Что такое 2N7000. Каковы основные характеристики 2N7000. Как работает 2N7000. Для чего используется 2N7000. Как проверить и протестировать 2N7000. Какие параметры важны при выборе 2N7000.
Основные характеристики и особенности 2N7000
2N7000 — это популярный N-канальный МОП-транзистор с улучшенным обеднением, широко используемый в маломощных коммутационных приложениях. Вот его ключевые характеристики:
- Тип: N-канальный МОП-транзистор с улучшенным обеднением
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный постоянный ток стока: 200 мА
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Пороговое напряжение затвора: 3 В (максимум)
- Сопротивление открытого канала: 5 Ом (максимум)
- Корпус: TO-92
Эти параметры делают 2N7000 отличным выбором для маломощных приложений, требующих быстрого переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии.
Принцип работы 2N7000
2N7000 работает на основе эффекта поля. При подаче напряжения на затвор создается электрическое поле, которое управляет проводимостью канала между стоком и истоком. Это позволяет контролировать ток стока с помощью напряжения на затворе.
Ключевые аспекты работы 2N7000:
- При напряжении на затворе ниже порогового транзистор закрыт
- При превышении порогового напряжения формируется проводящий канал
- Ток стока увеличивается с ростом напряжения на затворе
- Сопротивление канала уменьшается при увеличении напряжения на затворе
Основные области применения 2N7000
Благодаря своим характеристикам 2N7000 находит широкое применение в различных электронных устройствах:
- Маломощные коммутаторы нагрузки (реле, светодиоды, двигатели)
- Драйверы затворов силовых МОП-транзисторов
- Схемы управления в источниках питания
- Преобразователи уровня логических сигналов
- Аналоговые ключи
- Схемы выборки-хранения
2N7000 особенно удобен в портативных устройствах с батарейным питанием благодаря низкому энергопотреблению.
Методы проверки и тестирования 2N7000
Для проверки работоспособности и измерения характеристик 2N7000 можно использовать следующие методы:
- Проверка омметром:
- Сопротивление затвор-исток и затвор-сток должно быть очень высоким
- Сопротивление сток-исток должно быть высоким при нулевом напряжении на затворе
- Измерение порогового напряжения:
- Подать напряжение между стоком и истоком
- Постепенно увеличивать напряжение на затворе до появления тока стока
- Снятие передаточной характеристики:
- Измерить зависимость тока стока от напряжения на затворе при фиксированном напряжении сток-исток
Сравнение 2N7000 с аналогами
- BS170 — практически полный аналог 2N7000
- 2N7002 — SMD-версия 2N7000 в корпусе SOT-23
- IRFZ44N — более мощный аналог для работы с большими токами
- BS520P — P-канальный аналог 2N7000
При выборе между 2N7000 и аналогами следует учитывать требуемые параметры по напряжению, току и мощности в конкретном приложении.
Особенности монтажа и применения 2N7000
При работе с 2N7000 важно соблюдать следующие рекомендации:
- Использовать антистатические меры предосторожности при монтаже
- Не превышать максимально допустимые параметры по напряжению и току
- Обеспечить достаточный теплоотвод при работе на больших токах
- Использовать подтягивающий резистор на затворе для определенного состояния при включении питания
- Учитывать паразитную емкость затвора при работе на высоких частотах
Соблюдение этих правил позволит максимально эффективно использовать возможности 2N7000 в ваших проектах.
Анализ передаточной характеристики 2N7000
Передаточная характеристика 2N7000 показывает зависимость тока стока от напряжения на затворе при фиксированном напряжении сток-исток. Анализ этой характеристики позволяет определить важные параметры транзистора:
- Пороговое напряжение — напряжение, при котором начинает протекать заметный ток стока
- Крутизна характеристики — показывает, насколько сильно меняется ток стока при изменении напряжения на затворе
- Область насыщения — участок, где дальнейшее увеличение напряжения на затворе не приводит к существенному росту тока стока
Для получения передаточной характеристики можно использовать следующую методику:
- Подать фиксированное напряжение между стоком и истоком (например, 10 В)
- Постепенно увеличивать напряжение на затворе от 0 В с шагом 0.1-0.2 В
- Измерять ток стока для каждого значения напряжения на затворе
- Построить график зависимости тока стока от напряжения на затворе
Анализ полученной характеристики позволяет оценить качество конкретного экземпляра транзистора и его соответствие заявленным параметрам.
Влияние температуры на характеристики 2N7000
Температура оказывает существенное влияние на параметры 2N7000:
- С ростом температуры уменьшается пороговое напряжение затвора
- Увеличивается ток утечки в закрытом состоянии
- Возрастает сопротивление открытого канала
- Снижается максимально допустимая мощность рассеивания
При проектировании устройств с использованием 2N7000 необходимо учитывать эти температурные эффекты, особенно если предполагается работа в широком диапазоне температур. В некоторых случаях может потребоваться температурная компенсация или выбор транзистора с более широким температурным диапазоном.
2N7000 от 7.3 рублей в наличии 31940 шт производства DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N7000-DIO
всего в наличии 31940 шт
| Количество | Цена ₽/шт |
|---|---|
| 10 | 18.8 |
| 100 |  2 |
| 500 | 9 |
| 1000 | 8. 4 |
| 4000 | 7.3 |
В корзину
Минимально 10 шт и кратно 10 шт
+0 баллов
Транзисторы МП в Рязани: 63-товара: бесплатная доставка [перейти]
Партнерская программаПомощь
Рязань
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Детские товары
Детские товары
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Электротехника
Электротехника
Дом и сад
Дом и сад
Мебель и интерьер
Мебель и интерьер
Сельское хозяйство
Сельское хозяйство
Вода, газ и тепло
Вода, газ и тепло
Все категории
ВходИзбранное
Транзисторы МП
Транзистор МП35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП25А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор 2SA1964-E, K237-38 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А (TO-220AB) N Channel, Id=53A, Vds=55V, Rds(on)=0
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор BC328-40 TO92 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор STP35N65M5 TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IGBT NPT IXYS IXDh45N60BD1 (IXDh45N60BD1) Тип: транзистор, Производитель: IXYS
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IGBT Infineon (IRF) IRGP35B60PDPBF (IRGP35B60PDPBF) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор TIP41A TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП106 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор мп13 германиевый Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор RJP4301, K3-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
МП 40 А транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП112 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор OC35 TO-3 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
МП 26 Б транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор N-MOSFET полевой TOSHIBA TK35E08N1,S1X(S (TK35E08N1) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор N-MOSFET полевой NEXPERIA NX3020NAKW.
115 (NX3020NAKW.115) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IRFB4310Z, K10-41 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 115А, 33Вт, DFN5x6 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6512 Тип:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор SEMTECH BC337-40-BULK, NPN, биполярный, 50 В, 800 мА, 625мВт, TO92 Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор КТ933Б (Ni) ТО-39 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор 2SC5706to-251 Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=1
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор BFY50 TO-39 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП42Б, K166-17 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор BFX87 TO-39 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП26Б Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2 страница из 23
Руководство по 2N7000 MOSFET: схема выводов, характеристики и эквивалент 1,2 Ом
и пороговое напряжение затвора 3 В (VDS = VGS, ID = 1 мА).
Этот полевой МОП-транзистор идеально подходит для маломощных коммутационных устройств , таких как небольшие лампы, реле и двигатели.
2N7000 MOSFET поставляется в Пакет TO-92 и его версия SMD (2N7002 ) находятся в корпусе SOT-23 или TO-236. P-канал BS520P является его аналогом .
Table Of Contents
- 2N7000 Pinout
- Specifications
- 2N7000 Equivalent MOSFET
- P-Channel Counterpart of 2N7000
- Features of 2N7000 MOSFET
- Applications/Uses of 2N7000 MOSFET
- Datasheet
- Where to buy 2N7000 Mosfet ?
- Размеры/2D-модель
- Часто задаваемые вопросы
- Какой тип МОП-транзистора 2N7000?
- Является ли 2N7000 мощным МОП-транзистором?
- Является ли 2N7000 МОП-транзистором логического уровня?
Распиновка 2N7000
Распиновка 2N7000, как и у любого другого мосфета, имеет три контакта: Источник, Затвор и Слив соответственно слева направо (плоская сторона с выводами вниз).
| Название контакта | Описание | |
| G | Gate | Управляет MOSFET, используется для его включения и выключения. |
| D | Сток | Ток протекает через сток, обычно подключенный к нагрузке (P-канал). |
| S | Источник | Ток выходит из транзистора через эмиттер, обычно заземленный (P-канал). |
Примечание: ONSEMI недавно выпустила новое техническое описание 2N7000 в январе 2022 года. Но в разделе распиновки есть ошибка: в этом новом техническое описание контакты Drain и Source поменяны местами. Принимая во внимание, что фактическая распиновка такая же, как показано выше: контакт 1 — источник, а контакт 3 — сток. Эта ошибка подтверждена одним из сотрудников службы технической поддержки ONSemi.ONSemi 2N7000 Неправильная распиновка
Примечание. Существует более старая версия 2N7000, 2N7000G, которая сейчас устарела. Распиновка 2N7000G другая.
Технические характеристики
Ниже приведены технические характеристики 2N7000 в табличной форме.
| Feature | Value |
| Type | N Channel |
| Package | TO-92 |
| Drain-Source voltage | 60 V |
| Gate- Напряжение источника | ± 20 В |
| Пороговое напряжение затвора | 3 В Макс. |
| Макс. Ток стока — непрерывный | 200 мА |
Макс. Импульсный ток стока | 500 мА |
| Макс. Температура перехода | от -55 °C до 150 °C |
| Макс. R DS(ON) (V GS = 10 В, I D = 500 мА) | 5 Ом |
| Макс. рассеиваемая мощность | 400 мВт |
2N7000 Эквивалентный МОП-транзистор
BS170 , 2N7002/NDS7002A (версия для поверхностного монтажа), IRFZ44, IRF540N и IRF3205 являются эквивалентными N-канальными МОП-транзисторами 2N7000.
P-канальный аналог 2N7000
BS520P N-канальный полевой МОП-транзистор является дополнительной парой N-канального полевого МОП-транзистора 2N7000 . (Подробнее)
Характеристики полевого МОП-транзистора 2N7000
- Маломощный сигнальный переключатель, управляемый напряжением
- 2N7000 — прочный и надежный полевой МОП-транзистор
- 0026
- Это устройство доступно в бессвинцовой и безгалогенной версиях.
Применение/использование полевого МОП-транзистора 2N7000
- Для переключения нагрузок ниже 200 мА (постоянно) и 500 мА в импульсном режиме.
- Управление небольшими серводвигателями
- В качестве силовых драйверов затворов MOSFET
- Коммутационные устройства с низким энергопотреблением: небольшие лампы, двигатели и реле.
- В светодиодных мигалках и диммерах
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание новейшего полевого МОП-транзистора 2N7000 от ONSEMI, щелкните здесь.
Чтобы скачать техпаспорт аналогичного 2N7000 от других производителей, нажмите здесь.
Где купить 2N7000 Mosfet?
Вы можете легко найти этот полевой МОП-транзистор в местном магазине электроники. Для онлайн-покупок мы рекомендуем это лучшее предложение на Amazon:
Купить на Amazon
Размеры/2D-модель
Ниже представлена 2D-модель 2N7000 в упаковке или корпусе T0-92.
В нем показаны все размеры, такие как высота, ширина и длина.
Часто задаваемые вопросы
Какой тип MOSFET используется в 2N7000?2N7000 — это улучшенный N-канальный полевой МОП-транзистор , идеально подходящий для коммутационных устройств с низким энергопотреблением, таких как небольшие лампы, реле и двигатели. МОП-транзисторы предназначены для работы в условиях, когда требуется почти мгновенная скорость переключения. Эти требования к скорости делают их идеальными для использования в таких приложениях, как источники питания и преобразователи.
Является ли 2N7000 мощным МОП-транзистором? Нет, 2N7000 не является силовым МОП-транзистором из-за его характеристик низкого тока/напряжения и корпуса TO-92. Это эквивалент переключающего транзистора, но с немного более высокой номинальной мощностью. МОП-транзистор, такой как FQP30N06L, называется силовым МОП-транзистором.
Да, 2N7000 представляет собой полевой МОП-транзистор с логическим уровнем из-за низкого порогового напряжения затвора 3 В (V DS = V GS , I D = 1 мА). Это означает, что он может полностью включиться, используя логический уровень (3,3 В ИЛИ 5 В) микроконтроллера.
Рубрики ИС и КОМПОНЕНТЫ, РаспиновкаЭксперимент № 7
Эксперимент № 7Школа инженерии и прикладных наук
Кафедра электротехники и вычислительной техники
ЕЭК 20 — осень 2005 г.
Эксперимент № 7
МОП-транзисторы N-Channel Enhancement:
Тестирование и характеристики
Оборудование:
Вы должны составить полный
оборудование
список и попросите вашего инструктора просмотреть его, прежде чем вы начнете.
Компоненты:
Q1 — МОП-транзистор 2N7000
Р1 — 12 кВт
R2 — 300 Вт
Цели:
- Получить характеристики устройства от технические данные
- Чтобы получить несколько устройств характеристики прямым испытанием и измерением
- Для получения нескольких характеристик кривые путем построения графика информации, взятой из тестовой схемы
- Для получения IV Характеристики Кривые для MOSFET с помощью Tektronix Model 571 Curve Tracer
- Для получения нескольких характеристик кривые путем изменения параметров модели транзистора в ORCAD
- Проверить производителя технические характеристики
— (HW)
Характеристики транзисторов, номиналы и символы а) См. технические характеристики
для
2N7000 и найдите следующую информацию:
тип транзистора
,
максимальная общая мощность, которую он может
рассеять
в 25 0 С (ПД),
его максимальный непрерывный ток стока
рейтинг (ID),
максимальное напряжение затвор-исток
рейтинг (ВГС),
его диапазон рабочих температур
(ТД),
его максимальное напряжение сток-исток
рейтинг (ВДСС),
его максимальное потребление нулевого напряжения затвора
ток IDSS при VDS = 48 В и VGS = 0,
его максимальное напряжение сток-затвор, когда
RGS = 1 мВт,
его максимальный статический сток-исток
сопротивление во включенном состоянии (rDS), когда VGS = 10 В постоянного тока и ID = 0,5 А постоянного тока,
его максимальный и минимальный порог
порог
напряжение (VGS(th)) при VDS = VGS и ID = 1 мА,
его минимальная прямая крутизна
(gfs) при VDS = 10 В и ID = 200 мА,
его сток-исток-напряжение
(VDS(вкл))
когда VGS = 10 В и ID = 0,5 А постоянного тока,
и его минимальный сток во включенном состоянии
текущий
(ID(on)) при VGS = 4,5 В и VDS = 10 В.
—> Поместите всю эту информацию в Данные Таблица A. Технические характеристики и характеристики 2N7000.
b) Определите ворота, слив и источник контакты 2N7000. Нарисуйте схему выводов этого устройства и назовите ее . A — Схема выводов 2N7000 .
c) Нарисуйте внутреннюю схему в микросхема 2N7000. Обозначьте это как Рисунок B. Внутренняя схема микросхема 2N7000
d) Нарисуйте и обозначьте электрические
символы для истощения N-канального МОП-транзистора и истощения P-канала
МОП-транзистор.
Нарисуйте и подпишите электрические символы для улучшения
N-канал
MOSFET и улучшенный P-Channel MOSFET. Поместите эту информацию в Рисунок
C-Типы МОП-транзисторов и их электрические обозначения .
2.- Статические измерения
а) Установите омметр на
самый высокий масштаб. Измерьте и запишите сопротивление (R)
i) между воротами и источником
ii) между воротами и стоком
iii) между стоком и источником.
Поместите эту информацию в Данные
Таблица B — Статические характеристики 2N7000 .
б) На основе сопротивления значения, полученные в результате измерения, как вы думаете, работает ли полевой МОП-транзистор? правильно? Объяснять.
c) Проверьте встроенный диод
защита
Q1 с функцией проверки диодов модели Keithley 175.
Измерьте и запишите прямое и
обратно смещенные показания Q1. Включите эту информацию в таблицу данных B.
3.- Найти VGS(th), когда VDS = VGS и ID = 1 мА
Тестовая схема №1
Соберите показанную схему
выше
а затем подстроить VDD до значения тока стока (отображается на амперметре)
равен 1,00 мА постоянного тока. Запишите значение VGS(th).
4.- Найти VDS(on), когда VGS = 4,5 В и ID = 75 мА
Тестовая цепь №2
Полностью собрать эту схему
выше; отрегулируйте VGG до 3,5 В постоянного тока, а затем отрегулируйте VDD до
текущий
(отображается на амперметре) равен 75,0 мА постоянного тока.
Запишите значение VDS(on) .
5- (ХВ) Передаточные характеристики (ID по сравнению с VGS) для разных транзисторов параметры с помощью ORCAD
С помощью идентификатора графика ORCAD
против.
VGS для VDS = 10 В постоянного тока. Измените значение VGS в диапазоне от 0 до 4 вольт.
диапазон.
Повторите этот эксперимент для
следующий
условия:
а) б (названный «КП» в ORCAD) равен десять раз значение по умолчанию. Не изменять значение любого из других параметров. Убедись в ЭТИКЕТКА симуляция ЯСНО.
б) W (ширина транзистора) составляет двадцать умножить на значение по умолчанию. Не изменяйте значение ни одного из другой параметры. УБЕДИТЕСЬ, ЧТО ПОМЕТИТЬ симуляцию ЯСНО.
c) tox (толщина оксида затвора) двадцать раз от значения по умолчанию. Не изменяйте значение ни одного из
в
другие параметры.
УБЕДИТЕСЬ, ЧТО ПОМЕТИТЬ симуляцию ЯСНО.
d) Основываясь на результатах моделирования, объясните, что происходит с
в
график зависимости ID от VGS, когда:
i) увеличение значения b.
ii) Увеличение значения W.
iii) увеличение значения токсичности.
6.- Найти перевод Характеристика Кривая (ID по сравнению с VGS)
Использование тестовой схемы № 2: поместите один
вольтметр между стоком и истоком Q1 для измерения VDS и поставить
второй вольтметр между затвором и истоком для измерения VGS
Q1.
Полностью соберите эту схему. Держите VDS установленным на 10 В постоянного тока, пока вы делаете шаг
VGG с шагом 0,1 В постоянного тока, начиная с [VGS(th) + 0,05 В постоянного тока] и
остановка
[ VGS(th) + 1,05 В постоянного тока ]. Измерьте и запишите идентификатор для каждого приращения
ВГС.
Поместите эту информацию в Таблица данных C — передача 2N7000
Характеристика
Данные кривой (ID по сравнению с VGS) .
Постройте график, используя собранные данные и
этикетка
участок « Участок 6а — ИД против ВГС »
7.- ID и VDS Характеристики Использование Curve Tracer
Получить копию семьи из 10 человек
кривые
для 2N7000 от Tektronix Model 571 Curve tracer. Установить идентификатор
не более 50 мА, VDS не более 10 В, VG до шага 10
раз
с шагом 0,1 В, напряжение смещения на 0,05 В больше, чем VGS(th) и Pmax
до 0,5 Вт.
Обозначьте участок » Участок 7 — ID vs.
VGS (Кривая) »
8 — Анализ
- Сравните значение VGS(th), которое вы измеренный до значения, указанного в таблице данных A.
- Нанесите на график данные, содержащиеся в Таблица данных C и рассчитайте K для 2N7000 (единицы измерения будут в амперах/вольтах2.)
- Сравните данные в таблице данных
С до
кривые, полученные с помощью анализатора кривых, когда VDS = 10.
