13003Br транзистор характеристики – К сожалению, страница Wp-content Uploads Downloads 2014 09 Elektropitanie-remontenergosbereglamp_www Samelectric Ru_ Pdf не найдена… — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от

10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока — 8

МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.

Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

— 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор MJE13003 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Аналоги : BUJ101

**Корпус TO-225AA**
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора MJE13003
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

**Предельно допустимые и основные электрические параметры**
Обозначение	Параметр	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
V_ceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	400	В
V_ebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	9	В
I_c	Ток коллектора постоянный	—	—	—	1.5	А
I_b	Ток базы	—	—	—	0.75	А
P_c	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	—	—	20	Вт
I_ebo	Обратный ток эмиттера	V_eb = 9 В, I_c = 0 А	—	—	1	мА
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	V_ce = 2 В, I_c = 0.5 А	8	—	40
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	V_ce = 2 В, I_c = 1 А	5	—	25
V_{ce_sat}	Напряжение насыщения К-Э	I_c = 0.5 А, I_b = 0.1 А	—	—	0.5	В
		I_c = 1 А, I_b = 0.25 А	—	—	1	В
		I_c = 1.5 А, I_b = 0.5 А	—	—	3	В
V_{be_sat}	Напряжение насыщения Б-Э	I_c = 0.5 А, I_b = 0.1 А	—	—	1	В
V_{be_sat}	Напряжение насыщения Б-Э	I_c = 1 А, I_b = 0.25 А	—	—	1.2	В

Купит MJE13003

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

13003BR транзистора таблицы,13003BR PDF,13003BR схемы

13003BR
производитель : Wing Shing Computer Components
описание : SILICON TRANSISTOR

13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Motorola,
описание : AMPERE SILICON POWER TRANSISTORS VOLTS WATTS
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Microelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : WINGS[Wing Shing Computer Components]
описание : SILICON TRANSISTOR

13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : KEC[KEC(Korea Electronics)]
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Motorola, Inc
описание : 1.5 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

ru.transistor.com.es

Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Наиболее важные параметры.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Наиболее важные параметры.

Схема «зарядки» для телефона.

Транзистор MJE13003 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

13003BR транзистора таблицы,13003BR PDF,13003BR схемы

Похожие записи

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий Отменить ответ