Какие основные характеристики транзистора 2N5401. Как используется этот биполярный PNP транзистор. Каковы его параметры напряжения и тока. Где применяется 2N5401 в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора 2N5401
Транзистор 2N5401 представляет собой биполярный PNP транзистор с высоким напряжением и малым током. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: -150 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: -160 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: -5 В
- Максимальный ток коллектора: -300 мА
- Импульсный ток коллектора: -600 мА
- Рассеиваемая мощность: 630 мВт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 50-240
- Граничная частота: 100-300 МГц
Какие особенности выделяют 2N5401 среди других транзисторов? Высокое пробивное напряжение в сочетании с небольшим током делает его подходящим для применения в высоковольтных маломощных схемах.
Конструкция и корпус транзистора 2N5401
2N5401 выпускается в пластиковом корпусе TO-92. Какие преимущества дает такой корпус?
- Компактные размеры
- Малый вес
- Хорошая теплостойкость
- Простота монтажа
Как расположены выводы транзистора? Цоколевка 2N5401 стандартная для корпуса TO-92:
- Эмиттер
- База
- Коллектор
Электрические характеристики 2N5401
Рассмотрим подробнее основные электрические параметры транзистора:
Напряжения пробоя
Какие максимальные напряжения выдерживает 2N5401?
- VCEO (коллектор-эмиттер): -150 В
- VCBO (коллектор-база): -160 В
- VEBO (эмиттер-база): -5 В
Высокие значения напряжений пробоя позволяют использовать транзистор в высоковольтных схемах.
Токовые характеристики
Какие токи способен пропускать 2N5401?
- Постоянный ток коллектора: -300 мА
- Импульсный ток коллектора: -600 мА
- Ток базы: -100 мА
Относительно небольшие значения токов ограничивают применение транзистора маломощными схемами.
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току (hFE) для 2N5401 лежит в диапазоне 50-240. Как это влияет на характеристики транзистора? Широкий диапазон значений hFE обеспечивает гибкость при проектировании схем, но может потребовать индивидуального подбора транзисторов для точного соответствия параметров.
Температурные характеристики 2N5401
Какой диапазон рабочих температур у 2N5401? Транзистор способен функционировать при температурах перехода от -55°C до +150°C. Это обеспечивает возможность его применения в широком спектре условий эксплуатации.
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда составляет 200 К/Вт. Как это влияет на работу транзистора? Данный параметр определяет эффективность отвода тепла от кристалла и влияет на максимально допустимую рассеиваемую мощность.
Частотные свойства транзистора 2N5401
Граничная частота (fT) 2N5401 лежит в диапазоне 100-300 МГц. Что это означает для применения транзистора? Такие значения fT позволяют использовать 2N5401 в высокочастотных схемах, работающих на частотах до нескольких десятков мегагерц.
Емкость коллекторного перехода составляет 8 пФ. Как это влияет на быстродействие? Малая емкость обеспечивает хорошее быстродействие транзистора при работе на высоких частотах.
Области применения 2N5401
Где чаще всего используется транзистор 2N5401? Основные сферы применения включают:
- Высоковольтные маломощные схемы
- Импульсные источники питания
- Драйверы светодиодов
- Усилители сигналов
- Схемы управления двигателями
- Телекоммуникационное оборудование
Какие особенности 2N5401 делают его подходящим для этих применений? Сочетание высокого напряжения пробоя, умеренного коэффициента усиления и хороших частотных свойств обеспечивает универсальность транзистора.
Эквиваленты и аналоги 2N5401
Какие транзисторы могут заменить 2N5401? Наиболее близкими аналогами являются:
- MPSA92
- BF723
- 2N5096
- 2SA709
- 2SA1207
- 2SC2909
При замене необходимо внимательно сравнивать параметры транзисторов, так как возможны отличия в отдельных характеристиках.
Особенности применения 2N5401 в электронных схемах
На что следует обратить внимание при использовании 2N5401 в разработках? Ключевые моменты включают:
- Соблюдение максимально допустимых напряжений и токов
- Учет разброса коэффициента усиления при расчете схем
- Обеспечение адекватного теплоотвода при работе на большой мощности
- Использование защитных цепей для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
Как правильно выбрать режим работы 2N5401? Оптимальный режим зависит от конкретного применения, но обычно рекомендуется обеспечить некоторый запас по напряжению и току относительно предельных значений.
Сравнение 2N5401 с другими транзисторами
Как 2N5401 соотносится с другими популярными транзисторами? Рассмотрим сравнение с A733 и 2SA709:
| Параметр | 2N5401 | A733 | 2SA709 |
|---|---|---|---|
| VCBO | -160 В | -60 В | -160 В |
| VCEO | -150 В | -50 В | -150 В |
| IC | -300 мА | -150 мА | -150 мА |
| Ptot | 630 мВт | 250 мВт | 800 мВт |
| hFE | 50-240 | 90-600 | 40-400 |
| fT | 100-300 МГц | 50-180 МГц | 50 МГц |
Какие выводы можно сделать из этого сравнения? 2N5401 выделяется более высоким напряжением пробоя и током коллектора по сравнению с A733, а также лучшими частотными свойствами относительно 2SA709.
Транзистор 2N5401: эквивалент, цоколевка, спецификация, упаковка, техпаспорт
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Клемма коллектора действует как выход транзистора |
| 2 | База | Клемма триггера для транзистора |
| 3 | Коллектор | Эмиттер действует как вход для транзистора |
Транзисторный блок 2N5401
Транзистор 2N5401 имеет корпус транзистора TO-92, мы знаем, что транзистор 2n5401 представляет собой устройство с более высоким напряжением, которое имеет множество применений.
ТО-92 представляет собой корпус транзистора, изготовленный из смеси эпоксидной смолы и пластика, эти материалы обладают хорошей термостойкостью, а также компактны или имеют меньший вес.
Транзистор 2N5401 объяснение электрических характеристик и примененияВ этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики транзистора 2N5401, а также краткое описание областей применения.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения на клеммах транзистора 2N5401: напряжение между коллектором и базой составляет -160 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет -150 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет -5 В, характеристики напряжения этого транзистора показывают, что они способны выдерживать более высокое напряжение.
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером составляет от -200 до -500 мВ, это значение напряжения указывает на конкретное состояние.
Характеристики тока Значение тока коллектора составляет -300 мА, это полная нагрузочная способность транзистора 2N5401.
Значение импульсного тока коллектора составляет -600 мА, значение ровно в два раза больше, чем указано в спецификации тока, это значение рассчитано при условии, что температура не достигает максимума.
Текущее значение показывает, что транзистор 2N5401 способен переключать приложения.
Характеристики рассеянияЗначение рассеиваемой мощности транзистора 2N5401 составляет 630 мВт, это рассеиваемая мощность транзистора.
Коэффициент усиления по токуКоэффициент усиления по току транзистора 2N5401 составляет от 50 до 240hFE, это мощность усиления этого транзистора.
Частота переходаЗначение частоты перехода полосы пропускания транзистора 2N5401 составляет от 100 до 300 МГц, это диапазон частот транзистора.
Температура перехода Температура перехода транзистора составляет от -65 до 150 ℃, это емкость устройства при изменении температуры.
Термическое сопротивление между соединением к окружающей среде составляет 200 тыс./Вт
. Рис.Значение шумового фигура 2N5401 Transistor 9pff
2N 2NSISTEELSELESTESTESTESTESTESTESTER 2N 2NSISTERSELESTERSELESTERSISTER. даташит в pdf пожалуйста Щелкните по этой ссылке Эквивалент транзистора 2N5401Транзисторные устройства, такие как MPSA92, BF723, 2N5096, 2SA709, 2SA1207 и 2SC2909, являются эквивалентами транзистора 2N5401.
Электрические характеристики каждого транзистора такие же, как у 2N5401, поэтому мы легко заменяем их этими транзисторами в схемах.
Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить PINOUT каждого транзистора.
2N5401 дополнительный транзистор PNP-транзистор 2N5401 имел дополняющую пару NPN-транзисторов 2N5551, эта дополняющая пара используется в некоторых устройствах общего назначения и высоковольтных устройствах.
Транзистор 2N5401.
Большинство электрических характеристик этих SMD-транзисторов аналогичны сквозным транзисторам 2N5401, но отличаются такими характеристиками, как рассеиваемая мощность.
2N5401 по сравнению с A733 по сравнению с 2SA709В таблице мы перечислили электрические характеристики транзисторов 2N5401, A733 и 2SA709, это сравнение поможет нам узнать об этих трех транзисторах и полезно для процесса замены.
| Характеристики | 2N5401 | A733 | 2SA709 |
|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | -160 В | -60 В | -160В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | -150 В | -50 В | -150 В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | -5 В | -5 В | -8 В |
| Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (VCE (SAT)) | от -200 В до -500 мВ | от -0,18 до 0,3 В | от -0,3 до -0,4 В |
| Ток коллектора (IC) | -300 мА | -150 мА | -150 мА |
| Рассеиваемая мощность | 630 мВт | 250 мВт | 800 мВт |
| Температура перехода (TJ) | от -65 до +150°C | от -55 до +150°C | от -55 до +150°C |
| Частота перехода (FT) | от 100 до 300 МГц | от 50 до 180 МГц | 50 МГц |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 50 до 240hFE | от 90 до 600hFE | от 40 до 400hFE |
| Коэффициент шума | 8 пФ | — | — |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 |
- Коммутационные устройства общего назначения
- Цепи усилителя
- Приложения телефонии
- Цепь драйвера двигателя
На рисунке показана схема усилителя с использованием комплементарных пар 2n5401 и 2n5551, схема состоит из двухкаскадного усиления.
Первая пара транзисторов 2N5551 работает в этой схеме как предусилитель, а усиленный сигнал поступает на второй каскад, имеющий две комплементарные пары.
Двухтактная операция происходит на двух дополнительных парах 2n5401-2n5551, создавая усиленный сигнал.
Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401 Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401На рисунке показана модель схемы драйвера двигателя с использованием транзистора 2N5401, так как при замыкании ключа начинает течь ток и достигает двигателя.
Более высокий ток, создаваемый двигателем, будет заземлен транзистором 2N5401.
Характеристики транзистора 2N5401 Характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401На рисунке показаны характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401, график построен по напряжению между коллектором и эмиттером в зависимости от тока базы.
Кривая построена при различных значениях тока коллектора, значение напряжения увеличивается параболически по отношению к току базы.
На рисунке показаны характеристики усиления по постоянному току транзистора 2N5401, график построен с зависимостью коэффициента усиления по току от тока коллектора.
Характеристики представляют собой графики с двумя разными значениями напряжения между коллектором и эмиттером. Более низкое значение напряжения имело постоянное значение коэффициента усиления по отношению к току коллектора.
