2N7000 транзистор характеристики. Транзистор 2N7000: характеристики, применение и особенности использования

Что представляет собой транзистор 2N7000. Каковы его основные характеристики. Где применяется 2N7000 и как правильно его использовать. Какие существуют аналоги данного транзистора.

Общие сведения о транзисторе 2N7000

Транзистор 2N7000 представляет собой полевой N-канальный транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Он относится к категории маломощных транзисторов и выпускается в компактном пластиковом корпусе TO-92.

Основные особенности 2N7000:

• N-канальный МОП-транзистор с изолированным затвором
• Максимальное напряжение сток-исток 60 В
• Максимальный постоянный ток стока 0,2 А
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
• Высокая скорость переключения
• Компактный корпус TO-92

Благодаря своим характеристикам 2N7000 нашел широкое применение в различных электронных устройствах, особенно в схемах с малым потреблением тока и низким напряжением питания.

Основные электрические параметры 2N7000

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора 2N7000:

• Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) — 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) — ±20 В
• Максимальный постоянный ток стока (I_D) — 200 мА
• Максимальный импульсный ток стока — 500 мА
• Пороговое напряжение затвор-исток (V_GS(th)) — 0,8-3,0 В
• Сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)) — 5 Ом при V_GS=10 В
• Входная емкость (C_iss) — 50 пФ
• Время включения — 10 нс
• Время выключения — 10 нс

Как видно из характеристик, 2N7000 обладает низким пороговым напряжением включения, малым сопротивлением канала и высоким быстродействием, что делает его отличным выбором для маломощных схем.

Области применения транзистора 2N7000

Благодаря своим параметрам транзистор 2N7000 находит применение во многих электронных устройствах и схемах:

• Маломощные импульсные источники питания
• DC/DC преобразователи
• Драйверы светодиодов
• Схемы управления электродвигателями малой мощности
• Аналоговые ключи и мультиплексоры
• Логические схемы
• Схемы согласования уровней
• Схемы защиты от перенапряжений

2N7000 особенно хорошо подходит для применения в портативных устройствах с батарейным питанием, где важны низкое энергопотребление и высокая эффективность. Он часто используется в мобильных гаджетах, носимой электронике, IoT-устройствах.

Как правильно использовать транзистор 2N7000

При использовании 2N7000 в схемах следует учитывать некоторые особенности:

1. Соблюдать полярность подключения. Сток (D) должен быть подключен к положительному потенциалу относительно истока (S).
2. Не превышать максимально допустимое напряжение сток-исток 60 В.
3. Ограничивать ток стока на уровне не более 200 мА при длительной работе.
4. Подавать на затвор напряжение не более ±20 В относительно истока.
5. Для полного открытия канала подавать на затвор напряжение 4-5 В и выше.
6. При работе на высоких частотах учитывать входную емкость транзистора.
7. Использовать защитный диод при коммутации индуктивной нагрузки.

При правильном применении 2N7000 обеспечивает надежную и эффективную работу в различных схемах.

Аналоги и замены транзистора 2N7000

Существует ряд транзисторов со схожими характеристиками, которые могут использоваться в качестве аналогов 2N7000:

• BS170 — наиболее близкий аналог с идентичными параметрами
• MMBF170 — SMD-версия 2N7000 в корпусе SOT-23
• VN10LF — с немного более высоким допустимым током
• 2N7002 — SMD-версия в корпусе SOT-23 с улучшенными характеристиками
• BSS138 — SMD-транзистор с низким пороговым напряжением

При замене следует внимательно сравнивать параметры и проверять совместимость с конкретной схемой.

Особенности монтажа 2N7000 на печатную плату

При монтаже транзистора 2N7000 на печатную плату необходимо учитывать следующие моменты:

• Соблюдать правильную ориентацию выводов согласно маркировке на корпусе
• Использовать антистатические меры предосторожности во избежание повреждения затвора статическим электричеством
• Не перегревать выводы при пайке (температура не выше 300°C в течение 10 секунд)
• Обеспечить достаточные зазоры между выводами для предотвращения замыканий
• При необходимости использовать теплоотвод для улучшения теплового режима

Правильный монтаж обеспечивает надежность работы транзистора в составе устройства.

Измерение параметров и проверка исправности 2N7000

Для проверки работоспособности транзистора 2N7000 можно выполнить следующие измерения:

1. Измерить сопротивление между стоком и истоком при нулевом напряжении на затворе — оно должно быть очень высоким (МОм).
2. Подать на затвор напряжение 4-5 В и измерить сопротивление сток-исток — оно должно упасть до единиц Ом.
3. Проверить отсутствие утечек между затвором и другими выводами.
4. Измерить пороговое напряжение открытия канала — оно должно быть в пределах 0,8-3,0 В.

Более точные измерения параметров можно выполнить с помощью специализированных приборов — транзисторных тестеров или характериографов.

Рекомендации по выбору 2N7000 для конкретных применений

При выборе транзистора 2N7000 для использования в схеме следует учитывать следующие факторы:

• Максимальное рабочее напряжение в схеме — оно должно быть ниже 60 В
• Требуемый ток коммутации — не более 200 мА в длительном режиме
• Быстродействие схемы — 2N7000 обеспечивает время переключения порядка 10 нс
• Напряжение управления — для полного открытия канала требуется 4-5 В на затворе
• Тепловой режим — при значительном токе может потребоваться теплоотвод

Для более мощных применений следует рассмотреть транзисторы с большим допустимым током, например IRLZ44N или IRF540N.

2n7000 транзистор характеристики

Уссурийск ул. Тимирязева, д. Datasheet 2N,2N Дизайн и разработка Conke. Помощь Сравнение товаров.

Поиск данных по Вашему запросу:

2n7000 транзистор характеристики

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• 2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм [TO-92]
• Транзистор MOSFET 2N7000
• 2N7000 Транзистор
• Есть ли популярный маленький сигнал PFET, эквивалентный NFETs 2N7000 или BS170?
• Транзистор 2N7000 (Philips)
• «Транзистор Тестер — М2»
• 50 шт. 2N7000 К-92 MOSFET N-CHANNEL 60 В 0.2A транзисторы
• Транзистор 2N7000

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Характеристики и параметры полевых транзисторов

2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм [TO-92]

This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. Voltage Controlled Small Signal Switch. Rugged and Reliable. High Saturation Current Capability.

It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.

Fast switching. Lower input capacitance. Extended safe operating area. Improved inductive ruggedness. Improved high temperature reliability. AEC Qualified.

PPAP Capable. This is a Pb-Free Device. Радиодетали классификация электронных компонентов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Upload bom file batch search. Переключить на English? OK Отмена. Small Signal Field-Effect Transistor, 0. Поделитесь LinkedIn.

Транзистор MOSFET 2N7000

Купить в Москве рабочие дни или заказать с доставкой по России. Купить в Москве суббота , радиорынок Митино. Прибор «Транзистор Тестер — М2» позволяет быстро оценивать основные параметры электронных компонентов, автоматически распознаёт электронные компоненты: Транзисторы, резисторы, конденсатры, индуктивности, диоды, тиристоры, симисторы, светодиоды, диодные сборки и т. Результаты тестирования выводятся на графический ЖК индикатор с подсветкой. При кратковременном нажатии на кнопку:. Выключатель питания не предусмотрен. Прибор в режиме «сна» потребляет ничтожно малый ток несколько микроампер и постоянно готов к работе.

Транзистор 2N (Philips): 60V A Rds=R. Характеристики; Изображения; Документация; Замены; Отзывы-Вопросы.

2N7000 Транзистор

Полевые транзисторы другое название — униполярные — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее. Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия. Итак, к преимуществам относится:. Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог.

Есть ли популярный маленький сигнал PFET, эквивалентный NFETs 2N7000 или BS170?

Перейти к содержимому. Отправлено 27 December — Thrasher Отправлено 31 December — Отправлено 03 January —

Уважаемые покупатели, изображения на сайте служат только для ознакомления и могут не совпадать с реальным видом изделия.

Транзистор 2N7000 (Philips)

Транзистор 2N полевой N-канальный 60V 0. Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода «сток» и «исток» , а управляющий электрод — затвор. Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор. Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

«Транзистор Тестер — М2»

This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. Voltage Controlled Small Signal Switch. Rugged and Reliable. High Saturation Current Capability.

У нас Вы можете заказать Транзистор полевой 2N N-канал 60V, А ТO Доставка по Украине Тип транзистора: MOSFET Характеристики .

50 шт. 2N7000 К-92 MOSFET N-CHANNEL 60 В 0.2A транзисторы

2n7000 транзистор характеристики

Днепр, ул. Новокрымская 58 на углу пересечения с ул. Грузия Казахстан Литва.

Транзистор 2N7000

Я мог бы просто найти специфичные для поставщика P-каналы в пакетах SMD. Источник Поделиться. Создан 29 апр. Намного лучше найти более современный FET с лучшими спецификациями и его дополнением.

Полевой транзистор 2N

Новости: 9. Высказывания: Для выполнения большинства операций нужны три руки. Основные параметры 2N полевого транзистора n-канального. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального 2N Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Обозначение контактов: Международное: G — затвор, D — сток, S — исток. Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

Войти через. На AliExpress мы предлагаем тысячи разновидностей продукции всех брендов и спецификаций, на любой вкус и размер. Если вы хотите купить 2n transistor и подобные товары, мы предлагаем вам позиций на выбор, среди которых вы обязательно найдете варианты на свой вкус.

2N7000 to-92 | Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000

2N7000 — MOSFET Transistor, 60V, 1. 8Ω, 0.35A, TO-92

 

Особенности, параметры, характеристики

• High Density Cell Design for Low RDS(ON)
• Voltage Controlled Small Signal Switch
• Rugged and Reliable
• High Saturation Current Capability

 

 

Код товара :	M-173-9755
Обновление:	2022-09-18
Тип корпуса :	TO-92

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N7000 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2N7000 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
9755	2N7000 to-92	Транзистор 2N7000 — MOSFET Transistor, 60V, 1.8Ω, 0.35A, TO-92	4.3 pyб.
7335	BS170	Транзистор BS170 — N-Channel MOSFET 60V, 0.5A, TO-92	19 pyб.
6073	BD139	Транзистор BD139 — TRANSISTOR, NPN, 80V, 1.5A, TO-126	5.3 pyб.
10037	Конденсатор 2200uF 16V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 2200 мкф 16в (JCCON, 105°C, размер 10×20 мм)	12 pyб.
10038	Конденсатор 22uF 50V (JCCON)	Конденсатор электролитический 22 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 5х11мм)	2.1 pyб.
1941	L7815CV	Микросхема стабилизатор напряжения L7815CV — Voltage Regulator 15V 1. 5A Positive, TO-220	27 pyб.
8448	IRFZ48N	Транзистор IRFZ48N (IRFZ48NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 64A, TO-220	32 pyб.
9804	Конденсатор 100uF 50V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 100 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 8х12мм)	3.2 pyб.
10295	BZX55C9V1 (9.1V)	Стабилитроны BZX55C9V1 — Small Signal Zener Diodes, 0.5W, 9.1V	1 pyб.
7091	FQU2N60C	Транзистор FQU2N60C — Power MOSFET N-Channel, 600V, 2A, TO-251	15 pyб.

 

2N7000 Распиновка, характеристики, эквиваленты и техническое описание

23 ноября 2017 — 0 комментариев

2N7000 – N-канальный МОП-транзистор
2N7000 MOSFET Распиновка

2N7000 MOSFET Конфигурация выводов:

Пин-код	Имя контакта	Описание
1	Источник	Ток течет через источник
2	Ворота	Управляет смещением MOSFET
3	Слив	Ток поступает через сток

 

Особенности:

• Малосигнальный N-канальный МОП-транзистор
• Напряжение сток-исток (VDS) равно 60 В
• Непрерывный ток стока (ID) составляет 200 мА
• Импульсный ток стока (ID-пик) составляет 500 мА
• Пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 3В
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ±20 В
• Время включения и выключения составляет 10 нс каждое.
• Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полную техническую информацию о можно найти в техническом описании 2N7000 , приведенном в конце этой страницы.

 

2N7000 Эквивалентный N-канальный МОП-транзистор:

BS170, NTE 491, IRF3205, IRF540N, IRF9Z34N, IRFP250N, IRFZ44.

 

Где использовать 2N7000:

2N7000 — малосигнальный N-канальный МОП-транзистор . МОП-транзисторы — это силовые электронные переключатели, такие же, как транзисторы, но с более высоким номинальным током и напряжением. 2N7000 MOSFET может использоваться для переключения нагрузок, которые работают при напряжении менее 60 В (VDS) и 200 мА (ID). Этот MOSFET поставляется в компактном корпусе TO-92 и имеет пороговое напряжение 3 В, поэтому, если вы ищете небольшой MOSFET для переключения нагрузки, эта ИС может подойти для ваших целей.

 

Как использовать 2N7000:

МОП-транзистор имеет три контакта — сток, исток и ворота. Ток всегда втекает через сток и вытекает через исток. Вывод Gate действует как переключатель для включения или выключения MOSFET. Если затвор подключен к земле, то мосфет выключен, то есть не будет связи между стоком и истоком (открыто). Если на затвор подается напряжение истока затвора (VGS), то МОП-транзистор будет включен, то есть выводы стока и истока будут соединены вместе (замкнуты). Таким образом, контролируя напряжение (VGS), мы можем переключать МОП-транзистор, следовательно, МОП-транзистор является устройством, управляемым напряжением.

Напряжение источника затвора (VGS) является критическим параметром при использовании транзистора. Для этого транзистора VGS составляет 20 В, поэтому, когда мы обеспечиваем это напряжение, МОП-транзистор будет полностью закрыт. Любые значения между 20 В заставляют полевой МОП-транзистор частично закрываться, создавая частичное соединение. Нагрузка, которая переключается MOSFET, может составлять до 60 В (VDS) и может потреблять до 200 мА (ID).

Ниже я привел очень простую схему, в которой этот МОП-транзистор используется для управления двигателем нагрузки 24 В, 2 А. Также можно наблюдать значения тока и напряжения, когда переключатель замкнут и разомкнут.

Как мы знаем, напряжение затвора-истока этого МОП-транзистора составляет 20 В, поэтому мы использовали 20 В для включения МОП-транзистора. Когда переключатель затвора разомкнут, вывод затвора полевого МОП-транзистора должен быть подключен к земле, чтобы отключить нагрузку, поэтому мы использовали 10-киловольтный подтягивающий резистор (RGS) для отключения полевого МОП-транзистора после его включения. Резистор RG является токоограничивающим резистором, который ограничивает требуемый ток затвора. Если нагрузка, управляемая МОП-транзистором, является индуктивной нагрузкой, такой как двигатель, который мы использовали здесь, то обязательно использовать диод маховика (он же холостой ход) для безопасного разряда заряда, накопленного индуктивной катушкой.

 

Применение:

• Коммутация высоковольтных нагрузок
• Обычно используется для переключения слабых сигналов
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Аналоговые преобразователи или инверторы малой мощности

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных 2N7000 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

Теги

МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор

Силовая электроника

N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (NDS7002A — полевой транзистор с N-канальным улучшенным режимом) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > ручей заявка/pdf

онсеми

NDS7002A — N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом

Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом работы производится с использованием запатентованной onsemi ДМОС с высокой плотностью клеток технологии.