Блокинг генератор на полевом транзисторе схема: Блокинг генератор на полевом транзисторе схема

Содержание

Блокинг генератор на полевом транзисторе схема

В качестве основы для разработки данного блока зажигания использованы идеи и схемные решения аналогичных известных конструкций тиристорных блоков зажигания, автором которых является Г. Отличие разработанной мною схемы от предложенных вышеупомянутым автором — в применении блокинг-генератора на мощном полевом транзисторе, что, наряду с отсутствием в схеме электролитических конденсаторов, позволяет повысить энергетические характеристики, КПД и надежность конструкции. Цикличная работа блокинг-генератора происходит за счет насыщения трансформатора. Напряжение, задаваемое стабилитроном VD3, открывает транзистор VT2, на обмотках трансформатора появляется напряжение.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как сделать ПОВЫШАЮЩИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ от 1 Вольт своими руками

Похититель джоулей на основе MOSFET повышает напряжение


Для добавления необходима авторизация. Новые Статьи ЗШ в корпусе изготовленном на 3D принтере. Самый маленький Злой Шокер. Злой шокер в корпусе китайской трещалки. Электрическая резка феррита. Шокер из блока розжига ксенона. ЦЕГЛА 2. Электрошркер Цеглик. Измерительный прибор «Шараметр». Электрошокер за 5 минут. С Новым Годом! Прикрепления: Все права защищены. Мини-чат Для добавления необходима авторизация Новые Статьи.

ЗШ в корпусе изготовленном на 3D принтере. Блокинг генератор для чайников. Пятница, Давайте внесем пояснения и более подробно выясним детали этой схемы. Мне вот непонятно обозначение полевого транзистора на схеме и везде на этом форуме он примерно так нарисован, а почему? Это какой то особый полевой транзистор? И если ктоне полениться нарисуйте схему с нормальным обозначением транзистора. Иеще некоторые пункты 1 Витков бля блокинга во вторичке больше , да или нет 2 Витков в первичке как моно больше?

От скольки до скольки 3 резистор всегда Ом? И еще накидайте схемок с биополярными транзисторами различной проводимости и с обозначением всех стоков исток и затворов. Заранее сенкс. Добавлено Суббота, Ну вот примерно так. К стати в схеме стрелка не ту сторону нарисована Прикрепления: Вот схема мультивибратора на КТ, он помощнее будет Добавлено Транс от зажигалки заливать ничем не надо, от биполярных дуга маленькая, не пробьёт Прикрепления: Над созданием этой схемы работал достаточно долго.

Точнее в наличии уже имелись похожие схемы с отдельной обмоткой обратной связи, были несколько версий схемы для гашения обратного тока, регулировкой частоты и т. На сей день это самая простая схема ПН, проще не бывает уже.

Но не стоит забывать, что схема может быть использована в шокерах большой мощности, все зависит от питания, используемого транзистора и разумеется параметров трансформатора. Кстати, на этих схемах «всё разжевано», надо только не запутаться в проводах Если интересно, завтра могу выложить фото. Я не требую, я предлагаю, сам-то я уже разобрался. Оказалось, что в схеме немного напутал.

Вроде в биполярных наоборот Чтобы не было вопросов — картинка не моя Добавлено Оказвыается, я перепутал подсоединение пары контактов в мультике, в результате он работал меньше чем наполовину был правильно подключён только один транзистор, второй просто отсасывал энергию, мешая работать первому, и сильно грелся , теперь наладил схема на КТ — офигел!

Частота разрядов просто бешеная! Так что теперь я сделаю ЗШ! Инфу выложу, могу даже сделать «мини статью» на форуме, но тогда придётся подождать. Схема на биполярниках меня привлекла их надёжностью, дешевизной и т. Начёт того, что транзисторы совсем не греются Можно просто взять транс от китайской зажигалки и поменять первичку кстати, стержень «родной», низкой проводимости, но и с ним «канает» , ну или самодельный транс.

Причём не обязательно сильно заморачиваться с изоляцией. Фотки преобразователя выложу позже. Ден , Дак ты этот прео для злого шока сделал?? Воскресенье, Дуга стала ярче, поскольку КПД повысился. Ден , Да биополярные транзисторы надёжные, в добавок они не боятся статики!!! Именно поэтому я решил их использовать!


Блокинг-генератор

Каждый мужчина обеспокоен безопасностью любимых людей. Огнестрельное и пневматическое оружие не всегда доступны, да и не безопасны. Выручают только электрошоковые устройства, которые уже на протяжении нескольких десятилетий считаются самым безопасным и надежным средством для личной самообороны. Мы по традиции сегодня соберем маломощный и компактный электрошокер, который более подходит для дам. Мощность такого самодельного электрошокера не велика — 5 ватт, но по сравнению с магазинными электрошокерами на 3 ватта, наш экземпляр лидирует.

Блокинг — генераторы на биполярных транзисторах. С помощью импульсного Рисунок Схема блокинг – генератора на полевом транзисторе.

Блокинг-генератор

Сверхрегенератор, — тоже один транзистор и чуствительность до единиц мкВ. Фактически любой генератор и есть передатчик. Блокинг-генератор в том числе. Все они излучают в эфир радиоволны в зависимости от частоты его работы. Был бы чувствительный приёмник, чтобы уловил её излучение. В общем, работа очень хорошая. Блокинг-генератор на полевом транзисторе и передатчик на длинные волны.

Электрическая схема блокинг генератора

Присоединяйтесь к нам в Яндекс Дзен. Блокинг генератор на полевом транзисторе. Первичная обмотка трансформатора нагружена в стоковую цепь полевого транзистора, а вторичная обмотка, через диоды и ограничительный стабилитрон, включена на затвор, что обеспечивает положительную обратную связь. Стабилитрон там нужен для того, чтоб гасить выбросы напряжения выше 4,7 вольт, поступающие на затвор полевика, чтобы избежать пробой, так как напряжение пробоя полевых транзисторов находится в районе до 20 вольт.

Для добавления необходима авторизация. Новые Статьи ЗШ в корпусе изготовленном на 3D принтере.

Блокинг-генератор. Расчёт блокинг-генератора

Выходные импульсы схемы можно выпрямить и сгладить с помощью диода и конденсатора. Поскольку схема не имеет стабилизации, выходное напряжение будет зависеть от входного напряжения или тока нагрузки. Использование биполярного транзистора требует, чтобы для нормальной работы схемы напряжение питания было, как минимум, 0. Трансформатор или связанные катушки сделан на тороидальном ферритовом сердечнике. Проблема порогового напряжения здесь решается с помощью оптоизолятора TLPB.

Блокинг генератор: принцип работы

Устройства этого типа используются для создания сигналов с большой скважностью, повторяющихся редко. В них используется трансформатор, который включён в цепь обратной связи. Наличие гальванической развязки на выходе позволяет формировать высоковольтные импульсы. Величину тока ограничивает сопротивление цепи, а напряжение на конденсаторных клеммах не успевает стать максимальным. Принцип работы блокинг генератора проще понять с помощью временных диаграмм, которые иллюстрируют изменение электрических параметров в отдельных частях схемы. Эти рисунки необходимо изучать совместно со следующим чертежом, на котором изображена другая принципиальная схема блокинг генератора.

обмотка позволяет регулировать частоту блокинг-генератора в широ- ких пределах Включение полевого транзистора 2ПА по схеме, приведенной.

Посмотри на соответствующую схему рис. Ты увидишь, что здесь конденсатор С заряжается через транзистор. В отличйе от всех схем, которые ты до сих пор видел, наклонная и относительно длинная сторона зуба пилы создается здесь разрядом конденсатора; заряд же конденсатора, который, как ты увидишь, происходит почти мгновенно, вызывает быстрый возврат луча с конца строки или с конца полукадра.

Применяются в радиотехнике и в устройствах импульсной техники. В качестве активного элемента применяется транзистор или электронная лампа. Блокинг-генератор представляет собой релаксационную схему , содержащую усилительный элемент например, транзистор , работающий в ключевом режиме, и трансформатор, через который осуществляется положительная обратная связь. Достоинствами блокинг-генераторов являются сравнительная простота, возможность подключения нагрузки через трансформатор с гальванической развязкой , способность формировать мощные импульсы, близкие по форме к прямоугольным.

Присоединяйтесь к нам в Яндекс Дзен.

Блокинг-генератор представляет собой однокаскадный релаксационный генератор кратковременных импульсов с сильной индуктивной положительной обратной связью, создаваемой импульсным трансформатором[1]. Вырабатываемые блокинг-генератором импульсы имеют большую крутизну фронта и среза и по форме близки к прямоугольным. Длительность импульсов может быть в пределах от нескольких десятков нс до нескольких сотен мкс. Обычно блокинг-генератор работает в режиме большой скважности, т. Скважность может быть от нескольких сотен до десятков тысяч. Транзистор, на котором собран блокинг-генератор, открывается только на время генерирования импульса, а остальное время закрыт.

Монтажная схема блогинг генератора. Плата блокинг генератора. Навесной монтаж блокинг генератора. Транзистор может быть биполярным или полевым.


Блокинг-генератор на полевом транзисторе и передатчик на длинные волны.

Блокинг -генератор всего из двух деталей.Без конденсаторов будет работать,но лучше с ними.Питание-от 2.4В ,два аккумулятора по 1.2В.

Трансформатор наматывать на ферритовом стержне от контуров радиоприемников,диам.3мм.Обмотки 1-2-содержат по 15 витков провода 0.7мм,отвод от середины.Вначале собираете генератор с таким трансформатором и подключаете нагрузку-лампу накаливания 6.3В*0.3А.Лампа светит почти в полный накал,но транзистор будет нагреваться.Осциллограмму в этом режиме вы увидете на видео.Потом на трансформатор,поверх катушек 1-2 мотаете третью катушку в том-же направлении,что и первые две.Катушка содержит 20витков того-же провода.Теперь подключаете нагрузку как показано на схеме,и ба-бах!Лампа светит так ярко,что почти сейчас сгорит.Осциллограмма похожа на прямоугольник,и это показано на видео.Транзистор не греется,но остается немного теплым.С третьей катушкой можно намотать и больше витков,и посмотреть результат.

Транзистор с которым я работал-IRF3711S.Другие подходящие транзисторы-70n03s.fdb7030l.fdb6670al.85t03h.apm2506n и другие.На выход можно подкючить диод Шоттки и конденсатор,и получится преобразователь напряжения.



Если вместо лампы накаливания,к катушке 3 через конденсатор подключить антенну,а минус заземлить,то получится передатчик на длинные волны.Частота-около 100кГц.Поймать на бытовой приемник можно лишь гармонику передатчика,и я поймал сигнал за 250метров от дома.Основной сигнал будет намного дальнобойней.Антенна-нуль сети 220В.Заземление-батарея отопления.Модуляция по цепи + питания.Трансформатор-такой,где есть одна обмотка содержащая малое количество витков,а другая,намного большее кол-во.Где мало витков,подключаете в разрыв питания,на много витков-источник сигнала.

Трансформатор из мониторов и телевизоров подойдет.

Видео работы блокинг-генератора.


Блокинг генератор на полевом транзисторе

Схема блокинг-генератора

  Принципиальная схема блокинг генератора на полевом транзисторе выполнена по классической схеме включения, в смысле автогенератор с положительной обратной связью на трансформаторе. Первичная обмотка трансформатора нагружена в стоковую цепь полевого транзистора, а вторичная обмотка, через диоды и ограничительный стабилитрон, включена на затвор, что обеспечивает положительную обратную связь.
   Стабилитрон там нужен для того, чтоб гасить выбросы напряжения выше 4,7 вольт, поступающие на затвор полевика, чтобы избежать пробой, так как напряжение пробоя полевых транзисторов находится в районе до 20 вольт. Транзистор VT1 выполняет роль отрицательной обратной связи по напряжению, что даёт стабилизацию выходного напряжения. При повышении выходного напряжения, транзистор VT1 шунтирует напряжение на затвор-исток, тем самым уменьшая положительную обратную связь, тем самым регулируя и стабилизируя выходное напряжение. Вместо указанного полевого транзистора можно взять практически любой мощный зарубежный аналог, типа IRF3205 и ему подобные, а вместо биполярного транзистора любой отечественный аналог, который есть под рукой. Трансформатор готовый, мотать ничего не нужно, типа POL-15073. При необходимости можно намотать трансформатор под свои нужды, данная схема может использоваться с небольшой доработкой в автомобильных системах зажигания.
   На схеме отсутствует проводник от верхнего конца третей обмотки ведущий на минус питания, эта обмотка используется для питания нагрузки и для цепи обратной связи блокинг генератора.
   Питание преобразователя находится в широком диапазоне, от 6 до 14 вольт, он сам стабилизирует выходное напряжение, питать им можно как электрошокеры, так и счётчики Гейгера, деталей мало, печатную плату можно не делать, навесной монтаж тоже сойдёт.

Электрошокер на 5 Ватт

Как можно защитить себя или близких вам людей. Огнестрельное и травматическое оружие не всегда доступны. Поэтому выручают только электрошоковые устройства, которые на протяжении уже нескольких десятилетий зарекомендовали себя как безопасные и надежные устройства для самообороны. В этой статье рассматривается как собрать простой, но надежный электрошокер на 5 Ватт.

Конечно мощность данного электрошокера невелика, но уже выходит за рамки разрешенных (3 Ватта).

Корпус для электрошокера можно сделать из фонарика, расположив в нем всю схему.

Генератор шокера построен на одном мощном полевом транзисторе, эта схема называется блокинг-генератор.

Для питания были использованы 4 никель — кадмиевых аккумулятора напряжением по 1.2 Вольта каждый, что и смогло дать в сумме 4.8 Вольт.

Трансформатор мотался на Ш-образном сердечнике из старого блока питания для галогенных ламп. С него были сняты все обмотки и намотаны новые.

Первичная обмотка состоит из 2х4 витков провода диаметром 0,6-0,8мм, поверх нее добавляем  изоляцию из 6 слоев тонкого, прозрачного скотча и затем мотаем повышающую обмотку.
Вторичная (повышающая) обмотка состоит из 650 витков провода диаметром 0,1-0,2мм, мотается слоями, каждый слой состоит из 70 витков.
Каждый ряд вторичной обмотки изолируется 4-я слоями скотча. Готовый трансформатор не нуждается в заливке эпоксидной смолой.

Высоковольтная катушка — это основная часть нашей схемы. Катушку мотают на ферритовом стержне (любой марки) с диаметром 6-8мм. Для начала стержень нужно тщательно изолировать скотчем, изолентой или другими изоляционными материалами.

Первичная обмотка катушки мотают проводом 0,7-0,8мм и она состоит из 14 витков,после ее нужно изолировать  10-ю слоями скотча и мотать вторичную. 
Вторичная содержит 500 витков провода 0,1-0,2мм и тоже мотается слоями  — 70 витков на слой. Слои изолируются тем же скотчем.  Готовый трансформатор помещают в шприц (удобного диаметра) и заливают эпоксидной смолой. Можно обойтись и без заливки, но для надежности желательно залить.

Высоковольтные конденсаторы емкостью 0,1-0,22мкФ. Следует обратить внимание на напряжение конденсатора, подойдут только те, у которых рабочее напряжение 1000 Вольт и выше. Я ставил два конденсатора последовательно (каждый по 630Вольт 0,22мкФ).

Искровой разрядник FV1 — через него емкость конденсатора разряжается на первичную обмотку высоковольтной катушки. Разрядник я сделал из двух кусков провода 0,8мм расположенных друг над другом, расстояние между ними 1мм (возможно, придется поиграть с зазором). Можно также использовать промышленные разрядники с напряжением пробоя 700-900 Вольт.

Выключатель имеет три положения — среднее — и фонарь и электрошокер выключены, верхнее — шокер включен, нижнее — фонарь включен.

Фонарик — изготовлен из параллельно соединенных 4-х белых сверхярких светодиодов (снял с этого же китайского светодиодного фонарика). Полевой транзистор можно заменить на IRFZ40, IRFZ46, IRFZ48, IRF3205, IRL3705 или другой аналогичный.

Выпрямительный диод — КЦ106 с любой буквой или три последовательно соединенных диода с обратным напряжением не менее 1000 Вольт (для каждого диода), диоды обязательно брать импульсные или быстрые диоды (из импульсных подойдут FR107/207, из быстрых отлично подходит UF4007).

Автор конструкции: АКА КАСЬЯН

 

 

 

Блокинг-генератор и его схема :: SYL.ru

Блокинг-генераторы — это устройства, которые способны получать сигналы. По форме они могут быть синусоидальными либо прямоугольными. Дополнительно некоторые устройства получают гармонические сигналы. По частотности блокинг-генераторы довольно сильно различаются. Также важно упомянуть о том, что параметр проводимости сигнала зависит от типа выпрямителя. Чтобы более детально ознакомиться с устройством, необходимо рассмотреть разные его конфигурации.

Устройство на полевом транзисторе РР20

Блокинг-генератор на полевом транзисторе на сегодняшний день считается довольно востребованным. Используются такие модели чаще всего в радиоприемниках. Однако для измерительных приборов они также подходят. В данном случае параметр пороговой частоты в среднем находится в районе 80 Гц. Конденсаторы в таких моделях часто устанавливаются проходного типа. Однако асинхронные модификации на рынке также встречаются.

Работают указанные блокинг-генераторы исключительно с сигналами синусоидального типа. В данном случае выпрямители устанавливаются самые разнообразные. Изменение фазовой частоты в таких устройствах осуществляется за счет изменения напряжения в преобразователях. Проводимость сигнала прибора зависит от мощности выпрямителя. Чтобы сделать блокинг-генератор своими руками, блок питания, как правило, устанавливается на 20 В. Взять его можно даже с персонального компьютера.

Синусоидальная модификация

Синусоидальный блокинг-генератор на сегодняшний день пользуется большим спросом. Для измерительных приборов он походит идеально. В частности, модели применяют для осциллографов. Непосредственно параметр проводимости сигнала зависит от типа выпрямителя.

Если рассматривать блокинг-генератор на одном транзисторе в 100 Гц, то в нем резисторы, как правило, устанавливаются полевого типа. Однако есть модификации с переменными аналогами. Конденсаторы в данном случае можно встретить с большой проводимостью. При этом напряжение они обычно выдерживают в районе 20 В.

Модель гармонических колебаний

Схема модели данного типа предполагает использование низкочастотных выпрямителей. При этом резисторы в основном подбираются полевого типа. Если взять блокинг-генератор на одном транзисторе в 100 Гц, то у него используются, как правило, проходные конденсаторы. В этом случае напряжение они способны выдерживать на уровне 20В. Преобразователи в таких устройствах применяются с тетродами.

Также следует отметить, что существуют модели с регуляторами. Для этой цели применяются различного типа модуляторы. Так, для модели на 20 Гц они подходят многоканального типа. Амплитуда колебаний в такой ситуации будет зависеть от пропускной способности прибора. В среднем вышеуказанный параметр колеблется в районе 4 мк. Самозапитка блокинг-генератора осуществляется при напряжении в 30 В.

Устройство прямоугольных импульсов

Схема модели данного типа подразумевает использование широкополосных выпрямителей. В наше время такие устройства часто встречаются в радиоприемниках. Если рассматривать модификации на 100 Гц, то резисторы в них чаще всего производители устанавливают нормированные. При этом полевые аналоги можно встретить в приборах довольно редко. Параметр проводимости в таком случае лежит в районе 4 мк. Если рассматривать модификации на 120 Гц, то они в основном идут на проходных конденсаторах.

При этом модуляторы используются только операционного типа. В данном случае регуляторы устанавливаются с дисплеями. С их помощью можно следить за частотой колебаний. Также данные устройства изготавливаются с частотой в 140 Гц. В данном случае конденсаторы имеются открытого типа. Проводимость сигнала у них в среднем около 4 мк. В свою очередь, напряжение компоненты выдерживают примерно в 20В.

Схема линейной модификации

Линейный блокинг-генератор в наше время используется в медицинском оборудовании. Отличие таких моделей заключается в том, что выпрямители у них устанавливаются высокой чувствительности. За счет этого частотность сигнала показывается очень точно. Дополнительно следует учитывать, что указанные модели обладают хорошей проводимостью. Для модификаций на 100 Гц конденсаторы используются закрытого типа.

При этом блоки питания чаще всего устанавливаются на 30 В. Параметр проводимости сигнала в данных блокинг-генераторах чаще всего колеблется в районе 3 мк. Однако модели на 120 Гц на рынке также представлены. В данном случае конденсаторы используются проходного типа, и напряжение они могут выдерживать 25 В. Показатель проводимости сигнала в такой ситуации зависит от типа выпрямителя.

Устройство на 100 Гц

На 100 Гц блокинг-генератор (схема показана ниже) в наше время используется часто в радиоприемниках. При этом для медицинского оборудования он не годится. Также следует учитывать, что выпрямители у моделей, как правило, устанавливаются операционного типа. Однако проводниковые аналоги также встречаются. Модуляторы для таких устройств подходят самые разнообразные.

Наиболее распространенными принято считать многоканальные модификации. Для поворотных регуляторов они подходят отлично. Непосредственно определение тактовой частоты происходит за счет изменения напряжения. Для этого блоки питания в устройства подбираются на 20 В. Также следует отметить, что на рынке представлены приборы со вспомогательными адаптерами. Для синусоидальных сигналов они подходят хорошо. При этом амплитуда колебаний их определяется за счет преобразователя.

Модель на 120 Гц

Блокинг-генератор данного типа широко распространен в измерительных приборах. Для создания осциллографов он используются довольно часто. Как правило, выпрямители в устройствах применяются с высокой чувствительностью. В данном случае параметр проводимости довольно значительный. Однако следует учитывать, что конденсаторы по характеристикам могут сильно различаться. При этом резисторы используются как открытого, так и полевого типа. Преобразователи устанавливаются с низкой пропускной способностью. Для гармонических сигналов указанные приборы подходят идеально.

Схема модели на 140 Гц

Данного типа блокинг-генератор (схема показана ниже) используется часто в бытовой технике. При этом для измерительных приборов он не подходит. Из недостатков устройства можно отметить малую чувствительность. Таким образом, информация часто получается неточной. Вспомогательные адаптеры в устройствах используются с различной пропускной способностью. Блоки питания в данном случае устанавливаются на 20 и 30В. Здесь преобразователи подходят только синхронного типа.

При этом инвертирующие модификации в наше время встречаются довольно редко. В среднем параметр проводимости блокинг-генераторов колеблется в районе 3 мк. Однако следует учитывать, что конденсаторы в системе используются различные. В зависимости от их типа показатель чувствительности может меняться.

Устройства серии LC

Блокинг-генератор данной серии используется в коротковолновых радиоприемниках. В данном случае чувствительность устройства незначительная. Происходит это из-за слабой пропускной способности выпрямителя операционного типа. Конденсаторы в этой модели проходные. При этом часто можно встретить полевые резисторы с высокой пропускной способностью. В некоторых модификациях дополнительно установлены усилители. При этом тетроды для фиксации синусоидальных сигналов встречаются довольно редко.

Вычитание вида 16. Сложение

Блокинг-генератор представляет собой однокаскадный генератор релаксационных колебаний с сильной положительной обратной связью, осуществляемой с помощью импульсного трансформатора. Блокинг-генератор генерирует прямоугольные импульсы с малыми длительностями фронта и среза и практически плоской вершиной. Длительность генерируемых импульсов лежит в пределах от десятков наносекунд до сотен микросекунд. Характерной особенностью блокинг-генераторов является возможность получения большой скважности импульсов – от нескольких единиц до нескольких сотен.

Схема блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме, приведена на рис. 1,а.

Рисунок 1

В цепь коллектора транзистора включена первичная обмотка W к импульсного трансформатора, вторичная обмотка которого используется для создания положительной обратной связи: при увеличении коллекторного тока I к напряжение на базовом конце обмотки W б отрицательно, что приводит к отпиранию транзистора.

Рассмотрим работу схемы с закрытого состояния транзистора VT1, которое поддерживается разрядным током конденсатора С1, протекающим от го правой обкладки через резистор R1, -Ек, общую точку, базовую обмотку импульсного трансформатора к левой обкладке конденсатора. Наводимая в базовой обмотке импульсного трансформатора ЭДС при протекании медленно меняющегося тока настолько мала, что ею можно пренебречь по сравнению с напряжением на конденсаторе и считать, что в течение разряда конденсатор подключен между базой и эмиттером (плюс к базе). Это обеспечивает закрытое состояние транзистора (интервал 0 – t 1 на рис. 1,б). В тот момент, когда понижающееся вследствие разряда конденсатора С1 напряжение на базе достигнет нуля (момент t 1), транзистор VT1 откроется. Появившийся базовый ток вызовет возрастание коллекторного тока, что приводит к наведению в базовой обмотке импульсного трансформатора ЭДС, приложенного знаком минус к базе, если базовая и коллекторная обмотки сфазированы соответствующим образом.

Наведенная в базовой обмотке ЭДС способствует возрастанию тока базы, а, следовательно, и тока коллектора. В результате процесс нарастания токов базы и коллектора и снижения (по абсолютной величине) коллекторного напряжения протекает лавинообразно (интервал t 1 – t 2). Этот процесс прекращается в тот момент, когда ток коллектора достигает насыщения (момент t 2). Начиная с этого момента, наступает этап формирования вершины импульса (интервал t 2 – t 3). Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора остается практически постоянным (близким к нулю), а почти все напряжение источника питания прикладывается к коллекторной обмотке, вызывая увеличение тока намагничивания . В базовой обмотке индуцируется ЭДС, равная n Б *Е к (где n Б = W б /W к – коэффициент трансформации импульсного трансформатора), под воздействием которой конденсатор С1 к моменту t 3 заряжается до значения через входное сопротивление насыщенного транзистора. По мере заряда конденсатора ток базы транзистора уменьшается. Это приводит к уменьшению степени насыщения транзистора, и в момент t 3 транзистор выходит из состояния насыщения. Формирование плоской вершины импульса заканчивается.

Далее транзистор вновь переходит в активный режим, при котором уменьшение тока базы приводит к уменьшению тока коллектора (интервал t 3 – t 4), при этом формируется срез импульса. В момент t 4 транзистор закрывается (режим отсечки тока).

После окончания переходного процесса транзистор остается запертым положительным напряжением на базе . В дальнейшем (на интервале t 4 – t 5) происходит рассмотренный ранее разряд конденсатора и лавинным процесс повторяется. Выходное импульсное напряжение снимается с нагрузочной обмотки W н и поступает на сопротивление нагрузки R н. Регулировка длительности генерируемых импульсов может осуществляться с помощью добавочного переменного резистора R доб в цепи заряда конденсатора.

Блокинг – генератор представляет собой генератор кратковременных импульсов повторяющихся через довольно большие промежутки времени.

Одним из достоинств блокинг — генераторов являются сравнительная простота, возможность подключения нагрузки через трансформатор, высокий КПД, подключения достаточно мощной нагрузки.

Блокинг-генераторы очень часто используются в радиолюбительских схемах. Но мы будем запускать от этого генератора светодиод.

Очень часто в походе, на рыбалке или охоте нужен фонарик. Но не всегда под рукой есть аккумулятор или батарейки 3В. Данная схема может запустить светодиод на полную мощность от почти разряженной батарейки.

Немного о схеме. Детали: транзистор можно использовать любой (n-p-n или p-n-p) в моей схеме КТ315Г.

Резистор нужно подбирать, но об этом потом.

Кольцо ферритовое не очень большое.

И диод высокочастотный с низким падением напряжения.

Итак, убирался я в ящике в столе и нашел старый фонарик с лампочкой накаливания, конечно же, сгоревшей, а недавно видел схему этого генератора.

И решил я спаять схему и засунуть в фонарик.

Ну-с приступим:

Для начала соберем по этой схеме.

Берем ферритовое кольцо (я вытащил из балласта люминесцентной лампы) И мотаем 10 витков проводом 0,5-0,3мм (можно и тоньше, но не удобно будет). Намотали, делаем петельку, ну или отвод, и мотаем еще 10 витков.

Теперь берем транзистор КТ315, светодиод и наш трансформатор. Собираем по схеме (см. выше). Я поставил еще конденсатор параллельно с диодом, так ярче светилось.

Вот и собрали. Если светодиод не горит, поменяете полярность батарейки. Все равно не горит, проверьте правильность подключения светодиода и транзистора. Если все правильно и все равно не горит, значит не правильно намотан трансформатор. Если честно у меня тоже схема завелась далеко не с первого раза.

Теперь дополняем схему остальными деталями.

Поставив диод VD1 и конденсатор С1 светодиод засветится ярче.

Последний этап — подборка резистора. Вместо постоянного резистора ставим переменный на 1,5кОма. И начинаем крутить. Нужно найти то место где светодиод светит ярче, при этом надо найти место где если увеличить сопротивление хоть чуть-чуть светодиод гаснет. В моем случае это 471Ом.

Ну ладно, теперь ближе к делу))

Разбираем фонарик

Вырезаем из одностороннего тонкого стеклотекстолита кружок под размер трубки фонарика.

Теперь идем и ищем детали нужных номиналов размером несколько миллиметров. Транзистор КТ315

Теперь размечаем плату и разрезаем фольгу канцелярским ножом.

Лудим плату

Исправляем косяки, если таковы имеются.

Теперь чтобы паять плату нам нужно специальное жало, если нет — не беда. Берем проволоку 1-1,5мм толщиной. Тщательно зачищаем.

Теперь наматываем на имеющийся паяльник. Конец проволоки можно заострить и залудить.

Ну-с приступим припаивать детали.

Можно воспользоваться лупой.

Ну, вроде все припаяли, кроме конденсатора, светодиода и трансформатора.

Теперь тест-запуск. Все эти детали (не припаивая) прицепляем на «сопли»

Ура!! Получилось. Теперь можно не опасаясь все детали припаивать нормально

Мне вдруг стало интересно, какое же напряжение на выходе, я измерил

Блокинг-генератор применяется в электротехнике и электронике для возникновения внушительных, но коротких во времени сигналов-импульсов с резким фронтом и существенным отношением периода повторения импульсов к их длительности (скважность). В настоящем применяются в экранах электронно-лучевых приборов (кинескоп, осциллограф).

Принцип работы

По своей сути, блокинг генератор является усилителем (генератором), собранным на базе транзисторов, расположенных в один каскад. Область применения узка: источник внушительных, но скоротечных по времени (продолжительность от тысячных долей до нескольких десятков мкс) сигналов-импульсов с большой индуктивной плюсовой обратной связью. Скважность – больше 10 и может доходить до нескольких десятков тысяч в относительных величинах. Наблюдается серьезная резкость фронтов, по своей форме практически не отличающихся от геометрически правильных прямоугольников.

Усилитель, используемый для изготовления блокинг-генератора, находится в открытом положении исключительно в период формирования сигнала-импульса. На всё остальное время – закрывается. Отсюда следует, что при большой величине отношения периода повторения импульсов к их длительности усилительный элемент находится в открытом положении существенно меньшее количество времени, чем в закрытом. У усилителя существует тепловой режим. В данном случае он напрямую связан со средней мощностью, отдающейся коллектором. За счёт высокой величины скважности при работе устройства получают существенную мощность в течение сигнала малой мощности.

Существенная величина скважности блокинг-генератора позволяет ему работать в экономичном режиме, т.к. энергия требуется усилителю только во время открытого положения (время формирования сигнала). Основные режимы работы: автоколебательный и ждущий. Рассмотрим их подробнее.

Чаще всего блокинг-генератор собирается на усилительных элементах – транзисторах, включаемых по двум основным схемам:

  • с общим эмиттером;
  • с общей базой.

Первая встречается чаще, т.к., имея меньшую длительность фронта, есть возможность сгенерировать предпочтительную форму сигналов. Вторая схема менее подвержена колебаниям характеристик усилителей.

Рабочий процесс рассматриваемого устройства делится на 2 стадии:

  • закрытое положение транзистора, занимает основное время периода колебаний;
  • транзистор в открытом положении, сигнал-импульс проходит стадию формирования.

У конденсатора С1 происходит заряд током источника в течение образования импульса. За счёт этого С1 обеспечивает закрытое положение усилительного элемента. Во время данной стадии у конденсатора С1 происходит неспешная разрядка через существенное сопротивление резистора R1. При этом на базе диода VT1 создается около нулевой потенциал, что не позволяет ему открыться.

При достижении порога напряжения открытия у усилительного элемента происходит процесс открывания, и сквозь обмотку I, называющуюся коллекторной, трансформатора Т потечёт ток. В этот момент в основной или базовой обмотке II происходит индукция потенциала. Полярность должна быть такова, чтобы образующееся на базе транзистора напряжение имело положительную полярность. В случае ошибочного подключения обмоток трансформатора устройство генерировать сигналы не будет. В этом случае требуется переподключить концы одной из обмоток. Блокинг-генератор заработает.

Важно! Обвальное развитие процесса открытия транзистора имеет название прямого блокинг-процесса.

В I обмотке трансформатора появляется положительное напряжение, что ведёт к возрастанию различных токов и, следовательно, продолжению снижения напряжения коллектора и базы усилителя. Совершается резкое нарастание коллекторного тока и напряжения на усилительном элементе. В следующий момент напряжение падает почти до нуля, и устройство переходит в режим насыщения.

Важно! Обвальное развитие процесса закрытия транзистора имеет название обратного блокинг-процесса.

Открытие усилителя происходит практически мгновенно, поэтому в течение всего этого времени потенциал конденсатора С1 и величина энергии в трансформаторе практически не претерпевают изменений. Фронт импульса сформирован. Происходит образование вершины импульса, конденсатор С1 начинает заряжаться.

Выход усилительного элемента из режима насыщения означает, что ток у коллектора опять начинает зависеть от количества накопленного в базе транзистора заряда, а базовый ток уменьшается. Усилительные свойства транзистора начинают восстановление. В этот момент в первичной обмотке трансформатора формируется отрицательное относительно транзистора напряжение. Данный процесс ведёт к продолжению уменьшения коллекторного тока. Происходит формирование среза импульса.

Ти » (3 – 5) R1С1 – таким выражением характеризуется автоколебательный режим.

Ждущий режим

При ждущем режиме работы рассматриваемого устройства генерация сигналов происходит только с помощью внешнего воздействия – на вход необходимо подать произвольные запускающие импульсы.

В начальном состоянии усилительный элемент закрывается отрицательным смещением на базе, и лавинообразное развитие процесса открытия транзистора начнется исключительно только после подачи противоположного по знаку импульса соответствующей амплитуды на базу.

Появление импульса происходит по полной аналогии автоколебательного режима, рассмотренного выше. Конденсатор С1 разряжается до изначального напряжения базы. Далее транзистор остается в закрытом состоянии до появления последующего запускающего импульса. Длительность сигналов, а также их форма, исходящих от рассматриваемого устройства, находятся в полной зависимости от параметров собранной схемы.

Чтобы цепь запуска не оказывала никакого воздействия на работу находящего в ждущем режиме блокинг-генератора, в представленной схеме присутствует специальный разделительный диод VD2. Его задачей является закрытие сразу за окончанием процесса открывания транзистора. Это действие обрывает связь между внешним источником и интересующим нас устройством. Допускается добавлять в расчёт представленной схемы эмиттерный повторитель.

Таким образом, подытоживаем принцип работы блокинг генератора на полевом транзисторе: если при исчезновении напряжения на базе транзистора условия, требуемые для повторения цикла без внешнего воздействия, не исполняются, то этот режим работы называется ждущим. Если же при исчезновении напряжения там же начинается новый цикл по образованию нового импульса без привлечения внешнего источника, то режим работы схемы автоколебательный.

Видео

В статье Вам будут предложены , но, для начала, немного теории.
Есть один распространенный тип генераторов, в котором всеми событиями управляет заряд — разряд конденсатора. Это блокинг-генератор , его упрощенная схема показана на рисунке. Знакомство с работой блокинг-генератора начнем с того момента, когда включено питающее напряжение и в коллекторной цепи появился ток. Нарастающий коллекторный ток сразу через трансформатор наведет напряжение в базовой цепи. Причем напряжение такой полярности (это зависит от того, как включена обмотка II), которая способствует еще большему открыванию транзистора. Транзистор открывается лавинообразно до полного насыщения (напряжение на нагрузке максимально, на самом коллекторе около нуля), а ток положительной обратной связи заряжает конденсатор Сд и при этом поддерживает транзистор в открытом состоянии. Но после того, как этот конденсатор полностью зарядится до напряжения на обмотке U ц, ток через него прекратится и транзистор скачком закроется постоянным напряжением на конденсаторе, которое имеет положительную полярность относительно базы. Теперь напряжение Uс на конденсаторе Сg начинает постепенно уменьшаться, он разряжается через резистор Re. И вот наступает такой момент, когда конденсатор уже не может противодействовать «минусу», поступающему на базу через Rq: транзистор мгновенно открывается, в коллекторной цепи появляется ток и все начинается сначала — опять рывок коллекторного тока, опять заряд конденсатора, опять он закрывает транзистор, постепенный разряд конденсатора и в какой-то момент снова открывание транзистора и очередной рывок коллекторного тока…

Так в блокинг-генераторе транзистор, разумеется с помощью трансформатора и разрядной RС-цепочки, периодически сам себя открывает и закрывает, генерирует меняющееся напряжение. Частота этого напряжения зависит от того, сколько времени проходит от одного отпирания транзистора до следующего, а значит, главным образом зависит от постоянной времени разрядной цепи, от сопротивления Rq и емкости С б. Чем они больше, тем медленнее идет процесс разряда, тем ниже частота.

5. Блокинг-генератор . Частоту его сигнала можно менять, изменяя Rl или С1. На основе этого генератора можно сделать простейший электромузыкальный инструмент или индикатор сопротивления. Так, например, если с помощью двух электродов включить вместо R1 некоторый объем воды, то звуковой тон будет меняться в зависимости от уровня воды или, например, ее солености. В качестве Tp 1 можно взять БТК (блокинг-трансформатор кадровый) от любого телевизора. Выходное сопротивление такого генератора велико, его нужно подключать к каскаду с большим входным сопротивлением.

Электрическая схема блокинг генератора на одном транзисторе с описанием принципа работы для сборки своими руками. Транзистор может быть биполярным или полевым. Изобрели блокинг в ту пору, когда еще не было микросхем, но схема вызывает интерес до сих пор.

Блокинг генератор — автогенератор с сильной трансформаторной положительной обратной связью, предназначенный для генерирования кратковременных импульсов с большим отношением периода к длительности импульса, т.е. с большой скважностью импульсов. Частота блокинг генератора может составлять от нескольких Герц до сотен КГц.

Схема блокинг-генератора и временные диаграммы работы показана на вкладке (кликабельно). Обмотка связи подключена к переходу эмиттер-база транзистора VT последовательно через конденсатор С. При включении питания схемы небольшое нарастание коллекторного тока через обмотку связи вызывает появление и рост базового тока. Этот процесс лавинообразный и приводит к переходу транзистора в состояние насыщения.

Этим же током конденсатор заряжается, тем самым уменьшая напряжение база-эмиттер. При достижении равенства напряжения зарядки конденсатора напряжению на обмотке связи ток базы и соответственно ток коллектора резко спадают до нуля. В выходной обмотке формируется почти прямоугольный импульс напряжения.

Поскольку, с этого момента напряжение обратной связи почти нулевое, напряжение отрицательной полярности конденсатора С прикладывается к переходу база-эмиттер и переводит транзистор в состояние отсечки. Далее начинается процесс разряда конденсатора С экспоненциально через R от источника питания. При достижении напряжения открывания, начинается лавинообразный рост тока транзистора и формирование нового импульса, процесс становиться периодическим.

Транзистор может быть любым с достаточно высоким коэффициентом усиления. Трансформатор обычно наматывается на ферритовом кольце. Коллекторная обмотка содержит 30-50 витков провода. Обмотка связи 3-5 витков. Чем меньше размеры кольца и ниже планируемая частота генерации, тем больше требуется витков. Если используется полевой транзистор, обмотка связи содержит столько же витков сколько и возбуждающая обмотка, поскольку для управления ключевыми полевым транзистором требуется напряжение от 4 до 20 Вольт.

Транзистор генератора необходимо защитить от выбросов ОЭДС. Если транзистор полевой, достаточно поставить диод между затвором и плюсом источника питания. В таком варианте импульс на стоке будет срезаться на уровне напряжения ИП плюс падение на диоде (0,5 — 1 В). От перенапряжения на стоке полевые транзисторы обычно защищены встроенными диодами.

В простейшем случае можно обойтись без конденсатора. В таком варианте переключение блокинг генератора происходит при насыщении кольца. Упрощенная схема может быть использована при низковольтном питании и малых размерах кольца. КПД схемы достаточно низкий.

Частота блокинг генератора сильно зависит от питающего напряжения. В этой связи лучше использовать генераторы импульсов на микросхемах, тем более что не потребуется мотать обмотку связи. Блокинг имеет смысл использовать в случае когда напряжение источника питания не превышает нескольких вольт, например при питании от 1-3 батареек. Если использовать германиевый транзистор, возможна работы схемы при разрядке батареек до 0,5 В.

Автогенератор на двух транзисторах

Теги статьи: Добавить тег

Автор:
Опубликовано 01.01.1970

Итак, самый главный блок любого передатчика – это генератор. От того, насколько стабильно и точно работает генератор, зависит, сможет ли кто-то поймать переданный сигнал и нормально его принимать.

В нашем ненаглядном Интернете валяется просто уйма различных схем жучков, в которых используются различные генераторы. Сейчас мы немного классифицируем эту уйму.

Номиналы деталей всех приведенных схем рассчитаны с учетом того, что рабочая частота схемы составляет 60…110 МГц (то есть, перекрывает наш любимый УКВ-диапазон).

«Классика жанра».

Транзистор включен по схеме с общей базой. Резисторный делитель напряжения R1- R2 создает на базе смещение рабочей точки. Конденсатор C3 шунтирует R2 по высокой частоте.

R3 включен в эмиттерную цепь для ограничения тока протекающего через транзистор.

Конденсатор C1 и катушка L1 образуют частотозадающий колебательный контур.

Кондер C2 обеспечивает положительную обратную связь (ПОС), необходимую для генерации.

Механизм генерации

Упрощенно схему можно представить так:

Вместо транзистора мы ставим некий «элемент с отрицательным сопротивлением». По сути – усилительный элемент. То есть, ток на его выходе больше, чем ток на входе (так вот хитро).

К входу этого элемента подключен колебательный контур. С выхода элемента на этот же колебательный контур подана обратная связь (через кондер C2). Таким образом, когда на входе элемента ток увеличивается (происходит перезарядка контурного конденсатора), увеличивается ток и на выходе. Через обратную связь, он подается обратно на колебательный контур – происходит «подпитка». В результате, в контуре устаканиваются незатухающие колебания.

Все оказалось проще пареной репы (как всегда).

В безбрежном инете можно еще встретить такую реализацию этого же генератора:

Схема называется «емкостная трехточка». Принцип работы – тот же.

Во всех этих схемах сгенерированный сигнал можно снимать либо непосредственно с коллектора VT 1, либо использовать для этого катушку связи, связанную с контурной катушкой.

Эту схему выбираю я, и советую вам.

R1 – ограничивает ток генератора,

R2 – задает смещение базы,

C1, L1 – колебательный контур,

Катушка L1 имеет отвод, к которому подключен эмиттер транзистора. Этот отвод должен быть расположен не ровно посередине, а ближе к «холодному» концу катушки (то есть тому, который соединен с проводом питания). Кроме того, можно вообще не делать отвод, а намотать дополнительную катушку, то есть – сделать трансформатор:

Эти схемы идентичны.

Для понимания того, как работает такой генератор, давайте рассмотрим именно вторую схему. При этом, левая (по схеме) обмотка будет вторичной, правая – первичной.

Когда на верхней обкладке C1 увеличивается напряжение (то есть, ток во вторичной обмотке течет «вверх»), то на базу транзистора через конденсатор обратной связи C2 подается открывающий импульс. Это приводит к тому, что транзистор подает на первичную обмотку ток, этот ток вызывает увеличение тока во вторичной обмотке. Происходит подпитка энергией. В-общем – то, все тоже довольно просто.

Мое небольшое ноу-хау: можно поставить между общим и базой диод:

Этот диод ускоряет перезаряд C2, что приводит к увеличению мощности генерируемого сигнала. Однако, вместе с тем, это вносит в сигнал нелинейные искажения, так что на выходе придется ставить фильтры НЧ для подавления паразитных гармоник.

Сигнал во всех этих схемах снимаем с эмиттера транзистора либо через дополнительную катушку связи непосредственно с контура.

Двухтактный генератор для ленивых

Самая простая схема генератора, какую только мне приходилось когда-либо видеть:

В этой схеме легко улавливается схожесть с мультивибратором. Я вам скажу больше – это и есть мультивибратор. Только вместо цепочек задержки на конденсаторе и резисторе (RC-цепи), здесь используются катушки индуктивности. Резистор R1 устанавливает ток через транзисторы. Кроме того, без него генерация просто-напросто, не пойдет.

Механизм генерации:

Допустим, VT1 открывается, через L1 течет коллекторный ток VT1. Соответственно, VT2 закрыт, через L2 течет открывающий базовай ток VT1. Но поскольку сопротивление катушек раз в 100…1000 меньше сопротивления резистора R1, то к моменту полного открытия транзистора, напряжение на них падает до очень маленького значения, и транзистор закрывается. Но! Поскольку до закрытия транзистора, через L1 тек большой коллекторный ток, то в момент закрытия происходит выброс напряжения (ЭДС самоиндукции), который подается на базу VT2 открывает его. Все начинается по новой, только с другим плечом генератора. И так далее…

Этот генератор имеет только один плюс – простота изготовления. Остальные – минусы.

Поскольку в нем отсутствует четкое времязадающее звено (колебательный контур или RC-цепь), то частоту такого генератора рассчитать весьма сложно. Она будет зависеть от свойств применяемых транзисторов, от напряжения питания, от температуры и т.д. Во-общем, в серьезных вещах этот генератор лучше не использовать. Однако, в диапазоне СВЧ его применяют довольно часто.

Двухтактный генератор для трудолюбивых

Другой генератор, который мы рассмотрим – тоже двухтактный. Однако, он содержит колебательный контур, что делает его параметры более стабильными и прогнозируемыми. Хотя, по сути, он тоже довольно прост.

Что мы здесь видим?

Видим колебательный контур L1 C1,
А дальше видим каждой твари по паре:
Два транзистора: VT1, VT2
Два конденсатора обратной связи: С2, С3
Два резистора смещения: R1, R2

Опытный глаз (да и не сильно опытный), обнаружит и в этой схеме схожесть с мультивибратором. Ну что же – оно так и есть!

Чем примечательна данная схема? Да тем, что ввиду использования двухтактного включения, она позволяет развивать двойную мощность, по сравнению со схемами 1-тактных генераторов, при том же напряжении питания и при условии применения тех же транзисторов. Во как! Ну, в общем, у нее почти нет недостатков 🙂

При перезаряде конденсатора в одну или другую сторону, через один из конденсаторов обратной связи поступает ток на соответствующий транзистор. Транзистор открывается, и добавляет энергию в «нужном» направлении. Вот и вся премудрость.

Особо изощренных вариантов исполнения этой схемы я не встречал…

Теперь немного креатива.

Генератор на логических элементах

Если использование транзисторов в генераторе кажется вам несовременным или громоздким или недопустимым по религиозным соображениям – выход есть! Можно использовать вместо транзисторов микросхемы. Обычно используется логика: элементы НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ, реже – Исключающее ИЛИ. Вообще говоря, нужны только элементы НЕ, остальное – излишества, только лишь ухудшающие скоростные параметры генератора.

Видим страшную схему.

Квадратики с дырочкой в правом боку – это инвертеры. Ну или – «элементы НЕ». Дырочка как раз указывает на то, что сигнал инвертируется.

Что такое элемент НЕ с точки зрения банальной эрудиции? Ну, то есть, с точки зрения аналоговой техники? Правильно, это усилитель с обратным выходом. То есть, при увеличении напряжения на входе усилителя, напряжение на выходе пропорционально уменьшается . Схему инвертера можно изобразить примерно так (упрощенно):

Это конечно, слишком просто. Но доля правды в этом есть.
Впрочем, нам пока что это не столь важно.

Итак, смотрим схему генератора. Имеем:

Два инвертера ( DD1.1, DD1.2)

Колебательный контур L1 C1

Заметьте, что колебательный контур в этой схеме – последовательный. То есть, конденсатор и катушка стоят друг за другом. Но это – все равно колебательный контур, он рассчитывается по тем же формулам, и ничуть ни хуже (и не лучше) своего параллельного собрата.

Начнем сначала. Зачем нам нужен резистор?

Резистор создает отрицательную обратную связь (ООС) между выходом и входом элемента DD1.1. Это надо для того, чтобы держать под контролем коэффициент усиления – это раз, а также – чтоб создать на входе элемента начальное смещение – это два. Как это работает, подробно мы рассмотрим где-нибудь в обучалке по аналоговой технике. Пока что уясним, что благодаря этому резистору, на выходе и входе элемента, в отсутствие входного сигнала, устаканивается напряжение, равное половине напряжения питания. Точнее – среднему арифметическому напряжений логических «нуля» и «единицы». Не будем пока на этом заморачиваться, у нас еще много дел…

Итак, на одном элементе мы получили инвертирующий усилитель. То есть, усилитель, который «переворачивает» сигнал вверх ногами: если на входе много – на выходе мало, и наоборот. Второй элемент служит для того, чтобы сделать этот усилитель неинвертирующим. То есть, он переворачивает сигнал еще раз. И в таком виде, усиленный сигнал подается на выход, на колебательный контур.

А ну-ка, смотрим внимательно на колебательный контур? Как он включен? Правильно! Он включен между выходом и входом усилителя. То есть, он создает положительную обратную связь (ПОС). Как мы уже знаем из рассмотрения предыдущих генераторов, ПОС нужна для генератора, как валерьянка для кота. Без ПОС ни один генератор не сможет что? Правильно – возбудиться. И начать генерацию…

Все наверно знают такую вещь: если к входу усилителя подключить микрофон, к выходу – динамик, то при поднесении микрофона к динамику, начинается противный «свист». Это – ни что иное как генерация. Мы же подаем сигнал с выхода усилителя на вход. Возникает ПОС. Как следствие, усилитель начинает генерить.

Ну, короче, посредством LC -цепочки в нашем генераторе создается ПОС, приводящая к возбуждению генератора на резонансной частоте колебательного контура.

Ну что, сложно?
Если (сложно)
<
чешем (репу) ;
читаем еще раз;
>

Теперь поговорим о разновидностях подобных генераторов.

Во-первых, вместо колебательного контура, можно включить кварц. Получится стабилизированный генератор, работающий на частоте кварца:

Если в цепь ОС элемента DD1.1 включить вместо резистора колебательный контур – можно завести генератор на гармониках кварца. Для получения какой-либо гармоники, нужно, чтобы резонансная частота контура была близка к частоте этой гармоники:

Если генератор делается из элементов И-НЕ или ИЛИ-НЕ, то входы этих элементов нужно запараллелить, и включать как обычный инвертор. Если используем Исключающее ИЛИ, то один из входов каждого элемента сажается на + питания.

Пара слов о микросхемах.
Предпочтительнее использовать логику ТТЛШ или быстродействующий КМОП.

Серии ТТЛШ: К555, К531, КР1533
Например, микросхема К1533ЛН1 – 6 инверторов.
Серии КМОП: КР1554, КР1564 (74 AC , 74 HC ), например – КР1554ЛН1
На крайний случай – старая добрая серия К155 (ТТЛ). Но ее частотные параметры оставляют желать лучшего, так что – я бы не стал использовать эту логику.

Рассмотренные здесь генераторы – далеко не все, что могут повстречаться вам в этой нелегкой жизни. Но зная основные принципы работы этих генераторов, будет уже намного проще понять работу других, укротить их и заставить работать на себя 🙂

Дальше мы немного поговорим об усилителях и займемся модуляторами.

Отметим три варианта распространённых схем автогенераторов:

– с трансформаторной (или индуктивной) обратной связью;

– с автотрансформаторной обратной связью;

– с емкостной обратной связью.

Ниже представлены некоторые практические схемы транзисторных автогенераторов.

Рис. 3.7. Автогенератор на биполярном транзисторе с трансформаторной обратной связью

На рис. 3.7, 3.8, 3.9 потенциометр R1R2служит для подачи на базу небольшого смещения, которое обеспечивает достаточно высокую крутизну характеристики триода в исходном режиме и легкость возбуждения колебаний. Ток базыIб0, протекающий через сопротивлениеR3, создает положительное автоматическое смещение, обеспечивающее получение необходимого угла отсечки коллекторного тока в автоколебательном режиме АГ.

Рис. 3.8. Автогенератор с автотрансформаторной обратной связью на биполярном транзисторе

Рис. 3.9. Автогенератор с ёмкостной обратной связью на

На рис. 3.10, 3.11, 3.12 напряжение смещения Еб=Iб0Rбна базу подается с сопротивленияRб.

На рис. 3.10 питание базы последовательное. На рис. 3.11, 3.12 питание цепи базы параллельное.

В схему автогенератора (рис. 3.13) входит активный элемент – полевой транзистор. Для того чтобы получить на выходе автогенератора незатухающие гармонические колебания, необходимо правильно выбрать режим работы полевого транзисто-

Рис. 3.10. Автогенератор с трансформаторной

обратной связью на биполярном транзисторе

Рис.3.11. Автогенератор с автотрансформаторной обратной связью на биполярном транзисторе

ра. При этом можно руководствоваться методикой компьютерного анализа резисторных каскадов усиления на полевых транзисторах (раздел 3.4). Автогенератор на полевом транзисторе (рис. 2.13) собран по схеме емкостной трехточки. Колебательный контур, образованный катушкой индуктивности lk и конденсатором Ск,включен в стоковую цепь транзистора.

Рис .3.12. Автогенератор с ёмкостной обратной связью на

На частоте генерации он эквивалентен индуктивности. Положительная обратная связь осуществлена через делитель, образованный конденсаторами С1иC2. Начальное смещение, обеспечивающее первоначальное положение рабочей точки, задается резисторамиR1,R2иR3. РезисторR1 позволяет осуществить истоковую стабилизацию рабочей точки полевого транзистора за счёт использования отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному току истока. КонденсаторC2устраняет при этом ООС по переменной составляющей тока истока.

Конденсатор Сз необходим для того, чтобы напряжение положительной обратной связи без потерь было приложено ко входу транзистора.

Необходимым условием для получения гармонических незатухающих колебаний является обеспечение баланса амплитуд и баланс фаз.

Рис. 3.13. Автогенератор с ёмкостной обратной связью на

Рис. 3.14. Автогенератор с автотрансформаторной обратной связью на полевом транзисторе

Автогенератор на полевом транзисторе (рис. 3.14) собран по схеме индуктивной трехточки (с автотрансформаторной обратной связью). Колебательный контур, образованный индуктивностями L1+L2 и конденсатором С3, включен в стоковую цепь транзистора. Автотрансформаторная обратная связь осуществлена с помощью обмотки катушки индуктивности L2, подключенной к затвору полевого транзистора через емкость блокировочного конденсатора источника питания (на схеме конденсатор не показан) и емкость конденсатора С2. Начальное смещение, обеспечивающее первоначальное положение рабочей точки, задается резисторами R1 и R2. Конденсатор С1 необходим для того, чтобы напряжение положительной обратной связи без потерь было приложено к входу каскада.

Рис.3.15. Автогенератор на полевом транзисторе

с трансформаторной обратной связью

Схема измерения LС-автогенера- с трансформаторной обратной свя зью представлена на рис. 3.15. Колебательный контур, образованный ин дуктивностью LKи конденсатором Ск, включен в стоковую цепь транзистора. Обратная связь трансформаторного типа, осуществлена с помощью обмотки L1, подключенной ко входу транзистора. Начальное смещение, обеспечивающее первоначальные положения рабочей точки, задается резисторами R1, R2 и R3. Резистор R3 обеспечивает истоковую стабилизацию рабочей точки транзистора. Конденсаторы C2и C3обеспечивают подведение напряжения положительной обратной связи на вход транзистора без потерь. Конденсатор Clявляется блокировочным для источника питания. Он предотвращает прохождение переменной составляющей выходного тока через источник питания.

Автогенераторы низкочастотных колебаний рассмотрены в разделе 4.

Принципиальные схемы простых преобразователей напряжения на основе автогенераторов, построены с использованием транзисторов.

В генераторах с самовозбуждением (автогенераторах) для возбуждения электрических колебаний обычно используется положительная обратная связь. Существуют также автогенераторы на активных элементах с отрицательным динамическим сопротивлением, однако в качестве преобразователей они практически не используются.

Однокаскадные преобразователи напряжения

Наиболее простая схема однокаскадного преобразователя напряжения на основе автогенератора показана на рис. 1. Этот вид генераторов получил название блокинг-генераторов. Фазовый сдвиг для обеспечения условия возникновения колебаний в нем обеспечивается определенным включением обмоток.

Рис. 1. Схема преобразователя напряжения с трансформаторной обратной связь.

Аналог транзистора 2N3055 — КТ819ГМ. Блокинг-генератор позволяет получать короткие импульсы при большой скважности. По форме эти импульсы приближаются к прямоугольным.

Емкости колебательных контуров блокинг-гене-ратора, как правило, невелики и обусловлены межвитковыми емкостями и емкостью монтажа. Предельная частота генерации блокинг-генератора — сотни кГц. Недостатком этого вида генераторов является выраженная зависимость частоты генерации от изменения питающего напряжения.

Резистивный делитель в цепи базы транзистора преобразователя (рис. 1) предназначен для создания начального смещения. Несколько видоизмененный вариант преобразователя с трансформаторной обратной связью представлен на рис. 2.

Рис. 2. Схема основного (промежуточного) блока источника высоковольтного напряжения на основе автогенераторного преобразователя.

Автогенератор работает на частоте примерно 30 кГц. На выходе преобразователя формируется напряжение амплитудой до 1 кВ (определяется числом витков повышающей обмотки трансформатора).

Трансформатор Т1 выполнен на диэлектрическом каркасе, вставляемом в броневой сердечник Б26 из феррита М2000НМ1 (М1500НМ1). Первичная обмотка содержит 6 витков; вторичная обмотка — 20 витков провода ПЭЛШО диаметром 0,18 мм (0,12. 0,23 мм).

Повышающая обмотка для достижения выходного напряжения величиной 700. 800 В имеет примерно 1800 витков провода ПЭЛ диаметром 0,1 мм. Через каждые 400 витков при намотке укладывается диэлектрическая прокладка из конденсаторной бумаги, слои пропитывают конденсаторным или трансформаторным маслом. Места выводов катушки заливают парафином.

Этот преобразователь может быть использован в качестве промежуточного для питания последующих ступеней формирования высокого напряжения (например с электрическими разрядниками или тиристорами).

Следующий преобразователь напряжения (США) также выполнен на одном транзисторе (рис. 3). Стабилизация напряжения смещения базы осуществляется тремя последовательно включенными диодами VD1 — VD3 (прямое смещение).

Рис. 3. Схема преобразователя напряжения с трансформаторной обратной связью.

Коллекторный переход транзистора VT1 защищен конденсатором С2, кроме того, параллельно коллекторной обмотке трансформатора Т1 подключена цепочка из диода VD4 и стабилитрона VD5.

Генератор вырабатывает импульсы, по форме близкие к прямоугольным. Частота генерации составляет 10 кГц и определяется величиной емкости конденсатора СЗ. Аналог транзистора 2N3700 — КТ630А.

Двухтактные преобразователи напряжения

Схема двухтактного трансформаторного преобразователя напряжения показана на рис. 4. Аналог транзистора 2N3055 — КТ819ГМ. Трансформатор высоковольтного преобразователя (рис. 4) может быть выполнен с использованием ферритового незамкнутого сердечника круглого или прямоугольного сечения, а также на основе телевизионного строчного трансформатора.

При использовании ферритового сердечника круглой формы диаметром 8 мм число витков высоковольтной обмотки в зависимости от требуемой величины выходного напряжения может достигать 8000 витков провода диаметром 0,15. 0,25 мм. Коллекторные обмотки содержат по 14 витков провода диаметром 0,5. 0,8 мм.

Рис. 4. Схема двухтактного преобразователя с трансформаторной обратной связью.

Рис. 5. Вариант схемы высоковольтного преобразователя с трансформаторной обратной связью.

Обмотки обратной связи (базовые обмотки) содержат по 6 витков такого же провода. При подключении обмоток следует соблюдать их фазировку. Выходное напряжение преобразователя — до 8 кВ.

В качестве транзисторов преобразователя могут быть использованы транзисторы отечественного производства, например, КТ819 и им подобные.

Вариант схемы аналогичного преобразователя напряжения показан на рис. 5. Основное различие заключается в цепях подачи смещения на базы транзисторов.

Число витков первичной (коллекторной) обмотки — 2×5 витков диаметром 1,29 мм, вторичной — 2×2 витков диаметром 0,64 мм. Выходное напряжение преобразователя целиком определяется числом витков повышающей обмотки и может достигать 10. 30 кВ.

Преобразователь напряжения А. Чаплыгина не содержит резисторов (рис. 6). Он питается от батареи напряжением 5 6 и способен отдавать в нагрузку до 1 А при напряжении 12 В.

Рис. 6. Схема простого высокоэффективного преобразователя напряжения с питанием от батареи 5 В.

Диодами выпрямителя служат переходы транзисторов автогенератора. Устройство способно работать и при пониженном до 1 В напряжении питания.

Для маломощных вариантов преобразователя можно использовать транзисторы типа КТ208, КТ209, КТ501 и другие. Максимальный ток нагрузки не должен превышать максимального тока базы транзисторов.

Диоды VD1 и VD2 — не обязательны, однако позволяют получить на выходе дополнительное напряжение 4,2 В отрицательной полярности. КПД устройства около 85%. Трансформатор Т1 выполнен на кольце К18x8x5 2000НМ1. Обмотки I и II имеют по 6, III и IV — по 10 витков провода ПЭЛ-2 0,5.

Преобразователь по схеме индуктивной трехточки

Преобразователь напряжения (рис. 7) выполнен по схеме индуктивной трехточки и предназначен для измерений высокоомных сопротивлений и позволяет получить на выходе не-стабилизированное напряжение 120. 150 В.

Потребляемый преобразователем ток около 3. 5 мА при напряжении питания 4,5 В. Трансформатор для этого устройства может быть создан на основе телевизионного трансформатора БТК-70.

Рис. 7. Схема преобразователя напряжения по схеме индуктивной трехтонки.

Его вторичную обмотку удаляют, взамен нее наматывают низковольтную обмотку преобразователя — 90 витков (два слоя по 45 витков) провода ПЭВ-1 0,19. 0,23 мм. Отвод от 70-го витка снизу по схеме. Резистор R1 — величиной 12. 51 кОм.

Преобразователя напряжения 1,5 В/-9 В

Рис. 8. Схема преобразователя напряжения 1,5 В/-9 В.

Преобразователь (рис. 8) представляет собой однотактный релаксационный генератор с емкостной положительной обратной связью (С2, СЗ). В коллекторную цепь транзистора VT2 включен повышающий автотрансформатор Т1.

В преобразователе использовано обратное включение выпрямительного диода VD1, т.е. при открытом транзисторе VT2 к обмотке автотрансформатора приложено напряжение питания Un, и на выходе автотрансформатора появляется импульс напряжения. Однако включенный в обратном направлении диод VD1 в это время закрыт, и нагрузка отключена от преобразователя.

В момент паузы, когда транзистор закрывается, полярность напряжения на обмотках Т1 изменяется на противоположную, диод VD1 открывается, и выпрямленное напряжение прикладывается к нагрузке.

При последующих циклах, когда транзистор VT2 запирается, конденсаторы фильтра (С4, С5) разряжаются через нагрузку, обеспечивая протекание постоянного тока. Индуктивность повышающей обмотки автотрансформатора Т1 при этом играет роль дросселя сглаживающего фильтра.

Для устранения подмагничивания сердечника автотрансформатора постоянным током транзистора VT2 используется перемагничивание сердечника автотрансформатора за счет включения параллельно его обмотке конденсаторов С2 и СЗ, которые одновременно являются делителем напряжения обратной связи.

Когда транзистор VT2 закрывается, конденсаторы С2 и СЗ в течение паузы разряжаются через часть обмотки трансформатора, перемагничивая сердечник Т1 током разряда.

Частота генерации зависит от напряжения на базе транзистора ѴТ1. Стабилизация выходного напряжения осуществляется за счет отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному напряжению посредством R2.

При понижении выходного напряжения увеличивается частота генерируемых импульсов при примерно одинаковой их длительности. В результате увеличивается частота подзарядки конденсаторов фильтра С4 и С5 и падение напряжения на нагрузке компенсируется. При увеличении выходного напряжения частота генерации, наоборот, уменьшается.

Так, после заряда накопительного конденсатора С5 частота генерации падает в десятки раз. Остаются лишь редкие импульсы, компенсирующие разряд конденсаторов в режиме покоя. Такой способ стабилизации позволил уменьшить ток покоя преобразователя до 0,5 мА.

Транзисторы ѴТ1 и ѴТ2 должны иметь возможно больший коэффициент усиления для повышения экономичности. Обмотка автотрансформатора намотана на ферритовом кольце К10x6x2 из материала 2000НМ и имеет 300 витков провода ПЭЛ-0,08 с отводом от 50-го витка (считая от «заземленного» вывода). Диод VD1 должен быть высокочастотным и иметь малый обратный ток. Налаживание преобразователя сводится к установке выходного напряжения равным -9 В путем подбора резистора R2.

Преобразователь напряжения с ШИМ управлением

На рис. 9 показана схема преобразователя стабилизированного напряжения с широтно-импульсным управлением. Преобразователь сохраняет работоспособность при уменьшении напряжения батареи с 9. 12 до 3В. Такой преобразователь оказывается наиболее пригодным при батарейном питании аппаратуры.

КПД стабилизатора — не менее 70%. Стабилизация сохраняется при уменьшении напряжения источника питания ниже выходного стабилизированного напряжения преобразователя, чего не может обеспечить традиционный стабилизатор напряжения. Принцип стабилизации, использованный в данном преобразователе напряжения.

Рис. 9. Схема преобразователя стабилизированного напряжения с ШИМ управлением.

При включении преобразователя ток через резистор R1 открывает транзистор ѴТ1, коллекторный ток которого, протекая через обмотку II трансформатора Т1, открывает мощный транзистор ѴТ2. Транзистор ѴТ2 входит в режим насыщения, и ток через обмотку I трансформатора линейно увеличивается.

В трансформаторе происходит накопление энергии. Через некоторое время транзистор ѴТ2 переходит в активный режим, в обмотках трансформатора возникает ЭДС самоиндукции, полярность которой противоположна приложенному к ним напряжению (магнитопровод трансформатора не насыщается).

Транзистор ѴТ2 лавинообразно закрывается и ЭДС самоиндукции обмотки I через диод VD2 заряжает конденсатор СЗ. Конденсатор С2 способствует более четкому закрыванию транзистора. Далее процесс повторяется.

Через некоторое время напряжение на конденсаторе СЗ увеличивается настолько, что открывается стабилитрон VD1, и базовый ток транзистора ѴТ1 уменьшается, при этом уменьшается ток базы, а значит, и коллекторный ток транзистора ѴТ2.

Поскольку накопленная в трансформаторе энергия определяется коллекторным током транзистора ѴТ2, дальнейшее увеличение напряжения на конденсаторе СЗ прекращается. Конденсатор разряжается через нагрузку. Таким образом на выходе преобразователя поддерживается постоянное напряжение. Выходное напряжение задает стабилитрон VD1. Частота преобразования изменяется в пределах 20. 140 кГц.

Преобразователь напряжения 3-12В/+15В, -15В

Преобразователь напряжения, схема которого показана на рис. 10, отличается тем, что в нем цепь нагрузки гальванически развязана от цепи управления. Это позволяет получить несколько вторичных стабильных напряжений. Использование интегрирующего звена в цепи обратной связи позволяет улучшить стабилизацию вторичного напряжения.

Рис. 10. Схема преобразователя стабилизированного напряжения с биполярным выходом 15+15В.

Частота преобразования уменьшается почти линейно при уменьшении питающего напряжения. Это обстоятельство усиливает обратную связь в преобразователе и повышает стабильность вторичного напряжения.

Напряжение на сглаживающих конденсаторах вторичных цепей зависит от энергии импульсов, получаемых от трансформатора. Наличие резистора R2 делает напряжение на накопительном конденсаторе С3 зависимым и от частоты следования импульсов, причем степень зависимости (крутизна) определяется сопротивлением этого резистора.

Таким образом, подстроечным резистором R2 можно устанавливать желаемую зависимость изменения напряжения вторичных обмоток от изменения напряжения питания. Полевой транзистор ѴТ2 — стабилизатор тока. КПД преобразователя может доходить до 70. 90%.

Нестабильность выходного напряжения при напряжении питания 4. 12 В не более 0,5%, а при изменении температуры окружающего воздуха от -40 до +50°С — не более 1,5%. Максимальная мощность нагрузки — 2 Вт.

При налаживании преобразователя резисторы R1 и R2 устанавливаются в положение минимального сопротивления и подключают эквиваленты нагрузок RH. На вход устройства подается напряжение питания 12 В и с помощью резистора R1 на нагрузке Rн устанавливается напряжение 15 В. Далее напряжение питания уменьшают до 4В и резистором R2 добиваются напряжения на выходе также 15 В. Повторяя этот процесс несколько раз, добиваются стабильного напряжения на выходе.

Обмотки I и II и магнитопровод трансформатора у обоих вариантов преобразователи одинаковы. Обмотки намотаны на броневом магнитопроводе Б26 из феррита 1500НМ. Обмотка I содержит 8 витков провода ПЭЛ 0,8, а II — 6 витков провода ПЭЛ 0,33 (каждая из обмоток III и IV состоит из 15 витков провода ПЭЛ 0,33 мм).

Малогабаритный сетевой преобразователь напряжения

Схема простого малогабаритного преобразователя сетевого напряжения, выполненного из доступных элементов, показана на рис. 11. В основе устройства обычный блокинг-генератор на транзисторе VT1 (КТ604, КТ605А, КТ940).

Рис. 11. Схема понижающего преобразователя напряжения на основе блокинг-генератора.

Трансформатор Т1 намотан на броневом сердечнике Б22 из феррита М2000НН. Обмотки Іа и Іб содержат 150+120 витков провода ПЭЛШО 0,1 мм. Обмотка II имеет 40 витков провода ПЭЛ 0,27 мм III — 11 витков провода ПЭЛШО 0,1 мм. Вначале наматывается обмотка Іа, затем — II, после — обмотка lb, и, наконец, обмотка III.

Источник питания не боится короткого замыкания или обрыва в нагрузке, однако имеет большой коэффициент пульсаций напряжения, низкий КПД, небольшую выходную мощность (до 1 Вт) и значительный уровень электромагнитных помех. Питать преобразователь можно и от источника постоянного тока напряжением 120 6. В этом случае резисторы R1 и R2 (а также диод VD1) следует исключить из схемы.

Слаботочный преобразователь напряжения на 440В

Слаботочный преобразователь напряжения для питания газоразрядного счетчика Гейгера-Мюллера может быть собран по схеме на рис. 12. Преобразователь представляет собой транзисторный блокинг-генератор с дополнительной повышающей обмоткой. Импульсы с этой обмотки заряжают конденсатор СЗ через выпрямительные диоды VD2, VD3 до напряжения 440 В.

Конденсатор СЗ должен быть либо слюдяным, либо керамическим, на рабочее напряжение не ниже 500 В. Длительность импульсов блокинг-генератора примерно 10 мкс. Частота следования импульсов (десятки Гц) зависит от постоянной времени цепи R1, С2.

Рис. 12. Схема слаботочного преобразователя напряжения для питания газоразрядного счетчика Гейгера-Мюллера.

Магнитопровод трансформатора Т1 изготавливают из двух склеенных вместе ферритовых колец К16x10x4,5 3000НМ и изолируют его слоем лакоткани, тефлона или фторопласта.

В начале наматывают внавал обмотку III — 420 витков провода ПЭВ-2 0,07, заполняя магнитопровод равномерно. Поверх обмотки III накладывают слой изоляции. Обмотки I (8 витков) и II (3 витка) наматывают любым проводом поверх этого слоя, их также следует возможно равномернее распределить по кольцу.

Следует обратить внимание на правильную фазировку обмоток, она должна быть выполнена до первого включения. При сопротивлении нагрузки порядка единиц МОм преобразователь потребляет ток 0,4. 1,0 мА.

Преобразователь напряжения для питания фотовспышки

Преобразователь напряжения (рис. 13) предназначен для питания фотовспышки. Трансформатор Т1 выполнен на магнитопроводе из двух сложенных вместе пермаллоевых колец К40х28х6. Обмотка коллекторной цепи транзистора VT1 имеет 16 витков ПЭВ-2 0,6 мм; его базовой цепи — 12 витков такого же провода. Повышающая обмотка содержит 400 витков ПЭВ-2 0,2.

Рис. 13. Схема преобразователя напряжения для фотовспышки.

Неоновая лампа HL1 использована от стартера лампы дневного света. Выходное напряжение преобразователя плавно повышается на конденсаторе фотовспышки до 200 В за 50 секунд. Устройство при этом потребляет ток до 0,6 А.

Преобразователь напряжения ПН-70

Для питания ламп-вспышек предназначен преобразователь напряжения ПН-70, являющийся основой описываемого ниже устройства (рис. 14). Обычно энергия батарей преобразователя расходуется с минимальной эффективностью.

Вне зависимости от частоты следования вспышек света генератор работает непрерывно, расходуя большое количество энергии и разряжая батареи.

Рис. 14. Схема модифицированного преобразователя напряжения ПН-70.

Перевести работу преобразователя в ждущий режим удалось О. Панчику, который включил на выходе преобразователя резистивный делитель R5, R6 и подал сигнал с него через стабилитрон VD1 на электронный ключ, выполненный на транзисторах VT1 — ѴТЗ по схеме Дарлингтона.

Как только напряжение на конденсаторе фотовспышки (на схеме не показан) достигнет номинального значения, определяемого значением резистора R6, стабилитрон VD1 пробьется, а транзисторный ключ отключит батарею питания (9 В) от преобразователя.

Когда напряжение на выходе преобразователя понизится в результате саморазряда или разряда конденсатора на лампу-вспышку, стабилитрон VD1 перестанет проводить ток, произойдет включение ключа и, соответственно, преобразователя. Транзистор ѴТ1 должен быть установлен на медном радиаторе размерами 50x22x0,5 мм.

Источник: Шустов М. А. Практическая схемотехника. Преобразователи напряжения.

  • PCBWay – всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
  • Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
  • Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!

Нужна схема трансформаторного повышающего ППН. Входное напряжение пульсирующее +5В от зарядного устройства от мобильного телефона, M/N: ATADD11EBE; S/N: RT3Q918FS/7-G. – Наподобие той, что изображена на рисунке 6.
Сейчас питаю кассетный плеер WM-FX163. АМ принимать невозможно из-за фона высокой частоты, проникающего по питанию и создаваемого однополупериодным выпрямителем. Хочу использовать подобное ЗУ для питания УМЗЧ.

Здравствуйте, а в схеме Малогабаритный сетевой преобразователь напряжения есть неточности ,во первых для чего обмотку 1 делить на две части a и b(там же нет отводов) ,не проще сразу 300 витков намотать?Во вторых для обмотки 3 не указано начало и концы точками это очень важно.И в конце хочу спросить можно использовать транзисторы из серии mje13001-13009? У них просто большой запас по напряжению чем у приведенных.

Транзисторы Патенты и патентные заявки (класс 331/108R)

Номер патента: 5629650

Abstract: Согласно предпочтительному варианту осуществления предусмотрена петля фазовой автоподстройки частоты с автоматическим смещением, которая преодолевает ограничения методов и устройств смещения предшествующего уровня техники.В общем, полупроводниковое устройство с автоматическим смещением, управляемое током, как правило, управляемый током генератор, самосмещается за счет использования первого пути обратной связи, обычно обеспечиваемого контуром фазовой автоподстройки частоты, где путь обратной связи обеспечивает управляющий ток для управления токоуправляемое устройство. Второй путь обратной связи, обычно состоящий из пары токовых зеркал, служит петлей смещения с единичным коэффициентом усиления. Контур смещения обеспечивает ток смещения, который зависит от управляющего тока. Преимущество этого устройства в том, что оно самосмещается, поэтому не требуется никаких других схем смещения.

Тип: Грант

Подано: 29 января 1996 г.

Дата патента: 13 мая 1997 г.

Правопреемник: Международная корпорация бизнес-машин

изобретателей: Джон Э.Герсбах, Масаюки Хаяси, Чарльз Дж. Масенас

Joule Thief на основе полевых МОП-транзисторов повышает напряжение

Для повышения напряжения можно использовать простую схему блокирующего генератора, используя свойства индуктивности катушки ( В = L di/dt ). Такая схема показана на рис. 1 , которую чаще называют похитителем Джоуля.

Рисунок 1  Базовая схема похитителя джоулей

На выходе будут импульсы напряжения, которые можно отфильтровать с помощью диода и конденсатора.Поскольку регулирование отсутствует, выходное напряжение будет зависеть от входного напряжения или нагрузки. Поскольку в этой схеме используется биполярный транзистор, для работы требуется напряжение питания не менее 0,7 В, а для полевых МОП-транзисторов в режиме расширения напряжение питания обычно должно быть еще выше.

В этой идее дизайна низкопороговый MOSFET (Q1) используется со связанными катушками L1 и L2, чтобы действовать как схема похитителя Джоуля.

Рисунок 2  Joule Thief

на основе полевого МОП-транзистора

Тороидальный ферритовый сердечник используется для изготовления связанной катушки или трансформатора.Фотогальваническая оптопара TLP191B используется, чтобы обойти проблему с пороговым напряжением. Часть выхода используется для питания TLP191B, чтобы сделать изолированный источник напряжения последовательно с затвором Q1 (AOI508). Это изолированное напряжение может контролироваться потенциометром R5; конденсатор C1 используется для передачи импульсов, создаваемых L1, на затвор для переключения.

Для регулирования используется другой полевой МОП-транзистор Q2 (IRLU3103). Пороговое напряжение Q2 используется для регулирования выходного напряжения. Когда выходное напряжение достигает 5 В, делитель, образованный резисторами R1 и R2, запускает транзистор Q2, и колебания прекращаются, что приводит к падению выходного напряжения.Поскольку пороговое напряжение не очень резкое, регулировка обычно не очень хорошая.

Для начала работы схема изначально требует более высокого напряжения, чем V th Q1. При 1,9 В схема колеблется, а выходное напряжение составляет 5,1 В. Когда входное напряжение падает, генератор останавливается на уровне 1,4 В. При настройке потенциометра R5 на более высокие значения минимальное рабочее напряжение может снизиться до 0,6 В. Напряжения ввода-вывода показаны графически на рис. 3 .

Рисунок 3  V в сравнении с В из

Эффективность падает при более низком входном напряжении. КПД для V при = 2,5 В составляет 48% и снижается до 36% при 0,6 В.

В моем приложении схема подключена к суперконденсатору 150F @ 2,5V, который заряжен до 2,3V. Заряженный конденсатор питает нагрузку (470Ом) в течение 38 минут, пока его напряжение не достигнет 0,6В. Реализованная схема с подключенным суперконденсатором показана на рис. 4 .

Рисунок 4 Встроенная схема

Примечание : В разделе «Схема низковольтного генератора» показана схема с полевым транзистором JFET или полевым МОП-транзистором с режимом истощения, который будет работать как преобразователь постоянного тока в постоянный при входном напряжении до 0.1В. Результаты моделирования показывают, что его эффективность очень низкая. Большая часть мощности будет потрачена впустую на полевой транзистор и сопротивление источника.

См. также :

Достижения в области гибких органических полевых транзисторов и их применения для гибкой электроники

  • Сомея, Т., Бао, З. и Маллиарас, Г. Г. Рост пластиковой биоэлектроники. Природа 540 , 379–385 (2016).

    КАС Google ученый

  • Бао З.& Chen, X. Гибкие и растягивающиеся устройства. Доп. Матер. 28 , 4177–4179 (2016).

    КАС Google ученый

  • Хан С.-Т. и другие. Обзор разработки гибких датчиков. Доп. Матер. 29 , 1700375 (2017).

    Google ученый

  • Линг Х., Лю С., Чжэн З. и Ян Ф. Органическая гибкая электроника. Малые методы 2 , 1800070 (2018).

    Google ученый

  • Guo, X. et al. Современное состояние и возможности технологий органических тонкопленочных транзисторов. IEEE Trans. Электрон Дев. 64 , 1906–1921 (2017).

    КАС Google ученый

  • Yagi, I. et al. Гибкий полноцветный AMOLED-дисплей, управляемый OTFT. Дж.соц. Инф. дисп. 16 , 15–20 (2012).

    Google ученый

  • Baumbauer, C.L. et al. Печатные, гибкие, компактные сенсорные метки UHF-RFID с гибридной электроникой. Науч. Респ. 10 , 16543 (2020).

    КАС Google ученый

  • Квон, Дж. и др. Трехмерная монолитная интеграция в гибких печатных органических транзисторах. Нац. коммун. 10 , 54 (2019).

    КАС Google ученый

  • Zang, Y. et al. Гибкие органические тонкопленочные транзисторы с подвесным затвором для сверхчувствительного обнаружения давления. Нац. коммун. 6 , 6269 (2015).

    КАС Google ученый

  • Ву, В. и др. Ультратонкие и гибкие матрицы перовскитных фотодетекторов на основе галогенидов свинца для потенциального применения в распознавании зрения, подобного сетчатке. Доп. Матер. 33 , 2006006 (2021).

    КАС Google ученый

  • Muth, J. T. et al. Встроенная 3D-печать датчиков деформации в высокоэластичных эластомерах. Доп. Матер. 26 , 6307–6312 (2014).

    КАС Google ученый

  • Ким Дж. и др. Носимые интеллектуальные сенсорные системы, интегрированные в мягкие контактные линзы, для беспроводной диагностики зрения. Нац. коммун. 8 , 14997 (2017).

    Google ученый

  • Сюй, В., Мин, С.-Ю., Хван, Х. и Ли, Т.-В. Искусственные синапсы из органической нанопроволоки ядро-оболочка с потреблением энергии в фемтоджоулях. Науч. Доп. 2 , e1501326 (2016).

    Google ученый

  • Wang, X., Gu, Y., Xiong, Z. & Zhang, T. Гибкая, сверхчувствительная и высокостабильная электронная кожа из шелка для мониторинга физиологических сигналов человека. Доп. Матер. 26 , 1336–1342 (2014).

    КАС Google ученый

  • Guan, Y.S. et al. Собранная резиноподобная полупроводниковая нанопленка на границе раздела воздух/вода для полностью резиноподобной интегрированной электроники. Науч. Доп. 6 , eabb3656 (2020).

    КАС Google ученый

  • Канг Дж. и др. Прочный и нечувствительный к воде самовосстанавливающийся эластомер для прочной электронной оболочки. Доп. Матер. 30 , 1706846 (2018).

    Google ученый

  • Ю, Х. и др. Гибкие органические тонкопленочные транзисторы TIPS-пентацен с напылением в качестве датчиков аммиака. Дж. Матер. хим. С 1 , 6532 (2013).

    КАС Google ученый

  • О, Дж. Ю. и др. Растяжимый и восстанавливаемый полупроводниковый полимер для органических транзисторов. Природа 539 , 411–415 (2016).

    КАС Google ученый

  • Мун, Дж. и др. Сопряженные углеродные циклические нанокольца как добавки к растяжимым полупроводниковым полимерам. Доп. Матер. 31 , 1

    2 (2019).

    КАС Google ученый

  • Чортос А. и др. Транзисторы с высокой эластичностью, использующие органический полупроводник с микротрещинами. Доп. Матер. 26 , 4253–4259 (2014).

    КАС Google ученый

  • Сунь Ю., Чой В. М., Цзян Х., Хуанг Ю. Ю. и Роджерс Дж. А. Контролируемое изгибание полупроводниковых нанолент для растягиваемой электроники. Нац. нанотехнологии. 1 , 201–207 (2006).

    КАС Google ученый

  • Huang, Y. et al. Печатная технология органических транзисторов с низким энергопотреблением для настраиваемой гибридной интеграции с Интернетом всего. IEEE J. Electron Devices 8 , 1219–1226 (2020).

    КАС Google ученый

  • Huang, Y. et al. Масштабируемая обработка низковольтных органических полевых транзисторов с использованием легкого покрытия с мягким контактом. IEEE Электрон. Устройство Летт. 40 , 1945–1948 (2019).

    КАС Google ученый

  • Сандстрем, А., Дам, Х.Ф., Кребс, Ф.К. и Эдман, Л. Изготовление в условиях окружающей среды гибких органических светоизлучающих устройств большой площади с использованием щелевого покрытия. Нац. коммун. 3 , 1002 (2012).

    Google ученый

  • Хим Д. и др. Точно контролируемые ультратонкие сопряженные полимерные пленки для прозрачных транзисторов большой площади и высокочувствительных химических сенсоров. Доп. Матер. 28 , 2752–2759 (2016).

    КАС Google ученый

  • Сюй, Дж. и др. Полимерно-полупроводниковые пленки с высокой эластичностью благодаря эффекту наноограничения. Наука 355 , 59–64 (2017).

    КАС Google ученый

  • Сюй, Дж. и др. Многомасштабное упорядочение в сильно растяжимых полимерных полупроводниковых пленках. Нац. Матер. 18 , 1 (2019).

    Google ученый

  • Ли, М.и другие. Простые четырехшаговые процессы для структуры интеграции органических тонкопленочных транзисторов с металлическими межсоединениями. IEEE Электрон. Устройство Летт. 41 , 70–72 (2020).

    Google ученый

  • Чуа, Л.-Л., Френд, Р. Х. и Хо, П. К. Х. Органические полевые транзисторы с двойным затвором: операция логического И. Заяв. физ. лат. 87 , 253512 (2005 г.).

    Google ученый

  • Хён, В.Дж. и др. Печатные самовыравнивающиеся органические транзисторы с боковым затвором и расстоянием между затвором и каналом менее 5 м на пластиковых подложках с отпечатанными изображениями. Доп. Электрон. Матер. 2 , 1600293 (2016).

    Google ученый

  • Купман, В.-В. А. и др. Контактное сопротивление в амбиполярных органических полевых транзисторах, измеренное методом конфокальной фотолюминесцентной электромодуляционной микроскопии. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 10 , 35411–35419 (2018 г.).

    КАС Google ученый

  • Оливье Ю. и др. Статья, посвященная 25-летию: Высокоподвижные полимеры с сопряженными дырками и переносом электронов: как структура определяет функцию. Доп. Матер. 26 , 2119–2136 (2014).

    КАС Google ученый

  • Пан Ю. и др. Понимание роли боковых цепей в микроструктуре и подвижности носителей высокоэффективных сопряженных полимеров. Поли. хим. 12 , 2471–2480 (2021).

    КАС Google ученый

  • Ван К., Донг Х., Ху В., Лю Ю. и Чжу Д. Полупроводниковые системы с π-сопряжением в полевых транзисторах: материальная одиссея органической электроники. Хим. Ред. 112 , 2208–2267 (2011).

    Google ученый

  • Накаяма, К. и др. Органические транзисторы с структурной кристаллизацией из раствора с высокой подвижностью носителей заряда. Доп. Матер. 23 , 1626–1629 (2011).

    КАС Google ученый

  • Чжао, X., Дин, X., Танг, Q., Тонг, Y. и Лю, Y. Совместимые с фотолитографией конформные электроды для высокопроизводительных органических монокристаллических транзисторов с нижним контактом. Дж. Матер. хим. C 5 , 12699–12706 (2017).

    КАС Google ученый

  • Минемавари, Х.и другие. Струйная печать монокристаллических пленок. Природа 475 , 364–367 (2011).

    КАС Google ученый

  • Рейес-Мартинес, М. А., Кросби, А. Дж. и Бризено, А. Л. Модуляция подвижности полевым эффектом кристалла Рубрена посредством сморщивания проводящего канала. Нац. коммун. 6 , 6948 (2015).

    КАС Google ученый

  • Ван Ю.и другие. Органические кристаллические материалы в гибкой электронике. Хим. соц. Ред. 48 , 1492–1530 (2019).

    КАС Google ученый

  • Онорато Дж., Пахнюк В. и Ласкомб С.К. Структура и дизайн полимеров для прочной, растяжимой органической электроники. Поли. J. 49 , 41–60 (2017).

    КАС Google ученый

  • О’Коннор, Б.и другие. Корреляции между механическими и электрическими свойствами политиофенов. ACS Nano 4 , 7538–7544 (2010 г.).

    Google ученый

  • Ву, Х.-К. и другие. Быстрый и простой метод ламинирования мягких контактов: оценка полимерных полупроводников для растягиваемых транзисторов. Хим. Матер. 26 , 4544–4551 (2014).

    КАС Google ученый

  • Мюллер, К.и другие. Прочные полупроводниковые диблок-сополимеры полиэтилена и поли(3-гексилтиофена). Доп. Функц. Матер. 17 , 2674–2679 (2007).

    Google ученый

  • Peng, R. et al. Стратегия триблок-сополимера ABA для растяжимых полупроводников. Дж. Матер. хим. C 3 , 3599–3606 (2015).

    КАС Google ученый

  • Сон С.Ю. и др. Высокая полевая подвижность низкокристаллических сопряженных полимеров с локализованными агрегатами. Дж. Ам. хим. соц. 138 , 8096–8103 (2016).

    КАС Google ученый

  • Канг И., Юн Х.-Дж., Чанг Д.С., Квон С.-К. и Ким, Ю.-Х. Рекордно высокая подвижность дырок в полимерных полупроводниках с помощью инженерии боковой цепи. Дж. Ам. хим. соц. 135 , 14896–14899 (2013).

    КАС Google ученый

  • Вен Х.-Ф. и другие. Мягкие поли(бутилакрилатные) боковые цепи к внутренне растяжимым полимерным полупроводникам для применения в полевых транзисторах. Макромолекулы 50 , 4982–4992 (2017).

    КАС Google ученый

  • Koch, F. P. V. et al. Влияние молекулярной массы на микроструктуру и перенос заряда в полукристаллических полимерных полупроводниках – поли(3-гексилтиофене), модельное исследование. Прог.Полим. науч. 38 , 1978–1989 (2013).

    КАС Google ученый

  • Ким Ж.-С. и другие. Настройка механических и оптоэлектрических свойств поли(3-гексилтиофена) посредством систематического контроля региорегулярности. Макромолекулы 48 , 4339–4346 (2015).

    КАС Google ученый

  • Мун, Дж. и др. F4-TCNQ в качестве добавки для придания растяжимым полупроводникам высокой подвижности и стабильности. Доп. Электрон. Матер. 6 , 2000251 (2020).

    КАС Google ученый

  • Шин, М. и др. Пучки политиофеновых нанофибрилл, встроенные в эластомер: путь к сильно растяжимому слою активного канала. Доп. Матер. 27 , 1255–1261 (2015).

    КАС Google ученый

  • Никзад С. и др. Индуцирование молекулярной агрегации полимерных полупроводников во вторичной изолирующей полимерной матрице для улучшения переноса заряда. Хим. Матер. 32 , 897–905 (2020).

    КАС Google ученый

  • Ян, К. и др. Гибридные пленки: вдохновленные киригами деформируемые трехмерные структуры, соответствующие изогнутой биологической поверхности. Доп. науч. 5 , 1870073 (2018).

    Google ученый

  • Чен Д., Лян Дж. и Пей К. Гибкие и растягивающиеся электроды для полимерной электроники следующего поколения: обзор. Науч. Китай хим. 59 , 659–671 (2016).

    КАС Google ученый

  • Хуан С., Лю Ю., Чжао Ю., Рен З. и Го С. Ф. Гибкая электроника: растягиваемые электроды и их будущее. Доп. Функц. Матер. 29 , 1805924 (2019).

    Google ученый

  • Лю К., Го Ю. Л. и Лю Ю. К. Недавний прогресс в области растягиваемых органических полевых транзисторов. Науч. Китайская технология. науч. 62 , 1255–1276 (2019).

    КАС Google ученый

  • Сян Л., Чжан Х., Ху Ю. и Пэн Л.-М. Гибкая электроника на основе углеродных нанотрубок. Дж. Матер. хим. C 6 , 7714–7727 (2018).

    КАС Google ученый

  • Guo, C. F. & Ren, Z. Гибкие прозрачные проводники на основе металлических нанопроволок. Матер. Сегодня 18 , 143–154 (2015).

    КАС Google ученый

  • Hu, L., Han, S.K., Lee, J.Y., Peumans, P. & Cui, Y. Масштабируемое покрытие и свойства прозрачных, гибких электродов из серебряных нанопроволок. ACS Nano 4 , 2955–2963 (2010 г.).

    КАС Google ученый

  • Кан М. и др. Синергетическая высокая емкость хранения заряда для многоуровневой гибкой органической флэш-памяти. Науч. Респ. 5 , 12299 (2015).

    Google ученый

  • Ким, Ж.-Ю. и Джанг, К.-С. Легкое изготовление растягиваемых электродов путем осаждения наночастиц Ag в матрице PDMS. Дж. Наноматер. 2018 , 1–6 (2018).

    Google ученый

  • Park, J.H. et al. Индуцированная вспышкой самоограниченная плазмонная сварка сети серебряных нанопроволок для прозрачного гибкого сборщика энергии. Доп. Матер. 29 , 1603473 (2016).

    Google ученый

  • Lee, P. et al. Металлический электрод с высокой эластичностью и высокой проводимостью благодаря перколяционной сети из очень длинной металлической нанопроволоки. Доп. Матер. 24 , 3326–3332 (2012).

    КАС Google ученый

  • Wang, H., Lin, J. & Shen, Z. X. Электродные материалы на основе полианилина (PANi) для хранения и преобразования энергии. J. Sci. Доп. Матер. Дев. 1 , 225–255 (2016).

    Google ученый

  • Кан, Х., Юнг, С., Чон, С., Ким, Г. и Ли, К. Металло-полимерные прозрачные гибридные электроды для гибкой электроники. Нац. коммун. 6 , 6503 (2015).

    КАС Google ученый

  • Vosgueritchian, M., Lipomi, D.J. & Bao, Z. Высокопроводящие и прозрачные пленки PEDOT:PSS с фторсодержащим поверхностно-активным веществом для эластичных и гибких прозрачных электродов. Доп. Функц. Матер. 22 , 421–428 (2011).

    Google ученый

  • Ланг У., Науйокс Н. и Дуал Дж. Механическая характеристика тонких пленок PEDOT:PSS. Синтез. Встретил. 159 , 473–479 (2009).

    КАС Google ученый

  • Ниу, Т. Углеродные нанотрубки продвигают электронику следующего поколения. Nano Сегодня 35 , 100992 (2020).

    КАС Google ученый

  • Lipomi, D. J. et al. Кожноподобные датчики давления и деформации на основе прозрачных эластичных пленок углеродных нанотрубок. Нац. нанотехнологии. 6 , 788–792 (2011).

    КАС Google ученый

  • Шин М.К. и др. Эластомерные проводящие композиты на основе лесов углеродных нанотрубок. Доп. Матер. 22 , 2663–2667 (2010).

    КАС Google ученый

  • Bae, S. et al. Рулонное производство 30-дюймовых графеновых пленок для прозрачных электродов. Нац. нанотехнологии. 5 , 574–578 (2010).

    КАС Google ученый

  • Николл, Р. Дж. Т. и др. Влияние внутреннего смятия на механику отдельно стоящего графена. Нац. коммун. 6 , 8789 (2015).

    КАС Google ученый

  • Хонг, Дж.-Ю., Ким, В., Чой, Д., Конг, Дж. и Парк, Х.С. Растяжимые во всех направлениях и прозрачные графеновые электроды. ACS Nano 10 , 9446–9455 (2016).

    КАС Google ученый

  • Парк, Ж.-Ю. и Ким, Х.-К. Высокоэластичные интеллектуальные окна на основе жидких кристаллов с полимерной дисперсией и прозрачными и эластичными гибридными электродами. RSC Adv. 8 , 36549–36557 (2018).

    КАС Google ученый

  • Lee, P. et al. Изготовление сильно растяжимого или прозрачного проводника с помощью иерархического многомасштабного гибридного нанокомпозита. Доп. Функц. Матер. 24 , 5671–5678 (2014).

    КАС Google ученый

  • Choi, T.Y. et al. Растягивающаяся, прозрачная и не реагирующая на растяжение емкостная сенсорная матрица с выборочно структурированными серебряными нанопроволоками/электродами из восстановленного оксида графена. Приложение ACS Матер. Интер. 9 , 18022–18030 (2017).

    КАС Google ученый

  • Кеплингер, К. и др. Растяжимые, прозрачные, ионные проводники. Наука 341 , 984–987 (2013).

    КАС Google ученый

  • Дики, доктор медицинских наук Растяжимая и мягкая электроника с использованием жидких металлов. Доп. Матер. 29 , 1606425 (2017).

    Google ученый

  • Ван, Б. и др. Диэлектрики под затвором с высоким значением k для новой гибкой и растяжимой электроники. Хим. Ред. 118 , 5690–5754 (2018 г.).

    КАС Google ученый

  • Рао Ю.-Л. и другие. Растяжимые самовосстанавливающиеся полимерные диэлектрики, сшитые за счет координации металл-лиганд. Дж. Ам. хим. соц. 138 , 6020–6027 (2016).

    КАС Google ученый

  • Ван, С. и др. Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения. Природа 555 , 83–88 (2018).

    КАС Google ученый

  • Друри, С.Дж., Мутсарс, С.М.Дж., Харт, С.М., Маттерс, М. и де Лиу, Д.М. Недорогие полностью полимерные интегральные схемы. Заяв.физ. лат. 73 , 108–110 (1998).

    КАС Google ученый

  • Huang, Z. et al. Трехмерная интегрированная растягиваемая электроника. Нац. Электрон. 1 , 473–480 (2018).

    Google ученый

  • Боде, Д. и др. Анализ допустимого уровня шума для технологии комплементарных органических тонкопленочных материалов. IEEE Trans. Электрон. Устройства 57 , 201–208 (2010).

    КАС Google ученый

  • Фукуда, К. и др. Органические схемы псевдо-CMOS для низковольтной высокоскоростной работы с большим коэффициентом усиления. IEEE Электрон. Устройство Летт. 32 , 1448–1450 (2011).

    Google ученый

  • Хан, Л. и др. Трехмерная интеграция сквозного пластика для встроенного органического полевого транзистора биохимического сенсорного чипа. IEEE Электрон. Устройство Летт. 42 , 569–572 (2021).

    КАС Google ученый

  • Фиоре, В. и др. Встроенная метка RFID с частотой 13,56 МГц, напечатанная по органической комплементарной технологии TFT на гибкой подложке. IEEE Trans. Схемы-I 62 , 1668–1677 (2015).

    Google ученый

  • Сугияма, М. и др. Сверхгибкий органический дифференциальный усилитель для записи электрокардиограмм. Нац. Электрон. 2 , 351–360 (2019).

    Google ученый

  • Shiwaku, R. et al. Печатная органическая система усиления для носимых потенциометрических электрохимических датчиков. Науч. Респ. 8 , 3922 (2018).

    Google ученый

  • Yagi, I. et al. Distinguished Paper: полноцветный дисплей AM-OLED с высочайшим уровнем излучения, управляемый OTFT. Симптом SID. Копать землю. Тех. Пап. 38 , 1753–1756 (2007).

    КАС Google ученый

  • Йошида, А. и др. 3-дюймовый полноцветный OLED-дисплей с пластиковой подложкой. SID ’03 Dig. 34 , 856–859 (2003).

    КАС Google ученый

  • Гелинк, Г. Х. и др. Гибкие дисплеи с активной матрицей и регистры сдвига на основе органических транзисторов, обработанных раствором. Нац. Матер. 3 , 106–110 (2004).

    КАС Google ученый

  • Чой, М.-К., Ким, Ю. и Ха, К.-С. Полимеры для гибких дисплеев: от выбора материала до применения в устройствах. Прог. Полим. науч. 33 , 581–630 (2008).

    КАС Google ученый

  • Huitema, H.E.A. et al. Пластиковые транзисторы в дисплеях с активной матрицей. Природа 414 , 599 (2001).

    КАС Google ученый

  • Нода, М. и др. 47.3: Сворачиваемый дисплей AM-OLED, управляемый OTFT. Симптом SID. Копать землю. Тех. Пап. 41 , 710 (2010).

    КАС Google ученый

  • Инь, Д. и др. Эффективные и механически прочные органические светоизлучающие устройства, способные растягиваться с помощью программируемого лазером процесса изгиба. Нац. коммун. 7 , 11573 (2016).

    КАС Google ученый

  • Лян, Дж. и др. Перколяционная сеть из серебряных нанопроволок, спаянная с оксидом графена при комнатной температуре, и ее применение для полностью растяжимых полимерных светоизлучающих диодов. ACS Nano 8 , 1590–1600 (2014).

    КАС Google ученый

  • Ким Т., Ли, Х., Джо, В., Ким, Т.-С. & Yoo, S. Реализация растягиваемых OLED: гибридная платформа, основанная на массивах жестких островков на двухслойной структуре, снимающей напряжение. Доп. Матер. Технол. 5 , 2000494 (2020).

    КАС Google ученый

  • Мисима Т., Абэ Н., Танака К. и Таки Х. На пути к созданию мобильной системы с датчиками RFID дальнего действия. Конф. IEEE. киберн. Интел. Сист. 2 , 960–965 (2004).

    Google ученый

  • Саранган В., Деварапалли М. Р. и Радхакришнан С. Платформа для быстрого считывания RFID-меток в стационарных и мобильных средах. Вычисл. сеть 52 , 1058–1073 (2008).

    Google ученый

  • Simplot-Ryl, D., Stojmenovic, I., Micic, A. & Nayak, A. Гибридный рандомизированный протокол для идентификации меток RFID. Сенсор. 26 , 147–154 (2006).

    Google ученый

  • Jung, M. et al. Одноразрядная радиочастотная метка с частотой 13,56 МГц на пластиковой пленке, полностью напечатанная и распечатываемая с рулона. IEEE Trans. Электронное устройство 57 , 571–580 (2010).

    КАС Google ученый

  • Ян, Л., Рида, А., Вьяс, Р. и Тенцерис, М. М. Метки RFID и структуры RF на бумажной подложке с использованием технологии струйной печати. IEEE Trans. Микров. Теория 55 , 2894–2901 (2007).

    Google ученый

  • Трунг, Т. К., Рамасундарам, С., Хванг, Б.-У. и Ли, Н.-Э. Полностью эластомерный прозрачный и эластичный датчик температуры для носимой электроники, прикрепляемой к телу. Доп. Матер. 28 , 502–509 (2015).

    Google ученый

  • Рим Ю.С., Бэ, С.-Х., Чен, Х., Де Марко, Н. и Ян, Ю. Недавний прогресс в области материалов и устройств для создания печатаемых и гибких датчиков. Доп. Матер. 28 , 4415–4440 (2016).

    КАС Google ученый

  • Someya, T., Dodabalapur, A., Huang, J., See, KC & Katz, H.E. Химическое и физическое определение с помощью органических полевых транзисторов и связанных с ними устройств. Доп. Матер. 22 , 3799–3811 (2010).

    КАС Google ученый

  • Zang, Y., Huang, D., Di, C. & Zhu, D. Органические транзисторы, разработанные для гибких сенсорных приложений. Доп. Матер. 28 , 4549–4555 (2016).

    КАС Google ученый

  • Huang, W. et al. Высокочувствительное обнаружение Nh4 на основе органических полевых транзисторов с трис(пентафторфенил)бораном в качестве рецептора. Дж. Ам. хим. соц. 134 , 14650–14653 (2012).

    КАС Google ученый

  • Huang, J. et al. Прямое обнаружение разбавленных твердых химических веществ с помощью чувствительных боковых органических диодов. Дж. Ам. хим. соц. 139 , 12366–12369 (2017).

    КАС Google ученый

  • Ли, Л. и др. Высокоэффективные полевые датчики аммиака на основе структурированной сверхтонкой органической полупроводниковой пленки. Доп. Матер. 25 , 3419–3425 (2013).

    КАС Google ученый

  • Ши В., Го Ю. и Лю Ю. Когда гибкие органические полевые транзисторы встречаются с биомиметикой: перспективный взгляд на Интернет вещей. Доп. Матер. 32 , 1

  • 3 (2019).

    Google ученый

  • Ян, Ф. и др. Поликристаллические полевые транзисторы, чувствительные к ионам кремния. Заяв. физ. лат. 86 , 053901 (2005).

    Google ученый

  • Furusawa, H. et al. Обнаружение 1,5-ангидроглюцита как биомаркера диабета с помощью биосенсора на основе органического полевого транзистора. Технологии 6 , 77 (2018).

    Google ученый

  • Элкингтон, Д., Белчер, В. Дж., Дастуор, П. К. и Чжоу, X.J. Определение концентрации глюкозы в слюне с использованием органических тонкопленочных транзисторов. Заяв. физ. лат. 105 , 043303 (2014).

    Google ученый

  • Roberts, M.E. et al. Водостойкие органические транзисторы и их применение в химических и биологических сенсорах. Проц. Натл акад. науч. США 105 , 12134–12139 (2008 г.).

    КАС Google ученый

  • Робертс, М.Э., Маннсфельд, С.Б., Столтенберг, Р.М. и Бао, З. Гибкие химические датчики на основе пластиковых транзисторов. Орг. Электрон. 10 , 377–383 (2009).

    КАС Google ученый

  • Ji, T., Rai, P., Jung, S. & Varadan, V.K. Оценка in vitro гибких сенсоров на органических полевых транзисторах, чувствительных к pH и ионам калия. Заяв. физ. лат. 92 , 233304 (2008 г.).

    Google ученый

  • Фейли Д., Шуэттлер М., Доэрг Т., Каммер С. и Штиглиц Т. Инкапсуляция органических полевых транзисторов для гибких биомедицинских микроимплантатов. Датчики Актив. физ. 120 , 101–109 (2005).

    КАС Google ученый

  • Huang, X., Ji, D., Fuchs, H., Hu, W. & Li, T. Последние достижения в области органических фототранзисторов: полупроводниковые материалы, структуры устройств и оптоэлектронные приложения. ChemPhotoChem 4 , 3 (2019).

    Google ученый

  • Рим, Ю. С. и др. Сверхвысокая и широкая спектральная фотодетектирующая способность органо-неорганического гибридного фототранзистора для гибкой электроники. Доп. Матер. 27 , 6885–6891 (2015).

    КАС Google ученый

  • Баег К.-Дж., Бинда М., Натали Д., Кайрони М. и Нох Ю.-Ю. Детекторы органического света: фотодиоды и фототранзисторы. Доп. Матер. 25 , 4267–4295 (2013).

    КАС Google ученый

  • Роджерс Дж. А., Сомея Т. и Хуанг Ю. Материалы и механика для растягиваемой электроники. Наука 327 , 1603–1607 (2010).

    КАС Google ученый

  • Chen, Y., Chu, Y., Wu, X., Ou-Yang, W. & Huang, J. Высокопроизводительные неорганические перовскитные квантовые точки и органические полупроводниковые гибридные фототранзисторы. Доп. Матер. 29 , 1704062 (2017).

    Google ученый

  • Цзоу, К. и др. Высокочувствительный УФ-вид-БИК полностью неорганический перовскитный фототранзистор с квантовыми точками на основе слоистого гетероперехода. Доп. Опц. Матер. 6 , 1800324 (2018).

    Google ученый

  • Лигуори Р., Шитс В. К., Факкетти А. и Рубино А.Световые и смещающие эффекты в тонкопленочных фототранзисторах на основе пентацена с фотоотверждаемым полимерным диэлектриком. Орг. Электрон. 28 , 147–154 (2016).

    КАС Google ученый

  • Gu, P., Yao, Y., Feng, L., Niu, S. & Dong, H. Последние достижения в области полимерных фототранзисторов. Полим. хим. 6 , 7933–7944 (2015).

    КАС Google ученый

  • Шокли, В., Спаркс, М. и Тил, Г.К. Транзисторы с p-n переходом. Физ. 83 , 151–162 (1951).

    Google ученый

  • Ли, М. и др. Фенантрен конденсированный тиадиазолохиноксалиновый донорно-акцепторный полимер для применения в фототранзисторах. Хим. Матер. 27 , 2218–2223 (2015).

    КАС Google ученый

  • Лю, Ю. и др.Высокоэффективные фотопереключатели на основе гибких и аморфных полимерных нанопроволок D-A. Малый 9 , 294–299 (2012).

    Google ученый

  • Zhu, M. et al. Усиленный ближний инфракрасный фотоотклик органических фототранзисторов на основе однокомпонентных донорно-акцепторных сопряженных полимерных нанопроволок. Nanoscale 8 , 7738–7748 (2016).

    КАС Google ученый

  • Ли, К.и другие. Последние достижения в области одномерных органических гетеропереходов p – n для применения в оптоэлектронных устройствах. Дж. Матер. хим. C 4 , 9388–9398 (2016).

    КАС Google ученый

  • Се, К. и Ян, Ф. Перовскит/поли(3-гексилтиофен)/графен фототранзисторы с мультигетеропереходом со сверхвысоким коэффициентом усиления в широкополосном диапазоне длин волн. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 9 , 1569–1576 (2017).

    КАС Google ученый

  • Ю. Ю. и др. Широкополосный фототранзистор на основе перовскита Ch4Nh4PbI3 и гетероперехода с квантовыми точками PbSe. J. Phys. хим. лат. 8 , 445–451 (2017).

    КАС Google ученый

  • Trung, T. Q. et al. Всенаправленно растягиваемый фотоприемник на основе органо-неорганических гетеропереходов. Приложение ACSМатер. Интерфейсы 9 , 35958–35967 (2017 г.).

    КАС Google ученый

  • Лю, К. и др. Электроды Ван-дер-Ваальса с гетеропереходом на основе углеродных нанотрубок для высокоэффективных органических фотоэлектрических транзисторов с внутренней способностью растягиваться. Гигант 7 , 100060 (2021).

    КАС Google ученый

  • Chow, P.C.Y. et al.Органический фототранзистор с двойным затвором и линейным фотооткликом с высоким коэффициентом усиления. Нац. коммун. 9 , 4546 (2018).

    Google ученый

  • Wang, H. et al. Струйная печать короткоканальных полимерных транзисторов с высокими характеристиками и сверхвысокой фоточувствительностью. Доп. Матер. 26 , 4683–4689 (2014).

    КАС Google ученый

  • Чжан Г.и другие. Высокопроизводительные органические фототранзисторы с вертикальной структурой. IEEE Trans. Электронное устройство 6 , 1–4 (2019).

    Google ученый

  • Демчишин С. и др. Разработка сверхгибких детекторов рентгеновского излучения на основе перовскита с помощью разработки интерфейсов. Доп. науч. 7 , 2002586 (2020).

    КАС Google ученый

  • Чу Ю.и другие. Фоточувствительные и гибкие органические полевые транзисторы на основе эффекта захвата интерфейса и их применение в массиве двумерных изображений. Доп. науч. 3 , 1500435 (2016).

    Google ученый

  • Lee, M.Y. et al. Очень гибкие фототранзисторы из органических нановолокон, изготовленные на основе текстильного композита, для носимых фотодатчиков. Доп. Функц. Матер. 26 , 1445–1453 (2016).

    КАС Google ученый

  • Баэг, К.-J., Noh, Y.-Y., Ghim, J., Lim, B. & Kim, D.-Y. Влияние полярности электретов полимерных затворов на энергонезависимую память органических полевых транзисторов. Доп. Функц. Матер. 18 , 3678–3685 (2008).

    КАС Google ученый

  • Чоу, Ю.-Х., Чанг, Х.-К., Лю, К.-Л. и Чен, В.-К. Полимерные электреты для накопления заряда для устройств памяти на энергонезависимых органических полевых транзисторах. Полим. хим. 6 , 341–352 (2015).

    КАС Google ученый

  • Ни, Ю., Ван, Ю. и Сюй, В. Недавний процесс гибкой памяти с транзисторной структурой. Малый 4 , 12 (2020).

    Google ученый

  • Хан, С. Т., Йе, З. и Рой, В. К разработке гибких энергонезависимых запоминающих устройств. Доп. Матер. 25 , 5425–5449 (2013).

    КАС Google ученый

  • Ли, С., Seong, H., Im, S.G., Moon, H. & Yoo, S. Органическая флэш-память на различных гибких подложках для складной и одноразовой электроники. Нац. коммун. 8 , 725 (2017).

    Google ученый

  • Кан М., Баег К.-Дж., Хим Д., Нох Ю.-Ю. и Ким, Д.-Ю. Печатная, гибкая, органическая нанопамять с плавающим затвором: влияние металлических наночастиц и блокирующих диэлектриков на характеристики памяти. Доп. Функц.Матер. 23 , 3503–3512 (2013).

    КАС Google ученый

  • Леонг В.Л. и др. Применение энергонезависимой органической памяти благодаря синтезу на месте наночастиц золота в самособирающемся блок-сополимере. Доп. Матер. 20 , 2325–2331 (2008).

    КАС Google ученый

  • Zhang, L. et al. Гибкие массивы изображений большой площади, построенные из органической памяти, заряжаемой светом. Науч. Респ. 3 , 1080 (2013).

    Google ученый

  • Ву, К., Ван, В. и Сонг, Дж. Высокопроизводительная энергонезависимая память на органических транзисторах с верхним затвором и разделенными молекулярными микродоменами с плавающим затвором. IEEE Электрон. Устройство Летт. 38 , 641–644 (2017).

    КАС Google ученый

  • Ли, Дж.& Yan, F. Обрабатываемые решением низковольтные и гибкие запоминающие устройства с плавающим затвором на основе полимерного полупроводника n-типа и полимерных диэлектриков затвора с высоким значением κ. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 6 , 12815–12820 (2014 г.).

    КАС Google ученый

  • Хан С.-Т. и другие. Послойно собранная гибридная структура с двойным плавающим затвором из восстановленного оксида графена и наночастиц золота для низковольтной гибкой флэш-памяти. Доп. Матер. 25 , 872–877 (2012).

    Google ученый

  • Парк, Ю.-С. и Ли, Дж.-С. Разработка эффективного слоя улавливания заряда со встроенным туннельным барьером для надежной памяти на органических транзисторах. Доп. Матер. 27 , 706–711 (2014).

    Google ученый

  • Линг, К.-Д. и другие. Полимерные электронные запоминающие устройства: материалы, устройства и механизмы. Прог. Полим. науч. 33 , 917–978 (2008).

    КАС Google ученый

  • Guo, Y. et al. Высокопроизводительные фототранзисторы на основе органических микролент, изготовленных методом самосборки в растворе. Доп. Функц. Матер. 20 , 1019–1024 (2010).

    КАС Google ученый

  • Линг Х. и др. Синергетические эффекты самолегированных наноструктур как элементов улавливания заряда в органической памяти полевых транзисторов. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 8 , 18969–18977 (2016 г.).

    КАС Google ученый

  • Ю, А.-Д. и другие. Многоуровневая энергонезависимая гибкая органическая память на полевых транзисторах с использованием полиимидных электретов с различными эффектами переноса заряда. Макромоль. Быстрое общение. 35 , 1039–1045 (2014).

    КАС Google ученый

  • Хван С.К., Бэ, И., Ким, Р. Х. и Парк, К. Гибкая энергонезависимая память сегнетоэлектрического полимера с многоуровневой операцией, управляемой затвором. Доп. Матер. 24 , 5910–5914 (2012).

    КАС Google ученый

  • Цай М.-Ф. и другие. Гибкий сегнетоэлектрический транзистор на основе оксидной гетероэпитаксии. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 11 , 25882–25890 (2019 г.).

    КАС Google ученый

  • Сюй Т., Xiang, L., Xu, M., Xie, W. & Wang, W. Превосходный низковольтный рабочий гибкий ферроэлектрический органический транзистор с энергонезависимой памятью с ультратонкой ферроэлектрической пленкой. Науч. Респ. 7 , 8890 (2017).

    Google ученый

  • Изюмская Н. и др. Обработка, структура, свойства и применение тонких пленок ЦТС. Крит. Rev. Solid State 32 , 111–202 (2007).

    КАС Google ученый

  • Сигер, К.Х., Макинтайр, округ Колумбия, Уоррен, В.Л. и Таттл, Б.А. Захват заряда и поведение устройства в сегнетоэлектрической памяти. Заяв. физ. лат. 68 , 2660–2662 (1996).

    КАС Google ученый

  • Naber, R.C.G. et al. Высокопроизводительные полимерные сегнетоэлектрические полевые транзисторы, обработанные раствором. Нац. Матер. 4 , 243–248 (2005).

    КАС Google ученый

  • Асади К., де Леу, Д.М., де Бур, Б. и Блом, П.В.М. Органические энергонезависимые запоминающие устройства из сегнетоэлектрических смесей с фазовым разделением. Нац. Матер. 7 , 547–550 (2008).

    КАС Google ученый

  • Баэг, К.-Дж. и другие. Заметное улучшение транспорта дырок в полимерных полевых транзисторах n-типа с верхним затвором за счет диэлектрика с высоким k для амбиполярных электронных схем. Доп. Матер. 24 , 5433–5439 (2012).

    КАС Google ученый

  • Кодама Х., Такахаши Ю. и Фурукава Т. Влияние отжига на структуру и характеристики переключения сополимеров ВДФ/ТрФЭ. Сегнетоэлектрики 203 , 433–455 (1997).

    КАС Google ученый

  • Хан, М. А. и др. Высокоэффективная сегнетоэлектрическая память на основе фазово-разделенных пленок полимерных смесей. Доп. Функц. Матер. 24 , 1372–1381 (2013).

    Google ученый

  • Чжоу Ю., Хань С.-Т., Сюй З.-Х. & Рой, В.А.Л. Явление перестраиваемой зарядки, вызванное деформацией и температурой, в гибких массивах памяти малой мощности с монослоем наночастиц золота. Наномасштаб 5 , 1972–1979 (2013).

    КАС Google ученый

  • Ху Д., Wang, X., Chen, H. & Guo, T. Высокопроизводительная гибкая энергонезависимая память на основе вертикального органического тонкопленочного транзистора. Доп. Функц. Матер. 27 , 1703541 (2017).

    Google ученый

  • Wang, X. et al. Недавний прогресс в электронной коже. Доп. науч. 2 , 1500169 (2015).

    Google ученый

  • Лампкин, Э.А. и Катерина, М.Дж. Механизмы сенсорной передачи в коже. Природа 445 , 858–865 (2007).

    КАС Google ученый

  • Панг, К. и др. Гибкий и высокочувствительный тензометрический датчик, использующий обратимую блокировку нановолокон. Нац. Матер. 11 , 795–801 (2012).

    КАС Google ученый

  • Гамак, М.Л. и др. Статья, посвященная 25-летию: Эволюция электронной кожи (E-skin): краткая история, особенности дизайна и последние достижения. Доп. Матер. 25 , 5997–6038 (2013).

    КАС Google ученый

  • Чортос, А., Лю, Дж. и Бао, З. В поисках протеза электронной кожи. Нац. Матер. 15 , 937–950 (2016).

    КАС Google ученый

  • Ли, Дж.и другие. Сверхчувствительный текстильный датчик давления на основе проводящего волокна для носимой электроники. Доп. Матер. 27 , 2433–2439 (2015).

    КАС Google ученый

  • Ку, Дж. Х., Ким, Д. К., Шим, Х. Дж., Ким, Т. Х. и Ким, Д.-Х. Гибкий и растягивающийся интеллектуальный дисплей: материалы, изготовление, конструкция устройства и системная интеграция. Доп. Функц. Матер. 28 , 1801834 (2018).

    Google ученый

  • Ким Дж.и другие. Эластичная электроника на основе кремниевых нанолент для кожных протезов. Нац. коммун. 5 , 5747 (2014).

    КАС Google ученый

  • Лян, Дж., Тонг, К. и Пей, К. Чернила для трафаретной печати на основе серебряных нанопроводов на водной основе для изготовления растягиваемых проводников и пригодных для носки тонкопленочных транзисторов. Доп. Матер. 28 , 5986–5996 (2016).

    КАС Google ученый

  • Молина-Лопес, Ф.и другие. Напечатанная на струйной печати растяжимая и низковольтная синаптическая транзисторная матрица. Нац. коммун. 10 , 2676 (2019).

    КАС Google ученый

  • Benight, S.J., Wang, C., Tok, J.B.H. & Bao, Z. Растяжимые и самовосстанавливающиеся полимеры и устройства для электронной кожи. Прог. Полим. науч. 38 , 1961–1977 (2013).

    КАС Google ученый

  • Ли, К.-ЧАС. и другие. Автономный самовосстанавливающийся эластомер с высокой эластичностью. Нац. хим. 8 , 618–624 (2016).

    КАС Google ученый

  • Ли, К. и др. Интегрированная низковольтная система на органических полевых транзисторах с датчиком ионов на пластике. IEEE Электрон. Устройство Летт. 39 , 591–594 (2018).

    КАС Google ученый

  • Лин, П., Ян, Ф., Ю, Дж., Чан, Х.Л.В. и Ян, М. Применение органических электрохимических транзисторов в клеточных биосенсорах. Доп. Матер. 22 , 3655–3660 (2010).

    КАС Google ученый

  • Иримия-Владу, М. и др. Биосовместимые и биоразлагаемые материалы для органических полевых транзисторов. Доп. Функц. Матер. 20 , 4069–4076 (2010).

    КАС Google ученый

  • Ван З.Л., Чен Дж. и Лин Л. Прогресс в области трибоэлектрических наногенераторов как новой энергетической технологии и датчиков с автономным питанием. Энергетика Окружающая среда. науч. 8 , 2250–2282 (2015).

    КАС Google ученый

  • Пан, К. и др. Генерация электричества из биожидкости с помощью биотопливного элемента на основе нанопроволоки для наноустройств с автономным питанием. Доп. Матер. 22 , 5388–5392 (2010).

    КАС Google ученый

  • Применение полевых транзисторов

    Полевые транзисторы (FET) используются в качестве

    Аналоговых переключателей

    Применение полевых транзисторов в качестве переключателей в аналоговых схемах является прямым следствием их режима работы.Это связано с тем, что когда напряжение затвор-исток, V GS , равно нулю, n-канальный полевой транзистор будет работать в области насыщения и будет действовать как (почти) короткое замыкание. Таким образом, выходное напряжение будет равно нулю (рис. 1). С другой стороны, если между выводами затвора и истока приложено отрицательное напряжение, т. е. если V GS отрицательное, то полевой транзистор работает в области отсечки или отсечки. Это означает, что в этом случае полевой транзистор ведет себя как разомкнутая цепь и ток стока I D будет равен нулю.Из-за этого напряжение на сопротивлении нагрузки R D будет равно нулю, что приведет к тому, что V DD появится на уровне V 0 .
    Это свойство JFET вести себя как переключатель можно использовать для разработки аналогового мультиплексора, как показано на рис. 2.

    Здесь каждый входной сигнал (Сигнал 1, Сигнал 2, … Сигнал n) проходит через выделенный JFET (T 1 , T 2 , … T n ) перед подключением к выходной клемме, V 0 .Здесь только один сигнал из множества входных сигналов появится на выходной клемме в зависимости от напряжения VGS на клеммах затвора полевых транзисторов.

    Например, если V GS2 имеет отрицательное значение, а все остальные источники питания V GS равны нулю, то выходной сигнал будет сигналом 2.
    Кроме того, свойство переключения биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) используется в катушки зажигания двигателя внутреннего сгорания, которые требуют возможности быстрого переключения и блокировки напряжения.

    Усилители

    Полевые транзисторы с переходом (JFET) используются в каскаде усиления, который изолирует предыдущий каскад от следующего каскада и, таким образом, действует как буферный усилитель (рис. 3). Это связано с тем, что полевые транзисторы JFET имеют очень высокий входной импеданс, из-за чего предыдущий каскад будет слабо нагружен, в результате чего весь выходной сигнал каскада 1 появится на входе буфера.

    Кроме того, весь выходной сигнал буфера может отображаться на входе каскада 2 с использованием JFET в конфигурации с общим стоком из-за предлагаемого низкого выходного импеданса.Это даже означает, что буферные усилители способны управлять большими нагрузками или малыми сопротивлениями нагрузки.

    Полевые транзисторы имеют низкий уровень шума по сравнению с транзисторами с биполярным переходом (BJT). Это делает его полезным компонентом для использования в качестве усилителя на входе приемника, поскольку требуется минимальное количество шума на конечном выходе. Кроме того, следует отметить, что полевые транзисторы JFET представляют собой устройства, управляемые напряжением, что делает их идеальными для использования в качестве радиочастотных (РЧ) усилителей. Причина этого в том, что ожидается, что ВЧ-усилитель будет реагировать соответствующим образом, даже когда антенны на стороне приемника принимают слабые сигналы (сигналы с очень низким уровнем тока).
    Усилитель на полевых транзисторах в конфигурации с общим истоком (CS) можно использовать для управления другим усилителем на полевых транзисторах в конфигурации с общим затвором, образуя каскодный усилитель, как показано на рис. 4. Хотя коэффициент усиления каскадного усилителя такой же, как и у усилителя CS, его входная емкость значительно ниже, чем у усилителя CS. Кроме того, усилитель Cascade имеет очень высокое сопротивление на входе.

    Генератор фазового сдвига

    Полевые транзисторы JFET имеют высокий импеданс на входных клеммах, что снижает влияние нагрузки.Кроме того, их можно соответствующим образом использовать для выполнения как функций усиления, так и функций обратной связи. Такая природа полевых транзисторов делает их подходящими для использования в схемах генераторов с фазовым сдвигом, как показано на рис. 5. VDC преобразуется в переменное напряжение с тем же уровнем амплитуды, VAC. Это связано с тем, что прямоугольная форма волны напряжения, применяемая в качестве VGS, заставляет JFET работать в областях отсечки и насыщения попеременно.Такие схемы прерывателя помогают преодолеть проблему дрейфа, которая существует в случае усилителей с прямой связью.

    Ограничитель тока

    N-канальный JFET, у которого клемма Gate закорочена на клемму Source, действует как ограничитель тока. Это означает, что при таком расположении полевые транзисторы позволяют току через них повышаться только до определенного уровня, после чего он поддерживается постоянным, независимо от колебаний уровня напряжения. Эти ограничители тока являются неотъемлемой частью диодов постоянного тока или диодов с регулятором тока.
    Помимо этого, полевые транзисторы широко используются в интегральных схемах (ИС) благодаря их компактным размерам. Они используются в схемах смесителей ТВ и ЧМ приемников из-за низких интермодуляционных искажений. Кроме того, полевые транзисторы также используются в качестве резисторов с переменным напряжением в операционных усилителях, схемах регулировки тембра и конструкции вольтметров с полевыми транзисторами. JFET также можно использовать для разработки схем таймера, поскольку они обеспечивают высокую изоляцию между выводами затвора и стока. Кроме того, полевые транзисторы JFET также находят свое применение в таких областях, как цифровая электроника и волоконно-оптические системы.

    Патенты класса 331/112

    Совпадение Документ Название документа
    1 8294528 Широкополосный многорежимный ГУН
    ГУН включает резонатор на основе трансформатора, который имеет первый резервуар LC и второй резервуар LC.Резонатор имеет четную резонансную моду и нечетную резонансную моду. ГУН дополнительно включает активный…
    2 5225972 Источник питания
    Источник питания, приводящий в действие электрическое устройство, включает в себя источник питания постоянного тока, обеспечивающий выпрямленное и сглаженное напряжение постоянного тока от сети переменного тока, автогенератор, питаемый от источника питания постоянного тока…
    3 5159540 Высокоэффективный преобразователь напряжения с насыщающимся сердечником
    Автоколебательный преобразователь постоянного напряжения в постоянное с повышенным КПД. Высокоэффективный преобразователь 100 напряжения сердечника с насыщением по настоящему изобретению обеспечивает выходное напряжение через…
    4 5130609 Осветительное устройство с газонаполненными камерами
    Источник света с двумя потенциальными выводами, катушка трансформатора, имеющая первичную обмотку, состоящую из двух обмоток, и вторичный транзистор, причем первый потенциальный вывод соединен с первым…
    5 5053727 Схема подключения генератора к электрической нагрузке
    Цепь, содержащая генератор с нагрузкой, связанной с ним посредством, по крайней мере, одного элемента связи, зависящего от напряжения, который имеет высокое полное сопротивление при относительно низких напряжениях и низкой…
    6 4984145 Схемная схема импульсного источника питания с автономным блокирующим генератором
    Схемная схема импульсной силовой установки типа блокирующего генератора свободного хода включает средства управления широтно-импульсной модуляцией привода электрического переключающего элемента.Средства управления…
    7 4960125 Аппарат для низкочастотной электротерапии во влажной среде
    Раскрыто новое устройство для низкочастотной электротерапии, в котором влагостойкий переменный резистор используется для управления выходным уровнем низкочастотной двухфазной цепи потенциала действия….
    8 4960124 Аппарат для низкочастотной электротерапии
    Устройство для низкочастотной электротерапии, в котором выходной ток низкочастотного генератора подается на тело субъекта через пару электродов, размещенных на теле субъекта…
    9 4

    1
    Схема управления блокирующим генератором
    Изобретение относится к блокировочному колебательному преобразователю для передачи энергии от источника питания, например аккумуляторной батареи автомобиля, к накопителю, например накопительному конденсатору в…
    10 4882663 MOSFET обратноходовой преобразователь
    В обратноходовом преобразователе 15-амперный N-канальный полевой МОП-транзистор приводится в насыщение за счет напряжения затвора, полученного путем подключения затвора к относительно высокому (150 вольт) напряжению B+ посредством a…
    11 4818953 Улучшение осциллятора
    Усовершенствованная схема генератора для предотвращения насыщения сердечника без необходимости использования дополнительных магнитных устройств использует эмиттерное сопротивление для регулирования напряжения базы и полупроводниковую базу…
    12 4775821 Преобразователь постоянного напряжения в постоянное с переменным входным напряжением и регулятором тока привода на переключающем транзисторе
    Преобразователь постоянного тока в постоянный включает спаренный индуктор, имеющий первичную обмотку и обмотку обратной связи.Схема регулятора тока привода получает переменное входное напряжение от обмотки обратной связи…
    13 4745535 Преобразователь постоянного тока в постоянный с вызывным дросселем
    Преобразователь постоянного тока в постоянный с вызывным дросселем, содержащий трансформатор, имеющий первичную обмотку, вторичную обмотку и обмотку обратной связи, входной источник постоянного тока, подключенный через транзистор к…
    14 4737898 Несимметричный автоколебательный преобразователь постоянного тока с регулированием и запретом управления
    Транзисторный генератор вырабатывает на вторичной обмотке трансформатора выходные импульсы с шириной импульса, которая зависит от накопленного заряда в базе транзистора,…
    15 4704561 Двухтактный генератор
    Двухтактный генератор с драйверным каскадом и двухтактным выходным каскадом.В базовой линии каждого вывода предусмотрено параллельное соединение резистора (R3, R4) с управляющим транзистором (Т3, Т4)…
    16 4611150 Инвертор, чувствительный к нагрузке, для электролюминесцентной лампы
    Инвертор для подачи питания на электролюминесцентную лампу, который оптимизирует светоотдачу в течение всего срока службы лампы, включает генератор и датчик обратной связи по напряжению для измерения напряжения…
    17 4593347 Импульсный источник питания блокирующего генератора
    Усовершенствованный блокировочный генератор импульсного источника питания, который защищен от повышения напряжения на первичной стороне трансформатора импульсного источника питания, возникающего в…
    18 4564820 Преобразователь блок-генератора с управляющей логической системой
    Преобразователь блокирующего генератора с управляющей логической системой имеет генератор, который в активном состоянии блокирует управление переключающим транзистором преобразователя, а значит, и питание…
    19 4524411 Схема регулируемого источника питания
    В регулируемом импульсном блоке питания телевизионного приемника используется высоковольтный силовой трансформатор. Первичная обмотка трансформатора, возбуждаемая по сигналу с широтно-импульсной модуляцией,…
    20 4464613 Блокирующий осциллятор для возвратно-поступательного электромагнитного привода
    Блокирующий генератор для возвратно-поступательного электромагнитного привода, имеющий соленоидную катушку, детекторную катушку для выработки управляющего сигнала в ответ на заряд в генерируемом магнитном поле…
    21 4459653 Трансформатор с апертурой и инвертор с использованием одного и того же
    Трансформатор бифлюсового типа для использования в статическом инверторе использует сердечник типа EE или оболочечный. Такая конфигурация особенно подходит для балластных ламп, так как она сводит к минимуму поток рассеяния…
    22 4447776 Импульсный драйвер для феррозондового магнитометра
    Схема драйвера феррозондового магнитометра имеет регулировку частоты повторения, не зависящую от индуктивности обмотки сердечника магнитометра, и интервал включения тока, ограниченный только насыщением сердечника….
    23 4443838 Регулируемый несимметричный автоколебательный преобразователь постоянного тока в постоянный
    Импульсный регулятор с блокирующим генератором на транзисторе и трансформатором с первичной, вторичной и положительной обмотками обратной связи. Цепь выпрямительно-сглаживающая…
    24 4443839 Несимметричный резонансный преобразователь постоянного тока с независимым приводом
    Несимметричный резонансный преобразователь постоянного тока с независимым приводом, включающий в себя трансформатор, конденсатор, подключенный параллельно первичной обмотке трансформатора, и подключенный переключающий транзистор…
    25 4417217 Цепь питания разрядного элемента блока датчиков пожарной сигнализации разрядного типа
    Цепь питания разрядного элемента датчика пожарной сигнализации разрядного типа, включающая разрядный элемент, при этом цепь питания подает напряжение питания на разрядный…
    26 4404497 Источник питания
    Настоящее изобретение относится к устройству источника питания, которое содержит, по существу, схему источника питания, схему преобразователя напряжения для преобразования напряжения постоянного тока из постоянного…
    27 4384254 Цепь генератора/драйвера для феррозондового магнитометра
    Схема генератора/возбудителя с низким энергопотреблением, включающая транзисторный привод и подключенные к нему управляющие обмотки, намотанные на магнитном сердечнике, пригодном для использования в феррозондах…
    28 4379253 Декоративная лампа, способ и устройство для ее работы
    Декоративная лампа, которая включает в себя светопропускающую оболочку, содержащую жидкость, такую ​​как инертный газ или воздух, и по крайней мере один электрод, расположенный внутри или вне указанной оболочки и приложенный высоко…
    29 4378585 Свободнодействующий преобразователь типа блокирующего генератора
    Автономный преобразователь типа блокирующего генератора для создания управляемого выходного сигнала. Преобразователь снабжен первичной обмоткой трансформатора, переключающим транзистором и…
    30 4363005 Схема питания блокирующего генератора с энергосбережением
    Схема источника питания для схемы датчика разрядного типа, содержащая блокирующий генератор (1) и цепь обратной связи (2) для изменения периода колебаний блокирующего генератора (1)….
    31 4350971 Цепь для определения состояния изолированного контакта переключателя
    Система контроля давления в шинах включает настроенную цепь с чувствительным к давлению выключателем, который замыкается, когда давление в шинах нормальное, подключенным параллельно, настроенную цепь и переключатель…
    32 4330736 Балласт генератора с обратной связью по току для люминесцентных ламп и т.п.
    Источник питания для работы газоразрядных ламп и других нагрузок на высокой частоте, обычно использующий источник постоянного тока или источник выпрямленного переменного тока для получения высокочастотного выходного сигнала.Инвертор с…
    33 4322724 Электрические цепи низкого напряжения
    Электронное устройство представляет собой конструкцию, которая позволяет автономно питать передатчик от звукоснимателя без какого-либо другого источника питания. Устройство содержит не менее…
    34 4274044 Преобразователь постоянного тока в постоянный для зарядки аккумулятора с помощью солнечной батареи.
    Описан преобразователь постоянного тока типа блокирующего генератора для зарядки аккумулятора от солнечной батареи.Использование полевого транзистора позволяет запускать колебание напряжением…
    35 4268898 Полупроводниковая коммутационная схема с функциями фиксации и рекуперации энергии
    Схема для поддержания напряжения на быстро переключаемом полупроводниковом элементе, таком как транзистор, используемый в индуктивной цепи, по существу в два раза выше напряжения источника входного сигнала, когда…
    36 4258338 Генератор импульсов, генерирующий короткие импульсы сильного тока для применения к нагрузке с низким импедансом
    Настоящее изобретение относится к генератору импульсов для генерации коротких импульсов сильного тока с частотой повторения, которая практически не зависит от изменений потенциала источника,…
    37 4251753 Схема питания стробоскопа
    Цепь питания стробоскопа включает в себя преобразователь постоянного тока, который повышает низкое напряжение от d.в. источник на более высокое напряжение. Преобразователь содержит трансформатор колебаний, ПНП…
    38 4228382 Схема инвертора регулирования мощности
    Средство для регулирования мощности люминесцентной лампы в транспортном средстве, питающемся от источника постоянного тока, путем снабжения схемы управления транзистором генератора инвертора с регулируемым RC…
    39 4228405 Активируемый нагрузкой генератор нормально покоящихся сигналов
    Раскрыт новый компактный силовой генератор, который обычно находится в состоянии покоя, пока не подается нагрузка, для создания под нагрузкой уникальной формы волны, которая имеет уникальное применение для самозащиты…
    40 4223195 Импульсный трансформатор
    Предусмотрен импульсный трансформатор для срабатывания магнетрона в СВЧ-печи от низкого уровня d.в. управляющий сигнал. У повышающего трансформатора вторичная обмотка соединена с магнетронным симистором, а…
    41 4183080 Преобразователь постоянного тока в постоянный
    Преобразователь постоянного тока в постоянный с блокирующим генератором включает в себя первый трансформатор, который заряжается и обеспечивает обратную связь с переключающим транзистором на половине периода и разряжает накопленную энергию…
    42 4164706 Детектор положения вращения с блокирующим генератором на полевых транзисторах
    Устройство обнаружения вращения определяет угловое положение двигателя путем вращения от двигателя электропроводящего вращающегося элемента, имеющего множество равномерно расположенных выступов и…
    43 4084219 преобразователь постоянного тока в постоянный
    Преобразователь постоянного тока в постоянный включает в себя блокирующий генератор, на который подается вход постоянного тока от источника входного сигнала и который генерирует выходной сигнал, который выпрямляется выпрямителем.Преобразователь также…
    44 4082984 Электрическая вспышка с трансформатором с печатной катушкой
    Изобретение относится к усовершенствованному малогабаритному электрическому импульсному устройству, в котором трансформаторы его схемы преобразователя постоянного тока для получения высокого напряжения содержат печатную катушку или катушки, тем самым…
    45 RE29510 Высокоэффективный коммутационный привод для резонансного силового трансформатора
    Высокоэффективный импульсный привод для резонансного силового трансформатора, способный поддерживать постоянное выходное напряжение в широком диапазоне изменений напряжения источника при сохранении хорошего качества…
    46 4065733 Генератор блокировки на транзисторах, стабилизированный от изменений напряжения смещения и температуры
    Блокинг-генератор для управления якорем зуммера содержит транзистор, стабилизированный по отношению к изменениям температуры окружающей среды и колебаниям напряжения питания. Ядро это…
    47 4019114 Схемная схема незаземленной передачи сигналов через контрольные точки в средствах связи
    Схема для незаземленной передачи сигналов через контрольные точки в средствах связи с помощью высокочастотных колебаний.Колебания высокочастотные — это…
    48 4015609 Схема для маломощного источника малой энергии
    Преобразователь постоянного тока в постоянный с регулятором напряжения для преобразования источника низкого напряжения в постоянный ток более высокого уровня, включающий схему генератора с цепью пускового тока с низким сопротивлением,…
    49 4012644 Драйвер блокирующего генератора для СВЧ-запирающего ферритового устройства
    Предусмотрено фиксирующее микроволновое ферритовое устройство типа, связанного с микроволновыми линиями передачи, для выполнения фазового сдвига или переключения распространяемого микроволнового сигнала.Вождение…
    50 4001640 Фотостробоскоп с одним триггером
    Фотовспышка, в которой накопительный конденсатор лампы-вспышки заряжается только перед каждой экспозицией вспышки с помощью схемы управления зарядом, приводимой в действие кнопкой. Цепь управления…

    Полевой транзистор

    Мощный N-канальный полевой транзистор

    Полевой транзистор (FET) представляет собой транзистор, который использует электрическое поле для управления формой и, следовательно, проводимостью канала одного типа носителей заряда в полупроводниковом материале.Полевые транзисторы иногда называют униполярными транзисторами , чтобы противопоставить их работу с одной несущей и работу биполярных (переходных) транзисторов (BJT) с двумя несущими. Концепция полевого транзистора предшествует BJT, хотя физически она не была реализована до после BJT из-за ограничений полупроводниковых материалов и относительной простоты производства BJT по сравнению с полевыми транзисторами в то время.

    История

    Основная статья: История транзистора

    Принцип работы полевых транзисторов был впервые запатентован Юлиусом Эдгаром Лилиенфельдом в 1925 году и Оскаром Хейлом в 1934 году, но практические полупроводниковые устройства (JFET, полевой транзистор с обратным затвором) были разработаны намного позже после транзисторного эффекта. наблюдалась и объяснялась группой Уильяма Шокли в Bell Labs в 1947 году.MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник), который в значительной степени заменил JFET и оказал более глубокое влияние на развитие электроники, был впервые предложен Давоном Кангом в 1960 году. [1]

    Основная информация

    Полевые транзисторы

    являются устройствами с мажоритарным носителем заряда. Устройство состоит из активного канала, по которому большинство носителей заряда, электронов или дырок, текут от истока к стоку. Проводники выводов истока и стока соединены с полупроводником через омические контакты.Проводимость канала зависит от потенциала, приложенного к затвору. [2] [3]

    Три клеммы полевого транзистора: [4]

    • Источник (S), через который в канал поступает большинство несущих. Условный ток, поступающий в канал на S, обозначается I S .
    • Слив (D), через который большинство несущих покидают канал. Условный ток, поступающий в канал в точке D, обозначается I D .Напряжение сток-исток составляет V DS .
    • Гейт (G), терминал, который модулирует проводимость канала. Подачей напряжения на G можно управлять I D .

    Подробнее о клеммах

    Сечение полевого МОП-транзистора n-типа

    Все полевые транзисторы имеют затвор , сток и исток клеммы, которые примерно соответствуют база , коллектор и эмиттер биполярных транзисторов. Большинство полевых транзисторов также имеют четвертый вывод, называемый корпусом , основанием , объемом или подложкой . Этот четвертый вывод служит для включения транзистора; редко используется нетривиальное использование клеммы корпуса в схемах, но ее наличие важно при настройке физической схемы интегральной схемы. Размер затвора, длина L на схеме, это расстояние между истоком и стоком. Ширина — продолжение транзистора, на схеме перпендикулярно поперечному сечению. Как правило, ширина намного больше, чем длина ворот.Длина затвора 1 мкм ограничивает верхнюю частоту примерно до 5 ГГц, 0,2 мкм — примерно до 30 ГГц. Кроме того, полевые транзисторы используются реже, чем биполярные транзисторы.

    Названия клемм относятся к их функциям. Терминал ворот можно рассматривать как управляющий открытием и закрытием физических ворот. Этот затвор позволяет электронам проходить или блокирует их прохождение, создавая или устраняя канал между истоком и стоком. Электроны текут от клеммы истока к клемме стока, если на них воздействует приложенное напряжение.Тело просто относится к объему полупроводника, в котором находятся затвор, исток и сток. Обычно клемма корпуса подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, в зависимости от типа. Клемма корпуса и клемма истока иногда соединяются вместе, поскольку источник также иногда подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, однако есть несколько применений полевых транзисторов, которые не имеют такой конфигурации, например передающие затворы и каскодные схемы. .

    Работа полевого транзистора

    ВАХ и выходной график n-канального полевого транзистора JFET.

    Полевой транзистор управляет потоком электронов (или электронных дырок) от истока к стоку, влияя на размер и форму «проводящего канала», создаваемого и находящегося под влиянием напряжения (или отсутствия напряжения), приложенного к клеммам затвора и истока (для простота обсуждения, это предполагает, что тело и источник связаны). Этот проводящий канал представляет собой «поток», по которому электроны текут от истока к стоку.

    В n-канальном устройстве с режимом истощения отрицательное напряжение затвор-исток вызывает расширение области истощения в ширину и вторгается в канал с боков, сужая канал. Если область истощения расширяется, чтобы полностью закрыть канал, сопротивление канала от истока до стока становится большим, и полевой транзистор эффективно выключается, как переключатель. Точно так же положительное напряжение затвор-исток увеличивает размер канала и позволяет электронам легко течь.

    И наоборот, в n-канальном устройстве с расширенным режимом положительное напряжение затвор-исток необходимо для создания проводящего канала, поскольку он не существует в транзисторе естественным образом. Положительное напряжение притягивает свободно плавающие электроны внутри тела к затвору, образуя проводящий канал. Но сначала к затвору должно быть притянуто достаточное количество электронов, чтобы противодействовать ионам легирующей примеси, добавленным к корпусу полевого транзистора; это формирует область, свободную от мобильных носителей, называемую областью истощения, и это явление упоминается как пороговое напряжение полевого транзистора.Дальнейшее увеличение напряжения затвор-исток привлечет к затвору еще больше электронов, которые смогут создать проводящий канал от истока к стоку; этот процесс называется инверсией .

    Для устройств, работающих как в режиме расширения, так и в режиме истощения, при напряжениях сток-исток намного меньше, чем напряжения затвор-исток, изменение напряжения затвора изменит сопротивление канала, а ток стока будет пропорционален напряжению стока (см. напряжение источника). В этом режиме полевой транзистор работает как переменный резистор, и считается, что полевой транзистор работает в линейном режиме или в омическом режиме . [5] [6]

    Если напряжение сток-исток увеличивается, это создает значительное асимметричное изменение формы канала из-за градиента потенциала напряжения от истока к стоку. Форма области инверсии становится «защемленной» вблизи стокового конца канала. При дальнейшем увеличении напряжения сток-исток точка отсечки канала начинает смещаться от стока к истоку. Говорят, что полевой транзистор находится в режиме насыщения ; [7] некоторые авторы называют его активным режимом для лучшей аналогии с рабочими областями биполярного транзистора. [8] [9] Режим насыщения или область между омическим сопротивлением и насыщением используется, когда требуется усиление. Промежуточная область иногда считается частью омической или линейной области, даже если ток стока не является приблизительно линейным с напряжением стока.

    Несмотря на то, что проводящий канал, образованный напряжением затвор-исток, больше не соединяет исток со стоком в режиме насыщения, поток носителей не блокируется. Снова рассматривая n-канальное устройство, в корпусе p-типа существует обедненная область, окружающая проводящий канал и области стока и истока.Электроны, составляющие канал, могут свободно перемещаться из канала через обедненную область, если их притягивает к стоку напряжение сток-исток. Область обеднения свободна от носителей и имеет сопротивление, аналогичное кремнию. Любое увеличение напряжения сток-исток будет увеличивать расстояние от стока до точки отсечки, увеличивая сопротивление из-за области обеднения пропорционально приложенному напряжению сток-исток. Это пропорциональное изменение приводит к тому, что ток сток-исток остается относительно постоянным независимо от изменений напряжения сток-исток, что совершенно не похоже на работу в линейном режиме.Таким образом, в режиме насыщения полевой транзистор ведет себя как источник постоянного тока, а не как резистор, и его можно наиболее эффективно использовать в качестве усилителя напряжения. В этом случае напряжение затвор-исток определяет уровень постоянного тока через канал.

    Композиция

    Полевой транзистор может быть изготовлен из нескольких полупроводников, наиболее распространенным из которых является кремний. Большинство полевых транзисторов изготавливаются с использованием традиционных методов объемной обработки полупроводников с использованием монокристаллической полупроводниковой пластины в качестве активной области или канала.

    Среди наиболее необычных материалов для корпуса можно назвать аморфный кремний, поликристаллический кремний или другие аморфные полупроводники в тонкопленочных транзисторах или органических полевых транзисторах, которые основаны на органических полупроводниках и часто используют органические изоляторы затвора и электроды. Полевые транзисторы изготавливаются с использованием различных материалов, таких как карбид кремния (Sic), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN), арсенид индия-галлия (InGaAs). В июне 2011 года IBM объявила об успешном использовании полевых транзисторов на основе графена в интегральной схеме. [10] [11] Эти транзисторы имеют частоту среза 100 ГГц, что намного выше, чем у стандартных кремниевых полевых транзисторов [12] .

    Типы полевых транзисторов

    Полевые транзисторы обедненного типа при типичных напряжениях. JFET, поликремниевый MOSFET, MOSFET с двойным затвором, MOSFET с металлическим затвором, MESFET. истощение, электроны, дырки, металл, изолятор. Верх = источник, низ = сток, лево = ворота, право = основная часть. Напряжения, приводящие к образованию каналов, не показаны

    Канал полевого транзистора легирован для получения полупроводника N-типа или полупроводника P-типа.Сток и исток могут иметь легирование, противоположное каналу, в случае полевых транзисторов в режиме обеднения, или легирование того же типа, что и в канале, как в полевых транзисторах в режиме улучшения. Полевые транзисторы также отличаются способом изоляции между каналом и затвором. Типы полевых транзисторов:

    • CNTFET (полевой транзистор с углеродными нанотрубками)
    • DEPFET представляет собой полевой транзистор, сформированный на полностью обедненной подложке, и одновременно действует как датчик, усилитель и узел памяти.Его можно использовать в качестве датчика изображения (фотона).
    • DGMOSFET — это полевой МОП-транзистор с двойным затвором.
    • DNAFET — это специализированный полевой транзистор, который действует как биосенсор, используя ворота, сделанные из одноцепочечных молекул ДНК, для обнаружения совпадающих цепей ДНК.
    • FREDFET (Fast Reverse или Fast Recovery Epitaxial Diode FET) — это специализированный полевой транзистор, разработанный для обеспечения очень быстрого восстановления (выключения) внутреннего диода.
    • HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов), также называемый HFET (гетероструктурный полевой транзистор), может быть изготовлен с использованием конструкции запрещенной зоны в тройном полупроводнике, таком как AlGaAs.Полностью обедненный широкозонный материал образует изоляцию между затвором и корпусом.
    • IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) представляет собой устройство для управления мощностью. Он имеет структуру, аналогичную MOSFET, в сочетании с биполярным основным каналом проводимости. Они обычно используются в диапазоне рабочих напряжений сток-исток 200–3000 В. Мощные МОП-транзисторы по-прежнему являются предпочтительными устройствами для напряжений сток-исток от 1 до 200 В.
    • ISFET (ионочувствительный полевой транзистор), используемый для измерения концентрации ионов в растворе; когда концентрация ионов (например, H + , см. pH-электрод) изменяется, соответственно изменяется ток через транзистор.
    • JFET (переходной полевой транзистор) использует p-n переход с обратным смещением для отделения затвора от корпуса.
    • MESFET (полевой транзистор металл-полупроводник) заменяет p-n переход JFET барьером Шоттки; используется в GaAs и других полупроводниковых материалах III-V.
    • В MODFET (полевой транзистор с модуляционным легированием) используется структура с квантовыми ямами, сформированная путем постепенного легирования активной области.
    • В полевом транзисторе MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) используется изолятор (обычно SiO 2 ) между затвором и корпусом.

    Два острова n-типа на подложке p-типа. Между этими двумя n областями находится n-канал. Две n-области образуют терминалы истока и стока. Клемма затвора находится в изолированном слое SiO2. Существует проводимость без какого-либо напряжения на затворе.

    Д МОП-транзистор

    < [13] >

    Аналогичен типу истощения, но без n-канала.Следовательно, для проводимости требуется некоторое положительное напряжение затвора, которое притягивает электроны из p-области, которая проводит от истока к стоку.

    Е МОП-транзистор

    < [14] > [15]

    • NOMFET — полевой транзистор с органической памятью на основе наночастиц.[1]
    • OFET — это органический полевой транзистор, в канале которого используется органический полупроводник.
    • GNRFET — это полевой транзистор, в канале которого используется графеновая нанолента.
    • VeSFET (полевой транзистор с вертикальной щелью) представляет собой беспереходной полевой транзистор квадратной формы с узкой щелью, соединяющей исток и сток в противоположных углах. Двое ворот занимают другие углы и контролируют ток через щель. [2] [3]

    Преимущества FET

    Основным преимуществом полевого транзистора является его высокое входное сопротивление порядка 100 МОм и более. Таким образом, это устройство, управляемое напряжением, и демонстрирует высокую степень изоляции между входом и выходом.Это однополярное устройство, зависящее только от основного тока. Он менее шумный и поэтому используется в FM-тюнерах для тихого приема. Он относительно невосприимчив к радиации. Он не имеет напряжения смещения при нулевом токе стока и, следовательно, является отличным прерывателем сигнала. Обычно он имеет лучшую термическую стабильность, чем BJT. [4]

    Недостатки полевого транзистора

    Он имеет относительно низкое произведение коэффициента усиления на полосу пропускания по сравнению с BJT. Недостатком MOSFET является то, что он очень чувствителен к перегрузкам по напряжению, что требует особого обращения при установке. [16]

    Использует

    БТИЗ

    используются для переключения катушек зажигания двигателей внутреннего сгорания, где важны возможности быстрого переключения и блокировки напряжения.

    Наиболее часто используемым полевым транзистором является MOSFET. Технологический процесс CMOS (комплементарные полупроводниковые оксиды металлов) является основой для современных цифровых интегральных схем. В этом технологическом процессе используется схема, в которой p-канальный полевой МОП-транзистор и n-канальный полевой МОП-транзистор (обычно «режим улучшения») соединены последовательно, так что, когда один включен, другой выключен.

    Хрупкий изолирующий слой полевого МОП-транзистора между затвором и каналом делает его уязвимым для электростатического повреждения при обращении. Обычно это не проблема после того, как устройство было установлено в правильно спроектированной цепи.

    В полевых транзисторах электроны могут течь по каналу в любом направлении при работе в линейном режиме, а соглашение об именах выводов стока и истока несколько произвольно, поскольку устройства обычно (но не всегда) построены симметрично от истока к стоку.Это делает полевые транзисторы подходящими для переключения аналоговых сигналов между трактами (мультиплексирование). С помощью этой концепции можно, например, построить твердотельный микшерный пульт.

    Обычно полевой транзистор используется в качестве усилителя. Например, из-за большого входного сопротивления и низкого выходного сопротивления он эффективен в качестве буфера в конфигурации с общим стоком (истоковым повторителем).

    См. также

    Каталожные номера

    Внешние ссылки

    Серия учебных курсов по электротехнике и электронике ВМФ (NEETS), модуль 9-3

    NEETS   Модуль 9. Введение в генерацию и формирование волн

    страниц я, 1−1, 1−11, 1−21, 1−31, 1−41, 2−1, 2−11, 2−21, 2−31, 3−1, 3−11, 3−21, 3−31, 3−41, 3−51, 4−1, 4−11, 4−21, 4−31, 4−41, 4−51, индекс

    Материя, Энергия, и постоянного тока
    Переменный ток и трансформаторы
    Защита цепи, управление и измерение
    Электрические проводники, техника электромонтажа, и чтение схем
    Генераторы и двигатели
    Электронное излучение, лампы и источники питания
    Твердотельные устройства и блоки питания
    Усилители
    Схемы генерации и формирования волн
    Распространение волн, линии передачи и Антенны
    Принципы работы с микроволнами
    Принципы модуляции
    Введение в системы счисления и логические схемы
    — Введение в микроэлектронику
    Принципы синхронизаторов, сервоприводов и гироскопов
    Знакомство с испытательным оборудованием
    Принципы радиочастотной связи
    Принципы радиолокации
    Справочник техника, основной глоссарий
    Методы испытаний и практика
    Введение в цифровые компьютеры
    Магнитная запись
    Введение в оптоволокно
    Примечание: Обучение электротехнике и электронике военно-морского флота Содержание серии (NEETS) — U.S. Собственность ВМФ в общественном достоянии.

    До сих пор в базовом триггере использовались только PNP-транзисторы. Это могло быть просто как легко используемые транзисторы NPN. Функциональная операция не изменится; Только полярности, необходимые для изменения проводимости и отсечки. Как технический специалист, вы можете см. любой тип используемого транзистора, NPN или PNP. символическая блок-схема иногда используется, чтобы избежать путаницы с полярностью напряжения.

    В качестве стандартного символа для триггер и показан на рисунках 3-25 и 3-26.Два входа представлены по строкам слева, а выходы по строкам справа. Входы в триггера — это S (SET) и C (CLEAR), а выходы триггера — это «1» и «0». триггерный импульс, подаваемый на вход SET, приводит к тому, что выход «1» становится положительным или отрицательное напряжение, в зависимости от типа транзистора. В то же время Выход «0» равен 0 вольт. Это состояние называется УСТАНОВЛЕННЫМ СОСТОЯНИЕМ.

    Рис. 3-25.- Триггер (состояние SET).

    Рис. 3-26. — Триггер (состояние CLEAR).

    Если на вход CLEAR подается триггерный импульс, положительное или отрицательное напряжение производится на выходе «0». Выход «1» переходит в 0 вольт. Это условие называется СОСТОЯНИЕ ОЧИСТКИ, как показано на рис. 3-26.

    Чтобы определить, в каком состоянии находится триггер, вы можете измерить либо «1», либо выход «0». Измерение 0 вольт на выходе «1» указывает на то, что триггер находится в состоянии CLEAR.Если измеряется выход «0», положительное или отрицательное напряжение также будет означать, что триггер находится в состоянии CLEAR. Так или иначе, только один чтение необходимо.

    На рис. 3-27 триггер находится в состоянии SET до T0 (отрицательное напряжение). на выходе «1»). Теперь сравните изменения выходного напряжения в каждый момент времени. (T0, T1, T2 и T3) с входным импульсом. Изучение этого рисунка должно помочь вам понять, как работает триггер.Положительный импульс на T0 на входе CLEAR переводит f/f в состояние CLEAR (отрицательное напряжение на выходе «0»). В Т1 положительный импульс на входе SET переводит выход «1» в состояние SET. В Т2 а положительный импульс на входе CLEAR переводит выход «0» в состояние CLEAR. В Т3 на вход CLEAR подается еще один положительный импульс. Этот ввод не имеет никакого эффекта, так как f/f уже находится в состоянии CLEAR.

    3-21

    Рис. 3-27.- Триггер с триггерным импульсом на SET и входах.

    В некоторых триггерах используется третий вход, как показано на рис. 3-28. Этот третий вход вывод называется входом TOGGLE (T). Каждый раз, когда на вход Т подается импульс, триггер изменит состояние из того, в каком он был ранее. Два диоды (CR1, CR2) образуют УПРАВЛЯЮЩУЮ сеть. Эта управляющая сеть направляет положительный входной импульс на насыщенный транзистор, вызывая его отключение. Отрицательные импульсы блокируются диодами.Обратите внимание, что если бы использовались NPN-транзисторы, диоды должны быть реверсированы, а сигнал TOGGLE должен быть отрицательным. Например, предположим, что Q1 насыщается, Q2 отключается, и положительный импульс подается на на входе Т. Входной импульс будет направлен на оба транзистора. Положительный пульс не повлияет на Q2, так как он уже находится в отсечке. Однако Q1, который проводит, отключится и приведет к насыщению Q2. Транзисторы перевернуты состояния.блок-схема, которая представляет мультивибратор и его выходы только с входной сигнал TOGGLE показан на рис. 3-29. Изучение этого рисунка должно помочь вы понимаете, как работает этот триггер. Каждый вход TOGGLE приводит к тому, что выход изменить состояния. На рис. 3-30 показано, что происходит, когда триггеры применяются ко всем трем входы триггера, показанные на рис. 3-28. Предположим, что триггер на рисунке 3-30 находится в состоянии CLEAR («1» на выходе — 0 вольт, «0» на выходе — высокий) до Т0.В момент T0 на заданный вход подается триггер, и триггер меняет свое состояние. Затем срабатывает вход CLEAR, и триггер возвращается в состояние CLEAR. в Т1. TOGGLE на T2 заставляет триггер изменить состояние, так что это еще раз НАБОР. Другой TOGGLE изменяет триггер в состояние CLEAR на T3 (обратите внимание, что Триггеры TOGGLE переключают мультивибратор независимо от его предыдущего состояния). Теперь Входной триггер SET на T4 устанавливает триггер. Входной импульс CLEAR на T5 вызывает на CLEAR, а вход CLEAR на T6 не влияет на триггер, т.к. он уже находится в состоянии CLEAR.

    Рисунок 3-28. — Триггер с тремя входами.

    3-22

    Рис. 3-29. — Блок-схема триггера с переключающим входом.

    Рисунок 3-30. — Триггер с тремя входами (блок-схема).

    Помните, вход SET установит триггер, если он находится в состоянии CLEAR, в противном случае, он ничего не сделает; триггер на входе CLEAR может только CLEAR цепь если он установлен; и триггер, примененный к входу TOGGLE, вызовет бистабильный мультивибратор для изменения состояния независимо от того, в каком состоянии он находится.

    В7. В бистабильном мультивибраторе, сколько триггерных импульсов необходимо произвести один полный цикл на выходе?

    В8. Сколько устойчивых состояний может быть у триггера?

    Q9. Если на выходе «1» измеряется напряжение (положительное или отрицательное) триггера, в каком он состоянии?

    Блокирующий осциллятор

    Блокирующий осциллятор — это особый тип генератора волн, используемый для создания узкий импульс или триггер.Блокирующие осцилляторы имеют множество применений, большинство из которых связанный с синхронизацией какой-либо другой цепи. Их можно использовать как делители частоты. или счетных цепей, а также для включения и выключения других цепей в определенное время.

    В блокирующем генераторе ширина импульса (pw), время повторения импульса (PRT) и частота повторения импульсов (PRR) контролируется размером определенных конденсаторов и резисторов и рабочими характеристиками трансформатора.Трансформер первичный определяет продолжительность и форму выхода. Из-за их важности в схеме кратко обсуждаются действие трансформатора и последовательные RL-цепи. Вы можете рассмотреть действие трансформатора в NEETS, Модуль 2, Введение в чередование Ток и трансформаторы, прежде чем перейти к следующему разделу.

    Действие трансформатора

    На рис. 3-31, вид (A) показан трансформатор с сопротивлением как в первичной и вторичные цепи.Если S1 замкнут, ток будет течь через R1 и L1. В виде ток увеличивается в L1, он индуцирует напряжение в L2 и вызывает протекание тока через R2. Напряжение, индуцируемое в L2, зависит от соотношения витков между L1 и L2, а также ток, протекающий через L1.

    3-23

    Рис. 3-31А. — цепь РЛ.

    Полное сопротивление вторичной нагрузки, R2, влияет на полное сопротивление первичной отражение от вторичного к первичному.Если нагрузка на вторичку увеличивается (R2 уменьшился), так же увеличилась нагрузка на первичку и первичку и вторичку токи повышены.

    T1 может быть показан как индуктор, а R1-R2 как комбинированное или эквивалентное последовательное сопротивление. (R E ), так как T1 имеет эффективную индуктивность и любое изменение R1 или R2 изменит ток. Эквивалентная схема показана на рис. 3-31, вид (Б). Он действует как последовательная RL-цепь и будет обсуждаться в этих терминах.

    Рисунок 3-31B. — цепь РЛ.

    3-24

    Простая серия RL Цепь

    Когда S1 замкнут в последовательной цепи RL (вид (B) на рис. 3-31), L действует как размыкание в первый момент появления на нем напряжения источника. Как ток начинается течь, E L уменьшается, а ER и I увеличиваются, все в экспоненциальной ставки. Рисунок 3-32, вид (A), показывает эти экспоненциальные кривые.За время, равное 5 постоянных времени, максимальное напряжение и ток резистора и E L равен нулю. Это отношение показано в следующей формуле:

    Рис. 3-32А. — Напряжение на катушке.

    Если S1 замкнут, как показано на рис. 3-31, вид (B), ток будет следовать кривой 1, как показано на рис. 3-32, вид (А). Время, необходимое для того, чтобы ток достиг максимум зависит от размеров L и RE.Если R E мало, то Цепь RL имеет большую постоянную времени. Если только небольшая часть кривой 1 (от C до D вида (A)) используется, то текущее увеличение будет иметь максимальное изменение в заданном временной период. Кроме того, чем меньше приращение времени, тем более линейным является текущий подъем. постоянное увеличение тока через катушку является ключевым фактором в блокирующий осциллятор.

    Применение блокирующего генератора

    Основной принцип индуктивности заключается в том, что если увеличение тока через катушка линейная; то есть скорость увеличения тока постоянна по отношению к время, то индуцированное напряжение будет постоянным.Это верно как в первичном и вторичной обмотки трансформатора. Рисунок 3-32, вид (B), показывает форму кривой напряжения. через катушку, когда ток через нее увеличивается с постоянной скоростью. Уведомление что этот сигнал похож по форме на запускающий импульс, показанный ранее на рисунке. 3-1, вид (Е). По определению, блокирующий осциллятор — это особый тип осциллятора. в котором используется индуктивная регенеративная обратная связь. Выход

    3-25

    длительность и частота таких импульсов определяются характеристиками Трансформатор и его связь с цепью.Рисунок 3-33 показывает блокировку осциллятор. Это упрощенная форма, используемая для иллюстрации работы схемы.

    Рисунок 3-32B. — Напряжение на катушке.

    Рис. 3-33. — Блокирующий осциллятор.

    Когда на схему подается питание, R1 обеспечивает прямое смещение и транзистор Q1 проводит. Ток течет через Q1 и первичную обмотку T1 индуцирует напряжение в Л2. Точки фазировки на трансформаторе указывают на фазовый сдвиг на 180 градусов.Как нижняя сторона L1 становится отрицательной, нижняя сторона L2 становится положительной. положительное напряжение L2 связано с базой транзистора через C1, и Q1 проводит больше. Это обеспечивает больший ток коллектора и больший ток через Л1. Это действие является регенеративной обратной связью. Очень быстро подается достаточное напряжение чтобы насытить основание Q1. Как только база становится насыщенной, она теряет контроль над ток коллектора. Теперь схему можно сравнить с небольшим резистором (Q1), включенным последовательно. с относительно большой катушкой индуктивности (L1) или последовательной RL-схемой.

    3-26

    Работа схемы до этого момента вызвала очень крутой опережающий сигнал. фронт выходного импульса. На рис. 3-34 показаны идеализированные формы сигналов коллектора и основания. Как только база транзистора Q1 (рис. 3-33) насыщается, ток в L1 возрастает. определяется постоянной времени L1 и полным последовательным сопротивлением. От Т0 до T1 на рис. 3-34 увеличение тока (не показано) приблизительно линейно. напряжение на L1 будет постоянным значением, пока ток увеличивается через L1 является линейным.

    Рис. 3-34. — Блокирующий осциллятор идеализированных волновых форм.

    В момент времени T1 происходит насыщение L1. В настоящее время нет дальнейшего изменения магнитного поля. поток и отсутствие связи между L1 и L2. C1, зарядившийся за время до T1, теперь будет разряжаться через R1 и отключать Q1. Это приводит к прекращению тока коллектора, и напряжение на L1 возвращается к 0,

    Продолжительность времени между T0 и T1 (и T2 до T3 в следующем цикле) равна длительность импульса, которая зависит в основном от характеристик трансформатора и точка насыщения трансформатора.выбирается трансформатор, который насыщается примерно при 10 процентах полного тока цепи. Это гарантирует, что текущий рост почти линейный. Трансформатор управляет шириной импульса, потому что он контролирует наклон увеличения тока коллектора между точками T0 и T1. С TC = L ÷ R, чем больше L, тем длиннее TC. Чем больше постоянная времени, тем медленнее скорость нарастания тока. Когда скорость увеличения тока медленная, напряжение на L1 остается постоянным в течение более длительного времени.Это в первую очередь определяет ширина импульса.

    От T1 до T2 (рис. 3-34) транзистор Q1 удерживается в закрытом состоянии за счет разрядки C1. через R1 (рисунок

    3-33). Теперь говорят, что транзистор «заблокирован». По мере того, как C1 постепенно теряет свою заряда, напряжение на базе Q1 возвращается в состояние прямого смещения. В Т2, напряжение на базе стало достаточно положительным для прямого смещения Q1, и цикл повторяется.

    Форма волны коллектора может иметь ИНДУКТИВНОЕ ВЫБРОС (ПАРАЗИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ) в конце импульса.Когда Q1 отключается, ток через L1 прекращается, и магнитное поле схлопывается, индуцируя положительное напряжение на коллекторе Q1. Эти колебания нежелательны, поэтому необходимо использовать некоторые средства для их уменьшения. Трансформер первичная обмотка может иметь высокое сопротивление постоянному току, что приводит к низкой добротности; это сопротивление уменьшит амплитуду колебаний. Однако большее демпфирование может быть необходимо, чем может быть достигнута только такая первичная обмотка трансформатора с низкой добротностью. Если так, демпфирующий резистор можно подключить параллельно L1, как показано на рис. 3-35.

    3-27

    Рис. 3-35. — Демпфирование контура.

    Когда к резервуару приложено внешнее сопротивление, формула Q баковый контур равен Q = R/X L , где R — эквивалентный общий контур сопротивление параллельно L. Из уравнения видно, что Q прямо пропорциональна сопротивлению демпфирования (R). На рис. 3-35 демпфирование Резистор R2 используется для регулировки добротности, которая уменьшает амплитуду паразитных выбросов. колебания.При изменении R2 от бесконечности к нулю уменьшающееся сопротивление нагрузит трансформатор до такой степени, что амплитуда импульса, ширина импульса и prf находятся под влиянием. При достаточном уменьшении осциллятор перестанет функционировать. Путем изменения R2 могут быть достигнуты различные степени демпфирования, три из которых показаны на рис. 3-36, вид (А), вид (В и вид (С).

    Рис. 3-36А. — Демпфирование формы волны. КРИТИЧЕСКОЕ ДЕМПФИРОВАНИЕ.

    3-28

    Рисунок 3-36B.- Демпфирование формы волны. ПОД ДЕМПФИРОВАНИЕ.

    Рис. 3-36C. — Демпфирование формы волны. ИЗБЫТОЧНОЕ ДЕМПФИРОВАНИЕ.

    КРИТИЧЕСКОЕ ДЕМПФИРОВАНИЕ дает наиболее быструю переходную характеристику без перерегулирования. Этот достигается регулировкой резистора R2 для достижения формы волны, как показано на рис. 3-36, вид (А). Сопротивление R2 зависит от добротности трансформатора. Вид (А) показывает что колебания, включая перерегулирование, затухают.

    UNDERDAMPING дает быструю переходную реакцию с перерегулированием, вызванным высоким или бесконечное сопротивление, как показано на рис. 3-36, вид (B).ПЕРЕДЕМПФИРОВАНИЕ вызывается очень низкое сопротивление и дает медленную переходную характеристику. Это может уменьшить пульс амплитуда, как показано на рисунке 3-36, вид (C).

    3-29

    Обсуждаемый блокирующий генератор является автономной схемой. Для фиксированного prf, необходимы какие-то средства стабилизации частоты. Один из методов заключается в применении внешнего триггеры синхронизации (рис. 3-37), вид (A) и вид (B). Конденсатор связи C2 подает входные триггеры синхронизации (синхронизации) на базу Q1.

    Рис. 3-37А. — Блокирующий осциллятор (синхронизированный).

    Рисунок 3-37B. — Блокирующий осциллятор (синхронизированный).

     Если частота срабатывания сделана немного выше, чем частота, блокирующий генератор будет «запираться» на более высокой частоте. Например, предположим, что частота свободного хода этого блокирующего генератора составляет 2 кГц, при этом PRT 500 микросекунд.Если синхроимпульсы с PRT 400 мкс или 2,5 килогерц, подаются на базу, блокирующий осциллятор «зафиксируется» и запустится на частоте 2,5 кГц.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.