Характеристики транзисторов: основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Содержание

Характеристики транзисторов

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР КАК УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Биполярный транзистор – это полупроводниковый элемент с тремя выводами (базой, эмиттером и коллектором). Биполярные транзисторы эквивалентны паре диодов с p-n переходами, включенными последовательно друг другу. В активном режиме на переход база-эмиттер подается прямое напряжение, а на переход база-коллектор – обратное.

Если к показанной на рис.2.1 цепи прикладывать различные напряжения Uбэ и измерять ток коллектора Iк как функцию Uкэ, то в результате получим семейство выходных характеристик (рис.2.2.) Вблизи оси Iк находится область насыщения, в которой открыты оба перехода, а вблизи оси Uкэ – область отсечки, в которой закрыты оба перехода. В активном режиме ток коллектора зависит главным образом от напряжения база-эмиттер Uбэ.

 

Рис.2.1. Схема подключения Рис.2.2. Выходные

транзистора с общим характеристики

эмиттером

 

Если при различных значениях напряжения Uкэ, свойственных активному режиму, нанести на график токи Iк как функции напряжения uбэ, то получим передаточную характеристику (рис.2.3.). Характеристики почти сливаются, т.к. ток Iк слабо завит от напряжения Uкэ.

Для полного описания поведения транзистора требуется знать входную характеристику (рис.2.4). Эту характеристику образуют значения тока базы Iбот напряжения Uбэ при различных Uкэ. Эти характеристики также почти не зависят от Uкэ.

Сходство характеристики передачи и входной характеристики очевидно. Отсюда следует, что ток Iк приблизительно пропорционален току базы

Iб. Коэффициент пропорциональности β называется коэффициентом усиления транзистора по току β = Iк/Iб.

 

 

Рис.2.3. Передаточная Рис.2.4. Входная

характеристика характеристика

 

Уравнения, описывающие поведение транзистора в основном сводятся к поведению диода, эквивалентному переходу база-эмиттер. В семействе передаточных и семействе входных характеристик токи Iб и токи Iкэкспоненциально зависят от напряжения Uбэ:

 

Iб = Iк/b при b = b(Uбэ, Uкэ).

 

Ток насыщения транзистора Is лежит в диапазоне 10-16…10-17 А, температурный коэффициент UТ » 26 мВ при комнатной температуре.

Постоянная

Uа называется потенциалом Эрли и составляет 30…150 В в транзисторах n-p-n и 30…75 В — транзисторах p-n-p. Потенциал Эрли находится по точке пересечения семейства выходных характеристик с осью абсцисс (рис.2.5). Коэффициент усиления b зависит из-за эффекта Эрли от напряжения Uкэ.

В итоге для режима большого сигнала имеем

 

,

.

Рис.2.5. Определение напряжения Эрли


Транзистор. Схема, демонстрирующая принцип работы транзистора. Типы, параметры и характеристики транзисторов, маркировка

Транзистор
1.Биполярный транзистор.
2.Как работает транзистор.
3.Схема, демонстрирующая
принцип работы транзистора.
4.Типы, параметры и
характеристики транзисторов,
маркировка
Транзистор
полупровниковый
электронный
прибор, относящийся к категории
активных электронных компонентов.
В зависимости от расположения
полупроводниковых
слоев,
транзисторы подразделяют на два
основных типа — NPN-транзисторы и
PNP-транзисторы.
Электроды
обычного
биполярного
транзистора называются базой, эмиттером и
коллектором.
Коллектор
и
эмиттер
составляют основную цепь электрического
тока в транзисторе, а база предназначается
для управления величиной тока в этой цепи.
На условном обозначении транзистора
стрелка эмиттерного вывода показывает
направление тока.
Как работает транзистор
Базовая цепь транзистора
управляет током, протекающим в
цепи коллектор-эмиттер.
Изменяя в небольших пределах
малое напряжение, поданное на
базу, можно в достаточно широких
пределах изменять ток в цепи
коллектор-эмиттер.
Принцип работы биполярного
транзистора со структурой NPN.
Ток, поданный на базу, открывает
транзистор и обеспечивает
протекание тока в цепи коллекторэмиттер.
С помощью малого тока,
поданного на базу, можно
управлять током большой
мощности, идущим от коллектора
к эмиттеру.
Транзисторы
различной
мощности
Схема, демонстрирующая принцип
работы транзистора
Типы, маркировка, параметры и
характеристики транзисторов
Транзистор выступает основным
компонентом любой электрической
схемы. Он является своего рода
усилительным ключом. В основе этого
полупроводникового прибора находится
кремниевый или германиевый кристалл.
Транзисторы бывают однополярными и
двухполярными : полевыми и
биполярными.
По типу проводимости они встречаются
двух видов – прямые и обратные
Производители
транзисторов применяют два
основных типа шифрования — это
цветовая и кодовая маркировки.
Однако ни один, ни другой не
имеют единых стандартов.
Каждый завод, производящий
полупроводниковые приборы
(транзисторы, диоды,
стабилитроны и т. д.), принимает
свои кодовые и цветовые
обозначения
Маркировка полевых транзисторов
ничем не отличается от меток на
других приборах.
Спасибо за внимание!
Янина Елизавета Вадимовна
ГБПОУ МО Балашихинский Техникум (ПУ 47/36)

Характеристика — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Характеристика — транзистор

Cтраница 1

Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Umnp выходного сигнала на промежуточной частоте.  [1]

Характеристики транзистора описывают связь между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора для различных способов включения транзистора в схему. Из оставшихся двух величин одну поддерживают постоянной, другую оставляют свободной Задавая различные значения фиксированной величине, получают семейство статических характеристик транзистора.  [2]

Характеристики транзистора в отпертом состоянии ( рис. 2 е) не проходят через начало координат, а смещены относительно него на падение напряжения, обусловленное наличием тока базы. Наклон характеристик возрастает с ростом отрицательного напряжения на базе.  [3]

Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером ( рис. 4.14, а и б) качественно подобны характеристикам в схеме с общей базой.  [5]

Характеристики транзисторов одинаковы при противоположных знаках напряжений и токов. Если два таких транзистора соединить последовательно, а на их общие затворы подать одно и то же напряжение ( рис. 3 — 139 а), то в импульсном режиме попеременно один транзистор закрыт, а второй — насыщен. Таким образом, схема подобна двум последовательно соединенным выключателям, которые поочередно разомкнуты. Амплитуда выходного импульсного напряжения велика, а расход мощности источника питания незначителен.  [7]

Характеристики транзисторов П16 — Ш6Б: а — входные в схеме с общим эмиттером; б — входные в схеме с общей базой.  [9]

Характеристики транзистора с обогащением показаны на рис. 7.4. При напряжении на затворе us О стоковый ток очень мал и возрастает с ростом напряжения на затворе. Выводы истока и подложки обычно соединяются.  [11]

Характеристики транзистора устанавливают связь между токами, протекающими в цепях электродов, и напряжениями, приложенными к электродам. При любой схеме включения в транзисторе между собой всегда связаны четыре величины.  [13]

Характеристики транзистора определяют зависимости между токами транзистора и напряжениями на его электродах.  [14]

Характеристики транзисторов

представляют зависимость между токами, протекающими в их цепях, и напряжениями, действующими в этих цепях. Транзистор имеет четыре вида характеристик.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Кривые характеристики транзистора | Electrical Academia

Основное свойство транзистора и то, как он работает, показаны на следующем рисунке , где транзистор правильно смещен двумя источниками питания.

Рисунок: Транзистор, работающий с двумя источниками питания

  Рис. ток I B , а батарея 24 В вместе с R C определяют ток коллектора I C .Нас интересует определение изменения тока коллектора I C . Этот ток можно изменять либо путем изменения тока базы I B , либо напряжения коллектор-эмиттер V CE (напряжение между коллектором C и эмиттером E). Базовый ток можно изменять переменным резистором R B .

Рисунок 1 Простая схема для работы транзистора.

Характеристические кривые транзистора показывают зависимость между напряжением коллектор-эмиттер и током коллектора для различных значений тока базы.Поскольку на I C влияют два параметра, набор отдельных кривых, показанных вместе, обозначает различные рабочие условия.

Типичная кривая показана на рис. 2a , , а набор этих кривых изображен на рис. 2b . Каждая отдельная кривая отображает изменение I C в зависимости от значения напряжения коллектор-эмиттер (V CE ) для фиксированного значения тока базы I B .

Когда I B  равно нулю , транзистор отключен, и он не проводит ток независимо от того, какое напряжение приложено к коллектору; любой ток коллектора возникает из-за утечек, очень мал и им можно пренебречь.На рисунках 2а и б кривая, соответствующая I B  = 0, преувеличена для ясности.

Область под кривой, соответствующей I B  = 0, заштрихована . На рис. 2а , представлена ​​область, где транзистор отключен и не проводит ток.

Область насыщения

Для каждого ненулевого значения I B ток коллектора начинается с нуля, когда напряжение коллектор-эмиттер равно нулю.Транзистор начинает проводить ток, и ток коллектора быстро увеличивается, когда V CE > 0. Область вокруг этого резкого изменения I C также заштрихована . .

Насыщение означает, что ток коллектора достиг своего максимального значения для этого напряжения коллектор-эмиттер и не может увеличиваться дальше за счет увеличения тока базы I B . Например, рассмотрим точку M, соответствующую V CE  = V M  в (рис. 2b ). Для этой точки I C  достигло своего максимума и не может быть увеличено за счет увеличения I B . Напротив, увеличение I B  может сместить точку N в N’, что соответствует напряжению коллектор-эмиттер V N .

Рисунок 2  Ток коллектора в зависимости от напряжения коллектора для транзистора. (a) Для одного значения базового тока. (b) Для нескольких значений базового тока.

Насыщение (в транзисторе):  Состояние транзистора, при котором ток коллектора достигает своего максимального значения для текущего напряжения коллектор-эмиттер и не может увеличиваться далее только за счет увеличения тока базы I B .

Значение насыщения транзистора лучше продемонстрировано на  Рисунок 3 , , на котором масштаб горизонтальной оси увеличен, чтобы можно было лучше отобразить сегменты линии с резкими наклонами.

Показаны две характеристические кривые, соответствующие двум базовым токам I B1 и I B2  . Предположим, что напряжение коллектор-эмиттер равно 2 В. На обеих кривых соответствующей точкой является A. Это означает, что если ток базы увеличивается до I B2 , но V CE по-прежнему составляет 2 В, ток коллектора не изменить.Ток коллектора увеличивается, только если V CE  увеличивается, например, до 4 В, при котором рабочая точка перемещается от A к B.

Активная область

При насыщении транзистор не может работать должным образом. При нормальной работе транзисторы функционируют в активной области, область которой характеристическая кривая представляет собой отрезок почти горизонтальной прямой линии.В этой области увеличение напряжения коллектор-эмиттер мало влияет на ток коллектора. Другими словами , транзистор имеет большое сопротивление в этой области, так что увеличение напряжения мало влияет на ток через него. Это сопротивление является переменным, поскольку зависит от значения I B (для каждого значения I B соотношение V CE /I C различно).

Активная область: Область характеристической кривой транзистора с точки зрения значений напряжения коллектор-эмиттер и тока коллектора, в которых транзистор может функционировать.Если какое-либо из этих значений выходит за пределы своего диапазона, транзистор попадает в область насыщения или в область отсечки и не может функционировать (см. , рис. 2a ).

Активная область находится между двумя напряжениями, обозначенными V A и V BR на рисунке 2a. Если V CE превышает напряжение пробоя V BR , транзистор выходит из строя, а если V CE < V A , транзистор находится в состоянии насыщения.

Напряжение пробоя:  Напряжение, при котором полупроводниковое устройство меняет поведение или повреждается.

Рабочая точка транзистора – это точка на этих кривых, соответствующая данному I B и заданному значению V CE . Транзистор, тем не менее, не может работать во всех возможных точках, которые можно найти на характеристических кривых. Это связано с физическими ограничениями транзистора в работе с током коллектора без перегрева и повреждения. Граница предельной мощности показана на Рисунке 4 пунктирной кривой для типичного транзистора.

Транзистор можно запускать во всех точках слева от пунктирной кривой, но не в области справа от этой кривой. В этой области высокий уровень I C или высокий уровень V CE , что приводит к относительно высокому энергопотреблению транзистора, которое преобразуется в тепло.

Рисунок 4  Рабочая точка и граничная кривая максимальной мощности транзистора.

Рабочая точка транзистора (обозначена буквой Q на рис. 4 ) при рабочих условиях, определяемых напряжением питания V CC и базовым напряжением V BB (см. рис. 1 ) и сопротивлениями R B и R C находится на пересечении линий, соответствующих V CE и базовому току.

При постоянном наборе значений для V CC , V BB и R C , если R B  , варьируется значение I B , а следовательно, I 909 9 0 9 0 9 C и , изменять. Каждая пара I C и V CE определяет рабочую точку, обозначаемую Q. Когда в результате изменения R B , а параметры V CC , V BB и R C равны сохраняется постоянным, значения напряжения коллектор-эмиттер V CE и тока коллектора I C меняются, эта точка Q движется по прямой линии AB, как показано на рис. 4 .

V CE  получается из напряжения питания V CC за вычетом падения напряжения в R C (и любого другого резистора в контуре коллектор-эмиттер, подключенного к V CC ).

В состоянии отсечки ток через R C равен нулю, и напряжение на R C (и на любом другом резисторе, включенном последовательно с R C в том же контуре) не падает. Следовательно, все приложенное напряжение (V CC ) появляется на коллекторе.Это определяет точку A линии, где V CE  максимально.

Также, если транзистор проводит, но между C и E нет внутреннего сопротивления, это определяет максимальный ток, который может иметь коллектор (точка B линии). Этот максимальный ток можно найти, разделив V CC на все резисторы в контуре (только R C в на рис. 1 ). Таким образом, для заданного напряжения питания V CC ток коллектора может варьироваться от нуля (в точке A) до максимального значения (в точке B), как показывает линия AB.

Пересечение линии AB с одной из кривых характеристик транзистора определяет рабочую точку Q. Линия AB называется линией нагрузки. Таким образом, линия нагрузки представляет собой все возможные положения точки Q для транзистора в данной цепи с постоянным V CC и сопротивлением в цепи коллектор-эмиттер.

Строка нагрузки (в транзисторе): Строка, показывающая рабочие точки транзистора на характеристической кривой транзистора в зависимости от напряжения питания и резисторов в цепи транзистора.Эта линия находится между точками, соответствующими максимальному напряжению коллектора и максимальному току коллектора.

Пример 1

Для транзистора, показанного на рис. 1, кривые характеристики которого показаны на рис. 4 , если ток базы равен 60 мкА, найдите ток коллектора и значение ß.

Решение

Максимальный ток через коллектор определяется делением напряжения питания (24 В) на сопротивление RC.Таким образом, конец точки B линии нагрузки на текущей (вертикальной) оси находится на

\[\frac{24}{2400}=10 мА\]

Другой конец линии нагрузки (точка A) находится на горизонтальная ось при 24 В. Эта линия такая же, как показано на рис. 4 , и пересекает кривую, соответствующую базовому току 60 мкА, в точке Q (как показано).

Опускание перпендикуляра из Q на вертикальную ось дает ток в коллекторе. Исходя из рисунка, этот ток равен 5,5 мА.

Значение ß можно найти, разделив ток коллектора на ток базы.

\[\frac{5,5 мА}{60\мкА}=\frac{5500\мкА}{60\мкА}\ок. 92\]

Пример 2

Если в Примере 1 питание напряжение изменяется на 30 В, а RC составляет 2200 Ом (остальные параметры остаются без изменений), сколько стоят IC и VCE?

Решение

Новую линию нагрузки необходимо провести на том же графике на рис. 4. Пересечение этой линии с линией, соответствующей I B  = 60 мкА, определяет значения I C  и V СЕ .

Точка A для этой новой линии находится на уровне V CE  = 30 В, то есть между 28 и 32 (не показано), а точка B находится на уровне I B  = 30 ÷ 2200 = > 13,6 мА. Если вы нарисуете эту линию, вы найдете ее пересечение с базовым током 60 мкА, что соответствует I C  = 5,6 мА и V CE  = 17,4 В.

Произошла ошибка настройки файла cookie пользователя

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только та информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

Нарисуйте и объясните выходные характеристики транзистора в конфигурации CE и входные характеристики.

Выходные характеристики:-

Отсечка, Активная область и область насыщения транзистора:

1. Смещение транзистора:-

Подача подходящего постоянного напряжения на клеммы транзистора называется смещением. Каждый переход транзистора может быть смещен в прямом или обратном направлении независимо друг от друга. Это следующие три различных способа смещения транзистора, которые также известны как режимы работы транзистора.

2. Вперед активно:-

Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении

$$\text{Переход коллектор-база имеет обратное смещение.}$$

3. Область насыщения:-

$$\text{Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении} \\ \text{Переход коллектор-база смещен в прямом направлении}$$ В этом режиме транзистор имеет очень большое значение тока. Транзистор работает в этом режиме, когда он используется как замкнутый ключ. Здесь наблюдается большое изменение тока коллектора IC при небольшом изменении VCE.

4. Зона отсечки:-

$$\text{Переход эмиттер-база смещен в обратном направлении} \\ \text{Переход коллектор-база с обратным смещением}$$

В этой области оба соединения имеют обратное смещение. В этом режиме транзистор имеет нулевой ток. Транзистор работает в этом режиме, когда он используется как открытый ключ. Поскольку переход коллектор-база смещен в обратном направлении, ток, обусловленный основными носителями, течет от коллектора к эмиттеру, что представлено ICEO.

Выходные характеристики транзистора с общим эмиттером

Выходное сопротивление: $ro = \dfrac{∆Vce}{∆Ic}$ IB = константа

Коэффициент усиления по току = $βdc= \dfrac{Ic}{Ib}$ VCE =константа

$βac= \dfrac{Ic}{Ib}$ VCE =константа

Режимы работы транзистора:

Входные характеристики:-

Это график зависимости входного тока Ib от входного напряжения Vbe при постоянном выходном напряжении Vce. Это напоминает характеристики диода с прямым смещением.Входной ток Ib увеличивается по мере увеличения входного напряжения Vbe при фиксированном значении Vce.

По мере увеличения напряжения обратного смещения Vce область обеднения в переходе коллектор-база увеличивается.

Следовательно, ширина доступной для проводимости базы уменьшается. Следовательно, Ib уменьшается из-за раннего эффекта, и график смещается по оси X.

Динамическое входное сопротивление =

$Ri = \dfrac{∆Vbe}{∆Ib}$, где VCE = константа

Характеристики транзистора





Транзистор представляет собой трехэлектродный прибор с соединениями с базой (обозначается B или b), эмиттер (обозначается E или e) и коллектор (обозначается C или c).Неизменно (за исключением случаев, когда транзистор используется в качестве диода), один электрод является общим как к входным, так и к выходным цепям — обычно к эмиттеру (общему эмиттеру) или иногда база (общая база). Конфигурация с общим коллектором мало использовал.

ПАРАМЕТРЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Четыре основных параметра, определяющие характеристики постоянного тока транзистора:

входное напряжение

входной ток

выходное напряжение

выходной ток

Заглавные буквы используются для обозначения средних значений напряжения и тока, а строчные буквы для обозначения мгновенных объемов напряжения или тока:

В для средних напряжений, v для мгновенных напряжений I для средних токов, i для мгновенных токов

Например: VB, Vc, Ve означают средние значения токи базы, коллектора и эмиттера соответственно, а vb, v, ve означает мгновенные значения тока базы, коллектора и эмиттера соответственно.IB, IC, 1e — средние значения токов базы, коллектора и эмиттера соответственно, и ib означает мгновенные значения токов базы, коллектора и эмиттера. соответственно.

Если речь идет о мгновенных суммарных значениях напряжения или тока, используется заглавная нижняя буква, а строчная буква обозначает напряжение или ток. Таким образом, vB, vc, vE означают мгновенные суммарные значения базы, коллектора и эмиттера. напряжения соответственно, или iB, ic, iE означают мгновенные суммарные значения базы, ток коллектора и эмиттера соответственно.

Также необходимо определить электроды, между которыми эти напряжения или применяются токи. Это делается с помощью соответствующих букв в индексе:

VBE Vbe v3V E V ,CE ce V vCE BC V bc VBC

= среднее напряжение база-эмиттер

= мгновенное напряжение база-эмиттер

= мгновенное общее напряжение базового эмиттера

= среднее напряжение коллектор-эмиттер

= мгновенное напряжение коллектор-эмиттер

= мгновенное общее напряжение коллектор-эмиттер

= среднее напряжение база-коллектор

= мгновенное напряжение база-коллектор

= мгновенное общее напряжение база-коллектор

Логически они должны соответствовать к направлению напряжения (от положительного к отрицательному), в зависимости от того, транзистор типа PNP или NPN в следующем порядке:

Транзистор PNP = EB, BC, BE (или eb, bc, be)

Транзистор NPN = BE, CB, EB (или бэ, кб, бэ)

ВХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Входные характеристики транзистора показывают изменение входного тока с входным напряжением.В конфигурации с общим эмиттером вход подается на базу, и базовый ток (Ib) отображается в зависимости от базового напряжения, измеренного между база и эмиттер (Vbe ). В конфигурации с общей базой вход должен эмиттер, поэтому входные характеристики показывают изменение тока эмиттера (Ie) в зависимости от напряжения эмиттера, измеренного между эмиттером и базой (Vb).

Эти соотношения представлены графически на рис. 15-1. Входное сопротивление в каждом случае является обратной величиной наклона кривой и, следовательно, является низким.Поскольку входные характеристики нелинейны (показаны кривой, а не прямая), входное сопротивление не постоянно, а зависит от тока при котором он измеряется. Из-за нелинейных характеристик входа, транзистор обычно смещен по току и управляется током, а не источник напряжения. Это обеспечивается использованием эффективного сопротивления источника что велико по сравнению с входным сопротивлением. Если это сопротивление (или, правильнее сказать, импеданс) недостаточно высок, чтобы заглушить переменные сопротивление (импеданс) транзистора под управлением будет значительным искажение входного сигнала.


Рис. 15-1. Типичные входные характеристики транзистора. — Примечание — каждое значение коллекторного напряжения будет иметь другую кривую.

Входное сопротивление в любой точке равно базовому напряжению, деленному на базовый ток

ПЕРЕДАЧА ХАРАКТЕРИСТИК

Передаточные характеристики транзистора обычно задаются в виде графика коллектора. ток против базового тока,


Рис. 15-2. Типичные передаточные характеристики транзистора.

Рис.15-2. В идеале это должна быть прямая линия. Любое отклонение от линейного (прямолинейная) зависимость подразумевает нелинейное искажение выходного сигнала.

Коллектор Вольт Малый германиевый транзистор

Коллектор Вольт, Малый кремниевый транзистор


Рис. 15-3. Типичные выходные характеристики транзистора.

ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Кривые выходной характеристики транзистора показывают, что эффективно включается напряжение (или напряжение колена, как его называют), выше которого большое изменение в коллекторе напряжение вызывает лишь небольшое изменение тока коллектора.Поскольку сопротивление снова является величиной, обратной наклону этой кривой I/V, отсюда следует, что выход сопротивление транзистора характерно высокое. Стоимость коллектора ток и в некоторой степени наклон кривой также зависят от базы ток. Таким образом, для (постоянных) базовых токов строятся отдельные кривые, см. Рис. 15-3. Опять же, обратите внимание, что постоянный базовый ток достигается только при высокое сопротивление источника в базовой цепи. Кроме того, любая нелинейность в передаточные характеристики транзистора проявляются на входных характеристиках как неравномерный шаг кривых для равных приращений входного тока.

УСИЛЕНИЕ ТОКА

В качестве усилителя тока обычно используется транзистор. Здесь базовый ток контролирует ток в цепи эмиттер-коллектор, хотя может только составлять небольшой процент от тока эмиттера. Ток можно добавить в обычном способ. Таким образом, ток эмиттера равен току коллектора плюс ток базы; или, в качестве альтернативы ток базы равен току эмиттера минус ток коллектора.

При выражении характеристик транзистора ток коллектора, деленный током эмиттера обозначают a, а ток коллектора делят на ток базы обозначается al, Зная либо а, либо а’, можно найти токи на других электродах, так как a = al/(1 + a’) и al = a/(1 — a) Фактические значения a и al могут изменяться в зависимости от частоты и тока для одного и того же транзистора.Простой, простой, анализ характеристик транзистора основан на малых токах сигнала при нулевой частоте, т. е. при малых изменениях постоянного тока. Чтобы это было ясно, иногда используются символы ао и аол, нижний индекс «о» указывает на нулевая частота.

Текущий коэффициент усиления в конфигурации с общим эмиттером (вход в основание) задается al (или aol). Он в значительной степени не зависит от напряжения коллектора, но обычно измеряется при некотором постоянном напряжении коллектора.В частности, значение al напрямую связано с наклоном кривой I/I или передачей характеристики.

Его также называют малосигнальным коэффициентом усиления транзистора. Фактические значения могут колеблется от 10 до нескольких сотен.

В конфигурации с общей базой, с входом на эмиттер, усиление тока фактор обозначается a (или a.) и эквивалентен наклону кривой I/I. В этом случае I всегда немного меньше, чем I , поэтому значение a всегда равно меньше единицы; обычно порядка 0.98.

УСИЛЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА

В частности, это отношение Ic/Ib в конфигурации с общим эмиттером. и обычно упоминается как Бета (строго говоря Бета’) или ли, последний обычно является параметром, указанным производителями. Бета и-hFE являются не идентичны, и оба меняются в зависимости от тока коллектора. Приведенное значение hFE равно поэтому обычно ассоциируется с определенным током коллектора. Общедоступный транзисторы могут иметь значения hFE от 10 до 560 на коллекторе. токи в диапазоне от 1 мА до 30 А.Вот несколько примеров:

Транзисторы германиевые малой и средней мощности; типичный диапазон hFE 30–200 при токи коллектора от 1 мА до 300 мА.

Малосигнальные высокочастотные германиевые транзисторы; типичный диапазон hFE 30-100 при токах коллектора от 1 мА до 10 мА.

Силовые германиевые транзисторы; типичный диапазон hFE 40-150 при токах коллектора от 500 мА до 1А.

Кремниевые транзисторы с малым сигналом; типичный диапазон fFE 50-500 при токе коллектора арендная плата от 0.от 1 мА до 50 мА.

Низкочастотные кремниевые транзисторы средней мощности; типичный hFE r 90-200 на коллекторе токи от 10 мА до 150 мА.

Мощные низкочастотные кремниевые транзисторы; типичный hFE работал 25-100 на коллекторе токи от 150 мА до 5 А.

Маломощные высокочастотные кремниевые транзисторы; типичный hFE работал 40-100 и токи коллектора от 1 мА до 25 мА.

СПЕЦИФИКАЦИИ ПРОИЗВОДИТЕЛЯ

Производители обычно предоставляют кривые, показывающие статические (постоянный ток) характеристики промышленных транзисторов как с общим эмиттером, так и с общей базой, вместе с другими характеристическими значениями по мере необходимости.Суммированный транзистор данные в каталогах или техпаспортах дают как минимум следующее:

VCEO (макс.) = максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при открытом токе.

VCBO (макс.) = максимальное напряжение между коллектором и базой при открытом токе.

VEBO (макс.) = максимальное напряжение между эмиттером и базой при открытом токе.

Ic (max) = максимальный ток коллектора.

Pt (макс.) или Ptot (макс.) = максимальная общая рассеиваемая мощность.

Коэффициент усиления по постоянному току (обычно приводится как типичное значение для конкретного коллектора). ток).

Для облегчения выбора такие списки могут быть объединены в группы (примерно) подобные типы, на линиях, данных ранее. Еще полезнее, когда применение конструкции также показано для каждого типа транзистора, например, общего назначение, коммутация, аудиоусилитель и т. д. Ниже приведена полезная классификация и руководство:

Германиевые транзисторы

маломощные, среднеточные, коммутационные и общего назначения.

среднетоковое переключение, малая выходная мощность.

маломощных усилителя среднего тока.

Усилители

af малой мощности.

дополнительных пары.

высокая выходная мощность (мощный транзистор).

Кремниевые транзисторы

Усилители af, слабый сигнал, общего назначения.

Усилители

af, низкий уровень, низкий уровень шума.

маломощные усилители сигналов.

ВЧ усилители и генераторы.

среднетоковое переключение, малая выходная мощность.

высокая частота, средняя мощность.

коммутация общего назначения.

Силовые транзисторы

.

Любая ссылка на «мощную» группировку в значительной степени произвольна, поскольку нет универсального соглашения о диапазоне уровней мощности (имеется в виду максимальный мощность конкретного транзистора). Таким образом, малая мощность обычно может быть принято на перекрытие 100-250 мВт, но в такую ​​группу могут входить транзисторы с номинальная мощность до 1 Вт. Точно так же средняя мощность подразумевает возможную мощность диапазон от 250 мВт до 1 Вт (но может быть увеличен до 5 Вт).Любой транзистор с номинальная мощность более 5 Вт классифицируется как силовой транзистор.

Информация о подборе транзисторов по характеристикам приведена в следующий раздел.


Попробуйте LTspice — подтвердите характеристики транзистора с помощью анализа DCsweep

Вы когда-нибудь пытались установить LTspice, но терпели неудачу в процессе набора текста, просматривая справочник, или не получали желаемого результата из-за ошибки?

Чтобы решить эту проблему, я покажу вам, как выполнить анализ DC Sweep, используя файл моделирования, который поставляется вместе с вами в папке под названием Educational.

 

Учебная папка

Мы будем использовать файлы из папки Educational.

Открытие файла анализа DC Sweep

Вы можете открыть папку «Образовательные» в следующем порядке: «Мои документы» > «LTspiceXVII» > «Примеры» > «Образовательные».

На этот раз откройте файл curvetrace.asc из папки Educational.

При этом открылась принципиальная схема биполярного транзистора 2n222, показанная на рис.1.

С помощью этого файла подтверждаем DC-Swep.

DC-Swep изменяет значение постоянного тока для имитации свойств устройства.

Значение напряжения при изменении значения сопротивления

 

Настройка анализа развертки постоянного тока

Анализ DC Sweep настроен следующим образом:

Красное подчеркивание в ① указывает на настройку напряжения V1 между коллектором и эмиттером.

Это означает, что V1 изменяется с шагом 10 мВ от 0 В до 15 В.

Щелчок правой кнопкой мыши по тексту открывает команду редактирования моделирования (рис. 2).

Если вы выберете 1-й источник, вы увидите настройки V1.

Синяя полоса под чертой в ② — это настройка тока I1, который течет к базе.

Это означает, что I1 изменяется с 20 мкА на 100 мкА с шагом 20 мкА.。

Если вы выберете второй источник команды Edit Simulation, вы увидите настройки I1.

 

 

Проверить ВАХ транзистора 2n222

Когда выполняется RUN, ВАХ, показанная на рис.3 получается.

Вы можете проверить ВАХ другого транзистора, немного изменив этот файл.

Также измените источник тока I1 на источник напряжения, чтобы проверить ВАХ полевого транзистора.

В папке Educational вы найдете примеры симуляций, отличных от представленного здесь анализа DC Sweep. Я надеюсь, что вы будете использовать его эффективно.

 

LTspice скачать

LTspice можно загрузить по ссылке ниже.

https://www.analog.com/jp/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-simulator.html

[PDF] ЛАБОРАТОРИЯ VIII. ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1 ЛАБОРАТОРИЯ VIII. ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. ЦЕЛЬ В этой лабораторной работе вы изучите характеристики постоянного тока …

ЛАБОРАТОРИЯ VIII. ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. ЦЕЛЬ В этой лабораторной работе вы изучите характеристики постоянного тока биполярного транзистора (BJT).

2. ОБЗОР В этой лабораторной работе вы осмотрите внешнюю физическую структуру, маркировку и выводы BJT 2N4400. Далее вы будете использовать программу LabVIEW для измерения характеристик IC – VCE BJT в прямом активном режиме. После этого вы определите коэффициент усиления по постоянному току между базой и коллектором (hFE), раннее напряжение (VA) и напряжение пробоя с общим эмиттером (BVCE0). Информация, необходимая для понимания этой лабораторной работы: 1. Теоретическая основа BJT (прочитайте Streetman 7.1, 7.2, 7.4, 7.5, 7.7.2, 7.7.3) Материалы, необходимые для этого эксперимента: 1. Стандартная испытательная станция 2. Один биполярный транзистор (деталь: 2N4400) 3. Резистор 1 кОм

Лабораторная работа VIII: Характеристики биполярного переходного транзистора — стр. 1

3. УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ Биполярные переходные транзисторы (BJT) представляют собой три оконечных устройства, которые составляют один из фундаментальных строительных блоков технологии кремниевых транзисторов. Три вывода — эмиттер (E), коллектор (C) и база (B) — показаны на рис. 1 для p-n-p-транзистора, n-p-n-транзистора и схемы транзистора в корпусе TO-92 92 с выводами, указанными для BJT 2N4400.2N4400 — усилительный NPN-транзистор общего назначения.

(c) Рисунок 1. (a) Обозначение транзистора NPN, (b) Обозначение транзистора PNP и (c) Конфигурация выводов 2N4400 BJT в корпусе TO-92.

BJT используются для усиления тока, используя небольшой базовый ток для управления большим током между коллектором и эмиттером. Это усиление настолько важно, что одним из наиболее известных параметров этих транзисторов является коэффициент усиления по постоянному току, β (или hFE), который представляет собой отношение тока коллектора к току базы: IC = β*IB.При разработке схемы усилителя с использованием биполярных транзисторов необходимо учитывать несколько важных, а иногда и противоречивых факторов при выборе точки смещения постоянного тока. К ним относятся усиление, линейность и диапазон динамического диапазона. Возможны несколько конфигураций смещения биполярного транзистора, три из которых показаны на рис. 2. Схема на рис. 2а называется конфигурацией с общей базой, которая обычно используется в качестве буфера тока. В этой конфигурации эмиттер биполярного транзистора служит входом, коллектор — выходом, а база является общей как для входа, так и для выхода.Схема на рис. 2b называется схемой с общим эмиттером, которая обычно используется в качестве усилителя. В этой схеме база биполярного транзистора служит входом, коллектор — выходом, а эмиттер — общим как для входа, так и для выхода. Схема на рис. 2c называется конфигурацией с общим коллектором, которая обычно используется в качестве буфера напряжения. В этой схеме база биполярного транзистора служит входом, эмиттер — выходом, а коллектор является общим как для входа, так и для выхода.

Лабораторная работа VIII: Характеристики биполярного транзистора с Ju-переходом — стр. 2

Рисунок 2.(a) Общая база, (b) Общий эмиттер и (c) Общий коллектор конфигурации BJT.

Характеристики постоянного тока BJT могут быть представлены различными способами. Наиболее полезной и содержащей больше всего информации является выходная характеристика IC по сравнению с VCB и IC по сравнению с VCE, показанная на рис. 3.

VCE

база и (б) конфигурация с общим эмиттером.

4. ПОДГОТОВКА 1. Изучите рисунок 7—12 в Streetman и своими словами опишите характеристики IC – VCE типичного биполярного транзистора.2. Обрисуйте 7.7.2 в Streetman и объясните, что такое Раннее напряжение. 3. Обрисуйте 7.7.3 в Streetman и объясните, что такое BVCE0.

Лабораторная работа VIII: Характеристики биполярного транзистора Ju Junction — стр. 3

5. ПРОЦЕДУРА 5.1 Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) Определите выводы BJT 2N4400, используя рисунок 1, и соберите схему, показанную на рисунке 4.

Рисунок 4. A схема получения характеристик IC-VCE.

Нижний Keithley используется для подачи VBE, а верхний Keithley используется для подачи VCE.Используйте программу LabVIEW, BJT_IV_Curve.vi, чтобы получить характеристические кривые IC-VCE, используя следующие настройки. Вы можете использовать режим настройки (см. верхнюю правую часть графического интерфейса vi), чтобы проверить правильность вашей настройки. Используйте следующую информацию для настройки Keithley: VCE = от 0 В до 4 В с шагом 0,1 В с соответствием 0,1 А. IB = от 10 мкА до 60 мкА с шагом 10 мкА при соответствии 25 В. После проверки настройки запустите vi, сравните ваши графики с графиками на рисунке 3 и, если это приемлемо, сохраните данные характеристик IC-VCE и изображение кривых для своего лабораторного отчета.Обязательно поймите, как генерируются кривые. Откройте свой набор данных и используйте рисунок ниже, чтобы понять форматирование для извлечения IB, IC и VCE. VCE

IB

IC

Лабораторная работа VIII: Характеристики транзистора с биполярным переходом — стр. 4

Затем импортируйте данные в электронную таблицу Excel и создайте таблицу 1 ниже (запишите IC в мА), используя измеренные данные, и рассчитайте hFE. Обратите внимание, что IC, вероятно, находится в диапазоне мА, а IB — в диапазоне мкА. Коэффициент усиления по постоянному току с общим эмиттером (коэффициент усиления по току между базой и коллектором, hFE) рассчитывается как hFE = IC/IB с VCE при постоянном напряжении.hFE также называется βF, коэффициент усиления по постоянному току в прямом направлении. Его часто записывают просто как β, и обычно он находится в диапазоне от 10 до 500 (чаще всего около 100). hFE зависит от температуры и тока. Таблица 1. Характеристики IC-VCE BJT 2N4400.

IB [мкА] VCE

10 IC

20 HFE

IC

30 HFE

IC

40 HFE

IC

50 HFE

IC

60 HFE

IC

HFE

1В 2В 3В 4В

5.2 Коэффициент усиления по току при слабом сигнале (hfe) Теперь, используя тот же набор данных, который вы получили для измерения усиления по постоянному току, оцените коэффициент усиления по току при слабом сигнале hfe и заполните приведенную ниже Таблицу 2. Коэффициент усиления по току слабого сигнала рассчитывается как hfe = ∆IC/∆IB с VCE при постоянном напряжении. Таблица 2. Коэффициент усиления по току слабого сигнала, hfe.

VCE

hfe (IB2, IB1) ​​

hfe (IB3, IB2)

hfe (IB4, IB3)

hfe (IB5, IB4)

hfe (IB2, IB05) 90 )

1В 2В 3В 4В ПРИМЕЧАНИЕ: (Нижний индекс 1 обозначает IB = 10 мкА, 2 обозначает IB = 20 мкА, 3 обозначает IB = 30 мкА и т. д.

Лабораторная работа VIII: Характеристики транзистора с биполярным переходом — стр. 5

5.3 Выходная проводимость (мочетка) Снова, используя тот же набор данных, оцените выходную проводимость мотыгой и заполните Таблицу 3 ниже. Выходная проводимость рассчитывается как hoe = ∆IC/∆VCE с IB при постоянном токе. Таблица 3. Выходная проводимость, мотыга. Нижние индексы обозначают значения VCE.

VCE3, VCE1 IB [мкА]

IC3

IC1

VCE4, VCE2 HOE

IC4

IC2

HOE

10 20 30 40 50 60

5.4 Раннее напряжение (ВА) Используйте ту же схему, что и на рис. 4, и ту же программу LabVIEW BJT_IV_Curves.vi. Опять же, нижний Keithley используется для подачи VBE, а верхний Keithley используется для подачи VCE. Настройте следующие параметры, чтобы получить характеристические кривые IC-VCE. VCE = от 0 В до 20 В с шагом 2 В с соответствием 0,1 А. IB = от 10 мкА до 60 мкА с шагом 10 мкА при соответствии 25 В. Сохраните данные характеристик IC-VCE И изображение кривой для лабораторного отчета. Импортируйте свои данные в электронную таблицу Excel и экстраполируйте (вы можете оценить, используя инструменты рисования или линии тренда) ваш набор данных, как показано ниже, чтобы оценить раннее напряжение.Раннее напряжение обычно находится в диапазоне от 15 В до 200 В.

Лабораторная работа VIII: Характеристики транзистора с биполярным переходом — стр. 6

Рис. 5. Характеристики IC-VCE BJT и раннее напряжение (ВА).

5.5 Напряжение пробоя с общим эмиттером (BVCE0) Снова используйте ту же схему, что и на рис. 4, и ту же программу LabVIEW BJT_ivcurve.vi. Опять же, нижний Keithley используется для подачи VBE, а верхний Keithley используется для подачи VCE. Настройте следующие параметры, чтобы получить характеристические кривые IC-VCE.VCE = от 0 В до 40 В с шагом 1 В с соответствием 0,1 А. IB = от 0 мкА до 60 мкА с шагом 10 мкА с соответствием 25 В. Сохраните изображение характеристических кривых IC-VCE для лабораторного отчета. Импортируйте свои данные в электронную таблицу Excel и оцените напряжение пробоя с общим эмиттером, как показано ниже. Если вы не видите аварийного поведения при рабочих условиях, указанных выше, измените VCE следующим образом и снова запустите программу LabVIEW. VCE = от 0 В до 45 В с шагом 1 В с соответствием 0,1 А. IB = от 0 мкА до 60 мкА с шагом 10 мкА с соответствием 25 В.

BVCE0 Рис. 6. Характеристики IC-VCE биполярного транзистора и напряжение пробоя с общим эмиттером (BVCE0).

Лабораторная работа VIII: Характеристики транзистора с биполярным переходом — страница 7

6. ЛАБОРАТОРНЫЙ ОТЧЕТ Напечатайте лабораторный отчет с титульным листом, содержащим вашу должность, имя, имя вашего партнера по лаборатории, класс, номер раздела, дату выполнения лаборатории и дату отчет должен быть. Используйте следующую схему для составления лабораторного отчета: •

РЕФЕРАТ: Кратко опишите содержание вашего отчета.

АНАЛИЗ:

Коэффициент усиления постоянного тока: o Создайте правильно отформатированную таблицу, состоящую из данных Таблицы 1. o Постройте кривые характеристик IC-VCE, полученные с помощью программы LabVIEW в EXCEL, с правильным заголовком, метками и т. д. o Обсудите тенденции усиления постоянного тока с различными значениями IB и VCE.

Усиление тока слабого сигнала: o Включите данные из Таблицы 2 со значениями, которые вы в нее записали. o Постройте кривые характеристик IC-VCE, полученные с помощью программы LabVIEW.o Обсудить тенденции усиления тока слабого сигнала при различных значениях IB и VCE.

Выходная проводимость: o Включите данные из Таблицы 3 со значениями, которые вы в нее записали. o Постройте кривые характеристик IC-VCE, полученные с помощью программы LabVIEW. o Обсудить тенденции выходной проводимости при различных значениях IB и VCE.

Раннее напряжение: o Постройте кривые характеристик IC-VCE с удлиненной отрицательной ветвью оси X, достаточной для четкого отображения раннего напряжения.ОТМЕТЬТЕ и ОЦЕНИТЕ раннее напряжение на графике. o Прочтите раздел 7.7.2 Streetman and Banerjee и объясните, почему у вас есть раннее напряжение. o Что раннее напряжение говорит вам о вашем BJT?

Напряжение пробоя с общим эмиттером: o Постройте кривые характеристик IC-VCE, аналогичные показанным на рисунке 6, используя ваши данные. o Определить и ПОМЕТИТЬ BVCE0. o Прочитайте раздел 7.7.3 Streetman and Banerjee и объясните, что происходит в BJT.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ: Кратко обобщите ваши выводы из приведенного выше анализа ваших экспериментальных данных в отношении теории BJT, которую вы изучали в разделе ПОДГОТОВКА и в лекции.Лабораторная работа VIII: Характеристики транзистора с биполярным переходом — стр. 8

V-I характеристики транзистора

Презентация на тему: » ВАХ транзистора» — Транскрипт:

1 ВАХ транзистора
За поведением транзистора наблюдают с помощью его ВАХ.Есть два типа характеристики. 1. Входная характеристика 2. Выходная характеристика Входная характеристика: Входная характеристика транзистора дает соотношение между входным током и входным напряжением при постоянном выходном напряжении. Выходная характеристика: Выходные характеристики транзистора определяют соотношение между выходным током и выходным напряжением при постоянном входном токе.

2 V-I характеристики в конфигурации cb

3 Входные характеристики
Входная характеристика представляет собой кривую, построенную между IE и VEB.При постоянном базовом напряжении VCB. Поддерживая постоянное значение VCB (например, 2 В), запишите IEB для разных значений VEB. Это даст входную характеристику.

4 V-I характеристики в конфигурации cb

5 Входные характеристики
Наблюдения: — (i) Ток эмиттера очень мал, когда базовое напряжение эмиттера VEB ниже напряжения колена.(ii) После напряжения колена ток эмиттера быстро увеличивается. Входное сопротивление (ri): — это отношение изменения напряжения эмиттера ∆VEB к результирующему изменению тока эмиттера ∆IE при постоянном напряжении базы коллектора VCB.

6 Выходные характеристики
Выходные характеристики: — Это кривая между IC и VCB при постоянном токе эмиттера. Удерживая фиксированным ток эмиттера IE, обратите внимание на ток коллектора IC для различных значений базового напряжения коллектора VCB.

7 Выходные характеристики
Выходные характеристики имеют 3 основных области: Активная область – определяется схемами смещения. Область отсечки – область, где ток коллектора равен 0 А. Область насыщения – область характеристики слева от VCB = 0 В.

8 Кривые (выходные характеристики) ясно показывают, что первое приближение к соотношению между IE и IC в активной области определяется выражением IC ≈IE Когда транзистор находится во включенном состоянии, предполагается, что напряжение база-эмиттер равно ВБЭ = 0.7В

9

10 НАБЛЮДЕНИЕ: 1. Ток коллектора Ic зависит от VCB только при очень низком напряжении (VCB<0). Транзистор никогда не работает в этой области. 2. Ток коллектора IC почти постоянен, когда напряжение превышает напряжение включения. Это означает, что теперь Ic не зависит от VCB и зависит от IE.ВЫХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ: отношение изменения напряжения коллектор-база (∆VCE) к изменению тока коллектора (∆IC) при постоянном токе эмиттера.

11 V-I характеристики конфигурации CE

12 V-I характеристики конфигурации CE

13 Входная характеристика представляет собой кривую, построенную между IB и VBE.
Входная характеристика представляет собой кривую, построенную между IB и VBE.При постоянном напряжении коллектор-эмиттер VCE. Сохранение постоянной VCE запишите IB для различных VBE. Это даст входную характеристику.

14 Входные характеристики
IB — это микроампер по сравнению с миллиамперами IC. ИБ будет течь при VBE > 0,7В для кремния и 0,3В для германия До этого значения ИБ очень мало и ИБ нет. Переход база-эмиттер имеет прямое смещение. Увеличение VCE уменьшит IB для разных значений.Входные характеристики NPN-транзистора с общим эмиттером

15 Наблюдение: — По сравнению с конфигурацией CB, IB увеличивается медленнее с увеличением VBE. Следовательно, входное сопротивление конфигурации CE выше, чем у конфигурации CB. Входное сопротивление: — это отношение изменения напряжения базового эмиттера (∆VBE) к изменению базового тока (∆IB) при постоянном VCE.

16 Выходные характеристики
Для малых VCE (VCE < VCESAT) IC линейно увеличивается с увеличением VCE VCE > VCESAT IC не полностью зависит от VCE  постоянная IC IB(uA) очень мала по сравнению с IC (мА).Небольшое увеличение IB вызывает большое увеличение IC IB=0 A  ICEO. Обратите внимание на значение, когда IC=0A. Есть еще некоторое значение текущих потоков.

17 Наблюдение: 1. Ток коллектора IC меняется в зависимости от VCE только от 0 до 1 В. После этого ток коллектора становится почти постоянным, не зависящим от VCE. 2. При любом значении VCE выше напряжения колена ток коллектора IC приблизительно равен βIB.. 3. Транзистор работает в области выше напряжения колена.Выходное сопротивление: — это отношение изменения напряжения коллектор-эмиттер (∆VCE) к изменению тока коллектора (IC) при постоянном IB.

18 Сравнение конфигураций транзисторов
S.NO ХАРАКТЕРИСТИКА ОБЩАЯ ОСНОВА ОБЩИЙ ЭМИТТЕР ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР 1 Входное сопротивление Низкое (около 100 Ом) Высокое (около 750 Ом) Очень высокое (около 750 Ом) 2 Выходное сопротивление Очень высокое (около 450 Ом) Высокое (около 45 кОм) (около 50 Ом) 3 Коэффициент усиления по напряжению (около 150) (около 500) Очень низкий (менее 1) 4 Ток утечки Очень малый (5 мкА для Ge) Очень большой (500 мкА для Ge) (500 мкА для Ge) 5 Применение Для высокочастотного применения Для аудиочастотного применения Для согласования импеданса

19 Вывод: — Наиболее эффективна схема с общим эмиттером: — 1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.