Фотоэлектрический преобразователь: Фотоэлектрические преобразователи. Расчет фотоэлектрической системы.

Содержание

Фотоэлектрические преобразователи – Типы и характеристики ФЭП – ПАО Сатурн

Температурные коэффициенты ФЭП

d Iкз / dT мкА / см2 / °С 19,8 10,6
d Iмм / dT мкА / см2 / °С 9,3
d Uхх / dT мВ / °С –1,92 –6,0
d Uмм / dT мВ / °С –2,0 –6,1
d Pмм / dT мВт / см2 / °С –0,068 –0,090

Радиационная стойкость ФЭП

При эксплуатации в космическом пространстве солнечные батареи и, соответственно, фотопреобразователи подвергаются воздействию радиации (радиационные пояса Земли, солнечное и космическое излучение), в результате чего происходит постепенное ухудшение их электрических характеристик. Стойкость фотоэлектрических преобразователей к воздействию радиации в наземных условиях исследуется с помощью воздействия моноэнергетического пучка электронов с энергией 1 МэВ (эквивалентный поток электронов).

Коэффициенты деградации электрических характеристик ФЭП в зависимости от воздействующей дозы (флюенса) радиации

Флюенс, эл/см2 1Е14 2,5Е14 5Е14 1Е15 3Е15 1Е16
Типы ФЭП Si GIP GaAs Ge GIP GaAs Ge Si GIP GaAs Ge Si GIP GaAs Ge Si
Jsc 0,915 0,99 0,99 0,794 0,96 0,737 0,87 0,674
Uoc 0,845 0,96 0,95 0,777 0,93 0,744 0,90 0,693
Jmp 0,931
0,97
0,95 0,797 0,94 0,738 0,84 0,642
Ump 0,839 0,96 0,94 0,763 0,93 0,725 0,90 0,664
Pmp 0,781 0,95 0,92 0,608 0,88 0,535 0,76 0,426

Для защиты ФЭП от агрессивного воздействия космического пространства применяется стекло марки К-208, легированное церием, толщиной (100 + 20) мкм.

Размер стекла на 0,2 мм больше размера ФЭП.

В зависимости от требований конкретного проекта на стеклянные пластины наносятся специальные покрытия:

  • просветляющие;
  • УФ и ИК фильтры;
  • Аl – зеркало.

Фотоэлектрические преобразователи 156х156мм 3.6 W

ВНИМАНИЕ!!! 

Минимальное количество отправляемых солнечных элементов 10 штук одного размера

==============================================================

В магазине "Мир солнечной энергии" компании Solbat Company Вы можете купить солнечные элементы из поликристаллического кремния 156*156мм 3.6 W, 14.8%с доставкой во все регионы России.

==============================================================

Фотоэлектрические преобразователи 156х156мм 3.6 W, 14.8% -  солнечные фотоэлементы для сборки солнечной батареи, ток до 7.

2А, напряжение 1 фотоэлемента 0.5 вольта, мощность 3.6W, поликристаллический кремний.

==============================================================

Основные характеристики солнечного элемента из поликристаллического кремния 156х156мм 3.6 W, 14.8%:

Размер одного солнечного фотоэлемента составляет 156мм на 156мм.
Класс фотоэлектрических модулей: В (небольшие, незначительные косметические дефекты, не влияющие на технические характеристики)
Средняя мощность (Ватт): 3.6 Wp
Средний ток (А): 7.2 Imax
Среднее напряжение (В): 0.5 Vmax
Эффективность, КПД (%): 14.8%
Один фотоэлектрический преобразователь имеет среднюю мощность 3.6 W рабочее напряжение – 0.5В при нагрузке до 7.2А.

===============================================================

Что из этих солнечных элементов можно сделать?

Из фотоэлектрических преобразователей 156х156мм можно в домашних условиях изготовить солнечную батарею мощностью от 10.

8 до 130W.

Изготовление солнечной батареи в домашних условиях по силам практически
любому радиолюбителю, «кулибину», или человеку который любит мастерить всё
своими руками.

И по финансовым затратам солнечная батарея собранная своими руками на порядок
дешевле промышленной солнечной батареи.

К тому же при проектировании, расчёте и сборке солнечной батареи можно учесть
все технические нюансы и личные потребности, в любом конкретном случае.

=============================================================== 

Для самостоятельной сборки солнечной батареи мы так же предлагаем аксессуары для изготовления солнечных батарей:

луженая медная шина для пайки 2 мм

луженая медная шина для пайки 5 мм

флюс-карандаш для пайки

контроллер заряда для солнечной батареи

===============================================================

Из 3 солнечных фотоэлементов, при последовательном соединении, Вы получите источник энергии 1. 5В при нагрузке до 7.2А (10.8W).
Это позволит Вам заряжать любые аккумуляторы напряжением 1.2В (типа AA и AAA) – средним током 7.2А.

Из 12 фотоэлектрических преобразователей можно собрать солнечную батарею 36W (5V – 7.2А) – подходит для обеспечения электропитания, освещения и зарядки различных устройств с рабочим напряжение 5В - любое устройство, которое питается или заряжает свои аккумуляторы через USB-порт.
Питание и зарядка любого мобильного устройства, сотовые телефоны и КПК, фото и видео камеры, MP3 и MP4 плееры, GPS-навигаторы, игровые консоли типа SONY PSP, совместим с большинством сотовых телефонов, а также iPhone, Ipad и другими продуктами Apple, зарядка всех типов аккумуляторов AA, AAA, Li-Ion, Li-Pol с помощью зарядного устройства (приобретается отдельно).

Из 36 солнечных элементов можно собрать солнечную батарею 130W (18V – 7.2А), что позволяет подключать любое устройство, которое питается или заряжает свои аккумуляторы от автомобильного прикуривателя 12 – 24 вольта.

А так же позволит Вам заряжать любые аккумуляторы напряжением 12В.
Собранные таким образом солнечные батареи сохраняют работоспособность даже в пасмурную погоду, с некоторым уменьшением мощности.

==============================================================

У нас Вы можете купить и заказать:

У нас выгодно покупать, потому что:

Индивидуальный подход к каждому клиенту
Предусмотрена гибкая система скидок
Техническая поддержка наших клиентов
Бесплатные консультации по телефону

Будем рады ответить на Ваши вопросы, в любой день, кроме субботы, с 9 до 21 часов


Виды солнечных элементов и их отличия

В зависимости от того, каким образом организованы атомы кремния в кристалле, солнечные элементы делятся на виды:

  • Солнечные элементы из монокристаллического кремния
  • Солнечные элементы из поликристаллического кремния
  • Солнечные элементы из аморфного кремния

Солнечные модули из монокристаллического кремния

КПД солнечной батареи
на основе монокристаллического кремния составляет 15-20%.

Монокристаллические элементы имеют наивысшую эффективность преобразования энергии. Основной материал -крайне чистый кремний, из которого изготовлены монокристаллические солнечные панели, хорошо освоен в области производства полупроводников. Кремниевый монокристалл растет на семени, которое медленно вытягивается из кремниевого расплава. Стержни, полученные таким путем, режутся на части толщиной от 0,2 до 0,4 мм .

Затем эти диски подвергаются ряду производственных операций, таких как:

  • обтачивание, шлифовка и очистка;
  • наложение защитных покрытий;
  • металлизация;
  • антирефлексионное покрытие.

Мы предлагаем следующие модели солнечных батарей на основе монокристаллов

Солнечные модули из поликристаллического кремния

КПД солнечной батареи
на основе поликристаллического кремния составляет 10-14%.

Поликристаллический кремний развивается, когда кремниевый расплав охлаждается медленно и находится под контролем. При производстве поликристаллических панелей операция вытягивания опускается, оно менее энергоемкое и значительно дешевле. Однако внутри кристалла поликристаллического кремния имеются области, отделенные зернистыми границами, вызывающие меньшую эффективность элементов.

Солнечные модули из аморфного кремния

КПД солнечной батареи
на основе аморфного кремния составляет 5-6%.

Аморфный кремний получается при помощи «техники испарительной фазы», когда тонкая пленка кремния осаждается на несущий материал и защищается покрытием. Эта технология имеет ряд недостатков и преимуществ:

  • процесс производства солнечных панелей на основе аморфного кремния относительно простой и недорогой;
  • возможно производство элементов большой площади;
  • низкое энергопотребление.

Однако:

  • эффективность преобразования значительно ниже, чем в кристаллических элементах;
  • элементы подвержены процессу деградации.

Преобразователи фотоэлектрические - Энциклопедия по машиностроению XXL

Приборы с фотоэлектрическими преобразователями. В этих приборах изменение контролируемой величины вызывает изменение светотехнической характеристики, которое регистрируется фото-  [c.157]

В заключение этого краткого обзора фотоэлектрических приемников упомянем о возможности преобразования невидимого излучения (инфракрасные и ультрафиолетовые лучи) в видимое, что может быть осуществлено с помощью электронно-оптического преобразователя (ЭОП), который также способен выполнять функции усилителя света. Схема действия этого прибора представлена на рис. 8.24. На фотокатоде происходит преобразование оптического изображения в электронное. Затем электронные пучки от разных частей фотокатода фокусируются и попадают на флуоресцирующий экран, где происходит визуализация изображения. Качество изображения не очень хорошее, так как аберрации электронных пучков, как правило, больше оптических, но все же современные устройства подобного типа имеют в центре картины разрешающую способность порядка нескольких десятков линий на миллиметр, что близко к возможностям обычной фотографической пластинки.  [c.443]


Для обеспечения чувствительности схваты оснащают световыми локационными преобразователями, зона действия которых соответствует пространству, прилегающему к захватным органам. Наряду с тактильными и фотоэлектрическими датчиками в роботах применяют ультразвуковые устройства для измерения расстояния до захватываемых предметов.  [c.122]

Разрешающая способность R (v) радиографической системы зависит в основном от радиационно-физических параметров источника излучения и объекта контроля, фотографических характеристик радиографических детекторов, фотоэлектрических параметров преобразователей оптической плотности почернения в электрический сигнал. характеристик оптической системы считывания информации.  [c.353]

За последние годы созданы термоэлектрические и фотоэлектрические генераторы, термоионные преобразователи.  [c.86]

Далеко не все вещества обладают светочувствительностью, и только немногие из них могут использоваться в качестве фотоэлектрических преобразователей. Светочувствительность веществ обусловлена рядом особенностей их микроструктуры. Для уяснения этих особенностей обратимся к некоторым вопросам атомной физики в приложении к твердым телам.  [c.96]

Ширина запрещенной зоны Eg для полупроводников, используемых в фотоэлектрических преобразователях, показана иа рис. 5.8, из которого видно, что она слабо зависит от температуры. С другой стороны, как видно из рисунка, зависимость КПД фотоэлектрического преобразования энергии от температуры весьма сильна. Видно также, что запрещенные зоны для всех фотоэлектрических полупроводников лежат в видимой части спектра. Под воздействием солнечного излучения в них появляются свободные электроны. На месте, откуда ушел свободный электрон, остается положительно заряженный ион или, как принято говорить, дырка- . Будет протекать и обратный процесс — рекомбинация дырок и электронов. За счет рекомбинации количество фотоэлектронов, создающих ток во внещней цепи, будет уменьшаться.  [c.97]

Рис. 120. Фотоэлектрический измеритель-преобразователь с кодовым диском а — стеклянный кодовый диск б схема измерителя t — кодовый диск 2 —газоразрядная лампа 3 щелевая диафрагма 4 оптический разделитель 5 блок фотоэлементов

Наиболее широко в системах обратной связи применяют фотоэлектрические измерительные преобразователи, в которых используется фоточувствительный элемент. Основными метрологическими характеристиками таких преобразователей являются абсолютная погрешность измерения, величина контролируемого перемещения, точность измерений, чувствительность, порог чувствительности и стабильность работы. Эти характеристики относятся не только к преобразователю, но и ко всей системе управления.  [c.137]

Фотоэлектрические преобразователи имеют высокую разрешающую способность, обусловленную физической сущностью их работы на очень малых длинах волн, возможность бесконтактного  [c.137]

Измерительная информация в рассматриваемых устройствах формируется в результате ряда последовательных преобразований, а именно сообщение о перемещении представляется в виде изменения одного из параметров лучевого потока, которое затем с помощью фотоприемника преобразуется в изменение электрической величины. После соответствующей обработки этот сигнал выдается в требуемой форме. Следовательно, фотоэлектрические преобразователи представляют собой совокупность оптических, механических и электронных звеньев.  [c.138]

Конструктивно наиболее прост фазовый фотоэлектрический преобразователь перемещений в электрический сигнал. Здесь информация о перемещении претерпевает ряд промежуточных преобразований до получения результата измерения в заданной форме. В состав преобразователя входят растровое измерительное звено, состоящее из подвижного измерительного растра (шкалы) и неподвижного индикаторного растра (шторки) блок подсветки растрового звена блок фотоприемников, принимающих излучение, промодулированное растровым звеном электронный логический блок, осуществляющий окончательную обработку информации об измеряемой величине. Фотоэлектрические Измерительные преобразователи применяются для измерения линейных и круговых величин.  [c.138]

На рис. 6.1 показана схема роторного фотоэлектрического измерительного преобразователя, состоящего из круговой шкалы 2, жестко связанной с валом, который получает вращение от шестерни 5 шторки 3 с четырьмя окнами, диафрагмирующими рабочие площадки фотоприемников осветителя 1, создающего параллельный пучок света. Осветитель представляет собой объектив и лампу накаливания, расположенную в фокальной плоскости объектива. При подаче напряжения на лампу и при вращении вала световой поток модулируется, вызывая изменение фототоков. 138  [c.138]

Линейный фазовый фотоэлектрический измерительный преобразователь принципиально не отличается от роторного. Вместо дисков с радиальными растрами в нем используют плоские параллельные растровые решетки.  [c.139]

Принцип действия линейного фазового фотоэлектрического измерительного преобразователя (рис. 6.2) основан на модуляции светового потока с помощью растрового сопряжения, которое образуется парой, состоящей из неподвижной линейки 2 и подвижной диафрагмы 3. Вместе с диафрагмой перемещаются источник света 1 и блок фотоэлементов 4. При этом щели линейки и диафрагмы периодически меняют свое положение друг относительно друга, вследствие чего пучок света от источника модулируется и, попадая на блок, преобразуется в электрический сигнал, пропорциональный этому потоку.  [c.139]

Другим типом электрических устройств, работающих с автоматами нагружения, являются следящие устройства, осуществляющие программирование нагрузки по сложному закону (с варьируемыми скоростями деформирования, формой цикла и другими параметрами режима испытаний). Заданная программа определяет весь ход изменения нагрузки во времени. В качестве задающего программу устройства может быть использован, например, стандартный фотоэлектрический следящий прибор РУ5, позволяющий воспроизводить сложные программы в виде темных линий, нанесенных на перемещающуюся прозрачную ленту. Связанный механически со следящей головкой РУ5 потенциометр вместе с потенциометрическим датчиком включены в балансную схему, приводящую в действие электрический преобразователь, величины токов в обмотках которого являются функцией отклонения нагрузки от заданного значения. Электрический преобразователь воздействует на регулятор гидроусилителя, являющийся исполнительным органом гидравлического силовозбудителя.  [c.175]


В данном справочнике рассмотрены линейные и угловые методы и средства измерения размеров в машиностроении. Именно эти измерения в промышленности технически развитых стран составляют 85—90% от всех существующих видов измерений [37]. Для повышения точности выполнения размерных параметров деталей приборостроительной промышленностью освоен выпуск различных измерительных средств, отвечающих современным требованиям высокоточных преобразователей различных конструкций (индуктивные, фотоэлектрические, электронные), различных приборов для контроля шероховатости обработанных поверхностей (оптико-механические приборы ПСС, ПТС, МИИ, профилометры и профилографы), приборов для контроля погрешностей формы и расположения поверхностей (оптические линейки, автоколлиматоры, интерферометры, кругломеры) и многих других приборов. В связи о тем, что трудоемкость контрольных операций в машиностроительной и приборостроительной промышленности составляет в среднем 10—50% от трудоемкости механической обработки, в последнее время широкое применение получили приборы активного контроля размеров деталей (пневматические приборы моделей БВ-6060, БВ-4009, БВ-4091, индуктивные приборы модели АК-ЗМ), обеспечивающие необходимую точность размеров непосредственно при изготовлении деталей Все эти измерительные средства, наряду с такими давно зарекомендовавшими себя приборами, как индикаторы, микрометры, оптиметры и др. , рассмотрены в настоящем издании справочника.  [c.3]

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПНЕВМОЭЛЕКТРОКОНТАКТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ  [c.98]

Фотоэлектрические преобразователи обычно применяются для контрольно-сортировочных устройств.  [c.99]

Техническая характеристика фотоэлектрических преобразователей ПФС  [c.100]

Примечания. 1. / — измеряемый размер, мм. 2. Пример обозначения преобразователя фотоэлектрического сортировочного типа ПФС с иеной деления 1 мкм ПФС1 ГОСТ 15900 — 70 Е то же с регулируемым усилием ПФС1Р ГОСТ 15900 — 70 Е.  [c.310]

Требования к системе закрепления прибора. Для обеспечения виброустоичивон работы измерительного прибора важны как его собственные параметры, так и данные системы закрепления. Универсальные измерительные головки средств линейных измерений (микрокаторы по ГОСТ 6933—72, оптикаторы по ГОСТ 10593—74 и др. ) и измерительные преобразователи (фотоэлектрические по ГОСТ 15900—70, индуктивные и др.) обычно крепятся в приспособлениях типа стойка (стойки измерительные по ГОСТ 10197—70 и др.). Допускаемую минимальную жесткость /к закрепления можно оценить по формуле, предложенной С. Б. Тарасовым [66],  [c.119]

По степени автоматизации процессов средства контроля подразделяют на следующие 1) приспособления (механизированные с несколькими универсальными головками и автоматизированные светофорные с различными датчиками), в которых операции загрузки и съема осуществляются вручную 2) полуавтоматические системы, в которых операция загрузки осуществляется вручную, а остальные операции — автоматически 3) автоматические системы, D которых весь цикл работы автоматизирован 4) самонастраивающиеся (адаптивные) автоматические системы, в которых автоматизированы циклы работы и настройки, или системы, которые могут приспособливаться к изменяющимся условиям среды. По воздействию па технологический процесс автоматические средства подразделяют на средства пассивного контроля (контрольные автоматы), осуще-ствляюа ие лишь рассортировку деталей на группы качества без непосредственного участия человека, и средства активного контроля, в которых результаты контроля используются для автоматического управления производственным процессом, вызывая изменение его параметров п улучшая показатели качества. Действие автоматизированных приспособлений, контрольных автоматов п средств активного контроля основано на использовании различного рода измерительных преобразователей. Измерительный первичный преобразователь (ГОСТ 16263—70) —это средство измерения или контроля, предназначенное для выработки сигнала в форме, удобной для передачи, дальнейшего преобразования, обработки и (или) хранения. Измерительный преобразователь как составной элемент входит в датчик, который является самостоятельным устройством и кроме преобразователя, содержит измерительный шток, рычаг с наконечником, передающий механизм, элементы настройки и др. Остальные элементы электрической цепи измерительной (контрольной) системы конструктивно оформляют в виде отдельного устройства электронного блока, или электронного реле). Наибольшее распространение получили измерительные (контрольные) средства с электроконтакт-нымн, пневмоэлектроконтактнымп, индуктивными, емкостными, фотоэлектрическими, радиоизотопными и электронными преобразователями.[c.149]

Накопленную погрешность шага и k шагов можно контролировать на приборе (схема III табл. 13.1), в котором при непрерывном вращении зубчатого колеса 5 в электронный блок 2 поступают им пульсы от кругового фотоэлекрического преобразователя 4, установленного на одной оси G измерительным колесом, и от линейного фотоэлектрического преобразователя /, выдающего командный им пульс при заданном положении зуба (при максимуме отраженного потока). При появлении командного импульса самописец 3 фиксирует ординату погрешностей шага колеса. На приборе типа БВ-5059 можно контролировать колеса диаметром 5—200 мм с модулем от 0,2 мм.  [c.331]


Регистрация излучения в оптическом диапазоне базируется на фундаментальных свойствах электромагнитных волн. Отметим лишь наиболее важные способы индикации, в основе которых лежат фотоэлектрические явления (фотоэлементы, фотоумножители, электронно-оптические преобразователи и др. ) фотохимические явления (в первую очередь фотоэмульсии) люминес-  [c.11]

Голот рафические методы обработки измерительной информации находят широкое применение при построении измерительных преобразователей (датчиков) положения, линейных размеров, формы, а также деформации и скорости перемещения объектов. Перспективность применения этих методов объясняется тем, что информация о геометрических параметрах и физическом состоянии объекта непосредственно и полно выражается в световых полях, рассеянных. этим объектом. Измерительная информация заключена во всех характеристиках отраженной объектом световой волны амплитуде, фазе, длине волны, а также ее поляризации. Существенной особенностью задачи контроля геометрических параметров объектов при этом является необходимость регистрации и обработки многомерных входных сообщений, содержащихся в световых полях или изображениях объектов. Эти сообщения отличаются высокой информативностью, причем повышение требований к точности и быстродействию измерительной системы приводит к необходимости увеличения количества принимаемой и обрабатываемой информации. Поэтому применение обычных оптических методов обработки измерительной информации с одномерным кодированием. электрических сигналов, вырабатываемых фотоэлектрическим преобразователем датчика в процессе сканирования изображения контролируемого объекта, либо недостаточно. эффективно, либо вообще не решает поставленной задачи.  [c.87]

Из шести типов прямых преобразователей энергии, в которых энергия тел преобразуется в энергию электрического тока (электрохимические генераторы, фотоэлек-1рические преобразователи, термоэмиссионные преобразователи, магнитогидродинамические генераторы, термоэлектрические преобразователи, квантовые преобразователи) только первые два являются в полной мере прямыми преобразователями. В полезную внешнюю работу в электрохимических генераторах превращается внутренняя энергия рабочих тел, а в фотоэлектрических преобразователях — лучистая энергия Солнца, причем это превращение (т. е. рабочий процесс) протекает при постоянной температуре.  [c. 568]

Пленки л- 1 Н, получаемые разложением силана, обладают высокими фотоэлектрическими свойствами, что обеспечивает их успешное применение в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии (солнечных батареях). Однако необходимые для их нанесения газообразные компоненты обладают повышенной опасностью. Так, силан взрыво- и пожароопасный газ, самовоспламеняющийся при контакте с воздухом, а фосфин и диборан — газы высокой токсичности.  [c.16]

Зависимость фотопроводимости Оф пленок а-31 Н от энергии фотонов Еф излучения (кривая /) показана на рис. 9. Определяли фотопроводимость как разность между электропроводностями пленки а-51 Н при воздействии излучения с данной длиной волны и в темноте. На рис. 9 показана также зависимость интенсивности солнечного излучения / от энергии фотонов (кривая 2). Как видно из этого рисунка, кривые / и 2 хорошо согласуются друг с другом максимум фоточувствительности соответствует области длин волн, в которой наблюдается максимальная интенсивность солнечного излучения. Это послужило одной из основных причин широкого использования гидрогенизированного аморфного кремния в фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) солнечной энергии — солнечных батареях. Другой причиной является низкая стоимость гидрогенизированного аморфного кремния по сравнению со стоимостью моно-кристаллических полупроводников, традиционно используемых в этой области.  [c.19]

Фотоэлектрические преобразователи на основе гидрогенизированного амор фного кремния в настоящее время широко используются в качестве источников энергии для калькуляторов, часов, портативных радио- и телевизионных приемников, магнитофонов. Выпуск таких ФЭП в мире составляет миллионы штук в месяц.  [c.20]

В чем преимущества интегральных и многослойных ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе гидрогенизированного аморфного кремния перед элементарными ячейками  [c.22]

ВИЯХ МОНОТОННОГО нагружения опре-деляется соотношением N Л Л " при пластической деформации N = = а д, откуда N — adVJdi, где А, а, т параметры, характеризующие объект контроля Уд — объем материала, подвергнутого пластической деформации. Энергия, освобождаемая при дискретном перемещении трещины, пропорциональна квадрату амплитуды акустического сигнала Современная аппаратура позволяет обнаруживать сигналы от уста лостных трещин, развивающихся со скоростью Ш . ..1Сг м/цикл Приведем некоторые результаты исследований, показывающих возможности способа [14]. Исследовали параметры АЭ при по вторпо-статическом нагрулциклическим нагружением. Плоские образцы в закаленном состоянии подвергали циклическому растяжению (коэффициент асимметрии цикла 0,2 частота 0,3 Гц). Регистрировали суммарный счет N, пиковые амплитуды сигналов и их распределение. Рабочая полоса пропускания ограничивалась сверху частотами 200. .. 250 кГц при уровне дискриминации 1 В. Резонансная частота пьезопреобразователя /,, 3 == 250 кГц. Деформацию образца измеряли растровым фотоэлектрическим преобразователем с чувствительностью 1 В/мкм.  [c.448]

Полная себестоимость этих операции с течением времени значительно упала, но все же остается довольно высокой. В 1980 г. стоимость секции солнечной батареи составляла около 10 долл/Вт (в ценах 1975 г.). Министерством энергетики С1ПЛ выдвинут ряд контрольных цифр на ближайшее десятилетне по разработке солнечных элементов. Их себестоимость в 1986 г. не должна превышать 0,5 долл/Вт (в ценах 1975 г.), а КПД должен составлять 17 %. Если эти цели будут достигнуты, то конкурентоспособность фотоэлектрических преобразователей энергии будет бесспорно высока.  [c.101]

В зависимости от характера используемого чувствительного элемента фотоэлектрические преобразователи можно классифицировать на штриховые, растровые, обтюрационные, нониусные, муаровые и интерференционные.  [c.138]

Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии в электричество с использованием силиконовых солнечных элементов было разработано в 1955 г. фирмой Белл лабораториз (США) и стало с тех пор основной энергетической базой для космической техники. При затратах 10—15 тыс. долл, на пиковый 1 кВ-т и к. п. д. порядка 12—15 % производство электроэнергии этим методом обходится в 50—100 раз дороже, чем традиционным путем. Своего рода технологическая революция, подобная миниатюризации ЭВМ, потребуется для того, чтобы фотоэлектрическая энергия смогла стать важным элементом в мировой энергетике. Возможно, первые шаги в этом направлении прорыва проводятся в работе, организованной Электроэнергетическим исследовательским институтом США (EPPI) с объемом финансирования 25—30 млн. долл, на 1978—1983 гг. Работа направлена в основном на разработку термофотоэлектрических преобразователей, в которых включение металлического элемента между солнечным светом и солнечным элементом увеличивает использование инфракрасных лучей. Как сообщалось в 1977 г., работы, проводимые в Станфордском университете, позволили увеличить коэффициент преобразования с обычных 12% до 26% есть надежда на увеличение к. п. д. до 35 %> т. е. до уровня крупных электростанций. В этом направлении ведется много работ, и были указания, что разработка конкурентоспособных солнечных элементов в 1979 г. при использовании специальных аморфных сплавов в тонких пленках возможна  [c.218]


Фотоэлектрические преобразователи разработаны на базе механизма пружинно-ипгической головки, в которую встроен блок соответствующих фотосопротивлений. Работа преобразователя осуществляется следующим образом. При перемещении измерительного стержня 1 (рис. 45) поворачивается угловая подвеска 2, растягивая пружину 4, на которой укреплено зеркальце. Это приводит к повороту зеркала на угол, пропорциональный перемещению измерительного стержня. На зеркало проектируется луч света от освети-  [c.98]

Многокомандные фотоэлектрические преобразователи ПФС, изготовляемые Ленинградским инструментальным заводом, обеспечивают  [c.99]

Прецизионный растровый фотоэлектрический преобразователь угловых перемещений (ПРФПУГ). Преобразователь предназначен для измерения угловых перемещений, а также может быть использован в поворотных делительных столах координатно-расточных или сверлильноч )резерно-рас-точных станков, координатно-измерительных машин и в контрольноизмерительных приборах - кинематомерах. Принципиальная блок-схема преобразователя дана на рис. 52.  [c.244]


Преобразователь фотоэлектрический - Справочник химика 21

    Из различных видов фотоэлектрических детекторов излучения, основанных на внутреннем и внешнем фотоэффекте (фотоэлементы, фотосопротивления, фотоумножители, счетчики фотонов, электронно-оптические преобразователи и усилители, фотодиоды), для измерений в УФ- и видимой областях спектра наибольшее распространение получили фотоэлектронные умножители (ФЭУ) и фотодиоды. [c.79]
    Электронные тахометры основаны на безынерционном действии электронных измерительных устройств, работающих с индукционными или фотоэлектрическими входными преобразователями. Последние служат бесконтактными импульсными датчиками, посылающими в измерительное устройство кратковременные электрические импульсы через каждый оборот или долю оборота вала испытуемой машины.[c.79]

    Использование кремния и германия как полупроводников. Чистые кремний и германий используются не только для изготовления высококачественных диодов и триодов (гл. IX), но и мощных выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем и с высоким коэффициентом полезного действия. Кремниевые фотоэлементы, соединенные группами, образуют батареи, которые могут превращать солнечную энергию прямо в электрическую (к.п.д. до 15%). Такие солнечные батареи устанавливаются на искусственных спутниках Земли и космических кораблях. Создание экономически рентабельных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии в электрическую сулит широчайшее внедрение их в народное хозяйство, так как солнечная энергия неисчерпаема, а к.п.д. фотоэлектрических преобразователен, как предсказывает теория, может быть доведен до 25% (к.п.д. использования солнечной энергии растениями менее 1%). [c.296]

    Основными особенностями этих приборов является то, что при их помощи возможно одновременно автоматически записывать кривые в координатах деформация сдвига — время е = / (т) и скорость деформации — время е = / (т) при постоянной, увеличивающейся от опыта к опыту нагрузке. Благодаря фотоэлектрическому преобразователю перемещений и дифференцирующему устройству эти кривые записываются одновременно на быстродействующих, синхронно работающих автоматических потенциометрах. Разработано устройство, осуществляющее запись кривых на одной диаграммной ленте. [c.45]

    Автоматическая запись кривых деформация сдвига — время осуществляется с помощью фотоэлектрического преобразователя перемещений и автоматического быстродействующего потенциометра. Для этого разработано специальное устройство. К коромыслу весов укреплен легкий кронштейн, на котором размещены в специальной кассете с щелевыми диафрагмами I два фотосопротивления ФСК-0 [167], входящие в смежные плечи измерительного моста. В осветителе, укрепленном на колонке весов, также имеются щелевые диафрагмы. Световой поток от осветителя в виде световых полос проектируется на щели блока фотосопротивления. [c.48]

    Дифференцирующее устройство смонтировано внутри потенциометра, записывающего кривую деформация сдвига — время. Работа всей установки с дифференцирующим устройством происходит следующим образом. От фотоэлектрического преобразователя перемещений поступает напряжение на потенциометр, записывающий [c.50]

    В процессе деформации цементная суспензия меняет свой уровень и высота к (от дна кюветы до площадки) изменяется на величину ДА, что воспринимается площадкой измерительного стержня, который перемещается в вертикальной плоскости (рис. 16). Такие, перемещения фиксируются фотоэлектрическим преобразователем, который подает изменяющееся напряжение для записи на самопишущем автоматическом потенциометре кривой деформация — время. Относительную деформацию в любой момент времени рассчитывают по формуле [c.54]

    Приемники излучения и преобразователи изображения. Приемник излучения (ПИ) - важнейшая часть любого прибора ОНК. ПИ обычно делят на следующие основные фуппы - одноэлементные и матричные (по геометрическим признакам), и на квантовые и тепловые. Наибольшее применение в ОНК находят квантовые фотоэлектрические приемники. Дпя них характерна селективность спектральной чувствительности (фотодиоды, фоторезисторы, ФЭУ, ПЗС-матрицы). Тепловые ПИ (болометры, пировидиконы) имеют широкий спектральный [c.490]

    В системе используется вихретоковый прибор со специальным накладным преобразователем, заключенным в двойную металлическую оболочку из коррозионно-стойкой стали, охлаждаемую водой. Для компенсации влияния изменения температуры трубы на показания прибора применен измеритель температуры - яркостный фотоэлектрический пирометр, состоящий из сферически вогнутого зеркала и фотодиода. Напряжение с фотодиода, пропорциональное температуре трубы, подается на ламповый вольтметр толщиномера и вносит соответствующую поправку в его показания. Толщина стенки измеряется при скорости движения труб до 7. .. 8 м/с. Суммарная погрешность измерения толщины стенки горячей трубы не превышает 4 % от номинального значения. [c.597]

    В принципе возбуждение какого-либо молекулярного состояния или состояний, например таких, которые наблюдаются в хемилюминесцентных реакциях, представляет собой идеальный источник для спектроскопических исследований высокого разрешения почти совсем не существует наложения нежелательных спектров, а переходы обычно происходят в пределах широкой области колебательных уровней возбужденных состояний, которые часто недоступны для поглощения из основного электронного состояния. Однако слабая интенсивность хемилюминесценции приводит к трудностям в регистрации спектра с высоким разрешением, необходимым для точных измерений энергии колебательных и вращательных уровней. Тем не менее в настоящее время имеются два перспективных метода для облегчения таких исследований. В первом с целью увеличения полезного светового потока источника применяются лазерные материалы, такие, как многослойный диэлектрик, в качестве зеркального покрытия с очень высокой отражающей способностью ( 99,99%). Второй связан с использованием усовершенствованных методов регистрации при помощи фотоэлектрических приемников. Счетчик фотонов, применяемый отдельно или вместе с фазочувствительным усилителем и объединенный с фотоумножителем, который имеет хорошее отношение сигнал/шум, дает большие преимущества в чувствительности. Кроме того, существуют электроннооптические преобразователи с высоким коэффициентом усиления и удовлетворительным временным разрешением. [c.340]

    Элементы оптических систем инфракрасной области спектра (линзы, зеркала, призмы и т. д.) принципиально не отличаются от элементов оптических систем видимой области спектра. Основное различие —в материалах, которые должны обладать хорошим пропусканием или отражающей способностью в рабочем участке спектра. От ИК-оптических систем чаще всего не требуется такой высокой разрешающей способности, как от оптических систем для видимой области спектра. Это позволяет упростить оптические системы для ряда приборов ИК-техники. Так, например, для приемников излучения коротковолновой области ИК-спектра (фотоэлектрические приемники, электронно-оптические преобразователи, фотопластинки) может оказаться необходимой разрешающая способность порядка десятков микрон, а для средне- и длинноволновой области ИК-спектра для чувствительных элементов приемников излучения требуется разрешать площадки с линейными размерами от 0,1 до нескольких миллиметров. [c.163]

    Приемно-регистрирующая часть III состоит при визуальном методе из окуляра 10 зрительной трубы и глаза И наблюдателя при фотографическом — из фотопластинки 12 или фотопленки при фотоэлектрическом — из фотоприемника 14 (фотоэлемент, фотоумножитель, фотосопротивление, болометр, термоэлемент, оптико-акустический приемник или электронно-оптический преобразователь), установленного за выходной диафрагмой 13, усилительного устройства 15 (включающего в себя, кроме усилителя, детектор, преобразователь частоты и т. п.) и регистрирующего устройства 16 (измерительный прибор, осциллограф, телевизионная трубка, самописец, магнитная запись, цифровая печать и т. п.). [c.16]

    Очень интересным направлением прямого измерения интенсивности в спектральном анализе является использование телевизионной камеры с электронно-оптическим преобразователем . В первой экспериментальной установке [12] диспергирующим элементом был измеряющий интенсивность спектроскоп с нейтральным клином. Исходный спектр и спектр уменьшенной интенсивности изображаются на фотоэлектрическом слое трубки электронно-оптического преоб- [c.216]

    Для замера и записи колебаний перепада давления использовался специально сконструированный прибор [162], представляющий собой фотоэлектрический преобразователь с датчиком сильфонного типа. Схема прибора приводится [c.65]

    Существуют несколько методов преобразования энергии радиоактивного распада в электрическую метод прямого сбора заряда преобразователи на р — га-переходах фотоэлектрическое преобразование метод, основанный на использовании явления вторичной эмиссии термоэлектронный и термоионный методы преобразования термоэлектрическое преобразование.[c.488]

    О возможности ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ В ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ [c.317]

    О ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ В ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ. Л. И. Бергер. Хим. реактивы и препараты, вып. 32. М., ИРЕА, 1970, стр. 315. [c.422]

    В последние годы авторы прибора ВДК разработали автоматический вариант поточного ультрамикроскопа с использованием фотоэлектрических преобразователей и механических счетчиков [49]. Этот прибор описан в следующем разделе. [c.230]

    Микрошкалы с кодовыми масками выпускаются в серийных конструкциях лабораторных весов, что позволяет при необходимости оснащать такие весы только фотоэлектрическими преобразователями, если требуется получить с обычного отсчетного устройства измерительную информацию в кодовой форме. [c.44]

    Приемники и преобразователи ИК-излучения можно разделить на три группы тепловые, фотоэлектронные (фотоэлектрические) и фотохимические. Тепловые приемники и преобразователи являются неселективным типом приемника. Это означает, что тепловые приемники одинаково чувствительны в широком диапазоне длин волн. Селективные приемники обладают чувствительностью только в определенном участке спектра. На рис. 3.1 приведены типовые характеристики неселективного (/, 2) и селективного (5, 4) приемников. [c.105]

    Чувствительность прибора определяется конструктивными и фотоэлектрическими параметрами элементов диаметром и качеством оптики, типом приемника или преобразователя излучения, методом модуляции потока, а также зависит от мощности и спектрального состава излучения. [c.282]

    Преобразователь может быть неоптическим (механическим, электрическим, электронным и т. д.), оптическим или смешанным. К смешанным можно отнести оптико-механические и фотоэлектрические преобразователи. [c.80]

    Примером механического преобразователя может служить оптический угломер, где контактная линейка, жестко связанная с лимбом, механически передает значение измеряемого угла. Примером электрического преобразователя служат электроконтактные датчики, а оптико-механического — оптический рычаг с механическим плечом, фотоэлектрического — схема с применением фотоэлемента. [c.80]

    Другая возможиость многоканального способа фотоэлектрической регистрации спектров заключается в использовании электронно-оптических преобразователей (ЭОП) в сочетании с телевизионными трубками. В таких системах ЭОП служат для предварительного усиления оптического изображен ния (примерно в сто тысяч раз), а телевизионная трубка— для его приема и обаботки. ЭОП представляет собой вакууми рованную колбу, один торец которой покрыт светочувствительным, а второй — флуоресцирующим слоями. С помошью системы электродов, размещенных внутри колбы, изображение спектра на фотокатоде переносится на флуоресцирующий экран с многократным усилением яркости. Это изображение регистрируется и преобразуется с помощью телевизионных трубок, в ка[c.83]

    Регистраторы Н-373 выпускаются с питанием лентопротяжного механизма и фотоэлектрического усилителя от сети переменного тока напряжением 127/220 в (Н-373-1 и Н-373-2) и с комбинированным питанием от малогабаритного блока аккумуляторов с преобразователем П-373, входящего в комплект прибора Н-373-3, или от сети переменного тока.[c.23]

    Очень простой регистрирующий манометр может быть изготовлен на базе самопишущего гальванометра с фотоэлектрическим усилителем типа Н-373/2 (рис. XII. 38, в). Этот самописец имеет высокоомный вход и хорошо согласуется с емкостным преобразователем. При указанных выше параметрах датчика и напряжении питающего генератора не мепее 10 в удается получить чувствительность манометра не хуже 1 10- м,м рт. ст. [c.430]

    На рис. 111.39 приведена схема фотоэлектрического преобразователя. При изменении температуры зеркальце гальванометра поворачивается и луч света попадает на фотоэлемент. Освещенность фотоэлемента будет пропорциональна току в термопаре. Цепь фотоэлемента через потенциометр связана с первичной цепью гальванометра обратной связью-так, что при увеличении тока в цепи фотоэлемента ток в цепи гальванометра уменьшается и зеркальце гальванометра начинает совершать колебания. Амплитуда колебаний будет пропорциональна освещенности фотоэлемента.[c.114]

    Применение компьютерной техники позволяет расширить функциональные возможности приборов, снизить их номенклатуру, повысить точность и достоверность контроля, сократить время их создания. Разработка новых приборов сводится главным образом к созданию или модификации программ, что значительно быстрее и дешевле разработки новых электронных устройств. Другой эффект компьютеризации приборов НК - их универсализация. Как гфавило, компьютеризованные приборы НК могут работать с первичными преобразователями разных типов, например, галь-ваномагнитными, феррозондовыми, вихретоковыми, термо- и фотоэлектрическими и др., могут выполнять функции нескольких специализированных приборов дефектоскопов, структуроскопов, толщиномеров. [c.205]

    Использование таких материалов значительно увеличивает коэффициент полезного действия термоэлектрических преобразователей. Они нужны для разработки полупроводниковых оптических квантовых генераторов и фотоэлектрических приемников, использующих эффект собственной фотопроводимости, для диапазона длин волн не выше 5—7 мкм. В полупроводниках с малой шириной запрешеннсй зоны и с высокой подвижностью носителей тока (типа InSb) обнаружены различные физические явления, представляющие особый практический интерес. [c.298]

    Иммобилизованные клетки микроорганизмов применяют для биотрансформации органических соединений, разделения рацемических смесей, гидролиза ряда сложных эфиров, инверсии сахарозы, восстановления и гидроксилирования стероидов. Иммобилизованные хроматофорь используют в лабораторных установках для синтеза АТФ, а пурпурные мембраны — для создания искусственных фотоэлектрических преобразователей — аналогов солнечных батарей. Разрабатывается реактор на основе иммобилизованных клеток дрожжей для получения этанола из мелассы, в котором дрожжи сохраняли бы способность к спиртовому брожению в течение 1800 ч. Из более чем 2000 известных в настоящее время ферментов иммобилизована и используется для целей инженерной энзимологии примерно десятая часть (преимущественно оксидоредуктазы, гидролазы и трансферазы).[c.93]

    Основные способы регистрации спектров в АЭС — фотоэлектрический и фотохимический (фотографический). Для массовых полуколичественных анализов используют приборы с визуальной регистрацией спектров (стилоскопы). Детекторами для фотоэлектрической регистрации служат фотоэлектрические преобразователи — устройства, преобразующие световой поток в электрический сигнал (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фотодиоды). При этом величина электрического сигнала щ)опорциональна интенсивности светового потока, падающего на детектор. Наиболее распространенные фотохимические детекторы — это фотопластинки или фотопленки. В этом случае интенсивность светового потока определяет величину почернения (оптической плотности) изображения спектральной линии на пластинке (пленке). Величину почернения измеряют фотометрическим методом (см. разд. 11.4). [c.241]

    Полуавтомат Плоские штампованные изделия Установка барабанная, четырехпозиционная Пороговая чувствительность 0,7 10" м Па/с Производительность 1200 шт. /ч Измерительный блок - микроманометрический преобразователь с фотоэлектрической сигнализацией Загрузка ручная, все остальные автоматизированы [c.561]

    Фотоэлектрические методы. Эти методы основаны на использовании полупроводниковых преобразователей солнечного тепла непосредственно в элек- [c.26]

    В работах [33-36] были предложены различные варианты радиоизотопного генератора с двухэтапной системой преобразования ядерной энергии в электрическую, которые принадлежат семейству фотоэлектрических атомных батарей. В таком генераторе энергия фрагментов ядерного деления первоначально преобразуется в излучение посредством какого-либо процесса ядерно-стимулированной флуоресценции (например, в аэрозольном газонаполненном конверторе), а затем уже энергия фотонов преобразуется в электрическую с помощью фотовольтаического преобразователя. Такой способ преобразования энергии имеет целый ряд преимуществ по сравнению с уже имеющимися. Например, в отличие от многих наиболее широко используемых традиционных методов, он не содержит низкоэффективного теплового цикла. Коэффициент полезного действия фотовольтаического преобразователя при правильном подборе длины волны фотонов может достигать 70%, а КПД конверсии ядерной энергии в световое излучение, в свою очередь, может быть доведен до 50%. Таким образом, полный КПД системы может составить величину порядка 35%, что в 3 5 раз выше КПД систем с использованием теплового цикла и солнечных батарей. [c.271]

    Солнечные энергодвигательные установки предусматривают накопление тепловой энергии в тепловом аккумуляторе за счёт солнечных концентраторов, либо электронагревателя, питаемого от фотоэлектрических батарей, и получение тяги в многоимпульсном режиме за счёт продувки водорода через тепловой аккумулятор. Получение электрической энергии для питания аппаратуры КА в варианте с солнечными концентраторами обеспечивается за счёт термоэмиссионных преобразователей, располагаемых на поверхности теплового аккумулятора, либо замкнутой турбомашинной системы. [c.306]

    В трубке электронно-оптического преобразователя, используемой в телевизионной камере, существенной деталью является катод, покрытый специальным фотоэлектрическим слоем площадью не более 1—2 см и П01мещенный в высокий вакуум. Этот катод периодически сканируется электронным пучком. Слой из полупроводника с фотоэлектрическими свойствами расположен между металлическим слоем, нанесенным на стеклянную пластинку, и очень тонким металлическим электродом-сеткой, наложенным на этот слой. Сетка ячеек образуется 400—600 строками катодного слоя. Каждая строка содержит около 10 000 прямоугольных малых участков поверхности. Электронный луч осуществляет развертку этой поверхности последовательно по строкам и точкам. Передаваемая картина оптически изображается на катодном слое. Проводимость каждой точки катодного слоя, сканируемого электронным пучком, зависит от яркости элемента изображения. При передаче картины интенсивность катодного пучка в электроннолучевой трубке Брауна управляется фототоком трубки электронно-оптического преобразователя. При этом управляемое движение катодного пучка первой трубки строго синхронизовано со сканирующим электронным пучком трубки телевч-зионной камеры. [c.216]

    Поставляется без питателей. Управление — с пульта линии по приготовлению и выдачи сухих кормов. Снабжен циферблатным указателем с бесконтактными датчиками Питатели — шнековые с индивидуальными приводами (в комплекте — 9 шт.). Управление — электропнев-матическое, дистанционное, программное. Снабжен циферблатным указателем с фотоэлектрическим преобразователем. Поставляется в составе комплекса КДК-1, КДК-2, КДК-3 весового дозирования для комбикормовых заводов [c.276]

    Питатели — шнековые с индивидуальными приводами (в комплекте — 9 шт.). Управление — электропнев-матическое, дистанционное, программное. Снабжен циферблатным указателем с фотоэлектрическим преобразователем. Поставляется в составе комплекса КДК-1, КДК-2, КДК-3 весового дозирования для комбикормовых заводов [c.277]

    Фотоэлектрические приемники делят на приемники с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления, фотодиоды, фототриоды) и с внещним фотоэффектом — фотоэлементы, электронно-оптические преобразователи, фотоэлектронные умножители, ночные телевизионные трубки.[c.106]

    Для устранения указанных недостатков разработаны новые методы измерения гидродинамических характеристик, основанные на преобразовании неэлектрических величин в электрические сигналы. Измерение высоты газожидкостного слоя на тарелке аппарата осуществляется с помощью фотоэлектрического преобразователя, гидравлическое сопротивление газо- хидкостного слоя - с помощью тензоыетрического датчика и высота исходного слоя аидкооти -с ПОМО1ДЫ0 фотоэлектрического или индуктивного преобразователей. [c.195]


ТЕКО: ОT NK21A-311P-11-L-F - Быстродействующий фотоэлектрический преобразователь частоты вращения

Доставка: По всей России

Отгрузка осуществляется транспортными компаниями на Ваш выбор.
Мы рекомендуем:


ЖелДорЭкспедиция

Деловые линии

Преобразователь ОT NK21A-311P-11-L-F предназначен для преобразования прерываний светового потока датчика секторами вращающегося диска в перепады напряжения на нагрузке датчика.

Применяется в машиностроении и других отраслях для контроля частоты вращения машин и механизмов. 

Технические характеристики

 Формат, мм
 51x18x40
 Зона чувствительности  11 мм
 Диапазон рабочих напряжений питания, Ub  4,5...5,5 В DC
 Максимальный ток в нагрузке  80 мА
 Сопротивление нагрузки  <10 кОм
 Выходное напряжение при прерывании луча  >2,4 В
 Выходное напряжение при отсутствии прерывания луча  <0,4 В
 Потребляемая мощность, не более  0,5 Вт
 Допустимая освещённость окружающей среды  5000 Люкс
 Частота циклов оперирования, f
 до 20 кГц
 Индикация состояния преобразователя  есть
 Защита от перегрузки по току  есть
 Диапазон рабочих температур, Та  -25oС...+75oС
 Степень защиты IP
 IP67
 Материал корпуса  Д16Т
 Подключение  кабель 3x0,34 мм (экран.)

Солнечная станция - АльтЭнерго

Солнечные батареи (фотоэлектрический преобразователь) или ФЭП служат для преобразования солнечной энергии в электрическую.

Солнечное излучение — один из наиболее перспективных источников энергии будущего. Преобразование солнечной энергии может осуществляться двумя основными способами: фотоэлектрическим (прямое преобразование световой энергии в электрическую) и фототермическим (преобразование световой энергии в тепловую, а затем, при необходимости, в электрическую).

Фотоэлектрические станции – это установки, принцип действия которых состоит в прямом преобразовании солнечного света в постоянный электрический ток. Энергия может использоваться как напрямую, так и запасаться в аккумуляторных батареях. Для получения переменного тока необходимо использовать преобразователи – инверторы.

Солнечные электростанции могут подключаться к электрическим сетям и передавать в них выработанную энергию, а также использоваться в качестве автономного или резервного источника питания.

Виды солнечных батарей

  1. Фотоэлектрические преобразователи. Полупроводниковые устройства, прямо преобразующие солнечную энергию в электричество (Солнечные элементы). Несколько объединённых СЭ называются солнечной батареей.
  2. Гелиоэлектростанции (ГЕЭС). Солнечные установки, использующие высококонцентрированное солнечное излучение в качестве энергии для приведения в действие тепловых и др. машин (паровой, газотурбинной, термоэлектрической и др.).
  3. Солнечные коллекторы (СК). Солнечные нагревательные низкотемпературные установки.
  4. Органические батареи. Устройства преобразующее солнечные лучи в электричество с помощью генетически модифицированных клеток, напечатанных на тонком пластике с проводником.

ООО «АльтЭнерго» установило на х. Крапивенские Дворы Яковлевского района Белгородской области солнечный парк, состоящий из поликристаллических и аморфных солнечных панелей. Поликристаллические состоят из распиленного на пластины полупроводникового кремния. При попадании на их поверхность солнечного света в устройстве начинается движение электронов, вырабатывается постоянный электрический ток, который затем преобразуется в переменный.

В устройствах аморфного типа полупроводники в вакууме расщепляются на мельчайшие частицы, и воздействие света становится наиболее интенсивным, поэтому аморфные источники обладают высокой производительностью и могут работать при плохих погодных условиях и слабой освещённости.

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку "Назад" и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

photoelectric% 20converter - определение английского языка, грамматика, произношение, синонимы и примеры

Сенсибилизированный красителем фотоэлектрический преобразователь имеет структуру, в которой слой электролита заполнен между пористым фотоэлектродом, на котором адсорбирован фотосенсибилизированный краситель, и противоэлектродом.

патенты-wipo

Фотоэлектрический Ювелирное изделие, в частности клипса для ушей

Польские Патенты

Они были в значительной степени заменены камерами CCD, которые могут одновременно отображать несколько объектов, хотя фотоэлектрические фотометры и все еще используются в особых ситуациях, например, когда требуется точное временное разрешение.

WikiMatrix

Частота вращения иглы или числового колеса подсчитывается с использованием изменяющегося шаблона в выходном сигнале множества фотоэлектрических элементов .

патенты-wipo

Фотоэлектрический Датчик смещения джойстика

патенты-wipo

Соединение, имеющее гептаметиновую структуру, сенсибилизирующий краситель и фотоэлектрический преобразовательный элемент

патенты-wipo

Фотоэлектрический преобразователь и солнечный элемент

патенты-wipo

В 1905 году Эйнштейн объяснил фотоэлектрический эффект , постулировав, что свет или, в более общем смысле, все электромагнитное излучение можно разделить на конечное число «квантов энергии», которые представляют собой локализованные точки в пространстве.

WikiMatrix

Упомянутое устройство содержит несколько источников света (7), которые излучают свет прямолинейно, предпочтительно диодные источники света, которые объединены, чтобы сформировать по меньшей мере один оптический излучатель (6), по меньшей мере, один приемник (8), который содержит систему линз ( 9) и фотоэлектрический элемент (18) , в дополнение к секции обнаружения (4a), которая расположена между излучателем и приемником и пересекает поток материала.

патенты-wipo

Рентгеновские лучи, поглощаемые или рассеянные объектом исследования, излучают свет на входной поверхности, образованной на внутренней стороне входного окна (14), излучаемый свет затем преобразуется в электроны на фотоэлектрической преобразовательной поверхности , и электроны ускоряются и фокусируется фокусирующим электродом (19) и направляется к стороне анода (20).

патенты-wipo

Фотоэлектрический преобразователь имеет часть, имеющую полупроводниковый слой i-типа (3) и первый полупроводниковый слой (4) проводящего типа между второй областью (11) и вторым электродом (5), а также второй электрод ( 5) и вторая область (11) электрически соединены друг с другом.

патенты-wipo

Фотоэлектрический эффект : Эйнштейн объяснил это в 1905 году (а позже получил за это Нобелевскую премию), используя концепцию фотонов, частиц света с квантованной энергией.

WikiMatrix

Разработка промышленных сенсоров, в частности оптических, электронных, оптоэлектронных, фотоэлектрических приборов и систем , в частности для анализа и измерительной техники.

tmClass

Ионизация устанавливается и поддерживается с помощью фотоэлектрического эффекта источника света с подходящей длиной волны для создания наиболее проводящей среды передачи электроэнергии.

патенты-wipo

Вероятность поглощения фотоэлектрическим элементом на единицу массы приблизительно пропорциональна Z3 / E3, где Z - атомный номер, а E - энергия падающего фотона.

WikiMatrix

В одном варианте осуществления фотоэлектрическое устройство включает в себя первый блок фотоэлектрического преобразования , первый прозрачный проводящий оксидный слой и первый слой микрокристаллического кремния, расположенный между фотоэлектрическим преобразователем и прозрачным проводящим оксидным слоем и находящийся в контакте с ними.

патенты-wipo

Фотоэлектрический и выпрямляющие свойства селена наблюдали также Адамс и Дэй в 1876 г. и К.E. Fitts примерно в 1886 году, но практические выпрямительные устройства не производились в обычном порядке до 1930-х годов.

WikiMatrix

5. «Активный пиксель» (6–8) - это минимальный (единственный) элемент твердотельной матрицы, который имеет фотоэлектрическую передаточную функцию при воздействии светового (электромагнитного) излучения.

ЕврЛекс-2

Это первая известная стандартизированная фотоэлектрическая фотометрическая система .

WikiMatrix

Значения яркости экрана, указанные в пунктах 8.8. и 8.9. выше, должны быть измерены с помощью фотоэлемента , эффективная площадь которого должна находиться в пределах квадрата со стороной 65 мм.

UN-2

Держатель разъема, фотоэлектрический преобразователь с держателем разъема, конструкцией для фиксации оптического разъема и способом сборки держателя разъема

патенты-wipo

В 1931 году он вместе со своим учеником Харви Холлом написал работу по «Релятивистской теории фотоэлектрического эффекта », в которой, основываясь на эмпирических данных, он правильно оспорил утверждение Дирака о том, что два энергетических уровня атома водорода иметь такую ​​же энергию.

WikiMatrix

Иоффе был специалистом в области электромагнетизма, радиологии, кристаллов, физики сильных ударов, термоэлектричества и фотоэлектричества .

WikiMatrix

Датчик изображения включает в себя подложку, на которой сформировано фотоэлектрических элементов , и массив элементов преобразования оптического пути, сформированный на свету, так что преобразованный оптический путь свет может падать на подложку, при этом каждый из элементов преобразования оптического пути имеет разные градиенты касательной линии на соответствующих частях падающих поверхностей в соответствии с расстояниями от центра датчика изображения, чтобы компенсировать разницу углов падения падающего света в соответствии с расстояниями от центра датчика изображения.

патенты-wipo

Светопроекционное устройство для фотоэлектрического датчика дыма

патенты-wipo

Фотоэлектрический преобразователь, система формирования изображения и способ изготовления фотоэлектрического преобразователя

Уровень техники
Область изобретения

Настоящее изобретение относится к фотоэлектрическому преобразователю, системе формирования изображения и способу изготовления фотоэлектрического преобразователя.


Описание предшествующего уровня техники

Известны фотоэлектрические преобразователи, включая пленки фотоэлектрического преобразования.Такая пленка фотоэлектрического преобразования расположена над полупроводниковой подложкой, включая схемы. Выложенный патент Японии № 2014-067948 раскрывает твердотельный элемент формирования изображения, включающий в себя органическую пленку фотоэлектрического преобразования, используемую в качестве пленки фотоэлектрического преобразования.

Выложенный патент Японии № 2009-295799 раскрывает способ уменьшения оборванных связей в полупроводниковой подложке в фотоэлектрическом преобразователе, включающем элементы фотоэлектрического преобразования, расположенные в кремниевой полупроводниковой подложке.В выложенном японском патенте № 2009-295799 оборванные связи разрываются таким образом, что водород диффундирует из пленки оксида кремния путем выполнения термообработки после формирования рисунков разводки. Уменьшение количества оборванных связей в полупроводниковой подложке снижает шум в фотоэлектрическом преобразователе.

Однако, если термическая обработка, описанная в выложенном японском патенте № 2009-295799, выполняется для уменьшения шума в фотоэлектрическом преобразователе, имеющем пленку фотоэлектрического преобразования, как описано в выложенном японском патенте №2014-067948, качество пленки фотоэлектрического преобразования может быть изменено. Даже в пленке фотоэлектрического преобразования, сделанной из любого другого материала, высокотемпературная термообработка может вызвать изменение качества пленки фотоэлектрического преобразования. Соответственно, настоящее изобретение обеспечивает фотоэлектрический преобразователь, имеющий пониженный шум без изменения характеристик пленки фотоэлектрического преобразования, и способ ее изготовления.


СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В примере способа фотоэлектрического преобразователя для изготовления фотоэлектрического преобразователя согласно настоящему изобретению способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает в себя первый этап подготовки полупроводниковой подложки, содержащей металлооксидный полупроводник (MOS). транзистора, второй этап формирования множества межслойных изолирующих пленок над полупроводниковой подложкой и третий этап формирования участка фотоэлектрического преобразования над полупроводниковой подложкой.Второй этап включает этап формирования первой пленки, содержащей водород. Третий этап включает в себя этап формирования первого электрода, этап формирования пленки фотоэлектрического преобразования и этап формирования второго электрода. Способ включает в себя этап выполнения термообработки между этапом формирования первой пленки и этапом формирования пленки фотоэлектрического преобразования.

В примере фотоэлектрического преобразователя согласно настоящему изобретению фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя полупроводниковую подложку, включает в себя множество межслойных изолирующих пленок, расположенных над полупроводниковой подложкой, часть фотоэлектрического преобразования и часть схемы считывания, включающую в себя расположенный МОП-транзистор. над полупроводниковой подложкой.Часть фотоэлектрического преобразования включает в себя первый электрод, расположенный над полупроводниковой подложкой, пленку фотоэлектрического преобразования, расположенную над первым электродом, и второй электрод, расположенный над пленкой фотоэлектрического преобразования. Первый электрод электрически подключен к МОП-транзистору. Множество межслойных изолирующих пленок включает первую пленку, содержащую водород, которая расположена между первым электродом и полупроводниковой подложкой.

Дополнительные признаки настоящего изобретения станут очевидными из следующего описания примерных вариантов осуществления со ссылкой на прилагаемые чертежи.


КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ


ФИГ. 1 представляет собой схематический вид в разрезе фотоэлектрического преобразователя для пояснения первого варианта осуществления.


РИС. 2 представляет собой схематический вид в разрезе фотоэлектрического преобразователя для пояснения второго варианта осуществления.


РИС. 3 представляет собой схематический вид в разрезе фотоэлектрического преобразователя для пояснения третьего варианта осуществления.


РИС. 4 - схематический вид в разрезе фотоэлектрического преобразователя для пояснения четвертого варианта осуществления.


ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Первый вариант осуществления

Первый вариант осуществления будет описан с использованием фиг. 1. Элементы в соответствующих слоях на фиг. 1 обозначены теми же ссылочными позициями, что и для слоев. Обратите внимание, что хорошо известный или общеизвестный метод применяется к части, не проиллюстрированной или не описанной в настоящем описании.


РИС. 1 представляет собой схематический вид в разрезе фотоэлектрического преобразователя для пояснения настоящего варианта осуществления.Фотоэлектрический преобразователь имеет множество пикселей, расположенных в двумерном массиве. ИНЖИР. 1 показаны четыре пикселя 161 , 162 , 163 и 164 . Каждый из пикселей , 161, , , 164, включает в себя по меньшей мере одну часть фотоэлектрического преобразования и схему считывания для считывания сигналов, генерируемых в части фотоэлектрического преобразования. Пиксель 164 из пикселей с 161 по 164 является пикселем оптического черного (OPB), включающим в себя фильтр 132 черного цвета.Сигналы, полученные в пикселе OPB, используются в качестве опорных сигналов. Схема считывания включает в себя, например, транзистор передачи, электрически подключенный к блоку фотоэлектрического преобразования, транзистор усиления, включающий в себя электрод затвора, электрически подключенный к блоку фотоэлектрического преобразования, и транзистор сброса для сброса блока фотоэлектрического преобразования. Фотоэлектрический преобразователь включает в себя часть , 165, периферийной схемы, площадку , 166, и другие части в дополнение к пикселям с , 161, , , 164, .Площадка , 166, является частью для электрического соединения с внешним устройством, а площадка, сделанная из электрического проводника, открыта наружу из части площадки 166 . Часть , 165, периферийной схемы является частью для управления работой пикселей с 161 по 164 и для обработки считанных сигналов. Часть , 165, периферийной схемы включает в себя схемы обработки, такие как схема усиления, схема горизонтального сканирования и схема вертикального сканирования.ИНЖИР. 1 иллюстрирует в качестве части , 165, периферийной схемы часть схемы для подачи напряжения на электрод каждого пикселя.

Структуры на ФИГ. 1 будет описано. Полупроводниковая подложка 101 снабжена такими элементами, как МОП-транзисторы, включенные в пиксели с 161 по 164 , часть периферийной схемы 165 и часть площадки 166 . Каждый пиксель с , 161, по , 164, снабжен стоком-истоком 102 и затвором 103 , которые являются МОП-транзисторами.Участок , 165, периферийной схемы снабжен полупроводниковой областью 104 , а участок 166 контактной площадки снабжен полупроводниковой областью 105 . Полупроводниковая подложка 101 имеет поверхность 106 . Направление, перпендикулярное поверхности , 106, и проходящее внутрь подложки, называется направлением вниз, а направление, противоположное направлению вниз, называется направлением вверх.Расстояние в направлении вверх также называется высотой по отношению к поверхности , 106, . Исток-сток , 102, в некоторых случаях также называется одним из истока и стока.

Полупроводниковая подложка 101 снабжена изолирующим слоем затвора 107 на поверхности 106 и, кроме того, снабжена множеством межслойных изолирующих слоев 108 , 109 , 110 , 111 , 112 , 113 и 114 и множество слоев разводки 116 , 118 , 120 и 122 .Для электрического соединения слоев разводки 116 , 118 , 120 и 122 друг с другом необходимо использовать контактные слои 115 и через слои 117 , 119 , 121 и 123 каждая из них имеет вилки, образованные из электрического проводника, в основном из вольфрама, используемого в качестве основного компонента, и может иметь барьерный металл, такой как титан. Контактные слои 115 и промежуточные слои 117 , 119 , 121 и 123 соединены со слоями разводки 116 , 118 , 120 и 122 .Первые электродные слои 124 , разделительный слой 125 , слой фотоэлектрического преобразования 126 и второй электродный слой 127 расположены над межслойными изолирующими слоями 108 до 114 и слоями разводки 116 , 118 , 120 и 122 . Слой выравнивания , 128, и слои цветного фильтра расположены над вторым электродным слоем , 127, . Слои разводки , 116, , , 118, , , 120, и , 122, , каждый, имеют множество рисунков разводки.Каждый из контактных слоев , 115, имеет множество контактных заглушек, а каждый из промежуточных слоев 117 , 119 , 121 и 123 имеет множество переходных заглушек. Каждый из первых электродных слоев , 124, имеет множество первых электродов. Разделительный слой 125 имеет множество разделительных участков. Слой цветных фильтров имеет цветные фильтры 129 , 130 , 131 и 132 , которые, например, являются синими, зелеными, красными и черными, соответственно.Фильтр черного цвета действует как светозащитный элемент. Узоры и т.п., включенные в слои, также обозначены теми же ссылочными номерами, что и слои в последующем описании.

Часть фотоэлектрического преобразования расположена над полупроводниковой подложкой 101 , межслойными изолирующими слоями 108 до 114 и множеством слоев разводки 116 , 118 , 120 и 122 .Часть фотоэлектрического преобразования включает в себя первый электрод , 124, , слой фотоэлектрического преобразования , 126, и второй электрод , 127, . Слой фотоэлектрического преобразования , 126, и второй электрод , 127, проходят по пикселям, но каждый из них может быть разделен на секции таким образом, чтобы секции соответствовали соответствующим пикселям.

В таком фотоэлектрическом преобразователе межслойные изолирующие слои с 108 по 114 включают в себя первый слой 110 , содержащий водород, расположенный между полупроводниковой подложкой 101 и первыми электродами 124 .Примеры водородсодержащего слоя включают пленку оксида кремния, пленку оксинитрида кремния и пленку нитрида кремния. Пленка оксида кремния включает тетраэтилортосиликат (TEOS), борсиликатное стекло (BPSG), нелегированное силикатное стекло (USG) и другие компоненты. Можно сказать, что пленка оксинитрида кремния содержит кремний, кислород и азот. Размещение первого слоя , 110, , содержащего водород, рядом с полупроводниковой подложкой 101 позволяет разорвать оборванную связь на поверхности 106 полупроводниковой подложки 101 с помощью водорода, что позволяет снизить шум, связанный с оборванной связью. .

Кроме того, межслойные изолирующие слои 108 до 114 включают в себя второй слой 114 , расположенный между первым слоем 110 и первыми электродами 124 , второй слой 114 имеет функцию предотвращения образования водорода. движение. Пленка, имеющая функцию предотвращения движения водорода, представляет собой компактную пленку, такую ​​как пленка из нитрида кремния (пленка, содержащая кремний и азот) или пленка из карбида кремния (пленка, содержащая кремний и углерод).Другими словами, второй слой , 114, имеет более высокую плотность на единицу объема, чем первый слой , 110, , или может иметь более низкий коэффициент пропускания водорода, чем первый слой , 110, . Размещение второго слоя 114 над первым слоем 110 может предотвратить диффузию водорода из первого слоя 110 в направлении, противоположном направлению к полупроводниковой подложке 101 . Соответственно, количество водорода, диффундирующего к полупроводниковой подложке 101 , увеличивается, и шум может быть уменьшен еще больше.

Далее будут описаны конструкции. Полупроводниковая подложка 101 представляет собой полупроводниковую подложку, изготовленную, например, из кремния. Затвор 103 изготовлен, например, из поликремния. Изолирующий слой затвора , 107, представляет собой пленку оксида кремния, пленку оксинитрида кремния и т.п. Неорганический материал, такой как пленка оксида кремния или пленка нитрида кремния, и органический материал, такой как SiLK, могут использоваться для межслойных изолирующих слоев с 108 по 114 .Слои разводки , 116, , , 118, , , 120, и , 122, выполнены из электрического проводника, содержащего алюминий или медь, используемого в качестве основного компонента. Поскольку один из слоев разводки , 122, включает площадку контактной части , 166, в настоящем варианте осуществления, контактные слои , 115, и промежуточные слои, , 117, , , 119, , , 121, и , 123, . сделаны из электрического проводника, содержащего алюминий, используемый в качестве основного компонента.Каждый первый электрод , 124, также называется нижним электродом и состоит из электрического проводника, содержащего алюминий или медь, используемого в качестве основного компонента. Первый электрод , 124, электрически соединен с соответствующим истоком-стоком 102 МОП-транзистора схемы считывания через слои разводки 116 , 118 , 120 и 122 . Второй электрод , 127, также называется верхним электродом и расположен ближе к поверхности падения света, чем первый электрод , 124, .Второй электрод , 127, желательно изготовить из прозрачного проводящего материала и, например, из электрического проводника, содержащего оксид индия-олова (ITO), оксид индия-цинка (IZO) или полиимид, используемый в качестве основного компонента. Второй электрод , 127, электрически соединен со слоями разводки , 122, через электрические проводники в первых электродных слоях , 124, и, таким образом, электрически соединен с элементами в части 165 периферийной схемы.Слой фотоэлектрического преобразования , 126, изготовлен из неорганического или органического материала, через который может выполняться фотоэлектрическое преобразование. Например, в случае неорганического материала для слоя 126 фотоэлектрического преобразования могут быть выбраны слой аморфного кремния, слой аморфного селена, слой квантовых точек, сложный полупроводниковый слой или т.п. В качестве материала слоя фотоэлектрического преобразования , 126, может использоваться органический материал.Примеры органического материала включают красители, такие как краситель на основе комплекса металлов и цианиновый краситель. Также могут быть использованы другие проводящие материалы, такие как акридин, кумарин, трифенилметан, фуллерен, 8-гидроксихинолин алюминия, полипарафениленвинилен, полифлуорен, поливинилкарбазол, политиол, полипиррол и политиофен. В другом примере слоя , 126, фотоэлектрического преобразования может использоваться слой квантовых точек. Например, слой квантовых точек сформирован из буферного материала из AlGaAs или GaAs и квантовой точки из InAs или InGaAs.Слой квантовых точек также может быть слоем, полученным путем диффузии материала фотоэлектрического преобразования в буферном материале, изготовленном из органического материала. Для разделительного слоя 125 может использоваться изолятор, такой как пленка оксида кремния. В качестве материала выравнивающего слоя 128 может использоваться неорганический или органический материал, и, например, может использоваться пленка нитрида кремния, пленка карбида кремния или акриловая смола.

Далее будет описан способ изготовления фотоэлектрического преобразователя в настоящем варианте осуществления.Описание части фотоэлектрического преобразователя, которая может быть сформирована в типичном полупроводниковом процессе, будет опущено в способе изготовления, описанном ниже.

Сначала готовится полупроводниковая подложка, в которой формируются полупроводниковые элементы, такие как МОП-транзисторы ( 102 , 103 и 107 ). Множество межслойных изолирующих слоев от 108 до 114 , множество слоев разводки 116 , 118 , 120 и 122 , контактные слои 115 и множество промежуточных слоев 117 Затем поверх полупроводниковой подложки формируются , 119 и 121 .

Выполняется термообработка (стадия термообработки) для диффузии водорода. Термическую обработку проводят при температуре от 250 ° C до 450 ° C в атмосфере водорода, атмосферы азота или атмосферы инертного газа. В частности, предпочтительна водородная атмосфера.

После формирования второго слоя 114 и после выполнения этапа термообработки формируются сквозные слои 123 . После формирования переходных слоев , 123, , первые электродные слои , 124, , разделительный слой 125 , слой фотоэлектрического преобразования , 126, и второй электродный слой, , 127, , формируются в этом порядке.После того, как, например, сформирована пленка оксида кремния, в разделительном слое 125 формируются отверстия для частичного обнажения первых электродов , 124, . Слой фотоэлектрического преобразования , 126, сформирован таким образом, чтобы покрывать части, из которых открыты первые электроды , 124, . Второй электродный слой , 127, сформирован таким образом, чтобы покрывать слой фотоэлектрического преобразования , 126, в пикселях с , 161, , до , 164, и быть соединенным с одним из рисунков первых электродных слоев , 124, в часть периферийной схемы 165 .

После этого формируется выравнивающий слой 128 и формируются цветные фильтры с 129 по 132 . Слой выравнивания (не показан) или микролинзы (не показаны) могут быть сформированы на цветных фильтрах с 129 по 132 . Отверстие 133 сформировано в выравнивающем слое 128 , а в отверстии 133 сформирована подушка. Фотоэлектрический преобразователь завершен.

Далее будет подробно описан способ изготовления множества межслойных изолирующих слоев от 108 до 114 .Пленки оксида кремния формируются как пленки, за исключением первого слоя 110 и второго слоя 114 среди межслойных изолирующих слоев от 108 до 114 . Пленки оксида кремния формируются с использованием, например, метода плазменно-химического осаждения из паровой фазы (CVD) или метода плазменного CVD высокой плотности (HDP-CVD). Первый слой , 110, формируется с использованием метода плазменного химического осаждения из паровой фазы или термического химического осаждения из паровой фазы таким образом, что водород добавляется к исходному газу.Температура (температура осаждения) во время формирования первого слоя 110 равна или ниже 450 ° C, более предпочтительно, равна или ниже 400 ° C. Пленка нитрида кремния формируется в качестве второго слоя. 114 с использованием метода индуктивной связи (ICP) HDP-CVD или метода термического CVD. Исходный газ содержит SiH 4 и O 2 . В некоторых случаях в качестве газа-носителя добавляют Ar. В качестве альтернативы в качестве исходного газа можно использовать тетраэтоксисилан (TEOS, Si (OC 2 H 5 ) 4 ) и O 2 .Температура (температура осаждения) во время формирования второго слоя 114 равна или ниже 450 ° C, более предпочтительно равна или ниже 400 ° C. В случае, когда температура во время формирование первого слоя , 110, - T1, и если температура во время формирования второго слоя 114 - T2, T1≤T2 - желательно иметь более высокую плотность второго слоя 114 , чем у первого слой 110 . Кроме того, давление в камере устройства CVD во время формирования первого слоя , 110, ниже, чем давление в камере устройства CVD во время формирования второго слоя 114 .Температуры во время формирования первого слоя , 110, и второго слоя , 114, , желательно равны или ниже температуры на этапе термообработки. В случае, когда температура на этапе термообработки равна T3, T1≤T3 и T2≤T3 остаются верными, то есть желательно T1≤T2

После того, как первый слой 110 и второй слой 114 сформированы в этих условиях, выполняется этап термообработки. Этап термообработки выполняется, по меньшей мере, перед этапом формирования слоя , 126, фотоэлектрического преобразования.Такой процесс может предотвратить изменение характеристик слоя , 126, фотоэлектрического преобразования.

В случае, описанном в настоящем варианте осуществления, этап термообработки выполняется после формирования второго слоя 114 и до формирования первых электродных слоев 124 . Однако этап термообработки может выполняться после формирования первых электродных слоев , 124, . Чтобы уменьшить повреждение полупроводниковой подложки в процессе производства, желательно проводить термообработку как можно позже в производственном процессе.Кроме того, выполнение этапа термообработки перед формированием второго электродного слоя , 127, может предотвратить изменение сопротивления второго электродного слоя , 127, .

В настоящем варианте осуществления слой 126 фотоэлектрического преобразования окружен выравнивающим слоем 128 и вторым слоем 114 , которые представляют собой пленки нитрида кремния. Такая структура может предотвратить попадание воды или ионов в слой фотоэлектрического преобразования , 126, .


Второй вариант осуществления

Второй вариант осуществления будет описан с использованием фиг. 2. Второй вариант осуществления отличается от первого варианта осуществления тем, что изолирующий слой 201 расположен между каждым первым электродом , 124, и слоем фотоэлектрического преобразования , 126, . Те же конструкции в настоящем варианте осуществления, что и в первом варианте осуществления, обозначены теми же ссылочными позициями, и их описание будет опущено.

В настоящем варианте осуществления часть фотоэлектрического преобразования включает в себя первые электроды 124 , изолирующий слой 201 , слой фотоэлектрического преобразования 126 и второй электрод 127 .Структура части фотоэлектрического преобразования в настоящем варианте осуществления также упоминается как структура с металлическим диэлектриком и полупроводником (MIS). Изолирующий слой 201 покрывает первые электроды 124 и расположен над разделительной частью 125 . Изолирующий слой 201 может быть расположен, по меньшей мере, между каждым первым электродом , 124, и слоем фотоэлектрического преобразования , 126, и может располагаться ниже разделительной части 125 .Такая структура также обеспечивает снижение шума в фотоэлектрическом преобразователе, как и в первом варианте осуществления.


Третий вариант осуществления

Третий вариант осуществления будет описан с использованием фиг. 3. Отличие третьего варианта осуществления от первого варианта осуществления заключается в конструкции части подушки 166 . Те же конструкции в настоящем варианте осуществления, что и в первом варианте осуществления, обозначены теми же ссылочными позициями, и их описание будет опущено.

Настоящий вариант осуществления отличается тем, что не рисунок разводки в соответствующем слое разводки 122 , а рисунок 302 в соответствующем первом электродном слое 124 используется в контактной площадке, открытой из-за отверстия 133 в часть прокладки 166 .Шаблон 302 соединен с рисунком разводки слоя разводки 122 через переходной штекер 301 соответствующего промежуточного слоя 123 . Такая структура также обеспечивает снижение шума в фотоэлектрическом преобразователе, как и в первом варианте осуществления.


Четвертый вариант осуществления

Четвертый вариант осуществления будет описан с использованием фиг. 4. Четвертый вариант осуществления отличается от первого варианта осуществления тем, что разделительный слой 125 не предусмотрен.Те же конструкции в настоящем варианте осуществления, что и в первом варианте осуществления, обозначены теми же ссылочными позициями, и их описание будет опущено.

Поскольку разделительный слой 125 не предусмотрен в настоящем варианте осуществления, первые электродные слои 401 делаются тоньше, чем первые электродные слои 124 в первом варианте (небольшое расстояние между верхней поверхностью и нижней поверхностью каждого первого электродного слоя , 401, ).Даже несмотря на то, что разделительный слой 125 не предусмотрен, такая структура позволяет уменьшить утечку между первыми электродами , 401, . Поскольку разделительный слой , 125, не предусмотрен, слой фотоэлектрического преобразования , 402, и второй электродный слой , 403, имеют ровные верхние поверхности, соответственно. Поскольку слой , 402, фотоэлектрического преобразования имеет ровную верхнюю поверхность, второй электродный слой , 403, может быть тонким.В случае, когда второй электродный слой , 403, тонкий, неровная верхняя поверхность слоя фотоэлектрического преобразования , 402, может вызвать разъединение. Описанная выше структура также позволяет сделать выравнивающий слой , 404, тонким.

В дальнейшем, пример применения фотоэлектрического преобразователя согласно любому из вышеупомянутых вариантов осуществления будет описан на примере системы формирования изображения, имеющей встроенный в нее фотоэлектрический преобразователь.В концепции системы формирования изображения система формирования изображения включает в себя не только устройство, такое как камера, в основном для съемки изображений, но также устройство, имеющее вспомогательную функцию съемки изображений (например, персональный компьютер или мобильный терминал). Система формирования изображения включает в себя фотоэлектрический преобразователь согласно настоящему изобретению, который показан как соответствующий вариант осуществления, и процессор сигналов, который обрабатывает сигналы, выводимые из фотоэлектрического преобразователя. Процессор сигналов может включать в себя, например, аналого-цифровой (A / D) преобразователь и процессор, который обрабатывает цифровые данные, выводимые из A / D преобразователя.

Каждый вариант осуществления, описанный выше, представляет собой вариант осуществления изобретения, и вариант осуществления изобретения не ограничивается вариантом осуществления, описанным выше. Например, слой микролинз может быть расположен над слоем цветного фильтра в каждом варианте осуществления. Функциональный слой, такой как слой блокировки заряда, может быть расположен между по меньшей мере одним из электродов и слоем фотоэлектрического преобразования, причем функциональный слой предотвращает инжекцию зарядов с электрода в слой фотоэлектрического преобразования.Каждый из межслойных изолирующих слоев, изолирующих слоев, электродных слоев и других слоев может быть однослойным или многослойным и может быть изготовлен из материалов, отличных друг от друга. Варианты осуществления могут быть соответствующим образом модифицированы и объединены и могут быть изготовлены с использованием общеизвестной технологии производства полупроводников.

Хотя настоящее изобретение было описано со ссылкой на примерные варианты осуществления, следует понимать, что изобретение не ограничивается раскрытыми примерными вариантами осуществления.Объем следующей формулы изобретения должен соответствовать самой широкой интерпретации, чтобы охватить все такие модификации и эквивалентные структуры и функции.

SCIRP с открытым доступом

Недавно опубликованные статьи

Подробнее >>

    Сравнение и адаптация двух стратегий обнаружения аномалий в профилях нагрузки на основе методов из областей машинного обучения и статистики ()

    Патрик Кравец, Марк Юнг, Йенс Хессельбах

    Открытый журнал по энергоэффективности Vol.10 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ojee.2020.102003 21 Загрузки 76 Просмотры

    Влияние меди и мышьяка на извлечение золота на месторождении Яли, Западный Мали ()

    Фоде Тункара, Цзянго Чен, Мори Сидибе, Умар Сумаре

    Открытый геологический журнал Vol.11 No4, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ojg.2021.114008 30 Загрузки 77 Просмотры

    Сосредоточьтесь на производстве электроэнергии из куриного помета в Китае: как продвигать промышленность по переработке отходов биомассы? ()

    Хан Ли, Пинцзе Се, Чао Ван, Чжуовэнь Му

    Энергетика и энергетика Vol.13 No4, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / epe.2021.134009 18 Загрузок 50 Просмотры

    Разработка антивоскового агента на водной основе SGJ-1 ()

    Лэцзюнь Ляо, Вэньчжэ Хань, Цичао Цао, Синтун Ли, Ли Хэ, Сун Ван

    Открытый журнал нефти и газа Янцзы Vol.6 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ojogas.2021.62007 20 Загрузки 50 Просмотры

    Переменная скорость света со временем и общая теория относительности ()

    Джузеппе Пипино

    Журнал физики высоких энергий, гравитации и космологии Vol.7 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / jhepgc.2021.72043 25 Загрузок 74 Просмотры

    Клиническая полезность онкомаркеров ()

    Таро Мизуно, Такаюки Гото, Кота Симодзё, Наоки Ватанабэ, Такудзи Танака

    Открытый журнал патологии Vol.11 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ojpathology.2021.112005 17 Загрузки 49 Просмотры

    Испытание на применение электрического метода защиты от помех в городских геофизических исследованиях в Тунчжоу, Пекин ()

    Юнхуэй Су, Сонгвэй Го, Давэй Ли, Ян Лю

    Международный журнал наук о Земле Vol.12 No4, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ijg.2021.124022 18 Загрузки 43 Просмотры

    Родительские факторы как детерминанты расстройства поведения среди школьных подростков в мегаполисе Ибадан, Нигерия ()

    Даниэль Олувасанми Кумуйи Кумуйи, Эбенезер Олутопе Акиннаво, Адеронке А.Акинтола, Беде Чинонье Акпунне, Дебора Фолуке Онисиле

    Психология Том 12 No4, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / psycho.2021.124040 17 Загрузки 44 Просмотры

    Сезонная изменчивость тяжелых металлов в приливной зоне брюхоногих моллюсков Trochus radiatus залива Маннар ()

    Тхейвасигамани Моханрадж, Максвальт Шиба, Силувай Реги Томас Шерли Кросс, Тангарадж Джебарани Раджати

    Открытый журнал морских наук Vol.11 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / ojms.2021.112007 19 Загрузок 41 Просмотры

    Многочастотный фон гравитационных волн от непрерывных источников ()

    К. Сиварам, Арун Кенат

    Журнал физики высоких энергий, гравитации и космологии Vol.7 No2, 30 апреля 2021 г.

    DOI: 10.4236 / jhepgc.2021.72041 12 Загрузок 39 Просмотры

Преобразователь интерфейса с фотоэлектрической развязкой RS-232 в RS-422/485

● Характеристики интерфейса: интерфейс совместим со стандартом EIA / TIA RS-232C, RS-422/485
● Электрический интерфейс: интерфейс RS-232C Разъем DB9 с отверстием Интерфейс RS-422/485 4-битный разъем
● Среда передачи: витая -парный кабель или экранированный кабель
● Рабочий режим: асинхронный полудуплекс или полный дуплекс
● Индикация сигнала: три световых индикатора указывают на TD, RD и PWR
● Источник питания: перехват электроэнергии через последовательный порт на конце RS-232.Внешний источник питания, подключаемый к концу RS-422/485
● Изоляция: изоляционное напряжение 3500 В среднеквадратичное 500 В постоянного тока, специальная встроенная защита от молний мощностью 400 Вт IC
● Скорость передачи: 115,2 Кбит / с на 1,2 км 38,4 Кбит / с на 2,4 км
● Продукт имеет несколько патентов на технологию кражи электроэнергии последовательного порта и высокой эффективности.
● Патентный сертификат №: (ZL03234984.X ZL0334377.2)

Характеристики интерфейса: Интерфейс совместим со стандартами EIA / TIA RS-232C, RS-485 / RS-422

Электрический интерфейс: Интерфейс RS-232C DB9 Гнездовой разъем
Интерфейс RS-422 / RS-485 4-битный разъем

Среда передачи: витая пара или экранированный кабель

Режим работы: асинхронный полудуплекс или полный дуплекс

Сигнальная индикация: 3 сигнальных световых индикатора указывают на TD, RD и PWR

Изоляция: Напряжение изоляции 3500VRMS 500VDC последовательность

Скорость передачи: 115.От 2 тыс. Бит / с до 300 млн

38,4 тыс. Бит / с до 2,4 км
9600 бит / с до 5 км

Степень защиты: Интерфейс RS-232 + защита от электростатического разряда 15 кВ,

Интерфейс RS-422, RS-485 600 Вт Защита от ударов молнии и перенапряжения на каждой линии

Дальность передачи: 0-5 км (115200-9600 бит / с)

Размер: 85 мм x 54 мм x 25 мм

Рабочая среда: от -25 ℃ до 70 ℃, относительная влажность от 5% до 95%

AN-PH-RS-232/422/485

Преобразователь интерфейса с фотоэлектрической развязкой RS-232 в RS-422/485

Описание

AN-PH-RS-232/422/485 Изоляционный преобразователь интерфейса совместим со стандартами RS-232C, RS-422, RS-485 и способен преобразовывать односторонний сигнал RS-232 в RS-422 или RS-485 сигнал симметричного сигнала.

Встроенный фотоэлектрический изолятор может обеспечивать напряжение изоляции 3500 В, а быстродействующий ограничитель переходного напряжения (TVS) может эффективно подавлять молнии и электростатические разряды, предотвращать удары молнии и общие кодовые помехи. Подключите ПК, IPC или портативный компьютер через гнездовой разъем DB9 к интерфейсу RS-232 и подключите конец RS-422, RS-485 через удобный 4-битный разъем. RS-485 поддерживает двухлинейный полудуплекс, а именно, только две линии RS-485 должны как отправлять, так и принимать данные. Сигнал рукопожатия (например,грамм. RTS, Request To Send) обычно контролирует направление данных.

Внутренняя схема преобразователя интерфейса с фотоэлектрической изоляцией AN-PH-RS-232/422/485 может определять направление данных и переключаться для управления им автоматически, что удобно для формирования сети RS-485 без какого-либо сигнала рукопожатия. Этот вид управления RS-485 полностью прозрачен и не требует доработки программного обеспечения для прежних режимов работы на основе RS-232.

Преобразователь интерфейса с фотоэлектрической изоляцией

может обеспечить надежное соединение точка-точка, точка-многоточечная связь.Точка-многоточечная позволяет подключить 32 устройства интерфейса RS-422 или RS-485 со скоростью передачи данных 0-115,2 Кбит / с. Двухцветный индикатор потока данных может указывать на неисправность. Он поддерживает режимы связи, включая RS-232C в RS-422, RS-232 в RS-485, конв.

Прямое фотоэлектрическое преобразование сфокусированного солнечного излучения на основе низкотемпературной плазмы | Аннотация

Прямое фотоэлектрическое преобразование сфокусированного солнечного излучения на основе низкотемпературной плазмы

5

Международная конференция по химии плазмы и обработке плазмы
13-14 ноября 2017 г. Париж, Франция

Горбунов Николай

Государственный университет морского и речного судоходства имени адмирала Макарова, Россия

Постеры и принятые тезисы : J Biot Phyt

Абстрактный:

Разработана модель прямого фотоэлектрического преобразования концентрированного солнечного излучения в плазме, зажженной в тепловой трубе, заполненной смесью паров натрия и криптона.Модель учитывает неоднородное распределение плотности щелочных атомов в объеме тепловой трубы и термоэлектронный эффект катода. Модель рассматривает горячую плазменную сердцевину в состоянии локального теплового равновесия (ЛТР) и учитывает неравновесные слои вблизи стенок конвертера. Модель используется для расчета напряжения холостого хода, сопротивления плазмы, тока короткого замыкания, потока энергии положительных ионов, направленного на катод, и эффективности преобразования солнечного излучения.В рамках двухтемпературной модели мы обнаружили, что снижение температуры электронов на 20% по сравнению с ЛТР Температура плазмы имела место на внешней границе ионизационного слоя вблизи катода. Эта неизотермическая модель предсказывает довольно высокое значение (примерно 33%) эффективности преобразования для коэффициента концентрации солнечного излучения 300x. Мы проанализировали влияние химических реакций на проводимость плазмы в области внешнего контура охлаждения. Рассмотрены два возможных объяснения аномально высокой проводимости в перенасыщенном паре щелочных металлов.Во-первых, снижение эффективного потенциала ионизации происходит из-за высокой концентрации молекул щелочного металла. Во-вторых, высокая концентрация компонентов микрокапель в паре может служить дополнительным источником свободных электронов за счет эффекта термоэмиссии. Рассмотрено увеличение напряженности амбиполярного электрического поля в прианодной области из-за неравновесной формы функции распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ). Таким образом, формирование неравновесной ФРЭЭ в фотоплазме может сыграть существенную роль в проблеме достижения максимально возможных значений КПД преобразователя.