Транзистор 2N5401: эквивалент, цоколевка, спецификация, упаковка, техпаспорт
Схема контактов транзистора 2N5401 Схема контактов транзистора 2N5401
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Клемма коллектора действует как выход транзистора |
| 2 | База | Клемма триггера для транзистора |
| 3 | Коллектор | Эмиттер действует как вход для транзистора |
Транзисторный блок 2N5401
Транзистор 2N5401 имеет корпус транзистора TO-92, мы знаем, что транзистор 2n5401 представляет собой устройство с более высоким напряжением, которое имеет множество применений.
ТО-92 представляет собой корпус транзистора, изготовленный из смеси эпоксидной смолы и пластика, эти материалы обладают хорошей термостойкостью, а также компактны или имеют меньший вес.
Транзистор 2N5401 объяснение электрических характеристик и применения
В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики транзистора 2N5401, а также краткое описание областей применения.
Характеристики напряжения
Характеристики напряжения на клеммах транзистора 2N5401: напряжение между коллектором и базой составляет -160 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет -150 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет -5 В, характеристики напряжения этого транзистора показывают, что они способны выдерживать более высокое напряжение.
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером составляет от -200 до -500 мВ, это значение напряжения указывает на конкретное состояние.
Характеристики тока
Значение тока коллектора составляет -300 мА, это полная нагрузочная способность транзистора 2N5401.
Значение импульсного тока коллектора составляет -600 мА, значение ровно в два раза больше, чем указано в спецификации тока, это значение рассчитано при условии, что температура не достигает максимума.
Текущее значение показывает, что транзистор 2N5401 способен переключать приложения.
Характеристики рассеяния
Значение рассеиваемой мощности транзистора 2N5401 составляет 630 мВт, это рассеиваемая мощность транзистора.
Коэффициент усиления по току
Коэффициент усиления по току транзистора 2N5401 составляет от 50 до 240hFE, это мощность усиления этого транзистора.
Частота перехода
Значение частоты перехода полосы пропускания транзистора 2N5401 составляет от 100 до 300 МГц, это диапазон частот транзистора.
Температура перехода
Температура перехода транзистора составляет от -65 до 150 ℃, это емкость устройства при изменении температуры.
Термическое сопротивление
Термическое сопротивление между соединением к окружающей среде составляет 200 тыс./Вт
. Рис.
Значение шумового фигура 2N5401 Transistor 9pff
2N 2NSISTEELSELESTESTESTESTESTESTESTER 2N 2NSISTERSELESTERSELESTERSISTER. даташит в pdf пожалуйста Щелкните по этой ссылкеЭквивалент транзистора 2N5401
Транзисторные устройства, такие как MPSA92, BF723, 2N5096, 2SA709, 2SA1207 и 2SC2909, являются эквивалентами транзистора 2N5401.
Электрические характеристики каждого транзистора такие же, как у 2N5401, поэтому мы легко заменяем их этими транзисторами в схемах.
Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить PINOUT каждого транзистора.
2N5401 дополнительный транзистор
PNP-транзистор 2N5401 имел дополняющую пару NPN-транзисторов 2N5551, эта дополняющая пара используется в некоторых устройствах общего назначения и высоковольтных устройствах.
Варианты транзистора 2N5401 для поверхностного монтажа
Транзистор 2N5401.
Большинство электрических характеристик этих SMD-транзисторов аналогичны сквозным транзисторам 2N5401, но отличаются такими характеристиками, как рассеиваемая мощность.
2N5401 по сравнению с A733 по сравнению с 2SA709
В таблице мы перечислили электрические характеристики транзисторов 2N5401, A733 и 2SA709, это сравнение поможет нам узнать об этих трех транзисторах и полезно для процесса замены.
| Характеристики | 2N5401 | A733 | 2SA709 |
|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | -160 В | -60 В | -160В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | -150 В | -50 В | -150 В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | -5 В | -5 В | -8 В |
| Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (VCE (SAT)) | от -200 В до -500 мВ | от -0,18 до 0,3 В | от -0,3 до -0,4 В |
| Ток коллектора (IC) | -300 мА | -150 мА | -150 мА |
| Рассеиваемая мощность | 630 мВт | 250 мВт | 800 мВт |
| Температура перехода (TJ) | от -65 до +150°C | от -55 до +150°C | от -55 до +150°C |
| Частота перехода (FT) | от 100 до 300 МГц | 50 МГц | |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 50 до 240hFE | от 90 до 600hFE | от 40 до 400hFE |
| Коэффициент шума | 8 пФ | — | — |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 |
Применение транзисторов 2N5401
- Коммутационные устройства общего назначения
- Цепи усилителя
- Приложения телефонии
- Цепь драйвера двигателя
Схема усилителя на транзисторе 2N5401 Схема усилителя на транзисторе 2N5401
На рисунке показана схема усилителя с использованием комплементарных пар 2n5401 и 2n5551, схема состоит из двухкаскадного усиления.
Первая пара транзисторов 2N5551 работает в этой схеме как предусилитель, а усиленный сигнал поступает на второй каскад, имеющий две комплементарные пары.
Двухтактная операция происходит на двух дополнительных парах 2n5401-2n5551, создавая усиленный сигнал.
Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401 Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401
На рисунке показана модель схемы драйвера двигателя с использованием транзистора 2N5401, так как при замыкании ключа начинает течь ток и достигает двигателя.
Более высокий ток, создаваемый двигателем, будет заземлен транзистором 2N5401.
Характеристики транзистора 2N5401 Характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401
На рисунке показаны характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401, график построен по напряжению между коллектором и эмиттером в зависимости от тока базы.
Кривая построена при различных значениях тока коллектора, значение напряжения увеличивается параболически по отношению к току базы.
На рисунке показаны характеристики усиления по постоянному току транзистора 2N5401, график построен с зависимостью коэффициента усиления по току от тока коллектора.
Характеристики представляют собой графики с двумя разными значениями напряжения между коллектором и эмиттером. Более низкое значение напряжения имело постоянное значение коэффициента усиления по отношению к току коллектора.
