Транзистор в качестве термодатчика. Транзистор как термодатчик: схема датчика температуры на основе транзистора

В этой схеме:

• Транзистор включен по схеме с общим эмиттером
• R1 обеспечивает смещение базы транзистора
• R2 — нагрузочный резистор в цепи эмиттера
• Выходное напряжение Vout снимается с коллектора транзистора

При изменении температуры меняется напряжение база-эмиттер транзистора, что приводит к изменению тока коллектора и, соответственно, выходного напряжения Vout.

Как выбрать транзистор для датчика температуры

При выборе транзистора для использования в качестве термодатчика следует учитывать следующие факторы:

• Температурный коэффициент: выбирайте транзисторы с высоким и стабильным температурным коэффициентом
• Линейность: характеристика транзистора должна быть максимально линейной в требуемом диапазоне температур
• Стабильность: параметры транзистора должны оставаться стабильными с течением времени
• Чувствительность: транзистор должен обеспечивать достаточное изменение выходного сигнала при изменении температуры
• Диапазон рабочих температур: он должен соответствовать условиям применения датчика

Часто для датчиков температуры используются специализированные транзисторы, оптимизированные для этой цели, например, серия BC547.

Калибровка транзисторного датчика температуры

Для повышения точности измерений необходимо провести калибровку транзисторного датчика температуры. Основные этапы калибровки:

1. Измерение выходного сигнала датчика при нескольких известных температурах
2. Построение калибровочной кривой
3. Определение коэффициентов преобразования
4. Программирование микроконтроллера или другого устройства обработки для преобразования выходного сигнала в значение температуры

Для повышения точности калибровки рекомендуется использовать прецизионные эталонные термометры и проводить измерения в термостатированной среде.

Применение транзисторных датчиков температуры

Транзисторные датчики температуры находят широкое применение в различных областях:

• Бытовая электроника: термостаты, кондиционеры, холодильники
• Автомобильная электроника: контроль температуры двигателя, салона
• Промышленная автоматизация: контроль технологических процессов
• Медицинское оборудование: измерение температуры тела
• Научные исследования: прецизионные измерения температуры
• Системы «умный дом»: контроль микроклимата

Их простота, надежность и низкая стоимость делают транзисторные датчики привлекательным выбором для многих приложений.

Ограничения и недостатки транзисторных датчиков температуры

• Нелинейность характеристики: требует дополнительной линеаризации
• Саморазогрев: протекающий через транзистор ток может влиять на измеряемую температуру
• Зависимость от напряжения питания: требуется стабилизированное питание
• Чувствительность к электромагнитным помехам: необходима соответствующая защита
• Ограниченный диапазон измерений: обычно от -55°C до +150°C

Эти ограничения необходимо учитывать при проектировании систем измерения температуры на основе транзисторов.

Терморегулятор

Терморегулятор.

Рисунок 1

Терморегулятор (рисунок 1) предназначен для регулировки температуры на остекленной лоджии, где хранятся овощи, и требуется поддерживать температуру 0-6 °С .  Лоджия примыкает к кухне, в форточку окна которой вмонтирован вытяжной вентилятор. Теплый воздух из кухни обогревает лоджию, за счет чего там создается требуемая температура. Для регулировки температуры можно применить данный терморегулятор. В качестве датчика температуры используется германиевый транзистор с отсоединенной базой VT7. Он, в свою очередь, включен в цепь база-коллектор кремниевого транзистора VT6 с большим коэффициентом передачи тока (200). Как известно, обратный ток германиевых диодов в 1000 раз больше, чем у кремниевых и зависит от температуры в логарифмической пропорции: он увеличивается примерно в 2 раза при увеличении температуры на каждые 8 °С .

Регулировка угла открывания тиристора VD3 производится с помощью аналога однопереходного транзистора VT4, VT5. Времязадающий конденсатор C1 заряжается от одного из плеч дифференциального каскада VT1-VT3. В цепь его базы включен делитель, состоящий из резистора R5 и составного транзистора–термодатчика VT6, VT7. На делитель подается напряжение с переменного резистора R2, благодаря чему можно регулировать температуру, при которой происходит срабатывание термодатчика. Ток источника тока дифференциального каскада на VT2 регулируется переменным резистором R7, благодаря чему можно регулировать число оборотов вентилятора, когда он работает. Это требуется, если вентилятор мощный и сильно шумит при работе на полную мощность.

Конструкция и детали.

Терморегулятор собран в корпусе от блока питания Денди. На передней панели помещены резисторы регулировки температуры R2 и мощности R7, а также гнезда для подключения сетевой вилки от вентилятора. Печатная плата имеет размеры 45х75 мм. На стороне, обращенной к сетевой вилке, поверхностным монтажем распаяны детали схемы. Тиристор расположен на противоположной стороне, а его выводы подпаяны проводами к противоположной стороне платы. 

В схеме можно использовать транзисторы КТ3102, КТ3107, КТ209, КТ361, КТ315, ГТ309 и др. Тиристор можно использовать также типа КУ201Л. Диоды — КД226Д, FR207. Резисторы типа МЛТ-0.125, R12 – МЛТ-2. Конденсатор типа К10-17б.

Наладка.

Ток через составной транзистор VT6-VT7 должен составлять при температуре 19 °С 1.5 мА, чтобы при 2 °С он был равен 300 мкА. Для подбора тока надо измерить ток утечки перехода коллектор-эмиттер германиевого транзистора при температуре 19 °С и высчитать коэффициент передачи тока кремниевого транзистора: он равен отношению требуемого тока 1500 мкА к измеренному току утечки. Далее необходимо подобрать кремниевый транзистор с близким к высчитанному значением коэффициента передачи тока.

Резисторы R1 и R3 надо заменить подстроечными резисторами и при температуре 3 °С добиться их регулировкой при среднем положении движка R2 срабатывания терморегулятора. Далее вместо них надо впаять постоянные резисторы с близкими к подобранным номиналами сопротивления. Можно, конечно, установить на печатную плату непосредственно подстроечные резисторы, но для этого надо немного ее доработать.

· Скачайте схему в формате CircuitMaker
· Скачайте печатную плату в формате TraxMaker
· Просмотрите фото терморегулятора

 
· Посетите мой сайт
· Напишите мне

Бачурин Николай Валентинович. Январь 2005 года.

Простой электронный термометр на однопереходном транзисторе

категория

Радиосхемы для дома

материалы в категории

И. Нечаев. г. Курск
Радио, 1992 год, № 8, стр 17- 18

В этой статье разговор пойдет о возможности конструировать приборы для измерения температуры на расстоянии- за переделами дома или, скажем, в балконном «овощехранилище».
Схем, позволяющих выполнять данную функцию, достаточно много, но есть определенные особенности при выборе термочувствительного датчика.

Как правило в большинстве случаев при конструировании подобных устройств чаще всего радиолюбителями применяются терморезисторы. Они обладают достаточно широким тепловым коэффициентом сопротивления (далее ТКС)- до 8% на градус. Однако он сильно изменяется в зоне измеряемых температур. Если для домашних термометров на этот факт можно и закрыть глаза, то если речь идет о широком диапазоне температур (например как в нашем случае- от — 40 град. С, до +40 град.С.) то возникают определенные проблемы с градуировкой измерительной шкалы прибора- она просто потеряет свою линейность.

Мы знаем также что и самый обычных p-n переход любого полупроводникового прибора может служить в качестве термодатчика, однако ТКН простого перехода очень мал- не более 0,3% на градус, и это требует введение дополнительных усилительных цепей, значительно что усложняет конструкцию.

Как показал опыт, для использования в качестве термодатчика лучше всего подходят однопереходные транзисторы типа КТ117 (они применялись в блоках питания телевизоров 2\3УСЦТ и найти их особого труда не составит) если его соединить как показано на картинке

В результате такого включения получим терморезистор сопротивлением 5… 10 кОм с КТС примерно 0,7…0,9% на градус С. При этом во всем диапазоне температур шкала прибора будет линейной. Это свойство однопереходного транзистора и позволило использовать его в качестве термодатчика в приборе, схема которого показана на рисунке

Основой рассматриваемого электронного термометра служит измерительный мост на резисторах R2- R5 в одно плечо которого включен однопереходный транзистор VT1. В диагональ моста установлен микроамперметр PA1 с нулем посередине. Источником питания может служить двухполупериодный выпрямитель- для этой цели в схему введен параметрический стабилизатор на транзисторе VT2 и стабилитроне VD1. Если прибор будет эксплуатироваться короткое время (включил, посмотрел, выключил) то тогда можно использовать и 9- ти Вольтовую батарею типа «Крона», в этом случае цепи стабилизации можно из схемы исключить.

Суть прибора заключается в следующем: все резисторы в схеме установлены постоянные, изменяемым является только лишь сопротивление термодатчика роль которого играет транзистор. При изменении температуры окружающей среды ток через термодатчик будет меняться. Причем меняться ток будет как в сторону увеличения при повышении температуры, так и в сторону уменьшения при уменьшении температуры.
Получается что остается только лишь при помощи подбора резисторов измерительного моста и регулировкой подстроечного резистора R1 установить показания стрелки прибора в нулевое положение при 0 градусов С.

При настройке прибора можно воспользоваться следующими рекомендациями- в качестве эталона «нулевой» температуры можно использовать тающий лед из холодильника. Получить температуру в 40. .. 50 градусов С. также труда не составит- можно просто нагреть духовку до нужной температуры. Таким образом можно установить нулевое положение прибора и максимальное положительное сделав соответствующие отметки на шкале. «Минусовую» отметку можно сделать на таком-же расстоянии как и «плюсовую» потому что шкала измерений будет линейна.

Все детали термометра монтируются на печатной плате из одностороннего фольгированного текстолита, эскиз которой показан на рисунке

Примерный внешний вид устройства показан ни следующем рисунке

Для данного термометра лучше всего подойдет микроамперметр типа М4206 на ток 50 мкА с нулем посередине шкалы. Если вдруг данного прибора в наличие не оказалось, то можно использовать любой другой микроамперметр на указанный ток (желательно с большой измерительной шкалой), но тогда в схему необходимо будет ввести дополнительную кнопку чтобы была возможность контролировать положительные и отрицательные температуры раздельно как показано на рисунке

Ну и под конец: при необходимости прибор можно снабдить несколькими термодатчиками, включив из по следующей схеме

Таким образом мы получим возможность контролировать температуру на нескольких объектах- например дома и на улице.

arduino — Транзистор в качестве нагревательного устройства и измеряется датчиком температуры LM35?

спросил 3 года, 1 месяц назад

Изменено 3 года, 1 месяц назад

Просмотрено 490 раз

\$\начало группы\$

Цель состоит в том, чтобы создать схему контроля температуры, используя Arduino Uno в качестве контроллера, датчик LM35 в качестве обратной связи для измерения фактической температуры, транзистор TIP31C в качестве привода для управления рассеиваемой мощностью (тепло). У меня есть 12 В, 1 А. источник питания.

Примечание. Транзистор и датчик расположены близко друг к другу.

Я знаю, что Arduino Uno должен посылать ШИМ через резистор на базу транзистора, но как насчет коллектора и эмиттера?

Подать 12В на коллектор и заземлить на эмиттер? Но это будет означать короткое замыкание.

• ардуино
• транзисторы
• lm35

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

В качестве нагревателя можно использовать транзистор, но лучше добавить хотя бы один резистор для регулирования тока коллектора. Учитывая это, вы можете использовать сам резистор в качестве нагревателя и полностью включить BJT или MOSFET, чтобы минимизировать рассеивание мощности в переключающем устройстве.

Dale производит подходящие резисторы с проволочной обмоткой для монтажа на шасси, и вы можете найти других поставщиков с аналогичными продуктами. Фото с Digikey:

Если вы все же хотите использовать транзистор по какой-то причине, вы можете сделать транзистор приемником тока и подключить коллектор к фиксированному напряжению, чтобы рассеивание мощности было более или менее фиксированным, когда «включено» Посмотрите в другом месте здесь для идей о том, как это сделать. Самый простой способ — перевести базу на +5 и добавить резистор в эмиттер, чтобы получить ток 4,3 В / Re и рассеиваемую мощность транзистора P = (12 В — 4,3 В) * 4,3 В. /Ре. Это не считая мощности, рассеиваемой эмиттерным резистором.

Если вы уменьшите падение напряжения на эмиттерном резисторе до чего-то меньшего, скажем, 100 мВ, вы можете увеличить рассеяние на транзисторе, но для этого потребуется более сложная схема (мы, вероятно, воспользуемся операционным усилителем). Промежуточным решением может быть падение напряжения на эмиттерном резисторе до 600 мВ и использование биполярного транзистора для дросселирования тока на базе или напряжения на затворе силового транзистора.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Ток через транзистор плохо контролируется базовым током. Is лучше контролируется напряжением базового эмиттера. Однако эта формула также требует контроля в милливольтах (а также знания температуры, которую вы знаете). Учитывая эти недостатки, самым лучшим решением может быть использование какого-либо датчика тока… например эмиттерного резистора.

Я предлагаю вам подключить транзистор в качестве эмиттерного повторителя. Тогда ток через транзистор хорошо контролируется входным напряжением. Выберите эмиттерный резистор как можно большего размера, чтобы получить хороший контроль… но, конечно, размер этого резистора определяет максимальный ток, так что здесь есть компромисс. Для этого вам, скорее всего, понадобится силовой резистор.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

Тактильные и температурные датчики на основе органических транзисторов: на пути к производству электронной кожи

1. Т. Незакати, А. Сейфалиан, А. Тан и А. М. Сейфалиан, Проводящие полимеры: возможности и проблемы в биомедицинских приложениях, Хим. Ред. 118(14), 6766 (2018)

   Статья Google Scholar

2. J. Chen, Q. Yu, X. Cui, M. Dong, J. Zhang, C. Wang, J. Fan, Y. Zhu и Z. Guo, Обзор растягивающихся тензометрических датчиков из проводящего полимера нанокомпозиты, J. Mater. хим. C 7(38), 11710 (2019)

   Статья Google Scholar

3. Дж. Чен, Й. Чжу, Дж. Хуанг, Дж. Чжан, Д. Пан, Дж. Чжоу, Дж. Рю, А. Умар и З. Го, Достижения в области полимерных композитов с высокой проводимостью и сенсорных приложений , Полим. Rev. , doi: https://doi.org/10.1080/15583724.2020.1734818 (2020)

4. Ч. Ли, Б. Ким и К. Ким, Печать гибкой и гибридной электроники для кожи человека и интерфейса с глазами системы мониторинга здоровья, Adv. Матер. 32(15), 1_{1 (2019)}

   MathSciNet Google Scholar

5. Х. Р. Лим, Х. С. Ким, Р. Кази, Ю. Т. Квон, Дж. В. Чон и У. Х. Йео, Усовершенствованные мягкие материалы, интеграция датчиков и применение носимой гибкой гибридной электроники в здравоохранении, энергетике и окружающей среде, Доп. Матер. 32(15), 1

   4 (2020)

   Артикул Google Scholar

6. W. Gao, H. Ota, D. Kiriya, K. Takei, and A. Javey, Гибкая электроника для носимых датчиков, Acc. хим. Рез. 52(3), 523 (2019)

   Статья Google Scholar

7. «>

   Ю. Лю, М. Фарр и Г. А. Сальваторе, Лаборатория на коже: обзор гибкой и растягиваемой электроники для носимого мониторинга состояния здоровья, стр. ACS Nano 11(10), 9614 (2017)

   Артикул Google Scholar

8. Х. Сюй, М. К. Чжан, Ю. Ф. Лу, Дж. Дж. Ли, С. Дж. Ге и З. З. Гу, Двухрежимный носимый тензометрический датчик на основе графеновых/коллоидных кристаллических пленок для одновременного обнаружения тонких и крупных движений человека, Adv. Матер. Технол. 5(2), 1

9. 6 (2020)

   Статья Google Scholar

10. X. You, J. Yang, M. Wang, J. Huh, Y. Ding, X. Zhang и S. Dong, Волоконные датчики на основе графена с высокой растяжимостью и чувствительностью путем прямой экструзии чернил, 2D Mater. 7(1), 015025 (2020)

    Статья Google Scholar

11. «>

    К. Дэн, П. Гао, Л. Лан, П. Хе, С. Чжао, В. Чжэн, В. Чен, С. Чжун, Ю. Ву, Л. Лю, Дж. Пэн и Ю. , Цао, Сверхчувствительные и сильно растягивающиеся многофункциональные датчики деформации с возможностью распознавания тембра на основе вертикального графена, Доп. Функц. Матер. 29(51), 1

    1 (2019)

    Артикул Google Scholar

12. C. Yang, W. Liu, N. Liu, J. Su, L. Li, L. Xiong, F. Long, Z. Zou и Y. Gao, Графеновый аэрогель, разбитый на фрагменты для пьезорезистивного давления датчик повышенной чувствительности, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 11(36), 33165 (2019)

    Артикул Google Scholar

13. Б. Чжао, Ю. Ван, С. Синха, К. Чен, Д. Лю, А. Дасгупта, Л. Ху и С. Дас, Задержка эффекта кофейных пятен, обусловленная формой, стимулирует производство углеродных нанотрубок. краски на основе оксида графена для печати встроенных конструкций и датчиков температуры, Nanoscale 11(48), 23402 (2019)

    Артикул Google Scholar

14. «>

    Ю. Ченг, Ю. Ма, Л. Ли, М. Чжу, Ю. Юэ, В. Лю, Л. Ван, С. Цзя, К. Ли, Т. Ци, Дж. Ван и Ю. , Gao, Bioinspired microspins для высокопроизводительного спрея Ti ₃ C ₂ T _x Пьезорезистивный датчик на основе MXene, ACS Nano 14(2), 2145 (2020)

    Артикул Google Scholar

15. Ю. Гао, К. Ян, Х. Хуан, Т. Ян, Г. Тянь, Д. Сюн, Н. Чен, С. Чу, С. Чжун, В. Дэн, Ю. Фанг и В. Ян, Гибкий пьезорезистивный многофункциональный микросиловой датчик на основе MXene с ограниченным микроканалом, Adv. Функц. Матер. 30(11), 1909603 (2020)

    Артикул Google Scholar

16. Z. Cao, Y. Yang, Y. Zheng, W. Wu, F. Xu, R. Wang, and J. Sun, Высокогибкие и чувствительные датчики температуры на основе Ti ₃ C ₂ T _x (MXene) для электронной кожи, J. Mater. хим. А 7(44), 25314 (2019)

    Артикул Google Scholar

17. «>

    T. Huang, P. He, R. Wang, S. Yang, J. Sun, X. Xie и G. Ding, Пористые волокна, состоящие из графена, декорированного полимерными наношариками, для носимых и высокочувствительных датчиков деформации, Доп. Функц. Матер. 29(45), 12 (2019)

    Артикул Google Scholar

18. Z. Zeng, S. I. S. Shahabadi, B. Che, Y. Zhang, C. Zhao и X. Lu, Растяжимые, чувствительные датчики деформации с широкой линейной областью чувствительности на основе сжатых анизотропных нанокомпозитов графеновой пены/полимера, Наношкала 9(44), 17396 (2017)

    Артикул Google Scholar

19. Рияджуддин С., Кумар С., Гаур С.П., Суд А., Маруяма Т., Али М.Э., Гош К. Линейный пьезорезистивный датчик деформации на основе гетероструктуры графен/g-C ₃ N ₄ /PDMS , Нанотехнологии 31(29), 295501 (2020)

    Артикул Google Scholar

20. «>

    Q. Tian, ​​W. Yan, Y. Li, and D. Ho, Сверхчувствительный и самовосстанавливающийся датчик давления на основе стручков фасоли на основе лазерно-индуцированного графена и многослойной структуры полистироловых микросфер, Приложение ACS Матер. Интерфейсы 12(8), 9710 (2020)

    Артикул Google Scholar

21. Р. Фурлан де Оливейра, П. А. Ливио, В. Монтес-Гарсия, С. Ипполито, М. Эредиа, П. Фанжул-Боладо, М. Б. Гонсалес Гарсия, С. Казалини и П. Самори, Транзисторы с жидкостным затвором на основе восстановленного оксида графена для гибкой и носимой электроники, Adv. Функц. Матер. 29(46), 1

    5 (2019)

    Артикул Google Scholar

22. Z. Wang, Z. Hao, S. Yu, CGD Moraes, LH Suh, X. Zhao и Q. Lin, Сверхгибкий и растягиваемый аптамерный графеновый наносенсор для обнаружения и мониторинга биомаркеров, Adv. Функц. Матер. 29(44), 12 (2019)

    Артикул Google Scholar

23. Н. Шефер, Р. Г. Кортаделла, Х. Мартнеиз-Агилар, Г. Швезиг, X. Илла, А. М. Лара, С. Сантьяго, К. Эбер, Г. Гирадо, Р. Вилла, А. Сирота, А. Гимера-Брюне и Дж. А. Гарридо, Мультиплексированная нейронная сенсорная матрица графеновых полевых транзисторов, управляемых раствором, 2D Матер. 7(2), 025046 (2020)

    Статья Google Scholar

24. T. Leng, K. Parvez, K. Pan, J. Ali, D. McManus, K.S. Novoselov, C. Casiraghi, and Z. Hu, Printed graphene/WS ₂ безбатарейный беспроводной фотодатчик на бумаге , 2D Матер. 7(2), 024004 (2020)

    Статья Google Scholar

25. Л. Ли, Ю. Го, Ю. Сун, Л. Ян, Л. Цинь, С. Гуань, Дж. Ван, С. Цю, Х. Ли, Ю. Шан и Ю. Фан, А. общий метод химического синтеза крупномасштабной бесшовной электроники на основе дихалькогенидов переходных металлов, Доп. Матер. 30(12), 1706215 (2018)

    Артикул Google Scholar

26. Д. Чжан, Дж. Ду, Ю. Л. Хун, В. Чжан, С. Ван, Х. Цзинь, П. Л. Берн, Дж. Ю, М. Чен, Д. М. Сун, М. Ли, Л. Лю, Л. П. Ма, Х.М. Ченг и В. Рен, Двойной опорный слой для легкого чистого переноса двумерных материалов для высокопроизводительных электронных и оптоэлектронных устройств, ACS Nano 13(5), 5513 (2019)

    Статья Google Scholar

27. П. В. М. Блом, Полимерная электроника: быть или не быть? Доп. Матер. Технол. 5(6), 2000144 (2020) https://doi.org/10.1002/admt.202000144

    Статья Google Scholar

28. KG Lim, E. Guo, A. Fischer, Q. Miao, K. Leo и H. Kleemann, Анодирование для упрощения обработки и эффективного переноса заряда в вертикальных органических полевых транзисторах, Adv. Функц. Матер. 2001703(27), 2001703 (2020)

    Артикул Google Scholar

29. S. Fratini, M. Nikolka, A. Salleo, G. Schweicher и H. Sirringhaus, Перенос заряда в сопряженных полимерах с высокой подвижностью и молекулярных полупроводниках, Nat. Матер. 19(5), 491 (2020)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

30. H. Zhong, G. Wu, Z. Fu, H. Lv, G. Xu, and R. Wang, Гибкие пористые органические полимерные мембраны для протонных полевых транзисторов, Доп. Матер. 32(21), 2000730 (2020)

    Статья Google Scholar

31. H. Chen, W. Zhang, M. Li, G. He и X. Guo, Разработка интерфейсов в органических полевых транзисторах: принципы, приложения и перспективы, Chem. Ред. 120(5), 2879 (2020)

    Статья Google Scholar

32. «>

    T. Q. Trung, S. Ramasundaram, S. W. Hong и N. E. Lee, Гибкий и прозрачный нанокомпозит из восстановленного оксида графена и сополимера P(VDF-TrFE) для обеспечения высокой термочувствительности в полевом транзисторе, Доп. Функц. Матер. 24(22), 3438 (2014)

    Статья Google Scholar

33. Т. К. Трунг, С. Рамасундарам, Б. У. Хван и Н. Э. Ли, Полностью эластомерный прозрачный и растягивающийся датчик температуры для носимой электроники, прикрепляемой к телу, Adv. Матер. 28(3), 502 (2016)

    Статья Google Scholar

34. Q. Zhang, F. Leonardi, R. Pfattner и M. Mas-Torrent, Твердотельный полевой транзистор с электролитным затвором на водной основе в качестве низковольтной чувствительной к давлению платформы, Доп. Матер. Интерфейсы 6(16), 1

    9 (2019)

    Артикул Google Scholar

35. «>

    X. Ren, K. Pei, B. Peng, Z. Zhang, Z. Wang, X. Wang, and P.K.L. Chan, Маломощная и гибкая матрица датчиков температуры на органических транзисторах с активной матрицей , Доп. Матер. 28(24), 4832 (2016)

    Статья Google Scholar

36. К. Накаяма, Б. С. Ча, Ю. Канаока, Н. Исахая, М. Омори, М. Уно и Дж. Такея, Органические датчики температуры и органические аналого-цифровые преобразователи на основе p-типа и n -органические транзисторы, Орг. Электрон. 36, 148 (2016)

    Статья Google Scholar

37. Y. H. Lee, M. Jang, M. Y. Lee, O. Y. Kweon, and J. H. Oh, Гибкие датчики на основе полевых транзисторов на основе сопряженных молекул, Chem 3(5), 724 (2017)

    Статья Google Scholar

38. К. Ким, Г. Сонг, К. Пак и К. С. Юн, Многофункциональная тканая структура, работающая как трибоэлектрический сборщик энергии, массив емкостных тактильных датчиков и массив пьезорезистивных датчиков деформации, Датчики 17(11), 2582 (2017)

    Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

39. «>

    Х. К. Ким, С. Ли и К. С. Юн, Массив емкостных тактильных датчиков для приложений с сенсорным экраном, Sens. Act. А: Физ. 165(1), 2 (2011)

    Статья Google Scholar

40. R. Surapaneni, Q. Guo, Y. Xie, D. J. Young, and C. H. Mastrangelo, Трехосевая емкостная тактильная система формирования изображения с высоким разрешением на основе плавающих гребенчатых электродов, Дж. Микромех. Микроангл. 23(7), 075004 (2013)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

41. В. Ши, Ю. Го и Ю. Лю, Когда гибкие органические полевые транзисторы встречаются с биомиметикой: перспективный взгляд на Интернет вещей, Adv. Матер. 32(15), 1

    3 (2020)

    Артикул Google Scholar

42. Ю. Х. Ли, О. Ю. Квеон, Х. Ким, Дж. Х. Ю, С. Г. Хан и Дж. Х. О, Последние достижения в области органических датчиков для систем самоконтроля здоровья, Дж. Матер. хим. C 6(32), 8569 (2018)

    Статья Google Scholar

43. W. Gao, H. Ota, D. Kiriya, K. Takei, and A. Javey, Гибкая электроника для носимых датчиков, Acc. хим. Рез. 52(3), 523 (2019)

    Статья Google Scholar

44. X. Wu, S. Mao, J. Chen, J. Huang, Стратегии улучшения характеристик датчиков на основе органических полевых транзисторов, Доп. Матер. 30(17), 1705642 (2018)

    Артикул Google Scholar

45. Д. Чен и К. Пей, Электронные мышцы и кожа: обзор мягких датчиков и приводов, Chem. Ред. 117(17), 11239 (2017)

    Статья Google Scholar

46. Y. Zang, D. Huang, C. Di и D. Zhu, Органические транзисторы, разработанные для гибких сенсорных приложений, Доп. Матер. 28(22), 4549 (2016)

    Статья Google Scholar

47. Q. J. Sun, T. Li, W. Wu, S. Venkatesh, X. H. Zhao, Z. X. Xu и V. A. L. Roy, Печатный диэлектрик k с высоким содержанием печатного материала для гибкого маломощного полевого транзистора с расширенным затвором для измерения давления, Приложение ACS Электрон. Матер. 1(5), 711 (2019)

    Статья Google Scholar

48. Z. Yin, MJ Yin, Z. Liu, Y. Zhang, AP Zhang и Q. Zheng, Двухслойные диэлектрики, обработанные раствором, для гибких низковольтных органических полевых транзисторов в приложениях, чувствительных к давлению, Adv. науч. 5(9), 1701041 (2018)

    Статья Google Scholar

49. M. J. Yin, Z. Yin, Y. Zhang, Q. Zheng, and AP Zhang, Эластичный ионный полиакриламидный гидрогель с микроструктурой для низковольтных емкостных и органических тонкопленочных транзисторных датчиков давления, Nano Energy 58, 96 (2019)

    Статья Google Scholar

50. «>

    Ogunleye O.O., Sakai H., Ishii Y. and Murata H., Исследование чувствительного механизма датчика давления на основе низковольтного органического транзистора с двойным затвором, Org. Электрон. 75, 105431 (2019)

    Артикул Google Scholar

51. Ф. А. Виола, А. Спану, П. К. Риччи, А. Бонфильо, П. Косседду, Ультратонкие, гибкие и мультимодальные тактильные датчики на основе органических полевых транзисторов, Науч. 8(1), 8073 (2018)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

52. Z. Meng, H. Zhang, M. Zhu, X. Wei, J. Cao, I. Murtaza, M. U. Ali, H. Meng, and J. Xu, Цирконат-титанат свинца (пьезоэлектрическая керамика) на основе тепловые и тактильные бимодальные датчики на органических транзисторах, Org. Электрон. 80, 105673 (2020)

    Артикул Google Scholar

53. «>

    S. Baek, G.Y. Bae, J. Kwon, K. Cho, and S. Jung, Транзисторы с гибкими контактами, чувствительными к давлению, работающие в подпороговом режиме, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 11(34), 31111 (2019)

    Артикул Google Scholar

54. Z. Wang, S. Guo, H. Li, B. Wang, Y. Sun, Z. Xu, X. Chen, K. Wu, X. Zhang, F. Xing, L. Li и W Ху, Пьезорезистивный эффект интерфейса полупроводник/проводник в органическом транзисторе для высокочувствительных датчиков давления, Доп. Матер. 31(6), 1805630 (2018)

    Статья Google Scholar

55. Z. Liu, Z. Yin, J. Wang и Q. Zheng, Полиэлектролитные диэлектрики для гибких низковольтных органических тонкопленочных транзисторов в высокочувствительном измерении давления, Adv. Функц. Матер. 29(1), 1806092 (2019)

    Статья Google Scholar

56. «>

    Y. Yang, H. Zhang, Z. H. Lin, Y. S. Zhou, Q. Jing, Y. Su, J. Yang, J. Chen, C. Hu и Z. L. Wang, Трибоэлектрические наногенераторы на основе кожи человека для сбора биомеханических энергии и как активная тактильная сенсорная система с автономным питанием, ACS Nano 7(10), 9213 (2013)

    Артикул Google Scholar

57. Z. Ren, J. Nie, L. Xu, T. Jiang, B. Chen, X. Chen и Z. L. Wang, Прямая визуализация тактильного восприятия и сверхчувствительные тактильные датчики с использованием усиленной телом индукции окружающих электромагнитных волн , Доп. Функц. Матер. 28(47), 1805277 (2018)

    Артикул Google Scholar

58. R. Cao, X. Pu, X. Du, W. Yang, J. Wang, H. Guo, S. Zhao, Z. Yuan, C. Zhang, C. Li и Z. L. Wang, трафаретная печать моющийся электронный текстиль в качестве трибосенсора касания/жеста с автономным питанием для интеллектуального взаимодействия человека и машины, ACS Nano 12(6), 5190 (2018)

    Статья Google Scholar

59. «>

    C. Zhang, W. Tang, L. Zhang, C. Han и Z. L. Wang, Полевой транзистор с контактной электризацией, ACS Nano 8(8), 8702 (2014)

    Артикул Google Scholar

60. Y. Jiang, Z. Liu, Z. Yin, and Q. Zheng, Многослойные диэлектрики для стабильных на воздухе и гибких низковольтных органических транзисторов в сверхчувствительном измерении давления, Mater. хим. Передний. 4(5), 1459 (2020)

    Статья Google Scholar

61. Д. Туау, К. Бегли, Р. Дилмурат, А. Аблат, Г. Ванц, К. Айела и М. Аббас, Изучение критической толщины слоя органического полупроводника для повышения пьезорезистивной чувствительности в полевом транзисторе датчики, Материалы (Базель) 13(7), 1583 (2020)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

62. Т. Исикава, Х. Сакаи и Х. Мурата, Изготовление гибкого датчика органического давления на основе OFET с двумя затворами, IEICE Trans. Избрать. E102-C(2), 188 (2019)

    Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

63. Ханна С., Дэвидсон А., Глеск И., Уттамчандани Д., Дахия Р., Глескова Х. Многофункциональный датчик на основе органического полевого транзистора и сегнетоэлектрика поли(винилиденфторид трифторэтилена), Орг. Электрон. 56, 170 (2018)

    Артикул Google Scholar

64. С. Ван, Дж. Сюй, В. Ван, Г. Дж. Н. Ван, Р. Растак, Ф. Молина-Лопес, Дж. В. Чанг, С. Ню, В. Р. Фейг, Дж. Лопес, Т. Лей, С.К. Квон, Ю. Ким, А. М. Фудех, А. Эрлих, А. Гасперини, Ю. Юн, Б. Мурманн, Дж. Б.Х. Ток и З. Бао, Электроника кожи на основе масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения, Nature 555 (7694), 83 (2018)

    Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

65. «>

    S. Lai, F. A. Viola, P. Cosseddu, and A. Bonfiglio, Плавающий затвор, датчики на основе органических полевых транзисторов для биомедицинских приложений, изготовленные с помощью процессов большой площади на гибких подложках, Sensors 18(3 , 688 (2018)

    Статья Google Scholar

66. T. Someya, Y. Kato, T. Sekitani, S. Iba, Y. Noguchi, Y. Murase, H. Kawaguchi, and T. Sakurai, Конформные, гибкие, большие сети датчиков давления и температуры с активными матрицами органических транзисторов, Проц. Натл. акад. науч. США 102(35), 12321 (2005)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

67. И. Грац, М. Краузе, С. Бауэр-Гогонеа, С. Бауэр, С. П. Лакур, Б. Плосс, М. Циркл, Б. Штадлобер и С. Вагнер, Ячейки с гибкой активной матрицей с селективной полярностью бифункциональный полимер-керамический нанокомпозит для чувствительной к давлению и температуре кожи, J. Appl. физ. 106(3), 034503 (2009)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

68. X. Ren, P.K.L. Chan, J. Lu, B. Huang и D.C.W. Leung, Датчик температуры органического вещества с широким динамическим диапазоном, Adv. Матер. 25(9), 1291 (2013)

    Статья Google Scholar

69. D. Zhao, S. Fabiano, M. Berggren и X. Crispin, Ионные термоэлектрические транзисторы с органическим затвором, Nat. коммун. 8(1), 14214 (2017)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

70. Н. Т. Тиен, С. Чжон, Д. И. Ким, Т. К. Чунг, М. Джанг, Б. У. Хван, К. Э. Бьюн, Дж. Бэ, Э. Ли, Дж. Б. Х. Ток, З. Бао, Н. Э. Ли и Дж. Дж. Пак, А. гибкая бимодальная матрица датчиков для одновременного измерения давления и температуры, Adv. Матер. 26(5), 796 (2014)

    Статья Google Scholar

71. «>

    C. Zhu, H.C. Wu, G. Nyikayaramba, Z. Bao, and B. Murmann, Датчик температуры с внутренним растяжением на основе органического тонкопленочного транзистора, Электронное устройство IEEE Lett. 40(10), 1630 (2019)

    Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

72. M. Zhu, J. Cao, X. Wei, Y. He, A. Li, X. Xu, M. U. Ali, L. Yan и H. Meng, Самонесущий гибкий органический термотранзистор без гистерезиса на основе товарной графитовой бумаги, заявл. физ. лат. 112(25), 253301 (2018)

    Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

73. Н. В. В. Суббарао, С. Мандал, М. Гедда, П. К. Айер и Д. К. Госвами, Влияние температуры на гистерезис органических полевых транзисторов на основе диполярного диэлектрического слоя: механизм измерения температуры, Sens. Act. А: Физ. 269, 491 (2018)

    Артикул Google Scholar

74. «>

    С. Мандал, М. Банерджи, С. Рой, А. Мандал, А. Гош, Б. Сатпати и Д. К. Госвами, Сверхбыстрые, гибкие датчики физиологической температуры на основе органических полевых транзисторов с гексагональным барием нанокристаллы титаната в аморфной матрице в качестве чувствительного материала, Приложение ACS Матер. Интерфейсы 11(4), 4193 (2019)

    Артикул Google Scholar

75. J. Jang, B. Oh, S. Jo, S. Park, H. S. An, S. Lee, W. H. Cheong, S. Yoo и J. U. Park, человеко-интерактивные дисплеи с активной матрицей для визуализации тактильных ощущений. давления, Доп. Матер. Технол. 4(7), 1

    2 (2019)

    Статья Google Scholar

76. Ю. Х. Ли, О. Ю. Квеон, Х. Ким, Дж. Х. Ю, С. Г. Хан и Дж. Х. О, Последние достижения в области органических датчиков для систем самоконтроля здоровья, Дж. Матер. хим. C 6(32), 8569 (2018)

    Статья Google Scholar