тепловыделением.

Тепловой режим силовых полупроводниковых приборов, в частности – МОП-транзисторов, является основным фактором, ограничивающим возможность использования компонентов поверхностного монтажа (SMD) вместо традиционных штыревых приборов. Однако в настоящее время полупроводниковая технология Super Junction (SJ) в сочетании с усовершенствованными корпусами SMD дает возможность применения МОП-транзисторов, выполненных в корпусах SMD, в силовых преобразовательных устройствах средней и большой мощности.

В современном мире происходит истощение природных ресурсов, вследствие чего наблюдается рост стоимости недвижимости и энергоносителей. Эти два фактора оказывают огромное влияние на мировую инфраструктуру. Эксперты прогнозируют устойчивую тенденцию роста удельной мощности силовых устройств, вследствие чего технологии каждого нового поколения будут обеспечивать большую мощность в меньшем объеме. Например, в современных серверах увеличение мощности происходит при сохранении малых рабочих напряжений, что приводит к значительному росту потребляемых токов. В свою очередь большие токи требуют увеличения площади сечения медных проводников для минимизации потерь энергии. При взгляде на современные информационные центры становится понятной необходимость роста удельной мощности – рабочее пространство стоит дорого, вследствие чего бизнес стремится получить максимум прибыли с единицы площади. Достигнутая в 2006 г. мощность 6 кВт на одну стойку питания к концу текущего десятилетия увеличится, по прогнозам, почти втрое, что предъявляет все более серьезные требования к системам электропитания.

Большую роль в решении данной проблемы играет повышение энергоэффективности. Если источник питания не вырабатывает избыточного тепла, задача отвода избыточной тепловой энергии отсутствует. Высокая энергоэффективность означает, что конечный потребитель получает больше «полезной» энергии, то есть снижаются затраты энергии на выполнение вычислительных операций, работу систем связи или преобразование солнечной энергии. Более плотная компоновка серверов позволяет уменьшить расходы на аренду недвижимости, а уменьшение тепловыделения снижает требования к системе охлаждения, что в конечном итоге также приводит к уменьшению требуемого рабочего пространства и снижает затраты на электроэнергию.

Несмотря на то, что электронная промышленность достаточно давно перешла на технологию поверхностного монтажа, силовые п/п-приборы, в том числе – усовершенствованные, последнего поколения, по-прежнему выпускаются в корпусах со штыревыми выводами. Наиболее распространенные типы таких корпусов, – TO-220 и TO-247, – обеспечивают наилучший тепловой режим, однако требуют дополнительных производственных операций, увеличивающих стоимость изделия. Кроме того, как будет показано далее, выводы корпусов являются фактором, ограничивающим эксплуатационные характеристики размещенных в них МОП-транзисторов.

МОП-транзисторы Super Junction серии C7 Gold

Хорошо зарекомендовавшая себя технология CoolMOSTM компании Infineon Technologies прошла длительный путь развития, начиная с внедрения в 1999 г. новой структуры стока МОП-транзисторов (рисунок 1). Данный техпроцесс поддерживает высокие стандарты качества, что можно проиллюстрировать следующим фактом – на 1,6 миллиарда выпущенных изделий CoolMOSTM было зарегистрировано всего 38 отказов.

Рис. 1. Сравнительный вид п/п-структур планарного высоковольтного МОП-транзистора (слева) и МОП-транзистора, выполненного по технологии SJ (справа)

МОП-транзисторы, изготовленные по технологии Super Junction, имеют два существенных отличия от планарных высоковольтных МОП-транзисторов. Первое из них заключается в меньшем сопротивлении в открытом состоянии RDS(ON), что достигается более сильным легированием области протекания тока. Однако без вертикальных областей с проводимостью p-типа, образующих структуру компенсации заряда в области ниже ячейки, рабочее напряжение транзистора будет значительно меньше из-за сильно легированной области n-типа. Вертикальные области p-типа с точно заданными размерами создают компенсационную структуру, которая уравновешивает сильнолегированную область протекания тока. В результате достигается нулевое среднее значение зоны пространственного заряда, обеспечивая тем самым высокое рабочее напряжение «сток-сток».

Данная конструкция транзистора позволила уменьшить удельное сопротивление канала, что привело к снижению потерь проводимости. Благодаря сопутствующему положительному эффекту в виде уменьшения площади кристалла произошло уменьшение паразитных емкостей и динамических потерь, что позволило преодолеть предельную линию кремния. Уже в первом поколении транзисторов CoolMOS™ Серии CP были снижены все виды потерь.

Дальнейшее развитие технологии МОП-транзисторов привело к созданию серии C7 с уменьшенными значениями паразитных емкостей и достигнутым впервые в мире удельным сопротивлением R(ON) × A < 1 Ом×мм2. Потери на выключение МОП-транзисторов серии C7 были уменьшены на 50% по сравнению с МОП-транзисторами предыдущего поколения CP. В серии МОП-транзисторов C7 Gold (G7) технология CoolMOSTM получила дальнейшее усовершенствование, в результате чего потери на выключение были дополнительно уменьшены на 25%. МОП-транзисторы C7 Gold (G7) обладают лучшими в своем классе показателями качества в терминах RDS(ON) × EOSS’ и RDS(ON) × Qg, что обеспечивает максимальный КПД в топологиях с жесткой коммутацией, например, ККМ.

Безвыводный корпус TOLL

В силовых каскадах ККМ средней и большой мощности часто используются приборы в корпусах со штыревыми выводами. По мере развития электронной промышленности разработчики корпусов также внедрили ряд инноваций: например, замена корпуса TO-247 на TO-220 позволила уменьшить площадь посадочного места на 50%. Однако даже такие корпуса SMD как D2PAK имеют выводы, несмотря на то, что припаиваются также по технологии поверхностного монтажа. Наличие выводов у выводных корпусов требует отдельного техпроцесса пайки волной припоя или, в худшем случае, ручной пайки. Однако проблема не только в этом – выводы обладают паразитной индуктивностью, которая уменьшает скорость изменения управляющего напряжения, вследствие чего снижается КПД силового каскада.

Для решения данной проблемы компания Infineon разработала безвыводный корпус TOLL (TO-Leadless), преимущества которого показаны на рисунке 2 и в таблице 1.

Рис. 2. Сравнение габаритных и установочных размеров различных типов корпусов

Таблица 1. Сравнение МОП-транзисторов Infineon C7 и G7, выполненных в различных типах корпусов, по максимальному RDS(ON) и паразитной индуктивности выводов

На рисунке 3 показано детальное сравнение габаритных размеров корпуса TOLL с одним из распространенных типов корпусов SMD – D2PAK. В корпусе TOLL полностью отсутствуют выводы, унаследованные традиционными корпусами SMD от их штыревых прототипов, благодаря чему паразитная индуктивность контактов корпуса снижена с 5 до 1 нГн. Кроме того, корпус TOLL занимает на 60% меньший объем по сравнению с D2PAK.

Рис. 3. Сравнение корпусов TO-Leadless (TOLL) и D2PAK

Новый тип корпуса TOLL выполнен по бессвинцовой технологии и обладает минимальной чувствительностью к влажности (класс MSL1), что упрощает производственные процессы по его монтажу. Пайка корпусов TOLL может осуществляться либо волной, либо оплавлением припоя, что обеспечивает большую гибкость в выборе технологических процессов. Особенностью корпуса TOLL является наличие трапециевидных канавок на внешней стороне контактов. В процессе пайки канавки заполняются припоем, что позволяет контролировать соединение контактов с печатной платой оптическими средствами, обеспечивая тем самым высокое качество конечной продукции.

МОП-транзисторы CoolMOS

TM C7 Gold с рабочим напряжением 600 и 650 В в корпусе TOLL

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 представляют собой первые серийно производимые МОП-транзисторы, сочетающие в себе преимущества технологии CoolMOSTM C7 GOLD (G7) и нового корпуса TOLL, что позволяет разработчикам использовать их в силовых преобразовательных устройствах нового поколения.

МОП-транзистор в корпусе TOLL может быть включен по типовой трехвыводной схеме либо с подключением дополнительного вывода истока (Кельвиновское соединение). Несмотря на значительно меньшую паразитную индуктивность истока (1 нГн) дополнительный вывод истока, используемый в качестве общей цепи драйвера затвора, позволяет исключить падение напряжения на паразитной индуктивности. Данная особенность корпуса TOLL обеспечивает работу преобразователя с максимальным КПД, в том числе – при максимальном токе нагрузки.

По сравнению с ближайшими аналогами IPT65R033G7 и IPT60R028G7 имеют наименьшее сопротивление в открытом состоянии – соответственно, 33 и 28 мОм максимум, что в сочетании с типовым значением заряда затвора Qg = 110 нКл и Eoss = 13,5 мкДж при напряжении 400 В демонстрирует лучший показатель качества для 650-вольтовых МОП-транзисторов.

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 в корпусе TOLL имеют габаритные размеры 10,10×11,88×2,4 мм. Безвыводное соединение кристалла в корпусе SMD обеспечивает типичное значение теплового сопротивления «кристалл-окружающая среда» RthJA = 35°C/Вт. Данные тепловые характеристики позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD. В то время как применение 650-вольтовых МОП-транзисторов C7 Gold (G7) ограничено силовыми каскадами с жесткой коммутацией, 600-вольтовая версия может использоваться также в резонансных топологиях, например, LLC.

Преимущества технологии C7 Gold (G7) при использовании МОП-транзисторов в современных силовых преобразовательных устройствах показаны на рисунках 4 и 5. На рисунке 4 показано, что прирост КПД достигнут за счет меньшего сопротивления RDS(ON) и использования четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока. Рисунок 5 иллюстрирует снижение температуры МОП-транзистора, достигнутое за счет внедрения технологии C7 Gold и четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока.

Рис. 4. Увеличение КПД МОП-транзистора в корпусе TOLL по сравнению с выводным корпусом TO-247

Рис. 5. Снижение температуры МОП-транзистора

Заключение

Основным преимуществом технологии C7 Gold является малая величина удельного сопротивления канала R(ON) × A < 1 Ом×мм2, что позволило достичь малых значений RDS(ON) – 33 мОм для 650-вольтового и 28 мОм для 600-вольтового транзисторов. Помимо этого, на повышение КПД силовых каскадов влияют также улучшенные показатели RDS(ON) × EOSS и RDS(ON) × Qg и, как следствие, меньшее тепловыделение.

Дальнейшее увеличение КПД достигнуто за счет применения корпуса TOLL с минимальной индуктивностью истока (1 нГн) и четырехвыводной схемой с Кельвиновским соединением вывода истока. Корпус TOLL сочетает малую площадь посадочного места (115 мм2) и улучшенное тепловое сопротивление (RthJA = 35°C/Вт), что позволяет разработчикам реализовать импульсные источники питания мощностью до 3 кВт на основе МОП-транзисторов в корпусах SMD.

Благодаря автоматизации технологических процессов использование новых типов МОП-транзисторов в серверах, телекоммуникационном оборудовании и инверторах солнечных батарей позволяет повысить удельную мощность и снизить стоимость изделий.

Высокое качество корпуса TOLL (класс MSL1) и его совместимость с технологиями пайки волной и оплавлением припоя обеспечивают изделиям длительный срок эксплуатации. Корпус TOLL сертифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (J-STD20 и JESD22) и в дальнейшем будет использован для корпусирования п/п-приборов, изготавливаемых по другим технологиям, в частности – линейки CoolGaN производства компании Infineon.

•••

Наши информационные каналы

Цоколёвка корпусов популярных транзисторов. — Лаборатория радиолюбителя — Каталог статей

Приветствую Вас товарищи!

Оборудовать парк развлечений – непростая задача. Нужно предусмотреть активности и радости для всех групп посетителей – детей и взрослых. Одна из первоочередных задач – купить аттракционы. Мало выбрать конкретные модели в большом ассортименте. Нужно ещё, чтобы аттракционы и развлекательное оборудование были безопасными, надежными, не ломались, не требовали дорогого обслуживания, ремонта. При выполнении этих условий работа тематического парка развлечений будет прибыльной. В нашей компании вы можете купить всё необходимое оборудование для развлекательного бизнеса по доступным ценам и с гарантией качества.Продажа аттракционов.У нас есть самые разные модели для детей и взрослых, так что вы сможете оборудовать маленький или большой парк. У нас можно купить аттракционы: экстремальные, детские, семейные, водные.В продаже:башни свободного падения;колеса обозрения;американские горки;батуты;взрослые и детские карусели.Все они рентабельные, приносят хорошую прибыль. Они нравятся посетителям – и это главное!Безопасные развлечения с выгодой.Мы представляем развлекательное оборудование итальянской компании SBF-VISA Group. Компания уже 70 лет занимается разработкой, изготовлением, обслуживанием развлекательных устройств, проектированием парков. За это время она стала одним из самых больших и уважаемых производителей подобных аппаратов, которому доверяют во всем мире.Мы предлагаем игровое оборудование, аттракционы в Москве с послепродажным обслуживанием. Налаженное производство, постоянное совершенствование, введение в ассортимент новых моделей, техническое обслуживание до введения в эксплуатацию, а также во время работы парка – вот преимущества компании. При этом цены на аттракционы весьма доступны. Вы можете быстро окупить их стоимость и начать получать прибыль вскоре после запуска парка.Наши плюсы:большой выбор;цены от производителя;всё оборудование безопасно, имеет необходимые сертификаты;услугипроектирования, установки, технического обслуживания.Мы продаем в России аттракционы для бизнеса от мирового лидера. Это выгодное инвестирование средств.
Наша организация занимается свыше 10 лет производством и обслуживанием атракционов в России.Основные направления и виды нашей деятельности:
1)кидзания
2)чудо шар
3)зеркальный лабиринт
4)продажа аттракционов
5)терминал зарядки телефона
6)интерактивный стол
Нам будет приятно видеть у нас на интернет ресурсе НАЖМИТЕ ССЫЛКУ
Всегда рады помочь Вам!С уважением,skyproduction

Корпус — мощный транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Корпус — мощный транзистор

Cтраница 1


Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором:, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзисторов двухтактного каскада их корпус элек -, трически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 -: — 0 05 мм.  [2]

Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзистороз двухтактного каскада их корпус электрически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 — — 0 05 мм.  [3]

Как уже говорилось, корпус мощного транзистора часто приходится изолировать от внешнего радиатора с помощью специальных прокладок. Надо отметить, что применение любых изолирующих прокладок существенно увеличивает тепловое сопротивление. Поэтому конструкции транзисторов, в которых эмиттер соединен с корпусом, представляют значительный интерес.  [4]

К конструкции выводов и корпуса мощного транзистора предъявляется ряд специфичных требований, вызванных необходимостью снижения индуктивностей выводов и улучшения условий теплоотдачи.  [5]

При необходимости электрически изолировать корпус мощного транзистора от шасси ( с корпусом транзистора обычно бывает соединен коллектор) следует изолировать радиатор от шасси, а не транзистор от радиатора.  [7]

Для обеспечения теплоотвода от корпусов мощных транзисторов выходного каскада каждый из них следует лрикрепить к изолированной медной пластине площадью 50 — 70 см2 и толщиной 3 — 5 мм.  [8]

Выпускаемые в настоящее время мощные транзисторы имеют самое разнообразное конструктивное оформление. Число типов корпусов мощных транзисторов приближается к двумстам.  [10]

К конструкции корпусов мощных высокочастотных транзисторов предъявляются три основных требования. Первое из них является общим для конструкции корпуса любого мощного транзистора, а два других являются специфичными.  [12]

Регулятор типа Я120М1 также имеет дополнительный вывод Д, так как он работает по схеме рис. 63.2, е, а также вывод Р для подключения переключателя посезонной регулировки. Примером регулятора напряжения с ШИМ является регулятор типа Я212А11Е, который аналогичен регулятору типа FL14U4C фирмы Bosch. Он изготовляется по гибридной технологии в металлостеклянном корпусе, схожем по конфигурации с корпусом мощного транзистора.  [14]

Страницы:      1    2

Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа. Полупроводниковые приборы

Электрический монтаж радиокомпонентов должен обеспечивать надежную работу аппаратуры, приборов и систем в условиях механических и климатических воздействий, указанных в ТУ на данный вид РЭА. Поэтому при монтаже полупроводниковых приборов (ПП), интегральных схем (ИС) радиокомпонентов на печатные платы или шасси аппаратуры должны соблюдаться следующие условия:

  • надежный контакт корпуса мощного ПП с теплоотводом (радиатором) или шасси;
  • необходимая конвекция воздуха у радиаторов и элементов, выделяющих большое количество теплоты;
  • удаление полупроводниковых элементов от элементов схемы, выделяющих при работе значительное количество теплоты;
  • защита монтажа, расположенного вблизи съемных элементов, от механических повреждений при эксплуатации;
  • в процессе подготовки и проведения электрического монтажа ПП и ИС механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ;
  • при рихтовке, формовке и обрезке выводов ПП и ИС участок вывода около корпуса должен быть закреплен так, чтобы в проводнике не возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и приспособления для формовки выводов должны быть заземлены;
  • расстояние от корпуса ПП или ИС до начала изгиба вывода должно быть не менее 2 мм, а радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм — не менее 0,5 мм, при диаметре 0,6- 1 мм — не менее 1 мм, при диаметре свыше 1 мм — не менее 1,5 мм.

В процессе монтажа, транспортировки и хранения ПП и ИС (особенно полупроводниковых приборов СВЧ) необходимо обеспечивать их защиту от воздействия статического электричества. Для этого все монтажное оборудование, инструменты, контрольно-измерительную аппаратуру надежно заземляют. Чтобы снять статическое электричество с тела электромонтажника, пользуются заземляющими браслетами и специальной одеждой.

Для отвода теплоты участок вывода между корпусом ПП (или ИС) и местом пайки зажимают специальным пинцетом (теплоотводом). Если температура припоя не превышает 533 К ± 5 К (270 °С), а время пайки не более 3 с, пайку выводов ПП (или ИС) производят без теплоотвода или применяют групповую пайку (волной припоя, погружением в расплавленный припой или др.).

Очистку печатных плат (или панелей) от остатков флюса после пайки производят растворителями, которые не влияют на маркировку и материал корпусов ПП (или ИС).

При установке ИС с жесткими радиальными выводами в металлизированные отверстия печатной платы выступающая часть выводов над поверхностью платы в местах пайки должна быть 0,5-1,5 мм. Монтаж ИС этим способом производят после подрезки выводов (рис. 55). Для облегчения демонтажа установку ИС на печатные платы рекомендуется производить с зазорами между их корпусами.

Рис. 55. Формовка жестких радиальных выводов ИС:
1 — отформованные выводы, 2 — выводы перед формовкой

Интегральные схемы в корпусах с мягкими планарными выводами устанавливают на контактные площадки платы без монтажных отверстий. В этом случае их расположение на плате определяется формой контактных площадок (рис. 56).

Рис. 56. Монтаж ИС с плоскими (планарными) выводами на печатную плату:
1 — контактная площадка с ключом, 2 — корпус, 3 — плата, 4 — вывод

Примеры формовки ИС с планарными выводами приведены на рис. 57.

Рис. 57. Формовка плоских (планарных) выводов ИС при установке на плату без зазора (я), с зазором (б)

Установка и крепление ПП и И С, а также навесных радиокомпонентов па печатные платы должны обеспечивать доступ к ним и возможность их замены. Для охлаждения ИС их следует располагать на печатных платах с учетом движения воздушного потока вдоль их корпусов.

Для электрического монтажа ПП и малогабаритных радиокомпонентов сначала их устанавливают на монтажную арматуру (лепестки, штыри и т. п.) и механически закрепляют на ней выводы. Для пайки монтажного соединения применяют бескислотный флюс, остатки которого после пайки удаляют.

Радиокомпоненты к монтажной арматуре крепят либо механически на собственных выводах, либо дополнительно хомутом, скобой, держателем, заливкой компаундом, мастикой, клеем и др. При этом радиокомпоненты закрепляют так, чтобы они не смещались при вибрации и ударах (тряске). Рекомендуемые виды крепления радиокомпонентов (сопротивлений, конденсаторов, диодов, транзисторов) показаны на рис. 58.

Рис. 58. Установка радиокомпонентов на монтажную арматуру:
а, б — резисторов (конденсаторов) с плоскими и круглыми выводами, в — конденсатора ЭТО, г — диодов Д219, Д220, д — мощного диода Д202, е — триодов МП-14, МП-16, ж — мощного триода П4; 1 — корпус, 2 — лепесток, 3 — вывод, 4 — радиатор, 5 — провода, 6 — изоляционная трубка

Механическое крепление выводов радиокомпонентов на монтажной арматуре производится загибкой или скруткой их вокруг арматуры с последующим обжатием. При этом излом вывода при обжатии не допускается. При наличии в контактной стойке или лепестке отверстия вывод радиокомпонента перед пайкой механически закрепляют, продевая его через отверстие и огибая на половину или целый оборот вокруг лепестка или стойки с последующим обжатием. Излишек вывода при этом удаляют боковыми кусачками, а место крепления обжимают плоскогубцами.

Как правило, способы установки радиокомпонентов и крепления их выводов оговариваются в сборочном чертеже на изделие.

Для уменьшения расстояния между радиокомпонентом и шасси на их корпуса или выводы надевают изоляционные трубки, диаметр которых равен или несколько меньше диаметра радиокомпонента. В этом случае радиокомпоненты располагают вплотную друг к другу или к шасси. Изоляционные трубки, надеваемые на выводы радиокомпонентов, исключают возможность замыкания с соседними токопроводящими элементами.

Длина монтажных выводов от места пайки до корпуса радиокомпоиента приводится в ТУ и, как правило, оговаривается в чертеже: для дискретных радиокомпонеитов она должна быть не менее 8 мм, а для ПП — не менее 15 мм. Длина вывода от корпуса до изгиба радиокомпонента также оговаривается в чертеже: она должна быть не менее 3 мм. Выводы радиокомпонентов изгибают шаблоном, приспособлением или специальным инструментом. Причем внутренний радиус изгиба должен быть не меньше удвоенного диаметра или толщины вывода. Жесткие выводы радиокомпонентов (сопротивлений ПЭВ и т. п.) при монтаже отгибать не разрешается.

Радиокомпоненты, подбираемые при настройке или регулировке прибора, следует подпаивать без механического закрепления на полную длину своих выводов. После подбора их номиналов и регулировки прибора радиокомпоненты должны быть подпаяны к опорным точкам с механическим закреплением выводов.

Анализ отказов полупроводниковых приборов и микросхем показывает, что в большинстве случаев они связаны с повышением предельно допустимых напряжений и токов, а также с механическими повреждениями. Чтобы во время ремонта и регулировки полупроводниковые приборы и микросхемы не выходили из строя, необходимо соблюдать меры предосторожности. Произвольная замена радиоэлементов, определяющих режим схемы, недопустима даже на короткое время, так как это может привести к перегрузкам транзисторов, микросхем и выходу их из строя. Особенно тщательно надо следить за тем, чтобы щупами измерительных приборов не вызвать случайного замыкания цепей схемы. Не следует подключать к полупроводниковым приборам источник сигнала с малым внутренним сопротивлением, потому что через них могут протекать большие токи, превышающие предельно допустимые значения.

Исправность полупроводниковых диодов можно проверить с помощью омметра. Степень их годность определяют путем измерения прямого и обратного сопротивлений. В случае пробоя диода указанные сопротивления будут равны и составят несколько Ом, а при обрыве они будут бесконечно велики. Исправные диоды имеют прямое сопротивление в пределах: германиевые точечные — 50-100 Ом; кремниевые точечные — 150-500 Ом и плоскостные (германиевые и кремниевые) — 20-50 Ом.

При измерении сопротивления диода, имеющего утечку, показание стрелки прибора медленно уменьшается и, достигнув определенного значения, стрелка прибора останавливается. При повторном измерении процесс повторяется снова. Диоды с такими дефектами следует заменить. Взамен вышедших из строя подбирают диоды того же типа или аналоги, проверяют их и определяют полярность включения.

Проверку исправности транзисторов и измерение их основных параметров можно производить с помощью специального испытателя параметров транзисторов типа Л2-23. С помощью испытателя можно быстро определить коэффициент передачи тока «альфа», обратный ток коллектора, наличие или отсутствие пробоя между эмиттером и коллектором и др. Измерение таких важнейших эксплуатационных параметров позволяет судить о возможностях дальнейшего использования транзистора в схемах БРЭА.

При отсутствии специального прибора исправность транзисторов можно определить путем измерения сопротивления р-п-переходов с помощью омметра. Измерение рекомендуется выполнять на высшем диапазоне измерений омметра, где протекающий ток минимальный.

Проверку исправности микросхем начинают с измерения постоянных и импульсных напряжений на их выводах. Если результаты измерений отличаются от требуемых, то следует установить причину: дефекты в подсоединенных к ИМС радиоэлемента, отклонение их значений от номинальных, источник, откуда поступают необходимые импульсные и постоянные напряжения, или неисправность самой ИМС.

Нельзя проверять исправность ИМС методом замены, если для этой цели она должна быть выпаяна из печатной платы. Выпаянную ИМС не рекомендуется устанавливать вновь, даже если проведенная проверка показала ее исправность. Такое требование объясняется тем, что из-за повторного перегрева выводов не гарантируется ее без отказная работа.

При необходимости замены полупроводниковых приборов и микросхем нужно придерживаться следующих правил:

1. Установка и крепление полупроводниковых приборов должны проводиться с сохранением герметичности корпуса прибора. Чтобы предотвратить появление в них трещин, изгиб выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Для этого необходимо плоскогубцами жестко фиксировать выводы между местом изгиба и стеклянным изолятором.

2. Замена полупроводниковых приборов, микросхем и микросборок производится только при отключенном питании аппарата. При демонтаже транзистора из схемы сначала выпаивается коллекторная цепь. Базовые выводы транзистора отключают последними, а при монтаже базовый вывод подключается первым. Нельзя подавать напряжение на транзистор, базовый вывод которого отключен.

3. Пайка выводов полупроводниковых приборов производится на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора, за исключением транзисторов (например, КТ315, КТ361 и др.), для которых это расстояние составляет 5 мм. Между корпусом и местом пайки следует применять теплоотвод. При монтаже микросхему устанавливают на печатную плату с зазором, который обеспечивается конструкцией выводов (выводы не формируются).

4. Электропаяльник должен быть небольшого размера, мощностью не более 40 Вт, с питанием от источника напряжения 12-42 В. Температура жала паяльника не должна превышать 190 град. Цельсия. В качестве припоя необходимо применять сплав с низкой температурой плавления (ПОС-61, ПОСК-50-18, ПОСВ-33). Время пайки каждого вывода не более 3 сек. Интервал между пайками соседних выводов микросхем не менее 10 сек. С целью экономии времени рекомендуется пайку микросхем осуществлять через один вывод. Жало паяльника и корпус (общую шину) радиоаппарата следует заземлять или электропаяльник включать в сеть через трансформатор, так как во время пайки возникновение токов утечки между жалом паяльника, включенного в сеть, и выводами ИМС может привести к выходу ее из строя.

5. Для лучшего охлаждения мощные транзисторы и микросхемы устанавливают на радиаторах. Во избежании выхода из строя этих приборов из-за перегрева при их установке нужно соблюдать правила.

6. Контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию.

7. Контактные поверхности необходимо смазывать пастой с двух сторон (паста КПТ-8).

8. Винты, крепящие транзистор, должны затягиваться с усилием. При недостаточной затяжки винтов возрастает тепловое сопротивление контакта, что может привести к выходу из строя транзистора.

9. Чтобы заменить микросборок, ее следует вынуть из панели. Для этого нужно на 1-2 мм вытянуть из панели один край микросборки, а затем другой. Затем повторить операцию и окончательно извлечь микросборку без перекосов. Запрещается брать микросборку за плоскость, на которой расположены все элементы. Все операции следует производить, держа микросборку за торцевые части. Микросборка сначала вставляется в направляющие боковые пазы панели. Затем нажимают на нее с одной стороны, пока нижняя кромка этой стороны на пройдет в контакты панели на 1-2 мм. После этого нажимают на микросборку посередине и вводят ее в панель до упора без перекоса.

Во избежание повреждения полупроводниковых приборов при монтаже необходимо обеспечить неподвижность их выводов вбли­зи корпуса. Для этого следует изгибать выводы на расстоянии не менее 3…5 мм от корпуса и выполнять пайку низкотемператур­ным припоем ПОС-61 на расстоянии не менее 5 мм от корпуса прибора с обеспечением теплоотвода между корпусом и местом пайки. При расстоянии от места пайки до корпуса 8… 10 мм и более ее можно производить без дополнительного теплоотвода (в течение 2…3 с).

Перепайка в монтаже и замена отдельных деталей в схемах с полупроводниковыми приборами должна производиться при от­ключенном питании паяльником с заземленным жалом. При вклю­чении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, не­обходимо сначала присоединить базу, затем эмиттер, а потом кол­лектор. Отключение транзистора от схемы без снятия напряжения выполняется в обратной последовательности.

Для обеспечения нормальной работы полупроводниковых при­боров на полной мощности необходимо использовать дополни­тельные теплоотводы. В качестве теплоотводов применяются реб­ристые радиаторы из красной меди или алюминия, которые на­деваются на приборы. При проектировании схем с широким тем­пературным диапазоном работы следует учитывать, что при повышении температуры снижается не только допустимая мощность рассеяния многих типов полупроводниковых приборов, но и до­пустимые напряжения и сила токов переходов.

Эксплуатация полупроводниковых приборов должна осуществ­ляться только в диапазоне требуемых рабочих температур, при этом относительная влажность должна быть до 98 % при темпера­туре 40 °С; атмосферное давление — от 6,7 10 2 до 3 10 5 Па; вибра­ция с ускорением до 7,5g в диапазоне частот 10…600 Гц; много­кратные удары с ускорением до 75g; линейные ускорения до 25g.

Увеличение или уменьшение указанных выше параметров от­рицательно влияет на работу полупроводниковых приборов. Так, изменение диапазона рабочих температур вызывает растрескива­ние кристаллов полупроводников и изменение электрических ха­рактеристик приборов. Кроме того, под действием высокой тем­пературы происходят высыхание и деформация защитных покры­тий, выделение газов и расплавление припоя. Высокая влажность способствует коррозии корпусов и выводов вследствие электро­лиза. Низкое давление вызывает уменьшение пробивного напря­жения и ухудшение теплопередачи. Изменение ускорения ударов и вибрации приводит к появлению механических напряжений и усталости в элементах конструкций, а также механических по­вреждений (вплоть до отрыва выводов) и др.

Для защиты от воздействия вибраций и ускорения конструкция с полупроводниковыми приборами должна иметь амортизацию, а для улучшения влагостойкости должна покрываться защитным лаком.

Сборка и герметизация микросхем и полупроводниковых приборов включает в себя 3 основные операции: присоединение кристалла к основанию корпуса, присоединение выводов и защиту кристалла от воздействия внешней среды. От качества сборочных операций зависят стабильность электрических параметров и надёжность конечного изделия. кроме того, выбор метода сборки влияет на суммарную стоимость продукта.

Присоединение кристалла к основанию корпуса

Основными требованиями при присоединении полупроводинкового кристалла к основанию корпуса являются высокая надёжность соединения, механическая прочность и в ряде случаев высокий уровень передачи тепла от кристалла к подложке. Операцию присоединения проводят с помощью пайки или приклеивания.

Клеи для монтажа кристаллов могут быть условно разделены на 2 категории: электропроводящие и диэлектрические. Клеи состоят из связующего вещества клеи и наполнителя. Для обеспечения электро- и теплопроводности в состав клея как правило вводят серебро в виде порошка или хлопьев. Для создания теплопроводящих диэлектрических клеев в качестве наполнителя используют стеклянные или ке-рамические порошки.

Пайка осуществляется с помощью проводящих стеклянных или металлических припоев.

Стеклянные припои — это материалы, состоящие из оксидов металлов. Они обладают хорошей адгезией к широкому спектру керамики, оксидов, полупроводниковых материалов, металлов и характеризуются высокой коррозионной стойкостью.

Пайка металлическими припоями осуществляется с помощью навесок или прокладок припоя заданной формы и размеров (пре-форм), помещаемых между кристаллом и подложкой. В массовом производстве применяется специализированная паяльная паста для монтажа кристаллов.

Присоединение выводов

Процесс присоединения выводов кристалла к основанию корпуса осуществляется с помощью про-волоки, ленты или жёстких выводов в виде шариков или балок.

Проволочный монтаж осуществляется термокомпресионной, электроконтактной или ультразвуковой сваркой с помощью золотой, алюминиевой или медной проволоки/лент.

Беспроволочный монтаж осуществляется в технологии «перевёрнутого кристалла» (Flip-Chip). Жёсткие контакты в виде балок или шариков припоя формируются на кристалле в процессе создания металлизации.

Перед нанесением припоя поверхность кристалла пассивируется. После литографии и травления, контактные площадки кристалла дополнительно металлизируются. Эта операция проводится для создания барьерного слоя, предотвращения окисления и для улучшения смачиваемости и адгезии. После этого формируются выводы.

Балки или шарики припоя формируются методами электролитического или вакуумного напыления, заполнения готовыми микросферами или методом трафаретной печати. Кристалл со сформированными выводами переворачивается и монтируется на подложку.

Защита кристалла от воздействия внешней среды

Характеристики полупроводникового прибора в сильной степени определяются состоянием его по-верхности. Внешняя среда оказывает существенное влияние на качество поверхности и, соответствен-но, на стабильность параметров прибора. данное воздействие изменяется в процессе эксплуатации, поэтому очень важно защитить поверхность прибора для увеличения его надёжности и срока службы.

Защита полупроводникового кристалла от воздействия внешней среды осуществляется на заклю-чительном этапе сборки микросхем и полупроводниковых приборов.

Герметизация может быть осуществлена помощью корпуса или в бескорпусном исполнении.

Корпусная герметизация осуществляется путём присоединения крышки корпуса к его основанию с помощью пайки или сварки. Металлические, метало-стеклянные и керамические корпуса обеспечива-ют вакуум-плотную герметизацию.

Крышка в зависимости от типа корпуса может быть припаяна с использованием стеклянных при-поев, металлических припоев или приклеена с помощью клея. Каждый из этих материалов обладает своими преимуществами и выбирается в зависимости от решаемых задач

Для бескорпусной защиты полупроводниковых кристаллов от внешних воздействий используют пластмассы и специальные заливочные компаунды, которые могут быть мягкими или твёрдыми после полимеризации, в зависимости от задач и применяемых материалов.

Современная промышленность предлагает два варианта заливки кристаллов жидкими компаундами:

  1. Заливка компаундом средней вязкости (glob-top, Blob-top)
  2. Создание рамки из высоковязкого компаунда и заливка кристалла компаундом низкой вязкости (Dam-and-Fill).

Основное преимущество жидких компаундов перед другими способами герметизации кристалла за-ключается в гибкости системы дозирования, которая позволяет использовать одни и те же материалы и оборудование для различных типов и размеров кристаллов.

Полимерные клеи различают по типу связующего вещества и по типу материала наполнителя.

Связующий материал

Органические полимеры, используемые в качестве адгезива, могут быть разделены на две основные категории: реактопласты и термопласты. Все они являются органическими материалами, но

существенно отличаются по химическим и физическим свойствам.

В реактопластах при нагреве полимерные цепи необратимо сшиваются в жёсткую трёхмерную сетчатую структуру. Возникающие при этом связи позволяют получать высокую адгезионную способность материала, но при этом ремонтопригодность ограничена.

В термопластичных полимерах не происходит отверждения. Они сохраняют способность к размягчению и расплавлению при нагреве, создавая прочные эластичные связи. Это свойство позволяет использовать термопласты в задачах, где требуется ремонтопригодность. Адгезионная способность термопластичных пластмасс ниже, чем у реактопластов, но в большинстве случаев вполне достаточна.

Третий тип связующего вещества — смесь термопластов и реактопластов, объединяющая в себе

преимущества двух типов материалов. Их полимерная композиция представляет собой взаимопроникающую сеть термопластичных и реактопластичных структур, что позволяет использовать их для создания высокопрочных ремонтопригодных соединений при относительно низких температурах (150 о С — 200 о С).

Каждая система имеет свои достоинства и недостатки. Одним из ограничений в использовании термопластичных паст является медленное удаление растворителя в процессе оплавления. Раньше для соединения компонентов с использованием термопластичных материалов требовалось провести процесс нанесения пасты (соблюдая плоскостность), сушки для удаления растворителя и только затем установки кристалла на подложку. Такой процесс исключал образование пустот в клеящем материале, но увеличивал стоимость и затруднял использование данной технологии в массовом производстве.

Современные термопластичные пасты обладают способностью очень быстрого испарения растворителя. Это свойство позволяет наносить их методом дозирования, используя стандартное оборудование, и устанавливать кристалл на ещё не высушенную пасту. Далее следует этап быстрого низкотемпературного нагрева, во время которого растворитель удаляется, и после оплавления создаются адгезионные связи.

Долгое время имелись сложности с созданием высоко теплопроводящих клеев на основе термопластов и реактопластов. Данные полимеры не позволяли увеличивать содержание теплопроводящего наполнителя в пасте, поскольку для хорошей адгезии требовался высокий уровень связующего вещества (60-75%). Для сравнения: в неорганических материалах доля связующего вещества могла быть уменьшена до 15-20%. Современные полимерные клеи (Diemat DM4130, DM4030, DM6030) лишены этого недостатка, и содержание теплопроводящего наполнителя достигает 80-90%.

Наполнитель

Основную роль в создании тепло-, электропроводящего адгезива играют тип, форма, размер и количество наполнителя. В качестве наполнителя используется серебро (Ag) как химически стойкий материал с наиболее высоким коэффициентом теплопроводности. Современные пасты содержат в себе

серебро в виде порошка (микросферы) и хлопьев (чешуек). Точный состав, количество и размер частиц экспериментально подбираются каждым производителем и в сильной степени определяют теплопроводящие, электропроводящие и клеящие свойства материалов. В задачах, где требуется диэлектрик с теплопроводящими свойствами, в качестве наполнителя используется керамический порошок.

При выборе электропроводящего клея следует принимать во внимание следующие факторы:

  • Тепло-, электропроводность используемого клея или припоя
  • Допустимые технологические температуры монтажа
  • Температуры последующих технологических операций
  • Механическая прочность соединения
  • Автоматизация процесса монтажа
  • Ремонтопригодность
  • Стоимость операции монтажа

Кроме того, при выборе адгезива для монтажа следует обращать внимание на модуль упругости полимера, площадь и разность КТР соединяемых компонентов, а также толщину клеевого шва. Чем ниже модуль упругости (чем мягче материал), тем большие площади компонентов и большая разница КТР соединяемых компонентов и более тонкий клеевой шов допустимы. Высокое значение модуля упругости вносит ограничение в минимальную толщину клеевого шва и размеры соединяемых компонентов из-за возможности возникновения больших термомеханических напряжений.

Принимая решение о применении полимерных клеев, необходимо учитывать некоторые технологические особенности этих материалов и соединяемых компонентов, а именно:

  • длина кристалла (или компонента) определяет величину нагрузки на клеевой шов после охлаждения системы. Во время пайки кристалл и подложка расширяются в соответствии со своими КТР. Для кристаллов большого размера необходимо использовать мягкие (с низким модулем упругости) адгезивы или согласованные по КТР материалы кристалла/подложки. Если различие КТР слишком велико для данного размера кристалла, соединение может быть нарушено что приведет к отслаиванию кристалла от подложки. Для каждого типа пасты производитель, как правило, даёт рекомендации по максимальным размерам кристалла для определённых значений разницы КТР кристалла/подложки;
  • ширина кристалла (или соединяемых компонентов) определяет расстояние, которое проходит растворитель, содержащийся в адгезиве, до того как покинет клеевой шов. Поэтому размер кристалла должен учитываться и для правильного удаления растворителя;
  • металлизация кристалла и подложки (или соединяемых компонентов) не обязательна. Обычно полимерные клеи имеют хорошую адгезию ко многим неметаллизированым поверхностям. Поверхности должны быть очищены от органических загрязнений;
  • толщина клеевого шва. Для всех адгезива, содержащих тепло- , электропроводящий наполнитель, существует ограничение по минимальной толщине клеевого шва dx (см. рисунок). Слишком тонкий шов не будет иметь достаточно связующего вещества, чтобы покрыть весь наполнитель и сформировать связи с соединяемыми поверхностями. Кроме того, для материалов с высоким модулем упругости толщина шва может ограничиваться различными КТР для соединяемых материалов. Обычно для клеев с низким модулем упругости рекомендуемая минимальная толщина шва составляет 20-50 мкм, для клеев с высоким модулем упругости 50-100 мкм;

  • время жизни адгезива до установки компонента. После нанесения адгезива растворитель из пасты начинает постепенно испаряться. Если клей высыхает, то не происходит смачивания и приклеивания соединяемых материалов. Для компонентов малого размера, где отношение площади поверхности к объёму нанесённого клея велико, растворитель испаряется быстро, и время после нанесения до установки компонента необходимо минимизировать. Как правило, время жизни до установки компонента для различных клеев варьируется от десятков минут до нескольких часов;
  • время жизни до термического отверждения клея отсчитывается от момента установки компонента до помещения всей системы в печь. При длительной задержке может происходить расслоение и растекание клея, что негативным образом сказывается на адгезии и теплопроводности материала. Чем меньше размер компонента и количество нанесённого клея, тем быстрее он может высохнуть. Время жизни до термического отверждения клея может варьироваться от десятков минут до нескольких часов.
Выбор проволоки, лент

Надёжность проволочного/ленточного соединения в сильной степени зависит от правильного вы-бора проволоки/ленты. Основными факторами определяющими условия применения того или иного типа проволоки являются:

Тип корпуса . В герметичных корпусах используется только алюминиевая или медная проволока, поскольку золото и алюминий образуют хрупкие интерметаллические соединения при высоких темпе-ратурах герметизации. Однако для негерметичных корпусов используется только золотая проволока/ лента, поскольку данный тип корпуса не обеспечивает полную изоляцию от влаги, что приводит к коррозии алюминиевой и медной проволоки.

Размеры проволоки/лент (диаметр, ширина, толщина) более тонкие проводники требуются для схем с малыми контактными площадками. С другой стороны, чем выше ток, протекающий через соединение, тем большее сечение проводников необходимо обеспечить

Прочность на разрыв . Проволока/ленты подвергаются внешнему механическому воздействию в течение последующих этапов и в процессе эксплуатации, поэтому, чем выше прочность на разрыв, тем лучше.

Относительное удлинение . Важная характеристика при выборе проволоки. Слишком высокие значения относительного удлинения усложняют контроль формирования петли при создании прово-лочного соединения.

Выбор метода защиты кристалла

Герметизация микросхем может быть осуществлена помощью корпуса или в бескорпусном исполнении.

При выборе технологии и материалов, которые будут использоваться на этапе герметизации, следу-ет принимать во внимание следующие факторы:

  • Необходимый уровень герметичности корпуса
  • Допустимые технологические температуры герметизации
  • Рабочие температуры микросхемы
  • Наличие металлизации соединяемых поверхностей
  • Возможность использования флюса и специальной атмосферы монтажа
  • Автоматизация процесса герметизации
  • Стоимость операции герметизации

В статье приведён обзор технологий и материалов, применяемых для формирования столбиковых выводов на полупроводниковых пластинах при производстве микросхем.

Анализ отказов полупроводниковых приборов и микросхем показывает, что в большинстве случаев они связаны с повышением предельно допустимых напряжений и токов, а также с механическими повреждениями. Чтобы во время ремонта и регулировки полупроводниковые приборы и микросхемы не выходили из строя, необходимо соблюдать меры предосторожности. Произвольная замена радиоэлементов, определяющих режим схемы, недопустима даже на короткое время, так как это может привести к перегрузкам транзисторов, микросхем и выходу их из строя. Особенно тщательно надо следить за тем, чтобы щупами измерительных приборов не вызвать случайного замыкания цепей схемы. Не следует подключать к полупроводниковым приборам источник сигнала с малым внутренним сопротивлением, потому что через них могут протекать большие токи, превышающие предельно допустимые значения.

Исправность полупроводниковых диодов можно проверить с помощью омметра. Степень их годность определяют путем измерения прямого и обратного сопротивлений. В случае пробоя диода указанные сопротивления будут равны и составят несколько Ом, а при обрыве они будут бесконечно велики. Исправные диоды имеют прямое сопротивление в пределах: германиевые точечные — 50-100 Ом; кремниевые точечные — 150-500 Ом и плоскостные (германиевые и кремниевые) — 20-50 Ом.

При измерении сопротивления диода, имеющего утечку, показание стрелки прибора медленно уменьшается и, достигнув определенного значения, стрелка прибора останавливается. При повторном измерении процесс повторяется снова. Диоды с такими дефектами следует заменить. Взамен вышедших из строя подбирают диоды того же типа или аналоги, проверяют их и определяют полярность включения.

Проверку исправности транзисторов и измерение их основных параметров можно производить с помощью специального испытателя параметров транзисторов типа Л2-23. С помощью испытателя можно быстро определить коэффициент передачи тока «альфа», обратный ток коллектора, наличие или отсутствие пробоя между эмиттером и коллектором и др. Измерение таких важнейших эксплуатационных параметров позволяет судить о возможностях дальнейшего использования транзистора в схемах БРЭА.

При отсутствии специального прибора исправность транзисторов можно определить путем измерения сопротивления р-п-переходов с помощью омметра. Измерение рекомендуется выполнять на высшем диапазоне измерений омметра, где протекающий ток минимальный.

Проверку исправности микросхем начинают с измерения постоянных и импульсных напряжений на их выводах. Если результаты измерений отличаются от требуемых, то следует установить причину: дефекты в подсоединенных к ИМС радиоэлемента, отклонение их значений от номинальных, источник, откуда поступают необходимые импульсные и постоянные напряжения, или неисправность самой ИМС.

Нельзя проверять исправность ИМС методом замены, если для этой цели она должна быть выпаяна из печатной платы. Выпаянную ИМС не рекомендуется устанавливать вновь, даже если проведенная проверка показала ее исправность. Такое требование объясняется тем, что из-за повторного перегрева выводов не гарантируется ее без отказная работа.

При необходимости замены полупроводниковых приборов и микросхем нужно придерживаться следующих правил:

1. Установка и крепление полупроводниковых приборов должны проводиться с сохранением герметичности корпуса прибора. Чтобы предотвратить появление в них трещин, изгиб выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Для этого необходимо плоскогубцами жестко фиксировать выводы между местом изгиба и стеклянным изолятором.

2. Замена полупроводниковых приборов, микросхем и микросборок производится только при отключенном питании аппарата. При демонтаже транзистора из схемы сначала выпаивается коллекторная цепь. Базовые выводы транзистора отключают последними, а при монтаже базовый вывод подключается первым. Нельзя подавать напряжение на транзистор, базовый вывод которого отключен.

3. Пайка выводов полупроводниковых приборов производится на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора, за исключением транзисторов (например, КТ315, КТ361 и др.), для которых это расстояние составляет 5 мм. Между корпусом и местом пайки следует применять теплоотвод. При монтаже микросхему устанавливают на печатную плату с зазором, который обеспечивается конструкцией выводов (выводы не формируются).

4. Электропаяльник должен быть небольшого размера, мощностью не более 40 Вт, с питанием от источника напряжения 12-42 В. Температура жала паяльника не должна превышать 190 град. Цельсия. В качестве припоя необходимо применять сплав с низкой температурой плавления (ПОС-61, ПОСК-50-18, ПОСВ-33). Время пайки каждого вывода не более 3 сек. Интервал между пайками соседних выводов микросхем не менее 10 сек. С целью экономии времени рекомендуется пайку микросхем осуществлять через один вывод. Жало паяльника и корпус (общую шину) радиоаппарата следует заземлять или электропаяльник включать в сеть через трансформатор, так как во время пайки возникновение токов утечки между жалом паяльника, включенного в сеть, и выводами ИМС может привести к выходу ее из строя.

5. Для лучшего охлаждения мощные транзисторы и микросхемы устанавливают на радиаторах. Во избежании выхода из строя этих приборов из-за перегрева при их установке нужно соблюдать правила.

6. Контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию.

7. Контактные поверхности необходимо смазывать пастой с двух сторон (паста КПТ-8).

8. Винты, крепящие транзистор, должны затягиваться с усилием. При недостаточной затяжки винтов возрастает тепловое сопротивление контакта, что может привести к выходу из строя транзистора.

9. Чтобы заменить микросборок, ее следует вынуть из панели. Для этого нужно на 1-2 мм вытянуть из панели один край микросборки, а затем другой. Затем повторить операцию и окончательно извлечь микросборку без перекосов. Запрещается брать микросборку за плоскость, на которой расположены все элементы. Все операции следует производить, держа микросборку за торцевые части. Микросборка сначала вставляется в направляющие боковые пазы панели. Затем нажимают на нее с одной стороны, пока нижняя кромка этой стороны на пройдет в контакты панели на 1-2 мм. После этого нажимают на микросборку посередине и вводят ее в панель до упора без перекоса.

Внешний вид транзистора (TO) Типы корпусов

Транзистор Схема (ТО) Типы упаковки

транзистор Семейство пакетов Outline (TO) состоит из множества типов упаковки. решения для транзисторов и подобных дискретных устройств, а также простые ИС с малым количеством выводов.Структуры пакетов TO различаются широко, от дорогих металлических корпусов банок до недорогих пластиковых формованных упаковочные корпуса (см. Таблицу 1 ниже)

.



Таблица 1.   Типы ТО Пакеты (не показаны в масштабе)

ТО-3

— Корпус транзистора, тип корпуса 3

ТО-5

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 5

ТО-8

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 8

ТО-18

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 18

ТО-36

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 36

ТО-39

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 39

ТО-46

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 46

ТО-52

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 52

ТО-66

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 66

ТО-72

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 72

ТО-92

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 92

ТО-126

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 126

ТО-202

— Корпус транзистора, тип корпуса 202

ТО-218

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 2

18

ТО-220

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 220

ТО-226

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 226

ТО-254

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 254

ТО-257

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 257

ТО-258

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 258

ТО-259

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 259

ТО-264

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 264

ТО-267

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 267



См. другие типы корпусов ИС

ДОМОЙ

авторское право 2008 www.EESemi.com . Все права защищены.

Упаковка для дискретных транзисторов | Пакеты микросхем

Дискретный транзистор Упаковка:

Упаковка дискретных транзисторов — Многие маломощные транзисторы заключены в капсулы из смолы с выступающими металлическими соединительными выводами, как показано на рис.7-24. Это известно как пакет TO-92. Обратите внимание на соединения эмиттера, базы и коллектора. Они расположены в последовательности E, B, C слева направо, если смотреть на нижнюю часть транзистора плоской стороной вверх. Такая упаковка экономична, но имеет ограниченный диапазон рабочих температур.

На рис. 7-25 показан другой метод упаковки маломощных дискретных транзисторов, при котором устройство герметично помещается в металлическую банку. В зависимости от размера банки это определяется как упаковка от ТО-5 до ТО-18.Транзистор сначала монтируется так, чтобы его коллектор (механически и электрически) контактировал с теплопроводной металлической пластиной. Провода (изолированные от пластины) проходят для соединения эмиттера и базы, а металлический кожух приваривается к пластине. Глядя на нижнюю часть транзистора и двигаясь по часовой стрелке от вкладки, клеммы обозначены как E, B, C. Корпус из металлической банки обеспечивает более широкий диапазон температур и большее рассеивание мощности, чем инкапсуляция из смолы.

Для упаковки мощных дискретных транзисторов часто используется герметичная банка (ТО-3), [рис.7-26(а)]. При этом теплопроводящая пластина значительно больше, чем в корпусе ТО-5, и предназначена для монтажа непосредственно на радиатор. Для базы и эмиттера предусмотрены соединительные штифты, а соединение коллектора выполнено с помощью металлической пластины. Обратите внимание на обозначения терминалов, снова взглянув на нижнюю часть устройства.

На рис. 7-26(b) показан силовой транзистор в пластиковом корпусе с металлическим выступом для крепления к радиатору. Еще раз обратите внимание на обозначение выводов транзистора и обратите внимание, что металлический язычок соединен с коллектором.Доступны несколько других типов корпусов для маломощных и мощных устройств.

Пакеты микросхем:

Как и полупроводниковые устройства, интегральные схемы должны быть упакованы так, чтобы обеспечить механическую защиту и клеммы для электрического соединения. Несколько стандартных пакетов общего назначения показаны на рис. 7-27.

Контейнер в виде металлической банки обеспечивает электромагнитное экранирование микросхемы, чего нельзя добиться в пластиковых упаковках [Рис.7-27(а)]. Обратите внимание, что клеммы нумеруются по часовой стрелке от язычка, смотрящего на дно банки.

Пластиковые двухрядные корпуса (DIL) [Рис. 7-27(b)] более экономичны, чем металлические банки, и широко используются в промышленности и быту. Система нумерации клемм снова следует правилу вида снизу по часовой стрелке, начиная с выемки в пластике. Вместо выемки иногда используется ямочка или другой маркер. Он расположен в верхней части корпуса рядом с контактом 1.Корпуса типа DIL намного удобнее для использования на печатной плате, чем банки, поскольку расположение выводов и плоский корпус обеспечивают большую плотность схем. Комплект для поверхностного монтажа, показанный на рис. 7-27(c), является наиболее экономичным для использования на печатной плате, поскольку клеммы припаяны непосредственно к плате без необходимости сверления отверстий.

Типы и схемы транзисторов | Newark

В декабре 1947 года исследователи из Bell Laboratories продемонстрировали «германиевый транзистор с точечным контактом PNP», действующий как усилитель речи с коэффициентом усиления 18.Это событие считается датой рождения транзистора.

С тех пор транзисторы получили повсеместное распространение благодаря их использованию как в функциях переключения, так и в функциях усиления, а также благодаря тому, что они доступны в широком диапазоне мощностей, скоростей переключения и многих других параметров. Хотя это дает большой выбор разработчикам электроники, это также может создать барьер: как мне выбрать лучший транзистор для моего нового проекта или модернизации?

В этой статье мы попытаемся дать некоторые рекомендации по этому вопросу, классифицируя транзисторы и их параметры.Он показывает, как использовать параметры для оценки пригодности транзисторов для различных приложений. Обсуждение также охватывает одну конкретную проблему, которая часто возникает, когда инженеры пытаются подключить датчики процесса к входам программируемых логических контроллеров (ПЛК); следует ли использовать устройства NPN или PNP.

Хотя статья в основном основана на транзисторах с биполярным переходом (BJT) и полевых транзисторах (FET), более специализированные технологии — биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) и транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) — также вводятся.Также описан пример усилителя с общим истоком на полевых транзисторах.

Затем мы рассмотрим, как можно эффективно сопоставить транзисторы с приложениями, используя параметрический поиск, например, доступный на веб-сайте Farnell.

Типы транзисторов

Транзисторы представляют собой твердотельные устройства, изготовленные из полупроводниковых материалов, обычно из кремния, германия и арсенида галлия. Обычно они имеют три контакта: один общий для входного и выходного сигналов, а сигнал на одном из оставшихся контактов управляет током на другом, как показано на рис.1.

Рис. 1: Базовая модель транзистора. Авторские права на изображение принадлежат Premier farnell

. Древовидная диаграмма на рис. 2 обобщает различные способы реализации этой базовой концепции полупроводника с тремя выводами.

Рис. 2: Древовидная диаграмма транзисторов. Авторские права на изображение принадлежат Premier farnell

. Тем не менее, самый основной вопрос при выборе транзистора заключается не в том, является ли он биполярным транзистором или полевым транзистором, а в его полярности — при использовании его выходной вывод положительный или отрицательный по отношению к его общему выводу? Если ответ положительный, нам нужен NPN BJT или N-канальный полевой транзистор, в противном случае нам нужен PNP или P-канал.

В статье Джеймса Брайанта, опубликованной на Wiki Analog Devices 19 мая 2014 г., содержится много ценной информации и рекомендаций по выбору транзисторов для приложений; некоторые из них воспроизведены ниже.

Для большинства применений на транзисторах общего назначения требуются непроводящие устройства с нулевым смещением на управляющем входе (базе или затворе). Такие устройства представляют собой BJT или полевые МОП-транзисторы с расширенным режимом. Полевые транзисторы с режимом истощения встречаются гораздо реже, хотя и ценны для некоторых приложений. Выбор NPN/N-канала или PNP/P-канала зависит от того, является ли питание положительным или отрицательным, но нужен ли нам биполярный транзистор или полевой МОП-транзистор?

Во многих случаях это не имеет значения.Дискретные полевые МОП-транзисторы, возможно, на десять-двадцать процентов дороже, чем биполярные транзисторы, но им не нужны базовые резисторы, которые стоят денег и требуют больших площадей на плате. Они немного более уязвимы к электростатическим повреждениям (ESD) во время обращения, но они не потребляют базовый ток и не нагружают цепи на постоянном токе (поскольку они имеют относительно большую входную емкость, они могут вызвать проблемы с емкостной нагрузкой в ​​высокочастотных цепях).

Когда-то пороговое напряжение затвора (значение Vgs, при котором MOSFET начинает проводить ток) составляло несколько вольт, поэтому их нельзя было использовать при очень низких напряжениях питания, но сегодня пороговые напряжения многих устройств сравнимы с 0.7В базовое напряжение включения кремниевого биполярного транзистора. Таким образом, BJT и MOSFET теперь будут одинаково хорошо работать как в усилителях, так и в переключателях.

Однако вход биполярного транзистора представляет собой кремниевый диод. Мы можем использовать его тепловые свойства для измерения температуры, а его высокий ток при перегрузке действует как ограничитель или ограничительная цепь, поэтому есть некоторые схемы, где биполярный транзистор необходим.

В течение примерно двадцати лет журнал Elektor публиковал схемы, разработанные на основе транзисторов, которые он называет TUN и TUP («Универсальный транзистор NPN» и «Универсальный транзистор PNP»).Эти транзисторы представляют собой планарные кремниевые биполярные транзисторы, и любой транзистор, который превышает следующие спецификации, соответствует требованиям:

Большинство дешевых кремниевых транзисторов с малым сигналом соответствуют требованиям. Список также может включать MUN и MUP («Универсальный N-канальный MOSFET» и «Универсальный P-канальный MOSFET») — и большинство дешевых малых MOSFET соответствуют этой спецификации:

Большинство версий SPICE содержат стандартные BJT и MOSFET, которые аналогичны эти «универсальные» устройства. Таким образом, при проектировании системы, содержащей дискретные малосигнальные транзисторы, используйте эти дженерики на этапе проектирования и выбирайте наиболее удобный (т.е. лучшая упаковка, доступность и низкая стоимость) при заказе. Однако при публикации или описании проекта используйте общую терминологию, чтобы было ясно, что точный выбор устройства вряд ли имеет значение. Конечно, многие конструкции не могут использовать эти стандартные устройства — некоторые спецификации должны будут выходить за рамки простого стандарта. В таких случаях укажите исключения, например:

Параметры транзистора

Помимо очевидных факторов, таких как номинальная мощность, существует ряд параметров, которые необходимо учитывать при оценке транзистора в качестве кандидата для вашей схемы.Мы рассмотрим их далее.

Максимальное напряжение коллектор/сток. BVceo или BVds: Если максимальное напряжение питания меньше, чем BVceo или BVds, и в коллекторе/стоке нет индуктивных цепей, которые могут создавать переходные процессы с более высоким напряжением, и нет внешнего источника сигнала, который может подавать более высокие напряжения, то нам необходимо не беспокойтесь об этой спецификации.

Однако во многих схемах предполагается, что транзистор будет работать с высокими значениями Vce или Vds, как в установившемся режиме, так и в переходном режиме, и важно, чтобы в этом случае был выбран правильный максимум.

BJT и MOSFET с напряжением пробоя более 500 В недороги и легко доступны, хотя коэффициент усиления по току ß высоковольтных BJT чаще находится в диапазоне 40–100, а не =100 у TUN/TUP. Точно так же пороговое напряжение затвора высоковольтного полевого МОП-транзистора, скорее всего, будет в диапазоне 2-5 В, а не 500-2000 мВ MUN/MUP.

Абсолютный максимальный ток коллектора/стока. Ic(max) или Id(max): Максимальный ток, ожидаемый в коллекторе/стоке, не должен превышать абсолютный максимальный номинальный ток устройства.Учитывая, что значение TUN/etc для этого составляет 100 мА, это маловероятно для слабосигнальных цепей, но если транзистор требуется для питания нагрузки, необходимо проверить максимальный ток.

Абсолютный максимальный номинальный ток некоторых устройств можно разделить на номинальный постоянный (или, возможно, средний) ток и более высокий переходный номинальный ток для коротких импульсов. Важно убедиться, что пиковые переходные токи находятся в пределах номинальных значений.

Большинство слабосигнальных транзисторов имеют номинал Imax более 100 мА (обычно 300–1000 мА), и многие устройства, соответствующие спецификации TUN/и т. д., фактически будут иметь такой номинал и могут использоваться, когда требуются такие средние токи.Если требуются более высокие токи, устройства TUN/и т. д. будут недостаточными, и необходимо выбрать силовое устройство. При более высоких токах важно соблюдать номинальные мощности, а также номинальные токи, корпуса, вероятно, будут больше, и может потребоваться радиатор. BJT с более высокими максимальными токами могут иметь более низкие значения ß при больших токах.

Корпуса и мощность: Существует бесчисленное множество различных транзисторных корпусов, от почти микроскопических для поверхностного монтажа до больших пластиковых и металлических корпусов, способных выдерживать несколько кВт при соответствующем охлаждении.Выберите тот, который наиболее удобен для вашего применения — поверхностный монтаж для массового производства, вывод для прототипирования и мелкосерийного производства, где важна простота ручной пайки, и любой пакет питания, подходящий, когда необходимо учитывать рассеивание тепла и теплоотводы.

Ток утечки коллектор/сток Ice0 или Idss0: (иногда называемый «током отсечки»). Это небольшой ток утечки, который течет от коллектора к эмиттеру или от стока к истоку, когда транзистор выключен.Обычно это порядка десятков нА, но в спецификациях иногда устанавливаются более высокие максимальные значения для наихудшего случая, чтобы снизить затраты на тестирование. Транзисторы, используемые в качестве переключателей или усилителей очень низкого уровня, следует выбирать с утечкой менее 50 нА, но для большинства применений 200 нА или даже больше вполне достаточно.

Рис. 3: Инвертор очень малой мощности, использующий полевой МОП-транзистор с малой утечкой – право на изображение Premier farnell

Инвертор малой мощности, показанный на рис. 3, является примером схемы, требующей очень низкой утечки коллектора/стока.Утечка стока 100 нА дает падение напряжения 1 В и выходное напряжение 2 В только на пороге разрешенных уровней логической 1, поэтому в практических конструкциях следует использовать полевой МОП-транзистор с утечкой сток/исток = 50 нА.

Обратите внимание, что хотя этот инвертор имеет очень малую мощность [300 нА = 0,9 мкВт при включенном транзисторе], он также очень медленный — при условии, что выходная емкость транзистора плюс емкость дорожек плюс входная емкость следующего каскада составляет 20 пФ, что вполне разумно. , оно имеет время нарастания, равное 0.2 мс – это приемлемо для приложений постоянного тока, но не для коммутационных цепей даже со средней скоростью.

Коэффициент усиления по току ß или hfe: Коэффициент усиления по току биполярного транзистора представляет собой отношение тока коллектора к току базы, когда устройство не находится в состоянии насыщения, т. е. напряжение коллектор/база положительное [для устройства NPN]. ß обычно довольно постоянен в широком диапазоне токов, но может быть немного ниже при очень низких токах базы и почти наверняка начнет падать, когда ток коллектора приблизится к своему абсолютному максимальному значению.Поскольку это отношение, это безразмерная величина.

TUN и TUP имеют ß = 100, но сильноточные и высоковольтные BJT могут иметь несколько более низкие (= 40 или 50) минимальные указанные значения.

Рис.4: Транзисторный (BJT или MOSFET) эмиттерный/истоковой повторитель – Авторское право на изображение Premier farnell

Выходной каскад эмиттерного повторителя/истокового повторителя, показанный на рис. 4, одинаково точен с BJT или MOSFET. В простых эмиттерных повторителях предполагается, что напряжения база/эмиттер или затвор/исток Vbe или Vgs остаются постоянными, что дает фиксированное смещение между входным напряжением и напряжением нагрузки, но в более точных схемах обратная связь может быть получена от эмиттера (источника). /загрузить соединение.

Поскольку некоторая часть тока эмиттера должна протекать через базу, токи коллектора и эмиттера биполярного транзистора не идентичны, что означает, что выходной каскад должен быть выполнен с полевым МОП-транзистором, а не с биполярным транзистором, поскольку у полевых МОП-транзисторов практически нулевой ток затвора .

Прямая крутизна gfs: Прямая крутизна полевого транзистора представляет собой отношение ΔIds/ΔVgs, когда устройство включено и цепь стока не имеет ограничения по току. Измеряется в сименсах (S). Полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы со слабым сигналом могут иметь gf всего несколько мс, но более крупные могут иметь коэффициент усиления от больших долей сименса до нескольких сименсов и более.

Как правило, изменения напряжения затвора на несколько вольт достаточно, чтобы ток стока изменился от минимального (выкл.) до его абсолютного максимального значения. Также важно знать, при каком напряжении затвора начинается проводимость (см. ниже).

Пороговое напряжение затвора Vgs(th): Пороговое напряжение затвора полевого МОП-транзистора — это напряжение затвор/исток, при котором правильно смещенный сток начинает потреблять ток. Определение «пуска» будет указано в техническом паспорте и может составлять всего несколько мкА, но, скорее всего, будет определено как 1 мА или даже больше для мощных полевых МОП-транзисторов.Выше этого порога ток стока будет расти очень быстро при небольшом увеличении напряжения на затворе.

Если полевой МОП-транзистор должен управляться логикой, важно, чтобы его пороговое напряжение было выше наихудшего значения логического 0 в температурном диапазоне схемы, который, вероятно, составляет не менее нескольких сотен мВ, в противном случае он может начать включаться, когда он должен быть выключен.

Напряжение насыщения Vce(sat): Когда биполярный транзистор включен достаточно сильно, чтобы падение напряжения на нагрузке его коллектора стало достаточным для снижения потенциала коллектора ниже потенциала базы (другими словами, переход база-коллектор смещен в прямом направлении). говорят, что он насыщен.Это напряжение насыщения не пропорционально току коллектора, поэтому модель насыщенного транзистора — это не просто сопротивление между его коллектором и эмиттером.

Два примера важности низкого напряжения насыщения:

[A] В классической логике TTL каждый вход подает 1,6 мА на логический 0-выход, управляющий им. При полном разветвлении на выходе 10 это означает, что выходной ТТЛ-транзистор может потреблять около 16 мА при напряжении насыщения не более 400 мВ.

[B] Когда силовой биполярный транзистор используется для переключения сильноточных нагрузок, его рассеяние при заданном токе нагрузки пропорционально напряжению насыщения.Чем ниже напряжение насыщения, тем меньше тепла необходимо отвести от транзистора.

Обратите внимание, что при удалении входного накопителя с насыщенного транзистора возникает задержка (обычно нс или десятки нс, но может быть и больше) перед тем, как он начнет выключаться. Это время восстановления насыщения, которое может быть указано при четко определенных условиях в листе технических данных.

На сопротивлении Рон: МОП-транзисторы не насыщаются, потому что они являются устройствами большинства носителей. Когда они резко включаются с напряжением затвора, значительно превышающим их пороговое напряжение затвора, они ведут себя как резисторы с низким номиналом, и их сопротивление во включенном состоянии указано в их технических характеристиках.Действует закон Ома – падение напряжения пропорционально току и сопротивлению во включенном состоянии, а их рассеяние равно I2R.

Коэффициент шума NF: Большинство применений транзисторов имеют относительно высокий уровень, и шум не является проблемой. Там, где это проблема, однако, это критически важно. Многие транзисторы, как биполярные, так и полевые, имеют коэффициент шума, указанный и гарантированный их производителями. При сравнении коэффициентов шума различных устройств важно, чтобы они были измерены с одним и тем же импедансом источника.Если транзисторы предназначены для использования в радиосистемах, вполне вероятно, что их NF будет измерен при 50 Ом, и поэтому сравнение простое, но бессмысленно сравнивать NF двух устройств, чьи NF были измерены при разных импедансах.

Частота перехода ft: ft биполярного транзистора — это частота, при которой коэффициент усиления по току при коротком замыкании (на ВЧ) на выходе равен единице. ft — наиболее широко используемый показатель качества для сравнения частотных характеристик биполярных транзисторов. Большинство TUN и TUP будут иметь ft намного выше минимума 100 МГц, но транзисторы большой мощности и высокого напряжения часто будут иметь гораздо более низкие значения.

Полевые транзисторы представляют собой крутизны с бесконечно малым входным током постоянного тока, поэтому некорректно учитывать их коэффициент усиления по постоянному току. Но поскольку они имеют входную емкость (Cgs) от пФ до сотен пФ, их емкостное входное сопротивление относительно низкое на ВЧ, поэтому их входной ВЧ-ток можно измерить и получить их ft. Иногда лист данных FET или MOSFET будет содержать значение ft, полученное таким образом, и, безусловно, допустимо использовать его, если оно доступно, для оценки частотной характеристики FET, но обычно скорость FET указывается с точки зрения времени переключения.

Время переключения t(on) и t(off): Большинство полевых транзисторов и многие биполярные транзисторы имеют характеристики времени переключения, определяемые как время, необходимое при определенных условиях для увеличения выходного тока от нуля до заданного значения, или вернуться к нулю соответственно. Сигнал переключения либо предполагается мгновенным (юридический вымысел), либо определяется как несколько нсек. Сравнение времени переключения является надежным способом сравнения относительных скоростей транзисторов при условии, что они тестируются в одинаковых условиях.

Емкости C??: С транзистором связаны три емкости – входная емкость Cin, выходная емкость Cout и емкость Миллера (или обратная связь) Cfb. Разные производители используют разные названия (поэтому C?? в заголовке), но какое из них должно быть совершенно ясно из Рис. 5.

Рис. 5: Паразитные емкости транзисторов (разные производители используют разные названия/символы) Полевые транзисторы Premier Farnell

, особенно силовые полевые МОП-транзисторы, могут иметь значение Cin до 1 нФ или даже больше, хотя у полевых МОП-транзисторов со слабым сигналом значения будут намного меньше, вероятно, в диапазоне 15–50 пФ.Тем не менее, при проектировании схем, в которых такая емкость может повлиять на время нарастания или стабильность схемы, важно убедиться, что конструкция учитывает такие значения и что устройства выбираются с емкостями, которые допускает конструкция схемы.

Устройства NPN и PNP

При развертывании систем программируемых логических контроллеров (ПЛК) их цифровые входы должны быть согласованы с подключенными датчиками не только с точки зрения уровней напряжения, которые обычно составляют 24 В постоянного тока, но также и с точки зрения полярности — NPN или ПНП.Датчики PNP являются источниками тока, а датчики NPN — потребителями тока. Датчик с источником тока должен быть подключен к входу с отводом тока и наоборот.

При выборе есть несколько аргументов в пользу PNP. Во-первых, датчики PNP легче понять и устранить неполадки техническим специалистам, поскольку датчик будет выдавать сигнал напряжения высокого уровня, когда выход активен. Во-вторых, в цепи NPN, если провод обрывается и контактирует с землей, вход ПЛК истинен. Это потенциально может привести к нежелательному поведению машины (например, к включению кнопки запуска).Когда провод в цепи PNP замыкается на землю, вход ПЛК является ложным.

Тем не менее, в то время как датчики PNP являются стандартными в США и Европе, разновидности датчиков NPN по-прежнему пользуются некоторым предпочтением в Азии. Это означает, что в худшем случае организация может столкнуться с необходимостью иметь дополнительный запас датчиков или модулей ввода, чтобы всегда можно было установить совместимые пары. Этот аспект установки также необходимо отслеживать и управлять им.

Однако в основном ситуация облегчается некоторой гибкостью.Например, многие входные модули (особенно версии со степенью защиты IP20, которые чаще всего устанавливаются в шкафах) могут быть подключены либо к NPN, либо к PNP. Однако обратите внимание, что все входы этого модуля должны быть либо NPN, либо PNP. Вы не можете смешивать и сочетать их. Кроме того, на рынке появляются новые датчики, которые могут быть подключены или сконфигурированы как NPN или PNP. В качестве альтернативы, многие карты ПЛК могут быть подключены для работы с NPN или PNP и не требуют изменений в оборудовании.

Эти вопросы более подробно обсуждаются в журнале «Конструкция управления» в документе «Вопросы и ответы» под названием «Как сделать выбор между PNP и NPN».

Другие транзисторные технологии

До сих пор мы обсуждали основные формы транзисторов BJT и FET и их варианты. Однако существуют и другие типы; двумя ключевыми примерами являются биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT и транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN).

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT представляет собой нечто среднее между биполярным транзистором и полевым транзистором. Он сочетает в себе высокий входной импеданс и высокую скорость переключения MOSFET с низким напряжением насыщения биполярного транзистора, чтобы создать еще один тип транзисторного переключающего устройства, способного работать с большими токами коллектор-эмиттер с практически нулевым управляющим током затвора.

IGBT обладают выходными характеристиками переключения и проводимости биполярного транзистора, но управляются напряжением, как MOSFET. IGBT в основном используются в приложениях силовой электроники, таких как инверторы, преобразователи и источники питания, где требования твердотельных переключающих устройств не полностью удовлетворяются мощными BJT и мощными MOSFET. Доступны сильноточные и высоковольтные биполярные транзисторы, но их скорость переключения низкая, в то время как силовые полевые МОП-транзисторы могут иметь более высокие скорости переключения, но высоковольтные и сильноточные устройства дороги и труднодостижимы.

Рис. 6: Представление IGBT-транзистора — Право на изображение Premier farnell

в конфигурации типа Дарлингтона.

В результате клеммы помечены как Коллектор, Излучатель и Затвор. Две его клеммы (C-E) связаны с проводящим путем, по которому проходит ток, а третья клемма (G) управляет устройством.

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) из нитрида галлия (GaN) представляют собой другую транзисторную технологию. Они открывают новые возможности, предлагая несколько преимуществ по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами. Транзисторы GaN могут достигать гораздо более высокой скорости нарастания dV/dt и, следовательно, могут переключаться намного быстрее, чем кремниевые MOSFET, что значительно снижает потери при переключении. Другим преимуществом является отсутствие заряда обратного восстановления, который вызывает звон коммутационных узлов с традиционными конструкциями кремниевых полевых МОП-транзисторов.

Также считается, что транзисторы сочетают высокое напряжение пробоя с высокой эффективностью, что позволяет им хорошо работать в качестве силовых устройств.После использования в усилителях мощности мобильных базовых станций и радиолокационных датчиках дальнейшее расширение в области преобразования энергии в оборудовании, таком как системы питания серверов.

Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокой скорости переключения GaN HEMT предлагает потенциал для миниатюризации устройств, снижения энергопотребления и снижения затрат за счет дальнейшего развития технологии, а также схем, которые максимизируют эти преимущества.

Пример применения транзистора – схема усилителя с общим истоком на полевых транзисторах

Схема усилителя на полевых транзисторах с общим истоком является одной из наиболее широко используемых конфигураций всех схем на полевых транзисторах для многих приложений с высоким уровнем всесторонних характеристик.Он обеспечивает усиление по току и напряжению наряду с удовлетворительным входным и выходным импедансом.

Рис. 7: Базовый усилитель с общим истоком на полевых транзисторах. Авторские права на изображение принадлежат Premier farnell

На рис. 7 показана типичная схема усилителя с общим истоком, разработанная Electronicsnotes. Входной сигнал поступает через C1; этот конденсатор гарантирует, что на затвор не повлияет постоянное напряжение, поступающее от предыдущих каскадов. Резистор R1 удерживает затвор под потенциалом земли. Его значение обычно может быть около 1 МОм.Резистор R2 создает на нем напряжение, удерживающее источник выше потенциала земли. C2 действует как шунтирующий конденсатор для обеспечения дополнительного усиления по переменному току.

Резистор R3 создает на нем выходное напряжение, а C3 подключает переменный ток к следующему каскаду, блокируя постоянный ток.

Поиск подходящего транзистора

Поняв и определив набор параметров для целевого транзистора, следующим шагом будет поиск реального доступного устройства, обладающего этим набором. Один из способов сделать это — использовать параметрические поисковые системы Farnell для фильтрации подходящих кандидатов.Например, в разделе «Биполярные транзисторы» можно выполнить поиск по полярности, напряжению коллектор-эмиттер, частоте перехода, рассеиваемой мощности и постоянному току коллектора, а также по совместимости, упаковке и производителю.

Аналогично, область «RF FET Transistor» может быть отфильтрована по напряжению источника стока, непрерывному току стока, рассеиваемой мощности, минимальной и максимальной рабочей частоте, а также корпусу, количеству контактов, максимальной рабочей температуре, соответствию требованиям, упаковке и производителю. .

(iv) Назван в честь Джона Милтона Миллера, впервые описавшего его действие в 1920 году.

Типы и схемы транзисторов — Дата публикации: 4 сентября 2018 г. компанией Farnell element14

Типы корпусов SOT для компонентов поверхностного монтажа

Эти типы корпусов SOT очень похожи, но для использования в инструментах САПР им требуются разные посадочные места и схемы площадок

Вы никогда не сможете точно сказать, какую функцию выполняет компонент, просто взглянув на его упаковку. Это верно для компонентов DIP, компонентов QFN и корпусов транзисторов с малой схемой (SOT).В частности, корпуса SOT обычно используются для различных компонентов, от дискретных транзисторов до линейных регуляторов. Эти компоненты просты для понимания и компоновки, и у них меньше шансов получить дефекты во время пайки волной припоя, поскольку они имеют больший рисунок площадок, чем другие компоненты для поверхностного монтажа.

Если вы обсуждаете, какой тип корпуса использовать для дискретных транзисторов и других небольших устройств SMD, наиболее распространенным вариантом являются корпуса SOT. Это помогает понять различные типы пакетов SOT, поскольку не все компоненты SOT созданы равными.После того, как вы выберете компоненты SOT, вам необходимо убедиться, что у вас есть правильные посадочные места на печатной плате для ваших компонентов, которые можно использовать в вашем программном обеспечении САПР.

Типы пакетов SOT

Различные компоненты, поставляемые в корпусах SOT, могут иметь различное количество выводов, размеры выводов, шаг выводов и требуемые схемы контактных площадок. В случае SMD-компонентов шаблон площадки дает необходимый размер контактной площадки для пайки на плате, которую необходимо включить в библиотеку компонентов для проектирования печатной платы. Если вы немного знакомы с различными типами корпусов, вы можете понять, как спроектировать шаблон площадки для размещения компонента на вашей плате.Вы также можете быстро сравнить различные шаблоны земель для типов пакетов SOT, просто взглянув на имя пакета.

Соглашения об именах

Соглашение об именах для корпусов SOT (и всех других корпусов SMD) определено в IPC-7351B: Общие требования к конструкции поверхностного монтажа и стандарту схемы наземного монтажа. Этот стандарт определяет только шаблон земли, который затем соответствует схеме пакета для конкретного интересующего пакета SOT. Соглашение об именовании пакетов SOT показано ниже на примере пакета SOT223-4.

Чертеж упаковки SOT223-4 и соглашение об именах шаблонов площадок

Если вы изучите стандартные типы пакетов SOT, вы увидите, что они имеют некоторые из следующих общих характеристик:

  • Количество выводов: Общее количество выводов варьируется от 3 до 8, а в некоторых случаях, например, для мощных полевых МОП-транзисторов, в комплект поставки входит контактная пластина, прикрепленная к кристаллу.
  • Стандартные размеры: Все пакеты SOT имеют по крайней мере один стандартный размер.Однако не все размеры являются стандартными, а вместо этого указываются как максимальные значения.
  • Низкопрофильный: Самые толстые пакеты SOT имеют максимальную толщину 1,8 мм. Для некоторых типов корпусов SOT это максимальное значение (SOT223-4), в то время как для других корпусов это значение указано как требуемая номинальная толщина (SOT223-5).
  • Выводы типа «крыло чайки»: Вывод типа «крыло чайки» на корпусах SOT представляет собой вывод типа «крыло чайки», что позволяет легко припаивать его к печатной плате. Эти компоненты, как правило, достаточно велики, чтобы при необходимости их можно было припаять вручную с помощью паяльника с тонким жалом.

Выбор компонентов в пакетах SOT

Понимание шаблона площадки также помогает в выборе компонентов. Выбор между сборкой через отверстие и сборкой для поверхностного монтажа или между различными типами корпусов SMD иногда сводится к простому выбору между различными размерами контактных площадок и требуемыми зазорами. Из приведенного выше примера мы можем быстро определить шаг выводов, который затем можно сопоставить с толщиной дорожки, которая может потребоваться для приложений силовой электроники.

Количество потенциальных клиентов также можно сразу увидеть по названию пакета; например, все компоненты SOT89-5 поставляются в корпусе SOT89 с 5 выводами.Обязательно ознакомьтесь с техническим описанием компонента в руководстве по габаритам пакета SOT, чтобы узнать, включает ли ваш компонент лопатку, прикрепленную к кристаллу. В нашем примере компонента SOT89-5 два вывода на контуре корпуса фактически шунтированы как один вывод (см. ниже).

Чертеж упаковки SOT89-5. Обратите внимание, что центральные выводы в нижней части корпуса компонента соединены перемычкой.

Общие компоненты в пакетах SOT

Поскольку корпуса SOT имеют только до 8 контактов, они не используются для сложных интегральных схем.Однако эти пакеты по-прежнему используются для ряда общих компонентов. Некоторые примеры:

  • Мощные дискретные транзисторы (обычно поддерживающие несколько десятков вольт пробивного напряжения и несколько ампер тока в открытом состоянии)
  • Регуляторы мощности (например, TPS79915DDCTG4 LDO от Texas Instruments)
  • Аналоговые усилители (операционные, инструментальные и трансимпедансные усилители)
  • Диоды Шоттки и выпрямители для преобразования переменного тока в постоянный
  • Оконные детекторы, компараторы или другие аналоговые компоненты
  • Оптоизоляторы и фототранзисторы

Независимо от того, какой тип компонента вы хотите использовать в пакете SOT, вам необходимо убедиться, что ваши данные CAD содержат правильную информацию о посадочном месте, в частности, схему земельного участка, обозначение и контур внутреннего двора.Самый простой способ получить эту информацию — использовать электронную поисковую систему, которая также предоставляет CAD-модели для компонентов.

Найдите необходимые компоненты SOT с помощью электронной системы поиска запчастей

Вместо создания посадочных мест печатных плат, условных обозначений и 3D-чертежей вручную вы можете сэкономить время и нервы, используя поисковую систему по электронике, чтобы найти детали для вашей печатной платы. Пакеты SOT имеют небольшие нюансы в размерах корпуса, но неправильное их использование в ваших моделях компонентов подвергает вас риску дефектов сборки или даже неудачного запуска сборки.Лучшие поисковые системы дают вам доступ к следующим данным для любого компонента, включая детали в пакетах SOT:

  • Подтвержденные производителем посадочные места и модели STEP: Их создание вручную может занять много времени, и вы можете быть уверены, что ваши данные САПР верны, если они предоставлены производителем в форматах, не зависящих от поставщика и зависящих от поставщика.
  • Спецификации: Спецификации компонентов должны быть доступны вместе с любыми данными САПР, которые вам нужны для ваших компонентов.
  • Источник информации: Используемая вами поисковая система должна отображать в результатах поиска цены, запасы компонентов, сроки поставки и информацию о дистрибьюторах.

Независимо от того, какие типы корпусов SOT вы используете в своей печатной плате, попробуйте использовать функции поисковой системы электроники в Ultra Librarian, когда вам нужно найти компоненты для вашего нового проекта. Ultra Librarian предоставляет вам доступ к таблицам данных, техническим спецификациям и проверенным моделям компонентов, которые можно импортировать в популярные приложения ECAD.У вас также будет доступ к информации о источниках от мировых дистрибьюторов.

Работа с Ultra Librarian настроит вашу команду на успех, чтобы гарантировать, что любой проект проходит через производство и проверку с точными моделями и посадочными местами для работы. Зарегистрируйтесь сегодня бесплатно .

Транзистор%20корпус%20до%2092 Спецификация и примечания по применению

хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалент NPN транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет FTR 03-E

Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ-трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012

Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Техническое описание силового транзистора
для телевизора

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007-DDA114TH

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

К упаковке устройства JEDEC Транзисторы и ИС К ЗАГОЛОВКУ, К-ЗАГОЛОВКУ, К ЗАГОЛОВКУ, К ПАКЕТАМ, ТО-3, ТО3-Н, ТО-5, ТО-05, ТО-5, Т0-5-3Л ЗАГОЛОВКУ , ЖАТКА Т0-5-4Л, ЖАТКА Т0-5-5Л , ЖАТКА ТО-5-3Л, ТО-5-4Л , ЖАТКА ТО5-5Л -5-10Л, Т0-5-6Л КОЛЛЕКТОР, Т0-5-8Л КОЛЛЕКТОР, Т0-5-10Л КОЛЛЕКТОР, ТРАНЗИСТОРНЫЕ КАНИСТРЫ, ПРОСТАВКА, К-5-ЗОЛОТО, К-5 ЗОЛОТО, К-5 СТАНДАРТ, К-8 , ТО-8-12 , ТО-8 ЖАТКА 12Л, ТО-8-16, ТО-8 ЖАТКА 16Л, ТО-9, ТО-18, ТО-39, ТО-41, ТО-46, ТО-46 3ВЕД , ТО-52, ТО-56, ТО-66, ТО-71, ТО-72, ТО-73, ТО-74, ТО-75, ТО-76, ТО-77, ТО-78, ТО-78-6Л, ТО-79, ТО-80, ТО-84, ТО-85, ТО-86, ТО-87, ТО-88, ТО-89, ТО-90, ТО-91, ТО-92, ТО-92-3, ТО92-3, ТО-96, ТО-97, ТО-98, ТО-99, ТО-100, ТО-101, ТО-123, ТО-124, ТО-126, ТО-202, ТО-204, ТО- 204АА, ТО-205, ТО-205АД, ТО-206АА, ТО-206АБ, ТО-206АС, ТО-206АД, ТО-206АЭ, ТО-206АФ, ТО-206АГ, ТО-208, ТО-209, ТО-213, ТО-213АА, ТО-213 АА, ТО-216, ТО-218, ТО-220, ТО-220С, ТО-220 С, ТО-220-С, ТО-220-5, ТО220-5Л, ТО-220 5, ТО-225, ТО-225АА, ТО-226, ТО-226АА, ТО-236, ТО-236АА, ТО-236АБ, ТО-237, ТО-243, ТО-243АА, ТО-247, ТО-247П, ТО-247АС, ТО247-2, ТО-247-3, ТО247-3, ТО-250, ТО-251А, ТО-252, ТО-252АА, ТО-252АБ, ТО-253, ТО-252-3, ТО253 3 , ТО-252-4, ТО-252 4, ТО-252-5, ТО-253, ТО-253АА, ТО-254, ТО-254АА, ТО-254 АА, ТО-254-8, ТО-255, ТО -255АА, ТО-256, ТО-257, ТО-257АА, ТО-258, ТО-258АА, ТО-259, ТО-259З-6Л-Н, ТО-259АА, ТО-261, ТО-261АА, ТО-262 , ТО-262АА, ТО-263, ТО-263АА, ТО-263АБ, ТО-263-3, ТО-263-5, ТО-263-С, ТО-263-7, ТО-263-9, ТО-264 , ТО-265, ТО-266, ТО-268, ТО-268АА, ТО-269, ТО-269АА, ТО-270, ТО-272, ТО-273, ТО-274АА, ТО-274АА-Н, ТО-275 , ТО-276, ТО-276АА, ТО-267АБ, ТО-276АС, ТО277А, ТО-277, ТО-278, ТО-279, ДО247, СК-72, — — — — — — — — -ТО3-ГОЛОВКИ, ЖАТКИ ТО5, ЖАТКИ ТО18, ЖАТКИ ТО39, ЖАТКИ ТО46, ЖАТКИ ТО52, ЖАТКИ ТО52, ЖАТКИ ТО66, ЖАТКИ ТО-3, ЖАТКИ ТО-5, ЖАТКА ТО5-2Л, ЖАТКА ТО5-3Л, ЖАТКА ТО5 -4L (NH) , ЖАТКА TO5-5L ЖАТКА , ЖАТКА TO5-6L , ЖАТКА TO5-8L , ГОЛОВКА ЭР ТО5-10Л, ТО-18, ТО-39, ТО-46, ТО-52, ТО-52, ТО-66, ТО3, ТО5, ТО18, ТО39, ТО46, ЖАТКА ТО46(Г) 2+1 , ЖАТКА ТО52 , ЖАТКА ТО52, ЖАТКА ТО66 , ЖАТКА Т03, ЖАТКА Т05, ЖАТКА ТО5-Г , ЖАТКА ТО5(Г) , ЖАТКА Т018-ГОЛОВКА, ЖАТКА Т039-Г, ЖАТКА ТО39-Г , ЖАТКА TO39(G) , ЖАТКА T046, ЖАТКА T052, ЖАТКА T052, ЖАТКА T066, ЖАТКА T0-3, ЖАТКА T0-5, ЖАТКА T0-18, ЖАТКА T0-39, ЖАТКА T0-46, T0-52 ЖАТКИ , ЖАТКИ Т0-52, ЖАТКИ Т0-66 , ЖАТКИ Т03, ЖАТКИ Т05, ЖАТКИ Т018, ЖАТКИ Т039, ЖАТКИ Т046, ЖАТКИ Т052, ЖАТКИ Т052, ЖАТКИ Т066, К КРЫШКЕ, КАПИТАТЬ, КАПИТЬ, Т03-CAN, TO3 -CAN , T05-CAN , TO-5 CAPS , TO5-CAN ,T018-CAN , TO18-CAN , T039-CAN , TO39-CAN , T066-CAN , TO66-CAN , T072-CAN , TO72-CAN , T05- БАНКА , ТО5-КАН , К БАНКАМ , КРЫШКА ТО18/46 (.16H), TO-18 CAN 0,165 «H, TO-5 STANDOFF, TO-18 STANDOFF, TO-39 STANDOFF, TO5 STANDOFF, TO18 STANDOFF, TO39 STANDOFF, TO-5 STANDOFF, TO-18 STANDOFF, TO-39 STAND OFF, TO5 STAND OFF, TO18 STAND OFF, TO39 STAND OFF, TO 5 STANDOFF, TO 18 STANDOFF, TO 39 STANDOFF, TO 5 STAND OFF, TO 18 STAND OFF, TO 18 STAND OFF, SMD.5, SMD0.5, СМД1, СМД2, СМД .5, СМД 0,5, СМД 1, СМД 2, СМД-.5, СМД-0,5, СМД-1, СМД-2, ТО3, ТО5, ТО05, ТО5 ЗОЛОТО, ТО5-ЗОЛОТО, ТО5 ПРОСТАВКА, ТО8, ТО8-12, ТО8-16, ТО9, ТО18, ТО39, ТО41, ТО46, ТО46 3LEAD, ТО52, ТО56, ТО66, ТО71, ТО72, ТО73, ТО74, ТО75, ТО76, ТО77, ТО78, ТО79, ТО80, ТО84 , ТО85, ТО86, ТО87, ТО88, ТО89, ТО90, ТО91, ТО92, ТО96, ТО97, ТО98, ТО99, ТО100, ТО101, ТО123, ТО124, ТО126, ТО202, ТО204, ТО204АА, ТО205, ТО205АД, ТО206АА, ТО206АБ, ТО206АС , ТО206АД, ТО206АЭ, ТО206АФ, ТО206АГ, ТО208, ТО209, ТО213, ТО213АА, ТО213 АА, ТО216, ТО218, ТО220, ТО220С, ТО220 С, ТО220-С, ТО220-5, ТО220 5, ТО225, ТО225АА, ТО226, ТО226АА, ТО236, ТО236АА, ТО236АБ, ТО237, ТО243, ТО243АА, ТО 247, ТО247АС, ТО250, ТО251А, ТО251АА, ТО252, ТО252АА, ТО252 АА, ТО252АБ, ТО252-3, ТО252-4, ТО252 4, ТО252-5, ТО253, ТО253АА, ТО254, ТО254АА, ТО254АА, ТО255, ТО255АА, ТО256 , ТО257, ТО257АА, ТО258, ТО258АА, ТО259, ТО259З-6Л-Н, ТО259АА, ТО261, ТО261АА, ТО262, ТО262АА, ТО263, ТО263АА, ТО263АБ, ТО263-3, ТО263-5, ТО263-С, ТО263-7, ТО263 -9, ТО264, ТО265, ТО266, ТО268, ТО268АА, ТО269, ТО269АА, ТО270, ТО272, ТО-73, ТО274АА, ТО274АА-Н, ТО275, ТО276, ТО276АА, ТО276АБ, ТО276АС, ТО277, ТО278, ТО279 — — — — — — — — — ТО 3, ТО 5, ТО 05, ТО 5 ЗОЛОТО, ТО 5-ЗОЛОТО, ТО 5 ПРОСТАВКА, ТО 8, ТО 9, ТО 18, ТО 39, , ТО39, ТО 41, ТО 46, ТО 52, ТО 56, ТО 66, ТО 71, ТО 72, ТО 73, ТО 74, ТО 75, ТО 76, ТО 77, ТО 78, ТО 79, ТО 80, ТО 84, ТО 85, ТО 86, ТО 87, ТО 88, ТО 89, ТО 90, ТО 91,ТО 92, ТО 96, ТО 97, ТО 98, ТО 99, ТО 100, ТО 101, ТО 123, ТО 124, ТО 126, ТО 202, ТО 204, ТО 204АА , ТО 205, ТО 205АД, ТО 206АА, ТО 206АБ, ТО 206АС, ТО 206АД, ТО 206АЭ, ТО 206АФ, ТО-206АГ, , ТО 208, ТО 209, ТО 213, ТО 213АА, ТО 213 А А, ТО 216, ТО 218, ТО 220, ТО 220С, ТО 220 С, ТО 220-С, ТО 220-5, ТО 220 5, ТО 225, ТО 225АА, ТО 226, ТО 226АА, ТО 236, ТО 236АА, ТО 236АБ, ТО 237, ТО 243, ТО 243АА, ТО 247, ТО 247АС, ТО 250, ТО 250АА, ТО 251А, ТО 251АА, ТО 252, ТО 252АА, ТО 252АБ, ТО 252-3, ТО 252-5, ТО 252 3, ТО 253, ТО 254-4, ТО 254 4, ТО 252 5, ТО 253, ТО 253АА, ТО 254, ТО 254АА, ТО 255, ТО 255АА, ТО 256, ТО 257, ТО 257АА, ТО 258, ТО 258АА, ТО 259, ТО 259АА, ТО 261, ТО 261АА, ТО 262, ТО 262АА, ТО 263, ТО 263АА, ТО 263АБ, ТО 263-3, ТО 263 3, ТО 263-5, ТО 263 5, ТО 263-С , ТО 263 С, ТО 263-7, ТО 263 7, ТО 263-9, ТО 263 9, ТО 264, ТО 265, ТО 266, ТО 268 ТО 268АА , ТО 269, ТО 269АА, ТО 270, ТО 272, ТО 273, ТО 274АА, ТО 275, ТО 276, ТО 276АА, ТО 276АБ, ТО 276АС, ТО 277, ТО 278, ТО 279 — — — — — — — — — Т0 ЖАТКА, Т0-3, Т0-5, Т0- 5 ЗОЛОТО, T0-5-ЗОЛОТО, T0-5 ПРОСТАВКА, T0-8, T0-9, T0-18, T0-39, T0-41, T0-46, T0-46 ЗОЛОТО, T0-52, T0-56 , Т0-66, Т0-71, Т0-72, Т0-73, Т0-74, Т0-75, Т0-76, Т0-77, Т0-78, Т0-79, Т0-80, Т0-84, Т0 -85, Т0 -86, Т0-87, Т0-88, Т0-89, Т0-90, Т0-91, Т0-92, Т0-96, Т0-97, Т0-98, Т0-99, Т0-100, Т0-101 , Т0-123, Т0-124, Т0-126, Т0-202, Т0-204, Т0-204АА, Т0-205, Т0-205АД, Т0-206АА, Т0-206АБ, Т0-206АС, Т0-206АД, Т0 -206AE, T0-206AF, T0-206AG, T0-208, T0-209, T0-213, T0-213AA, T0-213 AA, T0-216, T0-218, T0-220, T0-220S, T0- 220 С, Т0-220-С, Т0-220-5, Т0-220 5, Т0-225, Т0-225АА, Т0-226, Т0-236, Т0-236АА, Т0-236АБ, Т0-237, Т0- 243, Т0-243АА, Т0-247, Т0-247АС, Т0-250, Т0-251А, ТО-251АА, Т0-251АА, Т0-252, Т0-252АА, Т0-252АБ, Т0-252-3, Т0- 252-5, Т0-252 3, Т0-252-4, Т0-252 4, Т0-252 5, Т0-253, Т0-253АА, Т0-254, Т0-254АА, Т0-255, Т0-255АА, Т0 -256, Т0-257, Т0-257АА, Т0-258, Т0-258АА, Т0-259, Т0-259АА, Т0-261, Т0-261АА, Т0-262, Т0-262, Т0-263, Т0-263АА , Т0-263АБ, Т0-263-3, Т0-263-5, Т0-263-С, Т0-263-7, Т0-263-9, Т0-264, Т0-265, Т0-266, Т0-268 T0-268AA, T0-269, T0-269AA, T0-270, T0-272, T0-273, T0-274AA, T0-275, T0-276, T0-276AA, T0-276AB, T0-276AC, T0- 277, Т0-278, Т0-279 — — — — — — — — — Т03, Т05 КОЛЛЕКТОР, T05 GOLD, T05-GOLD, T05-3L ЗАГОТОВКА, T05-4L ЗАГОТОВКА, T05-5L ЗАГОТОВКА, T05-6L ЗАГОТОВКА, T05-8L ЗАГОТОВКА, T05-10L ЗАГОТОВКА, T05 ПРОСТАВКА, T08, T09, T018, T039, T041, T046, T052, T056, T066, T071, T072, T073, T074, T075, T076, T077, T078, T079, T080, T084, T085, T086, T087, T088, T089, T090, T091, T092, T096, T097, T098, T099, T0100, T0101, T099, T0100, T0101, T0123, T0124, T0126, T0202, T0204, T026, T0202, T0204, T0204AA, T0205, T0205AD, T0206AA, T0206AB, T0206AC, T0206AD, T0206AE, T0206AF, T0206AG T0208, T0209, T0213, T0216, T0213 AA, T0216, T0218, T0220, T0220S, T0220 S, T0220-S, T0220-5, T0220 5, T0225, T0225AA, T0226, T0236, T0236AA, T0236AB, T0237, T0243, T0243AA, T0247, T0247AC, T0252AA, T02510A, T0250A, Т0252АБ, Т0252-3, Т0252-4, Т0252 4, Т0252-5, Т0253, Т0253АА, Т0254, Т0254АА, Т0255, Т0255АА, Т0256, Т0257, Т0257АА, Т0258, Т0258АА, Т0259, Т0251АА, Т0261АА, Т0266АА, Т0266АА , T0263, T0263AA, T0263AB, T0263-3, T0263-5, T0263-S, T0263-7, T0263-9, T0264, T0265, T0266, T0268, T0268AA, T0269, T0269AA, T0270, T0272, T027 3, T0274AA, T0275, T0276, T0276AA, T0276AB, T0276AC, T0277, T0278, T0279 — — — — — — — —

Устройство JEDEC
JEDEC
Устройство

Провода
Шаг Упаковка ГОЛОВКА
Для скрепления штампов
CAN
Крышка/крышка
Герметичный
МАНКЕТ
Для практики пайки
Устройство
Семейство разъемов Металлический корпус
ТО-3 2л~4л 0.433″ оптом ЖАТКА TO3-2L
Поворотная модель

ЖАТКА TO3-4L
Поворотная модель

ТО3-КАН ТО3-2Л
ТО3-8Л
ТО-5 3л~10л Диаметр 0,20 дюйма
90°
оптом TO5-2L ISO ГВОЗДЬ ГОЛОВКА
Поворотная модель

TO5-2L ISO ПРЯМОЙ ШТИФТ
Поворотная модель

ЖАТКА TO5-2L (1-ЗЕМЛЯ)

ЖАТКА TO5-3L
Поворотная модель

ЗАГОТОВКА TO5-4L ISO

Вращающаяся модель

ЖАТКА TO5-5L
Поворотная модель

ЖАТКА TO5-6L (45°)
Поворотная модель

ЖАТКА TO5-6L (60°)
Поворотная модель

ЖАТКА TO5-8L
Поворотная модель

ЖАТКА TO5-10L
Поворотная модель

TO5-STANDOFF

TO5-CAN .165H
Без сварного выступа
Поворотная модель

TO5-CAN .175H
С сварным выступом
Поворотная модель

TO5-CAN .234H
С приварным выступом
Поворотная модель

TO5-CAN .234H
Без приварного выступа
Поворотная модель

TO5-CAN .234H с отверстием 3,2 мм
С Модель

ТО5
ТО-8 12л~16л 0.3″ диаметр оптом Жатка TO8-12L
Поворотная модель

Жатка TO8-16L

Жатка TO8-6L-PIN .064
Поворотная модель

Жатка TO8-2L-PIN
Поворотная модель

TO8-CAN
С приваренным выступом
Поворотная модель
ТО8
ТО-18 3 л 0.Диаметр 10 дюймов
90°
оптом КОЛЛЕКТОР TO18-3L

TO18-STANDOFF

TO18-CAN .0715″H
С приваренным выступом
Поворотная модель

TO18-CAN .095″H
Без приварного выступа
Поворотная модель

TO18-CAN .095″H
С отверстием .099″
Поворотный стол
TO18-CAN .135″H
Без приваренного выступа
Поворотная модель

TO18-CAN .165″H
С приваренным выступом
Поворотная модель

ТО18
ТО-39 2л~3л 0.Диаметр 20 дюймов
90°
оптом TO39-2L ISO ГВОЗДИ
Поворотная модель

TO39-2L ISO ПРЯМОЙ ШТИФТ
Поворотная модель

TO39-2L НАБОР (1-ЗЕМЛЯ)

TO39-3L НАБОР
Фотографии:   1 2 3


Поворотная модель
Используйте TO5-CAN ТО39
ТО-46 2л~3л 0.Диаметр 10 дюймов
90°
оптом TO46-2L-ЗАГОЛОВОК
Поворотная модель

TO46-3L ЖАТКА
Поворотная модель

Используйте TO18-CAN ТО46
ТО-52 2 л
3 л
0,10″ диам.
90°
оптом ЖАТКА TO52-2L
ЖАТКА TO52-3L
Используйте TO18-CAN ТО52-2Л
ТО52-3Л
ТО-66 2 л 0.20 дюймов оптом TO66-2L ЖАТКА ТО66-МОЖЕТ ТО66
ТО-72 4 л 0,10″ диам.
90°
оптом TO18-4L ЖАТКА Используйте TO18-CAN ТО72
ТО-75 0.20 Диаметр
60°
оптом TO75-6L ЖАТКА
Поворотная модель
Используйте TO5-CAN ТО75
ТО-78 0,20 диам.
45°
оптом TO78-6L ЗАГОЛОВОК
Поворотная модель
Используйте TO5-CAN ТО78
ТО-99 0.20 Диаметр
45°
оптом TO5-8L ЖАТКА
Поворотная модельx
Используйте TO5-CAN ТО99
ТО-100 10 л 0,20 диам.
36°
оптом ТО5-10Л ЖАТКА
Поворотная модель
Используйте TO5-CAN ТО100
ТО-123
ТО-213
2 л 0.20 дюймов оптом TO66-2L ЖАТКА Используйте TO66-CAN ТО123
ТО213
ТО-204АА 2 л 0,433 дюйма Масса
Туба
ТО3-2Л ЖАТКА Используйте TO3-CAN ТО204
ТО-205АД 3 л 0.Диаметр 20 дюймов
90°
оптом Применение
ЖАТКА TO5-3L
ЖАТКА TO39-3L
Используйте TO5-CAN ТО205АД
ТО-206АА
ТО-206АФ
3 л
4 л
0,10″ диам.
90°
оптом ЖАТКА TO18-3L
ЖАТКА TO18-4L
Используйте TO18-CAN ТО206АА
ТО206АФ
 
 
Устройство JEDEC

Провода
Шаг Упаковка Открытый
УПАКОВКА
Для скрепления штампов
Герметичный
МАНКЕТ
Для практики пайки
Устройство
Фланцевый металлический корпус
ТО-254АА 3 л
6 л
8 л
0.15 дюймов оптом ТО254-Н ТО254

ТО254 6л

ТО-254
Столы
3 л 0,15 дюйма оптом ТО254Л-Н TO254L
Столы
TO-254Z-8L
Монтажные проушины
0.10 дюймов оптом ТО254З-8Л-Н ТО254 8л
ТО-257АА 3 л 0,10 дюйма оптом ТО257-Н ТО257
ТО-257
Столы
3 л 0.10 дюймов оптом ТО257Л-Н TO257L
Столы
ТО-258АА 3 л 0,20″ оптом ТО258-Н ТО258
ТО-259АА 3 л 0.20 дюймов оптом ТО259-Н ТО259
TO-259Z-6L
Монтажные проушины
0,20″ оптом ТО259З-6Л-Н ТО259 6л
Провода
Шаг Упаковка Открытый
УПАКОВКА
Для скрепления штампов
Герметичный
МАНКЕТ
Для практики пайки
Устройство
Металлический корпус для поверхностного монтажа
ТО-276АА 3 л 0.15 дюймов оптом СМД.5-Н ТО276АА
ТО-276АБ 3 л 0,21 дюйма оптом СМД1-Н ТО276АБ
ТО-276АС 3 л 0.24 дюйма оптом СМД2-Н ТО276АК
 
 
Устройство JEDEC

Провода
Шаг Упаковка Герметичный
МАКЕТ
Для практики пайки
RoHS
Без свинца
Герметичный
МАНКЕТ
Для практики пайки
SnPb
Устройство
Пластиковый корпус — сквозное отверстие
ТО-92 3 л 0.05 дюймов
1,27 мм
оптом ТО92-Т ТО92
ТО-92-.2 3 л 0,10 дюйма
2,54 мм
Навалом
Боеприпасы 2K
Катушка 2K
ТО92-.2-Т
ТО92А-.2-Т
ТО92-.2″
ТО92А-.2
ТО92ТР-.2
ТО-218
СОТ-93
3 л 0.215 дюймов
5,45 мм
Трубка 30 ТО218М3-Т ТО218М-3
ТО-220АБ 3 л 0,1 дюйма
2,54 мм
Трубка 48~50 ТО220М3-Т ТО220М-3
ТО-247АС 3 л 0.215 дюймов
5,45 мм
оптом ТО247АК-Т
ТО-262
И2ПАК
3 л 0,1 дюйма
2,54 мм
Трубка ТО262М3-Т
ТО-274АА 3 л 0.215 дюймов
5,45 мм
оптом ТО274АА-Т
 
 
Устройство JEDEC

Провода
Шаг Упаковка Номер для заказа
RoHS
Бессвинцовый
Заказ №
SnPb
Устройство
Пластиковый корпус — установка на поверхность
ТО-236АБ 3 л 1.9мм Катушка SOT23-TIN
TO236AB
СОТ23
ТО236АБ
ТО-243АА 3 л 1,5 мм Катушка СОТ89-ТИН
ТО243АА
СОТ89
ТО243АА
ТО-252АА 3 л 4.6мм Катушка ДПАК-ИН
ТО252АА
ДПАК
ТО252
ТО-253АА 4 л 1,7 мм
1,9 мм
Катушка СОТ143-ТИН
ТО253АА
СОТ143
ТО253АА
ТО-261АА 3 л 2.3мм Катушка СОТ223-ТИН
ТО261АА
СОТ223
ТО261АА
ТО-263АБ 2 л 5,08 мм Катушка Д2ПАК-ТИН
ТО263АБ
Д2ПАК
ТО263АБ
ТО-263АА 3 л 2.54мм Катушка Д2ПАК3-ТИН
ТО263АА
Д2ПАК3
ТО263АА
ТО-263-5 1,27 мм Катушка Д2ПАК5-ТИН
ТО263-5
Д2ПАК5
ТО263-5
ТО-263-7 0.85мм Катушка Д2ПАК7-ТИН
ТО263-7
Д2ПАК7
ТО263-7
ТО-268 2 л 10,9 мм Катушка Д3ПАК-ТИН
ТО268
Д3ПАК
ТО268
ТО-277А 2 л 2.13мм Катушка ТО277А ТО-277А
 
 
Устройство JEDEC

Провода
Шаг Упаковка Номер для заказа
RoHS
Бессвинцовый
Заказ №
SnPb
Устройство
Плоская упаковка
ТО-84
ТО-85
ТО-86
14 л .15″ x 0,25″
0,18″ x 0,25″
0,25″ x 0,25″
Г-образные выводы
Перевозчик ФП14 ТО84
ТО85
ТО86
ТО-87
ТО-88
14 л 0,26 x 0,38 дюйма
0,26 x 0,34 дюйма
Прямые выводы
Перевозчик ФП14 ТО87
ТО88
ТО-89
ТО-90
ТО-91
10 л .15 x 0,25 дюйма
0,18 x 0,25 дюйма
0,25 x 0,25 дюйма
Прямые провода
Перевозчик ФП10 ТО89
ТО90
ТО91
 
Доступны другие типы корпусов JEDEC серии «TO». Пожалуйста, свяжитесь с ТопЛайн.
Металлический корпус: доступны коллекторы и банки для склеивания. Пожалуйста, свяжитесь с ТопЛайн.

Верх страницы Назад к продуктам

Ссылки по теме:
Flat Pack СЕРКВАД CLCC ООО DO

Архив JEDEC TO-Outline


Корпорация ТопЛайн
95 Шоссе 22 Вт
Милледжвилль, Джорджия 31061, США
Бесплатный номер США/Канада (800) 776-9888
Международный: 1-478-451-5000
Электронная почта: [email protected]телевизор

Дом

Материалы подложек для мощных транзисторов

Транзисторы RF Power

отвечают за усиление радиочастотных сигналов до выходной мощности 5–1000 Вт, которые затем направляются от антенн. Эти силовые транзисторы используются для беспроводной связи (базовые станции сотовых телефонов), радаров, радио, вещательного телевидения и промышленных источников питания. Частота работы ограничивает размер полупроводникового устройства, поэтому работа с высокой мощностью неизбежно приводит к высокой плотности отработанного тепла, которое необходимо отводить от микросхемы.Тепловая плотность типичного ВЧ-транзистора обычно составляет 50–100 Вт/см 2 , что сопоставимо с 1 Вт/см 2 для типичного низкочастотного кремниевого силового устройства. Materion через свои многочисленные бизнес-подразделения и объекты обслуживает рынок силовых ВЧ-транзисторов, поставляя несколько типов подложек.

Для отвода тепла большинство силовых кремниевых транзисторов припаяны к подложке золотым/кремниевым припоем. Поскольку AuSi является «твердым» припоем, тепловое расширение подложки должно составлять от 3 до 10 x 10 -6 /°C, чтобы предотвратить растрескивание Si при циклическом изменении температуры.Подложка может быть диэлектриком или электрическим проводником, в зависимости от типа транзистора. Si VMOS и биполярные транзисторы необходимо припаивать к электрически изолированной площадке на теплопроводном диэлектрике. Керамические подложки BeO компании Materion, известные как Thermalox™ BeO, предлагают уникальное сочетание высокой теплопроводности, высокого удельного электрического сопротивления и низких диэлектрических потерь в широком диапазоне частот. Materion предлагает керамические подложки BeO горячего прессования, изготовленные на заводе в Тусоне, штат Аризона, чтобы удовлетворить это требование.Затем предприятие Materion в Ньюберипорте, штат Массачусетс, печатает образцы толстопленочной пасты MoMn, которая обжигается на BeO, покрывается никелем, а затем припаивается в корпус с использованием припоев, поставляемых предприятием Materion в Буффало, штат Нью-Йорк.

В середине 1990-х годов Motorola изобрела новый тип ВЧ-транзистора под названием LDMOS . Транзисторы LDMOS можно было припаять непосредственно к электрически заземленному металлическому фланцу, что устраняло необходимость в BeO. Исключение BeO снизило стоимость упаковки, а также снизило общее тепловое сопротивление, поскольку большинство корпусов BeO содержат фланец, припаянный под BeO.Популярность LDMOS-транзисторов возросла к концу 1990-х годов. С переходом от аналоговых к цифровым сотовым телефонам в начале 2000-х транзисторы LDMOS доминировали на рынке усилителей для базовых станций сотовой связи.

Забегая вперед, компания Materion удовлетворяет другие потребности отрасли радиочастотных транзисторов, производя корпуса с воздушными полостями, состоящие из керамического каркаса, припаянного к металлическому фланцу. В промышленности требуются фланцы с более высокой теплопроводностью и меньшей стоимостью.Компания «Материон» предлагает паяные керамические пакеты с фланцами из CuW, CMC и CPC (таблица 1). Различные предприятия Materion работают с ключевыми клиентами над разработкой фланцев из меди, что потребует совершенно нового метода пайки Si на фланец из-за серьезного несоответствия теплового расширения между Si и Cu.

Следующее поколение мощных транзисторов изготавливается из нового полупроводникового материала, называемого нитридом галлия (GaN). По запросу нескольких производителей GaN компания Materion также работает над созданием новых материалов для фланцев, которые обеспечивают более высокую теплопроводность, чем обычные материалы для фланцев, высокую жесткость и хорошее тепловое расширение, соответствующее GaN.

Таблица 1: Свойства различных материалов подложки для высокомощных ВЧ-транзисторов

Материал

Удельное электрическое сопротивление (Ом-см)

Теплопроводность

(Вт/м-К)

Коэффициент теплового расширения

(10 -6 /°С)

Используется с радиочастотными транзисторами

Си

Переменная

151

3

VMOS, биполярный, LDMOS

GaN

Переменная

130

3.2

полевые транзисторы

99,5% BeO

1Е13

285

7,6

Si VMOS, биполярный;

SiC SIT

11:89 Cu:W

5.3Е-8

200

6,5

Си ЛДМОС

1:1:1 Cu/Mo/Cu (КМЦ)

Н/Д

230

8.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *