1Gt транзистор. Перспективные направления развития элементной базы вычислительной техники и наноэлектроники

Какие основные пути повышения энергоэффективности процессоров. Как уменьшение размеров транзисторов влияет на характеристики микросхем. Какие новые технологии и материалы используются в современной микроэлектронике. Каковы перспективы развития элементной базы вычислительной техники.

Основные направления повышения энергоэффективности процессоров

Энергоэффективность является ключевой характеристикой современных микропроцессоров. Она рассчитывается как отношение производительности к энергопотреблению. Основные пути повышения энергоэффективности процессоров:

• Уменьшение размеров транзисторов
• Усовершенствование конструкции транзисторов
• Использование новых технологий и материалов
• Улучшение микроархитектуры процессора

Влияние уменьшения размеров транзисторов на характеристики микросхем

Уменьшение размеров транзисторов позволяет:

• Снизить напряжение питания и энергопотребление
• Увеличить быстродействие
• Повысить плотность размещения транзисторов на кристалле
• Уменьшить площадь кристалла при сохранении функциональности

Прогресс в уменьшении размеров транзисторов оценивается с помощью характеристики «норма технологического процесса», измеряемой в нанометрах. За последние годы она уменьшилась с 130 нм до 14 нм и продолжает снижаться.

Усовершенствование конструкции транзисторов

Одним из важных направлений является переход от планарной к трехмерной структуре транзисторов. Компания Intel разработала 22-нм транзисторы с вертикально расположенным затвором (FinFET или 3D-транзисторы). Их ключевые преимущества:

• Производительность на 37% выше по сравнению с 32-нм планарными транзисторами
• Энергопотребление на 50% ниже
• Лучший контроль тока в открытом и закрытом состоянии
• Возможность увеличения плотности компоновки транзисторов

Новые технологии и материалы в микроэлектронике

Перспективные направления развития элементной базы:

• Замена кремния новыми материалами (например, нитрид галлия GaN)
• Использование оптических и квантовых технологий
• Разработка когнитивных вычислительных кристаллов
• Применение углеродных нанотрубок и графена

Какие проблемы возникают при дальнейшем уменьшении размеров транзисторов?

При переходе к нормам менее 10 нм возникают следующие сложности:

• Усиление квантовых эффектов и туннелирования электронов
• Рост токов утечки
• Сложности с отводом тепла
• Технологические ограничения литографии
• Высокая стоимость производства

Поэтому помимо дальнейшего масштабирования активно исследуются альтернативные подходы к созданию элементной базы.

Перспективы развития оптических вычислений

Оптические технологии рассматриваются как одно из перспективных направлений для создания сверхбыстродействующих вычислительных систем. Их ключевые преимущества:

• Сверхвысокое быстродействие (скорость света)
• Возможность параллельной обработки данных
• Низкое энергопотребление
• Отсутствие электромагнитных помех

Однако пока существуют технологические сложности с созданием полностью оптических компьютеров. Более реально в ближайшей перспективе появление гибридных оптоэлектронных систем.

Квантовые вычисления — революция в информационных технологиях

Квантовые компьютеры обещают совершить революцию в области вычислений. Их потенциальные преимущества:

• Экспоненциальный рост вычислительной мощности с увеличением числа кубитов
• Возможность решения задач, недоступных классическим компьютерам
• Высокая энергоэффективность

Однако пока существуют серьезные технологические проблемы с созданием стабильно работающих квантовых процессоров с большим числом кубитов. Тем не менее, уже созданы экспериментальные квантовые компьютеры на десятки кубитов.

Нейроморфные вычислительные системы

Нейроморфные процессоры имитируют работу человеческого мозга. Их особенности:

• Массивный параллелизм вычислений
• Способность к самообучению
• Высокая энергоэффективность
• Толерантность к ошибкам

Такие системы перспективны для задач искусственного интеллекта, распознавания образов, обработки сенсорной информации. Уже созданы экспериментальные нейроморфные чипы, содержащие миллионы искусственных нейронов.

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 1G, 1G **, 1G-, 1GM, 1GW, 1Gp, 1Gs, 1Gt. Даташиты BC847C, BC847CT, BC847CW, FMMTA06, IRLML2502, KST06, MMBTA06.

Главная Автомагнитолы DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Даташиты Маркировка SMD Форум

Главная Маркировка SMD 1G Код SMD Корпус Наименование Производитель Описание Даташит 1G SOT-23 BC847C General Semiconductor (Now Vishay) NPN транзистор 1G SOT-416 BC847CT NXP NPN транзистор 1G SOT-23 FMMTA06 Zetex (Now Diodes) NPN транзистор 1G SOT-23 KST06 Fairchild NPN транзистор 1G ** SOT-23 IRLML2502 IRF N-канальный MOSFET 1G- SOT-23 BC847C NXP NPN транзистор 1G- SOT-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1GM SOT-23 MMBTA06 BL Galaxy Electrical NPN транзистор 1GW SOT-23 BC847C NXP NPN транзистор 1GW SOT-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1Gp SOT-23 BC847C NXP NPN транзистор 1Gp SOT-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1Gs SOT-23 BC847C Infineon NPN транзистор 1Gs SOT-323 BC847CW Infineon NPN транзистор 1Gt SOT-23 BC847C NXP NPN транзистор 1Gt SOT-323 BC847CW NXP NPN транзистор

smd-код 1g

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код	наименование	функция	корпус	производитель	примечания
1G	BC847C/CT	npn: 45В/100мА h31=500	sot23/sc75	ITT, ON Semi, NXP
1G	FMMT-A06	npn: 80В/500мА	sot23	Diodes
1G	MM3Z75VT1G	стабилитрон 200мВт: 75В	sod323	ON Semi
1G	MMBTA06	npn: 80В/500мА	sot23	ON Semi,Fairchild
1G	PBSM5240PF	nМОП + pnp: 30В/-40В/0,66А/-1,8А 370мОм/LowSat	sot1118	Nexperia
1G	TPS610985DSE	step-up dc-dc:3,0В/50мА + Load Switch	wson6	TI
1G##	R3117K131A	супервизор: 1,3В «open-drain»	dfn4	Ricoh	## — lot-код
1GM	MMBTA06	npn: 80В/500мА	sot23	ON Semi
1Gp	BC847C	npn: 45В/100мА h31=500	sot23	NXP	@Hong Kong
1GR	BC847CR	npn: 45В/100мА h31=500	sot23r	NXP
1Gs	BC847C/CW	npn: 45В/100мА h31=500	sot23/sot323	Infineon
1Gt	BC847CW	npn: 45В/100мА h31=500	sot323	NXP	@Malaysia
1GT	SOA06	npn: 80В/500мА	sot23	STM

Распознавание цифровых схем.

Асинхронный счётный триггер / Хабр

Борис Цирлин и Александр Кушнеров
30.10.2019

Для опытного разработчика схем не составляет большого труда узнать знакомую схему, в каком бы виде она не была нарисована. В этой статье мы покажем, что две транзисторные схемы из патентов являются вариантом асинхронного счётного триггера (АСТ). По сравнению со стандартной схемой, в схемах из патентов отсутствуют некоторые транзисторы. Это может рассматриваться как неисправность. Мы покажем, что, если такая же неисправность возникает в стандартной схеме, она продолжает работать правильно. АСТ, реализованный только на элементах ИЛИ-НЕ [1] или только на элементах И-НЕ известен как гарвардский триггер. Оба варианта схем показаны на Рис. 1, где g7 – это индикатор завершения переходных процессов. В дальнейшем мы его рассматривать не будем. На Рис. 1 показаны также графы сигнальных переходов (STG) [2] построенные в Workcraft [3].

Рис. 1. Асинхронный счётный триггер (АСТ) и его STG.

Обратим внимание, что в обоих вариантах АСТ есть три пары элементов (g1, g2), (g4, g5) и (g3, g6), которые имеют общий вход. Транзисторные схемы элементов 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ показаны на Рис. 2. Трёхвходовые элементы устроены аналогично и содержат 6 транзисторов.

Рис. 2. Транзисторные схемы элементов 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ.

Возьмём два элемента 2ИЛИ-НЕ и выберем у каждого вход, где p-MOS транзистор подключён к Uпит. Соединим эти входы вместе и подключим к земле (лог. 0). Оба транзистора откроются и напряжение на их стоках будет равным Uпит. Достаточно ли этого чтобы безопасно соединить стоки и заменить два транзистора на один, как показано на Рис. 3? Нет. Нужно проверить что произойдёт если на общий вход подать лог. 1. Выходы обоих элементов соединятся с землёй, и мы будем иметь мостиковую схему из четырёх p-MOS транзисторов. Для оставшихся двух входов имеем четыре комбинации 0 и 1. Легко показать, что ни в одной из них не возникает короткого замыкания между Uпит и землёй.

Рис. 3. Два элемента 2ИЛИ-НЕ, имеющие общий вход.

Рассмотрим теперь схему распределителя импульсов [4] на Рис. 4. Пользуясь Рис. 3, мы можем перерисовать эту схему как показано на Рис. 5. В ней уже можно узнать АСТ на Рис. 1, однако, там элементы g3 и g6 имеют 3 входа.

Рис. 4. Схема распределителя импульсов из [4].

Рис. 5. Вариант схемы на Рис. 4.

Затворы транзисторов 11 и 12 можно рассматривать как входы элементов 3ИЛИ-НЕ, в которых третий p-MOS транзистор закорочен. Влияет ли это на правильную работу схемы? Рассмотрим порядок появления сигналов in, g2 и g6 на входе элемента g3. Для этого удалим все остальные сигналы в соответствующем STG на Рис. 1 как показано на Рис. 6.

Рис. 6. STG для ИЛИ-НЕ. Сигналы in, g2, g6 и g3.

Поскольку третий p-MOS транзистор закорочен, переключение g3+ может произойти после переключений in- и g6- (в любом порядке) без разрешающего переключения g2-. Однако, как видно из Рис. 6, на участке от g2+ до g2- есть только in- и g6+, поэтому запрещённого переключения g3+ не происходит. Перед переключением g2+ элемент g3 уже находится в 0, а на его входе g6 всё ещё 0, т.е. первый p-MOS транзистор открыт. Переключение g2+ открывает транзистор 11 и должно выключить закороченный p-MOS транзистор. Этого не происходит, более того, переключение in- открывает второй p-MOS транзистор. Таким образом, через два открытых p-MOS транзистора и открытый транзистор 11 начинает течь ток от Uпит к земле. Это продолжается короткое время, пока следующее переключение g6+ не закроет первый p-MOS транзистор. В течении этого времени транзистор 11 обеспечивает 0 на выходе g3. Как именно? Допустим сопротивления открытых p-MOS и n-MOS транзисторов одинаковы и равны R, тогда после переключения in- напряжение на g3 подскакивает с 0 до (1/3)Uпит, но это в идеальном случае. На практике, между g3 и землёй есть какая-то паразитная ёмкость, напряжение на которой возрастает плавно и может не достигнуть (1/3)Uпит. Так или иначе, это напряжение будет меньше, чем (1/2)Uпит и означает лог. 0. Для транзистора 12 всё аналогично, он короткое время обеспечивает 0 на выходе g6. Таким образом, задержки элементов g6 и g3 определяют два отрезка времени, когда триггер потребляет большой ток примерно равный Uпит/(3R).
Рассмотрим теперь схему счётного триггера [5] на Рис. 7. Здесь транзисторы 11, 12, 24, 23 образуют элемент 2И-НЕ, который по видимому, является индикатором АСТ на Рис. 1. Другой элемент 2И-НЕ образован транзисторами 7, 13, 25 и 18. Обратим внимание на то, что транзистор 18 подключён к земле и аналогично примеру на Рис. 3, является общим для трёх элементов И-НЕ. Второй элемент 2И-НЕ, куда входит транзистор 18, образован транзисторами 5, 9, 21, а третий – это 3И-НЕ на транзисторах 2, 4, 16, 20. В параллель с транзисторами 2 и 4 должен стоять третий p-MOS транзистор, но он отсутствует. Схема на Рис. 7 симметрична, для лучшего понимания перерисуем её как показано на Рис. 8.

Рис. 7. Схема счётного триггера из [5].

Рис. 8. Вариант схемы на Рис. 7.

Будут ли выходы g3 и g6 на Рис. 8 переключаться правильно, если третий p-MOS транзистор в параллель отсутствует? Это будет понятно после анализа STG на Рис. 9, который, как и в предыдущем случае, получен из соответствующего STG на Рис. 1 удалением всех сигналов, кроме in, g2, g6 и g3.

Рис. 9. STG для И-НЕ. Сигналы in, g2, g6 и g3.

Элемент g3 – это 3И-НЕ, поэтому после переключений in+, g6+ и g2+ (в любом порядке) произойдёт переключение g3-. Любое из обратных переключений in-, g6- или g2- должно вызвать переключение g3+. Однако, g2- не может открыть отсутствующий p-MOS транзистор, поэтому g3 останется в 0 и будет ждать переключения in- или g6-. Как видно из Рис. 9, на участке от g3- до g3+ переключения g2- нет и p-MOS транзистор здесь не нужен. С другой стороны, этот транзистор должен обеспечивать лог. 1 на g3, когда in и g6 переключаются произвольно. Рассмотрим на Рис. 9 участок от g3+ до g2+. Переключение g2- закрывает транзистор 19. Далее, переключение in+ закрывает транзистор 1 и открывает транзистор 15. Элемент g6 остаётся в 1, т.е. транзистор 17 открыт, а транзистор 3 закрыт. Таким образом, in+ отключает g3 и от земли, и от Uпит. Тем не менее, на g3 удерживается лог. 1, поскольку на практике между g3 и землёй есть паразитная ёмкость, которая заряжена до Uпит. Переключение g6- открывает транзистор 3 и подключает эту ёмкость к Uпит. Для второй половины схемы всё аналогично. Таким образом, задержки элементов g6 и g3 определяют время, в течении которого состояние запоминается на ёмкости. На практике важно чтобы ток утечки транзисторов 19 и 20 был маленьким, иначе за отведённое время ёмкость может разрядится ниже (1/2)Uпит.

По сравнению со стандартным АСТ на Рис. 1, в схемах на Рис. 5 и на Рис. 8 функция установки в 1 элемента 3ИЛИ-НЕ и функция сброса в 0 элемента 3И-НЕ повреждена. Это означает, что стандартный АСТ продолжит работать правильно, даже если в элементах g6 и g3 возникнет соответствующая неисправность. Для стандартной схемы (без g7) нужно 28 транзисторов. Для схем на Рис. 4 и на Рис. 7 (без транзисторов 11, 12, 24, 23) нужно соответственно 23 и 22 транзистора. Если вернуть недостающие p-MOS транзисторы, эти схемы будут работать надёжнее. Минимальное количество транзисторов в схеме на Рис. 7 не обязательно говорит о том, что она лучше схемы на Рис. 4 и лучше схемы на Рис. 1. Помимо количества транзисторов и потребляемого тока есть другие важные параметры, например,

1. сложность дополнительной схемы для установки начальных состояний
2. нагрузочная способность (скорость перезарядки ёмкости нагрузки)
3. скорость выхода из метастабильного состояния
4. количество и значения паразитных ёмкостей
5. количество и значения токов утечки
   Сравнительный анализ этих параметров, как и обсуждение схем АСТ реализованных на других элементах, выходит за рамки этой статьи.

Литература
[1] G. T. Osborne, «Asynchronous binary counter register stage with flip-flop and gate utilizing plurality of interconnected NOR circuits». Patent US3139540, 30 Jun. 1964.
[2] Л. Я. Розенблюм и А. В. Яковлев, «О новой графической форме иллюстрации сущности изобретения,» Вопросы изобретательства, № 11, pp. 36-40, 1988.
[3] https://workcraft.org
[4] В. И. Горячев, Б. М. Мансуров, Я. Д. Мартыненко и Р. Г. Талибов, «Четырехфазовый распределитель импульсов». Авторское свидетельство SU342299, 14.06.1972.
[5] В. И. Варшавский, Н. М. Кравченко, В. Б. Мараховский и Б. С. Цирлин, «Счетный триггер на КМОП-транзисторах». Авторское свидетельство SU1398069, 23.05.1988.

HACTIVOL 2G + 32G Android 9,1 4G автомобильное радио для 9 «10,1» Универсальный взаимозаменяемый автомобильный dvd плеер gps navi 2 din автомобильный аксессуар

HACTIVOL 2G + 32G Android 9,1 4G автомобильное радио для 9 «10,1» Универсальный взаимозаменяемый автомобильный dvd плеер gps navi 2 din автомобильный аксессуарОсновные характеристикиWIFI 1G + 16GWIFI 1G + 32G4G 2G + 32GОСAndroid 9,1Android 9,1Android 9,1ЦПЧетырехъядерный процессор A7Четырехъядерный процессор A7Четырехъядерный процессор A53Частота1,3 ГГц1,3 ГГц1,5 ГГцОборудование4 ядра 1G RAM 16G ROM4

Brand Name	HACTIVOL
Din	Double Din
Display Size	9″
Display Size	10″
Out Power	4*50W
Max External Memory	64GB
Operating System	Android
Digital Media Format	Mp3
Digital Media Format	Mp4
Digital Media Format	WMA
Digital Media Format	JPEG
RAM	2g
Material Type	ABS
TF/Micro SD Slot	0
Resolution	1024*600
Item Weight	1kg
Special Features	Bluetooth
Special Features	Built-in GPS
Special Features	Mobile Phone
Special Features	MP3 Players
Special Features	Radio Tuner
Special Features	Touch Screen
Special Feature	Built-In Speaker/Microphone
Special Feature	Wifi Function
Special Feature	Support Steering Wheel Control
Special Feature	Support 3G Network
Special Feature	Support 4G Network
For Vehicle Brands/Model	universal
Voltage	12V
Item Size	9/10. 1 inch
ROM	32G
Model Name	BW-90002
Interface	USB
OSD Language	Chinese (Simplified)
OSD Language	German
OSD Language	Russian
OSD Language	French
OSD Language	Dutch
OSD Language	Latin
OSD Language	Malay
OSD Language	Japanese
OSD Language	Turkish
OSD Language	Ukrainian
OSD Language	Hebrew
OSD Language	Spanish
OSD Language	Hungarian
OSD Language	Italian
OSD Language	English
Car Maker	universal 9 inch 10.1 inch screen
Placement	In-Dash
keyword 1	car radio
keyword 2	car dvd player
model name	9/10 Inch Android Car Radio

Pentium G2020 vs Pentium G4520 — Battlefield 1 с GT 1030 сравнением производительности

---

Pentium G2020 Pentium G4520

Multi-Thread Performance

Single-Thread Performance

Battlefield 1

Pentium G2020 vs Pentium G4520 в Battlefield 1 с использованием GT 1030 — сравнение производительности процессора при настройках Ultra, High, Medium и Low Quality с разрешением 1080p, 1440p, Ultrawide, 4K

Pentium G2020 Pentium G4520

---

Ультра качество

Разрешение	Кадры в секунду
1080p
1080p
1440p
1440p
2160p
2160p
w1440p
w1440p

Высокое качество

Разрешение	Кадры в секунду
1080p
1080p
1440p
1440p
2160p
2160p
w1440p
w1440p

Среднее качество

Разрешение	Кадры в секунду
1080p
1080p
1440p
1440p
2160p
2160p
w1440p
w1440p

Низкое качество

Разрешение	Кадры в секунду
1080p
1080p
1440p
1440p
2160p
2160p
w1440p
w1440p

Pentium G2020

Pentium G4520

• Pentium G4520 имеет более высокий кэш 3-го уровня. Это полезно, когда у вас есть значительные многопроцессорные рабочие нагрузки, много вычислительных процессов одновременно. Скорее на сервере, а не на персональном компьютере для интерактивных рабочих нагрузок.
• В некоторых играх процессор с более высокой тактовой частотой или с техническим названием IPC (Instructions per clock) дает лучшие результаты, чем другие процессоры с большим числом ядер и меньшей частотой ядра.
• Pentium G4520 Процессор Pentium G4520 более энергоэффективен и генерирует меньше тепла.
• Pentium G4520 Процессор Pentium G4520 имеет меньший размер процесса. Чем быстрее транзистор может включаться и выключаться, тем быстрее он может работать. А транзисторы, которые включаются и выключаются с меньшим энергопотреблением, более эффективны, снижая рабочую мощность или «динамическое энергопотребление», требуемые процессором.

Compare Pentium G2020 vs Pentium G4520 specifications

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Architecture

	Pentium G2020	Pentium G4520
Codename	Ivy Bridge	Skylake
Generation	Pentium (Ivy Bridge)	Pentium (Skylake)
Market	Desktop	Desktop
Memory Support	DDR3	DDR3, DDR4
Part#	SR10H	SR2HM
Production Status	unknown	Active
Released	Jan 2013	Sep 2015

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Cache

	Pentium G2020	Pentium G4520
Cache L1	64K (per core)	64K (per core)
Cache L2	256K (per core)	256K (per core)
Cache L3	3MB (shared)	4MB (shared)

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Cores

	Pentium G2020	Pentium G4520
# of Cores	2	2
# of Threads	2	2
Integrated Graphics	Intel HD	Intel HD 530
SMP # CPUs	1	1

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Features

	Pentium G2020	Pentium G4520
	MMX SSE SSE2 SSE3 SSSE3 SSE4. 1 SSE4.2 EIST Intel 64 XD bit VT-x Smart Cache	MMX SSE SSE2 SSE3 SSSE3 SSE4.1 SSE4.2 AVX AVX2 EIST Intel 64 XD bit VT-x AES-NI TSX CLMUL FMA3

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Performance

	Pentium G2020	Pentium G4520
Base Clock	100 MHz	100 MHz
Frequency	2.9 GHz	3.6 GHz
Multiplier	29.0x	36.0x
Multiplier Unlocked	No	No
TDP	55 W	51 W
Turbo Clock	N/A	N/A
Voltage	unknown	unknown

Pentium G2020 vs Pentium G4520 Physical

	Pentium G2020	Pentium G4520
Die Size	94 mm²	150 mm²
Foundry	Intel	Intel
Package	FC-LGA12C
Process Size	22 nm	14 nm
Socket	Intel Socket 1155	Intel Socket 1151
Transistors	unknown	1400 million
tCaseMax	65°C	65°C

Поделитесь своими комментариями 74

Compare Pentium G2020 vs Pentium G4520 in more games

Оригинальный аккумулятор SAMSUNG SP3676B1A для Samsung Galaxy Note 10, 1 GT N8000 N8010 N8020 N8013 P7510 P7500 P5100 P5110 P5113 7000 мАч

• Продавец 3102015
• Продан 82
• Продажная цена US $13. 45piece
• Доставка Бесплатная доставка
• Рейтинги 4.595 (56)

Oписание продукта

Я регулярно покупать вещи через Интернет и надежно пытаться быть осторожным с тем, что я куплю. Часто вы приобретаете пункт, который оказывается немного хуже, чем это было обещано. Так что я я хотел бы представить обзор здесь.

Если вы спросите меня вещь была хорошая сделка. Некоторое время назад я был просмотра веб-магазинов в поисках модели такого рода, но я не мог найти ничего подходящего. Я всегда имел тревогу или с ценой или конструкцией вещи. Когда я увидела Оригинальный аккумулятор SAMSUNG SP3676B1A для Samsung Galaxy Note 10, 1 GT N8000 N8010 N8020 N8013 P7510 P7500 P5100 P5110 P5113 7000 мАч, я решил, может рискнуть, и я получил то, что я хотел.

На самом деле я ожидал, что модель будет вне класса или случится быть повреждены во время транспортировки. Но я был рад узнать, что он не был сломан, и это соответствует описанию продавца. Чтобы быть честным сначала я не ожидал ничего особенного, но, наконец, я обнаружил, что мне повезло приобрести этот продукт.

Для старта, я хотел бы рассказать о хорошем качестве материалов. Для такого рода вещи, качество имеет решающее значение. Что касается этой модели, на мой взгляд, Оригинальный аккумулятор SAMSUNG SP3676B1A для Samsung Galaxy Note 10, 1 GT N8000 N8010 N8020 N8013 P7510 P7500 P5100 P5110 P5113 7000 мАч стоит денег, которые я заплатил. По сравнению с другими встроенные магазины, это один предложил хорошую цену за качество пункта.

Я использую вещь в течение нескольких недель в настоящее время и до сих пор не было никаких проблем. Кто мог подумать, что я бы так повезло купить что-то хорошее!

Доставка и оплата

Методы доставки

Мы предлагаем различные способы доставки для доставки наших продуктов по всему миру безопасно и быстро. Мы работаем с UPS, DHL, EMS и способ доставки продавца. Вы можете выбрать способ доставки, который вам нравится. Однако, если ваш заказ содержит слишком много фирменных продуктов, мы можем доставить его через разных курьеров, чтобы избежать таможенной проблемы. И мы сообщим вам о ситуации, прежде чем мы отправим ваши товары. поэтому, пожалуйста, поддерживайте связь с нашими продажами.

Вы также можете выбрать «Pick Up», что означает, что вы берете товар непосредственно с нашего склада без уплаты пошлины за доставку.

Время доставки

Время доставки зависит от товаров, которые вы заказываете, и от выбранного вами способа доставки. Вообще говоря, ваш заказ будет отправлен в течение 1 ~ 3 дней после подтверждения оплаты. Время доставки настраиваемых продуктов может быть более продолжительным в зависимости от количества заказа и методов производства.

Стоимость доставки

Стоимость доставки зависит от расстояния между вашим местоположением и Китаем и выбранного вами способа доставки. Вы можете рассчитать стоимость доставки, нажав кнопку «Рассчитать стоимость доставки» рядом с кнопкой «Добавить в корзину» на каждой странице продукта или на проверьте страницу перед оплатой. Стоимость доставки для разных способов доставки будет отображаться четко.

Способы оплаты

Покупки в этом магазине безопасны, быстры и удобны. Чтобы облегчить жизнь, мы принимаем ряд безопасных способов оплаты, предназначенных для полной безопасности и дружелюбия. Когда вы совершаете покупки в этом магазине, ваша конфиденциальность и онлайн-безопасность всегда гарантируются.

Гарантии продавца

Политика возврата

Если полученный вами продукт не соответствует описанию или низкому качеству, продавец обещает вернуть его до завершения заказа (когда вы нажмете «Подтвердить полученный заказ» или превысите время подтверждения) и получите полный возврат средств. Плата за возврат будет оплачена вами. Или вы можете сохранить продукт и согласовать сумму возмещения непосредственно с продавцом.

Обслуживание продавца

Если вы не получили свою покупку в течение нескольких дней, вы можете попросить полный возврат средств до завершения заказа (когда вы нажмете «Подтвердить полученный заказ» или превысите время подтверждения).

Направления развития элементной базы вычислительной техники Наноэлектроника Основным

Направления развития элементной базы вычислительной техники. Наноэлектроника Основным устройством вычислительной техники является микропроцессор. В настоящее время для оценки микропроцессоров используют характеристику – энергоэффективность (Е).

Энергоэффективность процессора Е = P / W, где Е – энергоэффективность; P – производительность; W – энергопотребление. W = f • U 2 • Cd, где U – напряжение питания процессора; Cd – динамическая емкость, зависящая от активности транзисторов в кристалле процессора. P = f • k, где f – тактовая (рабочая) частота процессора; k – количество инструкций, исполняемых процессором за один такт. E = P/W = k / (U 2 • Cd)

Увеличение энергоэффективности процессора достигается за счет: 1. Уменьшения размера транзистора. 2. Усовершенствования конструкции транзистора. 3. Использования новых технологий. 4. Улучшения микроархитектуры процессора.

Уменьшение размеров транзистора ведет к уменьшению напряжения питания, что, в свою очередь, снижает энергопотребление, к увеличению скорости работы и плотности размещения транзисторов на кристалле. Поэтому со времени создания первой интегральной микросхемы в 1959 г. развитие микроэлектроники идет по направлению уменьшения размеров транзисторов и одновременного увеличения плотности их размещения на кристалле. Для оценки этих параметров была введена специальная характеристика «Норма технологического процесса производства полупроводниковых кристаллов» , измеряемая в нанометрах (нм).

Годы Нормы конец 90 -х гг. 130 нм начало 2000 -х 90 нм 2006 г. 65 нм 2008 г. 45 нм 2010 г. 32 нм 2012 г. 22 нм 2014 г. Спроектированный в Intel по 45 нм нормам транзистор примерно на 20 % опережает своего 65 нм собрата по скоростным характеристикам и оказывается примерно на 30 % экономичнее с точки зрения затрат энергии на переключение. 14 нм Используется специальный термин TDP, который расшифровывается как термопакет (thermal design package) – это величина, показывающая, на отвод какой тепловой мощности должна быть рассчитана система охлаждения процессора.

Усовершенствование конструкции транзистора 22 -нм процессоры Intel используют транзисторы с вертикально расположенным затвором Fin. FET (Fin Field Effect Transistor, также известные как 3 D-транзисторы и «транзисторы с трёхмерной структурой затвора» ). Согласно оценкам компании производительность 22 -нм Tri-Gate транзисторов на 37 % выше производительности планарных 32 -нм структур. При этом энергопотребление у новинок до 50 % меньше.

32 нм традиционный планарный транзистор 22 нм транзистор с трёхмерной структурой затвора

Обновленная версия транзистора отличается использованием тонкой трехмерной кремниевой пластины, установленной перпендикулярно кремниевому субстрату. Прохождение тока в этом случае контролируется тремя затворами, расположенными на гранях пластины. Такое усовершенствование при минимальных геометрических размерах транзисторов обеспечивает максимальную величину тока во включенном состоянии и приближенную к нулю – в выключенном.

В результате не только ускоряется переключение, но и уменьшаются паразитные утечки, снижается напряжение питания и, как следствие, энергопотребление и нагрев чипа. Кроме того появляется возможность увеличить плотность компоновки транзисторов, что позволяет нарастить их число для создания более сложных интегральных схем, при этом не увеличивая площадь самого кристалла. Примечательно, что при успешном внедрении 3 Dтранзисторов, стоимость производства чипов увеличивается всего на 2– 3 %, при этом получаемый эффект несоизмерим с такими затратами.

Использование новых технологий: 1. Замена кремниевой технологии. 2. Замена носителя информации (оптические и квантовые технологии). 3. Когнитивные вычислительные кристаллы.

Среди традиционных подходов можно назвать создание китайским ученым Вэйсяо Хуан (Weixiao Huang) первого в мире транзистора на основе нитрида галлия Ga. N. По своим характеристикам транзистор значительно превосходит используемые сегодня кремниевые аналоги и может работать в самых экстремальных условиях. Разработанная Хуаном технология позволяет интегрировать на один чип несколько функций, что невозможно осуществить, используя кремний. Поэтому переход с кремниевых транзисторов на Ga. N-транзисторы мог бы позволить значительно упростить электронные схемы. Кроме того, замена кремниевых транзисторов на аналогичные, но выполненные на основе нитрида галлия, позволит существенно уменьшить энергопотребление.

Особо интенсивный поиск «наследника кремния» ведётся среди наноструктур на основе углерода: фуллерены, углеродные нанотрубки, наноспирали, нанопровода, графеновые пленки и прочие. Графен – это пленка углерода толщиной в один атом, имеющая строго упорядоченную гексагональную кристаллическую структуру. Графен обладает уникальными электрическими, оптическими, механическими и тепловыми свойствами, отличается высокой тепло- и электропроводностью. Подвижность электронов в графене в 10– 20 раз выше, чем в арсениде галлия, что позволяет рассчитывать на получение приборов, работающих на частотах вплоть до 100 ГГц и выше. Графен, в отличие от нанотрубок, приспособлен для применения в обычной планарной технологии.

Гексагональная кристаллическая структура графена

Различные элементы и межсоединения БИС могут быть получены в одном графеновом слое. В графеновом транзисторе используется металлический затвор и изолирующий слой, состоящий из полимера и оксида с высокой диэлектрической проницаемостью. Электроны в графене перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии и благодаря этому можно свести токи утечки к минимуму, которые и ограничивают уменьшение энергозатрат процессорами.

Фуллерен – молекула, состоящая из атомов углерода, расположенных в вершинах правильных шести- и пятиугольников, образующих каркасную форму в виде замкнутой полой сферической или эллипсоидной оболочки. Молекулы фуллеренов могут содержать 28, 32, 50, 60, 76 и т. д. атомов углерода. Самый известный из фуллеренов – это так называемый фуллерен C 60.

Этот фуллерен, обладает максимальной стабильностью. Атомы углерода в нем располагаются на сферической поверхности в вершинах 20 правильных шестиугольников и 12 правильных пятиугольников; каждый шестиугольник имеет три общие стороны с другими шестиугольниками и три общие стороны с пятиугольниками, то есть все пятиугольники граничат только с шестиугольниками.

Сферическая структура фуллерена С 60

Именно с фуллерена С 60, открытого в 1985 году, началась целая эпоха развития этих удивительных по своим свойствам каркасных структур. Фуллерены были названы по имени американского архитектора Бакминстера Фуллера (Buckminster Fuller), который при конструировании куполов зданий применял структуры, подобные фуллеренам. В конце 80 -х – начале 90 -х годов фуллерены научились получать в макроскопических количествах, а в 1991 году неожиданно были открыты новые фуллерены, напоминающие длинные цилиндрические каркасные формы – они называются нанотрубки.

Углеродная нанотрубка – цилиндрическая молекула, состоящая из атомов углерода, имеющая форму цилиндра диаметром около 1 нм и длину от одного до сотен мкм, внешне выглядит как свернутая в цилиндр графитовая плоскость. Цилиндр оканчивается молекулой фуллерена. Впервые обнаружена Сумио Ииджимой (корпорация NEC) в 1991 г. как побочный продукт синтеза фуллерена С 60.

Нанотрубки бывают однослойными и многослойными. Последние представляют собой несколько однослойных нанотрубок, вложенных одна в другую. Различают прямые (ахиральные) нанотрубки и спиральные (хиральные) нанотрубки. Нанотрубки обладают уникальными электрическими, магнитными и оптическими свойствами. Они могут быть как проводниками, так и полупроводниками. Нанотрубки на порядок прочнее стали. Получают нанотрубки путем термического распыления графитовых электродов в плазме дугового разряда. В результате такой обработки получается достаточно легкий и пористый материал, состоящий из многослойных нанотрубок со средним диаметром 20 нм и длиной около 10 мкм. Изготовление нанотрубок обходится дорого — один грамм стоит несколько сотен долларов США.

Углеродная нанотрубка

На основе нанотрубок создаются новые сверхпрочные и сверхлегкие композиционные материалы. Нанотрубки используются в качестве иглы для сканирующего туннельного и атомного силового микроскопа, а также для создания полупроводниковых гетероструктур. Разрабатываются технологии применения нанотрубок в биомедицине и криминалистике. Нанотрубки находят все большее применение в микроэлектронике, они используются для создания диодов и полевых транзисторов. Созданы и опробованы прототипы тонких плоских дисплеев, работающих на матрице из нанотрубок. Другое применение нанотрубок – это создание энергонезависимой оперативной памяти NRAM (Nonvolatile Random Access Memory).

Другим направлением замены кремниевой технологии является использование оптических и квантовых технологий. Одними из перспективных являются оптические технологии. Наряду с множеством преимуществ, благодаря тому, что в качестве носителей информации используются фотоны, а не электроны, информация, которая закодирована оптическим лучом, может передаваться с микроскопическими затратами энергии.

Оптические технологии в вычислительной технике пока ещё применяются, в основном, в двух сферах – в сетевой, где для создания магистральных каналов используются волоконнооптические линии связи, а также в соединительных узлах суперкомпьютеров, где необходима сверхбыстрая передача очень больших объёмов данных.

Ещё в 2003 году компания Lenslet (Израиль) создала первый в мире оптический процессор. Процессор называется En. Light 256, его производительность составляет 8 тераоп (триллионов арифметических операций в секунду). Высокая производительность достигнута за счёт манипуляции потоков света, а не электронов. Этот процессор является первым оптическим DSP (Digital Signal Processor), который в три раза превосходит лучшие электронные DSP. Если говорить точнее, En. Light 256 — это гибридный оптический процессор, содержащий преобразователи. Ядро этого процессора – оптическое, а входная и выходная информация представляется в электронном виде. Ядро состоит из 256 -ти VCSEL-лазеров, пространственного модулятора света, набора линз и приемников.

• • Преимущества оптической технологии: возможность использовать совершенно разные среды передачи, хранения и обработки информации; возможность обработки информации во время ее передачи через оптическую систему, которая реализует вычислительную среду; возможность передавать информацию, которая закодирована оптическим лучом, практически без потерь энергии; отсутствие вероятности перехвата информации (по оптической технологии в окружающую среду ничто не излучается).

Оптические технологии пока ещё ориентированы на промышленное производство, военную технику – там, где нужно в реальном времени обрабатывать большие потоки информации, где промедление в несколько сотых секунд может закончиться непоправимыми последствиями. Создать полностью оптический компьютер пока слишком дорого. Простая замена ядра с сохранением всех остальных электронных компонент позволяет получить огромный прирост производительности.

Появился прогресс и в создании гибридных оптических чипов. Исследователи компании Intel представили кремниевый чип, преобразовывающий электрические сигналы в оптические с рекордной скоростью 200 Гбит/секунду. Технический директор Intel Джастин Раттнер недавно сообщил, что, по его прогнозам, первые оптические чипы от Intel появятся на рынке уже через 2 года. При этом, в планах компании – использовать оптику не только в серверах и вычислительных центрах, но и на компьютерах обычных пользователей. В 2012 году компания IBM намеревалась производить оптические процессоры, которые должны были умещаться в ноутбуках, но по производительности были бы сравнимы с современными.

Квантовые технологии Работы по созданию квантовых компьютеров ведутся уже относительно давно. Сегодня физики разных стран разрабатывают квантовые вычислительные системы, которые по своей вычислительной мощности в миллионы раз превзойдут современные компьютеры. Энергозатраты у квантовых компьютеров на единицу обработанной информации ожидаются быть мизерными.

Принципиальным отличием квантовых компьютеров от современных является использование так называемых квантовых битов (кубитов) вместо двоичной системы представления информации в виде 0 и 1. Кубиты, в отличие от битов — единичных ячеек информации в современных компьютерах — могут не только находиться в одно и то же время в двух различных состояниях (0 и 1), но и испытывать состояние так называемого квантового запутывания (суперпозиции) – находиться одновременно в состоянии « 0» и « 1» .

В 2007 году компания D-Wave впервые продемонстрировала 16 -кубитовый квантовый процессор Orion. Его чип выполнен из ниобия, который охлаждается в жидком гелии до температуры близкой к абсолютному нулю. Поэтому компьютер и называют адиабатическим, так как при таком охлаждении возникают условия, когда система не получает и не отдает тепло. При этом 16 металлических дорожек из ниобия, расположенные на кремниевой подложке и разделенные изолятором, начинают пропускать электрический ток по часовой стрелке, против неё или в обоих направлениях. Таким образом, выполняется главное условие квантовых вычислений — суперпозиция двух состояний в квантовом бите информации (кубите). Вся информация хранится в виде направлений течения тока по металлическим петлям и переходам.

Позже, в 2008 году, компания представила 28 -кубитовый квантовый процессор Leda с усовершенствованной технологией связи между кубитами. Квантовое вычислительное устройство размером L кубит может выполнять параллельно 2 L операций: если квантовый процессор Orion мог выполнять параллельно 216=65 536 операций, то процессор Leda – уже 228=268 435 456. Останавливаться на достигнутом в D-Wave не собираются – на очереди квантовые компьютеры с 512 и 1024 кубитами. Это открывает фантастические возможности для вычислений.

18 августа 2011 г. IBM представила первые в мире когнитивные вычислительные чипы, называемые иногда «cognizers» . Воспроизводя функции нейронов и синапсов мозга человека, в IBM создали первый в мире процессор, предназначенный для работы с огромными потоками информации от множества источников путем адаптации, подобно мозгу человека. «Наш чип представляет собой явный отказ от традиционной архитектуры фон Неймана, – заявляет Дхармендра Модха, руководитель исследовательского проекта IBM Research. – Все функции хранения объединены с функциями обработки, создавая в некотором роде социальную сеть нейронов, программное обеспечение которой хранится в синапсах» .

Разработчики уже создали действующую модель мозга кошки, получившую название «Синее вещество» , и совсем недавно представили полный неврологический атлас мозга обезьяны. Сперва пришлось прибегнуть к современным достижениям неврологии для разработки алгоритмов точного моделирования функций мозга. Затем учёные обратились к исследованиям в области нанотехнологий, используя нанополупроводники в качестве высокопроизводительных элементов ядра когнитивных вычислительных чипов.

Направления и развития универсальных микропроцессоров Стратегия развития процессоров Intel Модель «TICK-ТОСК» Стратегия развития Intel заключается во внедрении новых микроархитектур процессоров, основанных на новых поколениях полупроводниковой производственной технологии. Темпы выпуска инновационных микроархитектур и полупроводниковых технологий основаны на принципе, который корпорация Intel называет моделью «TICK-TOCK» ( «ТИК-ТАК» ). Каждый «TICK» обозначает новый этап развития полупроводниковых технологий (техпроцесс – 65 нм, 45 нм, 32 нм), а каждый «ТОСК» — создание новой микроархитектуры (Intel Core, Nechalem, Sandy Bridge). Переход на новый техпроцесс сопровождается выпуском соответствующих семейств процессоров (Penryn, Westmere).

Intel Core Новая микроархитектура 65 нм 2007 г. TOCK Intel Penryn Семейство процессоров с новым техпроцессом 45 нм 2008 г. TICK Intel Nehalem Новая микроархитектура 45 нм 2009 г. TOCK Intel Westmere Семейство процессоров с новым техпроцессом 32 нм 2010 г. TICK Intel Sandy Bridge Новая микроархитектура 32 нм 2011 г. TOCK

Intel Ivy Bridge Семейство процессоров с новым техпроцессом 22 нм 2012 г. TICK Intel Haswell Новая микроархитектура 22 нм 2013 г. TOCK Intel Broadwell Семейство процессоров с новым техпроцессом 14 нм 2014 г. TICK Intel Skylake Новая микроархитектура 14 нм 2015 г. TOCK 8 нм 2016 г. TICK Intel Skymont Семейство процессоров с новым техпроцессом

Этот цикл, как правило, повторяется каждые 2 года. Новаторская микроархитектура «обкатывается» на текущем производственном процессе, затем переносится на новую производственную технологию. Данная модель развития позволяет осуществлять внедрение единообразной процессорной микроархитектуры во всех сегментах рынка. Стратегия развития архитектуры и полупроводниковой технологии, реализуемая корпорацией Intel, не только позволяет выпускать новые решения в соответствии с запланированными темпами, но и способствует внедрению инновационных решений в отрасли на уровне платформ, расширяя использование преимуществ высокой производительности и энергоэкономичности.

Особенности микроархитектуры Sandy Bridge Ключевыми особенностями процессоров архитектуры Sandy Bridge по сравнению с Nehalem являются: • Усовершенствованное вычислительное ядро. • Монолитная конструкция – процессор состоит из одного полупроводникового кристалла, изготовленного по 32 нм технологии техпроцесса. • Новый набор инструкций Intel Advanced Vector Extensions (AVX) для ускорения обработки вещественных чисел. • Оптимизированная технология Intel Turbo Boost. • Заметно увеличившаяся энергоэффективность. • Производительность интегрированного в процессор графического ядра значительно увеличена. • Новая кольцевая шина Ring Interconnect. • Наличие нового функционального узла процессора – системного агента. • Усовершенствованный интегрированный контроллер памяти.

Вычислительное ядро Haswell не претерпело кардинальных изменений в сравнении с вычислительным ядром Sandy Bridge — были улучшены лишь отдельные блоки ядра процессора. А потому уместным будет рассмотреть в общих чертах микроархитектуру Sandy Bridge и остановиться на внесенных в нее изменениях в Haswell.

Традиционно описание микроархитектуры ядра процессора начинается с блока предпроцессора (front-end), который отвечает за выборку инструкций x 86 из кэша инструкций и их декодирование. В микроархитектуре Haswell блок предпроцессора претерпел минимальные изменения.

Инструкции x 86 выбираются из кэша инструкций L 1 I (Instruction Сache), который не изменился в микроархитектуре Haswell. Он имеет размер 32 Кбайт, является 8 -канальным и динамически разделяем между двумя потоками инструкций (поддержка технологии Hyper-Threading). Из кэша L 1 I команды загружаются 16 -байтными блоками в 16 -байтный буфер предкодирования (Fetch Buffer). Поскольку инструкции x 86 имеют переменную длину (от 1 до 16 байт), а длина блоков, которыми команды загружаются из кэша, фиксированная, при декодировании команд определяются границы между отдельными командами (информация о размерах команд хранится в кэше инструкций L 1 I в специальных полях). Процедура выделения команд из выбранного блока называется предварительным декодированием (Pre. Decode).

После операции выборки команды организуются в очередь (Instruction Queue). В микроархитектуре Sandy Bridge и Haswell буфер очереди команд рассчитан на 20 команд в каждом из двух потоков, причем из буфера предкодирования за каждый такт в буфер очереди команд могут загружаться до шести выделенных команд. После этого выделенные команды (x 86 -инструкции) передаются в декодер, где они преобразуются в машинные микрокоманды (обозначаются как micro-ops или u. Ops).

Декодер ядра процессора Haswell остался без изменений. Он по-прежнему является четырехканальным и может декодировать в каждом такте до четырех инструкций x 86. Четырехканальный декодер состоит из трех простых декодеров, декодирующих простые инструкции в одну микрокоманду, и одного сложного, который способен декодировать одну инструкцию не более чем в четыре микрокоманды (декодер типа 4 -1 -1 -1). Для еще более сложных инструкций, декодирующихся более чем в четыре микрокоманды, сложный декодер соединен с блоком u. Code Sequenser, который и применяется для декодирования подобных инструкций.

При декодировании инструкций используются технологии Macro. Fusion и Micro-Fusion. Macro-Fusion — это слияние двух x 86 -инструкций в одну сложную микрокоманду micro-ops, которая в дальнейшем будет выполняться как одна микрокоманда. Естественно, такому слиянию могут подвергаться не любые инструкции, а только некоторые пары инструкций (например, инструкция сравнения и условного перехода). Без применения технологии Macro-Fusion за каждый такт процессора могут декодироваться только четыре инструкции (в четырехканальном декодере), а при использовании технологии Macro-Fusion в каждом такте могут считываться пять инструкций, которые за счет слияния преобразуются в четыре и подвергаются декодированию. Отметим, что для эффективного поддержания технологии Macro. Fusion применяются расширенные блоки ALU (Arithmetical Logic Unit), способные поддержать выполнение слитых микрокоманд.

Micro-Fusion — это слияние двух микроопераций (не x 86 инструкций, а именно микроопераций) в одну, содержащую два элементарных действия. В дальнейшем две такие слитые микрооперации обрабатываются как одна, что позволяет снизить количество обрабатываемых микроопераций, а следовательно, увеличить общее количество исполняемых процессором инструкций за один такт.

Кроме того, в микроархитектуре Haswell и Sandy Bridge применяется кэш декодированных микрокоманд (Uop Cache), в который поступают все декодированные микрокоманды. Этот кэш рассчитан приблизительно на 1500 микрокоманд средней длины. Концепция кэша декодированных микрокоманд заключается в том, чтобы сохранять в нем уже декодированные последовательности микрокоманд. В результате, если нужно выполнить некую x 86 -инструкцию повторно, а соответствующая ей последовательность декодированных микрокоманд все еще находится в кэше декодированных микрокоманд, не требуется вторично выбирать эту инструкцию из кэша L 1 и декодировать ее — из кэша на дальнейшую обработку поступают уже декодированные микрокоманды.

После процесса декодирования x 86 -инструкций они, по четыре штуки за такт, поступают в буфер очереди декодированных инструкций (Decode Queue). В микроархитектуре Sandy Bridge этот буфер очереди декодированных инструкций был рассчитан на два потока команд по 28 микрокоманд на каждый поток. В микроархитектурах Ivy Bridge и Haswell он не делится на два потока команд и рассчитан на 56 микрокоманд. Такой подход оказывается более предпочтительным при выполнении однопоточного приложения (с одним потоком команд). В этом случае одному потоку команд доступен буфер емкостью на 56 микрокоманд, а в микроархитектуре Sandy Bridge — только на 28 микрокоманд.

Предпроцессоры ядер Haswell и Sandy Bridge различаются лишь структурой буфера очереди декодированных инструкций. Тем не менее, как заявляет компания Intel, некоторые улучшения в предпроцессор Haswell все же были внесены и касались усовершенствования блока предсказания ветвлений (Branch Predictors). Однако, какие именно улучшения были реализованы, компания Intel не раскрывает.

Заканчивая описание предпроцессора в микроархитектуре Haswell, нужно также упомянуть и о TLB-буфере. Буфер TLB (Translation Look-aside Buffers) — это специальный кэш процессора, в котором сохраняются адреса декодированных инструкций и данных, что позволяет значительно сократить время доступа к ним. Этот кэш предназначен для сокращения времени преобразования виртуального адреса данных или инструкций в физический. Дело в том, что процессор использует виртуальную адресацию, а для доступа к данным в кэше или оперативной памяти нужны реальные физические адреса. Преобразование виртуального адреса в физический занимает приблизительно три такта процессора. TLB-кэш хранит результаты предыдущих преобразований, благодаря чему преобразование адреса возможно осуществлять за один такт. В процессорах c микроархитектурой Haswell и Sandy Bridge (как и в процессорах Intel на базе других микроархитектур) используется двухуровневый кэш TLB, причем если кэш L 2 TLB является унифицированным, то L 1 TLB-кэш разделен на буфер данных (DTLB) и буфер инструкций (ITLB).

Блок внеочередного исполнения команд После процесса декодирования x 86 -инструкций начинается этап их внеочередного исполнения (Out-of-Order). На первом этапе происходит переименование и распределение дополнительных регистров процессора, которые не определены архитектурой набора команд. Поэтому из буфера очереди декодированных инструкций (Decode Queue) микрооперации по четыре штуки за такт поступают в буфер переупорядочения (Re. Order Buffer), где происходит переупорядочение микроопераций не в порядке их поступления (Out-of-Order). В микроархитектуре Sandy Bridge размер буфера переупорядочения рассчитан на 168 микроопераций, а в микроархитектуре Haswell — на 192 микрооперации.

Далее происходит распределение микрокоманд по исполнительным блокам. В блоке процессора Unified Scheduler формируются очереди микрокоманд, в результате чего микрокоманды попадают на один из портов функциональных устройств (Dispatch ports). Этот процесс называется диспетчеризацией (Dispatch), а сами порты выполняют функцию шлюза к функциональным устройствам. В микроархитектурах Sandy Bridge и Haswell кластеры внеочередного выполнения команд (Out-of-Order Cluster) используют так называемые физические регистровые файлы (Physical Register File, PRF), в которых хранятся операнды микроопераций.

Напомним, что, когда в ядрах процессоров не применялись физические регистровые файлы (например, в микроархитектуре Nehalem), каждая микрооперация имела копию необходимого ей операнда (или операндов). Фактически это означало, что блоки кластера внеочередного выполнения команд должны были обладать достаточно большим размером, чтобы иметь возможность вмещать микрооперации вместе с требуемыми им операндами. Использование PRF позволяет самим микрооперациям сохранять лишь указатели на операнды, но не сами операнды. С одной стороны, такой подход обеспечивает снижение энергопотребления процессора, поскольку перемещение по конвейеру микроопераций вместе с их операндами требует существенных затрат по энергопотреблению. С другой — применение физического регистрового файла позволяет сэкономить размер кристалла, а высвободившееся пространство использовать для увеличения размеров буферов кластера внеочередного выполнения команд.

В микроархитектуре Sandy Bridge физический регистровый файл для целочисленных операндов (Integer Registers) рассчитан на 160 записей, а для операндов с плавающей запятой (AVX Registers) — на 144 записи. В микроархитектуре Haswell физические регистровые файлы Integer Registers и AVX Registers рассчитаны на 168 записей.

Буферы чтения (Load) и записи (Store), которые используются для доступа к памяти, также увеличились. Например, если в микроархитектуре Sandy Bridge буферы Load и Store были рассчитаны на 64 и 36 записей соответственно, то в микроархитектуре Haswell они рассчитаны соответственно на 72 и 42 записи. Размер буфера Unified Scheduler, в котором формируются очереди микроопераций к портам функциональных устройств, также изменился в микроархитектуре Haswell. Если в Sandy Bridge он был рассчитан на 54 микрооперации, то в Haswell — на 60.

Итак, если сравнивать архитектуры Haswell и Sandy Bridge, то в блоке внеочередного исполнения команд микроархитектура Haswell имеет не структурные, а лишь качественные изменения, касающиеся увеличения размеров буферов. Но никаких принципиальных изменений в блоке внеочередного исполнения команд в микроархитектуре Haswell нет.

Исполнительные блоки ядра процессора Что касается исполнительных блоков ядра процессора, то в микроархитектуре Haswell они претерпели существенные изменения по сравнению с микроархитектурой Sandy Bridge. Так, в Sandy Bridge насчитывается шесть портов функциональных устройств (портов диспетчеризации): три вычислительных и три для работы с памятью. В микроархитектуре Haswell количество портов функциональных устройств увеличено до восьми.

На рисунке показаны только вычислительные порты. К тому, что было в микроархитектуре Sandy Bridge, добавили еще один порт для записи адреса (Store address) и вычислительный порт для операций с целыми числами и операций сдвига (Integer ALU & Shift). Таким образом, процессоры Haswell могут за один такт выполнять до восьми микроопераций, в то время как в микроархитектуре Sandy Bridge максимальное количество выполняемых за такт микроопераций равно шести.

Кроме того, в микроархитектуре Haswell немного изменены и сами исполнительные устройства. Связано это с тем, что в микроархитектуре Haswell появились дополнительные наборы инструкций: AVX 2, FMA 3 и BMI. Набор инструкций AVX 2 (Advanced Vector Instructions) является расширением набора инструкций AVX, который присутствует в микроархитектуре Sandy Bridge. Вообще, набор инструкций AVX является логическим продолжением наборов инструкций SSE, SSE 2, SSE 3 и SSE 4. Для обработки данных в инструкциях AVX используется 16 векторных регистров разрядностью по 256 бит, благодаря чему можно во много раз ускорить многие операции. К примеру, умножение четырех 64 разрядных чисел с использованием AVX-команды возможно всего за один такт, в то время как без AVX-инструкции для этого потребуется четыре такта.

Главное отличие нового набора инструкций AVX 2 от прежней версии AVX заключается в том, что если ранее 256 битные операции с AVX-регистрами были доступны только для операнда с плавающей запятой, а для целочисленных операндов были доступны лишь 128 -битные операции, то в AVX 2 256 -битные операции стали доступны и для целочисленных операндов. Кроме того, в AVX 2 появилась улучшенная поддержка сдвигов и перестановок в векторных операциях. Есть и новые инструкции, используемые для сборки нескольких (четырех или восьми) несвязанных элементов в один векторный элемент, благодаря чему есть возможность более полно загружать 256 -битные AVX-регистры.

Новый набор инструкций FMA 3 (Fused Multiply Add) предназначен для проведения операций совмещенного умножения и сложения над тремя операндами. Использование операций FMA 3 позволяет более эффективно реализовать операции деления, извлечения квадратного корня, умножение векторов и матриц и т. д. Набор FMA 3 включает 36 инструкций с плавающей точкой для выполнения 256 -битных вычислений и 60 инструкций для 128 битных векторов.

В набор команд BMI (Bit Manipulation Instructions) входят 15 скалярных инструкций для битовых операций, которые работают с целочисленными регистрами общего назначения. Эти инструкции разбиты на три группы: манипуляции над отдельными битами, такие как вставка, сдвиг и извлечение бит, подсчет битов, например подсчет ведущих нулей в записи чисел, и целочисленное умножение произвольной точности. Данный набор инструкций позволяет ускорять ряд специфических операций, используемых, например, при шифровании.

Подсистема памяти в микроархитектуре Haswell Одно из наиболее значимых изменений в микроархитектуре Haswell в сравнении с Sandy Bridge было сделано в подсистеме памяти. И дело не только в том, что увеличен размер буферов чтения (Load) и записи (Store), которые используются для доступа к памяти (72 и 42 записи соответственно). Главное, был добавлен еще один порт для записи адреса (Store address), кэш данных L 1 стал более производительным, а пропускная способность между кэшами L 1 и L 2 увеличена. Рассмотрим эти изменения более подробно.

Доступ к подсистеме памяти начинается с того, что соответствующие микрооперации поступают в буферы чтения (Load) и записи (Store), которые в совокупности могут накапливать более ста микроопераций. В микроархитектуре Sandy Bridge порты функциональных устройств, которые маркируются на схемах как 2, 3 и 4, отвечали именно за доступ к памяти. Порты 2 и 3 связаны с функциональными устройствами генерации адреса (Address Generation Unit, AGU) для записи или чтения данных, а порт 4 связан с функциональным устройством для записи данных из ядра процессора в кэш данных L 1 (DL 1). Процедура генерации адреса занимает один или два такта процессора. В микроархитектуре Haswell к портам 4, 2 и 3 добавлен еще порт 7, который связан с функциональным устройством генерации адреса для записи данных (Store AGU). В результате ядро Haswell может поддерживать две операции загрузки данных и одну операцию записи данных за такт.

Выделенное функциональное устройство генерации адреса для записи данных немного проще в исполнении в сравнении с функциональными устройствами генерации адреса общего назначения (для записи и загрузки данных). Дело в том, что микрооперация записи данных просто записывает адрес (и, в конечном счете, сами данные) в буфер записи (store buffer). А микрооперация загрузки данных должна записывать в буфер чтения и также отслеживать содержимое буфера записи, для того чтобы исключить возможные конфликты.

Как только сгенерирован нужный виртуальный адрес, начинается просмотр кэша L 1 DTLB на предмет соответствия этого виртуального адреса физическому. Сам кэш данных L 1 DTLB в микроархитектуре Haswell не претерпел изменений. При промахе в кэше L 1 DTLB начинается просмотр соответствующих записей в унифицированном кэше L 2 TLB, который имеет ряд улучшений в микроархитектуре Haswell.

Сам кэш данных L 1 остался размером 32 Кбайт и 8 канальным (как и в микроархитектуре Sandy Bridge). Однако в микроархитектуре Haswell кэш данных L 1 имеет более высокую пропускную способность. Он поддерживает одновременно две 256 -битных операций чтения и одну 256 битную операцию записи, что в совокупности дает агрегированную полосу пропускания в 96 байт за такт. В микроархитектуре Sandy Bridge кэш данных L 1 поддерживает одновременно две 128 -битных операций чтения и одну 128 битную операцию записи, то есть имеет теоретическую полосу пропускания в два раза ниже. При этом реальная полоса пропускания кэша данных L 1 в микроархитектуре Sandy Bridge более чем вдвое ниже полосы пропускания в микроархитектуре Haswell по причине того, что в Sandy Bridge только два функциональных блока AGU.

Кроме того, в микроархитектуре Haswell увеличена и пропускная способность между кэшами L 1 и L 2. Так, если в Sandy Bridge пропускная способность между кэшем L 2 и L 1 составляла 32 байта за цикл, то в Haswell она повышена до 64 байтов за цикл. И при этом кэш L 2 в Haswell имеет ту же латентность, что и в Sandy Bridge. В заключение отметим, что, как и в микроархитектуре Sandy Bridge, в Haswell кэш L 2 не эксклюзивен и не инклюзивен по отношению к кэшу L 1.

Графическое ядро в микроархитектуре Haswell Одно из основных нововведений в микроархитектуре Haswell — это новое графическое ядро c поддержкой Direct. X 11. 1, Open. CL 1. 2 и Open. GL 4. 0. Но самое главное, что графическое ядро в микроархитектуре Haswell масштабируемое. Существуют варианты графического ядра с кодовыми названиями GT 3, GT 2 и GT 1.

Ядро GT 1 имеет минимальную производительность, а GT 3 — максимальную. В графическом ядре GT 3 появился второй вычислительный блок, за счет чего удвоилось количество блоков растеризации, пиксельных конвейеров, вычислительных ядер и сэмплеров. Ожидается, что GT 3 будет вдвое производительнее GT 2.

Ядро GT 3 содержит 40 исполнительных блоков, 160 вычислительных ядер и четыре текстурных блока. Для сравнения напомним, что в графическом ядре Intel HD Graphics 4000 процессоров Ivy Bridge содержится 16 исполнительных устройств, 64 вычислительных ядра и два текстурных блока. Поэтому, несмотря на приблизительно одинаковые тактовые частоты их работы, графическое ядро Intel GT 3 превосходит своего предшественника по уровню производительности. Кроме того, ядро GT 3 имеет более высокую производительность благодаря интеграции памяти EDRAM (в ядре GT 3 e) в упаковку процессора.

Ядро GT 2 содержит 20 исполнительных блоков, 80 вычислительных ядер и два текстурных модуля, а ядро GT 1 — только 10 исполнительных блоков, 40 вычислительных ядер и один текстурный модуль. Сами исполнительные блоки имеют по четыре вычислительных ядра.

Еще одно нововведение заключается в том, что при работе с памятью применятся технология Instant Access, которая позволяет вычислительным ядрам процессора и графическому ядру напрямую обращаться к оперативной памяти. В предыдущих версиях графического ядра вычислительные ядра процессора и графическое ядро тоже работали с общей оперативной памятью, но при этом память делилась на две области с динамически изменяемыми размерами. Одна из них отводилась для графического ядра, а другая — для вычислительных ядер процессора.

Однако получить одновременный доступ к одному и тому же участку памяти графическое ядро и вычислительные ядра процессора не могли. И в случае, если графическому процессору требовались те же данные, что использовались вычислительным ядром процессора, ему приходилось копировать этот участок памяти. Это приводило к росту задержек, а кроме того, возникала проблема отслеживания когерентности данных.

Технология Instant. Access позволяет драйверу графического ядра ставить указатель на положение определенного участка в области памяти графического ядра, к которой вычислительному ядру процессора необходимо напрямую получить доступ. При этом вычислительное ядро процессора будет работать с этой областью памяти напрямую, без создания копии, а после выполнения необходимых действий область памяти будет возвращена в распоряжение графического ядра.

Семейство новых графических ядер GT 1, GT 2 и GT 3 обладает улучшенными возможностями по кодированиюдекодированию видеоданных. Поддерживается аппаратное декодирование форматов H. 264/MPEG-4 AVC, VC-1, MPEG-2, MPEG-2 HD, Motion JPEG, Div. X с разрешением вплоть до 4096× 2304 пикселов. Заявляется, что графическое ядро способно одновременно декодировать несколько видеопотоков 1080 p и воспроизводить видео 2160 p без подтормаживания и пропуска кадров.

Появился и специальный блок улучшения качества видео, который называется Video Quality Engine и отвечает за шумоподавление, цветокоррекцию, деинтерлейсинг, адаптивное изменение контраста и т. д. Также новые графические ядра будут поддерживать функции стабилизации изображения, преобразования частоты кадров и расширенной гаммы. Кроме того, графическое ядро в процессоре Haswell обеспечивает подключение до трех мониторов одновременно.

Кольцевая шина Вся история модернизации процессорных микроархитектур Intel последних лет неразрывно связана с последовательной интеграцией в единый кристалл всё большего количества модулей и функций, ранее располагавшихся вне процессора: в чипсете, на материнской плате и т. д. Соответственно, по мере увеличения производительности процессора и степени интеграции чипа, требования к пропускной способности внутренних межкомпонентных шин росли опережающими темпами.

В микроархитектуре Sandy Bridge для повышения общей производительности системы разработчики решили обратиться к кольцевой топологии 256 -битной межкомпонентной шины, выполненной на основе новой версии технологии QPI (Quick. Path Interconnect), расширенной и доработанной.

Кольцевая шина (Ring Interconnect) в версии архитектуры Sandy Bridge для настольных и мобильных систем служит для обмена данными между шестью ключевыми компонентами чипа: четырьмя процессорными ядрами x 86, графическим ядром, кэш-памятью L 3, теперь е ё называют LLC (Last Level Cache), и системным агентом. Шина состоит из четырёх 32 байтных колец: шины данных (Data Ring), шины запросов (Request Ring), шины мониторинга состояния (Snoop Ring) и шины подтверждения (Acknowledge Ring).

Управление шинами осуществляется с помощью коммуникационного протокола распределённого арбитража, при этом конвейерная обработка запросов происходит на тактовой частоте процессорных ядер, что придаёт архитектуре дополнительную гибкость при разгоне. Производительность кольцевой шины оценивается на уровне 96 Гбайт в секунду на соединение при тактовой частоте 3 ГГц, что фактически в четыре раза превышает показатели процессоров Intel предыдущего поколения.

Кольцевая топология и организация шин обеспечивает минимальную латентность при обработке запросов, максимальную производительность и отличную масштабируемость технологии для версий чипов с различным количеством ядер и других компонентов. По словам представителей компании, в перспективе к кольцевой шине может быть «подключено» до 20 процессорных ядер на кристалл, и подобный редизайн, как вы понимаете, может производиться очень быстро, в виде гибкой и оперативной реакции на текущие потребности рынка. Кроме того, физически кольцевая шина располагается непосредственно над блоками кеш-памяти L 3 в верхнем уровне металлизации, что упрощает разводку дизайна и позволяет сделать чип более компактным.

Кэш-память последнего уровня Кеш-память L 3 обозначается как «кеш последнего уровня» , то есть, LLC — Last Level Cache. В микроархитектуре Sandy Bridge кеш L 3 распределён не только между четырьмя процессорными ядрами, но, благодаря кольцевой шине, также между графическим ядром и системным агентом, в который, среди прочего, входит модуль аппаратного ускорения графики и блок видеовыхода. При этом специальный трассировочный механизм упреждает возникновение конфликтов доступа между процессорными ядрами и графикой.

В целях ускорения работы каждое из четырёх процессорных ядер имеет прямой доступ к «своему» сегменту кэша L 3, при этом каждый сегмент кэша L 3 предоставляет половину ширины своей шины для доступа кольцевой шины данных, при этом физическая адресация всех четырёх сегментов кэша обеспечивается единой хэшфункцией. Каждый сегмент кэша L 3 обладает собственным независимым контроллером доступа к кольцевой шине, он отвечает за обработку запросов по размещению физических адресов. Кроме того, контроллер кэша постоянно взаимодействует с системным агентом на предмет неудачных обращений к L 3, контроля межкомпонентного обмена данными и некешируемых обращений, то есть системный агент производит общее управление кэшпамятью.

Системный агент Ранее вместо определения System Agent в терминологии Intel фигурировало так называемое «Неядро» — Uncore, то есть, «всё, что не входит в Core» , а именно кеш L 3, графика, контроллер памяти, другие контроллеры вроде PCI Express и т. д. Мы же по привычке частенько называли большую часть этого элементами северного моста, перенесённого из чипсета в процессор.

Системный агент микроархитектуры Sandy Bridge включает в себя контроллер памяти DDR 3, модуль управления питанием (Power Control Unit, PCU), контроллеры PCI-Express 2. 0, DMI, блок видеовыхода и пр. Как и все остальные элементы архитектуры, системный агент подключен в общую систему посредством высокопроизводительной кольцевой шины.

Встроенная в процессор шина PCI Express соответствует спецификации 2. 0 и насчитывает 16 линий для возможности увеличения мощности графической подсистемы при помощи мощного внешнего 3 D-ускорителя. В случае использования старших наборов системной логики и согласования лицензионных вопросов эти 16 линий могут быть разделены на 2 или 3 слота в режимах 8 х +8 х или 8 х +4 х+4 х соответственно для NVIDIA SLI и/или AMD Cross. Fire. X.

Для обмена данными с системой (накопителями, портами ввода-вывода, периферией, контроллеры которых находятся в чипсете) используется шина DMI 2. 0, позволяющая прокачать до 2 ГБ/с полезной информации в обоих направлениях. Двухканальный контроллер памяти DDR 3 отныне «вернулся» на кристалл (в чипах Clarkdale он располагался вне процессорного кристалла) и, скорее всего, теперь будет обеспечивать значительно меньшую латентность.

Расположенный в системном агенте контроллер управления питанием отвечает за своевременное динамичное масштабирование напряжений питания и тактовых частот процессорных ядер, графического ядра, кэшей, контроллера памяти и интерфейсов. Что особенно важно подчеркнуть, управление питанием и тактовой частотой производится независимо для процессорных ядер и графического ядра. Можно отметить, что для питания новых процессоров нужно трёхкомпонентный стабилизатор питания (или двух, если встроенное видеоядро останется неактивным) – отдельно для вычислительных ядер, системного агента и интегрированной видеокарты.

Каждое из четырёх ядер Sandy Bridge может быть при необходимости независимо переведено в режим минимального энергопотребления, графическое ядро также можно перевести в очень экономичный режим. Кольцевая шина и кеш L 3, в силу их распределения между другими ресурсами, не могут быть отключены, однако для кольцевой шины предусмотрен специальный экономичный ждущий режим, когда она не нагружена, а для кеш-памяти L 3 применяется традиционная технология отключения неиспользуемых транзисторов, уже известная нам по предыдущим микроархитектурам. Таким образом, процессоры Sandy Bridge в составе мобильных ПК обеспечивают длительную автономную работу при питании от аккумулятора.

Модули видеовыхода и мультимедийного аппаратного декодирования также входят в число элементов системного агента. В отличие от предшественников, где аппаратное декодирование было возложено на графическое ядро, в новой архитектуре для декодирования мультимедийных потоков используется отдельный, гораздо более производительный и экономичный модуль, и лишь в процессе кодирования (сжатия) мультимедийных данных используются возможности шейдерных блоков графического ядра и кеш L 3.

В соответствии с современными веяниями, предусмотрены инструменты воспроизведения 3 Dконтента: аппаратный модуль декодирования Sandy Bridge способен без труда обрабатывать сразу два независимых потока MPEG 2, VC 1 или AVC в разрешении Full HD.

Особенности организации кэш-памяти в процессорах Haswell Преобразования в системе кеширования затронули и e. DRAM-буфер, который, начиная с Haswell, устанавливается в некоторых производительных модификациях процессоров. В процессорах Haswell и Broadwell построенный на e. DRAM дополнительный буфер, размещённый в отдельном полупроводниковом кристалле Crystalwell по соседству с процессорным ядром, мог сожительствовать лишь с L 3 кешем с объёмом 1, 5 Мбайт на ядро. В это время e. DRAM выступала 128 -мегабайтным кешем четвёртого уровня, в котором хранятся данные, вытесненные из L 3 -кеша.

Маркировка электронных компонентов, коды SMD 1G, 1G **, 1G-, 1GM, 1GW, 1Gp, 1Gs, 1Gt. Даташиты BC847C, BC847CT, BC847CW, FMMTA06, IRLML2502, KST06, MMBTA06.

Главная Автомобильная аудиосистема DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Таблицы данных Маркировка SMD Forum

Основной Маркировка SMD 1 г Код SMD Упаковка Название устройства Производитель Данные Лист данных 1G СОТ-23 BC847C General Semiconductor (теперь Vishay) Транзистор NPN 1 г СОТ-416 BC847CT NXP NPN транзистор 1 г СОТ-23 FMMTA06 Zetex (Now Diodes) NPN транзистор 1 г СОТ-23 KST06 Fairchild NPN транзистор 1 г ** СОТ-23 IRLML2502 IRF N-канальный полевой МОП-транзистор 1G- СОТ-23 BC847C NXP NPN транзистор 1G- СОТ-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1ГМ СОТ-23 MMBTA06 BL Galaxy Electrical NPN транзистор 1 ГВт СОТ-23 BC847C NXP NPN транзистор 1 ГВт СОТ-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1 ГП СОТ-23 BC847C NXP NPN транзистор 1 ГП СОТ-323 BC847CW NXP NPN транзистор 1 Гбит / с СОТ-23 BC847C Infineon Транзистор NPN 1 Гбит / с СОТ-323 BC847CW Infineon NPN транзистор 1 Гт СОТ-23 BC847C NXP NPN транзистор 1 Гт СОТ-323 BC847CW NXP NPN транзистор

База кодов маркировки SMD компонентов

1G

BC847C

Philips
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1G

BC847CDW1

ON Semiconductor
SOT-363

Транзистор NPN
Двойной & запятая; GP & запятая; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1G

BC847CF

Philips
SOT-490

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; 250 МГц

1G

BC847CT

Philips
SOT-416

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 150 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1G

BC847CW

Philips
SOT-323

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1G

BU4347F

Rohm
SOP-4

Детектор напряжения IC
4 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1G

BU4347FWE

Rohm
VSOF-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1G

BU4347G

Rohm
SSOP-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1G

BZD27B68P

Vishay Semiconductor
DO-219AB

стабилитрон
68V ± 2 & percnt; & comma; Zzt & равно 25 & запятая; Izt & равно; 10mA & запятая; 800 мВт

1G

BZT52C75S

Diodesemi Technology
SOD-323

Стабилитрон
75V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 2 & период; 5mA & запятая; Zzt & равно; 250 & запятая; 200 мВт

1G

BZX384C75

TAITRON Components
SOD-323

стабилитрон
70 & period; 0 & period; & period; 79 & period; 0V & comma; Izt & равно; 2 & period; 0mA & comma; 200 мВт

1G

CM9NB847C

Canaan Microelectronics
SOT-23

Транзистор NPN
AF & comma; Sw & запятая; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 4520 & период; & период; 800 & запятая; 100 МГц

1G

CM9NB847CW

Canaan Microelectronics
SOT-323

Транзистор NPN
AF & запятая; Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 150 мВт и запятая; B & равно; 4520 & период; & период; 800 & запятая; 100 МГц

1G

CMBTA06

Континентальное устройство Индия
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1G

CMBTA14

Континентальное устройство Индия
SOT-23

NPN Дарлингтон
GP & запятая; 60В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 10000 & запятая; > 125 МГц

1G

FDZ75T

Первый Silion
SOD-323

Стабилитрон
70 & period; & period; 79V & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 255 & запятая; 200 мВт

1G

FMMTA06

Zetex
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1G

FUS1G

Fagor Electronica
DO-214AC

Диод
U-быстрое восстановление и период; исправить & запятая; 400 В и запятая; 1 & период; 5A & запятая; Vf <1 & period; 3V & lpar; 1A & rpar; & comma; 50нс

1G

GS1004FL

Won-Top Electronics
SOD-123FL

Диод
Выпрямитель и запятая; 400 В и запятая; 1А и запятая; Vf <1 & period; 1V & lpar; 1A & rpar; & comma; 40пФ

1G

GSMM5Z75V

Good-Ark Electronics
SOD-523

стабилитрон
70 & period; & period; 79V & comma; Izt & равно; 1mA & запятая; Zzt & равно 255 & запятая; 200 мВт

1G

KST06

Samsung Electronics
SOT-23

Транзистор NPN
AF-Drv & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 50 & запятая; > 100 МГц

1G

LM3Z75VT1G

Leshan Radio Company
SOD-323

стабилитрон
70 & период; & период; 79В & запятая; Izt & равно; 2mA & запятая; 200 мВт

1G

LM5Z75VT1G

Leshan Radio Company
SOD-523

Стабилитрон
70 & период; & период; 79В & запятая; Izt & равно; 1mA & запятая; 200 мВт

1G

MM3Z75V

Secos
SOD-323

стабилитрон
70 & period; & period; 79V & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 255 & запятая; 200 мВт

1G

MM5Z75V

Weitron Technology
SOD-523

Стабилитрон
75V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 255 & запятая; 200 мВт

1G

MMBTA06

Vishay Semiconductor
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1G

MMPZ5267BPT

Chenmko Enterprise
SOD-323

стабилитрон
71 & период; 25 & период; & период; 78 & период; 75В & запятая; Izt & равно; 1 & period; 7mA & comma; Zzt & равно 270 & запятая; 225 мВт

1G

R1161D211B

Ricoh
SON-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 2 & percnt; & запятая; 350 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; AE & lpar; mode & rpar;

1G

R3117K131A

Ricoh
DFN1010-4

Детектор напряжения IC
1 & период; 3 В ± 15 мВ и запятая; -Сбросить ODO и запятую; Смысл

1G

R3131N21EA

Ricoh
SOT-23

Детектор напряжения IC
2 & период; 1В ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сброс PPO & comma; 240 мс

1G

R3132Q26EA

Ricoh
SOT-143

Детектор напряжения IC
2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; -MR

1G

R5105N211A

Ricoh
SOT-23-6

Детектор напряжения IC
2 & период; 1 В ± 1 & запятая; -Сбросить ODO

1G

R5326N007A

Ricoh
SOT-23-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 5V & sol; 2 & period; 8V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G

RP100K201B

Ricoh
PLP1612-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; LN & запятая; 2 & period; 0V ± 0 & period; 8 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & plus; CE

1G

RP112K171B

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G

RP124L303B

Ricoh
DFN1212-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 0V ± 0 & период; 8 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; BM & равно; Vin & sol; 3

1G

RP173K171A

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; -CE

1G

SMBTA06

Infineon Technologies
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1G

TMPTA06

Allegro MicroSystems
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1G

ZD75V0

Cystech Electronics
SOD-323

Стабилитрон
70 & period; & period; 79V & comma; 2 мА и запятая; Zzt & равно 255 & запятая; 200 мВт

1G1

S-1312D33-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G1

S-1312D33-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G2

S-1312D34-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 4V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G2

S-1312D34-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 4V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G3

S-1312D35-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 5V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G3

S-1312D35-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 5V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1G5

ZXTP25100CFH

Zetex
SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; HV & запятая; Драйвер и запятая; 115В и запятая; 1А и запятая; 730 мВт и запятая; B & равно; 200 & период; & период; 500 & запятая; 180 МГц

1G8

CMSZ5256B

Central Semiconductor
SOT-323

стабилитрон
30 В ± 5 & запятая; 4 & период; 2мА & запятая; Zzt & равно 49 & запятая; 275 мВт

1G8T

CMKZ5256B

Central Semiconductor
SOT-363

Стабилитрон
Тройной & запятая; 28 & период; 50 & период; & период; 31 & период; 60В & запятая; Izt & равно 4 & период; 2mA & запятая; Zzt & равно 49 & запятая; 200 мВт

1GA

S-1312D10-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GA

S-1312D10-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GB

S-1312D11-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 1V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GB

S-1312D11-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 1V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GC

S-1312D12-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 2V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GC

S-1312D12-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 2V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GC2

81C16-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1GC2G

81C16G-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Без галогенов

1GC2L

81C16L-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Бессвинцовый

1GC3

81C16-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1GC3G

81C16G-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Без галогенов

1GC3L

81C16L-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Бессвинцовый

1GC5

81C16-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1GC5G

81C16G-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Без галогенов

1GC5L

81C16L-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Датчик напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Бессвинцовый

1GD

S-1312D13-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 3V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GD

S-1312D13-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 3V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GE

S-1312D14-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GE

S-1312D14-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GF

S-1312D15-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GF

S-1312D15-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GG

S-1312D16-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 6V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GG

S-1312D16-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 6V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GH

S-1312D17-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GH

S-1312D17-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 7V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GJ

S-1312D18-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GJ

S-1312D18-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GK

S-1312D1J-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 85V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GK

S-1312D1J-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 85V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GL

S-1312D19-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 9V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GL

S-1312D19-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 9V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GM

MMBTA06

Motorola
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 225 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1GM

S-1312D20-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GM

S-1312D20-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GN

S-1312D21-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GN

S-1312D21-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GN2

81N16-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

1GN2G

81N16G-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Без галогенов

1GN2L

81N16L-P-AE3-2

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Бессвинцовый

1GN3

81N16-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

1GN3G

81N16G-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Без галогенов

1GN3L

81N16L-P-AE3-3

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Бессвинцовый

1GN5

81N16-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

1GN5G

81N16G-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Без галогенов

1GN5L

81N16L-P-AE3-5

Unisonic Technologies
SOT-23

Детектор напряжения IC
1 & период; 6V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Бессвинцовый

1GO

S-1312D22-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 2V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GO

S-1312D22-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 2V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1Gp

BC847C

Philips
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1Gp

BC847CW

Philips
SOT-323

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1GP

S-1312D23-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GP

S-1312D23-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GQ

S-1312D24-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GQ

S-1312D24-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GR

S-1312D25-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GR

S-1312D25-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1Gs

BC847C

Siemens
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; 250 МГц

1Gs

BC847CT

Infineon Technologies
SOT-416

Транзистор NPN
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1Gs

BC847CW

Infineon Technologies
SOT-323

Транзистор NPN
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; 250 МГц

1GS ​​

S-1312D26-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GS ​​

S-1312D26-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1Gt

BC847C

Philips
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1Gt

BC847CW

Philips
SOT-323

NPN транзистор
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1GT

S-1312D27-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GT

S-1312D27-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GT

SOA06

SGS-Thomson Microelectronics
SOT-23

Транзистор NPN
GP & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 100 МГц

1GU

S-1312D28-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GU

S-1312D28-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GV

S-1312D2J-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & перкнт; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GV

S-1312D2J-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GW

BC847C

Philips
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1GW

BC847CW

Philips
SOT-323

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 100 МГц

1GW

S-1312D29-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & перкнт; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GW

S-1312D29-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GX

S-1312D30-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GX

S-1312D30-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GY

S-1312D31-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 1V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GY

S-1312D31-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 1V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GZ

BC847C

Zetex
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50В и запятая; 100 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 420 & период; & период; 800 & запятая; > 300 МГц

1GZ

S-1312D32-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 2V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

1GZ

S-1312D32-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 2V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & plus; CE

Calidad ztts3 transistor huella 1gt sot 323 para proyectos electrónicos

Sobre producto y proofedores:

 Alibaba.com ofrece una ampia selección de.  ztts3 транзистор huella 1gt sot 323  para elegir для удовлетворения необходимых требований.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  son partes vitales de casi cualquier tipo de electrónico. Se pueden usar para construir placas base, calcadoras, radio, televisores y mucho más. Al elegir lo righto.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323 , puede assegurarse de que el producto que est creando sea de alta calidad y funcione muy bien.Los factores clave de selección de los productos include la aplicación, el material y el tipo previstos, entre otros factores. 
  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  se component semiconductores y suelen tener al menos tres terminales que puede utilizar para conectarlos a un circuito externo. Estos dispositivos funcionan como ampificadores o interruptores en la mayoría de los circuitos eléctricos.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  abarcan dos tipos de regiones, которые производят все инкорпорированные нечистоты в процессе обработки допах.Como ampificadores, el.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  conriente de entrada baja en energía de salida grande, y canalizan una corriente pequeña para impulsar aplicaciones enormes que funcionan como interruptores. 
 
 Estudie las hojas de datos adjuntas de su.  ztts3 транзистор huella 1gt sot 323  для детерминированных базовых паттернов, элементов управления и сборки для единого соединения. Лос.  ztts3 транзистор huella 1gt sot 323  en alibaba.com utilizan silicio como sustrato semiconductor major, gracias a sus excelentes propiedades и al deseable voltaje de unión de 0,6 V. Los parámetros esenciales para.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  para cualquier proyecto include las corrientes de funcionamiento, la disipación de energy y el voltaje de la fuente. 
 
 Descubra asombrosamente asequible.  ztts3 transistor huella 1gt sot 323  ru Alibaba.com для всех необходимых и предпочтений. Se encuentran disponibles varios materiales y estilos para una instalación y operación seguras y comfortientes.Algunos vendedores acreditados también ofrecen servicios posventa y soporte técnico. 
 

Tra cứu mã linh kin dán

kt quả tìm kiếm (16 kết quả)

Mã SMD	Dạng đóng gói	Tên linh kiện	Nhà sản xuất	Mô t	Tài liệu Лист данных
1 г	SOT23	FMMTA06	Zetex (теперь диоды)	NPN транзистор	Даулуэнд
1 г	SOT416	BC847CT	NXP	Транзистор NPN	Скачать
1 ГП	SOT23	BC847C	NXP	NPN транзистор	Даулуэнд
1 ГП	SOT323	BC847CW	NXP	Транзистор NPN	Скачать
1 GT	SOT23	BC847C	NXP	Транзистор NPN	Даулуэнд
1 GT	SOT323	BC847CW	NXP	NPN транзистор	Скачать
1ГВт	SOT23	BC847C	NXP	NPN транзистор	Даулуэнд
1ГВт	SOT323	BC847CW	NXP	Транзистор NPN	Скачать
1G-	SOT23	BC847C	NXP	NPN транзистор	Даулуэнд
1G-	SOT323	BC847CW	NXP	Транзистор NPN	Скачать
1 г **	SOT23	IRLML2502	IRF	N-канальный полевой МОП-транзистор	Даулуэнд
1 ГГц	SOT23	BC847C	Infineon	NPN транзистор	Скачать
1 ГГц	SOT323	BC847CW	Infineon	Транзистор NPN	Даулуэнд
1 г	SOT23	BC847C	General Semiconductor (теперь Vishay)	Транзистор NPN	Скачать
1 г	SOT23	КСТ06	Fairchild	NPN транзистор	Даулуэнд
1GM	SOT23	млн. MBTA06	BL Galaxy Electrical	Транзистор NPN	Скачать

Поиск

может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вы получите удовольствие
✓ Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта	Искать
Доступное количество	Возможна немедленная отправка
Модель NO.
Код ТН ВЭД	8529 0
Минимальное количество	От одной штуки
Атрибуты продукта
Категории	Искать
Идентификатор товара
арт.
gtin14
mpn
Статус детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация для отслеживания
Плоская транспортировка	30-60 дней	Не доступен
Заказная Авиапочта	15-25 дней	В наличии
DHL / EMS / FEDEX / TNT	5-10 дней	В наличии
Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу покупную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

Почему выбирают нас?

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

100% гарантия качества комплектующих: Подлинный оригинал.

Достаточный запас на ваш срочный запрос.

Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риски с помощью производства по требованию.

Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.

Круглосуточное обслуживание.

Каковы ваши основные продукты?

Наша основная продукция
Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, переменные R
Аудио специального назначения	Принадлежности	Реле
Часы / синхронизация	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Diacs, Sidacs	Резисторы
Встроенный	Диоды	Индукторы, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — драйверы ворот	БТИЗ	Кристаллы и генераторы
линейный	JFET (эффект поля перехода)	Разъемы, межкомпонентные соединения
Логика	РФ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	РЧ Транзисторы (БЮТ)	Изоляторы
PMIC	SCR	светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Симисторы

Какая цена?

Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.

Какой способ оплаты?

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Что такое возврат и замена?

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).

Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

Минимальная партия заказа от ОДНОЙ штуки.

Вы можете купить сколько угодно.

Когда вы пришлете мне детали?

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

Как разместить заказ?

Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.

Предлагаете ли вы техническую поддержку?

Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.

Предлагаете ли вы гарантию?

Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.

Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.

Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!

Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

Данные об импорте и цена электронных компонентов scr согласно коду HS 85412900

6060 Апр 13 2016 Сен 07 2015 Сен 27 20140000

Дата	Код HS	Описание	Страна происхождения	Порт разгрузки	Единица	Количество	Стоимость (INR)	За единицу (INR)
Октябрь 25 2016	85412900	1SCR003CT06BJIL01 SCR ТРАНЗИСТОР 3CT06B IGT 15-30UA (TO-92) (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ)	Китай	Delhi Air Cargo	PCS	5000	6,826	900 1 Октябрь 25 2016	85412900	1SCR003CT06BJIL01 SCR ТРАНЗИСТОР 3CT06B IGT 15-30UA (TO-92) (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ)	Китай	Delhi Air Cargo	PCS	55,000	75,09116	900 1 Сен 14 2016	85412900	1SCR003CT06BJIL01 SCR ТРАНЗИСТОР 3CT06B 1GT 15-30UA (TO-92) (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ)	Китай	Delhi Air Cargo	PCS	40,000	54,822	1 Июн 30 2016	85412900	ISCR003CT06BJIL01 SCR ТРАНЗИСТОР 3CT06B 1GT 15-30UA (TO-92) (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ)	Китай	Dadri-CGML	PCS	20000	41 25811		Может 09 2016	85412900	ТРАНЗИСТОР 2SCR512PFRAT100 СДЕЛАТЬ: ROHM (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ) (ДЛЯ КАПИТАЛЬНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ)	Таиланд	Delhi Air Cargo	PCS	7000	36,845	5
85412900	ТРАНЗИСТОР 2SCR573DFHGTL СДЕЛАТЬ: ROHM (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ) (ДЛЯ КАПИТАЛЬНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ)	Китай	Delhi Air Cargo	PCS	2,500	25,920	10
85412900	1SCR003CT06BJIL01 SCR 3CT06B IGT: 15-30UA (TO-92) (ТРАНЗИСТОР) (ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ ПОТРЕБЛЕНИЯ КАПИТАЛА)	Китай	Delhi Air Cargo	PCS		60,000	PCS		60,000	PCS		60,000	85412900	ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ- (ТРАНЗИСТОР) MCR310-10G THY T0220 10A 800V SCR (COO-MALAYSIA)	Малайзия	Bombay Air Cargo	UNT	1,500		1 2260 2260 2260 32,650	2260 2260 Выходной транзистор CTR @ If 35% @ 16mA — 1.12 евро: acdcshop.gr		Код товара: 11526 PDF SFH6136 Технические характеристики Производитель VISHAY Тип полупроводникового компонента оптопара Монтаж THT Количество каналов 1 Тип выхода транзистор Напряжение изоляции 5.3кВ CTR @ If 35% при 16 мА Напряжение коллектор-эмиттер 70 В Корпус DIP8 Время включения 0,2 с Время выключения 0,3 с Наличие: При заказе GOLD-8P — Прецизионная головка, позолоченная 8P 7,62 мм RM2,54 мм ICVT-8P — Разъем для микросхем DIL 8pin 7,62mm RM2,5mm GOLD-8P-SMD — Гнездо DIL PIN 8 7.62мм SMD Контакты медный сплав 0 ÷ 85 ° C ICM-308-1-GT — DIP-гнездо, PIN 8, 7,62 мм, позолоченное, Øpin 0,5 мм, 1A, THT Клиенты, купившие этот товар, также приобрели Четверг 10 июня 2021 г. 72385282 запроса с субботы, 23 января 2010 г. www.acdcshop.gr, Misonos 47, Sitia Crete: +3028430 20201 , факс: +3028430 26821, электронная почта: [email protected] Авторские права © 2004-2021 acdcshop.gr — Дизайн ABCDtec

.