Какие ключевые параметры имеет транзистор 13003BR. Где применяется этот высоковольтный транзистор. Каковы основные особенности и преимущества 13003BR.
Основные характеристики транзистора 13003BR
Транзистор 13003BR представляет собой мощный высоковольтный n-p-n транзистор, широко применяемый в современной электронике. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: n-p-n эпитаксиально-планарная
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 1,5 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 3 А
- Рассеиваемая мощность: до 40 Вт (зависит от корпуса)
- Коэффициент усиления по току: 8-40 (зависит от модификации)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Эти характеристики делают 13003BR универсальным решением для множества электронных устройств, требующих работы с высокими напряжениями и токами.
Области применения транзистора 13003BR
Благодаря своим характеристикам, транзистор 13003BR находит широкое применение в различных областях электроники:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Схемы управления электродвигателями
- Драйверы светодиодов высокой мощности
- Зарядные устройства для мобильных телефонов и планшетов
- Схемы управления реле и электромагнитными клапанами
- Усилители мощности звуковой частоты
Какие преимущества дает использование 13003BR в этих приложениях? Высокое пробивное напряжение позволяет работать в цепях с большим размахом напряжения, а хорошая нагрузочная способность по току обеспечивает эффективное управление мощной нагрузкой.
Особенности конструкции и производства 13003BR
Транзистор 13003BR выпускается в нескольких вариантах корпусов:
- TO-126 (1,4 Вт без радиатора)
- TO-220 (50 Вт с радиатором)
- TO-252 и TO-251 (25 Вт с радиатором)
- TO-92 и TO-92L (1,1 Вт)
Какой корпус выбрать для конкретного применения? Это зависит от требуемой мощности рассеивания и доступного пространства на печатной плате. Корпус TO-220 обеспечивает наилучший теплоотвод, но имеет большие габариты, в то время как TO-92 компактен, но ограничен по мощности.
Производители транзистора 13003BR
Среди известных производителей 13003BR можно выделить:
- Motorola (оригинальный разработчик)
- ON Semiconductor
- KEC (Korea Electronics)
- Hi-Sincerity Microelectronics
- Wing Shing Computer Components
Транзисторы разных производителей могут иметь небольшие отличия в характеристиках и расположении выводов, что следует учитывать при проектировании.
Сравнение 13003BR с аналогами
Как 13003BR соотносится с другими популярными транзисторами? Рассмотрим сравнение с близкими аналогами:
| Параметр | 13003BR | BUJ101 | MJE13001 |
|---|---|---|---|
| Макс. напряжение К-Э | 400 В | 400 В | 400 В |
| Макс. ток коллектора | 1,5 А | 1,5 А | 200 мА |
| Коэффициент усиления | 8-40 | 10-50 | 10-70 |
| Граничная частота | 4 МГц | 4 МГц | 8 МГц |
Как видно, 13003BR и BUJ101 очень близки по характеристикам и являются взаимозаменяемыми в большинстве применений. MJE13001 имеет меньший максимальный ток, но более высокую граничную частоту.
Особенности применения 13003BR в импульсных источниках питания
Импульсные источники питания — одна из основных областей применения 13003BR. Какие преимущества дает использование этого транзистора в данном случае?
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер позволяет работать от сетевого напряжения с минимальным количеством элементов
- Хорошее быстродействие обеспечивает эффективную работу на частотах до нескольких сотен кГц
- Низкое напряжение насыщения снижает потери на переключение
- Встроенный защитный диод упрощает схемотехнику
При проектировании импульсного источника питания на 13003BR следует уделить внимание эффективному отводу тепла, особенно при работе на высоких частотах.
Рекомендации по монтажу и эксплуатации 13003BR
Для обеспечения надежной работы транзистора 13003BR следует соблюдать ряд правил:
- Использовать качественный теплоотвод при работе на больших токах
- Применять защиту от перенапряжений в цепи коллектора
- Ограничивать ток базы для предотвращения перегрузки транзистора
- Учитывать возможный разброс параметров и выбирать номиналы элементов схемы с запасом
- При замене транзистора проверять соответствие цоколевки
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально раскрыть потенциал 13003BR и обеспечить длительный срок службы устройства.
Перспективы развития и альтернативы 13003BR
Несмотря на широкое распространение, технология биполярных транзисторов постепенно уступает место более современным решениям. Какие альтернативы могут прийти на смену 13003BR в будущем?
- MOSFET-транзисторы с высоким пробивным напряжением
- IGBT-модули для более мощных применений
- GaN (нитрид-галлиевые) транзисторы для высокочастотных преобразователей
Однако простота применения и низкая стоимость обеспечивают 13003BR стабильный спрос в обозримом будущем, особенно в бюджетных устройствах и при ремонте существующей техники.
Выбор оптимального режима работы 13003BR
Для достижения максимальной эффективности и надежности при использовании транзистора 13003BR важно правильно выбрать режим его работы. Какие факторы следует учитывать?
- Рабочая частота: оптимальна в диапазоне от 20 кГц до 100 кГц
- Коэффициент заполнения импульсов: рекомендуется не превышать 80%
- Напряжение коллектор-эмиттер: для увеличения срока службы желательно обеспечить запас 20-30% от максимального значения
- Ток коллектора: при непрерывной работе не должен превышать 70-80% от максимально допустимого
Правильный выбор режима работы позволит не только увеличить срок службы транзистора, но и повысить общую эффективность устройства.
Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы MJE13001 и 13001
Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть
от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.
Граничная частота передачи тока — 8МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА
— не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Транзисторы MJE13003 и 13003
Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n,
Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А
—
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —
— не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
elektrikaetoprosto.ru
Транзистор MJE13003 — DataSheet
Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле
Особенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Аналоги : BUJ101
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
Цоколевка транзистора MJE13003
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 400 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 9 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 1.5 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 0.75 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 20 | Вт |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 9 В, Ic = 0 А | — | — | 1 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Vce = 2 В, Ic = 0.5 А | 8 | — | 40 | |
| Vce = 2 В, Ic = 1 А | 5 | — | 25 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 0.5 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1 | В | ||
| Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 3 | В | ||
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 1 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1.2 | В |
Купит MJE13003Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
13003BR транзистора таблицы,13003BR PDF,13003BR схемы
13003BR
производитель : Wing Shing Computer Components
описание : SILICON TRANSISTOR
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Motorola,
описание : AMPERE SILICON POWER TRANSISTORS VOLTS WATTS
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Microelectronics
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : WINGS[Wing Shing Computer Components]
описание : SILICON TRANSISTOR
13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : HSMC[Hi-Sincerity Mocroelectronics]
описание : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : KEC[KEC(Korea Electronics)]
описание : TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Mospec Semiconductor
описание : POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)
13003BR
производитель : KEC(Korea Electronics)
описание : TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING)
13003BR
производитель : Motorola, Inc
описание : 1.5 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
13003BR
производитель : Hi-Sincerity Mocroelectronics
описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
ru.transistor.com.es
