2Т825А – 2Т825А, Транзистор PNP | купить в розницу и оптом

КТ825, 2Т825 - биполярный кремниевый PNP транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


КТ825, 2Т825 - биполярный кремниевый PNP транзистор - параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ825, 2Т825.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ825Г 20 (30) 70 - 5 125 750 2 3 4
КТ825Д 20 (30) 45 - 5 125 750 2 3 4
КТ825Е 20 (30) 25 - 5 125 750 2 3 4
2Т825А 20 (40) 80 - 5 160 500...18000 2 3 4
2Т825Б 20 (40) 60 - 5 160 750...18000 2 3 4
2Т825В 20 (40) 45 - 5 160 750...18000 2 3 4
2Т825А2 15 (40) 80 100 5 30 500...18000 2 3 4
2Т825Б2 15 (40) 60 80 5 30 750...18000 2 3 4
2Т825В2 15 (40) 45 60 5 30
750...18000
2 3 4

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ825, 2Т825


Внешний вид транзистора на примере КТ825Г




radiohome.ru

Карточка серии 2Т825А2-5 | Optochip: электронные компоненты

Артикул ТУ Завод Статус предприятия Максимально допустимый постоянный /импульсный/ ток коллектора, не более, А Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение насыщения коллектор-эмиттер /максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение насыщения коллектор-эмиттер/, не более, В Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база /граничное напряжение/, не более, В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении, Б-коллектор-база, Э- коллектор-эмиттер, В и токе, К-коллектора, Б-базы, Э-эмиттера, А) /не менее/ Время: Р-рассасывания, В-включения, Ы-выключения, С-спада импульса, не более, мкс

Перечень содержит преимущественно перспективную номенклатуру изделий военного назначения категорий качества "ВП", "ОС" и "ОСМ" с техническим уровнем и характеристиками, отвечающими требованиям действующих нормативных документов (НД) на изделия и позволяющими создавать образцы аппаратуры ВВСТ различного назначения.

Применение изделий в аппаратуре возможно на основании совместного Решения государственного заказчика ВВСТ, в интересах и по заказу которого выполняются работы по разработке (модернизации), производству, эксплуатации и ремонту аппаратуры, и государственного заказчика ЭКБ, при одноременном решении вопроса об освоении в производстве, восстановлении производства или воспроизводстве изделий до начала серийного выпуска аппаратуры. Освоение таких изделий осуществляется в соответствии с ГОСТ РВ 15.301-2003, восстановление производства или воспроизводство – в установленном порядке.

optochip.org

Транзисторы КТ818 и КТ825 - Основные параметры, маркировка и цоколевка.


Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 - кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 - можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 - от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 - 45 в.
У транзисторов КТ825Е - 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 - 60 в.
У транзисторов КТ825Г - 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В -

160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 30 Вт.
Без радиатора - 3 Вт.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
- 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА - 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В - +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г - 2N6051.
КТ825Д - 2N6050.
КТ825Е - BDX64.
КТ825ГM - 2N6052G.
2Т825В -2N6285.

2Т825Б - 2N6286.
2Т825А - TIP147, TIP142

Транзисторы - купить... или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта - либо купить, либо - получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки - можно купить. Если же нет - всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника - можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей "Амфитон", "Вега", "Эстония", "Ода".

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

КТ825, kt825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

September 7, 2012 by admin Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ825:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт при TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКБ IЭ, А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ825Г 20 30 70   5
125
25 150 100 750 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1
КТ825Д 20 30 45   5 125 25 150 100 750 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1
КТ825Е 20 30 25   5 125 25 150 100 750 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1
2Т825А 20 40 80   5 160 25 175 125 500…18000 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1,2
2Т825Б 20 40 60   5 160 25 175 125 750…18000 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1,2
2Т825В 20 40 45   5 160 25 175 125 750…18000 10 10 2   4   600 600 1 4,5 1,2
2Т825А2 15 40 80 100 5 30 25 150 100 500…18000 10 10 2   4   250 400     4,17
2Т825Б2 15 40 60 80 5 30 25 150 100 750…18000 10 10 2   4   250 400     4,17
2Т825В2 15 40 45 60 5 30 25 150 100 750…18000 10 10 2   4   250 400     4,17

nauchebe.net

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о