Каковы основные параметры транзистора MJE13003. Где применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги MJE13003. Как правильно подключить и использовать MJE13003 в схемах.
Характеристики и особенности транзистора MJE13003
MJE13003 — это биполярный n-p-n транзистор, разработанный для применения в импульсных источниках питания, инверторах и схемах управления электродвигателями. Рассмотрим его ключевые характеристики:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимальный ток коллектора: 1.5 А (пиковый до 3 А)
- Мощность рассеивания: до 40 Вт (с радиатором)
- Частота единичного усиления: 4 МГц
- Корпус: TO-225AA (TO-126)
Транзистор MJE13003 отличается высокой скоростью переключения и способностью работать на высоких напряжениях. Это делает его оптимальным выбором для импульсных применений с индуктивной нагрузкой.
Области применения транзистора MJE13003
Благодаря своим характеристикам, MJE13003 широко используется в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- Инверторы
- Схемы управления электродвигателями
- Высоковольтные ключи
- Телевизионная техника (горизонтальная развертка)
- Зарядные устройства
Транзистор хорошо подходит для применений, где требуется быстрое переключение высоких напряжений и токов. Его часто можно встретить в блоках питания компьютеров, мониторов и телевизоров.
Аналоги и замены транзистора MJE13003
При необходимости замены MJE13003 можно использовать следующие аналоги:
- 2SC4517
- BU406
- 2SC3039
- 2SC3987
- 2SC5129
- MJE13005
- KSE13003
Среди отечественных аналогов можно выделить:
- КТ819Г
- КТ8175А
- КТ8170А1
При выборе замены следует внимательно сравнивать параметры, особенно максимальное напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора.
Цоколевка и подключение транзистора MJE13003
Транзистор MJE13003 выпускается в корпусе TO-225AA (TO-126). Цоколевка выводов следующая:
- 1 — База (B)
- 2 — Коллектор (C)
- 3 — Эмиттер (E)
При подключении важно соблюдать правильную полярность и не превышать предельно допустимые значения напряжений и токов. Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать радиатор.
Особенности использования MJE13003 в схемах
При проектировании схем с использованием MJE13003 следует учитывать ряд особенностей:
- Высокое напряжение пробоя позволяет использовать транзистор в высоковольтных цепях
- Быстрое время переключения делает его подходящим для импульсных применений
- Требуется обеспечить хороший теплоотвод при работе на больших токах
- Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
Правильное применение этих принципов позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора MJE13003 в различных схемах.
Рекомендации по выбору режима работы MJE13003
Для обеспечения надежной и эффективной работы транзистора MJE13003 важно правильно выбрать режим его работы. Рассмотрим основные рекомендации:
- Не превышайте максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 400 В
- Ограничивайте ток коллектора значением 1.5 А в длительном режиме
- При импульсных применениях допускается кратковременное увеличение тока до 3 А
- Обеспечьте эффективный теплоотвод при мощности рассеивания более 1-2 Вт
- Для повышения надежности работайте в области безопасной работы транзистора (SOA)
Соблюдение этих рекомендаций позволит избежать перегрева и выхода транзистора из строя, обеспечив его длительную и стабильную работу в вашем устройстве.
Типовые схемы включения транзистора MJE13003
Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора MJE13003:
Схема ключа
В этой схеме транзистор работает в режиме насыщения-отсечки, обеспечивая коммутацию нагрузки:
«` «`В этой схеме транзистор MJE13003 используется как ключ, управляемый входным сигналом. Когда на базу подается достаточное напряжение, транзистор открывается, позволяя току протекать через нагрузку.
Схема усилителя
MJE13003 также может использоваться в схемах усиления. Вот пример простого усилителя общим эмиттером:
«` «`В этой схеме MJE13003 используется в конфигурации с общим эмиттером для усиления входного сигнала. Резистор Rc в цепи коллектора определяет коэффициент усиления схемы.
Меры предосторожности при работе с MJE13003
- Используйте защитные очки и изолированные инструменты при монтаже
- Не превышайте максимально допустимые значения напряжений и токов
- Обеспечьте достаточный теплоотвод, особенно при работе на высоких мощностях
- Избегайте статического электричества при обращении с транзистором
- Используйте защитные цепи для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
Соблюдение этих мер поможет обеспечить безопасную работу с транзистором и продлить срок его службы.
Транзистор MJE13003: характеристики, цоколевка и аналоги
Биполярный кремниевый транзистор MJE13003 по своим характеристикам может применяться в импульсных регуляторах, инверторах, системах управления электрическими двигателями. Он разработан для работы в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепях, где важно время спада. Также он способен работать в схемах управляющих работой устройств большой мощности в качестве переключателей. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру n-p-n.Цоколевка
Цоколевку транзистора MJE13003 разберём в двух корпусах в которых он производится, это ТО-126 и ТО-220. Если смотреть на него со стороны маркировки, то его выводы будут располагаться в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Следует учесть также что многие производители не наносят первые буквы MJE, которые говорят о том, что первым производителем этого транзистора была компания Motorola.
И таким образом остаётся только надпись 13003.
Технические характеристики
В первую очередь следует рассмотреть максимально допустимые параметры устройства. Их превышение недопустимо даже на непродолжительный промежуток времени. Перейдём к рассмотрению этих характеристик для 13003:
- напряжение К-Э (длительное) VCЕO (SUS) = 400 В;
- напряжение К-Э (пиковое) VCEV
- напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
- ток коллектора (длительный) IC = 1,5 А;
- ток коллектора (кратковременный) ICМ = 3 А;
- ток через базу (длительный) IВ = 0,75 А;
- ток через базу (кратковременный) IВМ = 1,5 А;
- ток через эмиттер (длительный) IЕ = 2,25 А;
- ток через эмиттер (кратковременный) IЕМ = 4,5 А;
- мощность на коллекторе (без теплоотвода) РС = 1,4 Вт;
- мощность на коллекторе (с теплоотводом) РС = 40 Вт;
- термосопротивление кристалл-корпус RθJC = 3,12 °С/Вт;
- термосопротивление кристалл-воздух RθJА = 89 °С/Вт;
- рабочие т-ры Tstg = от -65 до 150ОС .
Не стоит также забывать и об электрических характеристиках. Именно от них зависят возможности транзистора. Они снимаются при температуре +25ОС. Другие, важные для тестирования параметры, приведены в таблице в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора MJE13003 (при Т = +25 оC) | |||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм | |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | |||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | ||||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | |||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0. 5 AVCE = 2 В, IC = 1 A | hFE1 hFE2 | 8 5 | 40 25 | |||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IB = 0,1 B, IC = 0,5 A IB = 0,25 B, IC = 1 A IB=0,25B, IC=1 A Tc=100℃ | V ВE(sat) | 1 1,2 1,1 | В В В | |||
| Время закрытия | IC = 1 A, VCC = 125 В | tF | 2 | 4 | мкс | ||
| Время рассасывания. | tS | 0,4 | 0,7 | мкс | |||
Аналоги
Похожих по характеристикам транзисторов не очень много, назовём несколько зарубежных:
- 2SC4917;
- MJ4360;
- BUJ101.
Существуют также российские аналоги MJE13003:
- КТ8137А;
- КТ8170А1;
- КТ8175А.
При этом следует учитывать, что все перечисленные устройства не являются полными аналогами, поэтому, перед заменой, следует обратиться к технической документации.
Производители
Среди производителей отметим самых крупных:
- First Silicon;
- Shenzhen SI Semiconductors;
- Savantic;
- Tiger Electronic;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- Nanjing International Group;
- Shenzhen hui lida electronic.
Если вы хотите приобрести MJE13003, то в отечественных магазинах можно найти продукцию таких фирм:
- ON Semiconductor;
- KEC(Korea Electronics);
- Continental Device India Limited;
- Micro Commercial Components;
- Wing Shing Computer Components.
Скачать datasheet можно кликнув на название производителя.
NPN
Транзистор MJE13003 — DataSheet
Перейти к содержимому
Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и релеОсобенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Аналоги : BUJ101
| Вывод | Назначение | Цоколевка транзистора MJE13003 |
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 3 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 400 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 9 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 1. 5 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 0.75 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 20 | Вт |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 9 В, Ic = 0 А | — | — | 1 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Vce = 2 В, Ic = 0.5 А | 8 | — | 40 | |
| Vce = 2 В, Ic = 1 А | 5 | — | 25 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 0. 5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 0.5 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1 | В | ||
| Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 3 | В | ||
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 1 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1.2 | В |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
%20br%2013003d спецификация и примечания по применению
транзистор%20br%2013003d Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998 | Оригинал | 2N2904E
до н. э.859
КДС135С
2N2906E
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
Схема КХБ9Д0Н90Н
транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
Предыдущий
1
2
3
.
