13009 транзистор характеристики. Транзистор 13009: характеристики, применение и аналоги

Каковы основные характеристики транзистора 13009. Для каких целей он применяется. Какие есть аналоги и замены транзистора 13009. Как правильно использовать этот транзистор в схемах.

Транзистор 13009 — это мощный биполярный NPN-транзистор, широко применяемый в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других силовых приложениях. Рассмотрим его основные характеристики и особенности применения.

Основные характеристики транзистора 13009

Ключевые параметры транзистора 13009:

• Структура: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
• Максимальный ток коллектора: 12 А
• Рассеиваемая мощность: 100 Вт
• Коэффициент усиления по току: 8-40
• Граничная частота: 4 МГц

Транзистор выпускается в корпусах TO-220, TO-3P, TO-247. Имеет хорошие характеристики переключения и способен работать на высоких частотах.

Области применения транзистора 13009

Основные сферы использования транзистора 13009:

• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Схемы управления электродвигателями
• Драйверы светодиодов высокой мощности
• Усилители звуковой частоты
• Высоковольтные ключи

Высокое пробивное напряжение и большой допустимый ток делают этот транзистор хорошим выбором для силовых применений.

Аналоги и замены транзистора 13009

В качестве аналогов транзистора 13009 могут использоваться:

• MJE13009
• 2SC5249
• 2SC5198
• BU808DFI
• KSE13009

При замене необходимо внимательно сравнивать параметры, так как возможны небольшие отличия характеристик у разных производителей.

Особенности включения транзистора 13009 в схему

При использовании транзистора 13009 в схемах следует учитывать несколько важных моментов:

• Обязательно применение радиатора для отвода тепла
• Необходимо обеспечить надежное заземление корпуса
• Рекомендуется использовать драйвер для управления базой
• Следует ограничивать ток базы резистором 10-100 Ом
• Желательно применять снабберные цепи для защиты от перенапряжений

Правильное включение позволит реализовать все преимущества этого транзистора и обеспечить его надежную работу.

Рекомендации по выбору режима работы

Для обеспечения долговременной и стабильной работы транзистора 13009 рекомендуется:

• Не превышать 80% от максимально допустимых значений тока и напряжения
• Обеспечивать эффективный теплоотвод, не допуская перегрева корпуса выше 100°C
• Использовать схемы защиты от перегрузки по току и напряжению
• Выбирать режим работы с запасом по мощности рассеивания не менее 30%

Соблюдение этих рекомендаций позволит значительно повысить надежность и срок службы транзистора в реальных схемах.

Типовые схемы включения транзистора 13009

Рассмотрим наиболее распространенные варианты использования транзистора 13009 в электронных устройствах:

Ключевой режим в импульсном источнике питания

В этой схеме транзистор работает в ключевом режиме, обеспечивая преобразование постоянного напряжения:

• Коллектор подключен к первичной обмотке трансформатора
• Эмиттер заземлен через токовый шунт
• На базу подаются управляющие импульсы от ШИМ-контроллера
• Частота переключения обычно 50-100 кГц

Регулятор тока светодиодов

Схема для управления мощными светодиодами:

• Коллектор подключен к цепочке последовательно соединенных светодиодов
• Эмиттер — к измерительному резистору
• База управляется операционным усилителем, поддерживающим заданный ток

Усилитель мощности звуковой частоты

Транзистор может использоваться в выходных каскадах УНЧ:

• Включение по схеме с общим эмиттером
• Рабочая точка устанавливается в середине линейного участка
• Для уменьшения искажений применяется глубокая ООС

Во всех случаях необходимо обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора.

Проверка исправности транзистора 13009

Для проверки работоспособности транзистора 13009 можно использовать следующие методы:

• Измерение сопротивления переходов мультиметром
• Проверка коэффициента усиления по току
• Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер
• Тестирование в реальной схеме под нагрузкой

При обнаружении отклонений от типовых значений транзистор следует заменить на исправный.

Маркировка и обозначение транзистора 13009

На корпусе транзистора обычно указывается:

• Цифровое обозначение — 13009
• Буквенный код производителя
• Дата изготовления (год/неделя)
• Страна происхождения

Расшифровка маркировки позволяет определить тип транзистора и его основные параметры.

Транзистор 13009: характеристики, цоколевка, аналоги

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

1. Корпус, цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Классификация по величине hFE
7. Модификации (версии) транзистора 13009
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические иллюстрации характеристик транзистора

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,5 В при I_C = 8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	9
Ток коллектора постоянный, А		IC	12
Ток коллектора импульсный, А		ICP	24
Ток базы постоянный, А		IB	6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	Ta = 25°C	PC	2
	Tc = 25°C	PC	100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-65…+150

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO(sus)	IC = 10 мА, IB = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB = 9,0 В, IC = 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (3)	IC = 12,0А, IB = 3,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А	8…40
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А	6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 0,5 А, UCE = 10,0 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц	180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	ton	UCC = 125 В, IC = 8,0 А, IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом	1,1
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		3
Время спадания импульса, мкс	tf		0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине h

_FE

Группа по величине hFE	h2	h3
Величина hFE	8…17	15…28

 

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
13009A	2/110	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,5/8,0/0,4	TO220
13009SDL	2/100	400	200	9	15/-	150	8…30	≥ 4	—	≤ 1,0	1,0/6,0/1,0	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	8…40	≥ 5	—	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
3DD13009	2/-	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/4,0/0,9	TO220
3DD13009A8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO220AB
3DD13009AN	3/120	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO3P(N)
3DD13009C8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…30	≥ 5	—	≤ 1,0	0,3/6,0/0,3	TO220AB
3DD13009K	-/100	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO220C
3DD13009K	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PB
3DD13009X8D	2/100	350	200	9	12/24	150	15…30	≥ 4	—	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO220AB
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220	MJE13009X7
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F	MJE13009X8
BR3DD13009X9F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P	MJE13009X9
BR3DD13009 Z8F	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220F	MJE13009Z8
FJA13009	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P
FJP13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220
FJP13009h3TU	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: h2, h3
FJPF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: h2, h3
HMJE13009A	2/100	700	400	9	12/24	150	5…22	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
KSE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO20F
KSh23009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009A	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AF	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AL	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009L	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y
KSh23009W	-/100	700	400	9	12/-	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO263	(D2PAK)
MJE13009	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
MJE13009-3PN	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3PN
MJE13009A	-/130	700	400	12	12/-	150	5…40	—	—	≤ 0,8	-/9,0/0,15	TO3P
MJE13009D	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…28	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220IS
MJE13009-K	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-K	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009-P	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-P	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009Z9	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P	3DD13009Z9
MJE13009ZJ	2/80	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S	BR3DD13009ZJ
MJF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F
P13009	3/120	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO3PB
P13009A	3/130	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,5/10,0/0,4	TO3PB
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	8…40	—	—	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBF13009-O	2,2/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO220F
SBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	—	—	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-O	-/100	700	400	9	12/25	150	6…40	—	—	≤ 1,5	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-S	2,2/100	700	400	9	12/25	150	6…40	—	—	≤ 1,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBW13009-K	-/120	700	400	9	12/25	150	5…40	≥ 4	—	≤ 2,0	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-O	-/110	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-S	-/120	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
ST13009	-/100	700	400	12	12/24	150	10…39	—	—	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO220	٭٭
STW13009	-/125	700	400	12	12/24	150	10…36	—	—	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO247	٭٭
STWh23009	-/125	700	400	12	12/24	150	11…30	—	—	≤ 1,0	-/2,5/0,14	TO247	٭٭
TS13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,3/0,5	TO220
WBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	—	—	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SXW13009	-/100	700	400	—	12/-	—	8…40	—	—	—	-/4,0/-	TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (t_s, t_f) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип	PC Ta=25°C//Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
КТ840А	60	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	—	≤ 0,6	0,2/3,5/0,6	КТ-9	(ТО3)
КТ840Б		750	350				≥ 10		—
КТ840В		800	375				10…100
КТ841А, В	50	600	350	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	300	≤ 1,6	0,08/1,0/0,5	—	—
КТ854А	60	600	500	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	102	≤ 2,0	—	КТ-28-2	(ТО220АВ)
КТ856А	50	800	800	5	10/12	150	10…60	≥ 10	≤ 100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ856Б		600	600								—
2Т856А	125	950	950	5	10/12	—	≤ 60	—	—	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(ТО3)
2Т856Б		750	750			—		—	—
2Т856В		550	550			—		—	—
2Т856Г		850	850			—		—	—
КТ868А	70	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	≤100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ868Б		750	375				10…100				—
КТ8107А	100	1500	—	5	8/15	—	≥ 2,25	≥ 7	—	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-9	(ТО3)
КТ8107Б	125	1500	—	5	5/7,5	—	≥ 2,25		—	≤ 3,0
КТ8107В	50	1500	—	5	5/8	—	8…12		—	≤ 1,0
КТ8107Г	100	1500	—	6	10	—	—		—	≤ 3,0
КТ8107Д	100	1200	—	6	10	—	—		—	≤ 1,0
КТ8107Е	100	1000	—	6	10	—	—		—	≤ 1,0
КТ8118А	50	900	800	—	3/10	—	10…40	≥ 15	—	≤ 2,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121А	75	700	400	—	4/8	—	8…60	≥ 4	—	≤ 1,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121Б		600	300	—		—			—		—
КТ8126А1	80	700	400	9	8/16	—	5…40	—	120	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(ТО220)
КТ8126Б1		600	300			—		—
КТ8145В	100	500	500	8	15/-	150	≥ 10	10	—	—	—	КТ-27	(SOT32)
КТ8164А	75	700	400	9	4/8	150	10…60	≥ 4	≤110	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(ТО220)
КТ8164Б		600	300				8…40		—

Зарубежное производство

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
2SC2335	1,5/40	500	400	7	7/15	150	10…80	—	—	≤ 1,0	1,0/2,5/1,0	TO220AB
2SC2898	-/50	500	400	7	8/16	150	≥ 7	—	—	≤ 1,0	0,8/2,0/0,8	TO220C
2SC5057	-/100	900	—	—	20/-	150	38	—	—	—	—	TO3PL
2SD2625Z9	2/120	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P
3DD209L	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PN(B)
3DD3320AN	3/120	700	400	9	15/30	150	15…30	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/3,0/0,35	TO3P(N)
3DD13012A8	2/100	750	400	9	15/30	150	20…35	≥ 5	—	≤ 1,0	1,0/5,0/0,5	TO220AB
BUL743	-/100	1200	500	—	12/24	150	24…80	—	—	≤ 1,5	-/3,8/0,5	TO220
BU941	-/150	500	400	5	15/30	175	≥ 300	—	—	≤ 1,8	-/15,0/0,5	TO220AB
D4515	-/120	700	400	9	15-/	150	8…50	≥ 4	—	≤ 1,5	-/3,0/0,7	TO3PN
ECG379	-/100	700	400	—	12/-	175	20	≥ 4	—	—	—	TO220
MJE13007/A	-/80	700	400	9	8/-	150	5…45	—	—	≤ 3,0	—	TO220
MJE340	-/20,8	300	300	3	0,5/-	150	50…240	—	—	—	—	SOT32*
P1488	3/150	750	450	9	15/-	150	8…40	≥ 5	—	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода C_ob транзистора при обратном напряжении коллектор-база U_CB.

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности P_C при увеличении температуры корпуса транзистора T_c.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

• по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
• по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
• по общему перегреву п/п структуры;
• по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

Характеристики транзистора MJE13009, цоколевка, аналоги

MJE13009 — Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

Отечественный аналог MJE13009

• КТ8260А, КТ8209А

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

• пластмассовый корпус TO-220С

№1 — База

№2 — Коллектор

№3 — Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

• 700 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

• 400 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

• 9 V

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

• 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

• 24 А

Ток эмиттера (I_E):

• 18 А

Импульсный ток эмиттера (I_EM):

• 36 А

Ток базы (I_B):

• 6 А

Импульсный ток базы (I_BM):

• 12 А

Общая рассеиваемая мощность (P_D):

• 100 W

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

• 150° C

Температура хранения (T_stg):

• -65~150° C

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Т

_j=25^oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

• 400 V при I_C = 10 mA, I_B = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 1 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
• 1. 5 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A
• 3 V при I_C = 12 A, I_B = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_BE(sat))

• 1.2 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
• 1.6 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

• 1 mA при V_EB = 9 V

Коэффициент усиления транзистора по току(h

FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 5 V:

• 8 — 40 при I_C = 5 A
• 6 — 30 при I_C = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

• 4 MHz при I_C = 0.5 A, V_CE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |

Распиновка транзистора

13009 / MJE13009, эквиваленты, использование, характеристики, характеристики и другая информация В этом посте описывается распиновка транзистора 13009, эквиваленты, использование, характеристики, особенности, объяснение, где и как использовать, а также другая полезная информация об этом транзисторе.

Реклама

Реклама

 

Характеристики / Технические характеристики:

• Тип упаковки: ТО-220, ТО-3П, ТО-247, ТО-220Ф
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 12 А
• Максимальный импульсный ток коллектора: 24 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 400 В
• Макс. напряжение коллектор-база (В _CB ):  700 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO):  9 В
• Макс. тепловыделение коллектора (шт.): 100 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 4 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  8–40
• Максимальная температура хранения должна быть: от -65°C до +150°C по Цельсию
• Максимальная температура перехода: 150°C

 

Замена и аналог:

MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306, MJE13008, 2SC3257

 

13009 Транзистор Объяснение/Описание:

13009 — это силовой транзистор NPN. производители. Спецификации MJE13009 также одинаковы, но вы найдете незначительные различия между MJE13009 и другими транзисторами 13009, но они могут использоваться взаимозаменяемо. В основном они доступны в корпусе TO-220, но некоторые производители также выпускают его в корпусах TO-3P и TO-247, а некоторые MJE13009.также доступны в корпусе TO-220F.

Транзистор имеет много хороших характеристик, которые делают его надежным и идеальным для использования во многих промышленных приложениях, таких как способность работать при высоких напряжениях, хорошие характеристики при высоких температурах и очень быстрое переключение.

Основными областями применения транзистора являются контроллеры двигателей, импульсные регуляторы, коммутация высокого напряжения, драйверы соленоидов, высокоскоростное преобразование постоянного тока в постоянный, отклоняющие устройства и т. д.

Характеристики транзистора также довольно интересны: максимальное напряжение между коллектором и базой составляет 700 В, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, максимальный ток коллектора составляет 12 А, максимальный импульсный ток коллектора составляет 24 А, а общая рассеиваемая мощность устройства составляет 100 Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как уже упоминалось выше, основное применение транзистора — переключение высокого напряжения, контроллер двигателя, импульсные регуляторы, высокоскоростное переключение, преобразование постоянного тока в постоянный, управление соленоидом. , отклонение и т. д., но он также может использоваться в большом количестве других приложений, которые подпадают под его рейтинг, например, в цепях ИБП. Кроме того, его также можно использовать в схемах мощных аудиоусилителей.

 

Applications:

Inverter Circuits

Uninterrupted Power Supplies

Battery Charger and BMS Applications

Solar applications

Power Supplies

Motor Controllers

Audio Amplifier & Audio Amplifier Stages

 

How для безопасной длительной работы в цепи:

Для долговременной и стабильной работы рекомендуется всегда использовать транзистор на 20% ниже его абсолютного максимального номинала. Использование устройства с абсолютными максимальными параметрами может привести к повреждению устройства или снижению его производительности. То же самое относится к 13009транзисторов, максимальный ток коллектора транзистора составляет 12 А, поэтому не подключайте нагрузку более 9,6 А, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 300–320 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда используйте или храните транзистор при температуре выше -65°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/J/1/3/J13009_FairchildSemiconductor.pdf

MJE13009 Транзистор NPN Спецификация, схема выводов, характеристики и применение

В этом сегодняшнем посте я расскажу вам о введении в MJE13009. MJE13009 представляет собой полупроводниковый прибор из кремниевого материала. ..

Привет, ребята! Я приветствую вас на борту. Спасибо, что нажали на это чтение. В этом сегодняшнем посте я расскажу вам о введении в MJE13009. MJE13009 — это полупроводниковое устройство из кремния, относящееся к категории NPN-транзисторов. Это устройство в основном используется для коммутации и усиления. Рассеиваемая мощность этого устройства составляет 100 Вт, а напряжение эмиттер-база составляет 9 В, что является величиной напряжения, необходимой для смещения устройства. Я предлагаю вам прочитать этот пост полностью, так как я опишу полное введение в MJE13009.включая техническое описание, распиновку, функции и приложения. Давайте начнем.

Знакомство с MJE13009

• MJE13009 — это NPN-транзистор, используемый в основном для усиления и переключения.
• Это полупроводниковое устройство изготовлено из кремния и поставляется в корпусе TO-220.
• MJE13009 представляет собой трехслойное устройство, в котором два слоя, легированных n, окружают один слой, легированный p.
• Этот интегрированный чип содержит три вывода: эмиттер, база и коллектор.

• Небольшой входной ток на базовом выводе используется для управления большим выходным током на оставшихся двух клеммах.
• MJE13009 — это тип транзистора с биполярным переходом, который принадлежит к семейству транзисторов NPN, в которых электроны являются основными носителями заряда.
• В транзисторе с биполярным переходом как электроны, так и дырки играют ключевую роль в проводимости внутри транзистора. Однако в случае NPN-транзисторов основными носителями заряда являются электроны, тогда как в случае PNP-транзистора проводимость обеспечивается дырками в качестве основных носителей заряда.
• В транзисторах NPN ток течет от коллектора к выводу эмиттера, а в случае транзистора PNP ток течет от эмиттера к выводу коллектора.

• Устройства NPN предпочтительнее устройств PNP для ряда коммутационных приложений, поскольку подвижность электронов лучше, чем подвижность дырок.
• Транзисторы с биполярным переходом являются устройствами, управляемыми током, в отличие от полевых МОП-транзисторов, которые являются устройствами, управляемыми напряжением, и содержат выводы сток, исток и затвор. Вывод затвора играет ту же роль в MOSFET, что и вывод базы в биполярных транзисторах.
• Напряжение коллектор-эмиттер этого устройства составляет 400 В, а напряжение коллектор-база — 700 В, а напряжение эмиттер-база — 9 В, что является величиной напряжения, которое может смещать устройство и запускать работу транзистора.
• MJE13009 в основном разработан для мощных высокоскоростных коммутационных приложений. А ток коллектора этого устройства составляет 12А, что означает, что оно может поддерживать нагрузку до 12А.

MJE13009 Лист данных

Прежде чем включить это устройство в свой электрический проект, целесообразно просмотреть техническое описание компонента, в котором представлены основные характеристики устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание MJE13009..

MJE13009 Распиновка

MJE13009 имеет три терминала, известных как:

1. Основание
2. Коллектор
3. Излучатель

Все эти клеммы используются для внешнего соединения с электрической цепью. На следующем рисунке показана схема распиновки MJE13009.

Терминалы несут различные концентрации легирования. Вывод коллектора представляет собой слабо легированную клемму, в то время как вывод эмиттера представляет собой сильно легированный вывод по сравнению с другими выводами. Точно так же базовый вывод в 10 раз более легирован, чем вывод коллектора.

MJE13009 Принцип работы

• Базовый контакт отвечает за общую работу транзистора. Когда напряжение подается на базовый контакт, это помогает сместить устройство, и ток начнет течь от коллектора к выводу эмиттера.

• Различная концентрация легирования всех этих выводов является причиной отсутствия симметрии внутри транзисторного устройства.

• Да, транзисторы с биполярным переходом несимметричны, что означает, что если вы поменяете местами выводы коллектора и эмиттера, это заставит выводы перестать работать в прямом активном режиме, и в результате оба вывода начнут работать в режиме обратного действия.
• Этот обмен клеммами может повлиять на значение коэффициента усиления по току с общим эмиттером и коэффициента усиления по току с общей базой.

MJE13009 Номинальная мощность

В следующей таблице показаны абсолютные максимальные рейтинги MJE13009.

Абсолютные максимальные значения MJE13009
Номер контакта	Контакт Описание	Имя контакта
1	Напряжение коллектор-эмиттер	400 В
2	Напряжение коллектор-база	700В
3	Напряжение база-эмиттер	9В
4	Токовый коллектор	12А
5	Рассеиваемая мощность	100 Вт
6	Базовый ток	6А
7	Рабочий и складской узел диапазон температур	от -55 до 150°С

• Диапазон температур соединения и хранения от -55 до 150°C.
• Напряжения коллектор-эмиттер и коллектор-база составляют 400В и 700В соответственно. А общая рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого устройства. Когда вы работаете с этой интегральной схемой, убедитесь, что номинальные значения не превышают абсолютных максимальных номинальных значений. В противном случае вы рискуете всем своим проектом.
• Кроме того, не применяйте эти рейтинги дольше необходимого времени, иначе они могут повлиять на надежность устройства.

MJE13009 Приложения

MJE13009 используется в следующих приложениях.

• Используется для поддержки нагрузок до 12 А.
• Установлен в цепи управления двигателем.
• Используется в схемах бистабильных и нестабильных мультивибраторов.

• Используется для коммутации и усиления.
• Используется в цепях регулятора напряжения.
• Используется в импульсном блоке питания.
• Используется в схемах Н-моста.
• Используется в современных электронных схемах.

MJE13009 Габаритные размеры

На следующем рисунке представлены физические размеры микросхемы MJE13009.

Глядя на физические размеры этого компонента, вы можете оценить пространство, необходимое для вашей схемы, и соответствующим образом установить устройство. Это все на сегодня. Надеюсь, вы найдете эту статью полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже. Я готов и счастлив помочь вам наилучшим образом. Не стесняйтесь делиться своими отзывами и предложениями по контенту, которым мы делимся, чтобы мы продолжали производить качественный контент, адаптированный к вашим конкретным потребностям и требованиям. Спасибо, что прочитали эту статью.

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любой цвет) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.