2Т825А – 2Т825А, Транзистор PNP | купить в розницу и оптом

2Т825А – 2Т825А, Транзистор PNP | купить в розницу и оптом

КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ825, 2Т825.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ825Г20 (30)705125750234
КТ825Д20 (30)455125750234
КТ825Е20 (30)255125750234
2Т825А20 (40)805160500…18000234
2Т825Б20 (40)605160750…18000234
2Т825В20 (40)455160750…18000234
2Т825А215 (40)80100530500…18000234
2Т825Б215 (40)6080530750…18000234
2Т825В215 (40)4560530750…18000234

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ825, 2Т825


Внешний вид транзистора на примере КТ825Г




Разное

Какие основные параметры имеет транзистор КТ825. Где применяется данный транзистор в электронных схемах. Какие существуют аналоги КТ825 отечественного и зарубежного производства.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ825

Транзистор КТ825 представляет собой мощный биполярный PNP-транзистор, изготовленный по кремниевой технологии. Он относится к классу составных транзисторов и имеет структуру Дарлингтона, что обеспечивает высокий коэффициент усиления по току. КТ825 предназначен для работы в усилительных и генераторных схемах, а также в ключевых режимах.

Основные особенности транзистора КТ825:

  • Тип проводимости: PNP
  • Структура: составной транзистор (схема Дарлингтона)
  • Материал: кремний
  • Назначение: усилительный, мощный, низкочастотный
  • Область применения: усилители мощности, импульсные схемы

Ключевые параметры и характеристики КТ825

Транзистор КТ825 выпускается в нескольких модификациях, которые различаются по основным электрическим параметрам. Рассмотрим наиболее важные характеристики:


Максимально допустимые параметры:

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 25-80 В (в зависимости от модификации)
  • Ток коллектора: 15-20 А (постоянный), 30-40 А (импульсный)
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 30-160 Вт (на радиаторе)
  • Температура перехода: +150°C — +175°C

Статические характеристики:

  • Коэффициент передачи тока h21э: от 500 до 18000 (зависит от модификации)
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 2 В
  • Напряжение насыщения база-эмиттер: 3-4 В

Динамические характеристики:

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ
  • Время включения: 1 мкс
  • Время выключения: 4,5 мкс

Модификации транзистора КТ825 и их особенности

Транзистор КТ825 выпускается в нескольких модификациях, которые отличаются по ключевым параметрам. Основные варианты исполнения:

  • КТ825Г: UКЭ max = 70 В, PК max = 125 Вт
  • КТ825Д: UКЭ max = 45 В, PК max = 125 Вт
  • КТ825Е: UКЭ max = 25 В, PК max = 125 Вт
  • 2Т825А: UКЭ max = 80 В, PК max = 160 Вт
  • 2Т825Б: UКЭ max = 60 В, PК max = 160 Вт
  • 2Т825В: UКЭ max = 45 В, PК max = 160 Вт

Модификации с индексом «2» (2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2) имеют сниженную рассеиваемую мощность (30 Вт) и предназначены для работы в менее нагруженных режимах.


Применение транзистора КТ825 в электронных схемах

Транзистор КТ825 широко используется в различных электронных устройствах благодаря своим высоким характеристикам по току и мощности. Основные области применения включают:

  • Усилители мощности звуковой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Ключевые и коммутационные схемы
  • Драйверы управления электродвигателями
  • Регуляторы напряжения и тока

В усилителях мощности КТ825 часто используется в выходных каскадах. Высокий коэффициент усиления по току позволяет обеспечить необходимую мощность при относительно небольшом токе базы.

Особенности монтажа и эксплуатации КТ825

При работе с транзистором КТ825 следует учитывать некоторые особенности:

  • Необходимость использования радиатора для отвода тепла при работе на больших мощностях
  • Чувствительность к статическому электричеству, требующая соблюдения мер предосторожности при монтаже
  • Важность правильного выбора режима работы для обеспечения длительного срока службы

Для эффективного теплоотвода рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением не более 1-1,2°C/Вт. При монтаже необходимо обеспечить надежный тепловой контакт между корпусом транзистора и поверхностью радиатора, используя теплопроводящую пасту.


Аналоги транзистора КТ825 и возможности замены

При необходимости замены КТ825 можно использовать как отечественные, так и зарубежные аналоги. Некоторые возможные варианты:

Отечественные аналоги:

  • КТ818 (в паре с КТ819 для комплементарных схем)
  • КТ827
  • КТ829

Зарубежные аналоги:

  • 2N6051 (аналог КТ825Г)
  • 2N6050 (аналог КТ825Д)
  • BDX64 (аналог КТ825Е)
  • TIP147, TIP142 (аналоги 2Т825А)

При выборе аналога необходимо тщательно сравнивать параметры заменяемого транзистора с характеристиками предполагаемой замены, уделяя особое внимание максимально допустимым напряжениям, токам и рассеиваемой мощности.

Особенности схемотехники с использованием КТ825

При разработке схем с применением транзистора КТ825 следует учитывать ряд факторов:

  • Высокий коэффициент усиления по току, что может потребовать принятия мер по стабилизации режима работы
  • Необходимость обеспечения надежного теплоотвода при работе на больших мощностях
  • Возможность возникновения паразитных колебаний в высокочастотных схемах

Для улучшения температурной стабильности рекомендуется использовать схемы с отрицательной обратной связью по току. В импульсных режимах работы важно обеспечить быстрое переключение транзистора для минимизации потерь на коммутацию.


Проверка и диагностика транзистора КТ825

Для определения исправности транзистора КТ825 можно использовать следующие методы:

  1. Проверка омметром: измерение сопротивления переходов база-эмиттер и база-коллектор в прямом и обратном направлении
  2. Измерение коэффициента усиления по току с помощью специализированных приборов (например, измерителя h21э)
  3. Проверка напряжения насыщения коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора
  4. Тестирование в реальной схеме с контролем режимов работы

При проведении измерений важно соблюдать меры предосторожности для защиты транзистора от повреждения статическим электричеством и не превышать допустимые значения тока и напряжения.


КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ825, 2Т825.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр

МГц
КТ825Г20 (30)705125750234
КТ825Д20 (30)455125750234
КТ825Е20 (30)255125750234
2Т825А20 (40)805160500…18000234
2Т825Б20 (40)605160750…18000234
2Т825В20 (40)455160750…18000234
2Т825А215 (40)80100 530500…18000234
2Т825Б215 (40)6080530750…18000234
2Т825В215 (40)4560530750…18000234

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ825, 2Т825


Внешний вид транзистора на примере КТ825Г




radiohome.ru

Карточка серии 2Т825А2-5 | Optochip: электронные компоненты

Артикул ТУ Завод Статус предприятия Максимально допустимый постоянный /импульсный/ ток коллектора, не более, А Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение насыщения коллектор-эмиттер /максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение насыщения коллектор-эмиттер/, не более, В Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база /граничное напряжение/, не более, В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении, Б-коллектор-база, Э- коллектор-эмиттер, В и токе, К-коллектора, Б-базы, Э-эмиттера, А) /не менее/ Время: Р-рассасывания, В-включения, Ы-выключения, С-спада импульса, не более, мкс

Перечень содержит преимущественно перспективную номенклатуру изделий военного назначения категорий качества «ВП», «ОС» и «ОСМ» с техническим уровнем и характеристиками, отвечающими требованиям действующих нормативных документов (НД) на изделия и позволяющими создавать образцы аппаратуры ВВСТ различного назначения.

Применение изделий в аппаратуре возможно на основании совместного Решения государственного заказчика ВВСТ, в интересах и по заказу которого выполняются работы по разработке (модернизации), производству, эксплуатации и ремонту аппаратуры, и государственного заказчика ЭКБ, при одноременном решении вопроса об освоении в производстве, восстановлении производства или воспроизводстве изделий до начала серийного выпуска аппаратуры. Освоение таких изделий осуществляется в соответствии с ГОСТ РВ 15.301-2003, восстановление производства или воспроизводство – в установленном порядке.

optochip.org

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.


Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

КТ825, kt825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

September 7, 2012 by admin Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ825:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, Втпри TК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБIЭ, АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ825Г203070 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825Д203045 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825Е203025 51252515010075010102 4 60060014,51
2Т825А204080 516025175125500…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825Б204060 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825В204045 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825А215408010053025150100500…1800010102 4 250400  4,17
2Т825Б21540608053025150100750…1800010102 4 250400  4,17
2Т825В21540456053025150100750…1800010102 4 250400  4,17

nauchebe.net