Обозначение оптопары на схеме: Обозначение оптопары на схеме

Содержание

Обозначение оптопары на схеме

Справочник электронный. Условные обозначения для электрических схем по новому стандарту Пользуясь сайтом Вы соглашаетесь с политикой обработки персональных данных. Политика конфиденциальности. Контакты Карта сайта.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Оптрон в источнике питания. Схемотехника

Оптроны. Виды и устройство. Работа и применение. Особенности


Скачать буквенные обозначения радиодеталей в формате XLSX. Обратная связь Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону Электронные компоненты Статьи по радиоэлектронике Графическое обозначение радиодеталей на схемах.

Обновлена: 01 Июля 2. Поделиться с друзьями. Радиодетали — электронные компоненты, собираемые в аналоговые и цифровые устройства: телевизоры, измерительные приборы, смартфоны, компьютеры, ноутбуки, планшеты.

Если ранее детали изображались приближенно к их натуральному виду, то сегодня используются условные графические обозначения радиодеталей на схеме, разработанные и утвержденные Международной электротехнической комиссией. Содержание статьи Виды электронных схем: принципиальные схемы блок-схемы монтажные схемы карты напряжений и сопротивлений Радиодетали на схемах: обозначение резисторов обозначение конденсаторов обозначение диодов и стабилитронов обозначение транзисторов обозначение микросхем обозначение кнопок и переключателей Буквенное обозначение радиодеталей: на принципиальных схемах коды функционального назначения элементов популярные сокращения в радиоэлектронике.

Была ли статья полезна? Оцените статью. Как подобрать резистор по назначению и принципу работы. Зарубежные и отечественные транзисторы.

Виды и классификация диодов. Анатолий Мельник. Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент. Комментарии Сергей.

На некоторых резисторах, указан номинал, и сверху три буквы opt Заранее благодарю вас. Содержание статьи Виды электронных схем: принципиальные схемы блок-схемы монтажные схемы карты напряжений и сопротивлений Радиодетали на схемах: обозначение резисторов обозначение конденсаторов обозначение диодов и стабилитронов обозначение транзисторов обозначение микросхем обозначение кнопок и переключателей Буквенное обозначение радиодеталей: на принципиальных схемах коды функционального назначения элементов популярные сокращения в радиоэлектронике Типы электронных схем В радиоэлектронике различают несколько видов схем: принципиальные, монтажные, блок-схемы, карты напряжений и сопротивлений.

Принципиальные схемы Такая электросхема дает полное представление обо всех функциональных узлах цепи, типах связей между ними, принципе работы электрооборудования. Принципиальные схемы обычно используются в распределительных сетях. Их разделяют на два типа: Однолинейный. На таком чертеже изображают только силовые цепи. Если электроустановка несложная, то все ее элементы могут быть отображены на одном листе. Для описания аппаратуры, имеющей в составе насколько цепей силовых, измерительных, управления изготавливают чертежи для каждого узла и располагают их на разных листах.

Блок-схемы Блоком в радиоэлектронике называют независимую часть электронного устройства. Блок — понятие общее, в его состав может входить как небольшое, так и значительное количество деталей.

Блок-схема или структурная схема дает только общее понятие об устройстве электронного прибора. На ней не отображаются: точный состав блоков, количество диапазонов их функционирования, схемы, по которым они собраны. На блок-схеме блоки обозначаются квадратами или кружками, а связи между ними — одной или двумя линиями. Направления прохождения сигнала обозначаются стрелками. Названия блоков в полном или сокращенном виде могут наноситься непосредственно на схему.

Второй вариант — нумерация блоков и расшифровка этих номеров в таблице, размещенной на полях чертежа. На графических изображениях блоков могут отображаться основные детали или наноситься графики их работы. Монтажные Монтажные схемы удобны для самостоятельного составления электроцепи. На них указывают места расположения каждого элемента цепи, способы связи, прокладку соединительных проводов.

Обозначение радиоэлементов на таких схемах обычно приближается к их натуральному виду. Карты напряжений и сопротивлений Картой диаграммой напряжений называют чертеж, на котором рядом с отдельными деталями и их выводами указывают величины напряжений, характерных для нормальной работы прибора. Напряжения ставят в разрывах стрелок, показывающих, в каких местах необходимо производить измерения.

На карте сопротивлений указывают значения сопротивления, характерные для исправного прибора и цепей. Как обозначаются различные радиодетали на схемах Как ранее было сказано, для обозначения радиодеталей каждого типа существует определенный графический символ. Резисторы Эти детали предназначаются для регулирования силы тока в цепи. Постоянные резисторы обладают определенной и неизменной величиной сопротивления. У переменных сопротивление находится в интервале от нуля до установленного максимального значения.

Названия и условные обозначения этих радиодеталей на схеме регламентируются ГОСТом 2. В общем случае на чертеже они представляют собой прямоугольник с двумя выводами. Американские производители обозначают резисторы на схемах зигзагообразной линией. Обозначаются прямоугольником с линиями, обозначающими определенное значение мощности. Превышение указанной величины приведет к выходу детали из строя. Также на схеме указываются: буква R резистор , цифра, обозначающая порядковый номер детали в цепи, величина сопротивления.

Переменные резисторы изображение переменных резисторов на схемах В их конструкцию входит подвижный контакт, которым изменяют величину сопротивления. Деталь применяется в роли регулирующего элемента в аудио- и другой подобной технике. На схеме обозначается прямоугольником с указанием неподвижных и подвижного контактов.

На чертеже отображается неизменяющееся номинальное сопротивление. Существует несколько вариантов соединения резисторов: варианты соединения резисторов Последовательное.

Конечный вывод одной детали соединяется с начальным выводом другой. По всем элементам цепи протекает общий ток. Подключение каждого последующего резистора увеличивает сопротивление.

Начальные выводы всех сопротивлений соединяются в одной точке, конечные — в другой. Ток проходит по каждому резистору. Общее сопротивление в такой цепи всегда меньше, чем сопротивление отдельного резистора. Это наиболее популярный тип соединения деталей, объединяющий два описанных выше. Конденсаторы графическое изображение конденсаторов на схемах Конденсатор — это радиодеталь, состоящая из двух обкладок, разделенных слоем диэлектрика. На схему наносится в виде двух линий или прямоугольников — для электролитических конденсаторов , обозначающих обкладки.

Просвет между ними — слой диэлектрика. Конденсаторы по популярности использования в схемах занимают второе место после резисторов. Способны накапливать электрический заряд с последующей отдачей. Конденсаторы с постоянной емкостью. С переменной емкостью. Около графического значка проставляются значения минимальной и максимальной емкости. В цепях с высоким напряжением в конденсаторах, за исключением электролитических, после емкости указывают величину напряжения.

При соединении электролитических конденсаторов требуется соблюдать полярность. Если полярность отсутствует, обе обкладки обозначаются узкими прямоугольниками. Электролитические конденсаторы устанавливаются в фильтрах электропитания низкочастотных и импульсных устройств. Диоды и стабилитроны графическое изображение диодов и стабилитронов на схемах Диод — полупроводниковый прибор, предназначенный для пропускания электрического тока в одну сторону и создания препятствий для его протекания в противоположную.

Этот радиоэлемент обозначается в виде треугольника анода , вершина которого направлена в сторону протекания тока. Перед вершиной треугольника располагают черту катод.

Стабилитрон — разновидность полупроводникового диода. Стабилизирует приложенное к выводам напряжение обратной полярности. Стабистор — диод, к выводам которого прилагается напряжение прямой полярности.

Транзисторы Транзисторы — полупроводниковые приборы, используемые для генерации, усиления и преобразования электрических колебаний. С их помощью контролируют и регулируют напряжение в цепи. Отличаются разнообразием конструкций, диапазонов частот, форм и размеров.

Наиболее популярны биполярные транзисторы, обозначаемые на схемах буквами VT. Для них характерна одинаковая электропроводность коллектора и эмиттера. Представляют собой полупроводниковую подложку, в которую интегрируют резисторы, конденсаторы, диоды и другие радиодетали. Служат для преобразования электроимпульсов в цифровые, аналоговые, аналогово-цифровые сигналы. Изготавливаются в корпусе или без него. Согласно им, УГО имеет форму прямоугольника. На схеме показывают линии подвода к нему.

Прямоугольник состоит только из основного поля или основного и двух дополнительных. В основном поле в обязательном порядке указывают функции, выполняемые элементом. В дополнительных полях обычно расшифровывают назначения выводов. Основные и дополнительные поля могут разделяться или не разделяться сплошной линией. Выключатель — двухконтактное устройство, предназначенное для соединения и размыкания электроцепи. Переключатель — трехконтактный прибор, служащий для переключения электроцепей.

Один контакт может находиться в двух разных положениях. Если в реле присутствует несколько групп контактов, то им присваивают порядковые номера.


Энциклопедия электроники

Оптопара или оптрон — электронный прибор, состоящий из излучателя света обычно — светодиод , в ранних изделиях — миниатюрная лампа накаливания и фотоприёмника биполярных и полевых фототранзисторов , фотодиодов , фототиристоров , фоторезисторов , связанных оптическим каналом и, как правило, объединённых в общем корпусе. Принцип работы оптрона заключается в преобразовании электрического сигнала в свет, его передаче по оптическому каналу и последующем преобразовании обратно в электрический сигнал. Оптроны с полевым транзистором или фотосимистором иногда именуют оптореле или твердотельным реле. Существуют два класса оптических элементов, которые можно использовать при создании оптических ЭВМ:. Тип фотоприёмника определяет линейность передаточной функции оптрона. Наиболее линейны и тем самым пригодны для работы в аналоговых устройствах резисторные оптроны, затем — оптроны с приёмным фотодиодом или одиночным биполярным транзистором.

Буквенное обозначение может быть разным. Например просто VS, или указывается название микросхемы: Похожие вопросы.

Графические изображения элементов в электрических схемах

Оптроны оптопары — электронные приборы, служащие для преобразования сигнала электрического тока в световой поток. Их световой сигнал передается через каналы оптики, а также происходит обратная передача и преобразование света в электрический сигнал. Устройство оптрона состоит из излучателя света и преобразователя светового луча фотоприемника. В качестве излучателя в современных приборах используют светодиоды. В старых моделях применялись маленькие лампочки накаливания. Две составные части оптопары объединены общим корпусом и оптическим каналом. Существует несколько признаков, по которым можно классифицировать оптопары по группам.

Графическое обозначение радиодеталей на схемах

Для того чтобы прочесть любой текст, необходимо знать алфавит и правила чтения. Так, для чтения схем следует знать символы — условные обозначения и правила расшифровки их сочетаний. Основу любой электрической схемы представляют условные графические обозначения различных элементов и устройств, а также связей между ними. Язык современных схем подчеркивает в символах подчеркивает основные функции, которые выполняет в схеме изображенных элемент.

Загрузок: На схемах оптроны изображают, как показано на рисунках.

Оптопары обозначение на схеме

Диоды — простейшие полупроводниковые приборы, основой которых является электронно-дырочный переход p-n-переход. Как известно, основное свойство p-n-перехода — односторонняя проводимость: от области p анод к области n катод. Это наглядно передает и условное графическое обозначение полупроводникового диода : треугольник символ анода вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод рис. Буквенный код диодов — VD.

Что такое оптроны и их назначение?

Идея создания и применения оптронов относится к г. Там же был предложен и термин «оптрон», образованный как сокращение от английского «optical-electronic device». Описанные в этой работе оптроны, отлично иллюстрируя принципы, оказались непригодными для промышленной реализации, так как основывались на несовершенной элементарной базе — неэффективных и инерционных порошковых электролюминесцентных конденсаторах излучатель и фоторезисторах приемник. Несовершенны были и важнейшие эксплуатационные характеристики приборов: низкотемпературная и временная стабильность параметров, недостаточная устойчивость к механическим воздействиям. Лишь в середине х годов развития полупроводниковых светоизлучающих диодов и технологически совершенных высокоэффективных быстродействующих кремниевых фотоприемников с р — n-переходами фотодиоды и фототранзисторы начала создаваться элементарная база современной оптронной техники. К началу х годов производство оптронов в ведущих странах мира превратилось в важную и быстро развивающуюся отрасль электронной техники, успешно дополняющую традиционную микроэлектронику. Основные определения Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения светоизлучатель и фотоприемник с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом.

Графические изображения элементов в электрических схемах. Графические ГОСТ Обозначения общего применения. Наименование.

Условное обозначение диодов, варикапов, светодиодов на схемах

Оптопары оптроны применяются для гальванической развязки устройств. Информация в оптопарах передаётся световым потоком от внутреннего излучателя к внутреннему фотоприёмнику в инфракрасном диапазоне длин волн. Поскольку в оптопарах имеется чёткое разделение на входную и выходную часть, то сопряжение с входом МК производится через фотоприёмник.

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать электрические схемы. Радиодетали маркировка обозначение

Состояние отпатрулирована. В РО с закрытым оптическим каналом излучатель и приёмник света прочно склеены друг с другом прозрачным клеем и помещены в оптически непрозрачный корпус. В РО с открытым каналом излучатель и приёмник монтируются на общем основании, а оптический канал замыкается через внешнюю среду. Функционально РО представляет собой электрическое сопротивление , управляемое током , протекающим через излучатель. В отсутствие тока через излучатель темновое сопротивление [note 1] фоторезистора постоянному току составляет от единиц МОм до сотен ГОм [2].

Оптрон — это функциональное устройство, которое состоит из фотоизлучателя, фотоприемника и световода и осуществляет при работе преобразования оптических сигналов в электрические, а электрических в оптические.

Условное обозначение диодов, варикапов, светодиодов на схемах

Unified system or design documentation. Alpha-numerical designations in electrical diagrams. N срок введения установлен с Настоящий стандарт распространяется на электрические схемы, а также на конструкторские документы, содержащие сведения об элементах, устройствах и функциональных группах электрических схем, выполняемых вручную и автоматизированным способом во всех отраслях промышленности, и устанавливает типы условных буквенно-цифровых обозначений элементов, устройств и функциональных групп, а также правила их построения. Стандарт не распространяется на схемы железнодорожной сигнализации, централизации и блокировки. В зависимости от назначения и характера передаваемой информации устанавливаются следующие типы обозначений:. В зависимости от полноты передаваемой информации условное буквенно-цифровое обозначение может иметь простую или сложную структуру, то есть структуру в виде обозначений отдельных типов или в виде составного обозначения.

Скачать буквенные обозначения радиодеталей в формате XLSX. Обратная связь Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону Электронные компоненты Статьи по радиоэлектронике Графическое обозначение радиодеталей на схемах.


II Оптрон (оптопара)

Оптрон-это прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения.

Цепь источника излучения называется входной, цепь фотоприемника называется выходной.

Принцип включения: в качестве источника излучения чаще всего ставят светодиод, который включается в прямом направлении. Схема включения фотоприемника зависит от его вида.

Основное свойство оптрона

У оптрона отсутствует электрическая связь между входной и выходной цепью, так же отсутствует обратная связь.

Поэтому оптроны называют приборами гальванической развязкой.

Оптроны применяют для передачи управляющих воздействий из одной цепи в другую, значительно отличающихся по U и по мощности.

Виды и уго оптрона

Оптроны различаются по фотоприемнику.

Рассмотрим несколько подробнее оптопару светодиод-фотодиод. Условное графическое обозначение диодной оптопары показано на рисунке а:

Излучающий диод (слева) должен быть включен в прямом направлении, а фотодиод – в прямом (режим фотогенератора) или в обратном направлении (режим фотопреобразователя).

Очень широко распространены оптроны, у которых в качестве приемника излучения используются фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и фототиристор.

2) Резисторный оптрон

Рис.48

3) оптрон c фотоварикапом

Рис.49

4) Тиристорный оптрон

Рис.50

5)Оптрон с фототранзистором без вывода базы

Рис.51

5.1) Оптрон с фототранзистором с выводом базы

Рис.52

В резисторных оптронах выходное сопротивление при изменении режима входной цепи может изменяться в 107..108 раз. Кроме того, вольт-амперная характеристика фоторезистора отличается высокой линейностью и симметричностью, что и обусловливает широкую применимость резисторных оптопар в аналогичных устройствах. Недостатком резисторных оптронов является низкое быстродействие – 0,01..1 c.

В цепях передачи цифровых информационных сигналов применяются главным образом диодные и транзисторные оптроны, а для оптической коммутации высоковольтных сильноточных цепей – тиристорные оптроны. Быстродействие тиристорных и транзисторных оптронов характеризуется временем переключения, которое часто лежит в диапазоне 5..50 мкс. Для некоторых оптронов это время меньше.

Особенности оптронов:

  1. работает в большом диапазоне частот до 1014 Гц

  2. невосприимчивый к действию внешних электромагнитных полей.

  3. Заметное старение.

Тема 4. Приборы и устройства индикации

  1. Назначение, классификация индикаторов.

  2. Газоразрядные индикаторы.

    1. Устройство, схема включения, особенности.

  3. Вакуумные люминесцентные

  4. Электростатические (электролюминесцентные ) индикаторы.

  5. Полупроводниковые индикаторы.

  6. Жидкокристаллические индикаторы (Ж.К.И.).

I. Большую часть информации об окружающем мире человек получает через органы зрения. Развитию индикаторов уделяется особое внимание.

Индикатор- это прибор преобразующий информацию к виду удобному для зрительного восприятия.

ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ

ВВЕДЕНИЕ. Оптрон — оптоэлектронный прибор, состоящий из источника излучения и фотоприемника, объединенных электрическими и оптическими связями и конструктивно связанных друг с другом.

 
 

В оптронах любого вида энергия электрического сигнала преобразуется в оптическую в излучателе, оптическая в электрическую – в фотоприемнике, распространяясь внутри оптрона по оптическому каналу. Электрический сигнал на излучатель, как и оптический на фотоприемник, может поступать извне или от соседнего элемента, осуществляя прямую или обратную, положительную или отрицательную связь. На рис. 1 представлены оптроны с прямой электрической (а), прямой оптиче-

ской (б), обратной электрической и прямой оптической связями (в). Здесь ИЗЛ – излучатель, ФПР- фотоприемник, УС – усилитель.

 

Рис. 1

 

В зависимости от типа фотоприемного устройства и конструктивных особенностей прибора в целом оптроны делятся на:

а) оптопары (элементарные оптроны): диодные, транзисторные, тиристорные, резисторные;

б) оптоэлектронные интегральные микросхемы: переключательные, релейные, линейчатые, функциональные;

в) специальные: с гибким световодом, с открытым оптическим каналом, с управляляемым оптическим каналом.

Оптический канал имеет вид прозрачной иммерсионной среды: воздуха, стекла, пластмассы, клея, эпоксидной смолы, силиконовой резины, отрезка волоконно — оптического световода. При наличии доступа извне в оптический канал оптрон называется открытым (рис. 2а, ОТР — отражатель). В оптроне с управляемым каналом (рис. 2, б) оптический канал является управляемой оптической средой (УОС), изготавливается из электрооптического или магнитооптического материала, изменяющего светопропускание при внешних воздействиях.

 
 

Рис. 2

 

Излучателем в оптроне может быть миниатюрная лампа накаливания или неоновая лампа, электролюминесцентная ячейка, светоизлучающий или лазерный диод. Наилучшими характеристиками обладают излучающий и лазерный диоды из-за сравнительно высокого КПД преобразования электрической энергии в оптическую, более узкого, чем у миниатюрных ламп накаливания или электролюминесцентных ячеек, спектра излучения, высокого быстродействия, малого значения питающих напряжений и токов, простоты модуляции излучения, технологической совместимости с изделиями микроэлектроники. Но лазерный диод имеет ограниченное применение из-за сложности изготовления и высокой стоимости.

Действие излучающего диода основано на спонтанной люминесценции и включает в себя:

а) инжекцию неосновных носителей заряда в базу диода при его прямом смещении;

б) эффективную излучательную рекомбинацию инжектированных носителей заряда при межзонных переходах в прямозонных полупроводниках или в изоэлектронных экситонных ловушках в непрямозонных полупроводниках;

в) вывод излучения из области генерации.

Эти процессы более эффективны в излучающих диодах на гетеропереходах — контактах полупроводников различного химического состава и разной шириной запрещенной зоны: GaAl 1-x Asх /GaAsили GaAs1-x Pх / GaAs , что связано со следующими явлениями в них: а) односторонней инжекцией носителей заряда из широкозонного эмиттера в узкозонную базу и возможностью локализации избыточных носителей заряда в базе; б) различием оптических свойств эмиттера и базы диода, что позволяет выводить излучение из широкозонного эмиттера -“окна”- практически без поглощения.

В излучателях на основе GaAsс эпитаксиальным осаждением слоятрехкомпонентного твердого раствора GaAs 1-x Pх длина волны l, эффективность (усиление G) и быстродействие (ширина частотной полосы В) зависят от молярной доли х элемента. При х= 0,3 произведение = max, а l = 0,700 мкм. При этом падение прямого напряжения на гетеропереходе почти такое же, как и у «стандартных» светодиодов красного свечения, что удобно для применения в цифровой технике.

Значительно различаются требования к виду оптического окна излучателя оптрона и «стандартного» светодиода. Светодиоды изготавливают с кольцевой излучающей областью вокруг расположенной в центре контактной площадки, чтобы получить высокий коэффициент отношения площади видимой излучающей области к фактической. У оптрона излучающая область уменьшается до предельного значения, определяемого минимальной плотностью тока, а контактная площадка смещается от центра. Это создает минимальное затенение излучающей области, уменьшает краевые потери тока и излучения, обеспечивает неизменные условия связи излучающей области излучателя с чувствительной областью фотоприемника независимо от точности их совмещения и разброса величины зазора (длины оптического канала).

Из-за спонтанной (самопроизвольной) излучательной рекомбинации носителей заряда в излучающих диодах акты излучения нескоррелированны (независимы) во времени и пространстве, поэтому выходное излучение некогерентно, хотя и занимает более узкий спектральный диапазон, чем тепловое излучение. При комнатных температурах ширина полосы излучающего диода, определяемая на половине ее высоты (рис. 3), порядка l ~100 … 500 Å.

Ф Оптическое излучение в оптроне принима-

Ф0 ется фотоприемником с внутренним фотоэф-

фектом. Внутренний фотоэффект наиболее зна-

Ф0/2 чителен в полупроводниках и заключается в пе-

реходах носителей заряда при воздействии оп-

оптического излучения в более высокие энерге-

тические состояния, вызывая изменения элект-

l0 l ропроводности полупроводника либо появле-

Dl ние в нем фото-ЭДС. В качестве фотоприемни-

ка может использоваться фоторезистор, но до-

Рис. 3 минирующим для оптронов является использо-

вание ЭДС — эффекта в неоднородных полупроводниках: кремниевых p-n- и p-i-n— диодах, фототранзисторах, фототиристорах с коэффициентом преломления, близким к полупроводниковому материалу излучателя. При этом условии осуществляется полное оптическое согласование генераторного и приемного блоков оптрона.

Фотодиоды являются хорошими приемниками излучения, однако для получения сигналов требуемого уровня необходимо использовать дополнительные усилители. Усилители можно разместить вне корпуса оптрона, но при этом увеличивается число модулей в системе и ухудшаются параметры (шумы, быстродействие). Поэтому усилительные элементы помещают внутрь корпуса оптрона одним из двух способов: гибридным, допускающим раздельную оптимизацию фотодиода и усилителя фототока, но сравнительно дорогим, и интегральным, более дешевым, но дающим худшие параметры. При интегральном способе возможно использование фототранзистора, в котором приемником излучения является переход коллектор – база (рис. 4, а), либо использование фотодиода, фототок которого усиливается транзистором, размещенным отдельно на том же кристалле (рис. 4, б). Фототранзистор проще реализовать, но он имеет неудовлетворительную линейность и невысокую скорость срабатывания по сравнению с комбинацией фотодиод – транзистор на одном кристалле.

Iк Iк Iф+ Iк

Uк Uк Uк

Iф Iф

 

           
     

а) б)

 

Рис. 4

 

 

Наибольшее распространение получили оптроны с прямой оптической связью (рис.1, б), называемые оптопарами. Оптопары имеют практически полную электрическую развязку входных и выходных цепей, хорошую изоляцию (высокое напряжение пробоя), однонаправленность потока информации по оптическому каналу, широкополосность, технологическую и эксплуатационную совместимость с изделиями микроэлектроники.

Обозначение оптопар содержит 7 позиций: первая цифра или буква — материал излучателя, вторая буква “О” — оптрон, третья — вид фотоприемника, далее трехзначный порядковый номер изделия. Седьмая — буква, определяющая группу (А, В, С, Д). Например: АОД101А, АОТ110А, АО4103В — соответственно диодная, транзисторная и тиристорная оптопары с излучателем на GaAs или GaAl1-xAsх.

Рассмотрим физические процессы в диодной оптопаре, работающей в генераторном (фотовольтаическом или вентильном) режиме. Излучателем в ней обычно служит инфракрасный излучающий диод на GaAl1-x Asх с максимумом спектральной линии на длине волны ~ 1 мкм, а фотоприемником – кремниевый фотодиод. При облучении оптронного диода светом такой длины волны в нем возникает генерация пар носителей заряда – электронов и дырок, пропорциональная силе света, а значит, входному току. Свободные электроны и дырки разделяются электрическим полем перехода и заряжают р-область положительно, а n-область отрицательно. На выходных выводах оптопары появляется фото-ЭДС, которая в реальных приборах не превышает 0,7 — 0,8 В. При работе оптопары в фотодиодном режиме на фотодиод подается обратное напряжение более 0,5 В, а генерированные излучением электроны и дырки увеличивают обратный ток фотодиода. Значение обратного фототока практически линейно возрастает с увеличением силы света (входного тока) излучающего диода.

Оптопары характеризуются четырьмя группами параметров: входными, выходными, передаточными и параметрами гальванической развязки. Входные параметры определяются типом излучателя (для излучающих диодов это номинальные входные ток и напряжение, максимально допустимые входной постоянный и импульсный ток, входная емкость), выходные — типом фотоприемника (для диодных и транзисторных оптопар это максимально допустимые обратные выходные напряжение, ток и мощность, выходная емкость, для тиристорных — ток спрямления (постоянный ток излучателя, при котором включается тиристор), токи переключения, для резисторных — выходное сопротивление в “ темновом ” RТ и засвеченном Rсв состояниях и их отношение RТ / Rсв ~105…106).

Параметры гальванической развязки общие для всех видов оптопар: постоянное и пиковое напряжение (0,1-10 кВ), сопротивление изоляции (108…1013Ом), проходная емкость (5 — 0,01 пФ). К передаточным параметрам относятся коэффициент передачи кi =Iвых /Iвх , равный ~ 1% для диодных и ~ 50…1000 % для транзисторных оптопар, время задержки распространения сигнала tзд, равное 10…100 нс для диодных и 1…10 мкс для транзисторных оптопар.

Свойства диодных оптопар описываются входной Iвх(Uвх) и выходной Iвых(Uвых) вольт-амперными характеристиками, передаточной характеристикой

Iвых (Iвх) в фотогенераторном и фотодиодном режимах. Входная характеристика Iвх(Uвх) оптопары аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики светоизлучающего диода, выходная Iвых(Uвых) – обратной ветви вольт-амперной характеристики фотодиода. В выходной характеристике обратный ток практически не зависит от напряжения, а при больших обратных смещениях возникает электрический пробой. Передаточная характеристика Iвых (Iвх) в фотодиодном режиме практически линейна в широком диапазоне входного тока, в фотогенераторном режиме — нелинейна: фото-ЭДС при увеличении входного тока стремится к насыщению и не может превышать контактной разности потенциалов на p-n-переходе, имеющей обычно порядок 0,5 – 0,8 В. Исследуемые в работе диодные оптопары работают в фотодиодном режиме.

В транзисторных оптопарах излучателями служат светоизлучающие диоды на GaAs или трехкомпонентных твердых растворах на основе GaAs с максимумом излучения на λ~1 мкм, фотоприемниками – фототранзисторы со структурой p-n-p на основе кремния, чувствительные к излучению λ~1 мкм. При отсутствии излучения в цепи коллектора фототранзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, протекает темновой (обратный) ток, аналогичный току в обычных биполярных транзисторах. Темновой ток сильно зависит от температуры. Для его уменьшения между выводами базы и эмиттера фототранзистора включается внешний резистор с большим сопротивлением ~ 0,1 – 1,0 МОм. При облучении в базовой области генерируются пары носителей заряда электрон-дырка. Электроны вытягиваются из базы в сторону положительно заряженного коллектора, а дырки остаются в базе и создают положительный заряд. Это эквивалентно возникновению отпирающего тока базы транзистора, увеличивающего ток коллектора, что означает, что фототранзистор обладает внутренним усилением фототока. Из-за применения сходных излучателей входные характеристики транзисторных и диодных оптопар аналогичны, но выходные и передаточные существенно отличаются – у транзисторных оптопар они нелинейны тем больше, чем больше входной ток и чем выше усилительные свойства фототранзистора. У оптопар с составными фототранзисторами коэффициент передачи резко повышается, но при этом снижается быстродействие и температурная стабильность.

Диодные и транзисторные оптопары применяются в основном для гальванической развязки быстродействующих цифровых устройств; при этом критерием качества является параметр кi/tзд , который для диодных оптопар достигает величины 107 с и значительно больше такового для транзисторных оптопар. Но диодные оптопары требуют обязательного усиления выходного сигнала, причем коллекторным током можно управлять как оптически (по цепи излучателя ), так и электрически

(по базовой цепи).

 
 

Одна или несколько оптопар и электрически соединенных с ними согласующих или усилительных устройств образуют оптоэлектронную интегральную микросхему. Базовая конструкция оптопары основана на использовании излучателя 1 и фотоприемника 2, кристаллы которых с помощью среды оптического канала 3 закрепляются соосно и взаимно параллельно (рис. 5, а-в). В оптоэлектронных микросхемах на общей керамической подложке находится необходимое количество бескорпусных оптопар и согласующих бескорпусных интегральных схем 4 (рис. 5, г).

Рис. 5

 

Одна из разновидностей диодных оптопар – дифференциальная содержит один излучатель и два фотодиода. Дифференциальная оптопара имеет одинаковые выходные характеристики обоих каналов, что позволяет использовать ее для неискаженной передачи аналоговых сигналов: по одному каналу идет передача сигнала, второй служит цепью отрицательной обратной связи, корректируя температурные, деградационные и другие изменения передаваемого сигнала.

В устройствах бесконтактного управления применяются транзисторные оптопары, для оптической коммутации высоковольтных сильноточных цепей — тиристорные, в линейных радиотехнических цепях — резисторные (оптически управляемые резисторы). Оптопары с открытым оптическим каналом и управляемым каналом относятся к специальным видам оптронов и используются в качестве сенсорных элементов — датчиков давления, температуры, влажности, электрического и магнитного полей, механических перемещений, вибраций и так далее.

Большие потенциальные возможности имеют оптроны с прямой электрической (рис. 1, б) и прямой оптической, обратной электрической ( рис. 1, в) связями. Но пока они не получили широкого применения из-за чрезвычайно низкого КПД двукратного преобразования энергии. Первый из них, являющийся оптроном с оптическими входом и выходом, представляет собой преобразователь оптических сигналов: сигналы усиливаются или ослабляются, изменяется их спектр, поляризация, некогерентное излучение преобразуется в когерентное, в случае многоэлементных фотоприемников одно изображение преобразуется в другое. Второй является регенеративным: при определенных условиях в нем может осуществляться частичная или полная регенерация (восстановление) входного сигнала за счет энергии обратной связи, в силу чего на вольт-амперной характеристике появляется один или несколько падающих участков. На дискретных регенеративных оптронах изготавливаются мультивибраторы, триггеры, блокинг — генераторы, на матричных — элементы накопления и хранения информации.

 

ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ

 

Установка для измерения характеристик оптопар выполнена в соответствии с электрической схемой, представленной на рис. 6. Она включает источник питания

на +10 В оптопар ОПТ 1 – ОПТ 3 . Сопротивление R14 выполняет роль нагревателя термостата, в который помещены оптопары. Температура нагрева термостата устанавливается сопротивлением R10 и составляет 60 0С. Переключатель SA2 включает нагреватель R14 одновременно со светодиодами зеленого VD6 и желтого VD5 свечения. При достижении температуры 60 0С входящий в схему установки и поддержания температуры транзистор VT3, выполняющий роль датчика температуры, закрывает транзистор VT1. При закрывании VT1 отключается питание нагревателя термостата и светодиод желтого свечения VD5 гаснет. При понижении температуры термостата устройство сравнения на микросхеме DA3 типа К157УД2 снова включает питание нагревателя термостата.

Установка позволяет снимать входную Iвх(Uвх) и передаточную Iвых(Iвх) характеристики оптопар при двух температурах – комнатной Тк и при нагреве до Тв = = 60 0С. Миллиамперметром A1 на 0…1 мА измеряется входной ток оптопар, вольтметром V на 0…2 В – входное напряжение на них. Выходной ток оптопар усиливается усилителем на микросхеме DA4 типа КР1408УД1 и измеряется микроамперметром А2 в одном из двух диапазонов: 0…10 мкА или 0…100 мкА, переключающихся с помощью SA3. Исследуются диодные (ОПТ 1, ОПТ 2) и транзисторная (ОПТ 3) оптопары марок: ОПТ 1 – АОД129, ОПТ 2 –АОД130, ОПТ 3 – QTC4N35. Включение исследуемой оптопары осуществляется кнопочным переключателем SВ1.2 — SВ1.2.

 


©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.

%d0%bf%d1%80%d0%be%d1%85%d0%be%d0%b4%d0%bd%d0%b0%d1%8f%20%d0%b5%d0%bc%d0%ba%d0%be%d1%81%d1%82%d1%8c%20%d0%be%d0%bf%d1%82%d0%be%d0%bf%d0%b0%d1%80%d1%8b — с русского на все языки

Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────Айнский языкАканАлбанскийАлтайскийАрабскийАрагонскийАрмянскийАрумынскийАстурийскийАфрикаансБагобоБаскскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийБурятскийВаллийскийВарайскийВенгерскийВепсскийВерхнелужицкийВьетнамскийГаитянскийГреческийГрузинскийГуараниГэльскийДатскийДолганскийДревнерусский языкИвритИдишИнгушскийИндонезийскийИнупиакИрландскийИсландскийИтальянскийЙорубаКазахскийКарачаевскийКаталанскийКвеньяКечуаКиргизскийКитайскийКлингонскийКомиКомиКорейскийКриКрымскотатарскийКумыкскийКурдскийКхмерскийЛатинскийЛатышскийЛингалаЛитовскийЛюксембургскийМайяМакедонскийМалайскийМаньчжурскийМаориМарийскийМикенскийМокшанскийМонгольскийНауатльНемецкийНидерландскийНогайскийНорвежскийОрокскийОсетинскийОсманскийПалиПапьяментоПенджабскийПерсидскийПольскийПортугальскийРумынский, МолдавскийСанскритСеверносаамскийСербскийСефардскийСилезскийСловацкийСловенскийСуахилиТагальскийТаджикскийТайскийТатарскийТвиТибетскийТофаларскийТувинскийТурецкийТуркменскийУдмуртскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийФарерскийФинскийФранцузскийХиндиХорватскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеркесскийЧерокиЧеченскийЧешскийЧувашскийШайенскогоШведскийШорскийШумерскийЭвенкийскийЭльзасскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЮпийскийЯкутскийЯпонский

 

Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────АлтайскийАрабскийАрмянскийБаскскийБашкирскийБелорусскийВенгерскийВепсскийВодскийГреческийДатскийИвритИдишИжорскийИнгушскийИндонезийскийИсландскийИтальянскийКазахскийКарачаевскийКитайскийКорейскийКрымскотатарскийКумыкскийЛатинскийЛатышскийЛитовскийМарийскийМокшанскийМонгольскийНемецкийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПерсидскийПольскийПортугальскийСловацкийСловенскийСуахилиТаджикскийТайскийТатарскийТурецкийТуркменскийУдмуртскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрумскийФинскийФранцузскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеченскийЧешскийЧувашскийШведскийШорскийЭвенкийскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЯкутскийЯпонский

ГОСТ 2.730-73* «ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

 

2. Электроды:

 

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р-эмиттер с N-областью

N-эмиттер с Р-областью

несколько Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот

область собственной электропроводности (I-область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

 

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

 

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

 

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

 

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

 

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

 

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

 

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

 

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

 

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

Исследование полупроводниковых светоизлучающих приборов и оптоэлектронных пар (Лабораторная работа № 5)

Cхема для исследования светодиодов

Cхема для исследования резисторной оптопары

Cхема для исследования диодного оптрона

Cхема для исследования транзисторного оптрона

R1 = ( 0,5 – 2 ) кОм

R2 = ( 0,5 – 2 ) кОм

ИП1 – БП15

  ИП2 – БП30 (БП15)

Пределы измерений:

МА1 – ( 15 – 30 ) мА

МА2 – ( 0,75 – 30) мА

V1 – (0,75 – 1,5) В

V2 – на блоке питания

V3 – ( 7,5 – 15 ) В

Вид характеристик а) светодиода

б) транзисторной оптопары

в) диодного оптрона

д) транзисторного оптрона

Лабораторная работа №5

Исследование  полупроводниковых   светоизлучающих приборов и оптоэлектронных пар

1.  Снять прямые ветви вольтамперных характеристик двух светодиодов I(U):

1.1.  Собрать схему для снятия прямой ветви ВАХ светодиода.

1.2.  Изменяя напряжение на светодиодеUпр измерять ток Iпр. Напряжение на светодиоде задаётся с таким расчётом, чтобы ток был маньше  Iпр. макс (см.спр.). Данные записывают в таблицу:

Таблица 1. Тип диода:                                 Iпр. макс

1.3.Построить ВАХ обоих светодиодов.

1.4.Отметить на характеристиках напряжение и ток, при которых начинается излучение.

2. Исследовать характеристики резисторной оптопары:

2.1. Собрать схему для исследования резисторной оптопары, включив её в разъём ХТ10.

2.2.Снять зависимость выходного тока Iвых от входного Iвх при Uип2 = 10 В.

2.3.Рассчитать сопротивление фоторезистора

Rсв = Uвых / Iвых.

2.4.Все данные занести в таблицу и построить график Rсв(Iвх):

Таблица 2. Тип прибора:                          Uип2 = 10 В

Iвх.макс=                              Uобр.макс=

Iвых.макс=                             Pвых.макс=

2.5.Снять зависимость выходного тока от выходного напряжения при Iвх=               . Данные занести в таблицу и построить график Iвых(Uвых):

Таблица 3. Тип прибора:                               Iвх=

3. Исследовать характеристики диодного оптрона:

3.1.Собрать схему для исследования диодного оптрона.

3.2.Снять зависимость выходного тока Iвых от входного Iвх при Uип2=10 В.

3.3.Все данные занести в таблицу и построить график Iвых(Iвх):

Таблица 4. Тип прибора:

 Uип2   = 10 В                                  Uвх.обр.макс=

 Iвх.макс =                                          Uвых.макс    =                             

3.4.Рассчитать коэффициент передачи тока

Кi = Iвых/Iвх

4.Исследовать характеристики транзисторного оптрона:

4.1.Собрать схему для исследования транзисторного оптрона.

4.2.Снять зависимость выходного напряжения от входного тока при Uип2 = 10 В. (Зависимость имеет вид включения).

4.3.Все данные занести в таблицу и построить график

Uвых ( Iвых ).

Таблица 5. Тип прибора:                            Uип2   = 10 В

Iвх.макс          =                    Iвых.макс   =                 Pвых.макс=

Uвх.обр.макс=                     Uвых. макс=

4.4.Записать напряжение отсечки (при Uвх = 0) и остаточное напряжение.

5. Записать выводы по работе (в выводах объяснить полученные зависимости).

PCB Design: Учебное пособие по оптоизолятору для компоновки вашей печатной платы | Блог

Создано: 31 октября 2017 г.
Обновлено: 2 октября 2020 г.

Виновны ли вы в том, что дважды нажали кнопку повтора, прежде чем с неохотой проснулись от блаженного сна? Моя жена утверждает, что у меня, вероятно, мировой рекорд по времени нажатия на кнопку повтора, поскольку я делаю это, даже не открывая глаз.Но бывают случаи, когда третий будильник таинственным образом не срабатывает, и это проигрышная битва за то, чтобы мой день начался вовремя.

В электронике встроенные системы часто полагаются на оптопары для приема входных сигналов от внешних датчиков или переключателей. В некотором смысле они похожи на будильники микроконтроллеров. В идеале все сигналы точно передаются на микроконтроллер. Однако, когда оптопары не реализованы должным образом, микроконтроллер может иногда пропускать входные сигналы или ложно обнаруживать сигналы, когда никакие входы не срабатывают.В этом учебном пособии по проектированию оптоизолятора печатной платы мы обсудим, как правильно настроить макет печатной платы оптрона. Но сначала давайте напомним себе, как работает конструкция оптопары.

Учебное пособие по оптоизолятору

для печатных плат: основные принципы работы оптопары

Оптопары или оптоизоляторы — это электронные компоненты, которые изолируют входные сигналы через оптический интерфейс. Самая простая форма оптопары состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора в одной интегральной схеме.Инфракрасный светодиод включается при прохождении электрического тока, а интенсивность зависит от амплитуды тока. Фототранзистор активируется светом светодиода, который вызывает короткое замыкание между его коллектором и эмиттером.

Инфракрасный светодиод и фототранзистор часто разделены стеклом или воздухом. Это обеспечивает электрическую изоляцию оптрона <10 кВ. В результате оптопары являются идеальным выбором для изоляции встроенных систем от электрических помех, возникающих из среды входного сигнала.

Помимо защиты встроенной системы от электрических помех, оптопары также используются для разделения низковольтных и высоковольтных систем. Например, фототриак, представляющий собой вариант оптрона, можно использовать для управления устройствами с высоким переменным напряжением. Например, двигатель переменного тока. Это устраняет риск неисправности схемы, которая может привести к повреждению микроконтроллера и сопутствующих ему компонентов устройства.

Оптопара может снизить риск повреждения высоким напряжением.

Учебное пособие по оптоизоляторам для печатных плат: ошибки при работе с оптопарами

Оптопара — это простой пассивный компонент, с которым сталкивается большинство разработчиков. Заставить печатную плату оптопары работать не сложно; тем не менее, есть несколько ошибок проектирования, которые сводят на нет цель использования одного из них или вызывают нестабильные входные сигналы.

1. Невозможно разделить заземление оптопары.

В базовой оптопаре интегральная схема (ИС) состоит из двух контактов заземления.Один подключен к инфракрасному светодиоду, а другой к фототранзистору. Ошибка состоит в том, чтобы соединить оба заземления вместе при трассировке печатной платы. В моем инженерном опыте я сталкивался с этим даже в контроллерах электроники, используемых в машинах.

Основной причиной использования оптопары является безопасное разделение двух цепей. Когда внешнее заземление подключено к печатной плате, любые шумы заземления от схемы могут напрямую попадать на чувствительную бортовую схему. Вместо этого создайте отдельное сигнальное соединение для внешних заземляющих контактов и выделите специальные разъемы для входных заземляющих проводов.

2. Использование неправильного значения токоограничивающего резистора

Помимо подачи надлежащего выходного напряжения, инфракрасному светодиоду оптопары для правильной работы требуется достаточный ток. Значение минимального выходного прямого тока можно узнать из диаграммы коэффициента передачи тока соответствующей оптопары. Если токоограничивающий резистор работает при минимальном значении оптрона, фототранзистор может вести себя ненормально. Например, из 10 допустимых входов от переключателей будет обнаружена только часть.

С другой стороны, значение ограничительного резистора не должно быть слишком низким. Это необходимо для предотвращения выхода из строя инфракрасного светодиода. Как и обычные светодиоды, инфракрасный светодиод имеет максимальный прямой ток, который не должен превышаться. Это делает выбор правильного токоограничительного резистора важным шагом в обеспечении надежной работы оптопары.

Как следует из названия, для включения инфракрасного светодиода требуется достаточный ток

3. Выбор неподходящей оптопары

Каким бы общим это ни казалось, не все оптопары имеют одинаковую конструкцию.Например, опто-триак используется для управления нагрузкой переменного тока, а опто-Дарлингтон идеально подходит для ситуаций, когда генерируется лишь небольшое количество входного тока. Еще одним соображением является выходное напряжение пробоя коллектор-эмиттер, которое может различаться для разных моделей оптронов.

Но если вы просто используете оптопары для обычного входного изолятора, такие модели, как PC817, сделают свое дело. Вы также потратите меньше времени на создание посадочных мест, поскольку универсальный электронный компонент оптопары в программном обеспечении для проектирования печатных плат сделает свое дело.Когда вам нужен простой в использовании инструмент для компоновки печатных плат, который включает в себя все необходимое для создания высококачественных печатных плат, пригодных для изготовления, не ищите ничего, кроме CircuitMaker. В дополнение к простому в использовании программному обеспечению для проектирования печатных плат все пользователи CircuitMaker имеют доступ к личному рабочему пространству на платформе Altium 365. Вы можете загружать и хранить свои проектные данные в облаке, а также легко просматривать свои проекты через веб-браузер на защищенной платформе.

Начните использовать CircuitMaker сегодня и следите за новостями о новом CircuitMaker Pro от Altium.

Ошибка 404 — Страница не найдена

Страна COUNTRYAfghanistanÅland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBruneiBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCaribbean NetherlandsCayman IslandsChadChileChinaChristmas IslandCocos IslandsColombiaComorosCongo, Демократическая RepublicCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Южный TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuernseyGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle из ManIsraelItalyIvory CoastJamaicaJapanJerseyJordan KazakhstanKenyaKiribatiKosovoKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfork IslandNorwayOmanPakistanPalauPalestinian TerritoryPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairn IslandPolandPortugalPuerto RicoQatarRepublic из CongoReunionRomaniaRussiaRwandaSaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Томе и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузии и Южные Сандвичевы IslandsSouth KoreaSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzaniaThaila ндТогоТокелауТонгаТринидад и ТобагоТунисТурцияТуркменистанОстрова Теркс и КайкосТувалуУгандаУкраинаОбъединенные Арабские ЭмиратыВеликобританияСоединенные ШтатыОтдаленные малые острова СШАУругвайУзбекистанВануатуВатиканВенесуэлаВьетнамВиргинские острова, Британские Виргинские острова, СШАЗападная СахараЙеменЗамбияЗимбабве

Обзор рынка POS-терминалов для ресторанов

, развитие, приложения, вертикали, стратегии и прогнозы, возможности в 2021-2030 годах — Hunter Women’s Chronicle

Нью-Йорк, США: Мировой рынок ресторанных POS-терминалов заполнен различными элементами, как показано в подробной оценке, приведенной в отчете.Это исследование показывает, насколько важным должно быть внутреннее и внешнее исследование, и что оно чрезвычайно важно для характера данных, предоставляемых читателям. Рынок POS-терминалов для ресторанов широко охватывает различные аспекты в отчете, который включает в себя серьезные перспективы, факторы, стимулирующие развитие, территориальные усилия, определенных покупателей, серьезные препятствия и другие.

Быстрый доступ к ограниченным экземплярам образца отчета о рынке POS-терминалов для ресторанов : посетите @ https://www.решающиеmarketsinsights.com/restaurant-pos-terminals-market/11603443/request-sample

Отчет об исследовании рынка POS-терминалов для ресторанов включает в себя движущие переменные и модели, которые повлияют на развитие бизнеса в течение расчетного периода времени. В отчет включена тщательная оценка рыночной компенсации относительно местного ландшафта. В нем дополнительно указываются трудности, с которыми столкнется этот бизнес-круг, а также приводятся данные о потенциальных возможностях развития.Кроме того, отчет дополнительно включает контекстуальный анализ COVID-19, чтобы создать превосходный образ этого делового круга для всех участников отрасли.

Основные указания по оценке воздействия COVID-19:

• Финансовый обзор и статус COVID-19 на международном уровне.
• Разновидности в инвентарной сети и части запроса бизнеса.

Обзор местности региона:

• Отчет разделяет территориальную сцену рынка POS-терминалов для ресторанов на Северную Америку, Европу, Азиатско-Тихоокеанский регион, Ближний Восток и Африку, Южную Америку.
• В отчет включена динамика каждого территориального рынка относительно темпов его развития за рассматриваемый период времени.
• Предоставляется информация о темпах развития, совершенных сделках и доходах по каждой топографии.

Запрос на скидку, если вы собираетесь приобрести отчет немедленно: https://www.decisivemarketsinsights.com/restaurant-pos-terminals-market/11603443/request-discount

Другие важные моменты из отчета о рынке POS-терминалов для ресторанов:

• Приведены важные данные об организационном профиле, произведенных изделиях, моделях создания и рыночной компенсации.
• Часть пирога каждой зарегистрированной организации в партнере с их валовыми преимуществами и стоимостными проектами дана.
• В отчете дополнительно представлены прогнозы объемов и доходов по каждому типу позиций.
• Записываются другие важные перспективы, например, диаграмма создания, часть отрасли в целом и темпы развития каждого раздела элемента в течение периода времени обзора.
• Проверка регистрирует часть пирога для каждой части приложения и измеряет скорость разработки в течение периода времени исследования.
• Отчет дает точечный научный аудит сети бизнес-инвентаризации наряду с образцами оппозиции.
• Он также признает пятикратную экспертизу Портера и оценку SWOT для определения целесообразности другого предприятия.

Основные преимущества

• Крупные нации в каждом районе планируются по индивидуальному рыночному доходу.
• Дано тщательное исследование элементов, которые управляют и ограничивают развитие рынка.
• Отчет включает в себя обзор исследований приливов и отливов и клинических достижений на рынке.
• Центральные члены и их критические достижения в новые годы записываются.
• Это статистическое исследование дает определенное субъективное и количественное исследование мирового рынка POS-терминалов для ресторанов в 2020–2025 годах. Это дает далеко идущий аудит важных драйверов и ограничений рынка. Основные источники, специалисты смежных предприятий и поставщиков, были оценены для получения и проверки основных данных, а также для изучения будущих возможностей Global Контроллеры орошения Market 2020-2025.

Пожалуйста, нажмите на ссылку ниже, если вы собираетесь совершить прямую покупку @:-https://www.decisivemarketsinsights.com/restaurant-pos-terminals-market/11603443/buy-now

Пожалуйста, свяжитесь с нами, и наш специалист свяжется с вами в течение 30 минут:

решающих рынков Insights
Sunil Kumar
головка продаж
электронная почта — [электронная почта защищена]
веб-сайт-https: ///www.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.