1Bw транзистор: BC846B, 1BW, Транзистор биполярный, NPN, 65В 100мA, 310мВт, Корпус SOT23-3

Содержание

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 1B, 1B-, 1B18, 1B20, 1B25, 1B30, 1B35, 1B40, 1B45, 1B50, 1B55, 1B60, 1B=***, 1BL3, 1BW, 1BZ, 1Bp, 1Bt. Даташиты BC846B, BC846BT, BC846BW, DAP202UM, FMMT2222, MBRS130LT3, MT501, RT9715CGB.

1B SOT-23 BC846BGeneral Semiconductor (Now Vishay)NPN транзистор
1B SOT-416 BC846BTNXPNPN транзистор
1B UMD3F DAP202UMROHMПереключающие диоды
1B- SOT-23 BC846BNXPNPN транзистор
1B- SOT-323 BC846BWNXPNPN транзистор
1B18 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B20 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B25 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B30 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B35 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B40 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B45 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B50 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B55 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B60 SOT-23 MT501Mos-TechДрайвер светодиода
1B=*** SOT-25 RT9715CGBRichtekКоммутатор питания
1BL3 SMB MBRS130LT3ONДиод Шоттки
1BW SOT-23 BC846BNXPNPN транзистор
1BW SOT-323 BC846BWNXPNPN транзистор
1BZ SOT-23 FMMT2222Zetex (Now Diodes)
NPN транзистор
1Bp SOT-23 BC846BNXPNPN транзистор
1Bp SOT-323 BC846BWNXPNPN транзистор
1Bt SOT-23 BC846BNXPNPN транзистор
1Bt SOT-323 BC846BWNXPNPN транзистор

BC846B (транзистор биполярный NPN) Infineon от 0.32 грн

BC846B
Код товара: 122726
Производитель: Hottech
Транзисторы - Биполярные NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h31: 450
Монтаж: SMD
2180 шт - склад Киев
198 шт - РАДИОМАГ-Киев
20 шт - РАДИОМАГ-Харьков
2 шт - РАДИОМАГ-Одесса
168 шт - РАДИОМАГ-Днепр
5+ 1 грн
10+ 0.7 грн
100+ 0.55 грн
1000+ 0.37 грн
BC846B
Код товара: 160564
Производитель: Yangjie
Транзисторы - Биполярные NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h31: 450
Монтаж: SMD

BC846B
Производитель:

под заказ 1842 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: import
NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 42000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: import
NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 30000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: import
NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 96000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: UMW
(polish version) Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP; Trans. BC846B SOT23 UMW TBC846b UMW
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: SLKOR
(polish version) Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP; Trans. BC846B SOT23 SLKOR TBC846b SLK
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC 846 B
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
под заказ 3000 шт
срок поставки 6-21&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: DIOTEC
NPN 65V 100mA 300mW 300MHz BC546B-DIO Tranz. BC846B SOT23-3 DIOTEC TBC846b DIO
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 15000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: DIOTEC
NPN 65V 100mA 300mW 300MHz BC546B-DIO Tranz. BC846B SOT23-3 DIOTEC TBC846b DIO
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 1080 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: KEC
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мА, 5 В; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
под заказ 6 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
1177+ 0.49 грн
1250+ 0.46 грн
1334+ 0.43 грн
BC846B
Производитель: DIOTEC
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 16800 шт
срок поставки 18-28&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: DIOTEC

под заказ 186717 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)
500+ 0.77 грн
800+ 0.73 грн
4300+ 0.63 грн
18000+ 0.58 грн
BC846B
Производитель: DC

под заказ 8083 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)
286+ 1.36 грн
500+ 1.26 грн
3000+ 1.07 грн
12000+ 1.02 грн
BC846B
Производитель: CDIL
Material: BC846B-CDI NPN SMD transistors
под заказ 690 шт
срок поставки 7-14&nbspдня (дней)
30+ 1.77 грн
100+ 0.79 грн
500+ 0.68 грн
1020+ 0.52 грн
2790+ 0.5 грн
BC846 B
Производитель:
sot-23 Транзистор
под заказ 46 шт
срок поставки 3-5&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BC846B - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 250
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 100
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
под заказ 5029 шт
срок поставки 10-18&nbspдня (дней)
119+ 4.75 грн
148+ 3.8 грн
208+ 2.71 грн
500+ 1.77 грн
1000+ 1.16 грн
5000+ 1.01 грн
BC846B
Производитель:
BC846B
под заказ 6000 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
BC846B
Производитель: ----
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h31=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 BC846B-(SOT-23)
под заказ 2370 шт
срок поставки 4&nbspдня (дней)
BC 846 B
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: BC846B-DIO NPN SMD transistors
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: BC846B-YAN NPN SMD transistors
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Power - Max: 310mW
Frequency - Transition: 300MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Power - Max: 310mW
Frequency - Transition: 300MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL NP XSTR GP
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC846B
Производитель: NEX
BC846B
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 396000 шт
срок поставки 21-35&nbspдня (дней)

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316 А6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17 А91   Si-St ВА314 Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
ВА319 А8   Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20 А81   Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21 А82   Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29 L20   Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31 L21   Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35 L22   Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17 A3   Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18 А2   Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70 А4   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99 А7   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56 А1   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31 81   C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40 S2   C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B 2BR Si-N BC549B, ВС108В Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A ЗА 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A ЗЕ 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В ЗК 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29 С7 С77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30 С8 С9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70 Н7 Н71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81 К9 К91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71 К7 К71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72 К8 К81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29 С1 С4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30 С2 С5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31 D1 D4 Si-N ВС108А,ВС548А Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32 02 D5 Si-N ВС108В, ВС548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33 D3 06 Si-N ВС108С, ВС548С Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A АА   Si-N ВС548А Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B АВ   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C АС   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D AD   Si-N ВС548С Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A ВА   Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B ВВ   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C ВС   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D BD   Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69 Н1 Н4 Si-P ВС557А Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70 Н2 Н5 Si-P ВС557В Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71 К1 К4 Si-N ВС547А Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72 К2 К5 Si-N ВС 547В Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81 КЗ К31 Si-N ВС547С Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H AH   Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J AJ   Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K AK   Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G BG   Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H BH   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J BJ   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K BK   Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30 М1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31 М2   N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92 Р1 Р4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A Р2 РЬ Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A) Е1 (Е2) Е4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46 МЗ   NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92 W1 W4 Si-P " BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93 Х1 Х4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61 А5   BYT BRY56 70V
BRY62 А51   Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12 B5 В8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, Ph3222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, Ph3222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, Ph3907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, Ph3907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19 U35   Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A U36   Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20 T35   Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A T36   Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56 M4   N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57 M5   N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58 M6   N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52 B2 B3 Si-N Ph3369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-... см.пр им.   Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391 M62   N-FET - Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392 M63   N-FET - Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393 M64   N-FET - Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

NPN транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения

Итак, транзистор, в котором один полупроводник p-типа размещен между двумя полупроводниками n-типа, известен как NPN-транзистор.

Транзистор NPN усиливает сигнал, поступающий на базу, и генерирует усиленный сигнал на коллекторе. В NPN-транзисторе направление движения электрона происходит от эмиттера к коллектора, из-за чего ток и протекает через транзистор. Устройства такого типа очень часто используют в электрических схемах, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют высокую подвижность по сравнению с дырками (положительно заряженные носители).

Конструкция NPN транзистора

Транзистор NPN, по сути, это два диода, соединенных друг с другом. Диод на левой стороне называется диод на основе перехода «эмиттер-база», а диоды на правой стороне называют диод на основе коллекторного перехода. Имена были подобраны согласно названию переходов.

Транзистор NPN имеет три клеммы, а именно эмиттер, коллектор и базу. Средняя часть NPN-транзистора слегка легирована, и это является наиболее важным фактором его работы. Эмиттер умеренно легирован, а коллектор сильно легирован.

Схема включения NPN транзистора

Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Коллектор и база подключены в обратном смещении, а эмиттер и база подключены в прямом смещении. Коллектор и база, через которую ведется управление состоянием транзистора ВКЛ./ВЫКЛ., всегда подключены к положительному полюсу источника питания, а эмиттер подключен к отрицательному полюсу источника питания.

Как работает NPN транзистор

Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется через соединение эмиттер-база, а обратное смещение применяется через соединение коллектор-база. Напряжение прямого смещения VEB мало по сравнению с напряжением обратного смещения VCB.

Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда прямое смещение прикладывается к эмиттеру, большинство носителей заряда движутся к базе. Это вызывает протекание тока эмиттера IE. Электроны входят в материал P-типа и соединяются с дырками.

База NPN-транзистора слегка легирована. Из-за чего только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют ток базы IB. Ток базы проникает в область коллектора. Обратный потенциал смещения области коллектора прикладывает высокую силу притяжения к электронам, достигающим коллектора. Таким образом, привлекают или собирают электроны на коллекторе.

Весь ток эмиттера входит в базу. Таким образом, можно сказать, что ток эмиттера является суммой токов коллектора и базы.

Маркировка электронных компонентов, коды SMD 1B, 1B-, 1B18, 1B20, 1B25, 1B30, 1B35, 1B40, 1B45, 1B50, 1B55, 1B60, 1B = ***, 1BL3, 1BW, 1BZ, 1Bp, 1Bt. Даташиты BC846B, BC846BT, BC846BW, DAP202UM, FMMT2222, MBRS130LT3, MT501, RT9715CGB.

Главная
Автомобильная аудиосистема
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Таблицы данных
Маркировка SMD
Forum
  1. Основной
  2. Маркировка SMD
Код SMD Упаковка Название устройства Производитель Данные Лист данных
1B СОТ-23 BC846B General Semiconductor (теперь Vishay) Транзистор NPN
СОТ-416 BC846BT NXP NPN транзистор
UMD3F DAP202UM ROHM Переключающие диоды
1Б- СОТ-23 BC846B NXP NPN транзистор
1Б- СОТ-323 BC846BW NXP NPN транзистор
1B18 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B20 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B25 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B30 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B35 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B40 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B45 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B50 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B55 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B60 СОТ-23 MT501 Mos-Tech Светодиодный драйвер
1B = *** СОТ-25 RT9715CGB Richtek Выключатель питания
1BL3 SMB MBRS130LT3 ON Диод Шоттки
1BW СОТ-23 BC846B NXP NPN транзистор
1BW СОТ-323 BC846BW NXP NPN транзистор
1BZ СОТ-23 FMMT2222 Zetex (Now Diodes) NPN транзистор
1Бп СОТ-23 BC846B NXP NPN транзистор
1Бп СОТ-323 BC846BW NXP NPN транзистор
1Bt СОТ-23 BC846B NXP NPN транзистор
1Bt СОТ-323 BC846BW NXP NPN транзистор

1bw - 芯片 丝印 反 查 - 芯片 丝印 反 查 网

搜索 1bw 共 找到 4 条 数据

丝印 代码 型号 封装 脚 针 数 描述 资料 操作
1BW SMB10J22 против DO-214AA / SMB 2

Vbr = 24.4..29,8 В, Vrwm = 22 В, 25,4 А, 1000 Вт (1 мс)


加入 物料 单
1BW SMB8J22C против DO-214AA / SMB 2

Vbr = 24.4..29,8 В, Vrwm = 22 В, 20,3 А, 1000 Вт (1 мс), двунаправленный


加入 物料 单
1BW BC846B PhC СОТ-23 3

GP, 80 В, 100 мА, 250 мВт, B = 200..450,> 100 МГц


加入 物料 单
1BW BC846BW PhC СОТ-323 3

GP, 80 В, 100 мА, 200 мВт, B = 200..450,> 100 МГц


加入 物料 单

使用 说明 :

· TLV3201AIDBVR RAI, 输入 RAI , 即可 筛选 出 的 的 型号 TLV3201AIDBVR。

· MMBD7000LT1G M5C3 , 中 丝印 M5C , 3 是 标示 批号 13 的 意思。 以 丝印 的 时候 M5C M5C 1G出来 丝印 是 M5C。 丝印 搜索 可以 尝试 多个 组合 试 一下

· PIC10F200-E / OT 丝印 是 00AB (AB 表示 年份) SOT-23-6 应该 查询 丝印 是 00xx。

, 丝印 反 查 , 如果 丝印 反 可以 把 最后 面 表示 年份 的 1 到 2 位 字母 减掉 , 换成。

每个 丝印 搜索 显示 20 匹配 结果 , 超过 20 条 的 不 显示。 注册 会员 可以 显示 30 结果。 注册 完全 免费 , 所有 内容 完全 免费。

不了解 的 事情 , 可以 联系 右侧 QQ , 或 发 support @ smdmark.com!

专业 PCB , 芯片 程序 破解 , PCB 抄 板 PCB 改 板 , BOM , 原理 图 推 SMT 焊接 调试 一条龙 服务 通过 的 QQ , 或者 本人 手机 (微 信) 180 * 2535 * 9515 , 随时 与 我 联系

1bw% 20smd% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

HW-11-20-SM-D-669-100 Samtec Inc Соединитель для штабелирования плат, 22 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
SSM-120-SM-DV-LC-P Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
EW-25-20-SM-D-200 Samtec Inc Соединитель для штабелирования плат, 50 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
SSM-120-SM-DV-K-TR Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
SSM-120-SM-DV-BE Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
HW-17-20-SM-D-650-SM-A Samtec Inc Соединитель для штабелирования плат, 34 контакта, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, Бесплатный образец

100PCS BC846B 215 1BW SOT-23 65V / 100mA SOT SMD CR NPN SMD SOT-23 Поверхностный SMD-триод PNP SOT23 Транзистор: Amazon.com: Industrial & Scientific


В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • 100 шт BC846B 215 1BW SOT-23 65 В / 100 мА SOT SMD CR NPN SMD SOT-23 поверхностный монтаж SMD триод PNP SOT23 транзистор
]]>
Характеристики
Фирменное наименование Нованик
Ean 4852329536274
Номер детали ljz-icmixM10756
Код UNSPSC 39120000

Качество 1bw smd транзистор для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор.  1bw smd транзистор  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей.  1bw smd транзистор  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  1bw smd транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.

1bw smd-транзистор изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет как минимум три клеммы, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. В качестве усилителей. Транзистор 1bw smd скрывает низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 1bw smd транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. В транзисторе 1bw smd на сайте Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 1bw smd транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор 1bw smd на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

1bw smd transistor datasheet book pdf

Mantech electronics - импортер, поставщик и дистрибьютор электронных компонентов, средств измерения и тестирования, инструментов и устройств питания.Продукты доступны в любом из наших филиалов и дистрибьюторов в jhb, dbn и cpt. Введите полный или частичный smd-код, состоящий минимум из 1 буквы или цифры. Npn 1bw smd таблица данных транзистора pdf усилитель общего назначения. Это устройство предназначено для использования в качестве усилителя средней мощности и переключателя, требующего токи коллектора до 500 мА. Получено из процесса 19. Абсолютные максимальные характеристики * t a = 25 ° C, если не указано иное *, эти номинальные значения являются предельными значениями, при превышении которых эксплуатационная способность любого полупроводникового прибора может быть нарушена.Транзистор npn 2n2222a- smd. Размер плоских микросхем в формате pdf с описанием транзисторов smd размером 1bw определяется по 4-значному коду. Smd Transistor code pdf tape and reel - самая популярная упаковка для smd транзисторов и диодов. Smd транзистор 1bw smd таблица данных транзистора pdf код 1bw кодированное устройство, щелкните по первому символу кода устройства в таблице слева.

Транзистор 1b_ 1bz fmmt2222 sot23 npn 1b 1bw smd таблица данных транзистора pdf fssl13 do- 214ac diode 81b hmbz5251b sot- 23 стабилитрон 11b hzf11bp lrp стабилитрон 5.1bp lrp zenerdiode 9. 1bp lrp zenerdiode 1b irlml2803 sot23 transistor 201b 1bw smd transistor datasheet book pdf isl99201irtbz tdfn- 8 linearic 201b isl99201iz bga- 9 linearic 1b kc846b sotc k846b. Аннотация: smd 551 кодовая маркировка sot23 smd кодовая маркировка транзисторов pb sot23 smd маркировка транзисторов код 43 st 9340 smd маркировка транзисторов 93 транзистор smd маркировка код sp маркировка 33 smd ic все данные транзистора книга скачать транзистор smd код пакет sot23 501 текст: kong. = t: сделано в Малайзии.Все названия частей, для которых находится файл 8855. Pdf - это таблица данных. B / ch bc846 / bc847 / 1bw таблица данных транзисторов smd pdf bc848 smd транзисторы общего назначения (npn) www.

Taitronкомпоненты. Книга данных транзистора com 1bw smd, pdf, страница 3 из 8 рис. 1 - отсечка коллектора 1bw smd таблица данных транзистора pdf в зависимости от температуры перехода.

Коды маркировки SMD-транзисторов. Здесь вы можете скачать книгу кодов smd, которая показывает коды маркировки smd почти для каждого. Следующая книга pdf с описанием транзисторов 1bw smd найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть книги pdf, найдя первый.Код маркировки транзистора smd a7 превью кода маркировки smd. Поиск кода маркировки. Npn-кремниевый переключающий транзистор smbt 3904 максимальные характеристики тип код заказа (лента и катушка) маркировка штыря конфигурация пакета1) smbt 3904 q68000- a4416s1a sot- 23b ec 1 2 3 значения символа параметра блок коллектор-эмиттер напряжение vce0 40 v 1bw smd таблица данных транзистора pdf напряжение коллектор-база vcb0 60 ток коллектора ic 200 ма общая рассеиваемая мощность, ts = 69˚ c ptot 330 мВт. Техническое описание 6bw, 6bw pdf, техническое описание 6bw, техническое описание, техническое описание, pdf | дом.Транзистор npn общего назначения и коммутации :. Транзистор (pnp) 1bw smd таблица данных транзистора pdf 1. Характеристики коллектора s8550 z дополняют s8050 z ток коллектора: ic = 1bw smd таблица данных транзистора pdf 0. 5a маркировка: 2ty максимальных номинальных значения (ta = 25 ℃, если не указано иное) параметр символа Единицы измерения v cbo напряжение коллектор - база - 40 vv ceo напряжение коллектор - эмиттер - 25 vv ebo эмиттер - напряжение базы - 5 vic ток коллектора.

Резистор стандартного класса, пассивация с витым стеклом, концевые заделки с обертыванием, 96% оксид алюминия, резистивная пленка, характеристики 02/08/08.Smd справочник, перекрестные ссылки и типы. * вид сверху на рис. Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем, что информация о транзисторах 1bw smd в формате PDF и не содержит ошибок или пропусков. Smd code package название устройства данные производителя; 1b sot- 23 bc846b: general semiconductor (теперь vishay) npn-транзистор: 1b sot- 416 bc846bt: nxp: npn-транзистор: 1b umd3f 1bw smd-транзистор техническое описание книги pdf dap202um: rohm: переключающие диоды: nc8 sot- 23 bc Транзистор npn: 1b- сот- 323 bc846bw: nxp: npn транзистор: 1b18 сот- 23 mt501: mos-tech: драйвер светодиода: 1b20 сот- 23.Кодовая книга smd © rp blackwell, gm4pmk. Чтобы найти закодированное устройство, щелкните первый символ кода устройства в таблице слева.

Пользователи этого листа данных должны сами проверить информацию и пригодность книги паспортов транзисторов smd 1bw в формате pdf для своих целей и не делать никаких предположений в формате pdf книги данных транзисторов smd 1bw на основе включенной или опущенной информации. Ответственность за потерю или повреждение, возникшие в результате использования информации или использования 1bw smd таблицы данных транзистора в формате pdf (включая ответственность, возникшую в результате небрежности 1bw smd таблица данных транзистора в формате pdf или если файл.SMD-диод A7 доступен в jameco 1bw smd транзистор техническое описание книга pdf electronics. Найдите на сайте jameco техническое описание транзисторов 1bw smd в формате pdf, компьютерные продукты, электромеханическое оборудование, электроника, электронные комплекты и проекты, а также многое другое. Получите доставку в тот же день, находите новые продукты каждый месяц и чувствуйте себя уверенно с брошюрой 1bw smd с описанием транзисторов в формате pdf - нашей гарантией низкой цены. Информация о регистрации продаж. Podle zákona o Evidenci tržeb je prodávající povinen vystavit kupujícímu účtenku. Zároveň je povinen zaevidovat přijatou tržbu u správce daně онлайн; v případě technického výpadku pak nejpozději do 48 hodin.Как использовать кодовую книгу smd для идентификации конкретного устройства smd, сначала определите стиль пакета и запишите идентификационный код, напечатанный на устройстве. Теперь найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть этой книги, щелкнув первый символ, показанный в левом меню. К сожалению, код каждого устройства не обязательно должен быть уникальным.

Sot - 89 sotpins 5 - pins 6. - pins eugene turuta активные коды маркировки компонентов smd введение в базу данных smd- коды для полупроводниковых компонентов в 2-контактных корпусах smd-коды для полупроводниковых компонентов в 3-контактных корпусах 1bw smd транзисторы техническое описание книги в PDF-корпусах smd- 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF коды для полупроводниковых компонентов в корпусах sot- 89 smd- коды 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF для полупроводниковых компонентов 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF в корпусах sot- 223.Com предлагает 109 транзисторов 1bw smd. Около 9% из них - это интегральные схемы, 15% - транзисторы, 1bw smd - таблица данных транзистора в формате pdf и 0% - другие электронные компоненты. Вам доступен широкий выбор транзисторов smd 1bw, таких как тип. Система Theremino - smd коды 1bw smd таблица данных транзистора pdf - страница 6.

06 gali- 6 mc az sot89 dc- 4ghz mmic 1bw smd таблица данных транзистора pdf amp 115 dbm o / p 1bw smd транзистор техническое описание книги pdf 06 dtc144te roh n emt3 npn dtr r1 47k 50v 100ma 06 dtc144tua roh n sc70 npn.Smd / smt sot- 23-3 одинарных биполярных транзистора npn - bjt можно приобрести в магазине Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены, техническое описание транзисторов smd 1bw в формате pdf и таблицы данных для биполярных транзисторов smd / smt sot- 23-3 single npn - bjt. Com предлагает 130 транзисторов smd мощностью 12 Вт. Около 37% из 1bw smd книги данных транзисторов pdf это транзисторы, 44% - интегральные схемы и 3% - другие печатные платы и печатные платы. Вам доступен широкий выбор транзисторов smd мощностью 12 Вт, таких как тип корпуса, тип.Теги datasheet, скачать, 1bw smd таблица данных транзистора pdf pdf, транзистор. 15 мыслей 1bw smd таблица данных транзистора pdf на тему «скачать таблицы эквивалентностей - компоненты smd - транзисторы и диоды». Таблица данных, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению транзистора smd 1dw в формате pdf.

Npn переключающий транзистор mmbt3904 предельные значения в соответствии с системой абсолютных максимальных номиналов (iec 60134). Транзистор установлен на печатной плате fr4. Примечание 1 к тепловым характеристикам.Условие параметра символа мин.

Блок vcbo коллектор-база открытый эмиттер. Важное замечание по транзисторам smd npn: этот технический паспорт и его содержимое в формате pdf с описанием транзисторов smd 1bw («информация») принадлежат членам ведущей книги с описанием транзисторов smd 1bw в формате pdf, группа компаний Farnell («группа») или 1bw Книга данных транзистора smd в формате pdf с лицензией на это. Никакая лицензия не предоставляется на его использование, кроме как в информационных целях в связи с продуктами 1bw smd transistor datasheet book pdf, к которым он относится.Транзистор общего назначения со встроенным резистором смещения: j6: mmsz5246b- v- g: sod- 123 :. Начните маркировку smd (сверху микросхемы корпуса, транзисторов, диода и т. Д.

SMD транзистор общего назначения (npn), техническое описание mmbt4401, схема mmbt4401, техническое описание mmbt4401: taitron, alldatasheet, datasheet, datasheet сайт поиска электронных данных транзистора smd 1bw книга pdf компоненты и полупроводники, интегральные схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники. Npn малосигнальный транзистор для поверхностного монтажа эпитаксиальный плоский 1bw smd транзистор техническое описание книга pdf конструкция кристалла дополнительный тип pnp доступен 1bw smd транзистор техническое описание книги pdf (mmbt2907a) идеально для средней мощности символ характеристики усиления и переключения mmbt2222a блок напряжение коллектор-база vcbo 75 В напряжение коллектор-эмиттер vceo 40 В эмиттер-база напряжение vebo 6.

0 В коллекторный ток 1bw smd таблица данных транзистора pdf - непрерывная (примечание. Руководство по транзисторам [1bw smd таблица данных транзисторов pdf cletus j. Kaiser] на amazon. * Бесплатная * доставка соответствующих предложений. Эта книга содержит практическое руководство и информацию по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах. 65k5 datasheet, 65k5 pdf, 65k5 data sheet, 65k5 manual, 65k5 pdf, 65k5, datenblatt, 1bw smd datasheet book pdf electronics 65k5, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, данные.Транзисторы общего назначения npn в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (smd). Обзор продукта [1] действительно для всех доступных групп выбора.

2 характеристики и преимущества транзисторы общего назначения Пластиковые корпуса smd два различных выбора усиления 1. 3 применения универсальное переключение и усиление 1. 4 краткие справочные данные


Smd Transistor Marking Codes.pdf

коды маркировки транзисторов, sot23 маркировка транзисторов коды, коды маркировки транзисторов smd, коды маркировки транзисторов для поверхностного монтажа, коды маркировки транзисторов smd pdf, коды маркировки транзисторов smd 3b, код маркировки транзисторов sot23, код маркировки транзисторов 2a, код маркировки транзисторов 13w, код маркировки транзисторов 1bw, код маркировки транзисторов 13, код маркировки транзисторов 3g, код маркировки транзисторов 431, код маркировки транзисторов 1am

Как использовать книгу кодов SMD.Чтобы идентифицировать конкретное SMD-устройство, сначала определите стиль упаковки и запишите идентификационный код, напечатанный на устройстве. Теперь найдите .... 1AM = код конкретного устройства. M ... * Дата Ориентация кода и / или верхняя черта могут ... доступны на сайте www.onsemi.com/site/pdf/PatentMarking.pdf .. символ кода устройства в таблице слева. ... Книга кодов SMD GM4PMK. Коды, начинающиеся с «2». Код. Устройство. Manf Base ... Маркировка резисторов SMD .. BC817-16 / -25 / -40. МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 45V NPN В SOT23.Характеристики ... XXX = маркировочный код типа продукта (см. Таблицу выше). YM = Код даты .... Philips Semiconductors. Малосигнальные транзисторы и диоды. Коды маркировки. НОМЕР ТИПА ДИОДА К КОДУ МАРКИРОВКИ. ТИП. НОМЕР .. КОД МАРКИРОВКИ SMD транзисторов 312 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf .. Минимум 1 буква или цифра! КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ. Как идентифицировать SMD-устройства по кодам на верхней части компонента? Теперь вы можете попробовать приложение для Android: ...

Коды маркировки активных SMD полупроводниковых компонентов.405000 SMD-кодов для активных полупроводниковых компонентов: диоды, транзисторы, тиристоры, интегрированные .... 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z, *, -. 0, 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D .... КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 1Pd техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и указания по применению в формате pdf .. Smd ,, транзистор ,, маркировка ,, код, ,. ,, является ,, стратегически ,, ориентированной ,, деятельностью ,, в то время как ,, ra - ,, COMINTESMdar ,, имеет ,, a ,, m.,,. ,, Научно ,, Поисковые ,, Двигатели .. Устройство, Маркировка:, .. 2SB1188-Q. СОТ-89. BCQ. 2SB1188-R. СОТ-89. BCR. 2СБ1197-П. СОТ-23. AHP. Код маркировки для устройств SMD MCC. Микрокоммерческие компоненты .... 290 000 кодов SMD для диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем. Подробнее. Крах. Обзоры. Ознакомьтесь с Политикой. 4.3. Всего 963. 5. 4. 3. 2. 1. Nigon Kouk .. Code 9W изготовлены из неэкологичного формовочного компаунда и могут содержать галогены или антипирены Sb2O3 ... KA2 = Код маркировки типа продукта... Последнюю версию см. AP02002 на http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf .... Транзистор общего назначения SMD (NPN). Функции. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для. Коммутация и усилитель ... BC17-25. BC817-40. Код маркировки .. Книга кодов SMD. Р. П. Блэквелл, GM4PMK. Чтобы найти закодированное устройство, щелкните первый символ кода устройства в таблице слева .. Код маркировки. 3А. 3B. 3E. 3F. 3G. 3J. 3К. 3л. Максимальные характеристики (T Окружающая среда = 25 ° C, если не указано иное). Условное обозначение.Описание. BC856. BC857. BC858. Блок .. Это ревизия 4 списка кодов маркировки SMD устройств MCC .. Распиновка. Стиль маркировки SMD-кодов ... одно-, двух- и более-символьный или графический идентификационный код. ... Например, с SMD-кодом 6H в случае SOT-23 может быть либо .... Затем найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть книги pdf, найдя первый символ в левом столбце.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *