2Sc945: 2SC945GR, Транзистор NPN 50В 0.1А 0.25Вт, [TO-92], Китай

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т.

е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА
I1вых= -0,4 мА
I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.
п.
= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В
-40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В
-1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

2SC945 sot-23 | Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC945 (маркировка CR)

2SC945 — NPN transistor, 50V 0.15A 0.25W 250MHz, SOT-23

 

ОСОБЕННОСТИ

  • Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V
  • Collector current up to 150mA
  • High hFE linearity
  • Complimentary to 2SA733
Код товара :M-147-6351
Обновление: 2022-09-04
Тип корпуса :SOT-23

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SC945 sot-23, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2SC945 sot-23 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
6351 2SC945 sot-23 Транзистор 2SC945 (маркировка CR) — NPN transistor, 50V 0.15A 0.25W 250MHz, SOT-23 3.2 pyб.
6429 2SA812 Транзистор 2SA812 — PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR, 50V, 100mA, SOT-23 3.2 pyб.
7682 2SA1015 sot-23 Транзистор 2SA1015 (полный партномер 2SA1015LT1, маркировка BA) — PNP Transistor, 50V, 0. 15A, SOT-23 1.5 pyб.
2035 Модифицированный акриловый клей DY-J37 (20 гр.) Двухкомпонентный модифицированный акриловый клей DY-J37 (Modified Acrylic Adhesive) — два тюбика по 10 грамм 87 pyб.
679 2SB892 (B892) Транзистор 2SB892 (маркировка B892) = PNP U=60В, I=2A, Р=1Вт, f=150МГц, низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 pyб.
5509 1N4007 (M7) smd Диоды 1N4007 (маркировка M7) — RECTIFIER STANDARD RECOVERY GPP 1.0A, 1000V, DO-214 0.9 pyб.
6958 STS9013 (S9013) sot-23 Транзистор STS9013 (маркировка J3) — NPN Transistor, 25V, 0.5A, SOT-23 2.1 pyб.
3316 FQPF12N60C Транзистор FQPF12N60 (FQPF12N60C) — Power MOSFET N-Channel, 12A, 600V, TO-220FP 37 pyб.
7051 BSS138 Транзистор BSS138 (маркировка J1, полный партномер BSS138LT1G) — NPN Transistor 50V, 0. 22A, SOT-23 2.7 pyб.
1091 ULN2003APG dip-16 Транзисторная сборка ULN2003APG (ULN2003, ULN2003A, ULN2003ADR, ULN2003AN) — High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays, DIP-16 9 pyб.

 

эквивалент транзистора 2SC945, распиновка, упаковка, спецификация

Byadharsh Обновлено

Транзистор 2SC945

Спецификация транзистора 2SC945
  • 2SC945 представляет собой высокочастотный усилитель транзистора NPN типа
  • Напряжение между коллектором и эмиттером 40 В
  • Напряжение между коллектором и базой 50 В
  • Напряжение между эмиттером и базой
  • Ток коллектора равен
  • Базовый ток 20 мА
  • Рассеиваемая мощность 250 мВт
  • Коэффициент усиления постоянного тока от 50 до 185hFE
  • Полоса пропускания усиления (F T ) составляет от 150 до 450 МГц
  • Температура перехода от – от 55 до 150
  • Коэффициент шума (N F ) 15 дБ
  • Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (В CE (SAT) ) составляет 3 В
  • Устройство усилителя ЗЧ
  • Высокое напряжение
  • Низкоскоростное переключение

Схема контактов транзистора 2SC945 Схема контактов транзистора 2SC945
Номер контакта Имя контакта Описание
1 Излучатель Ток протекает через клемму эмиттера
2 Коллектор Ток протекает через коллектор
3 База   База является триггером для транзистора

 

Блок транзисторов 2SC945

Блок транзисторов, используемый в устройстве 2SC945, представляет собой корпус TO-92. обычный транзистор.

TO-92 представляет собой корпус, изготовленный из комбинации пластика и эпоксидной смолы, а также менее компактный корпус, поэтому схемотехника с этим устройством станет менее сложной.

Описание электрических характеристик транзистора 2SC945

Транзистор 2SC945 представляет собой высокочастотный усилитель ЗЧ, в этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики отдельно.

Спецификации напряжения

Спецификация напряжения транзистора 2SC945 будет объяснена спецификациями напряжения на клеммах, здесь у нас есть напряжение коллектор-база 50В, напряжение коллектор-эмиттер 40В и напряжение эмиттер-база 5В, значения напряжения заявить, что 2SC945 транзистор — прибор средней мощности.

Характеристики тока

Значение тока коллектора составляет 0,1 А, значение тока транзистора показывает нагрузочную способность.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность этого транзистора составляет 250 МВт, это мощность транзистора 2SC945, и мы также можем объяснить рассеиваемую мощность как теплоемкость транзистора.

Характеристики усиления по току

Значение усиления по току составляет от 50 до 185hFE, это важное значение для усилителей и приложений, связанных с регулированием напряжения.

Характеристики частоты перехода/полосы пропускания

Значение частоты перехода объясняется полосой усиления, которая находится в диапазоне от 150 до 450 МГц. Это важная характеристика для усилителей и коммутационных приложений.

Температура перехода

Температура перехода от -55 до 150 ℃, это наиболее распространенное значение температуры для транзисторных устройств средней мощности.

Коэффициент шума

Значение коэффициента шума для 2SC945 составляет 15 дБ, значение коэффициента шума среднее для усилителя.

2SC945 Транзисторный таблица транзистора 2SC945 Транзисторный таблиц

, если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, , нажмите на эту ссылку

2SC945, эквивалент

Транспорт. являются эквивалентными транзисторами для 2SC945.

Каждый из транзисторов в этом списке имел почти одинаковые электрические характеристики, мы можем легко заменить 2SC945 с этими транзисторами.

2SC945, 2SC1815, 2N3904

В таблице поясняется сравнение между 2SC945, 2SC1815 и 2N3904, электрические характеристики каждого транзистора дадут нам представление о транзисторе.

Характеристики 2SC945 2SC1815 2N3904
Напряжение между коллектором и базой (VCB) 50 В 60 В 60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) 40 В 50 В 40 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB) 5 В 5 В 6 В
Ток коллектора (IC) 0,1 А 0,15 А 200 мА
Рассеиваемая мощность 250 мВт 0,4 Вт 625 мВт
Температура перехода (ТДж) 150°C 150°С 150°С
Частота перехода (FT) 150 МГц 80 МГц 250 МГц
Шум (Н) 15 дБ 1 дБ 6 дБ
Коэффициент усиления (hFE) от 50 до 185hFE от 70 до 700hFE от 30 до 300hFE
Пакет ТО-92 ТО-92 ТО-92

В таблице электрических характеристик трех транзисторов указано, что все транзисторы имеют почти одинаковые характеристики.

Различие, которое мы можем видеть только в значениях частоты перехода и усиления по постоянному току, частота перехода выше у 2N3904, а 2SC1815 имеет более высокое значение усиления по постоянному току.

2SC945 характеристики транзистора графическое представление зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером

На рисунке показано графическое представление зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, при каждом значении базового тока ток коллектора будет повышаться на определенный уровень.

И напряжение становится перпендикулярным с каждым диапазоном, график показывает, что на определенном уровне ток коллектора становится постоянным.

кривая характеристик транзистора 2SC945

На рисунке показана кривая характеристик транзистора 2SC945, график будет построен между усилением постоянного тока и током коллектора.

Похожие сообщения

Транзистор

Транзистор 2N5401: аналог, цоколевка, спецификация, корпус, даташит

Бьядхарш

Транзистор 2N5401 Транзистор 2N5401 Электрические характеристики 2N5401 представляет собой биполярный переход PNP Силовой транзистор Напряжение между коллектором и эмиттером составляет -150 В Напряжение между коллектором и базой составляет -160 В Напряжение между эмиттером и базой…

Подробнее Транзистор 2N5401: аналог, распиновка, спецификация, корпус, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Техническое описание транзистора

D882/2SD882: аналог, распиновка, спецификация

Бьядхарш

Транзистор D882/2SD882 Транзистор D882 Электрические характеристики 2SD882 представляет собой транзистор средней мощности NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 30 В Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Подробнее Техническое описание транзистора D882 / 2SD882: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить

Транзистор

Техническое описание транзистора

MP1620: дополнение, распиновка, спецификация

Бьядхарш

Транзистор MP1620 Транзистор MP1620 электрические характеристики MP1620 представляет собой транзисторное устройство с питанием PNP BJT Напряжение между коллектором и эмиттером составляет -150 В Напряжение между коллектором и базой составляет -160 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Техническое описание транзистора MP1620: дополнение, распиновка, спецификацияПродолжить

Транзистор

Спецификация транзистора

A1015: цена, распиновка, упаковка, применение и техническое описание

Бьядхарш

Транзистор A1015 Спецификация транзистора A1015 Это биполярный PNP-транзистор. Коэффициент усиления постоянного тока составляет от 70 до 400hFE. Подробнее Спецификация транзистора A1015: цена, распиновка, упаковка, использование и техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор

MPSA06: аналог, схема расположения выводов, характеристики, спецификация

Бьядхарш

Транзистор MPSA06 Электрические характеристики транзистора MPSA06 MPSA06 — кремниевый NPN-транзистор общего назначения. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 80 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 80 В. Напряжение между эмиттером и базой…

Подробнее Транзистор MPSA06: эквивалент, распиновка, характеристики, техническое описаниеПродолжить

Обзор транзисторов в полупроводниках.

1

0N501198 NSC транзистор
Номер детали: 0N501198
Производитель: NSC
Тедсс Идентификатор: 2028028485
НСК 0N501198 Полупроводник.

36,50 долларов США
посмотреть еще

2

1.5KE15A ON-SEMI Транзистор
Артикул: 1. 5KE15A
Производитель: ON-SEMI
Тедсс Идентификатор: 2028003564

0,50 $
$0,25 — 100 шт.
посмотреть еще

3

1.5KE82A МОТОРОЛА Транзистор
Артикул: 1.5KE82A
Производитель: MOTOROLA
Тедсс Идентификатор: 2028021376

0,50 доллара США
посмотреть еще

4

10181791 Транзистор RAYTHEON
Номер детали: 10181791
Производитель: RAYTHEON
Тедсс Идентификатор: 2028029186
RAYTHEON 10181791 полупроводниковый.

$79. 00
посмотреть еще

5

10182301 Силиконовый транзистор
Номер детали: 10182301
Производитель: SILICONIX
Тедсс Идентификатор: 2028029187
SILICONIX 10182301 полупроводник.

29,99 долларов США
посмотреть еще

6

ИК-транзистор 10BQ100TR
Номер детали: 10BQ100TR
Производитель: IR
Тедсс Идентификатор: 2028003882
Тип корпуса: SMD

1500,00 долларов США
посмотреть еще

7

Транзистор 111HMQB FAIRCHILD
Артикул: 111HMQB
Производитель: FAIRCHILD
Тедсс Идентификатор: 2028028343
FAIRCHILD 111HMQB Полупроводник.

В наличии. Запросите цену.

8

Транзистор 125XB44 WESTINGHOUSE
Номер детали: 125XB44
Производитель: WESTINGHOUSE
Тедсс Идентификатор: 2028021617
Силовой транзистор

$68,96
посмотреть еще

9

150КС10 ИК транзистор
Номер детали: 150KS10
Производитель: IR
Тедсс Идентификатор: 2028003859

$21.00
посмотреть еще

10

155-0085-01 ТЕКТРОНИКС Транзистор
Номер детали: 155-0085-01
Производитель: TEKTRONIX
Тедсс Идентификатор: 2028027569
TEKTRONIX 155-0085-01 Полупроводник.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *