Что такое транзистор BC846B. Каковы основные параметры BC846B. Где применяется BC846B. Какие существуют аналоги BC846B. Как правильно использовать BC846B в схемах.
Основные характеристики транзистора BC846B
BC846B — это биполярный NPN транзистор общего назначения в корпусе SOT23. Он широко используется в различных электронных схемах благодаря своим характеристикам:
- Структура: кремниевый NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
- Максимальный ток коллектора: 100 мА
- Коэффициент усиления по току (hFE): 200-450
- Граничная частота: 100 МГц
- Максимальная рассеиваемая мощность: 310 мВт
- Корпус: SOT23-3
Какие ключевые особенности выделяют BC846B среди других транзисторов? Во-первых, это компактный корпус SOT23, позволяющий применять его в малогабаритных устройствах. Во-вторых, хорошее соотношение между максимальным напряжением и током. В-третьих, достаточно высокий коэффициент усиления.
Области применения транзистора BC846B
- Усилители низкой частоты
- Схемы коммутации и переключения
- Источники питания
- Драйверы светодиодов
- Логические схемы
- Датчики и сенсоры
Где чаще всего можно встретить BC846B? Этот транзистор часто используется в портативной электронике, бытовой технике, автомобильной электронике, промышленной автоматике. Его универсальность позволяет применять его как в аналоговых, так и в цифровых схемах.
Аналоги и замены BC846B
При отсутствии BC846B его можно заменить аналогичными транзисторами. Какие транзисторы являются прямыми аналогами? Вот некоторые из них:
- 2N3904
- MMBT3904
- BC817
- BC337
- 2SC1815
При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса. Как правильно подобрать аналог? Нужно сравнить основные характеристики: максимальное напряжение, ток, коэффициент усиления, граничную частоту. Также важно проверить совместимость выводов.
Особенности использования BC846B в схемах
При работе с BC846B важно соблюдать несколько правил:
- Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
- Обеспечить достаточный теплоотвод при работе на больших токах
- Учитывать температурную зависимость параметров
- Правильно подключать выводы транзистора в схеме
Как определить выводы BC846B? В корпусе SOT23 крайний левый вывод — коллектор, средний — база, крайний правый — эмиттер (если смотреть на плоскую сторону корпуса). Какие типичные ошибки допускают при использовании BC846B? Часто неправильно определяют выводы или превышают максимально допустимый ток коллектора.
BC846B в схемах усиления
- Схема с общим эмиттером
- Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
- Дифференциальный каскад
- Каскодная схема
Как рассчитать коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером? Он зависит от сопротивления нагрузки в цепи коллектора и крутизны транзистора. Типичные значения усиления могут достигать 20-50 дБ на частотах до нескольких мегагерц.
BC846B в схемах коммутации
Транзистор BC846B хорошо подходит для коммутации небольших токов. Как использовать его в качестве электронного ключа?
- В режиме насыщения транзистор открыт (ключ замкнут)
- В режиме отсечки транзистор закрыт (ключ разомкнут)
- Для управления достаточно небольшого тока базы
- Время переключения составляет единицы наносекунд
Какие схемы защиты нужно предусмотреть при коммутации индуктивной нагрузки? Рекомендуется использовать защитный диод параллельно нагрузке для подавления выбросов напряжения при размыкании цепи.
Параметры и характеристики BC846B
Рассмотрим подробнее основные параметры BC846B:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 65 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 80 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 100 мА
- Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 200 мА
- Коэффициент усиления по току (hFE): 200-450 при IC = 2 мА, VCE = 5 В
- Граничная частота (fT): 100 МГц (типовое значение)
- Емкость коллекторного перехода (Ccb): 1,5 пФ
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat): 0,25 В при IC = 10 мА, IB = 0,5 мА
Как зависит коэффициент усиления от тока коллектора? Обычно hFE имеет максимум при токах 2-10 мА и снижается при меньших и больших токах. Какова температурная зависимость параметров? С ростом температуры увеличивается ток утечки и снижается пороговое напряжение база-эмиттер.
Эта схема демонстрирует типовое включение BC846B в качестве усилителя с общим эмиттером. Какие элементы входят в схему?
- Rc — коллекторный резистор, определяющий коэффициент усиления
- Re — эмиттерный резистор для стабилизации рабочей точки
- Rb — базовый резистор для задания тока базы
- Cin и Cout — разделительные конденсаторы для входного и выходного сигналов
Как работает эта схема? Входной сигнал через Cin поступает на базу транзистора. BC846B усиливает этот сигнал, и усиленный сигнал снимается с коллектора через Cout. Резисторы Rc и Re задают рабочую точку транзистора.
| 1B | SOT-23 | BC846B | General Semiconductor (Now Vishay) | NPN транзистор | |
| SOT-416 | BC846BT | NXP | NPN транзистор | ||
| 1B | UMD3F | DAP202UM | ROHM | Переключающие диоды | |
| 1B- | SOT-23 | BC846B | NXP | NPN транзистор | |
| 1B- | SOT-323 | BC846BW | NXP | NPN транзистор | |
| 1B18 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B20 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B25 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B30 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B35 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B40 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B45 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B50 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B55 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B60 | SOT-23 | MT501 | Mos-Tech | Драйвер светодиода | |
| 1B=*** | SOT-25 | RT9715CGB | Richtek | Коммутатор питания | |
| 1BL3 | SMB | MBRS130LT3 | ON | Диод Шоттки | |
| 1BW | SOT-23 | BC846B | NXP | NPN транзистор | |
| 1BW | SOT-323 | BC846BW | NXP | NPN транзистор | |
| 1BZ | SOT-23 | FMMT2222 | NPN транзистор | ||
| 1Bp | SOT-23 | BC846B | NXP | NPN транзистор | |
| 1Bp | SOT-323 | BC846BW | NXP | NPN транзистор | |
| 1Bt | SOT-23 | BC846B | NXP | NPN транзистор | |
| 1Bt | SOT-323 | BC846BW | NXP | NPN транзистор |
|
BC846B Код товара: 122726 Производитель: Hottech Транзисторы — Биполярные NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 65 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,1 A h31: 450 Монтаж: SMD |
2180 шт — склад Киев 198 шт — РАДИОМАГ-Киев 20 шт — РАДИОМАГ-Харьков 2 шт — РАДИОМАГ-Одесса 168 шт — РАДИОМАГ-Днепр |
|
|||||||||||||
|
BC846B Код товара: 160564 Производитель: Yangjie Транзисторы — Биполярные NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 65 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,1 A h31: 450 Монтаж: SMD |
|
||||||||||||||
|
BC846B Производитель:
|
под заказ 1842 шт срок поставки 2-3 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: import NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 42000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: import NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 30000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: import NPN 100mA 65V 200mW 100MHz Trans. BC846B SOT23 TBC846b c количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 96000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: UMW (polish version) Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP; Trans. BC846B SOT23 UMW TBC846b UMW количество в упаковке: 500 шт |
под заказ 3000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: SLKOR (polish version) Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP; Trans. BC846B SOT23 SLKOR TBC846b SLK количество в упаковке: 500 шт |
под заказ 3000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC 846 B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
под заказ 3000 шт срок поставки 6-21 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: DIOTEC NPN 65V 100mA 300mW 300MHz BC546B-DIO Tranz. BC846B SOT23-3 DIOTEC TBC846b DIO количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 15000 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: DIOTEC NPN 65V 100mA 300mW 300MHz BC546B-DIO Tranz. BC846B SOT23-3 DIOTEC TBC846b DIO количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 1080 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: KEC Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мА, 5 В; Тексп, °С = -55…+150; SOT-23-3 |
под заказ 6 шт срок поставки 2-3 дня (дней) |
|
|||||||||||||
|
BC846B Производитель: DIOTEC количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 16800 шт срок поставки 18-28 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: DIOTEC
|
под заказ 186717 шт срок поставки 16-23 дня (дней) |
|
|||||||||||||
|
BC846B Производитель: DC
|
под заказ 8083 шт срок поставки 16-23 дня (дней) |
|
|||||||||||||
|
BC846B Производитель: CDIL Material: BC846B-CDI NPN SMD transistors |
под заказ 690 шт срок поставки 7-14 дня (дней) |
|
|||||||||||||
|
BC846 B Производитель: sot-23 Транзистор |
под заказ 46 шт срок поставки 3-5 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO — BC846B — Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Surface Mount Transistor Polarity: NPN Product Range: — Power Dissipation Pd: 250 DC Current Gain hFE: 200 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Surface Mount MSL: — Automotive Qualification Standard: — DC Collector Current: 100 Transistor Case Style: SOT-23 Transition Frequency ft: 100 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
под заказ 5029 шт срок поставки 10-18 дня (дней) |
|
|||||||||||||
|
BC846B Производитель: BC846B |
под заказ 6000 шт срок поставки 2-3 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: —- NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h31=150…450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 BC846B-(SOT-23) |
под заказ 2370 шт срок поставки 4 дня (дней) |
||||||||||||||
|
BC 846 B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: BC846B-DIO NPN SMD transistors |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY Material: BC846B-YAN NPN SMD transistors |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: ON Semiconductor Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Transistor Type: NPN Current — Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current — Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Power — Max: 310mW Frequency — Transition: 300MHz Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: ON Semiconductor Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Transistor Type: NPN Current — Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current — Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Power — Max: 310mW Frequency — Transition: 300MHz Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: ON Semiconductor / Fairchild Bipolar Transistors — BJT SS SC88 DUAL NP XSTR GP |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: Taiwan Semiconductor Bipolar Transistors — BJT Transistor 200mW |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||||||
|
BC846B Производитель: NEX BC846B количество в упаковке: 3000 шт |
под заказ 396000 шт срок поставки 21-35 дня (дней) |
| Тип прибора |
маркировка | структ. код п/п | аналог (прибл.) | Краткие параметры | |
|---|---|---|---|---|---|
|
Типов. |
Рев. | ||||
| ВА316 | А6 | Si-Di | BAW62, 1N4148 | Min, S, 85V, 0.1A, <6ns | |
| BAS17 | А91 | Si-St | ВА314 | Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA | |
| ВА319 | А8 | Si-Di | BAV19 | Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms | |
| BAS20 | А81 | Si-Di | BAV20 | Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms | |
| BAS21 | А82 | Si-Di | BAV21 | Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms | |
| BAS29 | L20 | Si-Di | BAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| BAS31 | L21 | Si-Di | 2XBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| BAS35 | L22 | Si-Di | 2xBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| ВАТ17 | A3 | Pin-Di | BA480 | VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz | |
| ВАТ18 | А2 | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz | |
| BAV70 | А4 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BAV99 | А7 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BAW56 | А1 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BBY31 | 81 | C-Di | BB405, BB609 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF | |
| BBY40 | S2 | C-Di | BB809 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF | |
| ВС807-16 | 5A | 5AR | Si-P | BC327-16 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
| ВС807-25 | 5В | 5BR | Si-P | BC327-25 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
| ВС807-40 | 5С | 5CR | Si-P | BC327-40 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
| ВС808-16 | 5Е | 5ER | Si-P | BC328-16 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
| ВС808-25 | 5F | 5FR | Si-P | BC328-25 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
| BC808-40 | 5G | 5GR | Si-P | BC328-40 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
| BC817-16 | 6A | 6AR | Si-N | BC337-16 | Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250 |
| BC846B | 1В | 1BR | Si-N | BC546B | Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz |
| BC847A | 1E | 1ER | Si-N | BC547A, BC107A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
| BC847B | 1F | 1FR | Si-N | BC547B, BC107B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC847C | 1G | 1GR | Si-N | BC547C, BC107C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC848A | U | 1JR | Si-N | BC548A, BC108A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
| BC848B | 1K | 1KR | Si-N | BC548B, BC108B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC848C | 1L | 1LR | Si-N | BC548C, BC108C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC849B | 2В | 2BR | Si-N | BC549B, ВС108В | Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC849C | 2С | 2CR | Si-N | BC549C, BC109C | Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC850B | 2F | 2PR | Si-N | BC550B, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC850C | 2G | 2GR | Si-N | BC550C, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC856A | ЗА | 3AR | Si-P | BC556A | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
| BC856B | 3В | 3BR | Si-P | BC556B | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| BC857A | ЗЕ | 3ER | Si-P | BC557A, BC177A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
| BC857B | 3F | 3FR | Si-P | BC557B, BC177B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС857С | 3G | 3GR | Si-P | BC557C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| ВС858А | 3J | 3JR | Si-P | BC558A, BC178A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250 |
| ВС858В | ЗК | 3KR | Si-P | BC558B, BC178B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475 |
| ВС858С | 3L | 3LR | Si-P | BC558C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800 |
| ВС859А | 4А | 4AR | Si-P | BC559A, BC179A, BCY78 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
| ВС859В | 4В | 4BR | Si-P | BC559B, BCY79 | Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС859С | 4С | 4CR | Si-P | BC559C, BCY79 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| ВС860А | 4Е | 4ER | Si-P | BC560A, BCY79 | 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
| ВС860В | 4F | 4FR | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС860С | 4G | 4GR | Si-P | BC560C, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| BCF29 | С7 | С77 | Si-P | BC559A, BCY78, BC179 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
| BCF30 | С8 | С9 | Si-P | BC559B, BCY78 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
| BCF32 | 07 | 077 | Si-N | BC549B, BCY58, BC109 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
| BCF33 | D8 | D81 | Si-N | BC549C, BCY58 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
| BCF70 | Н7 | Н71 | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz, |
| BCF81 | К9 | К91 | Si-N | BC550C | Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га |
| BCV71 | К7 | К71 | Si-N | BC546A | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220 |
| BCV72 | К8 | К81 | Si-N | BC546B | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450 |
| BCW29 | С1 | С4 | Si-P | BC178A, BC558A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120 |
| BCW30 | С2 | С5 | Si-P | BC178B, BC558B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215 |
| BCW31 | D1 | D4 | Si-N | ВС108А,ВС548А | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110 |
| BCW32 | 02 | D5 | Si-N | ВС108В, ВС548 | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200 |
| BCW33 | D3 | 06 | Si-N | ВС108С, ВС548С | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420 |
| BCW60A | АА | Si-N | ВС548А | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220 | |
| BCW60B | АВ | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450 | |
| BCW60C | АС | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600 | |
| BCW60D | AD | Si-N | ВС548С | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800 | |
| BCW61A | ВА | Si-P | BC558A | Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220 | |
| BCW61B | ВВ | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
| BCW61C | ВС | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
| BCW61D | BD | Si-P | BC558C | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
| BCW69 | Н1 | Н4 | Si-P | ВС557А | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
| BCW70 | Н2 | Н5 | Si-P | ВС557В | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215 |
| BCW71 | К1 | К4 | Si-N | ВС547А | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110 |
| BCW72 | К2 | К5 | Si-N | ВС 547В | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200 |
| BCW81 | КЗ | К31 | Si-N | ВС547С | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420 |
| BCW89 | НЗ | Н31 | Si-P | ВС556А | Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
| BCX17 | Т1 | Т4 | Si-P | ВС327 | Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz |
| BCX18 | Т2 | Т5 | Si-P | ВС328 | Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz |
| BCX19 | U1 | U4 | Si-N | BC337 | Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz |
| BCX20 | U2 | U5 | Si-N | ВС 33 8 | Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz |
| BCX70G | AG | Si-N | BC107A, BC547A | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220 | |
| BCX70H | AH | Si-N | ВС 107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
| BCX70J | AJ | Si-N | ВС107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
| BCX70K | AK | Si-N | ВС107С, BC547C | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
| BCX71G | BG | Si-P | ВС177А, BC557A | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250 | |
| BCX71H | BH | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475 | |
| BCX71J | BJ | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650 | |
| BCX71K | BK | Si-P | ВС557С | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800 | |
| BF510 | S6 | N-FET | BF410A | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V | |
| BF511 | S7 | N-FET | BF410B | Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V | |
| BF512 | S8 | N-FET | BF410C | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V | |
| BF513 | S9 | N-FET | BF410D | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V | |
| BF536 | G3 | SI-P | BF936 | Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz | |
| BF550 | G2 | G5 | Si-P | BF450 | Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz |
| BF569 | G6 | Si-P | BF970 | Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz | |
| BF579 | G7 | Si-P | BF979 | Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ | |
| BF660 | G8 | G81 | Si-P | BF606A | Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz |
| BF767 | G9 | Si-P | BF967 | Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz | |
| BF820 | S-N | BF420 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | ||
| BF821 | 1W | Si-P | BF421 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF822 | 1Х | Si-N | BF422 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF823 | 1Y | Si-P | BF423 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF824 | F8 | Si-P | BF324 | Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz | |
| BF840 | F3 | Si-N | BF240 | Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz | |
| BF841 | F31 | SI-N | BF241 | Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz | |
| BFR30 | М1 | N-FET | BFW-11, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V | |
| BFR31 | М2 | N-FET | BFW12, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V | |
| BFR53 | N1 | N4 | Si-N | BFW30, BFW93 | Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz |
| BFR92 | Р1 | Р4 | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFR92A | Р2 | РЬ | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFR93 | R1 | R4 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
| BFR93A | R2 | R5 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
| BFS17, (BFS17A) | Е1 (Е2) | Е4 (F5) | Si-N | BFY90, BFW92(A) | Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz |
| BFS18 | F1 | F4 | Si-N | BF185, BF495 | Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz |
| BFS19 | F2 | F5 | Si-N | BF184, BF494 | Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz |
| BFS20 | G1 | G4 | Si-N | BF199 | Min, HF, 30V, 30mA,450MHz |
| BFT25 | V1 | V4 | Si-N | BFT24 | Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ |
| BFT46 | МЗ | NFT | BFW13, BF245 | Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V | |
| BFT92 | W1 | W4 | Si-P « | BFQ51, BFQ52 | Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFT93 | Х1 | Х4 | Si-P | BFQ23, BFQ24 | Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz |
| BRY61 | А5 | BYT | BRY56 | 70V | |
| BRY62 | А51 | Tetrode | BRY56, BRY39 | Tetrode, Min, 70V, 0.175A | |
| BSR12 | B5 | В8 | Si-P | 2N2894A | Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns |
| BSR13 | U7 | U71 | Si-N | 2N2222, Ph3222 | Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns |
| BSR14 | U8 | U81 | Si-N | 2N2222A, Ph3222A | Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns |
| BSR15 | T7 | T71 | Si-P | 2N2907, Ph3907 | Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns |
| BSR16 | T8 | T81 | Si-P | 2N2907A, Ph3907A | Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns |
| BSR17 | U9 | U91 | Si-N | 2N3903 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150 |
| BSR17A | U92 | U93 | Si-N | 2N3904 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300 |
| BSR18 | T9 | T91 | Si-P | 2N3905 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz |
| BSR18A | T92 | T93 | Si-P | 2N3906 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz |
| BSR19 | U35 | Si-N | 2N5550 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR19A | U36 | Si-N | 2N5551 | Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR20 | T35 | Si-P | 2N5400 | Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR20A | T36 | Si-P | 2N5401 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR56 | M4 | N-FET | 2N4856 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V | |
| BSR57 | M5 | N-FET | 2N4857 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V | |
| BSR58 | M6 | N-FET | 2N4858 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V | |
| BSS63 | T3 | T6 | Si-P | BSS68 | Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz |
| BSS64 | U3 | U6 | Si-N | BSS38 | Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz |
| BSV52 | B2 | B3 | Si-N | Ph3369, BSX20 | Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns |
| BZX84-… | см.пр им. | Si-St | BZX79 | Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W | |
| PBMF4391 | M62 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V | |
| PBMF4392 | M63 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V | |
| PBMF4393 | M64 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V | |
NPN транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения
Итак, транзистор, в котором один полупроводник p-типа размещен между двумя полупроводниками n-типа, известен как NPN-транзистор.
Транзистор NPN усиливает сигнал, поступающий на базу, и генерирует усиленный сигнал на коллекторе. В NPN-транзисторе направление движения электрона происходит от эмиттера к коллектора, из-за чего ток и протекает через транзистор. Устройства такого типа очень часто используют в электрических схемах, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют высокую подвижность по сравнению с дырками (положительно заряженные носители).
Конструкция NPN транзистора
Транзистор NPN, по сути, это два диода, соединенных друг с другом. Диод на левой стороне называется диод на основе перехода «эмиттер-база», а диоды на правой стороне называют диод на основе коллекторного перехода. Имена были подобраны согласно названию переходов.
Транзистор NPN имеет три клеммы, а именно эмиттер, коллектор и базу. Средняя часть NPN-транзистора слегка легирована, и это является наиболее важным фактором его работы. Эмиттер умеренно легирован, а коллектор сильно легирован.
Схема включения NPN транзистора
Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Коллектор и база подключены в обратном смещении, а эмиттер и база подключены в прямом смещении. Коллектор и база, через которую ведется управление состоянием транзистора ВКЛ./ВЫКЛ., всегда подключены к положительному полюсу источника питания, а эмиттер подключен к отрицательному полюсу источника питания.
Как работает NPN транзистор
Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется через соединение эмиттер-база, а обратное смещение применяется через соединение коллектор-база. Напряжение прямого смещения VEB мало по сравнению с напряжением обратного смещения VCB.
Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда прямое смещение прикладывается к эмиттеру, большинство носителей заряда движутся к базе. Это вызывает протекание тока эмиттера IE. Электроны входят в материал P-типа и соединяются с дырками.
База NPN-транзистора слегка легирована. Из-за чего только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют ток базы IB. Ток базы проникает в область коллектора. Обратный потенциал смещения области коллектора прикладывает высокую силу притяжения к электронам, достигающим коллектора. Таким образом, привлекают или собирают электроны на коллекторе.
Весь ток эмиттера входит в базу. Таким образом, можно сказать, что ток эмиттера является суммой токов коллектора и базы.
| Главная Автомобильная аудиосистема DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Таблицы данных Маркировка SMD Forum |
|
1bw — 芯片 丝印 反 查 — 芯片 丝印 反 查 网
搜索 1bw 共 找到 4 条 数据
| 丝印 代码 | 型号 | 家 | 封装 | 脚 针 数 | 描述 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1BW | SMB10J22 | против | DO-214AA / SMB | 2 | Vbr = 24.4..29,8 В, Vrwm = 22 В, 25,4 А, 1000 Вт (1 мс) | 加入 物料 单 | |
| 1BW | SMB8J22C | против | DO-214AA / SMB | 2 | Vbr = 24.4..29,8 В, Vrwm = 22 В, 20,3 А, 1000 Вт (1 мс), двунаправленный | 加入 物料 单 | |
| 1BW | BC846B | PhC | СОТ-23 | 3 | GP, 80 В, 100 мА, 250 мВт, B = 200..450,> 100 МГц | 加入 物料 单 | |
| 1BW | BC846BW | PhC | СОТ-323 | 3 | GP, 80 В, 100 мА, 200 мВт, B = 200..450,> 100 МГц | 加入 物料 单 |
使用 说明 ：
· TLV3201AIDBVR RAI, 输入 RAI ， 即可 筛选 出 的 的 型号 TLV3201AIDBVR。
· MMBD7000LT1G M5C3 ， 中 丝印 M5C ， 3 是 标示 批号 13 的 意思。 以 丝印 的 时候 M5C M5C 1G出来 丝印 是 M5C。 丝印 搜索 可以 尝试 多个 组合 试 一下
· PIC10F200-E / OT 丝印 是 00AB （AB 表示 年份） SOT-23-6 应该 查询 丝印 是 00xx。
， 丝印 反 查 ， 如果 丝印 反 可以 把 最后 面 表示 年份 的 1 到 2 位 字母 减掉 ， 换成。
每个 丝印 搜索 显示 20 匹配 结果 ， 超过 20 条 的 不 显示。 注册 会员 可以 显示 30 结果。 注册 完全 免费 ， 所有 内容 完全 免费。
不了解 的 事情 ， 可以 联系 右侧 QQ ， 或 发 support @ smdmark.com！
专业 PCB ， 芯片 程序 破解 ， PCB 抄 板 PCB 改 板 ， BOM ， 原理 图 推 SMT 焊接 调试 一条龙 服务 通过 的 QQ ， 或者 本人 手机 （微 信） 180 * 2535 * 9515 ， 随时 与 我 联系
| HW-11-20-SM-D-669-100 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 22 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV-LC-P | Samtec Inc | Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| EW-25-20-SM-D-200 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 50 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV-K-TR | Samtec Inc | Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV-BE | Samtec Inc | Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| HW-17-20-SM-D-650-SM-A | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 34 контакта, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, | Бесплатный образец |
100PCS BC846B 215 1BW SOT-23 65V / 100mA SOT SMD CR NPN SMD SOT-23 Поверхностный SMD-триод PNP SOT23 Транзистор: Amazon.com: Industrial & Scientific
В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
- Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
- 100 шт BC846B 215 1BW SOT-23 65 В / 100 мА SOT SMD CR NPN SMD SOT-23 поверхностный монтаж SMD триод PNP SOT23 транзистор
Характеристики
| Фирменное наименование | Нованик |
|---|---|
| Ean | 4852329536274 |
| Номер детали | ljz-icmixM10756 |
| Код UNSPSC | 39120000 |
Качество 1bw smd транзистор для электронных проектов
Alibaba.com предлагает большой выбор. 1bw smd транзистор на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей. 1bw smd транзистор являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. 1bw smd транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.1bw smd-транзистор изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет как минимум три клеммы, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. В качестве усилителей. Транзистор 1bw smd скрывает низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 1bw smd транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. В транзисторе 1bw smd на сайте Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 1bw smd транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор 1bw smd на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
1bw smd transistor datasheet book pdf
Mantech electronics — импортер, поставщик и дистрибьютор электронных компонентов, средств измерения и тестирования, инструментов и устройств питания.Продукты доступны в любом из наших филиалов и дистрибьюторов в jhb, dbn и cpt. Введите полный или частичный smd-код, состоящий минимум из 1 буквы или цифры. Npn 1bw smd таблица данных транзистора pdf усилитель общего назначения. Это устройство предназначено для использования в качестве усилителя средней мощности и переключателя, требующего токи коллектора до 500 мА. Получено из процесса 19. Абсолютные максимальные характеристики * t a = 25 ° C, если не указано иное *, эти номинальные значения являются предельными значениями, при превышении которых эксплуатационная способность любого полупроводникового прибора может быть нарушена.Транзистор npn 2n2222a- smd. Размер плоских микросхем в формате pdf с описанием транзисторов smd размером 1bw определяется по 4-значному коду. Smd Transistor code pdf tape and reel — самая популярная упаковка для smd транзисторов и диодов. Smd транзистор 1bw smd таблица данных транзистора pdf код 1bw кодированное устройство, щелкните по первому символу кода устройства в таблице слева.
Транзистор 1b_ 1bz fmmt2222 sot23 npn 1b 1bw smd таблица данных транзистора pdf fssl13 do- 214ac diode 81b hmbz5251b sot- 23 стабилитрон 11b hzf11bp lrp стабилитрон 5.1bp lrp zenerdiode 9. 1bp lrp zenerdiode 1b irlml2803 sot23 transistor 201b 1bw smd transistor datasheet book pdf isl99201irtbz tdfn- 8 linearic 201b isl99201iz bga- 9 linearic 1b kc846b sotc k846b. Аннотация: smd 551 кодовая маркировка sot23 smd кодовая маркировка транзисторов pb sot23 smd маркировка транзисторов код 43 st 9340 smd маркировка транзисторов 93 транзистор smd маркировка код sp маркировка 33 smd ic все данные транзистора книга скачать транзистор smd код пакет sot23 501 текст: kong. = t: сделано в Малайзии.Все названия частей, для которых находится файл 8855. Pdf — это таблица данных. B / ch bc846 / bc847 / 1bw таблица данных транзисторов smd pdf bc848 smd транзисторы общего назначения (npn) www.
Taitronкомпоненты. Книга данных транзистора com 1bw smd, pdf, страница 3 из 8 рис. 1 — отсечка коллектора 1bw smd таблица данных транзистора pdf в зависимости от температуры перехода.
Коды маркировки SMD-транзисторов. Здесь вы можете скачать книгу кодов smd, которая показывает коды маркировки smd почти для каждого. Следующая книга pdf с описанием транзисторов 1bw smd найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть книги pdf, найдя первый.Код маркировки транзистора smd a7 превью кода маркировки smd. Поиск кода маркировки. Npn-кремниевый переключающий транзистор smbt 3904 максимальные характеристики тип код заказа (лента и катушка) маркировка штыря конфигурация пакета1) smbt 3904 q68000- a4416s1a sot- 23b ec 1 2 3 значения символа параметра блок коллектор-эмиттер напряжение vce0 40 v 1bw smd таблица данных транзистора pdf напряжение коллектор-база vcb0 60 ток коллектора ic 200 ма общая рассеиваемая мощность, ts = 69˚ c ptot 330 мВт. Техническое описание 6bw, 6bw pdf, техническое описание 6bw, техническое описание, техническое описание, pdf | дом.Транзистор npn общего назначения и коммутации :. Транзистор (pnp) 1bw smd таблица данных транзистора pdf 1. Характеристики коллектора s8550 z дополняют s8050 z ток коллектора: ic = 1bw smd таблица данных транзистора pdf 0. 5a маркировка: 2ty максимальных номинальных значения (ta = 25 ℃, если не указано иное) параметр символа Единицы измерения v cbo напряжение коллектор — база — 40 vv ceo напряжение коллектор — эмиттер — 25 vv ebo эмиттер — напряжение базы — 5 vic ток коллектора.
Резистор стандартного класса, пассивация с витым стеклом, концевые заделки с обертыванием, 96% оксид алюминия, резистивная пленка, характеристики 02/08/08.Smd справочник, перекрестные ссылки и типы. * вид сверху на рис. Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем, что информация о транзисторах 1bw smd в формате PDF и не содержит ошибок или пропусков. Smd code package название устройства данные производителя; 1b sot- 23 bc846b: general semiconductor (теперь vishay) npn-транзистор: 1b sot- 416 bc846bt: nxp: npn-транзистор: 1b umd3f 1bw smd-транзистор техническое описание книги pdf dap202um: rohm: переключающие диоды: nc8 sot- 23 bc Транзистор npn: 1b- сот- 323 bc846bw: nxp: npn транзистор: 1b18 сот- 23 mt501: mos-tech: драйвер светодиода: 1b20 сот- 23.Кодовая книга smd © rp blackwell, gm4pmk. Чтобы найти закодированное устройство, щелкните первый символ кода устройства в таблице слева.
Пользователи этого листа данных должны сами проверить информацию и пригодность книги паспортов транзисторов smd 1bw в формате pdf для своих целей и не делать никаких предположений в формате pdf книги данных транзисторов smd 1bw на основе включенной или опущенной информации. Ответственность за потерю или повреждение, возникшие в результате использования информации или использования 1bw smd таблицы данных транзистора в формате pdf (включая ответственность, возникшую в результате небрежности 1bw smd таблица данных транзистора в формате pdf или если файл.SMD-диод A7 доступен в jameco 1bw smd транзистор техническое описание книга pdf electronics. Найдите на сайте jameco техническое описание транзисторов 1bw smd в формате pdf, компьютерные продукты, электромеханическое оборудование, электроника, электронные комплекты и проекты, а также многое другое. Получите доставку в тот же день, находите новые продукты каждый месяц и чувствуйте себя уверенно с брошюрой 1bw smd с описанием транзисторов в формате pdf — нашей гарантией низкой цены. Информация о регистрации продаж. Podle zákona o Evidenci tržeb je prodávající povinen vystavit kupujícímu účtenku. Zároveň je povinen zaevidovat přijatou tržbu u správce daně онлайн; v případě technického výpadku pak nejpozději do 48 hodin.Как использовать кодовую книгу smd для идентификации конкретного устройства smd, сначала определите стиль пакета и запишите идентификационный код, напечатанный на устройстве. Теперь найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть этой книги, щелкнув первый символ, показанный в левом меню. К сожалению, код каждого устройства не обязательно должен быть уникальным.
Sot — 89 sotpins 5 — pins 6. — pins eugene turuta активные коды маркировки компонентов smd введение в базу данных smd- коды для полупроводниковых компонентов в 2-контактных корпусах smd-коды для полупроводниковых компонентов в 3-контактных корпусах 1bw smd транзисторы техническое описание книги в PDF-корпусах smd- 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF коды для полупроводниковых компонентов в корпусах sot- 89 smd- коды 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF для полупроводниковых компонентов 1bw таблица данных транзистора smd в формате PDF в корпусах sot- 223.Com предлагает 109 транзисторов 1bw smd. Около 9% из них — это интегральные схемы, 15% — транзисторы, 1bw smd — таблица данных транзистора в формате pdf и 0% — другие электронные компоненты. Вам доступен широкий выбор транзисторов smd 1bw, таких как тип. Система Theremino — smd коды 1bw smd таблица данных транзистора pdf — страница 6.
06 gali- 6 mc az sot89 dc- 4ghz mmic 1bw smd таблица данных транзистора pdf amp 115 dbm o / p 1bw smd транзистор техническое описание книги pdf 06 dtc144te roh n emt3 npn dtr r1 47k 50v 100ma 06 dtc144tua roh n sc70 npn.Smd / smt sot- 23-3 одинарных биполярных транзистора npn — bjt можно приобрести в магазине Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены, техническое описание транзисторов smd 1bw в формате pdf и таблицы данных для биполярных транзисторов smd / smt sot- 23-3 single npn — bjt. Com предлагает 130 транзисторов smd мощностью 12 Вт. Около 37% из 1bw smd книги данных транзисторов pdf это транзисторы, 44% — интегральные схемы и 3% — другие печатные платы и печатные платы. Вам доступен широкий выбор транзисторов smd мощностью 12 Вт, таких как тип корпуса, тип.Теги datasheet, скачать, 1bw smd таблица данных транзистора pdf pdf, транзистор. 15 мыслей 1bw smd таблица данных транзистора pdf на тему «скачать таблицы эквивалентностей — компоненты smd — транзисторы и диоды». Таблица данных, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению транзистора smd 1dw в формате pdf.
Npn переключающий транзистор mmbt3904 предельные значения в соответствии с системой абсолютных максимальных номиналов (iec 60134). Транзистор установлен на печатной плате fr4. Примечание 1 к тепловым характеристикам.Условие параметра символа мин.
Блок vcbo коллектор-база открытый эмиттер. Важное замечание по транзисторам smd npn: этот технический паспорт и его содержимое в формате pdf с описанием транзисторов smd 1bw («информация») принадлежат членам ведущей книги с описанием транзисторов smd 1bw в формате pdf, группа компаний Farnell («группа») или 1bw Книга данных транзистора smd в формате pdf с лицензией на это. Никакая лицензия не предоставляется на его использование, кроме как в информационных целях в связи с продуктами 1bw smd transistor datasheet book pdf, к которым он относится.Транзистор общего назначения со встроенным резистором смещения: j6: mmsz5246b- v- g: sod- 123 :. Начните маркировку smd (сверху микросхемы корпуса, транзисторов, диода и т. Д.
SMD транзистор общего назначения (npn), техническое описание mmbt4401, схема mmbt4401, техническое описание mmbt4401: taitron, alldatasheet, datasheet, datasheet сайт поиска электронных данных транзистора smd 1bw книга pdf компоненты и полупроводники, интегральные схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники. Npn малосигнальный транзистор для поверхностного монтажа эпитаксиальный плоский 1bw smd транзистор техническое описание книга pdf конструкция кристалла дополнительный тип pnp доступен 1bw smd транзистор техническое описание книги pdf (mmbt2907a) идеально для средней мощности символ характеристики усиления и переключения mmbt2222a блок напряжение коллектор-база vcbo 75 В напряжение коллектор-эмиттер vceo 40 В эмиттер-база напряжение vebo 6.
0 В коллекторный ток 1bw smd таблица данных транзистора pdf — непрерывная (примечание. Руководство по транзисторам [1bw smd таблица данных транзисторов pdf cletus j. Kaiser] на amazon. * Бесплатная * доставка соответствующих предложений. Эта книга содержит практическое руководство и информацию по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах. 65k5 datasheet, 65k5 pdf, 65k5 data sheet, 65k5 manual, 65k5 pdf, 65k5, datenblatt, 1bw smd datasheet book pdf electronics 65k5, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, данные.Транзисторы общего назначения npn в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (smd). Обзор продукта [1] действительно для всех доступных групп выбора.2 характеристики и преимущества транзисторы общего назначения Пластиковые корпуса smd два различных выбора усиления 1. 3 применения универсальное переключение и усиление 1. 4 краткие справочные данные
Smd Transistor Marking Codes.pdf
коды маркировки транзисторов, sot23 маркировка транзисторов коды, коды маркировки транзисторов smd, коды маркировки транзисторов для поверхностного монтажа, коды маркировки транзисторов smd pdf, коды маркировки транзисторов smd 3b, код маркировки транзисторов sot23, код маркировки транзисторов 2a, код маркировки транзисторов 13w, код маркировки транзисторов 1bw, код маркировки транзисторов 13, код маркировки транзисторов 3g, код маркировки транзисторов 431, код маркировки транзисторов 1am
Как использовать книгу кодов SMD.Чтобы идентифицировать конкретное SMD-устройство, сначала определите стиль упаковки и запишите идентификационный код, напечатанный на устройстве. Теперь найдите …. 1AM = код конкретного устройства. M … * Дата Ориентация кода и / или верхняя черта могут … доступны на сайте www.onsemi.com/site/pdf/PatentMarking.pdf .. символ кода устройства в таблице слева. … Книга кодов SMD GM4PMK. Коды, начинающиеся с «2». Код. Устройство. Manf Base … Маркировка резисторов SMD .. BC817-16 / -25 / -40. МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 45V NPN В SOT23.Характеристики … XXX = маркировочный код типа продукта (см. Таблицу выше). YM = Код даты …. Philips Semiconductors. Малосигнальные транзисторы и диоды. Коды маркировки. НОМЕР ТИПА ДИОДА К КОДУ МАРКИРОВКИ. ТИП. НОМЕР .. КОД МАРКИРОВКИ SMD транзисторов 312 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf .. Минимум 1 буква или цифра! КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ. Как идентифицировать SMD-устройства по кодам на верхней части компонента? Теперь вы можете попробовать приложение для Android: …
Коды маркировки активных SMD полупроводниковых компонентов.405000 SMD-кодов для активных полупроводниковых компонентов: диоды, транзисторы, тиристоры, интегрированные …. 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z, *, -. 0, 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D …. КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 1Pd техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и указания по применению в формате pdf .. Smd ,, транзистор ,, маркировка ,, код, ,. ,, является ,, стратегически ,, ориентированной ,, деятельностью ,, в то время как ,, ra — ,, COMINTESMdar ,, имеет ,, a ,, m.,,. ,, Научно ,, Поисковые ,, Двигатели .. Устройство, Маркировка:, .. 2SB1188-Q. СОТ-89. BCQ. 2SB1188-R. СОТ-89. BCR. 2СБ1197-П. СОТ-23. AHP. Код маркировки для устройств SMD MCC. Микрокоммерческие компоненты …. 290 000 кодов SMD для диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем. Подробнее. Крах. Обзоры. Ознакомьтесь с Политикой. 4.3. Всего 963. 5. 4. 3. 2. 1. Nigon Kouk .. Code 9W изготовлены из неэкологичного формовочного компаунда и могут содержать галогены или антипирены Sb2O3 … KA2 = Код маркировки типа продукта… Последнюю версию см. AP02002 на http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf …. Транзистор общего назначения SMD (NPN). Функции. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для. Коммутация и усилитель … BC17-25. BC817-40. Код маркировки .. Книга кодов SMD. Р. П. Блэквелл, GM4PMK. Чтобы найти закодированное устройство, щелкните первый символ кода устройства в таблице слева .. Код маркировки. 3А. 3B. 3E. 3F. 3G. 3J. 3К. 3л. Максимальные характеристики (T Окружающая среда = 25 ° C, если не указано иное). Условное обозначение.Описание. BC856. BC857. BC858. Блок .. Это ревизия 4 списка кодов маркировки SMD устройств MCC .. Распиновка. Стиль маркировки SMD-кодов … одно-, двух- и более-символьный или графический идентификационный код. … Например, с SMD-кодом 6H в случае SOT-23 может быть либо …. Затем найдите код в алфавитно-цифровом списке, который составляет основную часть книги pdf, найдя первый символ в левом столбце.
