2SC945: характеристики, применение и аналоги популярного NPN-транзистора

Какие основные параметры у транзистора 2SC945. Для чего он используется в электронных схемах. Какие есть аналоги 2SC945 и чем они отличаются. Как правильно выбрать и применить этот транзистор.

Содержание

Основные характеристики транзистора 2SC945

2SC945 — это биполярный NPN-транзистор средней мощности, широко применяемый в радиоэлектронике. Он обладает следующими ключевыми параметрами:

Структура: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
Максимальный ток коллектора: 100 мА
Рассеиваемая мощность: 250 мВт
Коэффициент усиления по току: 50-185
Граничная частота: 250 МГц
Корпус: TO-92 или SOT-23

Благодаря сочетанию этих характеристик, 2SC945 подходит для широкого спектра применений в маломощных схемах.

Области применения транзистора 2SC945

Транзистор 2SC945 часто используется в следующих типах электронных устройств и схем:

Усилители низкой частоты
Генераторы сигналов
Импульсные схемы
Схемы коммутации

Источники питания
Радиоприемники
Автомобильная электроника

Универсальность и доступность делают 2SC945 популярным выбором как для промышленного производства, так и для любительских проектов.

Особенности и преимущества 2SC945

Транзистор 2SC945 обладает рядом преимуществ, определяющих его широкое распространение:

Высокая надежность и стабильность параметров
Низкий уровень шумов
Хорошая линейность характеристик
Широкий диапазон рабочих температур
Компактные размеры корпуса
Доступная цена

Эти качества делают 2SC945 отличным выбором для многих типовых схем, не требующих высокой мощности.

Аналоги и заменители 2SC945

При отсутствии 2SC945 его можно заменить следующими аналогами с близкими характеристиками:

2N3904
2SC1815
BC547
KT315
2SA1015 (PNP-аналог)

При замене следует учитывать небольшие различия в параметрах и проверять работоспособность схемы.

Как правильно выбрать транзистор 2SC945

При выборе транзистора 2SC945 для конкретной схемы нужно обратить внимание на следующие моменты:

Проверить соответствие максимально допустимых напряжений и токов требованиям схемы
Убедиться, что коэффициент усиления транзистора подходит для данного применения
Учесть требования к частотным свойствам и уровню шумов
Выбрать подходящий тип корпуса (TO-92 или SOT-23)
При необходимости подобрать транзистор с нужной группой по коэффициенту усиления

Тщательный подбор транзистора обеспечит оптимальную работу электронного устройства.

Типовые схемы включения 2SC945

Транзистор 2SC945 может использоваться в различных схемах включения. Наиболее распространенные из них:

Схема с общим эмиттером — для усиления сигналов
Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) — для согласования импедансов
Схема с общей базой — для работы на высоких частотах
Дифференциальный каскад — для усиления разностного сигнала

Токовое зеркало — для создания источника тока

Выбор конкретной схемы зависит от решаемой задачи и требуемых параметров.

Сравнение 2SC945 с современными аналогами

Хотя 2SC945 остается популярным, современные технологии позволили создать более совершенные транзисторы. Рассмотрим сравнение с некоторыми из них:

Параметр	2SC945	BC847	MMBT3904
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	50 В	45 В	40 В
Максимальный ток коллектора	100 мА	100 мА	200 мА
Коэффициент усиления по току	50-185	110-800	100-300
Граничная частота	250 МГц	300 МГц	300 МГц

Как видно, современные аналоги имеют улучшенные характеристики, особенно в плане коэффициента усиления и частотных свойств.

Заключение

Транзистор 2SC945, несмотря на свой почтенный возраст, остается востребованным компонентом в электронике благодаря оптимальному сочетанию характеристик, надежности и доступности. Его универсальность позволяет использовать его в широком спектре устройств — от простых любительских схем до промышленной электроники. При правильном применении 2SC945 обеспечивает стабильную и эффективную работу в различных схемах усиления, коммутации и генерации сигналов.

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	P_пот. мВт.	t_зд.р. нс	Э_пот.пДж.	C_н. пФ.	R_н. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
Нагружаемый выход	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
Параметр	Условия измерения	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U¹_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U⁰_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах			0,8			0,8			0,8
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В	I⁰_вых= 16 мА			I⁰_вых= 8 мА			I⁰_вых= 20 мА
U¹_вых, В схема	U_{и. п.}= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
U¹_вых, В схема	U_{и. п.}= 4,5 В	I¹_вых= -0,8 мА			I¹_вых= -0,4 мА			I¹_вых= -1 мА
I¹_вых, мкА с ОК схема	U¹_и.п.= 4,5 В, U¹_вых=5,5 В			250			100			250
I¹_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 U_вх= 2 В			40			20			50
I⁰_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_{и. п.}= 5,5 В, U_вых= 0,4 В, U_вх= 2 В			-40			-20			-50
I¹_вх, мкА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 2,7 В			40			20			50		20
I¹_{вх, max}, мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I⁰_вх, мА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
I_{к. з.}, мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

2SC945 sot-23 | Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC945 (маркировка CR)

2SC945 — NPN transistor, 50V 0.15A 0.25W 250MHz, SOT-23

ОСОБЕННОСТИ
Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V
Collector current up to 150mA
High hFE linearity
Complimentary to 2SA733

Код товара :	M-147-6351
Обновление:	2022-09-04
Тип корпуса :	SOT-23

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SC945 sot-23, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2SC945 sot-23 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
6351	2SC945 sot-23	Транзистор 2SC945 (маркировка CR) — NPN transistor, 50V 0.15A 0.25W 250MHz, SOT-23	3.2 pyб.
6429	2SA812	Транзистор 2SA812 — PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR, 50V, 100mA, SOT-23	3.2 pyб.
7682	2SA1015 sot-23	Транзистор 2SA1015 (полный партномер 2SA1015LT1, маркировка BA) — PNP Transistor, 50V, 0. 15A, SOT-23	1.5 pyб.
2035	Модифицированный акриловый клей DY-J37 (20 гр.)	Двухкомпонентный модифицированный акриловый клей DY-J37 (Modified Acrylic Adhesive) — два тюбика по 10 грамм	87 pyб.
679	2SB892 (B892)	Транзистор 2SB892 (маркировка B892) = PNP U=60В, I=2A, Р=1Вт, f=150МГц, низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.2 pyб.
5509	1N4007 (M7) smd	Диоды 1N4007 (маркировка M7) — RECTIFIER STANDARD RECOVERY GPP 1.0A, 1000V, DO-214	0.9 pyб.
6958	STS9013 (S9013) sot-23	Транзистор STS9013 (маркировка J3) — NPN Transistor, 25V, 0.5A, SOT-23	2.1 pyб.
3316	FQPF12N60C	Транзистор FQPF12N60 (FQPF12N60C) — Power MOSFET N-Channel, 12A, 600V, TO-220FP	37 pyб.
7051	BSS138	Транзистор BSS138 (маркировка J1, полный партномер BSS138LT1G) — NPN Transistor 50V, 0. 22A, SOT-23	2.7 pyб.
1091	ULN2003APG dip-16	Транзисторная сборка ULN2003APG (ULN2003, ULN2003A, ULN2003ADR, ULN2003AN) — High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays, DIP-16	9 pyб.

эквивалент транзистора 2SC945, распиновка, упаковка, спецификация

Byadharsh Обновлено 26 февраля 2022 г.

Транзистор 2SC945

Спецификация транзистора 2SC945

2SC945 представляет собой высокочастотный усилитель транзистора NPN типа
Напряжение между коллектором и эмиттером 40 В
Напряжение между коллектором и базой 50 В
Напряжение между эмиттером и базой 5В
Ток коллектора равен 1А
Базовый ток 20 мА
Рассеиваемая мощность 250 мВт
Коэффициент усиления постоянного тока от 50 до 185hFE
Полоса пропускания усиления (F _T ) составляет от 150 до 450 МГц
Температура перехода от – от 55 до 150 ℃
Коэффициент шума (N _F ) 15 дБ
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (В _{CE (SAT)} ) составляет 3 В
Устройство усилителя ЗЧ
Высокое напряжение
Низкоскоростное переключение

Схема контактов транзистора 2SC945 Схема контактов транзистора 2SC945

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток протекает через клемму эмиттера
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор
3	База	База является триггером для транзистора

Блок транзисторов 2SC945

Блок транзисторов, используемый в устройстве 2SC945, представляет собой корпус TO-92. обычный транзистор.

TO-92 представляет собой корпус, изготовленный из комбинации пластика и эпоксидной смолы, а также менее компактный корпус, поэтому схемотехника с этим устройством станет менее сложной.

Описание электрических характеристик транзистора 2SC945

Транзистор 2SC945 представляет собой высокочастотный усилитель ЗЧ, в этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики отдельно.

Спецификации напряжения

Спецификация напряжения транзистора 2SC945 будет объяснена спецификациями напряжения на клеммах, здесь у нас есть напряжение коллектор-база 50В, напряжение коллектор-эмиттер 40В и напряжение эмиттер-база 5В, значения напряжения заявить, что 2SC945 транзистор — прибор средней мощности.

Характеристики тока

Значение тока коллектора составляет 0,1 А, значение тока транзистора показывает нагрузочную способность.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность этого транзистора составляет 250 МВт, это мощность транзистора 2SC945, и мы также можем объяснить рассеиваемую мощность как теплоемкость транзистора.

Характеристики усиления по току

Значение усиления по току составляет от 50 до 185hFE, это важное значение для усилителей и приложений, связанных с регулированием напряжения.

Характеристики частоты перехода/полосы пропускания

Значение частоты перехода объясняется полосой усиления, которая находится в диапазоне от 150 до 450 МГц. Это важная характеристика для усилителей и коммутационных приложений.

Температура перехода

Температура перехода от -55 до 150 ℃, это наиболее распространенное значение температуры для транзисторных устройств средней мощности.

Коэффициент шума

Значение коэффициента шума для 2SC945 составляет 15 дБ, значение коэффициента шума среднее для усилителя.

2SC945 Транзисторный таблица транзистора 2SC945 Транзисторный таблиц

, если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, , нажмите на эту ссылку

2SC945, эквивалент

Транспорт. являются эквивалентными транзисторами для 2SC945.

Каждый из транзисторов в этом списке имел почти одинаковые электрические характеристики, мы можем легко заменить 2SC945 с этими транзисторами.

2SC945, 2SC1815, 2N3904

В таблице поясняется сравнение между 2SC945, 2SC1815 и 2N3904, электрические характеристики каждого транзистора дадут нам представление о транзисторе.

Характеристики	2SC945	2SC1815	2N3904
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	50 В	60 В	60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	40 В	50 В	40 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	5 В	5 В	6 В
Ток коллектора (IC)	0,1 А	0,15 А	200 мА
Рассеиваемая мощность	250 мВт	0,4 Вт	625 мВт
Температура перехода (ТДж)	150°C	150°С	150°С
Частота перехода (FT)	150 МГц	80 МГц	250 МГц
Шум (Н)	15 дБ	1 дБ	6 дБ
Коэффициент усиления (hFE)	от 50 до 185hFE	от 70 до 700hFE	от 30 до 300hFE
Пакет	ТО-92	ТО-92	ТО-92

В таблице электрических характеристик трех транзисторов указано, что все транзисторы имеют почти одинаковые характеристики.

Различие, которое мы можем видеть только в значениях частоты перехода и усиления по постоянному току, частота перехода выше у 2N3904, а 2SC1815 имеет более высокое значение усиления по постоянному току.

2SC945 характеристики транзистора графическое представление зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером

На рисунке показано графическое представление зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, при каждом значении базового тока ток коллектора будет повышаться на определенный уровень.

И напряжение становится перпендикулярным с каждым диапазоном, график показывает, что на определенном уровне ток коллектора становится постоянным.

кривая характеристик транзистора 2SC945

На рисунке показана кривая характеристик транзистора 2SC945, график будет построен между усилением постоянного тока и током коллектора.

Обзор транзисторов в полупроводниках.

0N501198 NSC транзистор
Номер детали: 0N501198
Производитель: NSC
Тедсс Идентификатор: 2028028485
НСК 0N501198 Полупроводник.

36,50 долларов США
посмотреть еще

1.5KE15A ON-SEMI Транзистор
Артикул: 1. 5KE15A
Производитель: ON-SEMI
Тедсс Идентификатор: 2028003564

0,50 $
$0,25 — 100 шт.
посмотреть еще

1.5KE82A МОТОРОЛА Транзистор
Артикул: 1.5KE82A
Производитель: MOTOROLA
Тедсс Идентификатор: 2028021376

0,50 доллара США
посмотреть еще

10181791 Транзистор RAYTHEON
Номер детали: 10181791
Производитель: RAYTHEON
Тедсс Идентификатор: 2028029186
RAYTHEON 10181791 полупроводниковый.

$79. 00
посмотреть еще

10182301 Силиконовый транзистор
Номер детали: 10182301
Производитель: SILICONIX
Тедсс Идентификатор: 2028029187
SILICONIX 10182301 полупроводник.

29,99 долларов США
посмотреть еще

ИК-транзистор 10BQ100TR
Номер детали: 10BQ100TR
Производитель: IR
Тедсс Идентификатор: 2028003882
Тип корпуса: SMD

1500,00 долларов США
посмотреть еще

Транзистор 111HMQB FAIRCHILD
Артикул: 111HMQB
Производитель: FAIRCHILD
Тедсс Идентификатор: 2028028343
FAIRCHILD 111HMQB Полупроводник.

В наличии. Запросите цену.

Транзистор 125XB44 WESTINGHOUSE
Номер детали: 125XB44
Производитель: WESTINGHOUSE
Тедсс Идентификатор: 2028021617
Силовой транзистор

$68,96
посмотреть еще

150КС10 ИК транзистор
Номер детали: 150KS10
Производитель: IR
Тедсс Идентификатор: 2028003859

$21.00
посмотреть еще

155-0085-01 ТЕКТРОНИКС Транзистор
Номер детали: 155-0085-01
Производитель: TEKTRONIX
Тедсс Идентификатор: 2028027569
TEKTRONIX 155-0085-01 Полупроводник.