2N3904 транзистор: характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

2N3904 — кремниевый NPN планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения или для переключающих схем. Конструктивное исполнение ТО-92.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Характерные особенности
3. Предельные эксплуатационные характеристики
4. Типовые термические характеристики
5. Электрические характеристики
6. Модификации транзистора 2N3904
7. Аналоги
8. Графические иллюстрации характеристик
9. Диаграммы

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

• Низкие токи утечки: ICEX = 50 нА, IBL = 50 нА при UCE = 30 В, UEB = 3 В.
• Высокая линейность коэффициента усиления по току.
• Низкие напряжения насыщения: UCE(sat) = 0,3 В при IC = 50 мА, IB = 5 мА.
• Низкое значение выходной емкости: Cob = 4 pF при UCB = 5 В.
• Комплементарная пара — транзистор 2N3906.

Предельные эксплуатационные характеристики

При температуре окружающей среды 25°C.

Характеристика		Обознач.	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		VCEO	60
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		VEBO	6
Ток коллектора, А		IC	0,2
Рассеиваемая мощность, Вт	При температуре окружающей среды Ta = 25°C	PC	0,625
	При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C		1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-55…+150

Типовые термические характеристики

Характеристика	Обознач.	Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	83,3

Электрические характеристики

Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды T_a = 25°C.

Характеристика		Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики включенного / выключенного состояния ٭
Ток коллектора выключения, нА		ICEX	VCE = 30 В, VEB = 3 В	≤ 50
Ток базы выключения, нА		IBL	VCE = 30 В, VEB = 3 В	≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, В		V(BR)CBO	IC = 10мкА, IE = 0	≥ 60
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В		V(BR)CEO	IC = 1,0мА, IB = 0	≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, В		V(BR)EBO	IE = 10мкА, IC = 0	≥ 6
Статический коэффициент усиления по току		hFE(1)	VCE = 1 В, IC = 0,1 мА	≥ 40
		hFE(2)	VCE = 1 В, IC = 1 мА	≥ 70
		hFE(3)	VCE = 1 В, IC = 10 мА	100…300
		hFE(4)	VCE = 1 В, IC = 50 мА	≥ 60
		hFE(5)	VCE = 1 В, IC = 100 мА	≥ 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В		VCE(sat)1	IC = 10 мА, IB = 1 мА	≤ 0,2
		VCE(sat)2	IC = 50 мА, IB = 5 мА	≤ 0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер, В		VBE(sat)1	IC = 10 мА, IB = 1 мА	≤ 0,85
		VBE(sat)2	IC = 50 мА, IB = 5 мА	≤ 0,95
Характеристики в режиме малого сигнала
Частота среза, МГц		fT	VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц	≥ 300
Выходная емкость коллектора, pF		Cob	VCB = 5 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 4,0
Входная емкость, pF		Cib	VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1 МГц	≤ 8,0
Входной импеданс, кОм		hie	VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц	От 1,0 до10
Коэффициент обратной связи по напряжению, × 10-4		hre		От 0,5 до 8
Коэффициент усиления при малом сигнале		hfe		От 100 до 400
Выходная проводимость, мкСм		hoe		От 1 до 40
Коэффициент шума транзистора, dB		NF	VCE = 5В, ICE = 0,1мА, RS = 1кОм, f = 1,0 кГц	≤ 5,0
Характеристики режима переключений
Времена режима переключения	Время задержки, нс	td	UCC = 3,0 В, UBE = 0,5 В, IC = 10 мА, IB1 = 1,0 мА	≤ 35
	Время нарастания, нс	tr		≤ 35
	Время рассасывания, нс	tstg (ts)	UCC = 3,0 В, IC = 10 мА, IB1 = IB2 = 1,0 мА	≤ 200
	Время спада, нс	tf		≤ 50

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Заметная разница возникает лишь в случаях, когда производитель применяет другие конструкции корпусов, отличные от ТО-92. Изменение теплового сопротивления на участках контакта п/п структуры с корпусом и корпуса с внешней средой приводит к заметным изменениям предельной допустимой мощности рассеивания при сохранении допустимой температуры нагрева. Данные, полученные по материалам сайта alltransistors.com приведены в таблице модификаций транзисторов 2N3904.

Модель	Тип корпуса	PC	Другие параметры	Производитель
2N3904	TO-92	0,625	Tj = от -55°C до +150°C	Motorola
2N3904 S	SOT-23	0,35	Tj = от -55°C до +150°C	KEC (Korea Electronics)
2N3904 E	ESM	0,1
2N3904 U	USM
2N3904 V	VSM
2N3904 S	SOT-23	0,225		FS (First Silicon)
2N3904 U	SOT-323	0,15
2N3904 N	TO-92N	0,4		AUK Semiconductor
MMBT 3904	SOT-23	0,35		Fairchild Semiconductor
PZT 3904	SOT-223	1
2N3904 – T18	TO-18	0,31	Tj = от -63°C до +200°C	SEME LAB

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	От 30 до 300	ТО-92
КТ375 А/Б	0,2	≥ 250	60/30	5	0,1	100/280	То-92
КТ3117 А/Б	0,5	≥ 200	60/75	4	0,4	300	То-92 и КТ1-7
КТ6137 А	0,625	300	60	6	0,2	300	ТО-92
КТ3102 А/Б	0,25	≥ 150	50	5	0,1	200/500
КТ660 А/Б	0,5	≥ 200	50/30	5	0,8	450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	Tj	hFE
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	150	300
2SC2474	0,6	٭	60	6	0,2	150	150
2SC2475	0,6		60	6	0,6		200
2SC2477	0,6		60	6	0,6		150
2SC6136	0,5		600	8	0,7		100
2SD1388	0,7	200	60	6	1		250
2SD1490	0,75	80	70	6	1		4000
2SD1642	0,7		100	6	2		40
2SD1698	0,75		100	8	0,8		10000
2SD1701	0,75		1700	8	0,8		10000
2SD1853	0,7		80	6	1,5		2000
3DG3904	0,625	300	60	6	0,2		100
BTN3904A3	0,625	300	60	6	0,2		100
C266	0,825		60	10	2	175	45
ECG123AP	0,5	300	75	6	0,8		200
ECG2341	0,8	300	80		1	150	2000
h3N3904	0,625	300	60	6	0,2		100
HEPS0015	0,31	300	60		0,6	135	200
HEPS0025	0,35	300	60		0,6	150	100
HSE424	0,31	400	60				80
KN3903	0,625	300	60	6	0,2		50
KN3904	0,625	300	60	6	0,2		100
KN4401	0,35	250	60	6	0,6		100
KSC1072	0,8		60	8	0,7		40
KSP8097	0,625		60	6	0,2		250
KTC3245	0,625		400	6	0,3		50
NTE46	0,625		100	12	0,5		10000
P2N2222A	0,625	300	75	6	0,6		100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода T_j.

Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер U_CE от управляющего тока базы I_B [мА] при различных коллекторных нагрузках I_C.

Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер U_BE(sat)и коллектор-эмиттер U_CE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения U_BE(sat) и U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 9. Зависимость входной емкости C_ibo и выходной емкости C_obo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора U_R.

Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока I_C. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.

Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала R_S при различных значениях коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 12. Зависимости времени задержки t_d и времени нарастания t_r от коллекторной нагрузки I_C при различных напряжениях питания U_CC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.

 

Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C при разных температурах:

сплошная линия – T_j = 25°C;

прерывистая линия — T_j = 125°C.

Рис. 14. Зависимость времени рассасывания t_s неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока I_C.   

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Рис. 15. Зависимости времени спада t_f импульса от коллекторной нагрузки I_C при разных отношениях тока коллектора I_C к току управления (базы) I_B.

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Диаграммы

Рис. 16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_s) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

2n3904: что нужно знать об этом транзисторе

Среди электронные компоненты проанализированы в этом блоге уже есть несколько типов транзисторов, как биполярных, так и полевых. Пришло время добавить еще один в список, как и 2n3904, который является одним из наиболее часто используемых во множестве проектов в области электроники. В данном случае это другой БЮТ, или биполярный, но с некоторыми довольно интересными характеристиками, которые вам следует знать.

Здесь вы узнаете, что это такое, его распиновку, где найти паспорта устройства, как купить один из них, и длинный и т. д.

Индекс

schema.org/SiteNavigationElement»>
• 1 Что такое транзистор 2н3904?
  • 1.1 Характеристики и техническое описание
• 2 Где купить 2Н3904

Что такое транзистор 2н3904?

El 2Н3904 транзистор Это тип биполярного транзистора, тип BJT для слабого сигнала (низкой интенсивности и малой мощности, со средним напряжением). Этот тип транзистора является NPN и имеет некоторые интересные характеристики, такие как быстрое переключение (он может работать с высокими частотами), низкое напряжение насыщения, и он подходит для связи и усиления.

Вы можете увидеть внутри очень повседневные гаджеты например, телевизоры, радио, видео или аудиоплееры, кварцевые часы, люминесцентные лампы, телефоны и т. д.

Это транзисторное устройство очень распространено. Это было запатентовано Motorola Полупроводник в 60-х вместе с PNP 2N3906 (его товарищ). Благодаря ему повысилась эффективность. Кроме того, это дешево, с пакетом TO-92 сегодня, в качестве замены вашего старого металлического пакета.

Помимо Motorola, его производят многие другие компании, такие как Fairchild, ON Semiconductor, Semtech, Transys Electronics, KEC, Vishay, Rohm Semiconductor, Texas Instruments (TI), Central Semiconductor Corp и т. Д.

О ваша распиновка, вы можете видеть на предыдущем изображении, что, как обычно в транзисторах, у вас есть три пронумерованных контакта, оставляющих закругленную часть корпуса по направлению к задней части, то есть, чтобы интерпретировать рисунок и соответствовать тому, который вы сейчас держите в руке , вы должны положить перед собой плоскую часть.

Характеристики и техническое описание

Если вам интересно подробные характеристики транзисторов этого типа, вот некоторые из них:

• Устройство: полупроводниковый транзистор
• Тип: биполярный или БЮТ
• Пакет: ТО-92
• Полярность: NPN
• Вольтаж: 40 В
• Частотный переход: 300 МГц
• Рассеиваемая мощность: 625 мВт
• Ток коллектора для постоянного тока: 200 мА
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 100
• Совместная рабочая температура: от -55ºC до 150ºC
• Коллектор эмиттера — напряжение насыщения менее 300 мВ при Ic = 10 мА
• Контакты: 3
• Альтернатива: NTE123AP

Подробнее о транзисторах — hwlibre. com

Скачать техническое описание

Где купить 2Н3904

к купить транзистор Из этих характеристик вы можете использовать различные услуги магазинов, специализирующихся на электронике, или на таких платформах, как Amazon. Например, вот несколько рекомендаций:

• Портфель Bojack на 250 предметов. Транзисторы нескольких типов, среди которых — 2n3904.
• Он также имеет этот пакет из 50 единиц 2n3904.
• ТуГу Он также предлагает другой пакет, несколько более дешевый, с 25 единицами 2n3904.

2N3903 — Транзисторы общего назначения

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Заголовок (2N3903 — Транзисторы общего назначения) >

> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать BroadVision, Inc.2021-08-06T13:26:57+02:002021-08-03T15:00:35+02:002021-08-06T13:26:57+02:00application/pdf

2N3903 — Транзисторы общего назначения

онсеми

Особенности • Доступны пакеты без свинца

Acrobat Distiller 18. 0 (Windows)uuid:856cb56a-063b-4382-984b-0d35f630cea5uuid:3051ebc7-966e-46c7-bc5c-e795758d869d конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект >

эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > транслировать HTW[-7U;Ўd~,a @$Oa 30]~ȲT*y)oSEt(P»yI%QqtS$

2N3904 Распиновка транзистора, эквивалент, характеристики и техническое описание

23 ноября 2017 — 0 комментариев

2N3904 Транзистор
NPN транзистор 2N3904 Распиновка

2N3904 Конфигурация контактов

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер
2	База	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

 

Особенности

• Биполярный транзистор NPN
• Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
• Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
• Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании 2N3904 , приведенном в конце этой страницы.

 

2N3904 Equivalent NPN Transistors:

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3906, 2SC5200

 

Brief Description on 2N3904:

2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал. 2Н3904 имеет значение усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать ток до 200 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 600 мВ.

 

2N3904 в качестве переключателя:

Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как открытый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом.

Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

RB = VBE / IB 

Где значение VBE должно быть 5 В для 2N3904 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

 

2N3904 в качестве усилителя:

Транзисторы A действуют как усилитель при работе в активной области . Они могут усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

1. Усилитель с общим эмиттером
2. Усилитель с общим коллектором
3. Усилитель с общей базой

 

Из вышеперечисленных типов конфигурация с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам

.
Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / ток базы (IB) 

 

Приложения:

• Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т.