Каковы основные параметры транзистора 2SB772. Как правильно подключить и использовать 2SB772 в схемах. Какие существуют аналоги и замены 2SB772. Где применяется транзистор 2SB772 в электронике.
Что представляет собой транзистор 2SB772
2SB772 — это биполярный PNP-транзистор средней мощности, предназначенный для применения в схемах коммутации и усиления. Данный компонент выпускается в корпусе TO-126 и имеет следующие ключевые характеристики:
- Максимальный ток коллектора: 3 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 40 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт
- Коэффициент усиления по току: 60-400
- Максимальная частота: 90 МГц
Благодаря высокому коэффициенту усиления и способности работать с токами до 3 А, транзистор 2SB772 отлично подходит для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других устройствах, где требуется коммутация средних токов.
Устройство и принцип работы 2SB772
2SB772 представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру, состоящую из чередующихся областей с дырочной (p) и электронной (n) проводимостью. Базовая область имеет электронную проводимость, а эмиттер и коллектор — дырочную. Такая структура обуславливает характерные свойства PNP-транзистора:
- Для открытия транзистора на базу необходимо подавать отрицательное напряжение относительно эмиттера
- Основными носителями заряда являются дырки
- Ток в открытом состоянии течет от эмиттера к коллектору
При подаче отрицательного напряжения на базу относительно эмиттера, p-n переход база-эмиттер смещается в прямом направлении. Это приводит к инжекции дырок из эмиттера в базу. Большая часть этих дырок достигает коллектора, создавая ток коллектора. Таким образом, небольшим током базы можно управлять значительно большим током коллектора.
Цоколевка и подключение 2SB772
Транзистор 2SB772 выпускается в корпусе TO-126 и имеет следующую цоколевку:
- 1 — Эмиттер
- 2 — Коллектор
- 3 — База
При подключении 2SB772 в схему необходимо учитывать следующие особенности:
- Эмиттер подключается к положительному полюсу источника питания
- Коллектор подключается к нагрузке
- На базу подается управляющий сигнал отрицательной полярности относительно эмиттера
Важно не превышать предельно допустимые значения токов и напряжений, указанные в документации. При необходимости следует использовать радиатор для отвода тепла от корпуса транзистора.
Основные характеристики 2SB772
Рассмотрим подробнее ключевые параметры транзистора 2SB772:
Предельно допустимые значения
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 40 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 3 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55…+150°C
Электрические характеристики
- Коэффициент усиления по току: 60-400
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 90 МГц
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3 В (типовое значение)
- Емкость коллекторного перехода: 45 пФ (типовое значение)
Высокий коэффициент усиления по току в сочетании с низким напряжением насыщения делают 2SB772 отличным выбором для применения в схемах управления нагрузками средней мощности.
Области применения транзистора 2SB772
Благодаря своим характеристикам, 2SB772 находит широкое применение в различных электронных устройствах:
- Выходные каскады усилителей низкой частоты мощностью до 10 Вт
- Импульсные источники питания и преобразователи напряжения
- Схемы управления двигателями постоянного тока
- Драйверы светодиодов и других нагрузок с током до 3 А
- Ключевые каскады в различных устройствах автоматики
- Стабилизаторы напряжения
- Генераторы и мультивибраторы
2SB772 особенно эффективен в схемах, где требуется коммутация токов порядка 1-3 А при относительно низких напряжениях. Его низкое напряжение насыщения позволяет минимизировать потери мощности в ключевом режиме.
Аналоги и замены 2SB772
При отсутствии 2SB772 можно использовать следующие аналоги с близкими характеристиками:
- BD136
- BD138
- BD140
- MJE2955T
- TIP32C
- 2SB647
- 2SB649
- 2SB733
При выборе замены следует обращать внимание на следующие параметры:
- Максимально допустимые токи и напряжения
- Коэффициент усиления по току
- Граничную частоту
- Максимальную рассеиваемую мощность
- Тип корпуса
Важно отметить, что прямая замена может потребовать корректировки схемы, особенно в части цепей смещения, из-за возможных различий в характеристиках транзисторов.
Особенности монтажа и эксплуатации 2SB772
При работе с транзистором 2SB772 следует учитывать ряд важных моментов:
- Соблюдать полярность подключения выводов согласно цоколевке
- Не превышать максимально допустимые значения токов и напряжений
- При токах коллектора более 1 А использовать радиатор для отвода тепла
- Применять антистатические меры предосторожности при монтаже
- Избегать перегрева выводов при пайке (не более 5 секунд при температуре 260°C)
Для увеличения надежности и срока службы рекомендуется эксплуатировать транзистор в режимах, не превышающих 70-80% от предельно допустимых значений.
Проектирование схем с использованием 2SB772
При разработке электронных устройств с применением 2SB772 следует учитывать следующие рекомендации:
- Правильно рассчитывать цепи смещения для обеспечения оптимального режима работы транзистора
- Использовать цепи защиты от перегрузки по току и напряжению
- Обеспечивать достаточное охлаждение при работе с большими токами
- Учитывать разброс параметров транзисторов при серийном производстве
- Применять меры по снижению влияния паразитных емкостей и индуктивностей в высокочастотных схемах
Грамотное применение 2SB772 позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства различного назначения.
Заключение
- Высокий коэффициент усиления по току
- Способность работать с токами до 3 А
- Низкое напряжение насыщения
- Хорошие частотные характеристики
Эти свойства делают 2SB772 отличным выбором для широкого спектра применений — от аудиоусилителей до импульсных источников питания и схем управления двигателями. При правильном применении этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность работы электронных устройств.
характеристики, datasheet и аналоги 2sb772
Главная » Транзисторы
Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.
Технические характеристики
Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики.
От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:
- максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
- наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
- импульсный коллектора ICР (Iк max) = -7 А;
- постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
- мощность на коллекторе:
- в корпусах ТО-92 и SOT-89 РС (Рк max) = 0,5 Вт;
- в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РС (Рк max) = 1 Вт;
- рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
- температура перехода TJ = +150 оС.
Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Условия измерения | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = =100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=-1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -30 | В | ||
| Пробивное напряжение Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
| Обратный ток коллектор — база | VCВ= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток коллектор — эмиттер | VCЕ= -3 В, IВ = 0 | ICЕO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -1000 | нА | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V CE(sat) | -0,3 | -0,5 | В | |
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V ВE(sat) | -1 | -2 | В | |
| Граничная частота к-та усиления тока | VCE =-5 В, IC =-0,1 A | fT | 80 | МГц | ||
| Выходная емкость | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 45 | пФ | ||
Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:
- 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
- 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
- 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.
Аналоги
Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.
Производители
Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.
PNP
Транзисторы, тиристоры
Сортировка
По умолчаниюНазвание (А — Я)Название (Я — А)Цена (низкая > высокая)Цена (высокая > низкая)Модель (А — Я)Модель (Я — А)
Показать
25405075100
| Наименование | Корпус | Розн | Опт | Характеристика | Инфо | Купить |
| 2N06L | D-Pak | 150. 00р. | 116р. | |||
| 2N1711 | TO-39 | 170.00р. | 140р. | 50В NPN транзистор | ||
| 2N1893 | TO-39 | 230.00р. | 176р. | NPN транзистор, 80В, 0.5А | ||
| 2N2219A | TO-39 | 130.00р. | 90р. | NPN transistor | ||
| 2N2222A | TO-92 | 10.00р. | 2р. | NPN транзистор, 75В, 0.6А | ||
| 2N2369 | TO-92 | 25.00р. | 18р. | NPN транзистор, 40В, 0.2А | ||
| 2N2369A CSC | TO-18 | 40.00р. | 28р. | high-speed saturated switch | ||
| 2N2904 Au | TO-39 | 180.00р. | 141р. | PNP транзистор | ||
| 2N2905A | TO-39 | 200. 00р. | 155р. | PNP транзистор | ||
| 2N2907A | TO-92 | 20.00р. | 7р. | PNP транзистор, 60В, 0.6А | ||
| 2N3053 | TO-39 | 60.00р. | 41р. | NPN транзистор | ||
| 2N3055 | TO-3 | 140.00р. | 106р. | NPN транзистор, 100В, 15А | ||
| 2N3391A | TO-92 | 170.00р. | 129р. | NPN транзистор | ||
| 2N3439 | TO-39 | 300.00р. | 234р. | NPN транзистор, 450В, 1А | ||
| 2N3771 | TO-3 | 290.00р. | 229р. | NPN транзистор, 40В, 30А | ||
| 2N3772 | TO-3 | 410.00р. | 322р. | NPN транзистор, 60В, 20А | ||
| 2N3773 | TO-3 | 160.00р. | 123р. | 2N3773G NPN транзистор, 140В, 16А | ||
| 2N3866A | TO-39 | 350.00р. | 275р. | NPN транзистор | ||
| 2N3904 | TO-92 | 10.00р. | 2р. | NPN транзистор, 40В, 0.2А | ||
| 2N3906 | TO-92 | 15.00р. | 5р. | PNP транзистор, 40В, 0.2А | ||
| 2N4401 | TO-92 | 15.00р. | 5р. | NPN транзистор, 60В, 0.6А | ||
| 2N4403 | TO-92 | 15.00р. | 5р. | PNP транзистор, 40В, 0.6А | ||
| 2N4988 | TO-92 | 25.00р. | 9р. | silicon unilateral switch | ||
| 2N5087 | TO-92 | 25.00р. | 9р. | PNP транзистор, 50В, 0.1А | ||
| 2N5088 | TO-92 | 20.00р. | 7р. | NPN транзистор, 30В, 0.05А | ||
| 2N5089 | TO-92 | 50.00р. | 35р. | биполярный транзистор | ||
| 2N5192 | TO-126 | 100.00р. | 70р. | NPN транзистор, 80В, 4А | ||
| 2N5401 | TO-92 | 20.00р. | 7р. | PNP транзистор, 150В, 0.1А | ||
| 2N5457 | TO-92 | 130.00р. | 102р. | транзистор: N-ch, 25В, 10мА | ||
| 2N5458 | TO-92 | 150.00р. | 116р. | N-ch general purpose amplifier, BF245C | ||
| 2N5484 | TO-92 | 140.00р. | 99р. | N-ch RF amplifier | ||
| 2N5551 | TO-92 | 10.00р. | 2р. | NPN транзистор, 160В, 0.6А | ||
| 2N5639 | TO-92 | 35.00р. | 25р. | N-ch switch | ||
| 2N6027G | TO-92 | 95.00р. | 67р. | транзистор однопереходный 40В, 0.15A, 0.35Вт | ||
| 2N6028 | TO-92 | 95.00р. | 67р. | programmable unijunction transistor | ||
| 2N6039G | TO-126 | 110.00р. | 76р. | NPN транзистор, 80В, 4А | ||
| 2N6073A | TO-126 | 170. 00р. | 134р. | симистор: 400В, 4А | ||
| 2N6133 | TO-220 | 130.00р. | 90р. | PNP транзистор | ||
| 2N6488 | TO-220 | 150.00р. | 120р. | NPN транзистор, 80В, 15А | ||
| 2N6490 | TO-220 | 160.00р. | 125р. | PNP транзистор, 60В, 15А |
Показано с 1 по 40 из 2010 (всего 51 страниц)
2SB772 Схема контактов транзистора, аналог, применение, характеристики
B772 или 2SB772 — транзистор общего назначения в корпусе TO-126; В этом посте вы найдете распиновку транзистора 2SB772, эквивалент, использование, характеристики и другую полезную информацию об этом транзисторе.
Реклама
Реклама
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: TO-126 14
- Тип транзистора: НПН
- Макс. ток коллектора (I C ): – 3 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): – 30 В
- Макс. напряжение коллектор-база (В CB ): – 40 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 10 Вт
- Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч FE ): 60–400
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию
ток коллектора (I C ): – 3 А Replacement and Equivalent:
MJE172, KSB772, 2N6407, 2SA715, 2SA738, 2N6414, 2N6415, 2SA963 2SB743, 2SB744, 2SB772, BD788, BD816, BD826, BD386, BD386-1, BD386-2, BD386 -5, БД386-8, БД388, БД828, БД834, БД836, КСБ744, КСБ744А, КСБ772, МЖЭ170, МЖЭ171, МЖЭ230, МЖЭ231, МЖЭ232, МЖЭ233, МЖЭ234.
2SB772 Описание транзистора:
2SB772 — это PNP-транзистор общего назначения в корпусе TO-126, который можно использовать для различных целей переключения и усиления звука. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 3 А и может использоваться для управления различными нагрузками в цепях. Кроме того, напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет всего 0,3 В, что также делает этот транзистор идеальным для использования в местах, где требуется переключение при низком напряжении.
С другой стороны, коэффициент усиления по постоянному току 60-400 Ом и мощность рассеивания на коллекторе 10 Вт делают его идеальным для использования в различных целях усиления звука. Его можно использовать в каскадах усилителя звука, а также хорошо использовать в качестве отдельного усилителя для управления динамиком.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как описано выше, 2SB772 можно использовать в различных приложениях, он может управлять максимальной нагрузкой 3 А или 3000 мА, благодаря чему его можно использовать в вашей цепи для одновременного управления различными нагрузками.
Например, двигатели постоянного тока высокой мощности, светодиоды, реле, переключатели, целая часть цепи и т. Д. Кроме этого, его также можно использовать для создания мощного аудиоусилителя, а также использовать на выходе радиоприемники, звонки / куранты, mp3 проигрыватели для прямого управления динамиком.
DC в DC Converters
Драйвер реле
Аудио -амплификатор
Стадии Audio
. .
. Чтобы получить хорошую и долгосрочную производительность от 2SB772, всегда оставайтесь как минимум на 20% ниже его максимальных значений. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 3 А, поэтому не подключайте нагрузку более 2,4 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30В, в целях безопасности не подключайте нагрузку более 24В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните его при температуре от -55 до +150 по Цельсию.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/B/2SB772_NEC.pdf
2SB772 Распиновка транзистора, характеристики, спецификация и приложения
В этом посте сегодня я подробно расскажу о Введении в 2sb772. 2sb772 — PNP-транзистор в корпусе ТО-126. В основном используется… Всем привет! Я приветствую вас на борту. Надеюсь ты в порядке. В этом посте сегодня я подробно расскажу о Введении в 2sb772.
2sb772 — PNP-транзистор в корпусе ТО-126. Он в основном используется для усиления и коммутации. Это транзистор с биполярным переходом, что означает, что проводимость осуществляется двумя носителями заряда, то есть дырками и электронами. И он состоит из двух переходов, где переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении в прямом активном режиме.
В этом посте я буду обсуждать принцип работы, распиновку, техническое описание, физические размеры, номинальную мощность и области применения устройства 2sb772.
Давайте начнем.
- 2sb772 представляет собой биполярный PNP-транзистор средней мощности, используемый в основном для коммутации и усиления.
- Он поставляется с тремя основными клеммами, называемыми эмиттером, коллектором и базой. Все эти терминалы имеют разный функционал и разные концентрации легирования.
- Сторона эмиттера сильно легирована, в отличие от двух других выводов, а сторона коллектора легирована слабо. Базовый вывод в 10 раз сильно легирован по сравнению с коллекторным выводом.
- 2sb772 представляет собой полупроводниковый прибор из кремниевого материала, состоящий из трех слоев. Где один представляет собой слой, легированный n, который находится между двумя слоями, легированными p.
- Уровень n сигнализирует клемму базы и указывает, что для смещения клеммы базы и начала работы транзистора требуется подача отрицательного напряжения.
- Поскольку это биполярный транзистор, и электроны, и дырки играют жизненно важную роль в процессе проводимости.
- И дырки являются основными носителями, в то время как электроны являются неосновными носителями в этом случае, в отличие от транзисторов NPN, где электроны являются основными носителями, а дырки являются неосновными носителями.
- Биполярные транзисторы, подобные этому 2sb772, являются строительными блоками современной электроники.
- Однако в некоторых случаях электронные лампы предпочтительнее биполярных транзисторов, поскольку в электронных лампах подвижность носителей заряда намного лучше, что подходит для мощных высокочастотных приложений, таких как эфирное телевизионное вещание.
Прежде чем устанавливать этот компонент в свой проект, бегло просмотрите техническое описание, которое поможет вам получить представление об основных характеристиках устройства.
Нажмите на ссылку ниже и загрузите техническое описание 2sb772.
2sb772 имеет три основных терминала, известных как 1: Излучатель 2: Коллекционер 3: База На следующем рисунке показана схема выводов транзистора 2sb772.
- Все эти клеммы используются для внешнего соединения с цепью. На стороне эмиттера протекает общий ток транзистора.
- А в этом PNP транзисторе ток течет от эмиттера к коллектору за счет движения основных носителей заряда т.е. дырок.
- В то время как ток течет от коллектора к выводу эмиттера в случае транзисторов NPN из-за подвижности электронов.
- Принцип работы этого транзистора прост и очень похож на транзисторы NPN. Как в транзисторах NPN, так и в транзисторах PNP базовый вывод в основном отвечает за общую работу транзистора.
- И когда на клемму базы подается положительное напряжение, она смещается, и из-за движения отверстий течет ток.
- Когда ток на клемме базы отсутствует, транзистор включается, и в этом случае контакты коллектора и эмиттера смещены в прямом направлении.
- Когда на клемме базы присутствует ток, устройство выключается, а клеммы эмиттера и коллектора смещаются в обратном направлении.
- В отличие от других транзисторов, биполярные транзисторы несимметричны. Различные концентрации легирования как на стороне эмиттера, так и на стороне коллектора ответственны за отсутствие симметрии внутри транзисторов с биполярным переходом.
- Кроме того, если мы поменяем клеммы коллектора и эмиттера, коэффициент усиления общего эмиттера и значения общего тока будут меньше, чем обычно.
- Коэффициент усиления по току с общим эмиттером называется бета и также известен как коэффициент усиления. В этом случае коэффициент усиления простирается от 30 до 300. Этот коэффициент определяет величину входного тока, который может усилить этот транзистор.
В следующей таблице показаны абсолютные максимальные рейтинги 2sb772.
| Абсолютные максимальные значения BC639 | ||||
|---|---|---|---|---|
| № | Рейтинг | Символ | Значение | Блок |
| 1 | Напряжение коллектор-эмиттер | Вс | 30 | В |
| 2 | Напряжение коллектор-база | ВКБ | 60 | В |
| 3 | Напряжение эмиттер-база | Веб | 5 | В |
| 4 | Токовый коллектор | IC | 3 | А |
| 5 | Коэффициент усиления по току | жилой | от 30 до 300 | |
| 6 | Рассеиваемая мощность | Общий | 12,5 | Вт |
| 7 | Температура хранения | ЦТГ | от -65 до 150 | С |
- Напряжение коллектор-база 60В, напряжение коллектор-эмиттер 30В. А напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что означает, что для запуска транзистора и смещения этого устройства требуется всего 5 В.
- Рассеиваемая мощность составляет 12,5 Вт, что определяет количество энергии, выделяемой устройством при работе этого компонента. Температура хранения составляет от -65 до 150°С, а температура перехода составляет 150°С.
- При работе с этим устройством убедитесь, что ваши параметры не превышают эти абсолютные максимальные значения, иначе вы рискуете компонентом и, следовательно, всей схемой.
А напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что означает, что для запуска транзистора и смещения этого устройства требуется всего 5 В.- Кроме того, если вы применяете эти рейтинги дольше необходимого времени, это повлияет на надежность устройства.
Ниже приведены альтернативы 2sb772.
- BD186
- КСБ772
- БД132
- БД188
- МДЖЭ232
- БД190
- МДЖЭ235
- КШ772
Прежде чем включать эти альтернативы в свою схему, перепроверьте распиновку альтернатив, так как весьма вероятно, что распиновка альтернатив точно не совпадает с распиновкой 2sb772.
Комплементарный NPN-транзистор к 2sb772 — 2sd882.
Это устройство используется в следующих приложениях.
- Используется для усиления и коммутации.
- Встраивается в схемы Н-моста.
- Используется в драйверах реле.
- Встроен в цепь управления двигателем.
- Используется в цепях регулятора напряжения.
- Используется в нестабильных и бистабильных мультивибраторах.
- Используется для поддержки нагрузок до 3А.
На следующей схеме показаны физические размеры транзистора 2sb772. Эти размеры помогут вам определить общее пространство, необходимое для всего проекта.
Это все на сегодня. Надеюсь, вы найдете эту статью полезной. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже, я буду рад помочь вам наилучшим образом.
Вы всегда можете поделиться своими отзывами и предложениями, они помогают нам создавать качественный контент, адаптированный к вашим точным требованиям. Спасибо, что прочитали этот пост.
-Автор сайта
Сайед Заин Насир
Саидзаиннасир
Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP).
